專利名稱：：曝光系統(tǒng)及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種曝光系統(tǒng)及其控制方法，更具體地講，涉及這樣一種曝光系統(tǒng)及其控制方法，該曝光系統(tǒng)能夠降低掃描時間和掃描距離，從而實現(xiàn)低的生產(chǎn)成本和提高的曝光精度，并執(zhí)行對具有各種尺寸的曝光區(qū)域的基底的快速曝光。
背景技術(shù)：
：通常，存在多種公知的方法來實現(xiàn)圖案的繪制，圖案的繪制通過將光照射到形成在(例如)液晶顯示器或者等離子體顯示器的半導(dǎo)體基底或者玻璃基底(以下，稱為"基底，，)上的感光材料上來實現(xiàn)。將掩模圖案轉(zhuǎn)印到感光材料上的傳統(tǒng)方法的示例包括接近式曝光方法、步進式曝光(stepexposure)方法等。在接近式曝光方法中，如果準(zhǔn)備了形成有與將被繪制的圖案對應(yīng)的開口并且與基底的尺寸相同的掩模，則該掩模位于靠近基底的位置。然后，將光照射到掩模上，以使全部掩模圖案可以被一次轉(zhuǎn)印到在基底上的感光材料上。在步進式曝光方法中，通過交替地重復(fù)進行掩模圖案的投影和運動，該圖案可以被繪制到全部基底上。近來，用于在平板顯示器中使用的基底、濾色器和其它元件的制造系統(tǒng)的市場強烈需要應(yīng)對將被形成在基底上的圖案的高精度和基底的大尺寸的需求。將全部掩模圖案一次轉(zhuǎn)印到感光材料上的接近式曝光方法的問題是，因為光被照射到位于靠近基底的掩模上，所以為了應(yīng)對圖案的高精度和基底的大尺寸的需求，需要制造非常昂貴的大且高精度的掩模。此外，接近式曝光方法和步進式曝光方法都不能有效地應(yīng)對將被繪制的圖案的間距(pitch)和寬度的改變的需求。作為克服上述接近式曝光方法和步進式曝光方法的問題的一種解決方案，第2005-0012163號韓國專利公布中公開了一種圖案繪制方法，其中，在基底上設(shè)置數(shù)字微鏡裝置，以將從激光源照射的激光向基底反射。上述的第2005-0012163號韓國專利公布還公開了一種包括單個光學(xué)模塊組件的曝光系統(tǒng)。使用了在上述專利中公布的傳統(tǒng)曝光系統(tǒng)，在安裝到單個光學(xué)模塊組件中的覆蓋圖測量儀(overlaygauge)掃描完全部基底以測量基底覆蓋圖(overlay)之后，基底通過利用單個光學(xué)模塊組件被暴露于激光下。但是，在第2005-0012163號韓國專利公布中公開的上述傳統(tǒng)曝光系統(tǒng)的情況下，由于該系統(tǒng)包括單個光學(xué)模塊組件，從而僅有一個覆蓋圖測量儀，所以測量基底覆蓋圖所需要的掃描時間非常長。此外，用于掃描操作的基底的運動距離增加，所以需要大尺寸的膨脹安裝臺(expansivemuntingtable),并導(dǎo)致整個生產(chǎn)成本的增加。而且，由于掃描時間越長，誤差參數(shù)就越多，所以曝光系統(tǒng)不可避免地具有劣化的曝光精度。然而，上述傳統(tǒng)的曝光系統(tǒng)的另一問題在于，當(dāng)基底具有不同尺寸的曝光區(qū)域(以下，曝光區(qū)域指基底上應(yīng)該執(zhí)行曝光操作的區(qū)域)時，在基底上執(zhí)行曝光操作需要超長的時間。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明一方面在于提供一種曝光系統(tǒng)及其控制方法，該曝光系統(tǒng)能夠降低掃描時間和掃描距離，從而實現(xiàn)低的生產(chǎn)成本和提高的曝光準(zhǔn)確度，并執(zhí)行具有不同尺寸的曝光區(qū)域的基底的快速曝光。本發(fā)明的其它方面和/或優(yōu)點部分將在以下描述進行闡述，一部分將從描述中變得清楚，或者可以通過本發(fā)明的實踐而了解。