專利名稱：液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示面板，特別是一種液
晶顯示面板中的彩膜光刻隔墊物(Photo Spacer,簡稱PS)的構(gòu)造。
背景技術(shù)：
液晶顯示面板主要由偏光板、陣列基板、彩膜基板、液晶等構(gòu)成。其中， 陣列基板與彩膜基板貼在一起形成液晶成盒基板，中間填充有液晶形成液晶 層，陣列基板與彩膜基板的背面分別貼附有偏光板。液晶層的厚度，也稱為 盒厚，會對液晶的光調(diào)節(jié)作用產(chǎn)生很大影響。因此，在液晶顯示器的制造過 程中，保證盒厚的均一性是實現(xiàn)高品質(zhì)液晶顯示的基礎(chǔ)。
為了保證盒厚的均一性，現(xiàn)有技術(shù)主要采用放置隔墊物的方法。目前， 隔墊物才艮據(jù)形狀可以劃分為兩大類球狀隔墊物(Ball Spacer,簡稱BS) 和光刻隔墊物。其中
球狀隔墊物是通過噴灑方式散布在陣列基板或者彩膜基板上，在面板制 作完成后，利用球狀隔墊物尺寸的均一性實現(xiàn)了液晶成盒基板相對均一的厚 度。然而，由于球狀隔墊物散布過程的隨機性很大，密度的均一性難以控制， 因此難以達到預(yù)期的盒厚均 一性，并且會產(chǎn)生光散射等不良影響。
為了克服球狀隔墊物的缺陷，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用光刻隔墊物工藝。光 刻隔墊物是在彩膜基板制作過程中，通過光刻工藝將光刻隔墊物形成于彩膜 基板上，能夠精確控制光刻隔墊物在彩膜基板上的位置精度，從而達到提高 盒厚均一性、改善對比度等的目的。
現(xiàn)有光刻隔墊物設(shè)計中，通常釆用主光刻隔墊物和副光刻隔墊物相結(jié)合 的結(jié)構(gòu)，其中，主光刻隔墊物是用于維持盒厚均一性的主要部分，其位置選200810126031.6
，如形成于陣列基板的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)上。在面板制作過程中，主光刻隔墊物發(fā)生較 大的變形量，對盒厚均一性的維持起到主要的貢獻作用。而副光刻隔墊物的 位置通常選定于陣列基板表面高度較低的地方，如柵線上。在面板制造過程 中，副光刻隔墊物發(fā)生的變形量很小，或者根本不發(fā)生變形，因此，對于盒 厚均一性的維持貢獻非常小。副光刻隔墊物主要用于液晶顯示器受外力較大 時，防止主光刻隔墊物因支持面積小而導(dǎo)致集中受力過大，從而引發(fā)不可恢 復(fù)的盒厚變化或結(jié)構(gòu)性的破壞。
如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板中的溝道位置示意圖。其中，標注A所 示位置為溝道位置。如圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)光刻隔墊物^:計中的主、副光刻 隔墊物示意圖。標注l表示主光刻隔墊物，標注2表示副光刻隔墊物?，F(xiàn)有 的光刻隔墊物設(shè)計中，通常以一個亞像素為基準，將主光刻隔墊物l預(yù)設(shè)于 亞象素的唯一特定位置。且由于TFT是亞象素中具有較大面積的較高位置， 因而成為主光刻隔墊物1的主要預(yù)設(shè)位置之一。然而，由于TFT溝道的存在， 表面并非是平坦的，而是凹凸不平的。盡管，主光刻隔墊物在亞象素的唯一 位置選定，但不同亞象素的對位精度是不同的，從而導(dǎo)致主光刻隔墊物與TFT 的接觸位置不同時，主光刻隔墊物與TFT的實際接觸面積會發(fā)生變化，因此， 面板內(nèi)部彩膜基板和陣列基板的對位精度偏差導(dǎo)致了主光刻隔墊物的支持力 度發(fā)生差異。
在現(xiàn)有的液晶顯示面板的制造工藝條件下，將陣列基板和彩膜基板進行 貼合時，對盒精度通常為幾微米，即貼合后的陣列基板和彩膜基板之間的相 對位置會存在幾微米的不可控制的偏差。從而，在彩膜基板和陣列基板貼合 后，主光刻隔墊物對應(yīng)于陣列基板上的實際位置也不可避免的要偏離于預(yù)先 設(shè)計的唯一位置。在幾微米的對位偏差條件下，主光刻隔墊物頂端落入TFT 溝道的面積會發(fā)生變化，從而導(dǎo)致主光刻隔墊物的實際壓縮變形量發(fā)生差異， 從而導(dǎo)致盒厚的均一性降低。
6此外，通常情況下，TFT溝道的寬度尺寸為3~6微米，而光刻隔墊物尺 寸大小為6~17微米左右。在采用0DF (one drop filling)工藝時，為了 確保液晶滴下量的容許偏差，通常要求主光刻隔墊物的支持面積要盡可能小， 主光刻隔墊物的尺寸要盡可能小，并且主光刻隔墊物的配置密度要盡可能小。 然而，由于上述問題的存在，當主光刻隔墊物尺寸減小時，上述主光刻隔墊 物支持力隨對位偏差而變化的影響更顯著。如圖3、圖4、圖5所示分別為現(xiàn) 有技術(shù)中主光刻隔墊物直徑為12微米、IO微米、9微米，并且所有主光刻隔 墊物采用同一預(yù)設(shè)位置時，主光刻隔墊物在對位精度為5微米條件下在TFT 上的支持面積分布圖。圖3、 4、 5中，橫坐標和縱坐標分別表示陣列基板與 彩膜基板的對位精度范圍，單位是微米；以不同的顏色代表了不同的主光刻 隔墊物1的實際支持面積(圖3至圖5中將對位精度5微米內(nèi)主光刻隔墊物 1支持面積的平均值定為1)。
