專利名稱：：光收發(fā)模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光通信用的光收發(fā)模塊，特別涉及具有10Gbit/s的高速傳輸速率的光纖傳輸用收發(fā)兩用機(jī)的殼體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：近年來隨著寬帶網(wǎng)絡(luò)的普及，謀求光纖傳輸用收發(fā)兩用機(jī)模塊(光收發(fā)模塊)的小型化、高速化，關(guān)于高速化，當(dāng)前廣泛使用比特速率為10Gbit/s的收發(fā)機(jī)模塊(例如有SONET(SynchronousopticalNetwork，同步光纖網(wǎng))標(biāo)準(zhǔn)的9.95Gbit/s以及10.7Gbit/s、10千兆比特以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)("以太網(wǎng)"是注冊(cè)商標(biāo))的10.3Gbit/s)。關(guān)于小型化，從過去的300pinMSA(Multi-SourceAgreement:多源協(xié)議)標(biāo)準(zhǔn)向XENPAK、X2、XFP、SFP+(各種MSA標(biāo)準(zhǔn))的縮小殼體容量的方向發(fā)展。另一方面，在搭載光收發(fā)模塊的傳輸裝置中，需要將該裝置產(chǎn)生的無用電磁波的強(qiáng)度抑制在法規(guī)規(guī)定的限度值以下。例如，在美國需要滿足FCC(FederalCommunicationsCommission,美國聯(lián)邦通信委員會(huì))第15咅卩分B子部分標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的限度值53.9dB(pV/m)(B類標(biāo)準(zhǔn)、距離3m、頻率范圍lGHz40GHz的情況)以下。光收發(fā)模塊由于內(nèi)置的IC以10Gbit/s進(jìn)行動(dòng)作的切換噪聲(switchingnoise)等而產(chǎn)生頻率為10GHz以及為其高次諧波成分的20GHz的無用電磁波的情況較多，因此降低這些無用電磁波向裝置外部輻射的設(shè)計(jì)技術(shù)在傳輸裝置以及光收發(fā)模塊兩方中都是重要的。在非專利文獻(xiàn)1記載了在X2MSA的光收發(fā)模塊中降低10GHz的無用電磁波的技術(shù)。其中，在TOSA(TransmitterOpticalSubassembly,光發(fā)射組件)的結(jié)構(gòu)上下功夫，連接光收發(fā)模塊的TOSA的露出部分與機(jī)架地線(frameground),并與TOSA的CAN(ControllerAreaNetwork,控制器局域網(wǎng))結(jié)構(gòu)部的接地信號(hào)進(jìn)行電分離，由此降低在傳輸裝置的前面經(jīng)由TOSA-光連接器連接部而輻射的無用電磁波。另外，在專利文獻(xiàn)1公開有上述非專利文獻(xiàn)1的TOSA結(jié)構(gòu)的更詳細(xì)的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)2、3中記載有降低XFPMSA光收發(fā)模塊中無用電磁波輻射的殼體設(shè)計(jì)技術(shù)。根據(jù)該技術(shù)，對(duì)于印刷基板的邊緣連接器部分的殼體開口部，在其大體中間位置設(shè)置由導(dǎo)體構(gòu)成的短路部分(由上部殼體柱-基板貫通電極-下部殼體柱構(gòu)成)，由此來縮短開口部的有效長度，降低從邊緣連接器部的開口部泄露的無用電磁波。一一專禾ll文獻(xiàn)1:KazushigeOki、etal.、"TheDesignChallengewiththePredictableAnalysisoftheHeatDissipationandtheElectromagneticRadiationfor1OGbpsPluggableOpticalTransceivers"、2006ElectronicComponentsandTechnologyConference、pp.1567-1572(2006);專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-84683號(hào)公報(bào)；專利文獻(xiàn)2:美國專利公報(bào)US6999323(Bl);專利文獻(xiàn)3:美國專利公報(bào)US7068522(B2)。