專利名稱:顯示裝置、液晶顯示裝置及具備其的電子設備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明的一個方式涉及顯示裝置或顯示裝置的驅(qū)動方法。特別涉及將像素分 割為多個子像素的液晶顯示裝置及該液晶顯示裝置的驅(qū)動方法。再者,還涉及液晶 顯示裝置或其顯示部具有液晶顯示裝置的電子設備。
背景技術(shù):
液晶顯示裝置用于多種電氣產(chǎn)品如移動電話機、電視接收器等,并且為實現(xiàn) 更高質(zhì)量化而進行許多研究開發(fā)。
液晶顯示裝置具有如下優(yōu)點,即與CRT (顯像管)相比小型且輕量,并且耗電 量小。另一方面,具有視角窄的問題。近年來,對多象限方式,即取向分割法進行 許多研究開發(fā),以便改善視角特性。例如,有組合VA方式(Vertical Alignment; 垂直取向方式)和多象限方式的MVA方式(Multi-domain Vertical Alignment; 多疇垂直取向方式)及PVA方式(Patterned Vertical Alignmnet;垂直取向構(gòu)型 方式)等。
目前,正在進行一種研究開發(fā),其中通過將一個像素分割為多個子像素并使 各子像素中的液晶的取向狀態(tài)為不同而實現(xiàn)視角的提高。然而,因為將像素分割為 多個子像素,所以需要對一個像素輸入多個信號。因此,為驅(qū)動顯示裝置而需要的 信號數(shù)增加。于是,進行將一個像素的信號轉(zhuǎn)換為各子像素用信號的研究開發(fā)(參 照專利文獻l)。日本專利申請公開2007-226196號公報
但是,專利文獻1的顯示裝置在面板的外部生成對應于各子像素的信號。因 此,若是將像素分割為多個子像素,則面板和外部部件的連接數(shù)大幅度地增加。結(jié) 果,有面板和外部部件的連接部分產(chǎn)生連接不良而可靠性降低的課題。或者,還有 當制作顯示裝置之際的成品率降低而成本增高的課題?;蛘?,還有因面板和外部部 件的連接數(shù)增加而不容易將顯示裝置制造為高精細的課題。
或者,有時為生成對應于各子像素的信號而使用查找表。因此有不容易將生成對應于各子像素的信號的部分和像素形成在相同的襯底上的課題。
或者,為從存儲有査找表的存儲元件讀取對應于各子像素的信號而需要使存 儲元件進行高速驅(qū)動。因此,從存儲元件的查找表的讀取引起發(fā)熱或耗電量的增大 等?;蛘撸驗樾枰O置存儲查找表的存儲元件,所以成本增高。或者,從生成對 應于各子像素的信號至寫入到各子像素的路徑長,在該路徑途中具有面板和外部部 件的連接部分。因此,具有信號容易受到雜波的影響,而顯示質(zhì)量降低的課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題,課題之一在于不使用査找表地將一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為多個 模擬信號;減少面板和外部部件的連接數(shù);提高可靠性;提高成品率;縮減成本; 將顯示部制造為高精細;實現(xiàn)廉價化;不容易發(fā)熱;減少耗電量;或者使其具有對 雜波的耐受性而提高顯示質(zhì)量。此外,使用其他各種方法提供更優(yōu)質(zhì)的顯示裝置或 半導體裝置。
本發(fā)明的一個方式涉及一種顯示裝置,其中包括將像素分割為多個子像素并 將一個像素的信號轉(zhuǎn)換為各子像素用信號的轉(zhuǎn)換電路例如數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換電路。而 且,本發(fā)明中的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)的要旨在于使供給一個像素的信號的布線 和具有分別供給有多個電壓的布線的布線群電連接。例如, 一個布線群具有對應于 一個子像素的灰度級的多個電壓。注意,在像素具有n個子像素的情況下,布線群 數(shù)為n個。例如,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換電路選擇第i (i: l至n中任一個)個布線群所具 有的多個電壓中任一個,并將該多個電壓值中任一個寫入到第i個子像素。
注意,由參考驅(qū)動器(以下,也稱為灰度級電壓生成電路)生成輸入到多個 布線群的多個電壓(以下,也稱為灰度級電壓群)。該參考驅(qū)動器有時被包括在數(shù) 字模擬轉(zhuǎn)換電路中,有時不被包括在其中。
注意,有時一個參考驅(qū)動器生成多個灰度級電壓群,有時多個參考驅(qū)動器分 別生成一個灰度級電壓群。
注意,不局限于將像素分割為多個子像素。也可以不將像素分割為多個子像素。
注意,在很多情況下,群是指集合體。例如,電壓群是指多個電壓。作為另 一例子,布線群是指多個布線。作為另一例子,電流群是指多個電流。作為另一例 子,信號群是指多個信號。
注意,例如,電壓群中任一個是指一個電壓群所具有的多個電壓中任一個。同樣地,例如,布線群中任一個是指供給有一個布線群所具有的多個電壓中任一個 電壓的布線。
注意,例如,多個電壓群是指有多個集合體(群),且該多個集合體分別具有 多個電壓的情況。同樣地,例如,多個布線群是指有多個集合體(群),且該多個 集合體分別具有多個布線的情況。
本發(fā)明的一個方式是一種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū)動液晶 元件的電極的第一至第n (n是2以上的自然數(shù))子像素;以及電路,該電路 具有使用由第一至第n布線群供給的M (M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓 將N (N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為n個模擬信號,且將所述n 個模擬信號分別輸入到所述第一至第n子像素的功能。
此外,本發(fā)明的一個方式是一種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū) 動液晶元件的電極的第一至第n (n是2以上的自然數(shù))子像素;以及第一至 第n電路,該第一至第n電路具有使用由布線群供給的M (M是2以上的自然 數(shù))個不同的電壓將N (N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號, 且將所述模擬信號輸入到所述第一至第n子像素中任一個的功能。
此外,本發(fā)明的一個方式是一種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū) 動液晶元件的電極的第一子像素及第二子像素;以及電路,該電路具有使用由 第一布線群及第二布線群供給的M (M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓將N
(N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第一模擬信號及第二模擬信號, 且將所述第一模擬信號輸入到所述第一子像素并將所述第二模擬信號輸入到 所述第二子像素的功能。
此外,本發(fā)明的一個方式是一種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū) 動液晶元件的電極的第一至第n (n是2以上的自然數(shù))子像素;對N (N是2 以上的自然數(shù))位的第一數(shù)字信號進行譯碼并轉(zhuǎn)換為第二數(shù)字信號的第一電 路;以及n個第二電路,該n個第二電路具有使用由布線群供給的M (M是2 以上的自然數(shù))個不同的電壓將所述第二數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號,且將所述 模擬信號輸入到所述第一至第n子像素中任一個的功能。
此外,本發(fā)明的一個方式是一種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū) 動液晶元件的電極的第一子像素及第二子像素;對N (N是2以上的自然數(shù)) 位的第一數(shù)字信號進行譯碼并將其轉(zhuǎn)換為第二數(shù)字信號的第一電路;以及兩個 第二電路,該兩個第二電路具有使用由布線群供給的M (M是2以上的自然數(shù))個的不同的電壓將所述第二數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號,且將所述模擬信號輸入 到所述第一子像素或所述第二子像素的功能。
此外,本發(fā)明的一個方式包括第一模式、第二模式、具有第一子像素及第二
子像素的像素、以及電路,其中,電路電連接有用來供給N(N是2以上的自然數(shù)) 位的數(shù)字信號的N個布線、具有用來供給M (M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓 的M個布線的第一布線群及第二布線群、以及具有用來供給M個不同的電壓的M 個布線的第三布線群及第四布線群,并且,電路具有如下功能,即在第一模式中使 用供給到第一布線群及第二布線群的M個電壓將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第一模擬信號及 第二模擬信號,且將第一模擬信號輸入到第一子像素并將第二模擬信號輸入到第二 子像素,而在第二模式中使用供給到第三布線群及第四布線群的M個電壓將數(shù)字信 號轉(zhuǎn)換為第三模擬信號及第四模擬信號,且將第三模擬信號輸入到第一子像素并將 第四模擬信號輸入到第二子像素,并且,第一子像素及第二子像素分別具有用來驅(qū) 動液晶元件的電極。
此外,本發(fā)明的一個方式是一種液晶顯示裝置,包括第一模式、第二模式、 具有第一子像素及第二子像素的像素、第一電路、第二電路、第三電路、以及第四 電路,其中,第一電路電連接有用來供給N (N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字信號 的N個布線和具有用來供給M (M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓的M個布線的 第一布線群,并且,第二電路電連接有用來供給N位的數(shù)字信號的N個布線和具有 用來供給M個不同的電壓的M個布線的第二布線群,并且,第三電路電連接有用來 供給N位的數(shù)字信號的N個布線和具有用來供給M個不同的電壓的M個布線的第三 布線群,并且,第四電路電連接有用來供給N位的數(shù)字信號的N個布線和具有用來 供給M個不同的電壓的M個布線的第四布線群,并且,第一電路及第二電路具有在 第一模式中使用供給到第一布線群及第二布線群的M個電壓將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第 一模擬信號及第二模擬信號,且將第一模擬信號輸入到第一子像素并將第二模擬信 號輸入到第二子像素的功能,并且,第三電路及第四電路具有在第二模式中使用供 給到第三布線群及第四布線群的M個電壓將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第三模擬信號及第四 模擬信號,且將第三模擬信號輸入到第一子像素并將第四模擬信號輸入到第二子像 素的功能,并且,第一子像素及第二子像素分別具有用來驅(qū)動液晶元件的電極。
此外,本發(fā)明的一個方式是一種液晶顯示裝置,包括第一模式、第二模式、 具有第一子像素及第二子像素的像素、第一電路、第二電路、第三電路、第四電路、 第五電路、以及第六電路,其中,第一電路具有對N (N是2以上的自然數(shù))位的第一數(shù)字信號進行譯碼并轉(zhuǎn)換為第二數(shù)字信號,且由2N個布線將第二數(shù)字信號分 別輸入到第三電路及第四電路的功能,并且,第二電路具有對N位的第一數(shù)字信號 進行譯碼并轉(zhuǎn)換為第三數(shù)字信號,且由"個布線將第三數(shù)字信號分別輸入到第三 電路及第四電路的功能,并且,第三電路電連接有具有用來供給M (M是2以上的 自然數(shù))個不同的電壓的M個布線的第一布線群,并且,第四電路電連接有具有用 來供給M (M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓的M個布線的第二布線群,并且, 第五電路電連接有具有用來供給M (M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓的M個布 線的第三布線群,并且,第六電路電連接有具有用來供給M(M是2以上的自然數(shù)) 個不同的電壓的M個布線的第三布線群,并且,第三電路及第四電路具有在第一模 式中使用供給到"個布線及布線群的M個電壓將第二數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第一模擬信 號及第二模擬信號,且將第一模擬信號輸入到第一子像素并將第二模擬信號輸入到 第二子像素的功能,第五電路及第六電路具有在第二模式中使用供給到布線群的M 個電壓將第三數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第三模擬信號及第四模擬信號,且將第三模擬信號輸 入到第一子像素并將第四模擬信號輸入到第二子像素的功能,并且,第一子像素及 第二子像素分別具有用來驅(qū)動液晶元件的電極。
另外,可以使用各種方式的開關(guān),例如有電開關(guān)或機械開關(guān)等。換言之, 只要可以控制電流的流動,則不局限于特定開關(guān)。例如,作為開關(guān),可以使用 晶體管(例如,雙極晶體管或MOS晶體管等)、二極管(例如,PN二極管、PIN 二極管、肖特基二極管、MIM (Metal Insulator Metal;金屬-絕緣體-金屬) 二極管、MIS (Metal Insulator Semiconductor;金屬-絕緣體-半導體)二極 管、二極管連接的晶體管等)等。或者,可以使用組合了它們的邏輯電路作為 開關(guān)。
作為機械開關(guān)的例子,有如數(shù)字微鏡裝置(DMD)的利用MEMS (微電子機 械系統(tǒng))技術(shù)的開關(guān)。該開關(guān)具有以機械方式可動的電極,并且通過該電極運 動控制來導通和不導通而進行工作。
另外,也可以通過使用N溝道型晶體管和P溝道型晶體管雙方來將CMOS 型開關(guān)用作開關(guān)。
注意,在將晶體管用作開關(guān)的情況下,開關(guān)具有輸入端子(源極端子及漏 極端子之一方)、輸出端子(源極端子及漏極端子之另一方)以及控制導通的 端子(柵極端子)。另一方面,在將二極管用作開關(guān)的情況下,開關(guān)有時不具 有控制導通的端子。因此,與使用晶體管作為開關(guān)的情況相比,通過使用二極管作為開關(guān),可以減少用來控制端子的布線數(shù)量。
注意,明確記載"A和B連接"的情況包括如下情況A和B電連接;A和 B功能連接;以及A和B直接連接。在此,以A和B為對象物(例如,裝置、 元件、電路、布線、電極、端子、導電膜、層等)。因此,還包括附圖或文章 所示的連接關(guān)系以外的連接關(guān)系,而不局限于預定的連接關(guān)系例如附圖或文章 所示的連接關(guān)系。
例如,作為A和B電連接的情況,也可以在A和B之間連接有一個以上的 能夠電連接A和B的元件(例如開關(guān)、晶體管、電容元件、電感器、電阻元件、 二極管等)?;蛘撸鳛锳和B功能連接的情況,也可以在A和B之間連接有 一個以上的能夠功能連接A和B的電路(例如,邏輯電路(反相器、NAND電路、 N0R電路等)、信號轉(zhuǎn)換電路(DA轉(zhuǎn)換電路、AD轉(zhuǎn)換電路、伽馬校正電路等)、 電位電平轉(zhuǎn)換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位電 平的電平轉(zhuǎn)移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠使信號 振幅或電流量等增大的電路、運算放大器、差動放大電路、源極跟隨電路、緩 沖電路等)、信號產(chǎn)生電路、存儲電路、控制電路等)。例如,在從A輸出的 信號傳達到B的情況下,即使在A和B之間夾有其他電路,A和B也功能連接。
注意,當明確記載"A和B電連接"時,包括如下情況A和B電連接(就 是說,A和B連接并在其中間夾有其他元件或其他電路);A和B功能連接(就 是說,A和B功能連接并在其中間夾有其他電路);以及A和B直接連接(就 是說,A和B連接并在其中間沒夾有其他元件或其他電路)。就是說,明確記 載"電連接"的情況與明確記載只"連接"的情況相同。
注意,顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發(fā)光元件、以及 作為具有發(fā)光元件的裝置的發(fā)光裝置可以采用各種方式或具有各種元件。例 如,作為顯示元件、顯示裝置、發(fā)光元件或發(fā)光裝置,可以使用對比度、亮度、 反射率、透過率等因電磁作用而變化的顯示介質(zhì)如EL (電致發(fā)光)元件(包含 有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED (白色LED、 紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、晶體管(根據(jù)電流而發(fā)光的晶體管)、 電子發(fā)射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵陶(GLV)、等離子體 顯示器(PDP)、數(shù)字微鏡裝置(DMD)、壓電陶瓷顯示器、碳納米管等。此外, 作為使用EL元件的顯示裝置,有EL顯示器,作為使用電子發(fā)射元件的顯示裝 置,有場致發(fā)光顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED:Surface-conduction Electron-emitter Display; 表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射 顯示器)等,作為使用液晶元件的顯示裝置,有液晶顯示器(透過型液晶顯示 器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液 晶顯示器),并且作為使用電子墨水或電泳元件的顯示裝置,有電子紙。
另外,液晶元件是指通過利用液晶的光學調(diào)制作用控制光的透過或非透過 的元件,并且它由一對電極及液晶構(gòu)成。另外,液晶的光學調(diào)制作用由施加到 液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或傾向電場)控制。注意,作為液晶元 件,可以使用向列相液晶、膽甾相液晶、近晶相液晶、盤狀液晶、熱致液晶、 溶致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、鐵電液晶、 反鐵電液晶、主鏈液晶、側(cè)鏈高分子液晶、等離子體尋址液晶(PALC)、香蕉 型液晶、TN (Twisted Neraatic;扭轉(zhuǎn)向列)模式、STN (Super Twisted Nematic; 超扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching;平面內(nèi)切換)模式、FFS (Fringe Field Switching;邊緣場切換)模式、MVA (Multi-domain Vertical Alignment; 多疇垂直取向)模式、PVA (Patterned Vertical Alignment;垂直取向構(gòu)型) 模式、ASV (Advanced Super View;流動超視覺)模式、ASM (Axially Symmetric aligned Micro-cell;軸線對稱排列微單元)模式、OCB (Optical Compensated Birefringence;光學補償彎曲)模式、ECB (Electrically Controlled Birefringence;電控雙折射)模式、FLC (Ferroelectric Liquid Crystal; 鐵電液晶)模式、AFLC (AntiFerroelectric Liquid Crystal;反鐵電液晶) 模式、PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal;聚合物分散液晶)模式、 賓主模式、藍相(Blue Phase)模式等。然而,不局限于此,可以使用各種液 晶作為液晶元件。
