專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，涉及被稱為半透射型并在像素中具有 反射區(qū)域的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
所謂的半透射型的液晶顯示裝置在其各像素的區(qū)域具有透射區(qū) ^或禾口反射區(qū)i或而 一勾成。
在透射區(qū)域中，構(gòu)成為使從背光源通過各像素的液晶內(nèi)的透射光 照射到觀察者，在反射區(qū)域中，使由太陽光等外來光通過各像素的液 晶內(nèi)的反射光照射到觀察者。
這樣，具有如下效果，例如，能得到在室外能夠使背光源熄滅來 識(shí)別顯示圖像、并能謀求功耗的降低的液晶顯示裝置。
而且，由這樣的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的液晶顯示裝置，在其像素的反射區(qū)域 配置有由金屬構(gòu)成的反射板，該反射板兼作使液晶產(chǎn)生電場的 一 對電 極中的一個(gè)電極。
另外，使反射區(qū)域中的反射光發(fā)生漫反射而照射到觀察者與顯示
質(zhì)量的提高相關(guān)，因此，已知如下結(jié)構(gòu)上述反射板在形成反射板的 絕緣膜的表面預(yù)先形成有凹凸面，在覆蓋該凹凸面形成的上述反射板 的表面使上述凹凸面顯現(xiàn)出來。
由這樣的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的液晶顯示裝置例如在日本特開2007 _ 121587號(hào)公報(bào)中已公開。
另外，日本特開2007 - 121587號(hào)公報(bào)中公開的液晶顯示裝置具 有如下結(jié)構(gòu)在其像素的反射區(qū)域中，在上述反射板和隔著在該反射 板的上表面形成的電容絕緣膜與該電容絕緣膜的上表面的上述反射 板成對的另 一個(gè)電極之間形成儲(chǔ)存電容。

發(fā)明內(nèi)容
但是，已有人指出，在上述液晶顯示裝置中，由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的 儲(chǔ)存電容不能確保充分的電容量，對比度下降。
因此，為了提高該儲(chǔ)存電容的電容量，嘗試過使上述電容絕緣膜 的厚度形成得較薄，或在像素區(qū)域的 一部分上形成另 一個(gè)儲(chǔ)存電容。
在這種情況下，使用前者，則難以確保上述電容絕緣膜的表面的 平坦化，而使用后者，則不得不允許不能避免像素的開口率降低這一 缺陷。
另外，當(dāng)相對于現(xiàn)有的儲(chǔ)存電容形成另一個(gè)儲(chǔ)存電容時(shí)，存在與 之相應(yīng)地造成制造工時(shí)的增加的缺陷。
本發(fā)明的目的在于，提供一種具有較大的儲(chǔ)存電容而不破壞絕緣 膜的平坦化的液晶顯示裝置。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種具有較大的儲(chǔ)存電容而不會(huì)造 成像素的開口率降低的液晶顯示裝置。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種謀求了制造工時(shí)的減少的液晶 顯示裝置的制造方法。
本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于在基板上覆蓋有薄膜晶體 管且形成有保護(hù)膜的像素區(qū)域內(nèi)具有透射區(qū)域和反射區(qū)域，在上述反 射區(qū)域中，在上述保護(hù)膜的表面形成有凹凸面，并在形成有該凹凸面 的上述保護(hù)膜的表面形成有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成并通過形成于上述保 護(hù)膜的第一通孔而與上述薄膜晶體管的源電極電連接的電容電極；第 一電容絕緣膜；以及使形成于上述保護(hù)膜的上述凹凸面通過上述電容 電極和上述第一電容絕緣膜而顯現(xiàn)出來并且兼作對置電極的反射板， 在上述透射區(qū)域中，在上述保護(hù)膜的表面形成有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的 對置電極，在上述反射區(qū)域和上述透射區(qū)域具有覆蓋上述反射區(qū)域 和上述透射區(qū)域而形成的第二電容絕緣膜；和在上述第二電容絕緣膜 的上表面通過形成于上述第二電容絕緣膜的第二通孔而與上述薄膜晶體管的源電極電連接的、由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，形成于上述反射區(qū)域 的上述反射板和形成于透射區(qū)域的上述對置電極電連接。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，形成于反射區(qū)域的上 述反射板形成面狀電極，隔著上述第二電容絕緣膜而形成于上述反射 區(qū)域的上述像素電極形成多個(gè)排列設(shè)置的線狀電極。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，形成于在透射區(qū)域的 上述對置電極形成面狀電極，隔著上述第二電容絕緣膜而形成于上述 透射區(qū)域的上述像素電極形成多個(gè)排列設(shè)置的線狀電極。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，形成于上述保護(hù)膜的 第一通孔和形成于上述第二電容絕緣膜的第二通孔同軸形成。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，在配置有多個(gè)像素的 圖像顯示區(qū)域的周邊的至少一部分上配置有對置電壓共用信號(hào)線，上 述反射板與跨漏極信號(hào)線而相鄰的像素的反射板共用連接，其中漏極 信號(hào)線與上述薄膜晶體管的漏電極連接，該共用連接的上述反射板與 上述對置電壓共用信號(hào)線電連接。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，在配置有多個(gè)像素的 圖像顯示區(qū)域的周邊的至少一部分上配置有對置電壓共用信號(hào)線，上 述對置電極與跨漏極信號(hào)線而相鄰的像素的對置電極共用連接，其中 漏極信號(hào)線與上述薄膜晶體管的漏電極連接，該共用連接的上述對置 電極與上述對置電壓共用信號(hào)線電連接。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，上述基板由玻璃、石 英玻璃和塑料中的任意一種構(gòu)成。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，上述薄膜晶體管由底 部柵4及型或頂部柵纟及型構(gòu)成。
