專利名稱：：新型化合物、使用了該化合物的濾光器及光學(xué)記錄材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及由二芳基乙烯衍生的新型化合物、使用了該化合物的濾光器及光學(xué)記錄材料。該化合物作為光學(xué)元件等有用，尤其是作為圖像顯示裝置用的濾光器中所含的光吸收劑、以及在通過激光進(jìn)行記錄、再生的光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層中使用的光學(xué)記錄材料中所含的光學(xué)記錄劑有用。
背景技術(shù)：
：在450nm1100nm的范圍內(nèi)具有高強度吸收的化合物、特別是最大吸收(U在480620nm的化合物通常在DVD土R等光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層或液晶顯示裝置(LCD)、等離子體顯示板(PDP)、電致發(fā)光顯示器(ELD)、陰極射線管顯示裝置(CRT)、熒光顯示管、場致發(fā)射型顯示器等圖像顯示裝置用的濾光器中被用作光學(xué)元件。例如，作為圖像顯示裝置中的光學(xué)元件的用途，有濾色器的光吸收劑。圖像顯示裝置通過紅、藍(lán)、綠三原色的光的組合來顯示彩色圖像，但是，在顯示彩色圖像的光中，包含綠和紅之間的550600nm等導(dǎo)致顯示質(zhì)量降低的光，此外，還包含7501100nm的成為紅外遙控的誤操作的原因的光。因此，正在使用含有選擇性地吸收這些不需要的波長的光的光吸收性化合物(光吸收劑)的濾光器。另外，還要求濾光器具有防止熒光燈等外部光線的反射和映入(映0込^)的功能。為了防止反射和映入，濾光器除了具有上述的選擇性地吸收不需要的波長的光的功能之外，還需要吸收波長為480500nm的光。該區(qū)域的光接近圖像顯示所必需的亮線。因此，為了不對圖像質(zhì)量造成影響，要求光吸收劑的光吸收特別陡峭，即要求A^x的半幅值小。此外，還要求光吸收劑不會由于光或熱等而喪失功能。作為含光吸收劑的濾光器，例如，下述專利文獻(xiàn)1公開了使用在440510nm具有最大吸收波長的二吡咯亞甲基金屬螯合物的濾光器，下述專利文獻(xiàn)2公開了使用了在440510nm具有最大吸收波長的卟啉化合物的濾光器。但是，這些濾光器中使用的化合物在吸收波長特性、或與溶劑或者粘合劑樹脂的親和性的方面無法得到令人滿意的性能。因此，這些濾光器在480500nm下無法顯示出充分的性能。此外，在上述的光學(xué)記錄介質(zhì)中，在記錄以及再生中使用的半導(dǎo)體激光的波長是，對CD-R而言為750830nm，對DVD土R而言為620nm690nm，而且為了實現(xiàn)容量的進(jìn)一步增加，正在研究使用短波長激光的光盤，例如正在研究使用380420nm的光作為記錄光的光盤。在短波長記錄用的光學(xué)記錄介質(zhì)中，各種化合物被用于光學(xué)記錄層的形成中。例如，專利文獻(xiàn)3中報告了花青類色素，專利文獻(xiàn)4中報告了三唑化合物的金屬配位化合物，專利文獻(xiàn)5中報告了卟啉化合物。但是，這些化合物作為用于形成光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄材料，其吸收波長特性以及耐光性未必合適。專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-57436號公報專利文獻(xiàn)2:日本特開2004-45887號公報專利文獻(xiàn)3:日本特開2001-301333號公報專利文獻(xiàn)4:日本特開2004-174838號公報專利文獻(xiàn)5:日本特開2005-59601號公報
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是提供吸收波長特性以及耐光性優(yōu)良的、特別適合作為在圖像顯示裝置用的濾光器以及利用激光的光學(xué)記錄材料中使用的光學(xué)元件的化合物。本發(fā)明人等經(jīng)過反復(fù)研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)具有由二芳基乙烯衍生的特定的結(jié)構(gòu)的化合物在吸收波長特性以及耐光性方面優(yōu)良，通過使用該化合物可以解決上述問題。本發(fā)明基于上述發(fā)現(xiàn)而完成，因此，通過提供下述通式(I)表示的化合物來實現(xiàn)上述目的。6(i)(式中，環(huán)A及環(huán)B各自獨立地表示可以具有取代基的苯環(huán)、萘環(huán)或雜環(huán)，R'及W各自獨立地表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的烷基，R'和112可以連接形成環(huán)，上述碳原子數(shù)為18的烷基中的亞甲基也可以被一O—或一CHK:H—取代，Anq—表示q價的陰離子，q為l或2，p表示保持電荷為中性的系數(shù)。)此外，本發(fā)明通過提供下述通式(II)表示的化合物來實現(xiàn)上述目的。