此外,作為晶體管,可以使用各種方式的晶體管。因此,對所使用的晶體 管的種類沒有限制。例如,可以使用具有以非晶硅、多晶硅或微晶(也稱為納 米晶體、半非晶(semi-amorphous))硅等為代表的非單晶半導體膜的薄膜晶 體管(TFT)等。在使用TFT的情況下,具有各種優(yōu)點。例如,因為可以在比 使用單晶硅時低的溫度下制造TFT,因此可以實現(xiàn)制造成本的降低或制造設備 的大型化。由于可以使用大型制造設備,所以可以在大型襯底上制造。因此, 可以同時制造許多顯示裝置,而可以以低成本制造。再者,因為制造溫度低, 因此可以使用低耐熱性襯底。由此,可以在具有透光性的襯底上制造晶體管。 并且,可以使用具有透光性的襯底上的晶體管控制顯示元件的光透過?;蛘?,因為晶體管的膜厚薄,所以構(gòu)成晶體管的膜的一部分能夠透過光。因此,可以 提高開口率。
注意,當制造多晶硅時,可以使用催化劑(鎳等)進一步提高結(jié)晶性,來 制造電特性良好的晶體管。
注意,當制造微晶硅時,可以使用催化劑(鎳等)進一步提高結(jié)晶性,來 制造電特性良好的晶體管。此時,也可以只進行熱處理而不進行激光照射,以 提高結(jié)晶性。
注意,可以不使用催化劑(鎳等)而制造多晶硅或微晶硅。 另外,優(yōu)選在整個面板上將硅的結(jié)晶性提高到多晶或微晶等,但不局限于 此。也可以只在面板的一部分區(qū)域中提高硅的結(jié)晶性。通過選擇性地照射激光 等,也可以選擇性地提高結(jié)晶性。例如,也可以只對作為像素以外的區(qū)域的外 圍電路區(qū)域照射激光?;蛘?,也可以只對柵極驅(qū)動電路及源極驅(qū)動電路等的區(qū) 域照射激光?;蛘?,也可以只對源極驅(qū)動電路的一部分(例如,模擬開關(guān))的 區(qū)域照射激光。
或者,可以使用半導體襯底及soi襯底等形成晶體管。
或者,可以使用具有ZnO、 a-InGaZnO、 SiGe、 GaAs、 IZ0、 IT0、 Sn0等的 化合物半導體或氧化物半導體的晶體管、使這些化合物半導體或氧化物半導體 薄膜化的薄膜晶體管等。注意,這些化合物半導體或氧化物半導體不僅可以用 于晶體管的溝道部分,而且還可以作為其他用途使用。例如,這些化合物半導
體或氧化物半導體可以用作電阻元件、像素電極、具有透光性的電極。 或者,也可以使用通過噴墨法或印刷法而形成的晶體管等。 或者,也可以使用具有有機半導體或碳納米管的晶體管等。 再者,可以使用各種結(jié)構(gòu)的晶體管。例如,可以將MOS型晶體管、結(jié)型晶
體管、雙極晶體管等用作晶體管。
注意,也可以將MOS型晶體管、雙極晶體管等形成在一個襯底上。 此外,可以使用各種晶體管。
注意,可以使用各種襯底形成晶體管。對襯底的種類沒有特別的限制。作 為這種襯底,例如可以使用單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料 襯底、不銹鋼襯底、具有不銹鋼箔的襯底等。
注意,可以采用各種結(jié)構(gòu)的晶體管,而不局限于特定的結(jié)構(gòu)。例如,可以 采用具有兩個以上的柵電極的多柵極結(jié)構(gòu)。在多柵極結(jié)構(gòu)中,溝道區(qū)串聯(lián),而成為多個晶體管串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。
作為另一例子,可以采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)。 也可以采用柵電極配置在溝道區(qū)上的結(jié)構(gòu)、柵電極配置在溝道區(qū)下的結(jié) 構(gòu)、正交錯結(jié)構(gòu)、反交錯結(jié)構(gòu)、將溝道區(qū)分割成多個區(qū)域的結(jié)構(gòu)、溝道區(qū)并聯(lián) 的結(jié)構(gòu)或溝道區(qū)串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。另外,還可以采用溝道區(qū)(或其一部分)與源電 極或漏電極重疊的結(jié)構(gòu)。
注意,作為晶體管,可以采用各種各樣的類型,并可以使用各種襯底形成。 因此,為實現(xiàn)預定功能而需要的所有電路可以形成在同一襯底上。例如,為實 現(xiàn)預定功能而需要的所有電路也可以使用各種襯底如玻璃襯底、塑料襯底、單
晶襯底或SOI襯底等形成。通過使用同一襯底形成為實現(xiàn)預定功能而需要的所
有電路,可以減少零部件個數(shù)來降低成本,或者,可以減少與電路零部件之間 的連接個數(shù)來提高可靠性?;蛘撸部梢詾閷崿F(xiàn)預定功能而需要的電路的一部 分形成在某個襯底上,而為實現(xiàn)預定功能而需要的電路的另一部分形成在另一 襯底上。換言之,為實現(xiàn)預定功能而需要的所有電路也可以不使用同一襯底形 成。例如,為實現(xiàn)預定功能而需要的電路的一部分使用晶體管而形成在玻璃襯 底上,而為實現(xiàn)預定功能而需要的電路的另一部分形成在單晶襯底上,并通過
C0G (玻璃上芯片)將由使用單晶襯底形成的晶體管構(gòu)成的IC芯片連接到玻璃 襯底,以在玻璃襯底上配置該IC芯片?;蛘?,也可以通過TAB (巻帶式自動接 合)或印刷電路板使該IC芯片和玻璃襯底連接。像這樣,通過將電路的一部 分形成在同一襯底上,可以實現(xiàn)減少零部件個數(shù)來降低成本或可以實現(xiàn)減少與 電路零部件之間的連接個數(shù)來提高可靠性。或者,因為在驅(qū)動電壓高的部分及 驅(qū)動頻率高的部分中的電路的耗電量增高,因此將該部分的電路不形成在同一
襯底上,而例如,通過將該部分的電路形成在單晶襯底上來使用由該電路構(gòu)成 的IC芯片,可以防止耗電量的增加。
注意,晶體管是指具有至少三個端子,即柵極、漏極以及源極的元件,并 在漏區(qū)和源區(qū)之間具有溝道區(qū),而且電流能夠通過漏區(qū)、溝道區(qū)以及源區(qū)流動。 這里,因為源極和漏極根據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)或工作條件等變化,因此不容易限定 哪個是源極或漏極。于是,有時將用作源極及漏極的區(qū)域不稱為源極或漏極。 在此情況下,作為一例,有時將它們分別表示為第一端子和第二端子?;蛘?, 將它們分別表示為第一電極和第二電極?;蛘?,將它們分別表示為第一區(qū)域和 第二區(qū)域。注意,晶體管也可以是具有包括基極、發(fā)射極、集電極的至少三個端子的 元件。在此情況下也同樣地,有時將發(fā)射極和集電極表示為第一端子、第二端子等。
半導體裝置是指具有包括半導體元件(晶體管、二極管、可控硅整流器等) 的電路的裝置。再者,也可以將通過利用半導體特性起到作用的所有裝置稱為 半導體裝置?;蛘?,將具有半導體材料的裝置稱為半導體裝置。
顯示裝置是指具有顯示元件的裝置。顯示裝置也可以具有包括顯示元件的 多個像素。顯示裝置可以包括驅(qū)動多個像素的外圍驅(qū)動電路。驅(qū)動多個像素的 外圍驅(qū)動電路也可以形成在與多個像素相同的襯底上。顯示裝置可以包括通過
引線接合及凸塊等而配置在襯底上的外圍驅(qū)動電路,即通過玻璃上芯片(COG) 連接的IC芯片或通過TAB等連接的IC芯片。顯乖裝置也可以包括安裝有IC 芯片、電阻元件、電容元件、電感器、晶體管等的柔性印刷電路(FPC)。顯 示裝置也可以包括通過柔性印刷電路(FPC)等連接且安裝有IC芯片、電阻元 件、電容元件、電感器、晶體管等的印刷線路板(PWB)。顯示裝置也可以包 括偏振片或相位差板等的光學片。顯示裝置還可以包括照明裝置、外殼、聲音 輸出入裝置、光傳感器等。
照明裝置也可以包括背光燈單元、導光板、棱鏡片、擴散片、反射片、光 源(LED、冷陰極管等)、冷卻裝置(水冷式、空冷式)等。
發(fā)光裝置是指具有發(fā)光元件等的裝置。在具有發(fā)光元件作為顯示元件的情 況下,發(fā)光裝置是顯示裝置的具體例子之一。
反射裝置是指具有光反射元件、光衍射元件、光反射電極等的裝置。
液晶顯示裝置是指具有液晶元件的顯示裝置。作為液晶顯示裝置,可以舉 出直觀型、投射型、透過型、反射型、半透過型等。
驅(qū)動裝置是指具有半導體元件、電路、電子電路的裝置。例如,控制將信 號從源極信號線輸入到像素內(nèi)的晶體管(有時稱為選擇晶體管、開關(guān)晶體管 等)、將電壓或電流提供到像素電極的晶體管、將電壓或電流提供到發(fā)光元件 的晶體管等是驅(qū)動裝置的一例。再者,將信號提供到柵極信號線的電路(有時
稱為柵極驅(qū)動器、柵極線驅(qū)動電路等)、將信號提供到源極信號線的電路(有 時稱為源極驅(qū)動器、源極線驅(qū)動電路等)等是驅(qū)動裝置的一例。
有可能同時包括顯示裝置、半導體裝置、照明裝置、冷卻裝置、發(fā)光裝置、 反射裝置、驅(qū)動裝置等。例如,顯示裝置有時具有半導體裝置及發(fā)光裝置。此外,半導體裝置有時具有顯示裝置及驅(qū)動裝置。
因為根據(jù)本發(fā)明的一個方式,可以將一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為多個模擬信號,因 此可以不使用查找表。因此,可以防止從存儲元件的查找表的讀取所引起的發(fā)熱或 耗電量的增大等?;蛘撸驗榭梢栽诿姘迳仙蓪诟髯酉袼氐男盘?,所以可以 減少面板和外部部件的連接數(shù)?;蛘撸梢詼p少面板和外部部件的連接部分的連接 不良,而可以提高可靠性?;蛘?,可以提高當制作顯示裝置之際的成品率?;蛘?, 可以縮減制作顯示裝置的成本?;蛘?,由于可以減少面板和外部部件的連接數(shù),因 此可以將顯示部制造為高精細。或者,由于可以減少面板和外部部件的連接數(shù),因 此可以耐受雜波而提高顯示質(zhì)量。
圖1A至1C是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖2A和2B是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖4A和4B是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖5A和5B是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖6A和6B是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖7是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖8A至8C是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖9A至9C是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖IOA和IOB是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖IIA和11B是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路及驅(qū)動方法的圖;
圖12A和12B是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電路的圖13是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的晶體管的截面圖14A至14E是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的晶體管的截面圖15A至15H是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電子設備的圖16A至16H是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的電子設備的圖。
本發(fā)明的選擇圖是圖1A。
具體實施例方式
下面,參照
實施方式。但是,本發(fā)明可以以多個不同形式來實施,所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實,就是其方式和詳細 內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此,本 發(fā)明不應該被解釋為僅限定在本實施方式所記載的內(nèi)容中。注意,在下面所說 明的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中,使用相同的附圖標記來表示不同附圖中的相同的部分而 省略相同的部分或具有相同的功能的部分的詳細說明。
注意,下面,在各實施方式中參照各種附圖進行描述。在此情況下,可以 以在某一個實施方式中各附圖所描述的內(nèi)容(也可以是其一部分)對其他附圖 所描述的內(nèi)容(也可以是其一部分)自由地進行應用、組合或替換。再者,在 一個實施方式所描述的附圖中,通過將各部分組合于其他部分,可以構(gòu)成更多 的附圖。
同樣地,在一個或多個實施方式的各附圖中描述的內(nèi)容(也可以是其一部 分)可以對其他一個或多個實施方式的附圖所描述的內(nèi)容(也可以是其一部分) 自由地進行應用、組合或替換等。再者,通過在一個或多個實施方式的附圖中, 對各部分組合其他一個或多個實施方式的部分,可以構(gòu)成更多的附圖。
注意,在某一個實施方式中描述的內(nèi)容(也可以是其一部分)表示使該實 施方式所描述的其他內(nèi)容(也可以是其一部分)具體化時的一例、稍微改變其 形狀時的一例、改變其一部分時的一例、改善時的一例、進行詳細描述時的一 例、應用時的一例、與其有關(guān)的部分的一例等。因此,在某一個實施方式中所 描述的內(nèi)容可以(也可以是其一部分)對該實施方式所描述的其他內(nèi)容(也可 以是其一部分)自由地進行應用、組合或替換。
注意,在一個或多個實施方式中描述的內(nèi)容(也可以是其一部分)表示使 該一個或多個其他實施方式所描述的內(nèi)容(也可以是其一部分)具體化時的一 例、稍微改變其形狀時的一例、改變其一部分時的一例、改善時的一例、進行 詳細描述時的一例、應用時的一例、與其有關(guān)的部分的一例等。因此,在一個 或多個其他實施方式中所描述的內(nèi)容(也可以是其一部分)可以對該一個或多 個實施方式所描述的其他內(nèi)容(也可以是其一部分)自由地進行應用、組合或 替換。
實施方式1
在本實施方式中,說明數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部。在本實施方式的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部
將一個數(shù)字信號(例如,N位的數(shù)字信號N是2以上的自然數(shù))轉(zhuǎn)換為n (n 是2以上的自然數(shù))個模擬信號。為了實現(xiàn)此,n個群(例如,電壓群、電流群等)輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部。但是,也可以采用使輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部的
各群的一部分共有化而共同使用的結(jié)構(gòu)。在此情況下,少于n個的群輸入到數(shù) 字模擬轉(zhuǎn)換部。
注意,n個模擬信號的值(例如,電壓、電流等)互不相同。但是,n個 模擬信號中的一部分的值有時相同?;蛘?,有時所有n個模擬信號都具有相同 的值。作為一例,在最大灰度級或最小灰度級的數(shù)字信號的情況下,有時所有 供給到各子像素的模擬信號都具有相同的值。
參照圖1A說明例如將一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為兩個模擬信號的情況下的數(shù)字 模擬轉(zhuǎn)換部。
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100連接到布線群111、布線群112—1、 112—2、布線113—1 及布線113一2。
布線群111、布線群112—1及布線群112_2分別具有多個布線。 布線群lll輸入有數(shù)字信號。因此,在很多情況下,數(shù)字信號的位數(shù)和布 線群lll的布線數(shù)一致。例如,在數(shù)字信號是N位的情況下,布線群lll具有 N個布線,即布線111—1至111—N (N:自然數(shù))。
第一電壓群輸入到布線群112—1。因此,在很多情況下,第一電壓群的電 壓數(shù)和布線群112—1的布線數(shù)一致。例如,在第一電壓群的電壓數(shù)是M個的情 況下,布線群112—1具有M個布線,即布線群112—11至112—1M (M: 2以上的 自然數(shù))。也就是,在布線群112_1中,M個不同的電壓供給到M個布線。此 外,布線群112—1有時按照設置在數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100中的布線群數(shù)被稱為第 一布線群。
注意,在本說明書中使用的第一、第二、第三至第N (N是自然數(shù))的單 詞為避免結(jié)構(gòu)因素混在一起而附記,因此不限制數(shù)量。
第二電壓群輸入到布線群112—2。因此,在很多情況下,第二電壓群的電 壓數(shù)和布線群112—2的布線數(shù)一致。例如,在第二電壓群的電壓數(shù)是M個的情 況下,布線群112—2具有M個布線,即布線群112—21至112—2M (M: 2以上的 自然數(shù))。也就是,在布線群112—2中,M個不同的電壓供給到M個布線。此 外,布線群112—2有時按照設置在數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100中的布線群數(shù)被稱為第 二布線群。
注意,不局限于此而可以對布線群111、布線群112_1及布線群112_2輸 入各種信號、各種電壓或各種電流等?;蛘?,可以從布線群111、布線群112_1及布線群112—2輸出各種信號、各種電壓、各種電流等。
N位的數(shù)字信號具有決定數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的輸出信號的值的作用。 注意,在表示為N位的數(shù)字信號的情況下,有時包括N位的數(shù)字信號和其 反相信號(下面,也稱為N位的反相數(shù)字信號)。
注意,N位的數(shù)字信號或與N位的數(shù)字信號大致相等的振幅電壓的信號主 要輸入到晶體管的柵極,再者,第一電壓群及第二電壓群主要輸入到該晶體管 的源極及漏極的一方。因此,優(yōu)選的是,例如N位的數(shù)字信號的振幅電壓大于 第一電壓群的最小值和最大值的差異或第二電壓群的最小值和最大值的差異, 或者與上述差異相等,以使該晶體管截止或使該晶體管容易截止。但是,不局 限于此而可以使其小于上述差異。
在很多情況下,第一電壓群具有其值互不相同的多個電壓,而第二電壓群 具有其值互不相同的多個電壓。而且,在很多情況下,第一電壓群的值和第二 電壓群的值互不相同。但是,第一電壓群的一個電壓和第二電壓群的一個電壓 或第一電壓群的多個電壓的值和第二電壓群的多個電壓的值有時相同。在此情
況下,通過共同所有并共同使用布線,可以減少布線群112—1及布線群112—2 的布線數(shù)。
注意,作為第一電壓群可以使用正極性的第一電壓群和負極性的第一電壓 群,而作為第二電壓群可以使用正極性的第二電壓群和負極性的第二電壓群。 為實現(xiàn)此,例如可以增加布線群112_1的布線數(shù)及布線群112—2的布線數(shù)(例 如,大致兩倍)。在此情況下,正極性的第一電壓群及負極性的第一電壓群同 時輸入到布線群112一1,而正極性的第二電壓群及負極性的第二電壓群同時輸 入到布線群112一2。
作為另一例子, 一個工作期間可以具有第一子工作期間和第二子工作期 間。而且,在各期間中替換正極性和負極性。在此情況下,布線數(shù)不增加,所 以是優(yōu)選的。例如,在第一子工作期間中,正極性的第一電壓群輸入到布線群 112—1,正極性的第二電壓群輸入到布線群112—2。在第二子工作期間中,負極 性的第一電壓群輸入到布線群112—1,負極性的第二電壓群輸入到布線群 112—2。
注意,正極性的電壓是指如下電壓,即例如當在液晶顯示裝置中正極性的 電壓輸入到像素電極時,像素電極的電位大于共同電極的電位(下面,也稱為 共同電位)。另一方面,負極性的電壓是指像素電極的電位小于共同電位的電壓。
注意,當將正極性的電壓和負極性的電壓輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100作為 第一電壓群及第二電壓群之際,通過將該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100用于液晶顯示裝 置,可以實現(xiàn)反相驅(qū)動。反相驅(qū)動是指一種驅(qū)動,其中在每個一定期間中,對 于每一個屏幕(每一個幀)或每一個像素的液晶元件中的共同電極的電位(共 同電位)使施加到像素電極的電壓的極性反相。通過反相驅(qū)動,可以抑制圖像 的閃爍等的顯示不均勻及液晶材料的退化。注意,作為反相驅(qū)動的例子,可以 舉出幀反相驅(qū)動、源極線反相驅(qū)動、柵極線反相驅(qū)動、點反相驅(qū)動等。
