專利名稱：檢測光罩的方法及利用其減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明 涉及半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，尤其涉及檢測光罩的方法及利用其減少半導(dǎo)體產(chǎn) 品返工率的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光罩起著十分重要的作用，光罩的好壞直接影響著半導(dǎo)體 產(chǎn)品的良率，因而檢測光罩的質(zhì)量也成了必要的工序。通常，光罩在使用過程中很容易 吸附粉塵顆粒，而較大粉塵顆粒很可能會直接影響光罩圖案的轉(zhuǎn)印質(zhì)量，如果不進(jìn)行處 理會進(jìn)一步引起良率下降。因此，在利用光罩曝光后，通常會利用集成光罩探測系統(tǒng) (Integrated Reticle Inspection System, IRIS)對光罩進(jìn)行檢測，如果發(fā)現(xiàn)光罩上存在超出規(guī) 格的粉塵顆粒，則處于光刻制程中的晶圓將會全部被返工。由于我們無法判斷光罩上粉塵顆粒的存在是否會進(jìn)一步引起良率下降，所以， 才對處于光制程中的所有晶圓進(jìn)行返工，這極大地浪費(fèi)了時間和增加了制造成本。另 夕卜，利用集成光罩探測系統(tǒng)對光罩進(jìn)行檢測，每周的在線返工率約0.11%，即每周約有 100片光罩對應(yīng)的晶圓都需要返工，這無疑是一個很大的工作量，需要大量的人力物力的 支持。圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的某次實(shí)驗(yàn)中的周返工率示意圖。如圖1所示，縱軸為返工 率，用R表示；橫軸為不同周的標(biāo)示，用Wl、W2......WlO分別表示第一周到第10周。
由圖1可知，每周的返工率是很高的，10周的平均返工率約0.11%，這會浪費(fèi)很多的人 力和物力，因?yàn)榇罅康姆倒るx不開人的監(jiān)控，也離不開返工所需的材料以及設(shè)備等。因此，需要提出一種能減少不必要的半導(dǎo)體產(chǎn)品(如晶圓)返工的方法，可以不 需要檢測所有晶圓就能判斷光罩上的粉塵顆粒是否會進(jìn)一步影響良率；以及檢測光罩的 方法，可以及時且準(zhǔn)確檢測所述光罩是否需要更換或處理。

發(fā)明內(nèi)容
為了能及時且準(zhǔn)確的發(fā)現(xiàn)制造半導(dǎo)體產(chǎn)品的光罩是否會影響良率，以及減少不 必要的半導(dǎo)體產(chǎn)品的返工率等問題，本發(fā)明提供檢測光罩的方法以及減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返 工率的方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供檢測光罩的方法，包括檢測所述光罩上是否具有超出規(guī)格的粉塵顆粒；將其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白控片；判斷超出規(guī)格的粉塵顆粒在所述白控片上是否有成像，如果有成像，則所述光 罩會影響良率，如果未成像，則所述光罩不影響良率。優(yōu)選的，轉(zhuǎn)印所述光罩的圖案到白控片時，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償。優(yōu)選的，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償?shù)姆秶鸀槠毓饽芰康?%至7%倍。優(yōu)選的，對白控片的部分區(qū)域進(jìn)行正補(bǔ)償，部分區(qū)域進(jìn)行負(fù)補(bǔ)償。
優(yōu)選的，所述對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償可以使成像的粉塵顆粒的關(guān)鍵尺寸減小20納米。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，包括檢測制造所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的光罩上是否具有超出規(guī)格的粉塵顆粒；確定其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩所對應(yīng)的半導(dǎo)體產(chǎn)品批次，使所述批 次的半導(dǎo)體產(chǎn)品處于暫停狀態(tài)；將其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白控片；檢測所述白控片的圖案，判斷所述超出規(guī)格的粉塵顆粒是否在所述白控片上成 像；處理處于暫停狀態(tài)的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品批次，當(dāng)超出規(guī)格的粉塵顆粒在白控片上 成像時，對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能返工的返工，反之，當(dāng)超出規(guī)格的粉塵顆粒在白控 片上沒有成像時，所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)入釋放狀態(tài)。優(yōu)選的，轉(zhuǎn)印所述光罩的圖案到白控片時，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償。優(yōu)選的，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償?shù)姆秶鸀槠毓饽芰康?%至7%倍。優(yōu)選的，對白控片的部分區(qū)域進(jìn)行正補(bǔ)償，部分區(qū)域進(jìn)行負(fù)補(bǔ)償。優(yōu)選的，所述對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償可以使成像的粉塵顆粒的尺寸減小20微米。