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有源組件陣列基板的制作方法

文檔序號(hào):2744729閱讀:136來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:有源組件陣列基板的制作方法
有源組件陣列基板
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是涉及一種陣列基板,且特別是涉及一種有源組件陣列基板。
背景技術(shù)
隨著電腦性能的大幅進(jìn)步以及網(wǎng)際網(wǎng)路、多媒體技術(shù)的高度發(fā)展,視訊或影像裝 置的體積日漸趨于輕薄。在顯示器的發(fā)展上,隨著光電技術(shù)與半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步,具有 高畫(huà)質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無(wú)輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示面板已逐漸成為市場(chǎng) 的主流。 圖1A為已知的液晶顯示面板的有源組件陣列基板的俯視圖。請(qǐng)參考圖1A,已知的 有源組件陣列基板100包括一具有顯示區(qū)102以及周邊電路區(qū)104的基板110、多條掃描線 (scan line)120、多條數(shù)據(jù)線(data line) 130、一像素陣列140、多條走線(trace) 150與多 個(gè)接墊(pad) 160。像素陣列140中具有陣列排列的多個(gè)像素142,且像素142分別藉由這 些掃描線120以及這些數(shù)據(jù)線130所控制。 如圖1A所示,各走線150分別連接至接墊160與掃描線120或數(shù)據(jù)線130。舉例 而言,電子信號(hào)通常依序經(jīng)由對(duì)應(yīng)的接墊160、走線150、數(shù)據(jù)線130與像素142中的有源組 件144而輸入對(duì)應(yīng)像素142中的像素電極146。圖1B為圖1A沿AA'剖面線的區(qū)域的剖面 圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1B,走線150是由兩層導(dǎo)體層170a、170b相互堆疊而成,當(dāng)有透明導(dǎo)體層170c 跨越走線150并于其上進(jìn)行信號(hào)傳輸時(shí),透明導(dǎo)體層170c容易在底層地形(topogr即hy) 坡度變化最劇烈處發(fā)生燒毀的現(xiàn)象,其發(fā)生的位置如圖1A、圖1B中標(biāo)示為B處。如此一來(lái), 走線150則無(wú)法順利地傳遞信號(hào),導(dǎo)致像素陣列140上的像素142無(wú)法順利的被驅(qū)動(dòng),影響 整體液晶顯示面版的顯示機(jī)能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種有源組件陣列基板,其可降低走線中的透 明導(dǎo)體層因底層地形所產(chǎn)生的高度斷差,進(jìn)而降低其在跨越走線時(shí)發(fā)生燒毀等不良的機(jī)率。 本發(fā)明提出一種有源組件陣列基板,其具有一基板,且基板具有一顯示區(qū)以及位 于顯示區(qū)外的一周邊電路區(qū),且該有源組件陣列基板包括一像素陣列、多條走線以及一第 三導(dǎo)體層。像素陣列位于顯示區(qū)內(nèi)。多條走線位于周邊電路區(qū)上并電性連接至像素陣列, 其中各走線的至少一部分包括一第一導(dǎo)體層、一第二導(dǎo)體層以及一保護(hù)層。第一導(dǎo)體層位 于基板上。第二導(dǎo)體層設(shè)置于第一導(dǎo)體層其正投影面上方的鄰側(cè),且第二導(dǎo)體層與第一導(dǎo) 體層錯(cuò)位配置于基板上。保護(hù)層覆蓋第一導(dǎo)體層以及第二導(dǎo)體層。第三導(dǎo)體層位于保護(hù)層 上,且第三導(dǎo)體層跨越走線的第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層。 在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層在基板上的面積彼此分離。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述有源組件陣列基板還可以進(jìn)一步包括一柵絕緣層,其 中柵絕緣層位于第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間。