專利名稱：陣列基板及其制造方法
陣列基板及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。
技術(shù)背景
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay ；以下 簡(jiǎn)稱TFT-LCD)技術(shù)在近十年有了飛速地發(fā)展，從屏幕的尺寸到顯示的質(zhì)量都取得了很大 進(jìn)步。經(jīng)過不斷的努力，TFT-IXD各方面的性能已經(jīng)達(dá)到了傳統(tǒng)陰極射線管(Cathode Ray Tube ；以下簡(jiǎn)稱CRT)顯示器的水平，大有取代CRT顯示器的趨勢(shì)。
隨著LCD生產(chǎn)的不斷擴(kuò)大，各個(gè)生產(chǎn)廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)也日趨激烈。各廠家在不斷 提高產(chǎn)品性能的同時(shí)，也在不斷努力降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，從而提高市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。開口率 是提高LCD亮度、降低用電量的一個(gè)重要指標(biāo)，而采用半搭接結(jié)構(gòu)過孔能夠顯著提高LCD像 素區(qū)的開口率。
圖1為現(xiàn)有陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中的A-A向剖切截面?zhèn)?視圖。如圖1和圖2所示，陣列基板包括襯底基板1，在襯底基板1上形成包括多條橫縱交 叉的數(shù)據(jù)線3和柵掃描線2的圖案，從而圍設(shè)形成多個(gè)像素單元。像素單元區(qū)域以外為邊 緣區(qū)域，邊緣區(qū)域中形成包括接口區(qū)(PAD區(qū))的圖案，即數(shù)據(jù)線接口區(qū)15和柵掃描線接口 區(qū)10，是用于將數(shù)據(jù)線3和柵掃描線2連接外部驅(qū)動(dòng)電路的區(qū)域。每個(gè)像素單元中設(shè)置有 TFT開關(guān)和像素電極13，TFT開關(guān)具體包括柵電極4、有源層6、源電極7和漏電極8。在各 導(dǎo)電圖案之間以絕緣材料保持相互絕緣，例如，在柵電極4和柵掃描線2上覆蓋有柵極絕緣 層5，在數(shù)據(jù)線3、有源層6、源電極7和漏電極8之上覆蓋有鈍化層9。像素電極13通過鈍 化層9上的漏電極過孔與漏電極8相連。為了提高像素單元的開口率所采用的傳統(tǒng)半搭接 結(jié)構(gòu)是將漏電極8的面積縮小，并將漏電極過孔制備在漏電極8的邊緣，即漏電極過孔的一 半搭接在漏電極8的端部，因此漏電極8過孔也可稱為半搭接過孔11。這樣就使像素單元 中的像素電極13 —部分搭接在漏電極8上，如圖1和圖2所示。接口區(qū)上一般也需要設(shè)置 接口區(qū)過孔，接口區(qū)過孔上通常填充以像素電極13的材料，從而對(duì)接口區(qū)的金屬材料起到 保護(hù)作用。數(shù)據(jù)線接口區(qū)15和柵掃描線接口區(qū)10由于不涉及開口率的問題，所以數(shù)據(jù)線 接口區(qū)15和柵掃描線接口區(qū)10的接口區(qū)過孔處通常不采用半搭接結(jié)構(gòu)，因此各接口區(qū)過 孔可稱為全搭接過孔12。
為了實(shí)現(xiàn)半搭接結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)的制備方法是采用掩膜板在像素單元中的對(duì)應(yīng)位置采 用全曝光后連續(xù)干刻的方法制備半搭接過孔和全搭接過孔，在沉積像素電極薄膜之后就形 成了半搭接結(jié)構(gòu)和全搭接結(jié)構(gòu)。
在進(jìn)行本發(fā)明的研究過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)存在如下缺陷在半搭接結(jié)構(gòu) 處，由于干法刻蝕作用會(huì)將漏電極8下方的柵極絕緣層5也刻蝕掉一部分而形成空洞，如圖 2中虛線圓圈區(qū)域所示?？斩吹拇嬖谑沟煤罄m(xù)沉積像素電極13時(shí)易形成斷層，并且空洞的 存在會(huì)使液晶分子在空洞附近的取向發(fā)生不固定偏轉(zhuǎn)，容易發(fā)生漏光，而且空洞上方的懸 臂漏電極8容易在摩擦取向的時(shí)候掉落，形成影響顯示效果的顆粒狀不良。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法，以避免在半搭接結(jié)構(gòu)處出現(xiàn)的 空洞現(xiàn)象，減少不良問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制造方法，包括
