專利名稱：：微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種^t影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法以及系統(tǒng)，特別是涉及一種使用特別設(shè)計(jì)的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案，使微影對(duì)焦以及/或能量最佳化的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體制程技術(shù)中，當(dāng)要從倍縮光罩轉(zhuǎn)移一個(gè)圖案時(shí)，需要使用能量來(lái)活化光阻。傳統(tǒng)上，此能量的來(lái)源是由輻射線所提供，例如L'V光源。另外，在微影制程中，關(guān)于此能量的對(duì)焦也是很重要的。對(duì)焦(Focus)是一種將多數(shù)單獨(dú)的輻射光的輻射能量聚集在一個(gè)單獨(dú)點(diǎn)上的狀態(tài)。一^L來(lái)說(shuō)，可藉由檢視已曝光圖案的關(guān)鍵尺寸(CD)來(lái)監(jiān)控微影能量，而可藉由檢視線路末端縮短(LES)以及側(cè)壁角度(SWA)來(lái)監(jiān)控微影對(duì)焦方向。線路末端縮短(LES)是指介于光阻獨(dú)立線中末端與末端間的空間，線路末端縮短會(huì)受到對(duì)焦變化的影響。側(cè)壁角度(SWA)是指光阻在經(jīng)能量曝光后的輪廓(Profile)。然而，在目前光阻的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案的設(shè)計(jì)中，對(duì)焦的方向并不容易決定。此夕卜，以目前制程所量測(cè)的數(shù)據(jù)品質(zhì)以及數(shù)據(jù)的解析度是很差的。因此，如何決定以及最佳化能量或?qū)?，進(jìn)而提供優(yōu)良的數(shù)據(jù)品質(zhì)以及解析度是需要的。再者，也需要提供一種可提供在線(in-line)量測(cè)，如制程工具中的關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及側(cè)壁角度的量測(cè)的方法與系統(tǒng)。可基于這些量測(cè)，提供早期錯(cuò)誤的警報(bào)。此外，對(duì)于一個(gè)新光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案而言，也需要一種允許決定對(duì)焦方向的新光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的微影對(duì)焦以及能量的方法及其系統(tǒng)在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決微影對(duì)焦以及能量的方法及其系統(tǒng)存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般方法、產(chǎn)品又沒(méi)有適切的方法及結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。有鑒于上述現(xiàn)有的微影對(duì)焦以及能量的方法及其系統(tǒng)存在的缺陷，本設(shè)計(jì)人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的微影對(duì)焦以及能量的方法及其系統(tǒng)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的微影對(duì)焦以及能量的方法及其系統(tǒng)存在的缺陷，而提供一種新的微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其使用特別設(shè)計(jì)的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案，使微影對(duì)焦以及/或能量最佳化，用以解決現(xiàn)有制程所量測(cè)的lt據(jù)品質(zhì)以及數(shù)據(jù)的解析度差的問(wèn)題，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其提供一種可提供在線(in-1ine)量測(cè)的系統(tǒng)，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其包括以下步驟l接收一晶圓，該晶圓包含復(fù)數(shù)個(gè)圖案；2使用一整合式量測(cè)設(shè)備測(cè)量該些圖案的關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及側(cè)壁角度；3在一模擬光譜數(shù)據(jù)庫(kù)中執(zhí)行一光譜分析以形成分析數(shù)據(jù)；4儲(chǔ)存該分析數(shù)據(jù)在一光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)的復(fù)數(shù)個(gè)查詢表格中；以及5執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀?，以決定該晶圓的對(duì)焦或能量。