專利名稱：層疊構(gòu)造及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種層疊構(gòu)造及其制造方法，該層疊構(gòu)造用作在薄型顯示 裝置使用的薄膜晶體管的源電極及漏電極等各種電極、反射電極，或者用 于連接它們的布線、存儲電容電極以及公共電極。
背景技術(shù)：
Al合金因比電阻低、加工容易等的特點，而在液晶顯示裝置、等離 子顯示裝置、場致發(fā)光顯示裝置、場致發(fā)射顯示裝置等薄型顯示裝置(FPD) 領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用于布線膜、電極膜、反射電極膜、存儲電容電極及公共電 極的薄膜材料等。例如，專利文獻l公開了一種層疊構(gòu)造，其在氧化物透明電極即ITO 膜上形成有低電阻金屬的Al合金膜。專利文獻l:日本特開平11一352515號公報作為這種層疊構(gòu)造的電氣特性，可實現(xiàn)降低Al合金膜的比電阻及氧 化物透明導(dǎo)電膜與Al合金膜之間的接觸電阻。例如，在將層疊構(gòu)造應(yīng)用于液晶顯示裝置的掃描線及信號線的情況 下，現(xiàn)有的層疊構(gòu)造中對于Al合金膜和氧化物透明導(dǎo)電膜之間的接觸電 阻，不可避免存在下述問題，即布線寬度寬且長、與氧化物透明導(dǎo)電膜的 接觸面積大，而隨著液晶板的高精度、布線窄間距化、像素的高開口度化 的進步布線寬度變細，就不能忽視Al合金膜和氧化物透明導(dǎo)電膜之間的另外，在對由形成于基板上的Al合金膜與氧化物透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的 層疊構(gòu)造進行構(gòu)圖時，若使用光致抗蝕劑的顯影液(例如，TMAH (四甲 銨氫化物)為主成分的物質(zhì))，則存在使A1合金膜產(chǎn)生電池作用腐蝕，致 使Al合金膜從ITO膜上剝離的問題。之所以產(chǎn)生電池作用腐蝕，分析認 為是由于在電解質(zhì)液(例如上述顯影液)中的鋁與氧化物透明導(dǎo)電薄膜之間的電位差大的緣故。另一方面，還有一種方法是，通過在鋁中添加合金成分來降低接觸電 阻，反而使Al合金自身的比電阻上升，特別是在應(yīng)用于掃描線及信號線 的情況下，存在信號傳輸速度延遲的問題。因此，在鋁中添加合金成分的 方法還是有局限的。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供一種層疊構(gòu)造及其制造方法，其不增加氧化物透明導(dǎo)電膜與Al合金膜之間的接觸電阻，而是Al合金直接連接， 布線電阻小，在顯影液等電解質(zhì)液中不易產(chǎn)生電池作用腐蝕?？山鉀Q上述問題的本發(fā)明的層疊構(gòu)造的制造方法，是一種制造氧化物透明導(dǎo)電膜和Al合金膜直接連接的層疊構(gòu)造的方法，其具有在基板上形成上述氧化物透明導(dǎo)電膜的第一工序、在該氧化物透明導(dǎo)電膜上形成含有離子化傾向比鋁小的合金成分的Al合金膜的第 二工序、出于在界面上使合金成分析出的目的而將上述Al合金膜加熱到 由鋁和上述合金成分構(gòu)成的金屬間化合物的析出溫度以上的第三工序。在上述的制造方法中，優(yōu)選在第二工序結(jié)束之后進行上述第三工序的 加熱。在上述的制造方法中，優(yōu)選在第二工序的進行過程中，進行上述第三 工序的加熱。另外也可以在第二工序的進行過程中及結(jié)束后這兩個階段進 行上述第三工序的加熱。在上述的制造方法中優(yōu)選，離子化傾向比鋁小的上述合金成分為Ni， Ni的含量為0.1 6原子％，上述第三工序中的加熱溫度為200°C以上。