由此可見，現(xiàn)有技術(shù)的存在的問題為 一方面，對于ODF工藝來說，主 光刻隔墊物的設(shè)計方向是尺寸小、密度低，從而可以確保比較大的液晶滴下 量容許偏差，提高面板的量產(chǎn)性；而另一方面，當主光刻隔墊物被放置在TFT 上時，由于當前工藝水平的限制，盡管主光刻隔墊物在設(shè)計上都選用了亞象 素內(nèi)的相同唯一位置，但由于工藝偏差，導(dǎo)致在彩膜基板和陣列基板貼合以 后，面板內(nèi)部不同位置的對位偏差不同導(dǎo)致主光刻隔墊物在亞象素內(nèi)部的實 際位置是不同的，從而由于TFT溝道的存在，使得面板內(nèi)不同位置的主光刻 隔墊物的實際支持力隨對位偏差不同而發(fā)生差異，且主光刻隔墊物尺寸越小 時，這種差異會更大，因此會增大接觸水波紋(Touch Mura)等品質(zhì)問題的 發(fā)生率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是提供一種液晶顯示面板結(jié)構(gòu)，使得在現(xiàn)有陣列 基板與彩膜基板的對位精度范圍內(nèi)，在減小主光刻隔墊物尺寸的同時，提高主光刻隔墊物實際支持力的均一性。
為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板，包括貼合在一 起的陣列基板與彩膜基板，所述彩膜基板上設(shè)置有主光刻隔墊物，所述主 光刻隔墊物的頂端頂設(shè)在所述陣列基板的亞像素位置， 一個或多個所述亞
像素對應(yīng)一個所述主光刻隔墊物；所述主光刻隔墊物被分為至少兩個主光 刻隔墊物組，每個所述主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物具有相同的預(yù)設(shè) 位置及頂端端面形狀；不同主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物之間具有不 同的預(yù)^1位置或頂端端面形狀。
對于薄膜晶體管溝道為"一"型的陣列基板，所述主光刻隔墊物^皮分為 兩組。第 一主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物位于其所對應(yīng)的亞像素的薄 膜晶體管溝道的上側(cè)；第二主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物位于其所對 應(yīng)的亞像素的薄膜晶體管溝道的下側(cè)。在陣列基板的同一行上，所述第一 主光刻隔墊物與所述第二主光刻隔墊物交替頂設(shè)在所述陣列基板的亞像 素位置處；在陣列基板的同一列上，所述第一主光刻隔墊物與所述第二主 光刻隔墊物交替頂設(shè)在所述陣列基板的亞像素位置處。
對于薄膜晶體管溝道為"U"型的陣列基板，所述主光刻隔墊物被分 為三組。第三主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物位于其所對應(yīng)的亞像素的 薄膜晶體管溝道的左側(cè)；第四主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物位于其所
對應(yīng)的亞像素的薄膜晶體管溝道的中間；第五主光刻隔墊物組中的主光刻 隔墊物位于其所對應(yīng)的亞像素的薄膜晶體管溝道的右側(cè)。在陣列基板的同 一行上，所述第三主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物、第四主光刻隔墊物 組中的主光刻隔墊物以及第五主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物，依次循 環(huán)頂設(shè)在所述陣列基板的亞像素位置；在陣列基板的同一列上，所述第三 主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物、第四主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊 物以及第五主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物，依次循環(huán)頂設(shè)在所述陣列 基板的亞像素位置。在以上技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述至少兩個主光刻隔墊物組中，不同主 光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物的個數(shù)不同。
