專利名稱：掩模板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板制造過程中所使用的掩模板，尤其涉及一種適 用于多種圖案化工序并降低成本的掩模板。
背景技術(shù)：
近年來，信息通訊領(lǐng)域的迅速發(fā)展，提高了各種類型的顯示設(shè)備的線求。
目前主流的顯示器件主要有陰極射線管顯示器(CRT)，液晶顯示器(LCD)， 等離子體顯示器(PDP)，電致發(fā)光顯示器(ELD)和真空熒光顯示器(VFD) 等。其中，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)以其高清晰度，真彩視頻顯 示，外觀輕薄，耗電量少，無輻射污染等優(yōu)點(diǎn)而成為顯示器件發(fā)展的主流趨 勢。
液晶顯示器通常包括用于顯示畫面的液晶顯示面板和用于向液晶顯示 面板提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路部分。通常，液晶顯示面板包括第一玻璃基板 和第二玻璃基板，它們彼此粘接在一起并通過液晶盒間隙(CELL GAP)彼 此間隔開。液晶材料層注入到第一玻璃基板和第二玻璃基板之間的間隙中。
在第一玻璃基板(即，薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板)上形成有多 條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，其中多條柵極線以固定的間隔彼此分開并沿著第一 方向延伸，而多條數(shù)據(jù)線以固定的間隔彼此分開并且沿著基本上垂直于第一 方向的第二方向延伸，其中通過柵極線和數(shù)據(jù)線的相互交叉限定出多個(gè)像素 區(qū)域，以矩陣方式設(shè)置在相應(yīng)的每個(gè)像素區(qū)域中的多個(gè)像素電極；和多個(gè)薄 膜晶體管(TFT)，能夠響應(yīng)提供給相應(yīng)的每條柵極線的信號(hào)將來自數(shù)據(jù)線 的信號(hào)發(fā)送給對(duì)應(yīng)的每個(gè)像素電極。
第二玻璃基板(即，薄膜晶體管液晶顯示器的濾色片基板)上形成有黑 色矩陣層(BM)，能夠防止在像素區(qū)域以外的面積中的光泄漏；濾色片層(R， G， B)，用于有選擇地傳輸具有預(yù)定波長的光；和公共電極，用來實(shí)現(xiàn)畫面。 在平面開關(guān)模式(IPS模式)等水平場模式的LCD裝置中，公共電極形成在第一玻璃基板上。
目前，薄膜晶體管液晶顯示面板設(shè)計(jì)中采用的是同一種陣列工藝的產(chǎn)品 使用套件掩模板100實(shí)現(xiàn)不同的工藝。
請(qǐng)參閱圖1 ，圖1所示為現(xiàn)有的制造陣列基板時(shí)所使用的套件掩模板ioo 的示意圖。所述套件掩模板100包括用以形成陣列基板上的不同層圖案化層 所需要的不同掩模板。在此為了方便說明起見，以薄膜晶體管液晶顯示器產(chǎn) 業(yè)界普遍采用的五道掩模工序?yàn)槔Ｋ鑫宓姥谀９ば蚍謩e對(duì)應(yīng)五個(gè)不同的
掩模板。具體而言，套件掩模板100包括第一掩模板110，用以在陣列基板 上形成柵極和柵極線；第二掩模板120，用以在陣列基板上形成硅島層；第 三掩模板130，用以在陣列基板上形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線；第四掩模板140， 用以在陣列基板上形成過孔；第五掩模板150，用以在陣列基板上形成像素 電極、柵焊盤端子及數(shù)據(jù)焊盤端子。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖l，以第一掩模板110為例，該第一掩模板110具有第一 邊框111，對(duì)應(yīng)于單位產(chǎn)品第一圖案化層的第一掩模圖形112及形成于第一 掩模圖形112外圍的第一區(qū)域113。同樣，第二掩模板120具有第二邊框121 ， 對(duì)應(yīng)于單位產(chǎn)品第二圖案化層的第二掩模圖形122及形成于第二掩模圖形 122外圍的第二區(qū)域123。第三掩模板130具有第三邊框131，對(duì)應(yīng)于單位 產(chǎn)品第三圖案化層的第三掩模圖形132及形成于第三掩模圖形132外圍的第 三區(qū)域133。第四掩模板140具有第四邊框141，對(duì)應(yīng)于單位產(chǎn)品第四圖案 化層的第四掩模圖形142及形成于第四掩模圖形142外圍的第四區(qū)域143。 第五掩模板150具有第五邊框151，對(duì)應(yīng)于單位產(chǎn)品第五圖案化層的第五掩 模圖形152及形成于第五掩模圖形152外圍的第五區(qū)域153。
