專利名稱：有源矩陣基板及其制造方法、液晶顯示面板及其制造方法和驅(qū)動方法、液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于控制液晶分子的取向并顯示視頻的有源矩陣基板、液晶顯示面板、液晶顯示裝置、有源矩陣基板的制造方法和液晶顯示面板的制造方法，尤其涉及利用包含PSA(Polymer Sustained Alignment，聚合物穩(wěn)定取向)處理的制造方法制造的有源矩陣基板、液晶顯示面板、液晶顯示裝置、有源矩陣基板的制造方法、液晶顯示面板的制造方法和液晶顯示面板的驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著信息設備的普及，對顯示面板(液晶顯示裝置)的高性能化的要求越來越高。在液晶顯示裝置中，通過根據(jù)施加電壓改變液晶分子的取向方向，控制透射光的接通斷開。為了實現(xiàn)該液晶顯示裝置的高性能化，未對液晶施加電壓的狀態(tài)下的液晶分子的取向狀態(tài)很重要。因此，為實現(xiàn)液晶顯示裝置的高性能化，有必要控制液晶層與液晶分子的初始形成角(Pretilt Angle，預傾角)，以得到良好的取向狀態(tài)。作為預傾角的控制方法，已知有例如下述專利文獻1中公開的技術(shù)、即稱為PSA的技術(shù)。PSA是通過將能夠聚合的單體混入液晶中，在對液晶施加有電壓的狀態(tài)下，利用光或者熱等將單體聚合，由此保存液晶的傾斜方向的技術(shù)。例如，首先，在將分別形成有取向膜的一對基板以取向膜彼此相對的方式相互貼合而成的單元內(nèi)，注入含有單體的液晶材料。 接著，對上述單元施加電場等，使液晶分子朝規(guī)定方向取向的狀態(tài)下，照射紫外線，使上述單體聚合。由此，在上述取向膜上，形成具有傾斜的聚合物層。結(jié)果，能夠在對與聚合物層接觸的液晶分子賦予預傾角的狀態(tài)下將該液晶分子固定。根據(jù)PSA，即使是為了提高開口率等的目的而取向限制力弱的像素結(jié)構(gòu)，響應速度也快，手指按壓等也難以改變液晶取向。并且，在基于PSA的液晶分子的取向工序(下面，稱為PSA工序)中，照射紫外線時施加的電壓的大小不同的情況下，預傾角不同，成為具有不同的透射率特性的原因，所以電壓的施加方法很重要。因此，例如在下述專利文獻2中，提出了通過施加交流電，利用電容驅(qū)動液晶，避免配線缺陷的影響的方式，即，基于Cs-COM電壓施加方式的PSA工序的液晶顯示裝置的制造方法。專利文獻2記載的液晶顯示裝置的制造方法中，在第一基板形成有用于對基板整個面施加電壓的共用電極，在第二基板上，柵極總線與數(shù)據(jù)總線配置為矩陣狀，在兩條總線的交點形成有薄膜晶體管和與之相連的像素電極，并且還形成有Cs總線，在該Cs總線與像素電極之間形成電容。另外，在第一基板與第二基板的間隙中填充含有感光性材料的液晶組成物，形成液晶層，利用共用電極與像素電極并在這兩者間夾著液晶層，形成電容。于是， 根據(jù)專利文獻2所述的液晶顯示裝置的制造方法，在共用電極與像素電極之間施加交流電壓，對上述液晶層照射光。由此，在對液晶施加電壓時，不是從數(shù)據(jù)總線進行電壓寫入，是在兩個共用電極間施加電壓進行寫入，所以能夠防止從數(shù)據(jù)總線寫入時的總線的斷線或短路造成的缺陷部分引起的問題，即能夠防止由于形成于缺陷部分的預傾角使得只有缺陷部分變成不同的亮度的不良狀況?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 日本國專利公開公報“特開2003-149647號公報(
公開日2003年5 月21日)”專利文獻2 日本國專利公開公報“特開2003-177408號公報(
公開日2003年6 月27日)”

發(fā)明內(nèi)容
但是，專利文獻2記載的結(jié)構(gòu)中，會出現(xiàn)下述問題，即由于Cs-COM電壓施加方式的 PSA工序，在像素電極縫隙與輔助電容線交叉的位置產(chǎn)生取向紊亂的問題。一般而言，為了控制液晶分子的取向，例如在像素電極設置有縫隙，但是液晶分子的取向依存于對像素電極施加電壓時形成的等電位面。即，通過電場的方向控制液晶分子的傾斜。這時，在像素電極的縫隙與輔助電容線交叉的區(qū)域中，電場的方向根據(jù)輔助電容線的電位而變得不同。圖9是表示形成有縫隙的像素電極與對置基板之間的縫隙附近的電力線(箭頭線)和等電位面(虛線)的圖，(a)是表示縫隙與輔助電容線沒有交叉的區(qū)域中的電力線和等電位面的圖，(b)是表示在輔助電容線與COM電位為相同電位的情況下，縫隙與輔助電容線交叉的區(qū)域中的電力線和等電位面的圖，(c)是表示輔助電容線相對COM電位為高電位的情況下，縫隙與輔助電容線交叉的區(qū)域中的電力線和等電位面的圖。在圖9(a)和(b)表示的等電位面和電力線的情況下，在隔開間隙相鄰的兩個像素電極的各端部，電力線從各端部向著間隙的中心傾斜。這時，如后所述，能夠使得液晶分子取向成合適的方向。相對于此，在圖9(c)表示的等電位面和電力線的情況下，在上述兩個像素電極的各端部，電力線從間隙的中心附近向著像素電極的各端部的上方傾斜，與圖 9(b)的上述電力線朝向相反。這時，如后所述，不能使液晶分子取向成合適的方向。圖10是表示在像素電極縫隙與輔助電容線交叉的位置附近，Cs-COM電壓施加方式的PSA工序引起的取向紊亂的樣態(tài)的圖。圖10中，白色的區(qū)域是通常取向的區(qū)域，黑色的條紋花樣是取向紊亂引起的暗線。該取向紊亂在下述情況下產(chǎn)生，即，在Cs-COM電壓施加方式的PSA工序中，從輔助電容線的電位(Vcs)減去共用電極的電位(Vcom)得到的電位差，與從像素電極的電位(Vd)減去共用電極的電位(Vcom)得到的電位差為相同極性，并且助電容線的電位(Vcs)與共用電極的電位(Vcom)的差的絕對值比像素電極的電位(Vd)與共用電極的電位(Vcom)的差的絕對值還大的情況(即，Vcs-Vcom與Vd-Vcom為相同極性， 且IVcs-Vcoml > Vd-Vcoml的情況)。這時的等電位面在縫隙下的輔助電容線的電位的影響下，成為圖9(c)所示的形狀，因此不能夠?qū)σ壕Х肿淤x予合適的預傾角。于是，在對置基板的共用電極設置有液晶取向限制結(jié)構(gòu)時，圖9(c)所示的等電位面更加成為問題。詳細而言，該問題如下所述。圖11是表示具備輔助電容線，并具備具有縫隙的像素電極與具有突起的共用電極的液晶顯示裝置中的液晶分子的取向的樣態(tài)的圖，(a)表示通常驅(qū)動時的液晶分子的取向，(b)表示通過Cs-COM電壓施加方式的PSA工序形成的液晶分子的取向。設置在共用電極的突起與形成在像素電極的縫隙一樣，是用于控制液晶分子的預傾斜的取向限制結(jié)構(gòu)。此外，作為設置在共用電極的取向限制結(jié)構(gòu)并不限定于突起，也可以是縫隙。如圖11(a)所示，在通常驅(qū)動時，對共用電極、像素電極和輔助電容線施加“共用電極的電位(Vcom)=輔助電容線的電位(Vcs) ”的電壓，結(jié)果，設置在像素電極上的縫隙附近的等電位線成為向著輔助電容線凸出的形狀(對應圖9 (b))。這時，關(guān)于設置于共用電極的突起部附近的液晶的取向與設置于像素電極的縫隙附近的液晶的取向，液晶的歪斜方向相同，沒有產(chǎn)生取向紊亂。結(jié)果，不出現(xiàn)暗線。另一方面，如圖11(b)所示，Cs-COM電壓施加方式的PSA工序中，對共用電極、像素電極和輔助電容線施加Vcs-Vcom與Vd-Vcom為相同極性，且Vcs-Vcom > Vd-Vcom的電壓，結(jié)果，設置在像素電極上的縫隙附近的等電位線，與通常驅(qū)動時相反，成為向著共用電極凸出的形狀(對應圖9(c))。這時，關(guān)于設置于共用電極的突起部附近的液晶的取向與設置于像素電極的縫隙附近的液晶的取向，液晶的歪斜方向相反，產(chǎn)生取向紊亂。結(jié)果，出現(xiàn)圖10所示的暗線。S卩，Cs-COM電壓施加方式的PSA工序中，在1像素內(nèi)形成使液晶分子朝向規(guī)定方向取向的疇的情況下，不能夠使該1疇內(nèi)的預傾角在一個方向上形成。因此，若經(jīng)過現(xiàn)有的PSA工序，則預傾角被固定成圖11(b)的狀態(tài)，即使在通常驅(qū)動中，由于出現(xiàn)圖10的暗線，也存在導致顯示品質(zhì)下降的問題。另外，利用不包含PSA工序的制造方法制造的液晶顯示裝置的通常驅(qū)動中，對輔助電容線施加電壓使得(輔助電容線的電位-共用電極的電位)與(像素電極的電位-共用電極的電位)為相同極性，且I輔助電容線的電位-共用電極的電位I > I像素電極的電位-共用電極的電位I，這時，在與輔助電容線交叉的像素電極的縫隙附近的液晶中，產(chǎn)生取向紊亂，仍然出現(xiàn)圖10所示的暗線。再者，在具有掃描信號線配置在像素電極的下方，且設置在像素電極的縫隙與掃描信號線交叉的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置中，對掃描信號線施加電壓使得(掃描信號線的電位-共用電極的電位)與(像素電極的電位-共用電極的電位)為相同極性，且I掃描信號線的電位-共用電極的電位I>I像素電極的電位-共用電極的電位I的情況下，在與掃描信號線交叉的像素電極的縫隙附近的液晶中，產(chǎn)生取向紊亂，仍然出現(xiàn)圖10所示的暗線。本發(fā)明是鑒于上述問題而提出，其目的在于提供能夠抑制液晶的取向紊亂，實現(xiàn)高品質(zhì)的顯示的有源矩陣基板、液晶顯示面板、液晶顯示裝置、有源矩陣基板的制造方法、 液晶顯示面板的制造方法和液晶顯示面板的驅(qū)動方法。用于解決課題的手段為了解決上述課題，本發(fā)明涉及的有源矩陣基板具備多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；像素部，其由與上述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成，具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部；開關(guān)元件，其根據(jù)從上述掃描信號線供給的掃描信號，將上述信號配線與上述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)；金屬配線，其連接于上述開關(guān)元件，當上述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對上述像素電極部供給來自上述信號配線的數(shù)據(jù)信號；和輔助電容線，在該輔助電容線與上述像素電極部之間形成電容，在上述輔助電容線或者上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在上述像素部的層與上述輔助電容線或者上述掃描信號線的層之間，按照至少覆蓋上述輔助電容線或者上述掃描信號線的方式，形成有金屬層。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，有源矩陣基板具備多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；和由與上述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成的像素部，該像素部具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部。像素電極部可以由一個像素電極構(gòu)成，也可以由多個子像素電極構(gòu)成。另外，像素部與設置于掃描信號線和信號配線的交點的像素電極部的集合對應。并且，像素部具有例如設置于構(gòu)成像素電極部的各像素電極的通常的縫隙或微細縫隙，作為改變液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部。或者，像素部中的取向控制間隙部也可以是構(gòu)成像素部的像素電極部與像素電極部之間的間隙。另外，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，有源矩陣基板具備根據(jù)從上述掃描信號線供給的掃描信號， 將上述信號配線與上述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)的開關(guān)元件；連接于上述開關(guān)元件，當上述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對上述像素電極部供給來自上述信號配線的數(shù)據(jù)信號的金屬配線；和輔助電容線，在該輔助電容線與上述像素電極部之間形成電容。開關(guān)元件由例如TFT構(gòu)成，在每個像素電極部，設置于像素電極部與信號配線之間。于是，根據(jù)來自掃描信號線的信號進行開關(guān)，切換像素電極部與信號配線的電連接，即導通狀態(tài)與非導通狀態(tài)。