專利名稱：帶熱衰減裝置的光學(xué)成像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)成像裝置。本發(fā)明可用在制造微電子電路所 使用的微光刻技術(shù)中。本發(fā)明還涉及一種光學(xué)成像方法，該方法特 別是借助根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像裝置來實(shí)施。
背景技術(shù)：
特別是在微光刻領(lǐng)域中，除了使用具有高精度的部件之外，必須 在工作期間，在盡可能大的程度上保持成像裝置部件的位置和幾何 尺寸不變，以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)高的成像質(zhì)量，成像裝置部件例如為諸如透 鏡、反射鏡和光柵之類的光學(xué)元件。處于數(shù)量級(jí)為幾納米的微小范
圍內(nèi)的高精度要求仍然是如下需要的結(jié)果降低在制造微電子電路
為了實(shí)現(xiàn)增加的分辨率，可以減小所使用的光的波長(zhǎng)，正如這是 在超紫外線(EUV)范圍內(nèi)，以范圍為13 nm的工作波長(zhǎng)工作的系 統(tǒng)的情況，或者可以增加所使用的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。顯著增加 數(shù)值孔徑至超過1的一種可能方案是在所謂的浸沒系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)，其 中，具有大于1的折射率的浸沒介質(zhì)被放置在投影系統(tǒng)的浸沒元件 與待曝光的襯底之間。利用具有特別高的折射率的光學(xué)元件可以進(jìn) 一步增加數(shù)值孔徑。
應(yīng)當(dāng)理解，在所謂的單浸沒系統(tǒng)中，浸沒元件(即至少部分與浸 沒介質(zhì)接觸、處于浸沒狀態(tài)的光學(xué)元件)通常是最靠近待曝光的襯 底的最后一個(gè)光學(xué)元件。在這里，浸沒介質(zhì)通常與該最后一個(gè)光學(xué) 元件和襯底接觸。在所謂的雙浸沒系統(tǒng)中，浸沒元件不一定必須是 最后一個(gè)光學(xué)元件，即最靠近襯底的光學(xué)元件。在這樣的雙浸沒系 統(tǒng)或多浸沒系統(tǒng)中，浸沒元件也可以通過一個(gè)或多個(gè)另外的光學(xué)元件與襯底隔開。在這種情況下，浸沒元件至少部分浸入在其中的浸 沒介質(zhì)可以例如放置在光學(xué)系統(tǒng)的兩個(gè)光學(xué)元件之間。
隨著工作波長(zhǎng)的減小和數(shù)值孔徑的增大，所用光學(xué)元件的定位精 度和尺寸精度要求在整個(gè)工作中變得更加苛刻。當(dāng)然，整個(gè)光學(xué)裝 置的成像誤差最小化要求也提高了。
當(dāng)然，在這里，在所用光學(xué)元件內(nèi)的溫度分布和可能由此最終導(dǎo) 致的相應(yīng)光學(xué)元件的變形，以及相應(yīng)光學(xué)元件最終的與溫度有關(guān)的 折射率變化是特別重要的。
從EP 1 477 853 A2 (授予Sakamoto)已知，對(duì)于EUV系統(tǒng)，主 動(dòng)地抵消反射鏡(僅在這樣的系統(tǒng)中可使用)由入射光導(dǎo)致的加熱 并且主動(dòng)將在反射鏡內(nèi)的給定位置上捕獲的溫度保持在給定的范圍 內(nèi)，該文獻(xiàn)的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。這是通過溫度調(diào)節(jié) 裝置來進(jìn)行，該溫度調(diào)節(jié)裝置設(shè)置在反射鏡背面的中央位置上且包 括珀耳帖元件或類似元件以提供目標(biāo)冷卻。這個(gè)解決方案一方面具 有這樣的缺點(diǎn)，即不適合用于折射光學(xué)元件，正如它們特別是用于 上面提到的浸沒系統(tǒng)中，因?yàn)橹醒霚囟日{(diào)節(jié)裝置會(huì)覆蓋光學(xué)使用的 區(qū)域。另一方面，只有在反射鏡內(nèi)的單個(gè)位置的溫度在考慮到由反 射鏡吸收的光能的條件下，被可靠地控制在幾乎穩(wěn)定的狀態(tài)下。環(huán) 境的其他熱影響，特別是不穩(wěn)定和/或局部變化的熱影響分另都仍然 沒有被考慮，不穩(wěn)定和/或局部變化的熱影響是如可能由浸沒介質(zhì)引 入的和可能引起在反射鏡內(nèi)的溫度分布中的動(dòng)態(tài)和局部波動(dòng)的那些 影響。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種光學(xué)成像裝置和一種光學(xué)成像 方法，該裝置和方法不呈現(xiàn)出這些缺點(diǎn)或者至少在更小的程度上呈 現(xiàn)出這些缺點(diǎn)，更具體地說，除了考慮到投影光的吸收效應(yīng)之外， 允許以簡(jiǎn)單的方式實(shí)現(xiàn)對(duì)作用于光學(xué)元件的局部熱環(huán)境影響的補(bǔ)償。本發(fā)明是基于這樣的發(fā)現(xiàn)，即這樣的熱環(huán)境影響，特別是來源于 浸沒介質(zhì)的影響在浸沒系統(tǒng)中可能引起在相應(yīng)光學(xué)元件的溫度分布 內(nèi)的局部波動(dòng)，這些局部波動(dòng)相對(duì)于投影光的吸收效應(yīng)是不可忽視 的，甚至是相當(dāng)可觀的。根據(jù)本發(fā)明，已經(jīng)表明， 一方面，如果設(shè) 有相應(yīng)的熱衰減裝置，其除了與吸收有關(guān)的波動(dòng)之外還減小在相應(yīng)
熱環(huán)境影響的期望補(bǔ)償對(duì)于折射系統(tǒng)和折射光學(xué)元件也分別如在浸 沒系統(tǒng)中所使用的那樣是可行的。為此目的，根據(jù)本發(fā)明，在一種 包括浸沒系統(tǒng)的變形方案中，為浸沒元件提供熱衰減裝置，所述熱 衰減裝置適合于提供特別是在浸沒元件的溫度分布內(nèi)由浸沒介質(zhì)引 起的波動(dòng)的減小。通過這種方式，除了考慮吸收效應(yīng)之外，還可以 考慮到在浸沒元件的溫度分布內(nèi)尤其是由浸沒介質(zhì)引起的局部波 動(dòng)。
此外，本發(fā)明還基于這樣的發(fā)現(xiàn)，即特別是對(duì)于折射元件，可以 建立特別考慮到不穩(wěn)定和/或局部環(huán)境影響的相應(yīng)溫度特性模型，并 將其用在對(duì)溫度分布的主動(dòng)控制中。利用這樣的溫度特性模型可以 預(yù)測(cè)或估計(jì)在對(duì)成像過程沒有干擾的條件下確實(shí)很難在光學(xué)使用區(qū) 域中測(cè)得的溫度分布，并在溫度分布控制中考慮該預(yù)觀'j或估計(jì)的溫 度分布。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種特別是用于微光刻技術(shù)中 的光學(xué)成像裝置，其包括用于接收包括投影圖案的掩模的掩模裝置、 具有光學(xué)元件組的投影裝置、用于接收襯底的襯底裝置以及浸沒區(qū)。 該光學(xué)元件組適合于將投影圖案投影到村底上，并且包含多個(gè)光學(xué) 元件，其中包括浸沒元件，襯底在工作期間至少暫時(shí)地與該浸沒元 件鄰接。在工作期間，該浸沒區(qū)設(shè)置在浸沒元件與襯底之間，且至 少暫時(shí)地填充有浸沒介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明，設(shè)有熱衰減裝置，所述熱
衰減裝置適合于減小浸沒元件的溫度分布TE內(nèi)由浸沒介質(zhì)引起的波動(dòng)。
本發(fā)明的另 一個(gè)目的在于提供一種特別是用于微光刻技術(shù)中的
27光學(xué)成像方法，其中，通過光學(xué)元件組的光學(xué)元件，將投影圖案投 影到襯底上，光學(xué)元件組的浸沒元件至少部分浸入在浸沒區(qū)的范圍 內(nèi)與襯底鄰接的浸沒介質(zhì)中。根據(jù)本發(fā)明，通過熱衰減裝置，減小 在浸沒元件的溫度分布TE內(nèi)由浸沒介質(zhì)引起的波動(dòng)。
本發(fā)明的另 一個(gè)目的是提供一種特別是用于微光刻技術(shù)中的光 學(xué)成像裝置，其包括用于接收包括投影圖案的掩模的掩模裝置、具 有光學(xué)元件組的投影裝置、用于接收襯底的村底裝置以及浸沒區(qū)， 其中，光學(xué)元件組適合于將投影圖案投影到襯底上。光學(xué)元件組包 含多個(gè)光學(xué)元件，其中包括至少一個(gè)浸沒元件，該浸沒元件在工作 期間至少暫時(shí)地浸沒在位于浸沒區(qū)的范圍內(nèi)的浸沒介質(zhì)中。設(shè)有熱
衰減裝置，所述熱衰減裝置適合于減小在浸沒元件的溫度分布TE內(nèi) 由浸沒介質(zhì)引起的波動(dòng)，其中，該熱衰減裝置包括至少一個(gè)熱退耦 裝置，用于使浸沒元件從其環(huán)境的至少 一 部分中至少部分熱退耦。
本發(fā)明的又 一 個(gè)目的在于提供 一 種特別是用于微光刻技術(shù)中的 光學(xué)成像方法，其中，通過光學(xué)元件組的光學(xué)元件，將投影圖案投 影到襯底上，光學(xué)元件組的浸沒元件至少部分浸入在浸沒區(qū)的范圍 內(nèi)的浸沒介質(zhì)中。根據(jù)本發(fā)明，通過熱衰減裝置，減小在浸沒元件 的溫度分布TE內(nèi)由浸沒介質(zhì)引起的波動(dòng)，其中，通過該熱衰減裝置 提供了浸沒元件從其環(huán)境的至少 一部分中的至少部分熱退耦。
本發(fā)明的另 一個(gè)目的在于提供一種特別是用于微光刻技術(shù)中的 光學(xué)成像裝置，其包括用于接收包括投影圖案的掩模的掩模裝置、 具有光學(xué)元件組的投影裝置、用于接收襯底的襯底裝置。光學(xué)元件 組適合于將投影圖案投影到襯底上，并且包含多個(gè)光學(xué)元件，其中 包括至少一個(gè)熱控制光學(xué)元件。根據(jù)本發(fā)明，設(shè)有熱衰減裝置，其 與熱控制光學(xué)元件相關(guān)聯(lián)，所述熱衰減裝置適合于減小在熱控制光 學(xué)元件的溫度分布TE內(nèi)的波動(dòng)，其中，為了減小在熱控制光學(xué)元件 內(nèi)的溫度波動(dòng)，該熱衰減裝置訪問熱控制光學(xué)元件的溫度特性模型。
本發(fā)明的又 一 個(gè)目的在于提供 一 種特別是用于微光刻技術(shù)中的 光學(xué)成像方法，其中，通過光學(xué)元件組的光學(xué)元件，將投影圖案投影到襯底上，這些光學(xué)元件包括熱控制光學(xué)元件。根據(jù)本發(fā)明，通 過熱衰減裝置，減小在熱控制光學(xué)元件的溫度分布TE內(nèi)的波動(dòng)，其 中，為了減小在熱控制光學(xué)元件內(nèi)的溫度波動(dòng)，訪問熱控制光學(xué)元 件的溫度特性模型。
由從屬權(quán)利要求及下面參照附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施方式的描述中分別 都可以看出本發(fā)明的其他優(yōu)選實(shí)施方式。所公開的特征的所有組合， 不管是否在權(quán)利要求書中明確敘述，都落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像裝置的一種優(yōu)選實(shí)施方式的示意 圖，利用該光學(xué)成像裝置可以實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像方法的一
種優(yōu)選實(shí)施方式；
圖2是圖1的成像裝置的一部分的示意性局部剖視圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像裝置的另一種優(yōu)選實(shí)施方式 的圖2細(xì)節(jié)D的示意性局部剖視圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像裝置的另一種優(yōu)選實(shí)施方式 的圖2細(xì)節(jié)D的示意性局部剖視圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像裝置的另一種優(yōu)選實(shí)施方式 的圖2細(xì)節(jié)D的示意性局部剖視圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像裝置的另一種優(yōu)選實(shí)施方式 的圖2細(xì)節(jié)D的示意性局部剖視圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像裝置的另一種優(yōu)選實(shí)施方式 的圖2細(xì)節(jié)D的示意性局部剖視圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像裝置的另一種優(yōu)選實(shí)施方式 的圖2細(xì)節(jié)D的示意性局部剖視圖9是可以利用圖1的光學(xué)成像裝置來實(shí)施的根據(jù)本發(fā)明的光 學(xué)成像方法的一種優(yōu)選實(shí)施方式的框圖IO是根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像裝置的另一種優(yōu)選實(shí)施方式的示 意性局部剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖1至9描述根據(jù)本發(fā)明的且用于微光刻工藝的光 學(xué)成像裝置的優(yōu)選實(shí)施方式。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像裝置的一種優(yōu)選實(shí)施方式的
示意圖，光學(xué)成像裝置的形式為利用在UV范圍內(nèi)波長(zhǎng)為193nm的 光來工作的微光刻裝置101。
微光刻裝置101包括照明系統(tǒng)102、形式為掩模臺(tái)103的掩模裝 置、形式為具有光軸104.1的物鏡104的光學(xué)投影系統(tǒng)和形式為晶片 臺(tái)105的襯底裝置。照明系統(tǒng)102用投影光束(沒有詳細(xì)示出)照 射設(shè)置在掩模臺(tái)103上的掩模103.1,該投影光束的波長(zhǎng)為193nm。 在掩模104.3上形成投影圖案，該投影圖案是用投影光束，通過設(shè)置 在物鏡104內(nèi)的光學(xué)元件投影到形式為設(shè)置在晶片臺(tái)105上的晶片 105.1的襯底上。
物鏡104包括由一組光學(xué)元件107至109形成的光學(xué)元件組106。 光學(xué)元件107至109保持在物鏡殼體104.2內(nèi)。由于工作波長(zhǎng)為 193nm，光學(xué)元件107至109是諸如透鏡或類似元件的折射光學(xué)元件。 在這里，在工作期間最靠近晶片105.1的最后一個(gè)光學(xué)元件109是所 謂的終端元件或最后一個(gè)透鏡元件。
微光刻裝置101是浸沒系統(tǒng)。在浸沒區(qū)110內(nèi)，液體浸沒介質(zhì) 110.1 (例如為高純度的水或類似物)被設(shè)置在晶片105.1與最后一 個(gè)透鏡元件109之間。在浸沒區(qū)110內(nèi)設(shè)有浸沒介質(zhì)110.1的浸池， 一方面，該浸池向下至少由晶片105.1實(shí)際上需要曝光的部分限定。 該浸池的側(cè)向邊界至少部分是由浸沒框110.2 (通常也稱作浸沒罩) 提供。最后一個(gè)透鏡元件109的至少在曝光期間光學(xué)使用的部分和 最后一個(gè)透鏡元件109位于物鏡104外側(cè)的部分浸入浸池中，使得 最后一個(gè)透鏡元件109在本發(fā)明意義上是浸沒元件。因此，從最后 一個(gè)透鏡元件109射出且位于最后一個(gè)透鏡元件109與晶片之間的 光路只位于浸沒介質(zhì)110內(nèi)。
