專利名稱：光學(xué)層疊體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及不產(chǎn)生亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)(defect)，在廣泛區(qū)域具有均勻的膜表面的 光學(xué)層疊體的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，如日本特開2005-154746號公報(bào)所記載，提出了通過將包括含有茈系色素 的溶致液晶化合物和水的水溶液(涂布液)涂布到基材上、使其干燥及取向，從而制造具備 基材和在基材上生成的包含溶致液晶化合物的偏光膜的光學(xué)層疊體的方法。這樣，與一般所通用的將聚乙烯醇用碘染色、進(jìn)行拉伸而制得的偏光膜相比，由包 含溶致液晶化合物的水溶液制得的偏光膜的膜厚可變薄，其應(yīng)用前景備受期待。專利文獻(xiàn)1 日本特開2005-154746號公報(bào)(第25頁 第28頁)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題在此，前述現(xiàn)有制造方法所使用的液晶化合物通過施加剪切應(yīng)力、摩擦處理等來 施加取向限制力，從而進(jìn)行取向。然而，前述現(xiàn)有制造方法即使可使溶致液晶化合物在偏光膜的微小區(qū)域中取向， 但也會(huì)在偏光膜的廣泛區(qū)域中產(chǎn)生亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)，由此存在無法得到溶致液晶化合物 均勻取向的偏光膜的問題。在所述情況下，期望出現(xiàn)一種具備下述偏光膜的光學(xué)層疊體的制造方法，所述偏 光膜在廣泛區(qū)域不產(chǎn)生亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)，且具有溶致液晶化合物均勻取向的膜表面。本發(fā)明人等對前述現(xiàn)有的光學(xué)層疊體的制造方法中的光學(xué)層疊體上產(chǎn)生的亮點(diǎn)、 黑點(diǎn)等的產(chǎn)生原因進(jìn)行了深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，基材上存在各種凸?fàn)钗?代表性的有異 物、防粘連用的填料等)時(shí)，在凸?fàn)钗锱c涂膜相接觸的界面上會(huì)產(chǎn)生涂膜中的溶致液晶化 合物的取向不良，進(jìn)而該取向不良會(huì)向凸?fàn)钗锏纳喜空w傳播、直至出現(xiàn)在膜表面上，由此 引起亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)的產(chǎn)生。基于此，本發(fā)明是為了解決前述現(xiàn)有的問題而進(jìn)行的，其目的在于提供一種具備 下述的偏光膜的光學(xué)層疊體的制造方法，所述偏光膜在溶致液晶化合物的涂膜的廣泛區(qū)域 不產(chǎn)生亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)，且具有溶致液晶化合物均勻取向的膜表面。用于解決問題的方案為了達(dá)成前述目的，本發(fā)明的光學(xué)層疊體的制造方法，其特征在于，所述光學(xué)層疊 體具備基材和在基材上形成的包含溶致液晶化合物的偏光膜，該制造方法包括如下工序 將包含前述溶致液晶化合物和溶劑的涂布液涂布到基材上、形成溶致液晶化合物沿一個(gè)方 向取向而成的涂膜的工序(A)；和對前述涂膜施加與溶致液晶化合物的取向方向?qū)嵸|(zhì)上平 行的磁場的工序⑶。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，理想的是，前述涂布液顯示液晶相。
