專(zhuān)利名稱(chēng)：電光裝置用基板、電光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在例如液晶裝置等電光裝置中使用的電光裝置用基板、具 備該電光裝置用基板而構(gòu)成的電光裝置以及具備該電光裝置的、例如液晶 投影機(jī)等電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
作為這種電光裝置的一例的液晶裝置，不僅用作直視型顯示器，而且 還多用作例如投影型顯示裝置的光調(diào)制單元(光閥)。特別是在投影型顯 示裝置的情況下，因?yàn)閬?lái)自光源的強(qiáng)光會(huì)入射到液晶光閥，所以將作為遮 擋入射光的遮光單元的遮光膜內(nèi)置在液晶光閥中，使得液晶光閥內(nèi)的薄膜晶體管(TFT: Thin Film Transistor)不會(huì)因該光而發(fā)生泄漏電流的增大、 誤動(dòng)作等。有關(guān)這樣的遮光單元或遮光膜，例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)了在TFT采用專(zhuān)利文獻(xiàn)2，則通過(guò)設(shè)置形成在溝道區(qū)域上的多個(gè)遮光膜和吸收內(nèi)面 反射光的層來(lái)減少到達(dá)TFT的溝道區(qū)域的光。專(zhuān)利文獻(xiàn)3公開(kāi)了可以實(shí)現(xiàn) TFT的適宜動(dòng)作的確保以及掃描線的窄小化并且極力減少入射到TFT的 溝道區(qū)域的入射光的技術(shù)。另一方面，在這種電光裝置中，在基板上的形成有遮光膜的區(qū)域，即 基板上的不使光透過(guò)的區(qū)域，設(shè)置通過(guò)暫時(shí)保持被提供給像素電極的圖像 信號(hào)而將像素電極的電位保持一定時(shí)間的保持電容。這樣的保持電容，將 作為該保持電容的構(gòu)成要素的電極兼用作遮光膜，從而還能夠?qū)FT進(jìn)行 遮光。[專(zhuān)利文獻(xiàn)l]特開(kāi)20044722號(hào)公才艮[專(zhuān)利文獻(xiàn)2專(zhuān)利3731447號(hào)公報(bào) l專(zhuān)利文獻(xiàn)3]特開(kāi)2003-262888號(hào)公才艮但是，在光照射到形成于溝道區(qū)域和源漏區(qū)域之間的、例如LDD (Lightly Doped Drain,輕摻雜漏)區(qū)域等接合區(qū)域的情況下，存在著有 可能會(huì)在接合區(qū)域產(chǎn)生光泄漏電流這樣技術(shù)上的問(wèn)題。對(duì)于這樣的問(wèn)題， 雖然考慮在溝道區(qū)域的兩側(cè)的各自的接合區(qū)域上設(shè)置遮光單元，但會(huì)使像 素的實(shí)質(zhì)上光透過(guò)的開(kāi)口區(qū)域變窄這樣的結(jié)果，從顯示性能的觀點(diǎn)來(lái)看并 不理想。另一方面，本申請(qǐng)的發(fā)明人推想，在光照射到形成于與像素電極 連接的源漏區(qū)域和溝道區(qū)域之間的接合區(qū)域的情況下，與光照射到形成于 與數(shù)據(jù)線連接的源漏區(qū)域和溝道區(qū)域之間的接合區(qū)域的情況相比，要容易 產(chǎn)生TFT的光泄漏電流。加之，如果為了降低光泄漏電流而改變對(duì)像素開(kāi)關(guān)用TFT等半導(dǎo)體元 件進(jìn)行遮光的遮光膜的圖案，則還會(huì)存在將導(dǎo)致各像素的開(kāi)口率的下降或 者顯示圖像的對(duì)比度的下降，并且使電光裝置的顯示性能下降的技術(shù)上的 問(wèn)題。另一方面，在這種電光裝置中，以實(shí)現(xiàn)裝置的小型化以及顯示圖像的 高精細(xì)化為目的，還存在著對(duì)于像素的窄間距化的要求。進(jìn)而，為了實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的圖像顯示，希望沒(méi)有各像素的顯示特性的參差不齊。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明就是鑒于上述問(wèn)題等而提出的，其目的在于提供一種在例如作 為以有源矩陣方式驅(qū)動(dòng)的液晶裝置等電光裝置、能夠有效地降低TFT中的 光泄漏電流的產(chǎn)生、能夠?qū)崿F(xiàn)高開(kāi)口率以及顯示圖像的高精細(xì)化并且能夠 降低各像素中的顯示特性的參差不齊的電光裝置中使用的電光裝置用基 板、具備有這樣的電光裝置用基板的電光裝置以及電子設(shè)備。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第1電光裝置用基板具備基板；設(shè)置 在上述基板上的多條數(shù)據(jù)線；分別在構(gòu)成上述基板上的像素區(qū)域的多個(gè)像素中形成的多個(gè)像素電極；在將上述多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相互隔開(kāi) 的非開(kāi)口區(qū)域中沿著上述數(shù)據(jù)線延伸的笫l方向延伸的一個(gè)區(qū)域中、沿著 上述第1方向形成并且沿著與上述第l方向交叉的第2方向與上述一個(gè)區(qū) 域相鄰并且沿著上述第1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地形成并且具有半導(dǎo)體層的 元件部，該半導(dǎo)體層包含(i)與上述多條數(shù)據(jù)線中、在上述一個(gè)區(qū)域中 沿著上述第1方向延伸的一條數(shù)據(jù)線電氣連接的第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域， (ii)沿著上述第1方向位于上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的兩側(cè)的第1溝道 區(qū)域以及第2溝道區(qū)域，(iii)從上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上 述第1方向位于上述第1溝道區(qū)域以及第2溝道區(qū)域的各個(gè)的外側(cè)并且與 上述多個(gè)像素電極中相互不同的第l像素電極以及笫2像素電極的各個(gè)電 氣連接的第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域，(iv) 形成在上述第1溝道區(qū)域以及上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第1接合 區(qū)域，(v)形成在上述第1溝道區(qū)域以及上述笫1像素電極側(cè)源漏區(qū)域之 間的第2接合區(qū)域，(vi)形成在上述第2溝道區(qū)域以及上述第1數(shù)據(jù)線 側(cè)源漏區(qū)域之間的第3接合區(qū)域，(vii)形成在上述第2溝道區(qū)域以及上 述第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第4接合區(qū)域；在上述半導(dǎo)體層的上層 側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述第l接合區(qū)域的第1遮光部；在 上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第2接合區(qū)域并且其上述第2方向 的寬度比上述第1遮光部寬的第2遮光部；在上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿 著上述第1方向形成并且覆蓋上述笫3接合區(qū)域的第3遮光部；以及在上 述半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第4接合區(qū)域并且其上述笫2方向的 寬度比上述第3遮光部寬的第4遮光部；其中，上述第l像素電極以及第 2像素電極分別配置在上述多個(gè)像素中、形成有上述第1遮光部以及第3 遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的像素中。如果采用本發(fā)明的第1電光裝置用基板，則例如從多條數(shù)據(jù)線向多個(gè) 像素電極進(jìn)行圖像信號(hào)的控制，可以實(shí)現(xiàn)采用所謂有源矩陣方式的圖像顯 示。而且，通過(guò)使電氣連接在數(shù)據(jù)線以及^^素電極之間的元件部導(dǎo)通關(guān)斷， 來(lái)將圖像信號(hào)以規(guī)定的定時(shí)從數(shù)椐線經(jīng)由各元件部提供給像素電極。像素電極例如是由ITO (Indium Tin Oxide,氧化銦錫)等透明導(dǎo)電材料構(gòu)成 的透明電極，例如，通過(guò)與數(shù)據(jù)線以及掃描線的交叉對(duì)應(yīng)地規(guī)定為矩陣狀 的多個(gè)像素的各個(gè)中各設(shè)置1個(gè)像素電極，而使其矩陣狀地排列。在本發(fā)明中，特別地，在非開(kāi)口區(qū)域中、沿著第l方向延伸的一個(gè)區(qū) 域以及沿著與第1方向交叉的第2方向與該一個(gè)區(qū)域相鄰并且在笫1方向 上延伸的另一區(qū)域中，在該一個(gè)區(qū)域以及另一個(gè)區(qū)域間沿著第l方向錯(cuò)開(kāi) 1個(gè)像素量地形成有多個(gè)元件部。由此，可以使構(gòu)成顯示區(qū)域的多個(gè)像素 的全部的開(kāi)口率一致，并且可以不使因形成遮光部而降低的各像素的開(kāi)口 率極力降低。其中，所謂本發(fā)明的"開(kāi)口區(qū)域"，是實(shí)際上光透過(guò)的像素 內(nèi)的區(qū)域，例如，是形成有像素電極的區(qū)域，是可以與透過(guò)率的改變對(duì)應(yīng) 地使透過(guò)液晶等電光物質(zhì)的出射光的灰度等級(jí)變化的區(qū)域。換句話(huà)說(shuō)，所 謂"開(kāi)口區(qū)域"，表示會(huì)聚在像素上的光不會(huì)被布線、遮光膜以及各種元 件等遮光體所遮擋的區(qū)域，其中該布線、遮光膜以及各種元件不使光透過(guò) 或者其光透過(guò)率與透明電極相比相對(duì)較小。所謂本發(fā)明的"非開(kāi)口區(qū)域"， 表示用于顯示的光不會(huì)透過(guò)的區(qū)域，例如表示在像素內(nèi)配設(shè)有非透明的布 線或者電極或者各種元件等遮光體的區(qū)域。所謂本發(fā)明的"第l方向"， 是多條數(shù)據(jù)線的各個(gè)所延伸的方向，例如表示在基板上規(guī)定為矩陣狀的多 個(gè)像素的排列方向(即Y方向)，換句話(huà)說(shuō)，表示多條掃描線所排列的排 列方向。進(jìn)而，在本發(fā)明中，特別地，第1像素電極以及第2像素電極分別配 置在多個(gè)像素中形成有第1遮光部以及第3遮光部并且沿著第2方向相鄰 的像素中。因此，能夠?qū)⒌?以及第2像素電極的各個(gè)與各遮光部相互重 疊的部分的大小設(shè)置成相互幾乎或者完全相同。由此，能夠?qū)⒃O(shè)置有第1 像素電極的像素的顯示特性和設(shè)置有第2像素電極的像素的顯示特性設(shè)置 成相互大體或者完全相同。其結(jié)果，可以提高顯示圖像的品質(zhì)。在本發(fā)明的第1電光裝置用基板的一種方式中，上述第1至第4接合 區(qū)域的各個(gè)是LDD區(qū)域。如果采用該方式，則在元件部非工作時(shí)，能夠降低流過(guò)第l數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間以及第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域以 及第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的截止電流，并且能夠抑制在元件部工作 時(shí)流過(guò)的導(dǎo)通電流的降低。在本發(fā)明的第1電光裝置用基板的另一方式中，上述第1至笫4遮光 部的各個(gè)配置在上述元件部的正上方。如果采用該方式，則能夠進(jìn)一步降低對(duì)于基板上的層疊結(jié)構(gòu)中的各遮 光部與元件部之間的半導(dǎo)體層斜向入射的入射光。在本發(fā)明的第1電光裝置用基板的另一方式中，上述第1以及第2遮 光部構(gòu)成第1電容元件，該第1電容元件具有一對(duì)第1電容電極以及夾持 在該一對(duì)第1電容電極之間的第1電介質(zhì)膜；上述第3以及第4遮光部構(gòu) 成第2電容元件，該第2電容元件具有一對(duì)笫2電容電極以及夾持在該一 對(duì)第2電容電極之間的第2電介質(zhì)膜；上述第1電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng) 由上述一條數(shù)據(jù)線被提供給上述第1像素電極時(shí)，保持上述第1像素電極 的電位；上述第2電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng)由上述一條數(shù)據(jù)線被提供給上 述第2像素電極時(shí)，保持上述第2像素電極的電位。如果采用該方式，則第1以及第2電容元件的各個(gè)是暫時(shí)保持第1以 及第2像素電極的各個(gè)的電位的保持電容。通過(guò)利用第1以及第2遮光部 構(gòu)成第1電容元件，利用第3以及第4遮光部構(gòu)成第2電容元件，與設(shè)置 另外遮光膜的情況相比，能夠筒化該電光裝置用基板的電路結(jié)構(gòu)以及構(gòu)成 該電路的布線等的布局。在上迷笫1至第4遮光部構(gòu)成第1以及第2電容元件的方式中，上述 一對(duì)第1至第2電容電極中，至少其中任意一個(gè)一對(duì)電容電極包含導(dǎo)電性 遮光膜而構(gòu)成。在此情況下，利用在元件部的上層側(cè)例如隔著層間絕緣膜可以接近配 置的第1以及第2電容元件的各個(gè)，能夠可靠地遮擋從半導(dǎo)體層的上層側(cè) 入射的光。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第2電光裝置用基板具備M;設(shè)置 在上述基板上的多條數(shù)據(jù)線；分別在構(gòu)成上述基板上的像素區(qū)域的多個(gè)像素中形成的多個(gè)像素電極；在將上述多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相互隔開(kāi) 的非開(kāi)口區(qū)域中沿著上述數(shù)據(jù)線延伸的第l方向延伸的一個(gè)區(qū)域中、沿著 上述第1方向形成并且沿著與上述笫1方向交叉的第2方向與上述一個(gè)區(qū) 域相鄰并且沿著上述笫1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地形成并且具有半導(dǎo)體層的 元件部，該半導(dǎo)體層包含(i)與上述多條數(shù)據(jù)線中、在上述一個(gè)區(qū)域中 沿著上述第1方向延伸的一條數(shù)據(jù)線電氣連接的第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域， (ii)沿著上述第1方向位于上述第l數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的兩側(cè)的第1溝道 區(qū)域以及第2溝道區(qū)域，(iii)從上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上 述第1方向位于上述第1溝道區(qū)域以及第2溝道區(qū)域的各個(gè)的外側(cè)并且與 上述多個(gè)像素電極中相互不同的笫l像素電極以及第2像素電極的各個(gè)電 氣連接的第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域，(iv) 形成在上述第1溝道區(qū)域以及上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第1接合 區(qū)域，(v)形成在上述第1溝道區(qū)域以及上述笫1像素電極側(cè)源漏區(qū)域之 間的第2接合區(qū)域，(vi)形成在上述第2溝道區(qū)域以及上述第1數(shù)據(jù)線 側(cè)源漏區(qū)域之間的第3接合區(qū)域，(vii)形成在上迷第2溝道區(qū)域以及上 述第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第4接合區(qū)域；在上述半導(dǎo)體層的上層 側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述第1接合區(qū)域的第1遮光部；在 上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第2接合區(qū)域并且其上述第2方向 的寬度比上述第1遮光部寬的笫2遮光部；在上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿 著上述第1方向形成并且覆蓋上述第3接合區(qū)域的第3遮光部；以及在上 述半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第4接合區(qū)域并且其上述第2方向的 寬度比上述第3遮光部寬的第4遮光部；其中，上述第1像素電極配置在 上述多個(gè)像素中、形成有上述第2遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的 像素的任意一個(gè)中；上述第2像素電極配置在上述多個(gè)像素中、形成有上 述第4遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中。如果釆用本發(fā)明的第2電光裝置用基板，則與上迷本發(fā)明的第1電光 裝置用基板大致同樣地，可以實(shí)現(xiàn)采用所謂有源矩陣方式的圖像顯示。在本發(fā)明中，與上述本發(fā)明的第1電光裝置用I^1同樣，在非開(kāi)口區(qū)域中、沿著第1方向延伸的一個(gè)區(qū)域以及沿著與第1方向交叉的第2方向 與該一個(gè)區(qū)域相鄰并且在第1方向上延伸的另一區(qū)域中，在該一個(gè)區(qū)域以 及另一個(gè)區(qū)域間沿著第1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地形成有多個(gè)元件部。由此， 可以使構(gòu)成顯示區(qū)域的多個(gè)像素的全部的開(kāi)口率一致，并且可以不使因形 成遮光部而降低的各^^素的開(kāi)口率極力降低。在本發(fā)明中，特別地，第l像素電極配置在多個(gè)像素中形成有笫2遮 光部并沿著第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中，第2像素電極配置在 多個(gè)像素中形成有第4遮光部并沿著第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè) 中。即，第1以及第2像素電極的各個(gè)所被配置到的像素，統(tǒng)一在多個(gè)像 素中、與第2以及第4遮光部重疊的像素上，其中該第2以及第4遮光部 分別覆蓋與該第1以及第2像素電極電氣連接的元件部的第2以及笫4接 合部。因而，能夠?qū)⒌?以及第2像素電極的各個(gè)與各遮光部相互重疊的 部分的大小設(shè)置成相互大體或者完全相同。由此，能夠?qū)⒃O(shè)置有第l像素 電極的像素的顯示特性與設(shè)置有第2像素電極的像素的顯示特性設(shè)置成相 互大體或者完全相同。其結(jié)果，可以提高顯示圖像的品質(zhì)。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第1電光裝置具備上述的本發(fā)明的第1 或者笫2電光裝置用基板(包含其各種方式)。如果采用本發(fā)明的第1電光裝置，則因?yàn)榫邆渖鲜龅谋景l(fā)明的笫1或 者第2電光裝置用基板，所以能夠進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第1電子設(shè)備具備上述的本發(fā)明的第1 電光裝置(還包含其各種方式)。如果采用本發(fā)明的第1電子設(shè)備，則因?yàn)榫邆渖鲜龅谋景l(fā)明的第1電 光裝置而構(gòu)成，所以能夠?qū)崿F(xiàn)可以進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示的投影型顯示裝 置、電視機(jī)、移動(dòng)電話(huà)、電子記事簿、文字處理機(jī)、取景器型或者監(jiān)視器 直視型錄像機(jī)、工作站、電視電話(huà)、POS終端、觸摸面板等各種電子設(shè)備。 此外，作為本發(fā)明的第1電子設(shè)備，例如也可以實(shí)現(xiàn)電子紙張等的電泳裝 置、電子發(fā)射裝置(Field Emission Display,場(chǎng)致發(fā)射顯示器，以及 Conduction Electron-Emitter Display,傳導(dǎo)型電子發(fā)射顯示器)、使用了這些電泳裝置、電子發(fā)射裝置的顯示裝置。