專利名稱：用于平面切換模式液晶顯示設(shè)備的陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面切換(IPS)模式液晶顯示(LCD)設(shè)備，尤其涉及一種用于IPS 模式LCD設(shè)備的陣列基板，其能夠具有充分的存儲(chǔ)電容，改善了顯示圖像質(zhì)量并降低了生 產(chǎn)成本。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示(LCD)設(shè)備利用液晶分子的光學(xué)各向異性和偏振特性。由于 它們的薄而長的形狀，液晶分子具有明確的取向方向?？梢酝ㄟ^在這些液晶分子上施加電 場，來控制液晶分子的取向方向。隨著電場的強(qiáng)度或方向的變化，液晶分子的取向也變化。 因?yàn)橛捎谝壕Х肿拥墓鈱W(xué)各向異性，而根據(jù)液晶分子的取向來折射入射光，所以能夠通過 控制光透射率來顯示圖像。 因?yàn)榘ㄗ鳛殚_關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)的LCD設(shè)備(稱作有源矩陣 LCD (AM-LCD)設(shè)備)具有出色的特性，如高分辨率和運(yùn)動(dòng)圖像顯示，所以這種AM-LCD設(shè)備已 經(jīng)被廣泛使用。 AM-LCD設(shè)備包括陣列基板、濾色器基板和夾在其間的液晶層。陣列基板可以包括 像素電極和TFT，濾色器基板可以包括濾色器層和公共電極。AM-LCD設(shè)備由像素電極與公 共電極之間的電場驅(qū)動(dòng)，獲得出色的透射特性和開口率。然而，因?yàn)锳M-LCD設(shè)備使用垂直 電場，所以AM-LCD設(shè)備具有較差的視角。 平面切換(IPS)模式LCD設(shè)備可用于解決上述局限性?，F(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD
設(shè)備包括濾色器基板、面對濾色器基板的陣列基板、和夾在其間的液晶層。用于驅(qū)動(dòng)液晶層
的公共電極和像素電極均形成在陣列基板上。在濾色器基板上，形成黑矩陣和濾色器層，而
沒有公共電極。液晶層由在公共電極和像素電極之間產(chǎn)生的水平電場驅(qū)動(dòng)。 圖1A和IB是顯示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備的導(dǎo)通/切斷狀態(tài)的橫截面
圖。如圖1A中所示，當(dāng)給IPS模式LCD設(shè)備施加電壓時(shí)，公共電極17和像素電極30上方
的液晶分子11a不變化。但是，在公共電極17和像素電極30之間的液晶分子lib由于水
平電場"L"而水平排列。因?yàn)橐壕Х肿邮峭ㄟ^水平電場排列的，所以IPS模式LCD設(shè)備具
有寬視角的特性。圖1B顯示了當(dāng)不給IPS模式LCD設(shè)備施加電壓時(shí)的狀態(tài)。因?yàn)樵诠?br> 電極17和像素電極30之間沒有產(chǎn)生電場，所以液晶分子11的排列不變化。 圖2是用于現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板的一部分的平面圖。在圖2
中，用于現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板10包括柵極線12、公共線16、數(shù)據(jù)線24、
薄膜晶體管(TFT)Tr、多個(gè)公共電極17和多個(gè)像素電極30。公共線16平行于柵極線2并
與之分隔開，數(shù)據(jù)線24與柵極線12交叉，從而在陣列基板10上定義像素區(qū)域P。 TFT Tr
設(shè)置在柵極線12和數(shù)據(jù)線24的交點(diǎn)部分處，并包括柵電極14、半導(dǎo)體層20、源電極26和漏電極28。柵電極14和源電極26分別與柵極線12和數(shù)據(jù)線24連接。 像素區(qū)域P中的像素電極30與漏電極28連接，并且彼此分隔開。公共電極17從
公共線16分支出來，并與像素電極30交替布置。 平行于數(shù)據(jù)線24的一個(gè)像素電極30具有沿?cái)?shù)據(jù)線24的長軸和沿柵極線12的短 軸。如圖3中所示，其顯示了現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備中的濾色器圖案，因?yàn)樾枰t色 濾色器圖案R、綠色濾色器圖案G和藍(lán)色濾色器圖案B來產(chǎn)生彩色圖像，所以在沿柵極線12 的三個(gè)相鄰像素區(qū)域P中具有一個(gè)紅色濾色器圖案R、一個(gè)綠色濾色器圖案G和一個(gè)藍(lán)色濾 色器圖案B。為了獲得一個(gè)紅色濾色器圖案R、一個(gè)綠色濾色器圖案G和一個(gè)藍(lán)色濾色器圖 案B的像素單元，需要一條柵極線12和三條數(shù)據(jù)線24。 S卩，需要是柵極線12三倍的數(shù)據(jù)線 24。 通過數(shù)據(jù)線24施加給像素電極30的數(shù)據(jù)信號(hào)應(yīng)當(dāng)同時(shí)施加到沿一條柵極線的所 有像素區(qū)域，不過電壓有所變化。因此，為了給多條數(shù)據(jù)線施加數(shù)據(jù)信號(hào)，需要具有復(fù)雜電 路結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路板。此外，需要多個(gè)包括用于控制并與驅(qū)動(dòng)電路板電連接的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集 成電路(IC)芯片的柔性印刷電路(FPC)。 FPC中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC芯片是標(biāo)準(zhǔn)化的，從而由一個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC芯片控制的數(shù)據(jù)線
數(shù)量受到限制。因此，當(dāng)顯示高分辨率圖像或者IPS模式LCD設(shè)備變大時(shí)，需要包括與增多
的像素區(qū)域的數(shù)量成正比的更多數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC芯片的FPC。結(jié)果，生產(chǎn)成本增加。 圖4是顯示具有驅(qū)動(dòng)電路板的現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備的示意性平面圖。如