由于浸沒介質(zhì)的折射率高于1,實(shí)現(xiàn)了數(shù)值孔徑NA大于1，且相對(duì)于在最后 一 個(gè)透鏡元件與晶片之間使用氣體氣氛的傳統(tǒng)系統(tǒng)，
分辨率提高了。
為了實(shí)現(xiàn)NA值大于1.4的數(shù)值孔徑，最后一個(gè)透鏡元件109優(yōu) 選采用折射率比通常用于這樣的透鏡元件的石英(SiO)或氟化《丐 (CaF)的折射率更高的材料。在本實(shí)施方式中，最后一個(gè)透鏡元件 109的材料是尖晶石。但是，在其他實(shí)施方式中，可以使用其他具有 相應(yīng)高的折射率且適合相應(yīng)波長(zhǎng)的其他透鏡材料。這樣的透鏡材料 的例子是LuAG (镥鋁石榴石，例如Lu3Al5012)。此外，應(yīng)當(dāng)理解， 本發(fā)明也可以用于傳統(tǒng)的石英或氟化鈣透鏡的情況。另外，應(yīng)當(dāng)理 解，可以選擇另一個(gè)數(shù)值孔徑。然而，關(guān)于高分辨率，數(shù)值孔徑的 值優(yōu)選至少為1.3。
最后一個(gè)透鏡元件109使用的尖晶石對(duì)折射率具有比傳統(tǒng)的石 英或氟化鈣透鏡明顯更高的溫度靈敏度。因此，有必要在工作期間 使最后一個(gè)透鏡元件的實(shí)際溫度分布TE保持在窄的變化范圍內(nèi)，這 是為了維持給定的理論溫度分布TSE,以至少減少由最后一個(gè)透鏡 元件109的折射率的相應(yīng)變化導(dǎo)致的成像誤差，優(yōu)選甚至使該誤差 達(dá)到最小。
但是，應(yīng)當(dāng)理解，特別是在微光刻領(lǐng)域，在具有由石英(SiO) 或氟化釣(CaF)制成的光學(xué)元件的系統(tǒng)中，浸沒元件的溫度分布可 能發(fā)生變化或波動(dòng)，這些變化或波動(dòng)是不可以忽視的，以致對(duì)于這 樣的系統(tǒng)，使用本發(fā)明也具有很大的好處。
為了滿足在給定的理論溫度分布TSE周圍的這些窄的變化范圍， 根據(jù)本發(fā)明設(shè)有熱衰減裝置111。下面主要參照?qǐng)D2至9更加詳細(xì)地 描述該熱衰減裝置111。圖2 (局部以高度簡(jiǎn)化的方式)示出了物鏡 104位于晶片側(cè)的 一 端的半剖視圖。
在本實(shí)施例中，由于熱衰減裝置IIO,在微光刻裝置101的工作 期間與最后一個(gè)透鏡元件109的給定理論溫度分布TSE的最大偏差 保持為ATE:lmK。通過這種方式，分別由熱致變形和熱感應(yīng)折射 率變化導(dǎo)致的成像誤差和成像誤差變化可以保持得足夠低，以實(shí)現(xiàn)高成像質(zhì)量。但是，應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明的其他實(shí)施方式中，其他 可能更高的最大偏差是可行的，特別是根據(jù)所使用材料的熱變形特
性和熱感應(yīng)折射率變化。優(yōu)選地，這些最大偏差不超過10 mK，因
為借此可以實(shí)現(xiàn)特別高的成像質(zhì)量。
在這一點(diǎn)上，應(yīng)當(dāng)理解，給定理論溫度分布TSE可以任意選擇。 可以這樣選擇，使得最后一個(gè)透鏡元件109在該給定理論溫度分布 TSE中，至少對(duì)于一種成像誤差類型具有最小的成像誤差。但是， 也可這樣選擇，使得最后一個(gè)透鏡元件109在該給定理論溫度分布 TSE中，至少對(duì)于一種成像誤差類型具有一成像誤差，該成像誤差 具有足夠的量來減小或甚至是完全補(bǔ)償光學(xué)元件組106的其他光學(xué) 元件的相應(yīng)成像誤差，從而至少對(duì)于一種成像誤差，物鏡104的總 成像誤差達(dá)到最小。從EP 0 956 871 A1 ( Rupp )已知這樣的總成像 誤差最小化，該文獻(xiàn)的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。
熱衰減裝置111包括多個(gè)有源熱衰減控制電路和無源熱衰減部 件。尤其是，它包括用于專門控制浸沒介質(zhì)110.1供給浸沒區(qū)的供給 溫度的控制電路，作為第一熱衰減控制電路。
為此，該第一熱衰減控制電路112包括供給裝置112.1、第一溫 度調(diào)節(jié)裝置112.1、第一溫度傳感器112.3和控制裝置111.1。供給裝 置112.1通過至少一條供給管線以足夠的量和足夠的流速向浸沒區(qū) 110供給浸沒介質(zhì)110.1。與控制裝置111.1連接的第一溫度調(diào)節(jié)裝 置U2.2設(shè)置在浸沒介質(zhì)110.1進(jìn)入浸沒區(qū)110的進(jìn)入點(diǎn)之前不遠(yuǎn)處， 且將浸沒介質(zhì)110.1的溫度調(diào)節(jié)至期望的供給溫度TIF。第一溫度傳 感器112.3通過無線和/或至少部分有線的連接裝置(為更加清晰而 未示出)與控制器111.1連接。
期望的供給溫度TIF由控制裝置lll，l以下面描述的方式確定。 第 一溫度傳感器112.3均勻地分布在浸沒區(qū)域110的周邊且作為在本 發(fā)明意義上的第一確定裝置，通過這些第一溫度傳感器，檢測(cè)浸沒 介質(zhì)110.1在浸沒區(qū)110的周邊處的溫度。這些第一溫度傳感器112.3 向控制裝置111.1的相關(guān)輸入端111.2提供相應(yīng)的第一溫度數(shù)據(jù)。但是，應(yīng)當(dāng)理解，除了通過均勻分布在浸沒區(qū)110的周邊處的第
一溫度傳感器112.3進(jìn)行直接測(cè)量，可以在不同位置處對(duì)溫度或至少 另一個(gè)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量或確定。在估計(jì)裝置通過相應(yīng)足夠精確的估計(jì)
(基于該被確定參數(shù)與浸沒介質(zhì)110.1在浸沒區(qū)110的周邊處的溫度 之間足夠精確已知的關(guān)系)可以從該溫度或參數(shù)估計(jì)出浸沒介質(zhì)在 浸沒區(qū)110的周邊處的溫度。
從這些第一溫度數(shù)據(jù)，控制裝置111.1通過存儲(chǔ)的浸沒介質(zhì)110.1 的第一溫度特性模型確定浸沒區(qū)110內(nèi)的實(shí)際溫度分布TI。在這里， 作為其他參數(shù)，第一溫度特性模型還考慮(通過第一溫度調(diào)節(jié)裝 置112.2提供給控制裝置111.1的)浸沒介質(zhì)的實(shí)際供給溫度TIF、
(通過供給裝置112.1提供給控制裝置111.1的)浸沒介質(zhì)110.1的 流速、最后一個(gè)透鏡元件109的實(shí)際溫度分布TE (以下面要詳細(xì)描 述的方式確定)和(通過照明裝置102提供給控制裝置)的實(shí)際光 功率。
從實(shí)際溫度分布TI，根據(jù)在浸沒介質(zhì)110.1內(nèi)的給定理論溫度分 布TSI,控制裝置111.1確定用于溫度調(diào)節(jié)裝置112.2和/或供給裝置 112.1的第一控制值C。通過該第一控制值C,溫度調(diào)節(jié)裝置對(duì)供給 溫度TIF進(jìn)行調(diào)節(jié)和/或供給裝置112.1對(duì)流速進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得實(shí)際 溫度分布TI接近在浸沒介質(zhì)110內(nèi)的理論溫度分布TSI。
供給溫度TIF的確定可以根據(jù)實(shí)際溫度分布TI內(nèi)的變化量ATIE 來進(jìn)行，該變化量是從之前捕獲或確定的溫度和參數(shù)中預(yù)期得到的。 換句話說，使用溫度特性模型，這樣的變化量ATIE可以在其(完全) 出現(xiàn)之前被預(yù)見并被抵消。
在本發(fā)明意義上，在浸沒介質(zhì)110.1內(nèi)的實(shí)際溫度分布TI表示 影響最后一個(gè)透鏡元件110.1的溫度的參數(shù)P，因?yàn)橛捎诮]介質(zhì) 110.1與最后一個(gè)透鏡元件109之間的溫度梯度，在浸沒介質(zhì)110.1 與最后一個(gè)透鏡元件109之間發(fā)生引起最后一個(gè)透鏡元件的溫度變 化的熱傳遞。此外，供給溫度TIF和/或流速表示在本發(fā)明意義上的 控制參數(shù)，因?yàn)樗鼈兛梢员挥糜诜謩e影響在浸沒介質(zhì)110.1與最后一個(gè)透鏡元件109之間的溫度梯度和在浸沒介質(zhì)110.1與最后一個(gè)透鏡
元件109之間的熱傳遞。因此，溫度調(diào)節(jié)裝置112,2和/或供給裝置 112.1分別表示在本發(fā)明意義上的影響裝置。
在這一點(diǎn)上，應(yīng)當(dāng)理解，在浸沒介質(zhì)110.1內(nèi)的給定理論溫度分 布TSI可以任意方式進(jìn)行選擇。它可以靜態(tài)方式被j見定成，在浸沒 介質(zhì)110.1內(nèi)存在理論溫度分布TSI的情況下且在最后一個(gè)透鏡元件 109內(nèi)存在理論溫度分布TSE的情況下，在最后一個(gè)透鏡元件109 和浸沒介質(zhì)IIO之間不存在溫度梯度，因而不存在熱傳遞。
換句話說，如果最后一個(gè)透鏡元件109在這種情況下處于其理論 狀態(tài)，以這種方式控制的浸沒介質(zhì)110不會(huì)將可觀的熱干擾引入最 后一個(gè)透鏡元件109。但是，如果最后一個(gè)透鏡元件109在這種情況 下處于與其理論狀態(tài)偏離的狀態(tài)，在最后一個(gè)透鏡元件109與浸沒
介質(zhì)110.1之間產(chǎn)生溫度梯度，4氐消最后一個(gè)透4免元件109的實(shí)際溫 度分布TE與理論溫度分布TSE之間的實(shí)際偏差，從而通過以這種 方式控制的浸沒介質(zhì)110.1實(shí)現(xiàn)了衰減效果。
在浸沒介質(zhì)110.1內(nèi)的理論溫度分布TSI也可以根據(jù)最后一個(gè)透 鏡元件109的實(shí)際溫度分布TE來選擇，使得在浸沒介質(zhì)110.1內(nèi)存 在理論溫度分布TSI的情況下，在最后一個(gè)透鏡元件109與浸沒介 質(zhì)110.1之間提供給定溫度梯度，因而提供給定熱傳遞。優(yōu)選地，選 擇在最后一個(gè)透鏡元件109與浸沒介質(zhì)110.1之間的溫度梯度，使得 它抵消最后一個(gè)透鏡元件109的實(shí)際溫度分布TE與最后一個(gè)透鏡元 件109的理論溫度分布TSE的偏差，從而在這里，通過以這種方式 控制的浸沒介質(zhì)110.1也實(shí)現(xiàn)了熱衰減效果。
在這種情況下，通過浸沒介質(zhì)110.1設(shè)置的在最后一個(gè)透鏡元件 109與浸沒介質(zhì)110.1之間的溫度梯度優(yōu)選這樣選擇，使得最后一個(gè) 透鏡元件109的實(shí)際溫度分布TE與理論溫度分布TSE的偏差越大， 該溫度梯度也越大。換句話說，以這種方式可以實(shí)現(xiàn)最后一個(gè)透鏡 元件109的實(shí)際溫度分布TE和理論溫度分布TSE之間的偏差的動(dòng) 態(tài)熱衰減。如果在這種情況下，最后一個(gè)透鏡元件109處于其理論狀態(tài)，以 這種方式控制的浸沒介質(zhì)110.1不會(huì)將可觀的熱干擾引入最后一個(gè)
透鏡元件109。如果不是這樣，最后一個(gè)透鏡元件109的實(shí)際溫度分 布TE和理論溫度分布TSE之間的偏差越大，通過以這種方式控制 的浸沒介質(zhì)110.1的抵消程度就越大。
熱衰減裝置111還包括用于專門控制與浸沒介質(zhì)110.1的自由表 面110.3接觸的氣體氣氛113.1的溫度TA和/或濕度HA和/或流速 VA的控制電路113,作為第二熱衰減控制電路。
為此，第二熱衰減控制電路113包括用于氣體氣氛113.1的第二 供給裝置113.2和控制裝置111.1。第二供給裝置113.2通過至少一 條供給管線，以在浸沒介質(zhì)110.1的自由表面110.3處的相應(yīng)溫度和 流速提供足夠量的氣體。第二供給裝置113.2將氣體氣氛113.1的溫 度和/或濕度和/或流速調(diào)節(jié)到由控制裝置111.1以下面描述的方式確 定的期望值。
控制裝置111.1以上述方式確定在浸沒區(qū)110內(nèi)的浸沒介質(zhì) 110.1內(nèi)的實(shí)際溫度分布TI。從浸沒介質(zhì)110.1內(nèi)的實(shí)際溫度分布TI， 控制裝置111.1根據(jù)浸沒介質(zhì)內(nèi)的給定理論溫度分布TSI,確定用于 第二供給裝置113.2的第二控制值C。通過該第二控制值C,第二供 給裝置113.2對(duì)氣體氣氛113.1的溫度和/或濕度和/或流速進(jìn)行調(diào)節(jié)。
在每種情況下，可以提供調(diào)節(jié)，使得浸沒介質(zhì)在浸沒介質(zhì)110.1 的自由表面110.3處的蒸發(fā)量達(dá)到最小。優(yōu)選地，這是通過如下方式 來進(jìn)行調(diào)節(jié)氣體氣氛113.1的溫度，使其相當(dāng)于浸沒介質(zhì)110.1在 自由表面110.3處的溫度，和將氣體氣氛113.1的濕度調(diào)節(jié)至足夠高 的值，優(yōu)選調(diào)節(jié)至完全飽和，以避免浸沒介質(zhì)110.1的蒸發(fā)，因而避 免來自浸沒介質(zhì)110.1的熱傳遞。
換句話說，在這種變型方案中避免了由于浸沒介質(zhì)110.1在自由 表面處110.3的蒸發(fā)而將熱干擾引入浸沒介質(zhì)，因而也避免了熱干擾 進(jìn)入最后一個(gè)透4竟元件109。
通過第二熱衰減控制電路113的控制從屬于通過第一熱衰減控
35制電路112的控制。但是，應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明的其他實(shí)施方式中， 在必要時(shí)可以設(shè)有主動(dòng)使用通過由蒸發(fā)引起的來自浸沒介質(zhì)110.1
的熱傳遞，以抵消在最后一個(gè)透鏡元件109的實(shí)際溫度分布TE和理 論溫度分布TSE之間的偏差，因而實(shí)現(xiàn)熱衰減效果。
例如，在最后一個(gè)透鏡元件109的理論狀態(tài)下，可存在一定的蒸 發(fā)率，根據(jù)最后一個(gè)透鏡元件109的實(shí)際溫度分布TE和理論溫度分 布TSE之間的待衰減的偏差的方向，該蒸發(fā)率可以增加或減小，以 使浸沒介質(zhì)110.1的實(shí)際溫度分布TI接近浸沒介質(zhì)的相應(yīng)變化的理 論溫度分布TSI,也就是，分別升高或降低溫度，因而通過浸沒介質(zhì) 110.1與最后一個(gè)透鏡元件109之間的溫度梯度抵消最后一個(gè)透鏡元 件109的實(shí)際溫度分布TE和理論溫度分布TSE之間的偏差。
在這里，氣體氣氛113.1的溫度和/或濕度和/或流速也表示在本 發(fā)明意義上的控制參數(shù)CP,因?yàn)橥ㄟ^這些參數(shù)，可以分別影響浸沒 介質(zhì)110.1與最后一個(gè)透鏡元件109之間的溫度梯度和浸沒介質(zhì) 110.1與最后一個(gè)透鏡元件109之間的熱傳遞。因此，第二供給裝置 也表示在本發(fā)明意義上的影響裝置。
在這一點(diǎn)上，應(yīng)當(dāng)理解，在這里，浸沒介質(zhì)內(nèi)的給定理論溫度分 布TSI也可以按照上面已經(jīng)描述過的方式任意選擇。此外，應(yīng)當(dāng)理 解，自由表面110.3可以是浸沒介質(zhì)110.1的自由表面的全部或一部 分。