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的笫3電光裝置用基板具備基板；在上 述基板上相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；與上述多條數(shù)據(jù)線以及 上述多條掃描線的交叉對(duì)應(yīng)地被規(guī)定并且在構(gòu)成上述基板上的顯示區(qū)域的 多個(gè)像素中形成的多個(gè)像素電極；在將上述多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相 互隔開(kāi)的非開(kāi)口區(qū)域中沿著上述數(shù)據(jù)線延伸的第1方向延伸的一個(gè)區(qū)域 中、沿著上述第1方向形成并且具有第1半導(dǎo)體層的第1元件部，該第1 半導(dǎo)體層包含(i)與上迷多條數(shù)據(jù)線中、在上述一個(gè)區(qū)域中沿著上述第 1方向延伸的一條數(shù)據(jù)線電氣連接的第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，(ii)沿著上 述第1方向位于上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的兩側(cè)的第1溝道區(qū)域以及第 2溝道區(qū)域，(iii)從上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上述第1方向位 于上述第1以及第2溝道區(qū)域的各個(gè)的外側(cè)并且與上述多個(gè)像素電極中相 互不同的第l像素電極以及第2像素電極的各個(gè)電氣連接的第l像素電極 側(cè)源漏區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域，(iv)形成在上述第1溝道區(qū) 域以及上述笫l數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第l接合區(qū)域，(v)形成在上述 第1溝道區(qū)域以及上述第l像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第2接合區(qū)域，(vi) 形成在上述第2溝道區(qū)域以及上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第3接合 區(qū)域，(vii)形成在上述第2溝道區(qū)域以及上述第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域 之間的第4接合區(qū)域；在上述非開(kāi)口區(qū)域中沿著與上迷第l方向交叉的第 2方向與上述一個(gè)區(qū)域相鄰并且在上述第1方向上延伸的另一區(qū)域中、從 上述第1元件部看沿著上述笫1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地形成并且具有第2 半導(dǎo)體層的第2元件部，該第2半導(dǎo)體層包舍(viii)與上述多條數(shù)據(jù)線 中、在上述另一個(gè)區(qū)域中沿著上述第1方向延伸的另一條數(shù)據(jù)線電氣連接 的第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，(ix)在上述第1方向上、從上述第2數(shù)據(jù)線 側(cè)源漏區(qū)域看、形成在與形成有上述第1溝道區(qū)域的一側(cè)相同側(cè)的第3溝 道區(qū)域以及形成在與形成有上述第2溝道區(qū)域的一側(cè)相同側(cè)的第4溝道區(qū) 域，(x)從上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上迷第1方向位于上述第 3以及第4溝道區(qū)域的各個(gè)的外側(cè)并且與上述多個(gè)像素電極中相互不同的第3像素電極以及笫4像素電極電氣連接的第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及 第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域，(xi)形成在上述第3溝道區(qū)域以及上述笫2 數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第5接合區(qū)域，(xii)形成在上述第3溝道區(qū)域 以及上述第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第6接合區(qū)域；(xiii)形成在上 述第4溝道區(qū)域以及上述笫2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第7接合區(qū)域,(xiv) 形成在上述第4溝道區(qū)域以及上述第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第8接 合區(qū)域；在上述第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋 上述笫1接合區(qū)域的笫1遮光部；在上述第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆 蓋上述第2接合區(qū)域并且其上述第2方向的寬度比上述第1遮光部寬的第 2遮光部；在上述第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆 蓋上述第3接合區(qū)域的第3遮光部；在上述第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、 覆蓋上述第4接合區(qū)域并且其上述第2方向的寬度比上述第3遮光部寬的 笫4遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且 覆蓋上述第5接合區(qū)域的第5遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、 覆蓋上述第6接合區(qū)域并且其上述第2方向的寬度比上述第5遮光部寬的 第6遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且 覆蓋上述第7接合區(qū)域的第7遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、 覆蓋上述第8接合區(qū)域并且其上述第2方向的寬度比上述第7遮光部寬的 第8遮光部；其中，上述第1以及第2像素電極分別配置在上述多個(gè)像素 中、形成有上述第1以及第3遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的像素 中；上述第3以及第4像素電極分別配置在上迷多個(gè)像素中、形成有上述 第5以及第7遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的像素中。如果采用本發(fā)明的第3電光裝置用基板，則例如從多條數(shù)據(jù)線向多個(gè) 像素電極進(jìn)行圖像信號(hào)的控制，可以實(shí)現(xiàn)采用所謂有源矩陣方式的圖像顯 示。而且，通過(guò)使電氣連接在數(shù)據(jù)線以及像素電極之間的第1元件部以及 第2元件部的各個(gè)導(dǎo)通關(guān)斷，來(lái)將圖像信號(hào)以規(guī)定的定時(shí)從數(shù)據(jù)線經(jīng)由各 元件部提供給像素電極。像素電極例如是由ITO (Indium Tin Oxide，氧 化銦錫)等透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的透明電極，例如，通過(guò)與數(shù)據(jù)線以及掃描線的交叉對(duì)應(yīng)地規(guī)定為矩陣狀的多個(gè)像素的各個(gè)中各設(shè)置1個(gè)像素電極， 而使其矩陣狀地排列。第l元件部，在將上述多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相互隔開(kāi)的非開(kāi)口 區(qū)域中沿著數(shù)據(jù)線延伸的第1方向延伸的一個(gè)區(qū)域上，沿著第1方向形成。 在此，所謂本發(fā)明的"開(kāi)口區(qū)域"，是實(shí)際上光透過(guò)的像素內(nèi)的區(qū)域，例 如，是形成有像素電極的區(qū)域，是可以與透過(guò)率的改變對(duì)應(yīng)地使透過(guò)液晶 等電光物質(zhì)的出射光的灰度等級(jí)變化的區(qū)域。換句話(huà)說(shuō)，所謂"開(kāi)口區(qū)域"， 表示會(huì)聚在像素上的光不會(huì)被布線、遮光膜以及各種元件等遮光體所遮擋 的區(qū)域，其中該布線、遮光膜以及各種元件不使光透過(guò)或者其光透過(guò)率與 透明電極相比相對(duì)較小。所謂本發(fā)明的"非開(kāi)口區(qū)域"，表示用于顯示的 光不會(huì)透過(guò)的區(qū)域，例如表示在像素內(nèi)配設(shè)有非透明的布線或者電極或者 各種元件等遮光體的區(qū)域。所謂本發(fā)明的"第l方向"，是多條數(shù)據(jù)線的 各個(gè)所延伸的方向，例如表示在基板上規(guī)定為矩陣狀的多個(gè)像素的排列方向(即Y方向)，換句話(huà)說(shuō)，表示多條掃描線所排列的排列方向。第1半導(dǎo)體層構(gòu)成例如共用第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的2個(gè)晶體管元件 的一部分。在第1元件部中，第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域例如由沿著第1方向 相互相鄰的2個(gè)晶體管元件所共用。第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第2像 素電極側(cè)源漏區(qū)域的各個(gè)與第1像素電極以及第2像素電極的各個(gè)相互電 氣連接。這樣的2個(gè)晶體管元件，在具備有該電光裝置用基^^的電光裝置 工作時(shí)，經(jīng)由第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域的各 個(gè)將圖像信號(hào)提供給相互不同的第l像素電極以及第2像素電極的各個(gè)。在第1半導(dǎo)體層中，在第1溝道區(qū)域與第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間形 成有第1接合區(qū)域，在第1溝道區(qū)域與第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間形成 有第2接合區(qū)域，在第2溝道區(qū)域與第l數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間形成有第 3接合區(qū)域，在第2溝道區(qū)域與第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間形成有第4 接合區(qū)域。笫1接合區(qū)域是被形成為第1溝道區(qū)域與第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū) 域的接合部的區(qū)域，第2接合區(qū)域是被形成為笫1溝道區(qū)域與第l像素電 極側(cè)源漏區(qū)域的接合部的區(qū)域，第3接合區(qū)域是被形成為第2溝道區(qū)域與第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的接合部的區(qū)域，第4接合區(qū)域是被形成為第2溝 道區(qū)域與第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域的接合部的區(qū)域。即，第1至第4接合 區(qū)域的各個(gè)，例如在將晶體管元件例如作為PNP型或者NPN型晶體管(即， P溝道型或者N溝道型晶體管)形成的情況下表示PN接合區(qū)域，在晶體 管元件具有LDD構(gòu)造的情況下表示LDD區(qū)域(即，例如利用離子注入法 等雜質(zhì)注入在半導(dǎo)體層中注入比各源漏區(qū)域量少的雜質(zhì)而構(gòu)成的雜質(zhì)區(qū) 域)。包含在第1元件部中的2個(gè)晶體管元件，沿著第1方向以第1數(shù)據(jù)線 側(cè)源漏區(qū)域?yàn)榛鶞?zhǔn)鏡面對(duì)稱(chēng)地形成。因此，與按晶體管元件的每一個(gè)形成 數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的情況相比，能夠減少這2個(gè)晶體管元件沿著第1方向 所占據(jù)的區(qū)域，可以沿著第1方向縮窄像素間距。第2元件部，在將上述多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相互隔開(kāi)的非開(kāi)口 區(qū)域中沿著與數(shù)據(jù)線延伸的第1方向交叉的第2方向與一個(gè)區(qū)域相互相鄰 的另一個(gè)區(qū)域上，沿著第l方向形成。在此，所謂本發(fā)明的"第2方向，，， 是與第1方向交叉的方向，例如表示在基板上規(guī)定為矩陣狀的多個(gè)像素的 行方向(即，X方向)，換句話(huà)說(shuō)，表示多條數(shù)據(jù)線排列的排列方向。第2半導(dǎo)體層構(gòu)成例如共用第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的2個(gè)晶體管元件 的一部分。在第2元件部中，第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域例如由沿著第1方向 相互相鄰的2個(gè)晶體管元件所共用。第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第4像 素電極側(cè)源漏區(qū)域的各個(gè)與第3像素電極以及第4像素電極的各個(gè)相互電 氣連接。這樣的2個(gè)晶體管元件，在具備有該電光裝置用基板的電光裝置 工作時(shí)，經(jīng)由第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域的各 個(gè)將圖像信號(hào)提供給沿著第1方向相互相鄰的第3像素電極以及第4像素 電才及的各個(gè)。在第2半導(dǎo)體層中，在第3溝道區(qū)域與第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間形 成有第5接合區(qū)域，在第3溝道區(qū)域與第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間形成 有第6接合區(qū)域，在第4溝道區(qū)域與第2數(shù)椐線側(cè)源漏區(qū)域之間形成有第 7接合區(qū)域，在第4溝道區(qū)域與第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間形成有第8接合區(qū)域。第5至第8接合區(qū)域具有與上述第1至第4接合區(qū)域同樣的結(jié)構(gòu)。包含在第2元件部中的2個(gè)晶體管元件，沿著第1方向以第2數(shù)據(jù)線 側(cè)源漏區(qū)域?yàn)榛鶞?zhǔn)鏡面對(duì)稱(chēng)地形成。因此，與按晶體管元件的每一個(gè)形成 數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的情況相比，能夠減少這2個(gè)晶體管元件沿著第1方向 所占據(jù)的區(qū)域，可以沿著第1方向縮窄像素間距。第1遮光部，在M上的層疊結(jié)構(gòu)中，在第l半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿 著第l方向形成，并覆蓋第l接合區(qū)域。第2遮光部，在第l半導(dǎo)體層的 上層側(cè)形成，并且覆蓋第2接合區(qū)域。第3遮光部，在第l半導(dǎo)體層的上 層側(cè)、沿著第1方向形成，并且覆蓋第3接合區(qū)域。第4遮光部，在第1 半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成，并且覆蓋上述第4接合區(qū)域。由此，能夠利用第 1至第4遮光部的各個(gè)遮擋從上層側(cè)入射到第1至第4接合區(qū)域的光，能 夠減少第1至第4接合區(qū)域中的光泄漏電流的產(chǎn)生。在本發(fā)明中，特別地，覆蓋第2接合區(qū)域的第2遮光部，以其與第1 方向交叉的第2方向的寬度比覆蓋笫1接合區(qū)域的第1遮光部寬的方式構(gòu) 成。即，第2遮光部，以相對(duì)于例如沿著Y方向延伸的第l半導(dǎo)體層、其 例如X方向的寬度比第l遮光部要寬的方式構(gòu)成。換句話(huà)說(shuō)，第2遮光部 沿著第2方向具有比第l遮光部更長(zhǎng)地延伸的延伸部。因而，能夠比入射 到第l接合區(qū)域的光更可靠地遮擋入射到第2接合區(qū)域的光。即，與對(duì)到 達(dá)第l接合區(qū)域的光進(jìn)行遮擋的遮光性相比，能夠進(jìn)一步提高(即，強(qiáng)化) 對(duì)到達(dá)第2接合區(qū)域的光進(jìn)行遮擋的遮光性。進(jìn)而，覆蓋第4接合區(qū)域的第4遮光部，以其與第1方向交叉的笫2 方向的寬度比覆蓋第3接合區(qū)域的第3遮光部寬的方式構(gòu)成。因而，能夠 比入射到第3接合區(qū)域的光更可靠地遮擋入射到第4接合區(qū)域的光。在此，本申請(qǐng)發(fā)明人推想，在晶體管工作時(shí)，與形成于溝道區(qū)域與數(shù) 據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的接合區(qū)域相比，在形成于溝道區(qū)域與像素電極側(cè)源 漏區(qū)域之間的接合區(qū)域上，光泄漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生。即，本申請(qǐng)發(fā)明人 推想，在第l元件部工作時(shí)，與第l接合區(qū)域相比，在第2接合區(qū)域光泄漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生，并且推想，與第3接合區(qū)域相比，在第4接合區(qū)域 光泄漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生。因而，通過(guò)第2遮光部以具有比第1遮光部寬 的寬度并且第4遮光部以具有比第3遮光部寬的寬度的方式形成，能夠提 高針對(duì)光泄漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生的笫2以及第4接合區(qū)域的遮光性，能夠 有效地降低流過(guò)第1元件部的光泄漏電流。反過(guò)來(lái)說(shuō)，通過(guò)使分別覆蓋與 第2以及第4接合區(qū)域相比光泄漏電流相對(duì)難以產(chǎn)生的第1以及笫3接合 區(qū)域的第1以及第3遮光部，以具有比第2以及第4遮光部要窄的寬度的 方式分別形成，能夠防止開(kāi)口率的徒然的降低。因而，通過(guò)較寬地形成第2以及第4遮光部的寬度，能夠提高針對(duì)光 泄漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生的第2以及第4接合區(qū)域的遮光性，并且通過(guò)較窄 地形成第1以及第3遮光部的寬度，能夠防止開(kāi)口率的徒然降低。即，通 過(guò)所謂集中目標(biāo)地提高針對(duì)光泄漏電流容易產(chǎn)生的第2以及笫4接合區(qū)域的遮光性，能夠有效地降低第1元件部中的光泄漏電流，而不會(huì)招致開(kāi)口 率的徒然的降低。在此，所謂"開(kāi)口率"，表示包括開(kāi)口區(qū)域以及非開(kāi)口 區(qū)域的像素的尺寸中開(kāi)口區(qū)域的比例，開(kāi)口率越大，具備有本發(fā)明的電光 裝置用基板的電光裝置的顯示性能越將提高。而且，第1至第4遮光部以及后面說(shuō)明的第5至第8遮光部的各個(gè)， 可以是如遮光膜那樣由具有遮光性的單層或者多層構(gòu)成的膜狀的遮光體， 也可以是包含具有遮光性的電極的各種元件。第5遮光部，在第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著第l方向形成，并且覆 蓋第5接合區(qū)域。第6遮光部，在第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成，覆蓋第6 接合區(qū)域，并且其第2方向的寬度比第5遮光部寬。第7遮光部，在第2 半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著第l方向形成，并且覆蓋第7接合區(qū)域。第8遮 光部，在第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成，覆蓋第8接合區(qū)域，并且其第2方 向的寬度比第7遮光部寬。因而，如果采用第5至第8遮光部，則與第1 至第4遮光部同樣，能夠遮擋第5至第8接合區(qū)域，能夠降低笫5至第8 接合區(qū)域中的光泄漏電流的產(chǎn)生。特別地，如果采用第6和第8遮光部， 則與第2以及第4遮光部同樣，由于能夠集中目標(biāo)地對(duì)與笫5以及笫7接合區(qū)域相比光泄漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生的第6以及第8接合區(qū)域進(jìn)行遮光， 所以不會(huì)招致開(kāi)口率的徒然的降低，而能夠有效地降低第2元件部中的光泄漏電流。在此，本發(fā)明的第3電光裝置用基板，因?yàn)榫邆潴?至第8遮光部， 所以在假設(shè)不采取任何措施、而僅沿第2方向并列配置第1元件部以及第 2元件部的情況下，沿著第1方向相互相鄰的像素的各個(gè)在開(kāi)口率上將會(huì) 產(chǎn)生差異。更具體地說(shuō)，由于第l元件部以及第2元件部的各個(gè)向在一個(gè) 區(qū)域以及另一區(qū)域的各個(gè)中、沿著第1方向相互相鄰的2個(gè)像素電極的各 自提供圖像信號(hào)，所以在假設(shè)將第1元件部以及第2元件部沿著第2方向、 例如沿著掃描線延伸的方向(即，X方向)在同一行對(duì)應(yīng)地配置的情況下， 將在沿著第1方向、例如數(shù)據(jù)線延伸的Y方向相互相鄰的2個(gè)像素中在一 側(cè)配置第1遮光部、第3遮光部、第5遮光部以及第7遮光部，在另一側(cè) 配置其第2方向的寬度比第1遮光部、第3遮光部、第5遮光部以及第7 遮光部寬的第2遮光部、第4遮光部、第6遮光部以及第8遮光部。如果 采用這樣的遮光部，則其中 一個(gè)像素中的開(kāi)口率要比另 一個(gè)像素中的開(kāi)口 率小，從而在沿著Y方向相互相鄰的2個(gè)像素中，與遮光部的寬度的不同 相對(duì)應(yīng)地，在開(kāi)口率上將產(chǎn)生差異。這種開(kāi)口率的不同，當(dāng)形成在了構(gòu)成 顯示區(qū)域的多個(gè)像素全體中的情況下，與未設(shè)置遮光部的情況相比，將產(chǎn) 生顯示不均勻，從而會(huì)使具備有電光裝置用基板的電光裝置的顯示性能降 低。因而，在本發(fā)明中，特別地，在非開(kāi)口區(qū)域中、沿著與第l方向交叉 的第2方向與一個(gè)區(qū)域相鄰并且在第1方向上延伸的另一區(qū)域中，從第1 元件部看沿著第1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地形成有第2元件部。即，第1元 件部以及笫2元件部，沿著第1方向、例如數(shù)據(jù)線延伸的Y方向，相互錯(cuò) 開(kāi)1個(gè)像素量地配置。因而，第1至第8遮光部的各個(gè)，以覆蓋各遮光部 應(yīng)該進(jìn)行遮光的接合區(qū)域的方式、沿著第1方向相互錯(cuò)開(kāi)地配置。更具體 地說(shuō)，在沿著第1方向相互相鄰的2個(gè)像素中，第2遮光部(以及第4遮 光部)與一個(gè)像素重疊，第6遮光部(以及第8遮光部)與另一個(gè)像素重疊。因而，可以使構(gòu)成顯示區(qū)域的多個(gè)像素的全部的開(kāi)口率一致，并且可 以不使因形成遮光部而降低的各像素的開(kāi)口率極力降低。