(式中，R1、R2、Anq—、q以及p與上述通式(I)相同，R3及R4各自獨立地表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的垸基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為620的芳基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為720的芳烷基、硝基、氨基、鹵原子、氰基或碳原子數(shù)為220的雜環(huán)基，m及n各自獨立地為15的整數(shù)，上述碳原子數(shù)為18的垸基中的亞甲基也可以被一o—或一chk:h—取代。)此外，本發(fā)明通過提供下述通式(III)表示的化合物來實現(xiàn)上述目的。(式中，R1、R2、Anq—、q以及p與上述通式(I)相同，1^及1112各自獨立地表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的烷基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為620的芳基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為720的芳烷基、硝基、氨基、鹵原子、氰基或碳原子數(shù)為220的雜環(huán)基，R13及R"各自獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)為18的烷基、碳原子數(shù)為620的芳基、碳原子數(shù)為720的芳烷基或下述通式(IV)表示的取代基，s及t各自獨立地為15的數(shù)，上述碳原子數(shù)為18的垸基中的亞甲基也可以被一o—或一chk:h—取代。)(式中，RaRi各自獨立地表示氫原子、羥基或碳原子數(shù)為14的烷基，該烷基中的亞甲基也可以被一O—或一CO—取代，Z表示直接鍵合或可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的亞烷基，該亞垸基中的亞甲基也可以被一O—、一S—、—CO_、一COO—、一OCO—、一SO廣、_NH—、一CONH—、—NHCO—、—N=CH—或一CH-CH—取代，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir。)此外，本發(fā)明提供一種濾光器，其特征在于，該濾光器含有至少一種上述化合物，由此實現(xiàn)了上述目的。此外，本發(fā)明提供一種光學(xué)記錄材料，其特征在于，該光學(xué)記錄材料含有至少一種上述化合物，由此實現(xiàn)了上述目的。此外，本發(fā)明提供一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，在基體上具有由上述光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層，由此實現(xiàn)了上述目的。具體實施例方式下面，基于優(yōu)選的實施方式對本發(fā)明的化合物、以及含有該化合物而形成的濾光器及光學(xué)記錄材料進(jìn)行詳細(xì)的說明。首先，說明上述通式(I)表示的本發(fā)明的化合物。作為上述通式(I)中的環(huán)A以及環(huán)B表示的可以具有取代基的雜環(huán)，沒有特別的限定，可以使用四氫吡喃環(huán)、吡喃環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、吡咯環(huán)、苯并呋喃環(huán)、苯并噻吩環(huán)、吲哚環(huán)、假B引哚環(huán)、哌啶環(huán)、哌嗪環(huán)、吡咯烷環(huán)、嗎啉環(huán)、硫代嗎啉環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)、三嗪環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、咪唑環(huán)、噁唑環(huán)、咪唑烷環(huán)、吡唑烷環(huán)、噁唑烷環(huán)、異噁唑烷環(huán)、異噻唑垸等，這些環(huán)也可以與其它的環(huán)稠合，或者可以被取代。作為上述通式(I)中的W以及R"表示的可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、環(huán)己基、環(huán)己基甲基、環(huán)己基乙基、庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基等。作為上述通式(I)中的W與R"連接而成的環(huán)結(jié)構(gòu)，可以舉出哌啶環(huán)、哌嗪環(huán)、吡咯烷環(huán)、嗎啉環(huán)、硫代嗎啉環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、魅嗪環(huán)、三嗪環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、咪唑環(huán)、噁唑環(huán)、咪唑烷環(huán)、吡唑烷環(huán)、異噁唑垸環(huán)、異噻唑烷環(huán)等，這些環(huán)可以與其它環(huán)稠合，或者可以被取代。環(huán)A以及環(huán)B表示的苯環(huán)、萘環(huán)及雜環(huán)、以及R'與W表示的碳原子數(shù)為18的烷基均可以具有取代基。