圖4中所示，假定現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備60具有預(yù)定的分辨率，則需要包括用于將
陣列基板62上的數(shù)據(jù)線(沒有示出)連接到驅(qū)動(dòng)電路板70的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC芯片64的六個(gè)
FPC67。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多 個(gè)問題的用于IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板及其制造方法。 本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有較少FPC的用于IPC模式LCD設(shè)備的陣列基 板，從而降低了生產(chǎn)成本。 本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種具有充分存儲(chǔ)電容的用于IPS模式LCD設(shè)備的陣 列基板。 本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種能顯示高質(zhì)量圖像的用于IPS模式LCD設(shè)備的陣 列基板。 在下面的描述中將列出本發(fā)明其它的特征和優(yōu)點(diǎn)，這些特征和優(yōu)點(diǎn)的一部分從所 述描述將是顯而易見的，或者可從本發(fā)明的實(shí)施領(lǐng)會(huì)到。通過說明書、權(quán)利要求以及附圖中 特別指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)。 為了獲得這些和其它的優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體表示和廣義描述 的，用于平面切換模式液晶顯示設(shè)備的陣列基板包括在包括第一像素區(qū)域和第二像素區(qū) 域的基板上的第一柵極線和第二柵極線；在所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域中的每一個(gè) 的上側(cè)中的第一公共連接圖案；從所述第一公共連接圖案的端部延伸的第一最外部公共電 極和第二最外部公共電極；在所述第一柵極線和第二柵極線、所述第一公共連接圖案以及所述第一最外部公共電極和第二最外部公共電極上的柵絕緣層；在所述柵絕緣層上并與 所述第一柵極線和第二柵極線交叉以定義所述第一和第二像素區(qū)域的第一數(shù)據(jù)線和第二 數(shù)據(jù)線，所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域沿所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的方向彼此相 鄰；在所述第一像素區(qū)域中的并與所述第一柵極線和所述第一數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管， 所述薄膜晶體管包括柵電極、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極，所述漏電極延伸成與所述第一最 外部公共電極重疊；在所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線以及所述薄膜晶體管上的鈍化層，所 述鈍化層包括暴露所述漏電極一部分的漏極接觸孔和暴露所述第二最外部公共電極一部 分的第一公共接觸孔；在所述鈍化層上的并彼此分隔開的多個(gè)像素電極；在所述鈍化層上 的并與所述像素電極的一端連接的像素連接圖案，所述像素連接圖案通過所述漏極接觸孔 與所述漏電極連接，所述像素連接圖案與所述第一最外部公共電極和第二最外部公共電極 以及所述第一公共連接圖案的第一部分和第二部分重疊；在所述鈍化層上的并與所述像素 電極交替布置的多個(gè)公共電極；和在所述像素區(qū)域下側(cè)的并在所述鈍化層上的第二公共連 接圖案，所述第二公共連接圖案通過所述第一公共接觸孔與所述第二最外部公共電極連接 并與所述公共電極的一端連接。 在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，用于平面切換模式液晶顯示設(shè)備的陣列基板包括在 包括第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域的基板上的第一柵極線和第二柵極線；在每個(gè)所述第一 像素區(qū)域和第二像素區(qū)域上側(cè)中的第一公共連接圖案；從所述第一公共連接圖案的端部 延伸的第一最外部公共電極和第二最外部公共電極；在所述第一柵極線和第二柵極線、所 述第一公共連接圖案以及所述第一最外部公共電極和第二最外部公共電極上的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上并與所述第一和第二柵極線交叉以定義所述第一和第二像素區(qū)域的第 一和第二數(shù)據(jù)線，所述第一和第二像素區(qū)域沿所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的方向彼此相 鄰；在所述第一像素區(qū)域中的并與所述第一柵極線和所述第一數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管， 所述薄膜晶體管包括柵電極、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極，所述漏電極延伸成與所述第一最 外部公共電極重疊；在所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線以及所述薄膜晶體管上的鈍化層，所 述鈍化層包括暴露所述漏電極一部分的漏極接觸孔和暴露所述第一公共連接圖案一部分 的第一公共接觸孔；在所述鈍化層上的并彼此分隔開的多個(gè)像素電極；在所述鈍化層上的 并與所述像素電極的一端連接的像素連接圖案，所述像素連接圖案通過所述漏極接觸孔與 所述漏電極連接，所述像素連接圖案面對所述第一公共連接圖案，從而所述像素電極設(shè)置 在所述像素連接圖案與所述第一公共連接圖案之間；在所述鈍化層上的并與所述像素電極 交替布置的多個(gè)公共電極；和與所述第一公共連接圖案重疊并在所述鈍化層上的第二公共 連接圖案，所述第二公共連接圖案與所述公共電極的一端連接，所述第二公共連接圖案通 過所述第一公共接觸孔與所述第一公共連接圖案連接。 應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是典型性的和解釋性 的，意在提供如權(quán)利要求所述的本發(fā)明進(jìn)一步的解釋。