近年來隨著對(duì)搭載光收發(fā)模塊的傳輸裝置(客戶側(cè))輻射無用電磁波的條件變得嚴(yán)格，在使用上述現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)成光收發(fā)模塊的情況下，有可能不能滿足傳輸裝置要求的無用電磁波輻射的標(biāo)準(zhǔn)。特別是隨著客戶側(cè)的傳輸裝置的多樣化的發(fā)展、對(duì)同一傳輸裝置搭載的光收發(fā)模塊的數(shù)量的增加(多連化)以及因削減傳輸裝置的屏蔽對(duì)策成本而帶來的傳輸裝置的屏蔽量的降低，要求各個(gè)光收發(fā)模塊進(jìn)一步降低無用電磁波的輻射。在進(jìn)行降低無用電磁波輻射的研究中，已知在下面條件重合的情況下，無用電磁波的輻射變得顯著而難以抑制。即，為以下兩個(gè)條件(1)光收發(fā)模塊的金屬殼體內(nèi)部的空腔所具有的固有模式(諧振)在頻率10GHz、20GHz附近，(2)在激勵(lì)該固有模式的位置配置有成為激勵(lì)源的IC以及連接在該IC上的布線(傳輸線路等)。在該情況下，在金屬殼體內(nèi)部產(chǎn)生較強(qiáng)的空腔諧振，無用電磁波的輻射極端地增加。根據(jù)我們的研究，在XFPMSA光收發(fā)模塊的金屬殼體的內(nèi)部形狀是長方體的情況下，空腔諧振頻率由其尺寸決定并大致出現(xiàn)在10GHz附近。并且，該空腔諧振將要在金屬殼體的內(nèi)側(cè)側(cè)面的垂直方向產(chǎn)生表面電流。在印刷電路基板的邊緣連接器部設(shè)置的金屬殼體的開口部與該電流正交，因此起到作為良好的縫隙天線(SlotAntenna)的作用。在通過以上的作用而產(chǎn)生了空腔諧振的情況下，針對(duì)從印刷基板產(chǎn)生的無用電磁波的金屬殼體的屏蔽效果顯著降低。在上述非專利文獻(xiàn)1以及專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù)中，不能得到降低來自邊緣連接器部的金屬殼體開口部的無用電磁波輻射的效果，并且，在上述專利文獻(xiàn)2以及專利文獻(xiàn)3所記載的技術(shù)中，在產(chǎn)生這樣的空腔諧振的情況下，其降低效果也是不充分的。作為降低由空腔諧振產(chǎn)生的無用電磁波的輻射的其他方法，考慮在空腔諧振中產(chǎn)生損失而降低Q值的方法以及通過改變諧振頻率來避開空腔諧振的方法。作為前者的具體的手段，已知在金屬殼體內(nèi)部配置由磁體等構(gòu)成的電磁波吸收體的手段。電磁波吸收體雖然在低頻下效果顯著，但是由于在10GHz、20GHz這樣的高頻下磁體的導(dǎo)磁率顯著降低，因此難于得到充分的降低效果。另外，電磁波吸收體是比較昂貴的部件，因此在使用較多電磁波吸收體的情況下，存在光收發(fā)模塊的成本增大的問題。作為后者的手段，考慮了縮小金屬殼體內(nèi)部尺寸而提高諧振頻率的方法。但是由于必須大幅度地縮小可內(nèi)置的印刷電路基板的面積，而難以搭載IC等部件。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是對(duì)具有邊緣連接器的SFP+、XFP、光收發(fā)模塊，提出不增加成本而控制空腔諧振頻率，能夠避開10GHz、20GHz的空腔諧振的金屬殼體結(jié)構(gòu)，并且提供降低無用電磁波的同時(shí)控制隨之的成本增加的10Gbit/s用光收發(fā)模塊。上述目的通過如下結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)，即在光收發(fā)模塊，由上部金屬殼體和下部金屬殼體構(gòu)成內(nèi)部具有空腔的金屬殼體，對(duì)于上部金屬殼體和下部金屬殼體的兩個(gè)或者一個(gè)，在殼體中央附近與連接前方和后方的方向平行地設(shè)置金屬的隔墻。TOSA、ROSA、以及印刷電路基板配置在殼體內(nèi)部的空腔，印刷電路基板的邊緣連接器部分從縫隙開口部露出在殼體的后端部。更加具體地說，在光收發(fā)模塊，通過將隔墻和印刷電路基板的最小間隙設(shè)置為0.25mm以上1.0mm以下的尺寸來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明，不增加成本而控制殼體內(nèi)部空間的固有模式頻率，能夠得到可以避開在10GHz、20GHz的空腔諧振的金屬殼體結(jié)構(gòu)，能夠提供降低無用電磁波的同時(shí)控制隨之的成本增加的10Gbit/s用光收發(fā)模塊。圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例1的光收發(fā)模塊的外觀的結(jié)構(gòu)圖；圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例1的光收發(fā)模塊的上部殼體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖；圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例1的光收發(fā)模塊的下部殼體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例1的光收發(fā)模塊的殼體內(nèi)部的空腔諧振頻率變化的圖表；圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例1的光收發(fā)模塊中的殼體的屏蔽效果的圖表;圖6是表示本發(fā)明實(shí)施例1的光發(fā)送模塊中的殼體的屏蔽效果的圖表;圖7是表示本發(fā)明實(shí)施例2的光收發(fā)模塊中的下部殼體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖8是表示本發(fā)明實(shí)施例2的光收發(fā)模塊中的殼體的屏蔽效果的圖表；圖9是表示本發(fā)明實(shí)施例2的光收發(fā)模塊中的殼體的屏蔽效果的圖表；圖10是表示本發(fā)明實(shí)施例3的光收發(fā)模塊的外觀的結(jié)構(gòu)圖；圖11是表示本發(fā)明實(shí)施例3的光收發(fā)模塊的上部殼體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖12是表示本發(fā)明實(shí)施例3的光收發(fā)模塊的下部殼體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖13是表示本發(fā)明實(shí)施例3的光收發(fā)模塊的隔墻和印刷電路基板的位置關(guān)系的圖14是表示本發(fā)明實(shí)施例3的光收發(fā)模塊的殼體內(nèi)部的空腔諧振頻率變化的圖表；圖15是表示本發(fā)明實(shí)施例3的光收發(fā)模塊中的殼體的屏蔽效果的圖表。具體實(shí)施例方式7下面，使用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說明。[實(shí)施例1]通過圖1圖6說明本發(fā)明的實(shí)施例1。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的光收發(fā)模塊的外觀的結(jié)構(gòu)圖，圖2和圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的光收發(fā)模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的、從上下方向進(jìn)行分解的立體圖。圖4是說明本發(fā)明的實(shí)施例的效果的、表示殼體內(nèi)部的空腔諧振頻率變化的圖表，圖5和圖6是示出本發(fā)明的實(shí)施例的效果的、表示殼體屏蔽效果的改善的圖表。首先，使用圖1圖3說明光收發(fā)模塊的結(jié)構(gòu)。實(shí)施例1是XFPMSA(SFFCommitteeINF-8077i，"10GigabitSmallFormFactorPluggableModule",Revision4.5August31，2005)標(biāo)準(zhǔn)的光收發(fā)模塊，在圖1中外側(cè)主要由上部殼體100、下部殼體101、把手110等構(gòu)成。下面，將圖中x方向定義為前方，將x方向的反方向(一x方向)定義為后方，將z方向定義為上方，將z方向的反方向(一z方向)定義為下方。在本實(shí)施例1的光收發(fā)模塊相對(duì)于傳輸裝置從后方插入，將光纖的連接器從前方插入來進(jìn)行動(dòng)作。在圖2中，在由上部殼體100和下部殼體101構(gòu)成的空腔內(nèi)配置印刷電路基板102、TOSA(光發(fā)射組件)108、以及ROSA(光接收組件)109。在印刷電路基板102和TOSA108、ROSA109之間設(shè)置撓性的印刷基板106、107，連接10Gbit/s的電信號(hào)。在印刷電路基板102上搭載驅(qū)動(dòng)器、CDR(Clockdatarecovery,時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路)、微處理器等的IC和芯片部件等(圖中省略)。印刷電路基板102的厚度是lmm。在印刷電路基板102的后方端面設(shè)置有邊緣連接器部105，用于與傳輸裝置連接。邊緣連接器部105從上部殼體100和下部殼體101的后方的縫隙開口部露出到外部，承擔(dān)熱插拔的功能。