本發(fā)明的另一種液晶顯示裝置，具有隔著液晶而相對配置的第一 基板和第二基板，在上述第二基板的液晶側(cè)的面上形成有對置電極， 在上述第 一 基板的液晶側(cè)的面上覆蓋薄膜晶體管而形成有保護(hù)膜的 像素區(qū)域內(nèi)具有透射區(qū)域和反射區(qū)域，在上述反射區(qū)域中，在上述保護(hù)膜的表面形成有凹凸面，并在形成有該凹凸面的上述保護(hù)膜的表面
形成有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成并保持與上述對置電極相同的電位的電容 電極；第一電容絕緣膜；以及使形成于上述保護(hù)膜的上述凹凸面通過 上述電容電極和上述第一電容絕緣膜而顯現(xiàn)出來并且通過形成于上 述保護(hù)膜的通孔而與上述薄膜晶體管的源電極電連接的反射板，在上 述透射區(qū)域中，在上述保護(hù)膜的表面形成有通過上述通孔而與上述薄 膜晶體管的源電極電連接的由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，在上述反射區(qū)域中具 有覆蓋上述反射板而形成的第二電容絕緣膜。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，在配置有多個(gè)像素的 圖像顯示區(qū)域的周邊的至少一部分上配置有對置電壓共用信號(hào)線，上 述電容電極與跨漏極信號(hào)線而相鄰的像素的電容電極共用連接，其中 漏極信號(hào)線與上述薄膜晶體管的漏電極連接，該共用連接的上述電容 電極與上述對置電壓共用信號(hào)線電連接。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，上述基板由玻璃、石 英玻璃和塑料中的任意一種構(gòu)成。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，上述薄膜晶體管由底 部柵極型或頂部柵極型構(gòu)成。
本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于在像素的反射 區(qū)域中，依次形成在絕緣膜上形成的電容電極、在該電容電極上形成 的電容絕緣膜、以及在該電容絕緣膜上形成的反射板，并由這些電容 電極、電容絕緣膜以及反射板構(gòu)成儲(chǔ)存電容，上述電容絕緣膜和反射 板在依次形成了構(gòu)成上述電容絕緣膜的材料層和構(gòu)成上述反射板的 材料層之后，同時(shí)通過圖案形成而形成。
另外，在本發(fā)明的一種方式中，也可以是，在上述絕緣膜的表面 形成凹凸面，在形成了該凹凸面的上述絕緣膜的表面層疊上述電容電 極、上述電容絕緣膜以及上述反射板，上述反射板使形成于上述絕緣 膜的上述凹凸面通過上述電容電極和上述電容絕緣膜而顯現(xiàn)出來。
此外，本發(fā)明并不限定為以上結(jié)構(gòu)，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種變更。
這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置，具有較大的儲(chǔ)存電容而不破壞絕緣膜 的平坦化。
并且，能夠得到具有較大的儲(chǔ)存電容而不會(huì)造成像素的開口率降 低的液晶顯示裝置。
而且，按照上述液晶顯示裝置的制造方法，謀求了制造工時(shí)的減少。


圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的要部剖視
圖，是圖3的C-C'線處的剖視圖。
圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的等效電路圖。
圖3是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的俯視圖。
圖4是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的剖視 圖，是圖3的D-D'線處的剖視圖。
圖5A是表示第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法的一例的 工序圖。
圖5B是表示第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法的一例的 工序圖。
圖5C是表示第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法的一例的 工序圖。
圖5D是表示第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法的一例的 工序圖。
圖5E是表示第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法的一例的 工序圖。
圖6是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的一例的等效電路圖。 圖7A是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的像素的一例的結(jié)構(gòu)圖。圖7B是表示圖7A的C-C'線處的剖視圖。 圖7C是表示圖7A的D-D'線處的剖視圖。 圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置的等效電路圖。
圖9是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的俯視圖。
圖IO是表示圖9的E-E'線處的剖視圖
具體實(shí)施例方式
以下，使用

本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施方式。 (第一實(shí)施方式〉 (整體的等效電路)
圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置，是被稱為所謂的IPS (In Plane Switching:平面轉(zhuǎn)換)方式的液晶顯示裝置的等效電路圖。 圖2示出了在隔著液晶相對配置的一對基板中的一塊基板(用標(biāo)號(hào) SUB1表示)的液晶側(cè)的面上形成的等效電路圖。雖然圖2是等效電 路圖，但是與實(shí)際的幾何學(xué)配置相對應(yīng)地繪制的圖。