給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并組成說明書一部分的附解了本發(fā)明的實(shí)施方式
并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中
7
圖1A和IB是顯示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備的打開/關(guān)閉條件的橫截面 圖； 圖2是用于現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板一部分的平面圖； 圖3是顯示現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備中的具有濾色器圖案的陣列基板一部分
的平面圖； 圖4是顯示具有驅(qū)動(dòng)電路板的現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備的示意性平面圖；
圖5是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的用于IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板一部分的示 意性平面圖； 圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的IPS模式LCD設(shè)備中的具有濾色器圖案的陣列 基板一部分的平面圖； 圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的具有驅(qū)動(dòng)電路板的IPS模式LCD設(shè)備的示 意性平面圖； 圖8是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的用于IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板一部分的示 意性平面圖； 圖9是沿圖8的線IX-IX的橫截面圖；
圖10是沿圖8的線X-X的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)描述優(yōu)選的實(shí)施方式，附圖中圖解了其一些例子。 與現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備相比，根據(jù)本發(fā)明的用于IPS模式LCD設(shè)備的陣列
基板的像素區(qū)域具有沿柵極線(即水平方向)的長軸和沿?cái)?shù)據(jù)線(即垂直方向)的短軸。
因?yàn)橥ㄟ^布置在沿垂直方向的三個(gè)相鄰像素區(qū)域中的紅色、綠色和藍(lán)色濾色器圖案而減少
了數(shù)據(jù)線的數(shù)量，所以根據(jù)本發(fā)明的IPS模式LCD設(shè)備需要較少的包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC芯片的
柔性印刷電路(FPC)。與現(xiàn)有技術(shù)的IPS模式LCD設(shè)備相比，根據(jù)本發(fā)明的用于IPS模式
LCD設(shè)備具有三倍的柵極線和三分之一的數(shù)據(jù)線。 施加給柵極線的柵信號(hào)僅具有導(dǎo)通或切斷與柵極線連接的薄膜晶體管的功能。因 為順序地將具有相同電壓的柵信號(hào)施加給柵極線，所以用于控制柵信號(hào)的柵驅(qū)動(dòng)電路需要 簡單的元件，例如時(shí)序控制器。因此，即使增加?xùn)艠O線的數(shù)量，用于柵驅(qū)動(dòng)電路的處理也不 會(huì)復(fù)雜，生產(chǎn)成本不會(huì)增加。在該情形中，通常通過將施加?xùn)判盘?hào)的間隔減小為現(xiàn)有設(shè)備的 間隔的三分之一來操作所述設(shè)備。例如，在根據(jù)本發(fā)明的IPS模式LCD設(shè)備中，以縮短后的 頻率180Hz驅(qū)動(dòng)?xùn)膨?qū)動(dòng)電路，而在現(xiàn)有設(shè)備中柵驅(qū)動(dòng)電路是以60Hz驅(qū)動(dòng)的?？刹恍枰?用于柵極線的柵驅(qū)動(dòng)IC芯片的FPC。柵極線可以經(jīng)由包括用于數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC芯片 的FPC，從與數(shù)據(jù)線連接的驅(qū)動(dòng)電路板接收柵信號(hào)。在該情形中，用于連接?xùn)艠O線與FPC的 連線被形成在陣列基板的非顯示區(qū)域上。 在本發(fā)明中，因?yàn)闇p少了數(shù)據(jù)線的數(shù)量，所以也減少了包括用于數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū) 動(dòng)IC的FPC的數(shù)量。 圖5是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的用于IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板的一部分的 示意性平面圖。在圖5中，陣列基板101包括沿水平方向的第一和第二柵極線105a和105b， 以及與第一和第二柵極線105a和105b交叉的第一和第二數(shù)據(jù)線130a和130b，以定義第一和第二像素區(qū)域P1和P2。解釋聚焦在第一像素區(qū)域P1。第一公共連接圖案108由與每個(gè)像素區(qū)域P中形成的每條第一和第二柵極線105a和105b相同的金屬材料形成，并與每條第一和第二柵極線105a和105b形成在相同的層處。第一像素區(qū)域P1中的第一公共連接圖案108與第一和第二柵極線105a和105b分隔開，且與第一柵極線105a相比其更靠近第二柵極線105b。突出部109從第一公共連接圖案108的中心部分向第一柵極線105a突出。突出部109具有三角形?？蛇x擇地，突出部109也可以具有梯形。第二像素區(qū)域P2中的第一公共連接圖案108和突出部109也具有與第一像素區(qū)域P1中的突出部相同的形狀和位置。第一公共連接圖案108的端部沿第一柵極線105a彎曲成分別大致平行于第一和第二數(shù)據(jù)線130a和130b，從而在第一像素區(qū)域Pl中形成第一和第二最外部公共電極110a和110b。