專利名稱：液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明，涉及橫向電場方式的液晶顯示面板。更詳細地，本發(fā)明，涉
及通過對輔助電容適當(dāng)?shù)剡M^i殳定，能夠既增大開口率又減小功耗的邊緣 場開關(guān)(Fringe Field Switching:以下稱為"FFS"。)模式的液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示面板因為與CRT(陰極射線管)相比較而具有輕、薄、低功 耗的特征，所以作為顯示用而用于許多電子設(shè)備中。液晶顯示面板，通過 對于取向膜進行摩擦處理而使按預(yù)定方向排列的液晶分子的朝向因電場而 改變，使光的透射量或反射量發(fā)生變化而使圖像進行顯示。
作為對液晶顯示面板的液晶層施加電場的方法，存在縱向電場方式與 橫向電場方式?？v向電場方式的液晶顯示面板，通過夾著液晶層而配置的 一對電極，將基本縱向方向的電場施加于液晶分子。作為該縱向電場方式 的液晶顯示面板，已知TN( Twisted Nematic，扭曲向列)模式、VA( Vertical Alignment,垂直對準)模式、MVA ( Multi-domain Vertical Alignment, 多疇垂直對準)模式等。橫向電場方式的液晶顯示面板，在夾著液晶層而 配設(shè)的一對M之中的一方的內(nèi)面?zhèn)然ハ嘟^緣地設(shè)置一對電極，^^;Mt 向方向的電場相對于液晶分子進行施加。作為該橫向電場方式的液晶顯示 面板，已知一對電極沿俯視方向看不重疊的IPS (In-Plane Switching,面 內(nèi)開關(guān))模式的液晶顯示面板、和相重疊的FFS模式的液晶顯示面板。
其中，F(xiàn)FS模式的液晶顯示面板，夾著絕緣膜使由上電極與下電極構(gòu) 成的一對電極配置于各自不同的層，并在上電極設(shè)置縫隙狀的開口，使通 過該縫隙的基^向方向的電場施加于液晶層。該FFS模式的液晶顯示面板，因為能夠得到寬的視場角并能夠改善圖像對比度，所以近年來用得多
起來。在此，對由下述專利文獻1所公開的FFS模式的液晶顯示面板的構(gòu) 成利用圖7及圖8進行說明。
圖7是由下述專利文獻1所公開的FFS模式的液晶顯示面板的陣列基 板的1個像素的模式性俯視圖。圖8是沿圖7的糧一vni線的模式剖面圖。
該FFS模式的液晶顯示面板50，具備陣列基板AR與濾色器基敗(圖 示省略)。陣列基板AR，在透明基板51的表面分別平行地設(shè)置多條掃描 線52及共用布線53，在正交于這些掃描線52及共用布線53的方向設(shè)置 多條信號線54。而且，覆蓋以掃描線52及信號線54所劃分的區(qū)域的各自 地設(shè)置連接于共用布線53的由ITO (Indium Tin Oxide,氧化銦錫)等的 透明導(dǎo)電材料形成的下電極55，在該下電極55的表面夾著柵絕緣膜56及 鈍化膜57設(shè)置帶狀地形成有多個縫隙58的由ITO等的透明材料形成的上 電極59。而且，該上電極59及多個縫隙58的表面通過取向膜(圖示省略) 所覆蓋。
而且，在掃描線52與信號線54的交叉位置的附近形成作為開關(guān)元件 的TFT ( Thin Film Transistor,薄膜晶體管)。該TFT,在掃描線52的表 面夾著柵絕緣膜56配置半導(dǎo)體層61，信號線54的一部分覆蓋半導(dǎo)體層61 的表面的一部分地延伸而構(gòu)成TFT的源電極S，半導(dǎo)體層61的下部的掃 描線部分構(gòu)成柵電極G，并且與半導(dǎo)體層61的一部分相重疊的上電極59 的部分構(gòu)成漏電極D。而且，上電極59，經(jīng)由形成于鈍化膜57的接觸孔 62與漏電極D電連接。