在陣列基板上形成第一掩模圖形112對(duì)應(yīng)的第一圖案化層的方法是先 在陣列基板上沉積第一金屬層，并通過第一掩模工序?qū)ζ溥M(jìn)行構(gòu)圖以形成第 一圖案化層，具體而言，第一圖案化層為柵極和柵極線。其中，在柵極線的 一端處具有柵焊盤。形成該第一金屬層的方法例如是物理氣相沉積或化學(xué)氣 相沉積等方式，而且第一金屬層的材質(zhì)可以是鉭(Ta)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、 鈦(Ti)或鋁(Al)等導(dǎo)電材質(zhì)。接著，在第一金屬層上形成第一光刻膠層。 之后，提供第一掩模板110，并使第一掩模板110的第一掩模圖形112與陣 列基板的第一圖案化層對(duì)應(yīng)，以該第一掩模板110為掩模對(duì)第一光刻膠層進(jìn) 行曝光與顯影，以形成第一圖案化光刻膠層。最后，以第一圖案化光刻膠層
5為掩模，移除部分第一金屬層以形成第一圖案化層。
介電層全面性地形成于陣列基板上，覆蓋住第一圖案化層。其中，形成 介電層的方法例如是電漿加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或是其它沉積方式，介電層的 材質(zhì)例如是氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或是其它介電材質(zhì)。而形成于柵極上 的介電層是作為柵極絕緣層之用。
通過順序沉積本征非晶硅層和摻雜非晶硅層并隨后通過第二掩模工序 對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖。提供第二掩模板120，依照上述第一圖案化層形成的類似方 法在柵極上的柵極絕緣層上形成硅島層，所述硅島層包括本征非晶硅的有源 層以及摻雜非晶硅的歐姆接觸層。
在包含有源層和歐姆接觸層的陣列基板的整個(gè)表面上沉積金屬材料，隨 后提供第三掩模板130，并依照上述第一圖案化層形成的類似方法，通過第 三掩模工序?qū)ζ溥M(jìn)行構(gòu)圖，以形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)焊盤形成在數(shù) 據(jù)線的一端。源極和漏極在歐姆接觸層上彼此分開。在柵極線的上方，并與 源極和漏極同時(shí)形成島形的金屬圖案。
在包含源極和漏極及數(shù)據(jù)線的陣列基板的整個(gè)表面上通過沉積從包含 氮化硅和二氧化硅無機(jī)絕緣材料組中選出的一種材料形成鈍化層。提供第四
掩模板140，并依照上述第一圖案化層形成的類似方式，通過第四掩模工序
對(duì)鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖，以便形成漏極接觸孔、存儲(chǔ)接觸孔、柵焊盤接觸孔及數(shù) 據(jù)焊盤接觸孔。漏極接觸孔暴露出漏極，存儲(chǔ)接觸孔暴露出金屬圖案，柵焊 盤接觸孔暴露出柵焊盤及數(shù)據(jù)焊盤接觸孔暴露出數(shù)據(jù)焊盤。
通過在包含鈍化層的陣列基板上順序沉積從包含氧化銦錫和氧化銦鋅
的透明導(dǎo)電材料組中的一種材料并隨后提供第五掩模板150，依照上述第一 圖案化層形成的類似方式，通過第五掩模工序?qū)ζ溥M(jìn)行構(gòu)圖形成像素電極、 柵焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子。像素電極與漏極和金屬圖案相接觸。柵焊盤端 子與柵焊盤相接觸，而數(shù)據(jù)焊盤端子與數(shù)據(jù)焊盤相接觸。
因此，可以通過以上五個(gè)掩模工序制造現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的陣列 基板。
