專利名稱：基板處理裝置以及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于對基板實(shí)施處理的基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術(shù)：
為了對半導(dǎo)體襯底、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、光盤 用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板等各種基板實(shí)施各種處 理，使用基板處理裝置。
在這種基板處理裝置中，通常連續(xù)地對一個(gè)基板實(shí)施多種不同的處理。
JP特開2003-324139號公報(bào)記載的基板處理裝置由分度器模塊、防反射膜用 處理模塊、抗蝕膜用處理模塊、顯影處理模塊以及接口模塊構(gòu)成。將曝光裝 置配置為與接口模塊相鄰，該曝光裝置是與基板處理裝置分開另外設(shè)置的外 部裝置。
在上述基板處理裝置中，在防反射膜用處理模塊以及抗蝕膜用處理模塊 中對從分度器模塊搬入的基板進(jìn)行形成防反射膜和涂敷抗蝕膜的處理，然后 經(jīng)由分度器模塊將其搬運(yùn)至曝光裝置。在曝光裝置中，對基板上的抗蝕膜進(jìn) 行了曝光處理后，經(jīng)由分度器模塊將基板搬運(yùn)至顯影處理模塊。在顯影處理 模塊對基板上的抗蝕膜進(jìn)行顯影處理，從而形成抗蝕圖案，然后將基板搬運(yùn) 至分度器模塊。
近年來，隨著設(shè)備的高密度以及高集成化，抗蝕圖案的微細(xì)化成為重要 的課題。在以往通常的曝光裝置中，經(jīng)由投影透鏡將標(biāo)線的圖案縮小投影在 基板上，從而進(jìn)行曝光處理。但是，在這種以往的曝光裝置中，曝光圖案的 線的寬度由曝光裝置的光源的波長決定，因此對于抗蝕圖案的微細(xì)化存在極 限。
因此，作為能夠使曝光圖案進(jìn)一步微細(xì)化的投影曝光方法，提出了液浸 法(例如，參照國際公布99/49504號小冊子)。在國際公布99/49504號小冊 子的投影曝光裝置中，在投影光學(xué)系統(tǒng)和基板之間充滿液體，能夠使基板表
面的曝光用光的波長縮短。由此，能夠使曝光圖案進(jìn)一步微細(xì)化。
然而，在上述國際公布99/49504號小冊子的投影曝光裝置中，在基板與
液體相接觸的狀態(tài)下進(jìn)行曝光處理，因此基板在附著有液體的狀態(tài)下被搬出
曝光裝置。由此，在上述JP特開2003-324139號公報(bào)的基板處理裝置中設(shè)置 上述國際公布99/49504號小冊子所記載的使用液浸法的曝光裝置并作為外部 裝置的情況下，附著在從曝光裝置搬出的基板上的液體會(huì)落到基板處理裝置 內(nèi)，導(dǎo)致可能會(huì)發(fā)生基板處理裝置的電氣系統(tǒng)異常等的動(dòng)作不良。
另外，如果在曝光處理后的基板上附著有液體，則該基板容易附著灰塵 等，并且附著在基板上的液體有時(shí)會(huì)對形成在基板上的膜帶來壞的影響。由 于這些原因，可能會(huì)在基板上發(fā)生處理不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，能夠防 止因在曝光裝置中附著于基板上的液體而發(fā)生動(dòng)作不良和處理不良。
(1)本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案提供一種基板處理裝置，其配置成與曝光裝 置相鄰，其具有處理部以及交接部，其中，該處理部用于對基板進(jìn)行處理， 該交接部用于在處理部與曝光裝置之間交接基板；處理部和交接部中的至少
一方包括對基板進(jìn)行干燥處理的干燥處理單元，干燥處理單元包括將基板
保持為大致水平的基板保持裝置，使基板保持裝置所保持的基板圍繞垂直于 該基板的軸旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，向基板保持裝置所保持的基板上供給沖洗 液的沖洗液供給部，移動(dòng)沖洗液供給部從而從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部
連續(xù)供給沖洗液的沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)；沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)使沖洗液供給 部在供給沖洗液的狀態(tài)下，暫時(shí)停止在從基板的中心部遠(yuǎn)離規(guī)定距離的位置。
在該基板處理裝置中，通過處理部對基板進(jìn)行規(guī)定的處理，通過交接部 將該基板從處理部交接至曝光裝置。通過曝光裝置對基板進(jìn)行曝光處理之后， 通過交接部將該基板從曝光裝置交接至處理部。在曝光裝置進(jìn)行曝光處理前 或曝光處理后，通過干燥處理單元對基板進(jìn)行干燥處理。
在干燥處理單元中，在基板保持裝置大致水平地保持基板的狀態(tài)下，旋 轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置旋轉(zhuǎn)該基板。然后，沖洗液供給部對基板供給沖洗液，同時(shí)沖洗 液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)使該沖洗液供給部移動(dòng)。由此，從基板的中心部向周邊部連
續(xù)供給沖洗液。
通過向旋轉(zhuǎn)的基板的中心部供給沖洗液，在基板上形成沖洗液的液層。 接著，使基板上供給沖洗液的位置從基板的中心部向周邊部移動(dòng)。由此，在 液層的中心部形成沒有沖洗液的干燥區(qū)域。然后，在環(huán)狀的液層一體地保持 于基板上的狀態(tài)下，離心力使干燥區(qū)域從液層的中心部向外側(cè)擴(kuò)大。此時(shí)， 液層的表面張力能夠防止在干燥區(qū)域內(nèi)形成微小液滴。
另外，在對從基板的中心部遠(yuǎn)離規(guī)定距離的位置供給沖洗液的狀態(tài)下， 使沖洗液供給部的移動(dòng)暫時(shí)停止，由此能夠防止基板上的液層被切斷為多個(gè) 部分。從而，能夠可靠地從液層的中心部擴(kuò)大一個(gè)干燥區(qū)域。因此，能夠穩(wěn) 定地對基板進(jìn)行干燥，并且能夠更可靠地防止在基板上形成微小液滴。
在對曝光處理后的基板進(jìn)行干燥處理的情況下，即使基板在曝光裝置中 附著有液體，也能夠防止該液體落在基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果，能夠防止基 板處理裝置發(fā)生動(dòng)作不良。
另外，能夠防止殘留在基板上的液體附著環(huán)境中的灰塵等。進(jìn)一步，能 夠防止殘留在基板上的液體給基板上的膜帶來壞影響。由此，能夠防止對基 板的處理發(fā)生不良。
另一方面，在曝光處理前對基板進(jìn)行干燥處理的情況下，通過在基板上 形成液層，能夠在曝光處理前除去在曝光處理前的處理工序中附著于基板上 的灰塵等。其結(jié)果，能夠防止曝光裝置被污染，而且能夠防止對基板的處理 發(fā)生不良。
(2) 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置可以分階段地或者連續(xù)地改變基板的轉(zhuǎn)速在向基板 的中心部供給沖洗液的狀態(tài)下使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，在向基板的周邊部供 給沖洗液的狀態(tài)下使基板以低于第一轉(zhuǎn)速的第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。
基板的周邊部的圓周速度比基板的中心部的圓周速度大。因此，噴射到 基板的周邊部的沖洗液比噴射到基板的中心部的沖洗液更容易飛散。因此， 將在對基板的周邊部供給沖洗液的狀態(tài)下的基板的轉(zhuǎn)速設(shè)定得低于在對基板 的中心部供給沖洗液的狀態(tài)下的基板的轉(zhuǎn)速，由此能夠防止供給到基板的周 邊部的沖洗液飛散。因此，能夠防止飛散的沖洗液再次附著在基板的干燥區(qū) 域，而且能夠可靠地防止微小液滴殘留在基板上。
(3) 沖洗液供給部可以分階段地或者連續(xù)地改變沖洗液的流量以第一
流量向基板的中心部供給沖洗液，以小于第一流量的第二流量向基板的周邊 部供給沖洗液。
在此情況下，能夠防止供給到基板的周邊部的沖洗液飛散。因此，能夠 防止飛散的沖洗液再次附著在基板的干燥區(qū)域，而且能夠可靠地防止微小液 滴殘留在基板上。
(4) 沖洗液供給部可以分階段地或者連續(xù)地改變沖洗液的供給壓以第 一供給壓向基板的中心部供給沖洗液，以低于第一供給壓的第二供給壓向基 板的周邊部供給沖洗液。
在此情況下，能夠防止供給到基板的周邊部的沖洗液飛散。因此，能夠 防止飛散的沖洗液再次附著在基板的干燥區(qū)域，而且能夠可靠地防止微小液 滴殘留在基板上。
(5) 干燥處理單元還可以包括氣體供給部，該氣體供給部在沖洗液供給 部對遠(yuǎn)離基板中心的位置供給沖洗液的狀態(tài)下，對基板的中心部噴射氣體。
在此情況下，在基板上的液層形成了干燥區(qū)域之后，立刻通過氣體供給 部向基板的中心部噴射氣體，從而能夠使該干燥區(qū)域瞬間擴(kuò)大。由此，能夠 更可靠地防止基板上的液層被切斷為多個(gè)部分。因此，能夠更穩(wěn)定地對基板 進(jìn)行干燥，并且能夠更可靠地防止在基板上形成微小液滴。
(6) 干燥處理單元還可以包括氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu) 移動(dòng)氣體供給部，使得基板上供給氣體的位置，在保持處于比沖洗液供給部 供給沖洗液的位置更靠近基板的中心部的位置上的狀態(tài)下，從基板的中心部 向基板的周邊部移動(dòng)。
在此情況下，由于對基板上的干燥區(qū)域噴射氣體，因此能夠更可靠地防 止在干燥區(qū)域內(nèi)殘留微小液滴。另外，由于能夠可靠擴(kuò)大干燥區(qū)域，因此能 夠高效可靠地干燥基板。
(7) 處理部還包括感光膜形成單元以及顯影處理單元，其中，該感光 膜形成單元在基板上形成由感光材料構(gòu)成的感光膜，該顯影處理單元對曝光 處理后的基板進(jìn)行顯影處理；在曝光裝置進(jìn)行曝光處理后且在顯影處理單元 進(jìn)行顯影處理前，干燥處理單元可以對基板進(jìn)行干燥處理。
在此情況下，在開始對基板實(shí)施曝光處理到實(shí)施顯影處理的期間內(nèi)，防 止在感光膜上殘留液體。由此，能夠防止殘留液體妨礙利用曝光處理后的感