注意,可以使第一電壓群及第二電壓群的各值(或極性)隨時間變化。在 此情況下, 一個工作期間具有多個子工作期間。而且,在每個子工作期間中, 第一電壓群及第二電壓群的各值(或極性)變化。像這樣,可以減少第一電壓
群的電壓數(shù)及第二電壓群的電壓數(shù),即布線群112_1的布線數(shù)及布線群112—2
的布線數(shù)。或者,可以省略第一電壓群和第二電壓群的一方。
注意,電流群可以輸入到布線群112—1及布線群112—2??梢则?qū)動利用電 流工作的像素電路、元件等?;蛘撸娏魅汉碗妷喝嚎梢暂斎氲讲季€群112」 及布線群112—2。
注意,例如,布線群lll、布線群112—1、布線群112—2、布線113_1及布 線113—2分別用作第一信號群、第一電源線群、第二電源線群、第二信號線、 第三信號線。
注意,可以對數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100輸入上述信號或電壓、各種信號、電壓 或電流。
例如,可以輸入N位的數(shù)字信號的反相信號(下面,也稱為反相數(shù)字信號)。 在此情況下,優(yōu)選追加新的布線群(例如,N個布線),并通過該布線群將N 位的反相數(shù)字信號輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。注意,該新的布線群例如用作 信號線群。
注意,可以將數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部ioo稱為電路或半導體裝置。 接著,說明圖1A所示的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的工作。 N位的數(shù)字信號、第一電壓群及第二電壓群輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。 數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100通過根據(jù)N位的數(shù)字信號使布線群112—1中任一個和 布線113—1處于導通狀態(tài),并其他布線群112_1和布線113—1處于非導通狀態(tài), 而使布線群112—1中任一個的電位和布線113_1的電位大致相等。同時,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100通過根據(jù)N位的數(shù)字信號使布線群112—2中任一個和布線113_2 處于導通狀態(tài),并使其他布線群112—2和布線113—2處于非導通狀態(tài),而使布 線群112—2中任一個的電位和布線113_2的電位大致相等。像這樣,數(shù)字模擬 轉(zhuǎn)換部100根據(jù)N位的數(shù)字信號、第一電壓群及第二電壓群決定布線113_1的 電位和布線113—2的電位。
注意,大致相等是指考慮雜波的影響所產(chǎn)生的誤差的狀態(tài)。因此,例如, 其誤差為10%以下,優(yōu)選為5%以下,更優(yōu)選為3%以下。
像這樣,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部IOO將N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第一模擬信號及第 二模擬信號,并且將第一模擬信號輸出到布線113一1,而將第二模擬信號輸出 到布線113—2?;蛘撸瑪?shù)字模擬信號轉(zhuǎn)換部100根據(jù)N位的數(shù)字信號選擇第一 電壓群中任一個及第二電壓群中任一個,并且將第一電壓群中任一個輸出到布 線113_1作為第一模擬信號,而將第二電壓群中任一個輸出到布線113_2作為 第二模擬信號。
注意,在很多情況下,第一模擬信號及第二模擬信號的值互不相同,但是 不局限于此。根據(jù)第一電壓群及第二電壓群或根據(jù)數(shù)字信號的值,有時第一模 擬信號的值和第二模擬信號的值大致相等。
注意,在很多情況下,第一模擬信號及第二模擬信號的電位與第一電壓群 中任一個和第二電壓群中任一個相等,但是不局限于此。例如,利用電阻元件 或電容元件等對第一電壓群及第二電壓群中的任何電壓進行分壓來生成新的 電壓。而且,也可以輸出該新生成的電壓作為模擬信號。
注意,布線群112一1及布線群112—1所具有的布線優(yōu)選包括其寬度大于布 線群lll所具有的布線的寬度的部分。這是因為如下緣故在很多情況下,布 線群112」及布線群112一2輸入有模擬信號,所以布線群112_1及布線群112—2 的每單位長度的布線電阻優(yōu)選小于布線群111的每單位長度的布線電阻。
但是,布線群112—1及布線群112_2所具有的布線也可以包括其寬度小于 布線群lll所具有的布線的寬度的部分。在此情況下,例如布線群112一1的布 線數(shù)及布線群112—2的布線數(shù)多于布線群111的布線數(shù),所以可以縮小數(shù)字模 擬轉(zhuǎn)換部100的布局面積。
注意,布線113—1及布線113—2也優(yōu)選與布線群112—1及布線群112一2同 樣地包括其寬度大于布線群lll所具有的布線的寬度的部分。但是,也可以與 布線群112—1及布線群112—2同樣地包括其寬度小于布線群111所具有的布線的寬度的部分。
注意,在很多情況下,布線群lll所具有的布線例如連接到晶體管的柵電
極。因此,優(yōu)選的是,布線群iii所具有的布線在與數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部ioo連接
的部分中由與晶體管的柵電極相同的材料構(gòu)成。
注意,在很多情況下,布線群112_1所具有的布線、布線群112—2所具有 的布線、布線113—1及布線113—2例如連接到晶體管的源電極或漏電極。因此,
優(yōu)選的是,它們在與數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部ioo連接的部分中由與在晶體管中連接于
半導體層的導電層相同的材料構(gòu)成。
注意,在圖1A中,說明了數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100將N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為 第一模擬信號及第二模擬信號的情況,但是不周限于此。如圖1B所示,可以 將N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為n (n:自然數(shù))個模擬信號。
圖1B所示的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100例如連接到布線群111、布線群112—1至 112_n、布線113—1至113_n。
例如,第一電壓群至第n電壓群輸入到布線群112—1至112一n,且第一模 擬信號至第n模擬信號從布線113—1至113一n輸出。
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100根據(jù)N位的數(shù)字信號使各布線群112—1至112—n中任 一個和布線113_1至113—n處于導通狀態(tài),并使它們具有相等的電位。例如, 數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100通過根據(jù)N位的數(shù)字信號使布線群112—i (i: l至n中任 一個)中任一個和布線113j處于導通狀態(tài),并使它們具有相等的電位。像這 樣,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100根據(jù)N位的數(shù)字信號及n個電壓群決定布線H3一l至 113—n的電位。
像這樣,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100將N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為n個模擬信號(第 一模擬信號至第n模擬信號),并對布線113j至113一n分別輸出n個模擬信 號?;蛘?,數(shù)字模擬信號轉(zhuǎn)換部100根據(jù)N位的數(shù)字信號選擇各n個電壓群(第 一電壓群至第n電壓群)中任一個,并將各n個電壓群中任一個分別輸出到布 線113—1至113—n。
注意,上述n、 N、 M的大小關(guān)系優(yōu)選rKN〈M。但是,不局限于此。 注意,在將圖1B的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100用于顯示裝置的情況下,像素主 要分割為n個子像素。此時,如果n大,則子像素數(shù)增大,所以有時一個像素 的面積增大且分辨率降低。為了防止該分辨率的降低,優(yōu)選n蕓5。更優(yōu)選n^ 3,因為即使子像素數(shù)為三個以下,視角改善的效果也大。更優(yōu)選n二2。但是,不局限于此。
注意,在將圖1B所示的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100用于顯示裝置的情況下,像
素優(yōu)選分割為n個子像素。而且,n個子像素分別連接到布線113_1至113一n。 但是,n個子像素可以分別通過緩沖器連接到布線113_1至113—n。數(shù)字模擬 轉(zhuǎn)換部100分別將對應于N位的數(shù)字信號的n個模擬信號通過布線113—1至 113—n輸出到n個子像素。
但是,也可以將布線113—1至113一n連接到像素或子像素以外的電路例如 與數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100不同的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部。而且,與數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100 不同的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部可以連接到像素或子像素。例如,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100 用作高位的DAC,選擇幾個電壓,并對與數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100不同的數(shù)字模擬 轉(zhuǎn)換部輸出。另一方面,與數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部ioo不同的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部用作低 位的DAC,利用電阻元件或電容元件等對高位的DAC (數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100)所 輸出的幾個電壓進行分壓來生成新的電壓,并輸出到像素或子像素。通過上述 步驟,可以減少電壓群的電壓數(shù)或布線群112一1至布線群112_n的各個布線數(shù)。
注意,如圖1C所示,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100可以具有n個用作數(shù)字模擬轉(zhuǎn) 換電路(下面,也稱為D/A轉(zhuǎn)換電路或DAC)的電路。
作為n個用作DAC的電路,使用電路101—1至101—n。例如,作為電路101_1 至101—n,分別可以使用電阻梯形DAC、電阻串DAC、電流輸出形DAC、三角積 分形DAC、 ROM譯碼器DAC、比賽型DAC (tournament DAC)或利用多路分解器 的DAC等。但是,不局限于此。
電路101—1至101—n連接到布線群111。電路101—1至101—n分別連接到 布線群112—1至112—n。電路101—1至101—n分別連接到布線113—1至113_n。 例如,電路101一i (i: l至n中任一個)連接到布線群lll、布線群112—i及 布線113—i。
例如,電路101一i根據(jù)N位的數(shù)字信號使布線群112一i中任一個和布線 113—i處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。像這樣,電路101一i根據(jù)N位 的數(shù)字信號及被輸入的電壓群決定布線113_i的電位。
通過上述步驟,電路101—i將N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號,并將該模 擬信號輸出到布線113一i。或者,電路101一i根據(jù)N位的數(shù)字信號選擇被輸入 的電壓群中任一個,并將該電壓群中任一個輸出到布線113—i作為模擬信號。
如上所述,本實施方式的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部可以將一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為多個模擬信號,所以可以不使用查找表。因此,可以防止從存儲元件的查找表的讀 取所引起的發(fā)熱或耗電量的增大等。
再者,例如,當在顯示裝置中使用本實施方式的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部生成視頻 信號時,可以將生成視頻信號的部分和像素部形成在相同的襯底上。因此,可 以減少面板和外部部件的連接數(shù),從而可以減少面板和外部部件的連接部分的 連接不良,并且可以實現(xiàn)可靠性的提高、成品率的提高、生產(chǎn)成本的縮減或高 精細化等。
實施方式2
在本實施方式中,參照圖2A說明當將圖1A所示的一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為兩 個模擬信號時的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的一例。
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100具有電路201、電路202—1及電路202_2。
電路201連接到布線群111及布線群114。電路202—1連接到布線群112—1、 布線113—1及電路201的輸出端子。電路202_2連接到布線群112—2、布線113_2 及電路201的輸出端子。
布線群114具有多個布線。例如,布線群114具有N個布線,即布線114_1 至114—N。
反相數(shù)字信號輸入到布線群114。因此,在很多情況下,反相數(shù)字信號的 位數(shù)和布線群114的布線數(shù)一致。例如,在反相數(shù)字信號是N位的情況下,布 線群114的布線數(shù)是N個。但是,不局限于此而可以對布線群114輸入各種信 號、各種電壓、各種電流。
注意,N位的反相數(shù)字信號的振幅電壓優(yōu)選與N位的振幅電壓相等。但是, 不局限于此。
注意,布線群111和布線群114可以通過反相器等的具有使輸入信號反相 而將它輸出的功能的電路連接。例如,反相器的輸入端子連接到布線111—j ( j: 1至N)中任一個,且反相器的輸出端子連接到布線114—j 。在此情況下,利 用反相器使輸入到布線群111的N位的數(shù)字信號反相而將它輸入到布線群114。 因此,可以省略N位的反相數(shù)字信號。
注意,若是電路201具有生成N位的反相數(shù)字信號的功能,就可以省略布 線群114。
注意,根據(jù)電路201的結(jié)構(gòu),有時不需要N位的反相數(shù)字信號。在此情況 下,可以省略布線群114。電路201例如用作譯碼器電路,可以利用BCD-DEC (Binary Coded Decimal DECoder; 二-十進制譯碼器)電路、具有優(yōu)先次序的BCD-DEC電路或?qū)ぶ纷g碼 器電路等。但是,電路201不局限于此而具有多個邏輯電路或多個組合邏輯電 路,即可。
電路202—1及電路202_2用作選擇器。例如,作為電路202」及電路202_2, 分別可以使用圖2B所示的選擇器電路202jLa、選擇器電路202—a。
選擇器電路202一la及選擇器電路202—2a分別具有多個端子。例如,在第 一電壓群的電壓數(shù)或第二電壓群的電壓數(shù)是M個時,端子數(shù)是M+1個。在選擇 器電路202—la中,第一至第M端子分別連接到布線群112—1 (布線112_11至 112—1M),且第M+1端子連接到布線113—1。另一方面,在選擇器電路202—2a 中,第一至第M端子分別連接到布線群112—2 (布線112—21至112—2M),而 第M+1端子連接到布線113—2。
利用電路201的輸出信號控制選擇器電路202—la及選擇器電路202—2a。 例如,根據(jù)電路201的輸出信號,選擇器電路202_la使布線群112—1中任一 個和布線113—1處于導通狀態(tài),而選擇器電路202_2a使布線群112—2中任一 個和布線113_2處于導通狀態(tài)。
接著,說明圖2A所示的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的工作。
N位的數(shù)字信號及N位的反相數(shù)字信號輸入到電路201。
電路201根據(jù)N位的數(shù)字信號及N位的反相數(shù)字信號生成數(shù)字信號。換言 之,對N位的數(shù)字信號及N位的反相數(shù)字信號進行譯碼。具體而言,例如電路 201對多個邏輯電路或多個組合邏輯電路輸入N位的數(shù)字信號及N位的反相數(shù) 字信號,并控制將各邏輯電路的輸出信號設定為H信號還是L信號。
在很多情況下,電路201所生成的數(shù)字信號的位數(shù)與第一電壓群的電壓數(shù) 或第二電壓群的電壓數(shù)相等,所以該數(shù)字信號的位數(shù)為M位,并將其表示為M 位的數(shù)字信號。但是,數(shù)字信號的位數(shù)不局限于M位,可以為M位以下或M位 以上。
注意,在很多情況下,M位的數(shù)字信號的振幅電壓與N位的數(shù)字信號的振 幅電壓相等。在此情況下,用于電路201的正電源電壓、負電源電壓優(yōu)選分別 等于N位的數(shù)字信號的H信號的值、L信號的值。但是,當電路201具有電平 轉(zhuǎn)移功能時,M位的數(shù)字信號的振幅電壓可以大于N位的數(shù)字信號的振幅電壓。
然后,電路201將M位的數(shù)字信號輸入到電路202—1及電路202—2,并控制電路202—1及電路202—2。
具體而言,電路202—1根據(jù)M位的數(shù)字信號使布線群112—1中任一個和布 線113—1處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。同時,電路202—2根據(jù)M位 的數(shù)字信號使布線群112—2中任一個和布線群113—2處于導通狀態(tài)并使它們具 有相等的電位。
像這樣,電路202—1將M位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第一模擬信號,并將第一模 擬信號輸出到布線113—1。電路202一2將M位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第二模擬信號, 并將第二模擬信號輸出到布線113—2?;蛘?,電路202—1根據(jù)M位的數(shù)字信號 選擇第一電壓群中任一個,并將第一電壓群中任一個輸出到布線113_1作為第 一模擬信號。電路202一2根據(jù)M位的數(shù)字信號選擇第二電壓群中任一個,并將 第二電壓群中任一個輸出到布線113—2作為第二模擬信號。
注意,可以將N位的數(shù)字信號及N位的反相數(shù)字信號一起表示為第一數(shù)字 信號。因此,在表示為第一數(shù)字信號的情況下,有時包括N位的數(shù)字信號和N 位的反相數(shù)字信號。但是,也可以不包括N位的反相信號地只將N位的數(shù)字信 號表示為第一數(shù)字信號。
注意,可以將M位的數(shù)字信號表示為第二數(shù)字信號。但是,在電路201生 成M位的數(shù)字信號和M位的數(shù)字信號的反相信號(下面,稱為M位的反相數(shù)字 信號)的情況下,也可以將它們一起表示為第二數(shù)字信號。
注意,電路201所具有的元件(例如,開關(guān)、晶體管等)數(shù)優(yōu)選大于電路 202—1所具有的元件數(shù)或電路202—2所具有的元件數(shù)。由此,電路202—1及電 路202—2所具有的元件數(shù)減少,所以可以實現(xiàn)電路規(guī)模的縮小。但是,不局限 于此,而電路201所具有的元件數(shù)也可以小于電路202—1所具有的元件數(shù)或電 路202—2所具有的元件數(shù)。
