專利名稱：顯示單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過密封材料將一對基板貼合制造的顯示單元，特別 是涉及通過滴下注入法制造的液晶單元。
背景技術(shù)：
通常的液晶單元具有通過框狀的密封材料將彼此大小不同的第一 基板及第二基板貼合而成的結(jié)構(gòu)。另外，在第一基板及第二基板的各 表面，彼此相對配置有用于對夾持在兩者間的液晶層施加電壓的電極。
圖8是單片電路形成于基板內(nèi)的現(xiàn)有的液晶單元150a的平面圖， 圖9是用于說明液晶單元150a的密封材料125a的結(jié)構(gòu)的平面圖。
如圖8及圖9所示，液晶單元150a通過密封材料125a貼合與上 述第一基板及第二基板對應(yīng)的TFT (thin film transistor)基板120及 CF (color filter)基板130。另外，液晶單元150a，如圖8及圖9所示， 分別規(guī)定有對顯示起作用的顯示區(qū)域D、配置在顯示區(qū)域D周圍的四 邊的邊框區(qū)域、及配置在下邊的邊框區(qū)域下側(cè)的端子區(qū)域T。 TFT基 板120，如圖8所示，在配置于顯示區(qū)域D的周圍的下邊及右邊的各 邊框區(qū)域具備柵極驅(qū)動器電路114、源極驅(qū)動器電路115、周邊電路116、 及分別與端子區(qū)域T的多個連接端子113連接的多個連接配線112。在 此，周邊電路116，例如是為了提高集成度而配設(shè)的電源電路、用于變 換電壓電平的電平移位器、及光傳感器電路等。因此，液晶單元150a 中，由于配置在顯示區(qū)域D周圍的四邊的邊框區(qū)域的寬度依賴于配設(shè)
在該區(qū)域的電路及配線的結(jié)構(gòu)，所以并不僅限于相同的邊框區(qū)域?qū)挾取?另外，柵極驅(qū)動器電路114、源極驅(qū)動器電路115、周邊電路116、各 連接端子113及各連接配線112與形成于TFT基板120的顯示區(qū)域D 的TFT、像素電極(未圖示)等同時形成。
另外，便攜式電話用途的液晶單元中，可以減少電路部件的數(shù)量， 在連接的可靠性及成本方面有利，因此優(yōu)選應(yīng)用圖8所示的端子只設(shè)
4于一邊的、所謂的"三邊自由結(jié)構(gòu)"。
在此，圖8及圖9所示的密封材料125a形成為，其中心位于沿液晶單元150a的四邊(Ea、 Eb、 Ec及Ed)，距液晶單元150a的端部相同的距離。具體地說，圖9所示的液晶單元150a中，Lax:Lbx《cx二Ldx，密封材料125a的形成線寬l.Omm時，例如Lax=Lbx=Lcx=Ldx=0.9mm。另外，密封材料125a構(gòu)成為，由于通過形成于邊框區(qū)域的黑矩陣遮蓋，所以從外側(cè)看不見。
但是，有關(guān)液晶單元的制造，同時進(jìn)行液晶材料的充填及封入的所謂的"滴下注入法"有效用于降低制造成本。該滴下注入法首先被引入PC的監(jiān)視器或TV用途等大型且邊框區(qū)域比較大的液晶單元，近年來，便攜式電話用途等小型的液晶單元中也已引入，成為今后的主流，因此需要積累其設(shè)計及制造上的技巧。
在通常的滴下注入法中，密封材料以封閉圖案形成(描畫)，該封閉圖案通過分配器沿上述第一基板及第二基板的重疊區(qū)域的周圍具有規(guī)定的線寬。在此，分配器的結(jié)構(gòu)為，從具有規(guī)定的口徑的吐出頭相對基板吐出密封材料，由此將密封材料描畫在基板上。另外，分配器在吐出頭的附近具有傳感器，對基板上描畫的預(yù)定線上的附近進(jìn)行感應(yīng)，吐出頭距基板的高度被保持為一定。
另外，密封材料125a (參照圖8及圖9)，如上所述，由于通過封閉圖案描畫，所以描畫時的起點和終點彼此接合的接合部分不可避免地形成密封接合部，該密封接合部S比描畫成直線狀的線寬更寬幅。
如圖8及圖9所示，該密封接合部S能夠形成于液晶單元150a的四邊的任一邊的任意的位置，但大多形成于經(jīng)由顯示區(qū)域D與配置有連接端子113的邊Ec相對的邊Ea。其理由雖然不明確，但考慮是沿襲了通過如圖10所示的所謂的"真空注入法"制造的液晶單元150b的密封設(shè)計的緣故。
在此，如圖10所示，在遠(yuǎn)離端子區(qū)域T的邊Ea形成有密封材料125b的開口部H，使得以真空注入法制造的液晶單元150b，適于進(jìn)行使空的液晶單元的端部浸漬在積留于液晶器具的液晶材料中的制造工序。另外，密封材料125b與利用滴下注入法制造的液晶單元150a相同，形成為其中心位于沿液晶單元150b的四邊(Ea、 Eb、 Ec及Ed)，
5距液晶單元150b的端部相同的距離。具體地說，圖IO所示的液晶單 元150b中，Lay= Lby= Lcy-Ldy。另外，圖8所示的滴下注入法的密 封設(shè)計沿襲圖IO所示的真空注入法的密封設(shè)計，將開口部H置換成了 密封接合部S。
例如，專利文獻(xiàn)1公開有一種結(jié)構(gòu)，在利用滴下注入法制造的液 晶單元中，上述密封接合部設(shè)于端子的某邊、或與該邊相對的邊。
另外，專利文獻(xiàn)2公開有以下結(jié)構(gòu)，在通過真空注入法制造的液 晶單元中，四邊的密封材料中三邊的密封材料與剩下的一邊的密封材 料相比較，遠(yuǎn)離分割位置；在通過滴下注入法制造的液晶單元中，四 邊的密封材料中兩邊的密封材料與剩下的兩邊的密封材料相比較，遠(yuǎn) 離分割位置。
但是，例如具有寬度5mm大小的邊框區(qū)域的大型的液晶單元，在 具有l(wèi)mm左右的形成線寬的密封材料設(shè)計上存在充分的余量，因此不 用擔(dān)心上述密封接合部在制造上的問題。因此，在大型的液晶單元中， 引入滴下注入法是自然而然的事。即，滴下注入法能夠沿襲真空注入 法的密封設(shè)計。
近年來，在便攜式電話用途的液晶單元中，邊框區(qū)域要求的寬度 甚至不足2mm。因此，需要在液晶單元的盡可能靠外側(cè)以細(xì)的線寬描 畫密封材料。但是，密封材料在將基板貼合時沿寬度方向擴(kuò)展，因此 難以最終形成細(xì)的線寬。
另外，邊框區(qū)域的寬度窄時，即使將上述密封接合部形成在液晶 單元的四邊中的任一邊，該密封接合部也形成在液晶單元的分割端面 的附近。尤其是在跨液晶單元的分割線形成上述密封接合部的情況下， 在將液晶單元從母玻璃分割切出的分割工序中，發(fā)生操作上的問題。
