專利名稱：液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置的陣列基板，特別涉及一種抗摩擦不良性 高的液晶顯示裝置的陣列基^1。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置是一種主要的平面顯示裝置。隨著液晶顯示裝置的技術(shù)進 步，液晶顯示裝置的性能逐漸提高，如視角性能、對比度、響應(yīng)性能等?，F(xiàn)
在為了適應(yīng)更高的顯示要求，液晶顯示裝置的驅(qū)動方式從60Hz提高到了 120Hz。 60Hz驅(qū)動方式就是在一秒刷新60張圖片的顯示方式，120Hz驅(qū)動方 式就是在一秒刷新120張圖片的顯示方式，通過這種方式可以^是高液晶顯示 裝置的現(xiàn)顯示效果。但是以目前柵線和數(shù)據(jù)線的電阻，無法實現(xiàn)120Hz驅(qū)動 方式，因此需要降低柵線和數(shù)據(jù)線的電阻，減少柵線和數(shù)據(jù)線上的信號傳輸 延遲才能實現(xiàn)，其中降低數(shù)據(jù)線的電阻尤為關(guān)鍵。降低電阻的方法中有通過 增加?xùn)啪€和數(shù)據(jù)線厚度減小電阻的方法。但是這種方法增加了數(shù)據(jù)線區(qū)域和 像素區(qū)域之間的段差，使得原本因不平整的陣列基板表面而產(chǎn)生的取向膜摩 擦不良現(xiàn)象更加嚴(yán)重，特別是數(shù)據(jù)線區(qū)域產(chǎn)生摩擦不良現(xiàn)象出現(xiàn)的概率過高， 因此無法保證液晶顯示裝置質(zhì)量的缺陷。
申請?zhí)枮镵R1019940031978的韓國專利，為了克服薄膜晶體管(Thin Firm Transistor,以下簡稱為TFT )上出現(xiàn)的摩擦不良，提供了一種在柵線和基板 之間設(shè)置段差補充層，并刻蝕TFT區(qū)域的技術(shù)方案，從而降低了 TFT區(qū)域和排 線區(qū)域(柵線區(qū)域和數(shù)據(jù)線區(qū)域)之間的段差，也降低了 TFT區(qū)域和像素區(qū) 域之間的段差。但是上述的專利依然不能有效地解決數(shù)據(jù)線區(qū)域和像素區(qū)域之間的段差過高的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種液晶顯示裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)數(shù)據(jù)線區(qū)域和像 素區(qū)域之間的段差過高的缺陷，實現(xiàn)了 一種抗摩擦不良性高的液晶顯示裝置。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置的陣列基板，包括基 板、位于基板上面的柵線、與柵線交叉的數(shù)據(jù)線、與柵線和數(shù)據(jù)線電連接的 薄膜晶體管、以及與薄膜晶體管電連接的像素電極位于由柵線和數(shù)據(jù)線的交 叉排列所定義的區(qū)域，基板和柵線之間還設(shè)有段差補充層，與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的 段差補充層上設(shè)有第一凹槽。
其中，與柵線對應(yīng)的段差補充層上設(shè)有第二凹槽。
其中，第一凹槽的深度等于第二凹槽的深度。
其中，與柵線和數(shù)據(jù)線之間的交叉位置對應(yīng)的段差補充層上設(shè)有第三凹 槽，第三凹槽的深度大于第一凹槽和第二凹槽的深度。
其中，與薄膜晶體管對應(yīng)的段差補充層上設(shè)有第四凹槽。
其中，第一凹槽的深度等于第四凹槽的深度。
其中，第一凹槽的深度小于第四凹槽的深度。
其中，與柵線對應(yīng)的段差補充層上還設(shè)有第二凹槽。
其中，第一凹槽的深度、第二凹槽的深度和第四凹槽的深度相同。
其中，第四凹槽的深度大于第一凹槽和第二凹槽的深度。
其中，段差補充層為Si02、 SiON或SiNx，或者為Si02、 SiON和SiNx中的 任意組合。
其中，段差補充層為單層結(jié)構(gòu)或者為多層結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明通過設(shè)置在段差補充層上的第一凹槽，降低了數(shù)據(jù)線區(qū)域的高度， 使得數(shù)據(jù)線區(qū)域的高度和像素區(qū)域的高度相同，從而克服了在現(xiàn)有的陣列基 板表面產(chǎn)生取向膜摩擦不良現(xiàn)象的缺陷，特別是克服了數(shù)據(jù)線區(qū)域產(chǎn)生的摩擦不良現(xiàn)象，從而使得現(xiàn)有的驅(qū)動方式提高到120Hz時，可以通過增加數(shù)據(jù)
