專利名稱：覆晶薄膜壓合的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及覆晶物件壓合的方法的相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種覆晶薄膜壓合的方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)制作玻璃基板構(gòu)裝模組包含玻璃覆晶壓合(chip on glass; COG)、薄膜覆晶壓合(chip on film; C0F)、以及連接至玻璃基板的外部引腳焊接(outer lead bonding; OLB)等方法。 其中薄膜覆晶壓合的制作過程包括一預(yù)壓程序、 一本壓程序及檢査程序，其中此制程使用一 壓接設(shè)備(以下稱COF壓接機(jī))對一覆晶薄膜進(jìn)行預(yù)壓程序，此壓接設(shè)備可先進(jìn)行對位，接著， COF壓接機(jī)便對此覆晶薄膜進(jìn)行本壓程序，使得此覆晶薄膜可被固定于玻璃基板上，才進(jìn)行后 續(xù)之檢查程序。
而COF壓接機(jī)的工作原理是通過高溫及一定壓力下，使覆晶薄膜與玻璃基板之間的一導(dǎo)電 膠膜內(nèi)的導(dǎo)電粒子露出，實現(xiàn)覆晶薄膜與玻璃基板的連接以及使覆晶薄膜上的線路與玻璃基 板的線路電氣相通。此外，當(dāng)檢查程序檢查出覆晶薄膜上的線路與玻璃基板的線路于本壓程 序后產(chǎn)生偏移時，便依據(jù)其偏移值調(diào)整COF壓接機(jī)下一次壓合覆晶薄膜的壓接參數(shù)。
然而，上述傳統(tǒng)的檢查程序僅根據(jù)覆晶薄膜的偏移值作調(diào)整，卻無法根據(jù)覆晶薄膜預(yù)壓 前的寬度或者是覆晶薄膜因高溫壓合所導(dǎo)致膨脹延展的程度進(jìn)行壓接參數(shù)的調(diào)整，如此，便 需投入大量人力進(jìn)行調(diào)整，以降低不良位移所產(chǎn)生的產(chǎn)品不合格率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是在提供一種覆晶薄膜壓合的方法，根據(jù)覆晶薄膜的寬度來修正熱壓合機(jī) 臺壓合時的壓接參數(shù)組，以求降低覆晶薄膜所產(chǎn)生的產(chǎn)品不合格率，進(jìn)而減少進(jìn)行調(diào)整的人 力。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種覆晶薄膜壓合的方法，根據(jù)不同的壓接參數(shù)組進(jìn)行覆晶 薄膜與基板的熱壓合，包括以下歩驟(a)測量一第一覆晶薄膜的一第一寬度，并與一第一參 考范圍比較，得出一第一偏差值；(b)根據(jù)所述的第一偏差值選擇對應(yīng)的一第一壓接參數(shù)組， 將所述的第一覆晶薄膜熱壓合至一第一基板上；(c)測量所述的第一覆晶薄膜于熱壓合后的 一第二寬度，并與一第二參考范圍比較，得出一第二偏差值；(d)測量一第二覆晶薄膜的一第 三寬度，并與所述的第一參考范圍比較，得出一第三偏差值；(e)根據(jù)所述的第二偏差值與第三偏差值選擇對應(yīng)的一第二壓接參數(shù)組，將所述的第二覆晶薄膜熱壓合于第二基板上。
本發(fā)明的一較佳實施例中，所述的第一壓接參數(shù)組與第二壓接參數(shù)組至少包括熱壓合時 間、熱壓合溫度與熱壓合壓力的其中之一。
此較佳實施例于上述步驟(b)中，(l)當(dāng)?shù)谝黄钪禐镺，則不調(diào)整第一壓接參數(shù)組的修正 設(shè)定；(2)當(dāng)?shù)谝黄钪荡笥?，則降低第一壓接參數(shù)組的修正設(shè)定；反之(3)當(dāng)?shù)谝黄钪敌?于0，則提高第一壓接參數(shù)組的修正設(shè)定。
此較佳實施例于上述步驟(e)中，將第二偏差值乘上一第一權(quán)重，得到一加權(quán)后第二偏差 值，并將第三偏差值乘上一第二權(quán)重，得到一加權(quán)后第三偏差值，再根據(jù)加權(quán)后第二偏差值 與加權(quán)后第三偏差值選擇對應(yīng)的第二壓接參數(shù)組。