在圖2中，首先，在圖中y方向排列形成有在圖中x方向延伸形 成的柵極信號(hào)線GL。這些各柵極信號(hào)線GL在圖中左端側(cè):帔連接在 柵極驅(qū)動(dòng)器GDV上。在各柵極信號(hào)線GL上，由上述柵極驅(qū)動(dòng)器GDV 將掃描信號(hào)例如從上層的柵極信號(hào)線GL到下層的柵極信號(hào)線GL再 返回上層的柵極信號(hào)線GL來順次反復(fù)提供。
另外，在圖中x方向排列形成有在圖中y方向延伸形成的漏極信 號(hào)線DL。這些各漏極信號(hào)線DL在圖中上端側(cè)被連接在漏極驅(qū)動(dòng)器 DDV上。在各漏極信號(hào)線DL上，由上述漏極驅(qū)動(dòng)器DDV將圖像信 號(hào)與來自上述柵極驅(qū)動(dòng)器GDV的各掃描信號(hào)的提供定時(shí)一致地提供 給各漏極信號(hào)線DL。
由一對相鄰的棚-才及信號(hào)線GL和一對相鄰的漏才及信號(hào)線DL所圍 成的矩形區(qū)域?yàn)橄袼匦纬傻膮^(qū)域(像素區(qū)域圖中虛線框A內(nèi))，由這些像素區(qū)域的集合體構(gòu)成圖像顯示區(qū)域AR。
而且，如在像素結(jié)構(gòu)的后述說明中所明確的，在各像素區(qū)域具有
被劃分為區(qū)域的透射區(qū)域TR和反射區(qū)域RR。
在像素區(qū)域中，包括由來自與該像素區(qū)域相鄰的一條柵極信號(hào)線 GL的掃描信號(hào)導(dǎo)通的薄膜晶體管TFT、經(jīng)由該被導(dǎo)通的薄膜晶體管 TFT被提供來自與該像素區(qū)域相鄰的 一條漏極信號(hào)線DL的圖像信號(hào) 的像素電極PX、以及被提供相對于提供給該像素電極PX的上述圖像 信號(hào)(電壓)而成為基準(zhǔn)的信號(hào)(電壓)的對置電極CT。
在透射區(qū)域TR和反射區(qū)域RR均形成有上述像素電極PX,在此， 對形成于透射區(qū)域TR的像素電極PX將其標(biāo)號(hào)換成PX (t)表示， 對形成于反射區(qū)域RR的像素電極PX將其標(biāo)號(hào)換成PX (r)表示， 由此區(qū)別這些像素電極PX。
在本實(shí)施方式中為如下結(jié)構(gòu)在反射區(qū)域RR具有與上述像素電 極PX( t)、 PX( r)電連接的后述的儲(chǔ)存電容C3的 一個(gè)電容電極CTM。
該儲(chǔ)存電容C3的另一個(gè)電容電極成為反射區(qū)域RR中的對置電 極CT (r)。
這些像素電極PX (t)、 PX (r)在像素內(nèi)彼此電連接，在像素驅(qū) 動(dòng)時(shí)都處于相同電位。
另外，在透射區(qū)域TR和反射區(qū)域RR也都形成有上述對置電極 CT,在此，對形成于透射區(qū)域TR的對置電極CT將其標(biāo)號(hào)換成CT (t)表示，對形成于反射區(qū)域RR的對置電極CT將其標(biāo)號(hào)換成CT (r)表示，由此區(qū)別這些對置電極CT。
如上所述，反射區(qū)域RR中的對置電極CT (r)作為反射板起作 用，并作為后述的儲(chǔ)存電容C3的另一個(gè)電容電極起作用。
這些對置電極CT (t)、 CT (r)在像素內(nèi)彼此電連接，在像素驅(qū) 動(dòng)時(shí)都處于相同電位。
另外，這些對置電極CT(t)、 CT(r),例如經(jīng)由連接在漏極驅(qū) 動(dòng)器DDV上的例如在圖像顯示區(qū)域AR的圖中左側(cè)邊配置的對置電 壓共用信號(hào)線CCL、和與該對置電壓共用信號(hào)線CCL連接的例如與柵極信號(hào)線GL平行配置的對置電壓信號(hào)線CL被提供基準(zhǔn)信號(hào)。
另外，在透射區(qū)域TR中的像素電極PX (t)和對置電極CT (t) 之間形成有儲(chǔ)存電容C1和液晶電容C (Ll )，在反射區(qū)域RR中的像 素電極PX (r)和對置電極CT (r)之間形成有儲(chǔ)存電容C2、液晶電 容C (L2)以及4諸存電容C3。
此外，圖6是現(xiàn)有的液晶顯示裝置整體的等效電路圖，是與圖2 對應(yīng)繪制的圖。另外，用同 一標(biāo)號(hào)表示的部件是具有同 一功能的部件。
通過比較圖2和圖6可以明確，在圖2中，在反射區(qū)域RR中具 有儲(chǔ)存電容C3，同時(shí)，其一個(gè)電容電極與像素電極PX (t)、 PX(r) 連接而設(shè)置，另一個(gè)電容電極作為兼作反射板的對置電極CT(r), 而圖6中則是沒有設(shè)置上述儲(chǔ)存電容C3的結(jié)構(gòu)。
另外，在圖6所示的現(xiàn)有的液晶顯示裝置的像素中，其透射區(qū)域 TR和反射區(qū)域RR中的對置電極CT在透明導(dǎo)電層共用形成，在反射 區(qū)域RR中成為必需的反射板RS與上述對置電極CT直接重疊而形 成。
(像素的結(jié)構(gòu))
圖3是表示圖2的虛線框A內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)的一例的俯視圖。在圖 3中示出了對置電壓共用信號(hào)線CCL，也示出了該對置電壓共用信號(hào) 線CCL與該像素的對置電極CT (t)、 CT (r)的連接方式。另外， 圖1示出了圖3的C-C'線處的剖視圖，圖4示出了圖3的D-D '線處的剖視圖。
在圖3中，具有基板SUB1 (參照圖1、圖4),在該基板SUB1 的液晶側(cè)的表面上在圖中y方向排列形成有在圖中x方向延伸的柵極 信號(hào)線GL。
一對相鄰的4冊極信號(hào)線GL與后述的一對相鄰的漏才及信號(hào)線DL 一起劃出像素區(qū)域。
在此，該像素區(qū)域由劃分成區(qū)域的透射區(qū)域TR和反射區(qū)域RR 構(gòu)成，在本實(shí)施方式中，例如，在由與柵極信號(hào)線GL平行的線分成 兩部分的各區(qū)域中，以圖中下側(cè)為反射區(qū)域RR，上側(cè)為透射區(qū)域TR。在上述柵極信號(hào)線GL中的與上述反射區(qū)域RR相鄰的一側(cè)的柵 極信號(hào)線GL的一部分中，具有向反射區(qū)域RR側(cè)突出的延伸部，該 延伸部構(gòu)成后述的薄膜晶體管TFT的柵電極GT。
并且，在基板SUB1的表面上覆蓋上述柵極信號(hào)線GL (柵電極 GT)而形成有絕緣膜GI (參照圖1、圖4)。該絕緣膜GI在上述薄膜 晶體管TFT的形成區(qū)域作為該薄膜晶體管TFT的柵極絕緣膜起作用。