此時(shí),在走線中,第一導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層之間例如是由柵絕緣層與保護(hù)層的疊層所構(gòu)成,第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層之間例如是由保 護(hù)層所構(gòu)成。 在本發(fā)明一實(shí)施例中,以基板為基準(zhǔn),上述第三導(dǎo)體層在走線中的最大高度為^, 第三導(dǎo)體層在基板上的最小高度為h2,且h「h2《3500埃。 在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述有源組件陣列基板可更包括一驅(qū)動(dòng)電路,其中驅(qū)動(dòng)電 路經(jīng)由走線而將一驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入像素陣列,且第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層可以傳遞相同的驅(qū) 動(dòng)信號(hào)。當(dāng)然,第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層也可以傳遞不同的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述像素陣列包括多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線以及多個(gè)像 素。走線例如電性連接掃描線的其中之一或數(shù)據(jù)線的其中之一。每一像素包括一有源組件 以及一像素電極,其中有源組件與對(duì)應(yīng)的掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接,有源組件包括一柵 極、一柵絕緣層、一通道層、一源極與一漏極,其中柵極位于基板上,柵絕緣層覆蓋柵極,通 道層為于柵極上方的柵絕緣層上,源極與漏極位于通道層的兩側(cè)。像素電極與漏極連接。其 中,柵極、掃描線與第一導(dǎo)體層為同一膜層,源極、漏極、數(shù)據(jù)線與第二導(dǎo)體層為同一膜層, 像素電極與第三導(dǎo)體層為同一膜層,柵絕緣層位于第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間,且保護(hù) 層位于第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層之間。 在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述走線中的由第一導(dǎo)體層所構(gòu)成的第一子走線數(shù)量為多 條,走線中的由第二導(dǎo)體層所構(gòu)成的第二子走線數(shù)量為多條,且第一子走線與第二子走線 彼此交錯(cuò)配置于基板上,且第一子走線與第二子走線在基板上的投影面積彼此不重疊。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述第三導(dǎo)體層與另一條走線電性連接,而第三導(dǎo)體層與 第一導(dǎo)體層或第二導(dǎo)體層傳遞不同的信號(hào)。 基于上述,本發(fā)明位于周邊電路區(qū)的走線采用多層導(dǎo)體層彼此錯(cuò)位的設(shè)計(jì),使得
位于布局于該走線上方的透明導(dǎo)體層可以較為平緩地跨越,因此本發(fā)明能夠縮小透明導(dǎo)體
層下方走線的膜厚差距,以改善有源組件陣列基板上的走線燒毀的現(xiàn)象。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合附圖作如
下詳細(xì)說(shuō)明。


圖1A為已知的液晶顯示面板的有源組件陣列基板的俯視圖。 圖1B為圖1A沿AA'剖面線的區(qū)域的剖面圖。 圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的有源組件陣列基板的俯視圖。 圖3A為依照本發(fā)明第一實(shí)施例的有源組件陣列基板的俯視圖。 圖3B為沿圖3A沿A-A'線的剖面圖。 圖4A為依照本發(fā)明第二實(shí)施例的有源組件陣列基板的俯視圖。
圖4B為沿圖4A沿A-A'線的剖面圖。 圖5的左側(cè)為圖4B所示的走線的剖面示意圖,右側(cè)為圖2中像素的剖面示意圖。具體實(shí)施方式