在優(yōu)選的實(shí)施方式中，理想的是，在前述工序(A)中，對前述涂布液施加剪切應(yīng)力 的同時(shí)將其涂布到前述基材上。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，理想的是，前述工序(A)中的前述涂布液的涂布方向與前 述工序(B)中的磁場的施加方向?qū)嵸|(zhì)上正交。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，理想的是，在前述工序(B)中，在前述涂膜包含20重量％以 上前述溶劑的狀態(tài)下施加前述磁場。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，理想的是，在前述工序(B)中，前述磁場的強(qiáng)度為0. 5特斯 拉 12特斯拉。發(fā)明的效果將包含溶致液晶化合物和溶劑的涂布液涂布到基材上，并且使溶致液晶化合物沿 一個(gè)方向取向來形成涂膜后，施加與溶致液晶化合物的取向方向?qū)嵸|(zhì)上平行的磁場，從而 可制造出具備下述偏光膜的光學(xué)層疊體，所述偏光膜即使在基材與涂膜相接觸的界面上發(fā) 生取向不良時(shí)，也可防止該取向不良向膜的廣泛區(qū)域傳播，且具有溶致液晶化合物均勻取 向的膜表面。


圖IA是示意在利用本發(fā)明的制造方法制造的光學(xué)層疊體所含有的偏光膜中產(chǎn)生 由凸?fàn)钗飳?dǎo)致的亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)的機(jī)理的說明圖。圖IB是示意消除在偏光膜中產(chǎn)生由凸?fàn)钗飳?dǎo)致的亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)的機(jī)理的說 明圖。圖2是實(shí)施例的偏光膜的偏光顯微鏡照片。圖3是比較例1的偏光膜的偏光顯微鏡照片。圖4是比較例2的偏光膜的偏光顯微鏡照片。符號說明1 基材2溶致液晶化合物3涂布方向4偏光膜5凸?fàn)钗? 壞點(diǎn)7磁場的施加方向
具體實(shí)施例方式[本發(fā)明的概要]本發(fā)明的光學(xué)層疊體的制造方法是具備基材和在基材上形成的包含溶致液晶化 合物的偏光膜的光學(xué)層疊體的制造方法，該制造方法包括如下工序?qū)笆鋈苤乱壕?化合物和溶劑的涂布液涂布到基材上、形成溶致液晶化合物沿一個(gè)方向取向而成的涂膜的 工序㈧；和對前述涂膜施加與溶致液晶化合物的取向方向?qū)嵸|(zhì)上平行的磁場的工序(B)。根據(jù)所述光學(xué)層疊體的制造方法，可制造具備下述偏光膜的光學(xué)層疊體，所述偏光膜即使由存在于基材上的以異物、防粘連用的填料等為代表的凸?fàn)钗飳?dǎo)致的、在涂膜與 凸?fàn)钗锵嘟佑|的界面上產(chǎn)生溶致液晶化合物的取向不良時(shí)，也可防止該取向不良向凸?fàn)钗?的上部整體傳播，且具有溶致液晶化合物均勻取向的膜表面。在此，對于由凸?fàn)钗飳?dǎo)致產(chǎn)生亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)的機(jī)理、以及消除在利用本發(fā)明的 制造方法制造的光學(xué)層疊體所含有的偏光膜中產(chǎn)生的由凸?fàn)钗飳?dǎo)致的亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)的 機(jī)理，參照圖IA及圖IB進(jìn)行說明。圖IA是示意在利用本發(fā)明的制造方法制造的光學(xué)層疊體所含有的偏光膜中由凸 狀物導(dǎo)致產(chǎn)生亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)的機(jī)理的說明圖，圖IB是示意消除在偏光膜中產(chǎn)生的由凸 狀物導(dǎo)致的亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)的機(jī)理的說明圖。首先，參照圖IA對由凸?fàn)钗飳?dǎo)致產(chǎn)生亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)的機(jī)理進(jìn)行說明。