專利名稱：透反式lcd單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種透反式液晶顯示(LCD)單元，具體地涉及一種 在每個(gè)像素中包括反射區(qū)域和透射區(qū)域105的透反式LCD單元，其中液 晶(LC)在反射區(qū)域中由縱向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，在透射區(qū)域105中由橫向電場(chǎng) 驅(qū)動(dòng)。
背景技術(shù)：
公知使用諸如IPS (in-plane-switching:共面切換)模式或FFS (fringe-field-switching:邊緣場(chǎng)切換)模式的橫向電場(chǎng)模式的透反式 LCD單元在透射區(qū)域105中具有優(yōu)良的視角特性。例如，在專利公開(kāi)-1 中描述了該類型的透反式LCD單元。然而，專利公開(kāi)-l中描述的該透反 式LCD單元具有下述問(wèn)題，即，即使在其中調(diào)整光軸，在反射區(qū)域中 也不能獲得滿意的黑色或暗態(tài)。
在非專利公開(kāi)-l中描述了另一種LCD單元，其在反射區(qū)域中使用 縱向電場(chǎng)模式，在透射區(qū)域105中使用橫向電場(chǎng)模式。在該LCD單元中， 反射區(qū)域包括具有A /2膜和入/4膜功能的內(nèi)嵌延遲膜和具有入/2膜功能 的LC層，從LCD單元的光入射側(cè)向光發(fā)射側(cè)看，上述內(nèi)嵌延遲膜和LC 層是連續(xù)地布置的。在LCD單元的操作中，入射到LCD單元的光通過(guò) 內(nèi)嵌延遲膜轉(zhuǎn)換為圓偏振光，然后在暗態(tài)顯示時(shí)，穿過(guò)LC層，到達(dá)反 射區(qū)域中設(shè)置的反射膜，而同時(shí)保持圓偏振狀態(tài)。在此階段，由于縱 向電場(chǎng)而使LC層取向?yàn)榇怪庇诨宓姆较?，由此入射到LC層上的光的 偏振沒(méi)有改變。這防止在反射區(qū)域中產(chǎn)生不充分的黑色，這在由橫向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的反射區(qū)域中是重要的問(wèn)題。因而，LCD單元表現(xiàn)出極好的 黑色。
在包括由縱向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的反射區(qū)域的LCD單元中，暗態(tài)(黑色) 顯示需要施加電壓，從而通過(guò)縱向電場(chǎng)將反射區(qū)域中的LC層的取向提 高到與基板垂直的方向。另一方面，因?yàn)橥干鋮^(qū)域105具有與使用橫向 電場(chǎng)模式的透射式LCD裝置中的光軸的布置類似的光軸的布置，所以 透射區(qū)域105沒(méi)有施加電壓。為了實(shí)現(xiàn)將電壓施加到反射區(qū)域，且在透 射區(qū)域105中沒(méi)有施加電壓，在每個(gè)單位像素中都設(shè)置兩個(gè)分離的公共 電極是有效的 一個(gè)用于反射區(qū)域，另一個(gè)用于透射區(qū)域105，分離的 公共電極由其間具有反轉(zhuǎn)關(guān)系的各驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)。該技術(shù)在下文中被 稱作反轉(zhuǎn)-COM技術(shù)。
圖15示出使用反轉(zhuǎn)-COM技術(shù)驅(qū)動(dòng)的透射式LCD單元的單位像素 的截面圖，其中單位像素包括由縱向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的反射區(qū)域210和由橫向 電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的透射區(qū)域211。在底部側(cè)示出，在TFT (薄膜晶體管)基板 201的反射區(qū)域210中的絕緣膜204上形成反射區(qū)域像素電極205。在同 一絕緣膜204上，在TFT基板201的透射區(qū)域211中設(shè)置有透射區(qū)域像素 電極207和透射區(qū)域公共電極206中的至少一個(gè)。在與TFT基板210相對(duì) 的對(duì)向基板202上，在與反射區(qū)域像素電極205的位置對(duì)應(yīng)的位置處設(shè) 置有反射區(qū)域公共電極209，由此在從與基板垂直的方向上看反射區(qū)域 公共電極209與反射區(qū)域像素電極205重疊，其中在TFT基板210和對(duì)向 基板202之間插有LC層203 。
夾在TFT基板201與對(duì)向基板202之間的LC層203均一取向。例如， 反射區(qū)域公共電極209和透射區(qū)域公共電極206施加有具有5V較高電勢(shì) 和零伏較低電勢(shì)的矩形波形電壓。反射區(qū)域像素電極205和透射區(qū)域像 素電極207經(jīng)由切換裝置或TFT連接到數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線提供用于給單 位像素的LC層203提供需要的電場(chǎng)的信號(hào)。在圖15中所示的LCD單元中，反射區(qū)域中LC分子的取向必須與基
板垂直的方向?qū)R，需要在反射區(qū)域公共電極209與反射區(qū)域像素電極 205之間施加電勢(shì)差。因而，例如，當(dāng)給反射區(qū)域公共電極209施加0伏 信號(hào)時(shí)，給反射區(qū)域像素電極205施加5伏信號(hào)。另一方面，由于反轉(zhuǎn) -COM技術(shù)，給透射區(qū)域公共電極206施加與施加到反射區(qū)域公共電極 209的信號(hào)反轉(zhuǎn)的信號(hào)，即5伏信號(hào)，并且與反射區(qū)域像素電極205類似 地，給透射區(qū)域像素電極207施加5伏信號(hào)。因而，在透射區(qū)域公共電 極206與透射區(qū)域像素電極207之間沒(méi)有電勢(shì)差，從而允許LC分子保持 在原始取向，從而透射區(qū)域105顯示暗態(tài)。
上述的專利公開(kāi)-l是JP-2005-338256A (參照0013-0022段)。
上述的非專利公開(kāi)-l是"SID INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, issued by SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY in 2007;VOL.38;No.2,pp. 1270-1273"。
