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液晶顯示裝置的制作方法

文檔序號(hào):2737141閱讀:160來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。更詳細(xì)地說(shuō),涉及適用于電視機(jī)、顯 示監(jiān)視器、便攜式信息終端等設(shè)備的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)
液晶顯示裝置,有效利用薄型輕量、低消耗電力等優(yōu)點(diǎn),用于各 種領(lǐng)域?,F(xiàn)在,進(jìn)行彩色顯示的液晶顯示裝置為主流,但為了進(jìn)行彩 色顯示,必須在液晶顯示裝置內(nèi)設(shè)置紅、綠、藍(lán)等多種顏色的彩色濾 光片。但是,已知彩色濾光片通常具有使入射光的偏光度降低的性質(zhì)。 因此,由彩色濾光片消除偏光后的光使暗狀態(tài)下的透過(guò)光增大,因此, 性能顯著惡化,不能得到高對(duì)比度。
與此相對(duì),公開(kāi)了具備偏光層的液晶裝置,該偏光層配置在彩色 濾光片層與液晶材料層之間,對(duì)彩色濾光片層中的直線偏振光的偏光 消除進(jìn)行補(bǔ)償(例如參照專利文獻(xiàn)l)。由此,被消除偏光的光減少, 暗狀態(tài)下的透過(guò)光減少,因此能夠提高裝置的性能。但是,在液晶顯 示裝置內(nèi),除了彩色濾光片層以外還存在具有使入射光的偏光度降低 的性質(zhì)的各種部分,因此,被這些部分消除偏光的光使暗狀態(tài)下的透 過(guò)光增大,結(jié)果在對(duì)比度方面仍然有改善的余地。
專利文獻(xiàn)l:特開(kāi)平10-161105號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)狀而作出,其目的是提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)高對(duì)比 度的液晶顯示裝置。
本發(fā)明人對(duì)具有在背面基板和前面基板之間夾持有液晶層的結(jié)構(gòu) 的液晶顯示裝置進(jìn)行了各種研究,著眼于液晶顯示裝置內(nèi)存在的具有 消偏性的部分。在液晶顯示裝置內(nèi),除了彩色濾光片以外,還著眼于
例如薄膜晶體管(TFT)等元件、掃描線和信號(hào)線等總線以及像素電極
4等具有消偏性??烧J(rèn)為,由于它們的表面的凹凸和邊緣而使光散射, 因此,例如即使通過(guò)在背面基板的外部(背面?zhèn)?設(shè)置偏光層而入射 偏振光,由于這些散射因子,偏振光的一部分也會(huì)被消除,在部分被 消除偏光的狀態(tài)下入射到液晶層,因此對(duì)比度降低。
圖18是表示構(gòu)成以往的垂直取向(VerticalAlignment: VA)模式
的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的1個(gè)像素的平面示意圖。圖3是圖 18的A-B線的截面示意圖。
作為以往的VA模式的液晶顯示裝置,公開(kāi)了各種各樣結(jié)構(gòu)的液晶 顯示裝置。例如有為了使得無(wú)論從哪個(gè)方向看都能夠得到均勻的顯 示(改善視野角依存性),如圖18所示,通過(guò)在像素電極9上設(shè)置狹 縫狀的切口 (狹縫部)9a,在狹縫部9a的附近產(chǎn)生傾斜電場(chǎng),由此規(guī) 定液晶層300的液晶分子傾斜的方向的液晶顯示裝置;通過(guò)在像素電 極9上形成具有斜面的電介質(zhì)構(gòu)造物,以電介質(zhì)構(gòu)造物為起點(diǎn),規(guī)定 液晶層300的液晶分子傾斜的方向的液晶顯示裝置等。這樣對(duì)液晶分 子的傾斜方向進(jìn)行控制(多疇化)使得其在1個(gè)像素內(nèi)成為多個(gè)的VA 模式也特別稱為多疇垂直取向(Multi-domain Vertical Alignment: MVA) 模式。
圖19 (a)是表示構(gòu)成以往的橫電場(chǎng)開(kāi)關(guān)(In-Plane Switching: IPS,
面內(nèi)開(kāi)關(guān))模式的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的1個(gè)像素的平面示 意圖,(b)是(a)的A-B線的截面示意圖。
在IPS模式的液晶顯示裝置中,為了產(chǎn)生與兩基板面平行的電場(chǎng) (橫電場(chǎng)),如圖19 (a)和(b)所示,僅在一側(cè)的基板面上形成電極, 該電極為將梳齒以相對(duì)的方式排列的構(gòu)造(所謂的梳齒電極)。
圖20 (a)是表示作為以往的IPS模式的應(yīng)用的Super-IPS模式的 液晶顯示裝置的截面示意圖,(b)是(a)的A-B線的截面示意圖。
在Super-IPS模式的液晶顯示裝置中,為了對(duì)全部方位抑制色變化, 如圖20 (a)和(b)所示,通過(guò)使梳齒彎曲成"< "字而成為導(dǎo)入子 像素的電極構(gòu)造。
在液晶顯示裝置的多個(gè)顯示模式中,特別是根據(jù)VA模式,在電壓 斷開(kāi)狀態(tài)下液晶分子完全立起,被偏光化的光不受液晶分子的影響, 通過(guò)液晶層,被前面?zhèn)鹊钠庾油耆跀?,因此能夠?qū)崿F(xiàn)高對(duì)比度化。但是,在VA模式的液晶顯示裝置中,在想要得到廣視野角的情況下, 通常采用上述那樣的電極構(gòu)造,因此,由于很多的散射因子,偏振光 的一部分被消除,結(jié)果發(fā)現(xiàn)無(wú)法充分發(fā)揮在VA模式中固有的高對(duì)比度 性能。
與此相對(duì),有在這些散射因子的上部或下部設(shè)置遮光層的方法。 但是,在對(duì)所有的散射因子進(jìn)行遮光的情況下,不僅成為降低開(kāi)口率
的原因,而且在當(dāng)前量產(chǎn)的顯示模式中,有如先前的圖18所示,在像 素電極9上設(shè)置狹縫部9a,或如圖19 (a)和(b)以及圖20 (a)和 (b)所示,將像素電極9形成為梳齒狀的情況,大多會(huì)在無(wú)法遮光的 部位引起偏光消除。因此,通過(guò)在背面基板與液晶層之間設(shè)置第一偏 光層,在通過(guò)背面基板之后,能夠在接近液晶層的位置使光偏光化, 因此能夠使高偏光度的光入射到液晶層,結(jié)果發(fā)現(xiàn)能夠不降低開(kāi)口率, 而提高對(duì)比度,想到能夠很好地解決上述課題,從而達(dá)到本發(fā)明。