本發(fā)明提4^的液晶顯示面板中，由于不同主光刻隔墊物組之間具有不同 的預(yù)設(shè)位置，因此，當陣列基板與彩膜基板進行貼合后發(fā)生了對位偏差時， 具有不同預(yù)設(shè)位置的主光刻隔墊物之間會相互抵消彼此的位置偏差，從而可 以保證主光刻隔墊物在整體上與陣列基板的接觸面積變化盡可能的小，因而 可以將液晶顯示面板內(nèi)主光刻隔墊物的整體支持力的變化最小化。同時，通 過優(yōu)化各主光刻隔墊物組內(nèi)的主光刻隔墊物在液晶顯示面板內(nèi)的排列方式， 從而改善了液晶顯示面板內(nèi)部主光刻隔墊物支持力的均一性。
下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細描述。


圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板中的溝道位置示意圖2所示為現(xiàn)有4支術(shù)光刻隔墊物設(shè)計中的主、副光刻隔墊物示意圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)中主光刻隔墊物直徑為12微米，并且所有主光刻隔 墊物采用同一預(yù)設(shè)位置時，主光刻隔墊物在對位精度為5微米條件下在TFT 上的支持面積分布圖4所示為現(xiàn)有技術(shù)中主光刻隔墊物直徑為IO微米，并且所有主光刻隔 墊物采用同一預(yù)設(shè)位置時，主光刻隔墊物在對位精度為5微米條件下在TFT 上的支持面積分布圖5所示為現(xiàn)有技術(shù)中主光刻隔墊物直徑為9微米，并且所有主光刻隔 墊物采用同一預(yù)設(shè)位置時，主光刻隔墊物在對位精度為5微米條件下在TFT 上的支持面積分布圖6A所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例一中第一主光刻隔墊物在亞像 素上的預(yù)設(shè)位置示意圖6B所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例一中第二主光刻隔墊物在亞像
9素上的預(yù):&位置示意圖7所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例一中第一主光刻隔墊物和第二主 光刻隔墊物在面板上的排列示意圖8所示為現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明實施例一相對的液晶顯示面板中，不同對 位精度條件下的主光刻隔墊物實際支持面積分布圖9A所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例二中第三主光刻隔墊物在亞像 素上的預(yù)設(shè)位置示意圖9B所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例二中第四主光刻隔墊物在亞像 素上的預(yù)設(shè)位置示意圖9C所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例二中第五主光刻隔墊物在亞像 素上的預(yù)設(shè)位置示意圖IO所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例二中TFT與主光刻隔墊物相對位 置示意圖11所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例二中第三主光刻隔墊物、第四主 光刻隔墊物和第五主光刻隔墊物在面板上的排列示意圖12A所示為現(xiàn)有技術(shù)中與本發(fā)明實施例二相對的一種預(yù)設(shè)位置單一的 液晶顯示面板中，在不同對位精度下的主光刻隔墊物實際支持面積分布圖， 圖中具有單一主光刻隔墊物預(yù)設(shè)位置；
圖12B所示為本發(fā)明提供的與實施例二相對的有兩個預(yù)設(shè)位置的液晶顯 示面板中，在不同對位精度下的主光刻隔墊物實際支持面積分布圖，圖中具 有兩個主光刻隔墊物預(yù)設(shè)位置；
圖12C所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例二中在不同對位精度下的主光 刻隔墊物實際支持面積分布圖，圖中具有三個主光刻隔墊物預(yù)設(shè)位置；
圖12D所示為圖12A、圖12B、圖12C所示三個實例中主光刻隔墊物支持 均一性比牟文圖13所示為現(xiàn)有技術(shù)中主光刻隔墊物具有單一預(yù)設(shè)位置的液晶顯示面 板與本發(fā)明實施例二中液晶顯示面板的盒厚均一性的對比示意圖，圖中示出 了盒厚均一性對比；
圖14A所示為現(xiàn)有技術(shù)中主光刻隔墊物具有單一預(yù)設(shè)位置的液晶顯示板中，接觸水波紋發(fā)生率、重力水波紋發(fā)生率以及低溫氣泡發(fā)生率與液晶滴