線厚度的方式降低數(shù)據(jù)線的電阻，并且也不會因為厚度增加而導(dǎo)致數(shù)據(jù)線區(qū) 域出現(xiàn)摩擦不良現(xiàn)象，從而為進一步提高液晶顯示裝置的質(zhì)量做出了保證。 下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細(xì)描述。


圖la為本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖lb為圖la中A-A截面示意圖2a為本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖2b為圖2a中B-B截面示意圖2c為圖2a中C-C截面示意圖2d為圖2a中D-D截面示意圖2e為圖2a中E-E截面示意圖。
附圖標(biāo)記i兌明
l一基板； 2—段差補充層； 3—柵線；
4一柵絕緣層； 5—公共電極； 6—有源層；
7—數(shù)據(jù)線； 8—鈍化層； 9一像素電極。
具體實施例方式
本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第 一 實施例
圖la為本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖 lb為圖la中A-A截面示意圖，如圖la和圖lb所示，本發(fā)明液晶顯示裝置的 陣列基板具體結(jié)構(gòu)包括基板l、位于基板1上面的柵線3、與柵線3交叉的 數(shù)據(jù)線7、與柵線3和數(shù)據(jù)線7電連接的薄膜晶體管、以及與薄膜晶體管電連 接的像素電極9位于由柵線3和數(shù)據(jù)線7的交叉排列所定義的區(qū)域，柵絕緣 層4下面設(shè)有公共電極5，數(shù)據(jù)線7上面設(shè)有鈍化層8,有源層6位于柵電極(從柵線3分支出來的電極)和源漏電極(源電極與數(shù)據(jù)線7連接、漏電極
與像素電極9連接)之間，其中，基板1和柵線3之間還設(shè)有段差補充層2, 與數(shù)據(jù)線7對應(yīng)的段差補充層2上設(shè)有第一凹槽。
本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第一實施例，通過設(shè)置在段差補充層 上的第一凹槽，降低了數(shù)據(jù)線區(qū)域的高度，使得數(shù)據(jù)線區(qū)域的高度和像素區(qū) 域的高度相同，從而克服了在現(xiàn)有的陣列基板表面產(chǎn)生取向膜摩擦不良現(xiàn)象 的缺陷，特別是克服了數(shù)據(jù)線區(qū)域產(chǎn)生的摩擦不良現(xiàn)象，從而使得現(xiàn)有的驅(qū) 動方式提高到120Hz時，可以通過增加數(shù)據(jù)線厚度的方式降低數(shù)據(jù)線的電阻， 并且也不會因為厚度增加而導(dǎo)致數(shù)據(jù)線區(qū)域出現(xiàn)摩擦不良現(xiàn)象，從而為進一 步提高液晶顯示裝置的質(zhì)量做出了保證。
在本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第一實施例中，進一步的在與柵線 對應(yīng)的段差補充層上設(shè)置第二凹槽，使得柵線位于該第二凹槽內(nèi)，從而可以 進一 步減少柵線區(qū)域和像素區(qū)域之間的段差，并防止在柵線區(qū)域和像素區(qū)域 之間的臨界區(qū)域出現(xiàn)摩擦不良，從而可以提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。在這 里可以使第 一 凹槽的深度和第二凹槽的深度相同，從而可以有效地減小由增 加?xùn)啪€和數(shù)據(jù)線的厚度而引起的段差，進而可以保障以120Hz驅(qū)動方式工作 的液晶顯示裝置的質(zhì)量。在這里，最好使第一凹槽的深度大于第二凹槽的深 度，這樣的話，可以單獨增加數(shù)據(jù)線的厚度，并且不會引起數(shù)據(jù)線區(qū)域和像 素區(qū)域之間的段差，從而可以防止數(shù)據(jù)線區(qū)域和像素區(qū)域之間的臨界區(qū)域出 現(xiàn)摩擦不良，并可以保障液晶顯示裝置的質(zhì)量。
在本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第一實施例中，由于沒有在柵線和 數(shù)據(jù)線之間交叉的位置設(shè)置凹槽，因此這個位置，比其他區(qū)域高出很多。在 本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第一實施例中，可以再進一步的在與柵線 和數(shù)據(jù)線之間的交叉位置對應(yīng)的段差補充層上設(shè)置第三凹槽，并且第三凹槽 的深度大于第一凹槽和第二凹槽的深度。這樣的話，防止柵線和數(shù)據(jù)線交叉 的位置高于其他區(qū)域，從而可以防止數(shù)據(jù)線和柵線的交叉位置(數(shù)據(jù)線區(qū)域的局部)上出現(xiàn)摩^"不良，從而提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。如果在這里， 將第三凹槽的深度設(shè)置成第一凹槽的深度和第二凹槽的深度之和的話，在理