艮P,本發(fā)明是具有在背面基板和前面基板之間夾持有液晶層的構(gòu) 造的液晶顯示裝置,上述液晶顯示裝置在背面基板與液晶層之間具有 第一偏光層。
以下,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)敘述。
艮P,本發(fā)明的液晶顯示裝置具有在背面基板和前面基板之間夾持 有液晶層的構(gòu)造。背面基板是配置在比液晶層更靠近背面?zhèn)鹊奈恢玫?基板。前面基板是配置在比液晶層更靠近前面?zhèn)?觀察面?zhèn)?的位置 的基板。作為背面基板和前面基板,沒(méi)有特別限定,例如可舉出玻璃 基板、塑料基板等絕緣基板。液晶層可以僅由液晶分子構(gòu)成,也可以 包含其它成分。
上述液晶顯示裝置,在背面基板與液晶層之間具有第一偏光層。 由此,與僅在背面基板的背面?zhèn)仍O(shè)置有偏光層的情況相比,偏光層設(shè) 置在液晶層的附近,能夠使偏光度高的光入射到液晶層,因此能夠提 高對(duì)比度。另外,與在散射因子的上部或下部設(shè)置遮光層的情況不同, 能夠不降低開(kāi)口率而提高對(duì)比度。
作為上述第一偏光層,只要能夠?qū)⒆匀还廪D(zhuǎn)變成直線偏振光(平 面偏振光)、圓偏振光、橢圓偏振光等偏振光,就沒(méi)有特別限定。第一 偏光層可以配置在多個(gè)階層中,也可以在同一階層內(nèi)分割成多個(gè)區(qū)域進(jìn)行配置。第一偏光層的構(gòu)造可以是單層構(gòu)造,也可以是疊層構(gòu)造。 此外,在具有疊層構(gòu)造的情況下,各層可以連續(xù)疊層,也可以通過(guò)其 它部件進(jìn)行疊層。
作為上述第一偏光層的形成方法,能夠舉出(1)通過(guò)在形成取 向膜之后,利用賦予剪切流動(dòng)的涂敷方法在取向膜上涂敷含有二色性 色素分子的液體而使二色性分子取向、并使其干燥而得到的方法;(2) 通過(guò)利用旋涂法或印刷法涂敷含有二色性色素的液體而形成分子覆膜 之后,用直線偏振光等進(jìn)行曝光使二色性色素在一個(gè)方向上取向而得 到的方法;以及(3)使用上述(1)和(2)的形成方法在其它的基板 上預(yù)先制作偏光層,通過(guò)轉(zhuǎn)印處理再次形成在目的基板上而得到的方 法等。作為上述分子覆膜的色素分子,優(yōu)選例如偶氮染料或多碘化合 物鹽等染料分子。
本發(fā)明的液晶顯示裝置,只要具有上述背面基板、液晶層、前面 基板和第一偏光層作為構(gòu)成要素即可,可以具有其它的構(gòu)成要素也可 以不具有其它的構(gòu)成要素,沒(méi)有特別限定。例如,上述液晶顯示裝置, 在背面基板與液晶層之間可以具有薄膜晶體管、掃描線或信號(hào)線等總 線、樹(shù)脂層、取向膜等。另外,在液晶層與前面基板之間可以具有例 如取向膜、對(duì)置電極、彩色濾光片等。此外,液晶顯示裝置的顯示模 式并沒(méi)有特別限定,例如可舉出VA模式、IPS模式、OCB (Optically Compensated Birefringence:光補(bǔ)償雙折射)模式等,但為了得到高對(duì) 比度,優(yōu)選VA模式。
以下對(duì)本發(fā)明的液晶顯示裝置的優(yōu)選的方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
上述液晶顯示裝置,可以不具有位于背面基板的背面?zhèn)鹊钠鈱樱?但是優(yōu)選具有位于背面基板的背面?zhèn)鹊钠鈱?以下也稱為"第二偏 光層")。由此,在被第二偏光層偏光化之后,能夠利用第一偏光層使 己被散射因子消除偏光的光的偏光度再次提高,因此,能夠使偏光度 更高的光入射到液晶層,從而能夠進(jìn)一步提高對(duì)比度。
上述第二偏光層通常以透過(guò)軸與第一偏光層的透過(guò)軸大致平行 (平行尼科耳)的方式配置。例如,在向液晶層入射直線偏振光的情 況下,優(yōu)選第一偏光層和第二偏光層均為直線偏光子、且兩直線偏光 子的透過(guò)軸大致平行,在向液晶層入射圓偏振光或橢圓偏振光的情況下,優(yōu)選第一偏光層為圓偏光子或橢圓偏光子(具有直線偏光子(背 面?zhèn)?與相位差膜(前面?zhèn)?疊層的構(gòu)造的偏光子)、第二偏光層為直 線偏光子、且兩直線偏光子的透過(guò)軸大致平行。第二偏光層的配置方 式?jīng)]有特別限定,可以粘貼在背面基板上,也可以作為構(gòu)成偏光板的 部件而設(shè)置,該偏光板粘貼在背面基板上。第二偏光層可以由與第一 偏光層相同的材料形成,也可以由與第一偏光層不同的材料形成。
優(yōu)選上述液晶顯示裝置在背面基板與液晶層之間具有消偏性部 分,上述第一偏光層配置在比消偏性部分更靠近液晶層的位置。由此, 當(dāng)在比背面基板更靠近背面?zhèn)鹊奈恢脹](méi)有配置偏光層(第二偏光層) 的情況下,能夠在比消偏性部分更靠近液晶層的位置使入射光偏光。 另外,當(dāng)在比背面基板更靠近背面?zhèn)鹊奈恢门渲糜衅鈱?第二偏光 層)的情況下,被該偏光層偏光化、并被消偏性部分消除偏光的光的 偏光度能夠通過(guò)第一偏光層再次提高。因此,能夠使偏光度更高的光 入射到液晶層,所以能夠進(jìn)一步提高對(duì)比度。
在本說(shuō)明書(shū)中,所謂"消偏性部分"是指引起偏光消除的部分(散 射因子),優(yōu)選是指散射度為0.001%以上的部分。此外,消偏性部分的 散射度是,使完全偏振光入射到消偏性部分,測(cè)定從消偏性部分射出 的偏光狀態(tài),將該偏光狀態(tài)分解成與入射光的偏光軸平行的成分和與 入射光的偏光軸正交的成分這兩個(gè)成分,作為相對(duì)于入射光的正交成 分的比例而被決定的。散射度為0.001%的部分是指,相對(duì)于入射光強(qiáng)
度,99.999%的光在維持偏光的狀態(tài)下透過(guò),0.001%的光變化為與入射
偏振光方向正交的成分的散射因子,當(dāng)在例如對(duì)比度(平行透過(guò)率/正 交透過(guò)率)二 10000的一對(duì)偏光層之間插入有這樣的散射因子的情況 下,對(duì)比度減少為9000。當(dāng)上述液晶顯示裝置在背面基板與液晶層之 間具有多個(gè)消偏性部分的情況下,在本發(fā)明中,第一偏光層只要配置 在比至少一個(gè)消偏性部分更靠近液晶層的位置即可,但優(yōu)選配置在比 散射度為0.001%以上的所有的消偏性部分更靠近液晶層的位置。