根據(jù)本發(fā)明的一方面，可以通過提供一種曝光系統(tǒng)來實現(xiàn)上述和/或其它方面，該曝光系統(tǒng)包括多個光學(xué)模塊組件，所述多個光學(xué)模塊組件用于將有圖案的光照射到彼此位于不同位置的曝光區(qū)域，所述光學(xué)模塊組件被布置成允許調(diào)節(jié)彼此之間的間隔距離。所述多個光學(xué)模塊組件的每個可包括用于基底的覆蓋圖對齊的覆蓋圖測量儀。所述多個光學(xué)模塊組件可照射圖案彼此不同的光。所述的曝光系統(tǒng)還可包括間隔距離調(diào)節(jié)器，所述間隔距離調(diào)節(jié)器用于分別調(diào)節(jié)附著有所述多個光學(xué)模塊組件的多個門結(jié)構(gòu)之間的間隔距離，從而調(diào)節(jié)所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種曝光系統(tǒng)，該曝光系統(tǒng)包括多個光學(xué)模塊組件，用于將有圖案的光照射到彼此位于不同位置的曝光區(qū)域上；間隔距離調(diào)節(jié)器，用于調(diào)節(jié)所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離；掩模堆棧庫，用于存儲曝光模式，包括所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離的數(shù)據(jù)和由所述多個光學(xué)模塊組件照射的有圖案的光的數(shù)據(jù)；控制器，用于基于存儲在掩模堆棧庫中的根據(jù)曝光模式的所述多個光學(xué)模塊組件之間間隔距離的數(shù)據(jù)和由所述多個光學(xué)模塊組件照射的有圖案的光的數(shù)據(jù)，來控制所述多個光學(xué)模塊組件和間隔距離調(diào)節(jié)器。掩模堆棧庫可存儲混合曝光模式，所述混合曝光模式在這樣的假設(shè)的條件下基于基底的傳遞方向，前面的光學(xué)模塊組件位于基底前側(cè)的前面的曝光區(qū)域的開始點，后面的光學(xué)模塊組件位于基底的后側(cè)的后面的曝光區(qū)域的開始點，包括由多個光學(xué)模塊組件之間的距離限定的混合間隔距離的數(shù)據(jù)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種曝光系統(tǒng)的控制方法，所述方法包括以下步驟確定曝光模式是否改變；如果曝光模式被改變，則根據(jù)改變后的曝光模式調(diào)節(jié)多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離。所述控制方法還可包括步驟如果曝光模式被改變，則允許所述多個光學(xué)模塊組件根據(jù)改變后的曝光模式照射有圖案的光。所述控制方法還可包括步驟如果曝光模式被改變，則執(zhí)行基底掃描操作，以調(diào)節(jié)所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離并測量基底的覆蓋圖。可執(zhí)行所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離的調(diào)節(jié)，以使得多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離等于基底的較長側(cè)的長度除以所述多個光學(xué)模塊組件的個數(shù)而獲得的值。通過下面結(jié)合附圖對實施例進行的描述，本發(fā)明示例性實施例的這些和/或其它方面和優(yōu)點將會變得清楚和更加易于理解，其中圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的曝光系統(tǒng)的透視圖；圖2是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)模塊組件的透視圖；圖3是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)模塊的構(gòu)造和操作的示意圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的曝光系統(tǒng)的控制機構(gòu)的框圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的曝光系統(tǒng)的控制順序的流程圖6A至圖6C是示出根據(jù)本發(fā)明的曝光系統(tǒng)的操作的剖視圖。