光膜進(jìn)行的反應(yīng)。另外，能夠防止殘留液體導(dǎo)致曝光圖案變形。因此，能夠 可靠防止發(fā)生在顯影處理時(shí)線寬精度下降等的處理不良。
(8)本發(fā)明的其它技術(shù)方案提供一種基板處理方法，在基板處理裝置中 對基板進(jìn)行處理，該基板處理裝置配置成與曝光裝置相鄰，并且包括處理部 和交接部，該基板處理方法包括通過處理部對基板進(jìn)行曝光前的處理的工 序，通過交接部將處理部處理過的基板從處理部交接至曝光裝置的工序，通 過交接部將曝光裝置曝光處理后的基板從曝光裝置交接至處理部的工序，通 過處理部對基板進(jìn)行曝光后的處理的工序，在處理部和交接部中的至少一方 中對基板進(jìn)行干燥處理的工序；對基板進(jìn)行干燥處理的工序包括保持基板 為大致水平，同時(shí)使基板圍繞垂直于基板的軸旋轉(zhuǎn)的工序，通過移動(dòng)沖洗液 供給部，從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)供給沖洗液的工序；在供給沖 洗液的工序中，使沖洗液供給部在供給沖洗液的狀態(tài)下，暫時(shí)停止在從基板 的中心部遠(yuǎn)離規(guī)定距離的位置。
在該基板處理方法中，通過處理部對基板進(jìn)行曝光處理前的處理，通過 交接部將該基板從處理部交接至曝光裝置。通過曝光裝置對基板進(jìn)行了曝光 處理之后，通過交接部將該基板從曝光裝置交接至處理部，對該基板進(jìn)行曝 光處理后的處理。在由曝光裝置進(jìn)行曝光處理前或曝光處理后，在處理部和 交接部的至少一方中，通過干燥處理單元對基板進(jìn)行干燥處理。
在干燥處理時(shí)，在保持基板為大致水平的狀態(tài)下使該基板旋轉(zhuǎn)。然后， 沖洗液供給部一邊供給沖洗液一邊移動(dòng)，從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連 續(xù)供給沖洗液。通過向旋轉(zhuǎn)的基板的中心部供給沖洗液，從而在基板上形成 沖洗液的液層。接著，使基板上供給沖洗液的位置從基板的中心部向周邊部 移動(dòng)。由此，在液層的中心部形成沒有沖洗液的干燥區(qū)域。然后，在環(huán)狀的 液層一體地保持于基板上的狀態(tài)下，離心力使干燥區(qū)域從液層的中心向外側(cè) 擴(kuò)大。在此情況下，液層的表面張力能夠防止在干燥區(qū)域內(nèi)形成微小液滴。
另外，在對從基板的中心部遠(yuǎn)離規(guī)定距離的位置供給沖洗液的狀態(tài)下， 使沖洗液供給部的移動(dòng)暫時(shí)停止。由此，能夠防止基板上的液層被切斷為多 個(gè)部分。從而，能夠可靠地從液層的中心部擴(kuò)大一個(gè)干燥區(qū)域。因此，能夠 穩(wěn)定地對基板進(jìn)行干燥，并且能夠更可靠地防止在基板上形成微小液滴。
在對曝光處理后的基板進(jìn)行干燥處理的情況下，即使基板在曝光裝置中
附著有液體，也能夠防止該液體落在基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果，能夠防止基 板處理裝置發(fā)生動(dòng)作不良。
另外，能夠防止殘留在基板上的液體附著環(huán)境中的灰塵等。進(jìn)一步，能 夠防止殘留在基板上的液體給基板上的膜帶來壞影響。由此，能夠防止對基 板進(jìn)行的處理發(fā)生不良。
另一方面，在曝光處理前對基板進(jìn)行干燥處理的情況下，通過在基板上 形成液層，能夠在曝光處理前除去在曝光處理前的處理工序中附著在基板上 的灰塵等。其結(jié)果，能夠防止曝光裝置被污染，而且能夠防止對基板的處理 發(fā)生不良。
通過本發(fā)明，在曝光裝置進(jìn)行曝光處理前或曝光處理后，對基板進(jìn)行干 燥處理。在對曝光處理后的基板進(jìn)行干燥處理的情況下，即使基板在曝光裝 置中附著有液體，也能夠防止該液體落在基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果，能夠防 止基板處理裝置發(fā)生動(dòng)作不良。
另外，能夠防止殘留在基板上的液體附著環(huán)境中的灰塵等。進(jìn)一步，能 夠防止殘留在基板上的液體給基板上的膜帶來壞影響。由此，能夠防止對基 板的處理發(fā)生不良。
另一方面，在曝光處理前對基板進(jìn)行干燥處理的情況下，通過在基板上 形成液層，能夠在曝光處理前除去在曝光處理前的處理工序中附著在基板上 的灰塵等。其結(jié)果，能夠防止曝光裝置被污染，而且能夠防止對基板的處理
發(fā)生不良。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板處理裝置的俯視圖。
圖2是從+X方向觀察圖1的基板處理裝置時(shí)所見的概略側(cè)視圖。
圖3是從-X方向觀察圖1的基板處理裝置時(shí)所見的概略側(cè)視圖。
圖4是從+Y側(cè)觀察分度器模塊時(shí)所見的概略側(cè)視圖。
圖5是用于說明清洗/干燥處理單元的結(jié)構(gòu)的圖。
圖6是圖5的清洗/干燥處理單元的示意俯視圖。
圖7A 圖7F是用于詳細(xì)說明基板的干燥處理的圖。
圖8A 圖8F是用于詳細(xì)說明基板的干燥處理的圖。
圖9是表示基板的轉(zhuǎn)速變化的一個(gè)例子的圖。
圖10是表示清洗/干燥處理單元的其它結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖。
圖11是圖10的清洗/干燥處理單元的示意俯視圖。
圖12A 圖12F是表示圖IO及圖11的清洗/干燥處理單元對基板進(jìn)行干
燥處理的一部分的圖。
圖13是表示清洗/干燥處理單元的另外其它結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖。 圖14是表示清洗/干燥處理單元的另外其它結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，利用附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置。在下面的說 明中，基板是指半導(dǎo)體襯底、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、 光掩模用玻璃基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基 板等。
(1)基板處理裝置的結(jié)構(gòu)
圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的基板處理裝置的俯視圖。此外，在圖1以 及后述的圖2 圖4中，為了明確位置關(guān)系而附有箭頭，并表示相互垂直相 交的X方向、Y方向以及Z方向。X方向以及Y方向在水平面內(nèi)相互垂直相 交，Z方向相當(dāng)于鉛直方向。此外，在各方向上，箭頭朝向的方向?yàn)?方向，
其相反的方向?yàn)?方向。另外，以z方向?yàn)橹行牡男D(zhuǎn)方向?yàn)閑方向。
如圖1所示，基板處理裝置500包括分度器模塊9、防反射膜用處理模 塊IO、抗蝕膜用處理模塊ll、顯影處理模塊12、抗蝕蓋膜用處理模塊13、 抗蝕蓋膜除去模塊14以及接口模塊15。另外，曝光裝置16與接口模塊15 相鄰配置。在曝光裝置16中，通過液浸法對基板W進(jìn)行曝光處理。
下面，分別將分度器模塊9、防反射膜用處理模塊IO、抗蝕膜用處理模 塊U、顯影處理模塊12、抗蝕蓋膜用處理模塊13、抗蝕蓋膜除去模塊14以 及接口模塊15稱為處理模塊。
分度器模塊9包括用于控制各處理模塊的動(dòng)作的主控制器(控制部)30、 多個(gè)搬運(yùn)器裝載臺(tái)40以及分度器機(jī)械手IR。在分度器機(jī)械手IR上設(shè)有用于 交接基板W的手部IRH。
防反射膜用處理模塊10包括防反射膜用熱處理部100、 101，還包括防
反射膜用涂敷處理部50以及第一中心機(jī)械手CR1。防反射膜用涂敷處理部
50隔著第一中心機(jī)械手CR1而與防反射膜用熱處理部100、 101對置設(shè)置。 在第一中心機(jī)械手CR1的上下設(shè)有用于交接基板W的手部CRH1、 CRH2。
在分度器模塊9與防反射膜用處理模塊10之間設(shè)有隔斷環(huán)境用的隔斷壁 17。在該隔斷壁17上，上下接近地設(shè)有基板裝載部PASS1、 PASS2，基板裝 載部PASS1、 PASS2用于在分度器模塊9與防反射膜用處理模塊10之間交 接基板W。在將基板W從分度器模塊9向防反射膜用處理模塊10搬運(yùn)時(shí)使 用上側(cè)的基板裝載部PASS1，在將基板W從防反射膜用處理模塊10向分度 器模塊9搬運(yùn)時(shí)使用下側(cè)的基板裝載部PASS2。
另外，在基板裝載部PASS1、 PASS2上設(shè)有用于檢測有無基板W的光 學(xué)傳感器(未圖示)。由此，能夠判定在基板裝載部PASS1、 PASS2上是否 裝載有基板W。另外，在基板裝載部PASS1、 PASS2上設(shè)有被固定設(shè)置的多 根支撐銷。此外，同樣在后述的基板裝載部PASS3 PASS13上也設(shè)置有上 述光學(xué)傳感器和支撐銷。
抗蝕膜用處理模塊11包括抗蝕膜用熱處理部110、 111，還包括抗蝕膜 用涂敷處理部60以及第二中心機(jī)械手CR2。抗蝕膜用涂敷處理部60隔著第 二中心機(jī)械手CR2而與抗蝕膜用熱處理部110、 lll對置設(shè)置。在第二中心 機(jī)械手CR2的上下設(shè)有用于交接基板W的手部CRH3、 CRH4。
在防反射膜用處理模塊10與抗蝕膜用處理模塊11之間設(shè)有隔斷環(huán)境用 的隔斷壁18。在該隔斷壁18上，上下接近地設(shè)有基板裝載部PASS3、PASS4， 基板裝載部PASS3、 PASS4用于在防反射膜用處理模塊10與抗蝕膜用處理 模塊11之間交接基板W。在將基板W從防反射膜用處理模塊10向抗蝕膜用 處理模塊11搬運(yùn)時(shí)使用上側(cè)的基板裝載部PASS3，在將基板W從抗蝕膜用 處理模塊11向防反射膜用處理模塊10搬運(yùn)時(shí)使用下側(cè)的基板裝載部PASS4 。
顯影處理模塊12包括顯影用熱處理部120、 121，還包括顯影處理部70 以及第三中心機(jī)械手CR3。顯影處理部70隔著第三中心機(jī)械手CR3而與顯 影用熱處理部120、 121對置設(shè)置。在第三中心機(jī)械手CR3的上下設(shè)有用于 交接基板W的手部CRH5、 CRH6。