并且，關(guān)于濾色器基板，圖示進行了省略，具有在透明基板的表面設(shè) 置有濾色器層、外覆層及取向膜的構(gòu)成。而且，通過使得陣列^AR的 上電極59及下電極55與濾色器基敗的濾色器層互相對向地使陣列141 AR及濾色器M相對向，在其間封進液晶，并在兩基昧的各自外側(cè)使得 偏振方向成為互相正交的方向地配置偏,，形成FFS模式的液晶顯示面 板50。該FFS模式的液晶顯示面板50，因為上電極59與下電極55夾著 柵絕緣膜56及鈍化膜57相互對向，所以在上電極59與下電極55之間形 成電容。因此，F(xiàn)FS模式的液晶顯示面板50，因為可以使像素整體作為輔助電容而起作用、不必特意地將輔助電容形成于4象素區(qū)域內(nèi)，所以與必須 率上升的優(yōu)點。
專利文獻1特開2002—90781號公報
可是，F(xiàn)FS模式的液晶顯示面板，在采用以上電極、下電極及絕緣膜 所形成的輔助電容的情況下，形成于像素內(nèi)的輔助電容也正比于像素的面 積而增大。例如，在100ppi (像素/英寸)左右的清晰度低的液晶顯示面 板中，因為l個像素區(qū)域的面積增大，所以輔助電斜目對地變大，為了對 像素給予足夠的電荷而必須使TFT的尺寸變大，這一點反而成為使開口率 下降的原因。并且，若像素的輔助電容變大，則與之成比例，液晶顯示面 板的功耗也存在增大的傾向。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，正是為了解決如上述的FFS模式的液晶顯示面板的現(xiàn)有技術(shù) 的問題點作出。即，本發(fā)明，目的在于通過使像素內(nèi)的輔助電容成為適當(dāng) 的大小，提供高開口率、功耗小的FFS模式的液晶顯示面板。
為了達到上述目的，本發(fā)明的液晶顯示面板，具有夾持液晶層而對向 配置的一對I41，并具備在前述一對J41之一方具有多個縫隙的上電極、 和形成為與前述上電極夾著絕緣膜而在前述M側(cè)沿俯視方向看一部分與 前述上電極相重疊的下電極，其特征在于在前述下電極，與前述上電極 的縫隙平行地形成有縫隙；前述下電極的縫隙形成為沿俯視方向看與前述 上電極相重疊。
本發(fā)明的液晶顯示面板，具有夾持液晶層而對向配置的一對M，并 具備在前述一對1^之一方具有多個縫隙的上電極、和與前述上電極夾著 絕緣膜形成于前述M側(cè)的下電極。通過如此的構(gòu)成，本發(fā)明的液晶顯示 面板以FFS模式而工作。還有，作為絕緣膜能使用氧化硅或氮化硅等的無 機絕緣膜。并且，作為下電極及上電極可使用ITO或IZO (Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)等的透明導(dǎo)電材料。而且，作為在本發(fā)明的液晶顯示面板中能夠使用的開關(guān)元件，能夠使用作為半導(dǎo)體材料使用了非晶硅的 TFT、使用了多晶硅的的TFT、低溫多晶硅(LTPS: Low Temperature Poly Silicon ) TFT、薄膜二極管TFD ( Thin Film Diode )等。
而且，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，在前迷下電極，與前述上電極的 縫隙平行地形成有縫隙，下電極的一部分形成于沿俯視方向看與上電極相 重疊的位置，下電極的縫隙形成為沿俯視方向看與上電極相重疊。因為若 形成于下電極的縫隙與上電極的縫隙平行地形成，則產(chǎn)生于上電極與下電
所以液晶分子的取向的紊亂減少。