另外，上部殼體100、下部殼體101被螺絲固定，從下部殼體101的螺孔122插入的螺絲通過印刷電路基板的開口部121被插入到上部殼體100的螺合部120而固定。螺合部120位于距離上部殼體101的后端16.3mm(相當(dāng)于圖2的箭頭130的長度)的y軸方向中央部，其直徑設(shè)置為約2.9mm、高度設(shè)置為3.9mm。在上部殼體100的內(nèi)部設(shè)置了隔墻103。隔墻103相對(duì)于y軸方向在中央部縱向配置，由將TOSA108、ROSA109之間分離的收發(fā)隔墻103a以及設(shè)置在印刷電路基板102的部件搭載面的相對(duì)位置的上部隔墻103b構(gòu)成。收發(fā)隔墻103a用于防止從TOSA108、ROSA109泄露的電磁波等產(chǎn)生的相互干擾。上部隔墻103b在收發(fā)隔墻103a的x軸方向延長線上設(shè)置到螺合部120，在x軸方向?yàn)榇蠹s25mm的長度(相當(dāng)于圖3的箭頭131的長度)。在上部隔墻103b和印刷電路基板102(及其搭載部件)之間設(shè)置間隙來避免產(chǎn)生干擾。并且，在圖3中，在下部殼體101的內(nèi)部設(shè)置下部隔墻104。下部隔墻104相對(duì)于y軸方向在中央部縱向配置以使其與上部隔墻103b相對(duì)，并且使其x軸方向的長度也與上部隔墻103b相同。此外，在隔墻104和印刷電路基板102之間設(shè)置間隙來避免產(chǎn)生干擾。如下所述，該上部隔墻103b以及下部隔墻104與印刷電路基板102的間隙的尺寸對(duì)光收發(fā)模塊產(chǎn)生無用電磁波的抑制(屏蔽)效果帶來影響。另外，上部隔墻103b以及下部隔墻104的厚度為0.2mm左右。作為上部殼體100和隔墻103以及下部殼體101和隔墻104的材料，使用鋅、鋁等金屬。也可以通過切削成形，但通過壓鑄一體成形能夠以低成本制作。另外，在通過壓鑄一體成形的情況下，引入隔墻103、104幾乎沒有增加成本，對(duì)于低成本化最為合適。作為印刷電路基板102，使用在FR4等樹脂基板上形成了基于銅箔的多層布線的結(jié)構(gòu)。作為TOSA108及ROSA109，例如使用由金屬制的TO-CAN和金屬或絕緣體的插座構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。作為撓性印刷基板106、107，使用在聚酰亞胺薄膜的兩個(gè)面上形成銅箔布線的結(jié)構(gòu)。接著，使用圖4圖6對(duì)本發(fā)明的作用以及效果進(jìn)行說明。在光收發(fā)模塊，在將邊緣連接器部分的縫隙開口部視為非常小的情況下，能夠?qū)⒈挥山饘贅?gòu)成的上部殼體以及下部殼體圍成的內(nèi)部空間視為由導(dǎo)體壁圍成的長方體空間，在如下式記載的頻率fr上具有固有模式。在這里，A是在長方體x方向的長度，B是在長方體y方向的長度，C是在長方體z方向的長度，c是在真空中的光速度，m、n、s分別為整數(shù)。針對(duì)各個(gè)固有模式，在對(duì)其進(jìn)行激勵(lì)的位置配置具有fr附近頻率的激勵(lì)源9的情況下，會(huì)在殼體內(nèi)部產(chǎn)生空腔諧振。當(dāng)為XFPMSA光收發(fā)模塊的情況下，外形尺寸由MSA規(guī)定，內(nèi)部空間的大小為從外部尺寸減去殼體厚度的值。例如內(nèi)部空間的尺寸為37mmxl6mmx5mm。這種情況下，根據(jù)三維電磁場(chǎng)仿真器的計(jì)算結(jié)果，固有模式頻率fr從低開始成為10.2GHz、12.3GHz、15.3GHz、......，可知固有模式頻率fr存在于10GHz附近。另外，將各固有模式記述為[mns]時(shí)，這些相當(dāng)于[IIO]、[210]、[310]......。由此，作為這些固有模式共同的特征，具有以下的性質(zhì)，(l)s=0，艮P，即使使內(nèi)部空間的z方向尺寸C發(fā)生變化，固有模式頻率fr也不變化，(2)在z方向(金屬殼體的內(nèi)側(cè)側(cè)面的垂直方向)產(chǎn)生表面電流。實(shí)際上由于在殼體內(nèi)部配置導(dǎo)電率為4左右的印刷電路基板，因此固有模式頻率fr與上式相比向低頻側(cè)移動(dòng)一些，但上述固有模式的產(chǎn)生能夠通過三維電磁場(chǎng)仿真器進(jìn)行計(jì)算來確認(rèn)。根據(jù)我們的研究，通過在殼體內(nèi)部的與y方向垂直的面、即在內(nèi)部空間的中央部的縱方向上設(shè)置隔墻，能夠?qū)⒐逃心Ｊ筋l率fr向低頻側(cè)移動(dòng)，并且，發(fā)現(xiàn)通過調(diào)整其高度能夠控制固有模式頻率fr。