熱衰減裝置lll還包括用于專門直接影響最后一個(gè)透鏡元件109 的溫度的控制電路114,作為第三熱衰減控制電路。
為此，第三熱衰減控制電路114包括多個(gè)形式為均勻地分布在最 后一個(gè)透鏡元件109周邊的珀耳帖元件114.1的第二溫度調(diào)節(jié)裝置、 第二溫度傳感器114.2和控制裝置111.1。如下面將要詳細(xì)描述，與 控制裝置111.1連接的珀耳帖元件114.1 (如以下將要詳細(xì)描述的那 樣)冷卻或加熱最后一個(gè)透鏡元件109,使得最后一個(gè)透鏡元件109 的實(shí)際溫度分布TE和理論溫度分布TSE之間的偏差被抵消，因而 同樣實(shí)現(xiàn)了熱衰減效果。
36通過均勻地分布在最后一個(gè)透鏡元件109上且表示在本發(fā)明意
義上的確定裝置的第二溫度傳感器114.2和114.3,確定最后一個(gè)透 鏡元件109在最后一個(gè)透鏡元件109的相應(yīng)位置處的溫度。第二溫 度傳感器114.2和114.3向控制裝置111.1的相關(guān)輸入端111.2提供 相應(yīng)的第一溫度數(shù)據(jù)。
應(yīng)當(dāng)理解，在這里，溫度或至少一個(gè)其他參數(shù)的測(cè)量或確定也可 以在不同位置處提供，而不是通過均勻分布在最后一個(gè)透鏡元件109 上的第二溫度傳感器114.2, 114.3的直接測(cè)量來提供。在估計(jì)裝置， 通過相應(yīng)足夠精確的估計(jì)(基于該被確定參數(shù)與最后一個(gè)透鏡元件 109的溫度之間的足夠精確已知的關(guān)系)可以從該溫度或參數(shù)估計(jì)出 最后一個(gè)透鏡元件109的溫度。
從這些第一溫度數(shù)據(jù)，控制裝置111.1通過存儲(chǔ)的最后一個(gè)透鏡 元件109的第一溫度特性模型確定最后一個(gè)透鏡元件109內(nèi)的實(shí)際 溫度分布TE。在這里，作為其他參數(shù)，第一溫度特性模型還考慮浸 沒介質(zhì)110.1的實(shí)際溫度分布TI和(通過照明裝置102提供給控制 裝置111.1的)實(shí)際光功率。
從最后一個(gè)透鏡元件109內(nèi)的實(shí)際溫度分布TE，控制裝置111.1 根據(jù)在最后一個(gè)透鏡元件109內(nèi)的給定理論溫度分布TSE確定用于 珀耳帖元件114.1的第三控制值C。通過該第三控制值C調(diào)節(jié)珀耳帖 元件114.1的與最后一個(gè)透鏡元件109的表面相面對(duì)的表面的溫度。 因此，珀耳帖元件114.1加熱或冷卻最后一個(gè)透鏡元件109的表面， 使得最后一個(gè)透鏡元件109的實(shí)際溫度分布TE接近最后一個(gè)透鏡元 件109內(nèi)的理論溫度分布TSE。
在本發(fā)明意義上，珀耳帖元件114.1的與最后一個(gè)透鏡元件109 的表面相面對(duì)的表面的溫度因而表示控制參數(shù)PC,因?yàn)橥ㄟ^該溫度 可以影響珀耳帖元件114.1與最后一個(gè)透4竟元件109之間的熱傳遞。 因此，珀耳帖元件114.1表示在本發(fā)明意義上的影響裝置。
如圖3所示，在微光刻裝置101的其他變型方案中，作為珀耳帖 元件114.1的附加或替代，在透鏡元件109的光學(xué)上沒有使用的區(qū)域中，第三熱衰減控制電路114可以包括形式為的電阻加熱裝置114.4 的(另一個(gè))第二溫度調(diào)節(jié)裝置。如下面要詳細(xì)說明，與控制裝置
111.1連接的該電阻加熱裝置114.4加熱最后一個(gè)透鏡元件109，使 得最后一個(gè)透鏡元件109的實(shí)際溫度分布TE和理論溫度分布TSE 之間的偏差被抵消，因而同樣實(shí)現(xiàn)了熱衰減效果。
圖3以對(duì)應(yīng)于圖2的細(xì)節(jié)D的示意圖示出了根據(jù)本發(fā)明的微光 刻裝置101的另一種實(shí)施方式的電阻加熱裝置114.4。如可從圖3看 出，該電阻加熱裝置114.4包括多個(gè)導(dǎo)電元件114.5，它們適合相互 連接且適合與控制裝置111.1連接。導(dǎo)電元件114.5埋置在最后一個(gè) 透鏡元件109的表面內(nèi)。
例如，可以通過將金屬粉末(以后形成導(dǎo)電元件114.5)以期望 的形狀放置在最后一個(gè)透鏡元件109的表面上，來制造導(dǎo)電元件 114.5。然后，例如使用紅外線激光器，將該金屬粉末加熱到這樣的 程度，使得金屬粉末熔化并連接形成導(dǎo)電元件。此外，由于它的較 高密度，熔融金屬粉末沉入最后一個(gè)透鏡元件109局部熔化的基體 中。
導(dǎo)電元件114.5可以完全地埋置在最后一個(gè)透鏡元件109的基體 內(nèi)，如圖3所示。但是，應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明的其他實(shí)施方式中， 導(dǎo)電元件114.5可以只是由最后一個(gè)透鏡元件109的基體部分地包 圍。在這種情況下，可以設(shè)置保護(hù)層(如在圖3中用虛線輪廓114.6 所示)。該保護(hù)層114.6可以保護(hù)導(dǎo)電元件114.5免受腐蝕性的浸沒 介質(zhì)110.1的影響。該保護(hù)層114.6可以例如是已經(jīng)通過濺射工藝， CVD(化學(xué)汽相沉積)工藝或類似工藝施加的石英(SiO)層。另夕卜， 應(yīng)當(dāng)理解，保護(hù)層114.6在必要時(shí)可以包括導(dǎo)電元件114.5之間的電 連接裝置以及與控制裝置111.1連接的電連接裝置。
如已經(jīng)說明，通過第二溫度傳感器114.2和114.3 (見圖2),在 最后一個(gè)透鏡元件109的相應(yīng)位置處測(cè)得最后一個(gè)透鏡元件109的 溫度。第二溫度傳感器114.2和114.3向控制裝置111.1的相關(guān)輸入 端111.2提供相應(yīng)的第一溫度數(shù)據(jù)。應(yīng)當(dāng)理解，在這里，溫度或至少另一個(gè)參數(shù)的測(cè)量或確定也可以 在不同位置處提供，而不是通過均勾分布在最后一個(gè)透鏡元件109
上的溫度傳感器114.2, 114.3的直接測(cè)量來提供。在估計(jì)裝置，通 過相應(yīng)足夠精確的估計(jì)(基于該被確定的參數(shù)/溫度與最后一個(gè)透鏡 元件109的溫度之間的足夠精確已知的關(guān)系)可以從該測(cè)得或確定 的溫度或參數(shù)估計(jì)出最后一個(gè)透鏡元件109的溫度。
從這些第一溫度數(shù)據(jù)，控制裝置111.1通過存儲(chǔ)的最后一個(gè)透鏡 元件109的第一溫度特性模型確定最后一個(gè)透鏡元件109內(nèi)的實(shí)際 溫度分布TE。在這里，作為其他參數(shù)，第一溫度特性模型還考慮浸 沒介質(zhì)110.1的實(shí)際溫度分布TI和(通過照明裝置102提供給控制 裝置111.1的)實(shí)際光功率。
從最后一個(gè)透鏡元件109內(nèi)的實(shí)際溫度分布TE,根據(jù)在最后一 個(gè)透鏡元件109內(nèi)的給定理論溫度分布TSE,控制裝置111.1確定用 于電阻加熱裝置114.4的第三控制值C。借助該第三控制值C,通過 導(dǎo)電元件114.5內(nèi)的相應(yīng)電流來調(diào)節(jié)電阻加熱裝置114.4的溫度。因 此，電阻加熱裝置114.4加熱最后一個(gè)透鏡元件109，使得實(shí)際溫度 分布TE接近最后一個(gè)透鏡元件109內(nèi)的理論溫度分布TSE。
應(yīng)當(dāng)理解，電阻加熱裝置114.4可以4壬意精細(xì)的方式分割，例如 分成任意數(shù)量的可由控制裝置111.1選擇性控制的區(qū)段。通過這種'方 式，可以實(shí)現(xiàn)電阻加熱裝置114.4內(nèi)的任意期望溫度分布。
因而，導(dǎo)電元件114.5的溫度表示在本發(fā)明意義上的控制參數(shù) CP，因?yàn)橥ㄟ^該溫度可以影響導(dǎo)電元件114.5與最后一個(gè)透鏡元件 109之間的熱傳遞。因此，導(dǎo)電元件114.5分別表示在本發(fā)明意義上 的影響裝置。
圖4以對(duì)應(yīng)于圖2的細(xì)節(jié)D的示意圖示出了根據(jù)本發(fā)明的微光 刻裝置101的另一種實(shí)施方式的電阻加熱裝置214.4?？梢証使用該電 阻加熱裝置214.4來代替圖3的電阻加熱裝置114.4。如從圖4可見， 電阻加熱裝置214.4包括多個(gè)導(dǎo)電元件214.5，它們適合相互連接且 適合與控制裝置111.1連接。導(dǎo)電元件214.5設(shè)置在最后一個(gè)透鏡元件109的表面上且埋置在保護(hù)層214.6內(nèi)。
導(dǎo)電元件214.5可以采用薄層工藝和/或厚層工藝，以期望的形狀 施加到最后一個(gè)透鏡元件109的表面上。隨后，它們可以被涂上保 護(hù)層214.6。
尤其是保護(hù)導(dǎo)電元件214.5免受腐蝕性浸沒介質(zhì)110.1的影響的 該保護(hù)層214.5可以是任意的保護(hù)層。例如，該保護(hù)層214.6可以是 已經(jīng)通過賊射工藝、CVD (化學(xué)汽相沉積)工藝或類似工藝施加的 石英(SiO)層。
該保護(hù)層214.6也可以包括聚合物材料。聚酰亞胺(PI)材料(例 如由DuPont⑧以Kapton⑧的名義出售的材料)是特別合適的。應(yīng)當(dāng) 理解，例如保護(hù)層214.6可以由聚酰亞胺載體膜形成，導(dǎo)電元件214.5 以期望的形狀施加到該載體膜上。然后，該載體膜可以施加到最后 一個(gè)透鏡元件109上，例如粘接到最后一個(gè)透鏡元件109上。
如從圖4可見，保護(hù)層214.6包含多個(gè)與控制裝置111.1連接的 另外的溫度傳感器214.2。這些溫度傳感器214.2 (作為溫度傳感器 114.2、 114.3的附加或替代)捕獲最后一個(gè)透鏡元件109在相應(yīng)位置 處的溫度。溫度傳感器214.2向控制裝置111.1的相關(guān)輸入端111.2 提供相應(yīng)的第 一溫度數(shù)據(jù)。
電阻加熱裝置214.4的功能與如上面已經(jīng)描述的電阻加熱裝置 114.4的功能相同。因此，這里可完全參見上面的說明。特別地，電 阻加熱裝置214.4也可以任意精細(xì)的方式分割。
圖5以對(duì)應(yīng)于圖2的細(xì)節(jié)D的示意圖示出了根據(jù)本發(fā)明的微光 刻裝置101的另一種實(shí)施方式的輻射加熱裝置214.4?？梢允褂迷撦?射加熱裝置314.4來替代圖3的電阻加熱裝置114.4。如從圖5可見， 輻射加熱裝置314.4包括多個(gè)與控制裝置111.1連接的加熱元件 314.5。
加熱元件314.5設(shè)置在浸沒框110.2上。加熱元件314,5在控制 裝置111.1的控制下向最后一個(gè)透鏡元件109發(fā)射目標(biāo)紅外輻射IR， 以加熱最后一個(gè)透鏡元件109。加熱元件314.5可以通過所謂的空心纖維形成，這些纖維將控制裝置111.1的耦合紅外輻射源的紅外輻射 引導(dǎo)至最后一個(gè)透鏡元件109。
輻射加熱裝置314.4的功能很大程度上相當(dāng)于如上面已經(jīng)描述的 電阻加熱裝置114.4的功能。因此，這里可主要參見上面的說明。
在這里，從最后一個(gè)透鏡元件109內(nèi)的實(shí)際溫度分布TE，控制 裝置111.1根據(jù)最后一個(gè)透鏡元件109內(nèi)的給定理論溫度分布TSE 確定用于輻射加熱裝置314.4的第三控制值C。通過該第三控制值C 調(diào)節(jié)加熱元件314.5的輻射強(qiáng)度。因此，加熱元件314.5加熱最后一 個(gè)透鏡元件109,使得實(shí)際溫度分布TE接近最后一個(gè)透鏡元件109 內(nèi)的理論溫度分布TSE。
因而，加熱元件314.5的輻射強(qiáng)度表示在本發(fā)明意義上的控制參 數(shù)CP，因?yàn)橥ㄟ^該輻射強(qiáng)度可以影響加熱元件314.5與最后一個(gè)透 鏡元件109之間的熱傳遞。因此，加熱元件314.5分別表示在本發(fā)明 意義上的影響裝置。
應(yīng)當(dāng)理解，輻射加熱裝置314.4可以允許對(duì)最后一個(gè)透鏡元件 109進(jìn)行經(jīng)過任意精細(xì)分割的輻射。換句話說，輻射加熱裝置314.4 可以包括任意數(shù)量的可由控制裝置111.1選擇性控制的區(qū)段。通過這 種方式，可以通過輻射加熱裝置314.4提供任意的輻射強(qiáng)度分布。
熱衰減控制裝置lll還包括形式為最后一個(gè)透鏡元件109的熱絕 緣涂層115的第一屏蔽裝置，該涂層115構(gòu)成熱退耦裝置，該熱退 耦裝置的形式為衰減控制裝置111的第一無源熱衰減部件。
涂層115在最后一個(gè)投影元件109的整個(gè)表面部分109.1延伸， 該表面部分與浸沒介質(zhì)110.1鄰接且在將投影圖案投影到晶片105 上的時(shí)候在光學(xué)上未被使用。通過該熱絕緣涂層115,最后一個(gè)透鏡 元件109和帶有浸沒介質(zhì)110.1的浸沒區(qū)IIO部分地?zé)嵬笋?，使得?少在最后一個(gè)透鏡元件109光學(xué)使用的表面部分109.2之外，防止浸 沒介質(zhì)110.1的熱干擾直接在最后一個(gè)透鏡元件109內(nèi)傳播。
涂層115可以由任何提供足夠熱絕緣特性的合適材料或材料組 合制成。在圖2所示的實(shí)施方式中，涂層115包括有機(jī)材料層，在這里為聚氨酯(PU)樹脂，該有機(jī)材料層已經(jīng)通過合適的工藝(例 如鑄造工藝、上漆工藝等)施加到最后一個(gè)透鏡元件109的表面部 分109.1上。施加之后，可以使用任何已知的表面處理工藝對(duì)有機(jī)層 的表面進(jìn)行處理，以提供期望的表面粗糙度。
有機(jī)層不與最后一個(gè)透鏡元件109接觸的部分或全部表面可以 設(shè)有合適的反射涂層。該反射涂層反射由晶片105.1和/或浸沒介質(zhì) 110.1和/或浸沒框110.2等的表面散射的投影光，從而(長(zhǎng)期地)防 止涂層115的有機(jī)層的損壞，該損壞否則可能由這樣的散射投影光 引起。
屏蔽裝置115原則上可以用任何合適的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)來提供最 后一個(gè)透鏡元件109從其環(huán)境，特別是浸沒介質(zhì)中熱退耦。特別地， 它可以是簡(jiǎn)單的單層或多層熱絕緣裝置。如下面將要詳細(xì)說明，屏 蔽裝置15也可以是兩個(gè)或多個(gè)層的組合，其中包括至少一個(gè)高度導(dǎo) 熱層和至少一個(gè)熱絕緣層。在這種情況下，高度導(dǎo)熱層可以用于將 熱傳輸至最后 一個(gè)透鏡元件的周邊(傳輸至在必要時(shí)設(shè)在該位置處 的散熱裝置)，從而防止或減小該熱被引入最后一個(gè)透鏡元件中。
優(yōu)選地，屏蔽裝置115在背向最后一個(gè)透鏡元件109的一側(cè)上可 以具有疏水表面。該疏水表面在必要時(shí)可以由僅為此原因提供的單 獨(dú)的層形成。通過這種方式，至少在大多數(shù)情況下可以避免浸沒介 質(zhì)110的單獨(dú)的液滴或小液滴積聚在最后一個(gè)透鏡元件109的(必 要時(shí)有涂層的)表面上。
這樣的浸沒介質(zhì)110.1液滴或小液滴可以例如在最后一個(gè)透4竟 109只是暫時(shí)被浸沒介質(zhì)110.1弄濕(例如在微光刻裝置101的工作 期間，由于晶片運(yùn)動(dòng)而引起的浸沒介質(zhì)液位改變)的表面區(qū)域上形 成。疏水表面以有利的方式阻止這樣的浸沒介質(zhì)110.1液滴或小液滴 在最后一個(gè)透鏡元件109 (在必要時(shí)有涂層)的表面上形成。
