專利名稱：主動元件矩陣基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種基板，且特別是有關于一種主動元件矩陣基板。
技術背景在諸多平面顯示器(Flat Panel Display, FPD)中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電 磁干擾等優(yōu)越特性，因此成為目前市場的主流。圖1A繪示為現(xiàn)有技術一種液晶顯示器的立體示意圖。請參照圖1A，液 晶顯示器IOO具有一主動元件矩陣基板110、 一對向基板120、 一夾設于主動 元件矩陣基板IIO與對向基板120之間的液晶層130以及用以提供光線的背光 模塊140。主動元件矩陣基板IIO上具有多個像素單元112以及多條位于像素 單元112之間的信號線114，對向基板120具有一共通電極122。液晶層130 中的液晶分子藉由像素單元112中的像素電極116與共通電極122之間的電壓 差作不同程度的扭轉，以控制背光模塊140所提供的光線L經(jīng)過液晶顯示面板 150的穿透率，而使液晶顯示面板150呈現(xiàn)顯示效果。圖1B進一步繪示圖1A的現(xiàn)有技術的一種液晶顯示器的局部放大剖面示 意圖，其中圖IB中繪示兩組像素單元112的剖面為例作說明。請參照圖1B， 對向基板120具有一位于信號線114上方的黑色矩陣124 (Black Matrix簡稱 BM，圖1中僅繪示一個黑色矩陣為例)。如圖1B所示，由于信號線114上 方的液晶層130的液晶分子會受到信號線114的影響而產(chǎn)生非預期的扭轉，導 致漏光現(xiàn)象，因此黑色矩陣124對應地設置于信號線114上方的對向基板120 上，用以遮蔽通過非顯示區(qū)域(如信號線)的光線以避免漏光。如前述，為避免液晶顯示器IOO在顯示時產(chǎn)生上述漏光的現(xiàn)象，可藉由 加寬黑色矩陣124的寬度W，來改善側向漏光的問題。然而，加寬黑色矩陣124 寬度W'會使得液晶顯示面板150的像素開口率(Aperture Ratio)下降，進而 影響液晶顯示器100的亮度表現(xiàn)。因此，如何在兼顧開口率的需求下防止漏光是目前液晶顯示器的一大課題。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種主動元件矩陣基板，其可以大幅增加開口率，并可大幅降低數(shù)據(jù)線與共通線之間的寄生電容。本發(fā)明提出一種主動元件矩陣基板，其包括一基板、 一第一圖案化導體層、 一介電層、 一第二圖案化導體層、 一保護層以及多個像素電極。第一圖案化導體層配置于基板上，第一圖案化導體層包括多條掃描線、多個與掃描線連接的柵極、多條共通線以及多個條狀浮置遮光圖案。介電層配置于基板上以覆蓋第一圖案化導體層，介電層具有多個第一接觸開口，且各第一接觸開口分別將共通線的一部分區(qū)域暴露。第二圖案化導體層配置于介電層上，第二圖案化導體層包括多條數(shù)據(jù)線、多個與數(shù)據(jù)線連接的源極、多個漏極、多個條狀電容 電極，其中各條狀電容電極通過其中一個第一接觸開口與其中一條共通線電性連接，各數(shù)據(jù)線與其中一條狀電容電極之間具有一間隙，且各條狀浮置遮光圖 案位于數(shù)據(jù)線、間隙以及條狀電容電極下方。保護層配置于介電層上以覆蓋第 二圖案化導體層，保護層具有多個第二接觸開口，且各第二接觸開口分別將其 中一個漏極暴露。多個像素電極配置于保護層上，其中各像素電極分別通過其 中一個第二接觸開口與其中一個漏極電性連接。在本發(fā)明之一實施例中，上述的各數(shù)據(jù)線例如與其中一條狀電容電極之 間的間隙未被像素電極所覆蓋。