圖4表示根據(jù)三維電磁場(chǎng)仿真器計(jì)算出的本實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)的固有模式頻率fr基于隔墻而發(fā)生的變化。橫軸是印刷電路基板102和隔墻103、104的間隙的長度，縮小該長度，即隨著使隔墻的高度變高，固有模式[IIO]、[210](沒有圖示的[310])都能夠向低頻側(cè)移動(dòng)。這是由于該機(jī)械裝置通過隔墻103、104的引入，具有向y方向的矢量的電磁場(chǎng)迂回隔墻，產(chǎn)生與延長內(nèi)部空間的y方向的長度等價(jià)的效果。在圖5表示對(duì)將如本實(shí)施例1的隔墻設(shè)計(jì)在上部殼體、下部殼體的兩方上的情況與沒有引入隔墻的現(xiàn)有技術(shù)的情況(在圖2和圖3，除去上部隔墻103b和下部隔墻104的結(jié)構(gòu))的殼體的屏蔽效果進(jìn)行比較的圖表。通過使用三維電磁場(chǎng)仿真器，并將激勵(lì)源配置在印刷電路基板102上的驅(qū)動(dòng)器IC附近，對(duì)有/無殼體的情況下的遠(yuǎn)方的電磁場(chǎng)進(jìn)行比較來計(jì)算屏蔽效果。頻率設(shè)為9.95GHz。這是在SONET標(biāo)準(zhǔn)的9.95Gbit/s進(jìn)行動(dòng)作時(shí)應(yīng)該考慮的頻率。另外，在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器IC配置在連接TOSA108和印刷電路基板102的撓性印刷基板106的約12mm的后方。在仿真時(shí)使激勵(lì)源為10該驅(qū)動(dòng)器IC附近的位置而進(jìn)行了評(píng)價(jià)，但即使激勵(lì)源的位置是配置在印刷電路基板102上的其他不同的位置時(shí)(例如，即使是上部隔墻103b的ROSA109偵lj)，在得到的仿真結(jié)果上也不看出很大差異。隨著引入隔墻103b、104來縮小與印刷電路基板102的間隙的長度，屏蔽效果增強(qiáng)，當(dāng)使間隙為0.25mm1.0mm時(shí)，能夠得到30dB以上的屏蔽效果，當(dāng)間隙為0.5mm時(shí)改善效果最大，與現(xiàn)有技術(shù)比較能夠得到20dB以上的屏蔽效果的改善。即，在構(gòu)成僅以9.95Gbit/s進(jìn)行動(dòng)作的光收發(fā)模塊時(shí)，間隙的長度0.5mm為最佳值。圖6是表示本實(shí)施例1的頻率在9.95GHz、10.3GHz、10.7GHz的殼體的屏蔽效果的圖表。在10.3GHz，若使隔墻103b、104與印刷電路基板102之間的間隙為0.75mm1.5mm左右，則能夠得到30dB以上的屏蔽效果，在使間隙為l.Omm時(shí)能夠得到最大的屏蔽效果。即，在構(gòu)成僅以10千兆比特以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)("以太網(wǎng)"是注冊(cè)商標(biāo))的10.3Gbit/s進(jìn)行動(dòng)作的光收發(fā)模塊時(shí)，間隙長度l.Omm為最佳值。另外，在10.7Gbit/s的頻率下，在使該間隙為1.0mm2.0mm時(shí)能夠得到30dB以上的屏蔽效果。因此，如果在構(gòu)成與9.95Gbit/s、10.3Gbit/s、10.7Gbit/s的多比特率相對(duì)應(yīng)的光模塊的情況下，間隙的長度優(yōu)選為l.Omm。在本實(shí)施例1中如圖2和圖3所示，隔墻103b、104也可以不在上部殼體IOO和下部殼體101的內(nèi)部空間的中央部縱方向的整個(gè)上設(shè)置，而從收發(fā)隔墻103a的一端向x軸方向成為25mm左右的長度(相當(dāng)于圖3的箭頭131的長度)。根據(jù)我們的研究，確認(rèn)了如果隔墻103b、104從上述的收發(fā)隔墻103a的一端向x軸方向的長度是25mm以上，則能夠得到與本實(shí)施例所得到的特性大體相同的特性。當(dāng)然，也可以在整個(gè)內(nèi)部空間設(shè)置隔墻103b、104，在這種情況下也示出與上述相同的效果。另外，該屏蔽效果不依賴于收發(fā)隔墻103a和螺合部120的有無。根據(jù)上述實(shí)施例1，不縮小印刷電路基板的面積，即不減少最大搭載部件數(shù)而能夠調(diào)整在10GHz附近的固有模式的頻率。另外，沒有帶來因追加部件而導(dǎo)致的成本增加，而能夠提供對(duì)減少無用電磁波最佳的10Gbit/s用光收發(fā)模塊。