具體實施例方式現(xiàn)在，將詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例，其示例在附圖中被示出，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。以下，將參照附圖描述實施例，以解釋本發(fā)明。參照圖1至圖4,將被安裝在真空室內(nèi)的根據(jù)本發(fā)明的曝光系統(tǒng)1包括安裝臺10,由從該安裝臺10的四個角向下延伸的支柱20支撐；臺架40,沿著安裝臺10的較長側(cè)的方向可運動地設(shè)置在安裝臺10上，并具有將安置基底W的頂表面；臺架驅(qū)動單元70,安裝在安裝臺10的頂表面上，以使臺架40運動；臺架引導(dǎo)件30，安裝在安裝臺IO的頂表面上，以引導(dǎo)臺架40的運動方向；多個門結(jié)構(gòu)50a和50b,每個均具有倒U形形狀，并且兩端均可運動地置于間隔距離調(diào)節(jié)器200的引導(dǎo)導(dǎo)軌230上；多個光學(xué)模塊組件100a和100b,附著到對應(yīng)的門結(jié)構(gòu)50a和50b的一側(cè)，并用于將有圖案的光照射到置于臺架40上的基底W上；多個覆蓋圖測量儀60a和60b,分別附著到多個光學(xué)模塊組件100a和100b上，以測量基底W的覆蓋圖；光源300,給多個光學(xué)模塊組件100a和100b提供光；間隔距離調(diào)節(jié)器200，用于調(diào)節(jié)多個門結(jié)構(gòu)50a和50b之間的間隔距離，以調(diào)節(jié)多個光學(xué)才莫塊組件100a和100b之間的間隔距離；控制器400,用于控制整個曝光系統(tǒng)1。多個覆蓋圖測量儀60a和60b測量形成在基底W上的覆蓋圖，并將測量的結(jié)果傳送給控制器400,以允許有圖案的光被照射到基底W上的準(zhǔn)確位置。具體地講，覆蓋圖測量儀60a和60b測量形成在基底W的頂表面上的覆蓋圖，該基底W在置于臺架40上的同時運動經(jīng)過門結(jié)構(gòu)50a和50b?？刂破?00可基于測量的覆蓋圖使基底W對齊。在本發(fā)明中，由于多個覆蓋圖測量儀60a和60b分別附著到多個光學(xué)模塊組件100a和100b上，所以可以縮短用于覆蓋圖測量掃描操作的臺架40的運動距離。這具有減小安裝臺IO的尺寸的效果。光源300包括半導(dǎo)體激光源和用于控制從半導(dǎo)體激光源發(fā)射的光的光學(xué)系統(tǒng)。光源300還包括光導(dǎo)纖維310，光導(dǎo)纖維310用于將激光提供到被包括在光學(xué)模塊組件100a和100b中的光學(xué)模塊105的入口側(cè)中。多個光學(xué)模塊組件100a和100b的每個包括多個光學(xué)模塊105。光學(xué)模塊105按照矩陣形式布置，以使得將發(fā)出有圖案的光的光學(xué)模塊105的出口側(cè)面對置于臺架40上的基底W。多個光學(xué)模塊105的每個包括校正透鏡系統(tǒng)110、鏡子120、光調(diào)制器130以及聚光透鏡系統(tǒng)140。校正透鏡系統(tǒng)110用于校正從光學(xué)纖維310的光出口端311發(fā)出的光，以將校正后的光發(fā)射到鏡子120。鏡子120將從校正透鏡系統(tǒng)110發(fā)出的光反射到光調(diào)制器130。