圖6以對(duì)應(yīng)于圖2的細(xì)節(jié)D的示意圖示出了根據(jù)本發(fā)明的微光 刻裝置101的另一種實(shí)施方式的形式為熱屏蔽裝置415的熱退耦裝 置?？梢允褂迷撈帘窝b置415來代替圖2的屏蔽裝置115。如從圖6可見，屏蔽裝置415具有如已在上面提到的多層設(shè)計(jì)。
該屏蔽裝置415包括與最后一個(gè)透鏡元件109緊挨鄰接的熱絕緣的 第一層415.1和與第一層415.1緊挨鄰接的高度導(dǎo)熱的第二層415.2 的組合。此外，疏水的第三層415.3施加在第二層415.2的外表面上。
熱絕緣的第一層415.1包括間隔體415.1。該間隔體415.4具有足 夠剛度，以在微光刻裝置101的任何正常工作條件下保持其形狀。 因而，在正常工作條件下，該間隔體415.4提供最后一個(gè)透鏡元件 109與第二層415.2之間的規(guī)定距離。但是，應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明的 其他實(shí)施方式中，可以設(shè)有分開的間隔元件來代替單個(gè)間隔體。
該間隔體415.4能透過流體(即氣體和/或液體)。例如，可以使 用開孔泡沫來形成間隔體415.4。因而，在最后一個(gè)透鏡元件109的 表面與第二層415.2之間限定了空隙，形成第一層415.1。形成第一 層415.1的空隙填充有低導(dǎo)熱性的流體(例如氣體或液體)。在必要 時(shí)，空隙415.1可以(連續(xù)或間隙地)用經(jīng)過適當(dāng)溫度調(diào)節(jié)的流體沖 洗，以保證第一層415.1的期望熱絕緣效果。
為了防止浸沒介質(zhì)110.1進(jìn)入空隙415.1，在最后一個(gè)透鏡元件 109與第二層415.2之間設(shè)置周邊密封元件415.5。該密封元件415.5 可以是由粘合劑形成的環(huán)，該環(huán)此外在第二層415.2上提供相對(duì)于第 一透鏡元件109的固定。
第二層415.2由于其高度導(dǎo)熱性保證了沿著最后一個(gè)透鏡元件 109的徑向方向R的良好熱傳遞。因此，由浸沒介質(zhì)110.1引起的熱 干擾通過第二層415.2內(nèi)的相應(yīng)高程度的熱傳遞得到快速減小或甚 至完全補(bǔ)償。因此，這樣的熱干擾即使有也只可以以減小的程度向 最后一個(gè)透鏡元件109傳播。換句話說，實(shí)現(xiàn)了有效的熱退耦。這 樣的熱干擾的傳播通過熱絕緣層415.1進(jìn)一步減少。換句話說，通過 形成本發(fā)明意義上的熱退耦裝置的屏蔽裝置415,最后一個(gè)透鏡元件 109有效地從其環(huán)境中，特別是從浸沒介質(zhì)110.1熱退耦。
為了實(shí)現(xiàn)在第二層415.2內(nèi)的快速熱傳遞，可以在第二層415.2 的外周上設(shè)置穩(wěn)定裝置415.6。該穩(wěn)定裝置具有高的熱容，因而在微光刻裝置101的工作期間具有穩(wěn)定的溫度。例如，該穩(wěn)定裝置415.6 可以由載熱介質(zhì)回3各形成。
疏水的第三層415.3又降低了由于如上面已經(jīng)描述的浸沒介質(zhì) 110.1的積聚的液滴或小液滴的蒸發(fā)而形成局部散熱裝置的可能性。 疏水的第三層415.3例如可以由如已提到的聚酰亞胺(PI)材料形成。
圖7以對(duì)應(yīng)于圖2的細(xì)節(jié)D的示意圖示出了根據(jù)本發(fā)明的微光 刻裝置101的另一種實(shí)施方式的熱屏蔽裝置515?？梢允褂迷摕崞帘?裝置515來代替圖2的屏蔽裝置115或者代替圖6的屏蔽裝置415。
如從圖7可見，屏蔽裝置515具有如上面提到的多層設(shè)計(jì)。該屏 蔽裝置515包括與最后一個(gè)透鏡元件109緊挨鄰接的熱絕緣的第一 層515.1和與第一層515.1緊挨鄰接的第二層515.2的組合。
熱絕緣的第一層515.1包括多個(gè)間隔元件515.4,它們均勻地分 布在最后一個(gè)透鏡元件109的周邊上。這些間隔元件515.4具有足夠 的剛度，以在微光刻裝置101的任何正常工作條件下保持它們的形 狀。因此，間隔元件515.4在正常工作條件下提供了最后一個(gè)透鏡元 件109與第二層515.2之間的固定距離。
間隔元件515.4限定了形成第一層515.1的空隙。形成第一層 515.1的空隙填充有低導(dǎo)熱的流體(例如氣體或液體)。在必要時(shí)， 空隙515.1可以(連續(xù)或間隙地)用經(jīng)過適當(dāng)溫度調(diào)節(jié)的流體沖洗， 以保證第一層515.1的期望熱絕緣效果。
為了防止浸沒介質(zhì)110.1進(jìn)入空隙515.1，在最后一個(gè)透鏡元件 109與第二層515.2之間設(shè)置周邊密封元件515.5。該密封元件515.5 可以是由粘合劑形成的環(huán)，該環(huán)此外還在第二層515.2上提供相對(duì)于 第一透鏡元件109的固定。
第二層515.2又提供了沿著最后一個(gè)透鏡元件109的徑向方向R 的良好熱傳遞。因此，由浸沒介質(zhì)110.1引起的熱干擾通過第二層 515.2內(nèi)的相應(yīng)高程度的熱傳遞得到快速減小或甚至完全補(bǔ)償。因 此，這樣的熱干擾即使有也只可以以減小的程度向最后 一個(gè)透鏡元 件109傳播。換句話說，實(shí)現(xiàn)了有效的熱衰減效果。這樣的熱干擾的傳播的進(jìn)一步減少是由熱絕緣的第一層515.1提供。換句話說，通
過形成本發(fā)明意義上的熱退耦裝置的屏蔽裝置515，最后一個(gè)透鏡元 件109有效地從其環(huán)境中，特別是從浸沒介質(zhì)110.1中熱退耦。
在第二層515.2內(nèi)的快速熱傳遞是通過在第二層515.2內(nèi)設(shè)置沿 徑向方向R延伸的通道系統(tǒng)515.7來實(shí)現(xiàn)。形式為泵送和溫度調(diào)節(jié) 裝置515.6的穩(wěn)定裝置提供了載熱介質(zhì)循環(huán)，該循環(huán)包含載熱介質(zhì)在 通道系統(tǒng)515.7內(nèi)(優(yōu)選是連續(xù))的流515.8。該流515.8的載熱介 質(zhì)是通過穩(wěn)定裝置515.6調(diào)節(jié)到具有規(guī)定的溫度和/或流速。
在第二層515.2的第一通道515.9中，流515.8最初沿著徑向方 向R向第二層515.2的內(nèi)周處的改道區(qū)域515.10行進(jìn)。在該改道區(qū) 域515.10處，流515.8的方向被改變，以在第二層515.2的第二通道 515.11內(nèi)向第二層515.2的外周回流。離開第二通道515.11,流515.8 回到穩(wěn)定裝置515.6，該流在此處重新調(diào)節(jié)溫度和/或流速，并重新循 環(huán)到載熱介質(zhì)循環(huán)中。
在如圖7所示的最簡(jiǎn)單的情況下，通道系統(tǒng)515.9至515.11由薄 型中空體515.2和薄型肋條515.12形成。該薄型肋條515.12位于中 空體515.2內(nèi)并沿著最后一個(gè)透4竟元件109的徑向方向R和周向方 向延伸。肋條515.12將第一通道515.9和第二通道515.11隔開。第 二通道515.11 (載熱介質(zhì)經(jīng)由該通道重新;帔沿徑向向外傳輸?shù)椒€(wěn)定 裝置515,6)優(yōu)選設(shè)置在背向最后一個(gè)透鏡元件109的一側(cè)上，以實(shí) 現(xiàn)將熱干擾從最后一個(gè)透鏡元件109的區(qū)域中快速移除。但是，應(yīng) 當(dāng)理解，可以使用能提供這樣的熱干擾快速移除的這樣的通道系統(tǒng) 的任何其他合適的結(jié)構(gòu)。
疏水的第三層又可以設(shè)置在第二層515.2的外表面上，以降低由 于如上面已經(jīng)描述的積聚的浸沒介質(zhì)110.1的液滴或小液滴的蒸發(fā) 而形成局部散熱裝置的可能性。
如圖7所示，穩(wěn)定裝置515.6可以與控制裝置111.1連接并由其 控制。因此，可以有源地控制在屏蔽裝置515上的熱衰減效果。結(jié) 果，屏蔽裝置515形成了在本發(fā)明意義上的有源熱退耦裝置。優(yōu)選地，穩(wěn)定裝置515.6被控制，使得在第二層515.2 (形成本 發(fā)明意義上的熱屏蔽元件)面向最后一個(gè)透鏡元件109的表面處(在 微光刻裝置101的整個(gè)工作過程中)基本上保持給定的溫度分布， 優(yōu)選是恒溫。為此，在這個(gè)表面上可以設(shè)置與控制裝置111.1連接的 其他溫度傳感器514.2。然后，該控制裝置111.1可以使用由溫度傳 感器514.2提供的溫度數(shù)據(jù)，以上述方式來控制穩(wěn)定裝置515.6。
圖8以對(duì)應(yīng)于圖2的細(xì)節(jié)D的示意圖示出了根據(jù)本發(fā)明的微光 刻裝置101的另一種實(shí)施方式的熱屏蔽裝置615。可以使用該屏蔽裝 置615來代替圖2的屏蔽裝置115、代替圖6的屏蔽裝置415或代替 圖7的屏蔽裝置515。
如從圖8可見，屏蔽裝置615由載熱介質(zhì)615.14的(優(yōu)選是連 續(xù)的)流615.13形成，該流設(shè)置在最后一個(gè)透鏡元件109與浸沒框 110.2之間沒有填充浸沒介質(zhì)110.1的間隙部分110.4內(nèi)。流615.13 是由形式為泵送和溫度調(diào)節(jié)裝置615.6的穩(wěn)定裝置提供，該穩(wěn)定裝置 提供具有規(guī)定溫度和流速的載熱介質(zhì)。
流615.13最初沿徑向方向R流向接觸區(qū)域615.14。在接觸區(qū)域 615.15內(nèi)，載熱介質(zhì)615.14與浸沒介質(zhì)110.1接觸且在必要時(shí)混合。 在接觸區(qū)域615.5的區(qū)域內(nèi)，在浸沒框110.2內(nèi)設(shè)有通道615.16。該 通道615.16通向接觸區(qū)域615.5。通過該通道615.16,載熱介質(zhì)615.14 和必要時(shí)的浸沒介質(zhì)110.1的一部分(必要時(shí)與載熱介質(zhì)615.14混 合)被從最后一個(gè)透鏡元件109與浸沒框110.2之間的間隙抽出并重 新循環(huán)回到穩(wěn)定裝置615.6中。
在穩(wěn)定裝置615.6中，在需要時(shí)，將與載熱介質(zhì)615.14 —起抽出 的浸沒介質(zhì)110.1部分從載熱介質(zhì)615.14分離。穩(wěn)定裝置615.6重新 調(diào)節(jié)載熱介質(zhì)615.4的溫度和流速并重新循環(huán)至載熱介質(zhì)循環(huán)中。
穩(wěn)定裝置615.6也以期望的流速向浸沒區(qū)110提供浸沒介質(zhì) 110.1。應(yīng)當(dāng)理解，提供至浸沒區(qū)IIO的浸沒介質(zhì)110.1的流速和提 供至最后一個(gè)透鏡元件109與浸沒框110.2之間的間隙部分110.4的 載熱介質(zhì)的流速，以及通道615.16內(nèi)的流速是相互匹配的，以實(shí)現(xiàn)如上面所述的結(jié)構(gòu)(即浸沒介質(zhì)110.1與載熱介質(zhì)615.14在接觸區(qū)
域615.15內(nèi)接觸)。此外，這些流速相互匹配，以避免在最后一個(gè) 透鏡元件109內(nèi)的不受歡迎的壓力波動(dòng)。
流615.13提供了沿著最后一個(gè)透鏡元件109的徑向方向R離開 最后一個(gè)透鏡元件109的良好熱傳導(dǎo)。因此，由浸沒介質(zhì)110.1或浸 沒框110.2引起的熱干擾通過流615.13提供的相應(yīng)高程度的熱傳導(dǎo) 得到快速減小或甚至完全補(bǔ)償。因此，這樣的熱干擾即使有也可以 只以減小的程度向最后一個(gè)透鏡元件109傳播。換句話說，實(shí)現(xiàn)了 有效的熱衰減效果。這樣的熱干擾的傳播的進(jìn)一步減少可以由設(shè)在 最后一個(gè)透鏡元件上的熱絕緣的第一層提供，該第一層在圖8中用 虛線輪廓615.1表示。換句話說，通過形成本發(fā)明意義上的熱退耦裝 置的屏蔽裝置615,最后一個(gè)透鏡元件109有效地從其環(huán)境中，特別 是從浸沒介質(zhì)110.1中熱退耦。
如圖8所示，穩(wěn)定裝置615.6可以與控制裝置111.1連接并由其 控制。因此，可以有源地控制在屏蔽裝置615上的熱衰減效果。
熱衰減裝置111還包括環(huán)形的第二屏蔽裝置116,該第二屏蔽裝 置設(shè)置在最后一個(gè)透鏡元件109的支架117和倒數(shù)第二個(gè)透鏡元件 108的支架118之間，且形成第二無源熱衰減部件，從而形成本發(fā)明 意義上的熱退耦裝置。
第二屏蔽裝置116從兩個(gè)支架117和118 (連接至物鏡104的殼 體上)的連接區(qū)域延伸直到最后一個(gè)透鏡元件109在將投影圖案投 影到晶片上的過程中在光學(xué)上未使用的表面部分109.3。第二屏蔽裝 置116還用作珀耳帖元件114.1的載體。
如圖2所示的第二屏蔽裝置116由高熱導(dǎo)材料構(gòu)成。在兩個(gè)支架 117和118的連接區(qū)域內(nèi)，第二屏蔽裝置116與溫度穩(wěn)定的中間元件 119連4妄，該中間元件通過環(huán)形通道119.1由例如為水的載熱介質(zhì)通 過，該載熱介質(zhì)通過載熱介質(zhì)源119.2保持在恒定的溫度下。
通過溫度穩(wěn)定的中間元件119的恒定溫度和第二屏蔽裝置116 的高導(dǎo)熱性，在第二屏蔽裝置116面向支架117的一側(cè)上產(chǎn)生了近似恒定的溫度。因此，實(shí)現(xiàn)了支架117和最后一個(gè)透鏡元件109的
一部分與物鏡104的其他部分之間的熱屏蔽效果，使得在這里，同 樣實(shí)現(xiàn)了對(duì)最后一個(gè)透鏡元件109通過這一側(cè)引入的熱干擾的衰減效果。
應(yīng)當(dāng)理解，在原則上，第二屏蔽裝置116又可以用任何的方式進(jìn) 行設(shè)計(jì)。特別地，在本發(fā)明的其他變型方案中，它也可以被設(shè)計(jì)成 與上面描述的第一屏蔽裝置的變型方案類似的筒單的單層或多層熱 絕緣裝置。但是，它也可以是兩個(gè)或多個(gè)層的組合，其中包括至少 一個(gè)高度導(dǎo)熱層和至少一個(gè)熱絕緣層。特別地，在圖8所示的實(shí)施 方式中，在第二屏蔽裝置116面向支架117的一側(cè)上可以形成相應(yīng) 的絕緣層。
圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)成像方法的一種優(yōu)選實(shí)施方式的 框圖，該方法可以利用孩t光刻裝置101來實(shí)施。
首先，在步驟120.1中開始該方法的實(shí)施。在步驟120.2中，微 光刻裝置101的部件彼此相對(duì)定位，以實(shí)現(xiàn)上面描述的結(jié)構(gòu)。
在步驟120.3中，以上面已經(jīng)描述的方式，將投影圖案的至少一 部分投影到晶片105.1上。在步驟120.3中，與投影并行地，如上面 已經(jīng)描述，通過熱衰減裝置111提供對(duì)最后一個(gè)透鏡元件109的溫 度分布中由最后一個(gè)透鏡元件的環(huán)境(特別是浸沒介質(zhì))引起的波 動(dòng)的熱衰減。
為此，在步驟120.4中，如上面所述，通過溫度傳感器112.2, 112.3, 114.2, 114.3確定相應(yīng)的溫度。此外，如上面所述，確定其 他參數(shù)，例如浸沒介質(zhì)110.1的實(shí)際供給溫度TIF、浸沒介質(zhì)110.1 的流速和照明裝置102的實(shí)際光功率。