優(yōu)選上述消偏性部分為選自晶體管、配線、彩色濾光片、像素電 極和使液晶層的背面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹臉?gòu)造物中的至少一個(gè)。通過(guò) 將第一偏光層配置在比晶體管或配線更靠近液晶層的位置,能夠抑制 由晶體管或配線的表面的凹凸和端部(邊緣)的光散射所引起的對(duì)比度降低。另外,通過(guò)將第一偏光層配置在比彩色濾光片更靠近液晶層 的位置,能夠?qū)τ刹噬珵V光片的顏料等引起的散射進(jìn)行補(bǔ)償,因此能 夠提高對(duì)比度。此外,通過(guò)將彩色濾光片設(shè)置在比液晶層更靠近背面 側(cè)的位置,還能夠抑制由彩色濾光片與像素電極的對(duì)準(zhǔn)偏差引起的開(kāi) 口率降低。通過(guò)將第一偏光層配置在比像素電極更靠近液晶層的位置, 能夠覆蓋像素電極表面的凹凸和端部(邊緣),從而能夠抑制由其引起 的光散射,因此能夠抑制對(duì)比度的降低。另外,通過(guò)將第一偏光層配 置在比使液晶層的背面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹臉?gòu)造物更靠近液晶層的位 置,能夠抑制由該構(gòu)造物引起的光散射所造成的對(duì)比度降低。
作為上述晶體管,可舉出用于像素電極的驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管(TFT) 等。作為配線,可舉出掃描線、信號(hào)線等總線等。作為配線的材質(zhì), 可舉出例如氮化鉭、鉭等金屬等。另外,在本說(shuō)明書(shū)中,"彩色濾光片" 是指有選擇地透過(guò)特定的波長(zhǎng)范圍的光的濾光片。彩色濾光片的材質(zhì) 沒(méi)有特別限定,例如可舉出由染料染色后的樹(shù)脂、分散有顏料的樹(shù)脂、 使分散有顏料的流動(dòng)性材料(墨水)固化而形成的物質(zhì)。彩色濾光片 的形成方法沒(méi)有特別限定,例如可舉出染色法、顏料分散法、電鍍法、
印刷法、噴墨法、著色感材法(也稱為"轉(zhuǎn)印法"、"干膜層壓(DFL)
法"或"干膜抗蝕劑法")。另外,作為像素電極的材質(zhì),可舉出氧化
銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。像素電極可以具有狹縫部,也可以 形成為梳齒狀。作為使液晶層的背面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹臉?gòu)造物,可 舉出規(guī)定液晶層的液晶分子傾斜的方向的電介質(zhì)構(gòu)造物等。作為該構(gòu) 造物的材料,可舉出丙烯酸類樹(shù)脂等電介質(zhì)等。作為該構(gòu)造物的形成 方法,可舉出狹縫涂敷法等,作為圖案化的方法,可舉出光刻法等。 作為上述液晶顯示裝置的優(yōu)選的方式,可舉出(1)第一偏光層配置 在比晶體管、配線和像素電極更靠近液晶層的位置的方式;(2)第一 偏光層配置在比晶體管、配線、像素電極和使液晶層的背面?zhèn)鹊谋砻?呈凹凸?fàn)畹臉?gòu)造物更靠近液晶層的位置的方式;(3)第一偏光層配置 在比晶體管、配線、彩色濾光片和像素電極更靠近液晶層的位置的方 式;(4)第一偏光層配置在比晶體管、配線、彩色濾光片、像素電極
和使液晶層的背面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹臉?gòu)造物更靠近液晶層的位置的 方式等。
9優(yōu)選上述第一偏光層有選擇地配置在消偏性部分的區(qū)域。由此, 僅在需要偏光補(bǔ)償?shù)牟课痪植康匦纬傻谝黄鈱?,因此能夠抑制白顯 示時(shí)的透過(guò)率降低。作為這樣的方式,可舉出僅在配線的端部(邊緣) 的區(qū)域配置第一偏光層的方式、僅在像素電極的端部(邊緣)的區(qū)域 配置第一偏光層的方式等。例如,根據(jù)僅在像素電極的端部(邊緣) 的區(qū)域配置第-一偏光層的方式,能夠?qū)⑹┘佑谙袼仉姌O的電壓幾乎照 原樣地施加于液晶層,因此,與在像素電極的整個(gè)表面配置第一偏光 層的方式相比,能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
優(yōu)選上述液晶顯示裝置在背面基板與液晶層之間具有像素電極, 上述第一偏光層配置在比像素電極更靠近背面?zhèn)鹊奈恢?。由此,能?將施加于像素電極的電壓幾乎照原樣地施加于液晶層,因此,與在像 素電極上配置第一偏光層的方式相比,能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。在該 情況下,優(yōu)選像素電極的散射度小于0.001%。當(dāng)像素電極的散射度為 0.001%以上時(shí),由像素電極引起的光散射大,有可能引起對(duì)比度顯著 降低。
優(yōu)選上述液晶顯示裝置在第一偏光層與液晶層之間具有滲出防止 層。通過(guò)在第一偏光層的液晶層側(cè)設(shè)置滲出防止層,能夠防止有可能 存在于第一偏光層內(nèi)部的離子性物質(zhì)向液晶層滲出,因此能夠提高可 靠性。滲出層可以與第一偏光層接觸,也可以不與第-一偏光層接觸, 但從進(jìn)一步提高可靠性的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選與第一偏光層接觸。此外, 作為滲出防止層的材質(zhì),優(yōu)選透明聚合物,可舉出透明丙烯酸樹(shù)脂等。 作為滲出防止層的形成方法,可舉出在通過(guò)狹縫涂敷法涂敷熱硬化性 單體的溶液之后、進(jìn)行加熱使溶劑蒸發(fā)并且進(jìn)行聚合物化的方法等。
優(yōu)選上述液晶顯示裝置在液晶層與前面基板之間具有第三偏光 層。由此,能夠在靠近液晶層的位置使用第三偏光層選擇從液晶層射 出的光,因此能夠進(jìn)一步提高對(duì)比度。此外,第三偏光層可以與第一 偏光層處于平行尼科耳的關(guān)系,也可以與第一偏光層處于正交尼科耳 的關(guān)系,但從對(duì)比度的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選處于正交尼科耳的關(guān)系。
優(yōu)選上述液晶顯示裝置具有位于前面基板的前面?zhèn)鹊牡谒钠?層。由此,能夠進(jìn)一步提高對(duì)比度。此外,第四偏光層通常以透過(guò)軸 與第三偏光層的透過(guò)軸大致平行(平行尼科耳)的方式配置。例如,在從液晶層射出直線偏振光的情況下,優(yōu)選第三偏光層和第四偏光層 均為直線偏光子、且兩直線偏光子的透過(guò)軸大致平行,在從液晶層射 出圓偏振光或橢圓偏振光的情況下,優(yōu)選第三偏光層為圓偏光子或橢 圓偏光子(具有直線偏光子(背面?zhèn)?與相位差膜(前面?zhèn)?疊層的 構(gòu)造的偏光子)、第四偏光層為直線偏光子、且兩直線偏光子的透過(guò)軸 大致平行。第四偏光層的配置方式?jīng)]有特別限定,可以粘貼在背面基 板上,也可以作為構(gòu)成偏光板的部件而設(shè)置,該偏光板粘貼在背面基 板上。此外,第四偏光層可以由與第三偏光層相同的材料形成,也可 以由與第三偏光層不同的材料形成。
