專(zhuān)利名稱(chēng)：：襯底臺(tái)、光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種襯底臺(tái)、一種光刻設(shè)備和一種制造器件的方法。
背景技術(shù)：
：光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱(chēng)為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。己經(jīng)提出將光刻投影設(shè)備中的襯底浸入到具有相對(duì)高折射率的液體(例如水)中，以便充滿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在實(shí)施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本發(fā)明的實(shí)施例將參考液體進(jìn)行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤(rùn)濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣高的折射率的流體，期望地，其為具有比水高的折射率的流體。除氣體之外的流體尤其是希望的。這樣的想法是為了實(shí)現(xiàn)更小特征的成像，因?yàn)樵谝后w中曝光輻射將會(huì)具有更短的波長(zhǎng)。(液體的影響也可以被看成提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒(méi)液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達(dá)10nm的顆粒)的液體。這種懸浮的顆?？梢跃哂谢虿痪哂信c它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴(諸如芳香烴(例如萘垸)、氟化烴和/或水溶液)。將襯底或襯底與襯底臺(tái)浸入液體浴器(參見(jiàn)，例如美國(guó)專(zhuān)利US4,509,852)意味著在掃描曝光過(guò)程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動(dòng)機(jī)，而液體中的湍流可能會(huì)導(dǎo)致不希望的或不能預(yù)期的效果。提出來(lái)的解決方法之一是液體供給系統(tǒng)通過(guò)使用液體限制系統(tǒng)只將液體提供在襯底的局部區(qū)域上(通常襯底具有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表面積)和在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間。提出來(lái)的一種用于設(shè)置上述解決方案的方法在公開(kāi)號(hào)為WO99/49504的PCT專(zhuān)利申請(qǐng)出版物中公開(kāi)了。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底相對(duì)于最終元件移動(dòng)的方向，通過(guò)至少一個(gè)入口供給到襯底上。在已經(jīng)通過(guò)投影系統(tǒng)下面后，液體通過(guò)至少一個(gè)出口去除。也就是說(shuō)，當(dāng)襯底在所述元件下沿著一X方向掃描時(shí)，液體在元件的+X—側(cè)供給并且在一X—側(cè)去除。圖2示意地示出所述配置，其中液體通過(guò)入口供給，并在元件的另一側(cè)通過(guò)與低壓源相連的出口去除。在圖2中，雖然液體沿著襯底相對(duì)于最終元件的移動(dòng)方向供給，但這并不是必須的?？梢栽谧罱K元件周?chē)O(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口，圖3示出了一個(gè)實(shí)施例，其中在最終元件的周?chē)诿總?cè)上以規(guī)則的重復(fù)方式設(shè)置了四組入口和出口。在圖4中示出了另一個(gè)采用液體局部供給系統(tǒng)的浸沒(méi)式光刻方案。液體由位于投影系統(tǒng)PS每一側(cè)上的兩個(gè)槽狀入口供給，由設(shè)置在入口沿徑向向外的位置上的多個(gè)離散的出口去除。所述入口和出口可以設(shè)置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通過(guò)該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個(gè)槽狀入口提供，而由位于投影系統(tǒng)PS的另一側(cè)上的多個(gè)離散的出口去除，這造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可以依賴(lài)于襯底W的移動(dòng)方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。在歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No.EP1420300和美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No.US2004-0136494中，公開(kāi)了一種成對(duì)的或雙臺(tái)浸沒(méi)式光刻設(shè)備的方案。這種設(shè)備具有兩個(gè)臺(tái)用以支撐襯底。調(diào)平(leveling)測(cè)量在沒(méi)有浸沒(méi)液體的工作臺(tái)的第一位置進(jìn)行，曝光在存在浸沒(méi)液體的工作臺(tái)的第二位置進(jìn)行?？蛇x的是，設(shè)備僅具有一個(gè)臺(tái)。PCT專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)出版物WO2005/064405公開(kāi)一種全浸濕布置，其中浸沒(méi)液體是不受限制的。在這種系統(tǒng)中，襯底的整個(gè)頂部表面覆蓋在液體中。這可以是有利的，因?yàn)橐r底的整個(gè)頂部表面基本上在相同條件下進(jìn)行曝光。這對(duì)于襯底的溫度控制和處理是有利的。在WO2005/064405中，液體供給系統(tǒng)提供液體到投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的間隙。液體允許泄露到襯底的其他部分。襯底臺(tái)的邊緣上的阻擋件防止液體溢出，使得液體可以從襯底臺(tái)的頂部表面上以受控制的方式去除。雖然這樣的系統(tǒng)改善了襯底的溫度控制和處理，但是浸沒(méi)液體的蒸發(fā)仍然可能出現(xiàn)。幫助緩解這個(gè)問(wèn)題的一種方法在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No.US2006/0119809中有記載，其中設(shè)置構(gòu)件，所述構(gòu)件覆蓋襯底W的所有位置，并且配置成使浸沒(méi)液體在所述構(gòu)件和襯底和/或保持襯底的襯底臺(tái)的頂部表面之間延伸。