在步驟120.5中，控制裝置111確定在浸沒區(qū)110中浸沒介質(zhì) 110.1內(nèi)的實(shí)際溫度分布TI和最后一個(gè)透4竟元件109的實(shí)際溫度分 布TE。如上面所述，這通過存儲(chǔ)的溫度特性模型和使用在步驟120.3 中確定的數(shù)據(jù)完成。此外，控制裝置111確定用于單獨(dú)的影響裝置 (例如溫度調(diào)節(jié)裝置112.2、供給裝置112.1、第二供給裝置113.2、珀耳帖元件114.1等)的控制值C。
在這里，溫度特性模型表示捕獲或者確定的溫度以及其他參數(shù)(例如浸沒介質(zhì)110.1的流速、照明裝置102的光功率等)與在溫度特性模型的相應(yīng)對(duì)象內(nèi)待預(yù)期的溫度分布之間的關(guān)系。
可以已經(jīng)用經(jīng)驗(yàn)的方式和/或通過模擬計(jì)算，為溫度特性模型的
相應(yīng)對(duì)象(即最后一個(gè)透鏡元件109或浸沒介質(zhì)110.1 )確定溫度特性模型的相應(yīng)部分。特別是對(duì)于在微光刻裝置101中有規(guī)律重復(fù)的情況，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)在浸沒區(qū)110內(nèi)的浸沒介質(zhì)110.1內(nèi)的實(shí)際溫度分布TI和在最后一個(gè)透鏡元件109內(nèi)的實(shí)際溫度分布TE的足夠精確的估計(jì)。
在步驟120.6中，使用確定的控制值C,通過以上述方式，通過控制裝置111.1控制相應(yīng)的影響裝置(例如溫度調(diào)節(jié)裝置112.2、供給裝置112.1、第二供給裝置113.2、珀耳帖元件114.1等)，來影響
控制參數(shù)CP。
在步驟120.7中，檢查該方法的實(shí)施是否需要停止。如果是需要停止的情況，方法的實(shí)施在步驟120.3中停止。否則，跳回至步驟120.3。
在上文，已經(jīng)通過以組合的方式設(shè)有多個(gè)有源熱衰減控制電路112、 113、 114和無源熱衰減部件115、 116的例子，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述。但是，在這里要提到的是，在本發(fā)明的其他變型方案中，單個(gè)的有源熱衰減控制電路和無源熱衰減部件都可以單獨(dú)使用或以任何組合方式使用。
此外，在上文，已經(jīng)通過最后一個(gè)透鏡元件109的一部分在成像期間浸入浸沒介質(zhì)110.1中的例子，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述。但是，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明也可以用在這樣的浸沒系統(tǒng)中，在這些系統(tǒng)中，至少暫時(shí)地填充有浸沒介質(zhì)的浸沒區(qū)(作為最后 一 個(gè)透鏡元件與晶片之間的浸沒區(qū)的附加或替代)位于光學(xué)元件組的兩個(gè)光學(xué)元件之間。這樣的多浸沒裝置系統(tǒng)或雙浸系統(tǒng)例如已由WO2006/080212A1,WO2004/019128A2, WO 2006/051689 Al ， WO 2006/126522 Al ， WO2006/121008 Al和US 7,180,572 Bl公開，所有這些文獻(xiàn)的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。
圖10用與圖2的視圖相對(duì)應(yīng)的視圖示意地示出了可以用在微光刻裝置101中的雙浸沒系統(tǒng)。在這里，透鏡元件109不是設(shè)置成緊接晶片105.1，而是設(shè)置成與形式為位于透鏡元件109與晶片105.1之間的另一個(gè)光學(xué)元件709鄰接。浸沒區(qū)IIO位于透鏡元件109與透鏡元件709之間，而填充有另一種浸沒介質(zhì)710的另一個(gè)浸沒區(qū)710位于另一個(gè)透鏡元件709與晶片105.1之間。
熱衰減裝置111按照上述的方式構(gòu)成，以提供對(duì)由環(huán)境引起的熱干擾的熱衰減，這些熱干擾可能引起透鏡元件109的溫度分布內(nèi)的熱干擾。應(yīng)當(dāng)理解，可以設(shè)置另一個(gè)熱衰減裝置，來提供對(duì)由環(huán)境，特別是浸沒介質(zhì)引起的熱干擾的熱衰減，這些干擾可能引起另一個(gè)透鏡元件709的溫度分布內(nèi)的熱干擾。該另一個(gè)熱衰減裝置可以按照與熱衰減裝置111類似的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)。此外，熱衰減裝置111也可以被設(shè)計(jì)成為該另 一個(gè)透鏡元件709沖是供這樣的熱衰減。
浸沒介質(zhì)110.1可以與浸沒介質(zhì)610.1相同或者不同?？梢?使用任何合適的浸沒介質(zhì)。這樣的浸沒介質(zhì)的例子為諸如D20、 D20*、1120*之類的重水或重氧水，其中0*可以包括同位素016、 017和018。這些浸沒介質(zhì)可以按照任意比率混合，以便在相應(yīng)的浸沒區(qū)110和710內(nèi)分別實(shí)現(xiàn)期望的折射率，和/或以便在兩種浸沒介質(zhì)的折射率之間實(shí)現(xiàn)期望的關(guān)系和/或在光學(xué)元件109、 709的折射率與浸沒介質(zhì)110.1、 710.1之一或兩者之間實(shí)現(xiàn)期望的關(guān)系。對(duì)于這樣的混合物的相應(yīng)例子和折射率值已在US 2006/092533 Al、 US 2006/066926 Al和WO 2005/106589 Al中給出，每篇文獻(xiàn)的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。
在上文，已經(jīng)通過只包括折射光學(xué)元件的光學(xué)元件組的例子，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述。但是，在這里要提到的是，特別是在不同波長(zhǎng)下進(jìn)行成像過程的情況下，當(dāng)然可以使用以單獨(dú)或任意組合的方式包括折射、反射或衍射光學(xué)元件的光學(xué)元件組。此外，要提到的是，在上文，已經(jīng)通過在微光刻領(lǐng)域中的例子，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述。但是，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明也可以相應(yīng)地用于其他任何應(yīng)用和成像過程。
權(quán)利要求
1. 一種特別是用于微光刻技術(shù)的光學(xué)成像裝置，包括用于接收掩模的掩模裝置，該掩模包括投影圖案，包括光學(xué)元件組的投影裝置，用于接收襯底的襯底裝置，以及浸沒區(qū)，其中，所述光學(xué)元件組能夠?qū)⑼队皥D案投影到所述襯底上，所述光學(xué)元件組包含多個(gè)具有浸沒元件的光學(xué)元件，特別是最后一個(gè)光學(xué)元件，該浸沒元件至少被暫時(shí)地設(shè)置成與所述浸沒區(qū)鄰接，以及所述浸沒區(qū)在工作期間至少暫時(shí)地填充有浸沒介質(zhì)，特別是，所述浸沒區(qū)在工作期間設(shè)置在形成所述浸沒元件的最后一個(gè)光學(xué)元件與所述襯底之間，其特征在于，設(shè)有熱衰減裝置，其能夠減小在所述浸沒元件的溫度分布TE內(nèi)由所述浸沒介質(zhì)引起的波動(dòng)，其中，所述熱衰減裝置包括至少一個(gè)熱退耦裝置，該熱退耦裝置提供所述浸沒元件從其環(huán)境的至少一部分中的至少部分熱退耦。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述浸沒元件包括在將所述投影圖案投影到所述襯底上的過程中在光學(xué)上使用的第一區(qū)域和在光學(xué)上未使用的第二區(qū)域，和設(shè)有作為熱退耦裝置的第一屏蔽裝置，所述第一屏蔽裝置使所述第二區(qū)域的第 一段的至少 一部分，特別是所述第二區(qū)域的基本上整個(gè)第一段與所述浸沒介質(zhì)熱屏蔽，其中，所述第一段是所述第二區(qū)域與所述浸沒介質(zhì)鄰接的整個(gè)段，和/或設(shè)有作為熱退耦裝置的第二屏蔽裝置，所述第二屏蔽裝置使所述第二區(qū)域的第二段的至少 一部分，特別是所述第二區(qū)域的基本上整個(gè)第二段與所述投影裝置的鄰接段熱屏蔽，其中，所述第二段是所述第二區(qū)域與所述投影裝置的所述鄰接段鄰接的整個(gè)段。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述浸沒元件由保持裝置保持，和設(shè)有作為熱退耦裝置的第三屏蔽裝置，所述第三屏蔽裝置使所述保持裝置的至少一部分，特別是基本上整個(gè)保持裝置與其環(huán)境熱屏敝。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述第三屏蔽裝置使所述保持裝置與所述投影裝置的鄰接段鄰接的區(qū)域的至少 一 部分，特別是所述保持裝置與所述投影裝置的鄰接段鄰接的整個(gè)區(qū)域與所述投影裝置的所述鄰接段熱屏蔽。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述熱退耦裝置包括至少一個(gè)無源熱絕緣裝置，所述至少一個(gè)無源熱絕緣裝置特別包括有機(jī)材料，和/或包括至少一個(gè)有源屏蔽裝置，該有源屏蔽裝置具有至少一個(gè)屏蔽元件和與所述屏蔽元件連接的至少一個(gè)溫度調(diào)節(jié)裝置，其中，所述溫度調(diào)節(jié)裝置被設(shè)置成使得在所述屏蔽元件的至少一個(gè)表面上基本保持可選擇的溫度分布。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述熱退耦裝置包括至少一個(gè)有源屏蔽裝置，和所述溫度調(diào)節(jié)裝置能夠在所述至少 一個(gè)屏蔽元件的區(qū)域內(nèi)提供載熱介質(zhì)流。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述熱退耦裝置包括至少 一 個(gè)背向所述浸沒元件的疏水表面，特別是疏水涂層。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，為所述浸沒元件給定理論溫度分布TSE,和所述熱衰減裝置能夠保持與所述理論溫度分布TSE的給定最大偏差A(yù)TE。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述最大偏差A(yù)TE小于10mK,優(yōu)選小于lmK。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述浸沒元件具有實(shí)際溫度分布TE以及為所述浸沒元件給定的理論溫度分布TSE，和所述熱衰減裝置包括至少一個(gè)確定裝置、至少暫時(shí)地與所述確定裝置連接的控制裝置和至少暫時(shí)地與所述控制裝置連接的影響裝置，其中，所述確定裝置確定至少一個(gè)影響所述實(shí)際溫度分布TE或表示所述實(shí)際溫度分布TE的參數(shù)P，所述控制裝置根據(jù)所述確定的參數(shù)P和所述理論溫度分布TSE確定至少一個(gè)控制值C，以及所述影響裝置根據(jù)所述至少一個(gè)確定的控制值C,對(duì)影響所述實(shí)際溫度分布TE的控制參數(shù)CP進(jìn)行影響，使得所述實(shí)際溫度分布TE與所述理論溫度分布TSE的偏差被4氐消。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述參數(shù)P是所述浸沒介質(zhì)的至少一個(gè)局部溫度或者所述浸沒元件的至少一個(gè)局部溫度。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述確定裝置包括至少一個(gè)溫度傳感器，用于測(cè)量所述至少一個(gè)局部溫度，和/或包括至少一個(gè)估計(jì)裝置，用于估計(jì)所述至少一個(gè)局部溫度。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述控制參數(shù)CP是所述浸沒介質(zhì)的溫度，或是所述浸沒介質(zhì)的流速，或是與所述浸沒介質(zhì)接觸的氣體氣氛的溫度，或是與所述浸沒介質(zhì)接觸的氣體氣氛的濕度，或是與所述浸沒介質(zhì)接觸的氣體氣氛的流速，或是與所述浸沒元件可操作地連接的至少 一 個(gè)溫度調(diào)節(jié)元件的溫度。
14，根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述控制裝置能夠使用所述浸沒區(qū)中的所述浸沒元件和/或所述浸沒介質(zhì)的溫度特性模型來確定所述控制值C 。
15，根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述控制裝置包括存儲(chǔ)器，在該存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有表示所述溫度特性模型的模型數(shù)據(jù)或者存儲(chǔ)有用于計(jì)算表示所述溫度特性模型的模型數(shù)據(jù)的參數(shù)，和所述控制裝置使用所述模型數(shù)據(jù)來確定所述控制值C 。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10至15中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述熱衰減裝置包括作為所述影響裝置的至少 一個(gè)第 一溫度調(diào)節(jié)裝置，該第一溫度調(diào)節(jié)裝置用于調(diào)節(jié)所述浸沒介質(zhì)施加給所述浸沒區(qū)的溫度。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述控制裝置根據(jù)待預(yù)期的在所述浸沒介質(zhì)內(nèi)的所述溫度分布TI的變化量ATIE來確定用于所述第一溫度調(diào)節(jié)裝置的所述控制值C,使得所述第一溫度調(diào)節(jié)裝置將所述浸沒介質(zhì)施加給所述浸沒區(qū)的所述溫度調(diào)節(jié)到供給溫度TIF，其中，選取所述供給溫度TIF，使得由于所述待預(yù)期的在所述浸沒介質(zhì)內(nèi)的所述溫度分布TI的所述變化量ATIE，在所述浸沒介質(zhì)內(nèi)的給定溫度分布TSI將被預(yù)期到。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述第一溫度調(diào)節(jié)裝置設(shè)置在所述浸沒介質(zhì)進(jìn)入所述浸沒區(qū)的進(jìn)口區(qū)域中。
19. 根據(jù)權(quán)利要求10至18中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述熱衰減裝置包括作為所述影響裝置的一調(diào)節(jié)裝置，該調(diào)節(jié)裝置用于影響所述浸沒介質(zhì)在與鄰接的氣體氣氛接觸的接觸區(qū)域內(nèi)由蒸發(fā)引起的冷卻，其中，所述調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)與所述浸沒介質(zhì)接觸的所述氣體氣氛的至少一個(gè)狀態(tài)參數(shù)，且所述至少一個(gè)狀態(tài)參數(shù)是所述氣體氣氛的溫度TA、所述氣體氣氛的濕度HA或所述氣體氣氛的流速VA。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述控制裝置根據(jù)所述浸沒介質(zhì)在所述接觸區(qū)域中的狀態(tài)來確定用于所述調(diào)節(jié)裝置的所述控制值C,使得在所述接觸區(qū)域內(nèi)能預(yù)期到所述浸沒介質(zhì)的給定的由蒸發(fā)引起的冷卻，特別是基本上沒有由蒸發(fā)引起的冷卻。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述接觸區(qū)域基本上在所述浸沒介質(zhì)的整個(gè)自由表面上方延伸。