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其中所述的每個(gè)圖案包含復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)段。前述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其中所述的執(zhí)行光譜分析步驟包含比較關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及側(cè)壁角度的量測(cè)與該模擬光譜數(shù)據(jù)庫(kù)中的模擬結(jié)果。前述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其中所述的模擬光語(yǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)根據(jù)輸入數(shù)據(jù)儲(chǔ)存該晶圓的模擬結(jié)果，其中該輸入數(shù)據(jù)包含一間距、材料的光學(xué)特性、一材料堆迭以及一范圍；該晶圓的模擬結(jié)果確認(rèn)該晶圓的已量測(cè)的光譜是否受對(duì)焦方向的改變而影響。前述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其中所述的執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀褚詻Q定該晶圓的對(duì)焦或能量的步驟包含執(zhí)行查詢包含關(guān)鍵尺寸量測(cè)的該些查詢表格、.包含側(cè)壁角度量測(cè)的該些查詢表才各以及包含線路末端縮短量測(cè)的該些查詢表^f各的其中至少一個(gè)。前述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其中所述的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案是一非周期形式的圖案。前述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其中所述的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案是一獨(dú)立線圖案，該獨(dú)立線圖案包含介于該些區(qū)段間的一為零的垂直間距。前述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其中所述的該些區(qū)段有相同的尺寸以及幾何學(xué)形狀，并是藉由一預(yù)設(shè)和持續(xù)的垂直間距以及平行間距而彼此分離，每個(gè)該些區(qū)段的寬度較每個(gè)該些區(qū)段的長(zhǎng)度還少，該些區(qū)段中的其中一個(gè)區(qū)段是位于相對(duì)另一個(gè)其他區(qū)段的一角度中，該角度介于o到90度之間。前述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其中所述的執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀瘢詻Q定該晶圓的對(duì)焦或能量的步驟包含執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀褚詻Q定一^"焦方向。前述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其中所述的整合式量測(cè)設(shè)備是被整合在一制程工具中以量測(cè)制程工具中該些光罩的關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及側(cè)壁角度；其中該整合式量測(cè)設(shè)備是同時(shí)量測(cè)該些圖案的關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及側(cè)壁角度。前述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其中所述的執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀?，以決定該晶圓的對(duì)焦或能量的步驟包含根據(jù)復(fù)數(shù)光罩的線路末端縮短，確認(rèn)一第一對(duì)焦或能量以及一第二對(duì)焦或能量；以及根據(jù)該些光罩的側(cè)邊寬度角度確認(rèn)來(lái)自該第一以及第二對(duì)焦或能量其中之一的該晶圓的對(duì)焦以及能量。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種用以最佳化微影對(duì)焦以及能量的光罩，該光罩包含一具有復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)段的非主動(dòng)區(qū)域，各區(qū)段具有一寬度以及一長(zhǎng)度，以及各區(qū)段是被垂直地隔開(kāi)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的用以最佳化微影對(duì)焦以及能量的光罩，其中所述的該些區(qū)段彼此分離靠一垂直間距Sy以及一平行間距Sx,每個(gè)區(qū)段的寬度小于每個(gè)區(qū)段的長(zhǎng)度，其中一個(gè)區(qū)段位于相對(duì)于另一個(gè)區(qū)段90度以內(nèi)的位置。