開關(guān)元件通過金屬配線連接于像素電極部，在導通狀態(tài)時，對像素電極部供給與來自信號配線的數(shù)據(jù)信號對應的電壓。金屬配線例如作為從TFT的漏極電極弓丨出的漏極線而構(gòu)成。并且，還設置有輔助電容線，在該輔助電容線與像素電極部之間形成電容。并且，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在上述輔助電容線或者上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在上述像素部的層與上述輔助電容線或者上述掃描信號線的層之間， 按照至少覆蓋上述輔助電容線或者上述掃描信號線的方式，形成有金屬層。作為金屬層，例如，可以是從漏極電極引出的上述金屬配線，也可以是上述信號配線?；蛘哌€可以是中間電極，進而，還可以是全部獨立形成的屏蔽金屬。此外，所謂中間電極是經(jīng)由接觸孔與像素電極連接的、并與像素電極是相同電位的電極。現(xiàn)有技術(shù)中，制造在有源矩陣基板與對置基板之間具備液晶層的液晶顯示面板時，存在為了形成液晶分子的預傾角而進行PSA工序的情況，但是在具備輔助電容配線的液晶顯示面板中，進行PSA工序時，形成(輔助電容線的電位-共用電極的電位)與(像素電極的電位-共用電極的電位)為相同極性，且I輔助電容線的電位-共用電極的電位 > I像素電極的電位-共用電極的電位I的關(guān)系，所以受到在取向控制間隙部的周邊的液晶層形成的等電位面的影響，會出現(xiàn)液晶分子的取向不良，顯示品質(zhì)下降的問題。另外，現(xiàn)有技術(shù)中，不限于進行PSA工序的液晶顯示裝置，在取向控制間隙部與輔助電容線(或者掃描信號線)交叉的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置中，進行通常驅(qū)動時，對輔助電容線(或者掃描信號線)施加電壓，使得(輔助電容線(或者掃描信號線)的電位-共用電極的電位)與(像素電極的電位-共用電極的電位)為相同極性，且I輔助電容線(或者掃描信號線)的電位-共用電極的電位I > I像素電極的電位-共用電極的電位I，這時，在與輔助電容線(或者掃描信號線)交叉的取向控制間隙部的周邊的液晶層中，會產(chǎn)生取向紊亂，或者引起顯示品質(zhì)下降的問題。與此相對，根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣基板，通過上述結(jié)構(gòu)，按照取向控制間隙部、即縫隙或像素電極間的間隙的開口區(qū)域與輔助電容配線或掃描信號線上下不重疊的方式，利用金屬層至少覆蓋輔助電容配線或掃描信號線。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在PSA工序時，或者通常驅(qū)動時，能夠按照形成例如第一電位狀態(tài)、第二電位狀態(tài)和第三電位狀態(tài)中的任意一個電位狀態(tài)的方式，設定上述金屬層的電位， 其中，上述第一電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)；上述第二電位狀態(tài)是上述金屬層的電位與上述共用電極的電位相等的電位狀態(tài)；上述第三電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相同極性，且上述像素電極部的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值，在上述金屬層的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。由此，在PSA工序時，或者通常驅(qū)動時，輔助電容線(或者掃描信號線)與取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在輔助電容線(或者掃描信號線)的層與像素電極的層之間配置有金屬層，且該金屬層被設定為形成上述第一電位狀態(tài)、上述第二電位狀態(tài)或上述第三電位狀態(tài)的電位，所以，能夠屏蔽輔助電容線(或者掃描信號線)的電位導致的影響。因此，根據(jù)本發(fā)明涉及的有源矩陣基板，制造液晶顯示面板時，在與輔助電容線 (或者掃描信號線)交叉的取向控制間隙部的周邊的液晶層中形成的等電位面，不會對液晶分子的取向造成影響，能夠良好地保持液晶分子的取向，使得液晶分子適當?shù)厝∠?，所以會起到能夠提高液晶顯示面板的顯示品質(zhì)的效果。另外，本發(fā)明涉及的有源矩陣基板的制造方法中，該有源矩陣基板具備多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；像素部，其由與上述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成，具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部；開關(guān)元件，其根據(jù)從上述掃描信號線供給的掃描信號，將上述信號配線與上述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)；金屬配線，其連接于上述開關(guān)元件，當上述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對上述像素電極部供給來自上述信號配線的數(shù)據(jù)信號；和輔助電容線，在該輔助電容線與上述像素電極部之間形成電容，上述有源矩陣基板的制造方法包括在上述輔助電容線或者上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，按照至少覆蓋上述輔助電容線或者上述掃描信號線的方式，形成金屬層的工序。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠得到與本發(fā)明涉及的有源矩陣基板相同的作用效果。為了解決上述課題，本發(fā)明涉及的有源矩陣基板具備多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；像素部，其由與上述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成，具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部；開關(guān)元件，其根據(jù)從上述掃描信號線供給的掃描信號，將上述信號配線與上述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)；和金屬配線，其連接于上述開關(guān)元件，當上述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對上述像素電極部供給來自上述信號配線的數(shù)據(jù)信號，在上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在上述像素部的層與上述掃描信號線的層之間，按照至少覆蓋上述掃描信號線的方式，形成金屬層的工序。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，有源矩陣基板具備多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；和由與上述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成的像素部，該像素部具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部。像素電極部可以由一個像素電極構(gòu)成，也可以由多個子像素電極構(gòu)成。另外，像素部與設置于掃描信號線和信號配線的交點的像素電極部的集合對應。并且，像素部具有例如設置于構(gòu)成像素電極部的各像素電極的通常的縫隙或微細縫隙，作為改變液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部?；蛘?，像素部中的取向控制間隙部也可以是構(gòu)成像素部的像素電極部與像素電極部之間的間隙。另外，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，有源矩陣基板具備根據(jù)從上述掃描信號線供給的掃描信號， 將上述信號配線與上述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)的開關(guān)元件；和金屬配線，其連接于上述開關(guān)元件，當上述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對上述像素電極部供給來自上述信號配線的數(shù)據(jù)信號。開關(guān)元件由例如TFT構(gòu)成，在每個像素電極部，設置于像素電極部與信號配線之間。并且，根據(jù)來自掃描信號線的信號進行開關(guān)，切換像素電極部與信號配線的電連接，即導通狀態(tài)與非導通狀態(tài)。開關(guān)元件通過金屬配線連接于像素電極部，在導通狀態(tài)時，對像素電極部供給與來自信號配線的數(shù)據(jù)信號對應的電壓。金屬配線例如作為從TFT的漏極電極引出的漏極線而構(gòu)成。并且，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在上述像素部的層與上述掃描信號線的層之間，按照至少覆蓋上述掃描信號線的方式，形成有金屬層。作為金屬層，例如，可以是從漏極電極引出的上述金屬配線，也可以是上述信號配線?；蛘哌€可以是中間電極，進而，還可以是全部獨立地形成的屏蔽金屬?，F(xiàn)有技術(shù)中，在取向控制間隙部與掃描信號線交叉的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置中，在通常驅(qū)動時或者制造工序中，對掃描信號線施加電壓，使得(掃描信號線的電位-共用電極的電位)與(像素電極的電位-共用電極的電位)為相同極性，且I掃描信號線的電位-共用電極的電位I > I像素電極的電位-共用電極的電位I，這時，在與掃描信號線交叉的取向控制間隙部的周邊的液晶層中，會產(chǎn)生取向紊亂，引起顯示品質(zhì)下降的問題。與此相對，根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣基板，通過上述結(jié)構(gòu)，按照取向控制間隙部、即縫隙或像素電極間的間隙的開口區(qū)域與掃描信號線上下不重疊的方式，利用金屬層至少覆蓋掃描信號線。該金屬層能夠被設定為形成例如第一電位狀態(tài)、第二電位狀態(tài)或第三電位狀態(tài)的電位，其中，上述第一電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)；上述第二電位狀態(tài)是上述金屬層的電位與上述共用電極的電位相等的電位狀態(tài)；上述第三電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相同極性，且上述像素電極部的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值，在上述金屬層的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。由此，在掃描信號線與取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在掃描信號線的層與像素電極的層之間能夠配置金屬層，且該金屬層被設定為形成上述第一電位狀態(tài)、上述第二電位狀態(tài)或上述第三電位狀態(tài)的電位，所以，能夠屏蔽掃描信號線的電位導致的影響。因此，根據(jù)本發(fā)明涉及的有源矩陣基板，制造液晶顯示面板時，與掃描信號線交叉的取向控制間隙部的周邊的液晶層中形成的等電位面，不會對液晶分子的取向造成影響， 能夠良好地保持液晶分子的取向，使得液晶分子適當?shù)厝∠?，所以會帶來能夠提高液晶顯示面板的顯示品質(zhì)的效果。另外，本發(fā)明涉及的有源矩陣基板的制造方法中，上述有源矩陣基板具備多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；像素部，其由與上述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成，具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部；開關(guān)元件，其根據(jù)從上述掃描信號線供給的掃描信號，將上述信號配線與上述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)；和金屬配線，其連接于上述開關(guān)元件，當上述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對上述像素電極部供給來自上述信號配線的數(shù)據(jù)信號， 上述有源矩陣基板的制造方法包括在上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，按照至少覆蓋上述掃描信號線的方式形成上述金屬層的工序。