具體地說，在構(gòu)成液晶單元的第一基板及第二基板例如為0.5mm 左右厚度的情況下，根據(jù)將分割位置的密封材料與玻璃基板一起各半 強行扯斷的要領(lǐng)，也許能夠?qū)⒁壕卧獜哪覆ＡХ指睿谏鲜龅谝?基板及第二基板例如薄至0.2mm程度時，在扯斷密封材料時有可能不 能在規(guī)定的位置分割，或錯誤地使第一基板及第二基板的基板主體破 碎。在此，圖11是分割不良的液晶單元的截面圖。如圖11所示，在 該液晶單元中，端子區(qū)域T側(cè)的密封材料125擴(kuò)展到分割預(yù)定線P形成，其結(jié)果是，難以正常分離與端子區(qū)域T相對配置的CF基板130 側(cè)的無用基板W。這樣，在CF基板130薄的情況下，由于基板自身 的強度弱，所以即使想要強行扯斷CF基板130，不僅在正常位置(分 割預(yù)定線P)分離不了無用基板W，而且大多導(dǎo)致CF基板130與無用 基板W—起破碎。
專利文獻(xiàn)l:(日本)特開2007 — 65037號公報
專利文獻(xiàn)2 (日本)特開2001—281674號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題點而開發(fā)的，其目的在于抑制因密封接合 部引起的分割不良。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明中，具有密封接合部的密封材料在四 邊的邊框區(qū)域中最寬幅的一邊的邊框區(qū)域，以比其它三邊的各邊框區(qū) 域更遠(yuǎn)離基板端部的方式配置，并且在該寬幅的一邊的邊框區(qū)域配置 有密封接合部。
具體地說，本發(fā)明的顯示單元具備第一基板；沿上述第一基板 的一邊所規(guī)定的端子區(qū)域；以上述端子區(qū)域露出的方式與上述第一基 板相對配置的第二基板；將上述第一基板和第二基板彼此粘接，并且 具有寬幅地形成的密封接合部的框狀的密封材料；在上述密封材料的 內(nèi)側(cè)所規(guī)定的顯示區(qū)域；和在上述顯示區(qū)域的周圍所規(guī)定的、用于配 置上述密封材料的四邊的邊框區(qū)域，該顯示單元的特征在于上述密 封材料在上述四邊的邊框區(qū)域中最寬幅的一邊的邊框區(qū)域，以比其它 三邊的各邊框區(qū)域更遠(yuǎn)離上述第二基板的端部的方式配置，并且配置 有上述密封接合部。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于四邊的邊框區(qū)域中最寬幅的一邊的邊框區(qū) 域的密封材料具有寬幅的密封接合部，并且比其它三邊的各邊框區(qū)域 的密封材料更遠(yuǎn)離第二基板的端部配置，所以成為密封接合部和第二 基板的端部分離的結(jié)構(gòu)。由此，密封接合部遠(yuǎn)離第二基板的端部，即 從母基板切出時的第二基板的分割預(yù)定線，因此第二基板的密封接合 部所配置的邊能夠良好地進(jìn)行分割，從而能夠抑制因密封接合部引起 的分割不良。也可以在上述顯示區(qū)域形成有用于保持上述第一基板和第二基板 的間隔的多個第一柱狀間隔物，在上述寬幅的邊框區(qū)域，用于保持上 述第一基板和第二基板的間隔的多個第二柱狀間隔物形成為，比上述 多個第一柱狀間隔物的配置密度低，或者比上述各第一柱狀間隔物小， 在上述其它三邊的各邊框區(qū)域，上述第一基板和第二基板的間隔通過 上述密封材料保持。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于在顯示區(qū)域通過第一柱狀間隔物保持第一 基板和第二基板的間隔，即單元厚度，在相對寬幅的一邊的邊框區(qū)域 通過第二柱狀間隔物保持單元厚度，在相對窄幅的三邊的邊框區(qū)域通 過密封材料保持單元厚度。在此，第二柱狀間隔物與第一柱狀間隔物 相比，配置密度低或者形成得小，因此不受第二柱狀間隔物影響而能 夠?qū)挿倪吙騾^(qū)域高精度地描畫密封材料。另外，由于在寬幅的一 邊的邊框區(qū)域形成有第二柱狀間隔物，所以能夠抑制顯示區(qū)域和寬幅 的一邊的邊框區(qū)域的邊界附近的單元厚度急劇的變化，從而保持顯示 品位。而且，在窄幅的三邊的邊框區(qū)域，由于不容易對顯示品位產(chǎn)生 影響，所以不用柱狀間隔物而只通過密封材料來保持單元厚度。因此， 對顯示單元來說，能夠保持顯示品位，并且實現(xiàn)窄邊框化。
在上述第一基板的上述寬幅的邊框區(qū)域，也可以設(shè)置有單片電路。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，例如由于驅(qū)動器電路等單片電路比較大，所以 設(shè)置有單片電路的邊框區(qū)域的一邊實際上成為寬幅。
上述密封接合部也可以與上述單片電路、或該從單片電路引出的 引出配線重合。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，即使密封接合部與單片電路、或從該單片電路 引出的引出配線重合，密封接合部也遠(yuǎn)離第二基板的端部，即從母基 板切出時的第二基板的分割預(yù)定線，因此第二基板的密封接合部所配 置的邊能夠良好地進(jìn)行分割。
上述第二基板也可以形成為比上述第一基板薄。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，即使第二基板相對薄地形成，密封接合部也遠(yuǎn) 離第二基板的端部，即從母基板切出時的第二基板的分割預(yù)定線，因 此第二基板的密封接合部所配置的邊能夠良好地進(jìn)行分割。
在上述端子區(qū)域也可以安裝有集成電路芯片。
8根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于在相對厚的第一基板的端子區(qū)域安裝有集 成電路芯片，所以能夠抑制安裝集成電路芯片時的第一基板的割裂。
在上述第一基板與第二基板之間也可以設(shè)置有封入上述密封材料 的液晶層。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于在第一基板與第二基板之間通過框狀的密 封材料封入有液晶層，所以實際上構(gòu)成通過滴下注入法制造的液晶單 元。而且，由于只四邊的邊框區(qū)域中最寬幅的一邊的邊框區(qū)域的密封 材料遠(yuǎn)離第二基板的端部配置，所以能夠抑制由第一基板、第二基板 和密封材料圍住的注入液晶材料的容量過度地小。由此，由于保持注 入液晶材料的容量，所以能夠抑制因液晶材料的滴下量的不均勻引起 的單元厚度不均的發(fā)生。