在襯底基板上至少形成第一導(dǎo)電圖案；
在形成上述圖案的襯底基板上沉積絕緣材料作為第一絕緣層；
在形成上述圖案的襯底基板上至少形成第二導(dǎo)電圖案；
在形成上述圖案的襯底基板上沉積絕緣材料作為第二絕緣層；
采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述第二絕緣層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，在所述第二絕 緣層中至少形成半搭接過孔的圖案，在所述第一絕緣層和第二絕緣層中至少形成全搭接過 孔的圖案，所述第二導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)部分所述半搭接過孔的位置，所述第一導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)全 部所述全搭接過孔的位置；
在形成上述圖案的襯底基板上至少形成第三導(dǎo)電圖案和第四導(dǎo)電圖案，所述第三 導(dǎo)電圖案通過所述半搭接過孔形成在所述第二導(dǎo)電圖案和第一絕緣層的表面上，所述第四 導(dǎo)電圖案通過所述全搭接過孔形成在所述第一導(dǎo)電圖案的表面上。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上 形成多個(gè)像素單元，其中
所述襯底基板上至少形成有第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案上覆蓋有第一絕 緣層；
所述第一絕緣層上至少形成有第二導(dǎo)電圖案，且所述第二導(dǎo)電圖案上覆蓋有第二 絕緣層；
所述第二絕緣層上至少形成有第三導(dǎo)電圖案和第四導(dǎo)電圖案；
所述第二絕緣層中至少形成有半搭接過孔，所述第一絕緣層和第二絕緣層中至少 形成有全搭接過孔，所述第二導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)部分所述半搭接過孔的位置，所述第一導(dǎo)電圖 案對(duì)應(yīng)全部所述全搭接過孔的位置，所述第三導(dǎo)電圖案通過所述半搭接過孔形成在所述第 二導(dǎo)電圖案和第一絕緣層的表面上，所述第四導(dǎo)電圖案通過所述全搭接過孔形成在所述第 一導(dǎo)電圖案的表面上。
由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明可以基于半曝光構(gòu)圖工藝使半搭接過孔和全搭接過 孔在兩次刻蝕后形成，由于全搭接過孔和半搭接過孔需要刻蝕的絕緣材料厚度不同，所以 分兩次刻蝕可以控制不會(huì)對(duì)半搭接過孔對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電圖案下方的絕緣材料進(jìn)行刻蝕，從 而保留了半搭接過孔下方的第一絕緣層，則第二導(dǎo)電圖案下方不會(huì)形成空洞，能夠解決在 半搭接結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)空洞而引起的斷層、顆粒狀不良等問題。
圖1為現(xiàn)有陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖2為圖1中的A-A向剖切截面?zhèn)纫晥D3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法的流程圖4為本發(fā)明實(shí)施例一制備的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖一；
圖5為圖4中的B-B向剖切截面?zhèn)纫晥D6為本發(fā)明實(shí)施例一制備的陣列基板的截面?zhèn)纫晥D一；
圖7為本發(fā)明實(shí)施例一制備的陣列基板的截面?zhèn)纫晥D二 ；
圖8為本發(fā)明實(shí)施例一制備的陣列基板的截面?zhèn)纫晥D三；
圖9為本發(fā)明實(shí)施例一制備的陣列基板的截面?zhèn)纫晥D四；
圖10為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法的流程圖11為本發(fā)明實(shí)施例二制備的陣列基板的截面?zhèn)纫晥D一；
圖12為本發(fā)明實(shí)施例二制備的陣列基板的截面?zhèn)纫晥D二。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供了一種陣列基板的制造方法，包括如下步驟
在襯底基板上至少形成第一導(dǎo)電圖案；
在形成上述圖案的襯底基板上沉積絕緣材料作為第一絕緣層；
在形成上述圖案的襯底基板上至少形成第二導(dǎo)電圖案；
在形成上述圖案的襯底基板上沉積絕緣材料作為第二絕緣層；