發(fā)明內(nèi)容浸沒(méi)式光刻術(shù)的困難之一是圍繞襯底邊緣的密封。如果液體泄漏到襯底下面，泄露的液體會(huì)干擾在使用期間支撐襯底的襯底支撐結(jié)構(gòu)。此外，氣體會(huì)被捕獲在襯底邊緣和襯底支撐結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域中。在襯底成像期間，這種氣體會(huì)逃逸到浸沒(méi)液體中。這些在浸沒(méi)液體中引起的氣泡如果移動(dòng)到像場(chǎng)，會(huì)嚴(yán)重地影響成像品質(zhì)。在歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)出版物No.EP1,429,188中公開(kāi)了處理這種問(wèn)題的幾個(gè)實(shí)施例。這些實(shí)施例沒(méi)有被優(yōu)化用于全浸濕結(jié)構(gòu)(上面所述)，并且這些使用氣體處理邊緣問(wèn)題的實(shí)施例可能帶來(lái)由于使用氣流去除液體而導(dǎo)致的蒸發(fā)損失。期望地，例如提供一種臺(tái)，在所述臺(tái)中上述處理物體邊緣和其支撐結(jié)構(gòu)之間的界面的一個(gè)或多個(gè)困難至少部分得以緩解，和/或一個(gè)或更多個(gè)其他問(wèn)題(不管這里是否說(shuō)明)被解決。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括毛細(xì)通路形成表面，其配置成當(dāng)物體位于所述臺(tái)上時(shí)形成毛細(xì)通路的第一側(cè)，所述物體的表面形成所述毛細(xì)通路的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；和彎液面釘扎特征(meniscuspinningfeature),其位于毛細(xì)通路形成表面的徑向向內(nèi)位置處，所述彎液面釘扎特征配置成在使用期間釘扎毛細(xì)通路中流體彎液面的徑向向內(nèi)位置。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括..毛細(xì)通路形成表面，其配置成當(dāng)物體位于所述臺(tái)上時(shí)形成毛細(xì)通路的第一側(cè)，所述物體的表面形成所述毛細(xì)通路的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；和通道，其配置成使得在使用期間所述通道中的氣體過(guò)壓有效地將徑向向外的力施加在毛細(xì)通路中的流體上。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括配置用于支撐物體的物體支撐結(jié)構(gòu)；和部件，其圍繞所述物體支撐結(jié)構(gòu)并與所述臺(tái)的一部分熱隔離，所述部件具有流體處理特征。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括毛細(xì)通路形成表面，其配置成當(dāng)物體位于所述臺(tái)的頂表面中的凹陷內(nèi)時(shí)形成毛細(xì)通路的第一側(cè)，所述物體的表面形成所述毛細(xì)通路的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；和位于毛細(xì)通路形成表面內(nèi)或鄰近毛細(xì)通路形成表面的開(kāi)口，其配置用于供給流體到所述毛細(xì)通路。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種器件制造方法，包括將物體定位在臺(tái)上，以在所述物體和所述臺(tái)的毛細(xì)通路形成表面之間形成毛細(xì)通路；和引導(dǎo)液體進(jìn)入所述毛細(xì)通路直到毛細(xì)通路中的液體的徑向向內(nèi)的彎液面通過(guò)所述臺(tái)的彎液面釘扎特征被釘扎在一位置的所在位置處。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種器件制造方法，包括將物體定位在臺(tái)上，以在所述物體和所述臺(tái)的毛細(xì)通路形成表面之間形成毛細(xì)通路；和在毛細(xì)通路形成表面徑向向內(nèi)的通道中引入氣體過(guò)壓，以將徑向向外的力施加在毛細(xì)通路中的液體上。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種器件制造方法，包括提供物體到臺(tái)上，使得所述臺(tái)的部件圍繞所述物體，其中所述部件與所述臺(tái)的一部分熱隔離并且具有流體處理特征以處理位于所述物體邊緣處的流體。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種器件制造方法，包括將物體定位在臺(tái)上，以在所述物體和所述臺(tái)的毛細(xì)通路形成表面之間形成毛細(xì)通路；和通過(guò)位于所述毛細(xì)通路形成表面內(nèi)或鄰近毛細(xì)通路形成表面的開(kāi)口引導(dǎo)液體進(jìn)入毛細(xì)通路。下面僅通過(guò)示例的方式，參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2和3示出用在光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出另一用在光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng);圖5示出另一用在光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖6是位于襯底邊緣區(qū)域中的襯底臺(tái)的橫截面示意圖；圖7是圖6中示出的襯底邊緣區(qū)域的放大圖8示意地示出另一實(shí)施例中的襯底臺(tái)上的襯底的邊緣周?chē)鷧^(qū)域的橫截面示意圖9示意地示出還一實(shí)施例中襯底邊緣附近的襯底臺(tái)的區(qū)域的橫截面示意圖。具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置成用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo)(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造成用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造成用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置成用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類(lèi)型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類(lèi)型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴(lài)于圖案形成裝置MA的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其他夾持技術(shù)來(lái)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)"掩模版"或"掩模"都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)"圖案形成裝置"同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類(lèi)型、交替型相移掩模類(lèi)型、衰減型相移掩模類(lèi)型和各種混合掩模類(lèi)型之類(lèi)的掩模類(lèi)型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例釆用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。應(yīng)該將這里使用的術(shù)語(yǔ)"投影系統(tǒng)"廣義地解釋為包括任意類(lèi)型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輔射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類(lèi)的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)"投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)"投影系統(tǒng)"同義。如這里所示的，所述設(shè)備可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用上面提到的可編程反射鏡陣列的類(lèi)型，或者采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多個(gè)圖案形成裝置臺(tái))的類(lèi)型。