專利名稱：充電構(gòu)件、其生產(chǎn)方法、處理盒和電子照相設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種充電構(gòu)件、其生產(chǎn)方法、處理盒以及電子照相設(shè)備。
背景技術(shù)：
日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2004-157384公開了一種充電構(gòu)件，其具有由具有來自環(huán)氧乙烷的單元的橡膠如表氯醇橡膠構(gòu)成的導(dǎo)電性彈性層，和在該導(dǎo)電性彈性層上作為表面層設(shè)置的導(dǎo)電性覆蓋層。

發(fā)明內(nèi)容
構(gòu)成導(dǎo)電性彈性層的橡膠由于具有來自環(huán)氧乙烷的單元而具有高吸濕性。由此， 依賴于周圍的濕度，該導(dǎo)電性彈性層反復(fù)膨脹和收縮。隨著導(dǎo)電性彈性層這樣的膨脹和收縮，導(dǎo)電性彈性層上的導(dǎo)電性覆蓋層也反復(fù)膨脹和收縮。當(dāng)這發(fā)生時(shí)，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)， 當(dāng)所述導(dǎo)電性覆蓋層是通過在粘結(jié)劑樹脂中分散導(dǎo)電性顆粒而使得導(dǎo)電的導(dǎo)電性覆蓋層時(shí)，會(huì)產(chǎn)生下述問題。即，本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，隨著導(dǎo)電性覆蓋層反復(fù)膨脹和收縮，導(dǎo)電性覆蓋層中的導(dǎo)電性顆粒移動(dòng)，并且這些導(dǎo)電性顆粒相互聚集。這種導(dǎo)電性顆粒的聚集使得導(dǎo)電性覆蓋層的體積電阻率不均勻。由此，本發(fā)明人已經(jīng)意識(shí)到，為獲得具有更穩(wěn)定性能的充電構(gòu)件，需要解決該問題。因此，本發(fā)明旨在提供一種充電構(gòu)件及其生產(chǎn)方法，在所述充電構(gòu)件的導(dǎo)電性表面層中，即使表面層在各種環(huán)境下反復(fù)膨脹和收縮時(shí)，也能防止導(dǎo)電性顆粒聚集，從而使得帶電性能不易變化。本發(fā)明還旨在提供即使在各種環(huán)境下也均能穩(wěn)定地形成高品質(zhì)電子照相圖像的電子照相構(gòu)件和處理盒。本發(fā)明人已經(jīng)對(duì)上述問題進(jìn)行了多方面研究。結(jié)果，他們發(fā)現(xiàn)，通過在具有選自由氨基甲酸酯鍵和硅氧烷鍵組成的組中的至少一種鍵的粘結(jié)劑樹脂中分散具有特定結(jié)晶狀態(tài)的石墨化顆粒使得表面層導(dǎo)電，即使表面層反復(fù)膨脹和收縮時(shí)，也可良好地防止石墨化顆粒在導(dǎo)電性表面層中移動(dòng)或聚集。本發(fā)明基于發(fā)明人作出的該新發(fā)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種充電構(gòu)件，所述充電構(gòu)件包括導(dǎo)電性基體，和在其上形成的導(dǎo)電性彈性層與導(dǎo)電性表面層，其中所述彈性層包含具有源自環(huán)氧乙烷的單元的聚合物，和所述表面層包含粘結(jié)劑樹脂和石墨化顆粒，其中所述粘結(jié)劑樹脂包含在分子中具有氨基甲酸酯鍵或硅氧烷鍵或者氨基甲酸酯鍵和硅氧烷鍵的樹脂，和其中所述石墨化顆粒具有0. 3362nm以上至0. 3449nm以下的石墨(002)面晶面間距。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種生產(chǎn)上述充電構(gòu)件的方法，其包括以下步驟將彈性層表面用表面層形成涂布液涂布，并使所述樹脂的原料反應(yīng)以形成表面層，所述表面層形成涂布液包含在分子中具有氨基甲酸酯鍵或硅氧烷鍵或者氨基甲酸酯鍵和硅氧烷鍵的樹脂的原料，和具有0. 3362nm以上至0. 3449nm以下的石墨(002)面晶面間距的石墨化顆粒。