光調(diào)制器130按照一定角度反射從鏡子120反射的光的一部分，從而反射具有預(yù)定圖案的有圖案的光，所述一定角度不同于剩余的光的角度。聚光透鏡系統(tǒng)140允許從光調(diào)制器130反射的有圖案的光被聚集到基底W的曝光表面160上。校正透鏡系統(tǒng)110包括第一校正透鏡lll,使從光學(xué)纖維310的光出口端311發(fā)出的光均勻；第二校正透鏡112,將已經(jīng)穿過第一校正透鏡111的光會聚到鏡子120上。具有了這種結(jié)構(gòu)，校正透鏡系統(tǒng)110允許從光學(xué)纖維310的光出口端311發(fā)出的光以均勻的光分布被引導(dǎo)到鏡子120。鏡子120具有反射表面，以將穿過校正透鏡系統(tǒng)110的光反射到光調(diào)制器130。光調(diào)制器130包括按照通常已知的矩陣形式布置的多個光學(xué)調(diào)制元件131。同時，光學(xué)調(diào)節(jié)元件131的每個具有被支撐在存儲單元上的支撐部分和安裝在支撐部分的上端的微鏡。當(dāng)通過存儲單元的操作使微鏡的傾斜度改變時，可以調(diào)節(jié)引入到光學(xué)調(diào)節(jié)元件131中的光的反射方向。隨著各個光學(xué)調(diào)節(jié)元件131的微鏡的傾斜度的改變，光調(diào)制器130可以將具有預(yù)定圖案的有圖案的光反射到聚光透鏡系統(tǒng)140。聚光透鏡系統(tǒng)140包括第一聚光透鏡141和第二聚光透鏡142。當(dāng)調(diào)節(jié)第一聚光透鏡141和第二聚光透鏡142之間的距離時，可以調(diào)節(jié)已經(jīng)穿過聚光透鏡系統(tǒng)140的有圖案的光的聚光位置。聚光透鏡系統(tǒng)140允許從光調(diào)制器130反射的有圖案的光被引導(dǎo)到基底W的曝光表面160。從而，可以使設(shè)置在基底W的曝光區(qū)域EW的曝光表面160中的感光材料變硬或變軟。同時，通過控制器400分別控制多個光學(xué)模塊組件100a和100b,以將彼此不同的有圖案的光照射到置于臺架40上的基底W的曝光區(qū)域EW上。因此，根據(jù)本發(fā)明的曝光系統(tǒng)1可以執(zhí)行縫合曝光(stitchingexposure)。間隔距離調(diào)節(jié)器200包括引導(dǎo)導(dǎo)軌230，可運動地支撐門結(jié)構(gòu)50a和50b的腿51a和51b可運動；螺紋桿220，每個均可旋轉(zhuǎn)地旋入到門結(jié)構(gòu)50a和50b的腿51a和51b上；距離調(diào)節(jié)驅(qū)動單元210,分別使螺紋桿220旋轉(zhuǎn)?；诼菁y桿220大致的中心點，螺紋桿220的每個均被分成具有右旋螺紋或者左旋螺紋的一部分和具有與右旋螺紋或左旋螺紋相反的螺紋的另一部分。門結(jié)構(gòu)50a和50b的腿51a和51b分別形成有螺紋孔52a和52b，與配合的螺紋桿220的兩端對應(yīng)。當(dāng)螺紋桿220順時針或者逆時針旋轉(zhuǎn)時，螺紋桿220的兩端緊固到螺紋孔52a和52b中或者從螺紋孔52a和52b中松開。具有了這種結(jié)構(gòu)，可以通過調(diào)節(jié)螺紋桿220的旋轉(zhuǎn)方向和轉(zhuǎn)動圏數(shù)來調(diào)節(jié)門結(jié)構(gòu)50a和50b之間的間隔距離。應(yīng)該注意的是，間隔距離調(diào)節(jié)器200不限于上述結(jié)構(gòu)，可以使用能夠調(diào)節(jié)門結(jié)構(gòu)50a和50b之間的間隔距離的任何其它裝置。在控制器400的輸入側(cè)設(shè)置有用于輸入由操作者選擇的曝光模式的輸入單元410、用于存儲依賴于不同的曝光模式的數(shù)據(jù)的掩模堆棧庫420、以及覆蓋圖測量儀60a和60b，該覆蓋圖測量儀60a和60b用于測量基底W的覆蓋圖，以將測量的覆蓋圖結(jié)果傳送到控制器400。