另外，可解決上述問題的本發(fā)明的層疊構(gòu)造，是具有形成于基板上的氧化物透明導(dǎo)電膜和與該氧化物透明導(dǎo)電膜 直接連接的Al合金膜的布線結(jié)構(gòu)，其中，所述Al合金膜含有離子化傾 向比鋁小的合金成分，并且由鋁和所述合金成分構(gòu)成的金屬間化合物在與 所述氧化物透明導(dǎo)電膜的連接界面析出。上述的層疊構(gòu)造優(yōu)選離子化傾向比鋁小的所述合金成分為Ni， Ni的 含量為0.1 6原子％。根據(jù)本發(fā)明，由于不增加添加到Al合金膜的合金成分可防止電池作 用腐蝕，同時可降低氧化物透明導(dǎo)電膜和Al合金膜之間的接觸電阻，因 而不僅可提高顯示裝置的成品率，還可提高顯示裝置的顯示品質(zhì)。


圖1是表示應(yīng)用了非晶硅TFT基板的代表性的液晶顯示器的構(gòu)成的簡略剖面放大說明圖；圖2是表示本發(fā)明的實施方式的TFT基板的構(gòu)成的簡略剖面說明圖； 圖3是表示如圖2所示的TFT基板的制造工序之一例的說明圖； 圖4是表示如圖2所示的TFT基板的制造工序之一例的說明圖； 圖5是表示如圖2所示的TFT基板的制造工序之一例的說明圖； 圖6是表示如圖2所示的TFT基板的制造工序之一例的說明圖； 圖7是表示包含于AL—Ni—La合金摸中的Ni濃度的深度方向的構(gòu)成的圖。圖8是表示用于測量Al合金膜和ITO膜之間的接觸電阻幵爾文圖案 (TEG圖案)的圖；圖9是表示A1合金膜的剝離率(相對于ITO膜)的圖；圖10是表示加熱處理后的Al合金膜的剝離率(相對于ITO膜)的圖；圖ll是表示Al合金膜的剝離率(相對于ITO膜)的圖；圖12是表示加熱處理后的Al合金膜的剝離率(相對于ITO膜)的圖；符號說明1: TFT基板la、 lb:玻璃基板2:對置電極3:液晶層4:薄膜晶體管(TFT)5:透明像素電極 6:布線部7:公共電極8:濾色器9:遮光膜10a、 10b:偏光板11:定向膜12: TAB帶13:驅(qū)動電路14:控制電路15:襯墊16:密封材料17:保護膜18:擴散板19:棱鏡薄板20:導(dǎo)光板21:反射板22:背光燈23:保持架24:印刷線路板25:掃描線26:柵極27:柵極絕緣膜28:源極29:漏極29a:漏極布線部30:保護膜(氮化硅膜) 31:光致抗蝕劑 32:接觸孔33:非晶硅溝道層(活性半導(dǎo)體膜) 34:信號線(源極一柵極布線)35: Al合金膜(Al—Ni—La合金膜)40:氧化物透明導(dǎo)電膜41、 42、 43:氧化物透明導(dǎo)電膜44:氮化硅膜 45:反射電極55:非摻雜氫化非晶硅膜(a—Si—H)56: n+型氫化非晶硅膜(n+a—Si—H) 100:液晶顯示裝置具體實施方式
下面，參照附圖來說明基于本發(fā)明觀點的層疊構(gòu)造及其制造方法的最 佳實施方式。首先，為了說明基于本發(fā)明觀點的層疊構(gòu)造最佳的應(yīng)用部位， 而通過實例根據(jù)液晶顯示裝置的整體圖按順序說明液晶顯示裝置。下面，代表性地舉例說明具備有非晶硅TFT基板或者多晶硅TFT基 板的顯示裝置中的層疊構(gòu)造及其制造方法，但是，本發(fā)明并非僅局限于此， 而是在可適于上述及下述宗旨的范圍內(nèi)加以適當變更進行實施，這些都包 含于本發(fā)明的技術(shù)范圍。本實施方式中的層疊構(gòu)造，同樣可應(yīng)用于例如反 射型液晶顯示裝置等反射電極、為了與外部的信號的輸入輸出而使用的 TAB (自動接合薄片)連接電極、存儲電容電極及公共電極。1.液晶顯示裝置參照圖1來說明有源矩陣變換電路型液晶顯示裝置所采用的代表性的 液晶顯示器的構(gòu)成及工作原理。在此，雖然作為活性半導(dǎo)體層以使用了氫 化非晶硅的TFT基板(下面有時稱為"非晶硅TFT基板")的例子為代表 進行說明，但并非僅局限于此，也可以是使用了多晶硅的TFT基板。