專利名稱：：彩膜基板及其制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種彩膜基板及其制造方法，特別是涉及一種用于液晶顯示裝置的彩膜基板及其制造方法。
背景技術：
：液晶顯示器(LCD)是目前被廣泛使用的一種平面顯示器，跟其他顯示方式相比，具有低功耗、外型薄、重量輕、無輻射等優(yōu)點。一般而言，LCD包括有陣列下基板、彩膜(CF)上基板及填充在上下基板之間的液晶層；彩膜上基板包括黑矩陣(BlackMatri，BM)、R/G/B色素層和作為共通電極的透明導電薄膜；彩膜上基板上的共通電極與陣列下基板上的像素電極之間的電場強度調(diào)制著液晶分子的偏轉方向。一種彩膜上基板的制造流程示意圖如圖1、圖2和圖3所示首先在基板10常為玻璃基板)上沉積一層金屬層111(如鉻、鋁)，利用光刻法形成黑矩陣11圖案，請參照圖l;為了避免金屬材料對光的反射，通常在在金屬層lll上需進行防反射處理(如氧化處理)，形成氧化層112;利用光刻法在黑矩陣12上依次形成R、G、B色素層121、122、123圖案，請參照圖2，為了避免色素層混合，不同的色素層之間會保持一定的間隙(如10um);最后在整個基板IO上沉積一層透明導電薄膜13(如氧化解錫)作為共通電極，請參照圖3。彩膜上基板上的共通電極在液晶顯示器的顯示區(qū)域外和陣列下基板電學連接，電學信號通過連接處施加在彩膜上基板的共通電極。在液晶顯示器的制造中，如果彩膜上基板的共通電極的信號延遲過大會產(chǎn)生顯示不均等問題，影響液晶顯示器的顯示效果。為了降低彩膜上基板的共通電極的信號延遲，通常的作法是增加彩膜上基板上透明導電薄膜的厚度，這又會引起成膜時間的增加和透過率的下降。尤其對于彩膜上基板上共通電極有開口的多疇垂直取向型TFT-LCD，共通電極的連通性會變差，信號延遲會更嚴重一些。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種彩膜基板，在不增加透明導電膜厚度的前提下可降低彩膜基板上共通電極的信號延遲。本發(fā)明另一解決的技術問題是提供一種上述彩膜基板的制造方法。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種彩膜基板，包括一基板；一黑矩陣，形成在該基板上，定義出多個子像素區(qū)域，該黑矩陣為含有導電材料的擋光層；多個色素層，每個色素層形成在一個子像素區(qū)域中；一透明導電膜，覆蓋在黑矩陣和色素層上方；其中所述未被色素層覆蓋的黑矩陣的導電材料裸露出來與該透明導電膜電學連接。上述彩膜基板中，其中所述的黑矩陣中的導電材料為鉻金屬，黑矩陣為鉻金屬層和氧化鉻的復合層。上述彩膜基板中，其中所述的黑矩陣中的導電材料為鋁金屬，所述黑矩陣為鋁金屬和有機光P層的復合層。上述彩膜基板中，其中所述的色素層為R、G、B色素層。上述彩膜基板中，其中所述的透明導電膜為氧化銦錫或氧化銦鋅。為解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種彩膜基板的制造方法，包括以下步驟提供一基板；在該基板上沉積含有導電材料的擋光層，經(jīng)過防反射處理后，通過光刻法形成黑矩陣圖案；利用光刻法在黑矩陣上依次形成色素層圖案，利用光刻法刻蝕未被色素層覆蓋的黑矩陣，露出黑矩陣中的導電材料；在黑矩陣和色素層上方沉積覆蓋整個基板的透明導電薄膜，該層透明導電薄膜和黑矩陣中露出的導電材料電學連接。上述彩膜基板的制造方法，其中所述導電材料為鉻金屬，所述防反射處理步驟為鉻金屬的氧化處理。上述彩膜基板的制造方法，其中所述導電材料為鋁金屬、所述防反射處理步驟為在鋁金屬層上覆蓋一層有機光阻層。上述彩膜基板的制造方法，其中所述利用光刻法刻蝕未被色素層覆蓋的黑矩陣時，利用色素層圖案作為掩模版進行刻蝕，露出黑矩陣中的導電材料。上述彩膜基板的制造方法，其中所述色素層為R、G、B色素層。本發(fā)明的彩膜基板及其制造方法，由于彩膜基板上的共通電極和BM中的導電材料進行電學連接，形成了并聯(lián)關系，降低了共通電極上的互聯(lián)電阻R,而在共通電極上的信號延遲的時間系數(shù)t正比于共通電極上的總電容C和總電阻R的乘積，即根據(jù)本發(fā)明的共通電極和其他金屬層之間的電容C保持不變，因此電阻R的減小能夠減小共通電極上信號延遲的時間系數(shù)t，也就是能夠降低共通電極上的信號延遲。圖1為現(xiàn)有技術中形成有黑矩陣的彩膜基板的結構示意圖，其中圖lb為沿圖la中剖面線A-A'的截面示意圖。圖2為現(xiàn)有技術中形成R、G、B后的彩膜基板的結構示意圖，其中圖2b為沿圖2a中剖面線A-A'的截面示意圖。圖3為現(xiàn)有技術中形成透明導電膜后的彩膜基板的結構示意圖，其中圖3b為沿圖3a中剖面線A-A'的截面示意圖。圖4圖8為本發(fā)明的彩膜基板的制造工藝流程中的彩膜基板的截面結構示意圖。圖中10、基板11、黑矩陣111:金屬層112:氧化層或有機光阻層12、色素層121、R色素層122、G色素層123、B色素層13、透明導電(薄)膜具體實施方式下面結合附圖及典型實施例對本發(fā)明作進一步說明。圖4圖8為本發(fā)明的彩膜基板的制造工藝流程中的彩膜基板的截面結構示意圖。請參照圖4，首先提供基板IO，該基板IO為絕緣透明基板，如玻璃、塑膠基板，定義為彩膜基板，通常稱為上基板。