在像素區(qū)域P1中，與第二數(shù)據(jù)線130b相比，第一最外部公共電極110a更靠近第一數(shù)據(jù)線130a，而與第一數(shù)據(jù)線130a相比，第二最外部公共電極110b更靠近第二數(shù)據(jù)線130b。第一和第二最外部公共電極110a和110b用作第一和第二存儲(chǔ)電容器StgCl和StgC2每一個(gè)的第一電極。第一像素區(qū)域P1中的第一最外部公共電極110a經(jīng)由第一連接圖案lll與相鄰像素區(qū)域中的第二最外部公共電極連接，在這兩個(gè)像素區(qū)域之間具有第一數(shù)據(jù)線130a。此外，第一像素區(qū)域P1中的第二最外部公共電極110b經(jīng)由另一個(gè)第一連接圖案111與相鄰像素區(qū)域中的第一最外部公共電極連接，在這兩個(gè)像素區(qū)域之間具有第二數(shù)據(jù)線130b。
在第一柵極線105a和第一數(shù)據(jù)線130a的交叉部分處形成包括柵電極113、柵絕緣層(沒有示出)、半導(dǎo)體層120、源電極133和漏電極136的第一薄膜晶體管(TFT)Trl。半導(dǎo)體層120對應(yīng)于柵電極113。柵電極113和源電極133分別與第一柵極線105a和第一數(shù)據(jù)線130a連接。漏電極136與源電極133分隔開。源和漏電極133和136設(shè)置在半導(dǎo)體層120上。第一TFT Trl的漏電極136沿第一數(shù)據(jù)線130a延伸，以與第一最外部公共電極110a重疊。在第二像素區(qū)域P2中形成與第二柵極線105b和第二數(shù)據(jù)線130b連接的第二TFTTr2?？蛇x擇地，第二 TFT Tr2也可與第二柵極線105b和第一數(shù)據(jù)線130a連接。
在第一TFT Trl上形成有包括漏極接觸孔143、第一公共接觸孔145和第二公共接觸孔147的鈍化層(沒有示出)。漏極接觸孔143暴露第一 TFT Trl的漏電極136，第一公共接觸孔145和第二公共接觸孔147分別暴露第一公共連接圖案108的突出部109和第二最外部公共電極110b。 此外，在鈍化層上形成有多個(gè)像素電極154和多個(gè)公共電極164。像素電極154彼此分隔開并相對于突出部109對稱。公共電極164也彼此分隔開并相對于突出部109對稱。像素電極和公共電極154和164彼此交替布置。像素電極154的一端與像素連接圖案152連接。與第二柵極線105b相比，像素連接圖案152更靠近第一柵極線105a。像素連接線152的端部彎曲成分別與第一和第二最外部公共電極110a和110b重疊。像素連接線152的第一彎曲部分用作第一存儲(chǔ)電容器StgCl的第二電極150a，像素連接線152的第二彎曲部分用作第二存儲(chǔ)電容器StgC2的第二電極150b 。第一存儲(chǔ)電容器StgCl的第二電極150a通過漏極接觸孔143與漏電極136的一部分接觸。 公共電極164的一端與第二公共連接圖案162連接。第二公共連接圖案162與第一公共連接圖案108和突出部109重疊。第二公共連接圖案162包括從第二公共連接圖案162的一端延伸的第二連接圖案163。第二連接圖案163通過第二公共接觸孔147與第二像素區(qū)域P2中的第二最外部公共電極110b接觸。S卩，第二連接圖案163延伸成與第二柵
9極線105b交叉。公共電極164和像素電極154設(shè)置在像素連接圖案152與第二公共連接圖案162之間。 像素電極和公共電極154和164以預(yù)定的角度相對于第一和第二數(shù)據(jù)線130a和130b傾斜。相對于突出部109來說在左側(cè)的像素電極和公共電極154和164平行于具有三角形的突出部109的左側(cè)表面，而相對于突出部109來說在右側(cè)的像素電極和公共電極154和164平行于突出部109的右側(cè)表面。如上所述，像素電極和公共電極154和164相對于突出部109對稱，從而在一個(gè)像素區(qū)域P中獲得雙疇結(jié)構(gòu)。因?yàn)槭窃诓粡澢鷸艠O線或數(shù)據(jù)線的形狀的情形下獲得該雙疇結(jié)構(gòu)的，所以不會(huì)產(chǎn)生信號(hào)延遲。 參照圖6，其是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的IPS模式LCD設(shè)備中的具有濾色器圖案的陣列基板的一部分的平面圖，一個(gè)像素區(qū)域P具有沿柵極線105a和105b的第一方向的長軸和沿?cái)?shù)據(jù)線130a和130b的第二方向的短軸。包括紅色濾色器R、綠色濾色器G和藍(lán)色濾色器B的沿?cái)?shù)據(jù)線130a和130b的第二方向的三個(gè)像素區(qū)域構(gòu)成像素單元PU。
假定在第一和第二方向上設(shè)置相同數(shù)量的像素單元PU，則因?yàn)橛糜诂F(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板的像素區(qū)域具有沿第二方向的長軸和沿第一方向的短軸，所以沿第一方向的三個(gè)像素區(qū)域構(gòu)成像素單元。因此，數(shù)據(jù)線的數(shù)量是柵極線數(shù)量的三倍。
然而，因?yàn)橛糜诟鶕?jù)本發(fā)明的IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板的像素區(qū)域具有沿第一方向的長軸和沿第二方向的短軸，所以沿第二方向，即數(shù)據(jù)線130a和130b的方向的三個(gè)像素區(qū)域構(gòu)成了紅色、綠色和藍(lán)色濾色器圖案R， G和B的像素單元PU。因此，柵極線130a和130b的數(shù)量是數(shù)據(jù)線130a和130b數(shù)量的三倍。 給柵極線施加具有相同電壓的信號(hào)，從而用于柵極線的驅(qū)動(dòng)電路非常簡單。因此，即使柵極線的數(shù)量增加，在柵驅(qū)動(dòng)電路中也不會(huì)有變化。然而，數(shù)據(jù)信號(hào)根據(jù)數(shù)據(jù)線的數(shù)量而具有不同的電壓，從而用于數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)數(shù)據(jù)線的數(shù)量而變得非常復(fù)雜。由一個(gè)驅(qū)動(dòng)IC芯片控制的數(shù)據(jù)線的數(shù)量是有限的，以致FPC的數(shù)量隨著數(shù)據(jù)線的數(shù)量而增加。因此，當(dāng)需要高分辨率圖像時(shí)，F(xiàn)PC的數(shù)量非常迅速地增加。然而，在本發(fā)明中，即使需要高分辨率圖像，也可將FPC的數(shù)量最小化，因?yàn)閿?shù)據(jù)線的增加被最小化了 。
圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的具有驅(qū)動(dòng)電路板的IPS模式LCD設(shè)備的示意性平面圖。假定本發(fā)明的IPS模式LCD設(shè)備具有與現(xiàn)有IPS模式LCD設(shè)備相同的分辨率，則本發(fā)明的陣列基板的數(shù)據(jù)線數(shù)量為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的數(shù)據(jù)線數(shù)量的三分之一。結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明的IPS模式LCD設(shè)備僅需要兩個(gè)FPC 186，每個(gè)FPC都包括用于連接數(shù)據(jù)線與外部驅(qū)動(dòng)電路板183的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC芯片189。因此，降低了 IPS模式LCD設(shè)備的生產(chǎn)成本。
圖8是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的用于IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板一部分的示意性平面圖。圖9是沿圖8的線IX-IX的橫截面圖。圖10是沿圖8的線X-X的橫截面圖。
陣列基板201包括第一和第二柵極線205a和205b，以及與第一和第二柵極線205a和205b交叉的第一和第二數(shù)據(jù)線230a和230b，以定義第一和第二像素區(qū)域PI和P2 。第一和第二柵極線205a和205b可沿水平方向延伸，第一和第二數(shù)據(jù)線230a和230b可沿垂直方向延伸。像素區(qū)域P1和P2每個(gè)都具有沿柵極線205a和205b的方向的長軸和沿?cái)?shù)據(jù)線230a和230b的方向的短軸。解釋聚焦在第一像素區(qū)域PI上。 第一公共連接圖案208由與每個(gè)像素區(qū)域P中形成的每條第一和第二柵極線205a和205b相同的金屬材料形成，并與第一和第二柵極線205a和205b形成在相同的層處。第
10一像素區(qū)域PI中的第一公共連接圖案208與第一和第二柵極線205a和205b分隔開，且與第一柵極線205a相比其更靠近第二柵極線205b。突出部209從第一公共連接圖案208的中心部分向第一柵極線205a突出。突出部209具有梯形?？蛇x擇地，突出部209也可以具有三角形。由于該突出部209，第一公共連接圖案208的中心部分具有比第一公共連接圖案208的其他部分更寬的寬度。第一公共連接圖案208的端部沿第一柵極線205a彎曲成分別大致平行于第一和第二數(shù)據(jù)線230a和230b，從而在第一像素區(qū)域Pl中形成第一和第二最外部公共電極210a和210b。在像素區(qū)域P1中，與第二數(shù)據(jù)線230b相比，第一最外部公共電極210a更靠近第一數(shù)據(jù)線230a，而與第一數(shù)據(jù)線230a相比，第二最外部公共電極210b更靠近第二數(shù)據(jù)線230b。第一和第二最外部公共電極210a和210b用作第一和第二存儲(chǔ)電容器StgCl和StgC2每一個(gè)的第一電極。第一像素區(qū)域P1中的第一最外部公共電極210a通過第一連接圖案211與相鄰像素區(qū)域中的第二最外部公共電極連接，在這兩個(gè)像素區(qū)域之間具有第一數(shù)據(jù)線230a。此外，第一像素區(qū)域P1中的第二最外部公共電極210b通過另一個(gè)第一連接圖案211與相鄰像素區(qū)域中的第一最外部公共電極連接，在這兩個(gè)像素區(qū)域之間具有第二數(shù)據(jù)線230b。第一公共連接圖案208的位于突出部209 —側(cè)的第一部分用作第三存儲(chǔ)電容器StgC3的第一電極，第一公共連接圖案208的位于突出部209另一側(cè)的第二部分用作第四存儲(chǔ)電容器StgC4的第一電極。 在第一柵極線205a和第一數(shù)據(jù)線230a的交叉部分處形成包括柵電極213、柵絕緣層215、含有源層220a和歐姆接觸層220b的半導(dǎo)體層220、源電極233和漏電極236的第一薄膜晶體管(TFT)Trl。柵電極213和源電極233分別與第一柵極線205a和第一數(shù)據(jù)線230a連接。第一TFT Trl的漏電極236沿第一數(shù)據(jù)線230a延伸，以與第一最外部公共電極210a重疊。在第二像素區(qū)域P2中形成與第二柵極線205b和第二數(shù)據(jù)線230b連接的第二TFT Tr2?？蛇x擇地，第二TFT Tr2也可與第二柵極線205b和第一數(shù)據(jù)線230a連接。
在第一 TFT Trl上形成有包括漏極接觸孔243、第一公共接觸孔245和第二公共接觸孔247的鈍化層240。漏極接觸孔243暴露第一 TFT Trl的漏電極236，第一和第二公共接觸孔245和247分別暴露第一公共連接圖案208的突出部209和第二最外部公共電極210b。 此外，在鈍化層240上形成有多個(gè)像素電極254和多個(gè)公共電極264。像素電極254彼此分隔開并相對于突出部209對稱。公共電極264也彼此分隔開并相對于突出部209對稱。像素電極和公共電極254和264彼此交替布置。像素電極254的一端與像素連接圖案252連接。與第一柵極線205a相比，像素連接圖案252更靠近第二柵極線205b。 S卩，像素連接圖案252設(shè)置在第一像素區(qū)域Pl的上部，以與第一公共連接圖案208的第一和第二部分重疊。像素連接圖案252的第一部分與第三存儲(chǔ)電容器StgC3的第一電極重疊，以用作第三存儲(chǔ)電容器StgC3的第二電極。像素連接圖案252的第二部分與第四存儲(chǔ)電容器StgC4的第一電極重疊，以用作第四存儲(chǔ)電容器StgC4的第二電極。像素連接圖案252不與第一公共連接圖案208的中心部分和突出部209重疊。第一公共連接圖案208的第一重疊部分、像素連接圖案252的第一重疊部分、以及柵絕緣層215和鈍化層240的電介質(zhì)材料層構(gòu)成第三存儲(chǔ)電容器StgC3。第一公共連接圖案208的第二重疊部分、像素連接圖案252的第二重疊部分、以及柵絕緣層215和鈍化層240的電介質(zhì)材料層構(gòu)成第四存儲(chǔ)電容器StgC4。與圖5中的陣列基板相比，第三和第四存儲(chǔ)電容器StgC3和StgC4是圖8到10中的陣列基