作為該取代基，可以舉出以下基團。另外，R'及W為上述的碳原子數(shù)為18的垸基等含碳原子的基團，且這些基團在為以下的取代基中也具有含碳原子的取代基的情況下，包括該取代基的R1及R2的總碳原子數(shù)滿足規(guī)定的范圍。作為上述取代基，可以列舉出例如甲基、乙基、丙基、異丙基、環(huán)丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、環(huán)戊基、己基、2-己基、3-己基、環(huán)己基、二環(huán)己基、1-甲基環(huán)己基、庚基、2-庚基、3-庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基、癸基等烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、叔戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、異庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基等烷氧基；甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、異丁硫基、戊硫基、異戊硫基、叔戊硫基、己硫基、環(huán)己硫基、庚硫基、異庚硫基、叔庚硫基、正辛硫基、異辛硫基、叔辛硫基、2-乙基己基硫基等垸基硫基；乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、2-丙烯基、l-甲基-3-丙烯基、3-丁烯基、l-甲基-3-丁烯基、異丁烯基、3-戊烯基、4-己烯基、環(huán)己烯基、二環(huán)己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基、二十烯基、二十三烯基等鏈烯基；芐基、苯乙基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基；苯基、萘基等芳基；苯氧基、萘氧基等芳氧基；苯硫基、萘硫基等芳硫基；吡啶基、嘧啶基、噠嗪基、哌啶基、吡喃基、吡唑基、三嗪基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、咪唑基、苯并咪唑基、三唑基、呋喃基(fliryl)、呋喃基(furanyl)、苯并呋喃基(benzofliranyl)、噻嗯基、噻吩基、苯并噻吩基、噻二唑基、噻唑基、苯并噻唑基、噁唑基、苯并噁唑基、異噻唑基、異噁唑基、B引哚基、2-吡咯垸酮-l-基、2-哌啶酮-l-基、2,4-二氧代咪唑垸-3-基、2,4-二氧代噁唑垸-3-基等雜環(huán)基；氟、氯、溴、碘等鹵原子；乙?；?、2-氯代乙?；?、丙?；?、辛酰基、丙烯?；?、甲基丙烯?；?、苯基羰基(苯甲?；?、鄰苯二甲?；?-三氟甲基苯甲?；⑿挛祯；⑺畻钏狨；?、乙?；?oxaloyl)、十八烷?；?、甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基、氨基甲?；弱；?；乙酰氧基、苯甲酰氧基等酰氧基；氨基、乙基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、丁基氨基、環(huán)戊基氨基、2-乙基己基氨基、十二烷基氨基、苯胺基、氯代苯基氨基、甲苯氨基、茴香氨基、N-甲基-苯10胺基、二苯基氨基、萘基氨基、2-吡啶基氨基、甲氧羰基氨基、苯氧羰基氨基、乙酰胺基、苯甲?；被?、甲酰氨基、新戊酰氨基、月桂酰氨基、氨基甲酰氨基、N,N-二甲基氨基羰基氨基、N，N-二乙基氨基羰基氨基、嗎啉基羰基氨基、甲氧基羰基氨基、乙氧基羰基氨基、叔丁氧基羰基氨基、正十八垸氧基羰基氨基、N-甲基-甲氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、氨磺?；被?、N，N-二甲基氨基磺酰基氨基、甲基磺酰氨基、丁基磺酰氨基、苯基磺酰氨基等取代氨基；磺酰胺基、磺?；?、羧基、氰基、磺基、羥基、硝基、巰基、酰亞胺基、氨基甲酰基、磺酰胺基等，這些基團也可以進(jìn)一步被取代。另外，羧基和磺基也可以形成鹽。上述通式(1)中，作為由Ar^—表示的陰離子，其中，例如作為一價的陰離子，可以舉出氯陰離子、溴陰離子、碘陰離子、氟陰離子等鹵素陰離子；髙氯酸陰離子、氯酸陰離子、硫氰酸陰離子、六氟化磷酸陰離子、六氟化銻陰離子、四氟化硼陰離子等無機陰離子；苯磺酸陰離子、甲苯磺酸陰離子、三氟甲磺酸陰離子、聯(lián)苯胺-4-磺酸陰離子、2-氨基-4-甲基-5-氯代苯磺酸陰離子、2-氨基-5-硝基苯磺酸陰離子、在日本特開平8-253705號公報、特表2004-503379號公報、特開2005-336150號公報、國際公開2006/28006號公報等中記載的磺酸陰離子等有機磺酸陰離子；辛基磷酸陰離子、十二烷基磷酸陰離子、十八垸基磷酸陰離子、苯基磷酸陰離子、壬基苯基磷酸陰離子、2,2，-亞甲基雙(4,6-二叔丁基苯基)膦酸陰離子等有機磷酸類陰離子；雙三氟甲基磺酰亞胺陰離子、雙全氟丁烷磺酰亞胺陰離子、全氟-4-乙基環(huán)己烷磺酸鹽陰離子、四(五氟苯基)硼酸陰離子、四(五氟苯基)鎵陰離子、三(氟代烷基磺?；?碳負(fù)離子、二苯甲酰基酒石酸陰離子等；作為二價的陰離子，例如可以舉出苯二磺酸陰離子、萘二磺酸陰離子等。