但是，通常的陣列基板上不同層結(jié)構(gòu)的形成需要使用五道掩模工序，即 需要五種不同的掩模圖形，使用五張不同的掩模板分別進(jìn)行光蝕刻，以分別 在陣列基板上形成不同的圖案化層，在這種情況下，掩模板的數(shù)量需求較多， 同時(shí)掩模板的成本及開,模費(fèi)用又相當(dāng)昂貴，所以使得在產(chǎn)品開發(fā)階段的成本較高。
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本案設(shè)計(jì)人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn)， 積極研究改良，于是有了本發(fā)明掩模板的產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種可以降低液晶顯示 面板的陣列基板在開發(fā)過程中成本的掩模板。
所述掩模板上設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的掩模圖形，其中，所述兩個(gè)或 兩個(gè)以上不同的掩模圖形為用于同一液晶顯示面板產(chǎn)品的不同工序的掩模 圖形。并將形成陣列基板的圖案化層所需要的不同掩模圖形布置在一張掩模 板上。
如上所述，通過將形成陣列基板的圖案化層所需要的不同掩模圖形布置 在一張掩模板上的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并通過該掩模板形成液晶顯示面板的陣列基板 的所有圖案化層，在不增加工藝的同時(shí)，使得在液晶顯示裝置的陣列基板在 開發(fā)過程的成本降低。


圖1為現(xiàn)有陣列基板開發(fā)過程中使用的套件掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例中掩模圖形沿著水平方向布置的掩模板的結(jié) 構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例中掩模圖形按照縱向布置的掩模板的結(jié)構(gòu)示 意圖。
圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例中掩模圖形按照掩模工序獨(dú)立布置的掩模板
的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中各組件的附圖標(biāo)記說明如下:現(xiàn)有技術(shù)
套件掩模板 100 第一掩模板 110 第一掩模圖形 112 第二掩模板 120
第一邊框 111 第一區(qū)域 113 第二邊框 121第二掩模圖形 122
第三掩膜板 130
第三掩模圖形 132
第四掩模板 140
第四掩模圖形 142
第五掩模板 150
第五掩模圖形 152
第二區(qū)域 123
第三邊框 131
第三區(qū)域 133
第四邊框 141
第四區(qū)域 143
第五邊框 151
第五區(qū)域 15本發(fā)明
第六掩模板 200
第六掩模圖形 220 第六硅島層掩模圖形222 第六鈍化層掩模圖形224
第七掩模板 300
第七掩模圖形 320 第七硅島層掩模圖形322 第七鈍化層掩模圖形324
第八掩模板 400
第八掩模圖形 420 第八硅島層掩模圖形422 第八鈍化層掩模圖形424
第六邊框 210 第六柵極掩模圖形221 第六源/漏極掩模圖形223 第六像素電極掩模圖形 225 第七邊框 310 第七柵極掩模圖形321 第七源/漏極掩模圖形323 第七像素電極掩模圖形 325 第八邊框 410 第八柵極掩模圖形421 第八源/漏極掩模圖形423 第八像素電極掩模圖形 42具體實(shí)施例方式
為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)成目的及功效，下面將 結(jié)合實(shí)施例并配合圖式予以詳細(xì)說明。
請(qǐng)參閱圖2，圖2示出了制造陣列基板時(shí)所使用的第六掩模板200的示 意圖。在陣列基板的制造過程中，所述第六掩模板200具有第六邊框210， 與單元產(chǎn)品的圖案化層對(duì)應(yīng)并用以形成陣列基板上的不同層結(jié)構(gòu)所需要的 第六掩模圖形220及形成于第六掩模圖形220外圍的第六區(qū)域230。其中，