11板的顯著差別之處。形成了經(jīng)由第一公共接觸孔245與突出部209接觸的公共圖案265。
像素連接線252的端部彎曲成分別與第一和第二最外部公共電極210a和210b重疊。像素連接線252的第一彎曲部分用作第一存儲(chǔ)電容器StgCl的第二電極250a，像素連接線252的第二彎曲部分用作第二存儲(chǔ)電容器StgC2的第二電極250b。第一存儲(chǔ)電容器StgCl的第二電極250a經(jīng)由漏極接觸孔243與漏電極236的一部分接觸。
公共電極264的一端與第二公共連接圖案262連接。第二公共連接圖案262與第一像素區(qū)域P1的下部處的第一柵極線205a分隔開。第二公共連接圖案262包括沿第一柵極線205a從第二公共連接圖案262的中心部分分支出來的第二連接圖案266。第二連接圖案266與第一柵極線205a交叉并與相對于第一像素區(qū)域Pl來說在下面的下部像素區(qū)域中的公共圖案265連接。此外，第二公共連接圖案262的一端經(jīng)由第二公共接觸孔247與第二最外部公共電極210b接觸。 像素電極和公共電極254和264以預(yù)定的角度相對于第一和第二數(shù)據(jù)線230a和230b傾斜。相對于突出部209來說在左側(cè)的像素電極和公共電極254和264平行于具有三角形的突出部209的左側(cè)表面，而相對于突出部209來說在右側(cè)的像素電極和公共電極254和264平行于突出部209的右側(cè)表面。如上所述，像素電極和公共電極254和264相對于突出部209對稱，從而在一個(gè)像素區(qū)域P中獲得雙疇結(jié)構(gòu)。 如上所述，因?yàn)闇p少了包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC芯片的FPC的數(shù)量，所以降低了生產(chǎn)成本。此外，除了第一和第二存儲(chǔ)電容器StgCl和StgC2之外，還具有分別包括第一公共連接圖案208和像素連接圖案252 —部分的第三和第四存儲(chǔ)電容器StgC3和StgC4， IPS模式LCD設(shè)備具有充分的存儲(chǔ)電容。因此，即使柵驅(qū)動(dòng)電路是以縮短后的頻率驅(qū)動(dòng)的，由于具有充分的存儲(chǔ)電容，所以IPS模式LCD設(shè)備仍能正常操作。 此外，因?yàn)榈谝幌袼貐^(qū)域Pl中的像素連接圖案252與第一柵極線205a分隔開了比像素區(qū)域P的主軸的長度大且比像素區(qū)域P的短軸的長度小的距離，所以像素連接圖案252與第一柵極線205之間的寄生電容被最小化。因此，可有效防止閃爍問題，從而IPS模式LCD設(shè)備能顯示高質(zhì)量圖像。 參照圖8到10解釋根據(jù)本發(fā)明的用于IPS模式LCD設(shè)備的陣列基板的制造方法。因?yàn)閳D5中和圖8到10中的陣列基板在像素連接圖案和第二公共連接圖案的位置方面具有差別，所以解釋聚焦在圖8到10中的陣列基板上。為了解釋方便，在像素區(qū)域P中定義了其中形成TFT的開關(guān)區(qū)域TrA。 首先，通過沉積并構(gòu)圖具有低電阻的第一金屬材料的第一金屬層，在基板201上形成柵極線205和第一公共連接圖案208。第一金屬材料可以包括鋁(A1)，A1合金(AlNd)，銅(Cu)，銅合金，鉻(Gr)和鉬(Mo)。在該情形中，突出部209從第一公共連接圖案208的中心部分突出。該突出部具有三角形或梯形。第一公共連接圖案208的端部沿大致垂至于柵極線205的方向彎曲，從而形成第一和第二最外部公共電極210a和210b。第一最外部公共電極210a通過第一連接圖案211與一個(gè)相鄰像素區(qū)域中的第二最外部公共電極連接，而第二最外部公共電極210b通過第一連接圖案211與另一個(gè)相鄰像素區(qū)域中的第一最外部公共電極連接。第一連接圖案211由與第一和第二最外部公共電極210a和210b相同的材料形成，且形成在與第一和第二最外部公共電極210a和210b相同的層處。同時(shí)，在開關(guān)區(qū)域TrA中形成與柵極線205連接的柵電極213。
接著，通過沉積無機(jī)絕緣材料，例如氧化硅或氮化硅，在柵極線205、第一公共連接圖案208、第一和第二最外部公共電極210a和210b、柵電極213和第一連接圖案211上形成柵絕緣層215。 接著，通過沉積本征無定形硅、摻雜后的無定形硅和第二金屬材料，在柵絕緣層215上順序形成本征無定形硅層(沒有示出)、摻雜無定形硅層(沒有示出)和第二金屬層(沒有示出)。通過使用折射曝光法或半色調(diào)曝光法的掩模工藝對第二金屬層、摻雜無定形硅層和本征無定形硅層進(jìn)行構(gòu)圖，從而在開關(guān)區(qū)域TrA中形成有源層220a、歐姆接觸層220b、源電極233和漏電極236。柵電極213、有源層220a、歐姆接觸層220b、源電極233和漏電極236構(gòu)成了第一 TFT Trl或第二 TFT Tr2。 同時(shí)，在柵絕緣層215上形成數(shù)據(jù)線230，該數(shù)據(jù)線230與柵極線205交叉以定義像素區(qū)域P并與源電極233連接。數(shù)據(jù)線230與第一和第二最外部公共電極210a和210b分隔開預(yù)定的距離。因?yàn)槭峭ㄟ^單個(gè)掩模工藝對第二金屬層和本征無定形硅層及摻雜無定形硅層進(jìn)行構(gòu)圖的，所以在數(shù)據(jù)線230下面形成半導(dǎo)體圖案。然而，當(dāng)在形成有源層和歐姆接觸層之后沉積并構(gòu)圖第二金屬層時(shí)，在數(shù)據(jù)線下面沒有半導(dǎo)體圖案。