論上可以完全消除柵線和數(shù)據(jù)線交叉的位置上出現(xiàn)的段差。
作為一種在段差補充層上設(shè)置具有不同深度的凹槽的方法，可以將段差 補充層設(shè)置成多層結(jié)構(gòu)，即每一層的材料與不同的蝕刻劑反映，從而可以采 用多次蝕刻的方法，使某一凹槽的深度大于其他凹槽的深度。
在本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第一實施例中，段差補充層的材料
為Si。2、 SiON或SiNx，或者為Si02、 SiON和SiNx中的任意組合。 本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第二實施例
圖2a為本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖 2b為圖2a中B-B截面示意圖，圖2c為圖2a中C-C截面示意圖，圖2d為圖 2a中D-D截面示意圖，圖2e為圖2a中E-E截面示意圖，如圖2a 圖2e所 示，本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板具體結(jié)構(gòu)包括包括基板l、位于基板l 上面的柵線3、與柵線3交叉的數(shù)據(jù)線7、與柵線3和數(shù)據(jù)線7電連接的薄膜 晶體管、以及與薄膜晶體管電連接的像素電極9位于由柵線3和數(shù)據(jù)線7的 交叉排列所定義的區(qū)域，柵絕緣層4下面設(shè)有公共電極5，數(shù)據(jù)線7上面設(shè)有 鈍化層8,有源層6位于柵電極(從柵線3分支出來的電極)和源漏電極(源 電極與像素電極9連接、漏電極與數(shù)據(jù)線7連接)之間，其中，基板1和柵 線3之間還設(shè)有段差補充層2,與數(shù)據(jù)線7對應(yīng)的段差補充層2上設(shè)有第一凹 槽；與柵線3對應(yīng)的段差補充層2上設(shè)有第二凹槽；與柵線3和數(shù)據(jù)線7之 間的交叉位置對應(yīng)的段差補充層2上設(shè)有第三凹槽，第三凹槽的深度大于第 一凹槽和第二凹槽的深度；與薄膜晶體管對應(yīng)的段差補充層2上設(shè)有第四凹 槽。
本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第二實施例，通過在與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的 段差補充層上設(shè)置第一凹槽、在與柵線對應(yīng)的段差補充層上設(shè)置第二凹槽、 在與柵線和數(shù)據(jù)線之間的交叉位置對應(yīng)的段差補充層上設(shè)置第三凹槽、以及在與薄膜晶體管對應(yīng)的段差補充層上設(shè)置第四凹槽的方法，不僅減少了數(shù)據(jù) 線區(qū)域和像素區(qū)域之間的段差，而且還減少了柵線區(qū)域和像素區(qū)域之間的段 差，以及薄膜晶體管和像素區(qū)域之間的段差。并且通過使第三凹槽的深度大 于第一凹槽和第二凹槽深度的方法，進一步減少了數(shù)據(jù)線區(qū)域的段差，從而 使得整個陣列基板表面接近于平面，并防止產(chǎn)生摩擦不良現(xiàn)象，進一步保障 了液晶顯示裝置的質(zhì)量。并且在本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第二實施 例中，設(shè)置上述四個凹槽之后的段差補充層的形狀與公共電極的形狀大致相 同，因此可以直接使用形成公共電極時的掩模板來形成上述四個凹槽。
在本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第二實施例中，可以使第 一 凹槽的 深度、第二凹槽的深度、以及第四凹槽的深度相同，這樣的話，可以部分地
減少薄膜晶體區(qū)域和其他區(qū)域之間的段差；還可以使第四凹槽的深度大于第
一凹槽和第二凹槽的深度，從而可以完全消除薄膜晶體管區(qū)域和其他區(qū)域之 間的段差，并可以更有效地防止出現(xiàn)摩擦不良。
在本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列基板的第二實施例中，段差補充層的材料
為Si02、 SiON或SiNx，或者為Si02、 SiON和SiNx中的任意組合；并且,殳差補 充層可以為單層結(jié)構(gòu)或者為多層結(jié)構(gòu)。