此外，根據(jù)需要也可以使用具有使處于激發(fā)態(tài)的活性分子去激發(fā)(淬滅)功能的淬滅劑陰離子、和在環(huán)戊二烯基環(huán)上具有羧基、膦酸基、磺酸基等陰離子性基團的二茂鐵、二茂釕等金屬茂化合物陰離子等。作為上述淬滅劑陰離子，例如可以舉出下述通式(A)、(B)或下述通式(C)、(D)表示的、在日本特開昭60-234892號公報、日本特開平5-43814號公報、特開平5-305770號公報、特開平6-239028號公報、特開平9-309886號公報、特開平9-323478號公報、特開平10-45767號公報、特開平11-208118號公報、特開2000-168237號公報、特開2002-201373號公報、特開2002-206061號公報、特開2005-297407號公報、特公平7-96334號公報、國際公開98/29257號公報等中記載的陰離子。(a)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(式中，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir，115及116表示鹵原子、碳原子數(shù)為18的垸基、碳原子數(shù)為630的芳基或一SO2—G基，G表示可以被烷基、卣原子取代的芳基、二垸基氨基、二芳基氨基、哌啶基或嗎啉基，a及b各自獨立地表示04的數(shù)。另夕卜，R7、R8、尺9及111()各自獨立地表示烷基、烷基苯基、烷氧基苯基或卣代苯基。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(D)在上述通式(I)表示的化合物中，由下述通式(II)或(III)表示的化合物由于制備成本低、且特別適合形成吸收波長特性為3S0420nm的短波長用激光用的光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層，因此優(yōu)選。(r、(式中，R1、R2、Anq—、q以及p與上述通式(I)相同，113及尺4各自獨立地表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的烷基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為620的芳基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為720的芳垸基、硝基、氨基、鹵原子、氰基或碳原子數(shù)為220的雜環(huán)基，m及n各自獨立地為15的數(shù)，上述碳原子數(shù)為18的烷基中的亞甲基可以被一o—或一chk:h—取代。)(式中，R1、R2、Anq—、q以及p與上述通式(I)相同，R"及R^各自獨立地表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的烷基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為620的芳基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為720的芳烷基、硝基、氨基、鹵原子、氰基或碳原子數(shù)為220的雜環(huán)基，R13及R"各自獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)為18的烷基、碳原子數(shù)為620的芳基、碳原子數(shù)為720的芳垸基或下述通式(IV)表示的取代基，13s及t各自獨立地為15的數(shù)，上述碳原子數(shù)為18的烷基中的亞甲基可以被一O—或一CH-CH—取代。)(式中，RaRi各自獨立地表示氫原子、羥基或碳原子數(shù)為14的烷基，該垸基中的亞甲基可以被一O—或一CO—取代，Z表示直接鍵合或可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的亞烷基，該亞烷基中的亞甲基可以被一0—、一S—、一CO—、一COO—、一OC0—、一SOf、一NH—、一CONH—、—NHCO—、—N=CH—或—CH=CH—取代，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir。)作為由上述通式(II)中的113及114以及上述通式(III)中的R11、R12、R^及R"表示的可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的烷基，可以舉出作為上述通式(I)中的W及R"所例示的基團。作為由上述通式(II)中的R3及R"以及上述通式(III)中的R'1、R12、R"及R"表示的可以具有取代基的碳原子數(shù)為620的芳基，可以舉出苯基、萘基、蒽-l-基、菲-l-基等；作為由上述通式(II)中的R及RA以及上述通式(III)中的R11、R12、R13及R"表示的可以具有取代基的碳原子數(shù)為720的芳烷基，可以舉出節(jié)基、苯乙基、2-苯基丙垸、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等。作為由上述通式(II)中的113及114以及上述通式(III)中的R"及R12表示的鹵原子，可以舉出氟、氯、溴、碘等。