接著，通過沉積無機(jī)絕緣材料，例如氧化硅或氮化硅，或者通過涂布有機(jī)絕緣材料，例如苯并環(huán)丁烯(BCB)或感光丙烯，在源電極和漏電極233和236以及數(shù)據(jù)線230上形成鈍化層240。對鈍化層240構(gòu)圖，從而形成暴露漏電極236 —部分的漏極接觸孔243、暴露突出部209 —部分的第一公共接觸孔245和暴露第二最外部公共電極210b —部分的第二公共接觸孔247。 接著，通過沉積并構(gòu)圖透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，在鈍化層240上形成像素電極254和像素連接圖案252。像素連接圖案252通過漏極接觸孔243與漏電極236連接。像素電極254是從像素連接圖案252分支出來的。換句話說，像素連接圖案252與像素電極254的一端連接。 同時(shí)，形成第二公共連接圖案262、公共電極264、公共圖案265和第二連接圖案266。第二公共連接圖案262通過第二公共接觸孔247與第二最外部公共電極210接觸。公共電極264是從第二公共連接圖案262分支出來的，并與像素電極254交替布置。公共圖案265通過第一公共接觸孔245與突出部209接觸，從而與第一公共連接圖案208連接。第二連接圖案266將一個(gè)像素區(qū)域P中的第二公共連接圖案262連接到下部像素區(qū)域中的公共圖案265。 第一最外部公共電極210a、作為第二電極250a的像素連接圖案252的一個(gè)彎曲端、柵絕緣層215和鈍化層240構(gòu)成了第一存儲(chǔ)電容器StgCl。第二最外部公共電極210b、作為第二電極250b的像素連接圖案252的另一個(gè)彎曲端、柵絕緣層215和鈍化層240構(gòu)成了第二存儲(chǔ)電容器StgC2。第一公共連接圖案208的一側(cè)、像素連接圖案252的一側(cè)、柵絕緣層215和鈍化層240構(gòu)成了第三存儲(chǔ)電容器StgC3。第一公共連接圖案208的另一側(cè)、像素連接圖案252的另一側(cè)、柵絕緣層215和鈍化層240構(gòu)成了第四存儲(chǔ)電容器StgC4。
在圖8中，像素連接圖案252位于像素區(qū)域P的上部，第二公共連接圖案262位于像素區(qū)域P的下部。然而，在圖5中，像素連接圖案152位于像素區(qū)域P的下部，第二公共連接圖案162位于像素區(qū)域P的上部。在圖8中，第二公共連接圖案262與下部像素區(qū)域中的第一公共連接圖案連接。然而，在圖5中，第二公共連接圖案162與和第二公共連接圖
13案162重疊的第一公共連接圖案108連接。 在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在本發(fā)明中可進(jìn)行各種修改和變化，這對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。因而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等價(jià)物范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改方案和變型。
權(quán)利要求
一種用于平面切換模式液晶顯示設(shè)備的陣列基板，包括在包括第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域的基板上的第一柵極線和第二柵極線；在所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域中的每一個(gè)的上側(cè)中的第一公共連接圖案；從所述第一公共連接圖案的端部延伸的第一最外部公共電極和第二最外部公共電極；在所述第一柵極線和第二柵極線、所述第一公共連接圖案以及所述第一最外部公共電極和第二最外部公共電極上的柵絕緣層；在所述柵絕緣層上并與所述第一柵極線和第二柵極線交叉以定義所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域沿所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的方向彼此相鄰；在所述第一像素區(qū)域中的并與所述第一柵極線和所述第一數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極，所述漏電極延伸成與所述第一最外部公共電極重疊；在所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線以及所述薄膜晶體管上的鈍化層，所述鈍化層包括暴露所述漏電極一部分的漏極接觸孔和暴露所述第二最外部公共電極一部分的第一公共接觸孔；在所述鈍化層上的并彼此分隔開的多個(gè)像素電極；在所述鈍化層上的并與所述像素電極的一端連接的像素連接圖案，所述像素連接圖案通過所述漏極接觸孔與所述漏電極連接，所述像素連接圖案與所述第一最外部公共電極和第二最外部公共電極以及所述第一公共連接圖案的第一部分和第二部分重疊；在所述鈍化層上的并與所述像素電極交替布置的多個(gè)公共電極；和在所述像素區(qū)域下側(cè)的并在所述鈍化層上的第二公共連接圖案，所述第二公共連接圖案通過所述第一公共接觸孔與所述第二最外部公共電極連接，并連接到所述公共電極的一端。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域中的每一個(gè)都 具有沿所述柵極線的長軸和沿所述數(shù)據(jù)線的短軸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所述第一像素區(qū)域中的所述第一最外部公共電極 與第三像素區(qū)域中的所述第二最外部公共電極連接，且在所述第一像素區(qū)域和第三像素區(qū) 域之間具有所述第一數(shù)據(jù)線，而所述第一像素區(qū)域中的所述第二最外部公共電極與第四像 素區(qū)域中的所述第一最外部公共電極連接，且在所述第一像素區(qū)域和第四像素區(qū)域之間具 有所述第二數(shù)據(jù)線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，進(jìn)一步包括從所述第一像素區(qū)域中的所述第一公共連接圖案的中心部分突出的突出部沿所述第 一柵極線延伸；通過暴露出所述第一公共連接圖案的一部分的第二公共接觸孔與所述第一公共連接 圖案連接的、并對應(yīng)于所述第一公共連接圖案中心部分的公共圖案；禾口將所述第一像素區(qū)域中的所述公共圖案連接到所述第二像素區(qū)域中的所述第二公共 連接圖案的第二連接圖案。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板，其中所述突出部具有三角形或梯形。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板，其中相對于所述突出部來說位于第一側(cè)的所述像素電 極和公共電極平行于所述突出部的第一側(cè)表面，而相對于所述突出部來說位于第二側(cè)的所 述像素電極和公共電極平行于所述突出部的第二側(cè)表面。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板，其中所述第一連接圖案的所述第一部分和第二部分設(shè) 置在所述突出部的 一側(cè)和另 一側(cè)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所述第一最外部公共電極、所述像素連接圖案的 第一部分、所述柵絕緣層和所述鈍化層構(gòu)成第一存儲(chǔ)電容器，所述第二最外部公共電極、所 述像素連接圖案的第二部分、所述柵絕緣層和所述鈍化層構(gòu)成第二存儲(chǔ)電容器。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板，其中所述第一公共連接圖案的第一部分、所述像素連 接圖案的第三部分、所述柵絕緣層和所述鈍化層構(gòu)成第三存儲(chǔ)電容器，所述第一公共連接 圖案的第二部分、所述像素連接圖案的第四部分、所述柵絕緣層和所述鈍化層構(gòu)成第四存 儲(chǔ)電容器。