在抗蝕膜用處理模塊11與顯影處理模塊12之間設(shè)有隔斷環(huán)境用的隔斷 壁19。在該隔斷壁19上，上下接近地設(shè)有基板裝載部PASS5、 PASS6，基
板裝載部PASS5、 PASS6用于在抗蝕膜用處理模塊11與顯影處理模塊12之 間交接基板W。在將基板W從抗蝕膜用處理模塊11向顯影處理模塊12搬運(yùn) 時(shí)使用上側(cè)的基板裝載部PASS5，在將基板W從顯影處理模塊12向抗蝕膜 用處理模塊11搬運(yùn)時(shí)使用下側(cè)的基板裝載部PASS6。
抗蝕蓋膜用處理模塊13包括抗蝕蓋膜用熱處理部130、 131，還包括抗 蝕蓋膜用涂敷處理部80以及第四中心機(jī)械手CR4?？刮g蓋膜用涂敷處理部 80隔著第四中心機(jī)械手CR4而與抗蝕蓋膜用熱處理部130、 131對置設(shè)置。 在第四中心機(jī)械手CR4的上下設(shè)有用于交接基板W的手部CRH7、 CRH8。
在顯影處理模塊12與抗蝕蓋膜用處理模塊13之間設(shè)有隔斷環(huán)境用的隔 斷壁20。在該隔斷壁20上，上下接近地設(shè)有基板裝載部PASS7、 PASS8， 基板裝載部PASS7、 PASS8用于在顯影處理模塊12與抗蝕蓋膜用處理模塊 13之間交接基板W。在將基板W從顯影處理模塊12向抗蝕蓋膜用處理模塊 13搬運(yùn)時(shí)使用上側(cè)的基板裝載部PASS7，在將基板W從抗蝕蓋膜用處理模 塊13向顯影處理模塊12搬運(yùn)時(shí)使用下側(cè)的基板裝載部PASS8。
抗蝕蓋膜除去模塊14包括曝光后烘干用熱處理部140、 141，還包括抗 蝕蓋膜除去用處理部卯以及第五中心機(jī)械手CR5。曝光后烘干用熱處理部 141與接口模塊15相鄰，如后述那樣具有基板裝載部PASSll、 PASS12?？?蝕蓋膜除去用處理部90隔著第五中心機(jī)械手CR5而與曝光后烘干用熱處理 部140、 141對置設(shè)置。在第五中心機(jī)械手CR5的上下設(shè)有用于交接基板W 的手部CRH9、 CRHIO。
在抗蝕蓋膜用處理模塊13與抗蝕蓋膜除去模塊14之間設(shè)有隔斷環(huán)境用 的隔斷壁21 。在該隔斷壁21上，上下接近地設(shè)有基板裝載部PASS9、PASS10， 基板裝載部PASS9、 PASS10用于在抗蝕蓋膜用處理模塊13與抗蝕蓋膜除去 模塊14之間交接基板W。在將基板W從抗蝕蓋膜用處理模塊13向抗蝕蓋膜 除去模塊14搬運(yùn)時(shí)使用上側(cè)的基板裝載部PASS9，在將基板W從抗蝕蓋膜 除去模塊14向抗蝕蓋膜用處理模塊13搬運(yùn)時(shí)使用下側(cè)的基板裝載部 PASS 10。
接口模塊15包括輸送緩沖部SBF、清洗/干燥處理單元SD1、第六中心 機(jī)械手CR6、邊緣曝光部EEW、返回緩沖部RBF、裝載兼冷卻單元PASS-CP (以下簡稱為P-CP)、基板裝載部PASS13、接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR以及清洗/
干燥處理單元SD2。此外，清洗/干燥處理單元SD1對曝光處理前的基板W
進(jìn)行清洗和干燥處理，清洗/干燥處理單元SD2對曝光處理后的基板W進(jìn)行 清洗和干燥處理。在后面對清洗/干燥處理單元SDl、 SD2進(jìn)行詳細(xì)描述。
另外，在第六中心機(jī)械手CR6的上下設(shè)有用于交接基板W的手部 CRHll、 CRH12 (參照圖4)，在接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR的上下設(shè)有用于交接 基板W的手部H1、 H2 (參照圖4)。在后面對接口模塊15進(jìn)行詳細(xì)描述。
在本實(shí)施方式的基板處理裝置500中，沿著Y方向按順序排列設(shè)置有分 度器模塊9、防反射膜用處理模塊IO、抗蝕膜用處理模塊ll、顯影處理模塊 12、抗蝕蓋膜用處理模塊13、抗蝕蓋膜除去模塊14以及接口模塊15
圖2是從+X方向觀察圖1的基板處理裝置500時(shí)所見的概略側(cè)視圖，圖 3是從-X方向觀察圖1的基板處理裝置500時(shí)所見的概略側(cè)視圖。此外，圖 2主要表示設(shè)置在基板處理裝置500的+X側(cè)的部分，圖3主要表示設(shè)置在基 板處理裝置500的-X側(cè)的部分。
首先，利用圖2對基板處理裝置500的+X側(cè)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖2 所示，在防反射膜用處理模塊10的防反射膜用涂敷處理部50 (參照圖1)上， 上下層疊配置有三個(gè)涂敷單元BARC。各涂敷單元BARC具有旋轉(zhuǎn)卡盤51 和供給噴嘴52，該旋轉(zhuǎn)卡盤51以水平姿態(tài)吸附保持基板W并旋轉(zhuǎn)，該供給 噴嘴52對保持在旋轉(zhuǎn)卡盤51上的基板W供給防反射膜的涂敷液。
在抗蝕膜用處理模塊11的抗蝕膜用涂敷處理部60 (參照圖1)上，上下 層疊配置有三個(gè)涂敷單元RES。各涂敷單元RES具有旋轉(zhuǎn)卡盤61和供給噴 嘴62，該旋轉(zhuǎn)卡盤61以水平姿態(tài)吸附保持基板W并旋轉(zhuǎn)，該供給噴嘴62 對保持在旋轉(zhuǎn)卡盤61上的基板W供給抗蝕膜的涂敷液。
在顯影處理模塊12的顯影處理部70上，上下層疊配置有五個(gè)顯影處理 單元DEV。各顯影處理單元DEV具有旋轉(zhuǎn)卡盤71和供給噴嘴72，該旋轉(zhuǎn)卡 盤71以水平姿態(tài)吸附保持基板W并旋轉(zhuǎn)，該供給噴嘴72對保持在旋轉(zhuǎn)卡盤 71上的基板W供給顯影液。
在抗蝕蓋膜用處理模塊13的抗蝕蓋膜用涂敷處理部80上，上下層疊配 置有三個(gè)涂敷單元COV。各涂敷單元COV具有旋轉(zhuǎn)卡盤81和供給噴嘴82， 該旋轉(zhuǎn)卡盤81以水平姿態(tài)吸附保持基板W并旋轉(zhuǎn)，該供給噴嘴82對保持在 旋轉(zhuǎn)卡盤81上的基板W供給抗蝕蓋膜的涂敷液。作為抗蝕蓋膜的涂敷液，
能夠使用與抗蝕劑以及水的親和力小的材料(與抗蝕劑以及水的反應(yīng)性弱的 材料)。例如氟樹脂。涂敷單元COV在使基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，在基板W上 涂敷涂敷液，從而在形成于基板W上的抗蝕膜上形成抗蝕蓋膜。
在抗蝕蓋膜除去模塊14的抗蝕蓋膜除去用處理部90上，上下層疊配置 有三個(gè)除去單元REM。各除去單元REM具有旋轉(zhuǎn)卡盤91和供給噴嘴92， 該旋轉(zhuǎn)卡盤91以水平姿態(tài)吸附保持基板W并旋轉(zhuǎn)，該供給噴嘴92對保持在 旋轉(zhuǎn)卡盤91上的基板W供給剝離液(例如氟樹脂)。除去單元REM在使基 板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，在基板W上涂敷剝離液，從而除去形成于基板W上的抗 蝕蓋膜。
此外，除去單元REM除去抗蝕蓋膜的方法并不僅限于上述的例子。例 如，可以在基板W的上方移動(dòng)狹縫噴嘴，同時(shí)對基板W上供給剝離液，從 而除去抗蝕蓋膜。
在接口模塊15內(nèi)的+X側(cè)，上下層疊配置有邊緣曝光部EEW以及三個(gè) 清洗/干燥處理單元SD2。各邊緣曝光部EEW具有旋轉(zhuǎn)卡盤98和光照射器 99，該旋轉(zhuǎn)卡盤98以水平姿態(tài)吸附保持基板W并旋轉(zhuǎn)，該光照射器99對保 持在旋轉(zhuǎn)卡盤98上的基板W的周邊進(jìn)行曝光。
接著，利用圖3對基板處理裝置500的-X側(cè)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖3所 示，在防反射膜用處理模塊10的防反射膜用熱處理部100、 101上，分別層 疊配置有兩個(gè)加熱單元(加熱板)HP和兩個(gè)冷卻單元(冷卻板)CP。另外， 防反射膜用熱處理部100、 101在其最上部分別配置有對加熱單元HP和冷卻 單元CP的溫度進(jìn)行控制的局部控制器LC。
在抗蝕膜用處理模塊ll的抗蝕膜用熱處理部110、 111上，分別層疊配 置有兩個(gè)加熱單元HP和兩個(gè)冷卻單元CP。另外，抗蝕膜用熱處理部IIO、 111在其最上部分別配置有對加熱單元HP和冷卻單元CP的溫度進(jìn)行控制的 局部控制器LC。
在顯影處理模塊12的顯影熱處理部120、 121上，分別層疊配置有兩個(gè) 加熱單元HP和兩個(gè)冷卻單元CP。另外，顯影熱處理部120、 121在其最上 部分別配置有對加熱單元HP和冷卻單元CP的溫度進(jìn)行控制的局部控制器 LC。
在抗蝕蓋膜用處理模塊13的抗蝕蓋膜用熱處理部130、 131上，分別層
疊配置有兩個(gè)加熱單元HP和兩個(gè)冷卻單元CP。另外，抗蝕蓋膜用熱處理部
130、 131在其最上部分別配置有對加熱單元HP和冷卻單元CP的溫度進(jìn)行 控制的局部控制器LC。
在抗蝕蓋膜除去模塊14的曝光后烘干用熱處理部140上，上下層疊配置 有兩個(gè)加熱單元HP和兩個(gè)冷卻單元CP，在曝光后烘干用熱處理部141上， 上下層疊配置有兩個(gè)加熱單元HP、兩個(gè)冷卻單元CP以及基板裝載部 PASSll、 PASS12。另外，曝光后烘干用熱處理部140、 141在其最上部分別 配置有對加熱單元HP和冷卻單元CP的溫度進(jìn)行控制的局部控制器LC。
接著，利用圖4對接口模塊15進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖4是從+Y側(cè)觀察分度器模塊15時(shí)所見的概略側(cè)視圖。如圖4所示， 在接口模塊15內(nèi)，在-X側(cè)層疊配置有輸送緩沖部SBF以及三個(gè)清洗/干燥處 理單元SD1 。另外，在接口模塊15內(nèi)，在+X側(cè)的上部配置有邊緣曝光部EEW。
在邊緣曝光部EEW的下方，在接口模塊15內(nèi)的大致中央部，上下層疊 配置有返回緩沖部RBF、兩個(gè)裝載兼冷卻單元P-CP以及基板裝載部PASS13。 在邊緣曝光部EEW的下方，在接口模塊15內(nèi)的+X側(cè)，上下層疊配置有三 個(gè)清洗/干燥處理單元SD2。
另外，在接口模塊15內(nèi)的下部，設(shè)有第六中心機(jī)械手CR6和接口用搬 運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR。將第六中心機(jī)械手CR6設(shè)置為，能夠在輸送緩沖部SBF及清洗 /干燥處理單元SD1和邊緣曝光部EEW、返回緩沖部RBF、裝載兼冷卻單元 P-CP及基板裝載部PASS13之間上下移動(dòng)且能夠轉(zhuǎn)動(dòng)。將接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR 設(shè)置為，能夠在返回緩沖部RBF、裝載兼冷卻單元P-CP及基板裝載部PASS13 和清洗/干燥處理單元SD2之間上下移動(dòng)并且能夠轉(zhuǎn)動(dòng)。 (2)基板處理裝置的動(dòng)作