在圖15中所示的LCD單元中，在暗態(tài)顯示的過(guò)程中，由于反射區(qū) 域與透射區(qū)域105之間的邊界附近的LC分子的取向的擾動(dòng)，存在產(chǎn)生泄 漏光的可能性。這是因?yàn)榉瓷鋮^(qū)域公共電極209與形成在TFT基板201 上的透射區(qū)域公共電極206或透射區(qū)域像素電極207之間在任何時(shí)候都 會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)，其中反射區(qū)域公共電極209形成在對(duì)向基板202上的與反 射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中。
圖16示出用于獲得圖15中所示的LCD單元中的電場(chǎng)的分布而進(jìn)行 的模擬的結(jié)果。參考標(biāo)號(hào)212和213分別表示LC分子和等電位線213。因 為在反射區(qū)域210與透射區(qū)域211之間的邊界附近，其中LC層203插在反 射區(qū)域210與透射區(qū)域211之間，反射區(qū)域公共電極209在斜向方向上與 透射區(qū)域公共電極206或透射區(qū)域像素電極207相對(duì)，所以LC層203中的 靠近反射區(qū)域公共電極209的LC分子212施加有相對(duì)于基板斜向的，即 如圖16中LC分子212的光軸所示在方向上斜向右下的電場(chǎng)。該斜向的電場(chǎng)導(dǎo)致了反射區(qū)域210的在邊界附近的部分中的反向傾斜，由此產(chǎn)生泄 漏光。在暗態(tài)顯示的過(guò)程中泄漏光增加了反射區(qū)域210中的亮度(黑色
亮度)，由此降低了LCD單元的對(duì)比度和可視性。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上面的問(wèn)題，本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種能抑制在反射區(qū)域與
透射區(qū)域之間的邊界附近的泄漏光的透反式LCD單元。
本發(fā)明提供了一種透反式液晶顯示(LCD)單元，其包括液晶 (LC)層；在其間夾持LC層以在LC層中限定像素陣列的第一和第二基 板，所述像素中的每個(gè)都包括反射區(qū)域和透射區(qū)域；電極組件，用于 驅(qū)動(dòng)LC層，從而以縱向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)反射區(qū)域中的LC層，以橫向電場(chǎng) 模式驅(qū)動(dòng)透射區(qū)域中的LC層；和設(shè)置在反射區(qū)域與透射區(qū)域之間的邊 界附近的反向傾斜控制部件，用于控制反向傾斜區(qū)域，其中LC分子的 反向傾斜發(fā)生在LC層中反向傾斜區(qū)域中。
本發(fā)明以上和其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將從下面參照附圖的描述 變得更加顯而易見(jiàn)。


圖1A和圖1B分別是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的透反式LCD單元中 的TFT基板和對(duì)向基板的俯視平面圖2是第一實(shí)施例的LCD單元的單位像素的截面圖，其顯示了反射 區(qū)域與透射區(qū)域105之間的邊界附近；
圖3是顯示通過(guò)在圖2的LCD單元中的模擬而獲得的電場(chǎng)分布的示
意圖4是顯示反射區(qū)域中LC層的厚度與防止產(chǎn)生反向傾斜的最小延 伸之間的關(guān)系的曲線；
圖5A和5B分別是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的透反式LCD單元中的 TFT基板和對(duì)向基板的俯視平面圖；圖6是第二個(gè)實(shí)施方式的LCD單元的單位像素的截面圖，其顯示了 反射區(qū)域與透射區(qū)域105之間的邊界附近；
圖7是顯示通過(guò)在圖6的LCD單元中的模擬而獲得的電場(chǎng)分布的示
意圖8A和8B分別是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的透反式LCD單元中的 TFT基板和對(duì)向基板的俯視平面圖9是第三實(shí)施例的LCD單元的單位像素的截面圖，其顯示了反射 區(qū)域與透射區(qū)域之間的邊界附近；
圖10是顯示通過(guò)在圖9的LCD單元中的模擬而獲得的電場(chǎng)分布的
示意圖11A和11B分別是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的透反式LCD單元中 的TFT基板和對(duì)向基板的俯視平面圖12是第四實(shí)施例的LCD單元的單位像素的截面圖，其顯示了反 射區(qū)域與透射區(qū)域之間的邊界附近；
圖13是顯示通過(guò)在圖12的LCD單元中的模擬而獲得的電場(chǎng)分布的 示意圖14是顯示通過(guò)在從圖12的LCD單元修改得到的LCD單元中的模
擬而獲得的電場(chǎng)分布的另一示意圖15是現(xiàn)有技術(shù)的透反式LCD單元中的單位像素的截面圖； 圖16是顯示圖15的LCD單元的電場(chǎng)分布的示意圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中用類似的參 考標(biāo)號(hào)表示類似的元件。
圖1A和圖1B以俯視平面圖分別顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的 透反式LCD單元中的TFT基板和對(duì)向基板。圖2以截面圖顯示了圖1的透 反式LCD單元。本實(shí)施例的透反式LCD單元在每個(gè)單位像素中都包括 反射區(qū)域104和透射區(qū)域105，其中以縱向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)反射區(qū)域104中 的LC層103，以橫向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)透射區(qū)域105中的LC層。在LCD單元的整個(gè)屏幕區(qū)域之上將單位像素的陣列安排為矩陣。
TFT基板101和對(duì)向基板102彼此相對(duì)，而LC層103插入TFT 基板101和對(duì)向基板102之間。由在行方向上延伸的兩條相鄰的掃描 線111和在列方向上延伸的兩條相鄰的數(shù)據(jù)線112限定單位像素。本 實(shí)施例的透反式LCD單元可用作蜂窩電話、便攜式數(shù)字助理(PDA) 等中的顯示單元。
TFT基板101包括玻璃基板(透明基板)120和在其上形成的用 于驅(qū)動(dòng)單位像素以在屏幕上顯示圖像的層結(jié)構(gòu)。在TFT基板101上形