當(dāng)加權(quán)后第二偏差值與加權(quán)后第三偏差值相加之和為O，則不調(diào)整該第二壓接參數(shù)組的設(shè) 定；當(dāng)加權(quán)后第二偏差值與加權(quán)后第三偏差值相加之和大于O,則降低第二壓接參數(shù)組的設(shè)定； 當(dāng)該加權(quán)后第二偏差值與該加權(quán)后第三偏差值相加之和小于O，則提高該第二壓接參數(shù)組的設(shè) 定。
本發(fā)明的有益效果在于通過根據(jù)覆晶薄膜的寬度來修正熱壓合機(jī)臺壓合時的壓接參數(shù) 組，降低了覆晶薄膜所產(chǎn)生的產(chǎn)品不合格率，進(jìn)而減少了進(jìn)行調(diào)整的人力資源。


圖l為本發(fā)明的覆晶薄膜壓合的方法中較佳實施例的流程示意圖。
具體實施例方式
以下結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
一種覆晶薄膜壓合的方法，適用于一液晶顯示模組的制程中，應(yīng)用一壓接設(shè)備，對一覆晶 薄膜(chip on film; COF)依序進(jìn)行預(yù)壓程序(pre-bonding process)及本壓程序(main-bonding process),以將覆晶薄膜熱壓合于一玻璃基板上，并根據(jù)覆晶薄膜在預(yù)壓程序前或本壓程序后 的寬度來調(diào)整及修正壓接設(shè)備的壓接參數(shù)組，使壓接設(shè)備能準(zhǔn)確地將覆晶薄膜熱壓合于玻璃 基板上，而壓接參數(shù)組至少包括熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力的其中之一。此方法 的一較佳實施例的流程如圖l所示，其詳細(xì)的流程描述如下
步驟(101)測量一第一覆晶薄膜的一第一寬度，并與一第一參考范圍比較，而得出一第 一偏差值
本步驟在對第一覆晶薄膜進(jìn)行預(yù)壓程序前，先測量第一覆晶薄膜的第一寬度w，并將第一寬度W與一第一參考范圍(a b)加以比較，可計算而得出兩者間相差的第一偏差值。第一參考 范圍(a~b)可能是以往的經(jīng)驗值(例如45土0.05微米)或廠商給的預(yù)設(shè)數(shù)值資料等，其中a、 b均為正數(shù)。
步驟(102)依據(jù)第一偏差值選擇對應(yīng)的一第一壓接參數(shù)組，將第一覆晶薄膜熱壓合至一 第一基板上
本步驟依據(jù)第一偏差值所對應(yīng)的壓接參數(shù)組對第一片覆晶薄膜進(jìn)行本壓程序，將覆晶薄膜
熱壓合于第一基板(如玻璃基板)上，形成覆晶薄膜與第一基板的電氣導(dǎo)接。于此較佳實 施例中，選擇對應(yīng)第一壓接參數(shù)組的依據(jù)為(1)當(dāng)?shù)谝黄钪禐?，即當(dāng)?shù)谝粚挾萕落于第一參
考范圍(a b)中，則不調(diào)整第一壓接參數(shù)組的修正級別設(shè)定，例如，直接采用原熱壓合時間、 熱壓合溫度與或熱壓合壓力的值作為第一壓接參數(shù)組；(2)當(dāng)?shù)谝黄钪荡笥?，即當(dāng)?shù)谝粚挾?W大于第一參考范圍的最大值b (第一偏差值Xl-W-bX)),則降低第一壓接參數(shù)組的設(shè)定，例 如至少調(diào)低熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力的其中之一；反之，(3)當(dāng)?shù)谝黄钪敌∮?， 即第一寬度小于第一參考范圍(第一偏差值Xl-W-aO)的最小值，則提高第一壓接參數(shù)組的 設(shè)定，例如至少提高熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力的其中之一。
步驟(103)測量第一覆晶薄膜于熱壓合后的一第二寬度，并與一第二參考范圍比較，而
得出一第二偏差值
此步驟主要是進(jìn)行檢查程序，并測量第一片覆晶薄膜熱壓合后的第二寬度，因為覆晶薄膜 于本壓程序的熱壓合后會延展而改變其寬度。并將此己壓合的第一片覆晶薄膜的第二寬度與