10. —種用于平面切換模式液晶顯示設(shè)備的陣列基板，包括 在包括第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域的基板上的第一柵極線和第二柵極線； 在所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域中的每一個(gè)的上側(cè)中的第一公共連接圖案； 從所述第一公共連接圖案的端部延伸的第一最外部公共電極和第二最外部公共電極；在所述第一柵極線和第二柵極線、所述第一公共連接圖案以及所述第一最外部公共電 極和第二最外部公共電極上的柵絕緣層；在所述柵絕緣層上并與所述第一柵極線和第二柵極線交叉以定義所述第一像素區(qū)域 和第二像素區(qū)域的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域沿所述第 一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的方向彼此相鄰；在所述第一像素區(qū)域中的并與所述第一柵極線和所述第一數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管， 所述薄膜晶體管包括柵電極、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極，所述漏電極延伸成與所述第一最 外部公共電極重疊；在所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線以及所述薄膜晶體管上的鈍化層，所述鈍化層包括暴 露所述漏電極一部分的漏極接觸孔和暴露所述第一公共連接圖案一部分的第一公共接觸 孔；在所述鈍化層上的并彼此分隔開的多個(gè)像素電極；在所述鈍化層上的并與所述像素電極的一端連接的像素連接圖案，所述像素連接圖案 通過所述漏極接觸孔與所述漏電極連接，所述像素連接圖案面對所述第一公共連接圖案以 使得所述像素電極設(shè)置在所述像素連接圖案與所述第一公共連接圖案之間； 在所述鈍化層上的并與所述像素電極交替布置的多個(gè)公共電極；禾口 與所述第一公共連接圖案重疊并在所述鈍化層上的第二公共連接圖案，所述第二公共 連接圖案與所述公共電極的一端連接，所述第二公共連接圖案通過所述第一公共接觸孔與 所述第一公共連接圖案連接。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板，其中所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域中的每一個(gè) 都具有沿所述柵極線的長軸和沿所述數(shù)據(jù)線的短軸。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板，其中所述第一像素區(qū)域中的所述第一最外部公共電極與第三像素區(qū)域中的所述第二最外部公共電極連接，且在所述第一像素區(qū)域和第三像素 區(qū)域之間具有所述第一數(shù)據(jù)線，而所述第一像素區(qū)域中的所述第二最外部公共電極與第四 像素區(qū)域中的所述第一最外部公共電極連接，且在所述第一像素區(qū)域和第四像素區(qū)域之間 具有所述第二數(shù)據(jù)線。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板，進(jìn)一步包括從所述第一像素區(qū)域中的所述第一公共連接圖案的中心部分突出的突出部沿所述第 一柵極線延伸；通過所述鈍化層中的第二公共接觸孔將所述第一像素區(qū)域中的所述第二公共連接圖 案連接到所述第二像素區(qū)域中的所述第二最外部公共電極的第二連接圖案。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板，其中所述突出部具有三角形或梯形。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板，其中相對于所述突出部來說位于第一側(cè)的所述像素 電極和公共電極平行于所述突出部的第一側(cè)表面，而相對于所述突出部來說位于第二側(cè)的 所述像素電極和公共電極平行于所述突出部的第二側(cè)表面。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板，其中所述第一最外部公共電極、所述像素連接圖案 的第一部分、所述柵絕緣層和所述鈍化層構(gòu)成第一存儲(chǔ)電容器，所述第二最外部公共電極、 所述像素連接圖案的第二部分、所述柵絕緣層和所述鈍化層構(gòu)成第二存儲(chǔ)電容器。
全文摘要
一種用于平面切換模式液晶顯示設(shè)備的陣列基板，包括在包括第一和第二像素區(qū)域的基板上的第一和第二柵極線；在每個(gè)第一和第二像素區(qū)域上側(cè)中的第一公共連接圖案；從第一公共連接圖案的端部延伸的第一和第二最外部公共電極；在第一和第二柵極線、第一公共連接圖案以及第一和第二最外部公共電極上的柵絕緣層；在柵絕緣層上并與第一和第二柵極線交叉的第一和第二數(shù)據(jù)線；在第一像素區(qū)域中的并與第一柵極線和所述第一數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；在第一和第二數(shù)據(jù)線以及薄膜晶體管上的鈍化層；在鈍化層上的并彼此分隔開的多個(gè)像素電極；在鈍化層上的像素連接圖案；在鈍化層上的多個(gè)公共電極；和在像素區(qū)域下側(cè)的并在鈍化層上的第二公共連接圖案。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK101750828SQ20091014898
公開日2010年6月23日 申請日期2009年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月17日
發(fā)明者李敏職, 辛承贊 申請人:樂金顯示有限公司