優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體產(chǎn)品處于暫停狀態(tài)后，處理處于暫停狀態(tài)的所述半導(dǎo)體產(chǎn) 品前，還包括判斷所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能否返工。優(yōu)選的，當(dāng)超出規(guī)格的粉塵顆粒在白控片上成像時，判斷所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn) 品能否返工，然后，對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能返工的返工。本發(fā)明還提供另一種減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，包括檢測制造所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的光罩上是否具有超出規(guī)格的粉塵顆粒；將其上具有 超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白控片；判斷超出規(guī)格的粉塵顆粒在所述白控片上是否有成像，如果有成像，則所述光 罩會影響良率，如果未成像，則所述光罩不影響良率；當(dāng)所述光罩會影響良率時，確定其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩所對應(yīng)的 半導(dǎo)體產(chǎn)品批次，使所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品處于暫停狀態(tài)；對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能返工的返工。優(yōu)選的，轉(zhuǎn)印所述光罩的圖案到白控片時，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償。優(yōu)選的，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償?shù)姆秶鸀槠毓饽芰康?%至7%倍。優(yōu)選的，對白控片的部分區(qū)域進(jìn)行正補(bǔ)償，部分區(qū)域進(jìn)行負(fù)補(bǔ)償。優(yōu)選的，所述對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償可以使成像的粉塵顆粒的尺寸減小20微米。本發(fā)明檢測光罩的方法，不需要對大量的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行返工，便可以精確檢 測所述光罩是否會影響半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率。本發(fā)明一種減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，可以有效減少半導(dǎo)體產(chǎn)品不必要的返工率，節(jié)約時間、降低制造半導(dǎo)體產(chǎn)品的成本。本發(fā)明另一種減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，可以有的放矢的對半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn) 行返工，可以減少不必要的返工率。本發(fā)明中，通過對曝光能量進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償，從而可以適當(dāng)?shù)姆糯蠓蹓m顆粒對良率的影響，避免漏掉半導(dǎo)體產(chǎn)品必要的返工。


圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的某次實(shí)驗(yàn)中的周返工率示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)驗(yàn)的周返工率比較圖。
圖3所示轉(zhuǎn)印光罩的圖案到白控片后白控片的示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對本發(fā)明的 內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。在光罩上具有大于規(guī)格尺寸的粉塵顆粒時，本發(fā)明通過將光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白 控片，然后觀察粉塵顆粒是否在白控片上成像，從而判斷具有大于規(guī)格尺寸的粉塵顆粒 的光罩會不會進(jìn)一步影響良率，如果會進(jìn)一步影像良率則需要對所述關(guān)罩進(jìn)行處理，如 果不會，則所述光罩可以繼續(xù)使用。所述白控片指其上沒有預(yù)先形成層的半導(dǎo)體產(chǎn)品 (如晶圓)，所述預(yù)先形成層可以是介質(zhì)層、導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層等任意半導(dǎo)體工藝中可能 形成的層。實(shí)施例1本實(shí)施例中，減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，包括首先，檢測制造所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的光罩上是否具有超出規(guī)格的粉塵顆粒；所述規(guī)格根據(jù)具體的半導(dǎo)體產(chǎn)品的不同而不同，如所述規(guī)格可以是45微米，則 尺寸大于45微米的粉塵顆粒為超出規(guī)格的粉塵顆粒；只有當(dāng)所述粉塵顆粒超出規(guī)格時才 有可能對良率產(chǎn)生影響，當(dāng)粉塵顆粒未超出規(guī)格時，利用光罩制造的半導(dǎo)體產(chǎn)品是不需 要返工的；其次，確定其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩所對應(yīng)的半導(dǎo)體產(chǎn)品批次，使 