上述端子區(qū)域也可以與上述寬幅的邊框區(qū)域相鄰。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于端子區(qū)域與寬幅的邊框區(qū)域彼此相鄰，所 以從寬幅的邊框區(qū)域引向端子區(qū)域的配線的布置的自由度提高。
也可以上述密封材料通過描畫而形成，上述密封接合部為上述描 畫的起點和終點相互接合的部分。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由描畫密封材料時的起點和終點接合的部分實 際上構(gòu)成寬幅的密封接合部。
根據(jù)本發(fā)明，具有密封接合部的密封材料在四邊的邊框區(qū)域中最 寬幅的一邊的邊框區(qū)域，以比其它三邊的各邊框區(qū)域更遠(yuǎn)離基板端部 的方式配置，并且在該寬幅的一邊的邊框區(qū)域配置有密封接合部，因 此能夠抑制因密封接合部引起的分割不良。


圖1是實施方式1的液晶單元50a的平面圖2是用于說明液晶單元50a的密封材料25a的結(jié)構(gòu)的平面圖3是沿圖1的in—III線的液晶單元50a的截面圖4是實施方式2的液晶單元50b的平面圖5是用于說明液晶單元50b的密封材料25a的結(jié)構(gòu)的平面圖6是沿圖4的VI — VI線的液晶單元50b的截面圖7是實施方式3的液晶單元50c的平面圖；圖8是現(xiàn)有的液晶單元150a的平面圖9是用于說明液晶單元150a的密封材料125a的結(jié)構(gòu)的平面圖;
圖10是現(xiàn)有的液晶單元150b的平面圖11是現(xiàn)有的分割不良的液晶單元的截面圖。
符號說明
D顯示區(qū)域
F邊框區(qū)域
S密封接合部
12、 19 引出配線
14柵極驅(qū)動器電路(單片電路)
15源極驅(qū)動器電路(單片電路)
16周邊電路(單片電路)
20a、 20b TFT基板(第一基板)
21a、 21b第一柱狀間隔物
22a、 22b第二柱狀間隔物
25a、 25b密封材料
30a、 30b CF基板(第二基板)
41集成電路芯片
50a、 50b、 50c 液晶單元(顯示單元)
具體實施例方式
以下，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，本 發(fā)明并不僅限于以下的各實施方式。 《發(fā)明的實施方式l》
圖1 圖3表示本發(fā)明的顯示單元(液晶單元)的實施方式l。 具體地說，圖1是本實施方式的液晶單元50a的平面圖，圖2是
用于說明液晶單元50a的密封材料25a的結(jié)構(gòu)的平面圖，另外，圖3
是沿圖1的m—III線的液晶單元50a的截面圖。
如圖1 圖3所示，液晶單元50a具備第一基板即TFT基板20a、
與TFT基板20a相對配置的第二基板即CF基板30a、設(shè)于TFT基板
20a及CF基板30a之間的液晶層40、用于將TFT基板20a及CF基板30a彼此粘接且在TFT基板20a及CF基板30a之間封入液晶層40的 框狀的密封材料25a。
另外，如圖1 圖3所示，液晶單元50a中規(guī)定有在密封材料25a 的內(nèi)側(cè)對顯示起作用的顯示區(qū)域D、在顯示區(qū)域D的周圍配置密封材 料25a的四邊的邊框區(qū)域F、 TFT基板20a的從CF基板30a露出的部 分即端子區(qū)域T。另外，液晶單元50a為端子區(qū)域T只在一邊配置的 所謂的"三邊自由結(jié)構(gòu)"。
如圖3所示，TFT基板20a在顯示區(qū)域D具備在玻璃基板10a上 設(shè)置成矩陣狀的多個像素電極11。在此，TFT基板20a在玻璃基板10a 和多個像素電極11之間具備以彼此平行延伸的方式設(shè)置的多個柵極 線(未圖示)、及以在與各柵極線正交的方向上彼此平行延伸的方式設(shè) 置的多個源極線(未圖示)、以及分別設(shè)于各柵極線和各源極線的交叉 部分的多個TFT (未圖示)等。另外，各像素電極ll構(gòu)成圖像的最小 單位即像素。
另外，如圖1所示，TFT基板20a在右邊的邊框區(qū)域F設(shè)置有作 為單片電路的柵極驅(qū)動器電路14及周邊電路16，在下邊的邊框區(qū)域F 設(shè)置有作為單片電路的源極驅(qū)動器電路15、及多個引出配線12。另外， 周邊電路16，例如為電源電路、用于變換電壓電平的電平移位器、及 光傳感器電路等，為提高集成度而配設(shè)在邊框區(qū)域F空出的空間。
另外，TFT基板20a，如圖1所示，多個連接端子13設(shè)于端子區(qū) 域T，該多個連接端子13用于分別與配設(shè)在下邊的邊框區(qū)域F的多個 引出配線12連接。
而且，配置于邊框區(qū)域F及端子區(qū)域T的柵極驅(qū)動器電路14、源 極驅(qū)動器電路15、周邊電路16、各引出配線12及各連接端子13與顯 示區(qū)域D的各TFT及像素電極11 一起通過公知的方法形成為單片。
在此，上述結(jié)構(gòu)的TFT基板20a中，當(dāng)比較配置在顯示區(qū)域D周 圍的四邊的各邊框區(qū)域F的寬度時，配置了源極驅(qū)動器電路15及引出 配線12的邊Ec的邊框區(qū)域F的寬度最大。另外，未配置驅(qū)動器電路 的邊Ea的邊框區(qū)域F最小。即，成為(邊Ec的邊框區(qū)域F的寬度) 〉(邊Ea的邊框區(qū)域F的寬度)。另外，便攜式電話用途的液晶單元 優(yōu)選左右的邊框區(qū)域F的寬度為相同尺寸，因此，絕大多數(shù)為(邊Eb的邊框區(qū)域F的寬度)=(邊Ed的邊框區(qū)域F的寬度)。另外，柵極驅(qū) 動器電路14為比較簡單的電路，柵極線的間隔大于源極線的間隔，因 此柵極驅(qū)動器電路14大多能夠布置在比源極驅(qū)動器電路15更窄寬度 的區(qū)域。如果這樣的話，則變?yōu)槿缦玛P(guān)系(邊Ec的邊框區(qū)域F的寬 度) > (邊Eb的邊框區(qū)域F的寬度)=(邊Ed的邊框區(qū)域F的寬度) 〉(邊Ea的邊框區(qū)域F的寬度)，或者，(邊Ec的邊框區(qū)域F的寬度) > (邊Eb的邊框區(qū)域F的寬度)=(邊Ed的邊框區(qū)域F的寬度)=(邊 Ea的邊框區(qū)域F的寬度)。
艮口，可以說只要是具有單片電路的邊和不具有單片電路的邊共存 且三邊自由結(jié)構(gòu)的液晶單元，則至少一邊的邊框區(qū)域F與其它邊的邊 框區(qū)域F比較，寬度大，作為典型例子，規(guī)定了端子區(qū)域T的一邊的 邊框區(qū)域F最大。另外，本發(fā)明如后所述，著眼于此。