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還釆用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種用以最佳化微影對(duì)焦或能量的光罩，包含一區(qū)域，具有一包含復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)段的陣列，其中每個(gè)區(qū)段有一長(zhǎng)度以及一寬度；一介于該些區(qū)段之間并在垂直方向排列的垂直間距Sy;—介于該些區(qū)段之間并在水平方向排列的平行間距Sx;其中，其中一個(gè)區(qū)段位于相對(duì)于另一個(gè)區(qū)段90度以內(nèi)的位置。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種用以最佳化一集成電路的微影對(duì)焦或能量的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含一模擬引擎，根據(jù)最少一個(gè)預(yù)定的輸入以模擬一晶圓；一整合式量測(cè)設(shè)備，測(cè)量復(fù)數(shù)個(gè)晶圓的預(yù)定參數(shù)；以及該模擬引擎的結(jié)果以及該整合式量測(cè)設(shè)備之間，執(zhí)行一分析，以決定該晶圓的最佳化的參數(shù)。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)，該方法和系統(tǒng)使用特別設(shè)計(jì)的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案。在接收一包含復(fù)數(shù)個(gè)光罩的晶圓后，可使用整合式量測(cè)系統(tǒng)測(cè)量光罩的關(guān)4建尺寸、線路末端縮短以及復(fù)數(shù)個(gè)光罩的側(cè)壁角度，在^t擬光i普數(shù)據(jù)庫(kù)中執(zhí)行光譜分析以形成分析數(shù)據(jù)；該分析數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)的復(fù)數(shù)個(gè)查詢表格中，執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀褚詻Q定晶圓的對(duì)焦或能量；本發(fā)明提供了一種可提供在線量測(cè)方法與系統(tǒng)，對(duì)焦或能量的量測(cè)可在臨場(chǎng)進(jìn)行量測(cè)；本發(fā)明可提供在光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)中較好的數(shù)據(jù)品質(zhì)以及解析度，并且可根據(jù)分析的數(shù)據(jù)，提供早期錯(cuò)誤警報(bào)，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)可藉由提供特別設(shè)計(jì)的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案，并根據(jù)一些分析的數(shù)據(jù)，可提供在光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)中較好的數(shù)據(jù)品質(zhì)以及解析度。2、本發(fā)明微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)可根據(jù)分析的數(shù)據(jù)，提供早期錯(cuò)誤警報(bào)。3、本發(fā)明微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)根據(jù)使用該特別設(shè)計(jì)的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案的LES或SWA的在線(in-line)量測(cè)，可從查詢表格中定義對(duì)焦方向。綜上所述，本發(fā)明特殊的微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)，其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類方法、產(chǎn)品中未見(jiàn)有類似的設(shè)計(jì)公開(kāi)發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在方法、結(jié)構(gòu)上或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的微影對(duì)焦以及能量的方法及其系統(tǒng)具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的方法具體實(shí)施方式及其系統(tǒng)由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。圖1是本發(fā)明微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)的例示光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖。圖2是本發(fā)明中光罩的能量/對(duì)焦量測(cè)的例示的示意圖。圖3是本發(fā)明中由偵測(cè)器所量測(cè)的關(guān)鍵尺寸對(duì)應(yīng)對(duì)焦例示的曲線圖。圖4是本發(fā)明中由偵測(cè)器所量測(cè)的線路末端縮短以及側(cè)壁角度對(duì)應(yīng)對(duì)焦例示的曲線圖。圖5是本發(fā)明中最佳化微影對(duì)焦以及能量的制程流程圖。圖6是本發(fā)明中光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)庫(kù)中例示說(shuō)明的查詢表格。圖7是本發(fā)明中用以最佳化微影能量/對(duì)焦的一特別設(shè)計(jì)的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案的示意圖。10:光罩12圖案14:區(qū)段16X方向18:Y方向20光源22:接收器30步驟32:步驟34步驟36:步驟38步驟40:光罩42光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案44:區(qū)段46區(qū)段48:區(qū)段具體實(shí)施方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所釆取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)其具體實(shí)施方式、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)i兌明如后。依照本發(fā)明的一種微影對(duì)焦以及/或能量最佳化的方法以及系統(tǒng)，在接收一包含復(fù)數(shù)個(gè)圖案的晶圓后，可由整合式量測(cè)設(shè)備測(cè)量關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及復(fù)數(shù)個(gè)圖案中的側(cè)壁角度。上述三種量測(cè)可使用整合式量測(cè)設(shè)備在制程工具中同時(shí)完成。當(dāng)測(cè)量完成時(shí)，在模擬光譜數(shù)據(jù)庫(kù)中執(zhí)行一光譜分析以提供分析數(shù)據(jù)。接著分析數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存在光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)中的復(fù)數(shù)個(gè)查詢表格，即可藉由查詢這些查詢表格以決定晶圓的對(duì)焦以及能量。在此方法中，對(duì)焦或能量的量測(cè)可在臨場(chǎng)(in-situ)進(jìn)行量測(cè)。除了測(cè)試晶圓之外，此方法以及系統(tǒng)也可延伸至制造晶圓。依照本發(fā)明的一種用以最佳化一集成電路的微影對(duì)焦或能量的系統(tǒng)，包含一模擬引擎以及一整合式量測(cè)設(shè)備，模擬引擎可以根據(jù)一個(gè)或多個(gè)預(yù)定的輸入?yún)?shù)來(lái)模擬一晶圓。整合式量測(cè)設(shè)備是測(cè)量復(fù)數(shù)個(gè)晶圓的預(yù)定參數(shù)，如關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及復(fù)數(shù)個(gè)圖案中的側(cè)壁角度等參數(shù)，以輸入該模擬引擎。模擬引擎的結(jié)果以及整合式量測(cè)設(shè)備之間，執(zhí)行一分析，以決定該晶圓的最佳化的參數(shù)。分析方法是在模擬光譜數(shù)據(jù)庫(kù)中執(zhí)行一光譜分析以提供分析數(shù)據(jù)。接著分析數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存在光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)中的復(fù)數(shù)個(gè)查詢表格，即可藉由查詢這些查詢表4各以決定晶圓的對(duì)焦以及6匕縣3匕里。為了促進(jìn)對(duì)本發(fā)明原理的了解，請(qǐng)參考圖式中所繪示的實(shí)施例，以及說(shuō)明該些實(shí)施例的敘述。然而，本發(fā)明的范圍沒(méi)有任何意圖被受限在上述的實(shí)施例中。對(duì)本發(fā)明所屬相關(guān)領(lǐng)域的人士，在一般情況下可能思及對(duì)任何實(shí)施例的變更或修改，以及任何在不脫離本發(fā)明原則下的應(yīng)用。而且，近似的元件敘述不可排除其等效范圍間的元件，同時(shí)，不同實(shí)施例中重復(fù)出現(xiàn)的數(shù)字或字母是為了方便解釋說(shuō)明內(nèi)容，并非針對(duì)不同實(shí)施例以及結(jié)構(gòu)上排列組合之間的關(guān)系作特定的限制。下面參考附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1所示，一80jumx80jlim的光罩10包含一光學(xué)關(guān)鍵尺寸(0CD)圖案12。