在上述絕緣膜GI的表面，跨上述柵電極GT而形成有島狀的半 導(dǎo)體層AS。該半導(dǎo)體層AS作為上述薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層起 作用，通過在該半導(dǎo)體層AS的上表面形成相互對置地配置的漏電極 DT和源電極ST,構(gòu)成所謂的反參差結(jié)構(gòu)(底部棚-才及型)的MIS型晶 體管。
MIS型晶體管，根據(jù)其偏壓的施加狀態(tài)交換漏電極DT和源電極 ST，但在說明書中，方便起見，將后述的與漏極信號(hào)線DL連接的一 側(cè)的電極作為漏電極DT,將后述的與l象素電才及PX連接的一側(cè)的電 極作為源電才及ST。
在上述絕緣膜GI的上表面，在圖中x方向排列形成有在圖中y 方向沿伸的漏極信號(hào)線DL 。
該漏極信號(hào)線DL在其一部分上具有一直形成到上述半導(dǎo)體層 AS的上表面的突出部，該突出部構(gòu)成上述薄膜晶體管TFT的漏電極 DT。
另外，薄膜晶體管TFT的源電極ST例如在形成上述漏極信號(hào)線 DL時(shí)同時(shí)形成，從上述半導(dǎo)體層AS的上表面到未形成該半導(dǎo)體層 AS的像素區(qū)域，以在該像素區(qū)域的大致中央部具有端部的方式延伸。
源電極ST的上述端部，構(gòu)成與后述的像素電極PX電連接的焊 盤部PD，并以4交大的面積形成。
另外，在圖像顯示區(qū)域AR的左側(cè)邊，形成有在圖中y方向延伸 的對置電壓共用信號(hào)線CCL。該對置電壓共用信號(hào)線CCL例如在形 成上述漏^L信號(hào)線DL (漏電4及DT)和源電才及ST (焊盤部PD)時(shí)同 時(shí)形成。在基板SUB1的上表面，覆蓋如上述那樣構(gòu)成的薄膜晶體管TFT、 對置電壓共用信號(hào)線CCL而層疊形成有例如由氮化硅膜構(gòu)成的無機(jī) 材料的第一絕緣膜IN1 (參照圖1、圖4)以及例如由丙烯酸膜構(gòu)成 的有機(jī)材料的第二絕緣膜IN2 (參照圖1、圖4)。
在這種情況下，第二絕緣膜IN2用涂敷法形成，在透射區(qū)域TR 中具有被平坦化的表面。
第一絕緣膜IN1和第二絕緣膜IN2的層疊膜，例如，作為避免使 薄膜晶體管TFT與液晶直接接觸并防止該薄膜晶體管TFT的特性退 化的保護(hù)膜起作用。
在此，上述第二絕緣膜IN2在其反射區(qū)域RR的表面形成有多個(gè) 分散的凹面(凸面)。該凹凸面是為了在將后述的反射板RS形成在上 述反射區(qū)域RR中時(shí)4吏該凹凸面在該反射一反RS的表面顯現(xiàn)出來而詔: 置的。
這是為了通過在該反射板RS上形成凹凸面而使被該反射板RS 反射的反射光發(fā)生漫反射。
另外，在上述第二絕緣膜IN2和上述第一絕緣膜IN1上，形成有 同軸的接觸孔TH1,由該接觸孔TH1使得上述焊盤部PD的中央部露 出。這是為了謀求通過該接觸孔TH1將后述的像素電極PX和上述薄 膜晶體管TFT的源電極ST電連接。
此外，在與上述對置電壓共用信號(hào)線CCL重疊的部分，形成有 在透射區(qū)域TR側(cè)的部分使該對置電壓共用信號(hào)線CCL的一部分露出 的接觸孔TH2、在反射區(qū)域RR側(cè)的部分使該對置電壓共用信號(hào)線 CCL的一部分露出的接觸孔TH3。
這是為了使透射區(qū)域TR的對置電極CT( t )通過上述接觸孔TH2 而與上述對置電壓共用信號(hào)線CCL連接，使反射區(qū)域RR的對置電極 GT (r)通過上述接觸孔TH3而與上述對置電壓共用信號(hào)線CCL連 接。
這些接觸孔TH2、接觸孔TH3例如在形成上述4妄觸孔TH1時(shí)同 時(shí)形成。在上述第二絕緣膜IN2的表面上，覆蓋上述接觸孔TH1、 TH2、 TH3而形成有例如由ITO (Indium Tin Oxide )構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜。
該透明導(dǎo)電膜的形成于透射區(qū)域TR的部分和形成于反射區(qū)域 RR的部分被物理分離，形成于透射區(qū)域TR的透明導(dǎo)電膜和形成于 反射區(qū)域RR的透明導(dǎo)電膜分別在電學(xué)上具有不同的功能。
即，形成于反射區(qū)域RR的透明導(dǎo)電膜通過上述接觸孔TH1而與 上述焊盤部PD電連接，并且僅在該反射區(qū)域RR形成為島狀，構(gòu)成 上述儲(chǔ)存電容C3的一個(gè)電極CTM。
構(gòu)成該儲(chǔ)存電容CTM的一個(gè)電極的透明導(dǎo)電膜覆蓋第二絕緣膜 IN2的形成了凹凸面的表面而形成，因此，在該透明導(dǎo)電膜的表面上， 上述凹凸面被顯現(xiàn)出來。
而在透射區(qū)域TR形成的上述透明導(dǎo)電膜不與上述焊盤部PD連 接而形成，作為該透射區(qū)域TR中的對置電極CT起作用。
而且，該對置電極CT與跨上述漏極信號(hào)線DL而在圖中x方向 相鄰的另一個(gè)像素的透射區(qū)域TR中的對置電極CT連接而形成。
因此，在圖中x方向相鄰的另一個(gè)像素的對應(yīng)的各對置電極CT 在該像素中具有作為對置電極的功能，并且具有作為圖2所示的對置 電壓信號(hào)線CL的功能。
這樣構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜，如上述那樣具有作為對置電壓信號(hào)線 CL的功能，所以，例如，在其左端側(cè)的上述通孔TH2的部分，與對 置電壓共用信號(hào)線CCL電連接。
在反射區(qū)域RR側(cè)的上述通孔TH3上^(又在該通孔TH3及其周邊 殘留形成有上述透明導(dǎo)電膜，由該透明導(dǎo)電膜形成第一連接體JL1。 在后面的說明中可以明確，上述第一連接體JL1成為i某求反射區(qū)域 RR的對置電極CT (r)和上述對置電壓共用信號(hào)線CCL連接時(shí)的一 個(gè)結(jié)構(gòu)要素。
在反射區(qū)域RR中，在作為上述儲(chǔ)存電容C3的一個(gè)電容電極CTM 而形成的透明導(dǎo)電膜的上方，以島狀形成有第一電容絕緣膜CINl(參 照圖1 )。該第一電容絕緣膜CIN1例如由氮化硅膜構(gòu)成，覆蓋上述電容電
極CTM的形成有凹凸面的表面而形成，因此，上述凹凸面在該第一 電容絕緣膜CIN1的表面被顯現(xiàn)出來。
另外，在上述第一電容絕緣膜CIN1的上表面覆蓋第一電容絕緣 膜CIN1而形成有反射板RS。該反射板RS例如由鋁構(gòu)成，覆蓋上述 第一電容絕緣膜CIN1的形成有凹凸面的表面而形成，因此，上述凹 凸面在該反射膜RS的表面被顯現(xiàn)出來。
該反射板RS與跨上述漏極信號(hào)線DL在圖中x方向相鄰的另一 個(gè)像素的反射區(qū)域RR中的反射板RS連接而形成。