采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)第二絕緣層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，在第二絕緣層中至 少形成半搭接過孔的圖案，在第一絕緣層和第二絕緣層中至少形成全搭接過孔的圖案，第 二導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)部分半搭接過孔的位置，第一導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)全部全搭接過孔的位置；
在形成上述圖案的襯底基板上至少形成第三導(dǎo)電圖案和第四導(dǎo)電圖案，第三導(dǎo)電 圖案通過半搭接過孔形成在第二導(dǎo)電圖案和第一絕緣層的表面上，第四導(dǎo)電圖案通過全搭 接過孔形成在第一導(dǎo)電圖案的表面上。
采用本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，可以基于半曝光構(gòu)圖工藝使半搭接過孔和全搭接 過孔在兩次刻蝕后形成，由于全搭接過孔和半搭接過孔需要刻蝕的絕緣材料厚度不同，所 以分兩次刻蝕可以控制不會(huì)對(duì)半搭接過孔對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電圖案下方的絕緣材料進(jìn)行刻蝕， 從而保留了半搭接過孔下方的第一絕緣層，則第二導(dǎo)電圖案下方不會(huì)形成空洞，即能夠解 決半搭接結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)空洞而引起的斷層、顆粒狀不良等問題。
本發(fā)明的上述技術(shù)方案適用于陣列基板上所有需要在同一次掩膜構(gòu)圖工藝中形 成半搭接過孔和全搭接過孔的情況，典型的是在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖案具體為形 成柵掃描線接口區(qū)的圖案；形成第二導(dǎo)電圖案具體為形成漏電極、數(shù)據(jù)線接口區(qū)和/或間 隔設(shè)置的數(shù)據(jù)線的圖案；形成第三導(dǎo)電圖案具體為形成像素電極、數(shù)據(jù)線接口區(qū)連接線和 /或數(shù)據(jù)線跨接線的圖案，形成第四導(dǎo)電圖案具體為形成柵掃描線接口區(qū)連接線的圖案。像 素電極可以通過半搭接過孔形成在漏電極和第一絕緣層的表面上，數(shù)據(jù)線接口區(qū)連接線可 以通過半搭接過孔形成在數(shù)據(jù)線接口區(qū)和第一絕緣層的表面上，數(shù)據(jù)線跨接線可以通過半 搭接過孔形成在間隔設(shè)置的數(shù)據(jù)線和第一絕緣層的表面上，柵掃描線接口區(qū)連接線可以通 過全搭接過孔形成在柵掃描線接口區(qū)的表面上。
其中，數(shù)據(jù)線接口區(qū)和數(shù)據(jù)線也可以采用全搭接結(jié)構(gòu)。因?yàn)槿罱咏Y(jié)構(gòu)接觸面積 大，可以很好的起到搭接作用；但是現(xiàn)在也有一些特殊需求比如想減少搭接面積等，就可以 設(shè)置成半搭接結(jié)構(gòu)。在不同的設(shè)計(jì)需要下，數(shù)據(jù)線有可能出現(xiàn)需要間隔設(shè)置且由其他層的 數(shù)據(jù)線跨接線連接的情況。數(shù)據(jù)線跨接線可以通過半搭接結(jié)構(gòu)來連接間隔設(shè)置的第二導(dǎo)電層電路或連接第二導(dǎo)電層制備的電路與第一導(dǎo)電層制備的電路，數(shù)據(jù)線跨接線可以采用像 素電極的透明導(dǎo)電材料制備，用于連接間隔的數(shù)據(jù)線。類似的，跨接線的連接方式并不限于 連接數(shù)據(jù)線，還可以應(yīng)用到其他需要跨接連接的情況。
對(duì)于數(shù)據(jù)線接口區(qū)的全搭接結(jié)構(gòu)，即在形成漏電極和/或間隔設(shè)置的數(shù)據(jù)線的作 為第二導(dǎo)電圖案的同時(shí)，還形成數(shù)據(jù)線接口區(qū)；
在采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)第二絕緣層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝時(shí)，還在第二絕緣 層中形成全過孔的圖案，數(shù)據(jù)線接口區(qū)對(duì)應(yīng)全過孔的位置；
在形成上述圖案的襯底基板上形成第三導(dǎo)電圖案和第四導(dǎo)電圖案的同時(shí)，還形成 數(shù)據(jù)線接口區(qū)連接線的圖案，數(shù)據(jù)線接口區(qū)連接線通過全過孔形成在數(shù)據(jù)線接口區(qū)的表面 上。
