專利名稱：液晶顯示器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器裝置，更具體地，涉及一種使用相同的柵極線而具有 相同顏色的子像素的水平條紋的液晶顯示器裝置，所述液晶顯示器裝置通過防止串?dāng)_能夠 改善圖像質(zhì)量。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(IXD)裝置利用液晶的光電特性通過像素矩陣顯示圖像。IXD裝置的 各像素(三種帶顏色的子像素)通過紅色、綠色和藍(lán)色子像素的組合顯示所需顏色，其中所 述子像素是通過響應(yīng)數(shù)據(jù)信號改變液晶的排列來控制透光率。各子像素包含液晶，所述液 晶由作為通過薄膜晶體管(“TFT”)(開關(guān)元件)供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號被施加到像素電極的電壓 差(電場)以及供應(yīng)到共用電極的共用電壓來控制。TFT通過經(jīng)由柵極線供應(yīng)的柵極導(dǎo)通 電壓被導(dǎo)通，從而將通過數(shù)據(jù)線所供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號傳到像素電極，并且TFT通過經(jīng)由柵極 線供應(yīng)的柵極截止電壓被截止。施加到柵極線的柵極截止電壓應(yīng)該保持穩(wěn)定，使得可以控 制充入像素電極的數(shù)據(jù)信號。然而，會出現(xiàn)波動現(xiàn)象，使得共用電壓由于彼此相重疊的數(shù)據(jù)線與共用電極之間 的寄生電容所造成的耦合而沿供應(yīng)到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號擺動，其中所述數(shù)據(jù)線與所述共用 電極之間設(shè)有液晶，從而造成串?dāng)_。尤其是當(dāng)具有劇烈偏壓的極性(biased polarity)的 特定圖像數(shù)據(jù)圖案顯示在屏幕上時，串?dāng)_會變得更加猛烈并增加共用電壓的波動成分。

發(fā)明內(nèi)容
各像素的R、G和B子像素以垂直順序排列并由相同的數(shù)據(jù)線驅(qū)動，并且(不同像 素的)相同顏色的子像素被水平地排列成水平條紋狀并由相同的柵極線驅(qū)動。與傳統(tǒng)的 “垂直條紋式” IXD裝置相比，所述IXD裝置使數(shù)據(jù)線的數(shù)量減少至三分之一。本發(fā)明的一個方面提供一種通過防止串?dāng)_能夠改善圖像質(zhì)量的IXD裝置。本發(fā)明的示例性實施例提供一種液晶顯示器(IXD)裝置。所述IXD裝置包括形 成于第一基板上的共用電極；柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和數(shù)據(jù)線形成于通過密封構(gòu)件 接合到所述第一基板的第二基板上，且所述第一基板與所述第二基板之間設(shè)有液晶，并且 所述數(shù)據(jù)線和所述柵極線互相交叉；連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；形成 于子像素區(qū)中的像素電極，其中所述各子像素區(qū)具有沿所述柵極線方向的長邊以及具有沿 所述數(shù)據(jù)線方向的短邊，并且所述像素電極被連接到所述薄膜晶體管；安裝在電路膜上的 用于驅(qū)動所述數(shù)據(jù)線的驅(qū)動芯片；用于將驅(qū)動信號從所述驅(qū)動芯片供應(yīng)到所述數(shù)據(jù)線的扇 出件(扇出線(fanout line))；第一導(dǎo)電間隔件(第一導(dǎo)電間隔件在所述第一與第二基板之間延伸并導(dǎo)電)，所述第一導(dǎo)電間隔件形成于連接到不同的所述驅(qū)動芯片的扇出線之間， 用于將共用電壓供應(yīng)到所述共用電極；以及第二導(dǎo)電間隔件(第一導(dǎo)電間隔件在所述第一 與第二基板之間延伸并導(dǎo)電)，所述第二導(dǎo)電間隔件形成于連接到相同的所述驅(qū)動芯片的 扇出線之間，用于將共用電壓供應(yīng)到所述共用電極。所述LCD裝置進一步包括垂直于所述扇出線形成的共用電壓饋電線，所述共用電 壓饋電線用于使所述第一和第二導(dǎo)電間隔件彼此相連。形成多個所述共用電壓饋電線，使得其可以根據(jù)連接到相同的所述驅(qū)動芯片的扇 出線被分隔開。