在本發(fā)明之一實施例中，上述的掃描線的延伸方向例如是實質(zhì)上平行于 共通線的延伸方向，且各共通線分別位于二相鄰掃描線之間。在本發(fā)明之一實施例中，上述的數(shù)據(jù)線的延伸方向例如實質(zhì)上平行于條 狀浮置遮光圖案以及條狀電容電極的延伸方向。在本發(fā)明之一實施例中，上述的位于同一條數(shù)據(jù)線兩側的二條狀電容電極的間隙例如為S，各條狀浮置遮光圖案的線寬例如為Wl，而各數(shù)據(jù)線的線 寬例如為W2，且W1〉S〉W2。在本發(fā)明之一實施例中，上述的各條狀浮置遮光圖案的線寬例如為Wl， 各數(shù)據(jù)線的線寬例如為W2，而各間隙例如為G，且W1〉W2+2G。在本發(fā)明之一實施例中，上述的各條狀電容電極的至少部分區(qū)域例如與5其中一個像素電極重疊。本發(fā)明另提出一種主動元件矩陣基板，其包括基板、第一圖案化導體層、 介電層、第二圖案化導體層、保護層以及多個像素電極。第一圖案化導體層配 置于基板上，第一圖案化導體層包括多條掃描線、多個與掃描線連接的柵極以 及多個條狀浮置遮光圖案。介電層配置于基板上以覆蓋第一圖案化導體層，介 電層具有多個第一接觸開口，且各第一接觸開口分別將掃描線的一部分區(qū)域暴 露。第二圖案化導體層配置于介電層上，第二圖案化導體層包括多條數(shù)據(jù)線、 多個與數(shù)據(jù)線連接的源極、多個漏極、多個條狀電容電極，其中各條狀電容電 極與各條狀電容電極通過其中一個第一接觸開口與其中一條掃描線電性連接， 各數(shù)據(jù)線與其中一條狀電容電極之間具有一間隙，且各條狀浮置遮光圖案位于 數(shù)據(jù)線、間隙以及條狀電容電極下方。保護層配置于介電層上以覆蓋第二圖案 化導體層，保護層具有多個第二接觸開口，且各第二接觸開口分別將其中一個 漏極暴露。多個像素電極配置于保護層上，其中各像素電極分別通過其中一個 第二接觸開口與其中一個漏極電性連接。在本發(fā)明之一實施例中，上述的各數(shù)據(jù)線例如與其中一條狀電容電極之 間的間隙未被像素電極所覆蓋。在本發(fā)明之一實施例中，上述的數(shù)據(jù)線的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于條狀浮 置遮光圖案以及條狀電容電極的延伸方向。在本發(fā)明之一實施例中，上述的位于同一條數(shù)據(jù)線兩側的二條狀電容電 極的間隙例如為S，各條狀浮置遮光圖案的線寬例如為Wl，而各數(shù)據(jù)線的線寬例如為W2， iWl>S>W2。在本發(fā)明之一實施例中，上述的各條狀浮置遮光圖案的線寬例如為Wl， 各數(shù)據(jù)線的線寬例如為W2，而各間隙為例如G，且W1〉W2+2G。在本發(fā)明之一實施例中，上述的各條狀電容電極的至少部分區(qū)域例如與其中一個像素電極重疊?；谏鲜?，利用條狀浮置遮光圖案以及條狀電容電極的適當布局方式，當 主動元件矩陣基板應用于液晶顯示器時可以大幅增加開口率并避免漏光現(xiàn)象， 并且利用條狀電容電極與共通線或掃描線電性連接，藉以進一步提供用以穩(wěn)定 像素電極上的數(shù)據(jù)電壓的儲存電容。另一方面，相較于現(xiàn)有技術結構，由于信 號線之間(例如數(shù)據(jù)線與條狀電容電極之間)的橫向寄生電容很小且對液晶影響較小，故此寄生電容可以被忽略，因此在提高像素開口率的同時，不會使得 數(shù)據(jù)線因寄生電容的影響而導致負載過大的問題，并且可以避免信號線之間產(chǎn) 生串音現(xiàn)象。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所 附圖式作詳細說明如下。