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的有源組件陣列基板的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2,本實(shí)施例的 有源組件陣列基板200具有基板201,且基板201上具有一顯示區(qū)202以及位于顯示區(qū)202外的一周邊電路區(qū)204,且該有源組件陣列基板200包括一位于顯示區(qū)202內(nèi)的像素陣列 210以及位于周邊電路區(qū)204上的多條走線220,其中走線220電性連接至顯示區(qū)202內(nèi)的 像素陣列210,在本實(shí)施例中,有源組件陣列基板200更可于周邊電路區(qū)204中設(shè)置一驅(qū)動(dòng) 電路230,其中驅(qū)動(dòng)電路230經(jīng)由走線220而將一驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入像素陣列210。此外,如圖2 所示,像素陣列210包括多條掃描線240以及多條數(shù)據(jù)線250以及多個(gè)像素260。走線220 例如電性連接掃描線240的其中之一或數(shù)據(jù)線250的其中之一。在顯示區(qū)202中,每一像 素260包括一有源組件262以及一像素電極264,其中有源組件262與對(duì)應(yīng)的掃描線240以 及數(shù)據(jù)線250電性連接。 特別的是,本發(fā)明的有源組件陣列基板200在周邊電路區(qū)204中,針對(duì)走線220的 結(jié)構(gòu)進(jìn)一步設(shè)計(jì),使得位于走線220上方的透明導(dǎo)體層能夠較為平緩地覆蓋在走線220上 方,進(jìn)而避免透明導(dǎo)體層在其與走線220的交叉處發(fā)生燒毀的現(xiàn)象。為了進(jìn)一步清楚說(shuō)明, 以下將以布局于圖2的區(qū)域204內(nèi)的走線220為例,局部放大進(jìn)行說(shuō)明,也就是說(shuō),本發(fā)明 的主動(dòng)陣列基板201上的走線220可以是布局于圖2區(qū)域204內(nèi)的任一位置的走線220。
圖3A為依照本發(fā)明第一實(shí)施例的有源組件陣列基板的俯視圖,而圖3B為沿圖3A 的A-A'線的剖面圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖3A與圖3B,本實(shí)施例的有源組件陣列基板200上的走 線220的至少一部分包括第一導(dǎo)體層Ml、一第二導(dǎo)體層M2以及一保護(hù)層12。具體而言,第 一導(dǎo)體層Ml位于基板201上。在本實(shí)施例中,第二導(dǎo)體層M2與第一導(dǎo)體層Ml之間例如為 并聯(lián),也就是說(shuō),第一導(dǎo)體層Ml與第二導(dǎo)體層M2在該走線220的兩端(即信號(hào)輸入端與信 號(hào)輸出端)彼此連接,用以傳遞相同的信號(hào)至像素陣列210。當(dāng)然,在其他實(shí)施例中第一導(dǎo) 體層Ml與第二導(dǎo)體層M2在該走線220的兩端(即信號(hào)輸入端與信號(hào)輸出端)彼此不連 接,以使走線上的第二導(dǎo)體層M2與第一導(dǎo)體層M1分別傳遞不同的信號(hào),本發(fā)明并不以此為 限。如圖3A與圖3B所示,第二導(dǎo)體層M2配置于第一導(dǎo)體層Ml其正投影面上方的鄰側(cè),特 別的是,在同一條走線220中,第二導(dǎo)體層M2與第一導(dǎo)體層M1是分別錯(cuò)位配置于基板201 上。保護(hù)層I2覆蓋第一導(dǎo)體層M1以及第二導(dǎo)體層M2。并且,本實(shí)施例的有源組件陣列基 板200在周邊電路區(qū)204上具有一跨越走線220的第三導(dǎo)體層M3,且第三導(dǎo)體層M3位于保 護(hù)層12上,在本實(shí)施例中,第三導(dǎo)體層M3例如是由銦錫氧化物或銦鋅氧化物所組成的透明 導(dǎo)體層。 更詳細(xì)而言,第三導(dǎo)體層M3例如電性連接于不同的走線220之間,如圖3A所示, 第三導(dǎo)體層M3與另一條走線220'電性連接,因此第三導(dǎo)體層M3所傳遞的信號(hào)不同于第一 導(dǎo)體層Ml所傳遞的信號(hào)以及第二導(dǎo)體層M2所傳遞的信號(hào)。此外,第一導(dǎo)體層Ml與第二導(dǎo) 體層M2在基板201上的面積彼此不重疊,也就是說(shuō),如圖3B所示,第一導(dǎo)體層Ml與第二導(dǎo) 體層M2在基板201上的面積彼此分離,并相距一間距dl。