而且，在中型或大型的FFS模式的液晶顯示面板中，因為各個像素的 面積也變大，與之成比例，輔助電容也變大，所以驅(qū)動用的開關(guān)元件也需 要成為能夠流通大電流的大尺寸的開關(guān)元件。在本發(fā)明的液晶顯示面板中， 因為下電極的一部分形成于沿俯視方向看與上電極相重疊的位置，下電極 的縫隙形成為沿俯視方向看與上電極相重疊，所以沿俯視方向看產(chǎn)生下電 極分別一部分重疊于上電極的部分。上電極與下電極的縫隙沿俯視方向看 相重疊的部分，并不形成電容。因此，依照于本發(fā)明的液晶顯示面板，則 因為若與相同尺寸的現(xiàn)有例的FFS模式的液晶顯示面板相比而輔助電容 變小，所以能夠減小驅(qū)動用開關(guān)元件的尺寸，成為顯示像質(zhì)良好、開口度 大的FFS模式的液晶顯示面板。還有，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，形成 于上電極及下電極的縫隙，也可以是即使閉合兩端部、也可以開放單側(cè)的 縫隙。
并且，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，優(yōu)選形成于前述下電極的縫隙， 寬度比前述上電極的寬度窄、且沿俯視方向看全部與前述上電極相重疊。
若形成于下電極的縫隙的寬度比上電極的寬度窄、且形成于下電極的 縫隙沿俯視方向看全部與上電極相重疊，則形成于下電極的縫隙沿俯視方 向看并不從上電極的縫隙露出。從而，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，在上 電極的縫隙的下部必定存在下電極。因此，依照于如此的方式的液晶顯示 面板，則能夠使輔助電容比現(xiàn)有例的FFS模式的液晶顯示面板的有所下降而使開口度變大，并可得到至少與現(xiàn)有例的FFS模式的液晶顯示面板同等 的顯示4象質(zhì)。
并且，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，也可以為形成于前述下電極的 縫隙，數(shù)目比前述上電極的縫隙的數(shù)目少。
FFS模式的液晶顯示面板中的輔助電容，通過沿俯視方向看上電極與 下電極的重疊部的面積而確定。從而，如果使形成于下電極的縫隙數(shù)比形 成于上電極的縫隙數(shù)少，則能夠?qū)⑾码姌O的縫隙高效配置于與上電極相重 疊的位置。因此，如果依照于如此的方式的液晶顯示面板，則可得到高效 使輔助電容降低而開口度大的FFS模式的液晶顯示面板。
并且，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，形成于前述下電極的縫隙，寬度 能夠比前述上電極的縫隙間的寬度要寬。
此時，因為縫隙間距越窄則液晶顯示面板的透射率越高，所以優(yōu)選 上電極的縫隙間距減小至曝光機的分辨率極限。而且，若使下電極的縫隙 的寬度比上電極的縫隙的寬度寬，則不必為了形成下電極的縫隙而使用高 分辨率的曝光機，而且，由下電極的存在引起的透射率的下降變小。因此， 依照于本發(fā)明的液晶顯示面板，則能夠在下電極的制造工序中使用低成本 的曝光機，并可得到可以進行明亮的顯示的FFS模式的液晶顯示面板。
并且，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，前述下電極，能夠每隔l條前述 上電極地進行配置。
若將下電極每隔1條上電極地進行配置，則不必為了形成下電極的縫 隙而使用高分辨率的曝光機，而且，由下電極的存在引起的透射率的下降 變小。因此，依照于本發(fā)明的液晶顯示面板，則能夠在下電極的制造工序 中^f吏用低成本的曝光機，并可得到可以進行明亮的顯示的FFS模式的液晶 顯示面板。
并且，在本發(fā)明的的液晶顯示面板中，優(yōu)選在形成于前述基fel的層 間膜的表面，形成前述下電極。
若在形成于前迷基板的層間膜的表面形成下電極，則構(gòu)成FFS模式的 液晶顯示面板的下電極、絕緣膜及上電極全部配置于層間膜上。因此，依照于如此的方式的液晶顯示面板， 圍而對上電極及下電極進行配置，
示的FFS模式的液晶顯示面板。
則能夠遍及各像素區(qū)域的廣闊的面積范 可得到開口度更大、可以進行明亮的顯


圖1是笫1實施方式中的液晶顯示面板的TFTl4l上的1個像素的概 要俯視圖。
圖2是沿圖i的n —n線的剖面圖.