圖1A繪示為現(xiàn)有技術的一種液晶顯示器的立體示意圖；圖1B進一步繪示圖1A中一種液晶顯示器的局部放大剖面示意圖；圖2繪示為本發(fā)明第一實施例的一種主動元件矩陣基板的局部上視圖；圖3A是將圖2中的主動元件矩陣基板應用于液晶顯示器的局部剖面圖；圖3B是沿著圖2的BB'剖面線以及CC'剖面線的主動元件矩陣基板的局部剖面示意圖；圖4繪示為本發(fā)明第二實施例的一種主動元件矩陣基板的局部上視圖；圖5為圖4沿BB'剖面線的剖面示意圖。其中，附圖標記為110、200、 400:主動元件矩陣基板300:液晶顯示器112:像素單元114:信號線116:像素電極120:對向基板122:共通電極124:黑色矩陣130:液晶層140:背光模塊150:液晶顯示面板202:基板210:第一圖案化導體層212:掃描線216:共通線218:條狀浮置遮光圖案230:介電層240:第二圖案化導體層242:數(shù)據(jù)線244:源極246:漏極248:條狀電容電極249:主動層260:保護層270:像素電極280:介電層290:對向基板296:液晶層C:儲存電容 Dl:上方向 D2:下方向G:數(shù)據(jù)線與其 中 一條狀電容電極之間的間隙 HI:第一接觸開口 H2:第二接觸開口 L:光線W':黑色矩陣的寬度Wl:條狀浮置遮光圖案的線寬W2:數(shù)據(jù)線的線寬S:同一條數(shù)據(jù)線兩側的二條狀電容電極的間隙 T:主動元件具體實施方式
第一實施例施例的一種主動元件矩陣基板的局部上視圖，圖3A是將圖2中的主動元件矩陣基板應用于液晶顯示器的局部剖面圖，其中 圖3A中剖面位置大致為沿著圖2中AA'剖面線的主動元件矩陣基板200的對 應位置。請同時參照圖2與圖3A，本實施例的主動元件矩陣基板200包括基 板202、第一圖案化導體層210、介電層230、第二圖案化導體層240、保護層 260以及多個像素電極270。請同時參照圖2與圖3A，第一圖案化導體層210配置于基板202上，第 一圖案化導體層210包括多條掃描線212、多個與掃描線212連接的柵極214、 多條共通線216以及多個條狀浮置遮光圖案218，在本實施例中，掃描線212 的延伸方向例如是實質(zhì)上平行于共通線216的延伸方向，且各共通線216分別 位于二相鄰掃描線212之間。第二圖案化導體層240配置于介電層230上，第 二圖案化導體層240包括多條數(shù)據(jù)線242、多個與數(shù)據(jù)線242連接的源極244、 多個漏極246、多個條狀電容電極248。在本實施例中，數(shù)據(jù)線242的延伸方 向例如實質(zhì)上平行于條狀浮置遮光圖案218以及條狀電容電極248的延伸方 向。此外，數(shù)據(jù)線242大體與掃描線212垂直排列，并且數(shù)據(jù)線242與掃描線 212大致上圍出多個像素單元，而圖2中僅繪示兩組像素單元為例作說明。請繼續(xù)參照圖2與圖3A，為清楚說明各膜層之間的堆棧關系，于圖3A 中定義一膜層的相對關系，如圖中的上方向Dl以及下方向D2。如圖3A所示， 對向基板290具有黑色矩陣292，且位于主動元件矩陣基板200的上方。此外， 液晶層296則配置于主動元件矩陣基板200與對向基板290之間。請同時參照圖2與圖3A，值得注意的是，條狀浮置遮光圖案218位于數(shù) 據(jù)線242正下方，并且條狀浮置遮光圖案218的面積大體大于且涵蓋數(shù)據(jù)線 242的面積，因此條狀浮置遮光圖案218能夠有效遮蔽來自背光模塊的光線L， 如此一來，位于對向基板290上的黑色矩陣292的寬度W，可以地被大幅縮減， 進而提升了液晶顯示器300的整體開口率。