不同的共用電壓被供應(yīng)到與所述扇出線所對應(yīng)的區(qū)域相對應(yīng)的不同的(分離的) 共用電極。所述第二導(dǎo)電間隔件與連接到相同的所述驅(qū)動芯片的所述扇出線中位于中心處 的扇出線相鄰。所述IXD裝置進一步包括通過所述子像素區(qū)沿所述短邊形成的多個存儲線。所述LCD裝置進一步包括存儲饋電線，所述存儲饋電線根據(jù)連接到相同的所述驅(qū) 動芯片且共同連接到所述存儲線的扇出線而形成。所述存儲饋電線根據(jù)位于與連接到相同的所述驅(qū)動芯片的扇出線相對應(yīng)的區(qū)域 中的存儲線，供應(yīng)不同的存儲電壓。垂直于所述扇出線的所述存儲饋電線被形成為與所述密封構(gòu)件相重疊。所述密封件包括軟間隔件。所述LCD裝置進一步包括由有機絕緣層形成的鈍化層，以便以能夠緩沖所述密封 件的壓力的厚度覆蓋所述扇出線。本發(fā)明的另一示例性實施例提供一種根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器(IXD)裝置，所述 LCD裝置包括形成于第一基板上的共用電極；柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和數(shù)據(jù)線形成 于通過密封構(gòu)件接合到所述第一基板的第二基板上，且所述第一基板與所述第二基板之間 設(shè)有液晶，并且所述數(shù)據(jù)線互相交叉；連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；形 成于子像素區(qū)中的像素電極，其中所述子像素區(qū)具有沿所述柵極線方向的長邊以及具有沿 所述數(shù)據(jù)線方向的短邊，并且所述像素電極被連接到所述薄膜晶體管；通過所述子像素區(qū) 沿所述短邊形成的多個存儲線；以及存儲饋電線，所述存儲饋電線被共同連接到所述多個 存儲線并與所述密封構(gòu)件的至少一部分重疊。所述LCD裝置進一步包括導(dǎo)電間隔件和反饋點，其中所述導(dǎo)電間隔件形成于所述 第二基板上并用于將共用電壓供應(yīng)到所述共用電極，所述反饋點與所述導(dǎo)電間隔件相鄰并 用于反饋所述共用電壓。具有與通過反饋點被反饋的所述共用電壓相反的相位的補償信號被供應(yīng)到所述 存儲線。所述存儲饋電線被形成為具有在從4mm至6mm的范圍內(nèi)的寬度。


本發(fā)明的上述及其它特征從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)說明對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將 會變得更加清楚，其中
圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的IXD裝置的示意圖；圖2為示出圖1的IXD裝置的TFT基板中的兩個子像素的平面圖；圖3為示出圖1中的IXD裝置中的連接到電路膜且連接到第一和第二導(dǎo)電間隔件 的焊盤的平面圖；圖4A和圖4B為沿圖3中的截線1_1 ‘所截得的可供選擇的橫截面 圖，示出了連接 第一和第二導(dǎo)電間隔件的上部焊盤電極146的可供選擇的實施例；圖5為根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的IXD裝置的示意圖；圖6為根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的IXD裝置的示意圖；圖7為根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的IXD裝置的示意圖；圖8為示出圖7中的部分‘A，的放大平面圖；和圖9為沿圖8中的截線II-II'所截得的圖7的IXD裝置的橫截面圖。
具體實施例方式圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的液晶顯示(IXD)裝置的示意圖。參看圖1，IXD裝置包括IXD面板130，其中形成用于驅(qū)動圖像顯示單元(像素陣 列)108的柵極線GLl至GLn的第一和第二柵極驅(qū)動器102和112，電路膜(舉例而言，帶載 封裝(tape carrier package)或覆晶薄膜(chip-on-film)) 170具有安裝于其上的用于驅(qū) 動圖像顯示單元(像素陣列)108的數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104，并被連接在印刷電路板 (PCB) 154與LCD面板130之間。時序控制器106被安裝在PCB 154上。第一和第二柵極驅(qū)動器102和122位于圖像顯示單元108的相對側(cè)，并且分別驅(qū) 動GLl至GLn中的奇數(shù)和偶數(shù)柵極線。舉例而言，第一柵極驅(qū)動器102驅(qū)動奇數(shù)柵極線GLl， GL3，... , GLn-I，而第二柵極驅(qū)動器112驅(qū)動偶數(shù)柵極線GL2，GL4，... , GLn。第一和第二 柵極驅(qū)動器102和112由移位寄存器(舉例而言，包括多個薄膜晶體管，TFT)組成，并且被 安裝在非顯示區(qū)中，即，安裝在圖像顯示單元(像素陣列)108之外。因此，第一和第二柵極 驅(qū)動器102和112可以和像素開關(guān)TFT以及圖像顯示單元(像素陣列)108的多個信號線 DL、GL和SL形成在一起。