在這種"多臺(tái)"機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。參照?qǐng)Dl，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源SO為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源SO考慮成光刻設(shè)備的組成部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源SO可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)的所述束傳遞系統(tǒng)BD—起稱(chēng)作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱(chēng)為"-外部和"-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。所述照射器IL可以用來(lái)調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置MA來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT,例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類(lèi)似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器IF(在圖l中未明確示出)用于將圖案形成裝置MA相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)。類(lèi)似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以?xún)H與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專(zhuān)用目標(biāo)部分，但是他們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)上。類(lèi)似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。可以將所述設(shè)備用于以下模式的至少一種1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束B(niǎo)的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的動(dòng)態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描移動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分c上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。用于在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成兩種主要類(lèi)別。它們是浴器型布置，在這種類(lèi)型的布置中整個(gè)襯底W和(任選地)一部分襯底臺(tái)WT浸入到液體浴器中；和所謂的局部浸沒(méi)系統(tǒng)，這種系統(tǒng)采用僅將液體提供到襯底的局部區(qū)域的液體供給系統(tǒng)。在后一種類(lèi)別中，液體填滿的空間在平面視圖中小于襯底的頂部表面，并且填滿液體的區(qū)域相對(duì)于投影系統(tǒng)PS基本上保持靜止，同時(shí)，襯底W在所述區(qū)域下面移動(dòng)。本發(fā)明實(shí)施例涉及的另一種布置是全浸濕方案，其中液體是不受限制的。在這種布置中，襯底的基本上整個(gè)頂部表面和襯底臺(tái)的全部或一部分被浸沒(méi)液體覆蓋。至少覆蓋襯底的液體的深度小。所述液體可以是位于襯底上的液體膜，例如位于襯底上的液體薄膜。圖2-5中的任何液體供給裝置都可以用于這種系統(tǒng)；然而，密封特征并不存在，不起作用，不如正常狀態(tài)有效，或者以其它方式不能有效地僅將液體密封在局部區(qū)域。圖2-5中示出了四種不同類(lèi)型的液體局部供給系統(tǒng)。以上描述了圖2-4中公開(kāi)的液體供給系統(tǒng)。已經(jīng)提出的另一種布置是提供液體限制構(gòu)件給液體供給系統(tǒng)，所述液體限制構(gòu)件沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺(tái)之間的空間的邊界的至少一部分延伸。圖5中示出了這種布置。盡管可以在Z方向上存在一些相對(duì)移動(dòng)(在光軸的方向上)，但是液體限制構(gòu)件相對(duì)于投影系統(tǒng)在XY平面內(nèi)基本上是靜止的。在液體限制構(gòu)件和襯底表面之間形成密封。在實(shí)施例中，在液體限制結(jié)構(gòu)和襯底表面之間形成密封，并且可以是非接觸密封，例如氣體密封。美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)出版物No.US2004-0207824中公開(kāi)了這種系統(tǒng)。圖5示意地示出具有阻擋構(gòu)件12(IH)的液體局部供給系統(tǒng)或液體處理結(jié)構(gòu)。阻擋構(gòu)件12(IH)沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺(tái)WT或襯底W之間的空間的邊界的至少一部分延伸。(需要說(shuō)明的是，下文中提到的襯底W的表面，如果沒(méi)有其他說(shuō)明，還附加地或可選地指襯底臺(tái)WT的表面。)盡管可以在Z方向上存在一些相對(duì)移動(dòng)(在光軸的方向上)，但是阻擋構(gòu)件12相對(duì)于投影系統(tǒng)在XY平面內(nèi)基本上是靜止的。在實(shí)施例中，在阻擋構(gòu)件12和襯底W的表面之間形成密封，并且可以是非接觸密封，例如流體密封，期望地是氣體密封。阻擋構(gòu)件12至少部分地將液體保持在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間的空間11內(nèi)。在投影系統(tǒng)PS的像場(chǎng)周?chē)梢孕纬蓪?duì)襯底W的非接觸密封16，使得液體被限制在襯底W的表面和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間11內(nèi)。所述空間11至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件下面并圍繞投影系統(tǒng)PS的所述最終元件的阻擋構(gòu)件12所形成。液體通過(guò)液體入口13被引入到投影系統(tǒng)PS下面和阻擋構(gòu)件12內(nèi)的所述空間11。液體可以通過(guò)液體出口13去除。阻擋構(gòu)件12可以延伸略微超過(guò)投影系統(tǒng)PS的最終元件上方。液面高于最終元件，使得提供液體的緩沖。在實(shí)施例中，阻擋構(gòu)件12具有內(nèi)周，所述內(nèi)周在上端處與投影系統(tǒng)PS或其最終元件的形狀接近一致，并且可以是例如圓形的。在底端，所述內(nèi)周與像場(chǎng)的形狀接近一致，例如矩形，但這不是必需的。在實(shí)施例中，液體通過(guò)在使用過(guò)程中形成在阻擋構(gòu)件12的底部和襯底W的表面之間的氣體密封16而被限制在空間11中。氣體密封16通過(guò)氣體形成，例如空氣或合成空氣，但是在實(shí)施例中是通過(guò)氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w形成。氣體密封中的氣體在壓力下通過(guò)入口15提供到阻擋構(gòu)件12和襯底W之間的間隙。氣體通過(guò)出口14被抽取。