根據(jù)本發(fā)明，可獲得在各種環(huán)境下均表現(xiàn)出穩(wěn)定且良好的帶電性能的充電構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明，還可獲得即使在各種環(huán)境下兩者也能夠穩(wěn)定地形成高品質(zhì)電子照相圖像的電子照相設(shè)備和處理盒。通過參考附圖從以下示例性實(shí)施方案的描述，本發(fā)明的進(jìn)一步特征將變得顯而易見。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的充電輥的截面圖。圖2A和2B示出如何測(cè)量根據(jù)本發(fā)明的充電輥的電阻值。圖3為根據(jù)本發(fā)明的電子照相設(shè)備的截面圖。圖4為根據(jù)本發(fā)明的處理盒的截面圖。
具體實(shí)施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明的輥形充電構(gòu)件(下文中也稱為“充電輥”)的截面圖。圖1所示的充電輥5具有導(dǎo)電性基體1和依次層壓于其上的導(dǎo)電性彈性層2以及導(dǎo)電性表面層3。表面層表面層3包含粘結(jié)劑樹脂和在粘結(jié)劑樹脂中保持分散的石墨化顆粒。所述石墨化顆粒具有0. 3362nm以上至0. 3449nm以下的石墨(00 面晶面間距。粘結(jié)劑樹脂在分子中包含氨基甲酸酯鍵或硅氧烷鍵，或者包含氨基甲酸酯鍵和硅氧烷鍵。以下解釋根據(jù)本發(fā)明的表面層即使由于其反復(fù)膨脹和收縮也能夠良好地防止石墨化顆粒在基體中移動(dòng)的原因。本發(fā)明人已經(jīng)對(duì)以下充電輥進(jìn)行了以下實(shí)驗(yàn)，所述充電輥具有i)由具有源自環(huán)氧乙烷的單元的橡膠組成的導(dǎo)電性彈性層，和ii)包含聚氨酯樹脂和分散于聚氨酯樹脂中的石墨化顆粒的導(dǎo)電性表面層，所述表面層覆蓋所述導(dǎo)電性彈性層。S卩，準(zhǔn)備多個(gè)充電輥，所述多個(gè)充電輥除了使用具有不同石墨(002)面晶面間距的石墨化顆粒作為表面層中包含的石墨化顆粒之外具有相同的組成。然后，將這些充電輥用于環(huán)境試驗(yàn)。具體地說，將這些充電輥放置在溫度23°C和濕度55% RH環(huán)境(以下也稱作“N/N環(huán)境”)中M小時(shí)，然后在溫度40°C和濕度95% RH環(huán)境中放置30天，并進(jìn)一步在 N/N環(huán)境中放置7天。然后，在電子顯微鏡上觀察石墨化顆粒如何保持在所述環(huán)境試驗(yàn)中使用的各充電輥的表面層中，以檢測(cè)在環(huán)境試驗(yàn)前后表面層中石墨化顆粒分散狀態(tài)的任何變化。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)采用具有0.3362nm至0.3449nm范圍內(nèi)的石墨(002)面晶面間距的石墨化顆粒的表面層，在環(huán)境試驗(yàn)前后在表面層中的分散狀態(tài)表現(xiàn)出極小的變化。對(duì)于除了在上述實(shí)驗(yàn)中將聚氨酯樹脂改變?yōu)槎谆酃柩跬橐酝獠捎孟嗤绞街苽涞亩鄠€(gè)充電輥，也得到了類似的結(jié)果。從這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果，認(rèn)為，在包含具有0. 3362nm至0. 3449nm的石墨(002)面晶面間距的石墨化顆粒的表面層中，石墨化顆粒相對(duì)于在石墨化顆粒周圍存在的粘結(jié)劑樹脂的位置基本保持固定化(immobilize)。從而，如推測(cè)的，即使由于石墨化顆粒反復(fù)膨脹和收縮，也能良好地防止石墨化顆粒在導(dǎo)電性表面層中移動(dòng)。因而，推測(cè)這種固定化 (immobilization)是石墨化顆粒具有的六角網(wǎng)平面的堆疊的層之間插入聚氨酯樹脂或硅酮樹脂的結(jié)果。
