專利名稱：多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，特別是涉及一種改 善側(cè)向可視性的多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著液晶平板顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步，液晶顯示裝置正被廣泛的應(yīng)用到各個領(lǐng) 域，比如手機(jī)、臺式電腦、電視機(jī)、筆記本電腦等等。高端液晶顯示器正向著高 對比、廣視角、快速動態(tài)響應(yīng)、廣色域等方向發(fā)展。
其中，視角問題一直是困擾液晶顯示器發(fā)展的一個重要問題。為了解決這個 問題，目前采用的主流技術(shù)之一就是將液晶分隔成多個區(qū)塊，使得位于不同區(qū)塊 的液晶分子能夠呈現(xiàn)出不同的傾倒方向，達(dá)到了改善視角的目的。為了使液晶分
子呈現(xiàn)不同的傾倒方向， 一般使用凸起部(protrusion)及或具有狹縫(slit) 的導(dǎo)電電極的組合。例如，在多區(qū)塊垂直排列型(Multi-domain Vertical Alignment, MVA)液晶顯示器中，在液晶顯示器的陣列基板上制作有狹縫的導(dǎo)電 電極，在彩膜基板上制作凸起部，使液晶分子在初始狀態(tài)時產(chǎn)生一定的預(yù)傾角， 當(dāng)施加電壓后，呈現(xiàn)不同的傾倒方向。
為了進(jìn)一步改善MVA可視角問題，可以將液晶像素內(nèi)與TFT連接的透明電極 進(jìn)一步分割成不同的區(qū)域，在不同區(qū)域施加不同的電壓，使液晶分子傾斜程度不 一樣，這樣就增加液晶顯示疇數(shù)，實現(xiàn)更多疇顯示，從而進(jìn)一步改善視角特性。 其中將像素電極分割成兩部分施加不同電壓的方式有很多種.。三星提出了一種電 荷共享(Charge Share)方法，如圖1所示。在第N條柵極線Gn打開的時候，通 過信號線Data對A、 B子像素充入相同的電壓；而當(dāng)?shù)贜+l條柵極線GN+i打開時， 通過TFT3連通子像素B與下降電容Cdown。由于Cdown上的電壓極性與子像素B 上的相反，因此起到了降低子像素B電壓的作用，實現(xiàn)了A、 B兩個子像素的電壓 差。使用這種方式實現(xiàn)多疇存在一些缺點(diǎn)。首先是引入了下降電容，降低了開口 率。其次，此電容上的電壓與上一幀的信號電壓存在很強(qiáng)的相關(guān)性，當(dāng)前幀的信 號就會受到前一幀信號的影響，產(chǎn)生諸如殘影等問題。
實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種多疇垂直取向模式的液晶顯示裝 置，改善側(cè)向可視性且不影響開口率。
本實用新型為解決上述技術(shù)問題而采用的技術(shù)方案是提供一種多疇垂直取向 模式的液晶顯示裝置，包括彼此相對的彩膜基板和陣列基板；其中，所述陣列基 板上形成有相互交叉排列的柵極線、數(shù)據(jù)線以及和柵極線大致平行分布的公共電 極線，所述柵極線和數(shù)據(jù)線相交處形成有像素，每個像素包括第一像素電極和第 二像素電極，分別通過第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管和當(dāng)前行柵極線相連， 每個像素還包括第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的柵極和下一行柵極線相 連，漏極和所述第二像素電極相連，源極和當(dāng)前行公共電極線相連，所述第一或 第二薄膜晶體管的長寬比大于所述第三薄膜晶體管的長寬比。
上述的多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，其中，所述第三薄膜晶體管的源 極通過所述遮光線和所述公共電極線相連。
上述的多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，其中，所述第二薄膜晶體管的長 寬比與第三薄膜晶體管的長寬比的比值大于2。
本實用新型對比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果本實用新型提供的多疇垂直取 向模式的液晶顯示裝置，所述第二像素電極通過第三薄膜晶體管和公共電極線向 存儲電極放電，改善側(cè)向可視性且不影響開口率。


圖1是現(xiàn)有電荷分享實現(xiàn)多疇的像素等效電路圖。 圖2A是本實用新型的陣列基板俯視圖。
圖2B是沿圖2A中線的剖視圖。
圖3是本實用新型的第三薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4A是本實用新型的像素等效電路圖。
圖4B是本實用新型的像素充電效果示意圖。
圖中301柵極線
302遮光線 305接觸孔
303數(shù)據(jù)線 306透明連接電極 308第三薄膜晶體管漏極
304公共電極線
307第三薄膜晶體管源極
309半導(dǎo)體層
310玻璃基板
311柵極絕緣膜
312鈍化層
Pixell第一像素電極
Pixel2第二像素電極
具體實施方式
以下結(jié)合附圖及典型實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明。
圖2A是本實用新型的陣列基板俯視圖，圖2B是沿圖2A中A-A'線的剖視圖。
請參見圖2A，本實用新型提供的多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置彼此相對 的彩膜基板和陣列基板(圖未示)；其中，所述陣列基板上形成有相互交叉的柵 極線301、數(shù)據(jù)線303以及和柵極線301大致平行分布的公共電極線304，所述柵 極線和數(shù)據(jù)線相交處形成有像素，每個像素包括第一像素電極Pixell和第二像素 電極Pixel2，分別通過第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管和當(dāng)前行柵極線301相 連，每個像素還包括第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的柵極和下一行柵極 線相連，第三薄膜晶體管漏極308與第二像素電極通過接觸孔電性連接，第三薄 膜晶體管源極307通過接觸孔和透明連接電極306與遮光線302電性連接；而遮 光線302與公共電極線304是連接在一起的；即第三薄膜晶體管源極307通過302 遮光線和公共電極線304相連。當(dāng)然，第三薄膜晶體管源極307也可以通過其他 引線和公共電極線304相連，在此不再詳述。