作為由上述通式(II)中的R及R"以及上述通式(III)中的R"及1112表示的碳原子數(shù)為220的雜環(huán)基，可以舉出吡啶基、嘧啶基、噠嗪基、哌啶基、吡喃基、吡唑基、三嗪基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、咪唑基、苯并咪唑基、三唑基、呋喃基(furyl)、呋喃基(fiiranyl)、苯并呋喃基(benzofiiranyl)、噻嗯基、噻吩基、苯并噻吩基、噻二唑基、噻唑基、苯并噻唑基、噁唑基、苯并噁唑基、異噻唑基、異噁唑基、吲哚基、2-吡咯垸酮-l-基、2-哌啶酮-l-基、2，4-二氧代咪唑烷-3-基、2，4-二氧代噁唑垸-3-基等。作為由上述通式(IV)中的RaRi表示的碳原子數(shù)為14的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基等;作為該垸基中的亞甲基被一O—取代的基團，可以舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、2-甲氧基乙基等；作為該烷基中的亞甲基被一CO—取代的基團，可以舉出乙?；?、l-羰基乙基、乙?；谆?、l-羰基丙基、2-氧代丁基、2-乙?；一?、1-羰基異丙基等。作為上述通式(IV)中的Z表示的可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的亞烷基，可以舉出亞甲基、亞乙基、亞丙基、甲基亞乙基、亞丁基、1-甲基亞丙基、2-甲基亞丙基、1，2-二甲基亞丙基、1,3-二甲基亞丙基、1-甲基亞丁基、2-甲基亞丁基、3-甲基亞丁基、4-甲基亞丁基、2,4-二甲基亞丁基、1，3-二甲基亞丁基、亞戊基、亞己基、亞庚基、亞辛基、乙烷-l，l-二基、丙烷-2,2-二基等；作為該亞烷基中的亞甲基被一O—、一S—、一CO—、一COO—、一OCO—、一SO廣、一NH—、一CONH—、一NHCO—、一N二CH—或一CH-CH—取代的基團，可以舉出亞甲基氧基、亞乙基氧基、氧代亞甲基、硫代亞甲基、羰基亞甲基、羰基氧基亞甲基、亞甲基羰基氧基、磺?；鶃喖谆?、氨基亞甲基、乙?；被?、亞乙基羧基酰胺基、乙烷酰亞胺基、亞乙烯基、亞丙烯基等。由上述通式(II)中的RS及RA以及上述通式(III)中的R11、R12、R13及R"表示的碳原子數(shù)為18的垸基、由上述通式(II)中的R及W以及上述通式(III)中的R11、R12、f及R"表示的碳原子數(shù)為620的芳基、由上述通式(III)中的R11、R12、R"及R"表示的碳原子數(shù)為720的芳烷基、由上述通式(II)中的R及W以及上述通式(III)中的R"以及R12表示的氨基、由上述通式(ii)中的rS及R"以及上述通式(iii)中的r11以及R"表示的雜環(huán)基、由上述通式(IV)中的Z表示的碳原子數(shù)為18的亞烷基均可以具有取代基。作為該取代基，可以舉出上述例示的基團。作為本發(fā)明的由上述通式(I)表示的化合物的具體例子，可以舉出下述化合物N0.116。另外，在以下示例中，用省略了陰離子的陽離子來表示。在本發(fā)明的化合物中，雙鍵也可以采用共振結(jié)構(gòu)?；衔颪o.1化合物No.2化合物No.3化合物No.40Me化合物No.5化合物No.化合物No.8化合物No.6化合物No.9化合物No.10化合物No.11化合物No.1216化合物No.13化合物No.14化合物No.15化合物No.16由上述通式(I)表示的化合物的制備方法沒有特別的限定，可以通過利用了公知的一般的反應(yīng)的方法來制備。例如，如下述[化學(xué)式13]所示的反應(yīng)式所示，該化合物通過如下方法來合成使酮化合物和甲基溴化鎂進(jìn)行格利雅(Grignanl)反應(yīng)，然后脫水得到乙烯化合物，使得到的乙烯化合物與甲酰胺衍生物反應(yīng)。(式中，環(huán)A、環(huán)B、R1、R2、Anq—、q以及p與上述通式(I)相同。)上述本發(fā)明的化合物適合作為對450nm1100nm的范圍的光的光學(xué)元件、尤其適合作為對480nm620nm的范圍的光的光學(xué)元件。該"光學(xué)元件"是指通過吸收特定的光而發(fā)揮功能的元件，具體地可以舉出光吸收劑、光學(xué)記錄劑、光敏劑等。例如，光學(xué)記錄劑可以用于DVD土R等光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層，光吸收劑可以用于液晶顯示裝置(LCD)、等離子體顯示板(PDP)、電致發(fā)光顯示器(ELD)、陰極射線管顯示裝置(CRT)、熒光顯示管、場致發(fā)射型顯示器等圖像顯示裝置用、或者分析裝置用、半導(dǎo)體裝置制造用、天文觀測用、光通信用等的濾光器。下面說明含有至少一種本發(fā)明的上述通式(I)表示的化合物的本發(fā)明的濾光器。本發(fā)明的濾光器中含有的本發(fā)明的化合物的用量是，特別是在用于圖像顯示裝置中時，每單位面積的濾光器通常為11000mg/m2，優(yōu)選為5100mg/m2。用量不滿1mg/n^時，無法充分發(fā)揮光吸收效果，用量超過1000mg/m2時，濾光器的色調(diào)過強，存在顯示質(zhì)量等降低的可能，而且還存在亮度降低的可能。本發(fā)明的濾光器用于圖像顯示裝置時，通常設(shè)置在顯示器的前面。