光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案12是一周期性形式的圖案，該周期性形式的圖案包含復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)段14,每個(gè)區(qū)段14為非主動(dòng)區(qū)域(non-activeregion)，每個(gè)區(qū)段14具有一寬度以及一長(zhǎng)度并被垂直地隔開(kāi)。其中每個(gè)區(qū)段14大約360納米的寬或間隔以及1600納米的長(zhǎng)。該些區(qū)段14具有相同的尺寸以及幾何形狀。該些區(qū)段14之間在垂直方向排列的垂直間距Sy，在水平方向排列的平行間距Sx，其中，其中一個(gè)區(qū)段位于相對(duì)于另一個(gè)區(qū)段90度以內(nèi)的位置。該間距尺寸(pitchsize)與該些區(qū)段14之間的距離有關(guān)，在X方向16(即Sx)的間距尺寸約為216納米以及Y方向(即Sy)的間距尺寸約為1960納米。關(guān)鍵尺寸(CD)、線端縮短(LES)以及側(cè)壁角度(SWA)的量測(cè)可由光罩10而取得，而對(duì)焦方向卻無(wú)法由周期性形式組成的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案12所決定。請(qǐng)參閱圖2所示，一光源20,例如一紫外線(ultraviolet,UV)光源，投射在該光罩10上，且在每個(gè)區(qū)段14間的投射角度為6。其結(jié)果產(chǎn)生如圖2所繪示的能量/對(duì)焦排列。該區(qū)段14在X方向中有一間距尺寸16。在角度6n位置設(shè)有一偵測(cè)裝置22以量測(cè)由該光罩10所得到的繞射光線，該6n的繞射等級(jí)(order)與對(duì)焦方向有關(guān)。通常，該對(duì)焦方向從n--2改變到n=+0.25，該偵測(cè)裝置22可由整合式量測(cè)設(shè)備的制程工具中同時(shí)取得光罩10的關(guān)^:尺寸(CD)對(duì)照對(duì)焦、該線端縮短(LES)對(duì)照對(duì)焦以及側(cè)壁角度(SWA)對(duì)照對(duì)焦的才莫擬的量測(cè)值。請(qǐng)參閱圖3所示，是本發(fā)明的一例示的關(guān)鍵尺寸相對(duì)于對(duì)焦量測(cè)的曲線圖，該量測(cè)是由第2圖中的偵測(cè)裝置22所測(cè)量，如第3圖所示，將關(guān)鍵尺寸對(duì)照對(duì)焦的量測(cè)可得三種不同曝光能量El,E2和E3的曲線。在此范例中，該El、E2和E3的對(duì)焦方向的范圍從是由-O.2微米到0.25微米。該El、E2和E3的關(guān)4建尺寸量測(cè)范圍為61到67納米。請(qǐng)參閱圖4所示，是本發(fā)明的一例示性質(zhì)且為由第2圖中的偵測(cè)裝置22所取得的線端縮短(LES)以及側(cè)壁角度(SWA)對(duì)照對(duì)焦的曲線圖。根據(jù)光罩10的線路末端縮短，可確認(rèn)多個(gè)對(duì)焦或能量，即第一對(duì)焦或能量、第二對(duì)焦或能量等，再根據(jù)光罩10的側(cè)邊寬度角度確認(rèn)晶圓的對(duì)焦以及能量，晶圓的對(duì)焦以及能量是來(lái)自該些對(duì)焦或能量其中之一，如第一焦或能量或第二對(duì)焦或能量。在此例子中，以三個(gè)曝光能量為例子說(shuō)明，曝光能量E1、E2和E3的對(duì)焦方向范圍一樣是從-O.2微米到0.25微米。當(dāng)曝光能量El、E2和E3的側(cè)壁角度(SWA)量測(cè)范圍在88.9度到89.9度時(shí)，曝光能量E1、E2和E3的線端縮短(LES)量測(cè)為450納米到600納米。在此一iJi明的實(shí)施例中，可由第2圖中制程工具的量測(cè)裝置22同時(shí)取得第3圖中的CD、LES以及SWA量測(cè)值，以提供預(yù)先的錯(cuò)誤通知。更多與CD、LES和SWA量測(cè)有關(guān)的細(xì)節(jié)在接下來(lái)參照第6圖的說(shuō)明中討論。請(qǐng)參閱圖5所示，是本發(fā)明的一微影對(duì)焦以及/或能量最佳化的流程圖。如圖5所示，當(dāng)上光阻裝置(track)或掃描裝置接受了一個(gè)包含復(fù)數(shù)個(gè)光罩的測(cè)試晶圓(參照為一個(gè)對(duì)焦能量監(jiān)控FEM晶圓)時(shí)，該流程開(kāi)始于步驟30。上光阻裝置是一種用以在硅晶圓上涂布光阻或底部抗反射層涂布(BARC)的工具。掃描裝置是一種用于圖像化的工具。在步驟32中，將測(cè)試晶圓傳送至整合式量測(cè)設(shè)備以量測(cè)關(guān)鍵尺寸(CD)、LES和SWA。量測(cè)設(shè)備是整合在制程工具中，例如一上光阻裝置、蝕刻裝置或化學(xué)機(jī)械研磨工具，以在制程工具中取得量測(cè)值。在不違背目前揭露的精神以及范疇之下，也可在步驟30中由該整合式量測(cè)設(shè)備對(duì)一生產(chǎn)晶圓進(jìn)行測(cè)量。在步驟34中，在模擬光譜實(shí)驗(yàn)室中執(zhí)行一光譜分析。光譜分析包含比較從整合式量測(cè)設(shè)備所取得的CD、LES以及SWA的量測(cè)結(jié)果，并將該量測(cè)結(jié)果與模擬光譜數(shù)據(jù)庫(kù)的結(jié)果相對(duì)照。