專利名稱：快門擋片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種快門擋片的制作方法，尤其涉及一種機(jī)械式快門擋片的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著光學(xué)成像技術(shù)的發(fā)展，鏡頭模組在各種成像裝置如數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)中得到 廣泛的應(yīng)用，具體可參見Rahul Swaminathan等人發(fā)表于IEEE Transactions on Pattern Analysis and Machine Intelligence, Vol. 22, No. 10, October 2000 巾白勺tj^ Nonmetric calibration of wide-angle lenses and polycameras。為了實(shí)現(xiàn)相機(jī)模組能夠拍攝動(dòng)態(tài)的景物，在進(jìn)行成像的過程中通常要求快門具有 很快的速度?，F(xiàn)有技術(shù)中，為了實(shí)現(xiàn)快門具有很快的速度，美國Siimpel公司推出了機(jī)械式 快門，其快門速度可以達(dá)到0.001秒，可以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)景物的拍攝。然而，上述的機(jī)械式快門 采用硅作為基材，通過微機(jī)電干蝕刻的方式制作。硅作為基材成本較高，微機(jī)電干蝕刻加工 制程進(jìn)一步增加了快門擋片的制作成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此，有必要提供一種快門擋片的制作方法，能夠降低快門擋片的制作成本。下面將以實(shí)施例說明一種快門擋片的制作方法。一種制作快門擋片的方法，包括提供鈹銅基板，所述鈹銅基板具有相對的第一表 面和第二表面；在所述第一表面形成第一光阻層，在所述第二表面形成第二光阻層；對第 一光阻層和第二光阻層進(jìn)行曝光及顯影，以使第一光阻層形成與快門擋片形狀相對應(yīng)的多 個(gè)第一剩余光阻，使第二光阻層形成與快門擋片形狀相對應(yīng)的多個(gè)第二剩余光阻，并且每 個(gè)第一剩余光阻均與一個(gè)第二剩余光阻相對應(yīng)；采用氯化銅的酸性溶液對所述鈹銅基板進(jìn) 行蝕刻，從而得到多個(gè)分離的快門擋片結(jié)構(gòu)，每個(gè)快門檔片結(jié)構(gòu)均包括一個(gè)第一剩余光阻、 一個(gè)第二剩余光阻以及一個(gè)位于第一剩余光阻和第二剩余光阻之間的快門檔片；去除每個(gè) 快門擋片結(jié)構(gòu)的第一剩余光阻及第二剩余光阻，得到多個(gè)快門擋片。本技術(shù)方案中，采用鈹銅作為基材，鈹銅材料成本較低，具有優(yōu)良的機(jī)械性能，能 夠滿足制作機(jī)械式快門擋片需要。通過濕蝕刻的方式制作快門擋片，可能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的量 產(chǎn)且采用濕蝕刻制程成本較低。本技術(shù)方案的快門擋片的制作方法可以避免現(xiàn)有技術(shù)中采 用成本較高的硅作為基材，并采用微機(jī)電干蝕刻制作機(jī)械式快門的方法，因此，本技術(shù)方案 提供的制作快門擋片的方法具有節(jié)約制作成本的效果。


圖1是本技術(shù)方案中采用的鈹銅基板的示意圖。圖2是在鈹銅基板的表面形成第一光阻層和第二光阻層的示意圖。圖3是對第一光阻層和第二光阻層進(jìn)行曝光時(shí)的示意圖。