下量的關(guān)系示意圖14B所示為本發(fā)明實施例二主光刻隔墊物具有三個預(yù)設(shè)位置的液晶顯 示面板中，接觸水波紋發(fā)生率、重力水波紋發(fā)生率以及低溫氣泡發(fā)生率與液 晶滴下量的關(guān)系示意圖15所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例三中第三主光刻隔墊物、第四主 光刻隔墊物和第五主光刻隔墊物在面板上的排列示意圖16A所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例四中第六主光刻隔墊物在亞像 素上的預(yù)設(shè)位置示意圖16B所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例四中第七主光刻隔墊物在亞像 素上的預(yù)設(shè)位置示意圖17所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例四中第六主光刻隔墊物、第七主 光刻隔墊物在面板上的排列示意圖。
具體實施例方式
本實施方式中提供了多種液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括貼合在一 起的陣列基板與彩膜基板，其中，在彩膜基板上設(shè)置有光刻隔墊物，主光刻 隔墊物的頂端頂設(shè)在陣列基板的亞像素位置處； 一個或多個亞像素對應(yīng)一個 主光刻隔墊物；將所有主光刻隔墊物分為至少兩個主光刻隔墊物組，每個主 光刻隔墊物組中的光刻隔墊物在亞象素內(nèi)具有相同的預(yù)設(shè)位置及頂端端面形 狀；而不同組之間的主光刻隔墊物在亞象素內(nèi)具有不同的預(yù)設(shè)位置或頂端端 面形狀，即在不同組中的主光刻隔墊物可以有不同的預(yù)設(shè)位置或不同的頂端 端面形狀，且位于不同預(yù)設(shè)位置處的主光刻隔墊物的數(shù)量也可以不同。其中， 預(yù)設(shè)位置是指，在設(shè)計上，彩膜基板上的主光刻隔墊物的對應(yīng)于陣列基板亞 象素內(nèi)的位置。
通過上述結(jié)構(gòu)，由于不同主光刻隔墊物在亞象素內(nèi)具有不同的預(yù)設(shè)位置，
ii因此，當陣列基板與彩膜基板進行貼合后，在工程偏差范圍內(nèi)時，具有不同 預(yù)設(shè)位置的主光刻隔墊物相互之間會補償受到的影響，因此能夠盡量保持主 光刻隔墊物與陣列基板的接觸面積不發(fā)生變化，從而保證主光刻隔墊物對盒 厚均一性的維持效果，改善盒厚的均一性，同時減少面板內(nèi)部主光刻隔墊物
與陣列之間局部應(yīng)力的發(fā)生，有效降低接觸水波紋(Touch Mura)等品質(zhì)問 題的發(fā)生率。
針對上述主光刻隔墊物的預(yù)設(shè)位置，通過以下幾個實施例進行說明。 實施例一
本實例提供了一種17英寸SXGA面板。該實施例中，亞象素的基本尺寸 為88微米x 264微米。TFT溝道采用"一"型設(shè)計，寬度為5微米。為了確 保適合的液晶滴下量容許偏差，通常主光刻隔墊物的密度為1/9 ~ 1/36，即 每9到36個亞象素中有一個主光刻隔墊物，主光刻隔墊物尺寸為6~15微米。 選擇使用正方形主光刻隔墊物，密度為1/24,邊長為9微米，以確保充分的 液晶滴下量容許偏差。將主光刻隔墊物分成兩個主光刻隔墊物組，即第一主 光刻隔墊物組和第二主光刻隔墊物組。以下，將第一主光刻隔墊物組中的光 刻隔墊物稱為第一主光刻隔墊物11;將第二主光刻隔墊物組中的光刻隔墊物 稱為第二主光刻隔墊物12。副光刻隔墊物10的分布位置與現(xiàn)有技術(shù)相同。
圖6A和6B所示分別為本發(fā)明液晶顯示面板實施例一中第一主光刻隔墊 物和第二主光刻隔墊物在亞像素上的預(yù)設(shè)位置示意圖；第一主光刻隔墊物11 位于其所對應(yīng)的亞{象素的TFT的溝道A的上側(cè)，第一主光刻隔墊物11的中心 點位于距離TFT溝道中心點上方4. 5微米處，即第一主光刻隔墊物11的下邊 線位于TFT溝道中心位 置；第二主光刻隔墊物12位于其所對應(yīng)的亞像素的 TFT的溝道A的下側(cè)，第二主光刻隔墊物12的中心點位于距離TFT溝道中心 點下方4. 5微米處，即第二主光刻隔墊物12的上邊線位于TFT溝道中心位置。
通過上述選定的兩個主光刻隔墊物相對于溝道A的預(yù)設(shè)位置，第一主光 刻隔墊物11和第二主光刻隔墊物12的分布密度均為1/48，即每48個亞象素中均有一個第一主光刻隔墊物11和一個第二主光刻隔墊物12。在陣列基板 的同一4亍上，第一主光刻隔墊物11與第二主光刻隔墊物12可以交替頂設(shè)在 陣列基板的亞像素位置處；在陣列基板的同一列上，第一主光刻隔墊物ll與 第二主光刻隔墊物12可以交替頂設(shè)在陣列基板的亞像素位置處。具體地，如 圖7所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例一中第一主光刻隔墊物和第二主光刻 隔墊物在面板上的排列示意圖，圖中的一個方格代表面板中的一個亞象素， 不同的有陰影部分的方格分別表示設(shè)置有第一主光刻隔墊物和第二主光刻隔 墊物的亞像素。第一主光刻隔墊物11和第二主光刻隔墊物12在面板的水平 方向上采用"ABAB……"的循環(huán)放置方式，在面板的垂直方向上也采用 "ABAB......"的循環(huán)放置方式。從而第一主光刻隔墊物11與第二主光刻隔墊