對(duì)于數(shù)據(jù)線的全搭接結(jié)構(gòu)，與數(shù)據(jù)線接口區(qū)的全搭接結(jié)構(gòu)形成方法類似。
采用雙色調(diào)掩膜板進(jìn)行分布刻蝕的工藝形式有多種，且跨接線、接口區(qū)連接線與 漏電極過孔處的半搭接結(jié)構(gòu)形成方法類似，下面通過具體實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn) 一步的詳細(xì)描述，且以漏電極過孔處的半搭接結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明。
實(shí)施例一
圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法的流程圖，包括如下步驟
步驟100、在襯底基板1上形成柵掃描線接口區(qū)10的圖案，柵掃描線接口區(qū)10 — 般是與柵掃描線2和柵電極4等圖案同時(shí)形成的；
步驟200、在形成上述圖案的襯底基板1上沉積絕緣材料作為第一絕緣層，第一絕 緣層一般稱為柵極絕緣層5 ；
步驟300、在形成上述圖案的襯底基板1上形成漏電極8的圖案，此步驟中一般還 同時(shí)形成有源層6、數(shù)據(jù)線3和源電極7等圖案；
步驟400、在形成上述圖案的襯底基板1上沉積絕緣材料作為第二絕緣層，第二絕 緣層一般稱為鈍化層9，如圖4和圖5所示；
步驟501、在鈍化層9上涂覆光刻膠40 ；
步驟502、采用雙色調(diào)掩膜板30對(duì)光刻膠40進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū) 域21、部分保留區(qū)域22和完全去除區(qū)域23的光刻膠40圖案。雙色調(diào)掩膜板30可以是半 色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板，通過紫外線曝光、顯影后形成三個(gè)區(qū)域，完全保留區(qū)域21即 顯影后光刻膠40完全保留的區(qū)域，部分保留區(qū)域22有部分光刻膠40保留，其厚度小于完 全保留區(qū)域21光刻膠40的厚度，完全去除區(qū)域23的光刻膠40被完全去除。部分保留區(qū) 域22對(duì)應(yīng)半搭接過孔11的位置，完全去除區(qū)域23對(duì)應(yīng)全搭接過孔12的位置，完全保留區(qū) 域21對(duì)應(yīng)完全去除區(qū)域23和部分保留區(qū)域22以外的位置，如圖6所示；
步驟503、進(jìn)行第一次刻蝕，至少刻蝕掉完全去除區(qū)域23對(duì)應(yīng)的鈍化層9，具體可 以為進(jìn)行干法刻蝕，通過控制干法刻蝕的時(shí)間可以控制刻蝕掉的絕緣材料的厚度，此處可 控制將鈍化層9刻蝕掉即可，如圖7所示。此處也可以完全刻蝕出全搭接過孔12，但是優(yōu)選 的是只刻蝕掉鈍化層9的厚度，一方面可以節(jié)約刻蝕時(shí)間，另一方面是避免在下一次刻蝕 中對(duì)已經(jīng)暴露的柵掃描線接口區(qū)10進(jìn)行刻蝕，雖然干法刻蝕對(duì)金屬材料的刻蝕作用小，但 是長(zhǎng)時(shí)間刻蝕也會(huì)對(duì)金屬材料有一定損壞；
步驟504、按照部分保留區(qū)域22光刻膠40的厚度灰化光刻膠40，則部分保留區(qū)域22的光刻膠40被完全去除，完全保留區(qū)域21的光刻膠40還保留部分厚度；
步驟505、進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉部分保留區(qū)域22對(duì)應(yīng)的鈍化層9和完全去除區(qū) 域23對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層5，形成半搭接過孔11和全搭接過孔12，具體可以為干法刻蝕，可 以進(jìn)行一定時(shí)間的過刻，保證全搭接過孔12處的絕緣材料被完全刻蝕掉，如圖8所示，俯視 圖可參見圖1所示；
經(jīng)過上述工藝后剝離殘余的光刻膠40，在鈍化層9中形成半搭接過孔11的圖案， 在柵極絕緣層5和鈍化層9中形成全搭接過孔12的圖案，漏電極8對(duì)應(yīng)部分半搭接過孔11 的位置，柵掃描線接口區(qū)10對(duì)應(yīng)全部全搭接過孔12的位置。
步驟600、在形成上述圖案的襯底基板1上形成像素電極13和柵掃描線接口區(qū)連 接線14的圖案，具體可以先沉積像素電極薄膜，例如銦錫氧化物(ITO)等透明導(dǎo)電材料，而 后采用構(gòu)圖工藝同時(shí)刻蝕形成像素電極13和柵掃描線接口區(qū)連接線14的圖案。像素電極 13通過半搭接過孔11形成在漏電極8和柵極絕緣層5的表面上，柵掃描線接口區(qū)連接線 14通過全搭接過孔12形成在柵掃描線接口區(qū)10的表面上，如圖9所示。