22. 根據(jù)權(quán)利要求6至21中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述熱衰減裝置包括作為影響裝置的至少 一個(gè)第二溫度調(diào)節(jié)裝置，該第二溫度調(diào)節(jié)裝置與所述浸沒元件可操作地連接以調(diào)節(jié)所述浸沒元件的溫度。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述控制裝置根據(jù)由所述確定裝置確定的在所述浸沒區(qū)內(nèi)的所述浸沒介質(zhì)內(nèi)的溫度分布TI，來確定用于所述第二溫度調(diào)節(jié)裝置的所述控制值C，使得所述第二溫度調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)所述浸沒元件的溫度，從而所述實(shí)際溫度分布TE與所述理論溫度分布TSE的偏差#皮4氏消，該偏差是歸因于在所述浸沒介質(zhì)內(nèi)的所述確定的溫度分布TI。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22或23所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述第二溫度調(diào)節(jié)裝置設(shè)置在所述浸沒元件的周邊區(qū)域內(nèi)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22至24中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述第二溫度調(diào)節(jié)裝置包括至少一個(gè)珀耳帖元件，和/或包括設(shè)置在所述浸沒元件處的至少一個(gè)電阻加熱裝置，其中，所述電阻加熱裝置特別是埋置在所述浸沒元件內(nèi)或者用保護(hù)層覆蓋以免受所述浸沒介質(zhì)的影響，和/或包括至少一個(gè)輻射加熱裝置，用于向所述浸沒元件提供加熱輻射，特別是紅外輻射。
26. 根據(jù)權(quán)利要求6至25中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，選擇所述理論溫度分布TSE，使得所述浸沒元件的至少 一種成像誤差減小，特別是達(dá)到最小，和/或所述光學(xué)元件組的至少 一種成像誤差減小，特別是達(dá)到最小。
27. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述浸沒元件是由具有比石英玻璃折射率更大的折射率的材料和/或具有表現(xiàn)出比石英玻璃折射率更高的溫度靈敏度的材料制成。
28. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述浸沒元件是由尖晶石或LuAG制成的。
29. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述浸沒元件是所述光學(xué)元件組在工作期間至少暫時(shí)地與所述襯底鄰接的最后一個(gè)光學(xué)元件。
30. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，數(shù)值孔徑至少為1.3,特別是至少為1.4。
31. —種特別是用于微光刻技術(shù)的光學(xué)成像方法，其中，通過光學(xué)元件組的光學(xué)元件將投影圖案投影到襯底上，其中，在浸沒區(qū)的范圍內(nèi)，將所述光學(xué)元件組的浸沒元件，特別是最后一個(gè)光學(xué)元件，至少部分地浸入在浸沒介質(zhì)中，所述浸沒介質(zhì)特別是與所述襯底鄰接，其特征在于，通過熱衰減裝置提供在所述浸沒元件的溫度分布TE內(nèi)由所述浸沒介質(zhì)引起的波動(dòng)的減小，其中，通過所述熱衰減裝置，提供所述浸沒元件從其環(huán)境的至少一部分中的至少部分熱退耦。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述浸沒元件包括在將所述投影圖案投影到所述襯底上的過程中在光學(xué)上使用的第一區(qū)域和在光學(xué)上未使用的第二區(qū)域，和使所述第二區(qū)域的第 一段的至少 一部分，特別是所述第二區(qū)域的基本上整個(gè)第一段與所述浸沒介質(zhì)屏蔽，其中，所述第一段是所述第二區(qū)域與所述浸沒介質(zhì)鄰接的整個(gè)段，和/或使所述第二區(qū)域的第二段的至少 一部分，特別是所述第二區(qū)域的基本上整個(gè)第二段與所述投影裝置的鄰接段屏蔽，其中，所述第二段是所述第二區(qū)域與所述投影裝置的所述鄰接段鄰接的整個(gè)段。
33. 根據(jù)權(quán)利要求31或32所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述浸沒元件由保持裝置保持，和使所述保持裝置的至少一部分，特別是基本上整個(gè)保持裝置與其環(huán)境屏蔽。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，使所述保持裝置與所述投影裝置的鄰接段鄰接的區(qū)域的至少 一部分，特別是所述保持裝置與所述投影裝置的鄰接段鄰接的基本上整個(gè)區(qū)域與所述投影裝置的所述鄰接段屏蔽。
35. 根據(jù)權(quán)利要求31至34中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述熱退耦裝置是通過至少 一個(gè)無源熱絕緣裝置提供，所述至少 一個(gè)無源熱絕緣裝置特別包括有機(jī)材料，和/或是通過至少一個(gè)有源屏蔽裝置提供，該有源屏蔽裝置具有至少一個(gè)屏蔽元件和與所述屏蔽元件連接的至少 一 個(gè)溫度調(diào)節(jié)裝置，其中，所述溫度調(diào)節(jié)裝置被設(shè)置成使得在所述屏蔽元件的至少一個(gè)表面上基本保持可選擇的溫度分布。
36. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述熱退耦裝置是通過至少一個(gè)有源屏蔽裝置提供，和所述溫度調(diào)節(jié)裝置在所述至少一個(gè)屏蔽元件的區(qū)域內(nèi)提供載熱介質(zhì)流。
37. 根據(jù)權(quán)利要求31至36中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，為所述浸沒元件給定理論溫度分布TSE,和通過所述熱衰減裝置保持與所述理論溫度分布TSE的給定最大偏差A(yù)TE。
38. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述最大偏差A(yù)TE小于10mK,優(yōu)選小于lmK。
39. 根據(jù)權(quán)利要求31至38中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述最后一個(gè)浸沒元件具有實(shí)際溫度分布TE以及為所述浸沒元件給定理論溫度分布TSE，和通過所述熱衰減裝置確定影響所述實(shí)際溫度分布TE或表示所述實(shí)際溫度分布TE的至少一個(gè)參數(shù)P,根據(jù)所述確定的參數(shù)P和所述理論溫度分布TSE,確定至少一個(gè)控制值C，以及根據(jù)所述至少一個(gè)確定的控制值C,對(duì)影響所述實(shí)際溫度分布TE的控制參數(shù)CP進(jìn)行影響，使得所述實(shí)際溫度分布TE與所述理論溫度分布TSE的偏差被抵消。
40. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述參數(shù)P是所述浸沒介質(zhì)的至少一個(gè)局部溫度或者所述浸沒元件的至少一個(gè)局部溫度。
41. 根據(jù)權(quán)利要求40所述的光學(xué)成像方法，其特征在于， 測(cè)量所述至少一個(gè)局部溫度，和/或估計(jì)所述至少一個(gè)局部溫度。
42. 根據(jù)權(quán)利要求39至41中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，所述控制參數(shù)CP是所述浸沒介質(zhì)的溫度，或 是所述浸沒介質(zhì)的流速，或 是與所述浸沒介質(zhì)接觸的氣體氣氛的溫度，或 是與所述浸沒介質(zhì)接觸的氣體氣氛的濕度，或 是與所述浸沒介質(zhì)接觸的氣體氣氛的流速，或 是與所述浸沒元件可操作地連接的至少一個(gè)溫度調(diào)節(jié)元件的溫度。
43. 根據(jù)權(quán)利要求39至42中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，使用在所述浸沒區(qū)內(nèi)的所述浸沒元件和/或所述浸沒介質(zhì)的 溫度特性模型，來確定所述控制值C。
44. 根據(jù)權(quán)利要求43所述的光學(xué)成像方法，其特征在于， 使用模型數(shù)據(jù)來確定所述控制值C，其中所述模型數(shù)據(jù)表示所述溫度特性模型或用于計(jì)算所述溫度特性 模型的參數(shù)。
45. 根據(jù)權(quán)利要求39至44中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，調(diào)節(jié)所述浸沒介質(zhì)施加給所述浸沒區(qū)的溫度。
46. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的光學(xué)成像方法，其特征在于， 根據(jù)待預(yù)期的在所述浸沒介質(zhì)內(nèi)的所述溫度分布TI的變化量ATIE來確定所述控制值C，使得將所述浸沒介質(zhì)施加給所述浸沒區(qū)的 所述溫度調(diào)節(jié)到供給溫度TIF,其中，選取所述供給溫度TIF,使得由于待預(yù)期的在所述浸沒介質(zhì)內(nèi)的 所述溫度分布TI的所述變化量ATIE，在所述浸沒介質(zhì)內(nèi)的給定溫度分布TSI將被預(yù)期到。
47. 根據(jù)權(quán)利要求45或46所述的光學(xué)成像方法，其特征在于， 在所述浸沒介質(zhì)進(jìn)入所述浸沒區(qū)的進(jìn)口區(qū)域內(nèi)，調(diào)節(jié)所述浸沒介質(zhì) 的所述溫度。
48. 根據(jù)權(quán)利要求39至47中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，所述熱衰減裝置影響所述浸沒介質(zhì)在與鄰接的氣體氣氛的接觸 區(qū)域內(nèi)由蒸發(fā)引起的冷卻，其中，調(diào)節(jié)與所述浸沒介質(zhì)接觸的所述氣體氣氛的至少 一個(gè)狀態(tài)參數(shù)，和所述至少一個(gè)狀態(tài)參數(shù)是所述氣體氣氛的溫度TA、所述氣體氣 氛的濕度HA或所述氣體氣氛的流速VA。
49. 根據(jù)權(quán)利要求48所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，根據(jù)在所述接觸區(qū)域內(nèi)的所述浸沒介質(zhì)的給定的由蒸發(fā)引起的冷卻，特 別是基本上沒有由蒸發(fā)引起的冷卻將被預(yù)期到。
50. 根據(jù)權(quán)利要求48或49所述的光學(xué)成像方法，其特征在于， 所述接觸區(qū)域基本上在所述浸沒介質(zhì)的整個(gè)自由表面上方延伸。
51. 根據(jù)權(quán)利要求39至50中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，通過所述熱衰減裝置，直接調(diào)節(jié)所述浸沒元件的溫度。
52. 根據(jù)權(quán)利要求51所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，根據(jù) 在所述浸沒區(qū)內(nèi)的所述浸沒介質(zhì)內(nèi)的溫度分布TI,來確定所述控制 值C,從而調(diào)節(jié)所述浸沒元件的溫度，使得所述實(shí)際溫度分布TE與 所述理論溫度分布TSE的偏差被抵消，該偏差是歸因于在所述浸沒 介質(zhì)內(nèi)的所述確定的溫度分布TI。
53. 根據(jù)權(quán)利要求51或52所述的光學(xué)成像方法，其特征在于， 在所述浸沒元件的周邊區(qū)域內(nèi)調(diào)節(jié)所述浸沒元件的溫度。
54. 根據(jù)權(quán)利要求51至54中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，所述浸沒元件的溫度是通過至少一個(gè)珀耳帖元件調(diào)節(jié)，和/或是通過設(shè)置在所述浸沒元件處的至少 一 個(gè)電阻加熱裝置調(diào)節(jié)，其 中，所述電阻加熱裝置特別是埋置在所述浸沒元件內(nèi)或者用保護(hù)層 覆蓋以免受所述浸沒介質(zhì)的影響，和/或是通過至少一個(gè)輻射加熱裝置調(diào)節(jié)，用于向所述浸沒元件提供加 熱輻射，特別是紅外輻射。
55，根據(jù)權(quán)利要求39至54中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，選擇所述理論溫度分布TSE，使得所述浸沒元件的至少一 種成像誤差減小，特別是達(dá)到最小。
56. 根據(jù)權(quán)利要求39至55中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，選擇所述理論溫度分布TSE,使得所述光學(xué)元件組的至少 一種成像誤差減小，特別是達(dá)到最小。
57. 根據(jù)權(quán)利要求31至56中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，所述浸沒元件是由具有比石英玻璃折射率更大的折射率的 材料制成。
58. 根據(jù)權(quán)利要求31至57中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，所述浸沒元件是由具有表現(xiàn)出比石英玻璃折射率更高的溫 度靈敏度的材料制成。
59. 根據(jù)權(quán)利要求31至58中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，所述浸沒元件是由尖晶石或LuAG制成的。
60. 根據(jù)權(quán)利要求31至59中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，數(shù)值孔徑至少為1.3，特別是至少為1.4。