如圖1所示，液晶顯示裝置100具有TFT基板1、與TFT基板1對 置配置的對置基板2、配置于TFT基板1與對置基板2之間并作為光調(diào)制 層起作用的液晶層3。其中，TFT基板1具有配置于絕緣性玻璃基板la 上的TFT4、透明像素電極5、包含掃描線及信號線的布線部6。透明像素 電極5由氧化銦(ln203)中包含10質(zhì)量％左右氧化錫(SnO)的ITO膜 等氧化物透明導(dǎo)電膜形成。TFT基板1受通過TAB絕緣帶12連接的驅(qū)動 電路13及控制電路14驅(qū)動。對置基板2在TFT基板1側(cè)具有形成于絕緣性玻璃基板lb的整個面的公共電極7、配置于與透明像素電極5對置的位置的彩色濾光膜8、 配置于與TFT基板1上的TFT4及布線部6相對置的位置的遮光膜9。對 置基板2還具有勇于使包含于液晶層3的液晶分子在規(guī)定的方向進行定向 的定向膜ll。在TFT基板1及對置基板2的外側(cè)(液晶層3的相反側(cè))分別配置有 偏光板10a、 10b。液晶顯示裝置100利用對置電極2和透明像素電極5之間形成的電場 控制液晶層中的冶金分子的定向方向，對穿過液晶層3的光進行調(diào)制。這 樣，控制穿過對置基板2的光的光通量并使像素進行顯示。2. TFT基板下面，參照圖2詳細說明液晶顯示裝置所使用的現(xiàn)有的非晶硅TFT基 板的構(gòu)成及工作原理。圖2是圖1中A的關(guān)鍵部位的放大圖。如圖2所示，玻璃基板la上層疊由氧化物透明導(dǎo)電膜42及掃描線(柵 極布線)25。另外，層疊有氧化物透明導(dǎo)電膜42及柵電極26。為了控制 TFT的開、關(guān)而將掃描線25電連接于柵電極26。而且，以覆蓋柵電極26的形式形成有柵極絕緣膜(硅氧化膜)27。 以隔著柵極絕緣膜27與掃描線相交叉的形式形成有信號線(源一漏極布 線)34，信號線24的一部分作為TFT的源電極28發(fā)揮作用。柵電極27 上依次形成有非晶硅心倒膜(活性半導(dǎo)體膜)33、信號線(源一漏極布線) 34、層間絕緣硅氧化膜(保護膜)30。通常將這種類型的TFT叫做下柵極 型。非晶硅信道膜33由不摻雜磷(P)的本征層(也被稱為i層、非摻雜 層)55和摻雜有磷的摻雜層56 (n層)構(gòu)成。柵極絕緣膜27上的像素區(qū) 域配置有由例如ln203中含SnO的ITO膜形成的透明像素電極5。 TFT的 漏電極29通過從漏電極29延長的漏極布線部29a電連接于透明像素電極若通過掃描線25向柵極26提供柵極電壓，則TFT4成打開狀態(tài)，將 預(yù)先提供給信號線34的驅(qū)動電壓，從源極28經(jīng)過漏電極29提供給透明 像素電極5。而且，若向透明像素電極5供給規(guī)定電平的驅(qū)動電壓，則如在圖1進行的說明所示，在透明像素電極5和對置電極2之間產(chǎn)生電位差的結(jié)果，是對包含于液晶層3的液晶分子進行定向并進行光調(diào)制。在TFT的上方部分，與透明像素電極5連接的氧化物透明導(dǎo)電膜45 上，為了更有效地反射來自上面的光而形成有由Al合金膜構(gòu)成的反射膜 46。3.層疊構(gòu)造作為本發(fā)明中的層疊構(gòu)造的例示，可列舉氧化物透明導(dǎo)電膜42和掃 描線25的層疊構(gòu)造、氧化物透明電極膜41和柵極26的層疊構(gòu)造、氧化 物透明電極膜43和信號線34(源電極28、漏電極29或者漏極布線部29a) 的層疊構(gòu)造、以及氧化物透明電極膜45和反射膜46的層疊構(gòu)造。氧化物透明導(dǎo)電膜是至少可使可見光穿過的膜，例如是指氧化錫 (ITO: (ln203)含有氧化錫(SnO)的物質(zhì))及以氧化銦錫(IZO:在氧 化銦中添加了氧化錫的物質(zhì))、此外是指以金屬氧化物為主成分比電阻為 m'cm以下的膜。