圖4是進(jìn)行曝光時(shí)采用的光罩的平面圖。圖5是第一光阻層和第二光阻層顯影后的示意圖。圖6是鈹銅基板蝕刻后形成的多個(gè)快門擋片結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7是制作形成的快門擋片的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本技術(shù)方案的快門擋片的制作方法作進(jìn)一步的詳細(xì) 說明。本技術(shù)方案提供的快門擋片的制作方法包括如下步驟第一步，提供鈹銅基板100，并對鈹銅基板100進(jìn)行清洗處理。本實(shí)施例中，采用鈹銅作為基材以制作快門擋片。請參閱圖1，鈹銅基板100為平 板狀，其具有相對的第一表面101和第二表面102。鈹銅基板100的厚度即第一表面101與 第二表面102的間距為10微米至100微米，優(yōu)選為50微米。對鈹銅基板100的第一表面101和第二表面102的清洗處理包括去油脂和清水洗 滌。首先，將鈹銅基板100放置于堿性溶液中，去溶解并去除鈹銅基板100的第一表面101 與第二表面102上的油脂等臟物。然后，采用純水洗滌鈹銅基板100的第一表面101和第二 表面102，洗去第一表面101和第二表面102沾附的堿性溶液及贓物，并烘干鈹銅基板100。如鈹銅基板100的第一表面101和第二表面102表面存在缺陷或者臟物不易去 除，可在純水洗滌之前對鈹銅基板100的第一表面101和第二表面102進(jìn)行拋光處理。第二步，請參閱圖2，在鈹銅基板100的第一表面101上形成第一光阻層111，在第 二表面102上形成第二光阻層112。將AZ9260光阻液作為光阻材料涂布于鈹銅基板100的第一表面101和第二表面 102，從而第一表面101上形成第一光阻層111，在第二表面102上形成第二光阻層112。涂 布光阻材料可采用旋轉(zhuǎn)涂布或印刷的方式。第一光阻層111和第二光阻層112的厚度為5 微米至100微米。本實(shí)施例中，AZ9260光阻液為正光阻，也可以采用其他負(fù)光阻材料形成第一光阻 層111和第二光阻層112。為了提高第一光阻層111及第二光阻層112與鈹銅基板100的附著力，可在涂布 光阻之前，將六甲基二硅胺(HMDS)涂布于第一表面101和第二表面102。六甲基二硅胺用 于與第一表面101和第二表面102上烘干時(shí)未去除的水發(fā)生反應(yīng)，生成氨氣，以去除水，另 外，六甲基二硅胺為有機(jī)物，其可以增強(qiáng)后續(xù)形成的光阻層的結(jié)合能力，從而增強(qiáng)光阻層的 附著力。第三步，對第一光阻層111和第二光阻層112進(jìn)行第一次烘烤。在溫度為110攝氏度對第一光阻層111和第二光阻層112進(jìn)行第一次烘烤，第一 次烘烤時(shí)間為160秒。在進(jìn)行第一次烘烤的過程中，使得第一光阻層111和第二光阻層112 中的光阻液中的溶劑蒸發(fā)，使得第一光阻層111和第二光阻層112由原來的液態(tài)轉(zhuǎn)化為固 態(tài)的薄膜，以增強(qiáng)第一光阻層111與第二光阻層112與鈹銅基板100的附著力。第四步，請一并參閱圖4至圖6，對第一光阻層111和第二光阻層112進(jìn)行曝光及 顯影，以使第一光阻層111形成與快門擋片形狀相對應(yīng)的多個(gè)第一剩余光阻131，使第二光