圖3是第2實施方式中的液晶顯示面板的TFTjjtl上的1個像素的概 要俯視圖。
圖4是沿圖3的IV—IV線的剖面圖。
圖5是第3實施方式中的液晶顯示面板的TFT基板上的1個像素的概 要俯視圖。
圖6是沿圖5的VI—VI線的剖面圖.
圖7是現(xiàn)有例的FFS模式的液晶顯示面板的陣列M的1個像素的模 式性俯視圖。
圖8是沿圖7的環(huán)一Vffl線的模式剖面圖。 符號的說明
10A 10C:液晶顯示面板 11:第1透明基昧 12:掃描線 13:共 用布線 14:信號線 15a 15c:(下電極的)縫隙 16a 16c:下電極 17: 柵絕緣膜18:鈍化膜19:(上電極的)縫隙20:上電極21:半導(dǎo)體 層22:接觸孔
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的具體的實施方式進行說明。但是，示于以 下的實施方式，只是對用于使本發(fā)明的技術(shù)思想具體化的FFS模式的液晶 顯示面板進行例示，并非用于將本發(fā)明特定為該液晶顯示面板，包括于技 術(shù)方案的其他實施方式也能同等地應(yīng)用。而且，在該說明書中的用于i兌明 的各附圖中，為了使各層、各構(gòu)件在附圖上成為可以辨別的程度的大小，使比例尺按各層、各構(gòu)件而不同進行表示，未必與實際的尺寸成比例地表 示。
圖1是第1實施方式中的液晶顯示面板的TFT基仗上的1個像素的概
要俯視圖.圖2是沿圖i的n—n線的剖面圖。圖3是第2實施方式中的
液晶顯示面板的TFTl4l上的1個像素的概要俯視圖。圖4是沿圖3的IV —IV線的剖面圖。圖5是第3實施方式中的液晶顯示面板的TFT^上的 l個像素的概要俯視圖。圖6是沿圖5的VI—VI線的剖面圖。 笫1實施方式
該FFS模式的液晶顯示面板IOA，具備陣列基板AR與濾色器基敗。 陣列基板AR,在第1透明基板11的表面分別平行地設(shè)置多條掃描線12 及共用布線13，按正交于這些掃描線12及共用布線13的方向設(shè)置多條信 號線14。然后，覆蓋以掃描線12及信號線14所劃分的區(qū)域的各自地，設(shè) 置連接于共用布線13并帶狀地形成有多個縫隙15a的由包含ITO、 IZO (Indium zinc Oxide ，氧化銦鋅)等的透明材料形成的下電極16a。并且， 在下電極16a的表面夾著柵絕緣膜17形成鈍化膜18。還有，柵絕緣膜17 及鈍化膜18，由氧化硅或氮化硅等所形成。并且，在鈍化膜18的表面， 設(shè)置帶狀地形成有多個縫隙19的由ITO等的透明材料形成的上電極20。 上電極20的寬度W與縫隙19的寬度形成得相同。而且，該上電極20及 多個縫隙19的表面通過取向膜(圖示省略)所覆蓋。還有，關(guān)于下電極 16a的縫隙15a及上電極20的縫隙19的配置關(guān)系的詳情后述。
而且，在掃描線12與信號線14的交叉位置的附近形成作為開關(guān)元件 的TFT ( Thin Film Transistor,薄膜晶體管)。該TFT，在掃描線12的表 面配置半導(dǎo)體層21，信號線14的一部分覆蓋半導(dǎo)體層21的表面的一部分 地延伸而構(gòu)成TFT的源電極S，半導(dǎo)體層21的下部的掃描線部分構(gòu)成柵 電極G，并且，與半導(dǎo)體層21的一部分相重疊的上電極20的部分構(gòu)成漏 電極D。