該反射板RS在反射區(qū)域中作為對置電極CT (r)起作用，并且， 構(gòu)成將上述第 一 電容絕緣膜CIN1作為電介質(zhì)膜的上述儲(chǔ)存電容C3的 另一個(gè)電極，被施加相對于圖像信號(hào)而成為基準(zhǔn)的電壓。
因此，在排列于圖中x方向的各像素中共用連接的上述反射板 RS (對置電極CT (r))在其左端側(cè)與存在于其下層的上述第一電容 絕緣膜CIN1 —起， 一直延伸到上述對置電壓共用信號(hào)線CCL的形成 位置的附近而形成。如后述那樣，這是為了使該對置電極CT (r)電 連接在上述對置電壓共用信號(hào)線CCL上。
而且，在基^反SUB1的上表面，覆蓋上述反射板RS等而形成有 第二電容絕緣膜CIN2 (參照圖1、圖4)。該第二電容絕緣膜CIN2 例如由丙烯酸膜構(gòu)成的有機(jī)絕緣膜形成，其表面被平坦化而形成。
另外，這樣形成的第二電容絕緣膜CIN2形成有用于使上述焊盤 部PD的中央部露出的接觸孔TH4。因此，第二電容絕緣膜CIN2的 上述接觸孔TH4與形成于上述第一絕緣膜IN1和第二絕緣膜IN2的 層疊膜的接觸孔TH1大致同軸地形成。
進(jìn)而，在上述第二電容絕緣膜CIN2上，形成有用于使形成于上 述第一絕緣膜IN1和第二絕緣膜IN2的層疊膜的接觸孔TH3露出的 接觸孔TH5、和用于使在上述對置電壓信號(hào)線CCL的附近延伸而形 成的上述反射板RS (對置電極CT (r))的一部分露出的接觸孔TH6 (參照圖4)。該接觸孔TH5是為了使反射區(qū)域RR中的對置電極CT(r)與上述對置電壓共用信號(hào)線CCL電連接而形成。
在上述第二電容絕緣膜CIN2的表面覆蓋上述接觸孔TH4、 TH5、 TH6而形成有例如由ITO (Indium Tin Oxide )構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜。
該透明導(dǎo)電膜在反射區(qū)域RR和透射區(qū)域TR的每一個(gè)中，作為 通過上述接觸孔TH1、TH4而與上述薄膜晶體管TFT的源電極ST(焊 盤部PD)電連接的像素電極PX起作用。
即，在透射區(qū)域TR中形成有像素電極PX (t)，在反射區(qū)域RR 中形成有像素電極PX (r)。上述像素電極PX(t)、 PX(r)分別構(gòu)成 例如在圖中y方向延伸并在圖中x方向排列設(shè)置的線狀電極的電極 組，在反射區(qū)域RR和透射區(qū)域TR的邊界部，以通過上述接觸孔TH4、 TH1而連接在與上述焊盤部PD連接而形成的導(dǎo)體層CND上的圖案 構(gòu)成。
在這種情況下，上述像素電極PX (t)與對置電極CT (t)重疊 而形成，并形成將介于其間的第二電容絕緣膜CIN2作為電介質(zhì)膜的 儲(chǔ)存電容Cl,上述像素電極PX(r)與對置電極CT(r)重疊而形成， 并形成將介于其間的第二電容絕緣膜CIN2作為電介質(zhì)膜的儲(chǔ)存電容 C2。
形成于上述第二電容絕緣膜CIN2的上表面的透明導(dǎo)電膜在反射 區(qū)域RR側(cè)且在對置電壓信號(hào)線CCL的附近，覆蓋上述通孔TH5和 通孔TH6而構(gòu)成第二連接體JL2。
由此，反射區(qū)域RR中的對置電極CT(r),經(jīng)由上述第二連接體 JL2、第一連接體JLl與對置電壓信號(hào)線CCL電連接。
此外，圖7A~圖7C是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的像素的一個(gè)例 子的結(jié)構(gòu)圖，圖7A示出了俯視圖，圖7B示出了圖7A的C-C'線 處的剖視圖，圖7C示出了圖7A的D-D'線處的剖視圖。
圖7A是與圖3對應(yīng)的圖，圖7B是與圖l對應(yīng)的圖，圖7C是與 圖4對應(yīng)的圖，用同一標(biāo)號(hào)表示的部件為具有同一功能的部件。
通過與現(xiàn)有的液晶顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)進(jìn)行比較可以明確，在 本實(shí)施方式的像素中，新設(shè)置了第一電容絕緣膜CIN1。該第 一 電容絕緣膜CIN1是與透射區(qū)域TR的對置電極CT (t)同 時(shí)形成、并與該對置電極CT (t)物理分離且電分離的透明導(dǎo)電膜， 在與上述薄膜晶體管TFT的源電極ST(焊盤部PD)電連接而構(gòu)成的 電容電極CTM的上表面形成。
而且，在上述第一電容絕緣膜CIN1的上表面形成有兼作反射板 RS的對置電極CT(r)，該對置電極CT(r)作為與上述電容電極CTM 成對的另一個(gè)電容電極起作用，由此，構(gòu)成將上述第一電容絕緣膜 CIN1作為電介質(zhì)膜的儲(chǔ)存電容C3。
因此，按照本實(shí)施方式的像素的結(jié)構(gòu)，能夠形成新的儲(chǔ)存電容 C3而不使像素的占有面積增大，同時(shí)，能夠謀求儲(chǔ)存電容的增大。
另外，由上述電容電極CTM、上述第一電容絕緣膜CIN1、構(gòu)成 另一個(gè)電容電極的對置電極CT (r)的順次層疊的層疊體構(gòu)成的儲(chǔ)存 電容C3,具有形成于對置電極CT (r)的凹凸面在第一電容絕緣膜 CIN1和電容電極CTM上^皮原樣顯現(xiàn)出來的結(jié)構(gòu)。
因此，上述儲(chǔ)存電容C3具有實(shí)際上比被投影到平面上的面積大 的面積，由此，能夠增大儲(chǔ)存電容C3的電容值。 (制造方法)
圖5A 5E是表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法的一例 的工序圖，示出了相當(dāng)于圖1所示的剖面的部位的工序。以下，按工 序順序進(jìn)行"i兌明。
工序1 (參照圖5A)
準(zhǔn)備基板SUB1,在該基板SUB1的液晶側(cè)的面形成柵極信號(hào)線 GL，進(jìn)而覆蓋該柵極信號(hào)線GL形成絕緣膜GI。在圖5A中，示出了 與上述柵極信號(hào)線GL —體形成的柵電極GT。
然后，在上述絕緣膜GI的上表面以跨上述柵電極GT的方式形 成島狀的半導(dǎo)體層AS。該半導(dǎo)體層AS例如由非晶硅構(gòu)成，但并不限 于此，例如也可以是多晶硅。
進(jìn)而，形成漏極信號(hào)線DL和與該漏極信號(hào)線DL—體形成的漏 電極DT、以及源電極ST和與該源電極ST —體形成的焊盤部PD。工序2 (參照圖5B)
在基板SUB1的上表面例如用氮化硅膜形成第一絕緣膜IN1，進(jìn) 而，例如用丙烯酸膜形成第二絕緣膜IN2。
然后，在第二絕緣膜IN2的反射區(qū)域RR的表面利用例如基于使 用了半色調(diào)掩模的光刻技術(shù)的選擇蝕刻法形成使凸部(凹部)分散的 凹凸面DP。