4阻層112形成與快門擋片形狀相對應(yīng)的多個(gè)第二剩余光阻132，并且每個(gè)第一剩余光阻131 均與一個(gè)第二剩余光阻132相對應(yīng)。將第一次烘烤后的第一光阻層111和第二光阻層112放置于曝光機(jī)中，在第一光 阻層111和第二光阻層112表面上均平行設(shè)置有光罩120。在進(jìn)行曝光時(shí)，可以采用接觸式 的曝光方式，即兩個(gè)光罩120分別與第一光阻層111和第二光阻層112接觸。為了避免光 罩120粘附第一光阻層111和第二光阻層112，本實(shí)施例中采用近接式的曝光方式，即一個(gè) 光罩120設(shè)置于第一光阻層111表面的上方，且與第一光阻層111平行。另一個(gè)光罩120 設(shè)置于第二光阻層112表面的上方，且與第二光阻層112平行。光罩120包括非透光區(qū)域 121及透光區(qū)域122。曝光時(shí)，光線不能夠從非透光區(qū)域121透射至第一光阻層111和第二 光阻層112。光罩120中除非透光區(qū)域121的其他區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域122，曝光時(shí)，光線能夠從 透光區(qū)域122透射至第一光阻層111和第二光阻層112。本實(shí)施例中，由于采用的AZ9260 光阻液為正光阻，所以光罩120包括多個(gè)非透光區(qū)域121，每個(gè)非透光區(qū)域121的形狀與欲 制作的快門擋片的形狀相同，多個(gè)非透光區(qū)域121陣列排布且相互間隔，光罩120除非透光 區(qū)域121的其他區(qū)域均為透光區(qū)域122。在垂直于第一表面101和第二表面102的方向上， 兩個(gè)光罩120中非透光區(qū)域121相對應(yīng)，透光區(qū)域122相對應(yīng)。當(dāng)使用負(fù)光阻材料形成第一光阻層111和第二光阻層112時(shí)，則光罩120包括多 個(gè)透光區(qū)域，每個(gè)透光區(qū)域的形狀與欲制作的快門擋片的形狀相同，光罩120除非透光區(qū) 域的其他區(qū)域均為透光區(qū)域。進(jìn)行曝光的過程中，高能量的紫外光透過光罩120射向第一光阻層111和第二光 阻層112，使得第一光阻層111和第二光阻層112與非透光區(qū)域121相對應(yīng)的區(qū)域遮蔽，沒 有被紫外光線照射。透光區(qū)域122對應(yīng)的第一光阻層111和第二光阻層112被紫外線照 射，吸收照射光線的能量，從而發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使得發(fā)生反應(yīng)的光阻在后續(xù)制程中能夠被顯 影液溶解。采用的曝光的能量為2100mJ/cm2，曝光的時(shí)間可以通過曝光機(jī)進(jìn)行控制。在進(jìn)行曝光之后，對曝光過后的第一光阻層111和第二光阻層112進(jìn)行顯影。本 實(shí)施例中，采用的顯影液為AZ400K顯影液。將AZ400K顯影液與水按照體積比為1比4的 比例進(jìn)行調(diào)配形成顯影溶液，將進(jìn)行曝光后的鈹銅基板100上形成的第一光阻層111和第 二光阻層112浸入上述的顯影溶液中，使得未被曝光的區(qū)域即與快門擋片形狀相同的區(qū)域 的光阻材料留在鈹銅基板100的表面上，被曝光的區(qū)域即透光區(qū)域122相對應(yīng)區(qū)域的光阻 材料被顯影溶液溶解，從鈹銅基板100的第一表面101形成與快門擋片形狀相同的多個(gè)第 一剩余光阻131，在鈹銅基板100的第二表面102形成與快門擋片形狀相同的多個(gè)第二剩余 光阻132，且在垂直于第一表面101和第二表面102的方向上每個(gè)第一剩余光阻131均與一 個(gè)第二剩余光阻132相互對應(yīng)。顯影的時(shí)間可以根據(jù)第一光阻層111和第二光阻層112的 厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng)選用其他光阻材料時(shí)，選用與所述光阻材料相應(yīng)的顯影液。第五步，將第一剩余光阻131和第二剩余光阻132進(jìn)行第二次烘烤。在溫度為150攝氏度對第一剩余光阻131和第二剩余光阻132進(jìn)行第二次烘烤， 第二次烘烤時(shí)間為180秒。