在基材 1上，沿涂布方向3涂布含有溶致液晶化合物2的涂布液，由此生成偏光膜4，所述偏光膜4 由多個(gè)溶致液晶化合物2相締合、以超分子的形態(tài)沿與涂布方向3正交的方向取向而得到 的多個(gè)液晶層的涂膜構(gòu)成。這時(shí)，若在基材1上存在以異物、防粘連用的填料等為代表的凸?fàn)钗?，則在基材1 上形成的液晶層中、在與凸?fàn)钗?相對應(yīng)的部分會(huì)產(chǎn)生溶致液晶化合物2的取向不良。進(jìn) 而，由凸?fàn)钗?引起的取向不良會(huì)向重疊在該液晶層上的上層的液晶層中傳播。該情況下， 該取向不良會(huì)依次向更上層的液晶層中傳播。結(jié)果，存在于基材1上的與凸?fàn)钗?相對應(yīng) 的部分的偏光膜4中會(huì)形成亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)6。接著，參照圖1B，對消除在偏光膜中產(chǎn)生的由凸?fàn)钗飳?dǎo)致的亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)的機(jī) 理進(jìn)行說明。與前述情況相同，在基材1上沿涂布方向3涂布含有溶致液晶化合物2的涂 布液，由此生成偏光膜4，所述偏光膜4由多個(gè)溶致液晶化合物2相締合、以超分子的形態(tài)沿 與涂布方向3正交的方向取向而得到的多個(gè)液晶層的涂膜構(gòu)成。這時(shí)，若在基材1上存在以異物、防粘連用的填料等為代表的凸?fàn)钗?，則有可能 在基材1上形成的液晶層中、在與凸?fàn)钗?對應(yīng)的部分產(chǎn)生溶致液晶化合物2的取向不良。 然而，在前述涂膜中含有溶劑來確保溶致液晶化合物2的流動(dòng)性的狀態(tài)下，沿著與溶致液 晶化合物2的取向方向?qū)嵸|(zhì)上平行的方向7施加磁場時(shí)，前述液晶層中的溶致液晶化合物 2沿著與磁場的施加方向7平行的方向取向，進(jìn)而，在重疊在該液晶層上而成為上層的液晶 層中，溶致液晶化合物2也沿著與磁場的施加方向7平行的方向取向。該情況下，在更上層 的液晶層中，溶致液晶化合物2也依次沿著與磁場的施加方向7平行的方向取向。其結(jié)果 為，即使由于存在于基材1上的凸?fàn)钗?導(dǎo)致在涂膜與凸?fàn)钗?相接觸的界面上產(chǎn)生溶致 液晶化合物2的取向不良時(shí)，也可防止該取向不良傳播至凸?fàn)钗?的上部整體，由此可消除 由凸?fàn)钗?導(dǎo)致的亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)的產(chǎn)生。在前述光學(xué)層疊體的制造方法中，除工序(A)及工序(B)外，可以包括其他的任意 工序。例如，前述制造方法可以在形成溶致液晶化合物的涂膜后、在施加磁場之前和/或之 后，進(jìn)一步包括干燥涂膜的工序。[光學(xué)層疊體]利用本發(fā)明的制造方法制造的光學(xué)層疊體具備基材和在基材上形成的包含溶致 液晶化合物的偏光膜。在此，對于光學(xué)層疊體的厚度并沒有特別的限定，優(yōu)選為ΙΟμπι 0. Imm0
5
(a)基材對于本發(fā)明的制造方法所使用的基材并沒有特別的限定，可以是單層體、也可以 是多層體(例如，具有取向膜的樹脂薄膜)。所述基材是為了將后述的涂布液均勻涂布而使 用的，作為所述基材，例如可使用玻璃基板、石英基板、高分子薄膜、塑料基板、鋁、鐵等金屬 板、陶瓷基板、硅片等，可使用任意選擇的適當(dāng)?shù)幕?。另外，生成偏光膜時(shí)的涂布液的涂布 手段及干燥手段可采用任意的適當(dāng)?shù)氖侄?。在前述基材上，常存在自其基材表面突出地附著等的各種凸?fàn)钗?，例如，可列舉出 塵土、灰塵、金屬粉等附著異物，或基材為樹脂薄膜時(shí)所常用的防粘連用的填料等。在此，凸?fàn)钗锏某叽鐑?yōu)選為1 μ m 50 μ m，更優(yōu)選為1 μ m 30 μ m。前述基材的厚度并沒有特別的限定，優(yōu)選為5 μ m 700 μ m。