例如，本發(fā)明的濾光器可以直接貼附在顯示器的表面，在顯示器的前面設(shè)置有前面板的情況下，也可以將濾光器貼附在前面板的表側(cè)(外側(cè))或內(nèi)側(cè)(顯示器側(cè))上。用作圖像顯示裝置時，為了調(diào)整色調(diào)等，在本發(fā)明的濾光器中可以使用除本發(fā)明的化合物之外的光吸收劑，或者為了防止外部光線的反射和映入，也可以使用除本發(fā)明的化合物之外的對應(yīng)于480500nm的光吸收劑。此外，在圖像顯示裝置為等離子體顯示器的情況下，也可以使用對應(yīng)于7501100nm的近紅外線吸收劑。作為色調(diào)調(diào)整用的上述光吸收劑，作為為了除去550600nm的橙光而使用的光吸收劑，可以舉出三次甲基吲哚鎿鹽化合物、三次甲基苯并噁唑錄鹽化合物、三次甲基苯并噻唑鑰鹽化合物等三次甲基花青衍生物；五次甲基噁唑鑰鹽化合物、五次甲基噻唑鑰鹽化合物等五次甲基花青衍生物；方酸內(nèi)鐺鹽色素衍生物；偶氮甲堿色素衍生物；咕噸色素衍生物；偶氮色素衍生物；吡咯亞甲基色素衍生物；偶氮金屬配位化合物衍生物；若丹明色素衍生物；酞菁衍生物；卟啉衍生物；二吡咯亞甲基金屬螯合物等。此外，作為防止外部光線的映入用的對應(yīng)于480500nm的上述光吸收劑，可以舉出三次甲基吲哚鑰鹽化合物、三次甲基噁唑鎿鹽化合物、三次甲基噻唑鎗鹽化合物、亞B引哚基三次甲基噻唑鑰鹽化合物等三次甲基花青衍生物；酞菁衍生物；萘菁(naphthalocyanine)衍生物；卟啉衍生物；二吡咯亞甲基金屬螯合物等。另外，作為用于防止紅外遙控的誤操作的對應(yīng)于7501100nm的近紅外線吸收劑，可以舉出二亞胺鑰鹽(bisiminium)衍生物；五次甲基苯并口引哚錄鹽化合物、五次甲基苯并噁唑鑰鹽化合物、五次甲基苯并噻唑総鹽化合物等五次甲基花青衍生物；七次甲基吲哚鎗鹽化合物、七次甲基苯并口引哚鎗鹽化合物、七次甲基噁唑鎗鹽化合物、七次甲基苯并噁唑錄鹽化合物、七次甲基噻唑鐺鹽化合物、七次甲基苯并噻唑鎗鹽化合物等七次甲基花青衍生物；方酸內(nèi)鑰鹽衍生物；二(二苯乙烯二硫醇鹽基)鎳化合物、二(苯二硫醇鹽基)鎳化合物、二(樟腦二硫醇鹽基)鎳化合物等鎳配位化合物；方酸內(nèi)鐵鹽衍生物；偶氮色素衍生物；酞菁衍生物；卟啉衍生物；二吡咯亞甲基金屬螯合物等。本發(fā)明的濾光器中，上述用于調(diào)整色調(diào)的光吸收劑、對應(yīng)于480500nm的光吸收劑、以及近紅外線吸收劑可以在與本發(fā)明的化合物的同一層中含有，也可以在其它層中含有。相對于每單位面積的通常的濾光器，這些光吸收劑的用量分別為11000mg/m2的范圍，優(yōu)選為5100mg/m2。作為本發(fā)明的濾光器的代表結(jié)構(gòu)，可以舉出根據(jù)需要在透明支撐體上設(shè)置底涂層、防反射層、硬涂層、潤滑層等各層的結(jié)構(gòu)。作為使得本發(fā)明的濾光器中含有本發(fā)明的化合物和作為除本發(fā)明的化合物之外的色素化合物的光吸收劑、各種穩(wěn)定劑的任意成分的方法，可以舉出例如(1)在透明支撐體或任意的各層中含有的方法；(2)在透明支撐體或任意的各層上涂布的方法；(3)在選自透明支撐體和任意的各層中的任意的相鄰兩者之間的粘接劑層中含有的方法；(4)與任意的各層分開地設(shè)置含有本發(fā)明的化合物等光吸收劑等的光吸收層的方法。優(yōu)選通過上述(3)的方法使得粘接劑層中含有本發(fā)明的化合物、或者通過上述(4)的方法使得光吸收材料中含有本發(fā)明的化合物。作為上述透明支撐體的材料，可以舉出例如玻璃等無機材料；二乙?；w維素、三乙?；w維素(TAC)、丙?；w維素、丁?；w維素、乙?；；w維素、硝基纖維素等纖維素酯；聚酰胺；聚碳酸酯；聚對苯二19甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚(1,4-環(huán)己烷二亞甲基對苯二甲酸酯)、聚亞乙基-l，2-二苯氧基乙烷-4，4，-二羧酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯；聚苯乙烯；聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯等聚烯烴；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸類樹脂；聚碳酸酯；聚砜；聚醚砜；聚醚酮；聚醚酰亞胺；聚氧化乙烯、降冰片烯樹脂等高分子材料。透明支撐體的透過率優(yōu)選為80%以上，更優(yōu)選為86%以上。霧度優(yōu)選為2。^以下，更優(yōu)選為1%以下。折射率優(yōu)選為1.451.70。在上述透明支撐體中可以添加紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、酚類、磷類等抗氧化劑、阻燃劑、潤滑劑、防靜電劑、無機微粒等。此外，在上述透明支撐體上還可以實施各種表面處理。作為上述無機微粒，可以舉出例如二氧化硅、二氧化鈦、硫酸鋇、碳酸鈣、滑石、高嶺土等。作為上述各種表面處理，可以舉出例如化學(xué)處理、機械處理、電暈放電處理、火焰處理、紫外線照射處理、高頻處理、輝光放電處理、活性等離子體處理、激光處理、混酸處理、臭氧氧化處理等。在設(shè)置含有光吸收劑的光吸收層時，上述底涂層為用于透明支撐體和光吸收層之間的層。