在氣體入口15上的過(guò)壓、出口14上的真空水平和間隙的幾何形狀配置成使得存在向內(nèi)的、限制所述液體的高速氣流。氣體作用在阻擋構(gòu)件12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11中。入口/出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。環(huán)形槽可以是連續(xù)的或非連續(xù)的。氣流有效地將液體限制在空間11中。這樣的系統(tǒng)在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No.US2004-0207824中公開(kāi)。'許多其他類(lèi)型的液體供給系統(tǒng)是可能的。本發(fā)明不限于任何特別類(lèi)型的液體供給系統(tǒng)。本發(fā)明的實(shí)施例被優(yōu)化以與其中投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的液體不受限制的全浸濕系統(tǒng)一起使用。然而，本發(fā)明的實(shí)施例可以與任何其他類(lèi)型的液體供給系統(tǒng)一起使用。本發(fā)明實(shí)施例針對(duì)處理位于襯底臺(tái)WT上的襯底W的邊緣而采取的措施。為了考慮襯底W尺寸的變化，襯底臺(tái)WT設(shè)置有放置襯底W的凹陷100。這在(例如)圖6中示出。凹陷100沿徑向尺寸比襯底W稍大。因此，襯底W可以放置在凹陷100內(nèi)，而不需要小心地將襯底W與凹陷100對(duì)準(zhǔn)(因?yàn)榘枷荽笥谝r底)。此外，具有不同尺寸的襯底W將裝在相同的凹陷100中。襯底W的邊緣和凹陷100的邊緣之間存在間隙會(huì)導(dǎo)致氣體被捕獲在該間隙中并進(jìn)入浸沒(méi)液體的風(fēng)險(xiǎn)。在阻擋構(gòu)件12(IH)通過(guò)所述間隙之上并且所述浸沒(méi)液體接觸所述間隙的情況中尤其是這樣。如果浸沒(méi)液體中這種氣體的氣泡到達(dá)投影系統(tǒng)PS下面，將會(huì)導(dǎo)致成像缺陷，這是不希望的。襯底W的邊緣和凹陷100的邊緣之間存在間隙的另一個(gè)麻煩在于液體能夠到達(dá)襯底W下面。這種液體會(huì)干擾將襯底W保持在襯底臺(tái)WT上適當(dāng)位置處的襯底支撐結(jié)構(gòu)。這是不希望的。已經(jīng)提出來(lái)處理一個(gè)或多個(gè)上述問(wèn)題的一個(gè)方法是去除進(jìn)入襯底W的邊緣和凹陷100的邊緣之間的間隙的任何液體。這可以利用襯底W邊緣下面的襯底臺(tái)WT內(nèi)的徑向向外且向下的氣流來(lái)實(shí)現(xiàn)。液滴被夾帶在氣體中并通過(guò)襯底臺(tái)WT去除。本發(fā)明的實(shí)施例采取措施填充襯底W的邊緣和襯底臺(tái)WT中凹陷100的邊緣之間的間隙，不允許超過(guò)一定量的液體進(jìn)一步滲入到襯底W下面。這樣形成液體密封。該液體密封能夠抵抗靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的負(fù)載，可以被填滿和清空。圖6示出一個(gè)實(shí)施例。圖6示出圍繞襯底W邊緣的襯底臺(tái)WT的一部分的橫截面。襯底W被定位在襯底臺(tái)WT的頂部表面110中的凹陷100內(nèi)。凹陷100的尺寸形成為使得襯底W向外的襯底臺(tái)WT的頂部表面110與襯底W的頂部表面基本上是共面的。如圖6所示，襯底W由包括多個(gè)突起120的襯底支撐結(jié)構(gòu)101支撐。連接到負(fù)壓源(未示出)的入口被設(shè)置成在突起120之間的間隙中產(chǎn)生負(fù)壓，使得襯底W被吸到突起120上。這種類(lèi)型的襯底支撐結(jié)構(gòu)101通常被稱(chēng)為凸斑臺(tái)(pimpletable)。在凹陷100的外部邊緣處或其外部邊緣附近，在襯底臺(tái)WT上形成毛細(xì)通路形成表面130形式的流體處理特征。毛細(xì)通路形成表面130的尺寸被形成為并且被定位成使得當(dāng)襯底W被放置在襯底支撐結(jié)構(gòu)101上時(shí)，在襯底W的下側(cè)和毛細(xì)通路形成表面130之間存在間隙。這樣在襯底W和毛細(xì)通路形成表面130之間形成毛細(xì)通路140。毛細(xì)通路形成表面130形成毛細(xì)通路140的第一側(cè)141。襯底W的下表面形成毛細(xì)通路140的與第一側(cè)141相對(duì)的第二側(cè)142。毛細(xì)通路形成表面130在遠(yuǎn)離襯底W的中心軸線的方向上的長(zhǎng)度使得當(dāng)尺寸和放置位置兩個(gè)方面處于公差內(nèi)的襯底W被定位在襯底支撐結(jié)構(gòu)101上時(shí)，毛細(xì)通路140將形成合適的長(zhǎng)度(下面將要討論)。毛細(xì)通路形成表面130與襯底W的底部表面基本上是共面的(因而基本上平行于襯底W的頂部表面和襯底臺(tái)WT的頂部表面110)。毛細(xì)通路形成表面130的徑向向內(nèi)的位置處是另一流體處理特征，這次是彎液面釘扎特征150的形式。彎液面釘扎特征150可以采用任何形式。彎液面釘扎特征150的功能是用于將毛細(xì)通路140中的液體的彎液面160(見(jiàn)圖7)釘扎在特定位置處或特定位置范圍內(nèi)(也就是，例如遠(yuǎn)離凹陷100的邊緣的特定徑向距離處)。該彎液面釘扎特征150被設(shè)計(jì)成釘扎在彎液面釘扎特征150和襯底W之間延伸的彎液面160。因而，毛細(xì)通路140可以被看成延伸超過(guò)毛細(xì)通路形成表面130，并還在彎液面釘扎特征150之上延伸。當(dāng)不同的力作用在液體上時(shí)，彎液面釘扎特征150處的彎液面的形狀和/或位置發(fā)生變化。彎液面的形狀和/或位置的改變能夠吸收液體中的壓力波動(dòng)(例如由于掃描移動(dòng))。在圖6的實(shí)施例中，彎液面釘扎特征150是截頭圓錐形式的表面。也就是說(shuō)，在平面視圖中，彎液面釘扎特征150與毛細(xì)通路形成表面130的平面形成角度，也就是它是傾斜的。彎液面釘扎特征150的徑向最內(nèi)側(cè)邊緣比毛細(xì)通路形成表面130的徑向向外邊緣更遠(yuǎn)離毛細(xì)通路形成表面130的平面。彎液面可以沿著截頭圓錐的表面移動(dòng)，以吸收壓力波動(dòng)(在一側(cè)徑向向內(nèi)，而在另一側(cè)徑向向外)。彎液面釘扎特征150以下面的方式工作當(dāng)毛細(xì)通路140中的液體彎液面160沿徑向向內(nèi)移動(dòng)時(shí)(也就是朝向襯底W的中心部分)，跨在襯底W和襯底臺(tái)WT之間的彎液面160(毛細(xì)通路形成表面130或彎液面釘扎特征150)的長(zhǎng)度增大。隨著彎液面160的長(zhǎng)度增大，其能量減小。在橫截面上，圖6中實(shí)施例的彎液面釘扎特征150與毛細(xì)通路形成表面130的平面形成0到45°或10到45°之間的角度(期望地在20到35。之間)。在實(shí)施例中，彎液面釘扎特征150的水平表面和傾斜表面之間的過(guò)渡是平滑的。也即是，這兩個(gè)表面之間的半徑是盡可能大的。圖7更詳細(xì)地示出彎液面160的位置。在圖6的實(shí)施例中，毛細(xì)通路140己經(jīng)充滿液體。該液體沿徑向向內(nèi)延伸，覆蓋彎液面釘扎特征150的部分。然而，彎液面釘扎特征150己經(jīng)將彎液面160釘扎在彎液面釘扎特征150的徑向最內(nèi)側(cè)和徑向最外側(cè)部分之間的一位置處。因而，徑向向內(nèi)通過(guò)彎液面釘扎特征150的最內(nèi)側(cè)邊緣的液體通路被阻止了。彎液面160的位置由力的平衡來(lái)確定。液體填充凹陷100內(nèi)襯底W的邊緣和凹陷100的邊緣之間的間隙。在毛細(xì)通路140中的液體上產(chǎn)生徑向向內(nèi)的毛細(xì)力。除這個(gè)力之外，另有主要沿徑向向內(nèi)作用的流體靜力和流體動(dòng)力。彎液面釘扎特征150抵抗徑向向內(nèi)的力?？