物12中間確保了最小的距離，保證了面板內(nèi)部主光刻隔墊物支持力的均一 性。
在彩膜基板和陣列基板貼合以后，面板內(nèi)部的對位偏差通常為6微米以 內(nèi)，但由于圖7所示結(jié)構(gòu)中第一主光刻隔墊物11和第二主光刻隔墊物12之 間的距離非常小，僅有1毫米左右，因此可以認為相鄰的第一主光刻隔墊物 11和第二主光刻隔墊物12具有幾乎相同的對位精度。因此，相鄰的第一主 光刻隔墊物11和第二主光刻隔墊物12在對位精度偏差范圍內(nèi)(6微米)， 相互間可以補償由于TFT溝道導(dǎo)致的實際支持面積的變化，保證兩者總的支 持面積不發(fā)生變化，從而能夠保證面板內(nèi)部主光刻隔墊物的均一支持效果， 有利于確保盒厚的均一性。
為了明確描述本發(fā)明實施例一的效果，提供一種本發(fā)明實施例一的對比 液晶面^1結(jié)構(gòu)，在該面板結(jié)構(gòu)中，采用現(xiàn)有的主光刻隔墊物設(shè)計方案，主光 刻隔墊物在亞象素內(nèi)僅有一個預(yù)設(shè)位置，其余結(jié)構(gòu)與本發(fā)明實施例一完全相 同。在該對比液晶面板結(jié)構(gòu)中，將主光刻隔墊物的預(yù)設(shè)位置選定在TFT溝道 中心點。如圖8所示為現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明實施例一相對的液晶顯示面板中， 不同對位精度條件下的主光刻隔墊物實際支持面積分布圖，圖中橫坐標和縱
13坐標分別表示陣列基板與彩膜基板的對位精度范圍，單位是微米。從圖8中 可以看出，采用現(xiàn)有的主光刻隔墊物設(shè)計時，在3微米的對位精度范圍內(nèi)， 主光刻隔墊物的實際支持面積會發(fā)生20%以上的偏差。而很顯然，在對位精 度3微米的范圍內(nèi)，采用本實例的兩個預(yù)設(shè)位置方案時，通過相互補償效果， 主光刻隔墊物的實際支持面積不會發(fā)生變化。 實施例二
本實例二提供了另一種17英寸SXGA面板，該結(jié)構(gòu)中，亞象素的基本尺 寸為88」煤米x 264微米。TFT溝道采用"U"型設(shè)計，"U"型溝道的寬度為 4. 5微米。主光刻隔墊物的形狀選擇圓形，直徑為9微米，密度仍然為1/24。 在本實施例中將主光刻隔墊物分成三個主光刻隔墊物組，即第三主光刻隔墊 物組、第四主光刻隔墊物組和第五主光刻隔墊物組。以下，將第三主光刻隔 墊物組中的光刻隔墊物稱為第三主光刻隔墊物13;將第四主光刻隔墊物組中 的光刻隔墊物稱為第四主光刻隔墊物14;將第五主光刻隔墊物組中的光刻隔 墊物稱為第五主光刻隔墊物15。副光刻隔墊物10的分布位置與現(xiàn)有技術(shù)相 同。
如圖9A、圖9B、圖9C所示分別為本發(fā)明液晶顯示面板實施例二中第三 主光刻隔墊物、第四主光刻隔墊物、第五主光刻隔墊物在亞像素上的預(yù)^:位 置示意圖，其中，第三主光刻隔墊物13、第四主光刻隔墊物14和第五主光 刻隔墊物15分別位于圖中亞像素中TFT溝道的左側(cè)、右側(cè)和下側(cè)。為了說明 第三主光刻隔墊物13、第四主光刻隔墊物14、第五主光刻隔墊物15的具體 預(yù)設(shè)位置，可以參考圖10，如圖10所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例二中 TFT與主光刻隔墊物相對位置示意圖，以TFT溝道的中心點為原點，建立XY 坐標系，坐標系單位長度為l微米。第三主光刻隔墊物13、第四主光刻隔墊 物14、第五主光刻隔墊物15的中心點預(yù)設(shè)的具體坐標位置分別為(-2，5)、 (2，5)和(0，-1)。
在陣列基板的同一行上，第三主光刻隔墊物組中的第三主光刻隔墊物13、
14第四主光刻隔墊物組中的第四主光刻隔墊物14以及第五主光刻隔墊物組中 的第五主光刻隔墊物15,可以依次循環(huán)頂設(shè)在陣列基板的亞像素位置；在陣 列基板的同一列上，第三主光刻隔墊物組中的第三主光刻隔墊物13、第四主 光刻隔墊物組中的第四主光刻隔墊物14以及第五主光刻隔墊物組中的第五 主光刻隔墊物15，可以依次循環(huán)頂設(shè)在陣列基板的亞像素位置。具體地，如 圖11所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例二中第三主光刻隔墊物、第四主光刻 隔墊物和第五主光刻隔墊物在面板上的排列示意圖，圖中的一個方格代表面 板中的一個亞象素，不同的有陰影部分的方格分別表示設(shè)置有第三主光刻隔 墊物、第四光刻隔墊物和第五主光刻隔墊物的亞像素，這三種光刻隔墊物的 分布密度均為1/72,即每72個亞象素中有一個第三主光刻隔墊物13、 一個 第四主光刻隔墊物14和一個第五主光刻隔墊物15。在面板的水平方向上， 第三主光刻隔墊物13、第四主光刻隔墊物14、第五主光刻隔墊物15采用了 "ABCABC……"的循環(huán)排列方式；在面板的垂直方向上，第三主光刻隔墊物 13、第四主光刻隔墊物14、第五主光刻隔墊物15也采用了 "ABCABC……" 的循環(huán)排列方式。