如圖2及圖3所示，CF基板30a在顯示區(qū)域D、及沿邊Ec的邊 框區(qū)域F具備分別形成于玻璃基板10b的多個第一柱狀間隔物21a及 第二柱狀間隔物22a。另外，CF基板30a在玻璃基板10b與第一柱狀 間隔物21a及第二柱狀間隔物22a之間具備以與設(shè)置成格子狀的黑 矩陣(未圖示)、TFT基板20a的各像素電極11對應(yīng)的方式作為著色 層設(shè)于黑矩陣的格子間的包括紅色層、綠色層及藍(lán)色層的彩色濾光片 層(未圖示)，以及以覆蓋彩色濾光片層的方式設(shè)置的共用電極(未圖 示)等。
第一柱狀間隔物21a是為了在顯示區(qū)域D保持TFT基板20a及CF 基板30a的間隔，即單元厚度，例如形成為高度數(shù)um的大致圓柱狀 的定點配置型的間隔物。另外，第一柱狀間隔物21a在顯示區(qū)域D， 對全部每個像素、每個特定色的著色層，或任意配置。另外，通常在 成為液晶單元的顯示面的CF基板薄的情況下，通過手指等對顯示面施 加外力時，容易產(chǎn)生暫時的顯示紊亂，但是通過如第一柱狀間隔物21a 那樣在顯示區(qū)域D以規(guī)定的密度以上設(shè)置定點配置型的間隔物，能夠
在短時間內(nèi)恢復(fù)該顯示紊亂。
第二柱狀間隔物22a是為了在沿邊Ec的寬幅的邊框區(qū)域F保持 TFT基板20a及CF基板30a的間隔，即單元厚度，例如形成為高度數(shù) um的大致圓柱狀的定點配置型的模擬間隔物。另外，第二柱狀間隔
12物22a的直徑，例如為9Pm，比第一柱狀間隔物21a的直徑(例如， 12um)小，因此在后述的密封描畫工序中，第二柱狀間隔物22a難以 干涉描畫密封材料25a的分配器的感應(yīng)。而且，通過第二柱狀間隔物 22a，單元厚度不會在顯示區(qū)域D和最寬幅的邊框區(qū)域F的邊界附近發(fā) 生急劇變化，因此能夠保持顯示品位。
另外，由于沿Ea、邊Eb及邊Ed的窄幅的邊框區(qū)域F距離顯示區(qū) 域D近，所以通過密封材料25a (在密封材料25 a中含有的粒狀或纖 維狀的間隔物)保持單元厚度。
另外，在多個液晶單元以在母基板上彼此相鄰的方式排列有多個 時，或者在進(jìn)行在液晶單元的周圍配置模擬間隔物并貼合的工序時， 如上所述，即使密封材料25a中不含間隔物，也存在能夠通過配置在 顯示區(qū)域D內(nèi)的第一柱狀間隔物21a (及配置在液晶單元周圍的模擬 間隔物)，保持TFT側(cè)基板和CF側(cè)基板的間隔的情況。這樣，只要能 夠通過以充分的數(shù)量配置在母基板上的第一柱狀間隔物21a(及配置在 液晶單元周圍的模擬間隔物)支撐TFT側(cè)基板和CF側(cè)基板貼合時的 負(fù)荷，就能夠在該狀態(tài)下使密封材料固化，并使之保持TFT側(cè)基板和 CF側(cè)基板的間隔，因此密封材料25a中不一定需要含有間隔物。
如圖1及圖2所示，密封材料25a形成為框狀，在沿邊Ec的邊框 區(qū)域F具有寬幅的密封接合部S。在此，密封接合部S為在后述的密 封描畫工序中描畫密封材料25a時的始點Ps及終點Pe彼此接合的部 分。在此，例如，密封材料25a的直線部的寬度為0.8mm，密封接合 部S的寬度為1.4mm 1.6mm。另夕卜，密封材料25a的結(jié)構(gòu)為，通過形 成于邊框區(qū)域F的黑矩陣遮蔽，因此從顯示面(CF基板30a)側(cè)不能 看見。
液晶層40含有具有電光學(xué)特性的向列型液晶的液晶分子40a。 上述結(jié)構(gòu)的液晶單元50a的結(jié)構(gòu)為，在圖像的最小單位即各像素 中，在來自柵極驅(qū)動器電路14的柵極信號被輸送到TFT而TFT成為 導(dǎo)通的狀態(tài)時，源極信號從源極驅(qū)動器電路15輸送到TFT，對像素電 極11寫入規(guī)定的電荷，由此在TFT基板20a的各像素電極11和CF 基板30a的共用電極之間產(chǎn)生電位差，對液晶層40施加規(guī)定的電壓。 而且，液晶單元50a中，利用液晶分子40a的取向狀態(tài)根據(jù)液晶層40
13的施加電壓的大小而改變，調(diào)節(jié)從背光源入射的光的透過率，由此顯示圖像。
接著，對液晶單元50a的制造方法進(jìn)行說明。另外，本實施方式的制造方法具備TFT基板制作工序、CF基板制作工序、密封描畫工序、液晶滴下工序、貼合工序及分割工序?！碩FT基板制作工序〉
例如，在厚度0.5mm的玻璃基板10a上，通過公知的方法形成柵極線、源極線、TFT、像素電極ll等，制作TFT基板20a。此時，如上所述，將柵極驅(qū)動器電路14、源極驅(qū)動器電路15、周邊電路16、各引出配線12及各連接端子13形成為單片。另外，在TFT基板20a上以覆蓋各像素電極ll的方式成膜聚酰亞胺樹脂后，進(jìn)行研磨處理，由此形成取向膜。
〈CF基板制作工序〉
例如，在厚度0.5mm的玻璃基板10b上，通過公知的方法形成黑矩陣、彩色濾光片層、共用電極、第一柱狀間隔物21a及第二柱狀間隔物22a等，制作CF基板(30a)。此時，在CF基板(30a)上殘留與TFT基板20a的端子區(qū)域T相對的無用基板的部分。另外，在CF基板(30a)上，在以覆蓋共用電極、第一柱狀間隔物21a及第二柱狀間隔物22a的方式成膜聚酰亞胺樹脂后，進(jìn)行摩擦處理，由此形成取向膜。
在此，第一柱狀間隔物21a及第二柱狀間隔物22a通過將感光性樹脂圖案形成為規(guī)定形狀而形成。另外，也可以不將第二柱狀間隔物22a的直徑形成為比第一柱狀間隔物21a的直徑小，而將第二柱狀間隔物(22a)的高度形成為比第一柱狀間隔物(21a)的高度低，或者將第二柱狀間隔物(22a)的配置密度形成為比第一柱狀間隔物(21a)的配置密度低。另外，為了將第二柱狀間隔物(22a)的高度形成為比第一柱狀間隔物(21a)的高度低，第一柱狀間隔物21a的基底膜例如如果是黑矩陣及著色層的層疊膜，則只要使第二柱狀間隔物的基底膜為黑矩陣即可。
〈密封描畫工序〉
例如，利用分配器，在通過上述CF基板制作工序制成的CF基板(30a)的四邊的邊框區(qū)域F將密封材料25a描畫成框狀。在此，密封材料25a為紫外線固化型樹脂、或紫外線固化及熱固化并用型樹脂等。另外，密封材料25a相對于基板的端部，相對于顯示區(qū)域D均離開數(shù)100ym程度。即，密封材料25a既不與基板的端部相接，也不與顯示區(qū)域D相接。另外，作為密封材料25a的其它的形成方法，可以舉出絲網(wǎng)印刷，但由于存在絲網(wǎng)版的變形及破損、或者與基板接觸而對基板污染等問題，因此對邊框區(qū)域F幅窄且要求液晶材料的雜質(zhì)管理的有源矩陣型的液晶單元來說，適用使用與基板不接觸且描畫位置精度高的分配器的描畫方法。