此外，在控制器400的輸出側(cè)設(shè)置有多個光學(xué)^t塊組件100a和100b、臺架驅(qū)動單元70、間隔距離調(diào)節(jié)器200和光源300。輸入單元410被使用以允許操作者將命令輸入到控制器400。掩模堆棧庫420存儲依賴于不同曝光模式的多個光學(xué)模塊組件100a和100b之間的間隔距離的數(shù)據(jù)以及依賴于不同曝光模式的由多個光學(xué)模塊組件100a和100b照射的有圖案的光的數(shù)據(jù)。掩模堆棧庫420在控制器400需要時提供存儲的數(shù)據(jù)。同時，控制器400具有通過使用從覆蓋圖測量儀60a和60b傳送的關(guān)于基底W的測量的覆蓋圖結(jié)果而使基底W對齊的功能?；谕ㄟ^掩模堆棧庫420提供的依賴于不同曝光模式的多個光學(xué)模塊組件100a和100b之間的間隔距離的數(shù)據(jù)以及依賴于不同曝光模式的由多個光學(xué)模塊組件100a和100b照射的有圖案的光的數(shù)據(jù)，控制器400控制多個光學(xué)模塊組件100a和100b以及間隔距離調(diào)節(jié)器200。以下，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的曝光系統(tǒng)的控制方法。首先，控制器400確定曝光模式是否改變(操作510)。更具體地講，確定當(dāng)操作者經(jīng)輸入單元410選擇了新的曝光模式時是否新的曝光模式命令從輸入單元410被輸入。這里，曝光模式從混合曝光模式、縫合曝光模式和雙曝光模式中選擇。當(dāng)使用曝光系統(tǒng)1在具有寬度彼此不同的多個曝光區(qū)域的基底上執(zhí)行曝光操作時，采用混合曝光模式，在考慮到曝光區(qū)域的寬度調(diào)節(jié)多個光學(xué)模塊組件100a和100b的間隔距離的狀態(tài)下使基底暴露于光中。當(dāng)包括在曝光系統(tǒng)1中的多個光學(xué)模塊組件100a和100b的一部分不能在基底W的曝光區(qū)域上執(zhí)行充分的曝光操作時，采用雙曝光模式，增加光學(xué)模塊組件的數(shù)量以將有相同的圖案的光照射到基底W的曝光區(qū)域上，從而確保在基底W的曝光區(qū)域上有充足的曝光操作?？p合曝光模式允許包括在曝光系統(tǒng)1中的多個光學(xué)模塊組件100a和100b的一部分將選擇的有圖案的光照射到基底W的曝光區(qū)域EW上，并且允許所述光學(xué)模塊組件100a和100b的剩余部分將與選擇的有圖案的光不同的有圖案的光照射到曝光區(qū)域EW上。如果曝光模式?jīng)]有改變，則控制器400控制曝光系統(tǒng)1根據(jù)先前的曝光模式在基底W上執(zhí)行曝光操作(操作520.)。接下來，控制器400確定是否出現(xiàn)曝光結(jié)束條件(操作540)。如果沒有出現(xiàn)曝光結(jié)束條件，則控制器400繼續(xù)確定是否出現(xiàn)曝光結(jié)束條件。然后，如果確定出現(xiàn)了曝光結(jié)束條件，則控制器400結(jié)束曝光操作。同時，如果在操作510中確定曝光模式被改變，則控制器400命令曝光系統(tǒng)1根據(jù)改變的曝光模式執(zhí)行曝光操作。更具體地講，控制器400首先確定曝光系統(tǒng)1是否正在執(zhí)行曝光操作。如果確定曝光系統(tǒng)1沒有執(zhí)行曝光操作，則控制器400命令立即執(zhí)行隨后的操作。另一方面，如果確定曝光系統(tǒng)1正在執(zhí)行曝光操作，則控制器400命令停止先前的曝光操作并進入隨后的操作(操作531)。然后，控制器400請求與掩模堆棧庫420的改變后的曝光模式對應(yīng)的間隔距離數(shù)據(jù)和有圖案的光的數(shù)據(jù)。