此外，對于基材，透明 的物質(zhì)是優(yōu)選的，波長590nm下的透射率在90%以上的物質(zhì)是優(yōu)選的。(b)偏光膜偏光膜包含溶致液晶化合物。所述偏光膜優(yōu)選包含50重量％ 100重量％的溶 致液晶化合物。另外，偏光膜在存在于可見光區(qū)域(380nm 780nm)的波長下顯示出二色 性。偏光膜的二色性優(yōu)選為1以上。偏光膜的厚度并沒有特別的限定，優(yōu)選為0.2μπι 1. 2 μ m。[工序(A)]前述工序(A)是將包含溶致液晶化合物和溶劑的涂布液涂布到基材上、形成溶致 液晶化合物沿一個(gè)方向取向而成的涂膜的工序。(a)涂布液本發(fā)明所使用的涂布液只要包含溶致液晶化合物和溶劑則沒有特別的限定。涂布 液中可含有任意添加物。作為添加物，可列舉出表面活性劑、抗靜電劑、抗氧化劑等。相對 于100重量份溶致液晶化合物，這些添加物的含量為超過0重量份、且10重量份以下。作為涂布液，顯示液晶相的物質(zhì)是優(yōu)選的。涂布液中的溶致液晶化合物的總濃度 優(yōu)選為0. 1重量％ 10重量％。在此，在溶致液晶化合物僅為1種時(shí)，“總濃度”是指該溶致液晶化合物的濃度 ’另 外，在溶致液晶化合物使用2種以上時(shí)，“總濃度”是指各溶致液晶化合物的濃度的總和。(b)溶致液晶化合物在本發(fā)明中，溶致液晶化合物是指，在溶解到溶劑中的狀態(tài)下使溫度、溶液濃度變 化，從而引起各向同性相-液晶相的相轉(zhuǎn)變的化合物。對于液晶相并沒有特別的限定，例 如，可列舉出向列型液晶相、近晶型液晶相、膽留醇型液晶相等。這些液晶相可通過用偏光 顯微鏡觀察到的液晶相的光學(xué)圖案來識別。溶致液晶化合物優(yōu)選為在可見光區(qū)域的任一波長下顯示吸收特性的物質(zhì)。作為溶 致液晶化合物，理想的是，從偶氮系化合物、蒽醌系化合物、茈系化合物、喹酞酮系化合物、 萘醌系化合物或部花青系化合物中選擇。這樣的化合物在溶液狀態(tài)下顯示液晶性(溶致液 晶性)、并且可顯示吸收二色性，另外，在溶液狀態(tài)下會(huì)形成超分子締合體、對磁場的取向性 優(yōu)異。(b)溶劑作為溶劑，只要為可溶解溶致液晶化合物則沒有特別的限定。具體來說，作為溶
6劑，理想的是親水性溶劑。作為親水性溶劑，例如可列舉出水、醇類、溶纖劑類等。(c)涂布手段作為在前述基材上涂布涂布液的涂布手段，并沒有特別的限定，可采用使用任意 涂布器的方法。在前述工序(A)中，優(yōu)選對涂布液施加剪切應(yīng)力的同時(shí)進(jìn)行涂布。通過所 述的涂布方法，可得到二色性大的偏光膜。(d)涂膜對于如前所述將涂布液涂布到基材上而形成的涂膜，其溶致液晶化合物沿一個(gè)方 向取向。作為這樣的使溶致液晶化合物取向的方法，例如，可列舉出對涂布液施加剪切應(yīng)力 的方法，將涂布液涂布到進(jìn)行了取向處理的基材上的方法等。前述涂膜的厚度優(yōu)選為0. 2 μ m 10 μ m，更優(yōu)選為0. 2 μ m 5 μ m。涂膜優(yōu)選含 有溶劑。相對于涂膜的總重量，涂膜中的溶劑含量優(yōu)選包含20重量％以上，更優(yōu)選包含20 重量％ 95重量％。在這樣的條件下時(shí)，相對于磁場的取向限制力，涂膜中的溶致液晶化 合物會(huì)顯示優(yōu)異的取向性，由此可得到二色性優(yōu)異的偏光膜。[工序(B)]前述工序(B)是對涂膜施加與溶致液晶化合物的取向方向?qū)嵸|(zhì)上平行的磁場的 工序。在此，“溶致液晶化合物的取向方向”是指，溶致液晶化合物進(jìn)行取向，結(jié)果，在偏光膜 的面內(nèi)，吸收最大的方向(所謂的吸收軸方向)。前述溶致液晶化合物具有沿著與涂布方向正交地進(jìn)行流動(dòng)取向的特性時(shí)，磁場施 加方向優(yōu)選為與前述工序(A)中的涂布液的涂布方向?qū)嵸|(zhì)上正交的方向。與此相對，溶致 液晶化合物具有沿著與涂布方向平行地進(jìn)行流動(dòng)取向的特性時(shí)，磁場施加方向優(yōu)選與工序 (A)中的涂布液的涂布方向?qū)嵸|(zhì)上平行。