如此一來(lái),對(duì)于跨越第一導(dǎo)體層 Ml與第二導(dǎo)體層M2上方的第三導(dǎo)體層M3而言,由于其底層的膜厚較為均一,因此第三導(dǎo) 體層M3得以較為平緩地覆蓋在走線220上,使得第三導(dǎo)體層M3跨越具有多層導(dǎo)體層的走 線220時(shí)不會(huì)有巨大的地形起伏。因此,在實(shí)際的運(yùn)作過(guò)程中,信號(hào)可以在較為平順的第三 導(dǎo)體層M3中順利地被傳遞,以解決已知技術(shù)中透明導(dǎo)體層在跨越走線220時(shí)容易燒毀的問(wèn) 題。 此外,在本實(shí)施例的有源組件陣列基板200中,在形成走線時(shí),可于第一導(dǎo)體層M1 與第二導(dǎo)體層M2之間進(jìn)一步設(shè)置一柵絕緣層II,使得在走線220中,第一導(dǎo)體層Ml與第
6三導(dǎo)體層M3之間例如是由柵絕緣層II與保護(hù)層12的疊層所構(gòu)成,第二導(dǎo)體層M2與第三 導(dǎo)體層M3之間例如是由保護(hù)層12所構(gòu)成。如此一來(lái),可以拉近走線220中對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)體 層M1區(qū)域以及對(duì)應(yīng)第二導(dǎo)體層M2區(qū)域之間的膜厚差距,進(jìn)而降低第三導(dǎo)體層M3跨越走線 220時(shí)的爬坡坡度。舉例來(lái)說(shuō),與以基板201為基準(zhǔn),第三導(dǎo)體層M3在走線220中的最大高 度例如為h"第三導(dǎo)體層M3在基板201上的最小高度例如為h2,且在本實(shí)施例的主動(dòng)陣列 基板201的走線220中h「h2《3500埃。 當(dāng)然,依據(jù)前述走線220結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)精神,在同一條走線220中,第一導(dǎo)體層M1與 第二導(dǎo)體層M2為彼此錯(cuò)位配置,因此在其他實(shí)施例中,第一導(dǎo)體層Ml與第二導(dǎo)體層M2也 可以直接配置于基板201上,也就是說(shuō),在其他實(shí)施例中,走線220中亦可以選擇不設(shè)置柵 絕緣層Il,本發(fā)明的有源組件陣列基板200上的走線220并不限定第一導(dǎo)體層Ml與基板 201之間或是第二導(dǎo)體層M2與基板201之間的膜層結(jié)構(gòu)。 具體而言,在一實(shí)際的制作流程中,第一導(dǎo)體層M1的厚度例如為3500埃,柵絕緣 層II的厚度例如為3300埃,第一導(dǎo)體層Ml的厚度例如為2800埃,保護(hù)層12的厚度例如 為2000埃。因此,在本實(shí)施例中,第三導(dǎo)體層M3跨越在走線220中對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)體層M1的 斷差& (高度差)為3500埃,而第三導(dǎo)體層M3跨越在走線220中對(duì)應(yīng)第二導(dǎo)體層M2的斷 差H2 (高度差)為2800埃,而第三導(dǎo)體層M3在走線220中對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)體層Ml區(qū)域以及對(duì) 應(yīng)第二導(dǎo)體層M2區(qū)域的斷差H3(高度差)為500埃。 在本發(fā)明的第一實(shí)施例中,走線220中第一導(dǎo)體層M1所構(gòu)成的第一子走線220A 數(shù)量為單一條,而走線220中由第二導(dǎo)體層M2所構(gòu)成的第二子走線220B數(shù)量為單一條,但 本發(fā)明并不以此為限,設(shè)計(jì)者可基于走線220阻抗、基板201布局空間、或是工藝上的需求, 而將前述的走線220設(shè)計(jì)概念擴(kuò)及為同一走線220中,第一子走線220A的數(shù)量以及第二子 走線220B的數(shù)量為多條。 圖4A為依照本發(fā)明第二實(shí)施例的有源組件陣列基板的走線俯視圖,圖4B為沿圖 4A中A-A'線的剖面圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖4A與圖4B,在本實(shí)施例的有源組件陣列基板200, 走線320中由第一導(dǎo)體層Ml所構(gòu)成的第一子走線220A數(shù)量為多條,而由第二導(dǎo)體層M2所 構(gòu)成的第二子走線220B數(shù)量為多條,且該多條第一導(dǎo)體層的寬度以及該多條第二導(dǎo)體層 的寬度并不以相同為限;并且,第一子走線220A與第二子走線220B為彼此交錯(cuò)配置于基板 201上,也就是說(shuō),每一第一子走線220A位于兩相鄰第二子走線220B之間,且每一第二子走 線220B位于兩相鄰第一子走線220A之間。