上述底涂層形成為含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為一6060。C的聚合物的層、光吸收層側(cè)的表面為粗糙面的層、或者含有與光吸收層的聚合物具有親和性的聚合物的層。此外，底涂層可以設(shè)置在未設(shè)置光吸收層的透明支撐體的面上，用于改善透明支撐體和其上設(shè)置的層(例如，防反射層、硬涂層)的粘接力，也可以改善用于粘接濾光器和圖像顯示裝置的粘接劑與濾光器的親和性。底涂層的厚度優(yōu)選為2nm20"m，更優(yōu)選為5nm5um，進(jìn)一步優(yōu)選為20nm2Pm，更進(jìn)一步優(yōu)選為50nm1um，最優(yōu)選為80nm300nm。含有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為一606(TC的聚合物的底涂層通過聚合物的粘著性粘接透明支撐體和過濾層。玻璃轉(zhuǎn)移溫度為一606(TC的聚合物可以通過例如氯乙烯、偏氯乙烯、乙酸乙烯酯、丁二烯、氯丁橡膠、苯乙烯、氯丁二烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯腈、或甲基乙烯基醚的聚合或它們的共聚來得到。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度優(yōu)選為5(TC以下，更優(yōu)選為4(TC以下，進(jìn)一步優(yōu)選為30'C以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為25。C以下，最優(yōu)選為2(TC以下。底涂層在25'C下的彈性模量優(yōu)選為11000MPa，更優(yōu)選為5800MPa，最優(yōu)選為10500MPa。光吸收層的表面為粗糙面的底涂層通過在粗糙面上形成光吸收層，由此將透明支撐體和光吸收層粘接。光吸收層的表面為粗糙面的底涂層可以通過聚合物膠乳的涂布而容易地形成。膠乳的平均粒徑優(yōu)選為0.023um，更優(yōu)選為0.05lym。作為與光吸收層的粘合劑聚合物具有親和性的聚合物，可以舉出丙烯酸樹脂、纖維素衍生物、明膠、酪蛋白、淀粉、聚乙烯醇、可溶性尼龍以及高分子膠乳等。此外，在本發(fā)明的濾光器中也可以設(shè)置兩層以上的底涂層。底涂層中也可以添加使透明支撐體溶脹的溶劑、消光劑、表面活性劑、防靜電劑、涂布助劑、硬膜劑等。在上述防反射層中，低折射率層是必須的。低折射率層的折射率比上述透明支撐體的折射率低。低折射率層的折射率優(yōu)選為1.201.55，更優(yōu)選為1.301.50。低折射率層的厚度優(yōu)選為50400nm，更優(yōu)選為50200nm。低折射率層可以形成為由折射率低的含氟聚合物形成的層(記載在日本特開昭57-34526號、日本特開平3-130103號、特開平6-115023號、特開平8-313702號、特開平7-168004號的各公報中)、由溶膠凝膠法得到的層(記載在日本特開平5-208811號、特開平6-299091號、特開平7-168003號的各公報中)、或者含微粒的層(記載在日本特公昭60-59250號、特開平5-13021號、特開平6-56478號、特開平7-92306號、特開平9-288201號的各公報中)。在含微粒的層中，作為微粒間或微粒內(nèi)的微孔，可以在低折射率層中形成空隙。含微粒的層優(yōu)選具有350體積％的空隙率，更優(yōu)選具有535體積％的空隙率。為了防止寬波長區(qū)域的反射，在上述防反射層中，除了低折射率層之外，優(yōu)選層疊折射率高的層(中、高折射率層)。高折射率層的折射率優(yōu)選為1.652.40，更優(yōu)選為1.702.20。中折射率層的折射率調(diào)整為低折射率層的折射率和高折射率層的折射率中間的值。中折射率層的折射率優(yōu)選為1.501.90，更優(yōu)選為1.551.70。中、高折射率層的厚度優(yōu)選為5nm100um，更優(yōu)選為10nm10ym，最優(yōu)選為30nmlPm。中、高折射率層的霧度優(yōu)選為5%以下，更優(yōu)選為3%以下，最優(yōu)選為1%以下。中、高折射率層可以使用具有較高的折射率的聚合物粘合劑形成。作為折射率高的聚合物，可以舉出聚苯乙烯、苯乙烯共聚物、聚碳酸酯、三聚氰胺樹脂、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、由環(huán)狀(脂環(huán)式或芳香族)異氰酸酯與多元醇反應(yīng)得到的聚氨酯等。其它的具有環(huán)狀(芳香族、雜環(huán)式、脂環(huán)式)基團的聚合物和具有除氟之外的鹵原子作為取代基的聚合物也具有高折射率。也可以使用通過引入雙鍵并能使自由基固化的單體的聚合反應(yīng)而形成的聚合物。為了得到更高的折射率，也可以在上述聚合物粘合劑中分散無機微粒。無機微粒的折射率優(yōu)選為1.802.80。無機微粒優(yōu)選由金屬的氧化物或硫化物形成。作為金屬的氧化物或硫化物，可以舉出氧化鈦(例如金紅石、金紅石/銳鈦礦混晶、銳鈦礦、無定形結(jié)構(gòu))、氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鋯、硫化鋅等。其中，特別優(yōu)選為氧化鈦、氧化錫以及氧化銦。