最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其 限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或 者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技
術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
9
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示裝置的陣列基板，包括基板、位于所述基板上面的柵線、與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線、與所述柵線和所述數(shù)據(jù)線電連接的薄膜晶體管、以及與所述薄膜晶體管電連接的像素電極位于由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線的交叉排列所定義的區(qū)域，其特征在于所述基板和所述柵線之間還設(shè)有段差補充層，與所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)的所述段差補充層上設(shè)有第一凹槽。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于與所 述柵線對應(yīng)的所述段差補充層上設(shè)有第二凹槽。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于所述 第一凹槽的深度等于所述第二凹槽的深度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于與所 述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間的交叉位置對應(yīng)的所述段差補充層上設(shè)有第三凹 槽，所述第三凹槽的深度大于所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于與所 述薄膜晶體管對應(yīng)的所述段差補充層上設(shè)有第四凹槽。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于所述 第一凹槽的深度等于所述第四凹槽的深度。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于所述 第一凹槽的深度小于所述第四凹槽的深度。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于與所 述柵線對應(yīng)的所述段差補充層上還設(shè)有第二凹槽。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于所述 第一凹槽的深度、所述第二凹槽的深度和所述第四凹槽的深度相同。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于所 述第四凹槽的深度大于所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1~10所述的任一液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于所述段差補充層為Si02、 SiON或SiNx，或者為Si02、 SiON和SiNx中的 任意組合。
12、根據(jù)權(quán)利要求1~10所述的任一液晶顯示裝置的陣列基板，其特征 在于所述段差補充層為單層結(jié)構(gòu)或者為多層結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置的陣列基板，包括基板、位于基板上面的柵線、與柵線交叉的數(shù)據(jù)線、與柵線和數(shù)據(jù)線電連接的薄膜晶體管、以及與薄膜晶體管電連接的像素電極位于由柵線和數(shù)據(jù)線的交叉排列所定義的區(qū)域，基板和柵線之間還設(shè)有段差補充層，與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的段差補充層上設(shè)有第一凹槽。本發(fā)明通過設(shè)置在段差補充層上的第一凹槽，降低了數(shù)據(jù)線區(qū)域的高度，使得數(shù)據(jù)線區(qū)域的高度和像素區(qū)域的高度相同，從而克服了在現(xiàn)有的陣列基板表面產(chǎn)生取向膜摩擦不良現(xiàn)象的缺陷。
文檔編號G02F1/1362GK101561602SQ200810104108
公開日2009年10月21日 申請日期2008年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月15日
發(fā)明者王章濤, 趙繼剛, 邱海軍, 閔泰燁 申請人:北京京東方光電科技有限公司