這里，應(yīng)確認(rèn)石墨化顆粒的石墨(00 面晶面間距數(shù)值的技術(shù)意義。在出版物 "Carbon Black Handbook, 3rd Edition"(1995^4^ 15 H , ^ Carbon Black Association 出版)的第56頁第12行中，描述了具有其中碳原子的六角網(wǎng)平面保持規(guī)則性堆疊的完整石墨結(jié)構(gòu)的石墨具有3. 3M埃的(002)面晶面間距。在相同出版物的第56頁第11行中， 還描述了其晶體結(jié)構(gòu)未生長為石墨的碳前驅(qū)體具有3. 47-3. 60埃的面晶面間距。此外，還如在出版物"Properties and Optimum Combination of Carbon Black and Application Techniques，，(1997 年 5 月 26 日，由 Technical Information Institute Co. , Ltd.出版) 的第8頁圖9中所示的，記載了其中與炭黑類似地以碳原子的六元環(huán)網(wǎng)絡(luò)排列的層未保持規(guī)則排列的那些具有0. 365nm(3. 65埃)的面晶面間距。由上述可知，石墨(002)面晶面間距的值是顯示石墨化顆粒結(jié)晶化發(fā)展的程度的參數(shù)。因而，根據(jù)本發(fā)明的面晶面間距的數(shù)值范圍限定了具有層狀結(jié)構(gòu)的石墨化顆粒，在所述層狀結(jié)構(gòu)中芳香族網(wǎng)狀平面保持相當(dāng)高的規(guī)則堆疊，但其規(guī)則性并不如常規(guī)可得的石墨完美?，F(xiàn)在，推測(cè)具有不完美堆疊的層狀結(jié)構(gòu)的碳如出版物“Carbon Black Handbook，第3 版，，(1995年4月15日，Carbon Black Association出版)的第56頁圖1. 4中右側(cè)第二個(gè)所示的，具有部分?jǐn)U大的層間距的部分，或如該圖右側(cè)第三個(gè)所示的，具有部分缺陷。由此，認(rèn)為在該層間距擴(kuò)大部分或缺陷部分存在極性基團(tuán)如羧基或氧。在本發(fā)明中，認(rèn)為由于在層間距擴(kuò)大部分或缺陷部分存在的極性基團(tuán)與氨基甲酸酯鍵或硅氧烷鍵間的親合性(affinity)，粘結(jié)劑樹脂保持插入石墨化顆粒的層之間。另一方面，面晶面間距為 0. 3354nm的任意石墨對(duì)于粘結(jié)劑樹脂插入層之間具有極小的可能性，這是因?yàn)槠渚哂羞^小的層間距離，以及存在于層之間的極性基團(tuán)在碳前驅(qū)體石墨化期間幾乎分解。這也由日本
專利申請(qǐng)?zhí)亻_2004-217450中第
段的描述得到支持，即“石墨是......具有層面晶
面間距為0. 335nm的強(qiáng)各向異性層狀結(jié)構(gòu)的物質(zhì)”和“任何可能破壞面內(nèi)鍵的反應(yīng)可能不易于進(jìn)行”。同時(shí)，關(guān)于面晶面間距，隨著面晶面間距由完美石墨具有的0. 3354nm面晶面間距變大，石墨化顆粒的導(dǎo)電性變低。即，在六角網(wǎng)平面保持堆疊的石墨化顆粒的晶體結(jié)構(gòu)中，已知石墨化顆粒具有高導(dǎo)電性，這是因?yàn)榇嬖谙褡杂呻娮右粯釉诹蔷W(wǎng)平面內(nèi)運(yùn)動(dòng)的 π-電子(參見“Hitachi Powder Metallurgy Technical Report No. 3 Q004) ”第 2 頁，右欄第2-6行)。從而，π -電子運(yùn)動(dòng)隨著層間距離增加而受阻(retard)，并且導(dǎo)電性開始降低。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的石墨化顆粒的石墨(002)面晶面間距的數(shù)值范圍具有限定石墨化顆粒具有良好的導(dǎo)電性并適于使得粘結(jié)劑樹脂插入層之間的技術(shù)意義。優(yōu)選石墨化顆粒具有0. 5 μ m-15 μ m,特別是1 μ m_8 μ m的平均粒徑，這是因?yàn)榭煽刂瞥潆姌?gòu)件中電流的流動(dòng)，并進(jìn)一步地產(chǎn)生防止電阻變化的效果。