并且，關(guān)于濾色器ML，圖示進行了省略，具有在第2透明基敗的表 面依次形成有濾色器層、外覆層及取向膜的構(gòu)成。而且，通過使得陣列基 板AR的上電極20及下電極16a與濾色器基板的濾色器層互相對向地使陣列MAR及濾色器J4M目對向，在其間封進液晶，并在兩J4^的各自外 側(cè)使得偏振方向成為互相正交的方向地配置偏#41(圖示省略)，形成FFS 模式的液晶顯示面板IOA。
該第1實施方式的FFS模式的液晶顯示面板10A，因為若在上電極20 與下電極16a之間形成電場，則該電場在上電極20的兩側(cè)通過縫隙19朝 向下電極16a，所以不僅存在于縫隙19的液晶而且存在于上電極20上的 液晶也能夠工作。因此，第1實施方式的FFS模式的液晶顯示面板10A， 與現(xiàn)有例的IPS模式的液晶顯示面板相比為寬視場角且高對比度，并且因 為透射率較高，所以具備可以進行明亮的顯示這樣的特征。
并且，在現(xiàn)有的FFS模式的液晶顯示面板中，因為沿俯視方向看上電 極與下電極相重疊的部分的面積大，所以附帶地產(chǎn)生大的輔助電容。如此 地所形成的輔助電容，如果是小型的液晶顯示面板，則因為不必如縱向電 場方式的液晶顯示面板、IPS模式的液晶顯示面板地形成用于另行形成輔 助電容的輔助電容電極等，所以有利于開口度的提高?？墒牵诖笾行偷?液晶顯示面板中，因為1個像素區(qū)域的面積增大，輔助電斜目對地變大， 為了對像素給予足夠的電荷必須增大TFT的尺寸，所以開口率下降。并且， 若像素的輔助電容變大，則與之成比例，液晶顯示面板的功耗也增大。
于是，在第1實施方式的液晶顯示面板10A中，在下電極16a帶狀地 形成多個縫隙15a。還有，形成于下電極16a的帶狀的縫隙16a,形成得與 上電極20的縫隙19平行。如此地，若使形成于下電極16a的縫隙15a相 對于形成于上電極20的縫隙19平行地形成，則因為產(chǎn)生于上電極20與下 電極16a之間的電場的方向變成與通過上電極20的縫隙19所形成的邊相 正交的方向，所以液晶分子的取向的紊亂減少。并且，在第l實施方式的 液晶顯示面板10A中，使形成于下電極16a的縫隙15a形成為寬度Ll 比上電極20的寬度W窄、且沿俯視方向看全部與前述上電極20相重疊(參 照圖2)。即，形成于下電極16a的縫隙15a,全部位于前述上電極20的下 部，沿俯視方向看不從上電極20的縫隙19露出。還有，上電極20的寬度 W (形成于上電極20的縫隙19的寬度也相同)，優(yōu)選為3.5pm 4.0nm的程度，形成于下電極16a的縫隙15a的寬度，對制造誤差進行考慮而優(yōu) 選為1.5 ji m~2.0 ja m。
從而，在第1實施方式的液晶顯示面板10A中，在下電極16a的縫隙 15a的上部必定存在上電極20，并且，在上電極20的縫隙19的下部必定 存在下電極15a。因此，在第1實施方式的液晶顯示面板10A中，與同一 尺寸的現(xiàn)有例的FFS模式的液晶顯示面板相比，能夠使輔助電容降低并能 夠使TFT的尺寸小型化，所以能夠使開口度增大，而且，可得到至少與現(xiàn) 有例的FFS模式的液晶顯示面板同等的顯示像質(zhì)。還有，在不怎么要求輔 助電容的降低的情況下，通過使得形成于下電極16a的縫隙的數(shù)目例如每 隔l個地形成等來使之減少，而進行應(yīng)對。
第2實施方式
在第1實施方式的液晶顯示面板10A中，示出了使形成于下電極16a 的縫隙15a如下地形成的例子寬度Ll比上電極20的寬度W窄、且沿 俯視方向看全部與前述上電極20相重疊?？墒?，在要求使輔助電容變得更 小的情況下，在第1實施方式的液晶顯示面板10A中，因為上電極20的 寬度W與下電極的縫隙的寬度Ll之差變小，所以難以將上電極20正確 地配置于下電極16a的縫隙15a之上。因此，對能夠容易地使輔助電容進 一步降低的第2實施方式的液晶顯示面板10B利用圖3及圖4進行說明。 還有，在圖3及圖4中，對構(gòu)成與第1實施方式的液晶顯示面板10A相同 的部分附加同一參照符號而對其詳細的說明進行省略。