優(yōu)選上述液晶顯示裝置在液晶層與前面基板之間具有消偏性部 分,上述第三偏光層配置在比消偏性部分更靠近液晶層的位置。由此, 能夠使從液晶層射出的偏振光在被消偏性部分消除偏光之前通過(guò)第三 偏光層,因此能夠進(jìn)一步提高對(duì)比度。
優(yōu)選上述消偏性部分為選自彩色濾光片、共用電極和使液晶層的 前面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹臉?gòu)造物中的至少一個(gè)。通過(guò)將第三偏光層配 置在比彩色濾光片或共用電極等更靠近液晶層的位置,能夠在彩色濾 光片或共用電極的端部(邊緣)等發(fā)生光散射之前,選擇從液晶層射 出的光,因此能夠抑制對(duì)比度的降低。
優(yōu)選上述液晶顯示裝置在第三偏光層與液晶層之間具有滲出防止 層。通過(guò)在第三偏光層的液晶層側(cè)設(shè)置滲出防止層,能夠防止有可能 存在于第三偏光層內(nèi)部的離子性物質(zhì)向液晶層滲出,因此能夠提高可 靠性。
優(yōu)選上述第三偏光層有選擇地配置在消偏性部分的區(qū)域。由此, 僅在需要選擇偏振光的部位局部地形成第三偏光層,因此能夠抑制白 顯示時(shí)的透過(guò)率的降低。作為這樣的方式,可舉出僅在共用電極的端 部(邊緣)的區(qū)域配置有第三偏光層的方式。例如根據(jù)僅在共用電極 的端部(邊緣)的區(qū)域配置有第三偏光層的方式,能夠?qū)⑹┘佑诠灿?電極的電壓幾乎照原樣地施加于液晶層,因此,與在共用電極上的整 個(gè)表面配置第三偏光層的方式相比,能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。 發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置,能夠使偏光度高的光入射到液晶層,因此能夠提高對(duì)比度。
具體實(shí)施例方式
以下舉出實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明,但本發(fā)明并不限 定于這些實(shí)施方式。另外,以下的實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)和測(cè)定值等,全 都基于使用計(jì)算機(jī)程序進(jìn)行的模擬實(shí)驗(yàn)。 (實(shí)施方式1)
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,如圖1所示,具有在以相互平行的 方式通過(guò)球狀或柱狀的間隔物(未圖示)保持一定間隔而配置的薄膜
晶體管(TFT)基板100和對(duì)置基板200之間夾持有液晶層300的構(gòu)造。 作為構(gòu)成液晶層300的液晶材料,使用介電常數(shù)各向異性為負(fù)(液 晶分子的短軸方向的介電常數(shù)^〉液晶分子的長(zhǎng)軸方向的介電常數(shù)s〃) 的材料,作為取向膜13和23使用垂直取向膜。另夕卜,在TFT基板100 內(nèi)的像素電極9上,通過(guò)形成狹縫部9a,作成作為垂直配向(VA)模 式的應(yīng)用的多疇垂直取向(Multi-domain Vertical Alignment: MVA)模 式。通過(guò)在像素電極9上設(shè)置狹縫部9a,在狹縫部9a的附近產(chǎn)生傾斜 電場(chǎng),控制液晶層300的液晶分子的傾斜方向使得在1個(gè)像素內(nèi)成為 多個(gè),由此,無(wú)論從哪個(gè)方向看都能夠得到均勻的顯示。在本實(shí)施方 式中,使顯示模式為MVA模式,但并不限定于此。S卩,本發(fā)明對(duì)于像 MVA模式或面內(nèi)開(kāi)關(guān)(IPS)模式那樣散射因子多的模式效果高,但 并不限定于此,也能夠應(yīng)用于任一種顯示模式。此外,在TFT基板100 內(nèi)形成的TFT8,在每個(gè)像素中設(shè)置,起到保持從源極總線6輸入的電 荷的作用。
在對(duì)置基板200內(nèi)形成的彩色濾光片21,在1個(gè)圖像元素中分別 對(duì)紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的色素材料進(jìn)行圖案化。另外,顏色數(shù) 目也可以不是3,顏色的種類也不特別限定于紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)。 另外,在彩色濾光片21上,在整個(gè)顯示區(qū)域形成有透明的共用電極22 和取向膜23。此外,在本實(shí)施方式中,TFT8形成在背面?zhèn)鹊腡FT基 板100內(nèi),彩色濾光片21形成在觀察者側(cè)的對(duì)置基板200內(nèi),但并不 限定于此。在本實(shí)施方式中,在TFT基板100內(nèi)的像素電極9與液晶層300 之間,設(shè)置有單體透過(guò)率為45% (Y值)、對(duì)比度為IOO的第一偏光層 18a。
在此,偏光層的對(duì)比度使用紫外可視分光光度計(jì)(日本分光社制 造,商品名VR-560)進(jìn)行測(cè)定。以l塊透明玻璃作為基準(zhǔn),設(shè)在透 明玻璃的兩面上將測(cè)定對(duì)象的偏光層以其偏光軸相互平行的方式粘貼 時(shí)的透過(guò)率為平行透過(guò)率(Y值),設(shè)以偏光軸相互正交的方式粘貼時(shí) 的透過(guò)率為正交透過(guò)率(Y值),將其比值作為該偏光層的對(duì)比度(參 照下述公式(l))。 偏光層的對(duì)比度=偏光層的平行透過(guò)率/偏光層的正交透過(guò)率(1)
此外,對(duì)于各偏光層的光學(xué)性能,通過(guò)實(shí)測(cè)算出kl (透過(guò)軸方向 的透過(guò)率)和k2 (吸收軸方向的透過(guò)率)兩個(gè)參數(shù),用于模擬實(shí)驗(yàn)。