還更加優(yōu)選石墨化顆粒具有2以下的長/寬比(length/breadth ratio) 0采用該范圍，能夠更容易地控制充電構(gòu)件中電流的流動(dòng)。同時(shí)，能夠更加可靠地防止在電子照相圖像中出現(xiàn)由于任何過度放電或放電不足出現(xiàn)的斑點(diǎn)。進(jìn)一步地，將石墨化顆粒的平均粒徑(μ m)用A表示，更加優(yōu)選具有0. 5A以上至5A以下范圍內(nèi)的粒徑的石墨化顆粒占全部石墨化顆粒的80%以上。這意味著石墨化顆粒更優(yōu)選具有尖銳的粒徑分布。采用該范圍，能夠更容易地控制充電構(gòu)件中的電流流動(dòng)，和同時(shí)還使得能夠更可靠地防止上述斑點(diǎn)出現(xiàn)。
石墨化顆粒在表面層中的占有量以體積占有率計(jì)可以為_50%，優(yōu)選 2% _30%。采用該范圍，更加顯著地產(chǎn)生防止表面層因熱和/或水而膨脹的效果，以及還能夠更容易地控制充電構(gòu)件中電流的流動(dòng)，同時(shí)還可更加可靠地防止出現(xiàn)上述斑點(diǎn)?；?00質(zhì)量份的粘結(jié)劑樹脂，石墨化顆?？蓛?yōu)選以0. 5質(zhì)量份-50質(zhì)量份，更優(yōu)選1質(zhì)量份以上，和特別優(yōu)選2質(zhì)量份-30質(zhì)量份的量混合。采用該范圍，能夠?qū)Ⅲw積占有率控制在優(yōu)選范圍內(nèi)。從而，能夠更加顯著地產(chǎn)生防止表面層因熱和/或水而膨脹的效果。 還能夠更容易地控制充電構(gòu)件中的電流流動(dòng)，同時(shí)也可更加可靠地防止出現(xiàn)上述斑點(diǎn)。石墨化顆粒為包含以SP2共價(jià)鍵形成層狀結(jié)構(gòu)的碳原子的物質(zhì)。石墨化顆粒還可優(yōu)選為在來自石墨的拉曼光譜中，在1，580cm-1的峰處，具有SOcnT1以下，更優(yōu)選eOcnT1以下的峰強(qiáng)度半寬度(peak strength half width)的那些?？蛇m宜地使用人造石墨化顆粒作為所述石墨化顆粒。具體地說，可使用通過將由例如焦炭、焦油浙青、大體積中間相浙青(bulk-mesophase pitch)和中間相碳微球 (mesocarbon microbead)得到的碳前驅(qū)體石墨化得到的石墨化顆粒。以下概述如何生產(chǎn)本發(fā)明的石墨化顆粒。通過將焦炭等石墨化得到的顆粒其通過將粘結(jié)劑如浙青添加至填料如焦炭中并將它們成型，然后燒制得到。作為填料，可使用例如由通過在約500°C下加熱石油蒸餾中殘留的渣油或煤焦油浙青得到的生焦獲得的焦炭，其中可將所述生焦在1，2000C以上至1，4000C以下進(jìn)一步燒制。作為粘結(jié)劑，可使用例如作為焦油蒸餾殘?jiān)玫降恼闱唷ｊP(guān)于使用焦炭得到石墨化顆粒的方法，例如可將焦炭顆粒粉碎至約10 μ m體積平均粒徑，然后與分子中包含氧原子的樹脂(例如呋喃樹脂)混合。此后，將得到的混合物在約150°C下加熱捏合。然后，將得到的捏合產(chǎn)物機(jī)械粉碎至約20μπι的體積平均粒徑。將得到的粉碎產(chǎn)物通過在700-1，000°C下加熱處理。接著，可將該處理的產(chǎn)物通過在 2，600-3, 000°C下加熱約10-20分鐘進(jìn)一步處理，以得到根據(jù)本發(fā)明的石墨化顆粒。這里， 加熱溫度越高，則面晶面間距越小，和熱處理時(shí)間越長，則面晶面間距越小。因此，可將熱處理溫度和時(shí)間適宜地控制在上述范圍內(nèi)。大體積中間相浙青可通過例如采用溶劑分級(jí)從煤焦油浙青等中提取β -樹脂，并將該樹脂氫化以進(jìn)行重質(zhì)化處理而得到。重質(zhì)化處理后，還可將其粉碎，并隨后采用苯或甲苯等除去溶劑可溶物。該大體積中間相浙青可優(yōu)選具有95重量％以上的喹啉可溶物。 如果使用具有低于95重量％喹啉可溶物的浙青，則不易于使顆粒內(nèi)部液相碳化，并可能發(fā)生固相碳化，從而形成粉碎狀的顆粒。