在基板lO上沉積金屬層lll，如鉻金屬或鋁金屬層。接著，請參照圖5，對金屬層lll進行防反射處理，如對鉻金屬的氧化處理、或者在鋁金屬層上覆蓋一層有機光阻層，形成鉻金屬層和氧化層112、或鋁金屬層111和有機光阻厚112的復合層，有機光阻層的材料可為負性光刻膠摻入碳黑，厚度約為1-2um，鉻金屬的厚度約為1000-3000A。接著通過光刻法形成黑矩陣(BM)11圖案，定義出多個子像素區(qū)域，用以分隔接續(xù)制作的色素層，以增加色彩對比性。接著，請參照圖6，通過光刻法將包含紅(R)、綠(G)、藍(B)的彩膜形成于子像素區(qū)，利用旋涂法在子像素區(qū)形成紅色像素，再通過曝光顯影的方式在預定形成紅色像素的子像素區(qū)域形成R色素層121圖案，并去除其它子像素區(qū)域的紅色像素，重復上述步驟，可得G色素層122、B色素層123圖案，色素層12的厚度約介于12.5毫米，形成不同顏色色素層的順序包括但不限于上述順序。接著，請參P圖7，利用光刻法刻蝕部分或全部未被R、G、B色素層121、122、123圖案覆蓋的BM材料，使鋁金屬或鉻金屬裸露出來；如可以用濕法刻蝕鉻金屬層上的氧化層112，露出BM中的導電材料鉻金屬，刻蝕時還可利用R、G、B色素層圖案作為掩膜(mask)刻蝕未被色素層覆蓋的BM材料。最后，請參照圖8。在整個基板IO上沉積透明導電薄膜13，形成共通電極，并使該層透明導電膜13和BM中的導電材料即金屬層111電學連接。該透明導電膜13的材料可以為氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZ0)等，厚度約為500-2000A。以47英寸全高清TV為例來說明本發(fā)明的有益效果，其分辨率為1920X3X1080，彩膜基板上鉻金屬層厚度為3000A，共通電極ITO的厚度為1500A:<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>現(xiàn)有技術是指一般的共通電極沒有和BM導電材料電學連接的情況。從上述表格中可以看出，將共通電極和BM中的導電材料進行電學連接，可有效降低信號延遲，改善液晶顯示器的顯示效果。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護范圍當以權利要求書所界定的為準。權利要求1、一種彩膜基板，包括一基板；一黑矩陣，形成在該基板上，定義出多個子像素區(qū)域，該黑矩陣為含有導電材料的擋光層；多個色素層，每個色素層形成在一個子像素區(qū)域中；一透明導電膜，覆蓋在黑矩陣和色素層上方；其特征在于所述未被色素層覆蓋的黑矩陣的導電材料裸露出來與該透明導電膜電學連接。2、根據(jù)權利要求1所述的彩膜基板，其特征在于所述的黑矩陣中的導電材料為鉻金屬，黑矩陣為鉻金屬層和氧化鉻的復合層。3、根據(jù)權利要求1所述的彩膜基板，其特征在于所述的黑矩陣中的導電材料為鋁金屬，所述黑矩陣為鋁金屬和有機光阻層的復合層。4、根據(jù)權利要求1所述的彩膜基板，其特征在于所述的色素層為R、G、B色素層。5、根據(jù)權利要求1所述的彩膜基板，其特征在于所述的透明導電膜為氧化銦錫或氧化銦鋅。6、一種彩膜基板的制造方法，包括以下步驟-提供一基板；在該基板上沉積含有導電材料的擋光層，經(jīng)過防反射處理后，通過光刻法形成黑矩陣圖案；利用光刻法在黑矩陣上依次形成色素層圖案，利用光刻法刻蝕未被色素層覆蓋的黑矩陣，露出黑矩陣中的導電材料；在黑矩陣和色素層上方沉積覆蓋整個基板的透明導電薄膜，該層透明導電薄膜和黑矩陣中露出的導電材料電學連接。7、根據(jù)權利要求6所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于所述導電材料為絡金屬，所述轉反射處理步驟為鉻金屬的氧化處理。8、根據(jù)權利要求6所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于所述導電材料為鋁金屬、所述防反射處理步驟為在鋁金屬層上覆蓋一層有機光阻層。9、根據(jù)權利要求6所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于所述利用光刻法刻蝕未被色素層覆蓋的黑矩陣時，利用色素層圖案作為掩模版進行刻蝕，露出黑矩陣中的導電材料。10、根據(jù)權利要求6或10所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于所述色素層為R、G、B色素層。全文摘要本發(fā)明涉及一種彩膜基板及其制造方法，該彩膜基板包括一基板；一黑矩陣，形成在該基板上，定義出多個子像素區(qū)域，該黑矩陣為含有導電材料的擋光層；多個色素層，每個色素層形成在一個子像素區(qū)域中；一透明導電膜，覆蓋在黑矩陣和色素層上方；其中所述未被色素層覆蓋的黑矩陣的導電材料裸露出來與該透明導電膜電學連接。本發(fā)明的彩膜基板可降低共通電極上的信號延遲，改善液晶顯示效果。文檔編號G03F7/00GK101329465SQ20081003830公開日2008年12月24日申請日期2008年5月30日優(yōu)先權日2008年5月30日發(fā)明者田廣彥申請人:上海廣電光電子有限公司