接著，參照圖1 圖4，針對本實(shí)施方式的基板處理裝置500的動(dòng)作進(jìn)行 說明。
(2-1)分度器模塊 抗蝕蓋膜除去模塊的動(dòng)作 首先，針對分度器模塊9 抗蝕蓋膜除去模塊14的動(dòng)作進(jìn)行簡單說明。 將搬運(yùn)器C搬入到分度器模塊9的搬運(yùn)器裝載臺(tái)40上，其中該搬運(yùn)器C 以多層容置多個(gè)基板W。分度器機(jī)械手IR利用手部IRH取出容置在搬運(yùn)器 C內(nèi)的未處理的基板W。然后，分度器機(jī)械手IR向士X方向移動(dòng)的同時(shí)向士e
方向轉(zhuǎn)動(dòng)，從而將未處理的基板W裝載在基板裝載部PASS1上。
在本實(shí)施方式中，采用FOUP (front opening unified pod:前開式統(tǒng)一標(biāo) 準(zhǔn)箱)作為搬運(yùn)器C，但并不僅限于此，也可以采用SMIF(Standard Mechanical Inter Face:標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面)容器或?qū)⑷葜玫幕錡暴露在外部空氣中的OC (open cassette: 開放式盒子)等。
進(jìn)一步，分度器機(jī)械手IR、第一 第六中心機(jī)械手CR1 CR6以及接口 用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR分別使用直動(dòng)式搬運(yùn)機(jī)械手，該直動(dòng)式搬運(yùn)機(jī)械手相對基板 W進(jìn)行直線滑動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)手部的進(jìn)退動(dòng)作，但并不僅限于此，也可以使用 通過使關(guān)節(jié)活動(dòng)從而直線地進(jìn)行手部的進(jìn)退動(dòng)作的多關(guān)節(jié)式搬運(yùn)機(jī)械手。
裝載在基板裝載部PASS1上的未處理的基板W被防反射膜用處理模塊 10的第一中心機(jī)械手CR1接收。第一中心機(jī)械手CR1將該基板W搬入到防 反射膜用熱處理部IOO、 101。
然后，第一中心機(jī)械手CR1從防反射膜用熱處理部100、 101中取出經(jīng) 過熱處理的基板W，將該基板W搬入防反射膜用涂敷處理部50。在該防反 射膜用涂敷處理部50中，為了減少曝光時(shí)發(fā)生的駐波或光暈，通過涂敷單元 BARC，在基板W上涂敷形成防反射膜。
接著，第一中心機(jī)械手CR1從防反射膜用涂敷處理部50中取出經(jīng)過涂 敷處理的基板W，將該基板W搬入到防反射膜用熱處理部100、 101。然后， 第一中心機(jī)械手CR1從防反射膜用熱處理部100、 101中取出經(jīng)過熱處理的 基板W，將該基板W裝載在基板裝載部PASS3上。
裝載在基板裝載部PASS3上的基板W被抗蝕膜用處理模塊11的第二中 心機(jī)械手CR2接收。第二中心機(jī)械手CR2將該基板W搬入到抗蝕膜用熱處 理部110、 111。
然后，第二中心機(jī)械手CR2從抗蝕膜用熱處理部110、 111中取出經(jīng)過 熱處理的基板W，將該基板W搬入到抗蝕膜用涂敷處理部60。在該抗蝕膜 用涂敷處理部60中，通過涂敷單元RES在涂敷形成有防反射膜的基板W上 涂敷形成抗蝕膜。
接著，第二中心機(jī)械手CR2從抗蝕膜用涂敷處理部60中取出經(jīng)過涂敷 處理的基板W，將該基板W搬入到抗蝕膜用熱處理部110、 111。然后，第 二中心機(jī)械手CR2從抗蝕膜用熱處理部110、 111中取出經(jīng)過熱處理的基板
W，將該基板W裝載在基板裝載部PASS5上。
裝載在基板裝載部PASS5上的基板W被顯影處理模塊12的第三中心機(jī) 械手CR3接收。第三中心機(jī)械手CR3將該基板W裝載在基板裝載部PASS7 上。
裝載在基板裝載部PASS7上的基板W被抗蝕蓋膜用處理模塊13的第四 中心機(jī)械手CR4接收。第四中心機(jī)械手CR4將該基板W搬入到抗蝕蓋膜涂 敷處理部80。在該抗蝕蓋膜涂敷處理部80中，通過涂敷單元COV在涂敷形 成有抗蝕膜的基板W上涂敷形成抗蝕蓋膜。由于形成了抗蝕蓋膜，即使在曝 光裝置16中基板W與液體接觸，也能夠防止抗蝕膜與液體接觸，從而防止 抗蝕劑的成分溶解到液體中。
接著，第四中心機(jī)械手CR4從抗蝕蓋膜用涂敷處理部80中取出經(jīng)過涂 敷處理的基板W，將該基板W搬入到抗蝕蓋膜用熱處理部130、 131。然后， 第四中心機(jī)械手CR4從抗蝕蓋膜用熱處理部130、 131中取出經(jīng)過熱處理的 基板W，將該基板W裝載在基板裝載部PASS9上。
裝載在基板裝載部PASS9上的基板W被抗蝕蓋膜除去模塊14的第五中 心機(jī)械手CR5接收。第五中心機(jī)械手CR5將該基板W裝載在基板裝載部 PASS11上。
裝載在基板裝載部PASSU上的基板W被接口模塊15的第六中心機(jī)械 手CR6接收，如后述那樣，在接口模塊15以及曝光裝置16中實(shí)施規(guī)定的處 理。在接口模塊15以及曝光裝置16中對基板W實(shí)施了規(guī)定的處理后，該基 板W被第六中心機(jī)械手CR6搬入到抗蝕蓋膜除去模塊14的曝光后烘干用熱 處理部141。
在曝光后烘干用熱處理部141中，對基板進(jìn)行曝光后烘干(PEB)。然 后，第六中心機(jī)械手CR6從曝光后烘干用熱處理部141中取出基板W，將該 基板W裝載在基板裝載部PASS 12上。
此外，在本實(shí)施方式中通過曝光后烘干用熱處理部141進(jìn)行曝光后烘干， 但也可以通過曝光后烘干用熱處理部140進(jìn)行曝光后烘干。
裝載在基板裝載部PASS12上的基板W被抗蝕蓋膜除去模塊14的第五 中心機(jī)械手CR5接收。第五中心機(jī)械手CR5將該基板W搬入到抗蝕蓋膜除 去用處理部90。在抗蝕蓋膜除去用處理部90中，除去抗蝕蓋膜。
接著，第五中心機(jī)械手CR5從抗蝕蓋膜除去用處理部90中取出經(jīng)過處
理的基板W，將該基板W裝載在基板裝載部PASS10上。
裝載在基板裝載部PASS10上的基板W被抗蝕蓋膜用處理模塊13的第 四中心機(jī)械手CR4裝載在基板裝載部PASS8上。
裝載在基板裝載部PASS8上的基板W被顯影處理模塊12的第三中心機(jī) 械手CR3接收。第三中心機(jī)械手CR3將該基板W搬入到顯影處理部70。在 顯影處理部70中，對經(jīng)過曝光的基板W進(jìn)行顯影處理。
接著，第三中心機(jī)械手CR3從顯影處理部70中取出經(jīng)過顯影處理的基 板W，將該基板W搬入到顯影用熱處理部120、 121。然后，第三中心機(jī)械 手CR3從顯影用熱處理部120、 121中取出熱處理后的基板W，將該基板W 裝載在基板裝載部PASS6上。
裝載在基板裝載部PASS6上的基板W被抗蝕膜用處理模塊11的第二中 心機(jī)械手CR2裝載在基板裝載部PASS4上。裝載在基板裝載部PASS4上的 基板W被防反射膜用處理模塊10的第一中心機(jī)械手CR1裝載在基板裝載部 PASS2上。
裝載在基板裝載部PASS2上的基板W被分度器模塊9的分度器機(jī)械手 IR容置在搬運(yùn)器C中。由此，基板處理裝置500對基板W進(jìn)行的各處理結(jié)束。
(2-2)接口模塊的動(dòng)作 接著，針對接口模塊15的動(dòng)作進(jìn)行詳細(xì)說明。
如上所述，對搬入到分度器模塊9中的基板W實(shí)施了規(guī)定的處理后，將 該基板W裝載在抗蝕蓋膜除去模塊14 (圖l)的基板裝載部PASS11上。
裝載在基板裝載部PASSU上的基板W被接口模塊15的第六中心機(jī)械 手CR6接收。第六中心機(jī)械手CR6將該基板W搬入到邊緣曝光部EEW (圖 4)。在該邊緣曝光部EEW中，對基板W的周邊部實(shí)施曝光處理。
接著，第六中心機(jī)械手CR6從邊緣曝光部EEW中取出經(jīng)過邊緣曝光處 理的基板W，將該基板W搬入到某一個(gè)清洗/干燥處理單元SD1中。在清洗 /干燥處理單元SD1中，如上述那樣對曝光處理前的基板W進(jìn)行清洗以及干 燥處理。
在此，曝光裝置16進(jìn)行曝光處理的時(shí)間通常比其它處理工序和搬運(yùn)工序
的時(shí)間長。其結(jié)果，很多時(shí)候曝光裝置16無法接收排在后面的基板W。此
時(shí)，將基板W暫時(shí)容置保管在輸送緩沖部SBF (圖4)中。在本實(shí)施方式中， 第六中心機(jī)械手CR6從清洗/干燥處理單元SD1中取出經(jīng)過干燥處理的基板 W，將該基板W搬運(yùn)至輸送緩沖部SBF。
接著，第六中心機(jī)械手CR6取出容置保管在輸送緩沖部SBF中的基板 W，將該基板W搬入到裝載兼冷卻單元P-CP。將搬入到裝載兼冷卻單元P-CP 中的基板W保持為與曝光裝置16內(nèi)相同的溫度(例如23。C)。
此外，在曝光裝置16具有足夠的處理速度的情況下，可以不將基板W 容置保管在輸送緩沖部SBF中，而是將基板W從清洗/干燥處理單元SD1搬 運(yùn)至裝載兼冷卻單元P-CP。
接著，通過接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR的上側(cè)的手部H1 (圖4)接收由裝載兼 冷卻單元P-CP保持為上述規(guī)定溫度的基板W，并將該基板W搬入到曝光裝 置16內(nèi)的基板搬入部16a (圖1)。
在曝光裝置16中對基板W實(shí)施曝光處理，然后通過接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR 的下側(cè)的手部H2 (圖4)將該基板W從基板搬出部16b (圖1)搬出。接口 用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR通過手部H2將該基板W搬入到某一個(gè)清洗/干燥處理單元 SD2。在清洗/干燥處理單元SD2中，如上述那樣對曝光處理后的基板W進(jìn) 行清洗以及干燥處理。
在清洗/干燥處理單元SD2中，對基板W實(shí)施清洗和干燥處理，然后通 過接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR的手部Hl (圖4)取出該基板W。接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR 通過手部Hl將該基板W裝載在基板裝載部PASS13上。