并且,第一子走線220A與第二子走線220B在 基板201上的投影面積彼此不重疊。 此外,值得一提的是,前述走線220、320的制作方式與有源組件陣列基板的原有 工藝相容。下文將以圖2A的像素260的結(jié)構(gòu)為例,說(shuō)明走線220的組成膜層與像素260結(jié) 構(gòu)的組成膜層之間的關(guān)系。 圖5的左側(cè)為圖4B所示的走線的剖面示意圖,而圖5右側(cè)為圖2中像素的剖面示 意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5,有源組件262包括一柵極262G、一柵絕緣層11、一通道層262C、一源極 262S與一漏極262D,其中柵極262G位于基板201上,柵絕緣層II覆蓋柵極262G,通道層 262C位于柵極262G上方的柵絕緣層II上,且源極262S與漏極262D位于通道層262C的兩 側(cè)上,而像素電極264經(jīng)由保護(hù)層12的開(kāi)口而與漏極262D連接。如圖5所示,柵極262G、 掃描線240與第一導(dǎo)體層Ml為同一膜層,并且柵極262G、掃描線240(繪示于圖2)與第一
7導(dǎo)體層Ml可通過(guò)同一道光罩工藝來(lái)制作。源極262S、漏極262D、數(shù)據(jù)線250 (繪示于圖2) 與第二導(dǎo)體層M2為同一膜層,且源極262S、漏極262D、數(shù)據(jù)線250(繪示于圖2)與第二導(dǎo) 體層M2可通過(guò)同一道光罩工藝來(lái)制作。像素電極264與第三導(dǎo)體層M3為同一膜層,且像 素電極264與第三導(dǎo)體層M3可通過(guò)同一道光罩工藝來(lái)制作。此外,如前述,走線220中可 更包括柵絕緣層Il,而柵絕緣層I 1位于第一導(dǎo)體層M1與第二導(dǎo)體層M2之間,且保護(hù)層 12位于第二導(dǎo)體層M2與第三導(dǎo)體層M3之間。 綜上所述,本發(fā)明的有源組件陣列基板具有下列至少部分或全部?jī)?yōu)點(diǎn) —、相較于已知技術(shù)使用疊層導(dǎo)體層作為非顯示區(qū)上的走線,由于本發(fā)明將走線
變更為彼此錯(cuò)位配置的多層導(dǎo)體層,因此本發(fā)明的錯(cuò)位配置的走線具有較平緩的地形,以
改善跨越走線的透明導(dǎo)體層在傳遞信號(hào)過(guò)程中發(fā)生燒毀的現(xiàn)象。 二、本發(fā)明的有源組件陣列基板雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上,然其并非用以 限定本發(fā)明,任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的工作人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許 的更動(dòng)與潤(rùn)飾,故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種有源組件陣列基板,具有一基板,且該基板有一顯示區(qū)以及位于該顯示區(qū)外的一周邊電路區(qū),其特征在于該有源組件陣列基板包括一像素陣列,位于該顯示區(qū)內(nèi);以及多條走線,位于該周邊電路區(qū)并電性連接至該像素陣列,其中各該走線具有至少一部分包括一第一導(dǎo)體層,位于該基板上;一第二導(dǎo)體層,設(shè)置于該第一導(dǎo)體層其正投影面上方的鄰側(cè),且該第二導(dǎo)體層與該第一導(dǎo)體層錯(cuò)位配置于該基板上;一保護(hù)層,覆蓋該第一導(dǎo)體層以及該第二導(dǎo)體層;以及一第三導(dǎo)體層,位于該保護(hù)層上,且該第三導(dǎo)體層跨越該走線的該第一導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)體層。
2. 如權(quán)利要求1所述的有源組件陣列基板,其特征在于該第一導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)體層在該基板上的投影面積彼此分離。
3. 如權(quán)利要求1所述的有源組件陣列基板,其特征在于該有源組件陣列基板進(jìn)一步包括一柵絕緣層,其中該柵絕緣層位于該第一導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)體層之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的有源組件陣列基板,其特征在于在該走線中,該第一導(dǎo)體層與該第三導(dǎo)體層之間是由該柵絕緣層與該保護(hù)層的疊層所構(gòu)成,該第二導(dǎo)體層與該第三導(dǎo)體層之間是由該保護(hù)層所構(gòu)成。