進(jìn)而，形成貫通第二絕緣膜IN2和第一絕緣膜IN1的同軸的通孔 TH1，使焊盤部PD的中央部露出。在這種情況下，同時(shí)形成圖4所 示的通孔TH2、 TH3。
在第二絕緣膜1N2的上表面，覆蓋上述凹凸面DP、通孔TH1、 TH2、 TH3形成例如由ITO (Indium Tin Oxide)構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜。
然后，通過以預(yù)定的圖案形成該透明導(dǎo)電膜，在反射區(qū)域RR中 構(gòu)成通過上述通孔TH1而與上述焊盤部PD連接的儲(chǔ)存電容C3的一 個(gè)電容電極CTM,在透射區(qū)域TR構(gòu)成對置電極CT (t)。
在這種情況下，在以預(yù)定的圖案形成上述透明導(dǎo)電膜時(shí)，如圖4 所示，覆蓋通孔TH3而形成與對置電壓共用信號(hào)線電連接的第一連 接體JL1。進(jìn)而，上述對置電極CT (t)如圖4所示，通過通孔TH2 與對置電壓共用信號(hào)線CCL電連接。
工序3 (參照圖5C)
在基板SUB1的上表面，覆蓋上述透明導(dǎo)電膜，順次形成例如由 氮化硅膜構(gòu)成的第一電容絕緣膜CIN1和鋁膜，利用基于光刻技術(shù)的 選擇蝕刻將這些鋁膜和第一電容絕緣膜CIN1同時(shí)圖形化。
因此，在該制造方法中，不需要將上述第一電容絕緣膜單獨(dú)圖形 化，能夠謀求制造工時(shí)的減少。
上述第一電容絕緣膜CIN作為儲(chǔ)存電容C3的電介質(zhì)膜而構(gòu)成， 上述鋁膜作為反射區(qū)域RR中的對置電極CT (r)而構(gòu)成，該對置電 極CT ( r)作為反射板RS和上述儲(chǔ)存電容C3的另 一個(gè)電容電極而構(gòu) 成。
上述對置電極CT(r),在其表面上，形成于上述第二絕緣膜IN2的表面的凹凸面DP通過上述第一電容絕緣膜CIN1而顯現(xiàn)出來。
工序4 (參照圖5D)
在基板SUB1的上表面，覆蓋上述對置電極CT (t)、 CT (r)形 成例如由丙烯酸膜構(gòu)成的第二電容絕緣膜CIN2。
然后，在該第二電容絕緣膜CIN2上形成用于使上述焊盤部PD 的中央部露出的通孔TH2。由此，該通孔TNH2與形成于上述第一絕 緣膜IN1和第二絕緣膜1N2的層疊體的通孔TH1大致同軸而形成。 此時(shí)，同時(shí)形成圖4所示的通孔TH5。
在第二電容絕緣膜CIN2的上表面覆蓋上述通孔TH4形成例如由 ITO (Indium Tin Oxide )構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜，通過將該透明導(dǎo)電膜圖 形化，形成反射區(qū)域RR中的像素電極PX (r)、透射區(qū)域TR中的像 素電極PX (t)。
這些像素電極PX(r)、 PX (t)都通過上述通孔TH4、 TH1而與 上述薄膜晶體管TFT的源電極ST (焊盤部PD)電連接而形成。
此時(shí)，同時(shí)形成圖4所示的第二連接體JL2,由此，使反射區(qū)域 RR中的對置電極CT (r)經(jīng)由上述第二連接體JL2、第一連接體JL1 與對置電壓共用信號(hào)線CCL連接。
工序5 (參照圖5E)
在基板SUB1的上表面，覆蓋上述像素電極PX (t)、 PX (r)， 形成取向膜ORIl。該取向膜ORI1是與液晶LC直接接觸的膜，設(shè)定 該液晶LC的分子的初始耳又向方向。
然后，在基板SUB1的與液晶相反的一側(cè)的面配置偏振片POLl。 該偏振片POLl是為了使上述液晶LC的由電場引起的動(dòng)作可視化而 設(shè)置的。
在圖5E中，示出了與用上述工序而形成的基4反SUB1隔著液晶 LC相對配置的基一反SUB2。
該基才反SUB2，在其液晶側(cè)的面上形成有濾色片F(xiàn)IL，此外，；￡ 蓋該濾色片F(xiàn)IL而形成有耳又向膜ORI2。具有與上述耳又向膜ORI1相同 的功能。另夕卜，在基板SUB2的與液晶相反側(cè)的面上配置有偏振片POL2。 具有與上述偏光板P0L1相同的功能。 (第二實(shí)施方式) (整體的等效電路)
型的液晶顯示裝置的等效電路圖，與圖2對^應(yīng)地繪制。在圖8中，與 圖2所示的標(biāo)號(hào)相同的部件具有相同的功能。
被稱為TN型或VA型的液晶顯示裝置具有在與基板SUB1隔著 液晶相對配置的基板SUB2的液晶側(cè)的面上具備對置電極CT的結(jié)構(gòu)， 在圖8中，除了在基板SUB1側(cè)形成的電路以外，也一并繪出上述對 置電極CT。
在圖8中，與圖2的情況相比不同的結(jié)構(gòu)在于，首先，與薄膜晶 體管TFT的源電極ST連接的像素電極PX，其在形成于透射區(qū)域TR 的像素電極PX(t)中由透明導(dǎo)電膜形成，在形成于反射區(qū)域RR的 像素電極PX(r)中由反射板RS形成。
另外，使電場在上述像素電極PX之間產(chǎn)生的對置電極CT,在與 基板SUB1隔著液晶LC相對配置的另一個(gè)基板SUB2的該液晶LC 側(cè)的面上形成。
該對置電極CT經(jīng)由介于基板SUB1和基板SUB2之間的導(dǎo)體層 (未圖示)與對置電壓共用信號(hào)線CCL電連接，經(jīng)由該對置電壓共 用信號(hào)線CCL被提供對置電壓信號(hào)。
在上述像素電極PX( t )與對置電極CT之間形成液晶電容C( Ll )， 在上述像素電極PX (r)與對置電極CT之間形成液晶電容C (L2)。 此外，在基板SUB1側(cè)的像素的反射區(qū)域RR中，形成與上述對 置電壓共用信號(hào)線CCL電連接的電容電極CTM,該電容電極CTM 在反射區(qū)域RR的與像素電極PX (r)之間形成儲(chǔ)存電容C。 (像素的結(jié)構(gòu))
圖9是表示圖8的虛線框B內(nèi)的像素的結(jié)構(gòu)的一例的俯視圖。在 圖3中示出了對置電壓公用信號(hào)線CCL，并示出了該對置電壓共用信號(hào)線CCL與該像素的電容電極CTM的連接方式。另外，在圖10中 示出了圖9的E-E'線處的剖視圖。
圖9與圖3對應(yīng)地繪制，圖10與圖1對應(yīng)地繪制。在圖9、圖 10中，與圖3、圖1相同標(biāo)號(hào)的部件具有相同的功能。
在圖9、圖10中，在基板SUB1的上表面覆蓋薄膜晶體管TFT 而形成有第 一 緣膜IN1 、第二絕緣膜1N2,在該第二絕緣膜IN2的 反射區(qū)域RR的表面形成有凹凸面DP,而且在該第一絕緣膜IN1、第 二絕緣膜IN2的層疊體上形成有使焊盤部PD的中央部露出的通孔 TH1,以上結(jié)構(gòu)與圖3、圖l的情況相同。