進(jìn)而，在本發(fā)明中，特別地，第1以及第2像素電極分別配置在多個(gè) 像素中形成有第1以及第3遮光部并沿著第2方向相互相鄰的像素中。即， 與第l元件部電氣連接的第l像素電極以及第2像素電極，作為多個(gè)像素 電極中、在基板上平面地看分別與第1以及第3遮光部重疊并且沿著第2 方向(即，X方向)相互相鄰的像素電極而設(shè)置，其中該第1以及第3遮 光部分別覆蓋該第1元件部的第1以及第3接合區(qū)域。換句話(huà)說(shuō)，第1元 件部的第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域，分別與矩 陣狀地排列的多個(gè)像素電極中、在i4^上平面地看與第1以及笫3遮光部 重疊的、沿著第2方向相互相鄰的2個(gè)像素電極中的任意一個(gè)電氣連接， 其中該第1以及第3遮光部分別覆蓋該第1元件部的第1接合部以及第3 接合部。即，第1以及第2像素電極的各個(gè)，以在基板上平面地看，均與 第1以及第3遮光部部分地重疊并且不與第2遮光部或者第4遮光部重疊 的方式設(shè)置。即，第1以及笫2像素電極的各個(gè)所被配置到的像素，統(tǒng)一 在多個(gè)像素中、與笫1以及第3遮光部重疊的像素上，其中該第l以及第 3遮光部分別覆蓋與該第1以及第2像素電極電氣連接的第1元件部的第1 以及第3接合部。在此，在假設(shè)笫1以及第2像素電極作為沿著第1方向(即，Y方向) 相互相鄰的像素電極而設(shè)置的情況下，即，例如，在第l像素電極作為與 其第2方向的寬度比第l遮光部寬的第2遮光部部分地重疊的像素電極而 設(shè)置、第2像素電極作為與第1遮光部部分地重疊的像素電極而設(shè)置的情 況下，由于第1以及第2像素電極的各個(gè)與各遮光部相互重疊的部分的大 小相互不同，所以，例如與第l元件部電氣連接的一條數(shù)據(jù)線和第l像素 電極之間的寄生電容、該一條數(shù)據(jù)線與第2像素電極之間的寄生電容將會(huì) 相互不同。進(jìn)而，在此情況下，例如，與電氣連接到第1元件部的一條數(shù) 據(jù)線相鄰的另一條數(shù)據(jù)線(換句話(huà)說(shuō)，與第2元件部電氣連接的另一條數(shù) 據(jù)線)和第1像素電極之間的寄生電容、該另一條數(shù)據(jù)線與第2像素電極之間的寄生電容將會(huì)相互不同。因而，有可能第l像素電極的電位保持特性與第2像素電極的電位保持特性將會(huì)相互不同。因而，設(shè)置有笫l像素 電極的像素的顯示特性與設(shè)置有第2像素電極的像素的顯示特性將有可能 相互不同。但是，在本發(fā)明中，特別地，如上所述，第1以及第2像素電極分別 配置在多個(gè)像素中、形成有第1以及第3遮光部并沿著第2方向相互相鄰 的像素中。因而，由于第1以及笫2像素電極的各個(gè)，在基板上平面地看， 均與第1以及第3遮光部部分地重疊并且不與第2遮光部或者第4遮光部 重疊(更詳細(xì)地說(shuō)，在此情況下，進(jìn)一步地，與第6遮光部以及第8遮光 部部分地重疊，并且不與第5遮光部或者第7遮光部重疊)，所以能夠?qū)?第1以及第2像素電極的各個(gè)與遮光部相互重疊的部分的大小設(shè)置成相互 大體或者完全相同。因而，例如，能夠大體或者完全消除與第1元件部電 氣連接的一條數(shù)據(jù)線同第l像素電極之間的寄生電容、該一條數(shù)據(jù)線同第 2像素電極之間的寄生電容的差。進(jìn)而，能夠大體或者完全消除與電氣連 接在第1元件部上的一條數(shù)據(jù)線相鄰的另一條數(shù)據(jù)線(換句話(huà)說(shuō)，與第2 元件部電氣連接的另一條數(shù)據(jù)線)同第l像素電極之間的寄生電容、該另 一條數(shù)椐線同第2像素電極之間的寄生電容的差。由此，能夠?qū)⒌趌像素 電極的電位保持特性與第2像素電極的電位保持特性設(shè)置成相互大體或者 完全相同。其結(jié)果，能夠?qū)⒃O(shè)置有第1像素電極的像素的顯示特性和設(shè)置 有第2像素電極的像素的顯示特性設(shè)置成相互大體或者完全相同。加之，在本發(fā)明中，特別地，第3以及笫4像素電極分別配置在多個(gè) 像素中、形成有第5以及第7遮光部并沿著第2方向相互相鄰的像素中。 即，與第2元件部電氣連接的第3像素電極以及第4像素電極作為多個(gè)像 素電極中、在141上平面地看分別與第5以及第7遮光部重疊并且沿著第 2方向(即，X方向)相互相鄰的像素電極而設(shè)置，其中該第5以及第7 遮光部覆蓋該第2元件部的第5以及第7接合區(qū)域。即，與上述的第1以 及第2像素電極和第1至笫4遮光部之間的位置關(guān)系同樣，第3以及第4 像素電極的各個(gè)，以在基板上平面地看均與第5以及笫7遮光部部分地重疊并且不與第6遮光部或者第8遮光部重疊的方式設(shè)置。因而，能夠?qū)⒃O(shè) 置有第3像素電極的像素的顯示特性和設(shè)置有第4像素電極的像素的顯示 特性設(shè)置成相互大體或者完全相同。進(jìn)而，通過(guò)將第l遮光部、第3遮光部、第5遮光部、第7遮光部的 各個(gè)的笫2方向的寬度設(shè)置成相互大體或者完全相同并且將第2遮光部、 第4遮光部、第6遮光部、第8遮光部的各個(gè)的第2方向的寬度設(shè)置成相 互大體或者完全相同，能夠?qū)⒎謩e設(shè)置有第1至第4像素電極的各像素的 顯示特性進(jìn)一步可靠地設(shè)置成相互大體或者完全相同。即，能夠?qū)?gòu)成顯 示區(qū)域的各像素的顯示特性設(shè)置成大體或者完全均勻。其結(jié)果，能夠提高 顯示圖像的品質(zhì)。如上所述，如果采用本發(fā)明的第3電光裝置用基板，則不會(huì)招致開(kāi)口 率的徒然的降低，而能夠降低因光泄漏電流的產(chǎn)生而發(fā)生的閃爍等顯示不 良，并且還可以降低因各像素的開(kāi)口率的不同而引起的顯示不良。進(jìn)而， 可以將各像素的顯示特性設(shè)置成相互大體或完全相同。其結(jié)果，如果采用 本發(fā)明的電光裝置用基板，則可以實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的圖像顯示。在本發(fā)明的第3電光裝置用基板的一種方式中，上述第1至第8接合 區(qū)域的各個(gè)是LDD區(qū)域。如果采用該方式，則在第l元件部以及第2元件部非工作時(shí)，能夠降 低在第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間以及第2數(shù) 據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域以及第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間流過(guò)的截止電流，并且 能夠抑制在第1元件部以及第2元件部的各個(gè)工作時(shí)流過(guò)的導(dǎo)通電流的降 低。在本發(fā)明的第3電光裝置用基板的另一方式中，上迷第1至第8遮光 部的各個(gè)配置在上述第1以及第2元件部的各個(gè)的正上方。如果采用該方式，則能夠進(jìn)一步降低對(duì)于基板上的層疊結(jié)構(gòu)中的各遮 光部與第1元件部以及第2元件部之間的第1半導(dǎo)體層以及笫2半導(dǎo)體層 斜向入射的入射光。更具體地說(shuō)，與在各遮光部和第l元件部以及第2元 件部之間介入與這些遮光部不同的其他遮光膜的情況相比，能夠使各遮光部與第1元件部以及第2元件部的層疊方向的距離接近，從而能夠利用各 遮光部遮擋相對(duì)于相應(yīng)的第1半導(dǎo)體層以及第2半導(dǎo)體層的各自的法線方 向以較大角度斜向入射到這些半導(dǎo)體層的光。在本發(fā)明的第3電光裝置用基板的另一方式中，上述第1以及第2遮 光部構(gòu)成第1電容元件，該第1電容元件具有一對(duì)第1電容電極以及夾持 在該一對(duì)第1電容電極之間的第1電介質(zhì)膜；上述第3以及第4遮光部構(gòu) 成笫2電容元件，該第2電容元件具有一對(duì)第2電容電極以及夾持在該一 對(duì)第2電容電極之間的第2電介質(zhì)膜；上述第5以及第6遮光部構(gòu)成第3 電容元件，該第3電容元件具有一對(duì)第3電容電極以及夾持在該一對(duì)第3 電容電極之間的第3電介質(zhì)膜；上述第7以及第8遮光部構(gòu)成第4電容元 件，該第4電容元件具有一對(duì)第4電容電極以及夾持在該一對(duì)第4電容電 極之間的第4電介質(zhì)膜；上述第l電容元件，在圖《象信號(hào)經(jīng)由上述一條數(shù) 據(jù)線被提供給上述第1像素電極時(shí)，保持上述第1像素電極的電位；上述 第2電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng)由上述一條數(shù)據(jù)線被提供給上迷第2像素電 極時(shí)，保持上述第2像素電極的電位；上述第3電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng) 由上述另一條數(shù)據(jù)線被提供給上述第3像素電極時(shí)，保持上述第3像素電 極的電位；上述笫4電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng)由上述另一條數(shù)據(jù)線被提供 給上述第4像素電極時(shí)，保持上述第4像素電極的電位。如果采用該方式，則第1至第4電容元件的各個(gè)是暫時(shí)保持第1至第 4像素電極的各個(gè)的電位的保持電容。通過(guò)利用第1以及第2遮光部構(gòu)成 第1電容元件，利用第3以及第4遮光部構(gòu)成第2電容元件，利用第5以 及第6遮光部構(gòu)成第3電容元件，利用第7以及笫8遮光部構(gòu)成第4電容 元件，與設(shè)置另外遮光膜的情況相比，能夠筒化該電光裝置用基板的電路 結(jié)構(gòu)以及構(gòu)成該電路的布線等的布局。在上述第1至第8遮光部構(gòu)成第1至第4電容元件的方式中，上述一 對(duì)第1至第4電容電極中，至少其中任意一個(gè)一對(duì)電容電極包含導(dǎo)電性遮 光膜而構(gòu)成。如果采用該方式，則利用在第1元件部以及第2元件部的各個(gè)的上層側(cè)例如隔著層間絕緣膜可以接近配置的笫1至第4電容元件的各個(gè)，能夠 可靠地遮擋從第1半導(dǎo)體層以及第2半導(dǎo)體層的各個(gè)的上層側(cè)入射的光。 而且，作為導(dǎo)電性遮光膜，例如可以列舉出導(dǎo)電性多晶硅或包含鈦(Ti)、 鉻(Cr)、鴒(W)、鉭(Ta)、錳(Mo)等高熔點(diǎn)金屬中的至少一種 的金屬單體、合金、金屬硅化物、多晶硅化物、這些物質(zhì)層疊而成的物質(zhì)， 或者鴒硅化物。為了解決上迷問(wèn)題，本發(fā)明的第4電光裝置用基板具備基板；在上 述基板上相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；與上述多條數(shù)據(jù)線以及 上述多條掃描線的交叉對(duì)應(yīng)地凈皮規(guī)定并且在構(gòu)成上述基板上的顯示區(qū)域的 多個(gè)像素中形成的多個(gè)像素電極；在將上述多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相 互隔開(kāi)的非開(kāi)口區(qū)域中沿著上述數(shù)據(jù)線延伸的第1方向延伸的一個(gè)區(qū)域 中、沿著上述第1方向形成并且具有笫1半導(dǎo)體層的第1元件部，該笫1 半導(dǎo)體層包含(i)與上述多條數(shù)據(jù)線中、在上述一個(gè)區(qū)域中沿著上述第 1方向延伸的一條數(shù)據(jù)線電氣連接的第l數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，(ii)沿著上 述第1方向位于上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的兩側(cè)的第1溝道區(qū)域以及第 2溝道區(qū)域，(iii)從上述第l數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上述第l方向位 于上述第1溝道區(qū)域以及上述第2溝道區(qū)域的各個(gè)的外側(cè)并且與上述多個(gè) 像素電極中相互不同的第l像素電極以及第2像素電極的各個(gè)電氣連接的 第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域，(iv)形成在上 述第l溝道區(qū)域以及上述第l數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第l接合區(qū)域，(v) 形成在上述第1溝道區(qū)域以及上述第l像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第2接 合區(qū)域，(vi)形成在上述第2溝道區(qū)域以及上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域 之間的第3接合區(qū)域，(vii)形成在上述第2溝道區(qū)域以及上述第2像素 電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第4接合區(qū)域；在上述非開(kāi)口區(qū)域中沿著與上述第 1方向交叉的第2方向與上述一個(gè)區(qū)域相鄰并且在上述第1方向上延伸的 另一區(qū)域中、從上述第1元件部看沿著上述第1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地形 成并且具有第2半導(dǎo)體層的第2元件部，該第2半導(dǎo)體層包含(viii)與 上述多條數(shù)據(jù)線中、在上述另一個(gè)區(qū)域中沿著上述第1方向延伸的另一條數(shù)據(jù)線電氣連接的第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，(ix)在上述第1方向上、從 上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、形成在與形成有上述第1溝道區(qū)域的一側(cè) 相同側(cè)的笫3溝道區(qū)域以及形成在與形成有上述第2溝道區(qū)域的一側(cè)相同 側(cè)的第4溝道區(qū)域，(x)從上迷第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上述第l 方向位于上述第3溝道區(qū)域以及第4溝道區(qū)域的各個(gè)的外側(cè)并且與上述多 個(gè)像素電極中相互不同的第3像素電極以及第4像素電極電氣連接的第3 像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域，(xi)形成在上述第3 溝道區(qū)域以及上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第5接合區(qū)域，(xii)形 成在上述笫3溝道區(qū)域以及上述第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的笫6接合 區(qū)域；(xiii)形成在上述第4溝道區(qū)域以及上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之 間的第7接合區(qū)域，(xiv)形成在上述第4溝道區(qū)域以及上述第4像素電 極側(cè)源漏區(qū)域之間的第8接合區(qū)域；在上迷第l半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著 上述第1方向形成并且覆蓋上述第1接合區(qū)域的第1遮光部；在上述第1 半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第2接合區(qū)域并且其上述第2方向的寬 度比上述第1遮光部寬的第2遮光部；在上述第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿 著上述第1方向形成并且覆蓋上述第3接合區(qū)域的第3遮光部；在上述第 1半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第4接合區(qū)域并且其上述第2方向的 寬度比上述第3遮光部寬的第4遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)、 沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述第5接合區(qū)域的第5遮光部；在上述 第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第6接合區(qū)域并且其上述第2方向 的寬度比上述第5遮光部寬的第6遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)、 沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述第7接合區(qū)域的第7遮光部；在上述 第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第8接合區(qū)域并且其上述第2方向 的寬度比上述第7遮光部寬的第8遮光部；其中，上述第l像素電極配置 在上述多個(gè)像素中、形成有上述笫2遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰 的像素的任意一個(gè)中；上述第2像素電極配置在上述多個(gè)像素中、形成有 上述第4遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中；上述 第3像素電極配置在上述多個(gè)像素中、形成有上述第6遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中；上述第4像素電極配置在上述多 個(gè)像素中、形成有上述笫8遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中。如果采用本發(fā)明的第4電光裝置用基板，則與上述本發(fā)明的第3電光 裝置用基板同樣地，可以實(shí)現(xiàn)采用所謂有源矩陣方式的圖像顯示。在本發(fā)明中，特別地，與上述本發(fā)明的第3電光裝置用J41同樣，在 非開(kāi)口區(qū)域中、沿著與第1方向交叉的第2方向與一個(gè)區(qū)域相鄰并且在第 1方向上延伸的另一區(qū)域中，從第1元件部看沿著第1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素 量地形成第2元件部。由此，可以使構(gòu)成顯示區(qū)域的多個(gè)像素的全部的開(kāi) 口率一致，并且可以不使因形成遮光部而降低的各像素的開(kāi)口率極力降低。進(jìn)而，在本發(fā)明中，特別地，第1像素電極配置在多個(gè)像素中、形成 有第2遮光部并沿著第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中，第2像素電 極配置在多個(gè)像素中、形成有第4遮光部并沿著第2方向相互相鄰的像素 的任意一個(gè)中。即，與第l元件部電氣連接的笫l像素電極以及第2像素 電極，作為多個(gè)像素電極中、在基板上平面地看分別與第2以及第4遮光 部重疊的像素電極而設(shè)置，其中該第2以及笫4遮光部分別覆蓋該第1元 件部的第2以及第4接合區(qū)域。在此，第2遮光部以覆蓋形成在第1溝道 區(qū)域以及第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第2接合區(qū)域的方式設(shè)置，第4 遮光部以覆蓋形成在第2溝道區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第 4接合區(qū)域的方式設(shè)置，第2以及第4遮光部的各自的第2方向的寬度比 第1以及第3遮光部要寬。換句話(huà)說(shuō)，第1元件部的第1像素電極側(cè)源漏 區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域分別與矩陣狀地排列的多個(gè)像素電極 中、在基板上平面地看與第2以及第4遮光部重疊的像素電極電氣連接， 其中該第2以及第4遮光部的第2方向的寬度比分別覆蓋該第1元件部的 第1以及第3接合區(qū)域的第1以及第3遮光部要寬。即，第1以及第2像 素電極的各個(gè)，以在基板上平面地看均與第2遮光部以及第4遮光部部分 地重疊并且不與第1以及第3遮光部重疊的方式設(shè)置。即，第1以及第2 像素電極的各個(gè)所被配置到的像素，統(tǒng)一在多個(gè)像素中、與第2以及第4遮光部重疊的像素上，其中該第2以及第4遮光部分別覆蓋與該第1以及 笫2像素電極電氣連接的第1元件部的第2以及第4接合部。因而，由于第1以及第2像素電極的各個(gè)，在基板上平面地看均與其 笫2方向的寬度比第1以及第3遮光部寬的第2遮光部或者第4遮光部部 分地重疊并且不與第1以及第3遮光部重疊，所以能夠?qū)⒌?以及第2像 素電極的各個(gè)與各遮光部相互重疊的部分的大小設(shè)置成相互大體或者完全 相同。因而，例如能夠大體或者完全消除與第l元件部電氣連接的一條數(shù) 據(jù)線同第1像素電極之間的寄生電容和該一條數(shù)據(jù)線同第2像素電極之間 的寄生電容的差，能夠?qū)⒌趌像素電極的電位保持特性與第2像素電極的 電位保持特性設(shè)置成相互大體或者完全相同。由此，能夠?qū)⒃O(shè)置有第l像 素電極的像素的顯示特性和設(shè)置有第2像素電極的像素的顯示特性設(shè)置成 相互大體或者完全相同。加之，在本發(fā)明中，特別地，第3像素電極配置在多個(gè)像素中、形成 有第6遮光部并沿著第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中，第4像素電 極配置在多個(gè)像素中、形成有第8遮光部并沿著笫2方向相互相鄰的像素 的任意一個(gè)中。即，與第2元件部電氣連接的第3像素電極以及第4像素 電極，作為多個(gè)像素電極中、在基板上平面地看分別與第6以及第8遮光 部重疊的像素電極而設(shè)置，其中該第6以及笫8遮光部分別覆蓋該第2元 件部的第6以及第8接合區(qū)域。即，與上述第1以及第2像素電極同第1 至第4遮光部之間的配置關(guān)系同樣，第3以及第4像素電極的各個(gè)，以在 基板上平面地看均與第6遮光部或者第8遮光部部分地重疊并且不與第5 以及第7遮光部重疊的方式設(shè)置。因而，能夠?qū)⒃O(shè)置有第3像素電極的像 素的顯示特性和設(shè)置有第4像素電極的像素的顯示特性設(shè)置成相互大體或 者完全相同。進(jìn)而，通過(guò)將笫2、第4、第6以及笫8遮光部的各個(gè)的第2方向的寬 度設(shè)置成相互大體或者完全相同并且將第1、第3、第5以及第7遮光部的 各個(gè)的第2方向的寬度設(shè)置成相互大體或者完全相同，能夠進(jìn)一步可靠地 將分別設(shè)置有笫1至第4像素電極的各像素的顯示特性設(shè)置成相互大體或者完全相同。即，能夠?qū)?gòu)成顯示區(qū)域的各像素的顯示特性^沒(méi)置成大體或 者完全均勻。其結(jié)果，可以提高顯示圖像的品質(zhì)。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第2電光裝置具備上述的本發(fā)明的第3 或者第4電光裝置用基板(包含其各種方式)。如果采用本發(fā)明的第2電光裝置，則因?yàn)榫邆渖鲜龅谋景l(fā)明的第1或 者第2電光裝置用基板，所以能夠進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第2電子設(shè)備具備上述的本發(fā)明的第2 電光裝置(也包含其各種方式)。如果采用本發(fā)明的第2電子設(shè)備，則因?yàn)榫邆渖鲜龅谋景l(fā)明的第2電 光裝置而構(gòu)成，所以能夠?qū)崿F(xiàn)可以進(jìn)行高品質(zhì)的圖像顯示的投影型顯示裝 置、電視機(jī)、移動(dòng)電話(huà)、電子記事簿、文字處理機(jī)、取景器型或者監(jiān)視器 直視型錄像機(jī)、工作站、電視電話(huà)、POS終端、觸摸面板等各種電子設(shè)備。 此外，作為本發(fā)明的第1電子設(shè)備，例如也可以實(shí)現(xiàn)電子紙張等的電泳裝 置、電子發(fā)射裝置、使用了這些電泳裝置、電子發(fā)射裝置的顯示裝置。本發(fā)明的作用以及其他的優(yōu)點(diǎn)將從以下說(shuō)明的用于實(shí)施的最佳方式中 獲知。