請繼續(xù)參見圖2B，其中，310為玻璃基板；302為遮光線，與公共電極線304 直接連接，可以理解為公共電極線的一部分，同時具有遮光作用，該電極與柵極 線301—樣做在第一金屬層；311為柵極絕緣膜；303為數(shù)據(jù)線，307為第三薄膜 晶體管的源極，308為第三薄膜晶體管的漏極，它們都做在第二金屬層上；312為 鈍化層，在鈍化層312上開有多個接觸孔305; 306為透明連接電極，與像素電極 做在同一層上，起到電性連接第三薄膜晶體管的源極307與公共電極線的作用。
其中，第三薄膜晶體管開關(guān)被設(shè)置成與第一、第二薄膜晶體管開關(guān)具有不同 的特性，其充放電能力小于第一、第二薄膜晶體管開關(guān)，請參見圖3，具體可通過 增加薄膜晶體管TFT3溝道的寬度L，或減小TFT3溝道的長度W，將TFT3的長寬比W/L設(shè)置得小于TFT1和TFT2。第二薄膜晶體管的長寬比與第三薄膜晶體管的長 寬比的比值W2/L2: W3/L3最好大于2以上。
圖4A是本實用新型的像素等效電路圖，圖4B是本實用新型的像素充電效果
示意圖。
請參見圖4A，一個子像素被分為第一像素電極Pixell和第二像素電極Pixe12 兩部分，第一像素電極Pixell包括液晶電容CLC1、存儲電容CST1和第一薄膜晶 體管TFT1，第二像素電極Pixel2包括液晶電容CLC2、存儲電容CST2和第二薄膜 晶體管TFT2。同時設(shè)置第三薄膜晶體管TFT3，其柵極與Gn+1相連，源極與存儲 電極相連，漏極與Pixel2相連。第三薄膜晶體管TFT3的充放電能力要小于第一 薄膜晶體管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2。
請繼續(xù)參見圖4B，當(dāng)柵極線Gn上的信號Vgn為高電平時，第一、第二薄膜晶 體管開關(guān)TFT1和TFT2被打開，同時對第一像素電極Pixell和第二像素電極Pixe12 進(jìn)行充電，當(dāng)柵極線Gn上的信號Vgn處于低電平時，第一、第二薄膜晶體管開關(guān) 被關(guān)閉，第一像素電極Pixell和第二像素電極Pixel2獲得相同的電壓。當(dāng)下一 柵極線Gn+1上的信號Vgn+1處于高電平時，第三薄膜晶體管開關(guān)TFT3被打開， 第二像素電極Pixel2與存儲電極被導(dǎo)通，第二像素電極Pixel2向存儲電極放電。 由于第三薄膜晶體管開關(guān)TFT3的長寬比要小，因此電荷不會被放光，僅產(chǎn)生一個 電位下降A(chǔ)V。此電壓降使得第一像素電極Pixell和第二像素電極Pixel2的電壓 不同，產(chǎn)生了多疇的效果；該電壓降可用控制第三薄膜晶體管TFT3充放電能力來 控制其大小。當(dāng)Gn+1處于低電位時，第三薄膜晶體管開關(guān)TFT3被關(guān)閉，放電停 止，第二像素電極Pixel2上的電壓保持到下一幀顯示。
本實用新型不需要增加一第三像素電極，提高了開口率，且第二像素電極 Pixel2是向存儲電極放電，第一像素電極Pixell與第二像素電極Pixel2的電壓 差A(yù)V可以通過TFT3的長寬比來控制，前一幀的信號不會影響當(dāng)前幀的信號。本 實用新型的多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置的像素與三星的中國專利 200710137186. 5中電荷共享方式相比，開口率可提升5% 8%。
雖然本實用新型已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本實用新型， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改 和完善，因此本實用新型的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1、一種多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，包括彼此相對的第一基板和第二基板，所述第二基板上形成有相互交叉的柵極線、數(shù)據(jù)線及和柵極線大致平行的公共電極線，所述柵極線和數(shù)據(jù)線相交處形成有像素區(qū)域；每個像素包括第一像素電極和第二像素電極，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管；所述第一像素電極和第二像素電極分別通過第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管與當(dāng)前行柵極線相連，所述第三薄膜晶體管的柵極和下一行柵極線相連，漏極和所述第二像素電極相連；其特征在于，所述第三薄膜晶體管的源極和當(dāng)前行公共電極線相連，所述第一或第二薄膜晶體管的長寬比大于所述第三薄膜晶體管的長寬比。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述數(shù)據(jù)線旁分布有遮光線，所述第三薄膜晶體管的源極通過所述遮光線和所述 公共電極線相連。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，其特征 在于，所述第二薄膜晶體管的長寬比與第三薄膜晶體管的長寬比的比值大于2。
專利摘要本實用新型涉及一種多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，包括彼此相對的彩膜基板和陣列基板；其中，所述陣列基板上的每個像素包括第一像素電極和第二像素電極，分別通過第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管和當(dāng)前行柵極線相連，每個像素還包括第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的柵極和下一行柵極線相連，漏極和所述第二像素電極相連，源極和當(dāng)前行公共電極線相連，所述第一或第二薄膜晶體管的長寬比大于所述第三薄膜晶體管的長寬比。本實用新型提供的多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，改善側(cè)向可視性且不影響開口率。
文檔編號G02F1/13GK201314993SQ20082015735
公開日2009年9月23日 申請日期2008年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月18日
發(fā)明者陸海峰, 高孝裕 申請人:上海廣電光電子有限公司