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠得到與本發(fā)明涉及的有源矩陣基板相同的作用效果。另外，本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，上述金屬層優(yōu)選構(gòu)成為包含上述金屬配線或上述信號配線的至少任一種。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在形成金屬配線或信號配線的制造工序中，能夠一體地形成金屬層。由此，不需要增加制造工序就能夠形成金屬層，所以能夠抑制制造成本。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，優(yōu)選上述取向控制間隙部優(yōu)選是分別形成在上述像素電極部的細孔。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，優(yōu)選上述取向控制間隙部優(yōu)選是形成在構(gòu)成上述像素部的多個上述像素電極部之間的間隙。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，優(yōu)選上述取向控制間隙部優(yōu)選是通過在上述像素電極部形成切口而形成的細縫。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，上述像素電極部優(yōu)選是具備多個子像素電極的多像素電極，通過像素分割方式進行驅(qū)動。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，上述像素電極部是由多個子像素電極構(gòu)成的多像素電極，通過像素分割方式進行驅(qū)動。由此，由高亮度的子像素與低亮度的子像素構(gòu)成一個像素，能夠顯現(xiàn)中間灰度等級，改善Y特性的視角依賴性(例如，畫面的泛白等)。并且，通過具備上述有源矩陣基板， 在PSA工序和實際驅(qū)動中，能夠防止輔助電容線與取向控制間隙部交叉的區(qū)域中的取向不良，所以不會使顯示品質(zhì)下降。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，優(yōu)選，在從形成于上述像素電極部的角部的上述開關(guān)元件，延伸到按照橫穿上述像素電極部的方式配置的上述輔助電容線的作為上述金屬配線的漏極線上，在上述取向控制間隙部與上述輔助電容線交叉的上述區(qū)域中，形成有至少覆蓋上述輔助電容線的覆蓋部。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，優(yōu)選，按照橫穿上述像素電極部的方式配置有上述掃描信號線，并且按照大致平行于上述掃描信號線地橫穿上述像素電極部的方式配置有上述輔助電容線，作為上述金屬配線的漏極線，從形成在上述像素電極部的上述開關(guān)元件延伸到按照橫穿上述像素電極部的方式配置的上述輔助電容線與上述取向控制間隙部交叉的上述區(qū)域、和上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的上述區(qū)域中的至少任意一處，并且在上述各區(qū)域中，形成有至少覆蓋上述輔助電容線和上述掃描信號線的覆蓋部，作為上述漏極線的一部分。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，優(yōu)選，按照橫穿上述像素電極部的端部的方式配置有上述掃描信號線，并且按照大致平行于上述掃描信號線地橫穿上述像素電極部的中央的方式配置有上述輔助電容線，作為上述金屬配線的漏極線，從形成于上述像素電極部的角部的上述開關(guān)元件延伸到按照橫穿上述像素電極部的方式配置的上述輔助電容線與上述取向控制間隙部交叉的上述區(qū)域、和上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的上述區(qū)域中的至少任意一處，并在上述各區(qū)域中，形成有至少覆蓋上述輔助電容線和上述掃描信號線的覆蓋部。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，優(yōu)選，按照橫穿上述像素電極部的中央的方式配置有上述掃描信號線，并按照大致平行于上述掃描信號線地橫穿上述像素電極部的端部的方式配置有上述輔助電容線，作為上述金屬配線的漏極線，從形成在上述像素電極部的邊緣部的上述開關(guān)元件延伸到按照橫穿上述像素電極部的方式配置的上述輔助電容線與上述取向控制間隙部交叉的上述區(qū)域、和上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的上述區(qū)域中的至少任意一處，并在上述各區(qū)域中，形成有至少覆蓋上述輔助電容線和上述掃描信號線的覆蓋部。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，優(yōu)選，上述像素電極部的長邊方向的邊形成為與上述掃描信號線大致平行。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，優(yōu)選，按照與在一個上述像素電極部內(nèi)相鄰設置的上述取向控制間隙部呈銳角地接近的部位重疊的方式，形成有上述輔助電容線，在從形成于上述像素電極部的角部的上述開關(guān)元件延伸到上述輔助電容線的作為上述金屬配線的漏極線，在上述取向控制間隙部與上述輔助電容線交叉的上述區(qū)域中，形成有至少覆蓋上述輔助電容線的覆蓋部。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，按照橫穿作為多個上述像素電極部的間隙而形成的上述取向控制間隙部的方式，形成有上述輔助電容線，在從形成于上述像素電極部的角部的上述開關(guān)元件延伸到上述輔助電容線的作為上述金屬配線的漏極線，在上述取向控制間隙部與上述輔助電容線交叉的上述區(qū)域中，形成有至少覆蓋上述輔助電容線的覆蓋部。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，按照橫穿作為多個上述像素電極部的間隙而形成的上述取向控制間隙部的方式，形成有上述輔助電容線，在從形成于上述像素電極部的角部的上述開關(guān)元件按照與上述輔助電容線交叉的方式延伸的作為上述信號配線的數(shù)據(jù)信號線，在上述取向控制間隙部與上述輔助電容線交叉的上述區(qū)域中，形成有至少覆蓋上述輔助電容線的覆蓋部。本發(fā)明涉及的有源矩陣基板中，在從形成于上述像素電極部的角部的上述開關(guān)元件延伸到按照橫穿上述像素電極部的端部的方式配置的上述掃描信號線的作為上述金屬配線的漏極線，在上述取向控制間隙部與上述掃描信號線交叉的上述區(qū)域中，形成有至少覆蓋上述掃描信號線的覆蓋部。
本發(fā)明涉及的液晶顯示面板的特征在于，具有上述有源矩陣基板和設置有共用電極的對置基板，在這些各基板之間具備液晶層。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，有源矩陣基板在通常驅(qū)動或制造時的PSA工序等中，在掃描信號線或輔助電容線與取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，能夠屏蔽掃描信號線或輔助電容配線的電位造成的影響，所以能夠良好地保持液晶分子的取向，使得液晶分子適當?shù)厝∠?，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示品質(zhì)高的液晶顯示面板。本發(fā)明涉及的液晶顯示面板中，優(yōu)選上述對置基板具備控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制部。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在液晶顯示面板中，對置基板具備取向控制部。取向控制部可以是肋，也可以是縫隙，沒有特別限定。由此，液晶層內(nèi)的液晶分子的取向受到限制，S卩，使液晶分子具有所希望的取向， 能夠提高液晶顯示面板的視野角。并且，通過具備上述有源矩陣基板，在通常驅(qū)動或制造時的PSA工序等中，能夠防止掃描信號線或輔助電容線與取向控制間隙部交叉的區(qū)域中的取向不良，所以不會使顯示品質(zhì)下降。本發(fā)明涉及的液晶顯示裝置的特征在于，具備上述液晶顯示面板和驅(qū)動該液晶顯示面板的驅(qū)動電路。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，有源矩陣基板在通常驅(qū)動或制造時的PSA工序等中，在掃描信號線或輔助電容線與取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，能夠屏蔽掃描信號線或輔助電容線的電位造成的影響，所以能夠良好地保持液晶分子的取向，賦予適當?shù)念A傾角，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示品質(zhì)高的液晶顯示裝置。本發(fā)明涉及的液晶顯示面板的制造方法，是上述液晶顯示面板的制造方法，其具備聚合物取向支持工序，在該聚合物取向支持工序中，在第一電位狀態(tài)、第二電位狀態(tài)和第三電位狀態(tài)中的任意一個電位狀態(tài)下，對上述液晶層施加電壓，將預先混入上述液晶層的單體聚合，由此對上述液晶層的液晶分子賦予預傾角，其中，上述第一電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)；上述第二電位狀態(tài)是上述金屬層的電位與上述共用電極的電位相等的電位狀態(tài)；上述第三電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相同極性，且上述像素電極部的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值，在上述金屬層的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，按照取向控制間隙部、即縫隙或像素電極間的間隙的開口區(qū)域與掃描信號線或輔助電容配線上下不重疊的方式，利用金屬層覆蓋輔助電容配線或掃描信號線。并且，在聚合物取向支持工序、即PSA工序中，金屬層能夠被設定為形成第一電位狀態(tài)、第二電位狀態(tài)或第三電位狀態(tài)的電位。其中，上述第一電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)；上述第二電位狀態(tài)是上述金屬層的電位與上述共用電極的電位相等的電位狀態(tài)；上述第三電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相同極性，且上述像素電極部的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值，在上述金屬層的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。由此，在掃描信號線或輔助電容線與取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在掃描信號線或輔助電容線的層與像素電極的層之間配置有金屬層，且該金屬層被設定為形成上述第一電位狀態(tài)、上述第二電位狀態(tài)或上述第三電位狀態(tài)的電位，所以，能夠屏蔽掃描信號線或輔助電容配線的電位導致的影響。因此，根據(jù)本發(fā)明涉及的液晶顯示面板的制造方法，與掃描信號線或輔助電容線交叉的取向控制間隙部的周邊的液晶層中形成的等電位面，不會對液晶分子的取向造成影響，能夠良好地保持液晶分子的取向，使得液晶分子適當?shù)厝∠?，所以會起到能夠提高液晶顯示面板的顯示品質(zhì)的效果。