并且，由于條狀浮置遮光圖案218 不與其它膜層或信號線連接，故其獨立成為電性浮置的狀態(tài)。如此，條狀浮置 遮光圖案218在遮蔽光線以增加開口率的同時，條狀浮置遮光圖案218與數(shù)據(jù) 線242之間的寄生電容可以有效地被抑制。藉此，數(shù)據(jù)線242的負載可以有效 被控制，以避免數(shù)據(jù)線因電阻-電容遲緩(RC delay)過大而需要提高數(shù)據(jù)驅(qū)動信 號的電力(power)等問題。另一方面，數(shù)據(jù)線242亦不易受到條狀浮置遮光圖9案218的影響而發(fā)生所傳遞的數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生擾動，導致串音等現(xiàn)象。請繼續(xù)同時參照圖2與圖3A，各數(shù)據(jù)線242與其中一條狀電容電極248 之間具有一間隙G，且各條狀浮置遮光圖案218位于數(shù)據(jù)線242、間隙G以及 條狀電容電極248下方。具體而言，在本實施例中，各數(shù)據(jù)線242與其中一條 狀電容電極248之間的間隙G未被像素電極270所覆蓋，并且各條狀電容電 極248鄰接像素電極270的一側的至少部分區(qū)域例如與其中一個像素電極270 重疊，而各條狀電容電極248鄰接數(shù)據(jù)線242的一側的至少部分區(qū)域例如與其 中一個條狀浮置遮光圖案218重疊。藉此，條狀浮置遮光圖案218與條狀電容 電極248可以共同構成遮光結構。進一步而言，令位于同一條數(shù)據(jù)線242兩側的二條狀電容電極248的間 隙為S、各條狀浮置遮光圖案218的線寬為Wl，而各數(shù)據(jù)線242的線寬為 W2，且位于同一條數(shù)據(jù)線242兩側的二條狀電容電極248的間隙S、浮置遮 光圖案的線寬Wl以及數(shù)據(jù)線242的線寬W2例如是滿足下列關系式 W1>S>W2，換言之，各條狀浮置遮光圖案218在基板202上的投影范圍會涵 蓋二條狀電容電極248的間隙S，并且會涵蓋數(shù)據(jù)線242在基板202上的投影 范圍。藉此，條狀浮置遮光圖案218與條狀電容電極248可以共同構成像素單 元長邊的遮光結構，有效地遮蔽來自背光模塊的光線，避免光線穿透數(shù)據(jù)線 242以及位于同一條數(shù)據(jù)線242兩側之二條狀電容電極248的間隙S，進而避 免漏光。更詳細而言，令各數(shù)據(jù)線242與其中一條狀電容電極248之間的間隙為 G、令各條狀浮置遮光圖案218的線寬為Wl，且各數(shù)據(jù)線242的線寬為W2， 在本實施例中，數(shù)據(jù)線242與其中一條狀電容電極248之間的間隙G、條狀浮 置遮光圖案218的線寬Wl以及數(shù)據(jù)線242的線寬W2例如滿足下列關系式 W1>W2+2G。藉此，條狀浮置遮光圖案218的線寬Wl可以有效遮蔽來自背 光模塊的光線，避免光線穿透數(shù)據(jù)線242以及數(shù)據(jù)線242與條狀電容電極248 的間隙G的區(qū)域，進而在提高開口率時避免產(chǎn)生漏光。如此一來，如圖3A所 示，對向基板290上的黑色矩陣292的線寬W'可以被縮減至小于條狀浮置遮 光圖案218的線寬W1的范圍，因此可以大幅提升開口率。當然，設計者尚可依據(jù)主動元件矩陣基板200與對向基板290之間的晶 穴間隙(Cell Gap)大小或是開口率、亮度等產(chǎn)品需求，適度地調(diào)整條狀浮置遮光圖案218的寬度Wl 、條狀電容電極248、數(shù)據(jù)線242與條狀電容電極248 的間隙G以及位于同一條數(shù)據(jù)線242兩側的二條狀電容電極248的間隙S，以 進一步提升條狀浮置遮光圖案218的遮光效果。