第一和第二柵極驅(qū)動器102和112利用從時序控制器106接收 到的柵極控制信號以及從電源164接收到的柵極導(dǎo)通和柵極截止電壓來順序驅(qū)動圖像顯 示單元108的柵極線GLl至GLn。用于獨立地驅(qū)動圖像顯示單元108的數(shù)組數(shù)據(jù)線DL的多個數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104分 別被安裝在多個電路膜170上。電路膜170被貼附到LCD面板130并通過各向異性導(dǎo)電薄 膜貼附到PCB 154。各向異性導(dǎo)電薄膜(ACF)為用于使安裝有LCD驅(qū)動用的半導(dǎo)體芯片的 帶載封裝(TCP)電路和IXD面板的電極互相連接并用于將TCP電路連接到印刷線路板電路 的材料。帶載封裝或覆晶薄膜被用作電路膜170，數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104被安裝在所述電路膜 上。數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104通過使用玻璃覆晶封裝技術(shù)而非使用電路膜170，可以被直接安裝在 IXD面板130的TFT基板110上。數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104利用來自伽馬電壓產(chǎn)生器(或灰度電 壓產(chǎn)生器)(圖中未示)的伽馬電壓，將來自時序控制器106的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)信 號，并且與各水平周期同步地將模擬數(shù)據(jù)信號供應(yīng)給數(shù)據(jù)線DL，在所述水平周期期間驅(qū)動 圖像顯示單元108的柵極線GLl至GLn。安裝在PCB 154上的時序控制器106控制數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104以及第一和第二柵極驅(qū)動器102和112。數(shù)據(jù)信號和來自時序控制器106的多個數(shù)據(jù)控制信號通過PCB 154和 電路膜170被供應(yīng)給數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104，并且來自時序控制器106的多個柵極控制信號通過 PCB 154、電路膜170以及IXD面板130的TFT基板110供應(yīng)到第一和第二柵極驅(qū)動器102 和 112。IXD面板130的圖像顯示單元(像素陣列)108通過激活排列成矩陣形式的多個 像素來顯示圖像，其中各像素由紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)子像素組成。通過將其上形 成有TFT (用以可切換地控制每一個R、G和B子像素)的TFT基板110接合到形成有彩色 濾光片(用于每一個R、G和B子像素)的彩色濾光片基板113形成圖像顯示單元(像素陣 列)108，液晶分子被設(shè)置在TFT基板110與彩色濾光片基板113之間。R、G和B子像素以 垂直順序排列，而相同顏色的子像素水平地排列成水平條紋狀。通過圖像顯示單元(像素 陣列)108上的R 、G和B子像素的垂直排列，IXD裝置會使數(shù)據(jù)線DL的數(shù)量減少到相比較 的IXD裝置的數(shù)據(jù)線的三分之一，其中在所述相比較的IXD裝置中R、G和B子像素沿水平 方向交替出現(xiàn)。結(jié)果，用于驅(qū)動數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104的數(shù)量被減少了三分之二。 盡管柵極驅(qū)動器102和112的數(shù)量隨著數(shù)據(jù)線DL的數(shù)量的減少(由于R、G和B子像素的 垂直排列)而增加(因為柵極線GLl至GLn的數(shù)量增加)，然而由于柵極驅(qū)動器102和112 的電路配置比數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104的電路配置簡單，所以可以降低制造成本。由于柵極驅(qū)動 器102和112利用非晶硅薄膜安裝在TFT基板110內(nèi)，所以與傳統(tǒng)IXD裝置的制造成本相 比，可以大幅降低根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有較少數(shù)據(jù)線和較多柵極線的LCD裝置的制造 成本。圖2為示出圖1的IXD裝置的TFT基板中的兩個子像素的平面圖。如圖2中所示，TFT基板110上的圖像顯示單元(像素陣列)108中的各子像素包 括形成于由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的交點所限定的子像素區(qū)中的(水平伸長的矩形)像 素電極132 ；以及連接在柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和像素電極132之間的薄膜晶體管(TFT) 100。
柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL互相垂直地形成于具有設(shè)置在柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL之間 的柵極絕緣層的絕緣基板上。各子像素區(qū)由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的交點來限定。存儲線 SL以平行于數(shù)據(jù)線DL的方式形成于絕緣基板上，以通過各子像素的中心(舉例而言，沿子 像素的短邊)。 TFT 100包括連接到柵極線GL的柵電極136、連接到數(shù)據(jù)線DL的源電極138、連 接到像素電極132的漏電極134以及連接到源電極138和漏電極134的半導(dǎo)體層。所述半 導(dǎo)體層包括用于在源電極138與漏電極134之間形成溝道的有源層以及用于有源層、源電 極138和漏電極134的歐姆接觸的歐姆接觸層。半導(dǎo)體層中的溝道形成于柵電極136上 方。半導(dǎo)體層形成于數(shù)據(jù)線DL和存儲線SL下方。形成于彼此垂直相鄰的兩個子像素區(qū)內(nèi) 的TFT100 (如圖2中所示)被分別連接到具有相反極性的右側(cè)和左側(cè)數(shù)據(jù)線。TFT連接到 數(shù)據(jù)線DL的連接方向沿垂直方向交替出現(xiàn)。舉例而言，連接到奇數(shù)柵極線GLi的奇數(shù)水平 線的TFT 100被連接到數(shù)據(jù)線DLj+Ι的左側(cè)的像素電極132。換句話說，奇數(shù)水平線中的子 像素具有連接到子像素右側(cè)的數(shù)據(jù)線DLj+Ι的TFT 100。連接到偶數(shù)數(shù)據(jù)線GLi+Ι的偶數(shù) 水平線的TFT100被連接到數(shù)據(jù)線DLj右側(cè)的像素電極132。換句話說，偶數(shù)水平線中的子 像素具有連接到子像素左側(cè)的數(shù)據(jù)線DLj的TFT 100。因此，供應(yīng)到各數(shù)據(jù)線DLj至DLj+1 的數(shù)據(jù)信號的極性與供應(yīng)到其相鄰數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號的極性相反。即使數(shù)據(jù)信號的極性僅根據(jù)幀被反向，像素電極132始終被充入具有與水平及垂直相鄰的像素電極132(舉例 而言，以點反向方式被驅(qū)動)的極性相反極性的數(shù)據(jù)信號。像素電極132通過接觸孔128 (穿過鈍化層)連接到TFT 100的漏電極134。電場 在彩色濾光片基板113處形成于像素電極132與共用電極之間，以將液晶分子設(shè)置在所述 像素電極與共用電極之間。像素電極132與存儲線SL相重疊，并且所述像素電極與所述存 儲線之間設(shè)有至少一個絕緣層，從而形成存儲電容器。存儲電容器即使在TFT被截止之后 也可以使充入像素電極132的數(shù)據(jù)信號保持穩(wěn)定。如圖1(和圖3)中所示，構(gòu)成存儲電容 器的存儲線SL通過連接到共用存儲焊盤150的存儲饋電線126從電源164接收存儲電壓， 其中所述共用存儲焊盤150被連接到各電路膜170的最左側(cè)的輸出焊盤。共用電極與像素電極132—起建立用于定向液晶的電場，并且可以形成于彩色濾 光片基板113上。圖3為示出圖1的IXD裝置中的連接到電路膜且連接到第一和第二導(dǎo)電間隔件的 焊盤的平面圖。圖4A和圖4B為沿圖3中的截線I-I'所截得的可供選擇的橫截面圖，示出連接第 一和第二導(dǎo)電間隔件的上部焊盤電極146的可供選擇的實施例。如圖3、圖4A和圖4B中所示，共用電極158通過連接到各電路膜170最右側(cè)的輸 出焊盤的共用電壓輸入焊盤160、第一共用電壓饋電線148、第一共用電壓焊盤220和第一 導(dǎo)電間隔件120從電源164接收共用電壓。第一共用電壓焊盤220形成于連接到幾個數(shù)據(jù) 驅(qū)動芯片104中的每一個的數(shù)據(jù)扇出線172之間(圖1)。第一導(dǎo)電間隔件120形成于第一 共用電壓焊盤220上。共用電極158還通過連接到第一共用電壓焊盤220、第二共用電壓焊盤210和第二 導(dǎo)電間隔件122的第二共用電壓饋電線124從電源164接收共用電壓。第二共用電壓饋電 線124被形成為橫過(下方或上方)連接到多個數(shù)據(jù)線DL的多個數(shù)據(jù)扇出線172，因此，第 二共用電壓饋電線124形成于與數(shù)據(jù)扇出線172不同的平面(層)上。