模擬光譜數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存測(cè)試晶圓的模擬結(jié)果，模擬結(jié)果是根據(jù)輸入數(shù)據(jù)，例如間距、不同種類的材料的光學(xué)特性、材料堆迭以及范圍。間距是關(guān)于光罩的復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)段間的尺寸。執(zhí)行該模擬可決定該量測(cè)光譜是否易受對(duì)焦方向而改變，該晶圓的模擬結(jié)果確認(rèn)該晶圓的已量測(cè)的光譜是否受對(duì)焦方向的改變而影響。在步驟36中，在執(zhí)行該光譜分析后，該分析數(shù)據(jù)會(huì)輸入至一光學(xué)關(guān)鍵尺寸(OCD)數(shù)據(jù)庫(kù)的查詢表格(look叩table)中，例如是第6圖中所繪示的光學(xué)關(guān)鍵尺寸(OCD)數(shù)據(jù)庫(kù)，可根據(jù)該分析數(shù)據(jù)提供早期錯(cuò)誤警報(bào)。更多關(guān)于查詢表格的細(xì)節(jié)將在參照第6圖的揭露中會(huì)有更多細(xì)節(jié)的說(shuō)明。在步驟38中，從查詢表格中的分析數(shù)據(jù)，可決定對(duì)于該測(cè)試晶圓對(duì)焦/能量以及對(duì)焦方向。在此方法中，可達(dá)到臨場(chǎng)(in-situ)監(jiān)控該晶圓對(duì)焦或能量以及臨場(chǎng)(in-situ)拍攝量測(cè)，如此，終止該制程之后的流程。再請(qǐng)參閱圖4所示，可根據(jù)LES量測(cè)以及SWA量測(cè)對(duì)照于對(duì)焦的結(jié)合，決定對(duì)焦/能量以及對(duì)焦方向。在一個(gè)繪示的范例中，兩個(gè)對(duì)焦的位置對(duì)焦點(diǎn)1以及對(duì)焦點(diǎn)2可從LES凄t值的查詢表格加以決定。然而，在與SWA值的結(jié)合中，可決定真實(shí)的對(duì)焦?fàn)顟B(tài)。在這個(gè)范例中，所決定的真實(shí)對(duì)焦點(diǎn)是為對(duì)焦點(diǎn)2。如此，隨著LES和SWA的模擬量測(cè)可確定一真實(shí)的對(duì)焦點(diǎn)或能量。請(qǐng)參閱圖6所示，說(shuō)明在該光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)中的例示性的查詢表格。表A是根據(jù)關(guān)鍵尺寸量測(cè)的能量/對(duì)焦查詢表格。表A包含用于在三個(gè)不同曝光能量E1、E2以及E3下的關(guān)鍵尺寸的例示性的能量/對(duì)焦數(shù)據(jù)。根據(jù)已量測(cè)到的關(guān)鍵尺寸，執(zhí)行查詢表A以決定能量/對(duì)焦。表B是根據(jù)LES量測(cè)的能量/對(duì)焦的查詢表格，表B含用于三種不同曝光能量El、E2以及E3的SWAs的例示性的能量/對(duì)焦數(shù)據(jù)。根據(jù)已量測(cè)的LES，執(zhí)行查詢表B以決定能量/對(duì)焦。表C是根據(jù)SWA量測(cè)的能量/對(duì)焦的查詢表格。表C包含三種用于不同曝光能量El、E2以及E3的SWAs的例示性的能量/對(duì)焦數(shù)據(jù)。根據(jù)已量測(cè)的SWA，執(zhí)行查詢表C以確定能量/對(duì)焦。從表A、B以及C，可以決定該對(duì)焦方向范圍從-0.16至0.16,表A、B以及C的查詢時(shí)間通常非常短，例如比半秒鐘還短。請(qǐng)參閱圖7所示，是本發(fā)明繪示用于微影最佳化能量/對(duì)焦的一特別設(shè)計(jì)的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案的示意圖，如圖7所示，光罩10包含一光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案42。光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案42是非周期性形式的圖案，該圖案比照?qǐng)D1中的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案12具有更多彈性。光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案42包含復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)段44，每個(gè)區(qū)段44有寬w以及高L，其中寬w小于高L。該些區(qū)段44可具有相同的尺寸以及幾何學(xué)形狀，該些區(qū)段44彼此相互分離，并具有垂直間距Sy以及平行間距Sx。然而，該些區(qū)段44可被排列成如一獨(dú)立線圖案，在獨(dú)立線圖案中，該些區(qū)段44間的垂直間距Sy是零，在此范例中，區(qū)段48是位于角度(j)中，該角度(()相對(duì)于區(qū)段46是介于0—90度間，隨著光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案42,該對(duì)焦方向可根據(jù)LES或SWA的量測(cè)而定義。