梢酝ㄟ^(guò)在彎液面釘扎特征150的徑向向內(nèi)位置處設(shè)置通道170來(lái)增大作用在毛細(xì)通路140中的液體上的沿徑向向外方向的力。通道170與毛細(xì)通路140流體連通。在通道170中提供氣體過(guò)壓。這種氣體作用在彎液面160上的力有效地將徑向向外的力施加到毛細(xì)通路140中的液體上。這可能有助于防止液體沿徑向向內(nèi)地流到彎液面釘扎特征150的徑向最內(nèi)側(cè)部分。因此，通道170中的壓力可以看作用于定位彎液面160。將通道170定位在彎液面釘扎特征150徑向向內(nèi)處(在實(shí)施例中是彎液面釘扎特征150徑直向內(nèi)處)有助于確保將通道170配置成使得從通道170出來(lái)的任何氣流基本上沿徑向向內(nèi)的方向。這樣，基本上可以防止來(lái)自毛細(xì)通路140的液體夾帶到氣體中。因此，基本上可以避免氣體和液體流動(dòng)導(dǎo)致的蒸發(fā)冷卻負(fù)載。通道170的徑向向內(nèi)位置處是內(nèi)部突起180。在一個(gè)實(shí)施例中，內(nèi)部突起180的尺寸形成為使得其頂部表面基本上與毛細(xì)通路形成表面130的平面共面。因而，當(dāng)襯底W放置在襯底支撐結(jié)構(gòu)101上時(shí)，在內(nèi)部突起180的頂部和襯底W的底部之間存在間隙。該間隙的尺寸類(lèi)似于毛細(xì)通路形成表面130和襯底W的底部表面之間的間隙(也就是毛細(xì)通路140的高度)。在實(shí)施例中，內(nèi)部突起180和襯底W的底部表面之間的間隙和毛細(xì)通路140的高度選自l-50(^m或1-20或2-20nm或l-10fim或1-5(im的范圍。為了抵抗由于加速誘發(fā)的動(dòng)力，期望毛細(xì)通路140的高度小。毛細(xì)通路140具有依賴(lài)于操作條件以及浸沒(méi)液體與毛細(xì)通路形成表面130和襯底W的下側(cè)表面之間的接觸角的最佳高度。內(nèi)部突起180和襯底W的底部之間的間隙被選擇成使得徑向向內(nèi)的氣流被限制，因而減少由于蒸發(fā)導(dǎo)致的任何可能存在的熱負(fù)載。如果襯底支撐結(jié)構(gòu)101使用的負(fù)壓設(shè)置為0.5巴，則在通道170中合適的過(guò)壓大約為IO毫巴。如果內(nèi)部突起180的頂部和襯底W的底部之間的間隙為大約3|am，則通過(guò)內(nèi)部突起180和襯底W之間的間隙的氣流預(yù)期為0.71/min。這樣可以提供滿意的操作條件，但是在通道170中也可以采用更低的壓力。在使用過(guò)程中，襯底曝光后，可以減小施加到通道170的過(guò)壓。這避免由于移去襯底W時(shí)遺留在部件200上的液體的蒸發(fā)導(dǎo)致的熱負(fù)載。期望具有一個(gè)大的可用的操作窗口，在其中彎液面160的位置可以通過(guò)彎液面釘扎特征150釘扎。改變操作參數(shù)的一種方法是改變毛細(xì)通路形成表面130的表面和/或彎液面釘扎特征150的表面與浸沒(méi)液體的親和力(也就是通過(guò)使得所述表面的一個(gè)或多個(gè)對(duì)于浸沒(méi)液體是憎液性或親液性的)。通過(guò)使得那些表面中的一個(gè)或多個(gè)更加親液，可以獲得更好的浸濕，這又會(huì)依次減小在使用期間從襯底W的邊緣和凹陷100的邊緣之間的間隙產(chǎn)生氣泡的可能性。多種不同的表面顯示出與浸沒(méi)液體的靜態(tài)接觸角、靜態(tài)前進(jìn)接觸角和靜態(tài)后退接觸角之間的差異。靜態(tài)前進(jìn)接觸角期望在40到70。之間。這有助于填充毛細(xì)通路140，因而從毛細(xì)通路140以及襯底W的邊緣和凹陷100的邊緣之間的間隙中排出氣體。為了促進(jìn)浸濕，期望靜態(tài)后退接觸角小于40。，或小于30。，或小于20°，或小于15°。靜態(tài)后退接觸角通常小于靜態(tài)前進(jìn)接觸角。期望地，限定通道170的表面和限定突起180的表面是由與浸沒(méi)液體形成高接觸角的材料形成。也就是說(shuō)，那些表面是憎液性的。下面說(shuō)明在實(shí)施例中可以如何用浸沒(méi)液體填充所述間隙和毛細(xì)通路140。參考圖9所述的實(shí)施例具有另一特征，用以確保毛細(xì)通路140的良好的填充。另一方面，在其他實(shí)施例中所述間隙和毛細(xì)通路140可以允許在正常操作期間被填充浸沒(méi)液體，或者在成像之前可以采用其他手段填充所述間隙和毛細(xì)通路140。正如在圖6中看到的，流體處理特征中的一些特征(例如毛細(xì)通路形成表面130和彎液面釘扎特征150)形成在與襯底臺(tái)的WT其他部分分離的部件200上。所述部件200被配置成在使用時(shí)處理液體與支撐在襯底支撐結(jié)構(gòu)101上的襯底W的邊緣相互作用的問(wèn)題。在部件200的外表面和襯底臺(tái)WT的剩余部分之間存在氣體間隙210。所述間隙210用作絕緣體，使得所述部件200與襯底臺(tái)WT的其他部分是熱隔離的。在實(shí)施例中，所述間隙210可以填充絕熱材料，而不是氣體。所述部件200通過(guò)離散的安裝構(gòu)件220機(jī)械耦合到襯底臺(tái)WT。這些離散的安裝構(gòu)件220期望地由低導(dǎo)熱系數(shù)材料制造。安裝構(gòu)件220可以例如是粘附到襯底臺(tái)WT和部件200的玻璃珠、板簧或彈簧片。通道170由部件200的邊緣和襯底臺(tái)WT的邊緣形成。然而，其他布置也是可以的。部件200與襯底臺(tái)WT的其他部分是熱隔離的，其目的在于避免擾亂襯底臺(tái)WT的熱平衡。部件200的流體處理特征是能夠引發(fā)熱負(fù)載的特征。因而，通過(guò)將這些特征與襯底臺(tái)WT的剩余部分熱隔離，就能夠隔離任何潛在的不希望的熱膨脹或熱收縮。在實(shí)施例中，在圖6中示意地示出的一個(gè)或多個(gè)加熱器230可以設(shè)置在部件200內(nèi)或部件200上。加熱器可以伴隨有一個(gè)或多個(gè)傳感器240以感測(cè)部件200的溫度，并且控制器231可以控制給加熱器230的功率(例如，基于由傳感器240感測(cè)的溫度以反饋的方式)。部件200圍繞襯底支撐結(jié)構(gòu)101。所述部件200形成毛細(xì)通路形成表面130和彎液面釘扎特征150，也作為襯底臺(tái)WT的頂部表面110的一部分。所述部件200和襯底臺(tái)WT之間的間隙210由粘結(jié)條(sticker)250覆蓋。粘結(jié)條250由薄膜材料形成，并且粘在適當(dāng)位置以防止浸沒(méi)液體進(jìn)入部件200和襯底臺(tái)WT之間的間隙210。其他密封所述間隙的方法也是可用的。圖6的實(shí)施例中，粘結(jié)條250是環(huán)形的。所述部件200還提供邊緣密封部件。所述邊緣密封部件至少部分地圍繞襯底W的邊緣。邊緣密封部件的頂部表面基本上與襯底W的頂部表面共面。在示出的實(shí)施例中，邊緣密封部件是所述部件200的頂部表面和內(nèi)部上邊緣。圖8示出內(nèi)部突起180上方從通道170通向襯底支撐結(jié)構(gòu)101的氣體通路。這個(gè)實(shí)施例與圖6和7中的實(shí)施例不同之處在于，在圖8中的實(shí)施例中彎液面釘扎特征150是尖銳拐角。半徑為l^m的拐角會(huì)導(dǎo)致不能充分地釘扎彎液面160。但是，對(duì)于半徑為3pm的拐角，彎液面160在彎液面釘扎特征150處的位置可以是穩(wěn)定的。因而，如果彎液面釘扎特征150是尖銳拐角，則期望該拐角具有大于2pm的半徑，或具有大于5pm的半徑，或具有大于10jim的半徑。所述拐角可以具有小于lOpm的半徑。如果所述拐角后的表面被形成為憎液性的，這也有助于在拐角處釘扎彎液面。相反地，期望內(nèi)部突起180的徑向最外側(cè)邊緣是尖銳邊緣。這增大流阻。毛細(xì)通路140的長(zhǎng)度與彎液面160不再被釘扎的壓力可能關(guān)系很小。但是，毛細(xì)通路形成表面130的長(zhǎng)度(也就是相對(duì)于襯底或其他物體的中心部分延伸，例如徑向長(zhǎng)度)應(yīng)該足以適應(yīng)襯底W的尺寸和放置位置的可能的變化。