圖l是示出第1實(shí)施方式的液晶裝置的整體結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖2是圖1的II-II，線剖面圖；圖3是第1實(shí)施方式的液晶裝置的多個(gè)像素部的等效電路圖；圖4是第1實(shí)施方式的液晶裝置的多個(gè)像素部的平面圖；圖5是圖4的V-V，線剖面圖；圖6是第1實(shí)施方式的液晶裝置的元件部的平面圖；圖7是笫1比較例的、與圖4同一含義的平面圖；圖8是第1實(shí)施方式的液晶裝置的圖像顯示區(qū)域的一部分的圖式平面圖；圖9是第1比較例的、與圖8同一含義的圖式平面圖；圖10是示出第1實(shí)施方式中與元件部電氣連接的像素電極的位置關(guān)系的示意圖；圖n是示出第l實(shí)施方式中在數(shù)據(jù)線和像素電極間產(chǎn)生的寄生電容的分布的電氣示意圖；圖12是第2比較例的、與圖10同一含義的示意圖；圖13是第2比較例的、與圖11同一含義的示意圖；圖14是第2比較例的、與圖10同一含義的示意圖；圖15是第2比較例的、與圖11同一含義的示意圖；圖16是笫2實(shí)施方式的變形例的、與圖10同一含義的示意圖；圖17是第2實(shí)施方式的變形例的、與圖11同一含義的示意圖；以及圖18是示出應(yīng)用了電光裝置的電子設(shè)備的一例的投影機(jī)的構(gòu)成的平面圖。符號(hào)說(shuō)明3a:掃描線；6a、 6al、 6a2:數(shù)據(jù)線；9a、 9al、 9a2、 9a3、 9a4:像 素電極；10: TFT陣列基板；10a:圖像顯示區(qū)域；20:對(duì)置基板；21: 對(duì)置電極；50:液晶層；70a:存儲(chǔ)電容；101:數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路；102:外 部電路連接端子；104:掃描線驅(qū)動(dòng)電路；130a、 130b:元件部；Pyl:第 l部分；Py2:第2部分；Py3:第3部分；Py4:第4部分；Py5:第5部 分；Py6:第6部分；Py7:第7部分；Py8:第8部分。
具體實(shí)施方式
以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下的實(shí)施方式中，以作 為本發(fā)明的電光裝置的一例的驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置型的TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式 的液晶裝置為例?！吹?實(shí)施方式〉參照?qǐng)D1至圖13說(shuō)明第1實(shí)施方式的液晶裝置。首先，參照?qǐng)D1以及圖2說(shuō)明本實(shí)施方式的液晶裝置的整體結(jié)構(gòu)。圖1是從對(duì)置基板側(cè)觀看TFT陣列基板及形成在其上的各構(gòu)成要素的液晶裝置的平面圖，圖2是圖i的n-n，線剖面圖。在圖1以及圖2中，在本實(shí)施方式的液晶裝置中，TFT陣列基板10 和對(duì)置基板20相對(duì)配置。在TFT陣列基板10和對(duì)置J^！ 20之間封入有 液晶層50。 TFT陣列基板10和對(duì)置基板20由設(shè)置在密封區(qū)域的密封材料 52相互粘接，該密封區(qū)域位于設(shè)置有多個(gè)像素部的、作為本發(fā)明的"顯示 區(qū)域，，的一例的圖^^顯示區(qū)域10a的周?chē)Ｃ芊獠牧?2由用于粘合兩基板的、例如紫外線硬化樹(shù)脂、熱硬化樹(shù)脂 等構(gòu)成，且在制造工藝中將密封材料52涂敷到TFT陣列基板10上之后， 利用紫外線照射、加熱等使之硬化。在密封材料52中，散布有用于將TFT 陣列基板10和對(duì)置基板20的間隔(即，基板間間隙)形成為規(guī)定值的玻 璃纖維或者玻璃珠等間隙材料。本實(shí)施方式的液晶裝置，適用于作為投影 機(jī)的光閥用而以小型進(jìn)行放大顯示的情況。與配置有密封材料52的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)并行地，規(guī)定圖像顯示區(qū)域 10a的邊緣區(qū)域的遮光性的邊緣遮光膜53設(shè)置在對(duì)置基板20側(cè)。但是， 這樣的邊緣遮光膜53的一部分或者全部也可以作為內(nèi)置遮光膜而設(shè)置在 TFT陣列^^反10側(cè)。在周邊區(qū)域中，位于配置有密封材料52的密封區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域，沿 著TFT陣列基板10的一邊設(shè)置有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101以及外部電路連接 端子102。掃描線驅(qū)動(dòng)電路104以沿著與該一邊相鄰的2邊并且覆蓋邊緣 遮光膜53的方式設(shè)置。進(jìn)而，為了連結(jié)這樣設(shè)置在圖像顯示區(qū)域10a的兩 側(cè)的二個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路104之間，以沿著TFT陣列基板10的剩下的一 邊并且覆蓋邊緣遮光膜53的方式設(shè)置有多條布線105。在對(duì)置基板20的4個(gè)角部，配置有作為兩基板間的上下導(dǎo)通端子而發(fā) 揮作用的上下導(dǎo)通材料106。另一方面，在TFT陣列基板10上，在與這 些角部相對(duì)的區(qū)域，設(shè)置有上下導(dǎo)通端子。利用這些上下導(dǎo)通端子，能夠 在TFT陣列基板10和對(duì)置基板20之間取得電氣導(dǎo)通。在圖2中，在TFT陣列基板10上，在形成了像素開(kāi)關(guān)用的TFT、掃 描線、數(shù)據(jù)線等布線后的像素電極9a上，形成有取向膜。另一方面，在對(duì)置基板20上，除了對(duì)置電極21之外，還形成有格子狀或者條帶狀的遮光 膜23，進(jìn)而在最上層部分還形成有取向膜。液晶層50例如由一種或者多 種向列液晶混合而成的液晶構(gòu)成，其在這一對(duì)取向膜之間獲得規(guī)定的取向狀態(tài)。TFT陣列基板10例如是石英基板、玻璃基板、硅基板等透明基板。 對(duì)置基板20也與TFT陣列基板10同樣，是透明基板。在TFT陣列基板10上，設(shè)置有像素電極9a，再在其上側(cè)設(shè)置有實(shí)施 了研磨處理等規(guī)定的取向處理的取向膜。例如，像素電極9a由ITO膜等 透明導(dǎo)電膜構(gòu)成，取向膜由聚酰亞胺膜等有機(jī)膜構(gòu)成。在對(duì)置基板20上，遍布其大致整個(gè)面地設(shè)置有對(duì)置電極21，在對(duì)置 電極21下側(cè)設(shè)置有實(shí)施了研磨處理等規(guī)定的取向處理的取向膜22。對(duì)置 電極21例如由ITO膜等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。取向膜22由聚酰亞胺膜等有機(jī) 膜構(gòu)成。在對(duì)置基板20上也可以設(shè)置格子狀或者條帶狀的遮光膜。通過(guò)采用這 樣的結(jié)構(gòu)，能夠與后面說(shuō)明的、作為上部電容電極300而設(shè)置的上側(cè)遮光 膜一并地更可靠地阻止來(lái)自TFT陣列基板10側(cè)的入射光對(duì)溝道區(qū)域及其 周邊的侵入。這樣地構(gòu)成，在以像素電極9a和對(duì)置電極21相對(duì)的方式配置的TFT 陣列基板10和對(duì)置基板20之間形成液晶層50。液晶層50在未施加來(lái)自 像素電極9a的電場(chǎng)的狀態(tài)下，利用取向膜獲得規(guī)定的取向狀態(tài)。而且，在圖1以及圖2所示的TFT陣列MlO上，除了這些數(shù)據(jù)線 驅(qū)動(dòng)電路IOI、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104等驅(qū)動(dòng)電路外，還可以形成對(duì)圖像信 號(hào)線上的圖像信號(hào)進(jìn)行釆樣并提供給數(shù)據(jù)線的采樣電路、在圖像信號(hào)之前 對(duì)多條數(shù)據(jù)線分別提供規(guī)定電壓電平的預(yù)充電信號(hào)的預(yù)充電電路、用于檢 查制造過(guò)程中、出廠時(shí)的該電光裝置的質(zhì)量、缺陷等的檢查電路等。以下，參照?qǐng)D3說(shuō)明本實(shí)施方式的液晶裝置的像素部的電氣連接結(jié)構(gòu)。圖3是構(gòu)成本實(shí)施方式的液晶裝置的圖像顯示區(qū)域的、矩陣狀地形成 的多個(gè)像素中的各種元件、布線等的等效電路圖。在圖3中，在構(gòu)成圖像顯示區(qū)域10a的、矩陣狀地形成的多個(gè)像素的 各個(gè)中，形成有像素電極9a以及TFT30。 TFT30與4象素電極9a電氣連接， 在液晶裝置工作時(shí)對(duì)像素電極9a進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。被提供圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線 6a與TFT30的源電氣連接。寫(xiě)入到數(shù)據(jù)線6a的圖像信號(hào)Sl、 S2、…Sn 可以按照該順序依次線地提供，也可以對(duì)相鄰的多條數(shù)據(jù)線6a、按照每組 進(jìn)行提供。掃描線3a與TFT30的柵電氣連接，本實(shí)施方式的液晶裝置被構(gòu)成為，按照規(guī)定的定時(shí)，對(duì)掃描線3a以脈沖方式按照掃描信號(hào)Gl、 G2.....Gm的順序、依次線地施加掃描信號(hào)G1、 G2、…、Gm。 4象素電極9a與TFT30 的漏電氣連接，并且通過(guò)^(吏作為開(kāi)關(guān)元件的TFT30僅接通其開(kāi)關(guān)一定期間，而按照規(guī)定的定時(shí)被寫(xiě)入從數(shù)據(jù)線6a提供的圖像信號(hào)Sl、 S2.....Sn。經(jīng)由像素電極9a寫(xiě)入到作為電光物質(zhì)的一例的液晶中的規(guī)定電平的圖像信號(hào)S1、 S2.....Sn，在與形成于對(duì)置M上的對(duì)置電極之間被保持一定時(shí)間。構(gòu)成液晶層50的液晶，通過(guò)其分子集合的取向、秩序等因所施加的電 壓電平而改變，來(lái)對(duì)光進(jìn)行調(diào)制，從而實(shí)現(xiàn)灰度顯示。如果是常白模式， 則對(duì)于入射光的透過(guò)率與按備像素的單位施加的電壓相應(yīng)地減小，如果是 常黑模式，則對(duì)于入射光的透過(guò)率與按各像素的單位施加的電壓相應(yīng)地增 加，并且作為整體從液晶裝置射出具有與圖像信號(hào)對(duì)應(yīng)的對(duì)比度的光。在 此，為了防止所保持的圖像信號(hào)泄漏，與形成在像素電極9a和對(duì)置電極之 間的液晶電容并列地，電氣連接有存儲(chǔ)電容70a。存儲(chǔ)電容70a是作為與 圖像信號(hào)的供給相應(yīng)地暫時(shí)保持各像素電極9a的電位的保持電容而發(fā)揮 作用的電容元件。如果采用存儲(chǔ)電容70a,則像素電極9a的電位保持特性 將會(huì)提高，從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)比度提高、閃爍降低這樣的顯示特性的提高。 以下，參照?qǐng)D4至圖6說(shuō)明實(shí)現(xiàn)上述動(dòng)作的像素部的具體結(jié)構(gòu)。 圖4是相互相鄰的多個(gè)像素部的平面圖。圖5是圖4的V-V，線剖面圖。 圖6是包含2個(gè)晶體管元件而構(gòu)成的元件部的平面圖。而且，在圖4至圖 6中，因?yàn)橐獙⒏鲗?各部件設(shè)置成在圖面上可以識(shí)別的程度的大小，所以對(duì)于該各層.各部件的各個(gè)，使其比例尺不同。在圖4以及圖5中，為 了便于說(shuō)明，省略了位于像素電極9a的上側(cè)的部分的圖示。在圖5中，從 TFT陣列基板10a到像素電極9a的部分構(gòu)成本發(fā)明的"電光裝置用基板" 的一例。在圖4以及圖5中，本實(shí)施方式的液晶裝置具備TFT陣列基板10; 形成在TFT陣列基板10上的多條數(shù)據(jù)線6a以及多條掃描線3a;多個(gè)像 素電極9a;作為本發(fā)明的"第l元件部"的一例的元件部130a;作為本發(fā) 明的"笫2元件部"的一例的元件部130b;存儲(chǔ)電容70a。TFT陣列基板10上的圖像顯示區(qū)域10a由分別設(shè)置有像素電極9a的 多個(gè)像素構(gòu)成。在TFT陣列基板10上，分別沿著矩陣狀地設(shè)置的多個(gè)像 素電極9a的縱橫邊界設(shè)置有數(shù)據(jù)線6a以及掃描線3a。掃描線3a沿著X 方向延伸，數(shù)據(jù)線6a以與掃描線3a交又的方式沿著Y方向延伸。在掃描 線3a以及數(shù)據(jù)線6a相互交叉的各個(gè)位置處，設(shè)置有像素開(kāi)關(guān)用的TFT30。 這樣的像素開(kāi)關(guān)用TFT30,作為以沿著數(shù)據(jù)線6a所延伸的Y方向的2個(gè) TFT30為一組而構(gòu)成的元件部130a以及130b的一部分而形成。掃描線3a、數(shù)據(jù)線6a、存儲(chǔ)電容70a、下側(cè)遮光膜lla以及中繼層93, 在TFT陣列基板10上、從平面看配置在包圍與像素電極9a對(duì)應(yīng)的各像素 的開(kāi)口區(qū)域(即，在各像素中，在顯示中實(shí)際起作用的、光透過(guò)或者反射 的區(qū)域)的非開(kāi)口區(qū)域內(nèi)。即，這些掃描線3a、存儲(chǔ)電容70a、數(shù)據(jù)線6a 以及下側(cè)遮光膜lla，以不妨礙顯示的方式，配置在非開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，而不 是各像素的開(kāi)口區(qū)域。元件部130a具備一對(duì)TFT30al以及TFT30a2。元件部130a形成于 TFT陣列J4！ 10上將多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相互隔開(kāi)的非開(kāi)口區(qū)域 中、沿著數(shù)據(jù)線6a所延伸的Y方向延伸的區(qū)域。更具體地說(shuō)，元件部130a， 在形成于X方向上的多條數(shù)據(jù)線6a中、形成有第a列數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域， 以包含在該元件部130a中的TFT30al以及30a2的溝道長(zhǎng)沿著Y方向的 方式形成。加之，元件部130a，在形成有第a列數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域，沿著Y 方向配置有多個(gè)。元件部130b也與元件部130a同樣，具備一對(duì)TFT30b.以及30b2， 且在形成有第b列數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域，沿著Y方向配置有多個(gè)。元件部130a 以及130b沿著Y方向相互錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量而配置。在此，第a列以及第b列是隔著1個(gè)像素量的間隔而相互相鄰的列， 例如如果^i殳a列為i列(i是自然數(shù))，則b列成為(i+l)列。在本實(shí) 施方式中，為了便于說(shuō)明，把相互相鄰的列稱(chēng)為a列和b列。以下，詳細(xì) 說(shuō)明在多個(gè)元件部中作為相互對(duì)應(yīng)的元件部的元件部130a以及130b。接著，參照?qǐng)D4至圖6說(shuō)明元件部130a的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。在圖4至圖6中，元件部130a具有第1半導(dǎo)體層1A-1，該第1半導(dǎo) 體層1 A-l包含與a列的數(shù)據(jù)線6a電氣連接的第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l; 沿著y方向位于第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l的兩側(cè)的第1溝道區(qū)域la-l 以及第2溝道區(qū)域la-2;從第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l看沿著Y方向位 于第1溝道區(qū)域la-l以及第2溝道區(qū)域la-2的各個(gè)的外側(cè)并且與多個(gè)像 素電極9a中相互不同的第l像素電極9al以及第2像素電極9a2的各個(gè)電 氣連接的第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-l以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-2; 形成在第1溝道區(qū)域la-l以及第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l之間的、作為 本發(fā)明的"第l接合區(qū)域"的一例的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l;形成在第1 溝道區(qū)域la-l以及第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-l之間的、作為本發(fā)明的 "第2接合區(qū)域"的一例的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l;形成在第2溝道 區(qū)域la-2以及第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l之間的、作為本發(fā)明的"第3 接合區(qū)域"的一例的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-2;形成在第2溝道區(qū)域la-2 以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-2之間的、作為本發(fā)明的"第4接合區(qū)域" 的一例的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-2。TFT30al包含以下部分而構(gòu)成第1溝道區(qū)域la-l;數(shù)據(jù)線側(cè)LDD 區(qū)域lb-l;像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l;第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l;笫 l像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-l;掃描線3a-l中作為柵線與第1溝道區(qū)域la-l 重合的部分。第1半導(dǎo)體層1A-1例如由多晶硅構(gòu)成，其包含具有沿著Y 方向的溝道長(zhǎng)的溝道區(qū)域la-l 、數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l 、像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l、第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l以及第1像素電極線側(cè)源漏區(qū)域 le-l。即，TFT30al具有LDD構(gòu)造。第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l以及第1像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le-l,以 第1溝道區(qū)域la-l為基準(zhǔn)，沿著Y方向大致鏡面對(duì)稱(chēng)地形成。數(shù)椐線側(cè) LDD區(qū)域lb-l、 4象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l、第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l 以及第l像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le-l，是例如利用離子注入法等雜質(zhì)注入 在第i半導(dǎo)體層1A-1中注入雜質(zhì)而形成的雜質(zhì)區(qū)域。數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域 lb-l以及像素電極側(cè)LDD區(qū)域le-l的各個(gè)，作為比第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū) 域ld-l以及第1像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le-l雜質(zhì)還少的低濃度的雜質(zhì)區(qū) 域而形成。