成的層結(jié)構(gòu)包括用于傳送掃描信號(hào)或柵極信號(hào)的掃描線111、用于接收 數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線112、用于接收在透射區(qū)域105中使用的參考電勢(shì)的 透射區(qū)域公共電極線113、連接到透射區(qū)域公共電極線113的透射區(qū)域 公共電極118、包括用于給LC層103施加需要的電場(chǎng)的透射區(qū)域像素 電極114和反射區(qū)域像素電極115的像素電極以及TFT (切換裝置) 116的陣列，其中的每一個(gè)為單位像素中的相應(yīng)一個(gè)設(shè)置。盡管圖1A 和圖1B中沒(méi)有示出，但在TFT基板101的內(nèi)表面，或TFT基板101 相對(duì)于LC層103的界面上還設(shè)置有取向膜(orientation film)。
每個(gè)TFT 116都設(shè)置在相應(yīng)的掃描線111和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線112的 交點(diǎn)附近。TFT 116包括柵極電極、漏極電極、源極電極和非晶硅層。 柵極電極連接到掃描線lll，漏極電極連接到數(shù)據(jù)線112。源極電極117 連接到透射區(qū)域像素電極114和反射區(qū)域像素電極115。
掃描線111和透射區(qū)域公共電極線113形成在玻璃基板120上， 在其上形成第一絕緣膜121。數(shù)據(jù)線112以及TFT 116的漏極電極、源 極電極和非晶硅層形成在第一絕緣膜121上，并且在其上形成第二絕 緣膜122。在反射區(qū)域104中具有凹凸部分的不平整膜123形成在第二 絕緣膜122上。在不平整膜123上形成反射膜124，反射膜124具有在 反射入射光的同時(shí)漫射入射光的功能。在不平整膜123上形成的反射膜124具有不平整的表面。在反射區(qū)域104和透射區(qū)域105中，在反 射膜124上，形成平坦化膜125。
不平整膜123和平坦化膜125具有一附加功能，即通過(guò)控制不平 整膜123和平坦化膜125的厚度在透射區(qū)域105與反射區(qū)域104之間 產(chǎn)生LC層103的厚度差，從而各區(qū)域中的LC層103具有需要的厚度。 在反射區(qū)域104中，反射區(qū)域像素電極115由諸如ITO (氧化銦錫)的 導(dǎo)電材料在平坦化膜125上形成。在透射區(qū)域105中，透射區(qū)域像素 電極114和透射區(qū)域公共電極118由諸如ITO的類似材料形成。平坦 化膜125上的透射區(qū)域公共電極118和絕緣膜121上的透射區(qū)域公共 電極線113電連接在一起。在透射區(qū)域105中形成的透射區(qū)域公共電 極118和透射區(qū)域像素電極114在數(shù)據(jù)線112的延伸方向上彼此平行 地延伸。在透射區(qū)域105中，通過(guò)在TFT基板101上形成的透射區(qū)域 公共電極118與透射區(qū)域像素電極114之間產(chǎn)生的電場(chǎng)以橫向電場(chǎng)模 式驅(qū)動(dòng)LC層103。
對(duì)向基板102包括玻璃基板126和形成在其靠近LC層103的表 面上的層結(jié)構(gòu)。層結(jié)構(gòu)包括以下述順序朝向LC層103布置的層具有 遮光功能的黑色矩陣層(black-matrix layer)、與黑色矩陣層部分重疊 的濾色器層、具有將入射到LCD單元的光轉(zhuǎn)換為需要的偏振狀態(tài)的功 能的內(nèi)嵌延遲膜128、透明的平坦化膜127、反射區(qū)域公共電極119和 配向膜(alignment film)。
對(duì)向基板102在與反射區(qū)域104對(duì)應(yīng)的區(qū)域中包括內(nèi)嵌延遲膜128 和反射區(qū)域公共電極119。反射區(qū)域公共電極119由諸如ITO的透明導(dǎo) 電材料構(gòu)成。反射區(qū)域公共電極119設(shè)置成與在TFT基板101上形成 的反射區(qū)域像素電極115相對(duì)。反射區(qū)域公共電極119從反射區(qū)域104 與透射區(qū)域105之間的邊界橫向朝向透射區(qū)域105突出。反射區(qū)域公 共電極119的突出部分或延伸部分構(gòu)成了反向傾斜控制部件，其控制 在反射區(qū)域104與透射區(qū)域105之間的邊界附近產(chǎn)生反向傾斜的區(qū)域(反向傾斜區(qū)域)，并使反向傾斜區(qū)域限制在以橫向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)的 透射區(qū)域105中。反射區(qū)域公共電極119的延伸的長(zhǎng)度優(yōu)選地不小于 1.5微米。
在本實(shí)施例的LCD單元中，透射區(qū)域公共電極118和反射區(qū)域公 共電極119施加有之間具有反轉(zhuǎn)關(guān)系的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而連接到同一公共 數(shù)據(jù)線112的透射區(qū)域像素電極114和反射區(qū)域像素電極115被施加 有相同的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。例如，給透射區(qū)域像素電極114和反射區(qū)域像素 電極115公共地提供在0V-5V范圍中的任意信號(hào)。當(dāng)給反射區(qū)域像素 電極115施加0伏信號(hào)，并且給反射區(qū)域公共電極119施加5伏信號(hào) 時(shí)，在反射區(qū)域像素電極115與反射區(qū)域公共電極119之間的電勢(shì)差 最大為5V，由此反射區(qū)域104中的LC層103通過(guò)由5伏電勢(shì)差產(chǎn)生 的縱向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)。
例如，入射到LCD單元上并經(jīng)過(guò)設(shè)置于對(duì)向基板102的光入射表 面上的偏振膜(未示出)的線性偏振光穿過(guò)安裝在反射區(qū)域104中的 內(nèi)嵌延遲膜128，從而被轉(zhuǎn)換為順時(shí)針圓偏振光。順時(shí)針圓偏振光穿過(guò) LC層103到達(dá)反射膜124。在此階段，通過(guò)反射區(qū)域像素電極115與 反射區(qū)域公共電極119之間的縱向電場(chǎng)將反射區(qū)域104中LC分子的光 軸驅(qū)動(dòng)為與基板垂直的方向，由此LC層103不具有雙折射，因而使入 射光在偏振狀態(tài)不變的情況下到達(dá)反射膜124。