掃描線25、柵電極26、信號線34 (源電極28、漏電極29、漏電極布 線部29a)、反射膜46都是分別用A1合金膜構(gòu)成的。Al合金膜以鋁為主 成分，作為合金成分包含有離子化傾向比鋁小的合金成分(例如Ag、 Cu， 優(yōu)選Ni)。通過使Al合金膜中含有Ni等合金成分，可降低Al合金膜和氧化物 透明導(dǎo)電膜之間的接觸電阻。為了有效地發(fā)揮這種效果，優(yōu)選使Ni等的 含量達到0.1原子％以上，更優(yōu)選0.2原子％以上，特別優(yōu)選0.5原子％以 上。另一方面，由于若合金元素的含量過高，將導(dǎo)致A1合金膜的比電阻 上升，因此優(yōu)選使Ni等的含量在6原子Q/。以下，更優(yōu)選3原子％以下，特 別優(yōu)選1原子％以下。允許在Al合金膜中，作為其他的合金成分添加有耐熱性促進元素 (Nd、 Y、 Fe、 Co、 Ti、 V、 Zr、 Nb、 Mo、 Hf、 Ta、 Mg、 Cr、 Mn、 Ru、 Rh、 Pd、 Ir、 Pt、 La、 Gd、 Tb、 Dy、 Sr、 Sm、 Ge、 Bi的至少一種合計為 0.1 0.5原子％，優(yōu)選0.2 0.35原子％)。下面，參照圖3和圖4及圖5和圖6，說明對氧化物透明導(dǎo)電膜41、 42和作為Al合金膜的掃描線25、柵電極26進行層疊的工序。首先，如圖3所示，在玻璃基板la上形成氧化物透明導(dǎo)電膜40 (膜 厚100nm)(第一工序)，然后，在氧化物透明導(dǎo)電膜40上，形成例如含 有鎳(Ni)或者鑭(La)的Al合金膜(Al—Ni—La合金膜)(第二工序)， 最后，通過用作為Al—Ni金屬間化合物的析出溫度以上的20(TC溫度加熱 一個小時，使鋁和鎳的金屬間化合物析出(第三工序)。為了使鋁和鎳的金屬間化合物析出，加熱溫度必須要達到200'C以上。 優(yōu)選加熱溫度為25(TC以上。雖然加熱溫度的上限并無特別規(guī)定，但為了 避免Al合金膜35中的小丘(hillock)產(chǎn)生，優(yōu)選加熱溫度為350°C以下， 更優(yōu)選30(TC以下。然后，通過利用光刻法和蝕刻法對Al—Ni—La合金膜35及氧化物透 明導(dǎo)電膜40進行構(gòu)圖，形成氧化物透明導(dǎo)電膜41、 42和掃描線25、柵極 電極26的層疊構(gòu)造。若用適當?shù)臏囟葘@樣形成的層疊構(gòu)造進行退火，將使金屬間化合物 的析出物聚集在基板界面，由于在界面上離子化傾向小的鎳的濃度高，ITO 膜及IZO膜的接觸電位差變小，因此，在光刻法時不易發(fā)生所使用的顯影 液及蝕刻液引起的電池作用腐蝕。作為氧化物透明導(dǎo)電膜41、 42和掃描線25、柵極電極26的層疊構(gòu)造 的形成方法，另外也可以如圖5和圖6所示，在對氧化物透明導(dǎo)電膜40 進行圖案是可做成氧化物透明導(dǎo)電膜41、 42之后，形成Al—Ni—La合金 膜35。在這種情況下，也是對Al—Ni—La合金膜35用20(TC溫度加熱一 個小時使鋁和鎳的金屬間化合物析出，之后，通過利用光刻法和蝕刻法對 Al—Ni—La合金膜35進行構(gòu)圖，形成掃描線25、柵極電極26。由于雖然構(gòu)成氧化物透明導(dǎo)電膜40、 41、 42的ITO膜，在進行加熱 之前呈非晶狀態(tài)，使其溶解于以磷酸為主成分的鋁用蝕刻液，但是若加熱 到20(TC則成為晶體狀態(tài)，因而對于鋁用蝕刻液具有選擇性。因此，在圖 6的工序?qū)l—Ni—La合金膜35進行蝕刻時，可防止對于己經(jīng)形成的氧 化物透明導(dǎo)電膜41、 42進行不必要的蝕刻。在不需要與A1的蝕刻選擇性的情況下也可以使用IZO膜。