如果采用這樣的雜質(zhì)區(qū)域，則在TFT30al非工作時(shí)，將能夠降 低流過(guò)源區(qū)域以及漏區(qū)域的截止電流，并且能夠抑制在TFT30al工作時(shí)流 過(guò)的導(dǎo)通電流的減低。而且，TFT30al優(yōu)選具有LDD構(gòu)造，但也可以是 在數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l、像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l中未進(jìn)行雜質(zhì)注 入的偏移構(gòu)造，也可以是將柵電極作為掩膜高濃度地注入雜質(zhì)而形成數(shù)據(jù) 線側(cè)源漏區(qū)域以及像素電極線側(cè)源漏區(qū)域的自整合型。TFT30a2以第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l為基準(zhǔn)，沿著Y方向形成在 TFT30al的相對(duì)側(cè)，與TFT30al 一同共有第1半導(dǎo)體層1A-1。 TFT30a2 包含以下部分而構(gòu)成第l數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l、第2溝道區(qū)域la-2、 數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-2，像素電極側(cè)源漏區(qū)域lc-2、第2像素電極側(cè)源 漏區(qū)域le-2以及掃描線3a-2中作為柵線與第2溝道區(qū)域la-2重合的部分。 TFT30a2以第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l為基準(zhǔn)具有與TFT30al大致鏡面 對(duì)稱(chēng)的元件構(gòu)造。如圖4所示，TFT30al以及30a2以其第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-l 以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-2的朝向沿著Y方向相對(duì)于第1數(shù)據(jù)線側(cè) 源漏區(qū)域ld-l相互相反的方式配置，并且其將第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l 電氣連接到數(shù)據(jù)線6a的接觸孔81b共用化。即，在圖4中，在作為圖中上下方向的Y方向， 一對(duì)TFT30al以及 30a2成為上下反轉(zhuǎn)的或者上下鏡面反轉(zhuǎn)的TFT。并且，具有這樣鏡面對(duì)稱(chēng)地配置的一對(duì)TFT的元件部130a僅利用 一個(gè)接觸孔81b與數(shù)據(jù)線6a電氣 連接。即，與如通常那樣將TFT30al以及30a2的各個(gè)單個(gè)地設(shè)置在每個(gè) 像素中并從單個(gè)數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域電氣連接到數(shù)據(jù)線6a的情況相比，能夠 大幅度地減少接觸孔的數(shù)量。由此，可以實(shí)現(xiàn)像素部的窄間距化，可以實(shí) 現(xiàn)液晶裝置的小型化、高精細(xì)化。如圖5所示，在TFT30al中，第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l經(jīng)由貫通 層間絕緣膜42、絕緣膜61、層間絕緣膜41以及柵絕緣膜2 (具體地說(shuō)， 絕緣膜2a以及2b)而開(kāi)孔的接觸孔81b與數(shù)據(jù)線6a相互電氣連接。第l 像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-l經(jīng)由貫通層間絕緣膜41以及柵絕緣膜2而開(kāi)孔 的接觸孔83b與后面說(shuō)明的下部電容電極71相互電氣連接。而且，在TFT30a2中，也與TFT30al同樣，第2像素電極側(cè)源漏區(qū) 域le-2經(jīng)由貫通層間絕緣膜41以及柵絕緣膜2而開(kāi)孔的接觸孔83b和與 TFT30a2對(duì)應(yīng)的下部電容電極71相互電氣連接。如圖4至圖6所示，TFT30al以及30a2的柵電極作為掃描線3a的一 部分而形成，并且例如由導(dǎo)電性多晶硅形成。更具體地說(shuō)，在掃描線3al 以及3a2的各個(gè)中，與第1溝道區(qū)域la-l以及第2溝道區(qū)域la-2的各個(gè) 重合的部分構(gòu)成了各TFT的柵電極。掃描線3al的與沿著X方向延伸的主線部分一同、由沿著Y方向突出 的凸部150以及沿著Y方向凹陷的凹部160身見(jiàn)定的部分，與TFT30al的 第1溝道區(qū)域la-l重合，作為柵電極發(fā)揮作用。柵電極以及第1半導(dǎo)體層 1A-1間利用柵絕緣膜2 (更具體地說(shuō)，2層的絕緣膜2a以及2b)絕緣。 掃描線3a2也和掃描線3al同樣，在X方向上延伸的主線部中，由凹部以 及凸部規(guī)定的部分與第2溝道區(qū)域la-2重合，作為柵電極發(fā)揮作用。隔著基底絕緣膜12格子狀地設(shè)置在TFT30al以及30a2的下側(cè)的下側(cè) 遮光膜lla，對(duì)TFT30al以及30a2的各個(gè)的溝道區(qū)域及其周邊進(jìn)行遮光， 以遮擋從TFT陣列基板10側(cè)入射到裝置內(nèi)的返回光。下側(cè)遮光膜lla由 例如包含Ti、 Cr、 W、 Ta、 Mo、 Pd等高熔點(diǎn)金屬中的至少一種的金屬單 體、合金、金屬硅化物、多晶硅化物、這些物質(zhì)疊層而成的物質(zhì)等構(gòu)成?；捉^緣膜12除了將TFT30al以及30a2與下側(cè)遮光膜lla進(jìn)行層間 絕緣的功能外，還通過(guò)形成在TFT陣列基板10的整個(gè)面上，而具有防止 因TFT陣列M 10表面研磨時(shí)的皴裂、洗凈后殘留的污物等引起的像素 開(kāi)關(guān)用TFT30的特性的劣化的功能。而且，元件部130b所具有的一對(duì)TFT 也由遮光膜lla進(jìn)行遮光，并且由基底絕緣膜12進(jìn)行層間絕緣。在圖4以及圖5中，在TFT陣列基板10上的TFT30al的隔著層間絕 緣膜41的上層側(cè)，設(shè)置有存儲(chǔ)電容70a。存儲(chǔ)電容70a通過(guò)其下部電容電 極71以及上部電容電才及300隔著電介質(zhì)膜75a相對(duì)配置而形成。與 TFT30al對(duì)應(yīng)地形成的存儲(chǔ)電容70a是本發(fā)明的"第1電容元件"的一例， 與TFT30a2對(duì)應(yīng)地^L置的存儲(chǔ)電容70a是本發(fā)明的"第2電容元件"的一 例。此外，與后面說(shuō)明的TFT30bl對(duì)應(yīng)地形成的存儲(chǔ)電容70a是本發(fā)明的 "笫3電容元件'，的一例，與后面說(shuō)明的TFT30b2對(duì)應(yīng)地設(shè)置的存儲(chǔ)電容 70a是本發(fā)明的"第4電容元件"的一例。上部電容電極300是固定電位側(cè)電容電極，下部電容電極71是經(jīng)由接 觸孔83b與TFT30al的笫1像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-l電氣連接的像素電 位側(cè)電容電極。下部電容電極71由多晶硅等半導(dǎo)體形成。因而，存儲(chǔ)電容 70具有金屬-電介質(zhì)-金屬疊層而成的、所謂MIS構(gòu)造。下部電容電極71 經(jīng)由貫通層間絕緣膜42以及絕緣膜61而開(kāi)口的接觸孔84b與中繼層93 電氣連接。而且，下部電容電極71除了作為像素電位側(cè)電容電極的功能夕卜， 還具有作為上側(cè)遮光膜配置在上部電容電極300和TFT30al之間的、作為 光吸收層或者遮光膜的功能。數(shù)據(jù)線6a經(jīng)由貫通層間絕緣膜41、絕緣膜 61以及層間絕緣膜42的接觸孔81b與第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-l電氣連 接。下部電容電極71經(jīng)由接觸孔84b與中繼層93電氣連接，并且與中繼 層93—同對(duì)第l像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le-l與像素電極9a間的電氣連接 進(jìn)行中繼。加之，中繼層93經(jīng)由作為中繼層93的一部分的凸部93a以及 與該凸部93a電氣連接的接觸孔85a與像素電極9a電氣連接。由此，像素 電極9a與下部電容電極71電氣連接。上部電容電極300是例如包含金屬或者合金而設(shè)置在TFT30al的上側(cè) 的非透明的金屬膜。上部電容電極300還作為對(duì)TFT30al進(jìn)行遮光的上側(cè) 遮光膜(或者，內(nèi)置遮光膜)而發(fā)揮作用。上部電容電極300包含A1(鋁)、 Ag (銀)等金屬而形成。而且，上部電容電極300作為本發(fā)明的"導(dǎo)電性遮光膜，，，也可以由 例如包舍Ti、 Cr、 W、 Ta、 Mo、 Pd等高熔點(diǎn)金屬中的至少一種的金屬單 體、合金、金屬硅化物、多晶硅化物、這些物質(zhì)疊層而成的物體構(gòu)成。在 此情況下，能夠進(jìn)一步提高上部電容電極300作為上側(cè)遮光膜的功能。上部電容電極300從配置有像素電極9a的圖像顯示區(qū)域10a向其周?chē)?延伸設(shè)置。下部電容電極71與固定電位源電氣連接，是維持為固定電位的 固定電位側(cè)電容電極。電介質(zhì)膜75a具有例如由HTO ( High Temperature Oxide，高溫氧化 物)膜、LTO (Low Temperature Oxide,低溫氧化物)膜等氧化珪膜或 者氮化硅膜等構(gòu)成的單層構(gòu)造或者多層構(gòu)造。在層間絕緣膜41以及42之間局部地介入有絕緣膜61。而且，下部電 容電極71也可以是金屬膜。如果采用這樣的下部電容電極71，則存儲(chǔ)電 容70a也可以具有作為金屬-電介質(zhì)-金屬疊層而成的構(gòu)造的、所謂MIM構(gòu) 造。在圖4中，下部電容電極71按每個(gè)像素相互隔開(kāi)。因而，經(jīng)由數(shù)據(jù)線 6a提供的圖像信號(hào)根據(jù)TFT30al的開(kāi)關(guān)動(dòng)作而被提供給與TFT30al對(duì)應(yīng) 的第l像素電極9al。上部電容電極300因?yàn)檠刂鳻方向跨越多個(gè)像素延 伸，所以通過(guò)在多個(gè)像素中共用，電極面積比下部電容電極71增大。但是， 因?yàn)樯喜侩娙蓦姌O300由Al等金屬膜構(gòu)成，所以與用半導(dǎo)體形成上部電容 電極300的情況相比，能夠抑制因電極面積的增大而引起的電阻的增大量。 因而，具有以下的優(yōu)點(diǎn)可以降低液晶裝置工作時(shí)的消耗電能以及高速驅(qū) 動(dòng)各像素中的各種元件，并且能夠抑制由液晶裝置顯示圖像時(shí)的應(yīng)答性的 降低。而且，這樣的優(yōu)點(diǎn)并不限于如本實(shí)施方式那樣上部電容電極300以沿著X方向跨越相互相鄰的像素延伸的方式形成的情況，而是在上部電容電 極300以在圖像顯示區(qū)域10a中占據(jù)更大面積的方式跨越多個(gè)像素而形成 的情況下更加顯著。在圖4中，存儲(chǔ)電容70a具有從在Y方向上延伸的第1區(qū)域D1和在 X方向上延伸的第2區(qū)域D2相互交叉的交叉區(qū)域沿著Y方向延伸的第1 部分Pyl以及第2部分Py2。第l部分Pyl是本發(fā)明的"第1遮光部"的 一例，其覆蓋數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l。第2部分Py2是本發(fā)明的"第2 遮光部"的一例，其覆蓋像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l。第2部分Py2的沿 著X方向的寬度W2與第1部分Pyl的寬度Wl相比要寬。因而，如果采用第2部分Py2，則能夠比入射到數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域 lb-l的光更可靠地遮擋入射到像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l的光。即，與對(duì) 到達(dá)數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l的光進(jìn)行遮擋的遮光性相比，能夠進(jìn)一步提 高或者強(qiáng)化對(duì)到達(dá)像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l的光進(jìn)行遮擋的遮光性。本 申請(qǐng)發(fā)明人推想，在TFT30al工作時(shí)，在l象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l中， 與數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l相比，光泄漏電流相對(duì)要容易產(chǎn)生。即，推想， 在TFT30al工作時(shí)，在^象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l ;故光照射到的情況下， 與數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l被光照射到的情況相比，在TFT30al中要容易 產(chǎn)生光泄漏電流。因而，通過(guò)第2部分Py2以具有比第1部分Pyl的寬度 Wl要寬的寬度W2的方式形成，能夠提高針對(duì)光泄漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生 的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l的遮光性，從而能夠有效地降低流過(guò)TFT30al 的光泄漏電流。反過(guò)來(lái)說(shuō)，通過(guò)使覆蓋與像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l相比 光泄漏電流相對(duì)難以產(chǎn)生的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l的第1部分Pyl，以 具有比第2部分Py2要窄的寬度Wl的方式形成，能夠防止開(kāi)口率的徒然 的降低。即，通過(guò)較寬地形成第2部分Py2的寬度W2,能夠提高針對(duì)光泄漏 電流相對(duì)容易產(chǎn)生的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l的遮光性，并且通過(guò)較窄 地形成第1部分Pyl的寬度Wl，能夠防止開(kāi)口率的徒然降低。即，通過(guò) 所謂集中目標(biāo)(匕。乂求^y卩)地僅提高針對(duì)光泄漏電流容易產(chǎn)生的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l的遮光性，能夠有效地降低因TFT中的光泄漏電流而 產(chǎn)生的閃爍等顯示不良，而不會(huì)招致開(kāi)口率的徒然的降低。與TFT30a2重疊的存儲(chǔ)電容70a，具有與第1部分Pyl以及第2部分 Py2同樣沿著X方向相互寬度不同的第3部分Py3以及第4部分Py4。第 3部分Py3是本發(fā)明的"第3遮光部"的一例，其覆蓋數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域 lb-2。第4部分Py4是本發(fā)明的"第4遮光部"的一例，其覆蓋像素電極 側(cè)LDD區(qū)域lc-2。第3部分Py3以具有與第1部分Pyl的寬度Wl相同 的寬度的方式形成，第4部分Py4以具有與第2部分Py2的寬度W2相同 的寬度的方式形成。即第4部分Py4的沿著X方向的寬度變得比第3部分 Py3的沿著X方向的寬度寬。因而，第3部分Py3以及第4部分Py4對(duì)數(shù) 據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-2以及像素電極側(cè)lc-2有效地進(jìn)行遮光。但是，在 TFT30a2中，與TFT30al相比，其數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-2以及像素電 極側(cè)LDD區(qū)域lc-2形成在以笫2溝道區(qū)域la-2為基準(zhǔn)相反的位置。因而， 在與TFT30a2重疊的存儲(chǔ)電容70a中，與第1部分Pyl以及第2部分Py2 分別對(duì)應(yīng)的第3部分Py3以及第4部分Py4的相對(duì)的位置關(guān)系成為與第1 部分Pyl以及第2部分Py2相反。在圖4中，元件部130b具有第2半導(dǎo)體層1A-2，該第2半導(dǎo)體層1A-2 包含與b列的數(shù)據(jù)線6a電氣連接的第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-2;沿著Y 方向位于第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-2的兩側(cè)的第3溝道區(qū)域la-3以及第4 溝道區(qū)域la-4;從第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域1d-2看沿著Y方向位于第3溝 道區(qū)域la-3以及第4溝道區(qū)域la-4的各個(gè)的外側(cè)并且與多個(gè)像素電極9a 中相互不同的第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4的各個(gè)電氣連接的 第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-3以及第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-4;形成在 第3溝道區(qū)域la-3以及第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-2之間的、作為本發(fā)明 的"第5接合區(qū)域"的一例的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-3;形成在第3溝道 區(qū)域la-3以及第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-3之間的、作為本發(fā)明的"第6 接合區(qū)域"的一例的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-3;形成在第4溝道區(qū)域la-4 以及第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-2之間的、作為本發(fā)明的"第7接合區(qū)域"的一例的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-4;形成在第4溝道區(qū)域la-4以及第4像 素電極側(cè)源漏區(qū)域le-4之間的、作為本發(fā)明的"第8接合區(qū)域"的一例的 像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-4。元件部130b具有與元件部130a大致相同的結(jié)構(gòu)，包含與形成有第3 像素電極9a3以及笫4像素電極9a4的各個(gè)的像素對(duì)應(yīng)地提供圖像信號(hào)的 一對(duì)TFT30bl以及30b2。這一對(duì)TFT30bl以及30b2與元件部130a中的 TFT30al以及30a2是對(duì)應(yīng)的，經(jīng)由與第3像素電極9a3以及第4像素電 極9a4的各個(gè)電氣連接的第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-3以及第4像素電極 側(cè)源漏區(qū)域le-4向第3像素電極9a3以及9a4的各個(gè)提供圖像信號(hào)。而且， 圖像信號(hào)經(jīng)由被元件部130b包含的一對(duì)TFT30bl以及30b2所共用的第2 數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-2提供給各TFT。如果采用元件部130b，則因?yàn)榈?2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld-2被一對(duì)TFT所共用，所以可以縮窄像素的間距。 但是，如圖4所示，元件部130b形成在形成有與多條數(shù)據(jù)線6a中的b列 對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域，并且沿著Y方向相對(duì)于元件部130a向圖中上側(cè) 錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量而配置。與元件部130b所具有的TFT30bl重疊的存儲(chǔ)電容70a也具有與第1 部分Pyl以及第2部分Py2同樣的功能的第5部分Py5以及第6部分Py6。 第5部分Py5是本發(fā)明的"第5遮光部"的一例，其覆蓋數(shù)據(jù)線側(cè)LDD 區(qū)域lb-3。第6部分Py6是本發(fā)明的"第6遮光部"的一例，其覆蓋像素 電極側(cè)LDD區(qū)域lc-3。更具體地說(shuō)，第6部分Py6的沿著X方向的寬度 W6與第5部分Py5的寬度W5相比要寬，從而與數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-3 相比容易產(chǎn)生光泄漏電流的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-3被集中目標(biāo)地可靠 地遮光。加之，與TFT30b2重疊的存儲(chǔ)電容70a具有與第3部分Py3以及第4 部分Py4同樣沿著X方向相互寬度不同的第7部分Py7以及第8部分Py8。 第7部分Py7構(gòu)成本發(fā)明的"第7遮光部"的一例，其覆蓋數(shù)據(jù)線側(cè)LDD 區(qū)域lb-4。第8部分Py8是本發(fā)明的"笫8遮光部"的一例，其覆蓋像素 電極側(cè)LDD區(qū)域lc-4。第7部分Py7以具有與第5部分Py5的寬度W5相同的寬度的方式形成，第8部分Py8以具有與第6部分Py6的寬度W6 相同的寬度的方式形成。即，第8部分Py8的沿著X方向的寬度與笫7部 分Py7的沿著X方向的寬度相比要寬。