8為了方便說明起見，以薄膜晶體管液晶顯示器產(chǎn)業(yè)界普遍采用的五道掩模工 序?yàn)槔鑫宓姥谀９ば蚍謩e對(duì)應(yīng)五種不同的掩模圖形。所述五個(gè)不同的
掩模圖形形成在所述第六掩模板200內(nèi)。具體而言，第六掩模圖形220包括 第六柵極掩模圖形221，用以在陣列基板上形成柵極和柵極線；第六硅島層 掩模圖形222，用以在陣列基板上形成硅島層；第六源/漏極掩模圖形223， 用以在陣列基板上形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線；第六鈍化層掩模圖形224，用 以在陣列基板上形成過孔及像素電極掩模圖形225，用以在陣列基板上形成 像素電極、柵焊盤端子及數(shù)據(jù)焊盤端子。在本實(shí)施例中，第六柵極掩模圖形 221、第六硅島層掩模圖形222、第六源/漏極掩模圖形223、第六鈍化層掩 模圖形224及第六像素電極掩模圖形225依次沿水平方向間隔布置，在所述 一張第六掩膜板200上包括多組所述第六掩模圖形220。
在陣列基板上形成與第六柵極掩模圖形221對(duì)應(yīng)的第一圖案化層的方 法是先在陣列基板上形成金屬層，形成該金屬層的方法例如是物理氣相沉積 或化學(xué)氣相沉積等方式，而且金屬層的材質(zhì)可以是鉭(Ta)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、 鈦(Ti)或鋁(Al)等導(dǎo)電材質(zhì)。接著，在金屬層上形成光刻膠層。之后， 提供第六掩模板200，移動(dòng)該第六掩模板200至適當(dāng)位置，此時(shí)，第六掩模 板200的第六柵極掩模圖形221與陣列基板的第一圖案化層對(duì)應(yīng)，并以該第 六掩模板200的第六柵極掩模圖形221為掩模對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光與顯影， 以形成圖案化光刻膠層。最后，以圖案化光刻膠層為掩模，移除部分金屬層 以形成第一圖案化層。
介電層全面性地形成于陣列基板上，覆蓋住第一圖案化層。其中，形成 介電層的方法例如是電漿加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或是其它沉積方式，介電層的 材質(zhì)例如是氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或是其它介電材質(zhì)。而形成于柵極上 的介電層是作為柵極絕緣層之用。
通過順序沉積本征非晶硅層和摻雜非晶硅層并隨后通過第二掩模工序 對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖。提供第六掩模板200，移動(dòng)該第六掩模板200至適當(dāng)位置， 此時(shí)，第六掩模板200的第六硅島層掩模圖形222與陣列基板的第二圖案化 層對(duì)應(yīng)。依照上述第一圖案化層形成的類似方法在柵極上的柵極絕緣層上形 成硅島層，所述硅島層包括本征非晶硅的有源層以及摻雜非晶硅的歐姆接觸 層。
在包含有源層和歐姆接觸層的陣列基板的整個(gè)表面上沉積金屬材料，隨后提供第六掩模板200，移動(dòng)該第六掩模板200至適當(dāng)位置，此時(shí)，第六掩 模板200的第六源/漏極掩模圖形223與陣列基板的第三圖案化層對(duì)應(yīng)。依 照上述第一圖案化層形成的類似方法，通過第三掩模工序?qū)ζ溥M(jìn)行構(gòu)圖，以 形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)焊盤形成在數(shù)據(jù)線的一端。源極和漏極在歐 姆接觸層上彼此分開。在柵極線的上方，并與源極和漏極同時(shí)形成島形的金 屬圖案。
在包含源極和漏極及數(shù)據(jù)線的陣列基板的整個(gè)表面上通過沉積從包含 氮化硅和二氧化硅無機(jī)絕緣材料組中選出的一種材料形成鈍化層。提供第六 掩模板200，移動(dòng)該第六掩模板200至適當(dāng)位置，此時(shí)，第六掩模板200的 第六鈍化層掩模圖形224與陣列基板的第四圖案化層對(duì)應(yīng)。依照上述第一圖 案化層形成的類似方法，通過第四掩模工序?qū)︹g化層進(jìn)行構(gòu)圖，以便形成漏 極接觸孔、存儲(chǔ)接觸孔、柵焊盤接觸孔及數(shù)據(jù)焊盤接觸孔。漏極接觸孔暴露 出漏極，存儲(chǔ)接觸孔暴露出金屬圖案，柵焊盤接觸孔暴露出柵焊盤及數(shù)據(jù)焊 盤接觸孔暴露出數(shù)據(jù)焊盤。