對于第一實例，第 二共用電壓饋電線124可以由與鈍化層218上的上部焊盤電極146相同的金屬層形成(如 圖4A中所示)；或者對于第二實例，第二共用電壓饋電線124可以由與下部基板101上的 下部焊盤電極142相同的金屬層形成(如圖4B中所示)。第二共用電壓饋電線124被形成 為橫過(上方或下方)相鄰的數(shù)據(jù)扇出線172，使得第一和第二導(dǎo)電間隔件120和122彼此 電連接，從而防止共用電壓延遲或波動。第二共用電壓焊盤210形成于連接到相同的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104的數(shù)據(jù)扇出線172 之間(圖1)。第二共用電壓焊盤210被形成為與連接到相同數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104的數(shù)據(jù)扇出 線172中的位于中心處的數(shù)據(jù)扇出線172相鄰。第二導(dǎo)電間隔件122形成于第二共用電壓 焊盤210上。第一和第二共用電壓焊盤220和210中的每一個包括下部焊盤電極142 (由與位 于相同平面上的柵極線GL相同的金屬形成)、焊盤接觸孔144(穿過形成為覆蓋下部焊盤電 極142的柵極絕緣層212和鈍化層218)以及上部焊盤電極146 (通過焊盤接觸孔144電連 接到下部焊盤電極142)。具有數(shù)量減少的數(shù)據(jù)線DL結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的IXD裝置通過形成于扇出線172之間 的第二共用電壓焊盤210和第二導(dǎo)電間隔件122可以補償共用電壓的失真。
圖5為根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的IXD裝置的示意圖。除了第二共用電壓饋電線根據(jù)各數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片被分開外，圖5的LCD裝置具有與 圖1的LCD裝置相同的元件。因此，將省略對相同元件多余的詳細(xì)說明。第二共用電壓饋電線124垂直于連接到多個數(shù)據(jù)線DL的多個數(shù)據(jù)扇出線172而 形成。此處，第二共用電壓饋電線124根據(jù)連接到各數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104的數(shù)據(jù)扇出線172被 分割開。舉例而言，第一至第三共用電壓饋電線124A、124B和124C互相分離，并且分別橫 過(上方或下方)連接到第一至第三數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104A、104B和104C的數(shù)據(jù)扇出線172。 并聯(lián)連接在連接到第一至第三數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104A、104B和104C中任一個的數(shù)據(jù)扇出線172 與第二共用電壓饋電線124之間的寄生電容器的總電容小于并聯(lián)連接在圖2中所示的所有 數(shù)據(jù)扇出線172與單個第二共用電壓饋電線124之間的寄生電容器的總電容。因此，會消 除數(shù)據(jù)扇出線172的RC(電阻器-電容器)延遲差，從而可以減小數(shù)據(jù)信號的失真。此外，由于第二共用電壓饋電線124(124A、124B等等)根據(jù)數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104而 相分離，所以根據(jù)各數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104可以有差別地供應(yīng)共用電壓。因此，如果共用電極 158中的失真度根據(jù)第二共用電壓饋電線124的分割位置而不同，則根據(jù)失真度可以有差 別地供應(yīng)共用電壓。具有數(shù)量減少的數(shù)據(jù)線DL結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的IXD裝置，通過形成于 扇出線172之間 的第二共用電壓焊盤210和第二導(dǎo)電間隔件122可以補償共用電壓的失真。此外，由于第 二共用電壓饋電線124被分割開，第二共用電壓饋電線124的每一個分段與一個數(shù)據(jù)驅(qū)動 芯片相關(guān)聯(lián)，所以可以有差別地供應(yīng)共用電壓。圖6為根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的IXD裝置的示意圖。除了存儲饋電線被分成(分割成)使每一個分段對應(yīng)于一個數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片之外， 圖6的LCD裝置具有與圖5的LCD裝置相同的元件。因此，將省略對相同元件的詳細(xì)說明。