而除ITO 膜之外，可毫無問題地使用與Al蝕刻液具有選擇性的氧化物透明導(dǎo)電膜。4.實施例電極電位為了確認各材料的電極電位，而在TMAH(四甲基氫氧化銨)2.38Wt% 的水溶液中，使Al合金膜等與作為測量對象的電極和銀一氯化銀參照電 極發(fā)生短路，用電壓計測量了電位差。此時，TMAH水溶液中的poly—ITO 膜的電極電位是(一0.2V)， Ni未析出的Al合金的電極電位是(一1.3V)， 但是由于Ni的電極電位(一0.25V)特別是另外Al—Ni的金屬間化合物 (Al3Ni)的電極電位(一1.0V)和ITO膜的電位差變小，因此不易發(fā)生 電池作用腐蝕。成分構(gòu)成圖7是表示包含于熱處理后的(使Ni析出)Al—Ni—La中的Ni等合 金成分的濃度深度方向的構(gòu)成的圖。在測量時使用了高頻輝光放電光譜分 析裝置(GD—OES: Glow Discharge/Optical Emission Spectroscopy)。關(guān)于 Ni及La的含量，基于易于讀取的觀點，而圖示為實際的含量10倍的值。 從圖7可看出，在與ITO膜的界面Ni濃度很高。接觸電阻利用使用了圖8所示的凱爾文圖案的四端子法，測量了使ITO膜與添 加有Ni2原子％的Al—Ni—La合金膜直接連接的情況的接觸電阻。其結(jié) 果是，即使Al—Ni—La合金膜和ITO膜的接觸面積為10pm方形，接觸 電阻也充分降低到1000Q。通過在ITO膜和Al合金膜之間接通電流，用 其它的端子測量IT0—A1合金間的電壓差而對接觸電阻進行了研究。具體而言，通過在圖8的li一l2之間接通電流，監(jiān)測V,—V2之間的電壓，根據(jù)公式11= (V!-V2) /12求出了觸點部C的接觸電阻R。 剝離試驗圖9是表示用室溫形成Al合金膜時Al合金膜從ITO膜上剝離的比 例(剝離率)和用200'C形成Al合金膜時的剝離率的圖。剝離的評價， 是將抗蝕劑涂敷于在ITO膜上含有層疊形成的Ni及La的合金膜并用紫外 線曝光，在含有TMAH2.38。/。的顯影液中用顯微鏡觀察在顯影后有無剝離。 剝離率是用下述方法進行的，即通過顯微鏡照相的圖象處理，在圖象上以 5pm方形分成網(wǎng)格，在每一部分網(wǎng)格上剝離的部分統(tǒng)計"剝離"并數(shù)值化 為剝離率。使Ni含量在0.1原子 6原子％內(nèi)變化。La的含量為0.35原子％， Al合金膜的膜厚為100nm， ITO膜的膜厚為40nm。圖11表示將ITO膜替換為IZO膜來制作試樣，是表示用室溫形成Al合金膜時Al合金膜從IZO膜上剝離下來的比率(剝離率)和用20(TC溫度形成Al合金膜時的同一種剝離率的圖。從圖9及圖11可看出，與用室溫成膜的情況相比較，在用20(TC溫度成膜的情況下剝離率非常低。即電池作用腐蝕的耐性提高。在用電子顯微鏡觀察上述試樣的剝離面及截面時，發(fā)現(xiàn)Al合金膜和ITO膜及IZO膜的界面的腐蝕進行比例與剝離率的結(jié)果有關(guān)。g卩，在室溫成膜的試樣中，未發(fā)現(xiàn)用20(TC溫度加熱成膜的試樣的情況，在A1合金膜和ITO膜及IZO膜的界面的剝離在所觀察到的面積比例上達到10 60%。對于這樣制造出來的Al合金膜又進行了試驗。圖10是表示在ITO 膜上用室溫或者用200。C溫度成膜之后，實施了室溫 25(TC加熱處理后的 Al合金膜的剝離率的圖，圖12是表示將ITO膜替換為IZO膜而進行的同 樣的試驗的結(jié)果的圖。從圖10及圖12可看出，在形成A1合金膜之后，若實施200。C以上 的加熱處理，將降低剝離率。即使在A1合金膜的成膜過程的溫度為室溫 的情況(圖中的O標記)下，若成膜后得加熱處理為25(TC， Al合金膜幾 乎無剝離。即，提高了電池作用腐蝕的耐性。而在Al合金膜的成膜后，將Al合金膜作為柵極26使用的情況下， 在柵極26上還形成有柵極絕緣膜27、活性半導(dǎo)體膜33。另外，同樣地也可將氧化物透明導(dǎo)電膜和Al合金膜的層疊構(gòu)造作為 源極一漏極線34應(yīng)用。此時，通過將源極一柵極線34的氧化物透明導(dǎo)電 體膜43直接引出作為像素電極(未圖示)，可使工序簡化。
