專利名稱：被曝光基板用防水劑組合物、抗蝕圖形的形成方法及利用該形成方法制造的電子器件、被 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及被曝光基板用防水劑組合物、抗蝕圖形的形成方法及利用該形成方 法制造的電子器件、被曝光基板的防水處理方法、被曝光基板用防水劑套裝(set)以及使 用該套裝的被曝光基板的防水處理方法。
背景技術(shù)：
近年來，在電子器件(例如半導(dǎo)體器件、液晶顯示元件、磁頭和顯微透鏡等)的 制造工藝等中、尤其是半導(dǎo)體器件的制造中所采用的浸沒式曝光法(immersion lithography process)的開發(fā)正如火如荼地進(jìn)行著，所述浸沒式曝光法是使曝光裝置的投影光學(xué)系統(tǒng)和 被曝光基板(包括半導(dǎo)體基板、晶片(wafer)等)之間充滿浸漬液來進(jìn)行曝光的方法。作 為浸漬液，一般采用純水。但是，存在該曝光處理時所用的浸漬液從被曝光基板的被處 理面的周邊部迂回至背面而污染被曝光基板的背面的問題。
作為提高晶片的防水性的方法，廣泛實(shí)施了使用六甲基二硅氮烷(HMDS)的表 面處理。但是，HMDS處理并非針對浸沒式曝光法的處理方法，其防水性不足。對此， 提出了使用具有被氟取代的烷基或鏈烯基的硅烷化劑的方法(專利文獻(xiàn)1)、在半導(dǎo)體基 板背面的特定范圍內(nèi)的區(qū)域?qū)嵤〩MDS處理的方法(專利文獻(xiàn)2)等。
但是，專利文獻(xiàn)1的方法中，存在產(chǎn)生涂布于基板表面的抗蝕劑等藥液被表面 排斥而無法涂布的部位的問題；專利文獻(xiàn)2的方法中，存在防水性不足的問題。此外， 為了形成抗蝕圖形，在形成了被加工膜的基板上形成抗蝕膜(resist film)等有機(jī)膜，但專 利文獻(xiàn)1和2中均存在如下問題被加工膜與其正上方的有機(jī)膜的附著力不足，發(fā)生膜從 晶片邊緣剝離的現(xiàn)象，在浸沒式曝光時，因浸漬液的對流而導(dǎo)致該膜剝離后產(chǎn)生的異物 混入浸漬液，從而引發(fā)圖形缺陷。此外，如果被加工膜與其正上方的有機(jī)膜的附著力不 足，則存在容易引起抗蝕圖形的破壞(倒壊)的問題。應(yīng)予說明，抗蝕圖形的破壞是指 隨著抗蝕圖形的微細(xì)化，縱橫比(即膜厚H/線寬d)增大，基板與抗蝕圖形的接觸面積減 小，抗蝕圖形變得容易破壞。
專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2007-019465號公報(bào)
專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2007-194503號公報(bào)發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供可抑制由浸漬液所導(dǎo)致的被曝光基板背面的污染， 并且可提高被加工膜與其正上方的有機(jī)膜的附著性而抑制膜剝離，且操作性優(yōu)良的被曝 光基板用防水劑組合物、抗蝕圖形的形成方法及利用該形成方法制造的電子器件、被曝 光基板的防水處理方法、被曝光基板用防水劑套裝以及使用該套裝的被曝光基板的防水
為解決上述問題，本發(fā)明的被曝光基板用防水劑組合物的特征在于，至少包含 以下述通式(1)表示的有機(jī)硅化合物和溶劑。
R權(quán)利要求
1.被曝光基板用防水劑組合物，其中，至少包含以下述通式(1)表示的有機(jī)硅化合物 和溶劑，
2.權(quán)利要求1所述的被曝光基板用防水劑組合物，其中，進(jìn)一步包含選自酸及其鹽、 堿及其鹽、以及鎮(zhèn)類化合物的至少1種助劑。
3.權(quán)利要求2所述的被曝光基板用防水劑組合物，其中，所述酸為碳原子數(shù)1 10 的羧酸。
4.權(quán)利要求1所述的被曝光基板用防水劑組合物，其中，所述溶劑的沸點(diǎn)為70 200 "C。
5.權(quán)利要求1所述的被曝光基板用防水劑組合物，其中，組合物中的所述有機(jī)硅化合 物的比例為0.01 6質(zhì)量％。
6.抗蝕圖形的形成方法，該方法是采用使液體存在于曝光裝置的投影光學(xué)系統(tǒng)和被 曝光基板之間來進(jìn)行曝光的浸沒式曝光的抗蝕圖形形成方法，其中，對用被曝光基板用防水劑組合物進(jìn)行了處理的基板進(jìn)行曝光，所述防水劑組合物至 少包含以下述通式(1)表示的有機(jī)硅化合物和溶劑，
7.權(quán)利要求6所述的抗蝕圖形的形成方法，其中，用所述組合物對基板的側(cè)面、基板 的頂面的周邊部和/或基板的底面的周邊部進(jìn)行處理。
8.權(quán)利要求6所述的抗蝕圖形的形成方法，其中，用所述組合物對基板的側(cè)面、基板 的整個頂面、和基板的底面的周邊部進(jìn)行處理。
9.電子器件，其是通過權(quán)利要求6 8中任一項(xiàng)所述的抗蝕圖形的形成方法制成的。
10.被曝光基板的防水處理方法，其中，使用至少包含以下述通式(1)表示的有機(jī)硅 化合物和溶劑的防水劑組合物，
11.被曝光基板用防水劑套裝，其包括A液和B液，所述A液至少包含以下述通式 (1)表示的有機(jī)硅化合物和溶劑，所述B液包含選自酸及其鹽、堿及其鹽、以及輸類化合 物的至少1種助劑，
12.被曝光基板的防水處理方法，其中，使用權(quán)利要求11所述的被曝光基板用防水劑 套裝，在臨使用前將A液和B液混合。
13.權(quán)利要求1所述的被曝光基板用防水劑組合物，其中，組合物中的所述有機(jī)硅化 合物的比例為0.1 5質(zhì)量％。
14.權(quán)利要求2所述的被曝光基板用防水劑組合物，其中，所述助劑包括三氟甲磺酸銨。
全文摘要
本發(fā)明提供可抑制由浸漬液所導(dǎo)致的被曝光基板背面的污染并且可提高被加工膜與其正上方的有機(jī)膜的附著性以抑制膜剝離且操作性優(yōu)良的被曝光基板用防水劑組合物、抗蝕圖形的形成方法及通過該形成方法制造的電子器件、被曝光基板的防水處理方法、被曝光基板用防水劑套裝以及使用該套裝的被曝光基板的防水處理方法。本發(fā)明使用被曝光基板用防水劑組合物，該組合物至少包含以下述通式(1)表示的有機(jī)硅化合物和溶劑。式中，R1為碳原子數(shù)14～30的1價(jià)有機(jī)基團(tuán)，R2、R3、R4分別獨(dú)立地為碳原子數(shù)1～10的1價(jià)有機(jī)基團(tuán)或水解性基團(tuán)，R2、R3、R4中的至少1個為水解性基團(tuán)。
文檔編號G03F7/09GK102027570SQ20098011470
公開日2011年4月20日 申請日期2009年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月22日
發(fā)明者寺井護(hù), 橫小路修, 武部洋子, 石橋健夫, 萩原琢也 申請人:旭硝子株式會社, 瑞薩電子株式會社