另外,對(duì)于在液晶顯示裝置500內(nèi)存在的散射體的散射度a,通過(guò) 圖2所示的方法求得。首先,使完全偏振光50入射到散射體,測(cè)定從 散射體射出的光51的偏光狀態(tài)。接著,將該偏光狀態(tài)分解成與入射光 的偏光軸平行的成分(平行成分)52和與其正交的成分(正交成分) 53這兩個(gè)成分,將正交成分53的強(qiáng)度相對(duì)于入射光的強(qiáng)度的比例定為 a。將該參數(shù)a作為表示各散射體的散射度的參數(shù),用于模擬實(shí)驗(yàn)。此 外,對(duì)一個(gè)一個(gè)的散射因子測(cè)定散射度,可知結(jié)果成為如下的值。艮口, 像素電極9的散射度為0.015%。另外,因?yàn)門FT8和配線6的散射度 不能單獨(dú)測(cè)定,所以將兩者一起進(jìn)行測(cè)定,結(jié)果為0.006%。另外,后 述的被稱為肋或鉚釘?shù)鹊碾娊橘|(zhì)構(gòu)造物15和25的散射度為0.014%, 彩色濾光片21的散射度為0.012%。
在本實(shí)施方式中,作為第一偏光層18a,使用偏光層的對(duì)比度為 100的偏光性能低的偏光層,因此,在玻璃基板(背面基板)10的背 面?zhèn)龋瑢⒕哂袉误w透過(guò)率為43% (Y值)、偏光層的對(duì)比度為8000的 偏光性能的第二偏光層18b以其偏光軸與第一偏光軸18a的偏光軸平 行(平行尼科耳)的方式粘貼。另外,在對(duì)置基板200內(nèi)的玻璃基板 (前面基板)20的觀察者側(cè)(前面?zhèn)?,將具有單體透過(guò)率為43% (Y 值)、對(duì)比度為8000的偏光性能的第四偏光層18d以其偏光軸與第二 偏光層18b的偏光軸正交(正交尼科耳)的方式粘貼。在本實(shí)施方式中,制作具有這樣結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置500,使用紫 外可視分光光度計(jì)(日本分光社制造,商品名VR-560)測(cè)定光學(xué)性
能。進(jìn)行測(cè)定的項(xiàng)目為面板的明顯示時(shí)和暗顯示時(shí)的分光透過(guò)率(Y 值),得到它們的比,作為顯示裝置的對(duì)比度(參照下述公式(2))。
顯示裝置的對(duì)比度=明顯示時(shí)的面板透過(guò)率/暗顯示時(shí)的面板透過(guò)率
(2)
該結(jié)果如表1所示,本實(shí)施方式的顯示裝置的對(duì)比度為4176。
實(shí)施方式1比較例1實(shí)施方式2實(shí)施方式3比較例2
顯示裝置的對(duì)比度417615271785384642120
(比較例1)
圖3是表示比較例1的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本比較例的液晶顯示裝置,如圖3所示,在TFT基板100內(nèi)沒(méi)有 設(shè)置第一偏光層18a,除此以外,與實(shí)施方式1相同。其結(jié)果如表1所 示,比較例1的顯示裝置的對(duì)比度為1527。
由此可知,實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的對(duì)比度為比較例1的液 晶顯示裝置的對(duì)比度的約2.7倍。與比較例1的液晶顯示裝置相比,實(shí) 施方式1的液晶顯示裝置表現(xiàn)出高的對(duì)比度效果的理由如以下所述。 即,是因?yàn)樵诒容^例1中,被第二偏光層18b偏光化后的光,被TFT 基板200內(nèi)的源極總線6、TFT8和像素電極9等散射因子消除偏光(消 偏),在偏光度低的狀態(tài)下,入射到液晶層300,而在實(shí)施方式l中, 即使被TFT基板200內(nèi)的散射因子消除偏光,也能夠通過(guò)第一偏光層 18a再次使偏光度提高,在偏光度高的狀態(tài)下,入射到液晶層300。 (實(shí)施方式2)
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的截面示意圖。 在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中,如圖4所示,在液晶層300與 TFT基板100內(nèi)的像素電極9之間配置有第一偏光層18a,在對(duì)置基板 200內(nèi)的彩色濾光片21與共用電極22之間配置有第三偏光層18c。這 些偏光層18a和18c的光學(xué)性能均是單體透過(guò)率為45。/。 (Y值)、對(duì)比 度為100。另外,第二偏光層18b和第四偏光層18d分別設(shè)置在玻璃基
14板10和20的外側(cè),TFT基板100內(nèi)的第一偏光層18a的偏光軸與第 二偏光層18b的偏光軸平行,對(duì)置基板200內(nèi)的第三偏光層18c的偏 光軸與第四偏光層18d的偏光軸平行。另外,第二偏光層18b與第四 偏光層18d以其偏光軸正交的方式粘貼。此外,第二偏光層18b和第 四偏光層18d的光學(xué)性能,與實(shí)施方式1和比較例1同樣,單體透過(guò) 率為43% (Y值),對(duì)比度為8000。
在本實(shí)施方式中,通過(guò)設(shè)置這樣的偏光層,能夠使暗顯示時(shí)的面 板透過(guò)率進(jìn)一步降低。即,即使由第二偏光層18b偏光化后的入射光 被TFT基板100內(nèi)的散射因子消偏,也能夠通過(guò)第一偏光層18a再次 提高偏光度,在偏光度高的狀態(tài)下,入射到液晶層300,而且來(lái)自液晶 層300的射出光在入射到對(duì)置基板200內(nèi)的彩色濾光片21等散射因子 之前,由第三偏光層18c進(jìn)行選擇,因此,對(duì)置基板200內(nèi)的散射因 子對(duì)顯示裝置的對(duì)比度的影響減少。結(jié)果如表1所示,本實(shí)施方式的 顯示裝置的對(duì)比度為17853,能夠得到比較例1的約11.7倍的效果。 (實(shí)施方式3)
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,如圖5所示,彩色濾光片21不是形 成在對(duì)置基板200內(nèi),而是形成在TFT基板100內(nèi),除此以外,與實(shí) 施方式1相同。具體而言,在制作出各總線和TFT8之后,在各顯示區(qū) 域?qū)Σ噬珵V光片材料進(jìn)行圖案化,僅在漏極電極部的正上方的一部分 空出接觸孔。此后,通過(guò)對(duì)成為像素電極9的透明導(dǎo)電體進(jìn)行圖案化, 形成TFT8的漏極電極部與像素電極9為相同電位的結(jié)構(gòu)。接著,在像 素電極9上形成第一偏光層18a和取向膜13。第一偏光層18a的光學(xué) 性能是單體透過(guò)率為45% (Y值)、對(duì)比度為100,其偏光軸與粘貼在 下側(cè)(背面?zhèn)?的第二偏光層18b的偏光軸平行。另外,與比較例1 同樣,在對(duì)置基板200上配置第四偏光層18d。結(jié)果如表l所示,本實(shí) 施方式的顯示裝置的對(duì)比度為8464,能夠得到比較例1的約5.5倍的 對(duì)比度。 (比較例2)