作為順時(shí)針圓偏振光入射到反射膜124上的光通過(guò)反射膜124轉(zhuǎn) 換為逆時(shí)針圓偏振光，并且在偏振狀態(tài)不變的情況下作為逆時(shí)針圓偏 振光在相反的方向穿過(guò)LC層103，到達(dá)內(nèi)嵌延遲膜128。逆時(shí)針圓偏 振光經(jīng)過(guò)內(nèi)嵌延遲膜128，呈現(xiàn)出線性偏振光，該線性偏振光具有與從 偏振膜入射到內(nèi)嵌延遲膜128的原始光的光軸垂直的光軸。經(jīng)過(guò)內(nèi)嵌 延遲膜128的光具有與偏振膜的光透射軸垂直的光軸，由此光被偏振 膜阻擋，反射區(qū)域104顯示暗態(tài)。另一方面，透射區(qū)域公共電極118被施加有相對(duì)于施加給反射區(qū) 域公共電極119的公共信號(hào)具有反轉(zhuǎn)關(guān)系的公共信號(hào)。更具體地，給 透射區(qū)域公共電極118施加0伏信號(hào)。因?yàn)榻o透射區(qū)域像素電極114
施加了與給反射區(qū)域像素電極115施加的驅(qū)動(dòng)信號(hào)等電勢(shì)的0伏驅(qū)動(dòng) 信號(hào)，所以在透射區(qū)域105中在透射區(qū)域像素電極114與透射區(qū)域公 共電極118之間沒(méi)有產(chǎn)生電勢(shì)差。因而，透射區(qū)域105中的LC層保持 由取向膜限定的初始取向。注意，由取向膜限定的LC層的初始取向與 設(shè)置在LCD單元后側(cè)，即靠近背光源的一側(cè)上的偏振膜的光透射軸平 行或垂直。
入射到TFT基板101的遠(yuǎn)離LC層103的后表面上的背光通過(guò)設(shè) 置在TFT基板101與背光源(未示出)之間的另一偏振膜轉(zhuǎn)換為線性 偏振光。因?yàn)長(zhǎng)C分子具有與該另一偏振膜的光透射軸平行或垂直的取 向，所以經(jīng)過(guò)該另一偏振膜的光在偏振狀態(tài)不變的情況下穿過(guò)LC層 103。因?yàn)樵O(shè)置在對(duì)向基板102的光發(fā)射側(cè)上的偏振膜具有與設(shè)置在 TFT基板101的后側(cè)上的另一偏振膜的光透射軸垂直的光透射軸，所 以經(jīng)過(guò)LC層103的光不能穿過(guò)設(shè)置在光發(fā)射側(cè)上的偏振膜，由此透射 區(qū)域105也顯示暗態(tài)。
在顯示暗態(tài)時(shí)，LC分子在反射區(qū)域104中在與基板垂直的方向上 配向，并且在透射區(qū)域105中在平行于基板的方向上配向。因?yàn)槔?當(dāng)反射區(qū)域公共電極119施加有5V時(shí)，給透射區(qū)域公共電極118施加 0伏信號(hào)，所以由于反射區(qū)域公共電極119與透射區(qū)域公共電極118之 間的電勢(shì)差，在反射區(qū)域104與透射區(qū)域105之間的邊界附近產(chǎn)生斜 向的電場(chǎng)。因?yàn)槠渲挟a(chǎn)生斜向電場(chǎng)的區(qū)域(斜向電場(chǎng)區(qū)域)位于靠近 邊界的反射區(qū)域104中，所以在由斜向電場(chǎng)產(chǎn)生的LC分子的取向與由 反射區(qū)域104中的縱向電場(chǎng)產(chǎn)生的LC分子的取向之間出現(xiàn)了不一致。
在本實(shí)施例中，反射區(qū)域公共電極119在反射區(qū)域104與透射區(qū) 域105之間的邊界附近中的部分從反射區(qū)域像素電極115朝向透射區(qū)域105橫向突出。該構(gòu)造使得斜向電場(chǎng)區(qū)域跨過(guò)邊界而遠(yuǎn)離反射區(qū)域
104。就是說(shuō)，在反射區(qū)域104中靠近相對(duì)于透射區(qū)域105的邊界處抑 制了斜向電場(chǎng)，由此抑制了由斜向電場(chǎng)引起的LC分子的取向的擾動(dòng)。 這改善了反射區(qū)域104中LC分子的取向的配向。斜向電場(chǎng)遠(yuǎn)離反射區(qū) 域104朝向透射區(qū)域105的偏離使反向傾斜區(qū)域跨過(guò)邊界而朝向透射 區(qū)域105移動(dòng)，由此抑制了反射區(qū)域104中產(chǎn)生的泄漏光。
圖3顯示了為獲得圖2的LCD單元中的電場(chǎng)分布而進(jìn)行的模擬的結(jié) 果。在圖3中，參考標(biāo)號(hào)106和107分別表示LC分子和等電勢(shì)線。通常在 LC面板中，TFT基板101的取向處理的方向和對(duì)向基板102的取向處理 的方向彼此相反。這抑制了通過(guò)給LC分子施加電場(chǎng)以改變LC分子的取 向而導(dǎo)致的反向傾斜。在圖3中所示的LCD單元中，在圖中從左到右進(jìn) 行TFT基板101的取向處理，而在圖中從右到左進(jìn)行對(duì)向基板102的取向 處理。因而，當(dāng)從圖3中的TFT基板101看時(shí)，TFT基板101附近的LC分 子106具有指向右上的傾斜，而當(dāng)從圖3中的對(duì)向基板102看時(shí)，對(duì)向基 板102附近的LC分子106具有指向左下的傾斜。
如果在對(duì)向基板102上形成的反射區(qū)域公共電極119沒(méi)有跨過(guò)邊界 朝向透射區(qū)域105突出的延伸，則在靠近邊界的反射區(qū)域公共電極119 附近會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的斜向電場(chǎng)，如圖16中所示。該斜向電場(chǎng)產(chǎn)生具有與 由對(duì)向基板102的取向處理限定的傾斜的方向相反方向的反向傾斜，即 具有指向右下方向的反向傾斜。在反射區(qū)域104的很遠(yuǎn)離所述邊界并且 其中在TFT基板101上產(chǎn)生右上傾斜，在對(duì)向基板102上產(chǎn)生左下傾斜的 部分中，將LC分子106的傾斜在LC層103的大致整個(gè)區(qū)域之上對(duì)齊。然 而，在邊界附近，LC層103的靠近TFT基板101和對(duì)向基板102的部分具 有與LC層103的其它部分相反的傾斜，由此LC層103的取向在靠近邊界 的部分中被擾亂。
根據(jù)本實(shí)施方式的透反式LCD單元具有本發(fā)明的基本構(gòu)造，其中 LCD單元包括LC層；在其間夾持LC層以在LC層中限定像素的陣列的第一和第二基板，每個(gè)像素都包括反射區(qū)域和透射區(qū)域；用于驅(qū)動(dòng)LC 層的電極組件，從而以縱向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)反射區(qū)域中的LC層，以橫向 電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)透射區(qū)域中的LC層；設(shè)置在反射區(qū)域與透射區(qū)域之間的 邊界附近的反向傾斜控制部件，用于控制反向傾斜區(qū)域，其中在所述