裝載在基板裝載部PASS13上的基板W被第六中心機(jī)械手CR6接收。 第六中心機(jī)械手CR6將該基板W搬運(yùn)至抗蝕蓋膜除去模塊14 (圖1)的曝 光后烘干用熱處理部141。
此外，在因除去單元REM (圖2)發(fā)生故障等而導(dǎo)致抗蝕蓋膜除去模塊 14暫時(shí)無法接收基板W時(shí)，能夠?qū)⑵毓馓幚砗蟮幕錡暫時(shí)容置保管在返 回緩沖部RBF中。
因此，在本實(shí)施方式中，第六中心機(jī)械手CR6雖然在基板裝載部PASSU (圖1)、邊緣曝光部EEW、清洗/干燥處理單元SDl、輸送緩沖部SBF、裝 載兼冷卻單元P-CP、基板裝載部PASS13以及曝光后烘干用熱處理部141之
間搬運(yùn)基板W，但能夠在短時(shí)間(例如24秒)內(nèi)進(jìn)行這一系列的動(dòng)作。
另外，接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR雖然在裝載兼冷卻單元P-CP、曝光裝置16、 清洗/干燥處理單元SD2以及基板裝載部PASS13之間搬運(yùn)基板W，但能夠 在短時(shí)間(例如24秒)內(nèi)進(jìn)行這一系列的動(dòng)作。 這些處理的結(jié)果，能夠可靠地提高生產(chǎn)力。
(3)清洗/干燥處理單元 接著，利用附圖詳細(xì)說明清洗/干燥處理單元SDK SD2。此外，清洗/ 干燥處理單元SD1、 SD2可以使用相同的結(jié)構(gòu)。 (3-1)結(jié)構(gòu)
圖5是表示清洗/干燥處理單元SDl、 SD2的結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖，圖6是 圖5的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2的示意俯視圖。如圖5和圖6所示，清 洗/干燥處理單元SDl、 SD2具有旋轉(zhuǎn)卡盤621，該旋轉(zhuǎn)卡盤621用于水平保 持基板W，并且使基板W圍繞通過基板W中心的鉛直的旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
旋轉(zhuǎn)卡盤621固定在旋轉(zhuǎn)軸625 (圖5)的上端，其中該旋轉(zhuǎn)軸625由卡 盤旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)636 (圖5)而旋轉(zhuǎn)。另外，在旋轉(zhuǎn)卡盤621上形成有吸氣線 路(未圖示)，在基板W裝載于旋轉(zhuǎn)卡盤621上的狀態(tài)下，對吸氣線路進(jìn)行 排氣，由此使基板W的下表面真空吸附在旋轉(zhuǎn)卡盤621上，從而能夠以水平 姿態(tài)保持基板W。
在旋轉(zhuǎn)卡盤621的外側(cè)設(shè)有馬達(dá)660。馬達(dá)660連接有轉(zhuǎn)動(dòng)軸661 。另外， 在轉(zhuǎn)動(dòng)軸661上連接有水平方向延伸的臂部662，在臂部662的前端設(shè)有液 體供給噴嘴650。
馬達(dá)660使轉(zhuǎn)動(dòng)軸661旋轉(zhuǎn)，并且使臂部662轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，液體供給噴 嘴650在由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的中心部上方的位置和基板W的外 側(cè)位置之間移動(dòng)(圖6)。
以通過馬達(dá)660、轉(zhuǎn)動(dòng)軸661以及臂部662的內(nèi)部的方式設(shè)置清洗處理 用供給管663。清洗處理用供給管663經(jīng)由閥Va和閥Vb與清洗液供給源Rl 和沖洗液供給源R2連接。
通過控制閥Va和閥Vb的開閉，能夠選擇向清洗處理用供給管663供給 的處理液且能夠調(diào)整處理液的供給量。在圖5的結(jié)構(gòu)中，打開閥Va則能夠 向清洗處理用供給管663供給清洗液，打開閥Vb則能夠向清洗處理用供給
管663供給沖洗液。
針對液體供給噴嘴650，通過清洗處理用供給管663從清洗液供給源Rl 或者沖洗液供給源R2供給清洗液或者沖洗液。由此，能夠向基板W的表面 供給清洗液或者沖洗液。作為清洗液，例如采用純水、純水中溶解了絡(luò)合物 (離子化的物質(zhì))的液體或者氟系列藥液等。作為沖洗液，采用了例如純水、 碳酸水、富氫水、電解離子水以及HFE (氫氟醚)或有機(jī)類液體等。
另外，可以將在曝光裝置16中進(jìn)行曝光處理時(shí)所使用的浸液液體作為清 洗液或沖洗液。作為浸液液體，可以舉出純水、具有高折射率的丙三醇、混 合了高折射率的微粒(例如，鋁氧化物)與純水的混合液以及有機(jī)類液體等。 作為浸液液體的其他例子，可以舉出在純水中溶解了絡(luò)合物(離子化的物質(zhì)) 的液體、碳酸水、富氫水、電解離子水、HFE (氫氟醚)、氫氟酸、硫酸以 及硫酸過氧化氫水溶液等。
如圖5所示，由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W被容納于處理杯623內(nèi)。在 處理杯623的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有筒狀的隔斷壁633。另外，以包圍旋轉(zhuǎn)卡盤621 的周圍的方式形成有用于排出在基板W的處理中使用的處理液(清洗液或者 沖洗液)的排液空間631。進(jìn)一步，以包圍排液空間631的方式在處理杯623 和隔斷壁633之間形成有用于回收在基板W的處理中使用過的處理液的回收 液空間632。
排液空間631連接有用于向排液處理裝置(未圖示)導(dǎo)入處理液的排液 管634，回收液空間632連接有用于向回收處理裝置(未圖示)導(dǎo)入處理液 的回收管635。
在處理杯623的上方設(shè)置有用于防止來自基板W的處理液向外側(cè)飛散的 擋板624。該擋板624具有相對旋轉(zhuǎn)軸625旋轉(zhuǎn)對稱的形狀。在擋板624上 端部的內(nèi)面，環(huán)狀地形成有剖面為"<"字狀的排液引導(dǎo)槽641。
另外，在擋板624下端部的內(nèi)面，形成有由向外側(cè)下方傾斜的傾斜面構(gòu) 成的回收液引導(dǎo)部642。在回收液引導(dǎo)部642的上端附近，形成有用于容納 處理杯623的隔斷壁633的隔斷壁容納槽643。
在該擋板624設(shè)置有由滾珠絲杠機(jī)構(gòu)等構(gòu)成的擋板升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖 示)。擋板升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使擋板624在以下兩個(gè)位置之間上下移動(dòng)，這里的 兩個(gè)位置分別是，回收液引導(dǎo)部642與由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的外周 端面相對置的回收位置，排液引導(dǎo)槽641與由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的
外周端面相對置的排液位置。在擋板624位于回收位置(如圖5所示的擋板 的位置)的情況下，回收液引導(dǎo)部642將從基板W向外側(cè)飛散的處理液導(dǎo)入 回收液空間632，并通過回收管635進(jìn)行回收。另一方面，在擋板624位于 排液位置的情況下，排液引導(dǎo)槽641將從基板W向外側(cè)飛散的處理液導(dǎo)入排 液空間631，并通過排液管634進(jìn)行排液。通過以上的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行對處理液 的排液以及回收。 (3-2)動(dòng)作
下面，對具有上述結(jié)構(gòu)的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2的處理動(dòng)作進(jìn)行 說明。此外，對以下要說明的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2的各構(gòu)成要素的 動(dòng)作，通過圖1的主控制器(控制部)30來進(jìn)行控制。
首先，當(dāng)搬入基板W時(shí)，使擋板624下降，同時(shí)圖l的第六中心機(jī)械手 CR6或接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR將基板W裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤621上。裝載到旋轉(zhuǎn)卡 盤621上的基板W，被旋轉(zhuǎn)卡盤621吸附保持。
接著，擋板624移動(dòng)到上述排液位置，并且液體供給噴嘴650向基板W 的中心部上方移動(dòng)。然后，旋轉(zhuǎn)軸625旋轉(zhuǎn)，隨著該旋轉(zhuǎn)，被保持在旋轉(zhuǎn)卡 盤621上的基板W也旋轉(zhuǎn)。然后，液體供給噴嘴650將清洗液噴到基板W 的上表面。由此，對基板W進(jìn)行清洗。
此外，在清洗/干燥處理單元SDl中，當(dāng)進(jìn)行該清洗時(shí)基板W上的抗蝕 蓋膜的成分會(huì)溶解到清洗液中。另外，在對基板W的清洗中，使基板W旋 轉(zhuǎn)的同時(shí)向基板W上供給清洗液。此時(shí)，離心力使基板W上的清洗液總是 向基板W的周邊部移動(dòng)并飛散。因而，能夠防止溶解到清洗液中的抗蝕蓋膜 的成分殘留在基板W上。
此外，對于上述抗蝕蓋膜的成分，例如也可以通過在基板W上盛滿純水 并保持一定時(shí)間來進(jìn)行溶解。另外，也可以通過使用雙流體噴嘴的柔性噴射 (soft spray)方式來向基板W供給清洗液。
經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，停止供給清洗液，并從液體供給噴嘴650噴射沖洗液。 由此，沖洗掉基板W上的清洗液。然后，通過進(jìn)行后述的干燥處理，除去基 板W上的沖洗液，干燥基板W。詳細(xì)過程如后述。
構(gòu)IFR搬出基板W。由此，結(jié)束在清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中的處理動(dòng)