[實(shí)施例2]ii通過圖7~圖9對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例2進(jìn)行說明。圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的下部殼體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖，圖8和圖9是表示示出本發(fā)明實(shí)施例2效果的、殼體的屏蔽效果的改善的圖表。本實(shí)施例的光收發(fā)模塊也是依據(jù)XFPMSA的，但與圖7所示的實(shí)施例l不同的是在下部殼體lll沒有設(shè)置隔墻以及使下部殼體111為鈑金加工品。在上部殼體100上與實(shí)施例1相同地設(shè)置有隔墻103(未圖示)。下部殼體111的材料使用不銹鋼板、鋼板等。圖8是對(duì)將如本實(shí)施例2的隔墻設(shè)置在上部殼體的情況、與沒有引入隔墻的現(xiàn)有技術(shù)的情況的殼體的屏蔽效果進(jìn)行比較的圖表。頻率是9.95GHz。在使上部隔墻103b與印刷布線基板102的間隙為0.25mm1.5mm的情況下，能夠得到20dB以上的屏蔽效果，在l.Omm時(shí)示出最大，與現(xiàn)有技術(shù)比較能夠得到不足40dB的屏蔽效果的改善。即，在構(gòu)成以9.95Gbit/s進(jìn)行動(dòng)作的SONET標(biāo)準(zhǔn)的光收發(fā)模塊時(shí)，間隙的長度l.Omm為最佳值。同樣，圖9是比較頻率為10.3GHz下的屏蔽效果的圖表。隨著縮小上部隔墻103b和印刷布線基板102的間隙，屏蔽效果增強(qiáng)，在0.5mm1.0mm時(shí)與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠得到20dB以上的屏蔽效果的改善，在間隙為0.5mm時(shí)能夠得到大約30dB左右的屏蔽效果的改善。即，在構(gòu)成以10.3Gbit/s進(jìn)行動(dòng)作的IO千兆比特以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)("以太網(wǎng)"是注冊(cè)商標(biāo))的光收發(fā)模塊時(shí)，間隙的長度0.5mm1.0miTi為最佳范圍，優(yōu)選為0.5mm。根據(jù)上述實(shí)施例2，不縮小印刷電路基板的面積，即不減少最大搭載部件數(shù)而能夠調(diào)整在lOGHz附近的固有模式頻率。并且，能夠在下部殼體上使用低成本的鈑金加工品，能夠提供低成本的、對(duì)無用電磁波的降低最佳的10Gbit/s用光收發(fā)模塊。通過圖10~圖15對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例3進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中也將x方向作為前方、將z方向作為上方來進(jìn)行說明。圖10是表示本發(fā)明實(shí)施例3的光收發(fā)模塊的外觀的結(jié)構(gòu)圖，圖11和圖12是表示本發(fā)明實(shí)施例3的光收發(fā)模塊的上下殼體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖，圖13表示本發(fā)明實(shí)施例3的光收發(fā)模塊的隔墻和印刷電路基板的位置關(guān)系的圖，圖14是說明本發(fā)明實(shí)施例3的效果的、表示殼體內(nèi)部的空腔諧振頻率的變化的圖表，圖15是表示本發(fā)12明實(shí)施例3的效果的、示出殼體的屏蔽效果的改善的圖表。首先，使用圖10圖13說明光收發(fā)模塊的構(gòu)成。實(shí)施例3是依據(jù)SFP+MSA(SFFCommittee,SFF-8341,SpecificationsforEnhanced8.5and10GigabitSmallFormFactorPluggableModule"SFP+，，，Revision2.0，26April2007)的光收發(fā)模塊，是比XFP更加向小型化發(fā)展的光收發(fā)模塊。在圖10中在外側(cè)主要由上部殼體200、下部殼體201、墊片209、以及把手210等構(gòu)成。在本實(shí)施例3的光收發(fā)模塊從后方插入到傳輸裝置并從前方插入光纖的連接器來使之進(jìn)行動(dòng)作。在圖11中，在上部殼體200的內(nèi)側(cè)設(shè)置上部隔墻203。上部隔墻203相對(duì)于y軸方向在中央部縱向配置。另外，在圖12中，在下部殼體201的內(nèi)側(cè)設(shè)置下部隔墻204。