61. —種特別是用于微光刻技術(shù)的光學(xué)成像裝置，包括 用于接收掩模的掩模裝置，該掩模包括投影圖案， 包括光學(xué)元件組的投影裝置， 用于接收襯底的襯底裝置，其中，所述光學(xué)元件組能夠?qū)⑼队皥D案投影到所述襯底上，所述光學(xué)元件組包含多個(gè)光學(xué)元件，其中包括至少一個(gè)熱控制光 學(xué)元件，其中，設(shè)有熱衰減裝置，其與所述熱控制光學(xué)元件相關(guān)聯(lián)，所述熱衰減裝置能夠減小在所述熱控制光學(xué)元件的溫度分布TE內(nèi)的波動(dòng)，所述熱衰減裝置使用所述熱控制光學(xué)元件的溫度特性模型來減 小在所述熱控制光學(xué)元件的溫度內(nèi)的波動(dòng)。
62. 根據(jù)權(quán)利要求61所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于， 所述熱衰減裝置包括存儲(chǔ)器，在該存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有表示所述溫度特性模型的模型數(shù)據(jù)或用于計(jì)算表示所述溫度特'法模型的模型數(shù)據(jù) 的參數(shù)，和所述熱衰減裝置使用所述模型數(shù)據(jù)來減小在所述熱控制光學(xué)元 件的溫度內(nèi)的波動(dòng)。
63. 根據(jù)權(quán)利要求61或62所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于， 為所述熱控制光學(xué)元件給定理論溫度分布TSE， 所述熱衰減裝置能夠保持與所述理論溫度分布TSE的給定最大偏差A(yù)TE。
64. 根據(jù)權(quán)利要求63所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述 最大偏差A(yù)TE小于10mK,優(yōu)選小于lmK。
65. 根據(jù)權(quán)利要求61至64中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，所述熱控制光學(xué)元件具有實(shí)際溫度分布TE以及為所述熱控制光 學(xué)元件給定理論溫度分布TSE,和所述熱衰減裝置包括至少一個(gè)確定裝置、至少暫時(shí)地與所述確定 裝置連接的控制裝置和至少暫時(shí)地與所述控制裝置連接的影響裝 置，其中，所述確定裝置確定影響所述實(shí)際溫度分布TE或表示所述實(shí)際溫 度分布TE的至少一個(gè)參數(shù)P，所述控制裝置根據(jù)所述確定的參數(shù)P和所述理論溫度分布TSE確定至少一個(gè)控制值C，以及所述影響裝置根據(jù)所述至少一個(gè)確定的控制值C，對(duì)影響所述實(shí)際溫度分布TE的控制參數(shù)CP進(jìn)行影響，使得所述實(shí)際溫度分布TE 與所述理論溫度分布TSE的偏差被抵消。
66. 根據(jù)權(quán)利要求65所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述 參數(shù)P是設(shè)置與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)的至少一個(gè)局 部溫度或者所述熱控制光學(xué)元件的至少一個(gè)局部溫度。
67. 根據(jù)權(quán)利要求66所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述 確定裝置包括至少一個(gè)溫度傳感器，用于測(cè)量所述至少一個(gè)局部溫度，和/或包括至少一個(gè)估計(jì)裝置，用于估計(jì)所述至少一個(gè)局部溫度。
68. 根據(jù)權(quán)利要求65至67中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，所述控制參數(shù)CP是與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)的溫度，或是與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)的流速，或 是同與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)接觸的氣體氣氛的溫度，或是同與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)接觸的氣體氣氛的 濕度，或是同與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)接觸的氣體氣氛的 流速，或是與所述熱控制光學(xué)元件可操作地連接的至少 一個(gè)溫度調(diào)節(jié)元件的溫度。
69. 根據(jù)權(quán)利要求65至68中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，設(shè)有接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域被設(shè)置成與所述熱控制光學(xué) 元件鄰接且至少暫時(shí)地被提供有接觸介質(zhì)。
70. 根據(jù)權(quán)利要求69所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述熱控制光學(xué)元件是在工作期間至少暫時(shí)地與所述襯底鄰接的最后一個(gè)光學(xué)元件，所述接觸區(qū)域是位于所述最后 一 個(gè)光學(xué)元件與所述襯底之間的 浸沒區(qū)，該浸沒區(qū)至少暫時(shí)地填充有浸沒介質(zhì)，作為所述接觸介質(zhì)。
71. 根據(jù)權(quán)利要求69或70所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述熱衰減裝置包括作為所述影響裝置的至少 一 個(gè)第 一 溫度調(diào)節(jié)裝 置，該第 一溫度調(diào)節(jié)裝置用于調(diào)節(jié)所述接觸介質(zhì)施加給所述接觸區(qū) 域的溫度。
72. 根據(jù)權(quán)利要求71所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，TI的變化量ATIE，來確定用于所述第一溫度調(diào)節(jié)裝置的所述控制值 C,使得所述第一溫度調(diào)節(jié)裝置將所述接觸介質(zhì)施加給所述接觸區(qū)域 的溫度調(diào)節(jié)到供給溫度TIF,其中，選取所述供給溫度TIF,使得由于待預(yù)期的在所述接觸介質(zhì)內(nèi)的 所述溫度分布TI的所述變化量ATIE，在所述接觸介質(zhì)內(nèi)的給定溫 度分布TSI將被預(yù)期到。
73. 根據(jù)權(quán)利要求71或72所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于， 所述第一溫度調(diào)節(jié)裝置設(shè)置在所述接觸介質(zhì)進(jìn)入所述接觸區(qū)域的進(jìn) 口區(qū)纟或內(nèi)。
74. 根據(jù)權(quán)利要求69至73中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，所述熱衰減裝置包括作為所述影響裝置用于影響所述接觸介質(zhì) 在與鄰接的氣體氣氛的接觸區(qū)域內(nèi)由蒸發(fā)引起的冷卻的調(diào)節(jié)裝置， 其中，所述調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)與所述接觸介質(zhì)接觸的所述氣體氣氛的至少 一個(gè)狀態(tài)參數(shù)，和所述至少一個(gè)狀態(tài)參數(shù)是所述氣體氣氛的溫度TA、所述氣體氣 氛的濕度HA或所述氣體氣氛的流速VA。
75. 根據(jù)權(quán)利要求74所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述 控制裝置根據(jù)在所述接觸區(qū)域內(nèi)的所述接觸介質(zhì)的狀態(tài)來確定用于所述調(diào)節(jié)裝置的所述控制值C,使得在所述接觸區(qū)域內(nèi)的所述接觸 介質(zhì)的給定的由蒸發(fā)引起的冷卻，特別是基本上沒有由蒸發(fā)引起的冷卻將被預(yù)期到。
76. 根據(jù)權(quán)利要求74或75所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于， 所述接觸區(qū)域基本上在所述浸沒介質(zhì)的整個(gè)自由表面上方延伸。
77. 根據(jù)權(quán)利要求65至76中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，所述熱衰減裝置包括作為所述影響裝置的至少一個(gè)第二溫 度調(diào)節(jié)裝置，該第二溫度調(diào)節(jié)裝置與所述熱控制光學(xué)元件可操作地 連接以調(diào)節(jié)所述熱控制光學(xué)元件的溫度。
78. 根據(jù)權(quán)利要求77所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，與所述熱控制光學(xué)元件鄰接地設(shè)有接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域至少 暫時(shí)地填充有接觸介質(zhì)，和所述控制裝置根據(jù)由所述確定裝置確定的在所述接觸區(qū)域內(nèi)的 所述接觸介質(zhì)內(nèi)的溫度分布TI，來確定用于所述第二溫度調(diào)節(jié)裝置 的所述控制值C,使得所述第二溫度調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)所述熱控制光學(xué) 元件的溫度，從而所述實(shí)際溫度分布TE與所述理論溫度分布TSE 的偏差被抵消，該偏差是歸因于在所述接觸介質(zhì)內(nèi)的所述確定的溫 度分布TI。
79. 根據(jù)權(quán)利要求77或78所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于， 所述第二溫度調(diào)節(jié)裝置設(shè)置在所述熱控制光學(xué)元件的周邊區(qū)域內(nèi)。
80. 根據(jù)權(quán)利要求77至79中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，所述第二溫度調(diào)節(jié)裝置包括至少一個(gè)珀耳帖元件， 和/或包括設(shè)置在所述熱控制光學(xué)元件處的至少一個(gè)電阻加熱裝置，其 中，所述電阻加熱裝置特別是埋置在所述熱控制光學(xué)元件內(nèi)或者用 保護(hù)層覆蓋以免受所述接觸介質(zhì)的影響，和/或包括至少一個(gè)輻射加熱裝置，用于向所述熱控制光學(xué)元件提供加熱輻射，特別是紅外輻射。
81. 根據(jù)權(quán)利要求65至80中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，選擇所述理論溫度分布TSE,使得所述熱控制光學(xué)元件的至少 一種成像誤差減小，特別是達(dá)到最和/或所述光學(xué)元件組的至少 一種成像誤差減小，特別是達(dá)到最小。
82. 根據(jù)權(quán)利要求61至81中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，所述熱衰減裝置包括至少一個(gè)熱退耦裝置，該熱退耦裝置 提供所述熱控制光學(xué)元件從其環(huán)境的至少一部分中的至少部分熱退耦。
83. 根據(jù)權(quán)利要求82所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，與所述熱控制光學(xué)元件鄰接地設(shè)有接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域至少 暫時(shí)地填充有接觸介質(zhì)，和所述熱控制光學(xué)元件包括在將所述投影圖案投影到所述襯底上 的過程中在光學(xué)上使用的第一區(qū)域和在光學(xué)上未使用的第二區(qū)域， 和設(shè)有作為熱退耦裝置的第 一屏蔽裝置，所述第 一屏蔽裝置使所 述第二區(qū)域的第 一段的至少 一部分，特別是所述第二區(qū)域的基本上 整個(gè)第一段與所述接觸介質(zhì)熱屏蔽，其中，所述第一段是所述第二 區(qū)域與所述接觸介質(zhì)鄰接的整個(gè)段， 和/或設(shè)有作為熱退耦裝置的第二屏蔽裝置，所述第二屏蔽裝置使所 述第二區(qū)域的第二段的至少一部分，特別是所述第二區(qū)域的基本上 整個(gè)第二段與所述投影裝置的鄰接段熱屏蔽，其中，所述第二段是 所述第二區(qū)域與所述投影裝置的所述鄰接段鄰接的整個(gè)段。
84. 根據(jù)權(quán)利要求82或83所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于， 所述熱控制光學(xué)元件由保持裝置保持，和設(shè)有作為熱退耦裝置的第三屏蔽裝置，所述第三屏蔽裝置使所述保持裝置的至少一部分，特別是基本上整個(gè)保持裝置與其環(huán)境熱屏蔽。
85. 根據(jù)權(quán)利要求84所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，所述 第三屏蔽裝置使所述保持裝置與所述投影裝置的鄰接段鄰接的區(qū)域 的至少 一部分，特別是所述保持裝置與所述投影裝置的鄰接段鄰接 的整個(gè)區(qū)域與所述投影裝置的所述鄰接段熱屏蔽。
86. 根據(jù)權(quán)利要求83至85中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，所述熱退耦裝置包括至少 一個(gè)無源熱絕緣裝置，所述至少一個(gè)無源熱絕緣裝置特 別包括有機(jī)材料， 和/或包括至少一個(gè)有源屏蔽裝置，該有源屏蔽裝置具有至少一個(gè)屏蔽 元件和與所述屏蔽元件連接的至少一個(gè)溫度調(diào)節(jié)裝置，其中，所述溫度調(diào)節(jié)裝置被設(shè)置成使得在所述屏蔽元件的至少一個(gè)表面上基本 上保持可選擇的溫度分布。
87. 根據(jù)權(quán)利要求86所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于， 所述熱退耦裝置包括至少一個(gè)有源屏蔽裝置，和所迷溫度調(diào)節(jié)裝置能夠在所述至少 一個(gè)屏蔽元件的區(qū)域內(nèi)提供 載熱介質(zhì) 流。
88. 根據(jù)權(quán)利要求61至87中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，所述熱控制光學(xué)元件是由具有比石英玻璃折射率更大的折 射率的材料或具有表現(xiàn)出比石英玻璃折射率更高的溫度靈敏度的材料制成。
89. 根據(jù)權(quán)利要求61至88中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，所述熱控制光學(xué)元件是由尖晶石或LuAG制成。
90. 根據(jù)權(quán)利要求61至89中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特 征在于，所述浸沒元件是所述光學(xué)元件組在工作期間至少暫時(shí)地與 所述襯底鄰接的最后一個(gè)光學(xué)元件。
91. 根據(jù)權(quán)利要求61至90中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像裝置，其特征在于，數(shù)值孔徑至少為1.3,特別是至少為1.4。