這參考圖9示出。在實(shí)施例中，毛細(xì)通路140至少為lmm長(zhǎng)，或至少為3mm長(zhǎng)，或至少為10mm長(zhǎng)。期望避免襯底邊緣過(guò)多地在與襯底接觸的襯底支撐結(jié)構(gòu)101的最后突起120上伸出。如果襯底的邊緣伸出過(guò)多，將會(huì)導(dǎo)致襯底的彎曲并引入成像誤差。在實(shí)施例中，通道170通過(guò)多個(gè)開(kāi)口(未示出)連接到過(guò)壓源。每個(gè)開(kāi)口的橫截面面積可以為例如0.2mm2。通過(guò)多個(gè)開(kāi)口提供過(guò)壓源與通道170之間的連接，由此可以減小壓力波動(dòng)。如圖8所示，在實(shí)施例中，凹陷IOO的邊緣是彎曲的。曲率被選擇成使得促進(jìn)襯底W邊緣和凹陷100邊緣之間的間隙的浸濕和去浸濕(和毛細(xì)通路140的填充)。圖9中的實(shí)施例示出一種有助于浸濕襯底W邊緣和凹陷100邊緣之間的間隙和毛細(xì)通路140的方法。在該實(shí)施例中，對(duì)于從凹陷100的邊緣到毛細(xì)通路140的最內(nèi)側(cè)邊緣的表面不需要特別處理來(lái)提高液體對(duì)所述表面的親和力。例如，這些表面可以用與襯底臺(tái)頂部表面相同的材料形成，并且以相同的方式處理。圖9的實(shí)施例除了下面所述的內(nèi)容之外，與圖6和7中的實(shí)施例相同。在圖9的實(shí)施例中，在毛細(xì)通路形成表面130中或鄰近毛細(xì)通路形成表面130設(shè)置開(kāi)口300。所述開(kāi)口300在凹陷100內(nèi)。開(kāi)口300可以是一個(gè)或多個(gè)孔或狹縫。所述開(kāi)口300可以在毛細(xì)通路形成表面130中和/或在彎液面釘扎特征150的表面內(nèi)。所述開(kāi)口300通過(guò)通路310連接到液體供給源311。在這種方法中，液體可以供給到襯底W邊緣和凹陷100邊緣之間的間隙，并且供給到毛細(xì)通路140中。這有助于浸濕毛細(xì)通路140，并且排出氣體。例如，可以看到通過(guò)提供液體到開(kāi)口300，液滴將會(huì)膨脹。這通過(guò)箭頭320和330示出，填充襯底W邊緣和凹陷100邊緣之間的間隙，還填充了毛細(xì)通路140。使用開(kāi)口300供給液體到所述間隙和毛細(xì)通路140中意味著，對(duì)于凹陷IOO底部邊緣周?chē)谋砻?，不需要特別地涂層或處理，或用材料形成使得這些表面對(duì)浸沒(méi)液體是親液性的。通過(guò)開(kāi)口300提供的液體期望地與用在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間所用的浸沒(méi)液體一樣。通過(guò)開(kāi)口300提供液體的可能的優(yōu)點(diǎn)在于，在所述間隙中的液體可以更新。另一方面，污染物顆?？赡軙?huì)積聚在凹陷100邊緣的周?chē)Ｍㄟ^(guò)開(kāi)口300供給液體，可以在凹陷100邊緣處的所述間隙中建立液體循環(huán)，因而沖洗掉污染物，并且防止污染物顆粒在凹陷100邊緣處的積聚。在全浸濕浸沒(méi)系統(tǒng)中，所供給的液體可以是用來(lái)覆蓋襯底臺(tái)WT和襯底W的頂部表面的液體的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，所述開(kāi)口300可以連接到負(fù)壓源。這有助于在曝光后，從襯底臺(tái)WT上釋放襯底W之前或之后去除浸沒(méi)液體。雖然上面的實(shí)施例已經(jīng)參考襯底支撐結(jié)構(gòu)101和襯底W進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限于這上述特征。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用于不同物體在襯底臺(tái)WT上的物體支撐結(jié)構(gòu)上的安裝。例如，所述物體可以是支撐在襯底臺(tái)WT的頂部表面上的傳感器支撐結(jié)構(gòu)上的傳感器。正如將會(huì)認(rèn)識(shí)到的，任何上述特征都可以與任何其他特征一起使用，并且并不是僅有那些己經(jīng)明確描述過(guò)的特征的組合被本申請(qǐng)覆蓋。通過(guò)以上描述可以理解，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括毛細(xì)通路形成表面，其配置成當(dāng)物體位于所述臺(tái)上時(shí)形成毛細(xì)通路的第一側(cè)，所述物體的表面形成所述毛細(xì)通路的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；禾口彎液面釘扎特征，其位于毛細(xì)通路形成表面的徑向向內(nèi)位置處，所述彎液面釘扎特征配置成在使用期間釘扎毛細(xì)通路中流體彎液面的徑向向內(nèi)的位置。在根據(jù)第一方面的第二方面中，所述彎液面釘扎特征是在所述毛細(xì)通路形成表面的端部處的尖銳邊緣。在根據(jù)第二方面的第三方面中，所述尖銳邊緣具有至少為2pm的半徑。在根據(jù)第一方面的第四方面中，所述彎液面釘扎特征是所述毛細(xì)通路形成表面的徑向向內(nèi)位置處的表面，在橫截面上所述彎液面釘扎特征的所述表面相對(duì)于所述毛細(xì)通路形成表面的平面傾斜一個(gè)角度，使得所述彎液面釘扎特征的所述表面的徑向最內(nèi)側(cè)邊緣比所述彎液面釘扎特征的所述表面的徑向外側(cè)部分更遠(yuǎn)離所述毛細(xì)通路形成表面的平面。在根據(jù)第四方面的第五方面中，在平面視圖中所述彎液面釘扎特征的所述表面與所述毛細(xì)通路形成表面的平面形成0到45°之間的角度，或10到45。之間的角度。在根據(jù)前述任一方面的第六方面中，所述臺(tái)還包括所述彎液面釘扎特征徑向向內(nèi)位置處的通道，所述通道配置成使得在使用期間在所述通道中的氣體過(guò)壓有效地將徑向向外的力施加到所述毛細(xì)通路內(nèi)的液體上。在根據(jù)前述任一方面的第七方面中，所述毛細(xì)通路形成表面具有至少lmm的半徑長(zhǎng)度。在根據(jù)前述任一方面的第八方面中，當(dāng)物體位于所述臺(tái)上時(shí)，所述毛細(xì)通路具有1到50pm之間的高度。在根據(jù)前述任一方面的第九方面中，所述臺(tái)還包括所述毛細(xì)通路形成表面的徑向向內(nèi)位置處的內(nèi)部突起，所述內(nèi)部突起圍繞所述臺(tái)的物體支撐結(jié)構(gòu)，在使用期間位于所述物體支撐結(jié)構(gòu)上的物體和所述內(nèi)部突起之間的距離在2到20pm之間。在根據(jù)前述任一方面的第十方面中，所述毛細(xì)通路形成表面基本上平行于所述臺(tái)的頂部表面。在根據(jù)前述任一方面的第十一方面中，所述毛細(xì)通路形成表面是親液性的。根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，提供一種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括-毛細(xì)通路形成表面，其配置成當(dāng)物體位于所述臺(tái)上時(shí)形成毛細(xì)通路的第一側(cè)，所述物體的表面形成所述毛細(xì)通路的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；禾口通道，其配置成使得在使用期間所述通道中的氣體過(guò)壓有效地將徑向向外的力施加在毛細(xì)通路中的流體上。在根據(jù)第十二方面的第十三方面中，所述臺(tái)還包括位于所述通道徑向向內(nèi)位置處的內(nèi)部突起，所述內(nèi)部突起圍繞所述臺(tái)的物體支撐結(jié)構(gòu)，所述物體支撐結(jié)構(gòu)配置成支撐所述物體。在根據(jù)第十三方面的第十四方面中，當(dāng)物體位于所述臺(tái)上時(shí)，所述物體離所述內(nèi)部突起的距離為2到20pm之間。