圖3B是沿著圖2的BB'剖面線以及CC'剖面線的主動元件矩陣基板的局 部剖面示意圖。請同時參照圖2與圖3B，介電層230配置于基板202上，以 覆蓋第一圖案化導體層210，其中介電層230具有多個第一接觸開口 Hl，且 各第一接觸開口 Hl分別暴露共通線216的一部分區(qū)域。第二圖案化導體層240 配置于介電層230上。特別的是，各條狀電容電極248通過其中一個第一接觸 開口 Hl與其中一條共通線216電性連接。如圖2與3B所示，保護層260配置于介電層230上以覆蓋第二圖案化 導體層240，保護層260具有多個第二接觸開口 H2，且各第二接觸開口 H2分 別將其中一個漏極246暴露。多個像素電極270配置于保護層260上，其中各 像素電極270分別通過其中一個第二接觸開口 H2與其中一個漏極246電性連 接。換言之，在一像素單元中，柵極214、主動層249、源極244與漏極246 構成一主動元件T，而數(shù)據(jù)線242藉由主動元件T的控制將對應的數(shù)據(jù)信號經(jīng) 由漏極246輸入至對應的像素電極270以達到顯示的效果。值得注意的是，在本實施例中，各條狀電容電極248通過其中一個第一 接觸開口 Hl與其中一條共通線216電性連接，藉由各條狀電容電極248與其 中一條共通線216電性連接，而在一像素單元中形成了儲存電容C于共通線 216的型態(tài)(Cstoncommon)，換言之，在一像素單元中，像素電極270、保 護層260、兩側的條狀電容電極248以及共通線216共同構成一儲存電容C于 共通線216的型態(tài)。如此一來，條狀電容電極248可以進一步增加像素單元的 儲存電容值，以進一步穩(wěn)定像素電極270的數(shù)據(jù)信號。另一方面，藉由像素單 元中的兩側條狀電容電極248的設置亦可以進一步抑制數(shù)據(jù)線242所傳輸?shù)臄?shù) 據(jù)信號對像素電極270中所儲存的數(shù)據(jù)信號的干擾。此外，如圖3B所示，在本實施例中，位于第一接觸開口 Hl處的條狀電 容電極248更可以藉由一輔助的接觸電極272來進一步確保條狀電容電極248 與共通線216之間的電性連接，舉例而言，接觸電極272與像素電極270的材 質(zhì)相同，并利用同一道光罩工藝所制成。實務上，當主動元件矩陣基板200應用液晶顯示器時，由于條狀浮置遮光ii圖案218可以有效阻擋來自背光模塊的光線，因此可以大幅防止漏光。并且，在提升開口率時，利用條狀電容電極248與共通線216電性連接，可以將儲存 電容C架構于共通線216上進而穩(wěn)定像素電極270的數(shù)據(jù)電壓。再者，藉由 上述條狀浮置遮光圖案218與條狀電容電極248的設計，可以大幅降低數(shù)據(jù)線 242與條狀浮置遮光圖案218之間的寄生電容，避免數(shù)據(jù)線242負載過大的問 題，并可避免信號線之間產(chǎn)生串音現(xiàn)象。第二實施例圖4繪示為本發(fā)明第二實施例的一種主動元件矩陣基板的局部上視圖， 請參照圖4，本實施例的主動元件矩陣基板400與第一實施例的主動元件矩陣 基板200類似，在本實施例的主動元件矩陣基板400的像素單元中，儲存電容 的型態(tài)為儲存電容于掃描線212的型態(tài)(Cst on scan line)。為清楚說明，本 實施例與第一實施例相同構件以相同符號表示。圖5為圖4沿BB'剖面線的剖面示意圖。請參照圖5，在本實施例中， 介電層230的第一接觸開口H1的位置是開設于掃描線212的上方，換言之， 第一接觸開口H1分別將掃描線212的一部分區(qū)域暴露。