本發(fā)明涉及的液晶顯示面板的驅(qū)動方法，是上述液晶顯示面板的驅(qū)動方法，優(yōu)選， 在第一電位狀態(tài)、第二電位狀態(tài)和第三電位狀態(tài)中的任意一個電位狀態(tài)下，對上述液晶層施加電壓，其中，上述第一電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)；上述第二電位狀態(tài)是上述金屬層的電位與上述共用電極的電位相等的電位狀態(tài)； 上述第三電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相同極性，且上述像素電極部的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值，在上述金屬層的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，按照取向控制間隙部、即縫隙或像素電極間的間隙的開口區(qū)域與掃描信號線或輔助電容配線上下不重疊的方式，利用金屬層覆蓋輔助電容配線或掃描信號線。并且，在液晶顯示面板的實際驅(qū)動中，金屬層能夠被設定為形成第一電位狀態(tài)、第二電位狀態(tài)或第三電位狀態(tài)的電位，其中，上述第一電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)；上述第二電位狀態(tài)是上述金屬層的電位與上述共用電極的電位相等的電位狀態(tài)；上述第三電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相同極性，且上述像素電極部的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值，在上述金屬層的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。由此，在掃描信號線或輔助電容線與取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在掃描信號線或輔助電容線的層與像素電極的層之間配置有金屬層，且該金屬層被設定為形成上述第一電位狀態(tài)、上述第二電位狀態(tài)或上述第三電位狀態(tài)的電位，所以，能夠屏蔽掃描信號線或輔助電容配線的電位導致的影響。因此，根據(jù)本發(fā)明涉及的液晶顯示面板的驅(qū)動方法，與掃描信號線或輔助電容線交叉的取向控制間隙部的周邊的液晶層中形成的等電位面，不會對液晶分子的取向造成影響，能夠良好地保持液晶分子的取向，使得液晶分子適當?shù)厝∠?，所以會起到能夠提高液晶顯示面板的顯示品質(zhì)的效果。發(fā)明效果
為了解決上述課題，本發(fā)明涉及的有源矩陣基板具備多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；像素部，其由與上述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成，該像素部具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部；開關(guān)元件，其根據(jù)從上述掃描信號線供給的掃描信號，將上述信號配線與上述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)；金屬配線，其連接于上述開關(guān)元件，當上述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對上述像素電極部供給來自上述信號配線的數(shù)據(jù)信號；和輔助電容線， 在該輔助電容線與上述像素電極部之間形成電容，其中，在上述輔助電容線或者上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在上述像素部的層與上述輔助電容線或者上述掃描信號線的層之間，按照至少覆蓋上述輔助電容線或者上述掃描信號線的方式，形成有金屬層。為了解決上述課題，本發(fā)明涉及的有源矩陣基板具備多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；像素部，其由與上述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成，該像素部具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部；開關(guān)元件，根據(jù)從上述掃描信號線供給的掃描信號，將上述信號配線與上述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)；和金屬配線，其連接于上述開關(guān)元件，當上述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對上述像素電極部供給來自上述信號配線的數(shù)據(jù)信號，其中，在上述掃描信號線與上述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在上述像素部的層與上述掃描信號線的層之間，按照至少覆蓋上述掃描信號線的方式，形成有金屬層。因而，在通常驅(qū)動或者制造時的PSA工序等中，能夠在掃描信號線或輔助電容線與取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在掃描信號線或輔助電容線的層與像素電極的層之間配置有金屬層，該金屬層被設定為形成第一電位狀態(tài)、第二電位狀態(tài)或第三電位狀態(tài)的電位， 其中，上述第一電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)；上述第二電位狀態(tài)是上述金屬層的電位與上述共用電極的電位相等的電位狀態(tài)；上述第三電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去上述共用電極的電位后的電位差，與從上述像素電極部的電位減去上述共用電極的電位后的電位差為相同極性，且上述像素電極部的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值，在上述金屬層的電位與上述共用電極的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。所以，能夠屏蔽掃描信號線或輔助電容配線的電位導致的影響。因此，與掃描信號線或輔助電容線交叉的取向控制間隙部的周邊的液晶層中形成的等電位面，不會對液晶分子的取向造成影響，能夠良好地保持液晶分子的取向，使得液晶分子適當?shù)厝∠?，所以會起到能夠提高液晶顯示面板的顯示品質(zhì)的效果。


圖1是示意地表示本實施方式涉及的液晶顯示面板的主要部分的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是表示本實施方式涉及的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖，(a)表示使用輔助電容驅(qū)動的液晶顯示裝置，(b)表示沒有使用輔助電容驅(qū)動的液晶顯示裝置。圖3是示意地表示本實施方式涉及的在像素電極設置有通常的縫隙的液晶顯示面板的構(gòu)成例(a) (e)的平面圖。圖如是示意地表示本實施方式涉及的設置有像素-像素縫隙的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4b是示意地表示圖如所示的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖5是示意地表示本實施方式涉及的設置有像素-像素縫隙的液晶顯示面板的其他結(jié)構(gòu)的平面圖。圖6是示意地表示本實施方式涉及的在像素電極設置有微細縫隙的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖7是表示本實施方式涉及的具有橫長圖像元素的像素構(gòu)造的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)的平面圖，(a)表示在像素電極的中央形成有掃描信號線的結(jié)構(gòu)，(b)表示像素電極在一個長邊附近與掃描信號線重疊的結(jié)構(gòu)。圖8是表示本實施方式涉及的具有多像素構(gòu)造的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)的圖。圖9是表示形成有縫隙的像素電極與對置基板之間的縫隙附近的電力線和等電位面的圖，(a)表示縫隙沒有與輔助電容線交叉的區(qū)域中的電力線和等電位面，(b)表示輔助電容線與COM電位為同電位的情況下，縫隙與輔助電容線交叉的區(qū)域中的電力線和等電位面，(c)表示輔助電容線相對COM電位為高電位的情況下，縫隙與輔助電容線交叉的區(qū)域中的電力線和等電位面。圖10是表示Cs-COM電壓施加方式的PSA工序引起的取向紊亂的樣態(tài)的圖。圖11是表示具備輔助電容線，且具備具有縫隙的像素電極與具有突起的共用電極的液晶顯示裝置中的液晶分子的取向的樣態(tài)的圖，(a)表示通常驅(qū)動時的液晶分子的取向，(b)表示通過Cs-COM電壓施加方式的PSA工序形成的液晶分子的取向。圖12是表示本實施方式涉及的其他的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。
具體實施例方式(液晶顯示裝置1的概要)參照圖1 圖8說明本發(fā)明的第一實施方式。首先，對本實施方式中的液晶顯示裝置1的概要進行說明。圖1是示意地表示本實施方式涉及的液晶顯示面板2的主要部分的結(jié)構(gòu)的截面圖。另外，圖2是表示本實施方式涉及的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖，圖 2(a)表示使用輔助電容進行驅(qū)動的液晶顯示裝置1，圖2(b)表示沒有使用輔助電容驅(qū)動的液晶顯示裝置廠。如圖2 (a)所示，本實施方式涉及的液晶顯示裝置1具備液晶顯示面板2、驅(qū)動該液晶顯示面板2的驅(qū)動電路、控制該驅(qū)動電路的驅(qū)動的控制電路3，根據(jù)需要還具備背光源單元(未圖示)等。上述驅(qū)動電路具備驅(qū)動液晶顯示面板2中的掃描信號線(柵極總線)21的柵極驅(qū)動電路4、驅(qū)動數(shù)據(jù)信號線(信號配線、源極總線)22的源極驅(qū)動電路5和驅(qū)動輔助電容線 (Cs總線)14的Cs驅(qū)動電路6。這些柵極驅(qū)動電路4、源極驅(qū)動電路5和Cs驅(qū)動電路6分別電連接于掃描信號線 21、數(shù)據(jù)信號線22、和輔助電容線14，構(gòu)成為能夠從外部獨立地對這些總線施加電位。這些驅(qū)動電路分別電連接于上述控制電路3，受到從該控制電路3供給的控制信號和視頻信號的控制。如圖2(a)所示，上述掃描信號線21與數(shù)據(jù)信號線22相互交叉設置。由這些掃描信號線21與數(shù)據(jù)信號線22包圍的各區(qū)域?qū)?像素。上述液晶顯示面板2包括后述的有源矩陣基板10 (薄膜晶體管基板)和對置基板20。有源矩陣基板10具有多個像素7排列成矩陣狀的結(jié)構(gòu)。另外，后文將詳細敘述各像素7由像素電極與開關(guān)元件構(gòu)成。此外，權(quán)利要求中的像素部對應排列成矩陣狀的多個像素7的集合，權(quán)利要求中的像素電極部對應構(gòu)成各像素7的像素電極。此外，圖2(b)表示的液晶顯示裝置r與圖2(a)所示的液晶顯示裝置1的不同點僅在于沒有具備輔助電容線(Cs總線)14和驅(qū)動輔助電容線14的Cs驅(qū)動電路6，其他各部分的功能相同，所以省略說明。(有源矩陣基板10)參照圖1說明有源矩陣基板10的特征結(jié)構(gòu)。如圖1所示，有源矩陣基板10與對置基板20和液晶層30共同構(gòu)成液晶顯示面板2。有源矩陣基板10包含透明絕緣性基板11、 像素電極12、漏極線(金屬配線)13和輔助電容線14而構(gòu)成。像素電極12中設置有縫隙 (取向控制間隙部)15。通過設置縫隙15使得等電位面變形，控制液晶分子的取向方位。于是，如圖1所示，有源矩陣基板10中，在掃描信號線21或者輔助電容線14與像素電極12中的縫隙15交叉的區(qū)域中，以至少覆蓋掃描信號線21或輔助電容線14的方式， 形成有由漏極線13構(gòu)成的金屬層。另外，也可以是在有源矩陣基板10中，在掃描信號線21或者輔助電容線14與像素電極12中的縫隙15交叉的區(qū)域中，以覆蓋掃描信號線21或輔助電容線14的方式，形成有由數(shù)據(jù)信號線22構(gòu)成的金屬層的結(jié)構(gòu)。另外，也可以是在有源矩陣基板10中，在掃描信號線21或者輔助電容線14與像素電極12中的縫隙15交叉的區(qū)域中，以覆蓋掃描信號線21或輔助電容線14的方式，形成由中間電極或者獨立的屏蔽金屬構(gòu)成的金屬層的結(jié)構(gòu)。此外，在利用獨立的屏蔽金屬形成上述金屬層的情況下，設置用于將金屬層的電位自由設定在后述第一至第三電位狀態(tài)中最為優(yōu)選的任意電位狀態(tài)的屏蔽金屬用電壓驅(qū)動電路。圖12表示在圖2(a)所示的液晶顯示裝置1中追加有屏蔽金屬用電壓驅(qū)動電路41 的液晶顯示裝置1A。圖12中，將屏蔽金屬用電壓驅(qū)動電路41相對液晶顯示面板2配置在與源極驅(qū)動電路5相反的一側(cè)，但是并不限定于此，電路的布線設計能夠任意確定。有源矩陣基板的制造工序包括下述工序，即在輔助電容線14或掃描信號線21與縫隙15交叉的區(qū)域中，在像素電極12的層與輔助電容線14或掃描信號線21的層之間，以至少覆蓋輔助電容線14或掃描信號線21的方式，形成數(shù)據(jù)信號線22、漏極線13、中間電極或者獨立的屏蔽金屬的至少任意一個的工序。(PSA 工序)為了提高液晶顯示裝置的顯示性能，在液晶顯示面板的制造階段中，需要控制預傾角使得液晶分子具有良好的取向狀態(tài)。作為預傾角的控制方法，存在例如PSA(Polymer Sustained Alignment，聚合物穩(wěn)定取向)處理。PSA處理是將能夠聚合的單體混入液晶中， 在對液晶施加有電壓的狀態(tài)下，利用光或者熱等將單體聚合，存儲液晶的歪斜方向的技術(shù)。 由此，即使是為了擴大開口率等的目的而取向限制力弱的像素設計，也能夠?qū)崿F(xiàn)響應速度快，手指按壓等也難以改變液晶取向的結(jié)構(gòu)。