該第2實施方式的液晶顯示面板IOB，形成為使下電極16b的縫隙 15b每隔1個地形成于上電極20的下部，使該縫隙15b的寬度L2比上電 極20的寬度W寬(參照圖4)。因此，下電極16b的一部分產(chǎn)生沿俯視方 向看從上電極20的縫隙19露出的部分，并能夠在上電極20的下部形成完 全不存在下電極16b的部分。如此地，通過每隔1條上電極20配置下電 極16b，在笫2實施方式的液晶顯示面板10B中，因為上電極20的一部分 變得與輔助電容的形成無關(guān)，所以能夠使輔助電容大幅度降低。并且，若 使下電極16b的縫隙15b的寬度L2變得比上電極20的寬度W寬，則不必為了形成下電極16b的縫隙15b而使用高分辨率的曝光機，而且，由下 電極16b的存在引起的透射率的下降變小。另外，在第2實施方式的液晶 顯示面板10B中，因為像素電極的寬度W與下電極16b的縫隙的寬度L2 的關(guān)系，與第1實施方式的液晶顯示面板10A的情況相比，不那么苛刻， 所以制造變得容易。因此，如果依照于第2實施方式的液晶顯示面板10B， 則能夠在下電極16b的制造工序中使用低成本的曝光機，并可簡單地得到 可以進行更明亮的顯示的FFS模式的液晶顯示面板10B。 笫3實施方式
對能夠使輔助電容比第1實施方式的液晶顯示面板10A降低的第3實 施方式的液晶顯示面板10C的構(gòu)成，利用圖5及圖6進行說明。還有，在 圖5及圖6中，對構(gòu)成與第1實施方式的液晶顯示面板10A相同的部分附 加同 一參照符號而關(guān)于其詳細的說明進行省略。
該第3實施方式的液晶顯示面板10C,形成為形成于上電極20的下 部的下電極16c的縫隙15c沿俯視方向看必定從上電極20的縫隙19露出。 即，在第3實施方式的液晶顯示面板10C中，因為上電極20的一部分形 成于必與下電極16c的縫隙15c相對向的位置，所以上電極20的一部分與 輔助電容的形成無關(guān)，所以可以減小輔助電容。
在該第3實施方式的液晶顯示面板10C中，下電極16c的縫隙15c的 寬度L3既可以與上電極20的寬度W相同，也可以比其窄，還可以比其 寬?？傊?，只要形成于上電極20的縫隙19的間距與形成于下電極16c的 縫隙15c的間距相同即可。即，即使下電極16c的縫隙15c的寬度L3與上 電極20的寬度W相同，只要形成于上電極20的縫隙19的間距與形成于 下電極16c的縫隙15c的間距相同，如果使得上電極20與下電極16c的沿 俯視方向看的重疊比例增加，則能夠使輔助電容減少。在該第3實施方式 的液晶顯示面板10C中，因為像素電極的寬度W與下電極16c的縫隙的 寬度L3的關(guān)系，與笫1實施方式的液晶顯示面板10A的情況相比，不那 么苛刻，所以制造變得容易。只是，若使上電極20與下電極16c的沿俯視 方向看的重疊比例增加，則因為在上電極20的縫隙19的下部不存在下電極16c的區(qū)域的比例增加，所以作為FFS模式難以工作的區(qū)域會增加，所 以導(dǎo)致顯示像質(zhì)的降低。因此，在第3實施方式的液晶顯示面板10C中， 上電極20與下電極16c的沿俯視方向看的重疊比例即使增大(最大)也應(yīng) 為50%。