通過在包含鈍化層的陣列基板上順序沉積從包含氧化銦錫和氧化銦鋅 的透明導(dǎo)電材料組中的一種材料，并隨后提供第六掩模板200，移動(dòng)該第六 掩模板200至適當(dāng)位置，此時(shí)，第六掩模板200的第六像素電極掩模圖形 225與陣列基板的第五圖案化層對(duì)應(yīng)。依照上述第一圖案化層形成的類似方 法，通過第五掩模工序?qū)ζ溥M(jìn)行構(gòu)圖形成像素電極、柵焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤 端子。像素電極與漏極和金屬圖案相接觸。柵焊盤端子與柵焊盤相接觸，而 數(shù)據(jù)焊盤端子與數(shù)據(jù)焊盤相接觸。
在第一實(shí)施例中，與陣列基板上單元產(chǎn)品不同層結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的五種不同掩 模圖形布置在一張掩模板上，即將第六掩模圖形220所包括的第六柵極掩模 圖形221、第六硅島層掩模圖形222、第六源/漏極掩模圖形223、第六鈍化 層掩模圖形224及第六像素電極掩模圖形225布置在一張第六掩模板200 上，通過該第六掩模板200形成液晶顯示面板的陣列基板的不同層結(jié)構(gòu)，在 不增加工序的同時(shí)，很大程度上降低了液晶顯示裝置在產(chǎn)品開發(fā)制造過程中 的成本。
第二實(shí)施例
下面參照?qǐng)D3說明本發(fā)明的第二實(shí)施例。第二實(shí)施例為與陣列基板不同層的結(jié)構(gòu)形成所對(duì)應(yīng)的掩模圖形按照縱向的方式進(jìn)行布置。
請(qǐng)參閱圖3，圖3示出了制造陣列基板時(shí)所使用的第七掩模板300的示 意圖。在陣列基板的制造過程中，所述第七掩模板300具有第七邊框310， 與單元產(chǎn)品的圖案化層對(duì)應(yīng)并用以形成陣列基板上的不同層結(jié)構(gòu)所需要的 第七掩模圖形320及形成于第七掩模圖形320外圍的第七區(qū)域330。其中， 為了方便說明起見，以薄膜晶體管液晶顯示器產(chǎn)業(yè)界普遍采用的五道掩模工 序?yàn)槔?，所述五道掩模工序分別對(duì)應(yīng)五種不同的掩模圖形。所述五個(gè)不同的 掩模圖形形成在所述第七掩模板300內(nèi)。具體而言，第七掩模圖形320包括 第七柵極掩模圖形321，用以在陣列基板上形成柵極和柵極線；第七硅島層 掩模圖形322，用以在陣列基板上形成硅島層；第七源/漏極掩模圖形323， 用以在陣列基板上形成源/漏極和數(shù)據(jù)線；第七鈍化層掩模圖形324,用以 在陣列基板上形成過孔及第七像素電極掩模圖形325，用以在陣列基板上形 成像素電極、柵焊盤端子及數(shù)據(jù)焊盤端子。
在本實(shí)施例中，與陣列基板的不同層圖案化層對(duì)應(yīng)的第七掩模圖形320 布置在一張第七掩模板300上，具體而言，在本實(shí)施例中，第七柵極掩模圖 形321、第七硅島層掩模圖形322、第七源/漏極掩模圖形323、第七鈍化層 掩模圖形324及第七像素電極掩模圖形325依次按照縱向間隔布置在一張第 七掩模板300上，在所述一張第七掩膜板300上包括多組所述第七掩模圖形 320。
同樣地，在本實(shí)施例中，采用與形成第一實(shí)施例中陣列基板的不同層圖 案化層相同的方法，通過移動(dòng)所述第七掩模板300，以在陣列基板上形成不 同層的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，形成陣列基板的不同層圖案化層的方法與第一 實(shí)施例陣列基板的不同層圖案化層形成的方法相同，在此并不再贅述。
第三實(shí)施例
下面參照?qǐng)D4說明本發(fā)明的第三實(shí)施例。第三實(shí)施例為與陣列基板不同 層圖案化層所對(duì)應(yīng)的一組掩模圖形分別單獨(dú)的布置在掩模板的不同位置。