圖6是表示比較例2的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本比較例的液晶顯示裝置,如圖6所示,不在TFT基板100內(nèi)設(shè)置第一偏光層18a,僅在對(duì)置基板200內(nèi)設(shè)置第三偏光層18c,由此形 成對(duì)彩色濾光片21的消偏性進(jìn)行補(bǔ)償?shù)臉?gòu)造,除此以外,與實(shí)施方式 l相同。結(jié)果如表l所示,本比較例的顯示裝置的對(duì)比度為2120。
由此可知,實(shí)施方式1的液晶顯示裝置,與比較例2的液晶顯示 裝置相比,能夠得到約2.0倍的高對(duì)比度效果。這可認(rèn)為是由于在實(shí)施 方式1中補(bǔ)償?shù)腡FT基板100內(nèi)的散射因子的散射度比在比較例2中 補(bǔ)償?shù)膶?duì)置基板200內(nèi)的散射因子的散射度大的關(guān)系。這是因?yàn)?,?由面板內(nèi)存在的散射因子引起的散射中,當(dāng)對(duì)更多的散射進(jìn)行補(bǔ)償時(shí), 顯著表現(xiàn)出高對(duì)比度效果。 (實(shí)施方式4)
圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,相當(dāng)于實(shí)施方式1 (圖1)的變形例。 在實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)中,重要的是第一偏光層18a配置在TFT基板100 內(nèi)的散射因子與液晶層300之間。在本實(shí)施方式中,如圖7所示,不 在TFT基板100內(nèi)的像素電極9上設(shè)置狹縫部9a,像素電極9沒(méi)有消 偏性或消偏性非常小(在本實(shí)施方式中,像素電極9的散射度小于 0.001%),因此在像素電極9與TFT8之間配置第一偏光層18a。由此, 第一偏光層18a配置在比像素電極9更靠近背面?zhèn)鹊奈恢?,因此,與 在像素電極9上配置偏光層的方式相比,能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。另 外,能夠利用第一偏光層18a補(bǔ)償TFT8和源極總線6等的消偏性,并 且,沒(méi)有被第一偏光層18a補(bǔ)償?shù)南袼仉姌O9沒(méi)有消偏性或消偏性非 常小,因此能夠提高顯示裝置的對(duì)比度。 (實(shí)施方式5)
圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,相當(dāng)于實(shí)施方式1 (圖1)的變形例。 根據(jù)顯示模式的不同,需要配置被稱為肋或鉚釘?shù)鹊?、使液晶層的?面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹碾娊橘|(zhì)構(gòu)造物15,但它們有時(shí)具有相位差、或 者具有散射性。在本實(shí)施方式中,在像素電極9的液晶層300側(cè)設(shè)置 有電介質(zhì)構(gòu)造物15,因此,如圖8所示,在電介質(zhì)構(gòu)造物15與液晶層 300之間配置有第一偏光層18a。由此,能夠利用第一偏光層18a對(duì)由 電介質(zhì)構(gòu)造物15引起的消除偏光進(jìn)行補(bǔ)償,因此能夠提高顯示裝置的對(duì)比度。 (實(shí)施方式6)
圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式6的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,相當(dāng)于實(shí)施方式1 (圖1)的變形例。
在本實(shí)施方式中,如圖9所示,形成為僅在像素電極9的邊緣(消偏 性部分)上疊層第一偏光層18a那樣的圖案構(gòu)造。由此,僅在像素電 極9的需要偏光補(bǔ)償?shù)牟课痪植康匦纬傻谝黄鈱?8a,因此能夠增加 明顯示時(shí)的面板透過(guò)率。此外,因?yàn)槟軌驅(qū)⑹┘佑谙袼仉姌O9的電壓 幾乎照原樣地施加于液晶層300,所以,與在像素電極9上的整個(gè)表面 配置第一偏光層18a的方式相比,能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
圖10 (a) (d)是表示在基板上圖案化形成偏光層的方法的一 個(gè)例子的截面示意圖。
首先,如圖IO (a)所示,在基板30上形成偏光層31。接著,如 圖10 (b)所示,通過(guò)利用旋涂機(jī)或狹縫涂布機(jī)均勻涂敷正型抗蝕劑, 涂敷抗蝕劑32。接著,如圖10 (c)所示,通過(guò)使用堿類顯影液(TMAH (四甲基氫氧化銨))進(jìn)行噴淋顯影,在進(jìn)行抗蝕劑32的圖案化的同 時(shí),也進(jìn)行水溶性的偏光層31的圖案化。接著,在高真空氬氣氣氛下, 利用通過(guò)施加交流高電壓而進(jìn)行的干蝕刻,將抗蝕劑分解氣化。由此, 如圖10 (d)所示,能夠在基板30上形成已被圖案化的偏光層31。此
外,偏光層的圖案化形成方法并不限定于此。 (實(shí)施方式7)
圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式7的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,相當(dāng)于實(shí)施方式1 (圖1)的變形例。 在本實(shí)施方式中,如圖11所示,在第一偏光層18a上疊層有滲出防止 層19。由此,能夠防止有可能存在于第一偏光層18a內(nèi)部的離子性物 質(zhì)向液晶層300滲出,因此能夠提高可靠性。此外,作為滲出防止層 19的形成方法,可舉出在利用狹縫涂敷法涂敷熱硬化性單體的溶液之 后,進(jìn)行加熱使溶劑蒸發(fā)并且進(jìn)行聚合物化的方法等。 (實(shí)施方式8)
圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式8的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,相當(dāng)于實(shí)施方式2(圖4)的變形例。在實(shí)施方式2中,重要的是在TFT基板100內(nèi)的散射因子與液晶層300 之間配置第一偏光層18a,在對(duì)置基板200內(nèi)的散射因子與液晶層300 之間插入第三偏光層18c。在本實(shí)施方式中,如圖12所示,對(duì)置基板 200內(nèi)的共用電極22具有狹縫部22a,共用電極22的消偏性高,因此, 在共用電極22與液晶層300之間配置有第三偏光層18c。由此,能夠 降低共用電極22對(duì)顯示裝置的對(duì)比度的影響。 (實(shí)施方式9)