所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品處于暫停狀態(tài)；所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品處于暫停狀態(tài)，具體指所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品暫時不再 進(jìn)行下一步工藝，處于停滯狀態(tài)等待處理；其次，將其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白控片；優(yōu)選的，轉(zhuǎn)印所述光罩的圖案到白控片時，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償； 優(yōu)選的，所述對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償?shù)姆秶鸀槠毓饽芰康?%至7%倍，即轉(zhuǎn)印利 用的曝光能量比制造半導(dǎo)體產(chǎn)品時所用的曝光能量高3%倍到7%倍，或低3%倍到7% 倍；這樣，可以將粉塵顆粒對曝光的影響放大3%倍到7%倍，如優(yōu)選的取所述補(bǔ)償?shù)闹?為曝光能量的5%倍，所述補(bǔ)償值不能太大或太小，太大容易產(chǎn)生噪音，從而與粉塵顆粒 的實(shí)際影像背離，太小達(dá)不到預(yù)期的放大效果，不容易檢測到；優(yōu)選的，所述補(bǔ)償可以使成像的粉塵顆粒的尺寸減小20微米，即在在先的能觀 察到的粉塵顆粒的關(guān)鍵尺寸的基礎(chǔ)上減小20微米，如果原來粉塵顆粒成像的尺寸大于 100微米時能觀察到，則補(bǔ)償后，只要粉塵顆粒成像的尺寸大于80微米就能觀察到；這 樣，相當(dāng)于放大了粉塵顆粒對良率的影響，從而不會漏掉具有影響良率的粉塵顆粒的光 罩，以及不會漏掉所述光罩對應(yīng)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的返工；
再次，檢測所述白控片的圖案，判斷所述超出規(guī)格的粉塵顆粒是否在所述白控 片上成像；最后，處理處于暫停狀態(tài)的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品批次，當(dāng)超出規(guī)格的粉塵顆粒在白 控片上成像時，對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能返工的返工，反之，當(dāng)超出規(guī)格的粉塵顆粒 在白 控片上沒有成像時，所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)入釋放狀態(tài)?？蛇x的，所述半導(dǎo)體產(chǎn)品處于暫停狀態(tài)后，處理處于暫停狀態(tài)的所述半導(dǎo)體產(chǎn) 品前，還包括判斷所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能否返工。通常，處于光制程區(qū)的半導(dǎo)體產(chǎn) 品能夠返工，流通到光制程區(qū)之外的半導(dǎo)體產(chǎn)品不能夠返工。優(yōu)選的，當(dāng)超出規(guī)格的粉塵顆粒在白控片上成像時，判斷所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn) 品能否返工，然后，對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能返工的返工。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)驗(yàn)的周返工率比較圖。如圖2所示，縱軸為返工率， 橫軸為周，前五周Wl、W2、W3、W4、W5對應(yīng)現(xiàn)有技術(shù)的周返工率，后五周W6、 W7、W8、W9、WlO對應(yīng)本發(fā)明的周返工率，由圖2可知，利用本發(fā)明的周返工率明顯 小于現(xiàn)有技術(shù)的周返工率，從而，可以節(jié)約材料、節(jié)省成本、節(jié)約人力，有利于降低成 本。本實(shí)施例減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，在檢測到光罩上具有超出規(guī)格的粉塵 顆粒時，便對半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行了暫停狀態(tài)處理，可以及時防止有問題的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行 流通，從而避免了對其進(jìn)行不必要的工藝步驟。實(shí)施例2本實(shí)施例中，檢測光罩的方法，包括首先，檢測制造所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的光罩上是否具有超出規(guī)格的粉塵顆粒；其次，將其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白控片；最后，判斷超出規(guī)格的粉塵顆粒在所述白控片上是否有成像，如果有成像，則 所述光罩會影響良率，如果未成像，則所述光罩不影響良率。優(yōu)選的，轉(zhuǎn)印所述光罩的圖案到白控片時，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償。優(yōu)選的，所述對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償?shù)姆秶鸀槠毓饽芰康?%至7%倍，即轉(zhuǎn)印利 用的曝光能量比制造半導(dǎo)體產(chǎn)品時所用的曝光能量高3%倍到7%倍，或低3%倍到7% 倍；這樣，可以將粉塵顆粒對曝光的影響放大3%倍到7%倍，如優(yōu)選的取所述補(bǔ)償?shù)闹?為曝光能量的5%倍，所述補(bǔ)償值不能太大或太小，太大容易產(chǎn)生噪音，從而與粉塵顆粒 的實(shí)際影像背離，太小達(dá)不到預(yù)期的放大效果，不容易檢測到。圖3所示轉(zhuǎn)印光罩的圖案到白控片后白控片的示意圖。