存儲饋電線126形成為橫過(上方或下方)多個數(shù)據(jù)線DL，并且被分成(分割成) 使存儲饋電線126的每一個分段對應(yīng)于一個數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104。舉例而言，第一、第二和第 三存儲饋電線126A、126B和126C分別對應(yīng)于第一、第二和第三數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片104A、104B和 104C且彼此相分離。各第一、第二和第三存儲饋電線126A、126B和126C獨立地將存儲電壓 供應(yīng)到連接至其的存儲線SL。如果與圖像顯示單元108的位置相對應(yīng)的存儲電壓存在偏 差，則第一、第二和第三存儲饋電線126A、126B和126C可以將存儲電壓有差別地供應(yīng)到對 應(yīng)的存儲線SL。具有數(shù)量減少的數(shù)據(jù)線DL結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的IXD裝置，通過形成于扇出線172之間 的第二共用電壓焊盤和第二導(dǎo)電間隔件可以補償共用電壓的失真。此外，由于第二共用電 壓饋電線根據(jù)數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片被分割開，所以可以有差別地供應(yīng)共用電壓。另外，由于存儲饋 電線根據(jù)數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片被分割開，所以可以有差別地供應(yīng)存儲電壓。圖7為根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的IXD裝置的示意圖。圖8為圖7的IXD 裝置的部分‘A’的放大平面圖。圖7中所示的LCD裝置根據(jù)因共用電壓的反饋而造成的共用電壓的失真的程度， 通過將具有與共用電壓相反的相位的信號供應(yīng)到存儲線使數(shù)據(jù)信號的電壓變化(失真)降 至最小。除了 用于將共用電壓供應(yīng)到共用電極的共用電壓焊盤；與共用電壓焊盤相鄰的 反饋點和反饋線；以及用于根據(jù)共用電壓的失真度供應(yīng)反相信號的存儲饋電線，圖7的LCD裝置具有與圖1的LCD裝置相同的元件。因此，將省略對相同元件的詳細(xì)說明。如圖8中所示，共用電壓饋電線148以最短距離將共用電壓焊盤220連接到連接于電路膜170 (圖7)的共用電壓輸入焊盤160。共用電壓饋電線148被形成為具有相對較 寬的寬度，并因此會減小其線路電阻(lineresistance)。通過減小共用電壓饋電線148的 電阻可以使供應(yīng)到共用電極158 (見圖4A或圖4B)的共用電壓的偏差減至最小。反饋點192通過反饋線190經(jīng)由與柵極焊盤162相鄰的反饋焊盤166連接到電路 膜170 (見圖7)。反饋點192鄰近第一導(dǎo)電間隔件120形成，并且通過第一導(dǎo)電間隔件120 反饋供應(yīng)到共用電極158的共用電壓。第一導(dǎo)電間隔件120和反饋點192相鄰地形成于相 同的電路膜170的一個側(cè)面上。存儲饋電線126與密封構(gòu)件188 (由玻璃纖維等構(gòu)成)相重疊，并因此而使存儲線 126的寬度相對變寬。舉例而言，存儲饋電線126的寬度為4mm至6mm。存儲饋電線126的 電阻減小，并且可以使供應(yīng)到存儲線SL的存儲電壓的偏差減至最小。在這種情況下，存儲 連接線202形成直線狀，以使存儲饋電線126和存儲供應(yīng)焊盤150彼此以最短距離電連接。圖9為示出沿圖8中的截線II-II'所截得的圖7的IXD裝置的橫截面圖。如圖9中所示(還可見圖4A或圖4B)，存儲饋電線126由與下部基板101上的柵 極線GL相同的金屬形成，并且數(shù)據(jù)扇出線172由與柵極絕緣層212上的數(shù)據(jù)線DL相同的 金屬形成以橫過(上方)存儲饋電線126。存儲線SL由與柵極絕緣層212上的數(shù)據(jù)線DL 相同的金屬形成。存儲線SL和存儲饋電線126通過穿過鈍化層218和柵極絕緣層212的 連接接觸孔156暴露出來。所暴露的存儲線SL和存儲饋電線126通過連接電極196彼此 相連。數(shù)據(jù)扇出線172上所形成的鈍化層218由厚有機層形成，所述厚有機層能夠緩沖 施加到具有2 μ m或更大厚度的密封構(gòu)件188上的壓力。如果壓力被施加到LCD面板(像 素陣列)130，則壓力會被傳輸(舉例而言，通過LCD液體)到密封構(gòu)件188，結(jié)果在密封構(gòu) 件188下方使存儲饋電線126與數(shù)據(jù)扇出線172之間可能出現(xiàn)短路現(xiàn)象。密封構(gòu)件188由 包含彈性軟間隔件的材料形成，以便防止數(shù)據(jù)扇出線172與存儲饋電線126之間由于外部 震動而造成短路現(xiàn)象。