下部隔墻204相對(duì)于y軸方向在中央部縱向配置。圖13是在將實(shí)施例3的光收發(fā)模塊相對(duì)于y軸方向在中央部縱向地分割、即將隔墻203、204縱向分割的面的截面圖。在印刷電路基板202后方端面設(shè)置有邊緣連接器部205，所述邊緣連接器部205從上部殼體200和下部殼體201的后方的縫隙開口部向外部露出而被連接到傳輸裝置。印刷電路基板202的厚度為lmm。隔墻203、204設(shè)置在印刷電路基板202后方的、除去邊緣連接器部分的位置相當(dāng)?shù)姆秶?，其厚度?.2mm。隔墻203以及隔墻204與印刷電路基板202之間設(shè)置間隙來避免產(chǎn)生干擾。206和207是撓性印刷電路基板。上部殼體200與上部隔墻203以及下部殼體201與下部隔墻204的材料使用鋅、鋁等金屬。也可以通過切削成形，但通過壓鑄一體成形能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。印刷電路基板202使用在FR4等的樹脂基板上形成基于銅箔的多層布線的部件。撓性印刷基板206、207使用在聚酰亞胺薄膜的兩面上形成銅箔布線的部件。接著，使用圖14和圖15說明本實(shí)施例3的效果。圖14示出了通過三維電磁場(chǎng)仿真器算出的本實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)的固有模式頻率fr的變化。在20GHz附近存在固有模式[310]。橫軸是印刷電路基板202與隔墻203、204的間隙的長度。通過將該間隙變小、即隨著使隔墻的高度變高能夠?qū)⒐逃心Ｊ絒310]向低頻側(cè)移動(dòng)。可知通過調(diào)整其高度，能控制固有模式頻率fr。圖15示出了對(duì)將如本實(shí)施例3的隔墻設(shè)置在上部殼體、下部殼體的兩方的情況與沒有引入隔墻的現(xiàn)有技術(shù)的情況的殼體的屏蔽效果進(jìn)行比較的圖表。頻率設(shè)為20.6GHz。這是由于在IO千兆比特以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)("以太網(wǎng)"是注冊(cè)商標(biāo))的10.3GHz進(jìn)行動(dòng)作時(shí)，如上所述需要考慮在20GHz附近存在的固有模式[310]。隨著引入隔墻203、204來縮小與印刷電路基板202的間隙的長度，增強(qiáng)屏蔽效果，在0.25mm時(shí)示出最大，在0.5mm以下的范圍，與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠得到10dB以上的屏蔽效果的改善。通過上述實(shí)施例3，不縮小印刷電路基板的面積、即不減少最大搭載部件數(shù)而能夠調(diào)整20GHz附近的固有模式頻率。另外，基于追加部件的成本沒有增加，能夠以低成本提供對(duì)實(shí)現(xiàn)降低無用電磁波最佳的10Gbit/s用光收發(fā)模塊。盡管這里給出了一些本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但是應(yīng)當(dāng)理解可以對(duì)其進(jìn)行各種改善，當(dāng)這些改善落入本發(fā)明的主旨和范圍時(shí)，所附權(quán)利要求書的保護(hù)范圍包含了所有的這些改善。權(quán)利要求1、一種光收發(fā)模塊，其特征在于，包括具有導(dǎo)電性的上部殼體、具有導(dǎo)電性的下部殼體、印刷電路基板、光接收組件以及光發(fā)射組件，由該上部殼體和該下部殼體構(gòu)成內(nèi)部具有空腔的殼體，在該殼體的內(nèi)部配置該印刷電路基板、該光接收組件以及該光發(fā)射組件，將該印刷電路基板與該光接收組件以及該光發(fā)射組件電連接，在該殼體的前端部設(shè)置針對(duì)該光接收組件和該光發(fā)射組件的光信號(hào)的連接部，該印刷電路基板具有配置了電極的邊緣連接器，將該印刷電路基板的邊緣連接器部分從該殼體的后端部的縫隙開口部向外部伸展，在該上部殼體和該下部殼體中的一方或者兩方的長邊方向設(shè)置導(dǎo)電性的隔墻，將該隔墻配置在該上部殼體或者下部殼體的短邊方向的中央部、并且與所述印刷電路基板相對(duì)的位置。2、如權(quán)利要求l所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，將所述隔墻設(shè)置在所述上部殼體以及所述下部殼體兩方上，該隔墻與所述印刷電路基板的最小間隙為0.25mm以上l.Omm以下。3、如權(quán)利要求2所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述隔墻與所述印刷電路基板的最小間隙為0.5mm。