作。此外，優(yōu)選地按照處理液的回收或者排液的需要對在清洗以及干燥處理
中的擋板624的位置進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏?br> 此外，在上述實(shí)施方式中，采用了清洗液的供給以及沖洗液的供給都共 用液體供給噴嘴650的結(jié)構(gòu)，以使從液體供給噴嘴650既能夠供給清洗液又 能夠供給沖洗液，但也可以采用分別分開清洗液供給用的噴嘴和沖洗液供給 用噴嘴的結(jié)構(gòu)。
另外，在將純水作為清洗基板W的清洗液來使用的情況下，可以使用該 清洗液進(jìn)行后述的干燥處理。
另外，在基板W存在輕微污染的情況下，可以利用清洗液進(jìn)行清洗。此 時(shí)，通過下述利用沖洗液進(jìn)行的干燥處理，能夠充分地除去基板W上的污染 物。
(3-3)基板的干燥處理的詳情
下面，詳細(xì)地說明清洗/干燥處理單元SD1、 SD2對基板W進(jìn)行的干燥 處理。此外，本例子所使用的基板W的直徑例如為200 300mm。
在利用離心力對基板W進(jìn)行干燥的情況下，容易在基板W上殘留微小 液滴。這是由于，對于微小液體僅作用與質(zhì)量相對應(yīng)的小的離心力，很難從 基板W上脫離。另外，如果在基板W的中心部附近存在微小液滴，則對該 微小液滴起作用的離心力更小，難以除去微小液滴。在基板W上的抗蝕蓋膜 的疏水性高的情況下，尤其容易形成這種微小液滴。
在本實(shí)施方式中，能夠防止微小液滴在基板W上形成以及附著，從而能 夠可靠地從基板W上除去沖洗液。
圖7A 圖7F以及圖8A 圖8F是用于詳細(xì)說明基板W的干燥處理的圖。 此外，圖7A 圖7C以及圖8A 圖8C是從上方觀察基板W時(shí)所見的圖， 圖7D 圖7F以及圖8D 圖8F是從側(cè)方觀察基板W時(shí)所見的圖。
如上所述，對基板W進(jìn)行了清洗處理后，液體供給噴嘴650移動(dòng)至基板 W的中心部上方，向基板W噴射沖洗液。由此，沖洗掉基板W上的清洗液。 經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，在液體供給噴嘴650持續(xù)噴射沖洗液的狀態(tài)下，提升基板 W的轉(zhuǎn)速。沖洗液的流量例如為0.2 0.8L/min。此時(shí)，如圖7A至圖7D所 示，形成沖洗液的液層L，以便覆蓋基板W的一個(gè)面。
接著，如圖7B和圖7E所示，液體供給噴嘴650從基板W的中心部上 方向外側(cè)移動(dòng)。移動(dòng)速度例如為6 10mm/sec。在此情況下，伴隨基板W的 旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力使液層L的中心部的厚度變小。以下，將厚度變小的液層 L的區(qū)域稱為薄層區(qū)域。
液體供給噴嘴650在從基板W的中心部上方移動(dòng)了規(guī)定距離的時(shí)刻暫時(shí) 停止移動(dòng)。液體供給噴嘴650停止的位置與基板W的旋轉(zhuǎn)軸之間的水平距離 例如為15 25mm。另外，停止時(shí)間例如為IO秒左右。此時(shí)，如圖7C和圖 7F所示，離心力在薄層區(qū)域內(nèi)切斷液層L，從而在液層L的中心部形成孔部 (以下稱為干燥核斑C)。
此時(shí)，液體供給噴嘴650暫時(shí)停止移動(dòng)，以此限制液層L的薄層區(qū)域擴(kuò) 大。如果薄層區(qū)域擴(kuò)大，則在該薄層區(qū)域內(nèi)會(huì)形成多個(gè)干燥核斑。在本實(shí)施 方式中，防止形成多個(gè)干燥核斑C，從而只形成一個(gè)干燥核斑C。
通過實(shí)驗(yàn)等來決定使液體供給噴嘴650暫時(shí)停止的位置和停止的時(shí)間， 以便可靠地只形成一個(gè)干燥核斑C。另外，優(yōu)選地根據(jù)基板W的種類、大小、 表面狀態(tài)和轉(zhuǎn)速、來自液體供給噴嘴650的沖洗液的噴射流量以及液體供給 噴嘴650的移動(dòng)速度等各種條件，恰當(dāng)設(shè)定暫時(shí)停止液體供給噴嘴650的時(shí) 機(jī)和位置。
在形成干燥核斑C后，如圖8A和圖8D所示，液體供給噴嘴650再次向 外側(cè)移動(dòng)。與此相伴，離心力使得沒有沖洗液的干燥區(qū)域Rl以干燥核斑C 為起點(diǎn)在基板W上擴(kuò)大。
接著，如圖8B和圖8E所示，若液體供給噴嘴650移動(dòng)到基板W的周 邊部上方，則基板W的轉(zhuǎn)速開始下降。液體供給噴嘴650的移動(dòng)速度保持不 變。
然后，停止噴射沖洗液，并且使液體供給噴嘴650向基板W的外側(cè)移動(dòng)。 由此，如圖8C和圖8F所示，干燥區(qū)域R1擴(kuò)大到整個(gè)基板W上，從而干燥 基板W。
這樣，在基板W旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，液體供給噴嘴650 —邊噴射沖洗液一邊 從基板W的中心部上方移動(dòng)到周邊部，由此，沖洗液的液層L在基板W上 保持為一體，在此狀態(tài)下干燥區(qū)域R1擴(kuò)大。在此情況下，液層L的表面張 力能夠防止在干燥區(qū)域R1中形成微小液滴。由此，能夠可靠地干燥基板W。
另外，液體供給噴嘴650在移動(dòng)了規(guī)定距離時(shí)暫時(shí)停止移動(dòng)，以此調(diào)整 液層L的薄層區(qū)域的面積，而且可靠地形成一個(gè)干燥核斑C。在不是形成一
個(gè)而是形成了多個(gè)干燥核斑C的情況下，無法穩(wěn)定地?cái)U(kuò)大干燥區(qū)域R1。另外， 多個(gè)干燥區(qū)域Rl分別以多個(gè)干燥核斑C為起點(diǎn)擴(kuò)大，因此導(dǎo)致多個(gè)干燥區(qū) 域R1互相影響，容易形成微小液滴。因此，通過只形成一個(gè)干燥核斑C，能 夠穩(wěn)定地干燥基板W，并且能夠更加可靠地防止在基板W上殘留微小液滴。
接著，對在進(jìn)行干燥處理時(shí)基板W的轉(zhuǎn)速的變化進(jìn)行說明。圖9是表示 基板W的轉(zhuǎn)速變化的一個(gè)例子的圖。在圖9中，橫軸表示基板W的旋轉(zhuǎn)軸 與液體供給噴嘴650之間的水平距離，縱軸表示基板W的轉(zhuǎn)速。
在圖9所示的例子中，在基板W的旋轉(zhuǎn)軸與液體供給噴嘴650之間的水 平距離為0 60mm的期間內(nèi)，將基板W的轉(zhuǎn)速設(shè)定為1800 2100rpm。如 果基板W的旋轉(zhuǎn)軸與液體供給噴嘴650之間的水平距離超過60mm，則將基 板W的轉(zhuǎn)速設(shè)定為1000 1200rpm。即，將液體供給噴嘴650在基板W的 周邊部上方移動(dòng)期間的基板W的轉(zhuǎn)速設(shè)定成低于液體供給噴嘴650在基板W 的中心部上方移動(dòng)期間的基板W的轉(zhuǎn)速。
在基板W旋轉(zhuǎn)時(shí)，基板W的周邊部的圓周速度(peripheral velocity)比 基板W的中心部的圓周速度大。另外，在基板W的周邊部容易發(fā)生湍流。 因此，在基板W的轉(zhuǎn)速恒定的情況下，噴射到基板W的周邊部的沖洗液比 噴射到基板W的中心部的沖洗液更容易飛散。如果從基板W的周邊部飛散 的沖洗液作為微小液滴附著在基板W的干燥區(qū)域R1，則之后難以除去。
因此，在液體供給噴嘴650在基板W的周邊部上方移動(dòng)時(shí)，使基板W 的轉(zhuǎn)速下降，從而能夠防止噴射到基板W的周邊部的沖洗液飛散。因此，能 夠更可靠地防止微小液滴殘留在基板W上，從而更可靠地干燥基板W。
此外，在本實(shí)施方式中，在干燥處理時(shí)分兩階段調(diào)整基板W的轉(zhuǎn)速，但 并不僅限于此，可以分為三個(gè)階段以上的多階段來調(diào)整基板W的轉(zhuǎn)速，或者 也可以在液體供給噴嘴650從基板W的中心部上方向基板W的周邊部上方 移動(dòng)的期間內(nèi)，連續(xù)降低基板W的轉(zhuǎn)速。 (4)實(shí)施方式的效果
在本實(shí)施方式的基板處理裝置500中，接口模塊15的清洗/干燥處理單 元SD2對曝光處理后的基板W進(jìn)行干燥處理，從而可靠地干燥基板W。由
此，能夠防止曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體落在基板處理裝置500內(nèi)。 因此，能夠防止基板處理裝置500的電氣系統(tǒng)發(fā)生異常等動(dòng)作不良。
另外，能夠防止環(huán)境中的灰塵等附著在曝光處理后的基板W上，因此能
夠防止基板w被污染。進(jìn)一步，防止在基板w上殘留液體，從而能夠防止 該液體給基板w上的抗蝕膜和抗蝕蓋膜帶來壞影響。由此，能夠防止對基板 w的處理發(fā)生不良。
另外，能夠防止在基板處理裝置500內(nèi)搬運(yùn)附著有液體的基板W，因此 能夠防止曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體影響到基板處理裝置500內(nèi)的環(huán) 境。由此，能夠容易地調(diào)整基板處理裝置500內(nèi)的溫濕度。
另外，能夠防止曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體進(jìn)一步附著于分度器 機(jī)械手IR和第一 第六中心機(jī)械手CR1 CR6上，因此能夠防止液體附著 在曝光處理前的基板W上。由此，能夠防止環(huán)境中的灰塵等附著在曝光處理 前的基板W上，因此能夠防止基板W被污染。其結(jié)果，能夠防止在曝光處 理時(shí)析像性能被惡化，并且能夠防止曝光裝置16被污染。
另外，在從清洗/干燥處理單元SD2向顯影處理部70搬運(yùn)基板W的期間 內(nèi)，能夠可靠地防止抗蝕劑的成分或抗蝕蓋膜的成分溶解到在基板W上殘留 的清洗液和沖洗液中。由此，能夠防止形成在抗蝕膜上的曝光圖案變形。其 結(jié)果，能夠可靠地防止在顯影處理時(shí)線寬精度下降。
另外，在清洗/干燥處理單元SD2中，在干燥處理前對基板W進(jìn)行清洗 處理。在此情況下，即使環(huán)境中的灰塵等附著到在曝光處理時(shí)已附著了液體 的基板W上，也能夠除去該附著物。由此，能夠防止基板W被污染。其結(jié) 果，能夠可靠地防止對基板的處理產(chǎn)生不良。