由上述得知，本實(shí)施例提供了一種用以最佳化微影的對(duì)焦/能量的方法以及系統(tǒng)，藉由提供一特別設(shè)計(jì)的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案，例如圖1至圖7所繪示的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案，根據(jù)一些分析的數(shù)據(jù)，可提供在光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)中較好的數(shù)據(jù)品質(zhì)以及解析度，例如在第6圖中所繪示的光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)。此外，根據(jù)分析數(shù)據(jù)可提供一早期錯(cuò)誤警報(bào)，再者，根據(jù)使用該特別設(shè)計(jì)的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案的LES或SWA的在線(in-line)量測(cè)，可從查詢表中定義對(duì)焦方向。雖然本發(fā)明已以一實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。本發(fā)明的發(fā)明思想不限于所舉的實(shí)施例，理解本發(fā)明思想的本領(lǐng)域技術(shù)人員容易舉出的相同思想范圍內(nèi)的其他實(shí)施例，也包括本發(fā)明的發(fā)明思想。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1、一種微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在于其包括以下步驟1)接收一晶圓，該晶圓包含復(fù)數(shù)個(gè)圖案；2)使用一整合式量測(cè)設(shè)備測(cè)量該些圖案的關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及側(cè)壁角度；3)在一模擬光譜數(shù)據(jù)庫(kù)中執(zhí)行一光譜分析以形成分析數(shù)據(jù)；4)儲(chǔ)存該分析數(shù)據(jù)在一光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)的復(fù)數(shù)個(gè)查詢表格中；以及5)執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀?，以決定該晶圓的對(duì)焦或能量。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在于其中所述的每個(gè)圖案包含復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)段。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在于其中所述的執(zhí)行光譜分析步驟包含比較關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及側(cè)壁角度的量測(cè)與該模擬光語(yǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)中的模擬結(jié)果。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在于其中所述的模擬光譜數(shù)據(jù)庫(kù)根據(jù)輸入數(shù)據(jù)儲(chǔ)存該晶圓的模擬結(jié)果，其中該輸入數(shù)據(jù)包含一間距、材料的光學(xué)特性、一材料堆迭以及一范圍；該晶圓的模擬結(jié)果確認(rèn)該晶圓的已量測(cè)的光譜是否受對(duì)焦方向的改變而影響。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在于其中所述的執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀褚詻Q定該晶圓的對(duì)焦或能量的步驟包含執(zhí)行查詢包含關(guān)鍵尺寸量測(cè)的該些查詢表格、包含側(cè)壁角度量測(cè)的該些查詢表格以及包含線路末端縮短量測(cè)的該些查詢表才各的其中至少一個(gè)。6、根據(jù)權(quán)利要求2所述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在于其中所述的光學(xué)關(guān)^:尺寸圖案是一非周期形式的圖案。7、根據(jù)權(quán)利要求2所述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在于其中所述的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案是一獨(dú)立線圖案，該獨(dú)立線圖案包含介于該些區(qū)段間的一為零的垂直間距。8、根據(jù)權(quán)利要求2所述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在持;賣(mài)的垂直間距以及平行間i而彼此;離，4個(gè)該些區(qū)段的寬度較每個(gè)該些區(qū)段的長(zhǎng)度還少，該些區(qū)段中的其中一個(gè)區(qū)段是位于相對(duì)另一個(gè)其他區(qū)段的一角度中，該角度介于G到90度之間。