反向傾斜區(qū)域中，LC分子的反向傾斜發(fā)生在在LC層中。
根據(jù)本發(fā)明的LCD單元中使用的基本構(gòu)造，反向傾斜控制部件控 制反向傾斜區(qū)域，由此抑制當(dāng)在LCD單元中顯示暗態(tài)時(shí)由反向傾斜在 反射區(qū)域中引起的泄漏光。
更詳細(xì)地，反射區(qū)域公共電極119具有跨過(guò)反射區(qū)域104與透射區(qū) 域105之間的邊界朝向透射區(qū)域105突出的延伸。從圖3可以理解，由于 斜向電場(chǎng)從反射區(qū)域104與透射區(qū)域105之間的邊界朝向透射區(qū)域105 移動(dòng)，在本實(shí)施例中其中在對(duì)向基板102附近產(chǎn)生右下傾斜的區(qū)域朝向 透射區(qū)域105偏離。以橫向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)透射區(qū)域105，在TFT基板lOl 上的延伸附近的透射區(qū)域102中的LC分子106沒(méi)有朝向與TFT基板101 垂直的方向傾斜。因此，在反射區(qū)域104中不會(huì)將右下方向的在對(duì)向基 板102附近朝向透射區(qū)域105移動(dòng)的反向傾斜識(shí)別為泄漏光。因?yàn)樵诜?射區(qū)域104中的邊界附近沒(méi)有產(chǎn)生斜向電場(chǎng)，所以保持了由對(duì)向基板 102的取向處理限定的傾斜，由此在TFT基板101和對(duì)向基板102附近均 不會(huì)產(chǎn)生反向傾斜。因而，反射區(qū)域104中的邊界附近的LC分子106的 取向被對(duì)齊，由此抑制了由反向傾斜引起的泄漏光并提供了極好的暗 態(tài)。
圖4顯示了反射區(qū)域104中LC層103的厚度與有效抑制反向傾斜的 最小延伸(長(zhǎng)度)之間的關(guān)系。當(dāng)LC層103的厚度朝向1.4到2.0微米的 厚度范圍增加時(shí)，實(shí)現(xiàn)抑制反向傾斜的最小延伸也增加，隨后，當(dāng)厚 度從上述厚度范圍增加時(shí)，實(shí)現(xiàn)抑制反向傾斜的最小延伸減小。這揭 示出，為了不依賴LC層103的厚度而實(shí)現(xiàn)反向傾斜，優(yōu)選1.5微米或以 上的延伸。另一方面，如果LC層103的厚度為1.3微米或更小，則延伸優(yōu)選為l微米或更大。
之后將描述優(yōu)選的延伸。從圖3可以理解，因?yàn)榉瓷鋮^(qū)域公共電極
119具有朝向透射區(qū)域105突出的延伸，所以斜向電場(chǎng)朝向透射區(qū)域105 移動(dòng)，同時(shí)，從反射區(qū)域像素電極115的端部朝向反射區(qū)域公共電極119 的端部產(chǎn)生向右上的電場(chǎng)。向右上的電場(chǎng)的方向與保持由TFT基板lOl 的取向處理限定的傾斜的方向?qū)R，由此這樣產(chǎn)生的向右上的電場(chǎng)也 抑制了反向傾斜。
其中產(chǎn)生向右上的電場(chǎng)的斜向電場(chǎng)區(qū)域與相對(duì)于反射區(qū)域104中 LC層103的厚度的延伸的長(zhǎng)度有關(guān)。就是說(shuō)，低于特定長(zhǎng)度的延伸不能 實(shí)現(xiàn)反向傾斜的抑制。因此，如圖4中所示，如從圖4可以理解到的， 例如厚度為1.2微米的LC層103接受較小長(zhǎng)度的延伸。注意，如從圖4理 解到的，厚度為2.4微米的LC層也接受小長(zhǎng)度的延伸。然而，這結(jié)果由 另一個(gè)因素導(dǎo)致。更具體地，產(chǎn)生反向傾斜的斜向電場(chǎng)在反射區(qū)域公 共電極119上的邊界附近最強(qiáng)，并朝向TFT基板101逐漸減小。反射區(qū)域 104中相對(duì)于LC層103的厚度，較大厚度的LC層103減小了斜向電場(chǎng)區(qū) 域，增加了縱向電場(chǎng)的區(qū)域，由此抑制了反向傾斜。
之后將描述根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的LCD單元。圖5A和5B 以俯視平面圖分別顯示了LCD單元的TFT基板101和對(duì)向基板102，并且 圖6顯示了沿圖5A中的線B-B的截取的截面圖。除了在TFT基板101上形 成具有與反射區(qū)域公共電極119的電勢(shì)相等電勢(shì)的輔助電極129之外， 本實(shí)施例的LCD單元與第一實(shí)施例的LCD單元類似。盡管與第一個(gè)實(shí) 施方式類似地，在對(duì)向基板102上形成的反射區(qū)域公共電極119具有朝 向透射區(qū)域105突出的延伸，但反射區(qū)域公共電極119不必具有朝向透 射區(qū)域105的延伸。
在本實(shí)施例中，當(dāng)在平坦化膜125上形成反射區(qū)域像素電極115、 透射區(qū)域公共電極118和透射區(qū)域像素電極114時(shí)，形成沿反射區(qū)域104與透射區(qū)域105之間的邊界延伸的輔助電極129。就是說(shuō)，當(dāng)從對(duì)向基
板102看時(shí)，反射區(qū)域像素電極115、輔助電極129、和透射區(qū)域電極118、 114按該順序從反射區(qū)域104朝向透射區(qū)域105平行地布置?？筛鶕?jù)需要 選擇透射區(qū)域電極118、 114的順序。輔助電極129電連接到在顯示區(qū)域 外部給對(duì)向基板102上的反射區(qū)域公共電極119供給公共電極信號(hào)的公 共電極線。輔助電極129構(gòu)成了控制反射區(qū)域104與透射區(qū)域105之間的 邊界附近的反向傾斜區(qū)域的反向傾斜控制部件。更具體地，輔助電極 129控制對(duì)向基板102附近中的反向傾斜區(qū)域。
輔助電極129不必形成在平坦化膜125上，其可以形成在玻璃基板 120上。在該情形中，在玻璃基板120上形成掃描線111的步驟中，可以 使輔助電極129形成為平行于玻璃基板120上的邊界延伸?；蛘咴谶@種 情形中，輔助電極129連接到在LCD單元的顯示區(qū)域外部給對(duì)向基板 102上的反射區(qū)域公共電極119供給公共信號(hào)的公共電極線。為了形成 與帶有插入的絕緣膜121的反射區(qū)域104中的源極電極117重疊的輔助 電極129，輔助電極129可以具有朝向反射區(qū)域104突出的延伸。輔助電 極129可以形成在絕緣膜121或絕緣膜122上。