請(qǐng)參閱圖4，圖4示出了制造陣列基板時(shí)所使用的第八掩模板400的示 意圖。在陣列基板的制造過程中，所述第八掩模板400具有第八邊框410， 與單元產(chǎn)品的圖案化層對(duì)應(yīng)并用以形成陣列基板上的不同層結(jié)構(gòu)所需要的 第八掩模圖形420及形成于第八掩模圖形420外圍的第八區(qū)域430。其中，
ii為了方便說明起見，以薄膜晶體管液晶顯示器產(chǎn)業(yè)界普遍釆用的五道掩模工 序?yàn)槔鑫宓姥谀９ば蚍謩e對(duì)應(yīng)五種不同的掩模圖形。所述五個(gè)不同的
掩模圖形形成在所述第八掩模板400內(nèi)。具體而言，第八掩模圖形420包括
第八柵極掩模圖形421，用以在陣列基板上形成柵極和柵極線；第八硅島層
掩模圖形422，用以在陣列基板上形成硅島層；第八源/漏極掩模圖形423， 用以在陣列基板上形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線；第八鈍化層掩模圖形424，用 以在陣列基板上形成過孔及第八像素電極掩模圖形425，用以在陣列基板上 形成像素電極、柵焊盤端子及數(shù)據(jù)焊盤端子。
在本實(shí)施例中，與陣列基板的不同層圖案化層對(duì)應(yīng)的第八掩模圖形420 布置在一張第八掩模板400上，具體而言，在本實(shí)施例中，定義一次完整的 五道掩模工序所需要的一組掩模圖形為第八掩模圖形420。即第八掩模圖形 420所包括第八柵極掩模圖形421、第八硅島層掩模圖形422、第八源/漏極 掩模圖形423、第八鈍化層掩模圖形424及第八像素電極掩模圖形425按組 間隔、獨(dú)立的布置在一張第八掩模板400上。在所述一張第八掩膜板400 上包括多組所述第八掩模圖形420。
同樣地，在本實(shí)施例中，采用與形成第一實(shí)施例中陣列基板的不同層圖 案化層相同的方法，通過移動(dòng)所述第八掩模板400，以在陣列基板上形成不 同層的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，形成陣列基板的不同層圖案化層的方法與第--實(shí)施例陣列基板的不同層圖案化層形成的方法相同，在此并不再贅述。
綜上所述，通過將不同的掩模圖形布置在同一掩模板上的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并 通過該掩模板形成薄膜晶體管的陣列基板的所有不同層結(jié)構(gòu)。在不增加工序 的同時(shí)，很大程度上降低了液晶顯示裝置在產(chǎn)品開發(fā)制造過程中的成本。
以上，僅以薄膜晶體管液晶顯示器產(chǎn)業(yè)界普遍采用的五道掩模工序?yàn)?例，但本發(fā)明的精神不限于采用五道掩模工序制造液晶顯示面板的工藝中， 同樣適于四道掩模工序和三道掩模工序的液晶顯示面板的制造工藝中。
本領(lǐng)域技術(shù)人員均應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可 以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因而，如果任何修改和變型落入所附權(quán)利 要求書以及等同物的保護(hù)范圍內(nèi)時(shí)，認(rèn)為本發(fā)明涵蓋這些修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種掩模板，其上設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的掩模圖形，其中，所述兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的掩模圖形為用于同一液晶顯示面板產(chǎn)品的不同工序的掩模圖形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中，所述掩模圖形包括形成液晶顯示面板的陣列基板上的柵極和柵極線的掩模圖形。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中，所述掩模圖形包括形成液晶 顯示面板的陣列基板上的硅島層的掩模圖形。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中，所述掩模圖形包括形成液晶 顯示面板的陣列基板上的源極和漏極的掩模圖形。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中，所述掩模圖形包括形成液晶 顯示面板的陣列基板上的過孔的掩模圖形。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中，所述掩模圖形包括形成液晶 顯示面板的陣列基板上的像素電極的掩模圖形。