一第二參考范圍加以比較，計算兩者間相差的第二偏差值。這個第二參考范圍(A B)的數(shù) 值A(chǔ)(或B)可不同于第一參考范圍的a(或b),但概念與上述的第一參考范圍相同，第二參考范圍 可能是以往的經(jīng)驗值(例如50土0.05微米)或廠商給的預(yù)設(shè)數(shù)值資料，其中A與B均為正數(shù)。 步驟(104)測量一第二覆晶薄膜的一第三寬度，并與第一參考范圍比較，而得出一第三 偏差值。
步驟(105)依據(jù)第二偏差值與第三偏差值選擇對應(yīng)的一第二壓接參數(shù)組，將第二覆晶薄 膜熱壓合于第二基板上。
本步驟中，同時參考第二偏差值及第三偏差值來選擇對應(yīng)的第二壓接參數(shù)組，并對第二覆 晶薄膜進(jìn)行本壓程序，降低覆晶薄膜的產(chǎn)品不合格率。
此較佳實施例所選擇對應(yīng)第二壓接參數(shù)組的依據(jù)為，先將第二偏差值乘上一第一權(quán)重，得 到一加權(quán)后第二偏差值，并將第三偏差值乘上一第二權(quán)重，得到一加權(quán)后第三偏差值，后依 據(jù)加權(quán)后第二偏差值與加權(quán)后第三偏差值選擇對應(yīng)的一第二壓接參數(shù)組。需注意的是，使用者可依據(jù)當(dāng)時的情形或者需求而分別決定本壓程序后延展覆晶薄膜寬度 或預(yù)壓程序前原始覆晶薄膜寬度的第一權(quán)重和第二權(quán)重，權(quán)重越高的代表希望以其作為決定 第二壓接參數(shù)組的主要依據(jù)，例如當(dāng)?shù)谝粰?quán)重與第二權(quán)重的比例為l: 10時，此時第三偏差值 為決定第二壓接參數(shù)組的較主要依據(jù)。
當(dāng)加權(quán)后第二偏差值與加權(quán)后第三偏差值相加之和為O，則不調(diào)整該第二壓接參數(shù)組的設(shè) 定，直接采用預(yù)設(shè)的第二壓接參數(shù)組，第二壓接參數(shù)組例如熱壓合時間、熱壓合溫度或熱壓 合壓力的值等；當(dāng)加權(quán)后第二偏差值與加權(quán)后第三偏差值相加之和大于O,則降低第二壓接參 數(shù)組的設(shè)定，例如至少調(diào)低熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力中的其中之一；當(dāng)該加權(quán) 后第二偏差值與該加權(quán)后第三偏差值相加之和小于O，則提高該第二壓接參數(shù)組的設(shè)定，例如 至少調(diào)高熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力中的其中之一。第二壓接參數(shù)組的熱壓合時 間、熱壓合溫度與熱壓合壓力并無相關(guān)聯(lián)的關(guān)系，可根據(jù)實際狀況獨(dú)立地調(diào)整。
依此類推，藉由收集每一覆晶薄膜的預(yù)壓前的寬度，搭配上一片覆晶薄膜熱壓合后的寬度， 便可得到較精準(zhǔn)修正的壓接參數(shù)組，即可控制本壓程序的穩(wěn)定性，使得覆晶薄膜所產(chǎn)生位移 的偏差度可較現(xiàn)有技術(shù)來的更小，以降低產(chǎn)生覆晶薄膜熱壓合不合格機(jī)率。
本發(fā)明所揭露如上的各實施例，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā) 明的精祌和范圍內(nèi)，可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的范 圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、覆晶薄膜壓合的方法，根據(jù)不同的壓接參數(shù)組進(jìn)行覆晶薄膜與基板的熱壓合，其特征在于包括以下步驟(a)測量一第一覆晶薄膜的一第一寬度，并與一第一參考范圍比較，得出一第一偏差值；(b)根據(jù)所述的第一偏差值選擇對應(yīng)的一第一壓接參數(shù)組，將所述的第一覆晶薄膜熱壓合至一第一基板上；(c)測量所述的第一覆晶薄膜于熱壓合后的一第二寬度，并與一第二參考范圍比較，得出一第二偏差值；(d)測量一第二覆晶薄膜的一第三寬度，并與所述的第一參考范圍比較，得出一第三偏差值；(e)根據(jù)所述的第二偏差值與第三偏差值選擇對應(yīng)的一第二壓接參數(shù)組，將所述的第二覆晶薄膜熱壓合于第二基板上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特征在于所述的第一壓接參數(shù)組與 第二壓接參數(shù)組至少包括熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力的其中之一。