在本實(shí)施例中，在反射區(qū)域104中驅(qū)動(dòng)LC層103時(shí)，當(dāng)例如給反射 區(qū)域像素電極115施加0伏信號(hào)時(shí)，給反射區(qū)域公共電極119施加5伏信 號(hào)。在TFT基板101上沿所述邊界形成的輔助電極129施加有與施加給反 射區(qū)域公共電極119的信號(hào)相同的信號(hào)，由此在TFT基板101上的反射區(qū) 域像素電極115與輔助電極129之間產(chǎn)生電勢(shì)差。在該構(gòu)造中，在反射 區(qū)域104與透射區(qū)域105之間的邊界附近產(chǎn)生的電場(chǎng)減弱了邊界附近的 斜向電場(chǎng)，由此防止LC分子的取向被斜向電場(chǎng)擾亂。上面的電場(chǎng)還增 強(qiáng)了從邊界附近的反射區(qū)域像素電極115的端部施加的電場(chǎng)，抑制了反 向傾斜區(qū)域，從而防止顯示暗態(tài)時(shí)反射區(qū)域104中的泄漏光。
圖7顯示了為獲得本實(shí)施例的LCD單元中的電場(chǎng)分布而進(jìn)行的模 擬的結(jié)果。在邊界附近形成的輔助電極129在反射區(qū)域像素電極115與輔助電極129之間產(chǎn)生了電勢(shì)差，也在輔助電極129與透射區(qū)域公共電 極118或透射區(qū)域像素電極114之間產(chǎn)生電勢(shì)差。參照?qǐng)D7，可以理解， 等電勢(shì)線在透射區(qū)域公共電極118與輔助電極129之間以及反射區(qū)域像 素電極115與輔助電極129之間比較稠密，在它們之間產(chǎn)生較強(qiáng)的電場(chǎng)。 因?yàn)閹缀跛袕耐干鋮^(qū)域公共電極118出發(fā)的電力線都終止于輔助電 極129上，所以在透射區(qū)域公共電極118與反射區(qū)域公共電極119之間產(chǎn) 生的斜向電場(chǎng)被抑制到足夠低的水平。邊界附近的斜向電場(chǎng)的抑制將 反向傾斜區(qū)域限制于對(duì)向基板102附近中的有限區(qū)域，其中在所述反向 傾斜區(qū)域中，與由對(duì)向基板102上的LC分子的取向處理限定的傾斜相反 的LC分子的傾斜被產(chǎn)生。
反射區(qū)域像素電極115與輔助電極129之間的電場(chǎng)具有增強(qiáng)從邊界 附近的反射區(qū)域像素電極115的端部產(chǎn)生的電場(chǎng)的功能。從邊界附近的 反射區(qū)域像素電極115的端部產(chǎn)生的電場(chǎng)具有與由TFT基板101的取向 處理限定的LC分子的右上傾斜相同的方向，并從TFT基板101顯著地進(jìn) 入邊界附近的反射區(qū)域104中的LC層103。就是說(shuō)，增加在邊界附近中 LC分子適當(dāng)傾斜的LC層103的區(qū)域，以防止反向傾斜。注意，在第一 實(shí)施例中，引起反向傾斜的斜向電場(chǎng)從邊界朝向透射區(qū)域105移動(dòng)。另 一方面，本實(shí)施例提供了減弱斜向電場(chǎng)自身的功能。尤其是，本實(shí)施 例輔助了第一實(shí)施例的功能，其中如果傾斜電場(chǎng)區(qū)域過(guò)度靠近邊界， 則反向傾斜可能會(huì)發(fā)生。
此外，本實(shí)施例具有下述構(gòu)造，即反射區(qū)域公共電極119具有朝 向?qū)ο蚧?02上透射區(qū)域105突出的延伸，并且在對(duì)向基板102上 形成與反射區(qū)域公共電極119等電勢(shì)的輔助電極129。該構(gòu)造抑制了由 于在將兩個(gè)基板結(jié)合在一起的過(guò)程中對(duì)向基板102相對(duì)于TFT基板101 的偏離而可能導(dǎo)致的邊界附近的斜向電場(chǎng)的變化。更具體地，如果LCD 單元設(shè)計(jì)成反射區(qū)域公共電極119和反射區(qū)域像素電極115彼此精確 重疊(實(shí)際上之間有偏離)，則反射區(qū)域公共電極119可從反射區(qū)域 像素電極115朝向反射區(qū)域104的中心突出。在該情形中，不管是否設(shè)置輔助電極129，在邊界附近的反射區(qū)域104中都會(huì)產(chǎn)生反向傾斜的 問(wèn)題。然而通過(guò)本實(shí)施例中的LCD單元的設(shè)計(jì)將解決這種問(wèn)題，其中 對(duì)向基板102上的反射區(qū)域公共電極119被設(shè)計(jì)成具有朝向透射區(qū)域 105突出的延伸，并且其延伸等于預(yù)期的最大偏離的寬度。
在第一實(shí)施例的構(gòu)造中，為了確保抑制由基板之間的偏離引起的 反向傾斜，延伸必須比預(yù)期的最大偏離長(zhǎng)。該構(gòu)造將像素的有效開(kāi)口 率減小了與反射區(qū)域公共電極朝向透射區(qū)域105的較長(zhǎng)延伸對(duì)應(yīng)的量。 術(shù)語(yǔ)有效開(kāi)口率(effective opening ratio)是像素的有效顯示面積與像素 中包括遮光區(qū)域的總的像素面積的比。第一實(shí)施例有效地抑制由基板 之間的偏離而引起的斜向電場(chǎng)。在該方面，本實(shí)施例有效地抑制由偏 離以及其它因素而引起的斜向電場(chǎng)，因而實(shí)現(xiàn)了反向傾斜的穩(wěn)定抑制。 此外，還有另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即如果輔助電極129形成在玻璃基板120上 并與反射區(qū)域104中的源極電極117重疊，則重疊部分可用作反射區(qū) 域104的輔助電容器。
之后將描述根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的LCD單元。圖8A、 8B和9 分別顯示了與圖5A、 5B和6類似的本實(shí)施例的LCD單元。除了反射 膜124從反射區(qū)域像素電極115朝向透射區(qū)域105突出之外，本實(shí)施 例的LCD單元與第一實(shí)施例的LCD單元類似。換句話說(shuō)，當(dāng)從對(duì)向 基板102看時(shí)，反射膜124具有朝向透射區(qū)域105突出超出反射區(qū)域 像素電極115的延伸。反射膜124電連接到顯示區(qū)域外部的公共電極 線，該公共電極線給對(duì)向基板102上的反射區(qū)域公共電極119供給公 共電極信號(hào)。盡管在本實(shí)施例中對(duì)向基板102上的反射區(qū)域公共電極 119具有朝向透射區(qū)域105突出的延伸，但反射區(qū)域公共電極119不必 須具有該延伸。
本實(shí)施例使用反射膜124作為控制反射區(qū)域104與透射區(qū)域105 之間的邊界附近產(chǎn)生的反向傾斜區(qū)域的反向傾斜控制部件，并且將反 向傾斜區(qū)域限制到對(duì)向基板102附近。因?yàn)榉瓷淠?24接收與供給到反射區(qū)域公共電極119的信號(hào)相同的信號(hào)，所以在通過(guò)在反射區(qū)域像