另外，現(xiàn)有技術(shù)中，CS-COM電壓施加方式的液晶顯示面板、即通過對輔助電容線 (CS)與共用電極(COM)施加電壓，經(jīng)由輔助電容將電壓施加到像素電極和共用電極之間而進行驅(qū)動的方式的液晶顯示面板是圖11所示的結(jié)構(gòu)。CS-COM電壓施加方式的液晶顯示面板中，如圖11(a)所示，通常驅(qū)動時，在設置在共用電極的突起部附近的液晶的取向與設置在像素電極的縫隙附近的液晶的取向中，液晶分子的歪斜方向相同。但是，上述現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)中，制造液晶顯示面板時，如圖11(b)所示，在PSA工序中， 由于施加在共用電極、像素電極與輔助電容線的電壓，會導致在設置在共用電極的突起部附近的液晶的取向與設置在像素電極的縫隙附近的液晶的取向中，液晶分子的歪斜方向相反。相對于此，根據(jù)本發(fā)明涉及的液晶顯示面板2，利用上述有源矩陣基板10的結(jié)構(gòu)， 可以在制造液晶顯示面板2時的PSA工序中，對液晶分子賦予所希望的預傾角。下面，具體說明本發(fā)明涉及的液晶顯示面板2。(液晶顯示面板2)上述液晶顯示面板2具備相互相對配置的一對基板、即有源矩陣基板10和對置基板20，在該一對基板間夾持著液晶層30。在該一對基板的外側(cè)(與兩基板的相對面相反的一側(cè)的面)，也可以根據(jù)需要分別設置未圖示的相位差板和偏振光板。對置基板20構(gòu)成為包含透明絕緣性基板16與共用電極17。共用電極17上，在與像素電極12相對的面設置有肋18。通過在液晶層面設置肋18，若對肋附近的液晶分子賦予預傾角，施加電壓，則其他的液晶分子也會隨著賦予了預傾角的液晶分子的取向而進行取向。因此，若在液晶層面設置肋18，則通過施加電壓能夠更加穩(wěn)定地控制液晶分子的取向方位。上述共用電極17形成在透明絕緣性基板16的大致整個面上，在各像素7作為共用的電極(即，共用電極)使用。于是，通過施加到共用電極17與像素電極12的電壓對液晶層30施加電場，由此，液晶層30的光透射率受到調(diào)制，形成圖像。此外，本實施方式中，作為限制液晶分子的取向的結(jié)構(gòu)，具有在共用電極17設置肋18的結(jié)構(gòu)，但是，也可以設置縫隙來取代肋(取向控制部)18。另外，在液晶顯示面板2 中，作為液晶分子的取向限制的結(jié)構(gòu)，也可以在像素電極12設置縫隙，未必必須在共用電極17設置用于限制取向的結(jié)構(gòu)。并且，如上所述，液晶顯示面板2具備有源矩陣基板10，該有源矩陣基板10在輔助電容線14或者掃描信號線21與縫隙15交叉的區(qū)域中，在像素電極12的層與輔助電容線 14或掃描信號線21的層之間，以至少覆蓋輔助電容線14或者掃描信號線21的方式，形成有數(shù)據(jù)信號線22或者漏極線13中的至少任意一個。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，按照縫隙15與輔助電容線14或者掃描信號線21上下不重疊的方式，利用數(shù)據(jù)信號線22、漏極線13、中間電極或者獨立的屏蔽金屬等的金屬層，至少覆蓋輔助電容線14或者掃描信號線21。并且，在例如液晶面板2的制造時的PSA工序中，雖然存在對輔助電容線14或者掃描信號線21施加電壓，使得(輔助電容線14 (掃描信號線21)的電位-共用電極17的電位)與(像素電極12的電位-共用電極17的電位)是相同極性，且I輔助電容線14的電位(掃描信號線21的電位)-共用電極17的電位I > I像素電極12的電位-共用電極17的電位I的情況，但是要將上述金屬層的電位設定在像素電極的電位以下。S卩，將上述金屬層的電位設定為形成第一電位狀態(tài)、第二電位狀態(tài)或者第三電位狀態(tài)，對液晶層30施加電壓，將預先混入液晶層30的單體聚合，由此能夠?qū)σ壕?0的液晶分子101、102賦予預傾角，其中，該第一電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去共用電極 17的電位后的電位差與從像素電極12的電位減去共用電極17的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)，該第二電位狀態(tài)是上述金屬層的電位與共用電極17的電位相等的電位狀態(tài)，該第三電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去共用電極17的電位后的電位差與從像素電極12的電位減去共用電極17的電位后的電位差為相同極性、且像素電極12的電位與共用電極17的電位的差的絕對值成為上述金屬層的電位與共用電極17的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。另外，在液晶顯示面板通常的實際驅(qū)動時，雖然存在對輔助電容線14或者掃描信號線21施加電壓，使得(輔助電容線14 (掃描信號線21)的電位-共用電極17的電位)與 (像素電極12的電位-共用電極17的電位)是相同極性，且I輔助電容線14的電位(掃描信號線21的電位)-共用電極17的電位I > I像素電極12的電位-共用電極17的電位的情況，但是要將上述金屬層的電位設定為像素電極的電位以下。即，能夠?qū)⑸鲜鼋饘賹拥碾娢灰孕纬傻谝浑娢粻顟B(tài)、第二電位狀態(tài)或者第三電位狀態(tài)的方式進行設定，對液晶層30 施加電壓，其中，該第一電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去共用電極17的電位后的電位差與從像素電極12的電位減去共用電極17的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)；該第二電位狀態(tài)是上述金屬層的電位與共用電極17的電位相等的電位狀態(tài)；該第三電位狀態(tài)是從上述金屬層的電位減去共用電極17的電位后的電位差，與從像素電極12的電位減去共用電極17的電位后的電位差為相同極性，且像素電極12的電位與共用電極17的電位的差的絕對值，為上述金屬層的電位與共用電極17的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。即，如果令金屬層的電位為V，令共用電極的電位為Vcom，令像素電極的電位為 Vd，則能夠?qū)⒔饘賹拥碾娢籚設定成為下述(1) (3)中的任意狀態(tài)。(I)V-Vcom 與 Vd-Vcom 為相反極性(2) V = Vcom(3) V-Vcom 與 Vd-Vcom 為相同極性，且 |Vd-Vcom| 彡 V-Vcom這里，上述第一電位狀態(tài)對應(1)，上述第二電位狀態(tài)對應0)，上述第三電位狀態(tài)對應(3)。由此，在輔助電容線14或者掃描信號線21與縫隙15交叉的區(qū)域中，在掃描信號線21或者輔助電容線14的層與像素電極12的層之間，配置有設定為形成上述第一電位狀態(tài)、上述第二電位狀態(tài)或者上述第三電位狀態(tài)的電位的金屬層，因此能夠屏蔽掃描信號線 21或輔助電容線14的電位產(chǎn)生的影響。 即，現(xiàn)有技術(shù)中，在PSA工序時或通常的驅(qū)動時，能夠防止在對輔助電容線14或掃描信號線21施加電壓，從而使(輔助電容線14 (掃描信號線21)的電位-共用電極17的電位)與(像素電極12的電位-共用電極17的電位)是相同極性，且I輔助電容線14的電位(掃描信號線21的電位)-共用電極17的電位I > I像素電極12的電位-共用電極 17的電位I的情況下，產(chǎn)生的取向不良。 因此，在實際驅(qū)動或者制造液晶顯示面板2時，在與掃描信號線21或者輔助電容線14交叉的縫隙15的周邊的液晶層30中形成的等電位面，不會對液晶分子101的取向造成影響，能夠良好地保持液晶分子101的取向，使得液晶分子適當取向，所以能夠提高液晶顯示面板2的顯示品質(zhì)。 此外，液晶顯示面板2的實際驅(qū)動時，根據(jù)使用何種結(jié)構(gòu)作為金屬層，能夠改變將金屬層的電位V設定為上述第一 第三電位狀態(tài)中的任一電位狀態(tài)。下面具體說明這一方首先，利用獨立的屏蔽金屬構(gòu)成金屬層時，能夠通過上述屏蔽金屬用電壓驅(qū)動電路41自由設定屏蔽金屬的電位V，所以能夠自由選擇上述(1) (3)的電位狀態(tài)中的任一種作為電位V。然后，利用漏極線13或者中間電極構(gòu)成金屬層時，漏極線13或者中間電極通常成為與像素電極12相同的電位，所以電位V被設定為上述(3)的電位狀態(tài)包含的V-Vcom = Vd-Vcom 狀態(tài)。進而，在利用數(shù)據(jù)信號線22構(gòu)成金屬層時，數(shù)據(jù)信號線22的電位V以共用電極的電位Vcom為中心，在正極性和負極性間振動，其平均值等于電位Vcom。因此，電位V被設定為上述O)的電位狀態(tài)(V = Vcom)。此外，有源矩陣基板10也可以是具有在例如玻璃等的透明絕緣性基板上按照順序形成有下述單元的構(gòu)造的結(jié)構(gòu)，上述單元是指包含掃描信號線21和輔助信號線14的金屬配線層、柵極絕緣層、包含數(shù)據(jù)信號線22和漏極線(金屬配線)13的金屬配線層、絕緣層、樹脂層和像素電極12。另外，對置基板20也可以是在例如與有源矩陣基板10相對的面上，在透明絕緣性基板從透明基板側(cè)開始依次配置有彩色濾光片層、黑矩陣和共用電極的CF基板。另外，在對置基板20上也可以根據(jù)需要設置有下涂層(基底層)或覆蓋層(平坦化層)等的未圖示的功能膜。另外，共用電極17和像素電極12也可以是利用例如ITO(銦錫氧化物)等的透明導電膜形成的透明電極。但是，作為像素電極的縫隙15，存在部分地設置在像素電極的細孔即通常的縫隙， 或通過呈例如梳齒狀地在像素電極形成切口而設置的細縫即微細縫隙，或者利用相鄰的像素電極與像素電極之間的間隙作為縫隙的結(jié)構(gòu)(下面，稱為像素-像素縫隙)等。下面，根據(jù)像素電極的縫隙的種類，分別說明具體的結(jié)構(gòu)例。(縫隙1 )圖3是示意地表示本實施方式涉及的在像素電極設置有通常的縫隙的液晶顯示面板加的構(gòu)成例的平面圖。如圖3(a) (e)所示，在掃描信號線21和數(shù)據(jù)信號線22 的交叉部分別設置有作為像素電極部的像素電極1 與作為開關(guān)元件的TFTCThin Film Transistor，薄膜晶體管)25。另外，TFT25形成在像素電極12a的角(角部)或者近邊部 (邊緣部)。像素電極1 和TFT25與未圖示的共用電極17共同構(gòu)成圖1中的像素7。另外如圖3(a) (e)所示，在像素電極1 設置有細孔作為縫隙15a，在未圖示的共用電極17設置有肋18。圖3的(a) (e)所示的結(jié)構(gòu)中，縫隙1 與肋18基本平行地設置。另外，在以俯視圖表示縫隙1 與肋18的配置關(guān)系的狀態(tài)下，縫隙1 與肋18交替配置。并且，在圖3的(a) (e)所示的結(jié)構(gòu)中，按照橫穿像素電極12a的中央的方式引出與掃描信號線21平行的邊界線，將1像素分為兩個區(qū)域時，配置在一方的區(qū)域的縫隙1 和肋18與配置在另一方的區(qū)域的縫隙1 和肋18，在上述邊界線處，以形成銳角的方式接近，并且對稱地配置。這樣，在多個縫隙1 和肋18成銳角地接近的部位，液晶分子的取向與原本希望得到的取向不同，所以產(chǎn)生暗線。因此，該部位成為非顯示區(qū)域，所以如圖3(a) (c)所示， 該部位成為適合將輔助電容線14通過的部位。這方面在后述圖6 圖8表示的結(jié)構(gòu)中也