因此，與薄膜晶體管TFT的漏電極一體形成的漏極信號(hào)線DL、 在形成該漏極信號(hào)線DL時(shí)同時(shí)形成的對置電壓信號(hào)線CCL也形成在 第一絕緣膜IN1、第二絕緣膜IN2的層疊體之下，與圖3、圖1的情 況相同。
而且，在上述第二絕緣膜IN2的上表面，形成有例如由ITO (Indium Tin Oxide)構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電膜在透射區(qū)域 TR中構(gòu)成像素電極PX (t)，在反射區(qū)域RR中構(gòu)成電容電極CTM。 上述像素電極PX (t)通過上述通孔TH而與上述焊盤部PD電連接， 與上述電容電極CTM物理分離而形成電絕纟彖。
上述電容電極CTM與跨漏極信號(hào)線DL在圖中x方向相鄰的像 素的該電容電極CTM共用地形成，其圖中左端側(cè)通過形成于第一絕 緣膜IN1、第二絕緣膜IN2的層疊體的通孔TH3與上述對置電壓信號(hào) 線CCL電連接。該通孔TH3例如在形成上述通孔TH1時(shí)同時(shí)形成。
上述電容電極CTM,在其表面，形成于上述第二絕緣膜IN2的 表面的凹凸面DP^皮顯現(xiàn)出來。
在上述電容電極CTM的上表面，至少在與后述的反射板RS重 疊形成的區(qū)域中形成有例如由氮化硅膜構(gòu)成的第 一 電容絕緣膜CIN1 (參照圖10)。該第一電容絕緣膜CIN1作為上述儲(chǔ)存電容C的電介 質(zhì)膜起作用。該第一電容絕緣膜CIN1,在其表面，形成于上述第二 絕緣膜IN2的表面的凹凸面DP通過上述電容電極CTM而纟皮顯現(xiàn)出來。
而且，在反射區(qū)域RR,形成有例如由鋁構(gòu)成的反射板RS。該反 射板RS覆蓋上述通孔TH1而形成，由此，與薄膜晶體管TFT的源 電極ST電連接，作為反射區(qū)域RR中的像素電極PX (r)起作用。
另外，上述反射板RS,在其表面，形成于上述第二絕緣膜IN2 的表面的凹凸面DP通過上述電容電才及CTM和上述第一電容絕緣膜 CIN1而一皮顯現(xiàn)出來。由此，入射到該反射板RS的光發(fā)生漫反射而祐: 反射。
另外，在反射區(qū)域RR，覆蓋上述像素電極PX (r)(反射板RS) 而形成有例如由丙烯酸膜構(gòu)成的第二電容絕緣膜CIN2 。
在上述像素電極PX (r)和后述的形成于基板SUB2的液晶側(cè)的 面的對置電極CT之間配置該第二電容絕緣膜C1N2，使得與液晶LC 一起在上述像素電極PX( r )和對置電極CT之間形成儲(chǔ)存電容C( L2 )。
另外，該第二電容絕緣膜CIN2,使反射區(qū)域RR的液晶LC的層 厚約為透射區(qū)域TR的液晶LC的層厚的1/2,由此，具有使反射區(qū)域 RR中的液晶LC內(nèi)的光往返所需的光程長與透射區(qū)域TR中的液晶 LC內(nèi)的光的光程長大致相等的功能。
而且，在這樣構(gòu)成的基板SUB1的表面形成有取向膜ORIl。該 取向膜0RI1是與液晶LC直接接觸的膜，確定液晶LC的分子的初始 取向。
在這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置中，能夠形成新的儲(chǔ)存電容C，而不 會(huì)增大像素的占有面積，同時(shí)，能夠謀求儲(chǔ)存電容的增大
另外，由上述電容電極CTM、上述第一電容絕緣膜CIN1、構(gòu)成 另一個(gè)電容電極的像素電極PX (r)的順次層疊的層疊體構(gòu)成的儲(chǔ)存 電容C,具有形成于電容電極CTM的凹凸面通過第一電容絕緣膜 CIN1而在上述像素電極PX (r)上原樣被顯現(xiàn)出來的結(jié)構(gòu)。
因此，上述儲(chǔ)存電容C具有實(shí)際上比投影到平面上的面積大的面 積，由此，能夠增大儲(chǔ)存電容C的電容值。
在圖10中，示出了與基板SUB1隔著液晶LC相對配置的基板SUB2。
該基板SUB2在其液晶側(cè)的面上形成有濾色片F(xiàn)IL,而且，覆蓋 該濾色片F(xiàn)IL而形成有例如由ITO構(gòu)成的對置電才及CT。如上所述， 該對置電極CT經(jīng)由介于像素顯示區(qū)域AR的外側(cè)的基板SUB1和基 板SUB2之間的導(dǎo)電層連接在上述對置電壓共用信號(hào)線CCL上。
進(jìn)而，在上述基板SUB2的液晶側(cè)的面上，覆蓋上述對置電極 CT而形成有取向膜ORI2。并且，在與基板SUB2的液晶相反側(cè)的面 上配置有偏振片POL2。 (變形例)
在上述實(shí)施方式中，基板SUB1、 SUB2都由玻璃構(gòu)成。但并不 限于此，例如也可以是石英玻璃或塑料等其它絕緣基板。
在對基板使用了石英玻璃的情況下，可以提高處理溫度，能夠使 薄膜晶體管的柵極絕緣膜致密，因此，具有使該薄膜晶體管的可靠度 提高的效果。另外，在對基板使用了塑料的情況下，具有能夠獲得輕 便且抗沖擊性優(yōu)良的液晶顯示裝置。
在上述實(shí)施方式中，示出了所謂的底部柵極型的薄膜晶體管 TFT,但不限于此，也可以是頂部4冊極型的薄膜晶體管TFT。
另夕卜，作為薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層不限于非晶硅，也可以是 多晶硅等。
上述實(shí)施例和變形例也可以單獨(dú)或組合使用。這是因?yàn)槟軌蚴垢?個(gè)效果單獨(dú)或協(xié)同實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示裝置，其特征在于在基板上覆蓋有薄膜晶體管而形成有保護(hù)膜的像素區(qū)域內(nèi)具有透射區(qū)域和反射區(qū)域，在上述反射區(qū)域中，在上述保護(hù)膜的表面形成有凹凸面，并在形成有該凹凸面的上述保護(hù)膜的表面形成有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成并通過形成于上述保護(hù)膜的第一通孔而與上述薄膜晶體管的源電極電連接的電容電極；第一電容絕緣膜；以及使形成于上述保護(hù)膜的上述凹凸面通過上述電容電極和上述第一電容絕緣膜而顯現(xiàn)出來并且兼作對置電極的反射板，在上述透射區(qū)域中，在上述保護(hù)膜的表面形成有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的對置電極，在上述反射區(qū)域和上述透射區(qū)域具有覆蓋上述反射區(qū)域和上述透射區(qū)域而形成的第二電容絕緣膜；和在上述第二電容絕緣膜的上表面通過形成于上述第二電容絕緣膜的第二通孔而與上述薄膜晶體管的源電極電連接的、由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 