因而，第7部分Py7以及第8部分 Py8對(duì)數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-4以及像素電極側(cè)lc-4有效地進(jìn)行遮光。但 是，在TFT30b2中，與TFT30bl相比，其數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-4以及 像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-4形成在以第4溝道區(qū)域la-4為基準(zhǔn)相反的位置。 因而，在與TFT30b2重疊的存儲(chǔ)電容70a中，與第5部分Py5以及第6 部分Py6分別對(duì)應(yīng)的第7部分Py7以及第8部分Py8的相對(duì)的位置關(guān)系成 為與第5部分Py5以及第6部分Py6相反。在此，在本實(shí)施方式的液晶裝置中，如上所述，因?yàn)榫邆涞趌部分Pyl、 第2部分Py2、第3部分Py3、笫4部分Py4、第5部分Py5、第6部分 Py6、第7部分Py7以及第8部分Py8,所以?xún)H將元件部130a以及130b 沿著X方向并列配置在同一行上，會(huì)有沿著X方向相互相鄰的像素的各個(gè) 在開(kāi)口率上產(chǎn)生差異的問(wèn)題。關(guān)于該問(wèn)題，參照?qǐng)D7所示的第1比較例更詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。 圖7是本實(shí)施方式的第1比較例的、與圖4同一含義的平面圖。而且， 在圖7中，對(duì)于與圖4所示的本實(shí)施方式的液晶裝置相同的部分標(biāo)注相同 的參照標(biāo)號(hào)。在圖7所示的第1比較例中，元件部130a以及元件部130b在a列以 及b列的各個(gè)中，沿著圖中X方向平面地并列配置。第2部分Py2以及第 6部分Py6 (或者第4部分Py4以及第8部分Py8)的各個(gè)朝向沿著Y方 向相互相鄰的2個(gè)像素中的一個(gè)像素(即，形成有沿著Y方向相互相鄰的 像素電極901以及卯2中的像素電極901的像素)的開(kāi)口區(qū)域突出。第1 部分Pyl以及第5部分Py5 (第3部分Py3以及第7部分Py7 )的各個(gè)朝 向上述沿著Y方向相互相鄰的2個(gè)像素中的另一個(gè)像素(即，形成有沿著 Y方向相互相鄰的像素電極卯l以及902中的像素電極902的像素)的開(kāi) 口區(qū)域突出。因而，形成有像素電極901的像素的開(kāi)口率與形成有像素電 極902的像素的開(kāi)口率相比變小。由于元件部130a以及130b沿著Y方向排列多個(gè)，所以沿著Y方向位于a列以及b列間的多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口 率沿著Y方向交替不同。加之，在其他的列間，也與a列以及b列同樣， 在沿著Y方向相互相鄰的像素的各個(gè)中，在開(kāi)口率上會(huì)產(chǎn)生差異。這樣，由于為了降低在TFT中產(chǎn)生的光泄漏電流而設(shè)置的笫1部分 Pyl、第3部分Py3、第5部分Py5以及第7部分Py7和第2部分Py2、第 4部分Py4、第6部分Py6以及第8部分Py8的各個(gè)的寬度不同，所以相 互相鄰的像素中的一個(gè)的開(kāi)口率比另一像素的開(kāi)口率要小，從而與第l部 分Pyl、第3部分Py3、第5部分Py5以及第7部分Py7和第2部分py2、 第4部分Py4、第6部分Py6以及第8部分Py8的各個(gè)的寬度沒(méi)有不同的 情況相比，有可能沿著Y方向在圖像顯示區(qū)域10a全體上產(chǎn)生顯示不均勻， 反倒使液晶裝置的顯示性能降低。因而，如圖4所示，在本實(shí)施方式的液晶裝置中，元件部130a以及 130b沿著Y方向相互錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地進(jìn)行配置。如果采用這種配置，則 笫1部分Pyl、第2部分Py2、第3部分Py3、第4部分Py4、第5部分 Py5、第6部分Py6、第7部分Py7以及第8部分Py8的各個(gè)，以覆蓋各 部分應(yīng)該遮光的LDD區(qū)域上的方式沿著Y方向相互錯(cuò)開(kāi)地配置。更具體地說(shuō)，在沿著Y方向相互相鄰的2個(gè)像素中的一個(gè)像素中，第2部分Py2以及第7部分Py7 (或者第4部分Py4以及第5部分Py5 )重疊，在另一個(gè)像素中，第l部分Pyl以及第8部分Py8(或者第3部分Py3以及第6部分Py6)重疊。因而，可以使構(gòu)成圖像顯示區(qū)域10a的多個(gè)4象 素的開(kāi)口率相同。加之，本實(shí)施方式的液晶裝置，因?yàn)榫哂屑心繕?biāo)地對(duì)容易產(chǎn)生光泄 漏電流的LDD區(qū)域進(jìn)行遮光的第2部分Py2、第4部分Py4、第6部分 Py6以及第8部分Py8，所以在^象素開(kāi)關(guān)用TFT中產(chǎn)生的光泄漏電流，與 未設(shè)置第2部分Py2、第4部分Py4、第6部分Py6以及第8部分Py8的 情況相比要降低。進(jìn)而，在本實(shí)施方式的液晶裝置中，因?yàn)榕c第2部分Py2、 第4部分Py4、第6部分Py6、第8部分Py8的寬度相比，縮窄第l部分 Pyl、笫3部分Py3、第5部分Py5以及第7部分Py7的寬度，所以成為像素的開(kāi)口率不會(huì)極大降低的結(jié)構(gòu)。以下，參照?qǐng)D8以及圖9說(shuō)明本實(shí)施方式的液晶裝置的像素的開(kāi)口區(qū)域。圖8是圖式地示出本實(shí)施方式的液晶裝置的圖像顯示區(qū)域的一部分的 平面圖。圖9是圖式地示出圖7所示的笫1比較例的液晶裝置的圖像顯示 區(qū)域的一部分的平面圖。在圖8中，在本實(shí)施方式的液晶裝置中，圖像顯示區(qū)域10a由與液晶 的驅(qū)動(dòng)相應(yīng)地、光實(shí)際上可以透過(guò)的開(kāi)口區(qū)域210 (即，開(kāi)口區(qū)域210a、 210b、 210c以及210d)以及光不能透過(guò)的非開(kāi)口區(qū)域211構(gòu)成。開(kāi)口區(qū)域 210以及非開(kāi)口區(qū)域211由多個(gè)元件部130a、 130b以及各種布線等規(guī)定。 在本實(shí)施方式的液晶裝置中，如已參照?qǐng)D4至圖6所說(shuō)明的那樣，各像素 中的開(kāi)口區(qū)域210的尺寸在圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)一致。更具體地說(shuō)，形成 有第l像素9al、第2像素電極9a2、第3像素電極9a3以及第4像素電極 9a4的各個(gè)的像素的開(kāi)口區(qū)域210a、 210b、 210c以及210d的尺寸相互相 等。而且，第l像素電極9al、第2像素電極9a2、第3像素電極9a3以及 第4像素電極9a4，如參照?qǐng)D4在前面所說(shuō)明的那樣，是分別與第l像素 電極側(cè)源漏區(qū)域lc-l、第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域lc-2、第3像素電極側(cè)源 漏區(qū)域lc-3以及第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域lc-4電氣連接的像素電極9a。 此外，對(duì)于第l像素電極9al、第2像素電極9a2、第3像素電極9a3以及 第4像素電極9a4的位置關(guān)系，在后面詳細(xì)地說(shuō)明。另一方面，如圖9所示，在本實(shí)施方式的第1比較例中，因?yàn)樵?130a以及130b沿著X方向排列配置在同一行上，所以對(duì)像素電極側(cè)LDD 區(qū)域進(jìn)行遮光的第2部分Py2以及第6部分Py6 (或者第4部分Py4以及 笫8部分Py8)與〗象素電極卯1以及903重疊的面積，同對(duì)數(shù)據(jù)線側(cè)源漏 區(qū)域進(jìn)行遮光的第1部分Pyl以及第5部分Py5 (第3部分Py3以及第7 部分Py7)與像素電極卯2以及904重疊的面積相比要大(參照?qǐng)D7)。 因而，各像素的開(kāi)口區(qū)域210在相互相鄰的行中相互不同。更具體地說(shuō)，形成有像素電極901以及卯3的各個(gè)的像素的開(kāi)口區(qū)域210a，以及210c，的 面積與形成有像素電極卯2以及卯4的各個(gè)的像素的開(kāi)口區(qū)域210b，以及 210d，的面積相互不同，從而在圖像顯示區(qū)域10a中將會(huì)產(chǎn)生顯示不均勻等顯示不良。因而，如果采用本實(shí)施方式的液晶裝置，則如圖8所示，因?yàn)槟軌?吏 各開(kāi)口區(qū)域210的面積相互相等，所以能夠使各像素中的開(kāi)口率相等。因 而，如果采用本實(shí)施方式的液晶裝置，則可以進(jìn)行不會(huì)產(chǎn)生顯示不均勻等 顯示不良的高品質(zhì)的圖像顯示。下面，除了圖4之外還參照?qǐng)DIO以及圖ll說(shuō)明本實(shí)施方式的液晶裝 置的與元件部電氣連接的像素電極的位置關(guān)系。圖10是示出本實(shí)施方式的液晶裝置的、與元件部電氣連接的像素電極 的位置關(guān)系的示意圖，圖ll是示出本實(shí)施方式的液晶裝置中在數(shù)據(jù)線與像 素電極間產(chǎn)生的寄生電容的分布的電氣示意圖。而且，在圖11中，示出的 是圖IO所示的部分的電氣構(gòu)成。在圖4以及圖10中，在本實(shí)施方式中，特別地，第1像素電極9al 以及第2像素電極9a2分別配置在多個(gè)像素中形成有存儲(chǔ)電容70a的第1 部分Pyl以及第3部分Py3、并沿著X方向相互相鄰的像素中。而且，在 圖10中，各箭頭表示各像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-l、 le-2、 le-3以及l(fā)e-4 分別與像素電極9al、 9a2、 9a3以及9a4的各個(gè)電氣連接的情況。有關(guān)這 一點(diǎn)，在后面說(shuō)明的圖12、圖14以及圖16的各圖中是相同的。即，與元件部130a電氣連接的第1像素電極9al以及第2像素電極 9a2作為矩陣狀地排列的多個(gè)像素電極9a之中、在TFT陣列基板10上平 面地看分別與第l部分Pyl以及第3部分Py3重疊并且沿著X方向相互相 鄰的像素電極9a而設(shè)置，其中該第1部分Pyl以及第3部分Py3分別覆 蓋該元件部130a的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l以及l(fā)b-2。換句話(huà)說(shuō)，元件 部130a的第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-l以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-2 分別與矩陣狀地排列的多個(gè)像素電極9a之中、在TFT陣列基板10上平面 地看與第l部分Pyl以及第3部分Py3重疊的、沿著X方向相互相鄰的2個(gè)像素電極9a中的任意一個(gè)電氣連接，其中該第1部分Pyl以及第3部 分Py3分別覆蓋該元件部130a的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l以及l(fā)b-2。即， 第1像素電極9al以及第2像素電極9a2的各個(gè)，以在TFT陣列基板10 上平面地看，均與第l部分Pyl以及第3部分Py3部分地重疊并且不與第 2部分Py2以及第4部分Py4重疊的方式設(shè)置(更詳細(xì)地il，在此情況下， 進(jìn)一步地，第1像素電極9al以及第2像素電極9a2的各個(gè)，在TFT陣列 基板10上平面地看，均與第6部分Py6以及第8部分Py8部分地重疊， 并且不與笫5部分Py5以及第7部分Py7重疊)。即，第l像素電極9al 以及第2像素電極9a2的各個(gè)所被配置到的像素，統(tǒng)一在多個(gè)像素中、與 第1部分Pyl以及第3部分Py3重疊的像素上，其中該笫1部分Pyl以及 第3部分Py3分別覆蓋與該第l像素電極9al以及第2像素電極9a2電氣 連接的元件部130a的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l以及l(fā)b-2。由此，能夠?qū)⒃O(shè)置有第1像素電極9al的像素的顯示特性和設(shè)置有第 2像素電極9a2的像素的顯示特性設(shè)置為相互大體相同。更具體地說(shuō)，在圖10中，由于第1像素電極9al以及第2像素電極 9a2的各個(gè)，在TFT陣列基板10上平面地看，均與第l部分Pyl以及第3 部分Py3部分地重疊，并且不與第2部分Py2或者第4部分Py4重疊(更 詳細(xì)地說(shuō)，在此情況下，進(jìn)一步地，與第6部分Py6以及第8部分Py8部 分地重疊，并且不與笫5部分Py5以及第7部分Py7重疊)，所以能夠?qū)?笫l像素電極9al以及第2像素電極9a2的各個(gè)與作為遮光部發(fā)揮作用的存儲(chǔ)電容70a的各部分Pyl..... Py8相互重疊的部分的大小設(shè)置為相互大體相同。因而，在圖11中，能夠大體消除與元件部130a電氣連接的數(shù)據(jù)線6al 同第l像素電極9al之間的寄生電容Call、該數(shù)據(jù)線6al同第2像素電極 9a2之間的寄生電容Ca21的差。進(jìn)而，能夠大體消除與電氣連接在元件部 130a上的數(shù)據(jù)線6al相鄰的數(shù)據(jù)線6a2 (換句話(huà)說(shuō)，與元件部130b電氣連 接的數(shù)據(jù)線6a2 )同第1像素電極9al之間的寄生電容Cal2、該數(shù)據(jù)線6a2 同第2像素電極9a2之間的寄生電容Ca22的差。由此，能夠?qū)⒌?像素電極9al的電位保持特性和第2像素電極9a2的電位保持特性設(shè)置為相互 大體相同。其結(jié)果，能夠?qū)⒃O(shè)置有第l像素電極9al的像素的顯示特性和 設(shè)置有第2像素電極9a2的像素的顯示特性設(shè)置為相互大體相同。進(jìn)而，在圖4以及圖10中，在本實(shí)施方式中，特別地，第3像素電極 9a3以及第4像素電極9a4分別配置在多個(gè)像素中形成有存儲(chǔ)電容70a的 第5部分Py5以及第7部分Py7、并沿著X方向相互相鄰的像素中。即，與元件部130a電氣連接的第3像素電極9a3以及第4像素電極 9a4作為矩陣狀地排列的多個(gè)像素電極9a之中、在TFT陣列基板10上平 面地看分別與笫5部分Py5以及笫7部分Py7重疊并且沿著X方向相互相 鄰的像素電極9a而設(shè)置，其中該第5部分Py5以及第7部分Py7分別覆 蓋該元件部130b的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-3以及l(fā)b-4。即，與上述的第1 像素電極9al以及第2像素電極9a2和第l部分Pyl、第2部分Py2、第3 部分Py3以及笫4部分Py4之間的配置關(guān)系一樣，第3像素電極9a3以及 第4像素電極9a4的各個(gè)，以在TFT陣列基板10上平面地看，均與第5 部分Py5以及笫7部分Py7部分地重疊并且不與第6部分Py6以及第8部 分Py8重疊的方式設(shè)置(更詳細(xì)地說(shuō)，在此情況下，進(jìn)一步地，第3像素 電極9a3以及第4像素電極9a4的各個(gè)，在TFT陣列J4！ 10上平面地看， 均與第2部分Py2以及第4部分Py4部分地重疊，并且不與第1部分Pyl 以及第3部分Py3重疊)。即，第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4 的各個(gè)所被配置到的像素，統(tǒng)一在多個(gè)像素中、與第5部分Py5以及第7 部分Py7重疊的像素上，其中該第5部分Py5以及第7部分Py7分別覆蓋 與該第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4電氣連接的元件部130a的數(shù) 據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-3以及l(fā)b-4。由此，能夠?qū)⒃O(shè)置有笫3像素電極9a3的像素的顯示特性和設(shè)置有第 4像素電極9a4的^f象素的顯示特性設(shè)置為相互大體相同。更具體地說(shuō)，在圖10中，由于第3像素電極9a3以及第4像素電極 9a4的各個(gè)，在TFT陣列基板10上平面地看，均與第5部分Py5以及第7 部分Py7部分地重疊，并且不與第6部分Py6或者第8部分Py8重疊(更詳細(xì)地說(shuō)，在此情況下，進(jìn)一步地，與第2部分Py2以及第4部分Py4部 分地重疊，并且不與第l部分Pyl以及笫3部分Py3重疊)，所以能夠?qū)?第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4的各個(gè)與作為遮光部發(fā)揮作用的 存儲(chǔ)電容70a的各部分Pyl、…、Py8相互重疊的部分的大小設(shè)置為相互 大體相同。因而，在圖11中，能夠大體消除與元件部130b電氣連接的數(shù)據(jù)線6a2 與第3像素電極9a3之間的寄生電容Ca31、該數(shù)據(jù)線6a2與第4像素電極 9a4之間的寄生電容Ca41的差。進(jìn)而，能夠大體消除與電氣連接在元件部 130b上的數(shù)據(jù)線6a2相鄰的數(shù)據(jù)線6al(換句話(huà)說(shuō)，與元件部130a電氣連 接的數(shù)據(jù)線6al )與第3像素電極9a3之間的寄生電容Ca32、該數(shù)據(jù)線6al 與第4像素電極9a4之間的寄生電容Ca42的差。由此，能夠?qū)⒌?像素 電極9a3的電位保持特性和第4像素電極9a4的電位保持特性設(shè)置為相互 大體相同。其結(jié)果，能夠?qū)⒃O(shè)置有第3像素電極9a3的像素的顯示特性和 設(shè)置有第4像素電極9a4的像素的顯示特性設(shè)置為相互大體相同。加之，在本實(shí)施方式中，第l部分Pyl、第3部分Py3、笫5部分Py5 以及笫7部分Py7的各自的形狀以成為相互相同的方式形成，第2部分Py2、 第4部分Py4、第6部分Py6以及第8部分Py8的各自的形狀以成為相互 相同的方式形成。由此，能夠?qū)⒎謩e設(shè)置有第l像素電極9al、第2像素 電極9a2、第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4的各像素的顯示特性 進(jìn)一步可靠地設(shè)置為相互大體相同。即，能夠?qū)?gòu)成圖像顯示區(qū)域10a的 各像素的顯示特性設(shè)置為大體均勻。其結(jié)果，可以提高顯示在圖像顯示區(qū) 域10a的顯示圖像的品質(zhì)。圖12是本實(shí)施方式的笫2比較例的、與圖10同一含義的示意圖，圖 13是本實(shí)施方式的第2比較例的、與圖11同一含義的示意圖。如圖12中作為第2比較例所示的那樣，假設(shè)，在第1像素電極9al 以及第2像素電極9a2作為沿著Y方向相互相鄰的像素電極9a設(shè)置的情 況下，即，在例如第1像素電極9al作為與第1部分Pyl以及第3部分Py3 部分地重疊(更詳細(xì)地說(shuō)，進(jìn)一步地，與第6部分Py6以及第8部分Py8部分地重疊，并且不與第2部分Py2、第4部分Py4、第5部分Py5以及 第7部分Py7重疊)的像素電極9a設(shè)置、第2像素電極9a2作為與第2 部分Py2以及第4部分Py4部分地重疊(更詳細(xì)地i兌，進(jìn)一步地，與第5 部分Py5以及第7部分Py7部分地重疊，并且不與第l部分Pyl、第3部 分Py3、第6部分Py6以及第8部分Py8重疊)的像素電極9a設(shè)置的情況下，第1像素電極9al以及第2像素電極9a2的各個(gè)與各部分Pyl.....Py8相互重疊的部分的大小將相互不同。因而，在圖13中，與元件部130a(即，TFT30al以及30a2)電氣連 接的數(shù)據(jù)線6al與第1像素電極9al之間的寄生電容Call、該數(shù)據(jù)線6al 與第2像素電極9a2之間的寄生電容Ca21將相互不同。更具體地說(shuō)，由 于第2像素電極9a2與第2部分Py2以及第4部分Py4相互重疊的部分的 大小比笫1像素電極9al與第1部分Pyl以及第3部分Py3相互重疊的部 分的大小要小的原因，數(shù)據(jù)線6al與第1像素電極9al之間的寄生電容Call 具有比數(shù)據(jù)線6al與第2像素電極9a2之間的寄生電容Ca21要小的電容 值。進(jìn)而，在此情況下，與電氣連接在元件部130a上的數(shù)據(jù)線6al相鄰的 數(shù)據(jù)線6a2 (換句話(huà)說(shuō)，與元件部130b電氣連接的數(shù)椐線6a2 )與第1像 素電極9al之間的寄生電容Cal2、該數(shù)據(jù)線6a2與第2像素電極9a2之間 的寄生電容Ca22將相互不同。更具體地說(shuō)，由于第2像素電極9a2與第5 部分Py5以及第7部分Py7相互重疊的部分的大小比笫l像素電極9al與 第6部分Py6以及第8部分Py8相互重疊的部分的大小要大的原因，數(shù)據(jù) 線6a2與第1像素電極9al之間的寄生電容Cal2具有比數(shù)據(jù)線6a2與第2 像素電極9a2之間的寄生電容Ca22要大的電容值。因此，第1像素電極 9al的電位保持特性和笫2像素電極9a2的電位保持特性將有可能相互不 同。因而，設(shè)置有第l像素電極9al的像素的顯示特性和設(shè)置有第2像素 電極9a2的像素的顯示特性將有可能相互不同。加之，在圖12所示的第2比較例中，如上所述，與第1像素電極9al以及第2像素電極9a2的各個(gè)同各部分Pyl..... Py8相互重疊的部分的大小將相互不同同樣，第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4的各個(gè)同各部分Pyl、…、Py8相互重疊的部分的大小也將相互不同。因此，設(shè)置 有第3像素電極9a3的像素的顯示特性和設(shè)置有第4像素電極9a4的像素 的顯示特性將有可能相互不同。然而，在本實(shí)施方式中，特別地，如上所述，第l像素電極9al以及 第2像素電極9a2分別配置在多個(gè)像素中形成有存儲(chǔ)電容70a的第1部分 Pyl以及第3部分Py3并沿著X方向相互相鄰的像素上，進(jìn)而，第3像素 電極9a3以及第4像素電極9a4分別配置在多個(gè)像素中形成有存儲(chǔ)電容70a 的第5部分Py5以及第7部分Py7并沿著X方向相互相鄰的像素上。