另外，如圖2所示，本發(fā)明的特征為，在密封材料25a的描畫時，將CF基板30a的端部與密封材料25a的描畫中心的長度分別與邊Ea、邊Eb、邊Ec及邊EdX才應(yīng)，設(shè)為Laa、 Lba、 Lca及Lda時，成為Lca〉Laa= Lba=Lda。另外，密封接合部S成為描畫于邊Ec的密封材料25a上的任意的位置。換言之，密封接合部S形成在沿端子區(qū)域T側(cè)的邊Ec的邊框區(qū)域F，并且只具有密封接合部S的密封材料25a的邊與其它三邊的密封材料25a相比較，偏離顯示區(qū)域D側(cè)，以遠(yuǎn)離分割預(yù)定線的方式形成。另外，在將TFT基板20a和CF基板30a貼合時，密封材料25a相對于描畫中心，大致對稱地擴(kuò)展，因此可認(rèn)為描畫中心為密封材料25a的形成中心。
另外，由于上述的原因，端子區(qū)域T側(cè)的邊Ec的邊框區(qū)域F寬度最大。因此，將邊Ec的密封材料25a的描畫中心與其它邊Ea、 Eb及Ed的密封材料25a相比較，能夠偏離顯示區(qū)域D方向。在此，邊Ec的密封材料25a的描畫位置的偏離量只要考慮密封接合部S的擴(kuò)幅進(jìn)行設(shè)定即可，另一方面，也必須考慮避免由于邊Ec的密封材料25a過于接近顯示區(qū)域D而導(dǎo)致的問題。因此，優(yōu)選至少在比邊Ec的邊框區(qū)域F的寬度方向的中心的更靠外側(cè)，設(shè)定密封材料25a的描畫中心。即，相對于邊Ec的邊框區(qū)域F的寬度Lea，使Lca<Lea/2即可。
具體地說，例如，通過利用密封材料25a的最終線寬^.8mm、Lca=0.9mm、 Laa=Lba= Lda=0.73mm這樣的密封設(shè)定，能夠設(shè)除邊Ec的三邊Ea、 Eb及邊Ed的邊框區(qū)域F的至少一邊的邊框區(qū)域F的寬度為1.8mm，雖然受單片電路的結(jié)構(gòu)及大小左右，但可以設(shè)邊Ec的邊框區(qū)域F寬度為2mm 5mm大小。另外，偏離設(shè)置的密封材料25a的邊優(yōu)選僅為最寬幅的邊框的一邊。在此，在滴下注入法中，通過(液晶材料的一次滴下量)X (滴下次數(shù))調(diào)整液晶材料的全部的滴下量。另外，由于便攜式電話用途的液晶單元，其畫面的對角尺寸小，單元的容量小，所以液晶材料的滴下量的不均勻，即液晶材料的過與不足引起的單元的厚度不均很容易發(fā)生。而且，即使為畫面比較大的液晶單元，在單元厚度窄的情況下，單元的容量也變小。例如，將反射層內(nèi)置于單元內(nèi)的一片偏光板型的反射型的液晶單元、利用兩片偏光板且在單元內(nèi)具有多間隙層的半透過型的液晶單元、利用兩片偏光板且使用了垂直取向型液晶的透過型或(帶多間隙層的)半透過型的液晶單元的情況，單元厚度變窄。另外，在現(xiàn)有的使用了兩片偏光板和TN液晶的透過型液晶單元中，其單元厚度比較大，因此滴下量的控制沒那么困難。而且，便攜式電話用途的液晶單元必須不受周圍環(huán)境的左右而能夠確?？梢曅?。因此，便攜式電話用途的液晶單元優(yōu)選能夠利用周圍光的半透過型的液晶單元、和以能夠得到非常高的對比度的垂直取向型液晶而為常黑的液晶單元，因此，適于便攜式電話用途的液晶單元的容量有變小的傾向。另外，作為以提高液晶層的響應(yīng)速度為目的，有時也將單元厚度變窄。因此，便攜式電話用途的液晶單元中，優(yōu)選將其余的三邊Ea、 Eb及Ed的密封材料25a配置在靠CF基板30a的基板端部，不會使單元的容量不必要地減小。
另外，在本實施方式中，密封材料25a與從TFT基板20a的單片電路引出的引出配線12重合，但是，例如只要利用由L/S (線與空間)=40 u m/10 U m程度的電路的開口度而充分光固化的樹脂即可?！匆壕У蜗鹿ば颉?br> 相對于通過上述密封描畫工序形成了密封材料25a的CF基板(30a)，對由密封材料25a圍住的區(qū)域滴下液晶材料。另外，假如對TFT基板20a描畫了密封材料25a后，再對該密封材料25a的內(nèi)側(cè)滴下液晶材料的話，則容易生成滴下痕跡，另外，還存在靜電引起的TFT基板20a上的電路等損壞的問題，因此如本實施方式所示，優(yōu)選在對CF基板30a描畫了密封材料25a后，滴下液晶材料。〈貼合工序〉
16首先，將由上述液晶滴下工序滴下了液晶材料的CF基板(30a)和由上述TFT基板制作工序制成的TFT基板20a，在減壓下以彼此的顯示區(qū)域D重合的方式進(jìn)行貼合后，將其貼合的貼合體向大氣壓開放，由此對貼合體的表面加壓。
然后，在對上述貼合體的邊框區(qū)域F照射UV光，使密封材料25a暫時固化后，通過加熱使密封材料25a永久固化。〈分割工序〉
在通過上述貼合工序使密封材料25a固化后的貼合體的CF基板(30a)側(cè)的表面，使分割刀的刀尖抵接，并使分割刀轉(zhuǎn)動，由此形成裂縫，同時使該形成的裂縫向基板厚度方向推進(jìn)，由此除去CF基板(30a)的無用的基板。另外，在本實施方式中，首先設(shè)TFT基板20a/CF基板30a的各厚度為0.5mm/0.5mm，邊Ec的分割良好，即使設(shè)TFT基板20a/CF基板30a的各厚度為0.4mm/0.4mm、 0.3mm/0.2mm、0.3mm/0.1mm、 0.4mm/0.3mm、及0.25mm/0.15mm時，邊Ec的分割也良好。
如上所述，能夠制造液晶單元50a。
如以上說明所示，根據(jù)本實施方式的液晶單元50a，由于四邊的邊框區(qū)域F中最寬幅的邊Ec的邊框區(qū)域F的密封材料25a具有寬幅的密封接合部S，比其它三邊Ea、 Eb及Ed的各邊框區(qū)域F的密封材料25a更遠(yuǎn)離CF基板30a的端部配置，所以成為密封接合部S與CF基板30a的端部分離的結(jié)構(gòu)。由此密封接合部S遠(yuǎn)離CF基板30a的端部，即從母基板切出時的CF基板30a的分割預(yù)定線，因此CF基板30a的密封接合部S配置的邊Ec能夠良好地進(jìn)行分割，能夠抑制因密封接合部S引起的分割不良。