因此，根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置通過疊蓋密封構(gòu)件形成具有相對較寬的寬度的存儲 饋電線。因此，通過減小存儲饋電線的線路電阻可以使存儲電壓的偏差減至最小。如上所述，具有數(shù)量減少的數(shù)據(jù)線的結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的LCD裝置通過形成于扇出線 172之間的第二共用電壓焊盤和第二導(dǎo)電間隔件1可以補償共用電壓的失真。此外，具有數(shù) 量減少的數(shù)據(jù)線的結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的LCD裝置通過提供與密封構(gòu)件重疊并具有相對較寬的 寬度的存儲饋電線可以使存儲電壓的偏差減至最小。 盡管通過參考本發(fā)明的特定優(yōu)選實施例已示出并說明了本發(fā)明，然而本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員將會理解，在不偏離隨附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的本質(zhì)和范圍的前提下可以在 其中做形式及細(xì)節(jié)上的各種變更。
權(quán)利要求
一種液晶顯示器裝置，包括形成于第一基板上的共用電極；柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和數(shù)據(jù)線形成于通過密封構(gòu)件接合到所述第一基板的第二基板上，且所述第一基板與所述第二基板之間設(shè)有液晶，并且所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線互相交叉；連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；像素電極，所述像素電極被連接到所述薄膜晶體管并形成于子像素區(qū)中，所述子像素區(qū)具有沿所述柵極線方向的長邊以及具有沿所述數(shù)據(jù)線方向的短邊；通過所述子像素區(qū)沿所述短邊形成的多個存儲線；以及使所述多個存儲線互相連接的存儲饋電線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器裝置，進一步包括形成于所述第一基板上的導(dǎo)電間隔件，用于將共用電壓供應(yīng)到形成于第二極板上的共 用電極；以及反饋點，所述反饋點與所述導(dǎo)電間隔件相鄰，用于反饋所述共用電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器裝置，其中具有與通過所述反饋點被反饋的所述 共用電壓相反的相位的補償信號被供應(yīng)到所述存儲線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器裝置，其中所述存儲饋電線具有在從4mm至6mm 的范圍內(nèi)的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器裝置，其中所述密封構(gòu)件包括軟間隔件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器裝置，進一步包括由有機絕緣層形成的鈍化層， 以便以能夠緩沖所述密封構(gòu)件的壓力的厚度覆蓋所述扇出線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器裝置，其中所述存儲饋電線與所述密封構(gòu)件的至少一部分重疊。
全文摘要
一種液晶顯示器裝置，包括形成于第一基板上的共用電極；柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和數(shù)據(jù)線形成于通過密封構(gòu)件接合到所述第一基板的第二基板上，且所述第一基板與所述第二基板之間設(shè)有液晶，并且所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線互相交叉；連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；像素電極，所述像素電極被連接到所述薄膜晶體管并形成于子像素區(qū)中，所述子像素區(qū)具有沿所述柵極線方向的長邊以及具有沿所述數(shù)據(jù)線方向的短邊；通過所述子像素區(qū)沿所述短邊形成的多個存儲線；以及使所述多個存儲線互相連接的存儲饋電線。
文檔編號G02F1/1368GK101819364SQ200910265619
公開日2010年9月1日 申請日期2006年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月6日
發(fā)明者張鐘雄, 金東奎 申請人:三星電子株式會社