優(yōu)選的，參考圖3所示， 對所述白空片進(jìn)行曝光時，標(biāo)示A的區(qū)域的曝光能量比制造半導(dǎo)體產(chǎn)品時所用的曝光能 量高3%倍到7%倍，稱正補(bǔ)償，標(biāo)示B的區(qū)域的曝光能量比制造半導(dǎo)體產(chǎn)品時所用的曝 光能量低3%倍到7%倍，稱負(fù)補(bǔ)償，優(yōu)選的，為曝光能量的5%倍。因?yàn)橛械难谀D形 隨著曝光能量的增大而放大，有的掩膜圖形隨著曝光能量的減小而增大，因此，對白控 片的部分區(qū)域采取正補(bǔ)償，部分區(qū)域采取負(fù)補(bǔ)償，至少可以使其中的一部分區(qū)域上的掩 膜圖形被放大。優(yōu)選的，所述對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償可以使成像的粉塵顆粒的尺寸減小20微米， 即在在先的能觀察到的粉塵顆粒的關(guān)鍵尺寸的基礎(chǔ)上減小20微米，如果原來粉塵顆粒成像的尺寸大于100微米時能觀察到，則補(bǔ)償后，只要粉塵顆粒成像的尺寸大于80微米就 能觀察到；這樣，相當(dāng)于放大了粉塵顆粒對良率的影響，從而不會漏掉具有影響良率的 粉塵顆粒的光罩，以及不會漏掉所述光罩對應(yīng)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的返工。本實(shí)施例檢 測光罩的方法，可以精確檢測所述光罩是否會影響良率，從而決定 是否需要更換光罩或?qū)λ龉庹诌M(jìn)行處理。實(shí)施例3本實(shí)施例中，減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，包括首先，檢測制造所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的光罩上是否具有超出規(guī)格的粉塵顆粒；其次，將其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白控片；其次，判斷超出規(guī)格的粉塵顆粒在所述白控片上是否有成像，如果有成像，則 所述光罩會影響良率，如果未成像，則所述光罩不影響良率；再次，當(dāng)所述光罩會影響良率時，確定其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩所 對應(yīng)的半導(dǎo)體產(chǎn)品批次，使所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品處于暫停狀態(tài)；最后，對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能返工的返工。本實(shí)施減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，判斷超出規(guī)格的粉塵顆粒在所述白控片 上是否有成像，才對半導(dǎo)體產(chǎn)品是否返工進(jìn)行判斷，可以節(jié)約半導(dǎo)體產(chǎn)品處于暫停狀態(tài) 的時間。并且，只有檢測出所述光罩會影響良率時，才對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能返工 的返工；當(dāng)檢測出所述光罩不影響良率時，無需對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行暫停狀態(tài) 處理。從而，本實(shí)施例減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，可以有的放矢的進(jìn)行半導(dǎo)體產(chǎn)品 的返工。本發(fā)明各實(shí)施例的相應(yīng)技術(shù)特征可以相互替換，不同技術(shù)特征，本領(lǐng)域的技術(shù) 人員也可以進(jìn)行組合，因此，本發(fā)明實(shí)施例并不限定本發(fā)明，不構(gòu)成對保護(hù)范圍的限定。
權(quán)利要求
1.檢測光罩的方法，包括檢測所述光罩上是否具有超出規(guī)格的粉塵顆粒； 將其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白控片； 判斷超出規(guī)格的粉塵顆粒在所述白控片上是否有成像，如果有成像，則所述光罩會 影響良率，如果未成像，則所述光罩不影響良率。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測光罩的方法，其特征在于， 時，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償。
3.如權(quán)利要求2所述的檢測光罩的方法，其特征在于， 曝光能量的3%至7%倍。
4.如權(quán)利要求3所述的檢測光罩的方法，其特征在于， 償，部分區(qū)域進(jìn)行負(fù)補(bǔ)償。
5.如權(quán)利要求2所述的檢測光罩的方法，其特征在于， 使成像的粉塵顆粒的尺寸減小20微米。
6.減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，包括 檢測制造所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的光罩上是否具有超出規(guī)格的粉塵顆粒；確定其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩所對應(yīng)的半導(dǎo)體產(chǎn)品批次，使所述批次的 半導(dǎo)體產(chǎn)品處 于暫停狀態(tài)；將其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白控片； 檢測所述白控片的圖案，判斷所述超出規(guī)格的粉塵顆粒是否在所述白控片上成像； 處理處于暫停狀態(tài)的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品批次，當(dāng)超出規(guī)格的粉塵顆粒在白控片上成像 時，對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能返工的返工，反之，當(dāng)超出規(guī)格的粉塵顆粒在白控片上 沒有成像時，所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)入釋放狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求6所述的減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，其特征在于，轉(zhuǎn)印所述光罩的 圖案到白控片時，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償。