并且，各條狀電容電 極248通過其中一個第一接觸開口 Hl與其中一條掃描線212電性連接。其余 構件以及設計考慮與第一實施例相同，類推第一實施例的記載內(nèi)容，不再贅述。如圖5所示，藉由各條狀電容電極248與其中一條掃描線212電性連接， 在一像素單元中，像素電極270、保護層260、兩側的條狀電容電極248以及 掃描線212共同構成一儲存電容C架構于掃描線212的型態(tài)。值得一提是， 在本實施例中，條狀電容電極248例如是與下一條掃描線212電性連接。藉由 上述的布局，條狀電容電極248可以進一步增加像素單元的儲存電容值，并且 于像素單元中的主動元件的關閉期間內(nèi)，穩(wěn)定像素電極270的數(shù)據(jù)信號不受干 擾。另一方面，藉由像素單元中的兩側條狀電容電極248的設置亦具有進一步 抑制數(shù)據(jù)線242所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號對像素電極270中所儲存的數(shù)據(jù)信號的干擾 的效果。此外，如圖5所示，在本實施例中，位于第一接觸開口 Hl處的條狀電 容電極248更可以藉由一輔助的接觸電極272來進一步確保條狀電容電極248 與掃描線212之間的電性連接，舉例而言，此接觸電極272與像素電極270的材質(zhì)相同，并利用同一道光罩工藝所制成。綜上所述，本發(fā)明的主動元件矩陣基板利用條狀浮置遮光圖案以及條狀電 容電極與共通線或掃描線電性連接的適當布局方式，可以大幅提升開口率，并 且當其應用于液晶顯示器時，可以避免漏光并使亮度提升。另一方面，條狀電容電極可以提供一用以穩(wěn)定像素單元的數(shù)據(jù)電壓的儲存電容，并且由于數(shù)據(jù)線 與共通線之間的寄生電容可以被忽略，因此在提高像素開口率的同時，不會使 得數(shù)據(jù)線因寄生電容而導致負載過大的問題，并且可以避免信號線之間產(chǎn)生串 音現(xiàn)象。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，在不 背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據(jù)本發(fā)明作 出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權 利要求的保護范圍。
權利要求
1.一種主動元件矩陣基板，其特征在于，包括一基板；一第一圖案化導體層，配置于該基板上，該第一圖案化導體層包括多條掃描線、多個與該些掃描線連接的柵極、多條共通線以及多個條狀浮置遮光圖案；一介電層，配置于該基板上以覆蓋該第一圖案化導體層，該介電層具有多個第一接觸開口，且各該第一接觸開口分別將該些共通線的一部分區(qū)域暴露；一第二圖案化導體層，配置于該介電層上，該第二圖案化導體層包括多條數(shù)據(jù)線、多個與該些數(shù)據(jù)線連接的源極、多個漏極以及多個條狀電容電極，其中各該條狀電容電極通過其中一個第一接觸開口與其中一條共通線電性連接；一保護層，配置于該介電層上以覆蓋該第二圖案化導體層，該保護層具有多個第二接觸開口，且各該第二接觸開口分別將其中一個漏極暴露；以及多個像素電極，配置于該保護層上，其中各該像素電極分別通過其中一個第二接觸開口與其中一個漏極電性連接。
2. 如權利要求1所述的主動元件矩陣基板，其特征在于，各該數(shù)據(jù)線與 其中一條狀電容電極之間的該間隙未被該些像素電極所覆蓋。