從而，控制器400接收與改變的曝光模式對應(yīng)的間隔距離數(shù)據(jù)和有圖案的光的數(shù)據(jù)(操作532)。之后，控制器400命令掃描操作以使臺架40運動，從而使基底W對齊，并利用覆蓋圖測量儀60a和60b測量基底W的覆蓋圖(操作533)。在這種情況下，控制器400發(fā)送控制信號到間隔距離調(diào)節(jié)器200,以允許多個光學(xué)模塊組件100a和100b之間的間隔距離D等于基底W的較長側(cè)的長度除以所述多個光學(xué)模塊組件100a和100b的個數(shù)而獲得的值。這有效地縮小了臺架40的運動距離。然后，在控制器400的控制下基于測量的覆蓋圖結(jié)果對齊基底W(操作534)。接下來，控制器400控制間隔距離調(diào)節(jié)器200,以根據(jù)基于改變的曝光模式的間隔距離數(shù)據(jù)來調(diào)節(jié)多個光學(xué)模塊組件100a和100b之間的間隔距離D,(操作535)，并控制多個光學(xué)模塊組件100a和100b,以根據(jù)基于改變的曝光模式的有圖案的光的數(shù)據(jù)來照射有圖案的光(操作536)。更具體地講，如圖6A所示，如果改變后的曝光模式是混合曝光模式，則控制器400將控制信號發(fā)送到間隔距離調(diào)節(jié)器200,以將多個光學(xué)模塊組件100a和100b之間的間隔距離D調(diào)節(jié)到根據(jù)混合曝光模式的混合間隔距離Dl(操作535)。這里，在這樣的假設(shè)的條件下基于基底W的傳遞方向，前面的光學(xué)模塊組件100a位于基底W前側(cè)的前面的曝光區(qū)域EW10的開始點，后面的光學(xué)模塊組件100b位于基底W的后側(cè)的后面的曝光區(qū)域EW20的開始點，混合間隔距離Dl可以由多個光學(xué)模塊組件100a和100b之間的距離限定。然后，控制器400在使其上設(shè)置有基底W的臺架40運動的同時控制多個光學(xué)模塊組件100a和100b,以照射相同的有圖案的光(操作536)。如圖6B所示，如果改變后的曝光模式是縫合曝光模式，則控制器400將多個光學(xué)模塊組件100a和100b之間的間隔距離D調(diào)節(jié)到最短的距離D2(操作535),并控制多個光學(xué)模塊組件100a和100b以照射彼此不同的有圖案的光(操作536)。如圖6C所示，如果改變后的曝光模式是雙曝光模式，則控制器400將多個光學(xué)模塊組件100a和100b之間的間隔距離D調(diào)節(jié)到最短的距離D3(操作535)，并控制多個光學(xué)模塊組件100a和100b以照射彼此相同的有圖案的光(操作536)。從以上描述中清楚的是，具有了根據(jù)本發(fā)明的曝光系統(tǒng)及其控制方法，可以降低掃描時間和掃描距離。這具有降低生產(chǎn)成本并提高曝光精度的效果。此外，根據(jù)本發(fā)明，具有不同尺寸的曝光區(qū)域的基底可以被快速地暴露于光中。雖然已經(jīng)顯示并描述了本發(fā)明的實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和原理的情況下，可以對該實施例進行改變。權(quán)利要求1、一種曝光系統(tǒng)，包括多個光學(xué)模塊組件，所述多個光學(xué)模塊組件用于將有圖案的光照射到彼此位于不同位置的曝光區(qū)域，所述光學(xué)模塊組件被布置成允許調(diào)節(jié)彼此之間的間隔距離。2、如權(quán)利要求1所述的曝光系統(tǒng)，其中，所述多個光學(xué)模塊組件的每個包括用于基底的覆蓋圖對齊的覆蓋圖測量儀。3、如權(quán)利要求1所述的曝光系統(tǒng)，其中，所述多個光學(xué)模塊組件照射圖案彼此不同的光。