另外，在曝光裝置16對基板W進(jìn)行曝光處理前，在清洗/干燥處理單元 SD1中對基板W進(jìn)行清洗處理。在進(jìn)行該清洗處理時(shí)，基板W上的抗蝕蓋 膜的一部分成分會(huì)溶解到清洗液或沖洗液中，從而被沖洗掉。因此，即使在 曝光裝置16中基板W與液體相接觸，基板W上的抗蝕蓋膜的成分也基本不 會(huì)溶解到液體中。另外，能夠除去附著在曝光處理前的基板W上的灰塵等。 其結(jié)果，能夠防止曝光裝置16被污染。
另外，在清洗/干燥處理單元SDl中，對清洗處理后的基板W進(jìn)行干燥 處理。由此，除去清洗處理時(shí)附著在基板W上的清洗液或沖洗液，從而能夠
防止環(huán)境中的灰塵等再次附著在清洗處理后的基板W上。其結(jié)果，能夠可靠 地防止曝光裝置16被污染。
另外，除去在清洗處理時(shí)附著在基板W上的清洗液或沖洗液，從而能夠 防止在曝光處理前清洗液或沖洗液滲入到基板W上的抗蝕蓋膜或抗蝕膜中。 由此，能夠防止在曝光處理時(shí)的析像性能惡化。 (5)清洗/干燥處理單元的其他例子
圖10是表示清洗/干燥處理單元SD1、 SD2的其它結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖， 圖11是圖10的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2的示意俯視圖。下面，對圖10 和圖11所示的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2與圖5和圖6所示的清洗/干燥 處理單元SD1、 SD2之間的不同點(diǎn)進(jìn)行說明。
在該清洗/干燥處理單元SD1、SD2中，在隔著旋轉(zhuǎn)卡盤621而與馬達(dá)660 相對置的位置，設(shè)有馬達(dá)671。馬達(dá)671與轉(zhuǎn)動(dòng)軸672連接。臂部673以向 水平方向延伸的方式連接在轉(zhuǎn)動(dòng)軸672上，并在臂部673的前端設(shè)有氣體供 給噴嘴670。
馬達(dá)671使轉(zhuǎn)動(dòng)軸672旋轉(zhuǎn)，并使臂部673轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，氣體供給噴嘴 670在由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的中心部上方的位置與基板W外側(cè)的 位置之間移動(dòng)。在此情況下，液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670從基板 W的中心部上方朝著相反的方向移動(dòng)至基板W的外側(cè)。
以通過馬達(dá)671、轉(zhuǎn)動(dòng)軸672以及臂部673的內(nèi)部的方式設(shè)置有干燥處 理用供給管674。干燥處理用供給管674經(jīng)由閥門Vc與非活性氣體供給源 R3連接。通過控制該閥門Vc的開閉，可以調(diào)整供給到干燥處理用供給管674 的非活性氣體的供給量。
非活性氣體經(jīng)由干燥處理用供給管674從非活性氣體供給源R3供給到 氣體供給噴嘴670。由此，能夠向基板W的表面供給非活性氣體。作為非活 性氣體例如可以使用氮?dú)狻４送?，也可以取代非活性氣體而使用大氣(空氣) 等其他氣體。
接著，說明圖10和圖11的清洗/干燥處理單元SDK SD2對基板W進(jìn) 行的干燥處理。圖12A 圖12F是表示圖10及圖11的清洗/干燥處理單元 SD1、 SD2對基板W進(jìn)行的干燥處理的一部分的圖。
關(guān)于液體供給噴嘴650的動(dòng)作和基板W的轉(zhuǎn)速的變化，與圖5和圖6的
清洗/干燥處理單元SDl、 SD2相同。在此，主要說明氣體供給噴嘴670的動(dòng)作。
在液體供給噴嘴650從基板W的中心部上方開始移動(dòng)之后(參照圖7B 和圖7E)，氣體供給噴嘴670移動(dòng)到基板W的中心部上方。然后，如果在 液層L上形成干燥核斑C (參照圖7C和圖7F)，則如圖12A和圖12B所示， 氣體供給噴嘴670向基板W的中心部噴射非活性氣體。
在此情況下，干燥區(qū)域Rl以形成在液層L上的第一個(gè)干燥核斑C為起 點(diǎn)瞬間擴(kuò)大。由此，能夠防止在形成第一個(gè)干燥核斑C之后形成其他干燥核 斑C。如上所述，如果形成多個(gè)干燥核斑C，則容易在基板W上形成微小液 滴。因此，在本實(shí)施方式中，能夠可靠地防止形成微小液滴。
此外，通過實(shí)驗(yàn)等預(yù)先決定噴射非活性氣體的時(shí)機(jī)，使得在形成第一個(gè) 干燥核斑C之后不再形成其它的干燥核斑C。另外，優(yōu)選地根據(jù)基板W的種 類、大小、表面狀態(tài)和轉(zhuǎn)速、來自液體供給噴嘴650的沖洗液的噴射流量以 及液體供給噴嘴650的移動(dòng)速度等各種條件，恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定噴射非活性氣體的 時(shí)機(jī)。
接著，如圖12B和圖12E所示，液體供給噴嘴650 —邊噴射沖洗液一邊 向外側(cè)移動(dòng)，并且氣體供給噴嘴670 —邊噴射非活性氣體一邊向與液體供給 噴嘴650相反的方向移動(dòng)。將液體供給噴嘴650的移動(dòng)速度和氣體供給噴嘴 670的移動(dòng)速度調(diào)整為大致相等。由此，氣體供給噴嘴670總是比液體供給 噴嘴650位于更靠近基板W的旋轉(zhuǎn)軸的位置，并向基板W上的干燥區(qū)域Rl 噴射非活性氣體。
然后，液體供給噴嘴650停止噴射沖洗液，并且向基板W的外側(cè)移動(dòng)； 氣體供給噴嘴670停止噴射非活性氣體，并且向基板W的外側(cè)移動(dòng)。由此， 如圖12C和圖12F所示，干燥區(qū)域R1擴(kuò)大到整個(gè)基板W上，從而干燥基板 W。
這樣，氣體供給噴嘴670 —邊噴射非活性氣體一邊從基板W的中心部上 方向外側(cè)移動(dòng)，從而能夠更可靠地防止在基板W上的干燥區(qū)域R1內(nèi)殘留微 小液滴。另外，能夠可靠地?cái)U(kuò)大干燥區(qū)域R1，更高效可靠地干燥基板W。
另外，液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670向相反方向移動(dòng)，因此液 體供給噴嘴650噴射的沖洗液與氣體供給噴嘴670噴射的非活性氣體互不影
響。由此，能夠防止因非活性氣體的影響而導(dǎo)致沖洗液飛散，從而能夠防止 在干燥區(qū)域R1附著微小液滴。
另外，沖洗液與非活性氣體互不影響，因此增大了設(shè)定非活性氣體的流
量和噴射角度等的自由度。由此，能夠更高效地干燥基板w。
此外，在上述的例子中，氣體供給噴嘴670 —邊噴射非活性氣體一邊從
基板w的中心部上方移動(dòng)到周邊部上方，但也可以只在形成干燥核斑c后的
短時(shí)間(例如一秒鐘)內(nèi)由氣體供給噴嘴670噴射非活性氣體。g卩，如圖12A 和圖12D所示，例如可以向基板W的中心部噴射一秒鐘左右的非活性氣體， 然后停止噴射非活性氣體。此時(shí)，例如將非活性氣體的流量調(diào)整為10L/min。
另外，氣體供給噴嘴670可以不從基板W的中心部上方移動(dòng)，而是向著 基板W的中心部持續(xù)噴射非活性氣體數(shù)秒鐘。此時(shí)，例如將非活性氣體的流 量調(diào)整為10L/min。
而且，在上述的例子中，液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670從基板 W的中心部上方朝著相反的方向移動(dòng)，但是只要能夠抑制沖洗液與非活性氣 體之間的相互影響，則例如也可以使液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670 向垂直相交的方向移動(dòng)，或者可以向相同方向移動(dòng)。在液體供給噴嘴650與 氣體供給噴嘴670向相同方向移動(dòng)時(shí)，液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670 可以是一體。
(6)清洗/干燥處理單元的另外的其他例子
圖13是表示清洗/干燥處理單元SD1、 SD2的另外其它結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視 圖。下面，對圖13所示的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2與圖5和圖6所示 的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2之間的不同點(diǎn)進(jìn)行說明。
在該清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，設(shè)有三通閥Vt、迂回管663a和 流量調(diào)整閥680。迂回管663a的一端經(jīng)由三通閥Vt而連接至清洗處理用供 給管663上處于閥Vb上游側(cè)的部分，迂回管663a的另一端連接至清洗處理 用供給管663上處于三通閥Vt與閥Vb之間的部分。將流量調(diào)整閥680插在 迂回管663a上。利用流量調(diào)整閥680，降低通過迂回管663a供給至液體供 給噴嘴650的沖洗液的流量。
在圖5和圖6的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，在干燥處理時(shí)，如果 液體供給噴嘴650移動(dòng)到基板W的周邊部上方，則降低基板W的轉(zhuǎn)速。由
此，能夠防止噴射到基板W的周邊部的沖洗液飛散。
與此相對，在圖13的清洗/干燥處理單元SD1、 SD2中，在干燥處理時(shí)
如果液體供給噴嘴650移動(dòng)到基板W的周邊部上方，則通過三通閥Vt進(jìn)行 切換，使得沖洗液導(dǎo)入到迂回管663a中。并且，例如將基板W的轉(zhuǎn)速保持 在1800 2100rpm。在此情況下，噴射到基板W的周邊部的沖洗液的流量比 噴射到基板W的中心部附近的沖洗液的流量小。由此，能夠防止噴射到基板 W的周邊部的沖洗液飛散。
此外，在本例子中，在干燥處理時(shí)分兩階段調(diào)整沖洗液的流量，但并不 僅限于此，也可以分為三個(gè)階段以上的多階段來調(diào)整沖洗液的流量，或者在 液體供給噴嘴650從基板W的中心部上方向基板W的外側(cè)移動(dòng)的期間內(nèi)， 連續(xù)降低沖洗液的流量。
另外，在圖13所示的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，可以設(shè)置圖IO 的馬達(dá)671、轉(zhuǎn)動(dòng)軸672、臂部673以及氣體供給噴嘴670。 (7)清洗/干燥處理單元的另外的其他例子