5. 如權(quán)利要求1所述的有源組件陣列基板,其特征在于以該基板為基準(zhǔn),該第三導(dǎo)體層在該走線中的最大高度為hp該第三導(dǎo)體層在該基板上的最小高度為h^且hr^《3500埃。
6. 如權(quán)利要求1所述的有源組件陣列基板,其特征在于該有源組件陣列基板進(jìn)一步包括一驅(qū)動(dòng)電路,其中該驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)該多條走線而將一驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入該像素陣列,且該第一導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)體層傳遞相同的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
7. 如權(quán)利要求6所述的有源組件陣列基板,其特征在于該第一導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)體層傳遞不同的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
8. 如權(quán)利要求1所述的有源組件陣列基板,其特征在于該像素陣列包括多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線,其中該走線電性連接該多條掃描線的其中之一或該多條數(shù)據(jù)線的其中之一;多個(gè)像素,其中每一像素包括一有源組件,與對(duì)應(yīng)的該多條掃描線以及該多條數(shù)據(jù)線電性連接,該有源組件包括一柵極、一柵絕緣層、一通道層、一源極與一漏極,其中該柵極位于該基板上,該柵絕緣層覆蓋該柵極,該通道層為于該柵極上方的該柵絕緣層上,該源極與該漏極位于該通道層的兩側(cè);以及一像素電極,與該漏極連接,其中,該多個(gè)柵極、該多條掃描線與該第一導(dǎo)體層為同一膜層,該多個(gè)源極、該多個(gè)漏極、該多條數(shù)據(jù)線與該第二導(dǎo)體層為同一膜層,該多個(gè)像素電極與該第三導(dǎo)體層為同一膜層,該柵絕緣層位于該第一導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)體層之間,且該保護(hù)層位于該第二導(dǎo)體層與該第三導(dǎo)體層之間。
9. 如權(quán)利要求1所述的有源組件陣列基板,其特征在于該走線中的由該第一導(dǎo)體層 所構(gòu)成的第一子走線數(shù)量為多條,該走線中的由該第二導(dǎo)體層所構(gòu)成的第二子走線數(shù)量為 多條,且該多條第一子走線與該多條第二子走線彼此交錯(cuò)配置于該基板上,且該多條第一 子走線與該多條第二子走線在該基板上的投影面積彼此不重疊。
10. 如權(quán)利要求l所述的有源組件陣列基板,其特征在于該第三導(dǎo)體層與另一條走線 電性連接,而該第三導(dǎo)體層與該第一導(dǎo)體層或該第二導(dǎo)體層傳遞不同的信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有源組件陣列基板,其具有一基板,且基板具有一顯示區(qū)以及位于顯示區(qū)外的一周邊電路區(qū)。有源組件陣列基板包括一像素陣列、多條走線以及一第三導(dǎo)體層。像素陣列位于顯示區(qū)內(nèi)。多條走線位于周邊電路區(qū)上并電性連接至像素陣列,其中走線的至少一部分包括一第一導(dǎo)體層、一第二導(dǎo)體層以及一保護(hù)層。第一導(dǎo)體層位于基板上,第二導(dǎo)體層設(shè)置于第一導(dǎo)體層其正投影面上方的鄰側(cè),且第二導(dǎo)體層與第一導(dǎo)體層錯(cuò)位配置于基板上。保護(hù)層覆蓋第一導(dǎo)體層以及第二導(dǎo)體層。第三導(dǎo)體層位于保護(hù)層上,且跨越走線的第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101697053SQ200910190399
公開(kāi)日2010年4月21日 申請(qǐng)日期2009年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月23日
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