在進(jìn)行第二次烘烤的過程中，使得多個(gè)第一剩余光阻131和多 個(gè)第二剩余光阻132中殘留的溶劑進(jìn)一步蒸發(fā)，進(jìn)一步增強(qiáng)第一剩余光阻131和第二剩余 光阻132與鈹銅基板100的附著力，另外，第一剩余光阻131和第二剩余光阻132中的分子之間相互結(jié)合的鍵結(jié)增強(qiáng)，增強(qiáng)光阻的穩(wěn)定性，使得第一剩余光阻131和第二剩余光阻132 在后續(xù)的蝕刻過程中能夠抵抗蝕刻液的侵蝕，以保護(hù)其覆蓋的鈹銅基板100對應(yīng)的區(qū)域。第六步，請參閱圖7，蝕刻鈹銅基板100，形成多個(gè)快門結(jié)構(gòu)10。將第二次烘烤后的鈹銅基板100放置于蝕刻槽內(nèi)，所述蝕刻槽內(nèi)盛有蝕刻液，并 使得鈹銅基板100浸沒于所述蝕刻液中，從鈹銅基板100的第一表面101和第二表面102 兩個(gè)方向?qū)︹斻~基板100進(jìn)行蝕刻，直至將鈹銅基板100表面未覆蓋有光阻的區(qū)域全部蝕 刻去除，從而形成多個(gè)快門結(jié)構(gòu)10。每個(gè)快門結(jié)構(gòu)包括快門擋片11及位于快門擋片11相 對兩表面的第一剩余光阻131和第二剩余光阻132。蝕刻時(shí)間根據(jù)鈹銅基板100的厚度進(jìn) 行調(diào)節(jié)。本實(shí)施例中，采用氯化銅的酸性溶液作為蝕刻液。具體為，氯化銅的含量為100克 每升，濃度為37%的鹽酸的體積含量為100毫升每升。本實(shí)施例中，還可以對蝕刻槽進(jìn)超聲波震蕩，并且可以控制蝕刻液的溫度以提高 蝕刻的速率。第七步，請參閱圖8，去除快門結(jié)構(gòu)10的第一剩余光阻131和第二剩余光阻132從 而得到快門擋片11。將快門結(jié)構(gòu)10至于堿性溶液中，將第一剩余光阻131和第二剩余光阻132溶解， 將第一剩余光阻131和第二剩余光阻132從快門擋片11表面上去除，從而得到快門擋片 11。本實(shí)施例中，采用作為基材，鈹銅材料成本較低，且鈹銅具有優(yōu)良的機(jī)械性能，能 夠滿足制作機(jī)械式快門擋片需要，而且通過濕蝕刻的方式制作快門擋片，可能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模 的量產(chǎn)。本技術(shù)方案的快門擋片的制作方法可以避免現(xiàn)有技術(shù)中采用成本較高的硅作為基 材，并采用微機(jī)電干蝕刻制作機(jī)械式快門的方法，因此，本技術(shù)方案提供的制作快門擋片的 方法具有節(jié)約制作成本的效果。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精 神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種制作快門擋片的方法，包括提供鈹銅基板，所述鈹銅基板具有相對的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成第一光阻層，在所述第二表面形成第二光阻層；對第一光阻層和第二光阻層進(jìn)行曝光及顯影，以使第一光阻層形成與快門擋片形狀相對應(yīng)的多個(gè)第一剩余光阻，使第二光阻層形成與快門擋片形狀相對應(yīng)的多個(gè)第二剩余光阻，并且每個(gè)第一剩余光阻均與一個(gè)第二剩余光阻相對應(yīng)；采用氯化銅的酸性溶液對所述鈹銅基板進(jìn)行蝕刻，從而得到多個(gè)分離的快門擋片結(jié)構(gòu)，每個(gè)快門檔片結(jié)構(gòu)均包括一個(gè)第一剩余光阻、一個(gè)第二剩余光阻以及一個(gè)位于第一剩余光阻和第二剩余光阻之間的快門檔片；去除每個(gè)快門擋片結(jié)構(gòu)的第一剩余光阻及第二剩余光阻，得到多個(gè)快門擋片。