注意,如在圖1B所說明,在圖2A中也數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100可以將N位的 數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為n個模擬信號。在此情況下,例如,如圖3所示,使用電路201 和電路202—1至202—n。
電路202—1至202一n分別連接到電路201的輸出端子、布線群112—1至 112—n及布線113—1至113—n。例如,電路202—i (i: 1至n中任一個)連接 到電路201的輸出端子、布線群112—i及布線113一i。
電路202—1至202—n分別對應于圖2A所示的電路202_1或電路202—2。
接著,參照圖4A說明圖2A所示的電路201、電路202—1及電路202—2的具體的一例。
電路201具有多個邏輯電路。在很多情況下,邏輯電路數(shù)與第一電壓群的 電壓數(shù)或第二電壓群的電壓數(shù)一致。因此,例如,在第一電壓群的電壓數(shù)或第
二電壓群的電壓數(shù)為M個的情況下,電路201具有M個邏輯電路,即邏輯電路 203—1至203—M。
邏輯電路203—1至203—M分別具有多個輸入端子和一個輸出端子。在很多 情況下,輸入端子數(shù)與布線群111的布線數(shù)或布線群114的布線數(shù)一致。因此, 例如,在布線群111的布線數(shù)或布線群114的布線數(shù)為N個的情況下,邏輯電 路203—1至203_似分別具有?^個輸入端子。但是,當邏輯電路203—1至203_M 連接有與布線群ill及布線群114不同的布線時,在很多情況下輸入端子數(shù)與 布線群111的布線數(shù)或布線群114的布線數(shù)和該其他布線的布線數(shù)的總和一 致。
電路202—1及電路202一2分別具有多個開關(guān)。在很多情況下,開關(guān)數(shù)與第
一電壓群的電壓數(shù)或第二電壓群的電壓數(shù)一致。因此,例如,在第一電壓群的 電壓數(shù)或第二電壓群的電壓數(shù)為M個的情況下,電路202一1具有M個開關(guān),即 開關(guān)204—11至204—1M,而電路202—2具有M個開關(guān),即開關(guān)204—21至204—2M。 邏輯電路203—1至203—M的N個輸入端子分別連接到布線111—1至111—N 或布線114—1至114—N。例如,邏輯電路203_k (k: 1至M中任一個)的第j (j: 1至N中任一個或自然數(shù))輸入端子連接到布線111」'或布線114—j。上 述組合在所有邏輯電路203—1至203_M中不同,例如,最大為2N個。但是, 也可以幾個邏輯電路中的輸入端子的連接關(guān)系相同。因此,優(yōu)選M^2N。更優(yōu) 選M=2N。
邏輯電路203_1至203—M的輸出端子分別連接到開關(guān)204_11至204_1M的 控制端子及開關(guān)204—21至204—2M的控制端子。例如,邏輯電路203—k的輸出 端子連接到開關(guān)204—lk的控制端子及開關(guān)204—2k的控制端子。
開關(guān)204—11至204一1M的第一端子分別連接到布線112—11至112_1M,而 開關(guān)204—11至204—1M的第二端子都連接到布線113一1。例如,開關(guān)204一lk的 第一端子連接到布線112—lk,而開關(guān)204—lk的第二端子連接到布線113一1。 但是,開關(guān)204—11至204—1M的第二端子分別連接到不同的布線。
開關(guān)204_21至204—2M的第一端子分別連接到布線112—21至112—2M,而 開關(guān)204—21至204—2M的第二端子都連接到布線113_2。例如,開關(guān)204—2k的第一端子連接到布線112—2k,而開關(guān)204一2k的第二端子連接到布線113—2。 但是,開關(guān)204—21至204—2M的第二端子也可以分別連接到不同的布線。
接著,說明圖4A所示的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的工作。
N位的數(shù)字信號及N位的反相數(shù)字信號輸入到邏輯電路203—1至203一M的 N個輸入端子。例如,第j位的數(shù)字信號或第j位的反相數(shù)字信號輸入到邏輯 電路203_1至203—M各個的第j輸入端子。
邏輯電路203—1至203一M分別根據(jù)分別輸入到邏輯電路203—1至203_M的 N位的數(shù)字信號和N位的反相數(shù)字信號的組合輸出H信號或L信號。該邏輯電 路203—1至203_M的輸出信號對應于圖2A所說明的M位的數(shù)字信號。
然后,邏輯電路203—1至203_M將M位的數(shù)字信號輸入到開關(guān)204_11至 204—1M的控制端子及開關(guān)204—21至204—2M的控制端子,并且開關(guān)204—11至 204—1M及開關(guān)204—21至204—2M的導通和截止。例如,邏輯電路203—k(k: 1 至M中任一個)將數(shù)字信號輸入到開關(guān)204—lk的控制端子及開關(guān)204—2k的控 制端子來控制開關(guān)204_lk及開關(guān)204一2k的導通和截止。因此,開關(guān)204_lk 及開關(guān)204—2k的導通和截止的時序大致相等。
具體而言,通過開關(guān)204—11至204—1M中任一個根據(jù)M位的數(shù)字信號導通, 幵關(guān)204—11至204_1M使布線群112—1中任一個和布線113—1導通并使它們具 有相等的電位。同時,通過開關(guān)204—21至204—2M中任一個根據(jù)M位的數(shù)字信 號導通,開關(guān)204—21至204—2M使布線群112—2中任一個和布線113—2導通并 使它們具有相等的電位。
注意,在各開關(guān)當H信號輸入到控制端子時導通的情況下,優(yōu)選的是,邏 輯電路203—1至203—M中任一個輸出H信號,其他邏輯電路203—1至203—M輸 出L信號,以便使開關(guān)204—11至204—1M中任一個及開關(guān)204—21至204—2M中 任一個導通。
另一方面,在各開關(guān)當L信號輸入到控制端子時導通的情況下,優(yōu)選的是, 邏輯電路203—1至203一M中任一個輸出L信號,其他邏輯電路203—1至203—M 輸出H信號,以便使開關(guān)204—11至204—1M中任一個及開關(guān)204—21至204_2M
中任一個導通。
注意,在很多情況下,電路202—l所具有的開關(guān)數(shù)和電路202—2所具有的 開關(guān)數(shù)一致。但是,電路202—l所具有的開關(guān)數(shù)和電路202—2所具有的開關(guān)數(shù) 也可以不同。作為邏輯電路203—1至203—M,例如可以使用AND電路、OR電路、NAND電 路、N0R電路、X0R電路、或XNOR電路等中任一種或上述電路中的幾個電路的 組合邏輯電路。
注意,作為開關(guān)204—11至204_1M及開關(guān)204—21至204_2M,例如可以使 用P溝道型晶體管、N溝道型晶體管或組合N溝道型晶體管和P溝道型晶體管 的COMS型開關(guān)。注意,各晶體管的柵極、第一端子(源極及漏極的一方)、 第二端子(源極及漏極的另一方)相當于各開關(guān)的控制端子、第一端子、第二 端子,并成為同樣的連接結(jié)構(gòu)。
例如,圖4B示出作為圖4A所示的開關(guān)使用N溝道型晶體管的情況的數(shù)字 模擬轉(zhuǎn)換部100。
晶體管204—lla至204—1Ma對應于開關(guān)204_11至204—1M,是N溝道型。 晶體管204—21a至204—2Ma對應于開關(guān)204_21至204—2M,是N溝道型。
N0R電路203—la至203—Ma對應于邏輯電路203—1至203_M。其所以使用 N0R電路,是因為N溝道型晶體管當對柵極輸入H信號時導通,而且,當輸入 信號都是L信號時,N0R電路輸出H信號,且當輸入信號中任一個是H信號時, 邏輯電路輸出L信號。但是,不局限于此。例如,作為邏輯電路203—1至203—M, 可以使用AND電路、NAND電路和反相器串聯(lián)的電路或各種組合邏輯電路等。
例如,晶體管204—11a至204—1Ma的W/L (W:溝道寬度、L:溝道長度) 比優(yōu)選都相等,以在任何晶體管導通,且選擇任何電壓時也使第一模擬信號的 開關(guān)雜波大致相等。由此,在將圖4B的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100用于顯示裝置的 情況下,當任何晶體管導通時,第一子像素也根據(jù)具有大致相等的開關(guān)雜波的 第一模擬信號表達灰度級。因此,可以減少第一模擬信號的開關(guān)雜波的影響。 但是,不局限于此。例如,當以W/Lla(k)表示晶體管204—lka的W/L比之際, 可以W/Lla (k-1) <W/Lla (k) <W/Lla (k+l)。此時,當以Via (k)表示晶 體管204—lka的第一端子的電位(布線112—lk的電位)之際,優(yōu)選Vla (k-l) 〈Vla (k) <Vla (K+l)。
與晶體管204—lla至204—1Ma同樣地,例如,晶體管204—21a至204_2Ma 的W/L (W:溝道寬度、L:溝道長度)比優(yōu)選都相等。但是,不局限于此。例 如,當以W/L2a (k)表示晶體管204—2ka的W/L比之際,可以W/L2a (k-l) <W/L2a (k) <W/L2a (k+l)。此時,當以V2a (k)表示晶體管204—2ka的第一 端子的電位(布線112—lk的電位)之際,優(yōu)選V2a(k-l)<V2a(k)<V2a(K+l)。例如,晶體管204—lka的W/L比和晶體管204—2ka的W/L比優(yōu)選相等,以 使第一模擬信號的開關(guān)雜波和第二模擬信號的開關(guān)雜波大致相等。由此,當將 圖4B的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100用于顯示裝置時,第一子像素和第二子像素根據(jù) 具有大致相等的開關(guān)雜波的信號表達灰度級。因此,可以減少各模擬信號的開 關(guān)雜波的影響。但是,不局限于此。
例如,電路201的輸出信號的H信號的值優(yōu)選大于第一電壓群的最大值及 第二電壓群的最大值,以當各晶體管導通時柵極和源極之間的電壓(Vgs)增 高。像這樣,可以縮小各晶體管的尺寸。另一方面,例如,在各晶體管截止時, 柵極和源極之間的電壓(Vgs)是閾值以下,即可。因此,例如電路201的輸 出信號的L信號的值優(yōu)選與第一電壓群的最小值和第二電壓群的最小值中的小 一方相等或小于第一電壓群的最小值和第二電壓群的最小值中的小一方,以減 少電路201的輸出信號的振幅。像這樣,可以實現(xiàn)耗電量的縮減。
例如,作為圖4A所示的開關(guān),圖5A示出使用P溝道型晶體管時的數(shù)字模 擬轉(zhuǎn)換部100。
晶體管204—lib至204—1Mb對應于開關(guān)204—11至204_1M,是P溝道型。 晶體管204—21b至204—2Mb對應于開關(guān)204—21至204—2M,是P溝道型。
NAND電路203—lb至203—Mb對應于邏輯電路203_1至203_M。其所以使用 NAND電路,是因為P溝道型晶體管當L信號輸入到柵極時導通,而且當輸入信 號都是H信號時,N認D電路輸出L信號,且當輸入信號中任一個是L信號時, NAND電路輸出H信號。但是,不局限于此。例如,作為邏輯電路203—1至203_M, 可以使用OR電路、NOR電路和反相器串聯(lián)的電路或各種組合邏輯電路等。
與圖4B所示的晶體管204_lla至204_lMa同樣地,晶體管204一21b至 204—2Mb的W/L (W:溝道寬度、L:溝道長度)比優(yōu)選都相等。但是,不局限 于此。例如,當以W/Llb (k)表示晶體管204jkb的W/L比之際,優(yōu)選W/Llb (k-1) 〈W/Llb (k) <W/Llb (k+l)。此時,當以Vlb (k)表示晶體管204_lkb 的第一端子的電位(布線112—lk的電位)之際,優(yōu)選Vlb (k-1) 〉Vlb (k) 〉Vlb (K+l)。
與圖4B所示的晶體管204—21a至204—2Ma同樣地,晶體管204—2lb至 204一2Mb的W/L (W:溝道寬度、L:溝道長度)比優(yōu)選都相等。但是,不局限 于此。例如,當以W/L2b (k)表示晶體管204—2kb的W/L比之際,優(yōu)選W/L2b (k-1) <W/L2b (k) <W/L2b (k+l)。此時,當以V2b (k)表示晶體管204—2kb的第一端子的電位(布線112—lk的電位)之際,優(yōu)選V2b (k-1) >V2b (k) 〉V2b (K+l)。
與圖4B同樣地,晶體管204—lkb的W/L比和晶體管204—2kb的W/L比優(yōu) 選相等。但是,不局限于此。
例如,電路201的輸出信號的L信號的值優(yōu)選小于第一電壓群的最小值和 第二電壓群的最小值,以當各晶體管導通時柵極和源極之間的電壓(Vgs)的 絕對值增大。像這樣,可以縮小各晶體管的尺寸。另一方面,例如當各晶體管 截止時柵極和源極之間的電壓(Vgs)的絕對值是閾值電壓的絕對值以下,即 可。因此,例如電路201的輸出信號的H信號的值優(yōu)選與第一電壓群的最大值 和第二電壓群的最大值中的大一方相等或大于第一電壓群的最大值和第二電 壓群的最大值中的大一方,以減少電路201的輸出信號的振幅。像這樣,可以 實現(xiàn)耗電量的縮減。
注意,可以將CMOS型開關(guān)用作各開關(guān)。各CMOS型開關(guān)具有如下結(jié)構(gòu),即 N溝道型晶體管的第一端子和P溝道型晶體管的第一端子連接,并且N溝道型 晶體管的第二端子和P溝道型晶體管的第二端子連接。P溝道型晶體管的柵極 及N溝道型晶體管的柵極分別連接到不同的布線。例如,P溝道型晶體管的柵 極連接到邏輯電路203一k的輸出端子,且N溝道型晶體管的柵極通過反相器等 的具有使輸入信號反相的功能的電路連接到邏輯電路203—k的輸出端子?;蛘?, P溝道型晶體管的柵極通過反相器等的具有使輸入信號反相的功能的電路連接 到邏輯電路203一k的輸出端子,且N溝道型晶體管的柵極連接到邏輯電路203一k 的輸出端子。
在使用CMOS型開關(guān)作為各開關(guān)的情況下,電路201的輸出信號的H信號 的值與第一電壓群的最大值和第二電壓群的最大值中的大一方大致相等或是 其以上,即可。電路201的輸出信號的L信號的值與第一電壓群的最小值和第 二電壓群的最小值中的小一方大致相等或是其以下,即可。因此,電路201的 輸出信號的振幅電壓減少,從而可以實現(xiàn)耗電量的減少。
注意,說明了數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部IOO包括多個邏輯電路及多個開關(guān)的情況, 但是不局限于此。數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部IOO包括具有多個(例如,N個)輸入端子 及一個輸出端子的邏輯電路、第一開關(guān)、以及第二開關(guān),即可。在邏輯電路中, 某個輸入端子(例如,第j輸入端子)連接到第一布線或第二布線,而輸出端 子連接到第一開關(guān)的控制端子及第二開關(guān)的控制端子。第一開關(guān)的第一端子連接到第三布線,而第一開關(guān)的第二端子連接到第四布線。第二開關(guān)的第一端子 連接到第五布線,而第二開關(guān)的第二端子連接到第六布線。
注意,第一布線、第二布線、第三布線、第四布線、第五布線、第六布線 分別對應于布線群111所包括的布線中任一個、布線群114所包括的布線中任
一個、布線群112—1所包括的布線中任一個、布線113一1、布線群112_2中任 一個、布線113一2。第一開關(guān)、第二開關(guān)分別對應于開關(guān)204_11至204—1M中 任一個、開關(guān)204—21至開關(guān)204一2M中任一個。
注意,如圖1B及圖3所說明,在圖4A中也數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部IOO可以將N 位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為n個模擬信號。在此情況下,例如圖5B所示那樣地使用 電路201和電路202—1至電路202—n。
電路202—l至電路202一n分別具有多個開關(guān)。例如,電路202—i具有開關(guān) 204—il至開關(guān)204—iM。開關(guān)204—il至開關(guān)204—iM對應于圖4A所示的開關(guān) 204—11至204一1M或開關(guān)204—21至204—2M。
開關(guān)204_il至開關(guān)204一iM的第一端子分別連接到布線群112_i。開關(guān) 204—il至開關(guān)204_iM的第二端子都連接到布線113—i。開關(guān)204—il至204iM 的控制端子分別連接到電路201的輸出端子。
如上所述,本實施方式的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部可以將一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為多個 模擬信號,所以可以不使用查找表。因此,可以防止從存儲元件的查找表的讀 取所引起的發(fā)熱或耗電量的增大等。
再者,例如,當在顯示裝置中使用本實施方式的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部生成視頻 信號時,可以將生成視頻信號的部分和像素部形成在相同的襯底上。因此,可 以減少面板和外部部件的連接數(shù),從而可以減少面板和外部部件的連接部分的 連接不良,并且可以實現(xiàn)可靠性的提高、成品率的提高、生產(chǎn)成本的縮減或高 精細化等。
實施方式3
在本實施方式中,參照圖6A說明可以分別設定各模擬信號的極性的數(shù)字 模擬轉(zhuǎn)換部100的一例。
為了分別設定各模擬信號的極性,例如數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部ioo具有第一模式 和第二模式。在很多情況下,即使輸入有相同的N位的數(shù)字信號,各模擬信號 的值(或極性)也在第一模式中和在第二模式中不同。
例如,在第一模式中,各模擬信號成為正極性的電位,而在第二模式中,各模擬信號成為負極性。由此,可以分別設定各模擬信號的極性。但是,不局 限于此。各模擬信號的值或極性有時在第一模式中和在第二模式中相同。或者, 各模擬信號的極性也可以在第一模式中及在第二模式中不同。
例如輸入選擇信號,以轉(zhuǎn)換第一模式和第二模式。為此,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部
100例如連接到布線115。選擇信號輸入到布線115。選擇信號例如是數(shù)字信號, 并且它具有選擇數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100在第一模式中工作還是在第二模式中工作 的功能。但是,在n位的數(shù)字信號包括與選擇信號相同的功能的情況下,可以 省略選擇信號。
注意,也可以將選擇信號的反相信號(以下,表示為反相選擇信號)輸入 到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。在此情況下,例如將新的布線連接到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部 100,且通過該布線將反相選擇信號輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。該布線例如可 以用作信號線。注意,在表示為選擇信號的情況下,有時包括選擇信號和反相 選擇信號。
注意,在很多情況下,選擇信號及反相選擇信號輸入到與N位的數(shù)字信號 相同的電路,所以例如選擇信號的振幅電壓及反相選擇信號的振幅電壓優(yōu)選相 等于N位的數(shù)字信號的振幅電壓。但是,不局限于此。
為了分別設定各模擬信號的極性,正極性的第一電壓群、負極性的第一電 壓群、正極性的第二電壓群及負極性的第二電壓群輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。 在本實施方式中增加布線數(shù),因而這種電壓群同時輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。 例如,正極性的第一電壓群、負極性的第一電壓群、正極性的第二電壓群、負 極性的第二電壓群分別輸入到布線群112p一l、布線群112n—1、布線群112p—2 及布線群112n—2。