另外，根據(jù)本實施方式的液晶單元50a，在顯示區(qū)域D通過第一柱狀間隔物21a保持TFT基板20a及CF基板30a的間隔，即單元厚度，在沿邊Ec的相對寬幅的邊框區(qū)域F通過第二柱狀間隔物22a保持單元厚度，在沿邊Ea、 Eb及Ed的相對窄幅的邊框區(qū)域F通過密封材料25a保持單元厚度。在此，第二柱狀間隔物22a形成為與第一柱狀間隔物21a相比，配置密度低或小，因此能夠不受第二柱狀間隔物22a影響而對寬幅的邊框區(qū)域F高精度地描畫密封材料25a。另外，由于在沿邊Ec的寬幅的邊框區(qū)域F形成有第二柱狀間隔物22a，所以能夠抑制顯 示區(qū)域D和沿邊Ec的寬幅的邊框區(qū)域F的邊界附近的單元厚度的急劇 變化，能夠保持顯示品位。而且，在窄幅的邊Ea、 Eb及Ed的邊框區(qū) 域F，難以對顯示品位產(chǎn)生影響，因此不是柱狀間隔物而是僅通過密封 材料保持單元厚度。因此，對液晶單元50a來說，能夠保持品位，且 實現(xiàn)窄框架化。
另外，根據(jù)本實施方式的液晶單元50a，即使密封接合部S與單片 電路、或從單片電路引出的引出配線12重合，或者CF基板30a相對 薄地形成，密封接合部S也遠(yuǎn)離CF基板30a的端部，即從母基板切出 時的CF基板30a的分割預(yù)定線，因此CF基板30a的密封接合部S配 置的邊Ec能夠良好地切斷。而且，不僅邊框區(qū)域F變窄，而且也能夠 使基板變薄，因此能夠得到薄且輕量的液晶單元。
另外，根據(jù)本實施方式的液晶單元50a，由于端子區(qū)域T及寬幅的 邊框區(qū)域F彼此相鄰，所以能夠提高從寬幅的邊框區(qū)域F引向端子區(qū) 域T的引出配線12的布置的自由度。
另外，根據(jù)本實施方式的液晶單元50a，由于可以不用考慮密封接 合部S的位置，而設(shè)定配線位置，所以能夠設(shè)計配線的圍繞及端子位 置的自由度大的液晶單元。其結(jié)果是，能夠得到多樣的安裝方式，因 此能夠提高具備液晶單元的電子設(shè)備的設(shè)計性。尤其是，三邊自由結(jié) 構(gòu)的液晶單元時，端子區(qū)域T側(cè)的布置左右安裝的自由度。因此，不 影響設(shè)置了密封接合部S的端子區(qū)域T側(cè)的配線的自由度，這一點對
提高電子設(shè)備的設(shè)計性方面有利。另外，由于以不增加部件的數(shù)量及 成本的方式留有液晶單元的端子區(qū)域T的設(shè)計的調(diào)整余地，所以安裝
的自由度大，從成本設(shè)計的觀點來看也是優(yōu)點。 《發(fā)明的實施方式2》
圖4 圖6表示本發(fā)明的顯示單元(液晶單元)的實施方式2。另 外，在以下的各實施方式中，與圖1 圖3相同的部分，使用相同的符 號，省略其詳細(xì)說明。
在上述實施方式1中，例示了柵極驅(qū)動器電路14及源極驅(qū)動器電 路15以單片形成的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不僅限于該結(jié)構(gòu)。
具體地說，圖4是本實施方式的液晶單元50b的平面圖，圖5是用于說明液晶單元50b的密封材料25a的結(jié)構(gòu)的平面圖，另外，圖6 是沿圖4的VI — VI線的液晶單元50b的截面圖。
如圖4 圖6所示，液晶單元50b具備第一基板即TFT基板20b; 與TFT基板20b相對配置的第二基板即CF基板30b;設(shè)于TFT基板 20b及CF基板30b之間的液晶層40;將TFT基板20b及CF基板30b 彼此粘接且用于在TFT基板20b及CF基板30b之間封入液晶層40的 框狀的密封材料25a;和安裝在TFT基板20b的端子區(qū)域T的集成電 路(IC)芯片41。
對于液晶單元50b，如圖6所示，在TFT基板20b中，以與像素 電極11的一部分重合的方式形成有反射電極17，在沿邊Ec的寬幅的 邊框區(qū)域F形成有RGB開關(guān)電路18及其引出配線19，并且在CF基 板30b中以與TFT基板20b的各反射電極17對應(yīng)的方式形成有多間隙 層23。而且，液晶單元50b在形成有反射電極17及多間隙層23的單 元厚度窄的區(qū)域進(jìn)行反射顯示，并且在沒有形成反射電極17及多間隙 層23的單元厚度寬的區(qū)域進(jìn)行透過顯示，由此能夠進(jìn)行半透過型的顯
不o
具體地說，TFT基板20b，如上所述，如圖4所示，在沿邊Ec的 寬幅的邊框區(qū)域F作為單片電路具有RGB開關(guān)電路18及引出配線19， 在沿邊Eb的寬度窄的邊框區(qū)域F作為單片電路具有柵極驅(qū)動器電路 14。
RGB開關(guān)電路18為在通過一條引出配線分時共享多條(例如，R、 G、 B三條)源極線時，起到將經(jīng)由引出配線19從外部輸入的視頻信 號以規(guī)定的定時依次向共享的各源極線分配的功能。
IC芯片41在底面具有凸起(bump)電極，例如經(jīng)由各向異性導(dǎo) 電膜(ACF) 42，與形成于TFT基板20b的端子區(qū)域T的連接端子13 連接。
具體地說，CF基板30b，如上所述，如圖6所示，在顯示區(qū)域D， 在各多間隙層23上形成有第一柱狀間隔物21b，以及在沿邊Ec的邊框 區(qū)域F，在玻璃基板10b上形成有第二柱狀間隔物22b。
第一柱狀間隔物21b是為了在顯示區(qū)域D保持TFT基板20b及 CF基板30b的間隔，即單元厚度而在多間隙層23上形成為例如高度數(shù)Pm的大致圓柱狀的定點配置型的間隔物。另外，第一柱狀間隔物 21b在顯示區(qū)域D，對全部每個像素、特定色的每個著色層配置，或者 任意配置。
第二柱狀間隔物22b是為了在沿Ec的寬幅的邊框區(qū)域F保持TFT 基板20b及CF基板30b的間隔，即單元厚度而形成為例如高度數(shù)U m 的大致圓柱狀的定點配置型的模擬間隔物。在此，由于第一柱狀間隔 物21b形成在多間隙層23上，所以第一柱狀間隔物21b比第二柱狀間 隔物22b更突出。由此，其結(jié)果是，第二柱狀間隔物22b形成為比第 一柱狀間隔物21b低。因此，第二柱狀間隔物22b在密封描畫工序中， 難以干涉描畫密封材料25a的分配器的感應(yīng)。
液晶層40含有其介電各向異性為負(fù)(△ e <0)的液晶分子40b， 為垂直取向型。
另外，如圖4所示，在液晶單元50b中，源極驅(qū)動器電路通過安 裝于端子區(qū)域T的外置的IC芯片41、在單元內(nèi)部的TFT基板20b上 形成為單片的RGB開關(guān)電路18構(gòu)成。該結(jié)構(gòu)的情況下，可以利用由 Si晶片制造成的高性能的IC，因此能夠得到消耗電力低的液晶單元。 而且，該結(jié)構(gòu)尤其是在通過與不使用背光源而利用周圍光的反射顯示 模式組合而更進(jìn)一步降低消耗電力，因此近年來的半透過型的液晶單 元常被采用。