即， 配置第1像素電極9al、第2像素電極9a2、第3像素電極9a3以及第4 像素電極9a4的各個(gè)的像素，在多個(gè)像素中，統(tǒng)一在與作為遮光部發(fā)揮作 用的部分Py(即，第l部分Pyl、…、第7部分或者第8部分Py8)重疊 的像素上，其中該遮光部覆蓋與該像素電極9a (即，第l像素電極9al、 第2像素電極9a2、第3像素電極9a3或者第4像素電極9a4)電氣連接的 TFT30 (即，TFT30al、 30a2、 30bl或者30b2 )的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb (即，數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb-l、 lb-2、 lb-3或者lb-4)。由此，能夠進(jìn) 一步可靠地將分別設(shè)置有第l像素電極9al、第2像素電極9a2、第3像素 電極9a3以及第4像素電極9a4的各像素的顯示特性設(shè)置為相互大體相同。如上所述，如果采用本實(shí)施方式的液晶裝置，則不會(huì)招致開(kāi)口率的徒 然的降低，而能夠降低因光泄漏電流的產(chǎn)生而發(fā)生的閃爍等顯示不良，并 且還可以降低因各像素的開(kāi)口率的不同而引起的顯示不良。進(jìn)而，可以將 各像素的顯示特性設(shè)置成相互相同。其結(jié)果，如果采用本實(shí)施方式的液晶 裝置，則可以實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的圖像顯示。 <第2實(shí)施方式〉參照?qǐng)D14以及圖15說(shuō)明第2實(shí)施方式的液晶裝置。 圖14是第2實(shí)施方式的、與圖10同一含義的示意圖，圖15是第2 實(shí)施方式的、與圖11同一含義的示意圖。進(jìn)而，在圖15中，示出的是圖 14所示的部分的電氣構(gòu)成。在圖14以及圖15中，對(duì)與圖l至圖ll所示 的第1實(shí)施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的參照標(biāo)號(hào)，并適宜省略它們的說(shuō)明。在圖14中，第2實(shí)施方式的液晶裝置，與上述的第1實(shí)施方式的液晶 裝置比較，其第1像素電極9al、第2像素電極9a2、第3像素電極9a3 以及第4像素電極9a4的配置不同，而有關(guān)其他的方面，則與上述的第1 實(shí)施方式的液晶裝置大致同樣地構(gòu)成。在圖14中，在本實(shí)施方式中，特別地，第l像素電極9al配置在多個(gè) 像素中、形成有存儲(chǔ)電容70a的第2部分Py2 (更詳細(xì)地說(shuō)，覆蓋與該第 1像素電極9al電氣連接的元件部130a的像素電極側(cè)LDD區(qū)域le-l的第 2部分Py2 )并沿著X方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中，第2像素電極 9a2配置在多個(gè)像素中、形成有存儲(chǔ)電容70a的第4部分Py4 (更詳細(xì)地 說(shuō)，覆蓋與該第2像素電極9a2電氣連接的元件部130a的像素電極側(cè)LDD 區(qū)域lc-2的第4部分Py4)并沿著X方向相互相鄰的4象素的任意一個(gè)中。 進(jìn)而，第l像素電極9al以及第2像素電極9a2相對(duì)于與該第l像素電極 9al以及第2像素電極9a2電氣連接的元件部130a，配置在同一側(cè)(即， 圖中，相對(duì)于元件部130a的右側(cè)或者左側(cè))。即，與元件部130a電氣連接的第1像素電極9al以及第2像素電極 9a2作為矩陣狀地排列的多個(gè)像素電極9a之中、在TFT陣列基板10上平 面地看分別與笫2部分Py2以及第4部分Py4重疊的像素電極9a而設(shè)置， 其中該第2部分Py2以及第4部分Py4分別覆蓋該元件部130a的數(shù)據(jù)線 側(cè)LDD區(qū)域lc-l以及l(fā)c-2。換句話(huà)說(shuō)，元件部130a的第1 ^象素電極側(cè)源 漏區(qū)域le-l以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-2分別與矩陣狀地排列的多個(gè) 像素電極9a之中、在TFT陣列基板10上平面地看與第2部分Py2以及笫 4部分Py4重疊的像素電極9a電氣連接，其中該第2部分Py2以及第4部 分Py4的X方向的寬度比分別覆蓋該元件部130a的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域 lb-l以及l(fā)b-2的第1部分Pyl以及第3部分Py3要寬。即，第1像素電 極9al以及第2像素電極9a2的各個(gè)，以在TFT陣列_14110上平面地看， 均與第2部分Py2以及笫4部分Py4部分地重疊并且不與第l部分Pyl以 及第3部分Py3重疊的方式設(shè)置。即，第l像素電極9al以及第2像素電極9a2的各個(gè)所被配置到的像素，統(tǒng)一在多個(gè)像素中、與第2部分Py2以 及第4部分Py4重疊的像素上，其中該第2部分Py2以及第4部分Py4分 別覆蓋與該第1像素電極9al以及第2像素電極9a2電氣連接的元件部 130a的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-l以及l(fā)c-2。由此，能夠?qū)⒃O(shè)置有第1像素電極9al的像素的顯示特性和設(shè)置有第 2像素電極9a2的像素的顯示特性設(shè)置為相互大體相同。因而，在圖15中，能夠大體消除與元件部130a電氣連接的數(shù)據(jù)線6al 與笫1像素電極9al之間的寄生電容Call、該數(shù)據(jù)線6al與第2像素電極 9a2之間的寄生電容Ca21的差。進(jìn)而，能夠大體消除與電氣連接在元件部 130a上的數(shù)據(jù)線6al相鄰的數(shù)據(jù)線6a2 (換句話(huà)說(shuō)，與元件部130b電氣連 接的數(shù)據(jù)線6a2 )與第1像素電極9al之間的寄生電容Cal2、該數(shù)據(jù)線6a2 與第2像素電極9a2之間的寄生電容Ca22的差。由此，能夠?qū)⒌?像素 電極9al的電位保持特性和第2像素電極9a2的電位保持特性設(shè)置為相互 大體相同。進(jìn)而，在圖14中，在本實(shí)施方式中，特別地，第3像素電極9a3配置 在多個(gè)像素中、形成有存儲(chǔ)電容70a的第6部分Py6 (更詳細(xì)地說(shuō)，覆蓋 與該第3像素電極9a3電氣連接的元件部130b的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-3 的第6部分Py6)并沿著X方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中，第4像素 電極9a4配置在多個(gè)像素中、形成有存儲(chǔ)電容70a的第8部分Py8 (更詳 細(xì)地說(shuō)，覆蓋與該第4^f象素電極9a4電氣連接的元件部130b的像素電極側(cè) LDD區(qū)域lc-4的第8部分Py8 )并沿著X方向相互相鄰的像素的任意一 個(gè)中。進(jìn)而，第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4相對(duì)于與該第3像 素電極9a3以及第4像素電極9a4電氣連接的元件部130b,配置在同一側(cè) (即，圖中，相對(duì)于元件部130b的右側(cè)或者左側(cè))。 -即，與元件部130a電氣連接的第3像素電極9a3以及第4像素電極 9a4作為矩陣狀地排列的多個(gè)像素電極9a之中、在TFT陣列基板10上平 面地看分別與第6部分Py6以及第8部分Py8重疊的像素電極9a而設(shè)置， 其中該第6部分Py6以及第8部分Py8分別覆蓋該元件部130b的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-3以及l(fā)c-4。換句話(huà)說(shuō)，元件部130b的第3像素電極側(cè) 源漏區(qū)域le-3以及第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域le-4分別與矩陣狀地排列的多 個(gè)像素電極9a之中、在TFT陣列基板10上平面地看與笫6部分Py6以及 第8部分Py8重疊的像素電極9a電氣連接，其中該第6部分Py6以及第8 部分Py8的X方向的寬度比分別覆蓋該元件部130b的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域 lb-3以及l(fā)b-4的第5部分Py5以及第7部分Py7要寬。即，第3像素電 極9a3以及第4像素電極9a4的各個(gè)，以在TFT陣列基板10上平面地看， 均與第6部分Py6以及笫8部分Py8部分地重疊并且不與第5部分Py5以 及第7部分Py7重疊的方式設(shè)置。即，第3像素電極9a3以及第4像素電 極9a4的各個(gè)所被配置到的像素，統(tǒng)一在多個(gè)像素中、與第6部分Py6以 及第8部分Py8重疊的像素上，其中該第6部分Py6以及第8部分Py8分 別覆蓋與該第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4電氣連接的元件部 130a的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-3以及l(fā)c-4。由此，能夠?qū)⒃O(shè)置有第3像素電極9a3的像素的顯示特性和設(shè)置有第 4像素電極9a4的像素的顯示特性設(shè)置成相互大體相同。因而，在圖15中，能夠大體消除與元件部130b電氣連接的數(shù)據(jù)線6a2 與第3像素電極9a3之間的寄生電容Ca31 、該數(shù)據(jù)線6a2與笫4像素電極 9a4之間的寄生電容Ca41的差。進(jìn)而，能夠大體消除與電氣連接在元件部 130b上的數(shù)據(jù)線6a2相鄰的數(shù)據(jù)線6al (換句話(huà)說(shuō)，與元件部130a電氣連 接的數(shù)據(jù)線6al )與第3像素電極9a3之間的寄生電容Ca32、該數(shù)據(jù)線6al 與第4像素電極9a4之間的寄生電容Ca42的差。由此，能夠?qū)Ⅲ?像素 電極9a3的電位保持特性和第4像素電極9a4的電位保持特性設(shè)置為相互 大體相同。加之，在本實(shí)施方式的液晶裝置中，與上述的第1實(shí)施方式的液晶裝 置同樣，第l部分Pyl、第3部分Py3、第5部分Py5以及笫7部分Py7 的各自的形狀以成為相互相同的方式形成，第2部分Py2、第4部分Py4、 第6部分Py6以及第8部分Py8的各自的形狀以成為相互相同的方式形成。 由此，能夠?qū)⒎謩e設(shè)置有第l像素電極9al、第2像素電極9a2、第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4的各像素的顯示特性進(jìn)一步可靠地設(shè)置為 相互大體相同。而且，在本實(shí)施方式中，雖然如上所述構(gòu)成為第l像素電極9al以 及第2像素電極9a2相對(duì)于與該第1像素電極9al以及第2像素電極9a2 電氣連接的元件部130a配置在同一側(cè)(即，圖中，相對(duì)于元件部130a的 右側(cè)或者左側(cè))并且第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4相對(duì)于與該 第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4電氣連接的元件部130b配置在同 一側(cè)(即，圖中，相對(duì)于元件部130b的右側(cè)或者左側(cè))，但也可以如圖 16以及圖17所示的變形例那樣構(gòu)成。其中，圖16是本實(shí)施方式的變形例 的、與圖10同一含義的示意圖，圖17是本實(shí)施方式的變形例的、與圖ll 同一含義的示意圖。圖17示出的是圖16所示的部分的電氣構(gòu)成。即，如圖16中作為變形例所示出的，第l像素電極9al以及第2像素 電極9a2相對(duì)于與該第1像素電極9al以及第2像素電極9a2電氣連接的 元件部130a配置在相互不同側(cè)(即，圖中，第l像素電極9al相對(duì)于與該 第1像素電極9al電氣連接的元件部130a配置在右側(cè)，第2像素電極9a2 相對(duì)于與該第2像素電極9a2電氣連接的元件部130a配置在左側(cè))，第3 像素電極9a3以及第4像素電極9a4相對(duì)于與該第3像素電極9a3以及第 4像素電極9a4電氣連接的元件部130b配置在相互不同側(cè)(圖中，第3像 素電極9a3相對(duì)于與該第3像素電極9a3電氣連接的元件部130b配置在右 側(cè)，第4像素電極9a4相對(duì)于與該第4像素電極9a4電氣連接的元件部130b 配置在左側(cè))。在此情況下，也是，第1像素電極9al以及第2像素電極9a2的各個(gè) 所被配置到的像素，統(tǒng)一在多個(gè)像素中、與第2部分Py2以及第4部分Py4 重疊的像素上，其中該第2部分Py2以及第4部分Py4分別覆蓋與該第1 像素電極9al以及第2像素電極9a2電氣連接的元件部130a的像素電極側(cè) LDD區(qū)域lc-l以及l(fā)c-2，并且第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4 的各個(gè)所被配置到的像素，統(tǒng)一在多個(gè)像素中、與第6部分Py6以及第8 部分Py8重疊的像素上，其中該第6部分Py6以及第8部分Py8分別覆蓋與該第3像素電極9a3以及第4像素電極9a4電氣連接的元件部130b的像 素電極側(cè)LDD區(qū)域lc-3以及l(fā)c曙4。因而，在圖17中，能夠大體消除與元件部130a電氣連接的數(shù)據(jù)線6al 與第l像素電極9al之間的寄生電容Call、該數(shù)據(jù)線6al與笫2像素電極 9a2之間的寄生電容Ca21的差。進(jìn)而，能夠大體消除與電氣連接在元件部 130a上的數(shù)據(jù)線6al相鄰的數(shù)據(jù)線6a2 (換句話(huà)說(shuō)，與元件部130b電氣連 接的數(shù)據(jù)線6a2 )與第1像素電極9al之間的寄生電容Cal2、該數(shù)據(jù)線6a2 與第2像素電極9a2之間的寄生電容Ca22的差。由此，能夠?qū)⒌?像素 電極9al的電位保持特性和第2像素電極9a2的電位保持特性設(shè)置為相互 大體相同。進(jìn)而，能夠大體消除與元件部130b電氣連接的數(shù)據(jù)線6a2與第 3像素電極9a3之間的寄生電容Ca31、該數(shù)據(jù)線6a2與第4像素電極9a4 之間的寄生電容Ca41的差。進(jìn)而，能夠大體消除與電氣連接在元件部130b 上的數(shù)據(jù)線6a2相鄰的數(shù)據(jù)線6al (換句話(huà)說(shuō)，與元件部130a電氣連接的 數(shù)據(jù)線6al)與第3像素電極9a3之間的寄生電容Ca32、該數(shù)據(jù)線6al與 第4像素電極9a4之間的寄生電容Ca42的差。由此，能夠?qū)⒌?像素電 極9a3的電位保持特性和第4像素電極9a4的電位保持特性設(shè)置為相互大 體相同。由此，與上述的第2實(shí)施方式的液晶裝置同樣，能夠?qū)⒎謩e設(shè)置有第 l像素電極9al、第2像素電極9a2、第3像素電極9a3以及第4像素電極 9a4的各像素的顯示特性設(shè)置成相互大體相同。 〈電子設(shè)備〉以下，參照?qǐng)D18說(shuō)明將作為上述的電光裝置的液晶裝置應(yīng)用于各種電 子設(shè)備中的情況。在此，圖18是示出投影機(jī)的結(jié)構(gòu)例的平面圖。以下，說(shuō) 明將該液晶裝置作為光閥使用的投影機(jī)。如圖18所示，在投影機(jī)1100內(nèi)部，設(shè)置有由閨素?zé)舻劝咨庠礃?gòu)成 的燈單元1102。從該燈單元1102射出的投影光由設(shè)置在光導(dǎo)向體1104內(nèi) 的4塊反射鏡1106以及2塊分色鏡1108分離成RGB三原色，并入射到 作為與各原色對(duì)應(yīng)的光閥的液晶面板1110R、 1110B以及1110G。液晶面板1110R、 1110B以及1110G的構(gòu)成與上述的液晶裝置相同， 其由從圖像信號(hào)處理電路提供的R、 G、 B原色信號(hào)分別驅(qū)動(dòng)。并且，由 這些液晶面板調(diào)制過(guò)的光，從3個(gè)方向入射到分色棱鏡1112。在該分色棱 鏡1112中，R以及B光卯度折射，另一方面，G光則直線前進(jìn)。因而， 各顏色的圖像合成后的結(jié)果，經(jīng)由投影透鏡1U4在屏幕等上投影彩色圖 像。在此，如果著眼于各液晶面板1110R、 1110B以及1110G所形成的顯 示像，則由液晶面板1110G形成的顯示像需要相對(duì)于由液晶面板1110R、 1110B形成的顯示像進(jìn)行左右反轉(zhuǎn)。而且，因?yàn)槔梅稚R1108的作用，使與R、 G、 B各原色對(duì)應(yīng)的光 入射到液晶面板1110R、 1110B以及1110G，所以，不需要設(shè)置濾色器。而且，除了參照?qǐng)D18說(shuō)明的電子設(shè)備外，還可以列舉出移動(dòng)型個(gè)人計(jì) 算機(jī)、移動(dòng)電話(huà)、液晶電視、取景器型或監(jiān)視器直視型錄像機(jī)、汽車(chē)導(dǎo)航 裝置、尋呼機(jī)、電子記事簿、電子計(jì)算器、文字處理機(jī)、工作站、電視電 話(huà)、POS終端、具備觸摸面板的裝置等。并且，顯而易見(jiàn)地，應(yīng)用于這各 種電子設(shè)備是可能的。此外，本發(fā)明，除去用上述的實(shí)施方式所說(shuō)明的液晶裝置以外，也可 以應(yīng)用于在硅基板上形成元件的反射型液晶裝置(LCOS)、等離子顯示 器(PDP)、場(chǎng)致發(fā)射型顯示器(FED、 SED)、有機(jī)EL顯示器、數(shù)字 微鏡器件(DMD)、電泳裝置等。本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，在不背離可以從權(quán)利要求的范圍和說(shuō) 明書(shū)全體所獲得的本發(fā)明的主旨或思想的范圍內(nèi)可進(jìn)行適宜改變，伴隨著 這樣的改變的電光裝置用基板、具備該電光裝置用基板的電光裝置以及具 備該電光裝置的電子設(shè)備也都包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置用基板，其特征在于，具備基板；設(shè)置在上述基板上的多條數(shù)據(jù)線；分別在構(gòu)成上述基板上的像素區(qū)域的多個(gè)像素中形成的多個(gè)像素電極；在將上述多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相互隔開(kāi)的非開(kāi)口區(qū)域中沿著上述數(shù)據(jù)線延伸的第1方向延伸的一個(gè)區(qū)域中、沿著上述第1方向形成并且沿著與上述第1方向交叉的第2方向與上述一個(gè)區(qū)域相鄰并且沿著上述第1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地形成并且具有半導(dǎo)體層的元件部，該半導(dǎo)體層包含(i)與上述多條數(shù)據(jù)線中、在上述一個(gè)區(qū)域中沿著上述第1方向延伸的一條數(shù)據(jù)線電氣連接的第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，(ii)沿著上述第1方向位于上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的兩側(cè)的第1溝道區(qū)域以及第2溝道區(qū)域，(iii)從上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上述第1方向位于上述第1溝道區(qū)域以及第2溝道區(qū)域的各個(gè)的外側(cè)并且與上述多個(gè)像素電極中相互不同的第1像素電極以及第2像素電極的各個(gè)電氣連接的第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域，(iv)形成在上述第1溝道區(qū)域以及上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第1接合區(qū)域，(v)形成在上述第1溝道區(qū)域以及上述第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第2接合區(qū)域，(vi)形成在上述第2溝道區(qū)域以及上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第3接合區(qū)域，(vii)形成在上述第2溝道區(qū)域以及上述第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第4接合區(qū)域；在上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述第1接合區(qū)域的第1遮光部；在上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第2接合區(qū)域并且其上述第2方向的寬度比上述第1遮光部寬的第2遮光部；在上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述第3接合區(qū)域的第3遮光部；以及在上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第4接合區(qū)域并且其上述第2方向的寬度比上述第3遮光部寬的第4遮光部；其中，上述第1像素電極以及上述第2像素電極分別配置在上述多個(gè)像素中、形成有上述第1遮光部以及第3遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的像素中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電光裝置用基板，其特征在于上述第1 至第4接合區(qū)域的各個(gè)是LDD區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的電光裝置用基板，其特征在于上 述第1至第4遮光部的各個(gè)配置在上述元件部的正上方。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3的任意一項(xiàng)所述的電光裝置用基板，其特征 在于上述第1以及第2遮光部構(gòu)成第1電容元件，該第1電容元件具有一 對(duì)第1電容電極以及夾持在該一對(duì)第1電容電極之間的第1電介質(zhì)膜；上述第3以及第4遮光部構(gòu)成第2電容元件，該第2電容元件具有一 對(duì)第2電容電極以及夾持在該一對(duì)第2電容電極之間的第2電介質(zhì)膜；上述第1電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng)由上述一條數(shù)據(jù)線被提供給上述第 l像素電極時(shí)，保持上述第l像素電極的電位；上述第2電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng)由上述一條數(shù)據(jù)線被提供給上述第 2像素電極時(shí)，保持上述第2像素電極的電位。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光裝置用基板，其特征在于在上述一 對(duì)第1和第2電容電極中，至少其中任意一個(gè)一對(duì)電容電極包含導(dǎo)電性遮 光膜而構(gòu)成。