為了明確描述本發(fā)明實施例二的效果，提供兩種本發(fā)明實施例二的對比 液晶面板結(jié)構(gòu)。 一種結(jié)構(gòu)為將本實施例二面板結(jié)構(gòu)中的主光刻隔墊物的預(yù)設(shè) 位置變?yōu)楝F(xiàn)有的單一位置，設(shè)選定的預(yù)設(shè)位置為(0，0)點，其他結(jié)構(gòu)與本實施 例二完全相同；另一種結(jié)構(gòu)為將本實施例二面板結(jié)構(gòu)中的主光刻隔墊物的預(yù) 設(shè)位置選為兩個位置，設(shè)選定的預(yù)設(shè)位置分別為(-5，3)和(5, 3)。
如圖12A所示為現(xiàn)有技術(shù)中與本發(fā)明實施例二相對的一種預(yù)設(shè)位置單一 的液晶顯示面板中，在不同對位精度下的主光刻隔墊物實際支持面積分布圖； 如圖12B所示為本發(fā)明提供的與實施例二相對的有兩個預(yù)設(shè)位置的液晶顯示 面板中，在不同對位精度下的主光刻隔墊物實際支持面積分布圖；如圖12C 所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例二中在不同對位精度下的主光刻隔墊物實 際支持面積分布圖；如圖12D所示為圖12A、圖12B、圖12C所示三個實例中主光刻隔墊物支持均一性比較圖。
由圖12A、 12B、 12C、 12D可見，將預(yù)設(shè)位置從一個增加到三個后，在不 同對位精度條件下主光刻隔墊物的支持均一性得以有效改善，均一度(方差 與均值的比值)從29. 4%降低到4. 5%。
為了進一步描述本實施例二的效果，分別將現(xiàn)有技術(shù)中主光刻隔墊物具 有單一預(yù)設(shè)位置的液晶顯示面板和本實施例二的面板試做樣品后的對盒厚均 一性、接觸水波紋(Touch Mura)和液晶滴下量容許偏差等進行了評價。如 圖13所示為現(xiàn)有技術(shù)中主光刻隔墊物具有單一預(yù)設(shè)位置的液晶顯示面板與 本發(fā)明實施例二中液晶顯示面板的盒厚均一性的對比示意圖，在采用具有三 個預(yù)設(shè)位置的主光刻隔墊物設(shè)計后，盒厚的均一性明顯得到改善，盒厚的偏 差范圍從O. 2微米縮小到了 0.1微米，且在較大的液晶滴下量變化范圍內(nèi)， 盒厚都能保證良好的均一性。如圖14A所示為現(xiàn)有技術(shù)中主光刻隔墊物具有 單一預(yù)設(shè)位置的液晶顯示面板中，接觸水波紋發(fā)生率、重力水波紋發(fā)生率以 及低溫氣泡發(fā)生率與液晶滴下量的關(guān)系示意圖，如圖14B所示為本發(fā)明實施 例二主光刻隔墊物具有三個預(yù)設(shè)位置的液晶顯示面板中，接觸水波紋發(fā)生率、 重力水波紋發(fā)生率以及低溫氣泡發(fā)生率與液晶滴下量的關(guān)系示意圖。由圖14A 和14B可見，當主光刻隔墊物采用單一預(yù)設(shè)位置時，液晶滴下量的容許偏差 低于1.5%,即在液晶滴下量在l. 5%的精度以內(nèi)時(即液晶量3% ~4.5%之 間)，制作出來的面板才有可能不發(fā)生重力水波紋(Mura)、低溫氣泡等信 賴性問題，同時接觸水波紋(Touch Mura)的發(fā)生率在可接受范圍內(nèi)(50% 以下)；而對于本發(fā)明實施例二中主光刻隔墊物采用三個預(yù)設(shè)位置的設(shè)計， 液晶滴下量的容許偏差在5 %以上，即液晶量滴下精度為-2 % ~ +3%范圍內(nèi) 時，制作出來的面板可以保證既不發(fā)生重力水波紋(Mura)、低溫氣泡等信 賴性問題，同時接觸水波紋(Touch Mura)的發(fā)生率更進一步降低(50% ~ 20% )。
通過將主光刻隔墊物的預(yù)設(shè)位置從一個增加到三個后，盒厚均一性明顯
16提高，液晶滴下量的容許偏差明顯增大，同時接觸水波紋(Touch Mura)現(xiàn) 象也明顯得到了改善。 實施例三
本實施例提供了另一種液晶顯示面板的構(gòu)造，與實例二相比，不同之處 在于三種主光刻隔墊物在面板上的排列方式不同。在陣列基板的同一行上， 在陣列基板的亞像素位置處，頂設(shè)第三主光刻隔墊物組中的第三主光刻隔墊 物13,或第四主光刻隔墊物組中的第四主光刻隔墊物14,或第五主光刻隔墊 物組中的第五主光刻隔墊物15;在陣列基板的同一列上，第三主光刻隔墊物 組中的第三主光刻隔墊物13、第四主光刻隔墊物組中的第四主光刻隔墊物14 以及第五主光刻隔墊物組中的第五主光刻隔墊物15，依次循環(huán)頂設(shè)在陣列基 板的亞像素位置處。具體地，如圖15所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例三中 第三主光刻隔墊物、第四主光刻隔墊物和第五主光刻隔墊物在面板上的排列 示意圖，圖中，三種主光刻隔墊物在面板的垂直方向上仍采用"ABCABC……" 的循環(huán)排列方式，但是在面板的水平方向上未釆用循環(huán)排列方式，而是采用 "AAA……"、"BBB……"或者"CCC……"的完全相同方式進行排列。采用 該排列方式能夠有效地將掩膜(Mask)設(shè)計時的數(shù)據(jù)量減小為實施例二的三 分之一，而同時能夠確保主光刻隔墊物的支持均一性與實施例二類似。