是一樣的。此外，在多個縫隙15a和肋18成銳角地接近的上述部位，如圖3 (d)所示，也可以是使掃描信號線21通過的結(jié)構(gòu)，進而，如圖3 (e)所示，也可以是不具備輔助電容線14的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明并沒有特別限定于上述結(jié)構(gòu)中的任意一種。如圖3(a) (e)所示，TFT25包含未圖示的柵極電極、柵極絕緣膜和半導體層、源極電極26、漏極電極27而構(gòu)成。在TFT25的柵極電極電連接有掃描信號線21，其一部分作為柵極電極發(fā)揮功能。另外，在源極電極26電連接有數(shù)據(jù)信號線22。TFT25根據(jù)從掃描信號線21供給的掃描信號進行開關(guān)動作，切換像素電極1 與數(shù)據(jù)信號線22的導通狀態(tài)與非導通狀態(tài)。于是，在導通狀態(tài)中，與從數(shù)據(jù)信號線22供給的表示圖像的數(shù)據(jù)信號對應的電壓，經(jīng)由漏極線13供給到像素電極12a。另外，上述輔助電容線14與掃描信號線21形成在同一層。進而，對每個像素電極 12a，在輔助電容線14的上層，經(jīng)由未圖示的柵極絕緣膜，設置有從漏極電極27向著輔助電容線14或者掃描信號線21的正上方延伸的漏極線13。于是，配置在輔助電容線14或者掃描信號線21的正上方的漏極線13，在與輔助電容線14重疊的部分，具有用于擴大輔助電容線14與漏極線13的重疊面積的輔助電容電極部130(參照圖3(a))。進而，漏極線13 經(jīng)由相對于該輔助電容電極部130設置的接觸孔M與像素電極12a電連接。由此，在具備輔助電容線14的結(jié)構(gòu)中，輔助電容線14與像素電極1 形成每個像素的輔助電容。因此， 能夠穩(wěn)定像素電位。在圖3(a)所示的液晶顯示面板加的結(jié)構(gòu)例中，掃描信號線21沿著像素電極1 的上端和下端延伸設置，輔助電容線14與掃描信號線21基本平行地延伸設置，并橫穿像素電極1 的中央。于是，設置于像素電極1 的縫隙1 的開口區(qū)域，與橫穿像素電極1 的中央的輔助電容線14交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，在像素電極12a的層與輔助電容線14的層之間的層，以至少覆蓋輔助電容線14的方式設置有由漏極線13構(gòu)成的覆蓋金屬部19 (金屬層)，作為上述輔助電容電極部130的一部分。圖3(b)所示的液晶顯示面板加的結(jié)構(gòu)例中，掃描信號線21沿著像素電極12a的上端和下端延伸設置，輔助電容線14與掃描信號線21基本平行地延伸設置，并橫穿像素電極1 的中央。于是，設置于像素電極1 的縫隙1 的開口區(qū)域，與橫穿像素電極1 的上端和下端的掃描信號線21交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，在像素電極12a的層與掃描信號線21的層之間的層，以至少覆蓋掃描信號線21的方式設置有由漏極線13構(gòu)成的覆蓋金屬部19 (金屬層)。圖3(c)所示的液晶顯示面板加的結(jié)構(gòu)例中，掃描信號線21沿著像素電極12a的上端和下端延伸設置，輔助電容線14與掃描信號線21基本平行地延伸設置，并橫穿像素電極1 的中央。于是，設置于像素電極1 的縫隙1 的開口區(qū)域，與橫穿像素電極1 的中央的輔助電容線14交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，以及，設置于像素電極12a的縫隙15a的開口區(qū)域，與橫穿像素電極12a的上端和下端的掃描信號線21交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，在像素電極12a的層與掃描信號線21和輔助電容線14的層之間的層，以至少分別覆蓋掃描信號線21和輔助電容線14的方式設置有由漏極線13構(gòu)成的覆蓋金屬部19(金屬層)。另外，在圖3(d)所示的液晶顯示面板加的結(jié)構(gòu)例中，掃描信號線21橫穿像素電極12a的中央而延伸設置，輔助電容線14沿著像素電極12a的上端和下端延伸設置。于是，設置于像素電極1 的縫隙1 的開口區(qū)域，與橫穿像素電極12a的上端和下端的輔助電容線14交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，在像素電極12a的層與輔助電容線14之間的層，以至少覆蓋輔助電容線14的方式設置有由漏極線13構(gòu)成的覆蓋金屬部19(金屬層)。此外，在圖3(d)所示的液晶顯示面板加的結(jié)構(gòu)例中，也可以是下述結(jié)構(gòu)，即設置于像素電極12a的縫隙15a的開口區(qū)域與橫穿像素電極12a的中央的掃描信號線21交叉的區(qū)域中，在像素電極12a的層與掃描信號線21的層之間的層，以至少覆蓋掃描信號線21 的方式設置有由漏極線13構(gòu)成的覆蓋金屬部19 (金屬層)。另外，圖3(e)所示的液晶顯示面板加的結(jié)構(gòu)例中，沒有設置輔助電容線14，掃描信號線21沿著像素電極12a的上端和下端延伸設置。即，圖3(e)所示的液晶顯示面板加是構(gòu)成圖2(b)所示的液晶顯示裝置1的液晶顯示面板。于是，在設置于像素電極12a的縫隙15a的開口區(qū)域，與橫穿像素電極12a的上端和下端的掃描信號線21交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，在像素電極12a的層與掃描信號線21之間的層，以至少覆蓋掃描信號線21的方式設置有由漏極線13構(gòu)成的覆蓋金屬部19 (金屬層)。另夕卜，圖3的(a) (e)所示的例子中，覆蓋金屬部19由漏極線13構(gòu)成，但是也可以由數(shù)據(jù)信號線22構(gòu)成，還可以由未圖示的中間電極或獨立的屏蔽金屬構(gòu)成。此外，圖3所示的例子中，表示了覆蓋金屬部19突出到縫隙15的開口區(qū)域未與掃描信號線21或輔助電容線14交叉的區(qū)域的結(jié)構(gòu)。該突出的程度越大，抑制取向紊亂的效果越大，但是相反不利于其開口率。因此，覆蓋金屬部19的突出的程度兼顧與所要求的規(guī)格相應的取向紊亂和開口率的平衡而決定。(縫隙1 )圖如和圖4b是示意地表示本實施方式涉及的設置有像素-像素縫隙的液晶顯示面板2b的結(jié)構(gòu)的圖，圖如是示意地表示液晶顯示面板2b的結(jié)構(gòu)的平面圖，圖4b是示意地表示液晶顯示面板2b的結(jié)構(gòu)的截面圖，是圖如中的A-B所示的區(qū)域的截面圖。如圖如所示，在掃描信號線21和數(shù)據(jù)信號線22的交叉部分別設置有作為像素電極部的像素電極12b與作為開關(guān)元件的TFT25。像素電極12b和TFT25與未圖示的共用電極17共同構(gòu)成圖1中的像素7這方面是與圖3相同的結(jié)構(gòu)。另外，TFT25的結(jié)構(gòu)或者動作與圖3所示的結(jié)構(gòu)相同，省略說明。但是，圖如所示的結(jié)構(gòu)中，相鄰的像素電極12b與像素電極12b’之間的間隙發(fā)揮縫隙15b的作用這方面與圖3所示的結(jié)構(gòu)不同。另外，在未圖示的共用電極17設置有肋18，該肋18與像素-像素縫隙1 基本平行。另外，如圖如所示，輔助電容線14橫穿各像素電極12b，與掃描信號線21基本平行地延伸設置。此外，掃描信號線21設置在與設置有圖4b所示的輔助電容線14的層相同的層。進而，輔助電容線14，在像素電極12b的正下方，在像素電極12b的長邊方向(S卩，與掃描信號線21基本垂直的方向)也延伸設置。此外，在共用電極17上，與沿像素電極12b 的長邊方向設置的輔助電容線14平行地設置有肋18。進而，如圖如和圖4b所示，在形成在玻璃基板33上的輔助電容線14的上層，對每個像素電極12，隔著柵極絕緣膜32設置有從漏極電極27沿著設于像素電極12b的長邊方向的輔助電容線14延伸的漏極線13。于是，沿著像素電極12b的長邊方向設置的漏極線13，在與掃描信號線21平行地設置的輔助電容線14交叉的位置，具備擴大輔助電容線14與漏極線13的重疊面積的輔助電容電極部131。進而，在該輔助電容電極部131，經(jīng)由設置于層間絕緣膜31的接觸孔M， 漏極線13與像素電極12b電連接。由此，輔助電容線14與像素電極12b形成每個像素的輔助電容，能夠穩(wěn)定像素電位。此外，在圖如和圖4b所示的結(jié)構(gòu)中，在共用電極17(未圖示)的設置有肋18的區(qū)域的透射率低。因此，利用該透射率低的區(qū)域，不僅與掃描信號線21平行地設置輔助電容線14，還可以沿像素電極12b的長邊方向設置該輔助電容線14，由此擴大輔助電容。并且，如圖如所示，液晶面板沘中，縫隙1 的開口區(qū)域(S卩，像素電極1 與像素電極12b’間的間隙)與輔助電容線14交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，在像素電極12b的層與輔助電容14的層之間的層，以至少覆蓋輔助電容線14的方式，設置有漏極線 13構(gòu)成的覆蓋金屬部19，作為上述輔助電容電極部131的一部分。此外，與圖3的結(jié)構(gòu)一樣，在圖如和圖4b所示的例子中，雖然表示了覆蓋金屬部 19突出到縫隙15b的開口區(qū)域沒有與輔助電容線14交叉的區(qū)域的結(jié)構(gòu)，但是覆蓋金屬部 19的突出的程度兼顧與所要求的規(guī)格相應的取向紊亂和開口率的平衡而決定。圖5是示意地表示本實施方式涉及的設置有像素-像素縫隙的液晶顯示面板2b’ 的其他結(jié)構(gòu)的平面圖。液晶面板2b’中，如圖5所示，縫隙15b的開口區(qū)域(即，像素電極 12b與像素電極12b’間的間隙)與輔助電容線14交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，在像素電極12b的層與輔助電容14的層之間的層，以至少覆蓋輔助電容線14的方式，設置有數(shù)據(jù)信號線22構(gòu)成的覆蓋金屬部19。此外，覆蓋金屬部19是通過局部地擴展數(shù)據(jù)信號線 22而形成的。即，圖如和圖4b所示的結(jié)構(gòu)雖然是按照覆蓋與縫隙15b的開口區(qū)域交叉的區(qū)域的輔助電容線14的方式形成漏極線13的結(jié)構(gòu)，但是如圖5所示，也可以是按照覆蓋與縫隙 15b的開口區(qū)域交叉的區(qū)域的輔助電容線14的方式形成數(shù)據(jù)信號線22的結(jié)構(gòu)。此外，圖5 所示的結(jié)構(gòu)中，除了按照覆蓋與縫隙1 的開口區(qū)域交叉的區(qū)域的輔助電容線14的方式設置有數(shù)據(jù)信號線22的結(jié)構(gòu)以外，與圖如和圖4b是相同的結(jié)構(gòu)，所以省略說明。(縫隙15c)圖6是示意地表示本實施方式涉及的在像素電極設置有上述微細縫隙的液晶顯示面板2c的結(jié)構(gòu)的平面圖。如圖6所示，在掃描信號線21與數(shù)據(jù)信號線22的交叉部，分別設置有作為像素電極部的像素電極12c和作為開關(guān)元件的TFT25。此外，圖6中，在像素電極12c處，黑線表示微細縫隙15c。即，黑線以外的位置表示像素電極12c。另外，像素電極12c和TFT25與未圖示的共用電極17共同構(gòu)成圖1中的像素7這方面是與圖3相同的結(jié)構(gòu)。并且，TFT25的結(jié)構(gòu)和動作與圖3所示結(jié)構(gòu)相同，所說省略說明。但是，圖6所示的結(jié)構(gòu)中，像素電極是梳齒電極，設置于像素電極的縫隙是微細縫隙15c這點與圖3中所示的結(jié)構(gòu)不同。此外，圖6所示的結(jié)構(gòu)中，在未圖示的共用電極17上沒有設置肋18，但也可以是設置有為了使取向限制力提高的肋18的結(jié)構(gòu)，沒有特別限定肋18的有無。另外，各微細縫隙15c的長邊方向相對漏極線13具有大約45度的傾斜，向著各相差大約90度的四個方向分開。這樣的結(jié)構(gòu)中，若對像素電極12c施加電壓，則液晶分子向著各微細縫隙15c的長邊方向歪斜，所以在1像素能夠形成取向方向不同的四個疇。此外， 例如，也可以橫向或縱向地形成微細縫隙，構(gòu)成兩個疇的結(jié)構(gòu)。另外，在與掃描信號線21相同的層，輔助電容線14橫穿各像素電極12c，與掃描信號線21基本平行地延伸設置。進而，在輔助電容線14的上層，對每個像素電極12c，隔著未圖示的柵極絕緣膜，設置有從漏極電極27沿著像素電極12c的長邊方向延伸的漏極線13。 于是，在與輔助電容線14交叉的位置，漏極線13具有用于擴大輔助電容線14與漏極線13 的重疊面積的輔助電容電極部132。漏極線13經(jīng)由相對該輔助電容電極部132設置的接觸孔M與像素電極12c電連接。由此，輔助電容線14與像素電極12形成每個像素的輔助電容，可以穩(wěn)定像素電位。