6. —種電光裝置用基板，其特征在于，具備基板；設(shè)置在上述基板上的多條數(shù)據(jù)線；分別在構(gòu)成上述基板上的像素區(qū)域的多個(gè)像素中形成的多個(gè)像素電極；在將上述多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相互隔開(kāi)的非開(kāi)口區(qū)域中沿著上 述數(shù)據(jù)線延伸的第1方向延伸的一個(gè)區(qū)域中、沿著上迷第1方向形成并且沿著與上述第1方向交叉的第2方向與上述一個(gè)區(qū)域相鄰并且沿著上述第 1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地形成并且具有半導(dǎo)體層的元件部，該半導(dǎo)體層包 含(i)與上述多條數(shù)據(jù)線中、在上述一個(gè)區(qū)域中沿著上述笫1方向延伸 的一條數(shù)據(jù)線電氣連接的第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，(ii)沿著上述笫1方向 位于上述第l數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的兩側(cè)的第1溝道區(qū)域以及第2溝道區(qū)域， (iii)從上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上述第1方向位于上述第1 溝道區(qū)域以及第2溝道區(qū)域的各個(gè)的外側(cè)并且與上述多個(gè)像素電極中相互 不同的第l像素電極以及第2像素電極的各個(gè)電氣連接的第l像素電極側(cè) 源漏區(qū)域以及第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域，(iv)形成在上述第1溝道區(qū)域 以及上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第l接合區(qū)域，(v)形成在上述第 1溝道區(qū)域以及上述第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第2接合區(qū)域，(vi) 形成在上述第2溝道區(qū)域以及上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第3接合 區(qū)域，(vii)形成在上述第2溝道區(qū)域以及上述第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域 之間的第4接合區(qū)域；在上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上迷第1方向形成并且覆蓋上述第1 接合區(qū)域的第l遮光部；在上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第2接合區(qū)域并且其上述第 2方向的寬度比上述第1遮光部寬的第2遮光部；在上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上迷第1方向形成并且覆蓋上述第3 接合區(qū)域的第3遮光部；以及在上述半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第4接合區(qū)域并且其上述第 2方向的寬度比上述第3遮光部寬的第4遮光部；其中，上述第l像素電極配置在上迷多個(gè)像素中、形成有上述第2遮 光部并沿著上述第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中；上述第2像素電極配置在上迷多個(gè)像素中、形成有上述第4遮光部并 沿著上述第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中。
7. —種電光裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1至6的任意一項(xiàng)所 述的電光裝置用基板。
8. —種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求7所述的電光裝置。
9. 一種電光裝置用基板，其特征在于，具備 基板；在上述基板上相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線；與上述多條數(shù)據(jù)線以及上述多條掃描線的交叉對(duì)應(yīng)地被規(guī)定并且在構(gòu) 成上述基板上的顯示區(qū)域的多個(gè)像素中形成的多個(gè)像素電極；在將上述多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相互隔開(kāi)的非開(kāi)口區(qū)域中沿著上 述數(shù)據(jù)線延伸的第1方向延伸的一個(gè)區(qū)域中、沿著上述第1方向形成并且 具有第l半導(dǎo)體層的第l元件部，該第l半導(dǎo)體層包含(i)與上述多條 數(shù)據(jù)線中、在上述一個(gè)區(qū)域中沿著上述第1方向延伸的一條數(shù)據(jù)線電氣連 接的第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，(ii)沿著上述第1方向位于上述笫1數(shù)據(jù)線 側(cè)源漏區(qū)域的兩側(cè)的第1溝道區(qū)域以及第2溝道區(qū)域，(iii)從上述第1 數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上述第1方向位于上述第1以及第2溝道區(qū)域 的各個(gè)的外側(cè)并且與上述多個(gè)像素電極中相互不同的第1像素電極以及第 2像素電極的各個(gè)電氣連接的第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第2像素電極 側(cè)源漏區(qū)域，(iv)形成在上述第1溝道區(qū)域以及上述笫1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏 區(qū)域之間的第1接合區(qū)域，(v)形成在上述第1溝道區(qū)域以及上述第1 像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第2接合區(qū)域，(vi)形成在上述第2溝道區(qū) 域以及上述第l數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第3接合區(qū)域，(vii)形成在上 述第2溝道區(qū)域以及上述第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第4接合區(qū)域；在上述非開(kāi)口區(qū)域中沿著與上述第1方向交叉的第2方向與上述一個(gè) 區(qū)域相鄰并且在上述第1方向上延伸的另一區(qū)域中、從上述第1元件部看 沿著上述第1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地形成并且具有第2半導(dǎo)體層的第2元 件部，該第2半導(dǎo)體層包含(viii)與上述多條數(shù)據(jù)線中、在上述另一個(gè) 區(qū)域中沿著上述第1方向延伸的另一條數(shù)據(jù)線電氣連接的第2數(shù)據(jù)線側(cè)源 漏區(qū)域，(ix)在上述第1方向上、從上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、形成在與形成有上述第1溝道區(qū)域的一側(cè)相同側(cè)的第3溝道區(qū)域以及形成在 與形成有上述第2溝道區(qū)域的一側(cè)相同側(cè)的第4溝道區(qū)域，(x)從上述第 2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上述第1方向位于上述第3以及第4溝道區(qū) 域的各個(gè)的外側(cè)并且與上述多個(gè)像素電極中相互不同的第3像素電極以及 第4像素電極電氣連接的第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第4像素電極側(cè)源 漏區(qū)域，(xi)形成在上述第3溝道區(qū)域以及上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域 之間的第5接合區(qū)域，(xii)形成在上述第3溝道區(qū)域以及上述第3#>素 電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第6接合區(qū)域；(xiii)形成在上述第4溝道區(qū)域以 及上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第7接合區(qū)域，(xiv)形成在上迷第 4溝道區(qū)域以及上述第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的笫8接合區(qū)域；在上迷第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述 笫l接合區(qū)域的第l遮光部；在上述第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第2接合區(qū)域并且其上 述第2方向的寬度比上述第1遮光部寬的第2遮光部；在上述第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述 第3接合區(qū)域的第3遮光部；在上迷第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第4接合區(qū)域并且其上 述第2方向的寬度比上述第3遮光部寬的第4遮光部；在上迷第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述 第5接合區(qū)域的第5遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第6接合區(qū)域并且其上 述第2方向的寬度比上述第5遮光部寬的第6遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述 第7接合區(qū)域的第7遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第8接合區(qū)域并且其上 述第2方向的寬度比上述笫7遮光部寬的第8遮光部；其中，上述第1以及第2像素電極分別配置在上述多個(gè)像素中、形成 有上述第1以及第3遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的像素中；上迷第3以及笫4像素電極分別配置在上述多個(gè)像素中、形成有上述 笫5以及第7遮光部并沿著上述第2方向相互相鄰的^^素中。
10. 根椐權(quán)利要求9所述的電光裝置用基板，其特征在于上述第1 至笫8接合區(qū)域的各個(gè)是LDD區(qū)域。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9或者10所述的電光裝置用基板，其特征在于 上述第1至第8遮光部的各個(gè)配置在上述第1以及第2元件部的各個(gè)的正 上方。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9至11的任意一項(xiàng)所述的電光裝置用基板，其特 征在于上述第1以及第2遮光部構(gòu)成第1電容元件，該第1電容元件具有一 對(duì)第1電容電極以及夾持在該一對(duì)第1電容電極之間的第1電介質(zhì)膜；上述第3以及第4遮光部構(gòu)成第2電容元件，該第2電容元件具有一 對(duì)笫2電容電極以及夾持在該一對(duì)第2電容電極之間的第2電介質(zhì)膜；上述第5以及第6遮光部構(gòu)成第3電容元件，該第3電容元件具有一 對(duì)第3電容電極以及夾持在該一對(duì)第3電容電極之間的第3電介質(zhì)膜；上述第7以及第8遮光部構(gòu)成第4電容元件，該第4電容元件具有一 對(duì)第4電容電極以及夾持在該一對(duì)第4電容電極之間的第4電介質(zhì)膜；上述第1電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng)由上述一條數(shù)據(jù)線被提供給上述第 1像素電極時(shí)，保持上述第1像素電極的電位；上述第2電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng)由上述一條數(shù)據(jù)線被提供給上述第 2像素電極時(shí)，保持上述第2像素電極的電位；上述第3電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng)由上述另一條數(shù)據(jù)線被提供給上述 第3像素電極時(shí)，保持上述第3像素電極的電位；上述第4電容元件，在圖像信號(hào)經(jīng)由上述另一條數(shù)據(jù)線被提供給上述 第4像素電極時(shí)，保持上述第4像素電極的電位。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電光裝置用基板，其特征在于上述一 對(duì)第1至第4電容電極中，至少其中任意一個(gè)一對(duì)電容電極包含導(dǎo)電性遮 光膜而構(gòu)成。
14. 一種電光裝置用基板，其特征在于，具備 基板；在上迷基板上相互交叉的多條數(shù)據(jù)線以及多條掃描線； 與上述多條數(shù)據(jù)線以及上述多條掃描線的交叉對(duì)應(yīng)地被〗見(jiàn)定并且在構(gòu) 成上述基板上的顯示區(qū)域的多個(gè)像素中形成的多個(gè)像素電極；在將上述多個(gè)像素的各個(gè)的開(kāi)口區(qū)域相互隔開(kāi)的非開(kāi)口區(qū)域中沿著上 述數(shù)據(jù)線延伸的第1方向延伸的一個(gè)區(qū)域中、沿著上述第1方向形成并且 具有第l半導(dǎo)體層的第l元件部，該第l半導(dǎo)體層包含(i)與上述多條 數(shù)據(jù)線中、在上述一個(gè)區(qū)域中沿著上述第1方向延伸的一條數(shù)據(jù)線電氣連 接的第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，(U)沿著上述第1方向位于上述第1數(shù)據(jù)線 側(cè)源漏區(qū)域的兩側(cè)的第1溝道區(qū)域以及第2溝道區(qū)域，(iii)從上述第1 數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上述第1方向位于上述第1溝道區(qū)域以及上述 第2溝道區(qū)域的各個(gè)的外側(cè)并且與上述多個(gè)像素電極中相互不同的第l像 素電極以及第2像素電極的各個(gè)電氣連接的第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及 第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域，(iv)形成在上迷第1溝道區(qū)域以及上述笫1 數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的第l接合區(qū)域，(v)形成在上述第1溝道區(qū)域以 及上述第1像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第2接合區(qū)域，(vi)形成在上述 第2溝道區(qū)域以及上述第1數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的笫3接合區(qū)域，(vii) 形成在上述笫2溝道區(qū)域以及上述第2像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第4接 合區(qū)域；在上述非開(kāi)口區(qū)域中沿著與上述第1方向交叉的第2方向與上述一個(gè) 區(qū)域相鄰并且在上述第1方向上延伸的另一區(qū)域中、從上述第1元件部看 沿著上述第1方向錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地形成并且具有第2半導(dǎo)體層的第2元 件部，該第2半導(dǎo)體層包含(vUi)與上述多條數(shù)據(jù)線中、在上述另一個(gè) 區(qū)域中沿著上述第1方向延伸的另一條數(shù)據(jù)線電氣連接的第2數(shù)據(jù)線側(cè)源 漏區(qū)域，(ix)在上述第1方向上、從上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、形 成在與形成有上述第1溝道區(qū)域的一側(cè)相同側(cè)的第3溝道區(qū)域以及形成在 與形成有上述第2溝道區(qū)域的一側(cè)相同側(cè)的第4溝道區(qū)域，(x)從上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域看、沿著上述第1方向位于上述第3溝道區(qū)域以及第4 溝道區(qū)域的各個(gè)的外側(cè)并且與上述多個(gè)像素電極中相互不同的第3像素電 極以及笫4像素電極電氣連接的第3像素電極側(cè)源漏區(qū)域以及第4像素電 極側(cè)源漏區(qū)域，(xi)形成在上述笫3溝道區(qū)域以及上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源 漏區(qū)域之間的第5接合區(qū)域，(xii)形成在上述第3溝道區(qū)域以及上述第 3像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第6接合區(qū)域；(xiii)形成在上述第4溝道 區(qū)域以及上述第2數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間的笫7接合區(qū)域，(xiv)形成在 上述第4溝道區(qū)域以及上述第4像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間的第8接合區(qū)域；在上述第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述 第l接合區(qū)域的第l遮光部；在上述第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第2接合區(qū)域并且其上 述第2方向的寬度比上述第1遮光部寬的第2遮光部；在上述第1半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述 第3接合區(qū)域的第3遮光部；在上述笫1半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第4接合區(qū)域并且其上 述第2方向的寬度比上述第3遮光部寬的笫4遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述第1方向形成并且覆蓋上述 第5接合區(qū)域的第5遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第6接合區(qū)域并且其上 述第2方向的寬度比上述第5遮光部寬的第6遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)、沿著上述笫1方向形成并且覆蓋上述 第7接合區(qū)域的笫7遮光部；在上述第2半導(dǎo)體層的上層側(cè)形成、覆蓋上述第8接合區(qū)域并且其上 述第2方向的寬度比上述第7遮光部寬的第8遮光部；其中，上述第l像素電極配置在上述多個(gè)像素中、形成有上述第2遮 光部并沿著上述笫2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中；上述第2像素電極配置在上述多個(gè)像素中、形成有上述第4遮光部并 沿著上述第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中；上述第3像素電極配置在上述多個(gè)像素中、形成有上述第6遮光部并 沿著上述第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中；上述第4像素電極配置在上述多個(gè)像素中、形成有上述第8遮光部并 沿著上述第2方向相互相鄰的像素的任意一個(gè)中。
15. —種電光裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求9至14的任意一項(xiàng) 所述的電光裝置用基板。
16. —種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求15所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提高液晶裝置等電光裝置的顯示性能。本發(fā)明的電光裝置用基板具備沿著Y方向相互錯(cuò)開(kāi)1個(gè)像素量地配置的元件部130a以及130b；分別覆蓋數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域1b-1以及1b-2的部分Py1以及Py3；分別覆蓋像素電極側(cè)LDD區(qū)域1c-1以及1c-2的部分Py2以及Py4；分別覆蓋數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域1b-3以及1b-4的部分Py5以及Py7；分別覆蓋像素電極側(cè)LDD區(qū)域1c-3以及1c-4的部分Py6以及Py8。進(jìn)而，像素電極9a1以及9a2分別配置在形成有部分Py1以及Py3且沿著X方向相互相鄰的像素中，像素電極9a3以及9a4分別配置在形成有部分Py5以及Py7且沿著X方向相互相鄰的像素中。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101241285SQ20081000560
公開(kāi)日2008年8月13日 申請(qǐng)日期2008年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月7日
發(fā)明者石井達(dá)也 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社