92. —種特別是用于微光刻技術(shù)的光學(xué)成像方法，其中，通過光學(xué)元件組的光學(xué)元件將投影圖案投影到襯底上，其中，所述光學(xué)元件包括熱控制光學(xué)元件，其特征在于，通過熱衰減裝置減小在所述熱控制光學(xué)元件的溫度分布TE內(nèi)的 波動(dòng)，其中，使用所述熱控制光學(xué)元件的溫度特性模型來減小在所述熱控制光學(xué)元件的溫度內(nèi)的波動(dòng)。
93，根據(jù)權(quán)利要求92所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，使用模型數(shù)據(jù)來減小在所述熱控制光學(xué)元件的溫度內(nèi)的所述波動(dòng)，其中，所述模型數(shù)據(jù)表示所述溫度特性模型或用于計(jì)算所述溫度特性 模型的參數(shù)。
94. 根據(jù)權(quán)利要求92或93所述的光學(xué)成像方法，其特征在于， 為所述熱控制光學(xué)元件給定理論溫度分布TSE,和 通過所述熱衰減裝置保持與所述理論溫度分布TSE的給定最大偏差A(yù)TE。
95. 根據(jù)權(quán)利要求94所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述 最大偏差A(yù)TE小于lOmK,優(yōu)選小于lmK。
96. 根據(jù)權(quán)利要求92至95中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，學(xué)元件給定理論溫度分布TSE，和 通過所述熱衰減裝置，確定影響所述實(shí)際溫度分布TE或表示所述實(shí)際溫度分布TE的 至少一個(gè)參數(shù)P,根據(jù)所述確定的參數(shù)P和所述理論溫度分布TSE,確定至少一個(gè) 控制值C,以及根據(jù)所述至少一個(gè)確定的控制值C,對(duì)影響所述實(shí)際溫度分布TE的控制參數(shù)CP進(jìn)行影響，使得所述實(shí)際溫度分布TE與所述理論 溫度分布TSE的偏差被抵消。
97. 根據(jù)權(quán)利要求96所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述 參數(shù)P是與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)的至少一個(gè)局部溫 度或者所述熱控制光學(xué)元件的至少一個(gè)局部溫度。
98. 根據(jù)權(quán)利要求97所述的光學(xué)成像方法，其特征在于， 測(cè)量所述至少一個(gè)局部溫度，和/或估計(jì)所述至少一個(gè)局部溫度。
99. 根據(jù)權(quán)利要求96至98中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特 征在于，所述控制參數(shù)CP是與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)的溫度，或 是與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)的流速，或 是同與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)接觸的氣體氣氛的 溫度，或是同與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)接觸的氣體氣氛的 濕度，或是同與所述熱控制光學(xué)元件鄰接的接觸介質(zhì)接觸的氣體氣氛的 流速，或是與所述熱控制光學(xué)元件可操作地連接的至少一個(gè)溫度調(diào)節(jié)元 件的溫度。
100. 根據(jù)權(quán)利要求96至99中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其 特征在于，設(shè)有接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域被設(shè)置為與所述熱控制光 學(xué)元件鄰接且至少暫時(shí)地被提供有接觸介質(zhì)。
101. 根據(jù)權(quán)利要求100所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述熱控制光學(xué)元件是在工作期間至少暫時(shí)地與所述村底鄰接 的最后一個(gè)光學(xué)元件，所述接觸區(qū)域是位于所述最后一個(gè)光學(xué)元件與所述襯底之間的浸沒區(qū)，該浸沒區(qū)至少暫時(shí)地填充有浸沒介質(zhì)，作為所述接觸介質(zhì)。
102. 根據(jù)權(quán)利要求100或101所述的光學(xué)成像方法，其特征在 于，通過所述熱衰減裝置，調(diào)節(jié)所述接觸介質(zhì)施加給所述接觸區(qū)域 的溫度。
103. 根據(jù)權(quán)利要求102所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，TIE,來確定用于所述第一溫度調(diào)節(jié)裝置的所述控制值C，從而將所 述接觸介質(zhì)施加給所述接觸區(qū)域的所述溫度調(diào)節(jié)到供給溫度TIF，其 中，選取所述供給溫度TIF，使得由于待預(yù)期的在所述接觸介質(zhì)內(nèi)的 所述溫度分布TI的所述變化量ATIE，在所述接觸介質(zhì)內(nèi)的給定溫 度分布TSI將被預(yù)期到。
104. 根據(jù)權(quán)利要求102或103所述的光學(xué)成像方法，其特征在 于，在所述接觸介質(zhì)進(jìn)入所述接觸區(qū)域的進(jìn)口區(qū)域內(nèi)，調(diào)節(jié)所述接 觸介質(zhì)的溫度。
105. 根據(jù)權(quán)利要求100至104中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法， 其特征在于，所述熱衰減裝置影響所述接觸介質(zhì)在與鄰接的氣體氣氛的接觸 區(qū)域內(nèi)由蒸發(fā)引起的冷卻，其中，調(diào)節(jié)與所述接觸介質(zhì)接觸的所述氣體氣氛的至少一個(gè)狀態(tài)參數(shù)，和所述至少一個(gè)狀態(tài)參數(shù)是所述氣體氣氛的溫度TA、所述氣體氣 氛的濕度HA或所述氣體氣氛的流速VA。
106. 根據(jù)權(quán)利要求105所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，根 據(jù)所述接觸介質(zhì)在所述接觸區(qū)域內(nèi)的狀態(tài)來確定所述控制值C，使 得在所述接觸區(qū)域內(nèi)的所述接觸介質(zhì)的給定的由蒸發(fā)引起的冷卻， 特別是基本上沒有由蒸發(fā)引起的冷卻將被預(yù)期到。
107. 根據(jù)權(quán)利要求105或106所述的光學(xué)成像方法，其特征在 于，所述接觸區(qū)域基本上在所述接觸介質(zhì)的整個(gè)自由表面上方延伸。
108. 根據(jù)權(quán)利要求96至107中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其 特征在于，通過所述熱衰減裝置，直接調(diào)節(jié)所述熱控制光學(xué)元件的溫度。
109. 根據(jù)權(quán)利要求108所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，與所述熱控制光學(xué)元件鄰接地設(shè)有接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域至少 暫時(shí)地填充有接觸介質(zhì)，和確定所述控制值C,從而調(diào)節(jié)所述熱控制光學(xué)元件的溫度，使得所 述實(shí)際溫度分布TE與所述理i侖溫度分布TSE的偏差纟皮4氐消，該偏 差是歸因于在所述接觸介質(zhì)內(nèi)的所述確定的溫度分布TI。
110. 根據(jù)權(quán)利要求108或109所述的光學(xué)成像方法，其特征在 于，所述熱控制光學(xué)元件的溫度是在其周邊區(qū)域內(nèi)調(diào)節(jié)。
111. 根據(jù)權(quán)利要求108至110中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法， 其特征在于，所述熱控制光學(xué)元件的溫度是通過至少一個(gè)珀耳帖元件調(diào)節(jié)， 和/或是通過設(shè)置在所述熱控制光學(xué)元件處的至少一個(gè)電阻加熱裝置 調(diào)節(jié)，其中，所述電阻加熱裝置特別是埋置在所述熱控制光學(xué)元件內(nèi)或者用保護(hù)層覆蓋以免受浸沒介質(zhì)的影響， 和/或是通過至少一個(gè)輻射加熱裝置調(diào)節(jié)，用于向所述熱控制光學(xué)元件 提供加熱輻射，特別是紅外輻射。
112. 根據(jù)權(quán)利要求106至111中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法， 其特征在于，選擇所述理論溫度分布TSE，使得所述熱控制光學(xué)元 件的至少 一種成像誤差減小，特別是達(dá)到最小。
113. 根據(jù)權(quán)利要求106至112中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法， 其特征在于，選擇所述理論溫度分布TSE,使得所述光學(xué)元件組的 至少一種成像誤差減小，特別是達(dá)到最小。
114. 根據(jù)權(quán)利要求92至113中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，通過所述熱衰減裝置，使所述熱控制光學(xué)元件從其環(huán)境 的至少一部分中熱退耦。
115. 根據(jù)權(quán)利要求114所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，與所述熱控制光學(xué)元件鄰接地設(shè)有接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域至少 暫時(shí)地填充有接觸介質(zhì)，和所述熱控制光學(xué)元件包括在將所述投影圖案投影到所述襯底上 的過程中在光學(xué)上使用的第一區(qū)域和在光學(xué)上未使用的第二區(qū)域，和使所述第二區(qū)域的第 一段的至少 一部分，特別是所述第二區(qū)域 的基本上整個(gè)第一段與所述接觸介質(zhì)屏蔽，其中，所述第一段是所 述第二區(qū)域與所述接觸介質(zhì)鄰接的整個(gè)段，和/或使所述第二區(qū)域的第二段的至少 一部分，特別是所述第二區(qū)域 的基本上整個(gè)第二段與所述投影裝置的鄰接段屏蔽，其中，所述第 二段是所述第二區(qū)域與所述投影裝置的所述鄰接段鄰接的整個(gè)段。
116. 根據(jù)權(quán)利要求114或115所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，所述熱控制光學(xué)元件由保持裝置保持，和使所述保持裝置的至少一部分，特別是基本上整個(gè)保持裝置與其環(huán)境屏蔽。
117. 根據(jù)權(quán)利要求116所述的光學(xué)成像方法，其特征在于，使 所述保持裝置與所述投影裝置的鄰接段鄰接的區(qū)域的至少 一部分， 特別是所述保持裝置與所述投影裝置的鄰接段鄰接的整個(gè)區(qū)域與所 述投影裝置的所述鄰接段屏蔽。
118. 根據(jù)權(quán)利要求115至117中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法， 其特征在于，所述熱退耦裝置是通過至少 一個(gè)無源熱絕緣裝置提供，所述至少 一個(gè)無源熱絕緣 裝置特別包括有機(jī)材料， 和/或是通過至少一個(gè)有源屏蔽裝置提供，該有源屏蔽裝置具有至少一 個(gè)屏蔽元件和與所述屏蔽元件連接的至少一個(gè)溫度調(diào)節(jié)裝置，其中， 所述溫度調(diào)節(jié)裝置被設(shè)置成使得在所述屏蔽元件的至少一個(gè)表面上 基本上保持可選擇的溫度分布。
119. 根據(jù)權(quán)利要求92至118中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其 特征在于，所述熱控制光學(xué)元件是由具有比石英玻璃折射率更大的 折射率的材料制成。
120. 根據(jù)權(quán)利要求92至119中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其 特征在于，所述熱控制光學(xué)元件是由具有表現(xiàn)出比石英玻璃折射率 更高的溫度靈敏度的材料制成。
121. 根據(jù)權(quán)利要求92至120中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其 特征在于，所述熱控制光學(xué)元件是由尖晶石或LuAG制成。
122，根據(jù)權(quán)利要求92至121中任一項(xiàng)所述的光學(xué)成像方法，其 特征在于，數(shù)值孔徑至少為1.3，特別是至少為1.4
123， 一種特別是用于微光刻技術(shù)的光學(xué)成像裝置，包括 用于接收掩模的掩模裝置，該掩模包括投影圖案， 包括光學(xué)元件組的投影裝置， 用于接收襯底的襯底裝置，以及 浸沒區(qū)，其中，所述光學(xué)元件組能夠?qū)⑼队皥D案投影到所述襯底上， 所述光學(xué)元件組包含多個(gè)光學(xué)元件，其中包括最后一個(gè)光學(xué)元件，該最后 一 個(gè)光學(xué)元件在工作期間至少暫時(shí)地與所述襯底鄰接，以及所述浸沒區(qū)在工作期間設(shè)置在所述最后一個(gè)光學(xué)元件與所述襯 底之間，且至少暫時(shí)地填充有浸沒介質(zhì)， 其特征在于，設(shè)有熱衰減裝置，其能夠減小在所述最后一個(gè)光學(xué)元件的溫度分 布TE內(nèi)由所述浸沒介質(zhì)引起的波動(dòng)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種特別是用于微光刻技術(shù)的光學(xué)成像裝置，其包括用于接收包括投影圖案的掩模的掩模裝置、帶有光學(xué)元件組的投影裝置、用于接收襯底的襯底裝置以及浸沒區(qū)。該光學(xué)元件組適合于將投影圖案投影到襯底上，并且包含多個(gè)光學(xué)元件，其中包括浸沒元件，襯底在工作期間至少暫時(shí)地與該浸沒元件鄰接。在工作期間，浸沒區(qū)設(shè)置在浸沒元件與襯底之間且至少暫時(shí)地填充有浸沒介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明，設(shè)有熱衰減裝置，所述熱衰減裝置適合于減小在浸沒元件的溫度分布TE內(nèi)由浸沒介質(zhì)引起的波動(dòng)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101479665SQ200780023553
公開日2009年7月8日 申請(qǐng)日期2007年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月9日
發(fā)明者B·格爾里希, H·霍爾德雷, J·庫(kù)格勒爾, K-H·席米茨?？? P·泰埃巴蒂, S·赫姆巴歇爾, T·伊特納 申請(qǐng)人:卡爾蔡思Smt股份公司