具體應(yīng)用中，第一次刻蝕和第二次刻蝕可以適當(dāng)延長(zhǎng)刻蝕時(shí)間，增加少量過刻保 證在膜層沉積不均勻時(shí)過孔能夠完全順利形成。
采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，可以將半搭接過孔和全搭接過孔處不同厚度的絕緣材 料分兩次進(jìn)行刻蝕，則可以保留漏電極下方的柵極絕緣層，避免出現(xiàn)空洞現(xiàn)象，也可以使后 續(xù)沉積的像素電極能夠形成在柵極絕緣層上與漏電極連接，避免出現(xiàn)斷層現(xiàn)象。上述方案 能夠制備出沒有明顯斷差的過孔結(jié)構(gòu)，使得半搭接結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品特性能夠更加穩(wěn)定，并且能 夠確保像素單元區(qū)域的過孔成型，從而進(jìn)一步提高了 TFT-LCD的質(zhì)量和制作效率，降低了 制作成本。
實(shí)施例二
圖10為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法的流程圖，包括如下步驟
步驟100、在襯底基板1上形成柵掃描線接口區(qū)10的圖案，柵掃描線接口區(qū)10 — 般是與柵掃描線2和柵電極4等圖案同時(shí)形成的；
步驟200、在形成上述圖案的襯底基板1上沉積絕緣材料作為柵極絕緣層5 ；
步驟300、在形成上述圖案的襯底基板1上形成漏電極8的圖案，此步驟中一般還 同時(shí)形成有源層6、數(shù)據(jù)線3和源電極7等圖案；
步驟400、在形成上述圖案的襯底基板1上沉積絕緣材料作為鈍化層9，可參見圖 4和圖5所示；
本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別如下
步驟511、在鈍化層9上涂覆光刻膠40 ；
步驟512、采用雙色調(diào)掩膜板30對(duì)光刻膠40進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū) 域21、部分保留區(qū)域22和完全去除區(qū)域23的光刻膠40圖案，完全去除區(qū)域23對(duì)應(yīng)全搭接 過孔12的位置且對(duì)應(yīng)半搭接過孔11位于漏電極8上方的位置，部分保留區(qū)域22對(duì)應(yīng)剩余 的半搭接過孔11的位置，完全保留區(qū)域21對(duì)應(yīng)完全去除區(qū)域23和部分保留區(qū)域22以外 的位置，全搭接過孔12處的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一中相同，可參見圖6所示，圖11放大示出了半 搭接過孔11處的結(jié)構(gòu)；
步驟513、進(jìn)行第一次刻蝕，至少刻蝕掉完全去除區(qū)域23對(duì)應(yīng)的鈍化層9，優(yōu)選是僅刻蝕掉鈍化層9的厚度，可參見圖7所示，此時(shí)漏電極8上方的部分半搭接過孔11中的 絕緣材料被刻蝕掉，如圖12所示；
步驟514、按照部分保留區(qū)域22光刻膠40的厚度灰化去除光刻膠40 ；
步驟515、進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉部分保留區(qū)域22對(duì)應(yīng)的鈍化層9和完全去除區(qū) 域23對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層5，形成半搭接過孔11和全搭接過孔12，參見圖8所示。
經(jīng)過上述工藝后剝離殘余的光刻膠40，在鈍化層9中形成半搭接過孔11的圖案， 在柵極絕緣層5和鈍化層9中形成全搭接過孔12的圖案，漏電極8對(duì)應(yīng)部分半搭接過孔11 的位置，柵掃描線接口區(qū)10對(duì)應(yīng)全部全搭接過孔12的位置。
步驟600、在形成上述圖案的襯底基板1上形成像素電極13和柵掃描線接口區(qū)連 接線14的圖案，像素電極13通過半搭接過孔11形成在漏電極8和柵極絕緣層5的表面上， 柵掃描線接口區(qū)連接線14通過全搭接過孔12形成在柵掃描線接口區(qū)10的表面上，可參見 圖9所示，俯視圖可參見圖1所示。
本實(shí)施例的技術(shù)方案具有與實(shí)施例一類似的優(yōu)點(diǎn)，可以將半搭接過孔和全搭接過 孔處不同厚度的絕緣材料分兩次進(jìn)行刻蝕，則可以保留漏電極下方的柵極絕緣層，避免出 現(xiàn)空洞現(xiàn)象，也可以使后續(xù)沉積的像素電極能夠形成在柵極絕緣層上與漏電極連接，避免 出現(xiàn)斷層現(xiàn)象。上述方案能夠制備出沒有明顯斷差的過孔結(jié)構(gòu)，使得半搭接結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品特 性能夠更加穩(wěn)定，并且能夠確保像素單元區(qū)域的過孔成型，從而進(jìn)一步提高了 TFT-LCD的 質(zhì)量和制作效率，降低了制作成本。