在此，IC芯片41及RGB開關(guān)電路18通過形成于TFT基板20b 上的扇狀的配線群(引出配線19)而彼此連接。因此，為了對扇狀的 配線群進(jìn)行圍繞，沿端子區(qū)域T側(cè)的邊Ec的邊框區(qū)域F的寬度與沿其 它的邊Ea、 Eb及Ed的各邊框區(qū)域F的寬度相比較，容易變寬。
接著，對上述結(jié)構(gòu)的液晶單元50b的制造方法進(jìn)行說明。
TFT基板20b在上述實施方式1的TFT基板制作工序中，在形成 像素電極11后，在該像素電極11上形成反射電極17，并且將RGB開 關(guān)電路18以單片形成，由此制作。
CF基板30b在上述實施方式1的CF基板制作工序中，在形成共 用電極之前，利用感光性樹脂形成多間隙層23，在形成共用電極后， 形成第一柱狀間隔物21b及第二柱狀間隔物22b，由此制作。在此，第 二柱狀間隔物22b的高度的設(shè)定，如上所述，只要設(shè)邊框區(qū)域F的第二柱狀間隔物22b的基底膜的膜數(shù)比顯示區(qū)域D的第一柱狀間隔物21b 的基底膜的膜數(shù)少即可。
另外，構(gòu)成CF基板30b的玻璃基板10c，例如厚度為0.2mm，形 成為比構(gòu)成TFT基板20b的玻璃基板10a (厚度0.5mm)薄。
描畫密封材料25a的方法與上述實施方式1的密封描畫工序?qū)嵸|(zhì) 上相同，其特征為如圖5所示，在密封材料25a的描畫時，將CF基 板30b的端部和密封材料25a的描畫中心的長度分別與邊Ea、邊Eb、 邊Ec及邊Ed對應(yīng)，設(shè)為Lab、 Lbb、 Lcb及Ldb日寸，成為Lcb〉Lab= Lbb=Ldb。另外，邊Ec的密封材料25a的描畫位置的偏離量也考慮避 免由于在密封接合部S的擴(kuò)幅、及在顯示區(qū)域D過于接近邊Ec的密封 材料25a而引起的問題，優(yōu)選在至少比邊Ec的邊框區(qū)域F的寬度方向 的中心的更靠外側(cè)設(shè)定密封材料25a的描畫中心。g卩，相對于邊Ec的 邊框區(qū)域F的寬度Leb，使Lcb<Leb/2即可。
另外，在CF基板30b上滴下液晶材料的液晶滴下工序、貼合TFT 基板20b及CF基板30b的工序、及分割貼合后的貼合體的工序與上述 實施方式l實質(zhì)上相同。
如以上說明所示，根據(jù)本實施方式的液晶單元50b，四邊的邊框區(qū) 域F中最寬幅的邊Ec的邊框區(qū)域F的密封材料25a具有寬幅的密封接 合部S，比其它的三邊Ea、 Eb及Ed的各邊框區(qū)域F的密封材料25a 更遠(yuǎn)離CF基板30b的端部而配置，因此成為密封接合部S與CF基板 30b的端部分離的結(jié)構(gòu)。由此，密封接合部S遠(yuǎn)離CF基板30b的端部， 即從母基板切出時的CF基板30b的分割預(yù)定線，因此CF基板30b的 密封接合部S配置的邊Ec能夠良好地進(jìn)行分割，從而能夠抑制因密封 接合部S引起的分割不良。
根據(jù)本實施方式的液晶單元50b，由于由多個引出配線19形成的 扇狀的配線群配置在沿邊Ec的寬幅的邊框區(qū)域F，并且密封材料25a 遠(yuǎn)離CF基板30b的分割預(yù)定線，所以即使密封材料25a擴(kuò)展，也達(dá)不 到分割預(yù)定線，從而能夠避免對分割造成障礙。在此，扇狀的配線群 最好配線電阻較低，因此優(yōu)選金屬配線。但是，密封材料25a的基底 變高的這種厚膜的配線材料可能成為擴(kuò)展密封材料25a的原因。而且， 在具備RGB開關(guān)電路18的結(jié)構(gòu)的情況下，可知能夠?qū)⑦B接RGB開關(guān)電路18及IC芯片41的配線群的條數(shù)做成比顯示區(qū)域D的源極線的條 數(shù)少，但即使這樣，如果考慮按照數(shù)100條的數(shù)量(order)將配線捆 扎成扇狀的結(jié)構(gòu)，則密封材料25a的描畫位置的基底的表面的起伏容 易平均地變高，密封材料25a的形成寬度難以穩(wěn)定。對此，根據(jù)本實 施方式的液晶單元50b，如上所述，即使密封材料25a的形成寬度不穩(wěn) 定，也能夠避免對分割造成障礙。
根據(jù)本實施方式的液晶單元50b，由于在相對厚的TFT基板20b 的端子區(qū)域T安裝有IC芯片41，所以能夠抑制安裝IC芯片41時的 TFT基板20b的割裂。在此，在將外置的IC芯片41裝載于TFT第基 板20b的端部的端子區(qū)域T時，需要擴(kuò)大端子區(qū)域的寬度，確保安裝 空間，但從防止破損、破裂的觀點來看，很難將TFT基板20b的厚度 做成很薄。因此，為了將液晶單元50b的總厚度(TFT基板20b的厚 度和CF基板30b的厚度的合計)變薄，優(yōu)選將CF基板30b變薄。而 且，在該情況下，當(dāng)密封材料25a落到分割預(yù)定線上時，由于CF基板 30b的厚度薄，所以在從母基板切出液晶單元的操作時，發(fā)生CF基板 30b破碎等問題(參照圖ll)。在此，液晶單元50b，如上所述，由于 邊Ec的密封材料25a的位置遠(yuǎn)離CF基板30b的分割預(yù)定線，所以即 使密封材料25a擴(kuò)展，也擴(kuò)展不到分割預(yù)定線。因此，即使CF基板 30b的厚度薄，也不會導(dǎo)致難以將液晶單元50b從母基板切離。
另外，由于可以不用考慮密封接合部S的位置而設(shè)定扇狀的配線 群的位置，所以能夠設(shè)計配線的圍繞及端子位置的自由度大的液晶單 元。其結(jié)果是，得到多樣的安裝方式，因此能夠提高具備液晶單元的 電子設(shè)備的設(shè)計性。尤其是，三邊自由結(jié)構(gòu)的液晶單元50b時，由于 IC芯片41或FPC等驅(qū)動電路部件只安裝在邊Ec側(cè)，所以端子區(qū)域T 側(cè)的布置左右安裝的自由度。因此，不影響設(shè)置了密封接合部S的端 子區(qū)域T側(cè)的配線的自由度，這一點在提高電子設(shè)備的設(shè)計性方面有 利。而且，在端子區(qū)域T安裝外置的IC芯片41的情況下，被連接端 子13的引出配線19的設(shè)計左右，例如有時不能轉(zhuǎn)用現(xiàn)有的驅(qū)動用的 IC芯片，而需要投入高額的開發(fā)費，籌備新的驅(qū)動器IC。這是基于以 下理由。在三邊自由結(jié)構(gòu)的液晶單元中，在一邊集中電路及配線。因 此在三邊自由結(jié)構(gòu)的液晶單元中，電路及配線的布置的自由度小。而且，在電路及配線的布置和密封接合部為彼此排他存在的情況下，需 要仔細(xì)考慮端子設(shè)計，以使彼此不發(fā)生干涉。另外，最壞的情況是，