注意,可以將布線群112p—1和布線群112n—1 —起表示為布線群112_1。 也可以將布線群112p—2和布線群112n—2 —起表示為布線群112—2。
注意,也可以將正極性的第一電壓群和負極性的第一電壓群一起表示為第 一電壓群。也可以將正極性的第二電壓群和負極性的第二電壓群一起表示為第 二電壓群。
注意,正極性的第一電壓群的最小電壓和負極性的第一電壓群的最大電壓 有時相等。同樣地,正極性的第二電壓群的最小電壓和負極性的第二電壓群的 最大電壓有時相等。
接著,說明圖6A所示的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部IOO的工作。N位的數(shù)字信號、正極性的第一電壓群、負極性的第一電壓群、正極性的 第二電壓群、負極性的第二電壓群及選擇信號輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。
在第一模式中,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100根據(jù)N位的數(shù)字信號使布線群112p_l 中任一個和布線113—l處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。同時,數(shù)字模 擬轉(zhuǎn)換部100根據(jù)N位的數(shù)字信號使布線群112p_2中任一個和布線113_2處 于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。
像這樣,在第一模式中,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100將N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為正 極性的第一模擬信號及正極性的第二模擬信號?;蛘撸瑪?shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100根 據(jù)N位的數(shù)字信號將正極性的第一電壓群中任一個輸出到布線113_1作為正極 性的第一模擬信號,并將正極性的第二電壓群中任一個輸出到布線113-2作為 正極性的第二模擬信號。
另一方面,在第二模式中,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100根據(jù)N位的數(shù)字信號使布 線群112n—1中任一個和布線113—1處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。 同時,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100根據(jù)N位的數(shù)字信號使布線群112n_2中任一個和 布線113—2處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。
像這樣,在第二模式中,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100將N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為負 極性的第一模擬信號及負極性的第二模擬信號?;蛘?,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100根 據(jù)N位的數(shù)字信號將負極性的第一電壓群中任一個輸出到布線113_1作為負極 性的第一模擬信號,并將負極性的第二電壓群中任一個輸出到布線113—2作為 負極性的第二模擬信號。
注意,數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部ioo可以在各模式中將第一模擬信號的極性和第二
模擬信號的極性設定為互不相同。為實現(xiàn)此,例如將正極性的第二電壓群輸入 到布線群112n一2,并將負極性的第二電壓輸入到布線群112p—2。
接著,參照圖6B說明圖6A所示的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的一例。
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100包括電路201p、電路201n、電路202p—1、電路202n—1、 電路202p一2以及電路202n—2。
電路201p及電路201n對應于圖4A所示的電路201。電路202p—1及電路 202n—1對應于圖4A所示的電路202—1。電路202p_2及電路202n—2對應于圖 4A所示的電路202—2。
注意,可以將電路201p和電路201n —起稱為第一電路,將電路202p—1 及電路202n一l 一起稱為第二電路,且將電路202p_2及電路202n一2 —起稱為第三電路。
電路201p連接到布線群111、布線群114及布線115。電路201n連接到 布線群lll、布線群114及布線116。電路202p—l連接到布線群112p—1、布線 113—1及電路201p的輸出端子。電路202n—1連接到布線群112n—1、布線113—1 及電路201n的輸出端子。電路202p—2連接到布線群112p—2、布線113—2及電 路201p的輸出端子。電路202n—2連接到布線群112n—2、布線113—2及電路 201n的輸出端子。
例如,對布線116輸入反相選擇信號。但是,布線115和布線116通過反 相器連接,從而輸入到布線115的選擇信號被反相器反相而輸入到布線116。 像這樣,可以省略反相選擇信號。
接著,說明圖6B所示的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的工作。
N位的數(shù)字信號、N位的反相數(shù)字信號及選擇信號輸入到電路201p,并且 N位的數(shù)字信號、N位的反相數(shù)字信號及反相選擇信號輸入到電路201n。
與圖2A的電路201同樣地,電路201p將N位的數(shù)字信號、N位的反相數(shù) 字信號及選擇信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,而電路201n將N位的數(shù)字信號、N位的反 相數(shù)字信號及反相選擇信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。
在很多情況下,與圖2A的電路201同樣地,該電路201p所生成的數(shù)字信 號的位數(shù)及電路202n所生成的數(shù)字信號的位數(shù)與正極性的第一電壓群的電壓 數(shù)、負極性的第一電壓群的電壓數(shù)、正極性的第二電壓群的電壓數(shù)或負極性的 第二電壓群的電壓數(shù)一致。因此,例如在這種電壓數(shù)是M個的情況下,電路201p 所生成的數(shù)字信號的位數(shù)及電路202n所生成的數(shù)字信號的位數(shù)是與圖2A的電 路201同樣的M位。在此,將電路201p所生成的數(shù)字信號表示為第一M位的 數(shù)字信號,而將電路201n所生成的數(shù)字信號表示為第二M位的數(shù)字信號。
然后,電路201p將第一 M位的數(shù)字信號輸入到電路202p一l及電路202p—2 并控制電路202p_l及電路202p—2。電路201n將第二 M位的數(shù)字信號輸入到電 路202n—1及電路202n—2并控制電路202n一l及電路202n一2。
具體而言,在第一模式中,電路202p_l根據(jù)第一M位的數(shù)字信號使布線 群112p—1中任一個和布線113—1處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。同 時,電路202p_2根據(jù)第一 M位的數(shù)字信號使布線群112p_2中任一個和布線 113—2處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。此時,電路202n—1使布線群 112n一l和布線113—1處于非導通狀態(tài),而電路202n一2使布線群112n_2和布線113—2處于非導通狀態(tài)。
像這樣,在第一模式中,電路202p—1將第一 M位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為正極 性的第一模擬信號,并將正極性的第一模擬信號輸出到布線113—1。電路202p—2 將第一M位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為正極性的第二模擬信號并將正極性的第二模擬信 號輸出到布線113—2?;蛘?,在第一模式中,電路202p一l根據(jù)第一M位的數(shù)字 信號將正極性的第一電壓群中任一個輸出到布線113_1作為正極性的第一模擬 信號,而電路202p—2根據(jù)第一 M位的數(shù)字信號將正極性的第二電壓群中任一 個輸出到布線113—2作為正極性的第二模擬信號。
另一方面,在第二模式中,電路202n_l根據(jù)第二 M位的數(shù)字信號使布線 群112n—1中任一個和布線113—1處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。同 時,電路202n—2根據(jù)第二 M位的數(shù)字信號使布線群112n_2中任一個和布線 113—2處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。此時,電路202p一l使布線群 112p—1和布線113—1處于非導通狀態(tài),而電路202p_2使布線群112p一2和布線 113—2處于非導通狀態(tài)。
像這樣,在第二模式中,電路202n_l將第二 M位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為負極 性的第一模擬信號,并將負極性的第一模擬信號輸出到布線113—1。電路202n—2 將第一M位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為負極性的第二模擬信號并將負極性的第二模擬信 號輸出到布線113—2?;蛘撸诘诙J街?,電路202n一l根據(jù)第二M位的數(shù)字 信號將負極性的第一電壓群中任一個輸出到布線113_1作為負極性的第一模擬 信號,而電路202n_2根據(jù)第二 M位的數(shù)字信號將負極性的第二電壓群中任一 個輸出到布線113_2作為負極性的第二模擬信號。
注意,第一 M位的數(shù)字信號和第二 M位的數(shù)字信號分別對應于圖2A所說 明的M位的數(shù)字信號。
注意,也可以將第一M位的數(shù)字信號和第二M位的數(shù)字信號一起表示為第 二數(shù)字信號。
注意,可以將選擇信號表示為第三數(shù)字信號。但是,也可以將選擇信號及 反相選擇信號一起表示為第三數(shù)字信號。
注意,可以使第一模擬信號的極性和第二模擬信號的極性互不相同。例如, 為實現(xiàn)此,正極性的第二電壓群輸入到布線群112n一2,而負極性的第二電壓群 輸入到布線群112p_2。
接著,參照圖7說明圖6B所示的電路201p、電路201n、電路202p—1、電路202n—1、電路202p—2及電路202n—2的具體的一例。
與圖4所示的電路201同樣地,電路201p包括多個邏輯電路,例如邏輯 電路203p_l至203p—M,而電路201n包括多個邏輯電路,例如邏輯電路203n_l 至203n—M。
與圖4A所示的邏輯電路203—1至203一M同樣地,邏輯電路203p_l至203p—M 及邏輯電路203n—l至203n—M包括多個輸入端子。例如,除了布線群111及布 線群114以外,電路201p還連接有布線115,且電路201n還連接有布線116, 因此輸入端子數(shù)是(N+l)個。
與圖4A所示的電路202—1同樣地,電路202p—l包括多個開關(guān),例如開關(guān) 204p—11至204p—1M,而電路202n—1包括多個開關(guān),例如開關(guān)204n—11至 204n—1M。
與圖4A所示的電路202—2同樣地,電路202p—2包括多個開關(guān),例如開關(guān) 204p—21至204p—2M,而電路202n_2包括多個開關(guān),例如開關(guān)204n—21至 204n—2M。
邏輯電路203p—k的輸出端子連接到開關(guān)204p—lk的控制端子及開關(guān) 204p一2k的控制端子。邏輯電路203n一k的輸出端子連接到開關(guān)204n一lk的控制 端子及開關(guān)204n一2k的控制端子。
開關(guān)204p—lk的第一端子連接到布線112p—lk,而開關(guān)204p—lk的第二端 子連接到布線113—1。開關(guān)204n—lk的第一端子連接到布線112n—lk,開關(guān) 204n—lk的第二端子連接到布線113_1。開關(guān)204p—2k的第一端子連接到布線 112p—2k,而開關(guān)204p—2k的第二端子連接到布線113—2。開關(guān)204n—2k的第一 端子連接到布線112n—2k,而開關(guān)204n—2k的第二端子連接到布線113—2。
接著,說明圖7所示的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部IOO的工作。
N位的數(shù)字信號、N位的反相數(shù)字信號及選擇信號輸入到邏輯電路203p_l 至203p—M的輸入端子。N位的數(shù)字信號、N位的反相數(shù)字信號及反相選擇信號 輸入到邏輯電路203n—1至203n_M的輸入端子。
邏輯電路203p—1至203p—M分別根據(jù)被輸入的N位的數(shù)字信號、N位的反 相數(shù)字信號及選擇信號的組合輸出H信號或L信號。邏輯電路203n—1至203n—M 分別根據(jù)被輸入的N位的數(shù)字信號、N位的反相數(shù)字信號及反相選擇信號的組 合輸出H信號或L信號。
例如,當在H信號輸入到各開關(guān)的控制端子的情況下導通時,在第一模式中,邏輯電路203p—1至203p—M中任一個輸出H信號:-其他邏輯電路203p_l 至203p—M及邏輯電路203ft_l至203n_M都輸出L信號。另一方面,在第二模 式中,邏輯電路203n—l至203n—M中任一個輸出H信號,其他邏輯電路203n_l 至203n_M及邏輯電路203p一l至203p—M都輸出L信號。
作為其他例子,當在L信號輸入到各開關(guān)的控制端子的情況下導通時,在 第一模式中,邏輯電路203p—l至203p—M中任一個輸出L信號,其他邏輯電路 203p—1至203p—M及邏輯電路203n—1至203n一M都輸出H信號。另一方面,在 第二模式中,邏輯電路203n—l至203n—M中任一個輸出L信號,其他邏輯電路 203n—1至203n一M及邏輯電路203p一l至203p—M都輸出H信號。
注意,邏輯電路203p_l至203p—M的輸出信號對應于圖6B的第一 M位的 數(shù)字信號。邏輯電路203n—1至203n一M的輸出信號對應于圖6B的第二 M位的 數(shù)字信號。
然后,邏輯電路203p—1至203p—M將第一 M位的數(shù)字信號輸入到開關(guān) 204p—11至204p—1M的控制端子及開關(guān)204p—21至204p—2M的控制端子,并控 制開關(guān)204p—11至204p—IM及開關(guān)204p—21至204p—2M的導通和截止。例如, 邏輯電路203p—k (k: 1至M中任一個)將數(shù)字信號輸入到開關(guān)204p_lk的控 制端子及開關(guān)204p—2k的控制端子,并控制開關(guān)204p—lk及開關(guān)204p—2k的導 通和截止。因此,在很多情況下,開關(guān)204p—lk及開關(guān)204p—2k的導通和截止 的時序大致相等。
同時,邏輯電路203n一l至203n—M將第二 M位的數(shù)字信號輸入到開關(guān) 204n—11至204n—1M的控制端子及開關(guān)204n_21至204n—2M的控制端子,并控 制開關(guān)204n一11至204n—IM及開關(guān)204n—21至204n—2M的導通和截止。例如, 邏輯電路203n_k (k: 1至M中任一個)將數(shù)字信號輸入到開關(guān)204n—lk的控 制端子及開關(guān)204n—2k的控制端子,并控制開關(guān)204n—lk及開關(guān)204n_2k的導 通和截止。因此,在很多情況下,開關(guān)204n—lk及開關(guān)204n—2k的導通和截止 的時序大致相等。
具體而言,例如,在第一模式中,開關(guān)204p—11至204p—IM中任一個根據(jù) 第一 M位的數(shù)字信號導通,從而開關(guān)204p—11至204p一lM使布線群112p—1中 任一個和布線113_1處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。同時,例如,在 第一模式中,開關(guān)204p一21至204p—2M中任一個根據(jù)第一M位的數(shù)字信號導通, 從而開關(guān)204p—21至204p—2M使布線群112p—2中任一個和布線113—2處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。此時,開關(guān)204n」l至204n—1M及開關(guān) 204n—21至204n—2M都根據(jù)第二M位的數(shù)字信號截止。
另一方面,例如,在第二模式中,開關(guān)204n—ll至204n—1M中任一個根據(jù) 第二 M位的數(shù)字信號導通,從而開關(guān)204n—11至204n—1M使布線群112n_l中 任一個和布線113—l處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。同時,例如,在 第二模式中,開關(guān)204n—21至204n一2M中任一個根據(jù)第二 M位的數(shù)字信號導通, 從而開關(guān)204n—21至204n_2M使布線群112n_2中任一個和布線113—2處于導 通狀態(tài)并使它們具有相等的電位。此時,開關(guān)204p_ll至204P_1M及開關(guān) 204p—21至204p—2M都根據(jù)第一M位的數(shù)字信號截止。
注意,可以使第一模擬信號的極性和第二模擬信號的極性互不相同。例如, 為實現(xiàn)此,正極性的第二電壓群輸入到布線群112n一2,并且負極性的第二電壓 群輸入到布線群112p一2。
注意,與圖4A所示的邏輯電路同樣地,作為邏輯電路203p—1至203p_M 及邏輯電路203n—1至203n一M,例如可以使用AND電路、OR電路、NAND電路、 NOR電路、X0R電路、或XN0R電路等中任一個、或者上述電路的組合邏輯電路。
注意,與圖4A所示的開關(guān)同樣地,作為開關(guān)204p_ll至204p—1M、開關(guān) 204n—11至204n—1M、開關(guān)204p一21至204p—2M及開關(guān)204n—21至204n一2M,例 如可以使用P溝道型晶體管、N溝道型晶體管或組合N溝道型晶體管和P溝道 型晶體管的COMS型開關(guān)。
注意,說明了數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部ioo包括多個邏輯電路及多個開關(guān)的情況,
但是不局限于此。數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100包括具有(N+l)個輸入端子及一個輸 出端子的第一邏輯電路、具有(N+l)個輸入端子及一個輸出端子的第二邏輯 電路、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)、以及第四開關(guān),即可。在第一邏輯電 路中,第j (j: 1至N中任一個)輸入端子連接到第一布線或第二布線,第N+1 輸入端子連接到第三布線,輸出端子連接到第一開關(guān)的控制端子及第二開關(guān)的 控制端子。在第二邏輯電路中,第j輸入端子連接到第一布線或第二布線,第 N+l輸入端子連接到第四布線,輸出端子連接到第三開關(guān)的控制端子及第四開 關(guān)的控制端子。第一開關(guān)的第一端子連接到第五布線,第一開關(guān)的第二端子連 接到第六布線。第二開關(guān)的第一端子連接到第七布線,第二開關(guān)的第二端子連 接到第八布線。第三開關(guān)的第一端子連接到第九布線,第三開關(guān)的第二端子連 接到第六布線。第四開關(guān)的第一端子連接到第十布線,第四開關(guān)的第二端子連接到第八布線。