在根據(jù)第十三方面或第十四方面的第十五方面中，在使用期間氣體從所述通道流出，并在所述內(nèi)部突起與所述物體之間流動(dòng)。在根據(jù)第十二至第十五方面中任一方面的第十六方面中，所述臺(tái)還包括物體支撐結(jié)構(gòu)和入口，所述物體支撐結(jié)構(gòu)具有多個(gè)突起以支撐所述物體，所述入口連接到負(fù)壓源以在多個(gè)突起之間的間隙內(nèi)產(chǎn)生負(fù)壓以將所述物體吸到所述突起。在根據(jù)第十二至第十六方面中任一方面的第十七方面中，在使用期間通過(guò)所述通道內(nèi)的過(guò)壓產(chǎn)生徑向向內(nèi)的氣流。在根據(jù)第十二至第十七方面中任一方面的第十八方面中，所述臺(tái)還包括定位在所述毛細(xì)通路形成表面和所述通道之間的彎液面釘扎特征，所述彎液面釘扎特征配置成在使用期間釘扎所述毛細(xì)通路內(nèi)流體彎液面的徑向向內(nèi)位置。在根據(jù)前述任一方面的第十九方面中，所述毛細(xì)通路形成表面由圍繞所述臺(tái)的物體支撐結(jié)構(gòu)的部件形成，所述部件與所述臺(tái)的一部分熱隔離并且所述物體支撐結(jié)構(gòu)配置成支撐所述物體。根據(jù)本發(fā)明的第二十方面，提供一種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括配置用于支撐物體的物體支撐結(jié)構(gòu)；和部件，其圍繞所述物體支撐結(jié)構(gòu)并與所述臺(tái)的一部分熱隔離，所述部件具有流體處理特征。在根據(jù)第二十方面的第二十一方面中，所述流體處理特征配置成在使用期間處液體與由所述物體支撐結(jié)構(gòu)支撐的物體邊緣的相互作用的問(wèn)題。在根據(jù)第二十方面或第二十一方面的第二十二方面中，所述流體處理特征包括毛細(xì)通路形成表面，所述毛細(xì)通路形成表面配置成當(dāng)物體位于所述物體支撐結(jié)構(gòu)上時(shí)形成毛細(xì)通路的第一側(cè)，所述物體的表面形成所述毛細(xì)通路的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)。在根據(jù)第二十至第二十二方面中任一方面的第二十三方面中，所述流體處理特征包括彎液面釘扎特征，所述彎液面釘扎特征配置成在使用期間釘扎流體彎液面的徑向向內(nèi)位置。在根據(jù)第二十至第二十三方面中任一方面的第二十四方面中，所述流體處理特征包括開(kāi)口，所述開(kāi)口在使用期間用于提供流體進(jìn)入與定位在所述物體支撐結(jié)構(gòu)上的物體的邊緣鄰近的區(qū)域。在根據(jù)第二十至第二十四方面中任一方面的第二十五方面中，所述臺(tái)還包括通道。在根據(jù)第二十五方面的第二十六方面中，所述通道形成在所述部件和所述臺(tái)的在所述部件的徑向向內(nèi)位置處的部分之間。在根據(jù)第二十五方面的第二十七方面中，所述通道形成在所述部件內(nèi)。在根據(jù)第二十至第二十七方面中任一方面的第二十八方面中，所述部件通過(guò)位于所述部件和所述臺(tái)的一部分之間的絕熱體與所述臺(tái)的該部分熱隔離。在根據(jù)第二十八方面的第二十九方面中，所述絕熱體是氣體。在根據(jù)第二十至第二十九方面中任一方面的第三十方面中，所述部件通過(guò)多個(gè)單個(gè)的支撐結(jié)構(gòu)附連到所述臺(tái)。在根據(jù)第二十至第三十方面中任一方面的第三十一方面中，所述部件是邊緣密封部件，所述邊緣密封部件在物體由所述物體支撐結(jié)構(gòu)支撐時(shí)至少部分地圍繞所述物體的邊緣，所述部件的頂部表面與所述物體的頂部表面基本上共面。在根據(jù)第二十至第三十一方面中任一方面的第三十二方面中，所述臺(tái)還包括位于所述部件內(nèi)的加熱器。在根據(jù)第三十二方面的第三十三方面中，所述臺(tái)還包括控制器，所述控制器配置成控制所述加熱器以控制所述部件的溫度。根據(jù)本發(fā)明的第三十四方面，提供一種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括毛細(xì)通路形成表面，其配置成當(dāng)物體位于所述臺(tái)的頂部表面中的凹陷內(nèi)時(shí)形成毛細(xì)通路的第一側(cè)，所述物體的表面形成所述毛細(xì)通路的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；和位于毛細(xì)通路形成表面內(nèi)或鄰近毛細(xì)通路形成表面的開(kāi)口，其配置用于供給流體到所述毛細(xì)通路。在根據(jù)第三十四方面的第三十五方面中，其中所述臺(tái)配置用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備，在所述浸沒(méi)式光刻設(shè)備中液體在襯底的頂部表面和所述臺(tái)的頂部表面上是不受限制的。在根據(jù)前述任一方面的第三十六方面中，所述物體是襯底或傳感器。根據(jù)本發(fā)明的第三十七方面，提供一種光刻設(shè)備，其包括上面任一方面所述的臺(tái)。在根據(jù)第三十七方面的第三十八方面中，光刻設(shè)備是浸沒(méi)式光刻設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的第三十九方面，提供一種器件制造方法，包括將物體定位在臺(tái)上，以在所述物體和所述臺(tái)的毛細(xì)通路形成表面之間形成毛細(xì)通路；和引導(dǎo)液體進(jìn)入所述毛細(xì)通路直到所述毛細(xì)通路中的液體的徑向向內(nèi)的彎液面被所述臺(tái)的彎液面釘扎特征釘扎在一位置的所在位置處。根據(jù)本發(fā)明的第四十方面，提供一種器件制造方法，包括-將物體定位在臺(tái)上以在所述物體和所述臺(tái)的毛細(xì)通路形成表面之間形成毛細(xì)通路；和在毛細(xì)通路形成表面的徑向向內(nèi)位置處的通道中引入氣體過(guò)壓，以將徑向向外的力施加在毛細(xì)通路中的液體上。根據(jù)本發(fā)明的第四十一方面，提供一種器件制造方法，包括提供物體到臺(tái)上，使得所述臺(tái)的部件圍繞所述物體，其中所述部件與所述臺(tái)的一部分熱隔離并且具有流體處理特征以處理所述物體邊緣處的流體。根據(jù)本發(fā)明的第四十二方面，提供一種器件制造方法，包括-將物體定位在臺(tái)上，以在所述物體和所述臺(tái)的毛細(xì)通路形成表面之間形成毛細(xì)通路；和通過(guò)位于所述毛細(xì)通路形成表面中或鄰近毛細(xì)通路形成表面的開(kāi)口引導(dǎo)液體進(jìn)入所述毛細(xì)通路。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs(集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語(yǔ)"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)"襯底"或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)"襯底"也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語(yǔ)"輻射"和"束"包含全部類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有約365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))。在允許的情況下術(shù)語(yǔ)"透鏡"可以指的是不同類(lèi)型的光學(xué)部件的任何一個(gè)或組合，包括折射式的和反射式的光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以采用包含用于描述一種如上面公開(kāi)的方法的至少一個(gè)機(jī)器可讀指令序列的至少一個(gè)計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲(chǔ)其中的所述至少一個(gè)計(jì)算機(jī)程序的至少一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán))的形式。