并且，在液晶顯示面板2c中，如圖6所示，在設置于像素電極12c的縫隙15c的開口區(qū)域與輔助電容線14交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，在像素電極12c的層與輔助電容線14的層之間的層，按照覆蓋輔助電容線14的方式設置有覆蓋金屬部19，作為上述輔助電容電極部132的一部分。此外，與圖3的結(jié)構(gòu)同樣，在圖6所示的例子中，表示了覆蓋金屬部19突出到縫隙 15c的開口區(qū)域沒有與輔助電容線14交叉的區(qū)域的結(jié)構(gòu)，但是覆蓋金屬部19的突出的程度兼顧與所要求的規(guī)格相應的取向紊亂和開口率的平衡而決定。(橫長圖像元素)圖3 圖5中表示了縱長圖像元素的構(gòu)成，但是根據(jù)液晶顯示面板的設計，存在橫長圖像元素的像素結(jié)構(gòu)、即橫長的RGB的各圖像元素縱向排列構(gòu)成一個像素的結(jié)構(gòu)。圖7 是表示具有橫長圖像元素的像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)的圖，(a)是表示掃描信號線 21沿著像素電極12的長邊方向?qū)⑾袼仉姌O12的區(qū)域內(nèi)橫穿而形成的結(jié)構(gòu)的圖，(b)是表示輔助電容線14沿著像素電極12的長邊方向?qū)⑾袼仉姌O12的區(qū)域內(nèi)橫穿而形成，且像素電極12在其兩個長邊中的一方的長邊附近與掃描信號線21重疊的結(jié)構(gòu)的圖。此外，圖7中，對于與圖3 圖5所示的部件具有相同功能的部件標示相同的參照編號，省略說明。圖7所示的液晶顯示面板中，像素電極不只是與輔助電容線重疊，還與掃描信號線重疊。如圖7(a)所示，在具有與掃描信號線21平行的長邊的像素電極12的中央附近形成掃描信號線21，輔助電容線14按照在像素電極12的兩個長邊附近具有重疊的方式與掃描信號線21平行設置。進而，與像素電極12重疊的兩根輔助電容線14中，一方具有延伸部141，該延伸部141與像素電極12的短邊平行，從像素電極12的長邊的中央附近向著掃描信號線21延伸出去。多個縫隙15形成為，相對于將像素電極12的長邊垂直地二分的中心線左右對稱，并且與中心線形成銳角。這樣的結(jié)構(gòu)中，存在掃描信號線21與設置于像素電極12的縫隙15交叉的多個區(qū)域，并且還存在輔助電容線14與縫隙15交叉的多個區(qū)域。并且，液晶顯示面板2’中，如圖7(a)所示，在設置于像素電極12的縫隙15的開口區(qū)域與掃描信號線21交叉的多個區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)的各個區(qū)域中，分別在像素電極12的層與掃描信號線21的層之間，按照覆蓋掃描信號線21的方式設置有從漏極線13 的一部分沿著像素電極12的短邊突出的覆蓋金屬部19。進而，漏極線13與輔助電容線14的上述延伸部141重疊，且延伸到達輔助電容線 14，進一步，漏極線13沿著像素電極12的長邊分別延伸設置到輔助電容線14與縫隙15交叉的多個區(qū)域中的各區(qū)域。在輔助電容線14與縫隙15交叉的多個區(qū)域中，以覆蓋該區(qū)域的方式形成有從漏極線13突出的多個覆蓋金屬部19。另外，如圖7(b)所示，即使在像素電極12在其長邊附近與一個掃描信號線21重疊，在像素電極12的中央附近形成有輔助電容線14的情況下，也存在掃描信號線21與同樣地設置于像素電極12的縫隙15交叉的多個區(qū)域，以及輔助電容線14與縫隙15交叉的多個區(qū)域。于是，液晶顯示面板2”中，如圖7(b)所示，在設置于像素電極12的縫隙15的開口區(qū)域與掃描信號線21交叉的多個區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)的各個區(qū)域中，在像素電極 12的層與掃描信號線21的層之間，按照覆蓋掃描信號線21的方式設置有漏極線13的一部分沿著像素電極12的短邊突出的覆蓋金屬部19。進而，在縫隙15的開口區(qū)域與輔助電容線14交叉的多個區(qū)域的各個區(qū)域中，在像素電極12的層與輔助電容線14的層之間，按照覆蓋輔助電容線14的方式設置有漏極線13 的一部分擴寬而成的覆蓋金屬部19。圖7中，雖然覆蓋金屬部19由漏極線13構(gòu)成，但是其也可以由數(shù)據(jù)信號線22構(gòu)成，也可以由未圖示的中間電極或獨立的屏蔽金屬構(gòu)成。此外，圖7所示的例子中，像素電極12是橫長結(jié)構(gòu)，即像素電極12的長邊方向與掃描信號線21平行，然而，像素電極12也可以是縱長結(jié)構(gòu)，即，像素電極12的長邊方向與掃描信號線21垂直的結(jié)構(gòu)。(多像素結(jié)構(gòu))作為用于改善液晶顯示面板的Y特性的視角依賴性(從正面觀測液晶顯示裝置時的Y特性與斜向觀測時的Y特性的差異)的一種方法，具有像素分割方式(所謂的多像素技術(shù))。像素分割方式的液晶顯示面板具有利用多個子像素構(gòu)成一像素的多像素結(jié)構(gòu)。 從而，本發(fā)明也適用于具有多像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板。首先，說明像素分割方式。圖8是表示具有多像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板200的結(jié)構(gòu)的圖。如圖8所示，液晶顯示面板200具備正交的數(shù)據(jù)信號線220和掃描信號線210、輔助電容線140a、140b以及矩陣配置的像素。各像素分別對應地設置于數(shù)據(jù)信號線220與掃描信號線210的交點，包含子像素電極(像素電極部)120a和120b與TFT250a和TFT250b而構(gòu)成。輔助電容線140a和140b 被配置成分別橫穿子像素電極120a的上端和子像素電極120b的下端。并且，掃描信號線 210按照與上下配置的子像素電極120a與120b的間隙重疊的方式，與輔助電容線140a和 140b平行地設置。TFT250a形成在接近數(shù)據(jù)信號線220與掃描信號線210的交點的子像素電極120a 的角部，漏極線130a沿著數(shù)據(jù)信號線220延伸到達輔助電容線140a，并且具備與輔助電容線140a重疊的輔助電容電極部330a。另外，在輔助電容電極部330a中，漏極線130a經(jīng)由接觸孔MOa與子像素電極 120a電連接。同樣，TFT250b形成在接近數(shù)據(jù)信號線220與掃描信號線210的交點的子像素電極120b的角部，漏極線130b沿著數(shù)據(jù)信號線220延伸到達輔助電容線140b，并且具備與輔助電容線140b重疊的輔助電容電極部330b。另外，在輔助電容電極部330b中，漏極線130b經(jīng)由接觸孔MOb與子像素電極 120b電連接。由此，子像素電極120a和120b分別在輔助電容線140a和140b之間形成電容，并且在與共用電極之間也形成電容。另外，在TFT250a和250b的柵極電極電連接有掃描信號線210，在源極電極沈Oa和^Ob電連接有數(shù)據(jù)信號線220。TFT250a和250b根據(jù)從掃描信號線210供給的掃描信號進行開關(guān)動作，切換子像素電極120a和120b與數(shù)據(jù)信號線220的導通狀態(tài)與非導通狀態(tài)。于是，在導通狀態(tài)下，經(jīng)由漏極線130a和130b，分別對子像素電極120a和120b供給與從數(shù)據(jù)信號線220供給的表示圖像的數(shù)據(jù)信號對應的電壓。液晶顯示面板200中，雖然從數(shù)據(jù)信號線220對子像素電極120a和120b供給相同的與數(shù)據(jù)信號對應的電壓，但是通過分別控制輔助電容線140a和140b的電壓，經(jīng)由子像素電極與輔助電容線之間的輔助電容，能夠使得子像素電極120a和120b具有不同的有效電壓。例如，輔助電容線140a的電壓向正向發(fā)生電平位移，而輔助電容線140b的電壓向負向發(fā)生電平位移，在1水平掃描期間后，輔助電容線140a的電壓向負向發(fā)生電平位移，而輔助電容線140b的電壓向正向發(fā)生電平位移，通過以這樣的方式在每1個水平掃描期間反轉(zhuǎn)輔助電容線140a和140b的電壓，能夠分別地控制輔助電容線140a和140b的電壓。即，對輔助電容線140a和140b供給錯開180度的相位的矩形波的電壓，由于子像素電極120a與輔助電容線140a，子像素電極120b與輔助電容線140b的各自的電容，在子像素電極120a 和子像素電極120b之間產(chǎn)生電位的差。這樣，在多像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板中，由高亮度的子像素(亮子像素)與低亮度的子像素(暗子像素)構(gòu)成一個像素，能夠顯現(xiàn)中間灰度等級，改善Y特性的視角依賴性 (例如，畫面的泛白等)。但是，在子像素電極設置有縫隙的多像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板中，不只是在制造液晶顯示面板時的PSA工序時，即使在像素分割方式的實際驅(qū)動時，也能夠利用共用電極與子像素電極與輔助電容線之間的電壓的關(guān)系，顯示出圖9(c)所示的等電位線。因此，在實際驅(qū)動時，也存在引起液晶分子的取向不良、降低顯示質(zhì)量的可能性。因此，在具有多像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板200中，如圖8所示，設置于子像素電極 120a的縫隙150a的開口區(qū)域與輔助電容線140a交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，在像素電極120a的層與輔助電容線140a的層之間的層，以覆蓋輔助電容線140a的方式在漏極線130a設置有覆蓋部190a。換言之，按照覆蓋縫隙150a的開口區(qū)域與輔助電容線140a 交叉的區(qū)域的方式，設置有從輔助電容電極部330a突出的覆蓋部190a。另外，同樣地，設置于子像素電極120b的縫隙150b的開口區(qū)域與輔助電容線140b交叉的區(qū)域(由虛線包圍的區(qū)域)中，在像素電極120b的層與輔助電容線140b的層之間的層，以覆蓋輔助電容線140b的方式在漏極線130b設置有覆蓋部190b。本發(fā)明并不限定于上述各實施方式，能夠在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)進行各種變更，將在不同的實施方式中分別公開的技術(shù)手段適當組合而得到的實施方式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明適用于具備像素電極的縫隙與掃描信號線或者輔助電容線交叉的結(jié)構(gòu)的基板的液晶顯示面板，尤其適合通過Cs-COM電壓施加方式的PSA工序形成液晶分子的預傾角的液晶顯示裝置。符號說明1:液晶顯示裝置2:液晶顯示面板3:控制電路4:柵極驅(qū)動電路5:源極驅(qū)動電路6: CS驅(qū)動電路7 ‘像素
10有源矩陣基板
11透明絕緣性基板
12像素電極(像素電極部)
13漏極線(金屬配線)
14輔助電容線
15縫隙(取向控制間隙部)
16透明絕緣性基板
17共用電極
18肋(取向控制部)
19覆蓋金屬部(金屬層、覆蓋部)
20對置基板
21掃描信號線
22數(shù)據(jù)信號線(信號配線)
24接觸孔
25:TFT (開關(guān)元件)
26源極電極
27漏極電極
30液晶層
31層間絕緣膜
32柵極絕緣膜
33玻璃基板
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板，其特征在于，具備 多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；像素部，其由與所述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成， 具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部；開關(guān)元件，其根據(jù)從所述掃描信號線供給的掃描信號，將所述信號配線與所述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)；金屬配線，其連接于所述開關(guān)元件，當所述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對所述像素電極部供給來自所述信號配線的數(shù)據(jù)信號；和輔助電容線，在該輔助電容線與所述像素電極部之間形成電容， 在所述輔助電容線或者所述掃描信號線與所述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在所述像素部的層與所述輔助電容線或者所述掃描信號線的層之間，按照至少覆蓋所述輔助電容線或者所述掃描信號線的方式，形成有金屬層。