素電極115與反射區(qū)域公共電極119之間施加電勢(shì)差驅(qū)動(dòng)LC層103時(shí)， 在反射膜124與反射區(qū)域像素電極115之間出現(xiàn)電勢(shì)差。因?yàn)榉瓷淠?124與反射區(qū)域像素電極115重疊，并在之間插有平坦化膜125，所以 在重疊部分中產(chǎn)生縱向電場(chǎng)。此外，超出反射區(qū)域像素電極115而朝 向透射區(qū)域105突出的反射膜124的延伸的附近，與第二實(shí)施例類似， 在反射區(qū)域像素電極115與反射膜124之間以及反射膜124與透射區(qū) 域公共電極118或透射區(qū)域像素電極114之間產(chǎn)生電勢(shì)差。這樣產(chǎn)生 的電勢(shì)差減弱了邊界附近的斜向電場(chǎng)，由此抑制了由于邊界附近的反 射區(qū)域104中的斜向電場(chǎng)引起的LC分子的取向的擾亂。
圖10顯示了為獲得具有圖9中所示構(gòu)造的LCD單元中的電場(chǎng)分 布而進(jìn)行的模擬的結(jié)果。當(dāng)具有朝向透射區(qū)域105突出的延伸的反射 膜124施加有與施加給反射區(qū)域公共電極119的信號(hào)相同的信號(hào)時(shí)， 與第二實(shí)施例類似，在延伸與反射區(qū)域像素電極115之間以及延伸與 透射區(qū)域公共電極118或透射區(qū)域像素電極114之間產(chǎn)生電勢(shì)差。更 具體地，反射膜124的延伸具有與第二實(shí)施例中的輔助電極129 (圖6) 的功能類似的功能，因而可獲得類似的優(yōu)點(diǎn)。此外，因?yàn)榉瓷淠?24 施加有與施加給反射區(qū)域公共電極119的信號(hào)相同的信號(hào)，所以延伸 與反射區(qū)域像素電極115的重疊部分用作反射區(qū)域104的輔助電容器， 平坦化膜125是電容器絕緣膜。
之后將描述根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的LCD單元。圖11A、 IIB和 12分別顯示了與圖5A、 5B和6類似的本實(shí)施例的LCD單元。除了掃 描線111在反射區(qū)域104與透射區(qū)域105之間的邊界上延伸并具有以 比朝向反射區(qū)域104突出的量大的量朝向透射區(qū)域105突出的寬度之 外，本實(shí)施例的LCD單元與第一實(shí)施例的LCD單元類似。將在后面 提到的圖13或圖14中清楚地顯示了該構(gòu)造。在該構(gòu)造中，反射區(qū)域 像素電極115、掃描線111和透射區(qū)域公共電極118 (或透射區(qū)域像素 電極114)彼此平行延伸并當(dāng)從對(duì)向基板103看時(shí)按該順序布置。盡管在圖12中反射區(qū)域公共電極119的端部與反射區(qū)域像素電極115的端 部對(duì)齊，但反射區(qū)域公共電極119可以具有超出反射區(qū)域像素電極115
朝向透射區(qū)域105突出的延伸，與圖2類似。
在本實(shí)施例中，掃描線lll用作控制反射區(qū)域104與透射區(qū)域105 之間的邊界附近的反向傾斜區(qū)域的反向傾斜控制部件，并將反向傾斜 區(qū)域限制到對(duì)向基板102附近。掃描線111給TFT 116的柵極電極施 加?xùn)艠O信號(hào)。柵極信號(hào)呈現(xiàn)出較高電勢(shì)Vgon或較低電勢(shì)Vgoff，其中 Vgon的時(shí)間長(zhǎng)度小于Vgoff的時(shí)間長(zhǎng)度，這起到了重要的作用。Vgoff 小于施加給公共電極、像素電極和數(shù)據(jù)線中的任意一個(gè)的信號(hào)電勢(shì)， 例如可以為-15伏。這在掃描線111與反射區(qū)域像素電極115、透射區(qū) 域公共電極118和透射區(qū)域像素電極114中的任意一個(gè)之間產(chǎn)生電勢(shì) 差。該電勢(shì)差減弱了邊界附近的斜向電場(chǎng)，由此抑制了由斜向電場(chǎng)引 起的LC分子的取向的擾動(dòng)。
圖13顯示了為獲得具有圖12中所示構(gòu)造的LCD單元中的電場(chǎng)分 布而進(jìn)行的模擬的結(jié)果。設(shè)置在反射區(qū)域104與透射區(qū)域105之間的 邊界上的掃描線111在掃描線111與反射區(qū)域像素電極115之間，或 在掃描線111與透射區(qū)域公共電極118或透射區(qū)域像素電極114之間 產(chǎn)生電勢(shì)差。因而，掃描線111具有與第二實(shí)施例中的輔助電極129 (圖6)的功能類似的功能，因而可獲得類似的優(yōu)點(diǎn)。盡管在本實(shí)施例 中掃描線111用作反向傾斜控制部件，但可與第二實(shí)施例類似地，替 代地設(shè)置輔助電極129以從掃描線111接收柵極信號(hào)用于獲得類似的 優(yōu)點(diǎn)。
本實(shí)施例中的由具有-15V電勢(shì)的掃描線111引起的電勢(shì)差大于第 二實(shí)施例中的在反射區(qū)域像素電極115與輔助電極129之間以及輔助 電極129與透射區(qū)域公共電極118或透射區(qū)域像素電極114之間的電 勢(shì)差。本實(shí)施例中的電勢(shì)差還大于第三實(shí)施例中的在反射膜124的延 伸與反射區(qū)域像素電極115之間以及反射膜124的延伸與透射區(qū)域公共電極118或透射區(qū)域像素電極114之間的電勢(shì)差。因此，與那些實(shí) 施例相比，本實(shí)施例獲得了用于抑制斜向電場(chǎng)的更高的效果。
圖14顯示了為獲得本實(shí)施例的修改中的電場(chǎng)分布而進(jìn)行的模擬的
結(jié)果。該修改是這樣的，即對(duì)向基板102上的反射區(qū)域公共電極119 不具有朝向反射區(qū)域105突出的延伸，反射區(qū)域公共電極119具有跨 過(guò)邊界朝向反射區(qū)域104突出超出反射區(qū)域像素電極115的延伸。本 實(shí)施例中對(duì)斜向電場(chǎng)的抑制的更高效果允許下述構(gòu)造，即反射區(qū)域公 共電極119具有跨過(guò)邊界朝向透射區(qū)域105突出超出在反射區(qū)域像素 電極115的端部的延伸，從而有效抑制斜向電場(chǎng)。因而，即使在結(jié)合 的工藝過(guò)程中在對(duì)向基板102與TFT基板101之間產(chǎn)生偏離并使反射 區(qū)域公共電極119跨過(guò)邊界超出反射區(qū)域像素電極115的端部朝向反 射區(qū)域104突出，也能夠更有效地抑制斜向電場(chǎng)對(duì)反射區(qū)域104中的 LC分子取向的影響。