注意,第一布線、第二布線、第三布線、第四布線、第五布線、第六布線、 第七布線、第八布線、第九布線及第十布線分別對應于布線群111中任一個、
布線群114中任一個、布線115、布線116、布線群112p—1中任一個、布線113一1、 布線群112p一2中任一個、布線113一2、布線群112n—1中任一個及布線群112n—2 中任一個。
注意,第一邏輯電路、第二邏輯電路、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)及 第四開關(guān)分別對應于多個邏輯電路203p—1至203p—M中任一個、邏輯電路 203n一l至203n—M中任一個、開關(guān)204p一11至204p_lM中任一個、開關(guān)204p—21 至204p—2M中任一個、開關(guān)204n—11至204n—1M中任一個、開關(guān)204n—21至 204n—2M中任一個。
如上所述,因為本實施方式的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部可以將一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為 多個模擬信號,所以可以不使用查找表。因此,可以防止從存儲元件的查找表 的讀取所引起的發(fā)熱或耗電量的增大等。
再者,例如,當在顯示裝置中使用本實施方式的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部生成視頻 信號時,可以將生成視頻信號的部分和像素部形成在相同的襯底上。因此,可 以減少面板和外部部件的連接數(shù),從而可以減少面板和外部部件的連接部分的 連接不良,并且可以實現(xiàn)可靠性的提高、成品率的提高、生產(chǎn)成本的縮減或高 精細化等。
實施方式4
在本實施方式中,參照圖8A說明可以采用與實施方式3不同的方法分別 設定各模擬信號的極性的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的一例。
本實施方式的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100與實施方式3同樣地具有第一模式和第
二模式。
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100包括電路201、電路202p_l 、電路202n—1 、電路202p—2、 電路202n—2、電路400—1及電路400_2。
電路201連接到布線群111及布線群114。電路202p_l連接到布線群 112p一l、布線411p一l及電路201的輸出端子。電路202n—l連接到布線群112n—1、 布線411n—1及電路201的輸出端子。電路202p—2連接到布線群112p一2、布線 411p—2及電路201的輸出端子。電路202n—2連接到布線群112n—2、布線411n—2 及電路201的輸出端子。電路400—1連接到布線411p—1、布線411n一l、布線113」、布線115及布線116。電路400_2連接到布線411p—2、布線411n—2、
布線113—2、布線115及布線116。
接著,說明圖8A所示的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的工作。
N位的數(shù)字信號及N位的反相數(shù)字信號輸入到電路201。
電路201與圖4A同樣地根據(jù)N位的數(shù)字信號及N位的反相數(shù)字信號生成M
位的數(shù)字信號。
然后,電路201將M位的數(shù)字信號輸入到電路202p—1、電路202n—1、電 路202p—2及電路202n—2,并控制電路202p—1、電路202n—1、電路202p—2及 電路202n一2。
電路202p—1根據(jù)M位的數(shù)字信號使布線群112p—1中任一個和布線411p—1 處于導通狀態(tài)并使它們具有大致相等的電位。電路202n—1根據(jù)M位的數(shù)字信 號使布線群112n—1中任一個和布線411n—1處于導通狀態(tài)并使它們具有相等的 電位。電路202p一2根據(jù)M位的數(shù)字信號使布線群112p一2中任一個和布線411p一2 處于導通狀態(tài)并使它們具有大致相等的電位。電路202n一2根據(jù)M位的數(shù)字信 號使布線群112n—2中任一個和布線411n—2處于導通狀態(tài)并使它們具有大致相 等的電位。
像這樣,對電路400—1從電路202p—1通過布線411p_l輸入正極性的第一 電壓群中任一個,并從電路202n—1通過布線411n—1輸入負極性的第一電壓群 中任一個。同時,對電路400—2從電路202p—2通過布線411p—2輸入正極性的 第二電壓群中任一個,并從電路202n_2通過布線411n—2輸入負極性的第二電 壓群中任一個。
而且,電路400—1根據(jù)選擇信號及反相選擇信號將正極性的第一電壓群中 任一個和負極性的第一電壓群中任一個之一方輸出到布線113—1作為第一模擬 信號。例如,在第一模式中,電路400_1根據(jù)選擇信號及反相選擇信號使布線 411p一l和布線113—1處于導通狀態(tài)并使它們具有大致相等的電位。像這樣,將 正極性的第一電壓群中任一個輸出到布線113—1作為正極性的第一模擬信號。 另一方面,例如,在第二模式中,電路400一1根據(jù)選擇信號及反相選擇信號使 布線411n一l和布線113—1處于導通狀態(tài)并使它們具有大致相等的電位。像這 樣,將負極性的第一電壓群中任一個輸出到布線113_1作為負極性的第一模擬 信號。
再者,電路400—2根據(jù)選擇信號及反相選擇信號將正極性的第二電壓群中任一個和負極性的第二電壓群中任一個之一方輸出到布線113一2作為第二模擬 信號。例如,在第一模式中,電路400_2根據(jù)選擇信號及反相選擇信號使布線 411p—2和布線113一2處于導通狀態(tài)并使它們具有大致相等的電位。像這樣,將 正極性的第二電壓群中任一個輸出到布線113_2作為正極性的第二模擬信號。 另一方面,例如,在第二模式中,電路400—2根據(jù)選擇信號及反相選擇信號使 布線411n—2和布線113—2處于導通狀態(tài)并使它們具有大致相等的電位。像這 樣,將負極性的第二電壓群中任一個輸出到布線113—2作為負極性的第二模擬 信號。
注意,作為電路400—1及電路400—2的具體例子,可以使用圖8B所示的 電路。電路400—1包括開關(guān)401及開關(guān)402,電路400—2包括開關(guān)403及開關(guān) 404。開關(guān)401的第一端子連接到布線411p—1,開關(guān)401的第二端子連接到布 線113—1,開關(guān)401的控制端子連接到布線115。開關(guān)402的第一端子連接到 布線411n—1,開關(guān)402的第二端子連接到布線113_1,開關(guān)402的控制端子連 接到布線116。開關(guān)403的第一端子連接到布線411p—2,開關(guān)403的第二端子 連接到布線113—2,開關(guān)403的控制端子連接到布線115。開關(guān)404的第一端 子連接到布線411n—2,開關(guān)404的第二端子連接到布線113—2,開關(guān)404的控 制端子連接到布線116。
說明電路400—1及電路400—2的工作。
在第一模式中,開關(guān)401根據(jù)選擇信號導通,使布線411p—l和布線113—1 導通并使它們具有大致相等的電位。同時,開關(guān)403根據(jù)選擇信號導通,使布 線411p—2和布線113一2導通并使它們具有大致相等的電位。此時,開關(guān)402 及開關(guān)404根據(jù)反相選擇信號截止。
另一方面,在第二模式中,開關(guān)402根據(jù)反相選擇信號導通,使布線411n—1 和布線113—l導通并使它們具有大致相等的電位。同時,開關(guān)404根據(jù)反相選 擇信號導通,使布線411n—2和布線113—2導通并使它們具有大致相等的電位。 此時,開關(guān)401及開關(guān)403根據(jù)反相選擇信號截止。
注意,開關(guān)403的控制端子可以連接到布線116,且開關(guān)404的控制端子 可以連接到布線115,以使第一模擬信號和第二模擬信號的極性互不相同。
注意,作為開關(guān)401、開關(guān)402、幵關(guān)403、開關(guān)404,可以使用P溝道型 晶體管、N溝道型晶體管或組合N溝道型晶體管和P溝道型晶體管的CMOS型開 關(guān)。注意,各晶體管的柵極、第一端子(源極及漏極的一方)、第二端子(源極及漏極的另一方)相當于各開關(guān)的控制端子、第一端子、第二端子,并采用同樣的連接結(jié)構(gòu)。
特別是,如圖8C所示,作為開關(guān)401、開關(guān)402、開關(guān)403、開關(guān)404,優(yōu)選使用晶體管401a、晶體管402a、晶體管403a、晶體管404a。晶體管401a及晶體管403a是P溝道型,而晶體管402a及晶體管404a是N溝道型。而且,晶體管401a、晶體管402a、晶體管403a、晶體管404a的控制端子都連接到相同的布線(圖8C中的布線116)。因此,可以省略布線115和布線116的一方。
在此,由于對晶體管401a的第一端子及晶體管403a的第一端子輸入正極性的電壓,因此晶體管401a的第一端子及晶體管403a的第一端子的電位增高。晶體管401a及晶體管403a是P溝道型晶體管,所以晶體管401a及晶體管403a的柵極和源極之間的電位差(Vgs)的絕對值增高。因而,可以縮小晶體管401a及晶體管403a的晶體管尺寸(例如,溝道寬度W)。另一方面,由于對晶體管402a的第一端子及晶體管404a的第一端子輸入負極性的電壓,因此晶體管402a的第一端子及晶體管404a的第一端子的電位降低。因為晶體管402a及晶體管404a是N溝道型晶體管,所以晶體管402a及晶體管404a的柵極和源極之間的電位差(Vgs)增高。因而,可以縮小晶體管402a及晶體管404a的晶體管尺寸(例如,溝道寬度W)。
注意,例如,優(yōu)選的是,晶體管401a的W/L比和晶體管403a的W/L比相等,以使第一模擬信號的開關(guān)雜波和第二模擬信號的開關(guān)雜波大致相等。由此,在將圖8C的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100用于顯示裝置的情況下,第一子像素和第二子像素分別根據(jù)具有大致相等的開關(guān)雜波的信號表達灰度級。因此,可以減少各模擬信號的開關(guān)雜波的影響。但是不局限于此。
注意,與晶體管401a及晶體管403a同樣地,例如晶體管402a的W/L比和晶體管404a的W/L比相等。但是,不局限于此。
注意,在電路202p—1、電路202n—1、電路202p—2及電路202n—2具有晶體管的情況下,該晶體管的W/L比優(yōu)選小于晶體管401a至404a的W/L比。但是不局限于此。
如上所述,本實施方式的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部可以將一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為多個模擬信號,所以可以不使用査找表。因此,可以防止從存儲元件的查找表的讀取所引起的發(fā)熱或耗電量的增大等。
再者,例如,當在顯示裝置中使用本實施方式的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部生成視頻信號時,可以將生成視頻信號的部分和像素部形成在相同的襯底上。因此,可以減少面板和外部部件的連接數(shù),從而可以減少面板和外部部件的連接部分的連接不良,并且可以實現(xiàn)可靠性的提高、成品率的提高、生產(chǎn)成本的縮減或高精細化等。
實施方式5
在本實施方式中,對于將實施方式1至實施方式4所說明的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100用于顯示裝置的情況進行說明。注意,作為一例,參照圖9A說明將數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部用于顯示裝置的情況,該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部將一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為兩個模擬信號。
顯示裝置包括數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100、電路501一1、電路501一2以及具有第一子像素502—1和第二子像素502_2的像素502。
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100連接到布線群111、布線群112—1、布線群112_2、布線113—1及布線113—2。電路501—1連接到布線群112—1。電路501—2連接到布線群112—2。第一子像素502—1連接到布線113—1。第二子像素502—2連接到布線113—2。
電路501—1生成多個電壓,并通過布線群112一1輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。電路501—2生成多個電壓,并通過布線群112—2輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。
注意,電路501—1所生成的多個電壓對應于第一電壓群,而電路501—2所生成的多個電壓對應于第二電壓群。
注意,電路501—1及電路501—2可以分別用作第一參考驅(qū)動器、第二參考驅(qū)動器。
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部IOO根據(jù)N位的數(shù)字信號、電路501_1的輸出電壓(例如,第一電壓群)及電路501—2的輸出電壓(例如,第二電壓群),如實施方式1至實施方式4所說明那樣地生成第一模擬信號及第二模擬信號。而且,通過布線113—1將第一模擬信號輸入到第一子像素502—1并控制第一子像素502—1的灰度級。通過布線113—2將第二模擬信號輸入到第二子像素502_2并控制第二子像素502—2的灰度級。
第一子像素502—1根據(jù)第一模擬信號表達灰度級,而第二子像素502—2根據(jù)第二模擬信號表達灰度級。例如,在第一子像素502_1及第二子像素502_2分別具有液晶元件的情況下,第一子像素502—1所具有的液晶元件的取向根據(jù)第一模擬信號變化,且該液晶元件的透過率變化。同樣地,第二子像素502—2所具有的液晶元件的取向根據(jù)第二模擬信號變化,且該液晶元件的透過率變化。例如,在第一模擬信號和第二模擬信號的值互不相同的情況下,第一子像素502—1所具有的液晶元件的取向狀態(tài)和第二子像素502—2所具有的液晶元件的取向狀態(tài)互不相同。因此,可以實現(xiàn)提高視角特性。
注意,作為電路501_1及電路501—2,只要具有可以生成多個電壓的結(jié)構(gòu)就可以使用各種電路。例如,可以采用多個電阻元件串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。在圖9B、圖9C所示的一例中,電路501—1具有多個電阻元件,S卩電阻元件501—11至501_1M,而電路501—2具有多個電阻元件,即電阻元件501—21至501—2M。電阻元件501—11至501—1M在電源VI和電源V2之間串聯(lián)連接。電阻元件501—21至501—2M在電源V3和電源V4之間串聯(lián)連接。電阻元件501_11至501一1M通過對從電源VI供給的電壓和從電源V2供給的電壓進行分壓生成多個電壓(第一電壓群)。電阻元件501_21至501—2M通過對從電源V3供給的電壓和從電源V4供給的電壓進行分壓生成多個電壓(第二電壓群)。第一電壓群及第二電壓群取決于電阻元件的電阻值及電源電壓。
注意,為了減少電源數(shù)及布線數(shù),例如可以在電路501—l及電路501—2中共同所有電源。作為具體的一例,在共同所有電源V1和電源V3的情況下,電阻元件501—11至501—1M在電源V1和電源V2之間串聯(lián)連接。而且,電阻元件501—21至501—2M在電源VI和電源V4之間串聯(lián)連接。
注意,為了自由地設定第一電壓群的特性,例如可以使電阻元件501—11至501—1M中任一個或多個成為可變電阻元件。同樣地,為了自由地設定第二電壓群的特性,例如可以使電阻元件501—21至501一2M中任一個或多個成為可變電阻元件。
注意,為了自由地設定第一電壓群及第二電壓群的特性,例如可以使電源Vl的電壓、電源V2的電壓、電源V3的電壓或電源V4的電壓可以成為可變電源。作為可變電源的一例,從多個電源中選擇任一個。多個電源分別通過開關(guān)連接到電阻元件(例如,電阻元件501_11)。而且,通過控制各開關(guān)的導通和截止,控制所供給的電壓。
注意,在分別設定第一模擬信號的極性和第二模擬信號的極性的情況下,如圖IOA所示的一例,使用生成正極性的第一電壓群的電路501p—1、生成負極性的第二電壓群的電路501n一l、生成正極性的第一電壓群的電路501p—2、生成負極性的第二電壓群的電路501n—2。作為這種電路的一例,有與圖9B、圖9C所示的電路501_1或電路501—2同樣地多個電阻元件在兩個電源之間串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。注意,為了輸出正極性的電壓群,例如優(yōu)選使在電路501p_l及電路501p_2中使用的電源電壓中的至少一個大于共同電壓。另一方面,為了輸出負極性的電壓群,例如優(yōu)選使在電路501n一l及電路501n—2中使用的電源電壓中的至少一個小于共同電壓。
注意,可以將電路501p一l和電路501n—1 —起表示為電路501_1,并將電路501p—2和電路501n—2 —起表示為電路501—2。在此情況下,例如電路501_1及電路501—2分別生成正極性的電壓群和負極性的電壓群。
注意,在將N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為n個模擬信號的情況下,如圖10B所示的一例,使用電路501—1至501—n。電路501一1至501—n分別生成多個電壓并將多個電壓輸出到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。作為電路501—1至501_n的一例,與圖9B、圖9C所示的電路501_1或電路501—2同樣地,有多個電阻元件在兩個電源之間串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部lOO根據(jù)n個電壓群和N位的數(shù)字信號生成n個模擬信號。而且,將n個模擬信號輸入到n個子像素502—1至502_n。例如,將第i (i: l至n中任一個)模擬信號輸出到子像素502—i。
接著,對于比圖9A詳細的顯示裝置的一例,參照圖11A進行說明。
顯示裝置包括信號線驅(qū)動電路601、掃描線驅(qū)動電路602、像素部603、電路501_1及電路501—2。信號線驅(qū)動電路601包括移位寄存器621、第一鎖存器部622、第二鎖存器部623、多個數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100及緩沖器部625。像素部603包括多個像素605,多個像素605分別具有第一子像素606a及第二子像素606b。第一子像素606a及第二子像素606b具有保持被寫入的信號的單元。
第一信號線S1—1至S1—m及第二信號線S2_l至S2_m從信號線驅(qū)動電路601向列方向延伸而配置。掃描線Gl至Gn從掃描線驅(qū)動電路602向行方向延伸而配置。
注意,第一信號線S1—1至S1—ra、第二信號線S2—1至S2—m及掃描線Gl至Gn可以用作第一信號線、第二信號線、第三信號線。
注意,根據(jù)像素的結(jié)構(gòu),可以追加電容線、電源線、新的掃描線、新的信號線等新的布線而配置。例如,在很多情況下,電容線與掃描線G1至Gn并聯(lián)而配置,且對電容線供給恒定的電壓。但是,電容線有時輸入有信號。
各像素605對應于第一信號線S1—1至S1—m、第二信號線S2—1至S2_m及掃描線Gl至Gn而配置為矩陣狀。第一子像素606a連接到第一信號線Sl一j (第一信號線Sl一l至Sl一m中任一個)和掃描線Gi (掃描線Gl至Gn中任一個)。第二子像素606b連接到第二信號線S2—j (第二信號線S2—1至S2—m中任一個)和掃描線Gi (掃描線Gl至Gn中任一個)。
對移位寄存器621輸入起始脈沖(SSP)、時鐘信號(SCK)、反相時鐘信號(SCKB)。移位寄存器621根據(jù)這種信號將取樣脈沖輸出到第一鎖存器622。