2.一種有源矩陣基板，其特征在于，具備 多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；像素部，其由與所述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成， 具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部；開關(guān)元件，其根據(jù)從所述掃描信號線供給的掃描信號，將所述信號配線與所述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)；和金屬配線，其連接于所述開關(guān)元件，當所述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對所述像素電極部供給來自所述信號配線的數(shù)據(jù)信號，在所述掃描信號線與所述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在所述像素部的層與所述掃描信號線的層之間，按照至少覆蓋所述掃描信號線的方式，形成有金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述金屬層構(gòu)成為包含所述金屬配線或所述信號配線的至少任一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述取向控制間隙部是分別形成在所述像素電極部的細孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于所述取向控制間隙部是形成在構(gòu)成所述像素部的多個所述像素電極部之間的間隙。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述取向控制間隙部是通過在所述像素電極部形成切口而形成的細縫。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于所述像素電極部是具備多個子像素電極的多像素電極，通過像素分割方式進行驅(qū)動。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于在從形成于所述像素電極部的角部的所述開關(guān)元件延伸到按照橫穿所述像素電極部的方式配置的所述輔助電容線的、作為所述金屬配線的漏極線上，在所述取向控制間隙部與所述輔助電容線交叉的所述區(qū)域中，形成有至少覆蓋所述輔助電容線的覆蓋部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于按照橫穿所述像素電極部的方式配置有所述掃描信號線，并且按照大致平行于所述掃描信號線地橫穿所述像素電極部的方式配置有所述輔助電容線，作為所述金屬配線的漏極線，從形成在所述像素電極部的所述開關(guān)元件，延伸到按照橫穿所述像素電極部的方式配置的所述輔助電容線與所述取向控制間隙部交叉的所述區(qū)域、和所述掃描信號線與所述取向控制間隙部交叉的所述區(qū)域中的至少任意一處，并且在所述各區(qū)域中，形成至少覆蓋所述輔助電容線和所述掃描信號線的覆蓋部，作為所述漏極線的一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于按照橫穿所述像素電極部的端部的方式配置有所述掃描信號線，并且按照大致平行于所述掃描信號線地橫穿所述像素電極部的中央的方式配置有所述輔助電容線，作為所述金屬配線的漏極線，從形成在所述像素電極部的角部的所述開關(guān)元件，延伸到按照橫穿所述像素電極部的方式配置的所述輔助電容線與所述取向控制間隙部交叉的所述區(qū)域、和所述掃描信號線與所述取向控制間隙部交叉的所述區(qū)域中的至少任意一處， 并且在所述漏極線上，在所述各區(qū)域中，形成有至少覆蓋所述輔助電容線和所述掃描信號線的覆蓋部。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于按照橫穿所述像素電極部的中央的方式配置有所述掃描信號線，并且按照大致平行于所述掃描信號線地橫穿所述像素電極部的端部的方式配置有所述輔助電容線，作為所述金屬配線的漏極線，從形成在所述像素電極部的邊緣部的所述開關(guān)元件，延伸到按照橫穿所述像素電極部的方式配置的所述輔助電容線與所述取向控制間隙部交叉的所述區(qū)域、和所述掃描信號線與所述取向控制間隙部交叉的所述區(qū)域中的至少任意一處，并且在所述漏極線上，在所述各區(qū)域中，形成有至少覆蓋所述輔助電容線和所述掃描信號線的覆蓋部。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的有源矩陣基板，其特征在于所述像素電極部的長邊方向的邊形成為與所述掃描信號線大致平行。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于所述輔助電容線按照與在一個所述像素電極部內(nèi)相鄰地設置的所述取向控制間隙部呈銳角地接近的部位重疊的方式形成，在從形成于所述像素電極部的角部的所述開關(guān)元件延伸到所述輔助電容線的、作為所述金屬配線的漏極線，在所述取向控制間隙部與所述輔助電容線交叉的所述區(qū)域中，形成有至少覆蓋所述輔助電容線的覆蓋部。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于所述輔助電容線按照橫穿作為多個所述像素電極部的間隙而形成的所述取向控制間隙部的方式形成，在從形成于所述像素電極部的角部的所述開關(guān)元件延伸到所述輔助電容線的、作為所述金屬配線的漏極線，在所述取向控制間隙部與所述輔助電容線交叉的所述區(qū)域中，形成有至少覆蓋所述輔助電容線的覆蓋部。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于所述輔助電容線按照橫穿作為多個所述像素電極部的間隙而形成的所述取向控制間隙部的方式形成，在從形成于所述像素電極部的角部的所述開關(guān)元件按照與所述輔助電容線交叉的方式延伸作為所述信號配線的數(shù)據(jù)信號線，在所述取向控制間隙部與所述輔助電容線交叉的所述區(qū)域中，形成有至少覆蓋所述輔助電容線的覆蓋部。
16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于在從形成于所述像素電極部的所述開關(guān)元件延伸到以橫穿所述像素電極部的方式配置的所述掃描信號線的、作為所述金屬配線的漏極線，在所述取向控制間隙部與所述掃描信號線交叉的所述區(qū)域中，形成有至少覆蓋所述掃描信號線的覆蓋部。
17.一種液晶顯示面板，其特征在于具有權(quán)利要求1至16中任一項所述的有源矩陣基板和設置有共用電極的對置基板，并且在這些各基板之間具備液晶層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述對置基板具備控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制部。
19.一種液晶顯示裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求17或18所述的液晶顯示面板和驅(qū)動該液晶顯示面板的驅(qū)動電路。
20.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于 所述有源矩陣基板具備多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；像素部，其由與所述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成， 具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部；開關(guān)元件，其根據(jù)從所述掃描信號線供給的掃描信號，將所述信號配線與所述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)；金屬配線，其連接于所述開關(guān)元件，當所述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對所述像素電極部供給來自所述信號配線的數(shù)據(jù)信號；和輔助電容線，在該輔助電容線與所述像素電極部之間形成電容， 所述有源矩陣基板的制造方法包括在所述輔助電容線或者所述掃描信號線與所述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，按照至少覆蓋所述輔助電容線或者所述掃描信號線的方式，形成金屬層的工序。
21.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于 所述有源矩陣基板具備多個掃描信號線；按照與該掃描信號線交叉的方式配置的多個信號配線；像素部，其由與所述各掃描信號線和各信號配線的組合對應設置的像素電極部構(gòu)成， 具有控制液晶分子的取向狀態(tài)的取向控制間隙部；開關(guān)元件，其根據(jù)從所述掃描信號線供給的掃描信號，將所述信號配線與所述像素電極部切換為導通狀態(tài)或非導通狀態(tài)；和金屬配線，其連接于所述開關(guān)元件，當所述開關(guān)元件為導通狀態(tài)時，對所述像素電極部供給來自所述信號配線的數(shù)據(jù)信號，所述有源矩陣基板的制造方法包括在所述掃描信號線與所述取向控制間隙部交叉的區(qū)域中，在所述像素部的層與所述掃描信號線的層之間，按照至少覆蓋所述掃描信號線的方式，形成金屬層的工序。
22.—種權(quán)利要求17或18所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于具備聚合物取向支持工序，該聚合物取向支持工序中，在第一電位狀態(tài)、第二電位狀態(tài)和第三電位狀態(tài)中的任意一個電位狀態(tài)下，對所述液晶層施加電壓，將預先混入所述液晶層的單體聚合，由此對所述液晶層的液晶分子賦予預傾角，其中，所述第一電位狀態(tài)是從所述金屬層的電位減去所述共用電極的電位后的電位差，與從所述像素電極部的電位減去所述共用電極的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)；所述第二電位狀態(tài)是所述金屬層的電位與所述共用電極的電位相等的電位狀態(tài)；所述第三電位狀態(tài)是從所述金屬層的電位減去所述共用電極的電位后的電位差，與從所述像素電極部的電位減去所述共用電極的電位后的電位差為相同極性，并且所述像素電極部的電位與所述共用電極的電位的差的絕對值，在所述金屬層的電位與所述共用電極的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。
23.一種權(quán)利要求17或18所述的液晶顯示面板的驅(qū)動方法，其特征在于在第一電位狀態(tài)、第二電位狀態(tài)和第三電位狀態(tài)中的任意一個電位狀態(tài)下，對所述液晶層施加電壓，其中，所述第一電位狀態(tài)是從所述金屬層的電位減去所述共用電極的電位后的電位差，與從所述像素電極部的電位減去所述共用電極的電位后的電位差為相反極性的電位狀態(tài)；所述第二電位狀態(tài)是所述金屬層的電位與所述共用電極的電位相等的電位狀態(tài)；所述第三電位狀態(tài)是從所述金屬層的電位減去所述共用電極的電位后的電位差，與從所述像素電極部的電位減去所述共用電極的電位后的電位差為相同極性，并且所述像素電極部的電位與所述共用電極的電位的差的絕對值，在所述金屬層的電位與所述共用電極的電位的差的絕對值以上的電位狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具備像素電極的縫隙與掃描信號線或輔助電容線交叉的結(jié)構(gòu)的基板的液晶顯示面板，能夠抑制液晶顯示面板中的取向紊亂，實現(xiàn)高品質(zhì)的顯示。有源矩陣基板(10)具備具有縫隙(15)的像素電極(12)和輔助電容線(14)，在輔助電容線(14)或掃描信號線(21)與縫隙(15)交叉的區(qū)域中，在像素電極(12)的層與輔助電容線(14)或掃描信號線(21)的層之間，按照覆蓋輔助電容線(12)或掃描信號線(21)的方式，形成有漏極線(13)或數(shù)據(jù)信號線(22)中的至少任意一個。
文檔編號G02F1/1343GK102209929SQ20098014466
公開日2011年10月5日 申請日期2009年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月19日
發(fā)明者久田祐子, 伊藤了基, 堀內(nèi)智, 山田崇晴 申請人:夏普株式會社