注意，盡管在上面的實(shí)施例中反射區(qū)域公共電極和透射區(qū)域公共 電極施加有在其間具有反轉(zhuǎn)關(guān)系的信號(hào)，但反射區(qū)域公共電極和透射 區(qū)域公共電極可以施加有相同的信號(hào)，只要反射區(qū)域像素電極和透射 區(qū)域像素電極施加有不同的信號(hào)。在這種情形中，可設(shè)置一對(duì)切換裝 置來(lái)分別驅(qū)動(dòng)這些像素電極。
注意，盡管在上面的實(shí)施例中透射區(qū)域像素電極和透射區(qū)域公共 電極在與透射區(qū)域105和反射區(qū)域之間的邊界垂直的方向上延伸，但 這些電極可以平行于該邊界延伸。代替ITO，透射區(qū)域公共電極和透射 區(qū)域像素電極可以由金屬形成。
盡管參照示例性實(shí)施例及其修改具體地顯示和描述了本發(fā)明，但 本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例和修改。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解， 在不脫離權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在形式 和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種變化。
權(quán)利要求
1. 一種透反式液晶顯示單元，包括液晶層；第一和第二基板，在其中間夾持有所述液晶層以在所述液晶層中限定像素的陣列，所述像素每個(gè)都包括反射區(qū)域和透射區(qū)域；電極組件，用于驅(qū)動(dòng)所述液晶層，從而以縱向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)所述反射區(qū)域中的所述液晶層，并且以橫向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)所述透射區(qū)域中的所述液晶層；和反向傾斜控制部件，被設(shè)置在所述反射區(qū)域與所述透射區(qū)域之間的邊界附近，用于控制反向傾斜區(qū)域，其中液晶分子的反向傾斜發(fā)生在所述液晶層中所述反向傾斜區(qū)域中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的透反式液晶顯示單元，其中所述反向傾 斜控制部件將所述反向傾斜區(qū)域限制在被以橫向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)的所述 液晶層的區(qū)域內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的透反式液晶顯示單元，其中所述電極組 件包括在所述第一基板上形成的反射區(qū)域像素電極、透射區(qū)域像素電 極和透射區(qū)域公共電極，以及在所述第二基板上形成的反射區(qū)域公共 電極，所述反射區(qū)域公共電極具有跨過(guò)所述邊界朝向所述透射區(qū)域突 出的延伸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一項(xiàng)所述的透反式液晶顯示單元， 其中所述電極組件包括在所述第一基板上形成的反射區(qū)域像素電極、 透射區(qū)域像素電極和透射區(qū)域公共電極，以及在所述第二基板上形成 的反射區(qū)域公共電極，所述反向傾斜控制部件將所述反向傾斜區(qū)域限 制在所述第二基板的附近。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的透反式液晶顯示單元，其中所述電極組件進(jìn)一步包括輔助電極，所述輔助電極形成在所述第二基板上并施加 有給所述反射區(qū)域公共電極施加的信號(hào)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的透反式液晶顯示單元，其中所述反射區(qū) 域包括反射膜，所述反射膜形成在所述第一基板上并施加有給所述反 射區(qū)域公共電極施加的信號(hào)，并且所述反射膜具有朝向所述透射區(qū)域 突出超出所述反射區(qū)域公共電極的延伸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的透反式液晶顯示單元，進(jìn)一步包括切 換部件，所述切換部件用于給所述反射區(qū)域像素電極和透射區(qū)域像素 電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)；和掃描線，其形成在所述第一基板上，用于給所 述切換部件施加?xùn)艠O信號(hào)，其中所述掃描線在所述邊界上延伸并具有 以比朝向所述反射區(qū)域突出的量大的量朝向所述透射區(qū)域突出的寬 度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的透反式液晶顯示單元，其中所述電極組件進(jìn)一步包括輔助電極，所述輔助電極在所述邊界附近形成在所述第 一基板上，并施加有柵極信號(hào)，所述柵極信號(hào)被施加給切換部件的柵 極，所述切換部件用于給所述反射區(qū)域像素電極和透射區(qū)域像素電極 中的至少一個(gè)施加數(shù)據(jù)信號(hào)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一項(xiàng)所述的透反式液晶顯示單元， 其中所述反射區(qū)域公共電極和所述透射區(qū)域公共電極施加有不同的信 號(hào)。
10. —種終端裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一項(xiàng)所述 的透反式液晶顯示單元。
全文摘要
一種透反式LCD單元，包括液晶(LC)層；第一和第二基板，在其中間插有LC層以限定像素的陣列，所述像素每個(gè)都包括反射區(qū)域和透射區(qū)域；電極組件，用于驅(qū)動(dòng)LC層，從而以縱向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)反射區(qū)域中的LC層，以橫向電場(chǎng)模式驅(qū)動(dòng)透射區(qū)域中的LC層；和反向傾斜控制部件，用于控制反向傾斜區(qū)域，其中在所述反向傾斜區(qū)域中，LC分子的反向傾斜發(fā)生在反射區(qū)域與透射區(qū)域之間的邊界附近。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK101430450SQ20081017456
公開(kāi)日2009年5月13日 申請(qǐng)日期2008年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月8日
發(fā)明者坂本道昭, 森健一, 永井博 申請(qǐng)人:Nec液晶技術(shù)株式會(huì)社