4、如權(quán)利要求1所述的曝光系統(tǒng)，還包括間隔距離調(diào)節(jié)器，所述間隔距離調(diào)節(jié)器用于分別調(diào)節(jié)附著有所述多個光學(xué)模塊組件的多個門結(jié)構(gòu)之間的間隔距離，從而調(diào)節(jié)所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離。5、一種曝光系統(tǒng)，包括多個光學(xué)模塊組件，用于將有圖案的光照射到彼此位于不同位置的曝光區(qū)域上；間隔距離調(diào)節(jié)器，用于調(diào)節(jié)所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離；掩模堆棧庫，用于存儲曝光模式，包括所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離的數(shù)據(jù)和由所述多個光學(xué)模塊組件照射的有圖案的光的數(shù)據(jù)；控制器，用于基于存儲在掩模堆棧庫中的根據(jù)曝光模式的所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離的數(shù)據(jù)和由所述多個光學(xué)模塊組件照射的有圖案的光的數(shù)據(jù)，來控制所述多個光學(xué)模塊組件和間隔距離調(diào)節(jié)器。6、如權(quán)利要求5所述的曝光系統(tǒng)，其中，掩模堆棧庫存儲混合曝光模式，所述混合曝光模式在這樣的假設(shè)的條件下基于基底的傳遞方向，前面的光學(xué)模塊組件位于基底前側(cè)的前面的曝光區(qū)域的開始點，后面的光學(xué)模塊組件位于基底的后側(cè)的后面的曝光區(qū)域的開始點，包括由所述多個光學(xué)模塊組件之間的距離限定的混合間隔距離的數(shù)據(jù)。7、一種曝光系統(tǒng)的控制方法，包括以下步驟確定曝光模式是否改變；如果曝光模式被改變，則根據(jù)改變后的曝光模式調(diào)節(jié)多個光學(xué)模塊組件之間的間隔3巨離。8、如權(quán)利要求7所述的控制方法，還包括步驟如果曝光模式被改變，則允許所述多個光學(xué)模塊組件根據(jù)改變后的曝光模式照射有圖案的光。9、如權(quán)利要求7所述的控制方法，還包括步驟如果曝光模式被改變，則執(zhí)行基底掃描操作，以調(diào)節(jié)所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離并測量基底的覆蓋圖。10、如權(quán)利要求9所述的控制方法，其中，執(zhí)行所述多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離的調(diào)節(jié)，以使得多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離等于基底的較長側(cè)的長度除以所述多個光學(xué)模塊組件的個數(shù)而獲得的值。全文摘要一種曝光系統(tǒng)及其控制方法，該曝光系統(tǒng)能夠降低掃描時間和掃描距離。具有了這種曝光系統(tǒng)及其控制方法，可以實現(xiàn)低的生產(chǎn)成本和提高的曝光準(zhǔn)確度。此外，可以實現(xiàn)具有不同尺寸的曝光區(qū)域的基底的快速曝光。該曝光系統(tǒng)包括多個光學(xué)模塊組件，所述多個光學(xué)模塊組件用于將有圖案的光照射到彼此位于不同位置的曝光區(qū)域，所述光學(xué)模塊組件被布置成允許調(diào)節(jié)彼此之間的間隔距離。所述曝光系統(tǒng)的控制方法包括以下步驟確定曝光模式是否改變；如果曝光模式被改變，則根據(jù)改變后的曝光模式調(diào)節(jié)多個光學(xué)模塊組件之間的間隔距離。文檔編號G03F7/20GK101419408SQ20081012599公開日2009年4月29日申請日期2008年6月19日優(yōu)先權(quán)日2007年10月22日發(fā)明者樸相玄,李成進,裴祥佑,金乙泰申請人:三星電子株式會社