實施例四
本實施例提供了再一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)。該液晶顯示面板基本結(jié)構(gòu) 與實例二相比，不同之處在于主光刻隔墊物的布置。本實施例四中將主光刻 隔墊物分成兩組，第一組位于TFT溝道的上側(cè)，采用7微米x 15微米的矩形 結(jié)構(gòu)，以下稱該組中的主光刻隔墊物為第六主光刻隔墊物16;第二組位于TFT 溝道的下側(cè)，采用直徑為8微米的圓形結(jié)構(gòu)，以下稱該組中的主光刻隔墊物 為第七主光刻隔墊物17。如圖16A、 16B所示分別為本發(fā)明液晶顯示面板實 施例四中第六主光刻隔墊物、第七主光刻隔墊物在亞像素上的預(yù)設(shè)位置示意 圖。圖17所示為本發(fā)明液晶顯示面板實施例四中第六主光刻隔墊物、第七主 光刻隔墊物在面板上的排列示意圖，圖中的一個方格代表面板中的一個亞象 素，不同的有陰影部分的方格分別表示設(shè)置有第六主光刻隔墊物、第七光刻 隔墊物亞像素，這兩種主光刻隔墊物采用了不同的密度，第六主光刻隔墊物 16的分布密度為1/72，即每72個亞象素中有一個第六主光刻隔墊物16;第 七主光刻隔墊物17的分布密度為2/72,即每72個亞象素中有兩個第七主光 刻隔墊物17。
本例中將主光刻隔墊物分成兩組，在兩組之間，通過使用不同的主光刻 隔墊物端面形狀、不同的密度、不同預(yù)設(shè)位置，并按照圖17所示的結(jié)構(gòu)排列 后，同樣能有效改善主光刻隔墊物支持面積的均一性。
本發(fā)明所提供的各實施例中，將不同的主光刻隔墊物組設(shè)置不同的預(yù)設(shè) 位置，因此，當陣列基板與彩膜基板進行貼合后發(fā)生了對位偏差時，具有不 同預(yù)設(shè)位置的主光刻隔墊物之間會相互抵消彼此受到的影響，從而可以保證 主光刻隔墊物在整體上與陣列基板的接觸面積變化盡可能的小，因而將面板 內(nèi)主光刻隔墊物的整體支持力的變化最小化。同時，通過優(yōu)化各主光刻隔墊 物組內(nèi)的主光刻隔墊物的形狀、主光刻隔墊物在面板內(nèi)的排列方式和分布密 度等，可以將整體的均一性盡可能縮小到面板的細部區(qū)域內(nèi)，從而改善了面 板內(nèi)部主光刻隔墊物支持力的均 一性。
最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其 限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或 者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技
術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示面板，包括貼合在一起的陣列基板與彩膜基板，所述彩膜基板上設(shè)置有主光刻隔墊物，所述主光刻隔墊物的頂端頂設(shè)在所述陣列基板的亞像素位置，一個或多個所述亞像素對應(yīng)一個所述主光刻隔墊物，其特征在于所述主光刻隔墊物被分為至少兩個主光刻隔墊物組，每個所述主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物具有相同的預(yù)設(shè)位置及頂端端面形狀；不同主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物之間具有不同的預(yù)設(shè)位置或頂端端面形狀。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，還包括設(shè) 置在所述彩膜基板上的副光刻隔墊物；所述副光刻隔墊物的頂端頂設(shè)在所 述陣列基板上高度低于所述亞像素的位置處。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示面板，其特征在于 對于薄膜晶體管溝道為"一"型的陣列基板，所述主光刻隔墊物被分為兩組。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述兩組主光 刻隔墊物所分別具有的預(yù)設(shè)位置為第一主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物位于其所對應(yīng)的亞像素的薄 膜晶體管溝道的上側(cè)；第二主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物位于其所對應(yīng)的亞像素的薄 膜晶體管溝道的下側(cè)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于 在陣列基板的同一行上，所述第一主光刻隔墊物與所述第二主光刻隔墊物交替頂設(shè)在所述陣列基板的亞像素位置處；在陣列基板的同一列上，所述第一主光刻隔墊物與所述第二主光刻隔 墊物交替頂設(shè)在所述陣列基板的亞像素位置處。