為使得長/寬比較小，優(yōu)選進(jìn)行上述控制。關(guān)于采用中間相浙青獲得石墨化顆粒的方法，將上述中間相浙青粉碎，并通過在空氣中在200-350°C下加熱以進(jìn)行輕度氧化處理來處理得到的顆粒。所述氧化處理使得大體積中間相浙青顆粒僅在其表面處不熔，并可防止顆粒在下一步驟中石墨化處理時(shí)熔化或熔融。對(duì)于已經(jīng)進(jìn)行了氧化處理的大體積中間相浙青顆粒，具有5質(zhì)量％以上至15質(zhì)量％ 以下的含氧量是適宜的。接著，將已經(jīng)進(jìn)行了氧化處理的大體積中間相浙青顆粒通過在 1，OOO0C以上至3，5000C以下在氮?dú)饣驓鍤獾榷栊詺夥罩屑訜?0-60分鐘處理，以得到期望的石墨化顆粒。在使用大體積中間相浙青作為碳前驅(qū)體的情況下，同樣熱處理時(shí)加熱溫度越高，則面晶面間距越小，以及熱處理時(shí)間越長，面晶面間距越小。因此，可將熱處理時(shí)間和溫度適宜地控制在上述范圍內(nèi)。通過將中間相碳微球石墨化得到的顆粒關(guān)于獲得中間相碳微球的方法，可采用其中將煤型重油或石油型重油通過在 300°C以上至500°C以下的溫度下加熱處理以進(jìn)行縮聚形成粗中間相碳微球，然后對(duì)反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行處理如過濾、靜置沉降或離心分離，分離中間相碳微球，接著用溶劑如苯、甲苯或二甲苯洗滌和隨后干燥的方法。為采用這類中間相碳微球得到石墨化顆粒，首先通過足夠柔和以不會(huì)將其破壞的力，將干燥的中間相碳微球機(jī)械地保持一次分散。這對(duì)于防止顆粒在石墨化后聚結(jié)或獲得均勻顆粒是優(yōu)選的。將已經(jīng)如此保持一次分散的中間相碳微球在200-1，500°C溫度下在惰性氣氛中初步加熱以進(jìn)行碳化。將如此得到的碳化產(chǎn)物同樣采用足夠柔和以不會(huì)將其破壞的力機(jī)械分散。這對(duì)于防止石墨化后顆粒聚結(jié)或得到均勻顆粒是優(yōu)選的。將如此分散的碳化產(chǎn)物在1，000-3, 500°C下在惰性氣氛中再次加熱10-60分鐘，以得到期望的石墨化顆粒。 在使用中間相碳微球作為碳前驅(qū)體的情況下，同樣地，熱處理時(shí)加熱溫度越高，則面晶面間距越小，以及熱處理時(shí)間越長，面晶面間距越小。從而，可適宜地將熱處理時(shí)間和溫度控制在上述范圍內(nèi)。粘結(jié)劑樹脂所述粘結(jié)劑樹脂需要在其分子中具有氨基甲酸酯鍵或硅氧烷鍵，或者氨基甲酸酯鍵和硅氧烷鍵。如前所述，氨基甲酸酯鍵部分和硅氧烷鍵部分使其對(duì)在根據(jù)本發(fā)明的石墨化顆粒的層之間粘結(jié)劑樹脂的插入具有重要作用。作為具體樹脂，可示例聚氨酯樹脂和硅酮樹脂。包含聚氨酯樹脂的表面層可通過用包含上述石墨化顆粒、多元醇和具有異氰酸酯基的化合物的表面層形成涂布液涂布彈性層表面，并使多元醇與具有異氰酸酯基的化合物反應(yīng)形成。包含硅酮樹脂的表面層也可通過用包含上述石墨化顆粒和可水解有機(jī)硅氧烷的表面層形成涂布液涂布彈性層表面層，并使有機(jī)硅氧烷進(jìn)行脫水縮合或脫醇縮合形成。這里，可水解有機(jī)硅氧烷可包括在分子中具有兩個(gè)或三個(gè)可水解基團(tuán)的硅烷化合物，如三烷氧基硅烷和二烷氧基硅烷。分子中具有兩個(gè)或三個(gè)可水解基團(tuán)的硅烷化合物是優(yōu)選的，這是因?yàn)槟軌蚴沟谜辰Y(jié)劑樹脂柔韌。進(jìn)一步地，優(yōu)選其中已經(jīng)接枝氨基甲酸酯鍵和/或硅氧烷鍵的樹脂作為根據(jù)本發(fā)明的粘結(jié)劑樹脂。推測(cè)粘結(jié)劑樹脂在石墨化顆粒中的插入與涂布彈性層表面的涂布液涂層中的氨基甲酸酯鍵和/或硅氧烷鍵的形成并行地發(fā)生。這里，氨基甲酸酯鍵和/或硅氧烷鍵存在于涂層中能夠高度自由運(yùn)動(dòng)的接枝部分處，由此粘結(jié)劑樹脂能夠更有效地插入石墨化顆粒中。具體地說，其具有如以下結(jié)構(gòu)式(I)或(II)所示的結(jié)構(gòu)，其中硬鏈段(主鏈) 為具有碳-碳鍵的丙烯酸類樹脂或苯乙烯樹脂，和所述樹脂在連接至主鏈上的軟鏈段(側(cè)鏈)上具有氨基甲酸酯鍵或硅氧烷鍵。結(jié)構(gòu)式(I)