2.如權(quán)利要求1所述的快門擋片的制作方法，其特征在于，所述鈹銅基板的第一表面 與第二表面的間距為10微米至100微米。
3.如權(quán)利要求1所述的快門擋片的制作方法，其特征在于，所述鈹銅基板的第一表面 與第二表面的間距為50微米。
4.如權(quán)利要求1所述的快門擋片的制作方法，其特征在于，在形成第一光阻層與第二 光阻層之前，還包括對所述第一表面和第二表面進(jìn)行清洗處理的步驟。
5.如權(quán)利要求5所述的快門擋片的制作方法，其特征在于，在對第一表面和第二表面 進(jìn)行清洗處理之后，在形成第一光阻層與第二光阻層之前，還包括在第一表面和第二表面 涂布六甲基二硅胺的步驟。
6.如權(quán)利要求1所述的快門擋片的制作方法，其特征在于，在對第一光阻層與第二光 阻層進(jìn)行曝光之前，還包括對第一光阻層與第二光阻層進(jìn)行第一次烘烤的步驟，以去除第 一光阻層和第二光阻層中的溶劑。
7.如權(quán)利要求6所述的快門擋片的制作方法，其特征在于，在對所述第一光阻層與第 二光阻層進(jìn)行顯影之后，在對鈹銅基板進(jìn)行蝕刻之前，還包括對第一剩余光阻和第二剩余 光阻進(jìn)行第二次烘烤的步驟，以進(jìn)一步去除第一剩余光阻和第二剩余光阻中的溶劑。
8.如權(quán)利要求1所述的快門擋片的制作方法，其特征在于，所述光罩包括透光區(qū)域及 多個(gè)非透光區(qū)域，每個(gè)非透光區(qū)域的形狀與快門擋片的形狀相同，多個(gè)非透光區(qū)域相互間 隔設(shè)置，所述透光區(qū)域?yàn)楣庹种谐峭腹鈪^(qū)域之外的區(qū)域，所述透光區(qū)域用于在曝光時(shí)透 過光線，所述非透光區(qū)域用于在曝光時(shí)避免光線透過。
9.如權(quán)利要求1所述的快門擋片的制作方法，其特征在于，所述光罩包括非透光區(qū)域 及多個(gè)透光區(qū)域，每個(gè)透光區(qū)域的形狀與快門擋片的形狀相同，多個(gè)透光區(qū)域相互間隔設(shè) 置，所述非透光區(qū)域?yàn)楣庹种谐腹鈪^(qū)域之外的區(qū)域，所述透光區(qū)域用于在曝光時(shí)透過光 線，所述非透光區(qū)域用于在曝光時(shí)避免光線透過。
10.如權(quán)利要求1所述的快門擋片的制作方法，其特征在于，所述氯化銅的酸性溶液包 括氯化銅和濃度為37%的鹽酸，所述氯化銅的含量為100克每升，所述濃度為37%的鹽酸 的體積含量為100毫升每升。
全文摘要
一種制作快門擋片的方法，包括提供鈹銅基板，所述鈹銅基板具有相對的第一表面和第二表面；在第一表面形成第一光阻層，在第二表面形成第二光阻層；對第一光阻層和第二光阻層進(jìn)行曝光及顯影，以使第一光阻層形成與快門擋片形狀相對應(yīng)的多個(gè)第一剩余光阻，使第二光阻層形成與快門擋片形狀相對應(yīng)的多個(gè)第二剩余光阻，并且每個(gè)第一剩余光阻均與一個(gè)第二剩余光阻相對應(yīng)；采用氯化銅的酸性溶液對所述鈹銅基板進(jìn)行蝕刻，從而得到多個(gè)分離的快門擋片結(jié)構(gòu)，每個(gè)快門檔片結(jié)構(gòu)均包括一個(gè)第一剩余光阻、一個(gè)第二剩余光阻以及一個(gè)位于第一剩余光阻和第二剩余光阻之間的快門檔片；去除每個(gè)快門擋片結(jié)構(gòu)的第一剩余光阻及第二剩余光阻，得到多個(gè)快門擋片。
文檔編號(hào)G03F7/32GK101866093SQ20091030168
公開日2010年10月20日 申請日期2009年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月20日
發(fā)明者莊信弘 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司