圖14是表示清洗/干燥處理單元SD1、 SD2的另外其它結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視 圖。下面，對圖14所示的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2與圖13所示的清洗 /干燥處理單元SD1、 SD2之間的不同點(diǎn)進(jìn)行說明。
在該清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，取代流量調(diào)整閥680而設(shè)有減壓 閥681。利用減壓閥681來降低供給壓，其中，該供給壓是通過迂回管663a 供給至液體供給噴嘴650的沖洗液的供給壓。
在該清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，在干燥處理時(shí)如果將液體供給噴 嘴650移動(dòng)到基板W的周邊部上方，則通過三通閥Vt進(jìn)行切換，使得沖洗 液導(dǎo)入到迂回管663a中。在此情況下，噴射到基板W的周邊部的沖洗液的 噴射壓比噴射到基板W的中心部附近的沖洗液的噴射壓小。由此，能夠防止 噴射到基板W的周邊部的沖洗液飛散。
此外，在本例子中，在干燥處理時(shí)分兩階段調(diào)整沖洗液的噴射壓，但并 不僅限于此，也可以分為三個(gè)階段以上的多階段來調(diào)整沖洗液的噴射壓，或 者在液體供給噴嘴650從基板W的中心部上方向基板W的外側(cè)移動(dòng)的期間 內(nèi)，連續(xù)降低沖洗液的噴射壓。
另外，在圖14所示的清洗/干燥處理單元SDl、 SD2中，可以設(shè)置圖IO
的馬達(dá)671、轉(zhuǎn)動(dòng)軸672、臂部673以及氣體供給噴嘴670。
(8) 其它實(shí)施方式
可以不設(shè)置抗蝕蓋膜用處理模塊13。在此情況下，在清洗/干燥處理單元 SD1進(jìn)行清洗處理時(shí)，抗蝕膜的一部分成分溶解到清洗液中。因此，即使在 曝光裝置16中抗蝕膜與液體相接觸，也能夠防止抗蝕劑的成分溶解到液體 中。其結(jié)果，能夠防止曝光裝置16被污染。
另外，在不設(shè)置抗蝕蓋膜用處理模塊13的情況下，也可以不設(shè)置抗蝕蓋 膜除去模塊14。由此，能夠減少基板處理裝置500的占用面積。此外，在不 設(shè)置抗蝕蓋膜用處理模塊13和抗蝕蓋膜除去模塊14的情況下，通過顯影處 理模塊12的顯影熱處理部121對基板W進(jìn)行曝光后烘干的處理。
而且，在上述實(shí)施方式中，清洗/干燥處理單元SDl、 SD2配置在接口模 塊15內(nèi)，但也可以將清洗/干燥處理單元SD1、 SD2中的至少一方配置在圖1 所示的抗蝕蓋膜除去模塊14內(nèi)?；蛘?，將包括清洗/干燥處理單元SDl、 SD2 中的至少一方的清洗/干燥處理模塊，設(shè)置在圖1所示的抗蝕蓋膜除去模塊14 與接口模塊15之間。
另外，對于清洗/干燥處理單元SDl、清洗/干燥處理單元SD2、涂敷單元 BARC、 RES、 COV、顯影處理單元DEV、除去單元REM、加熱單元HP、 冷卻單元CP以及裝載兼冷卻單元P-CP的個(gè)數(shù)，可以配合各模塊的處理速度 而適當(dāng)?shù)刈兏?。例如，在設(shè)置兩個(gè)邊緣曝光部EEW的情況下，可以將清洗/ 干燥處理單元SD2的個(gè)數(shù)設(shè)為兩個(gè)。
(9) 技術(shù)方案的各構(gòu)成要素與第一實(shí)施方式的各部分的對應(yīng)
下面，說明技術(shù)方案的各構(gòu)成要素與實(shí)施方式的各要素相對應(yīng)的例子， 但本發(fā)明并不被下述內(nèi)容所限定。
在上述實(shí)施方式中，作為處理部的例子具有防反射膜用處理模塊10、抗 蝕膜用處理模塊11、顯影處理模塊12、抗蝕蓋膜用處理模塊13以及抗蝕蓋 膜除去模塊14，作為交接部的例子具有接口模塊15，作為干燥處理單元的例 子具有清洗/干燥處理單元SDl、 SD2。
另外，旋轉(zhuǎn)卡盤621作為基板保持裝置的例子，卡盤旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)636 作為旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置的例子，液體供給噴嘴650作為沖洗液供給部的例子，馬 達(dá)660作為沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)的例子，氣體供給噴嘴670作為氣體供給部
的例子，馬達(dá)671作為氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)的例子，涂敷單元RES作為感光膜 形成單元的例子。
作為技術(shù)方案中的各結(jié)構(gòu)要素，能夠使用具有技術(shù)方案所記載的結(jié)構(gòu)或 功能的其它各種要素。
權(quán)利要求
1. 一種基板處理裝置，配置成與曝光裝置相鄰，其特征在于，具有處理部，其用于對基板進(jìn)行處理，交接部，其用于在上述處理部與上述曝光裝置之間交接基板；上述處理部和上述交接部中的至少一方包括干燥處理單元，該干燥處理單元用于對基板進(jìn)行干燥處理，上述干燥處理單元包括基板保持裝置，其將基板保持為大致水平，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使上述基板保持裝置所保持的基板圍繞垂直于該基板的軸旋轉(zhuǎn)，沖洗液供給部，其向上述基板保持裝置所保持的基板上供給沖洗液，沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其移動(dòng)上述沖洗液供給部，從而從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)供給沖洗液；上述沖洗液供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)使上述沖洗液供給部在供給沖洗液的狀態(tài)下，暫時(shí)停止在從基板的中心部遠(yuǎn)離規(guī)定距離的位置。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置 分階段地或者連續(xù)地改變基板的轉(zhuǎn)速在向基板的中心部供給沖洗液的狀態(tài) 下使基板以第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，在向基板的周邊部供給沖洗液的狀態(tài)下使基板以 低于上述第一轉(zhuǎn)速的第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。
3. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述沖洗液供給部 分階段地或者連續(xù)地改變沖洗液的流量以第一流量向基板的中心部供給沖 洗液，以小于上述第一流量的第二流量向基板的周邊部供給沖洗液。
4. 如權(quán)利要求l所述的基板處理裝置，其特征在于，上述沖洗液供給部 分階段地或者連續(xù)地改變沖洗液的供給壓以第一供給壓向基板的中心部供 給沖洗液，以低于上述第一供給壓的第二供給壓向基板的周邊部供給沖洗液。
5. 如權(quán)利要求l所述的基板處理裝置，其特征在于，上述干燥處理單元 還包括氣體供給部，該氣體供給部在上述沖洗液供給部對遠(yuǎn)離基板中心的位 置供給沖洗液的狀態(tài)下，對基板的中心部噴射氣體。
6. 如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，上述干燥處理單元 還包括氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該氣體供給移動(dòng)機(jī)構(gòu)移動(dòng)上述氣體供給部，使得 基板上供給氣體的位置在保持比上述沖洗液供給部供給沖洗液的位置更靠近 基板的中心部的位置的狀態(tài)下，從基板的中心部向基板的周邊部移動(dòng)。
7. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述處理部還包括感光膜形成單元，其在基板上形成由感光材料構(gòu)成的感光膜， 顯影處理單元，其對曝光處理后的基板進(jìn)行顯影處理；在上述曝光裝置進(jìn)行了曝光處理后且在上述顯影處理單元進(jìn)行顯影處理 前，上述干燥處理單元對基板進(jìn)行干燥處理。
8. —種基板處理方法，在基板處理裝置中對基板進(jìn)行處理，該基板處理 裝置配置成與曝光裝置相鄰，并且包括處理部和交接部，其特征在于，包括通過上述處理部，對基板進(jìn)行曝光前的處理的工序，通過上述交接部，將上述處理部處理過的基板從上述處理部交接至上述 曝光裝置的工序，通過上述交接部，將上述曝光裝置曝光處理后的基板從上述曝光裝置交 接至上述處理部的工序，通過上述處理部，對基板進(jìn)行曝光后的處理的工序，在上述處理部和上述交接部中的至少一方中，對基板進(jìn)行干燥處理的工序；對上述基板進(jìn)行干燥處理的工序包括保持上述基板為大致水平，同時(shí)使上述基板圍繞垂直于基板的軸旋轉(zhuǎn)的 工序，通過移動(dòng)上述沖洗液供給部，從旋轉(zhuǎn)的基板的中心部向周邊部連續(xù)供給 沖洗液的工序；在供給上述沖洗液的工序中，使上述沖洗液供給部在供給沖洗液的狀態(tài) 下，暫時(shí)停止在從基板的中心部遠(yuǎn)離規(guī)定距離的位置。
全文摘要
提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，在清洗了基板后，形成沖洗液的液層，覆蓋基板的一面。接著，液體供給噴嘴從基板的中心部上方向外側(cè)移動(dòng)。液體供給噴嘴在從基板的中心部上方移動(dòng)到規(guī)定距離時(shí)暫時(shí)停止。在此期間內(nèi)，離心力使液層在薄層區(qū)域內(nèi)切斷，從而在液層的中心部形成干燥核斑。然后，液體供給噴嘴再次向外側(cè)移動(dòng)，從而使沒有沖洗液的干燥區(qū)域在基板上以干燥核斑為起點(diǎn)擴(kuò)大。
文檔編號G03F7/38GK101388327SQ200810149148
公開日2009年3月18日 申請日期2008年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月13日
發(fā)明者安田周一, 宮城聰, 真田雅和, 茂森和士, 金岡雅 申請人:株式會(huì)社迅動(dòng)