以上所提出實(shí)施例為最佳實(shí)現(xiàn)方法，并非唯一實(shí)現(xiàn)方法?？筛鶕?jù)不同生產(chǎn)線的需 要，使用不同材料、工藝參數(shù)和設(shè)備實(shí)現(xiàn)之。
本發(fā)明還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板，襯底基板上形成多個(gè) 像素單元。襯底基板上至少形成有第一導(dǎo)電圖案，且第一導(dǎo)電圖案上覆蓋有第一絕緣層； 第一絕緣層上至少形成有第二導(dǎo)電圖案，且第二導(dǎo)電圖案上覆蓋有第二絕緣層；第二絕緣 層上至少形成有第三導(dǎo)電圖案和第四導(dǎo)電圖案；第二絕緣層中至少形成有半搭接過孔，第 一絕緣層和第二絕緣層中至少形成有全搭接過孔，第二導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)部分半搭接過孔的位 置，第一導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)全部全搭接過孔的位置，第三導(dǎo)電圖案通過半搭接過孔形成在第二 導(dǎo)電圖案和第一絕緣層的表面上，第四導(dǎo)電圖案通過全搭接過孔形成在第一導(dǎo)電圖案的表 面上。
實(shí)施例三
本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板基于本發(fā)明提供的結(jié)構(gòu)，典型的是第一導(dǎo)電圖案 為柵掃描線接口區(qū)10，第二導(dǎo)電圖案為漏電極8，第三導(dǎo)電圖案為像素電極13，第四導(dǎo)電圖 案為柵掃描線接口區(qū)連接線14，可參見圖9所示。
具體應(yīng)用中，各導(dǎo)電圖案也可以有其他組合，例如，第二導(dǎo)電圖案可以為數(shù)據(jù)線接 口區(qū)，第三導(dǎo)電圖案可以為數(shù)據(jù)線接口區(qū)連接線。
第二導(dǎo)電圖案可以為間隔設(shè)置的數(shù)據(jù)線，第三導(dǎo)電圖案可以為數(shù)據(jù)線跨接線。
數(shù)據(jù)線接口區(qū)的過孔還可以采用全搭接結(jié)構(gòu)，即第一絕緣層上可以形成有數(shù)據(jù)線 接口區(qū)，第二絕緣層中形成有全過孔，第二絕緣層上形成有數(shù)據(jù)線接口區(qū)連接線，數(shù)據(jù)線接 口區(qū)連接線通過全過孔形成在數(shù)據(jù)線接口區(qū)的表面上。全過孔可以根據(jù)需要對(duì)應(yīng)部分保留 區(qū)域或完全去除區(qū)域被刻蝕而成。
數(shù)據(jù)線的過孔也可以采用全搭接結(jié)構(gòu)，即第一絕緣層上還形成有間隔設(shè)置的數(shù)據(jù) 線，第二絕緣層中形成有全過孔，第二絕緣層上還形成有數(shù)據(jù)線跨接線，數(shù)據(jù)線跨接線通過 全過孔形成在數(shù)據(jù)線的表面上。全過孔可以根據(jù)需要對(duì)應(yīng)部分保留區(qū)域或完全去除區(qū)域被 刻蝕而成。
本發(fā)明提供的陣列基板可以基于本發(fā)明陣列基板的制造方法來制備，在半搭接結(jié) 構(gòu)處的第二導(dǎo)電圖案下方不會(huì)形成空洞，半搭接結(jié)構(gòu)中的第三導(dǎo)電圖案可以形成在第二導(dǎo) 電圖案及其下的第一絕緣層的表面上，圖案連續(xù)，可避免出現(xiàn)斷層。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在襯底基板上至少形成第一導(dǎo)電圖案；在形成上述圖案的襯底基板上沉積絕緣材料作為第一絕緣層； 在形成上述圖案的襯底基板上至少形成第二導(dǎo)電圖案； 在形成上述圖案的襯底基板上沉積絕緣材料作為第二絕緣層； 采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述第二絕緣層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，在所述第二絕緣層 中至少形成半搭接過孔的圖案，在所述第一絕緣層和第二絕緣層中至少形成全搭接過孔的 圖案，所述第二導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)部分所述半搭接過孔的位置，所述第一導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)全部所 述全搭接過孔的位置；在形成上述圖案的襯底基板上至少形成第三導(dǎo)電圖案和第四導(dǎo)電圖案，所述第三導(dǎo)電 圖案通過所述半搭接過孔形成在所述第二導(dǎo)電圖案和第一絕緣層的表面上，所述第四導(dǎo)電 