注意,作為移位寄存器621,只要能夠輸出取樣脈沖,就例如可以使用計數(shù)器或譯碼器等。
對第一鎖存器部622輸入取樣脈沖及圖像信號(Vdata)。第一鎖存器部622根據(jù)取樣脈沖按順序保持每個列的圖像信號。在結(jié)束保持最后列的圖像信號之后,第一鎖存器部622將在各列中保持的圖像信號同時輸出到第二鎖存器部623。注意,圖像信號(Vdata)對應于實施方式1至實施方式4所說明的N位的數(shù)字信號。
對第二鎖存器部623輸入從第一鎖存器部622輸入的圖像信號及鎖存器脈沖(LAT一Pulse)。第二鎖存器部623根據(jù)鎖存器脈沖同時保持從第一鎖存器622輸入的圖像信號。然后,第二鎖存器623同時將圖像信號輸出到多個數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。
注意,例如可以將移位寄存器的輸出信號或起始脈沖等用作鎖存器脈沖來省略鎖存器脈沖。
注意,第二鎖存器部623在各列中輸出的圖像信號例如對應于實施方式1至實施方式4中所說明的N位的數(shù)字信號。
多個數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100分別如實施方式1至實施方式4所說明那樣地將圖像信號轉(zhuǎn)換為第一模擬信號及第二模擬信號。而且,多個數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100分別將第一模擬信號通過緩沖器部625寫入到第一子像素502—1,將第二模擬信號通過緩沖器部625寫入到第二子像素502_2。
在此,為了減少圖像信號的振幅電壓,例如第一鎖存器部622及/或第二鎖存器部623可以具有移位寄存功能或移位寄存器。在此情況下,輸入到第一鎖存器部622的圖像信號的振幅電壓例如小于第一鎖存器部622在各列中輸出的圖像信號的振幅電壓或第二鎖存器部623在各列中輸出的圖像信號的振幅電壓。由此,例如可以減少移位寄存器621、第一鎖存器部622或第二鎖存器部623的驅(qū)動電壓,所以實現(xiàn)耗電量的縮減。接著,參照圖IIB說明顯示裝置的工作的一例。圖11B的時序圖的一例示出相當于顯示一個像素的圖像的期間的一個幀期間。在該一個幀期間中,按順序選擇像素的第一行到第n行。 一個幀期間的周期優(yōu)選為1/60秒以下(60Hz以上),以不使觀察者觀察到閃爍。更優(yōu)選為1/120秒以下(頻率為120Hz以上)。更優(yōu)選為1/180秒以下(頻率為180Hz以上)。但是,在頻率增高的情況下,有時顯示裝置的幀頻率和原來的圖像數(shù)據(jù)的幀頻率不一致。因此,需要補充圖像數(shù)據(jù)。例如,通過檢測出運動向量進行該圖像數(shù)據(jù)的補充。由此,可以以高幀頻率進行顯示。通過上述步驟,可以進行圖像的運動平滑且后像少的顯示。
掃描線驅(qū)動電路602根據(jù)起始脈沖(GSP)、時鐘信號(GSK)、反相時鐘信號(GCKB)將掃描信號輸出到掃描線Gl至Gn。掃描信號按順序選擇第一行至第n行的像素的行??梢詫儆诒贿x擇的行的像素寫入視頻信號。每次該像素的行被選擇時,信號線驅(qū)動電路601將第一模擬信號寫入到第一子像素606a,并將第二模擬信號寫入到第二子像素606a。注意,將選擇有一行的像素的期間
稱為一個柵極選擇期間。
如上所述,在圖IIA所示的顯示裝置中,各數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部IOO可以將一
個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為多個模擬信號,所以即使像素被分割為多個子像素,圖像信號的數(shù)據(jù)量也不增加。因此,可以縮小處理圖像信號的電路(例如,移位寄存器、第一鎖存器部、第二鎖存器部等)的規(guī)模。
再者,因為在圖IIA所示的顯示裝置中,不需要用來將一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為多個模擬信號的査找表,即存儲部,所以可以容易將像素部和其外圍電路(例如,信號線驅(qū)動電路、掃描線驅(qū)動電路、參考驅(qū)動器等)形成在相同的襯底上。
注意,信號線驅(qū)動電路601的結(jié)構(gòu)不局限于圖IIA的結(jié)構(gòu)。例如,如果數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的電流能力高,則可以省略緩沖器部625。作為其他例子,在電路501一1及電路501—2所生成的電壓群通過緩沖器輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100的情況下,可以省略緩沖器部625。例如,在電壓群的電壓數(shù)小于信號線數(shù)的情況下緩沖器數(shù)減少,因此優(yōu)選的是,電路501—1及電路501—2所生成的電壓群通過緩沖器輸入到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100。
注意,為了在每一個像素中實現(xiàn)點反相驅(qū)動,將圖12A所示的信號線驅(qū)動電路的一例用于顯示裝置。例如,在圖10A中說明的電路501p一l、電路501p一2、電路501n—1及電路501n一2所分別輸出的正極性的第一電壓群、正極性的第二電壓群、負極性的第一電壓群、負極性的第二電壓群輸入到多個數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換
部100。再者,選擇信號及反相選擇信號替換地輸入到每一列。而且,選擇信號及反相選擇信號在每一個選擇期間中替換H信號和L信號。因此,例如通過將時鐘信號(GCK)及反相時鐘信號(GCKB)用作選擇信號及反相選擇信號,可以省略選擇信號及反相選擇信號。像這樣,可以實現(xiàn)點反相驅(qū)動。
注意,圖12A說明當在每一個像素中實現(xiàn)點反相驅(qū)動時的信號線驅(qū)動電路的一例,但是不局限于此。例如,也可以在每一個子像素中實現(xiàn)點反相驅(qū)動。在此情況下,如實施方式3及實施方式4所說明,通過替換正極性的第一電壓群和負極性的第二電壓群并輸入到各數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部100,可以使第一視頻信號和第二視頻信號的極性互不相同。
作為其他例子,選擇信號及反相選擇信號替換地輸入到每n列,并且選擇信號及反相選擇信號通過在每n個柵極選擇期間替換H信號和L信號來實現(xiàn)每n個像素中的點反相驅(qū)動。
作為其他例子,通過選擇信號和反相選擇信號可以通過在每一個幀期間替換H信號和L信號,可以實現(xiàn)源極線反相驅(qū)動。
接著,參照圖12B說明像素605具有液晶元件的情況的一例。像素605包括第一子像素606a以及第二子像素606b,該第一子像素606a具有晶體管701a、液晶元件702a及電容元件703a,該第二子像素606b具有晶體管701b、液晶元件702b及電容元件703b。晶體管701a的第一端子連接到信號線S1—j,晶體管701a的第二端子連接到液晶元件702a的一方電極,晶體管701a的柵極連接到掃描線Gi。電容元件703a連接到晶體管701a的第二端子和電容線705之間。液晶元件702a的另一方電極對應于共同電極704。另一方面,晶體管701b的第一端子連接到信號線S2一j,晶體管701b的第二端子連接到液晶元件702b的一方電極,晶體管701b的柵極連接到掃描線Gi。電容元件703b連接到晶體管701b的第二端子和電容元件705之間。液晶元件702b的另一方電極對應于共同電極704。
例如,當選擇第i行時,H信號從掃描線驅(qū)動電路602輸入到掃描線Gi,且晶體管701a及晶體管701b導通。然后,第一視頻信號從信號線驅(qū)動電路601通過信號線S1—j寫入到第一子像素606a,且第一視頻信號和電容線705的電位的電位差保持在電容元件703a。而且,液晶元件704a具有根據(jù)第一視頻信號的透過率,并表達根據(jù)第一視頻信號的灰度級。同時,第二視頻信號從信號線驅(qū)動電路601通過信號線S2—j寫入到第二子像素606b,且第二視頻信號和電容線705的電位的電位差被保持在電容元件703b。而且,液晶元件704b具有根據(jù)第二視頻信號的透過率,并表達根據(jù)第二視頻信號的灰度級。
如上所述,因為本實施方式的顯示裝置可以使用實施方式1至實施方式4所說明的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部來將一個數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為多個模擬信號,所以可以不使用查找表。因此,可以防止從存儲元件的查找表的讀取所引起的發(fā)熱或耗電量的增大等。
再者,由于不使用查找表,因此可以將生成視頻信號的部分和像素部形成在相同的襯底上。由此,可以減少面板和外部部件的連接數(shù),從而可以減少面板和外部部件的連接部分的連接不良,并可以實現(xiàn)可靠性的提高、成品率的提高、生產(chǎn)成本的縮減或高精細化等。
再者,可以靠近地配置生成視頻信號的部分和像素部。因此,可以縮短從生成視頻信號到輸入到像素的路徑。由此,因為可以減少產(chǎn)生在視頻信號中的雜波,所以可以實現(xiàn)顯示質(zhì)量的提高。
實施方式6
在本實施方式中,說明晶體管的結(jié)構(gòu)。
圖13是晶體管的截面圖的一例。但是,晶體管的結(jié)構(gòu)不局限于圖13而可以使用各種結(jié)構(gòu)。
注意,在圖13中并列示出多個晶體管的截面圖的一例,但是這是為了說明晶體管的結(jié)構(gòu)而采用的表現(xiàn)。因此,晶體管不需要在實際上如圖13那樣并列配置而可以根據(jù)需要分別制造。
晶體管5051是單漏極晶體管的一例。晶體管5052是柵電極5063具有一定程度以上的錐形角的晶體管的一例。晶體管5053是一種晶體管的一例,其中柵電極5063由至少兩層構(gòu)成,并具有下層的柵電極比上層的柵電極長的形狀。晶體管5054是與柵電極5063的側(cè)面接觸地具有側(cè)壁5066的晶體管的一例。晶體管5055是通過將掩模用于半導體層進行摻雜形成LDD (Loff)區(qū)域的晶體管的一例。
接著,說明構(gòu)成晶體管的各層的特征。
作為襯底5057的一例,有鋇硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鋁玻璃等的玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底或包括不銹鋼的金屬襯底等。此外,還有以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)為代表的塑料或丙烯等的具有柔性的合成樹脂等。
絕緣膜5058用作基底膜。作為絕緣膜5058的一例,有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNJ 、氧氮化硅(SiOxNy) (x〉y)、氮氧化硅(SiNxOy) (x〉y)等的具有氧或氮的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或這種絕緣膜的疊層結(jié)構(gòu)等。作為以兩層結(jié)構(gòu)設置絕緣膜5058的一例,可以設置氮氧化硅膜作為第一層的絕緣膜,并設置氧氮化硅膜作為第二層的絕緣膜。作為其他例子,在以三層結(jié)構(gòu)設置絕緣膜5058的情況下,可以設置氧氮化硅膜作為第一絕緣膜,設置氮氧化硅膜作為第二層,并設置氧氮化硅膜作為第三層的絕緣膜。
作為半導體層5059、半導體層5060、半導體層5061的一例,有非晶半導體、微晶半導體、半非晶半導體(SAS)、多晶半導體或單晶半導體等。
注意,半導體層5059、半導體層5060、半導體層5061的雜質(zhì)濃度優(yōu)選互不相同。例如,半導體層5059用作溝道區(qū),半導體層5060用作低濃度漏極(Lightly Doped Drain: LDD)區(qū)域,且半導體層5061用作源區(qū)域及漏區(qū)域。
作為絕緣膜5062的一例,與絕緣膜5058同樣地有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNJ 、氧氮化硅(SiOxNy) (x〉y)、氮氧化硅(SiN,Oy) (x〉y)等的具有氧或氮的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或這種絕緣膜的疊層結(jié)構(gòu)等。
作為柵電極5063的一例,有單層的導電膜、多層(例如,兩層、三層等)的導電膜的積累結(jié)構(gòu)等。作為用于該柵電極5063的導電膜的一例,有鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鴇(W)、鉻(Cr)、硅(Si)等元素的單體膜、該元素的氮化膜(例如,氮化鉭膜、氮化鎢膜、氮化鈦膜)、組合該元素的合金膜
(例如,Mo-W合金、Mo-Ta合金)或該元素的硅化物膜(例如,鎢硅化物膜、鈦硅化物膜)等。
注意,上述單體膜、氮化膜、合金膜、硅化物膜等既可以是單層,又可以是疊層結(jié)構(gòu)。
作為絕緣膜5064的一例,有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x〉y)、氮氧化硅(SiNxOy) (x〉y)等的具有氧或氮的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)、DLC (類金剛石碳)等的包含碳的膜的單層結(jié)構(gòu)、或者它們的疊層結(jié)構(gòu)等。
作為絕緣膜5065的一例,有硅氧烷樹脂、具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOJ 、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x〉y)、氮氧化硅(SiNxOy)(x>y)等、包含碳的膜如DLC (類金剛石碳)等、有機材料如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯基苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯等、或者上述材料的單層結(jié)構(gòu)或疊
層結(jié)構(gòu)。
注意,作為硅氧烷樹脂的一例,有包含Si-0-Si鍵的樹脂。例如,硅氧垸的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。而且,作為取代基,使用至少包
含氫的有機基(例如,垸基、芳香烴)。有機基也可以包含氟基團。
注意,也可以不設置絕緣膜5064并覆蓋柵電極5063地直接設置絕緣膜5065。
作為導電膜5067的一例,有單層的導電膜、多層(例如,兩層、三層等)的導電膜的積累結(jié)構(gòu)等。作為導電膜5067的材料的一例,有A1、 Ni、 C、 W、Mo、 Ti、 Pt、 Cu、 Ta、 Au、 Mn等的元素的單體膜、該元素的氮化膜、組合該元素的合金膜、或該元素的硅化物膜等。作為組合該元素的合金膜的一例,有包含C及Ti的Al合金、包含Ni的Al合金、包含C及Ni的Al合金、包含C及Mn的Al合金等。
注意,在以疊層結(jié)構(gòu)設置上述導電層的情況下,例如,優(yōu)選采用使用Mo或Ti等夾住Al的結(jié)構(gòu)。由此,可以提高Al的對熱及化學反應的耐受性。
作為側(cè)壁5066的一例,可以使用氧化硅(SiOJ或氮化硅(SiNJ 。
如上所述,本實施方式所說明的晶體管的結(jié)構(gòu)可以用于構(gòu)成實施方式1至實施方式4所說明的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部的晶體管。實施方式1至實施方式4所說明的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部可以不使用查找表地生成對應于各子像素的信號。因此,可以防止從存儲元件的查找表的讀取所引起的發(fā)熱或耗電量的增大等。
再者,因為不使用查找表,所以可以將生成視頻信號的部分和像素部形成在相同的襯底上。因此,可以減少面板和外部部件的連接數(shù),從而可以實現(xiàn)可靠性的提高、成品率的提高、成本的縮減或高精細化等。
實施方式7
在本實施方式中,說明半導體層的形成方法的一例。本實施方式的半導體層的形成方法可以用于實施方式4所說明的晶體管的結(jié)構(gòu)及制造方法。
將根據(jù)本發(fā)明的S0I襯底示出于圖14A。在圖14A中基襯底9200為具有絕緣表面的襯底或絕緣襯底,可以應用鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃等的用于電子工業(yè)中的各種玻璃襯底。此外,還可以使用石英玻璃、硅片等的半導體襯底。S0I層9202為單晶半導體,典型應用單晶硅。此外,可以
應用能夠利用氫離子注入剝離法從單晶半導體襯底或多晶半導體襯底剝離的結(jié)晶半導體層,該結(jié)晶半導體層由硅、鍺、以及化合物半導體如砷化鎵、磷化銦等構(gòu)成。
在這種基襯底9200和SOI層9202之間,設置具有平滑面且形成親水性表面的接合層9204。作為該接合層9204,適用氧化硅膜。特別優(yōu)選的是使用有機硅垸氣體且利用化學氣相成長法而制造的氧化硅膜。作為有機硅垸氣體,可以使用包含硅的化合物,如四乙氧基硅垸(TEOS:化學式Si (OC2H5) 4)、四甲基硅烷(TMS:化學式Si (CH3) 4)、四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅烷(SiH (OC2H5) 3)、三(二甲基氨基)硅垸(SiH (N (CH3) 2) 3)等。
將上述具有平滑面并形成親水性表面的接合層9204設為5nm至500nm的厚度。該厚度可以使被成膜的膜表面的表面粗糙平滑化,并且可以確保該膜的成長表面的平滑性。另外,可以緩和與接合的襯底的應變。也可以在基襯底9200上預先設置同樣的氧化硅膜。S卩,當將S0I層9202接合到具有絕緣表面的襯底或絕緣性的基襯底9200之際,在形成接合的面的一方或雙方上,通過優(yōu)選設置由以有機硅垸為原材料來形成的氧化硅膜構(gòu)成的接合層9204,可以形成堅固接合。
參照圖14B至14E說明這種S0I襯底的制造方法。
圖14B所示的半導體襯底9201被清洗,并且從其表面將由電場加速的離子注入到預定的深度,從而形成離子摻雜層9203??紤]轉(zhuǎn)置于基襯底上的SOI層的厚度進行離子的注入。該S0I層的厚度為5nm至500nm,優(yōu)選為10nm至200nm??紤]這種厚度設定當將離子注入到半導體襯底9201時的加速電壓。離子摻雜層9203通過注入氫、氦或以氟為代表的囟素的離子來形成。在此情況下,優(yōu)選使用由一種或多種相同的原子構(gòu)成的質(zhì)量不同的離子。當注入氫離子時,優(yōu)選使該氫離子包含H+、 H2+、 H3+離子并提高H/離子的比率。當注入氫離子時,通過使該氫離子包含H+、 H2+、 H3+離子并提高H3+離子的比率,可以提高注入效率,從而可以縮短注入時間。利用這樣的結(jié)構(gòu)可以容易地進行剝離。
需要以高劑量條件注入離子,所以有時半導體襯底9201的表面會變得粗糙。因此也可以在注入離子的表面上利用氮化硅膜或氮氧化硅膜等設置相對于注入離子的保護膜,其厚度為50nm至200nm。
其次,如圖14C所示,在與基襯底形成接合的面上形成氧化硅膜作為接合層9204。作為氧化硅膜,如上所述,使用有機硅垸氣體并通過化學氣相成長法來制造的氧化硅膜是優(yōu)選的。另外,也可以應用使用硅烷氣體并通過化學氣相成長法來制造的氧化硅膜。在利用化學氣相成長法進行的成膜中,作為從形成
于單晶半導體襯底的離子摻雜層9203不發(fā)生脫氣的溫度,例如采用35(TC以下的成膜溫度。另外,作為從單晶或多晶半導體襯底剝離SOI層的熱處理,采用比成膜溫度高的熱處理溫度。
圖14D表示使基襯底9200與形成有半導體襯底9201的接合層9204的表面密接,且使兩者接合起來的情況。對形成接合的面進行充分的清洗。然后通過使基襯底9200和接合層9204密接,形成接合。范德瓦耳斯力作用于該接合,并且通過壓接基襯底9200和半導體襯底9201,從而可以利用氫鍵來形成更堅固的接合。
為了形成良好的接合,也可以預先使表面活化。例如,對形成接合的面照射原子束或離子束。當利用原子束或離子束時,可以使用氬等惰性氣體中性原子束或惰性氣體離子束。另外,進行等離子體照射或自由基處理。通過這種表面處理,即使在溫度為20(TC至40(rC的情況下也可以容易地形成異種材料之間
的接合。
在中間夾著接合層9204而貼合基襯底9200和半導體襯底9201之后,優(yōu)選進行加熱處理或加壓處理。通過進行加熱處理或加壓處理,可以提高接合強度。加熱處理的溫度優(yōu)選為基襯底9200的耐熱溫度以下。在加壓處理中,向垂直于接合面的方向施加壓力,且考慮基襯底9200及半導體襯底9201的耐壓性而進行該處理。