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特征在于當(dāng)所述的第一寬度介于第 一參考范圍中，所述的第一偏差值為0，則不調(diào)整所述的第一壓接參數(shù)組的設(shè)定。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特征在于當(dāng)所述的第一寬度大于第 一參考范圍的最大值，所述的第一偏差值大于0，則降低所述的第一壓接參數(shù)組的設(shè)定。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特征在于當(dāng)所述的第一寬度小于第 一參考范圍的最小值，所述的第一偏差值小于0，則提高所述的第一壓接參數(shù)組的設(shè)定。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特征在于所述的(e)步驟中，先將所 述的第二偏差值乘上一第一權(quán)重，得到一加權(quán)后第二偏差值，并將所述的第三偏差值乘上一 第二權(quán)重，得到一加權(quán)后第三偏差值，再根據(jù)所述的加權(quán)后第二偏差值與所述的加權(quán)后第三 偏差值選擇對應(yīng)的一第二壓接參數(shù)組。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特征在于當(dāng)所述的加權(quán)后第二偏差 值與所述的加權(quán)后第三偏差值相加之和為O，則不調(diào)整所述的第二壓接參數(shù)組的設(shè)定。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特征在于當(dāng)所述的加權(quán)后第二偏差 值與所述的加權(quán)后第三偏差值相加之和大于O，則降低所述的第二壓接參數(shù)組的設(shè)定。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特征在于當(dāng)所述的加權(quán)后第二偏差值與所述的加權(quán)后第三偏差值相加之和小于o，則提高所述的第二壓接參數(shù)組的設(shè)定。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種覆晶薄膜壓合的方法，根據(jù)覆晶薄膜的寬度來選擇壓接參數(shù)組，以進(jìn)行覆晶薄膜與基板的熱壓合，方法包括測量第一覆晶薄膜的第一寬度，并與一第一參考范圍比較，而得出一第一偏差值；根據(jù)第一偏差值選擇對應(yīng)的第一壓接參數(shù)組，將第一覆晶薄膜熱壓合至一第一基板上；測量第一覆晶薄膜于熱壓合后的第二寬度，并與第二參考范圍比較，而得出第二偏差值；測量第二覆晶薄膜的第三寬度，并與第一參考范圍比較，而得出第三偏差值；根據(jù)第二偏差值與第三偏差值選擇對應(yīng)的一第二壓接參數(shù)組，以及將第二覆晶薄膜熱壓合于第二基板上。本發(fā)明有效降低了覆晶薄膜所產(chǎn)生的產(chǎn)品不合格率，進(jìn)而減少了進(jìn)行調(diào)整的人力資源。
文檔編號G02F1/13GK101435933SQ20081020239
公開日2009年5月20日 申請日期2008年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月6日
發(fā)明者劉金華 申請人:達(dá)輝(上海)電子有限公司;友達(dá)光電股份有限公司