圖案通過所述全搭接過孔形成在所述第一導(dǎo)電圖案的表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所 述第二絕緣層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，在所述第二絕緣層中形成半搭接過孔的圖案， 在所述第一絕緣層和第二絕緣層中形成全搭接過孔的圖案包括在所述第二絕緣層上涂覆光刻膠；采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū) 域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)所述半搭接過孔的位置，所述完 全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述全搭接過孔的位置，所述完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述完全去除區(qū)域和所述 部分保留區(qū)域以外的位置；進(jìn)行第一次刻蝕，至少刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的第二絕緣層； 按照所述部分保留區(qū)域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的第二絕緣層和完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的 第一絕緣層，形成所述半搭接過孔和全搭接過孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所 述第二絕緣層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，在所述第二絕緣層中形成半搭接過孔的圖案， 在所述第一絕緣層和第二絕緣層中形成全搭接過孔的圖案包括在所述第二絕緣層上涂覆光刻膠；采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū) 域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述全搭接過孔的位置且對(duì)應(yīng)所 述半搭接過孔位于所述第二導(dǎo)電圖案上方的位置，所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)剩余的所述半 搭接過孔的位置，所述完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述完全去除區(qū)域和所述部分保留區(qū)域以外的位 置；進(jìn)行第一次刻蝕，至少刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的第二絕緣層； 按照所述部分保留區(qū)域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的第二絕緣層和完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的 第一絕緣層，形成所述半搭接過孔和全搭接過孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于 在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖案具體為形成柵掃描線接口區(qū)的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上形成第二導(dǎo)電圖案具體為形成漏電極、數(shù)據(jù)線接口區(qū)和 /或間隔設(shè)置的數(shù)據(jù)線的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上形成第三導(dǎo)電圖案具體為形成像素電極、數(shù)據(jù)線接口區(qū) 連接線和/或數(shù)據(jù)線跨接線的圖案，形成第四導(dǎo)電圖案具體為形成柵掃描線接口區(qū)連接線 的圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括在形成漏電極和/或間隔設(shè)置的數(shù)據(jù)線的作為第二導(dǎo)電圖案的同時(shí)，還形成數(shù)據(jù)線接 口區(qū)；在采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述第二絕緣層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝時(shí)，還在所述第二 絕緣層中形成全過孔的圖案，所述數(shù)據(jù)線接口區(qū)對(duì)應(yīng)所述全過孔的位置；在形成上述圖案的襯底基板上形成第三導(dǎo)電圖案和第四導(dǎo)電圖案的同時(shí)，還形成數(shù)據(jù) 線接口區(qū)連接線的圖案，所述數(shù)據(jù)線接口區(qū)連接線通過所述全過孔形成在所述數(shù)據(jù)線接口 區(qū)的表面上。