權(quán)利要求
1、一種層疊構(gòu)造的制造方法，制造由氧化物透明導(dǎo)電膜和Al合金膜直接連接而成的層疊構(gòu)造，其特征在于，具有在基板上形成所述氧化物透明導(dǎo)電膜的第一工序、在該氧化物透明導(dǎo)電膜上形成含有離子化傾向比鋁小的合金成分的Al合金膜的第二工序、將所述Al合金膜加熱到由鋁和所述合金成分構(gòu)成的金屬間化合物的析出溫度以上的第三工序。
2、 如權(quán)利要求1所述的層疊構(gòu)造的制造方法，其特征在于，在所述第二工序結(jié)束后，進行所述第三工序的加熱。
3、 如權(quán)利要求1所述的層疊構(gòu)造的制造方法，其特征在于，在所述 第二工序正在進行的同時，進行所述第三工序的加熱。
4、 如權(quán)利要求2所述的層疊構(gòu)造的制造方法，其特征在于，在所述 第二工序正在進行的同時，進行所述第三工序的加熱。
5、 如權(quán)利要求1所述的層疊構(gòu)造的制造方法，其特征在于，離子化 傾向比鋁小的所述合金成分為Ni， Ni的含量為0.1 6原子％,所述第三 工序中的加熱溫度為20(TC以上。
6、 如權(quán)利要求2所述的層疊構(gòu)造的制造方法，其特征在于，離子化 傾向比鋁小的所述合金成分為Ni， Ni的含量為0.1 6原子％，述第三工 序中的加熱溫度為20(TC以上。
7、 如權(quán)利要求3所述的層疊構(gòu)造的制造方法，其特征在于，離子化 傾向比鋁小的所述合金成分為Ni， Ni的含量為0.1 6原子％，所述第三 工序中的加熱溫度為20(TC以上。
8、 如權(quán)利要求4所述的層疊構(gòu)造的制造方法，其特征在于，離子化 傾向比鋁小的所述合金成分為Ni， Ni的含量為0.1 6原子％，所述第三 工序中的加熱溫度為20(TC以上。
9、 一種層疊構(gòu)造，其特征在于，是具有形成于基板上的氧化物透明 導(dǎo)電膜和直接連接于該氧化物透明導(dǎo)電膜上的Al合金膜的布線結(jié)構(gòu)，其 中，所述Al合金膜含有離子化傾向比鋁小的合金成分，并且由鋁和所述合金成分構(gòu)成的金屬間化合物在與所述氧化物透明導(dǎo)電膜的連接界面析 出。
10、如權(quán)利要求9所述的層疊構(gòu)造，其特征在于，離子化傾向比鋁小的所述合金成分為Ni， Ni的含量為0.1 6原子o/。。
全文摘要
本發(fā)明提供一種層疊構(gòu)造及其制造方法，其不增加氧化物透明導(dǎo)電膜和Al合金膜之間的接觸電阻且直接連接氧化物透明導(dǎo)電膜和Al合金、布線電阻小，在顯影液等電解質(zhì)液中不易發(fā)生電池作用腐蝕。其中制造層疊構(gòu)造的方法具備有在基板上形成所述氧化物透明導(dǎo)電膜的第一工序、在該氧化物透明導(dǎo)電膜上形成含有離子化傾向比鋁小的合金成分的Al合金膜的第二工序、在由鋁和所述合金成分構(gòu)成的金屬間化合物的析出溫度以上，對所述Al合金膜進行加熱的第三工序。
文檔編號G02F1/1362GK101335203SQ200810108560
公開日2008年12月31日 申請日期2008年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月26日
發(fā)明者后藤裕史, 川上信之, 武富雄一, 越智元隆 申請人:株式會社神戶制鋼所