當(dāng)通過(guò)位于光刻設(shè)備的至少一個(gè)部件內(nèi)的至少一個(gè)計(jì)算機(jī)處理器讀取至少一個(gè)計(jì)算機(jī)程序時(shí)，這里提到的至少一個(gè)不同的控制器是可操作的。至少一個(gè)處理器配置成與所述控制器的至少一個(gè)通信；因而所述控制器根據(jù)至少一個(gè)計(jì)算機(jī)程序的所述機(jī)器可讀指令運(yùn)行。本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用到任何浸沒(méi)式光刻設(shè)備，尤其是但不限于上面提到的那些類(lèi)型的光刻設(shè)備，而且不論浸沒(méi)液體是否以浴器的形式提供，或僅在襯底的局部表面區(qū)域上提供，或是非限制的。在非限制的布置中，浸沒(méi)液體可以在所述襯底臺(tái)和/或襯底的表面上流動(dòng)，使得基本上襯底臺(tái)和/或襯底的整個(gè)未覆蓋的表面都被浸濕。在這種非限制浸沒(méi)系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)可以不限制浸沒(méi)流體，或者其可以提供一定比例的浸沒(méi)液體限制，但不是基本上完全地對(duì)浸沒(méi)液體進(jìn)行限制。這里提到的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該被廣義地解釋。在某些實(shí)施例中，液體供給系統(tǒng)可以是一種機(jī)構(gòu)或多個(gè)結(jié)構(gòu)的組合，其提供液體到投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺(tái)之間的空間。液體供給系統(tǒng)可以包括至少一個(gè)結(jié)構(gòu)、至少一個(gè)液體入口、至少一個(gè)氣體入口、至少一個(gè)氣體出口和/或至少一個(gè)液體出口的組合，它們將液體提供到所述空間。在實(shí)施例中，所述空間的表面可以是襯底和減襯底臺(tái)的一部分，或者所述空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺(tái)的表面，或者所述空間可以包圍襯底和/或襯底臺(tái)。所述液體供給系統(tǒng)可選地進(jìn)一步包括用于控制液體的位置、數(shù)量、質(zhì)量、形狀、流量或其它任何特征的至少一個(gè)元件。以上描述旨在進(jìn)行解釋?zhuān)皇窍拗菩缘摹Ｒ蚨?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，在不脫離下述權(quán)利要求的保護(hù)范圍的前提下可以對(duì)所描述的發(fā)明進(jìn)行變更。權(quán)利要求1.一種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括毛細(xì)通路形成表面，其配置成當(dāng)物體位于所述臺(tái)上時(shí)形成毛細(xì)通路的第一側(cè)，所述物體的表面形成所述毛細(xì)通路的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；和彎液面釘扎特征，其定位在所述毛細(xì)通路形成表面的徑向向內(nèi)位置處，所述彎液面釘扎特征配置成在使用時(shí)釘扎所述毛細(xì)通路內(nèi)流體彎液面的徑向向內(nèi)的位置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的臺(tái)，其中，所述彎液面釘扎特征是所述毛細(xì)通路形成表面的徑向向內(nèi)位置處的表面，在橫截面上彎液面釘扎特征的所述表面相對(duì)于毛細(xì)通路形成表面的平面傾斜一個(gè)角度，使得彎液面釘扎特征的表面的徑向最內(nèi)側(cè)邊緣比彎液面釘扎特征的表面的徑向外側(cè)部分更遠(yuǎn)離毛細(xì)通路形成表面的平面。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的臺(tái)，其中，所述臺(tái)還包括彎液面釘扎特征的徑向向內(nèi)位置處的通道，所述通道配置成使得在使用時(shí)在所述通道內(nèi)的氣體的過(guò)壓有效地將徑向向外的力施加在毛細(xì)通路內(nèi)的液體上。4.一種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括物體支撐結(jié)構(gòu)，其配置成支撐物體；和部件，其圍繞所述物體支撐結(jié)構(gòu)并與所述臺(tái)的一部分熱隔離，所述部件具有流體處理特征。5.—種用于浸沒(méi)式光刻設(shè)備的臺(tái)，所述臺(tái)包括毛細(xì)通路形成表面，其配置成當(dāng)物體在位于所述臺(tái)頂部表面中的凹陷內(nèi)時(shí)形成毛細(xì)通路的第一側(cè)，所述物體的表面形成所述毛細(xì)通路的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；和開(kāi)口，所述開(kāi)口位于所述毛細(xì)通路形成表面內(nèi)或鄰近所述毛細(xì)通路形成表面，所述毛細(xì)通路形成表面配置成供給流體到所述毛細(xì)通路。6.—種光刻設(shè)備，其包括如前面權(quán)利要求中任一個(gè)所述的臺(tái)。7.—種器件制造方法，包括將物體定位在臺(tái)上，以在所述物體和所述臺(tái)的毛細(xì)通路形成表面之間形成毛細(xì)通路；和引導(dǎo)液體進(jìn)入所述毛細(xì)通路直到所述毛細(xì)通路中液體的徑向向內(nèi)的彎液面通過(guò)所述臺(tái)的彎液面釘扎特征被釘扎在一位置的所在位置處。8.—種器件制造方法，包括將物體定位在臺(tái)上，以在所述物體和所述臺(tái)的毛細(xì)通路形成表面之間形成毛細(xì)通路；和在所述毛細(xì)通路形成表面的徑向向內(nèi)位置處的通道中引入氣體過(guò)壓，以將徑向向外的力施加到所述毛細(xì)通路內(nèi)的液體上。9.一種器件制造方法，包括在臺(tái)上提供物體，使得所述臺(tái)的部件圍繞所述物體，其中所述部件與所述臺(tái)的一部分熱隔離并具有流體處理特征以處理位于所述物體邊緣處的流體。10.—種器件制造方法，包括將物體定位在臺(tái)上，以在所述物體和所述臺(tái)的毛細(xì)通路形成表面之間形成毛細(xì)通路；禾口通過(guò)開(kāi)口引導(dǎo)液體進(jìn)入所述毛細(xì)通路，所述開(kāi)口位于所述毛細(xì)通路形成表面中或鄰近所述毛細(xì)通路形成表面。全文摘要本發(fā)明涉及一種襯底臺(tái)、一種光刻設(shè)備和一種器件制造方法。所述襯底臺(tái)在使用期間采用多種方法在臺(tái)和支撐在臺(tái)上的物體的邊緣之間進(jìn)行密封。尤其是，在位于臺(tái)上的物體和臺(tái)本身之間形成毛細(xì)通路。在毛細(xì)通路徑向向內(nèi)側(cè)處過(guò)壓的存在和/或彎液面釘扎特征將液體保持在所述通道內(nèi)，并且?guī)椭柚挂后w進(jìn)一步徑向向內(nèi)前進(jìn)。實(shí)現(xiàn)這種功能的所述特征可以與圍繞所述物體的部件相關(guān)聯(lián)或形成在所述部件內(nèi)。所述部件可以與所述臺(tái)的一部分熱隔離。文檔編號(hào)G03F7/20GK101598906SQ200910203129公開(kāi)日2009年12月9日申請(qǐng)日期2009年6月2日優(yōu)先權(quán)日2008年6月2日發(fā)明者E·R·魯普斯卓,E·蒙特,H·雅克布斯,M·M·P·A·沃姆勒,M·瑞鵬,N·J·吉利森,N·騰凱特申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司