7. —種掩模板，其上設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的掩模圖形，其中，所 述兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的掩模圖形用于形成同一液晶顯示面板產(chǎn)品的所有 圖案化層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩模板，其中，所述圖案化層包括柵極和柵 極線層、硅島層及像素電極層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩模板，其中，所述圖案化層進(jìn)一步包括源 極和漏極層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模板，其中，所述圖案化層進(jìn)一步包括鈍 化層。
11. 一種制造液晶顯示面板的方法，包括通過掩模板形成陣列基板上不 同層圖案化層的步驟，其中，該掩模板上設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的掩模圖 形，且所述兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的掩模圖形用于形成同一液晶顯示面板產(chǎn)品 的所有圖案化層，其中，所述形成陣列基板上不同層圖案化層的步驟包括使 用同一掩模板形成所有圖案化層的步驟。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造液晶顯示面板的方法，其中，所述使用同一掩模板形成所有圖案化層的步驟包括使用該掩模板形成陣列基板上的柵極和柵極線圖案化層的步驟； 使用該掩掩模板形成陣列基板上的硅島層圖案化層的步驟；以及 使用該掩模板形成陣列基板上的像素電極圖案化層的步驟。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造液晶顯示面板的方法，其中，所述使用同一掩模板形成所有圖案化層的步驟包括使用該掩模板形成陣列基板上 的源極和漏極圖案化層的步驟。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造液晶顯示面板的方法，其中，所述使用同一掩模板形成所有圖案化層的步驟包括使用該掩模板形成陣列基板上 的過孔圖案化層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開一種掩模板，該掩模板上設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的掩模圖形，其中，所述兩個(gè)或兩個(gè)以上不同的掩模圖形為用于同一液晶顯示面板產(chǎn)品的不同工序的掩模圖形。通過將形成陣列基板的圖案化層所需要的不同掩模圖形布置在一張掩模板上的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并通過該掩模板形成液晶顯示面板的陣列基板的所有圖案化層，在不增加工藝的同時(shí)，使得在液晶顯示裝置的陣列基板在開發(fā)過程的成本降低。
文檔編號(hào)G03F1/38GK101650525SQ20081004370
公開日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2008年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月12日
發(fā)明者常曙光, 王志鵬, 荊常營, 順 蔣, 袁劍峰, 駿 馬 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司