4、如權(quán)利要求1所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，將所述隔墻設(shè)置在所述上部殼體以及所述下部殼體兩方上，該隔墻與所述印刷電路基板的最小間隙為0.75mm以上1.5mm以下。5、如權(quán)利要求4所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述隔墻與所述印刷電路基板的最小間隙為l.Omm。6、如權(quán)利要求1所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述上部殼體及下部殼體的外形結(jié)構(gòu)是依據(jù)MSA的XFP標(biāo)準(zhǔn)的樣式。7、如權(quán)利要求1所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述上部殼體及下部殼體中的至少一個(gè)是通過基于壓鑄的一體成形來制造的。8、如權(quán)利要求1所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，將所述隔墻僅設(shè)置于所述上部殼體，該隔墻與所述印刷電路基板的最小間隙為0.25mm以上1.5mm以下。9、如權(quán)利要求8所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述隔墻與所述印刷電路基板的最小間隙為l.Omm。10、如權(quán)利要求1所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，將所述隔墻僅設(shè)置于所述上部殼體，該隔墻與所述印刷電路基板的最小間隙為0.5mm以上l.Omm以下。11、如權(quán)利要求10所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述隔墻與所述印刷電路基板的最小間隙為0.5mm。12、如權(quán)利要求8所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述上部殼體及下部殼體的外形結(jié)構(gòu)是依據(jù)MSA的XFP標(biāo)準(zhǔn)的樣式。13、如權(quán)利要求8所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述下部殼體是通過鈑金加工來制造的。14、如權(quán)利要求l所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述上部殼體及下部殼體的外形結(jié)構(gòu)依據(jù)MSA的SFP+標(biāo)準(zhǔn)，將所述隔墻設(shè)置在所述上部殼體及所述下部殼體兩方上，該隔墻與所述印刷電路基板的最小間隙為0.5mm以下。15、如權(quán)利要求14所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述隔墻與所述印刷電路基板的最小間隙為0.25mm。16、如權(quán)利要求14所述的光收發(fā)模塊，其特征在于，所述上部殼體及下部殼體中的至少一個(gè)是通過基于壓鑄的一體成形來制造的。全文摘要本發(fā)明提供一種光收發(fā)模塊。提出了不增加成本而控制殼體內(nèi)部空間的固有模式頻率、能夠避開10GHz、20GHz的空腔諧振的金屬殼體結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)同時(shí)實(shí)現(xiàn)降低無用電磁波和低成本化的10Gbit/s用光收發(fā)模塊?？梢酝ㄟ^如下結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)，即在光收發(fā)模塊，由上部殼體(100)和下部殼體(101)構(gòu)成在內(nèi)部具有空腔的金屬殼體，對(duì)于上部殼體(100)和下部殼體(101)的兩方或者一方，在殼體的中央附近、與連接前方和后方的方向平行地設(shè)置金屬的隔墻(103)、(104)，調(diào)整隔墻(103)、(104)與印刷電路基板的間隙的長度。文檔編號(hào)G02B6/42GK101470235SQ20081017808公開日2009年7月1日申請(qǐng)日期2008年12月19日優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日發(fā)明者加賀谷修,北島康嗣,石井宏佳申請(qǐng)人:日本光進(jìn)株式會(huì)社