形成于上述反射區(qū)域的上述反射板和形成于透射區(qū)域的上述對置電^1電連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 形成于反射區(qū)域的上述反射板形成面狀電極，隔著上述第二電容絕緣膜而形成于上述反射區(qū)域的上述像素電極形成多個(gè)排列設(shè)置的 線狀電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 形成于透射區(qū)域的上述對置電極形成面狀電極，隔著上述第二電容絕緣膜而形成于上述透射區(qū)域的上述像素電極形成多個(gè)排列設(shè)置 的線狀電極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 形成于上述保護(hù)膜的第一通孔和形成于上述第二電容絕緣膜的第二通孔同軸形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于在配置有多個(gè)像素的圖像顯示區(qū)域的周邊的至少 一部分上配置 有對置電壓共用信號(hào)線，上述反射板與跨漏極信號(hào)線而相鄰的像素的 反射板共用連接，其中漏極信號(hào)線與上述薄膜晶體管的漏電極連接， 該共用連接的上述反射板與上述對置電壓共用信號(hào)線電連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于在配置有多個(gè)像素的圖像顯示區(qū)域的周邊的至少 一部分上配置 有對置電壓共用信號(hào)線，上述對置電極與跨漏極信號(hào)線而相鄰的像素 的對置電極共用連接，其中漏極信號(hào)線與上述薄膜晶體管的漏電極連 接，該共用連接的上述對置電極與上述對置電壓共用信號(hào)線電連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述基板由玻璃、石英玻璃和塑料中的任意一種構(gòu)成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述薄膜晶體管由底部柵極型或頂部柵極型構(gòu)成。
10. —種液晶顯示裝置，其特征在于具有隔著液晶而相對配置的第 一基板和第二基板， 在上述第二基板的液晶側(cè)的面上形成有對置電極， 在上述第 一基板的液晶側(cè)的面上覆蓋薄膜晶體管而形成有保護(hù) 膜的像素區(qū)域內(nèi)具有透射區(qū)域和反射區(qū)域，在上述反射區(qū)域中，在上述保護(hù)膜的表面形成有凹凸面，并在形 成有該凹凸面的上述保護(hù)膜的表面形成有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成并保持 與上述對置電極相同的電位的電容電極；第一電容絕緣膜；以及使形 成于上述保護(hù)膜的上述凹凸面通過上述電容電極和上述第一電容絕 緣膜而顯現(xiàn)出來并且通過形成于上述保護(hù)膜的通孔而與上述薄膜晶 體管的源電極電連接的反射板，在上述透射區(qū)域中，在上述保護(hù)膜的表面形成有通過上述通孔而與上述薄膜晶體管的源電極電連接的由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極。
11. 根據(jù)上述權(quán)利要求IO所述的液晶顯示裝置，其特征在于 在上述反射區(qū)域中具有覆蓋上述反射板而形成的第二電容絕緣膜。
12. 根據(jù)上述權(quán)利要求IO所述的液晶顯示裝置，其特征在于 在配置有多個(gè)像素的圖像顯示區(qū)域的周邊的至少 一部分上配置有對置電壓共用信號(hào)線，上述電容電極與跨漏極信號(hào)線而相鄰的像素 的電容電極共用連接，其中漏極信號(hào)線與上述薄膜晶體管的漏電極連 接，該共用連接的上述電容電極與上述對置電壓共用信號(hào)線電連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述基板由玻璃、石英玻璃和塑料中的任意一種構(gòu)成。
14. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述薄膜晶體管由底部柵極型或頂部棚-才及型構(gòu)成。
15. —種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置，在像素的 反射區(qū)域中，依次形成在絕緣膜上形成的電容電極、在該電容電極上 形成的電容絕緣膜、以及在該電容絕緣膜上形成的反射板，并由這些 電容電極、電容絕緣膜以及反射板構(gòu)成儲(chǔ)存電容，上述液晶顯示裝置的制造方法的特征在于上述電容絕緣膜和反射板通過將構(gòu)成上述電容絕緣膜的材料層 和構(gòu)成上述反射板的材料層依次形成之后，同時(shí)圖案形成而形成。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征 在于在上述絕緣膜的表面形成凹凸面，在形成了該凹凸面的上述絕緣 膜的表面層疊上述電容電極、上述電容絕緣膜以及上述反射板，上述反射板使形成于上述絕緣膜的上述凹凸面通過上述電容電 極和上述電容絕緣膜而顯現(xiàn)出來。
全文摘要
一種液晶顯示裝置，在基板上覆蓋有薄膜晶體管且形成有保護(hù)膜的像素區(qū)域內(nèi)具有透射區(qū)域和反射區(qū)域，在反射區(qū)域中，在保護(hù)膜的表面形成有凹凸面，并在形成有該凹凸面的保護(hù)膜的表面形成有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成并通過形成于保護(hù)膜的第一通孔而與薄膜晶體管的源電極電連接的電容電極；第一電容絕緣膜；以及使形成于保護(hù)膜的凹凸面通過電容電極和第一電容絕緣膜而顯現(xiàn)出來并且兼作對置電極的反射板，在透射區(qū)域中，在保護(hù)膜的表面形成有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的對置電極，在反射區(qū)域和透射區(qū)域具有覆蓋反射區(qū)域和透射區(qū)域而形成的第二電容絕緣膜；和在第二電容絕緣膜的上表面通過形成于第二電容絕緣膜的第二通孔而與薄膜晶體管的源電極電連接的由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101424853SQ20081017463
公開日2009年5月6日 申請日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月1日
發(fā)明者豐田善章, 小島恭子, 山口伸也, 石田猛 申請人:株式會(huì)社日立顯示器