權(quán)利要求
1.一種充電構(gòu)件，所述充電構(gòu)件包括導(dǎo)電性基體和在其上形成的導(dǎo)電性彈性層與導(dǎo)電性表面層，其中所述彈性層包括具有源自環(huán)氧乙烷的單元的聚合物，和所述表面層包括粘結(jié)劑樹脂和石墨化顆粒，其中所述粘結(jié)劑樹脂包括在分子中具有氨基甲酸酯鍵或硅氧烷鍵或者氨基甲酸酯鍵和硅氧烷鍵的樹脂，和其中所述石墨化顆粒具有0. 3362nm以上至0. 3449nm以下的石墨(002)面晶面間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電構(gòu)件，其中所述在分子中具有氨基甲酸酯鍵或硅氧烷鍵或者氨基甲酸酯鍵和硅氧烷鍵的樹脂為在接枝部分具有氨基甲酸酯鍵或硅氧烷鍵或者氨基甲酸酯鍵和硅氧烷鍵的接枝聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中所述粘結(jié)劑樹脂保持插入石墨化顆粒中。
4.一種處理盒，其包含根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件和電子照相感光構(gòu)件，并構(gòu)造成可拆卸地安裝于電子照相設(shè)備的主體。
5.一種電子照相設(shè)備，其包括根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件和待借助于該充電構(gòu)件而靜電充電的電子照相感光構(gòu)件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子照相設(shè)備，其中僅將直流電壓施加至充電構(gòu)件，從而將所述待靜電充電的構(gòu)件靜電充電。
7.—種生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件的方法，其包括以下步驟將彈性層表面用表面層形成涂布液涂布，所述表面層形成涂布液包含在分子中具有氨基甲酸酯鍵或硅氧烷鍵或者氨基甲酸酯鍵和硅氧烷鍵的樹脂的原料，和具有0. 3362nm以上至0. 3449nm以下的石墨(002)面晶面間距的石墨化顆粒，和使所述樹脂的原料反應(yīng)以形成表面層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)充電構(gòu)件的方法，其中所述涂布液包含的所述原料包括多元醇和具有異氰酸酯基的化合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)充電構(gòu)件的方法，其中所述涂布液包含的所述原料包括可水解有機(jī)硅氧烷。
全文摘要
公開一種充電構(gòu)件，所述充電構(gòu)件即使當(dāng)導(dǎo)電性表面層在各種環(huán)境下進(jìn)行反復(fù)伸縮時(shí)，也能夠抑制導(dǎo)電性顆粒在表面層中的聚集，并且不易于導(dǎo)致充電性能的變化。所述充電構(gòu)件包括導(dǎo)電性基體以及設(shè)置在基體上的導(dǎo)電性彈性層和導(dǎo)電性表面層。所述彈性層包含具有源自環(huán)氧乙烷單元的聚合物。所述表面層包含粘結(jié)劑樹脂和石墨化顆粒。所述粘結(jié)劑樹脂包含在其分子中具有氨基甲酸酯鍵、硅氧烷鍵、或者氨基甲酸酯鍵和硅氧烷鍵兩者的樹脂，石墨(002)面的晶面間距為0.3362nm-0.3449nm。
文檔編號(hào)G03G15/02GK102197343SQ20098014266
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2009年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月27日
發(fā)明者八木澤勇介, 古川匠, 松田秀和, 谷口智士 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社