在第3實施方式的液晶顯示面板中，優(yōu)選形成于上電極20的縫隙 19的間距(形成間隔)與形成于下電極16c的縫隙15c的間距，為相當(dāng)于 上電極20的寬度W的2倍的7~8nm的程度。在該第3實施方式的液晶 顯示面板10C中，也能夠使輔助電容比同一尺寸的現(xiàn)有例的FFS模式的液 晶顯示面板的降低并能夠使TFT的尺寸小型化，能夠起到與第1實施方式 的液晶顯示面板10A的情況同樣的效果。
還有，在上述笫1~第3實施方式的液晶顯示面板10A 10C中，都示 出在第l透明基板ll的表面形成下電極的形式的液晶顯示面板。但是，在 本發(fā)明中，也可以在形成于第1透明14111的表面的層間膜的表面形成下 電極。若下電極如此地形成于層間膜的表面，則因為構(gòu)成FFS模式的液晶 顯示面板的下電極、絕緣膜及上電極全都配置于層間膜上，所以能夠遍及 各像素區(qū)域的較廣的面積范圍對上電極及下電極進行配置，可得到開口度 更大、可以進行明亮的顯示的FFS模式的液晶顯示面板。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板，其具有夾持液晶層地對向配置的一對基板、并具備上電極和下電極，所述上電極在前述一對基板的一方具有多個縫隙，所述下電極與前述上電極夾著絕緣膜而形成為在前述基板側(cè)沿俯視方向看一部分與前述上電極相重疊；該液晶顯示面板的特征在于在前述下電極，與前述上電極的縫隙平行地形成有縫隙；前述下電極的縫隙形成為，沿俯視方向看與前述上電極相重疊。
2. 按照權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 形成于前述下電極的縫隙，寬度比前述上電極的寬度窄、且沿俯視方向看全部與前述上電極相重疊。
3. 按照權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 形成于前述下電極的縫隙，數(shù)目比前述上電極的縫隙的數(shù)目少。
4. 按照權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 形成于前述下電極的縫隙，寬度比前述上電極的縫隙間的寬度寬。
5. 按照權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 每隔l條前述上電極，配置有前述下電極。
6. 按照權(quán)利要求1~5中的任何一項所述的液晶顯示面板，其特征在于在形成于前述基板的層間膜的表面，形成有前述下電極。
全文摘要
本發(fā)明提供通過對輔助電容適當(dāng)?shù)剡M行設(shè)定、能夠既增大開口率又減小功耗的FFS模式的液晶顯示面板。本發(fā)明的液晶顯示面板(10A)，具有夾持液晶層而對向配置的一對基板，并具備在前述一對基板之一方具有多個縫隙(19)的上電極(20)、和與前述上電極(20)夾著絕緣膜(17、18)而在前述基板側(cè)形成得沿俯視方向看一部分與前述上電極(20)相重疊的下電極(16a)，其特征為在前述下電極(16a)，與前述上電極(20)的縫隙(19)平行地形成縫隙，前述下電極(16a)的縫隙(15a)形成于沿俯視方向看與前述上電極(20)相重疊的位置。
文檔編號G02F1/1343GK101620346SQ200910142580
公開日2010年1月6日 申請日期2009年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月2日
發(fā)明者堀口正寬 申請人:愛普生映像元器件有限公司