8.如權(quán)利要求7所述的減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，其特征在于，對曝光能量進(jìn)行 補(bǔ)償?shù)姆秶鸀槠毓饽芰康?%至7%倍。
9.如權(quán)利要求8所述的減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，其特征在于，對白控片的部分 區(qū)域進(jìn)行正補(bǔ)償，部分區(qū)域進(jìn)行負(fù)補(bǔ)償。
10.如權(quán)利要求7所述的減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，其特征在于，所述對曝光能 量進(jìn)行補(bǔ)償可以使成像的粉塵顆粒的尺寸減小20微米。
11.如權(quán)利要求6-10中任一項(xiàng)所述的減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，其特征在于，所 述半導(dǎo)體產(chǎn)品處于暫停狀態(tài)后，處理處于暫停狀態(tài)的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品前，還包括判斷 所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能否返工。
12.如權(quán)利要求6-10中任一項(xiàng)所述的減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，其特征在于，當(dāng) 超出規(guī)格的粉塵顆粒在白控片上成像時，判斷所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能否返工，然后， 對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能返工的返工。
13.減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，包括檢測制造所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的光罩上是否具有超出規(guī)格的粉塵顆粒； 將其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白控片； 轉(zhuǎn)印所述光罩的圖案到白控片 對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償?shù)姆秶鸀?對白控片的部分區(qū)域進(jìn)行正補(bǔ) 所述對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償可以判斷超出規(guī)格的粉塵顆粒在所述白控片上是否有成像，如果有成像，則所述光罩會 影響良率，如果未成像，則所述光罩不影響良率；當(dāng)所述光罩會影響良率時，確定其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩所對應(yīng)的半導(dǎo) 體產(chǎn)品批次，使所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品處于暫停狀態(tài)；對所述批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品能返工的返工。
14.如權(quán)利要求13所述的減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，其特征在于，轉(zhuǎn)印所述光罩 的圖案到白控片時，對曝光能量進(jìn)行補(bǔ)償。
15.如權(quán)利要求14所述的減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，其特征在于，對曝光能量進(jìn) 行補(bǔ)償?shù)姆秶鸀槠毓饽芰康?%至7%倍。
16.如權(quán)利要求15所述的減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，其特征在于，對白控片的部 分區(qū)域進(jìn)行正補(bǔ)償，部分區(qū)域進(jìn)行負(fù)補(bǔ)償。
17.如權(quán)利要求14所述的減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法，其特征在于，所述對曝光能 量進(jìn)行補(bǔ)償可以使成像的粉塵顆粒的尺寸減小20微米。
全文摘要
本發(fā)明提供檢測光罩的方法及減少半導(dǎo)體產(chǎn)品返工率的方法。通過檢測所述光罩上是否具有超出規(guī)格的粉塵顆粒；將其上具有超出規(guī)格的粉塵顆粒的光罩的圖案轉(zhuǎn)印到白控片；判斷超出規(guī)格的粉塵顆粒在所述白控片上是否有成像，如果有成像，則所述光罩會影響良率，如果未成像，則所述光罩不影響良率。本發(fā)明解決了通過大量的半導(dǎo)體產(chǎn)品返工來檢測光罩是否會影響良率的問題，可精確判斷所述光是否會影響產(chǎn)品良率，以及判斷半導(dǎo)體產(chǎn)品是否需要返工，從而減少不必要的返工。
文檔編號G03F7/20GK102023472SQ20091019583
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月17日
發(fā)明者嚴(yán)軼博, 孫林林, 朱曉崢, 毛曉明 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司