不能夠轉(zhuǎn)用現(xiàn)有的電路部件，但是，根據(jù)本實施方式的液晶單元50b， 即使將密封接合部S設(shè)于沿端子區(qū)域T的邊框區(qū)域F，也不會影響安 裝的自由度，因此具有能夠?qū)崿F(xiàn)轉(zhuǎn)用現(xiàn)有零件，或抑制部件個數(shù)及部 件成本的設(shè)計的優(yōu)點。
《發(fā)明的實施方式3》
圖7表示本發(fā)明的顯示單元(液晶單元)的實施方式3。具體地說， 圖7是表示本實施方式的液晶單元50c的平面圖。
在上述各實施方式中，具有密封接合部S的一邊的密封材料25a 從該邊的一端到另一端， 一樣遠(yuǎn)離CF基板的端部，但在本實施方式中， 只使具有密封接合部S的一邊的密封材料25b的一部分向顯示區(qū)域D 側(cè)彎曲，并且在該部分形成有密封接合部S。
根據(jù)本實施方式的液晶單元50c，與上述各實施方式一樣，由于密 封材料25b的密封接合部S遠(yuǎn)離CF基板30a的端部，所以能夠抑制因 密封接合部S引起的分割不良。
另外，在上述各實施方式中，作為顯示單元，例示了液晶單元， 但本發(fā)明并不僅限于上述各實施方式，在不脫離宗旨的范圍內(nèi)能夠變 形。例如有機EL顯示裝置所示，雖然不充填液晶材料，但也能夠應(yīng)用 于形成密封的顯示單元。另外，如電阻式觸摸面板所示，也能夠應(yīng)用 于將一對基板貼合且以簡單的封閉圖案形成密封的設(shè)備。
另外，在上述各實施方式中，在CF基板上形成有彩色濾光片層， 但本發(fā)明也可以將該彩色濾光片層形成于TFT基板側(cè)。而且，本發(fā)明 也能夠應(yīng)用于橫電場方式的液晶單元。該情況下，不用CF基板的共用 電極。
另外，在上述各實施方式中，作為顯示單元，例示了使用TFT的 有源矩陣型的液晶單元，但本發(fā)明也能夠應(yīng)用于使用薄膜二極管的有 源矩陣型的液晶單元、無源矩陣型的液晶單元、或節(jié)段顯示型的液晶 單元。
另外，在上述各實施方式中，例示了密封接合部S與從單片電路 引出的引出配線重合的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明也可以是密封接合部S與單片
23電路自身重合的結(jié)構(gòu)，或者與引出配線及單片電路雙方重合的結(jié)構(gòu)。另外，在上述各實施方式中，例示了在四邊的邊框區(qū)域F中最寬幅 一邊的邊框區(qū)域，以密封材料遠(yuǎn)離基板端部的方式配置，并且在該寬 幅的一邊的邊框區(qū)域配置有密封接合部的結(jié)構(gòu)，但是，例如只要第二 寬幅的邊框區(qū)域具有一定以上的寬度，則也可以將密封材料以遠(yuǎn)離基 板端部的方式配置在該第二寬幅的邊框區(qū)域，并且在該第二寬幅的邊 框區(qū)域配置密封接合部。如以上說明所示，本發(fā)明能夠抑制液晶單元的分割不良，因此對 通過密封材料將一對玻璃基板貼合而制造的顯示單元有用。
權(quán)利要求
1.一種顯示單元，其具備第一基板；沿所述第一基板的一邊所規(guī)定的端子區(qū)域；以所述端子區(qū)域露出的方式與所述第一基板相對配置的第二基板；將所述第一基板和第二基板彼此粘接，并且具有寬幅地形成的密封接合部的框狀的密封材料；在所述密封材料的內(nèi)側(cè)所規(guī)定的顯示區(qū)域；和在所述顯示區(qū)域的周圍所規(guī)定的、用于配置所述密封材料的四邊的邊框區(qū)域，該顯示單元的特征在于所述密封材料在所述四邊的邊框區(qū)域中最寬幅的一邊的邊框區(qū)域，以比其它三邊的各邊框區(qū)域更遠(yuǎn)離所述第二基板的端部的方式配置，并且配置有所述密封接合部。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示單元，其特征在于 在所述顯示區(qū)域形成有用于保持所述第一基板和第二基板的間隔的多個第一柱狀間隔物，在所述寬幅的邊框區(qū)域，用于保持所述第一基板和第二基板的間 隔的多個第二柱狀間隔物形成為，比所述多個第一柱狀間隔物的配置 密度低，或者比所述各第一柱狀間隔物小，在所述其它三邊的各邊框區(qū)域，所述第一基板和第二基板的間隔 通過所述密封材料保持。
3. 如權(quán)利要求1所述的顯示單元，其特征在于 在所述第一基板的所述寬幅的邊框區(qū)域設(shè)置有單片電路。
4. 如權(quán)利要求3所述的顯示單元，其特征在于所述密封接合部與所述單片電路、或從該單片電路引出的引出配線重合。
5. 如權(quán)利要求1所述的顯示單元，其特征在于-所述第二基板形成為比所述第一基板薄。
6. 如權(quán)利要求5所述的顯示單元，其特征在于在所述端子區(qū)域安裝有集成電路芯片。
7. 如權(quán)利要求1所述的顯示單元，其特征在于-所述端子區(qū)域與所述寬幅的邊框區(qū)域相鄰。
8. 如權(quán)利要求1所述的顯示單元，其特征在于-在所述第一基板與第二基板之間設(shè)置有封入所述密封材料的液晶層。
9. 如權(quán)利要求1所述的顯示單元，其特征在于所述密封材料通過描畫而形成， 所述密封接合部為所述描畫的起點和終點相互接合的部分。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示單元(50a)，其具備第一基板(20a)；沿第一基板(20a)的一邊所規(guī)定的端子區(qū)域(T)；以端子區(qū)域(T)露出的方式與第一基板(20a)相對配置的第二基板(30a)；將第一基板(20a)和第二基板(30a)彼此粘接，并且具有寬幅地形成的密封接合部(S)的框狀的密封材料(25a)；在密封材料(25a)的內(nèi)側(cè)所規(guī)定的顯示區(qū)域(D)；和在顯示區(qū)域(D)的周圍所規(guī)定的、用于配置密封材料(20a)的四邊的邊框區(qū)域，其中，密封材料(25a)在四邊的邊框區(qū)域中最寬幅的一邊的邊框區(qū)域，以比其它三邊的各邊框區(qū)域更遠(yuǎn)離第二基板(30a)的端部的方式配置，并且配置有密封接合部(S)。
文檔編號G02F1/1339GK101681068SQ20088002011
公開日2010年3月24日 申請日期2008年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
發(fā)明者藤川陽介 申請人:夏普株式會社