9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在于其中所述的執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀?，以決定該晶圓的對(duì)焦或能量的步驟包含執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀褚詻Q定一對(duì)焦方向。10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在于其中所述的整合式量測(cè)設(shè)備是被整合在一制程工具中以量測(cè)制程工具中該些光罩的關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及側(cè)壁角度；其中該整合式量測(cè)設(shè)備是同時(shí)量測(cè)該些圖案的關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及側(cè)壁角度。11、根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影對(duì)焦以及能量的最佳化方法，其特征在于其中所述的執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀?，以決定該晶圓的對(duì)焦或能量的步驟包含根據(jù)復(fù)數(shù)光罩的線路末端縮短，確認(rèn)一第一對(duì)焦或能量以及一第二對(duì)焦或能量；以及根據(jù)該些光罩的側(cè)邊寬度角度確認(rèn)來(lái)自該第一以及第二對(duì)焦或能量其中之一的該晶圓的對(duì)焦以及能量。12、一種用以最佳化微影對(duì)焦以及能量的光罩，該光罩包含一具有復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)段的非主動(dòng)區(qū)域，各區(qū)段具有一寬度以及一長(zhǎng)度，以及各區(qū)段是:故垂直地隔開(kāi)。13、根據(jù)權(quán)利要求12所述的用以最佳化微影對(duì)焦以及能量的光罩，其特征在于其中所述的該些區(qū)段彼此分離靠一垂直間距Sy以及一平行間距Sx，每個(gè)區(qū)段的寬度小于每個(gè)區(qū)段的長(zhǎng)度，其中一個(gè)區(qū)段位于相對(duì)于另一個(gè)區(qū)段90度以內(nèi)的位置。14、一種用以最佳化微影對(duì)焦或能量的光罩，包含一區(qū)域，具有一包含復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)段的陣列，其中每個(gè)區(qū)段有一長(zhǎng)度以及一寬度；一介于該些區(qū)段之間并在垂直方向排列的垂直間距Sy;其中，其中一個(gè)區(qū)段位于相對(duì)于;一個(gè)區(qū)段90度以內(nèi)的位置。15、一種用以最佳化一集成電路的微影對(duì)焦或能量的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含一模擬引擎，根據(jù)最少一個(gè)預(yù)定的輸入以模擬一晶圓；一整合式量測(cè)設(shè)備，測(cè)量復(fù)數(shù)個(gè)晶圓的預(yù)定參數(shù)；以及該模擬引擎的結(jié)果以及該整合式量測(cè)設(shè)備之間,執(zhí)行一分析，以決定該晶圓的最佳化的參數(shù)。全文摘要本發(fā)明是關(guān)于一種微影對(duì)焦以及/或能量的最佳化方法及其系統(tǒng)，該方法和系統(tǒng)使用特別設(shè)計(jì)的光學(xué)關(guān)鍵尺寸圖案。在接收一包含復(fù)數(shù)個(gè)光罩的晶圓后，可使用整合式量測(cè)系統(tǒng)測(cè)量光罩的關(guān)鍵尺寸、線路末端縮短以及復(fù)數(shù)個(gè)光罩的側(cè)壁角度，在模擬光譜數(shù)據(jù)庫(kù)中執(zhí)行光譜分析以形成分析數(shù)據(jù)；該分析數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)的復(fù)數(shù)個(gè)查詢表格中，執(zhí)行查詢?cè)撔┎樵儽砀褚詻Q定晶圓的對(duì)焦或能量；本發(fā)明提供了一種可提供在線量測(cè)方法與系統(tǒng)，對(duì)焦或能量的量測(cè)可在臨場(chǎng)進(jìn)行量測(cè)；本發(fā)明可提供在光學(xué)關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)庫(kù)中較好的數(shù)據(jù)品質(zhì)以及解析度，并且可根據(jù)分析的數(shù)據(jù)，提供早期錯(cuò)誤警報(bào)，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。文檔編號(hào)G03F7/20GK101271268SQ20081000931公開(kāi)日2008年9月24日申請(qǐng)日期2008年2月18日優(yōu)先權(quán)日2007年3月21日發(fā)明者柯志明,游信勝,高蔡勝,黃得智申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司