6、 4艮據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示面板，其特征在于 對于薄膜晶體管溝道為"U"型的陣列基板，所述主光刻隔墊物被分為三組。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述三組主光刻 隔墊物所分別具有的預(yù)設(shè)位置分別為第三主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物位于其所對應(yīng)的亞像素的薄 膜晶體管溝道的左側(cè)；第四主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物位于其所對應(yīng)的亞像素的薄 膜晶體管溝道的中間；第五主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物位于其所對應(yīng)的亞像素的薄 膜晶體管溝道的右側(cè)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于在陣列基板的同 一 行上，所述第三主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊 物、第四主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物以及第五主光刻隔墊物組中的 主光刻隔墊物，依次循環(huán)頂設(shè)在所述陣列基板的亞像素位置處；在陣列基板的同 一列上，所述第三主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊 物、第四主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物以及第五主光刻隔墊物組中的 主光刻隔墊物，依次循環(huán)頂設(shè)在所述陣列基板的亞像素位置處。
9、 才艮據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于 在陣列基板的同一行上，在所述陣列基板的亞像素位置處，頂設(shè)所述第三主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物，或第四主光刻隔墊物組中的主光 刻隔墊物，或第五主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物；在陣列基板的同 一列上，所述第三主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊 物、第四主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物以及第五主光刻隔墊物組中的 主光刻隔墊物，依次循環(huán)頂設(shè)在所述陣列基板的亞像素位置處。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1或2或5或8或9所述的液晶顯示面板，其特征在于所述至少兩個主光刻隔墊物組中，不同主光刻隔墊物組中的主光刻隔 墊物的個數(shù)不同。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，包括貼合在一起的陣列基板與彩膜基板，彩膜基板上設(shè)置有主光刻隔墊物，主光刻隔墊物的頂端頂設(shè)在所述陣列基板的亞像素位置，一個或多個亞像素對應(yīng)一個主光刻隔墊物；主光刻隔墊物被分為至少兩個主光刻隔墊物組，每個主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物具有相同的預(yù)設(shè)位置及頂端端面形狀；不同主光刻隔墊物組中的主光刻隔墊物之間具有不同的預(yù)設(shè)位置或頂端端面形狀。本發(fā)明提供的液晶顯示面板中，由于不同主光刻隔墊物組之間具有不同的預(yù)設(shè)位置，因此，當陣列基板與彩膜基板進行貼合后發(fā)生了對位偏差時，具有不同預(yù)設(shè)位置的主光刻隔墊物之間會相互抵消彼此的位置偏差，從而可以保持盒厚的均一性。
文檔編號G02F1/1339GK101446713SQ20081012603
公開日2009年6月3日 申請日期2008年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月26日
發(fā)明者學(xué) 董 申請人:北京京東方光電科技有限公司