在圖14E中,在將基襯底9200和半導體襯底9201貼合之后,進行熱處理,從而以離子摻雜層9203為劈開面將半導體襯底9201從基襯底9200剝離。熱處理的溫度優(yōu)選為接合層9204的成膜溫度以上且基襯底9200的耐熱溫度以下。例如,通過進行40(TC至60(TC的熱處理,在形成于離子摻雜層9203的微小空洞中發(fā)生堆積變化,因而可以沿著離子摻雜層9203進行劈開。因為接合層9204與基襯底9200接合,所以在基襯底9200上殘留具有與半導體襯底9201相同的結(jié)晶性的S0I層9202。
通過這樣,根據(jù)本方式,即使在使用玻璃襯底等的耐熱溫度為70(TC以下的基襯底9200的情況下,也可以獲得接合部的粘接力堅固的S0I層9202。作為基襯底9200可以使用如鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃等被稱為無堿玻璃的用于電子工業(yè)中的各種玻璃襯底。SP,可以在一邊超過一米的襯底上形成單晶半導體層。通過使用這種大面積襯底,不僅可以制造液晶顯示器等顯示裝置,而且還可以制造半導體集成電路。
可以將使用上述半導體層的晶體管形成在玻璃襯底等的透過光的襯底。因此,可以將顯示裝置的像素部和實施方式l所說明的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部形成在相同的襯底上。
在使用上述半導體層的晶體管中,遷移率高且特性不均勻小。因此,通過使用該晶體管來制造實施方式l所說明的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部,可以縮小數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部的布局面積。
如上所述,可以將本實施方式所說明的晶體管的結(jié)構(gòu)采用于構(gòu)成實施方式
1至實施方式4所說明的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部的晶體管。實施方式1至實施方式4所說明的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部可以不使用查找表地生成對應于各子像素的信號。因此,可以防止從存儲元件的查找表的讀取所引起的發(fā)熱或耗電量的增大等。
再者,因為不使用査找表,所以可以將生成視頻信號的部分和像素部形成在相同的襯底上。因此,可以減少面板和外部部件的連接數(shù),從而可以實現(xiàn)可靠性的提高、成品率的提高、成本的縮減或高精細化等。
實施方式8
在本實施方式中,說明電子設備的例子。
圖15A至圖15H、圖16A至圖16D是示出電子設備的圖。這些電子設備可以具有外殼5000、顯示部5001、揚聲器5003、 LED燈5004、操作鍵5005、連接端子5006、傳感器5007 (它具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁氣、溫度、化學物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風5008等。
圖15A示出移動計算機,除了上述以外還可以具有開關(guān)5009、紅外線端口5010等。圖15B示出具備記錄介質(zhì)的便攜式圖像再現(xiàn)裝置(例如,DVD再現(xiàn)裝置),除了上述以外還可以具有第二顯示部5002、記錄介質(zhì)讀出部5011等。圖15C示出護目鏡型顯示器,除了上述以外還可以具有第二顯示部5002、支撐部5012、耳機5013等。圖15D示出便攜式游戲機,除了上述以外還可以具有記錄介質(zhì)讀出部5011等。圖15E示出投影機,除了上述以外還可以具有光源5033、投射透鏡5034等。圖15F示出便攜式游戲機,除了上述以外還可以具有第二顯示部5002、記錄介質(zhì)讀出部5011等。圖15G示出電視接收機,除了上述以外還可以具有調(diào)諧器、圖像處理部等。圖15H示出便攜式電視接收機,除了上述以外還可以具有能夠收發(fā)信號的充電器5017等。圖16A示出顯示器,除了上述以外還可以具有支撐臺5018等。圖16B示出影像拍攝裝置,除了上述以外還可以具有外部連接端口 5019、快門按鈕5015、圖像接收部5016等。圖16C示出計算機,除了上述以外還可以具有定位裝萱5020、外部連接端口5019、讀寫器5021等。圖16D示出移動電話機,除了上述以外還可以具有天線5014、用于移動電話及移動終端的單波段播放(one-segment broadcasting)部分接收用調(diào)諧器等。
圖15A至圖15H、圖16A至圖16D所示的電子設備可以具有各種各樣的功能。例如,可以具有如下功能將各種信息(靜態(tài)圖像、動態(tài)圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上;觸控面板;顯示日歷、日期或時刻等;通過利用各種軟件(程序)控制處理;進行無線通信;通過利用無線通信功能,與各種計算機網(wǎng)絡連接;通過利用無線通信功能,進行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收;讀出存儲在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)來將它顯示在顯示部上等。再者,在具有多個顯示部的電子設備中,可以具有如下功能 一個顯示部主要顯示圖像信號,而另一顯示部主要顯示文字信息;或者,在多個顯示部上顯示考慮到視差的圖像來顯示立體圖像等。再者,在具有圖像接收部的電子設備中,可以具有如下功能拍攝靜態(tài)圖像;拍攝動態(tài)圖像;對所拍攝的圖像進行自動或用手校正;將所拍攝的圖像存儲在記錄介質(zhì)(外部或內(nèi)置于影像拍攝裝置)中;將所拍攝的圖像顯示在顯示部上等。注意,圖15A至圖15H、圖16A至圖16D所示的電子設備的功能不局限于上述功能,而可以具有各種各樣的功能。
本實施方式所示的電子設備的特征在于具有用來顯示某種信息的顯示部。通過將實施方式5所說明的顯示裝置用于電子設備的顯示部,可以實現(xiàn)提高視角特性。實施方式5所說明的顯示裝置可以以少的信號數(shù)驅(qū)動,因此可以減少電子設備的部件數(shù)量。再者,實施方式5所說明的顯示裝置不需要查找表,所以可以廉價地制造電子設備。
下面,說明半導體裝置的應用例。
圖16E示出將半導體裝置和建筑物形成為一體的例子。圖16E包括外殼5022、顯示部5023、作為操作部的遙控裝置5024、揚聲器5025等。半導體裝置被結(jié)合到建筑物內(nèi)作為壁掛式,因此可以不需要較大的空間而設置。
圖16F示出在建筑物內(nèi)將半導體裝置和建筑物形成為一體的其他例子。顯示面板5026被結(jié)合到浴室5027內(nèi),從而洗澡的人可以看到顯示面板5026。
注意,在本實施方式中,舉出墻、浴室作為建筑物。但是,本實施方式不局限于此。半導體裝置可以安裝在各種建筑物內(nèi)。
下面,示出將半導體裝置和移動物體形成為一體的例子。圖16G示出將半導體裝置和汽車形成為一體的例子。顯示面板5028被結(jié)合到車體5029,并且根據(jù)需要能夠顯示車體的工作或從車體內(nèi)部或外部輸入的信息。另外,也可以具有導航功能。
圖16H示出將半導體裝置和旅客用飛機形成為一體的例子。圖16H示出在將顯示面板5031設置在旅客用飛機的座位上方的天花板5030上的情況下使用顯示面板5031時的形狀。顯示面板5031通過鉸鏈部5032被結(jié)合到天花板5030,并且乘客利用鉸鏈部5032的伸縮而可以觀看顯示面板5031。顯示面板5031具有通過乘客的操作顯示信息的功能。
注意,在本實施方式中,舉出汽車、飛機作為移動物體,但是不局限于此,而可以將半導體裝置設置在各種移動物體如自動兩輪車、自動四輪車(包括汽車、公共汽車等)、火車(包括單軌、鐵路客車等)、船等。
如上所述,可以將本實施方式所說明的電子設備或半導體裝置中的顯示裝置的結(jié)構(gòu)用于實施方式5所說明的具備數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部的顯示裝置。實施方式1至實施方式4所說明的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換部可以不使用查找表地生成對應于各子像素的信號。因此,可以防止從存儲元件的查找表的讀取所引起的發(fā)熱或耗電量的增大等。
再者,因為不使用查找表,所以可以將生成視頻信號的部分和像素部形成在相同的襯底上。因此,可以減少面板和外部部件的連接數(shù),從而可以實現(xiàn)可靠性的提高、成品率的提高、成本的縮減或高精細化等。
本說明書根據(jù)2008年6月9日在日本專利局受理的日本專利申請編號2008-150608而制作,所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū)動液晶元件的電極的第一至第n(n是2以上的自然數(shù))子像素;以及電路,該電路具有使用從第一至第n布線群供給的M(M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓將N(N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為n個模擬信號的功能及將所述n個模擬信號分別輸入到所述第一至第n子像素的功能。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,其中電連接到所述電路的布 線群供給在所述第一至第n布線群之間互不相同的M個電壓。
3. —種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū)動液晶元件的電極的第一至第n (n是2以上的自 然數(shù))子像素;以及第一至第n電路,該第一至第n電路分別具有使用從布線群供給的M (M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓將N (N是2以上的自然數(shù))位的 數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號的功能及將所述模擬信號輸入到所述第一至第n子像素中任一個的功能。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置,其中電連接到所述第一至 第n電路的布線群供給在所述第一至第n電路之間互不相同的M個電壓。
5. —種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū)動液晶元件的電極的第一子像素及第二子像素;以及電路,該電路具有使用從第一布線群及第二布線群供給的M(M是2 以上的自然數(shù))個不同的電壓將N (N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字信號 轉(zhuǎn)換為第一模擬信號及第二模擬信號的功能及將所述第一模擬信號輸入 到所述第一子像素并將所述第二模擬信號輸入到所述第二子像素的功能。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置,其中電連接到所述電路的布 線群供給在所述第一布線群和所述第二布線群之間互不相同的M個電壓。
7. —種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū)動液晶元件的電極的第一至第n (n是2以上的自 然數(shù))子像素;具有對N (N是2以上的自然數(shù))位的第一數(shù)字信號進行譯碼并將所 述第一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第二數(shù)字信號的功能的第一電路;以及n個第二電路,該n個第二電路分別具有使用從布線群供給的M (M 是2以上的自然數(shù))個不同的電壓將所述第二數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號的 功能及將所述模擬信號輸入到所述第一至第n子像素中任一個的功能。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置,其中分別電連接到所述n個 第二電路的布線群供給在所述n個第二電路之間互不相同的M個電壓。
9. 一種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū)動液晶元件的電極的第一子像素及第二子像素; 具有對N (N是2以上的自然數(shù))位的第一數(shù)字信號進行譯碼并將所述第一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第二數(shù)字信號的功能的第一電路;以及兩個第二電路,該兩個第二電路分別具有使用從布線群供給的M (M是2以上的自然數(shù))個的不同的電壓將所述第二數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號的功能及將所述模擬信號輸入到所述第一子像素或所述第二子像素的功能。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置,其中所述分別電連接到所 述兩個第二電路的布線群供給在所述兩個第二電路之間互不相同的M個 電壓。
11. 一種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū)動液晶元件的電極的第一子像素及第二子像素; 電路,該電路電連接到用來供給N (N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字 信號的N個布線、包括用來供給M (M是2以上的自然數(shù))個不同的電 壓的M個布線的第一布線群、包括用來供給M個不同的電壓的M個布線 的第二布線群、包括用來供給M個不同的電壓的M個布線的第三布線群、 及包括用來供給M個不同的電壓的M個布線的第四布線群;第一模式,其中使用供給到所述第一布線群的M個電壓和供給到所 述第二布線群的M個電壓將所述N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第一模擬信號及 第二模擬信號,且將所述第一模擬信號輸入到所述第一子像素并將所述第 二模擬信號輸入到所述第二子像素;第二模式,其中使用供給到所述第三布線群的M個電壓和供給到所 述第四布線群的M個電壓將所述N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第三模擬信號及 第四模擬信號,且將所述第三模擬信號輸入到所述第一子像素并將所述第 四模擬信號輸入到所述第二子像素;以及按照所述第一模式和所述第二模式中任一個工作的功能。
12. —種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū)動液晶元件的電極的第一子像素及第二子像素;電連接到用來供給N (N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字信號的N個布 線和包括用來供給M (M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓的M個布線 的第一布線群的第一電路;電連接到所述N個布線和包括用來供給M個不同的電壓的M個布線 的第二布線群的第二電路;電連接到所述N個布線和包括用來供給M個不同的電壓的M個布線 的第三布線群的第三電路;電連接到所述N個布線和包括用來供給M個不同的電壓的M個布線 的第四布線群的第四電路;第一模式,其中由所述第一電路使用供給到所述第一布線群的M個 電壓將所述N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第一模擬信號,并由所述第二電路使 用供給到所述第二布線群的M個電壓將所述N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第二 模擬信號,且將所述第一模擬信號輸入到所述第一子像素并將所述第二模 擬信號輸入到所述第二子像素;第二模式,其中由所述第三電路使用供給到所述第三布線群的M個 電壓將所述N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第三模擬信號,并由所述第四電路使 用供給到所述第四布線群的M個電壓將所述N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第四 模擬信號,且將所述第三模擬信號輸入到所述第一子像素并將所述第四模 擬信號輸入到所述第二子像素;以及按照所述第一模式和所述第二模式中任一個工作的功能。
13. —種液晶顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū)動液晶元件的電極的第一子像素及第二子像素; 電連接到用來供給N (N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字信號的N個布 線,并具有對所述N位的數(shù)字信號進行譯碼并將所述數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第二數(shù)字信號的功能的第一電路;電連接到所述N個布線,并具有對所述N位的數(shù)字信號進行譯碼并 將所述數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第三數(shù)字信號的功能的第二電路;電連接到用來供給所述第二數(shù)字信號的2W個布線和包括用來供給M (M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓的M個布線的第一布線群的第三 電路;電連接到用來供給所述第二數(shù)字信號的2K個布線和包括用來供給M 個不同的電壓的M個布線的第二布線群的第四電路;電連接到用來供給所述第三數(shù)字信號的2W個布線和包括用來供給M 個不同的電壓的M個布線的第三布線群的第五電路;電連接到用來供給所述第三數(shù)字信號的2"個布線和包括用來供給M 個不同的電壓的M個布線的第四布線群的第六電路;第一模式,其中由所述第三電路使用供給到所述第一布線群的M個 電壓將所述N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第一模擬信號,并由所述第四電路使 用供給到所述第二布線群的M個電壓將所述N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第二 模擬信號,且將所述第一模擬信號輸入到所述第一子像素并將所述第二模 擬信號輸入到所述第二子像素;第二模式,其中由所述第五電路使用供給到所述第三布線群的M個 電壓將所述N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第三模擬信號,并由所述第六電路使 用供給到所述第四布線群的M個電壓將所述N位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為第四 模擬信號,且將所述第三模擬信號輸入到所述第一子像素并所述第四模擬 信號輸入到所述第二子像素;以及按照所述第一模式和所述第二模式中任一個工作的功能。
14.—種設置根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的液晶顯示裝置以及 開關(guān)或操作鍵的電子設備。
15.—種顯示裝置,包括分別設置有用來驅(qū)動元件的電極的第一至第n(n是2以上的自然數(shù)) 子像素;電路,該電路具有使用從第一至第n布線群供給的M (M是2以上 的自然數(shù))個不同的電壓將N (N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換 為n個模擬信號的功能及將所述n個模擬信號分別輸入到所述第一至所述第n子像素的功能。
全文摘要
一種液晶顯示裝置,包括具有第一至第n(n是2以上的自然數(shù))子像素的像素、以及電路,其中用來供給N(N是2以上的自然數(shù))位的數(shù)字信號的N個布線和具有用來供給M(M是2以上的自然數(shù))個不同的電壓的M個布線的第一至第n布線群電連接到電路,并且具有使用供給到第1至第n布線群的M個電壓將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為n個模擬信號,并將n個模擬信號分別輸入到第一至第n子像素的功能,并且第一至第n子像素分別具有用來驅(qū)動液晶元件的電極。
文檔編號G02F1/13GK101604081SQ200910148960
公開日2009年12月16日 申請日期2009年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月9日
發(fā)明者木村肇, 梅崎敦司 申請人:株式會社半導體能源研究所