6.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成多個(gè)像素單元，其特征在于 所述襯底基板上至少形成有第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案上覆蓋有第一絕緣層；所述第一絕緣層上至少形成有第二導(dǎo)電圖案，且所述第二導(dǎo)電圖案上覆蓋有第二絕緣層；所述第二絕緣層上至少形成有第三導(dǎo)電圖案和第四導(dǎo)電圖案； 所述第二絕緣層中至少形成有半搭接過孔，所述第一絕緣層和第二絕緣層中至少形成 有全搭接過孔，所述第二導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)部分所述半搭接過孔的位置，所述第一導(dǎo)電圖案對(duì) 應(yīng)全部所述全搭接過孔的位置，所述第三導(dǎo)電圖案通過所述半搭接過孔形成在所述第二導(dǎo) 電圖案和第一絕緣層的表面上，所述第四導(dǎo)電圖案通過所述全搭接過孔形成在所述第一導(dǎo) 電圖案的表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于所述第一導(dǎo)電圖案為柵掃描線接口區(qū)，所述第四導(dǎo)電圖案為柵掃描線接口區(qū)連接線。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于所述第二導(dǎo)電圖案為漏電極，所述第三導(dǎo)電圖案為像素電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于所述第二導(dǎo)電圖案為數(shù)據(jù)線接口區(qū)，所述第三導(dǎo)電圖案為數(shù)據(jù)線接口區(qū)連接線。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于所述第二導(dǎo)電圖案為間隔設(shè)置的數(shù)據(jù)線，所述第三導(dǎo)電圖案為數(shù)據(jù)線跨接線。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于所述第一絕緣層上還形成有數(shù)據(jù)線接口區(qū)，所述第二絕緣層中還形成有全過孔，所述 第二絕緣層上還形成有數(shù)據(jù)線接口區(qū)連接線，所述數(shù)據(jù)線接口區(qū)連接線通過所述全過孔形 成在所述數(shù)據(jù)線接口區(qū)的表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于所述第一絕緣層上還形成有間隔設(shè)置的數(shù)據(jù)線，所述第二絕緣層中還形成有全過孔， 所述第二絕緣層上還形成有數(shù)據(jù)線跨接線，所述數(shù)據(jù)線跨接線通過所述全過孔形成在所述數(shù)據(jù)線的表面上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法。該方法包括在襯底基板上依次形成第一導(dǎo)電圖案、第一絕緣層、第二導(dǎo)電圖案和第二絕緣層；采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)第二絕緣層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，在第二絕緣層中至少形成半搭接過孔的圖案，在第一絕緣層和第二絕緣層中至少形成全搭接過孔的圖案，第二導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)部分半搭接過孔的位置，第一導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)全部全搭接過孔的位置；形成第三導(dǎo)電圖案和第四導(dǎo)電圖案，第三導(dǎo)電圖案通過半搭接過孔形成在第二導(dǎo)電圖案和第一絕緣層的表面上，第四導(dǎo)電圖案通過全搭接過孔形成在第一導(dǎo)電圖案的表面上。本發(fā)明基于半曝光構(gòu)圖工藝使半搭接過孔和全搭接過孔在兩次刻蝕后形成，避免形成空洞。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102034749SQ20091009319
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月25日
發(fā)明者周偉峰, 明星, 郭建 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司