圖13是表示本發(fā)明的實(shí)施方式9的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,相當(dāng)于實(shí)施方式2 (圖4)的變形例。 在本實(shí)施方式中,在共用電極22的液晶層300側(cè)配置有被稱為肋或鉚 釘?shù)鹊?、使液晶?00的前面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹碾娊橘|(zhì)構(gòu)造物25, 如圖13所示,在電介質(zhì)構(gòu)造物25與液晶層300之間配置有第三偏光 層18c。由此,能夠降低電介質(zhì)構(gòu)造物25對(duì)顯示裝置的對(duì)比度的影響。 (實(shí)施方式10)
圖14是表示本發(fā)明的實(shí)施方式10的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,相當(dāng)于實(shí)施方式8 (圖12).的變形 例。在本實(shí)施方式中,如圖14所示,形成為僅在像素電極9的狹縫部
(消偏性部分)9a上疊層第一偏光層18a、并且僅在共用電極22的狹 縫部(消偏性部分)22a上疊層第三偏光層18c那樣的圖案結(jié)構(gòu)。由此, 僅在像素電極9的需要偏光補(bǔ)償?shù)牟课痪植康匦纬傻谝黄鈱?8a,僅 在共用電極22的需要偏光補(bǔ)償?shù)牟课痪植康匦纬傻谌鈱?8c,因 此,能夠增加明顯示時(shí)的面板透過(guò)率。另外,能夠?qū)⑹┘佑谙袼仉姌O9 和共用電極22的電壓幾乎照原樣地施加于液晶層300,因此,與在像 素電極9上的整個(gè)表面配置第一偏光層18a、并且在共用電極22上的 整個(gè)表面配置第三偏光層18c的方式相比,能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
(實(shí)施方式11)
圖15是表示本發(fā)明的實(shí)施方式11的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,相當(dāng)于實(shí)施方式3 (圖5)的變形例。 作為實(shí)施方式3的結(jié)構(gòu),重要的是在設(shè)置有TFT和彩色濾光片的基板 側(cè)的散射因子與液晶層之間插入第一偏光層。在本實(shí)施方式中,如圖 15所示,例如在TFT基板100內(nèi)的像素電極9上沒(méi)有設(shè)置狹縫部9a,因此,像素電極9沒(méi)有消偏性或消偏性非常小(在本實(shí)施方式中,像
素電極9的散射度為小于0.001%)。因此,在像素電極9與TFT8之間 配置有第一偏光層18a。根據(jù)本實(shí)施方式,能夠利用第一偏光層18a補(bǔ) 償TFT8和源極總線6等的消偏性,并且沒(méi)有被第一偏光層18a補(bǔ)償?shù)?像素電極9沒(méi)有消偏性或消偏性非常小,因此,能夠提高顯示裝置的 對(duì)比度。另外,因?yàn)榈谝黄鈱?8a配置在比像素電極9更靠近背面 側(cè)的位置,所以,與在像素電極9上配置偏光層的方式相比,能夠以 低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。 (實(shí)施方式12)
圖16是表示本發(fā)明的實(shí)施方式12的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,相當(dāng)于實(shí)施方式3 (圖5)的變形例。 在本實(shí)施方式中,如圖16所示,在像素電極9的液晶層300側(cè)設(shè)置有 使液晶層300的背面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹碾娊橘|(zhì)構(gòu)造物15,因此,在 電介質(zhì)構(gòu)造物15與液晶層300之間配置有第一偏光層18a。由此,能 夠利用第一偏光層18a對(duì)由電介質(zhì)構(gòu)造物15引起的消除偏光進(jìn)行補(bǔ) 償,因此能夠提高顯示裝置的對(duì)比度。 (實(shí)施方式13)
圖17是表示本發(fā)明的實(shí)施方式13的液晶顯示裝置的截面示意圖。 本實(shí)施方式的液晶顯示裝置,相當(dāng)于實(shí)施方式3 (圖5)的變形例。 在本實(shí)施方式中,如圖17所示,形成為僅在像素電極9的邊緣部分(消 偏性部分)9a上疊層第一偏光層18a那樣的圖案結(jié)構(gòu)。由此,因?yàn)閮H 在像素電極9的需要偏光補(bǔ)償?shù)牟课痪植康匦纬傻谝黄鈱?8a,所以 能夠增加明顯示時(shí)的面板透過(guò)率。另外,能夠?qū)⑹┘佑谙袼仉姌O9的 電壓幾乎照原樣地施加于液晶層300,因此,與在像素電極9上的整個(gè) 表面配置第一偏光層18a的方式相比,能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。 本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)中的"以上"、"以下"包括該數(shù)值(邊界值)。 本申請(qǐng)以2006年6月2日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2006-154959
號(hào)為基礎(chǔ),主張基于巴黎公約或要進(jìn)入的國(guó)家的法規(guī)的優(yōu)先權(quán)。該申 請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容被納入本申請(qǐng)中作為參照。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖2是表示散射體的散射度的測(cè)定方法的示意圖。
圖3是表示比較例1的液晶顯示裝置的截面示意圖,也是圖18的
A-B線的截面示意圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖6是表示比較例2的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式6的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖10 (a) (d)是表示在基板上圖案化形成偏光層的方法的一
個(gè)例子的截面示意圖。
圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式7的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式8的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖13是表示本發(fā)明的實(shí)施方式9的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖14是表示本發(fā)明的實(shí)施方式IO的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖15是表示本發(fā)明的實(shí)施方式11的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖16是表示本發(fā)明的實(shí)施方式12的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖17是表示本發(fā)明的實(shí)施方式13的液晶顯示裝置的截面示意圖。 圖18是表示構(gòu)成以往的垂直取向(VA)模式的液晶顯示裝置的
TFT陣列基板的1個(gè)像素的平面示意圖。
圖19 (a)是表示構(gòu)成以往的IPS模式的液晶顯示裝置的TFT陣
列基板的1個(gè)像素的平面示意圖,(b)是(a)的A-B線的截面示意圖。 圖20 (a)是表示以往的Super-IPS模式的液晶顯示裝置的截面示
意圖,(b)是(a)的A-B線的截面示意圖。
符號(hào)說(shuō)明
3a、 3b 接觸孔
4 共用配線
5 柵極總線(掃描線)
6 源極總線(信號(hào)線)
207 Cs總線
8 薄膜晶體管(TFT)
9 像素電極
9a 像素電極9的狹縫部
10 玻璃基板(背面基板)
11 樹(shù)脂層 13、 23 取向膜
15、 25肋(電介質(zhì)構(gòu)造物)
18a 第一偏光層
18b 第二偏光層
18c 第三偏光層
18d 第四偏光層
19 滲出防止層
20 玻璃基板(前面基板)
21 彩色濾光片
22 共用電極
22a 共用電極22的狹縫部
30 基板
31 偏光層
32 抗蝕劑
50 完全偏振光
51 從散射體射出的光
52 平行成分
53 正交成分 100 TFT基板 200 對(duì)置基板 300 液晶層
500、 600 液晶顯示裝置
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示裝置,其具有在背面基板和前面基板之間夾持有液晶層的構(gòu)造,其特征在于該液晶顯示裝置在背面基板與液晶層之間具有第一偏光層。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,其特征在于 所述液晶顯示裝置具有位于背面基板的背面?zhèn)鹊牡诙鈱印?br> 3. 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置,其特征在于 所述液晶顯示裝置在背面基板與液晶層之間具有消偏性部分, 所述第一偏光層配置在比消偏性部分更靠近液晶層的位置。
4. 如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置,其特征在于 所述消偏性部分為選自晶體管、配線、彩色濾光片、像素電極和使液晶層的背面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹臉?gòu)造物中的至少一個(gè)。
5. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,其特征在于 所述液晶顯示裝置在第一偏光層與液晶層之間具有滲出防止層。
6. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,其特征在于 所述液晶顯示裝置在背面基板與液晶層之間具有像素電極, 所述第一偏光層配置在比像素電極更靠近背面?zhèn)鹊奈恢谩?br> 7. 如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置,其特征在于 所述第一偏光層有選擇地配置在消偏性部分的區(qū)域。
8. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,其特征在于-所述液晶顯示裝置在液晶層與前面基板之間具有第三偏光層。
9. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,其特征在于 所述液晶顯示裝置具有位于前面基板的前面?zhèn)鹊牡谒钠鈱印?br> 10.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置,其特征在于所述液晶顯示裝置在液晶層與前面基板之間具有消偏性部分,所述第三偏光層配置在比消偏性部分更靠近液晶層的位置。
11.如權(quán)利要求IO所述的液晶顯示裝置,其特征在于 所述消偏性部分為選自彩色濾光片、共用電極和使液晶層的前面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹臉?gòu)造物中的至少
12.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置,其特征在于 所述液晶顯示裝置在第三偏光層與液晶層之間具有滲出防止層,
13.如權(quán)利要求IO所述的液晶顯示裝置,其特征在于: 所述第三偏光層有選擇地配置在消偏性部分的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠?qū)崿F(xiàn)充分的對(duì)比度的液晶顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示裝置,具有在背面基板和前面基板之間夾持有液晶層的構(gòu)造,上述液晶顯示裝置,在背面基板與液晶層之間具有第一偏光層,上述第一偏光層配置在比晶體管、配線、彩色濾光片、像素電極、使液晶層的背面?zhèn)鹊谋砻娉拾纪範(fàn)畹臉?gòu)造物等消偏性部分更靠近液晶層的位置。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK101454711SQ20078001946
公開(kāi)日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月2日
發(fā)明者龜江宏幸 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社
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