3. 如權利要求1所述的主動元件矩陣基板，其特征在于，該些數(shù)據(jù)線的 延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于該些條狀浮置遮光圖案以及該些條狀電容電極的延伸 方向。
4. 如權利要求1所述的主動元件矩陣基板，其特征在于，位于同一條數(shù) 據(jù)線兩側的二條狀電容電極的間隙為S,各該條狀浮置遮光圖案的線寬為Wl， 而各該數(shù)據(jù)線的線寬為W2， iWl>S>W2。
5. 如權利要求1所述的主動元件矩陣基板，其特征在于，各該數(shù)據(jù)線與 其中一條狀電容電極之間具有一間隙，且各該條狀浮置遮光圖案位于該數(shù)據(jù) 線、該間隙以及該條狀電容電極下方，其中各該條狀浮置遮光圖案的線寬為 Wl，各該數(shù)據(jù)線的線寬為W2，而各該間隙為G，且W1〉W2+2G。
6. 如權利要求1所述的主動元件矩陣基板，其特征在于，各該條狀電容 電極的至少部分區(qū)域與其中一個像素電極重疊。
7. —種主動元件矩陣基板，其特征在于，包括 一基板；一第一圖案化導體層，配置于該基板上，該第一圖案化導體層包括多條 掃描線、多個與該些掃描線連接的柵極以及多個條狀浮置遮光圖案；一介電層，配置于該基板上以覆蓋該第一圖案化導體層，該介電層具有 多個第一接觸開口，且各該第一接觸開口分別將該些掃描線的一部分區(qū)域暴 露；一第二圖案化導體層，配置于該介電層上，該第二圖案化導體層包括多 條數(shù)據(jù)線、多個與該些數(shù)據(jù)線連接的源極、多個漏極、多個條狀電容電極，其 中各該條狀電容電極通過其中一個第一接觸開口與其中一條掃描線電性連接；一保護層，配置于該介電層上以覆蓋該第二圖案化導體層，該保護層具 有多個第二接觸開口，且各該第二接觸開口分別將其中一個漏極暴露；以及多個像素電極，配置于該保護層上，其中各該像素電極分別通過其中一 個第二接觸開口與其中一個漏極電性連接。
8. 如權利要求7所述的主動元件矩陣基板，其特征在于，位于同一條數(shù) 據(jù)線兩側的二條狀電容電極的間隙為S，各該條狀浮置遮光圖案的線寬為Wl， 而各該數(shù)據(jù)線的線寬為W2，且W1〉S〉W2。
9. 如權利要求7所述的主動元件矩陣基板，其特征在于，各該數(shù)據(jù)線與 其中一條狀電容電極之間具有一間隙，且各該條狀浮置遮光圖案位于該數(shù)據(jù) 線、該間隙以及該條狀電容電極下方，其中各該條狀浮置遮光圖案的線寬為 Wl，各該數(shù)據(jù)線的線寬為W2，而各該間隙為G，且W1〉W2+2G。
10. —種液晶顯示器，其特征在于，包括-如權利要求1項至第9項中任一所述的主動元件矩陣基板； 一對向基板；以及一液晶層，位于該主動元件矩陣基板以及該對向基板之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種主動元件矩陣基板，其包括第一圖案化導體層、介電層、第二圖案化導體層、保護層及多個像素電極。第一圖案化導體層包括多條掃描線與共通線、多個柵極與條狀浮置遮光圖案。介電層覆蓋第一圖案化導體層并具有分別暴露出共通線的多個第一接觸開口。第二圖案化導體層包括多條數(shù)據(jù)線、多個源極與漏極、多個條狀電容電極。各條狀電容電極通過一個第一接觸開口與一條共通線電性連接，各數(shù)據(jù)線與一條狀電容電極之間具有一間隙，且各條狀浮置遮光圖案位于數(shù)據(jù)線、間隙與條狀電容電極下方。像素電極通過保護層的第二接觸開口與漏極電性連接。
文檔編號G02F1/1362GK101598877SQ20091014020
公開日2009年12月9日 申請日期2009年7月7日 優(yōu)先權日2009年7月7日
發(fā)明者劉竹育, 吳宙秦, 施明宏, 陳怡君 申請人:友達光電股份有限公司