這樣，通過使溶致液晶化合物的取向方向與磁場施加方向一致，可加強(qiáng)相互的取 向限制力，得到亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)少、并且二色性進(jìn)一步增大的偏光膜。在此，“實(shí)質(zhì)上正交”包括在以涂布液的涂布方向作為0°時(shí)，磁場施加方向?yàn)?90° 士5°的情況；另外，“實(shí)質(zhì)上平行”包括在以涂布液的涂布方向作為0°時(shí)，磁場施加 方向?yàn)?° 士5°的情況。另外，作為磁場施加手段，并沒有特別的限定，例如，可適用具有永磁體、電磁體、 超導(dǎo)磁體、線圈等的任意的磁場產(chǎn)生手段。磁場的強(qiáng)度(磁通密度)優(yōu)選為0.5特斯拉 20特斯拉，更優(yōu)選為6特斯拉 12特斯拉。該磁場強(qiáng)度越大，可得到二色性越大的偏光膜。在此，磁場強(qiáng)度低于0.5特斯拉時(shí)，溶致液晶化合物有可能無法充分取向，另一方 面，在實(shí)用上難以得到磁通密度超過20特斯拉的磁場。磁場強(qiáng)度為前述范圍時(shí)，可得到亮 點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)少的偏光膜，同時(shí)也實(shí)用。此外，施加前述磁場時(shí)的施加溫度優(yōu)選為15°C 30°C，更優(yōu)選為20°C 25°C。[用途]如前所述制造的光學(xué)層疊體適宜用于液晶顯示裝置。作為液晶顯示裝置，可列舉 出計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、筆記本計(jì)算機(jī)、復(fù)印機(jī)等的顯示器所使用的物質(zhì)。實(shí)施例調(diào)整包含溶致液晶化合物的水溶液(Optiva Corporation制造商品名“N015”)的 水分，調(diào)制出溶致液晶化合物的濃度為7重量％的涂布液A。該涂布液A在室溫(23°C )下顯示向列型液晶相。在經(jīng)過了電暈處理(表面電荷處理)的載玻片(松浪硝子工業(yè)公司制、尺 寸50mmX 45mm、厚度0. 7mm)的表面上，將前述涂布液A沿MD (機(jī)械方向，Mechanical Direction)方向涂布，形成溶致液晶化合物沿TD (橫向方向，Transverse Direction)取向 的涂膜。接著，將該涂膜與玻璃板的層疊體放到磁場施加裝置(JASTEC公司制造產(chǎn)品名“冷 凍機(jī)傳導(dǎo)冷卻型12T Magnet")中，對涂膜(包含93重量％溶劑)施加10分鐘與溶致液晶 化合物的取向方向(TD方向)實(shí)質(zhì)上平行的12特斯拉強(qiáng)度的磁場后，自然干燥。這樣得到 的偏光膜(厚度0. 4 μ m)，如下述表1所示，沿TD方向具有吸收軸，如圖2所示，未觀察到亮 點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)。[表 1]
涂布方向磁場施力口方向吸收軸方向外觀實(shí)施例MD方向TD方向TD方向均勻(照片1)比較例1MD方向不施力口TD方向產(chǎn)生壞點(diǎn)(照片2)比較例2MD方向MD方向MD方向取向方向的缺陷 (照片3)MD方向表示機(jī)械方向(縱向)TD方向表示與表示機(jī)械方向(縱向)在面內(nèi)正交的方向[比較例1]除未施加磁場外，用與前述實(shí)施例相同的方法制得偏光膜。這樣得到的偏光膜，如 表1所示，沿TD方向具有吸收軸，如圖3中〇標(biāo)記所示，有較多亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)。[比較例2]沿與涂布方向(MD方向)平行的方向施加磁場，除此之外，用與實(shí)施例相同的方法 制得偏光膜。這樣得到的偏光膜，如表1所示，沿MD方向具有吸收軸，如圖4所示，有較多 成帶狀出現(xiàn)的取向缺陷。[評價(jià)]如實(shí)施例所示，通過對涂膜施加與溶致液晶化合物的取向方向平行的磁場，從而 使溶致液晶化合物取向，所得到的偏光膜沿TD方向具有吸收軸，未觀察到亮點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞
點(diǎn)ο另一方面，如比較例1所示，未施加磁場的偏光膜沿TD方向具有吸收軸，有較多亮 點(diǎn)、黑點(diǎn)等壞點(diǎn)。另外，如比較例2所示，通過對涂膜施加正交于溶致液晶化合物的取向方向的磁 場，從而使溶致液晶化合物取向，所得到的偏光膜沿MD方向具有吸收軸，有較多取向缺陷。 作為產(chǎn)生這樣的取向缺陷的原因，可認(rèn)為是由于比較例2中所使用的溶致液晶化合物具 有沿TD方向流動(dòng)取向的特性，但是沿MD方向施加磁場，因此相互的取向限制力被抵消。此外，在表1中，偏光膜的厚度用FE-SEM(Hitachi公司制造產(chǎn)品名“S-4800”)測 定。另外，對于取向缺陷，使用偏光顯微鏡(NIK0NC0RP0RATI0N制造產(chǎn)品名“XTP-11”)，設(shè)定為目鏡10倍、物鏡10倍來觀察使涂布膜的吸收軸與顯微鏡的起偏振器成 15度交叉的情況。圖2 圖4用上述顯微鏡所配備的照相機(jī)拍照得到。產(chǎn)業(yè)上的可利用件如上所述，本發(fā)明的光學(xué)層疊體的制造方法可制造光學(xué)層疊體，該光學(xué)層疊體具 備偏光膜，所述偏光膜即使在基材與涂膜相接觸的界面上產(chǎn)生取向不良時(shí)，也可防止該取 向不良向膜的廣泛區(qū)域傳播，且具有溶致液晶化合物均勻取向的膜表面，所述光學(xué)層疊體 例如對于提高液晶顯示裝置的顯示特性是極為有用的。
權(quán)利要求
一種光學(xué)層疊體的制造方法，其特征在于，所述光學(xué)層疊體具備基材和在基材上形成的包含溶致液晶化合物的偏光膜，該制造方法包括如下工序?qū)鋈苤乱壕Щ衔锖腿軇┑耐坎家和坎嫉交纳?、形成溶致液晶化合物沿一個(gè)方向取向而成的涂膜的工序(A)；和對所述涂膜施加與溶致液晶化合物的取向方向?qū)嵸|(zhì)上平行的磁場的工序(B)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)層疊體的制造方法，其特征在于，所述涂布液顯示液晶相。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)層疊體的制造方法，其特征在于，在所述工序(A) 中，對所述涂布液施加剪切應(yīng)力的同時(shí)將其涂布到所述基材上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3的任一項(xiàng)所述的光學(xué)層疊體的制造方法，其特征在于，所述工序 (A)中的所述涂布液的涂布方向與所述工序(B)中的磁場的施加方向?qū)嵸|(zhì)上正交。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的光學(xué)層疊體的制造方法，其特征在于，在所述工 序(B)中，在所述涂膜包含20重量％以上所述溶劑的狀態(tài)下施加所述磁場。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5的任一項(xiàng)所述的光學(xué)層疊體的制造方法，其特征在于，在所述工 序(B)中，所述磁場的強(qiáng)度為0. 5特斯拉 12特斯拉。
全文摘要
一種光學(xué)層疊體的制造方法，其特征在于，所述光學(xué)層疊體具備基材和在基材上形成的包含溶致液晶化合物的偏光膜，該制造方法包括如下工序?qū)笆鋈苤乱壕Щ衔锖腿軇┑耐坎家和坎嫉交纳?、形成溶致液晶化合物沿一個(gè)方向取向而成的涂膜的工序(A)；和對前述涂膜施加與溶致液晶化合物的取向方向?qū)嵸|(zhì)上平行的磁場的工序(B)。
文檔編號G02B5/30GK101939670SQ20088012626
公開日2011年1月5日 申請日期2008年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月13日
發(fā)明者梅本徹, 西森才將, 龜山忠幸 申請人:日東電工株式會(huì)社