無機微粒將這些金屬的氧化物或硫化物作為主要成分，還可以含有其它元素。主要成分是指構(gòu)成粒子的成分中含量(重量％)最高的成分。作為其它元素，可以舉出Ti、Zr、Sn、Sb、Cu、Fe、Mn、Pb、Cd、As、Cr、Hg、Zn、Al、Mg、Si、P、S等。也可以使用具有覆膜成形性且能分散到溶劑中或本身為液態(tài)的無機材料例如可以是各種元素的醇鹽、有機酸的鹽、與配位性化合物結(jié)合的配位化合物(例如螯合物)、活性無機聚合物來形成中、高折射率層。在上述防反射層的表面可以賦予抗眩光功能(使入射光在表面散射，從而防止膜周圍的景色轉(zhuǎn)移到膜表面的功能)。例如，在透明薄膜的表面形成微細(xì)的凹凸，從而在其表面形成防反射層，或者在形成防反射層之后，通過壓花輥在表面形成凹凸，從而得到具有抗眩光功能的防反射層。具有抗眩光功能的防反射層一般具有330%的霧度。上述硬涂層具有比上述透明支撐體的硬度更高的硬度。硬涂層優(yōu)選含有交聯(lián)的聚合物。硬涂層可以用丙烯酸類、聚氨酯類、環(huán)氧類的聚合物、低聚物或單體(例如紫外線固化型樹脂)等來形成。還可以由二氧化硅類材料形成硬涂層。上述防反射層(低折射率層)的表面也可以形成潤滑層。潤滑層具有對低折射率層表面賦予潤滑性、改善耐損傷性的功能。潤滑層可以使用聚有機硅氧烷(例如硅油)、天然蠟、石油蠟、高級脂肪酸金屬鹽、含氟類潤滑劑或其衍生物來形成。潤滑劑的厚度優(yōu)選為220nm。在濾光器中含有本發(fā)明的化合物時，在采用上述"(3)在選自透明支撐體以及任意的各層中的任意相鄰兩者之間的粘接劑層中含有的方法"的情況下，可以在粘接劑中含有本發(fā)明的化合物等之后，使用該粘接劑，將上述透明支撐體以及任意各層中的相鄰兩者粘接。作為該粘接劑，可以使用硅酮類、聚氨酯類、丙烯酸類、聚乙烯醇縮丁醛類、乙烯一乙酸乙烯酯類等公知的層壓玻璃用透明粘接劑。此外，使用該粘接劑時，可以根據(jù)需要使用金屬螯合物類、異氰酸酯類、環(huán)氧類等交聯(lián)劑作為固化劑。此外，粘接劑層的厚度優(yōu)選為2400um。在采用上述"(4)與任意的各層分開地設(shè)置含有本發(fā)明的化合物等光吸收劑的光吸收層的方法"時，可以直接使用本發(fā)明的化合物形成光吸收層，也可以分散到粘合劑中而形成光吸收層。作為該粘合劑，例如可以使用明膠、酪蛋白、淀粉、纖維素衍生物、海藻酸等天然高分子材料、或者聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚氯乙烯、苯乙烯一丁二烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰胺等合成高分子材料。使用上述粘合劑時，也可以同時使用有機溶劑，作為該有機溶劑，沒有特別的限定，可以適當(dāng)使用公知的各種溶劑，例如可以舉出異丙醇等醇類；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、二乙二醇丁醚等醚醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮、二丙酮醇等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基乙酯等酯類；丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯類；2,2,3，3-四氟丙醇等氟代醇類；己垸、苯、甲苯、二甲苯等烴類；二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿等氯代烴類等。這些有機溶劑可以單獨使用，或者混合使用。此外，上述的底涂層、防反射層、硬涂層、潤滑層、光吸收層等可以通過常規(guī)的涂布方法形成。作為涂布方法，可以使用浸涂法、氣刀涂布法、簾幕涂布法、輥涂法、環(huán)棒涂布(wirebarcoat)法、凹版涂布法、使用給料器的擠出式涂布法(記載在美國專利第2681294號說明書中)等。也可以通過同時涂布形成兩層以上。關(guān)于同時涂布，記載在美國專利第2761791號、美國專利第2941898號、美國專利第3508947號、美國專利第3526528號的各說明書和原崎勇次著《3—xO夕、、工學(xué)》253頁(1973年朝倉書店發(fā)行)中。下面對在基體上形成有光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的該光學(xué)記錄層中使用的、含有本發(fā)明的化合物而形成的本發(fā)明的光學(xué)記錄材料進(jìn)行說明。上述通式(I)表示的本發(fā)明的化合物對于在通過將信息通過激光等賦予為熱信息圖案來進(jìn)行記錄的光學(xué)介質(zhì)的光學(xué)記錄層中使用的光學(xué)記錄材料也有用，特別適合用于DVD—R、DVD+R等光學(xué)記錄層中使用的光學(xué)記錄材料。另外，本發(fā)明的光學(xué)記錄材料是為了形成光學(xué)記錄層而使用的材料，是由上述通式(I)表示的本發(fā)明的化合物以及其與后述的有機溶劑和各種化合物的混合物。對于使用含有由上述通式(I)表示的化合物的本發(fā)明的光學(xué)記錄材料來形成光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層的方法，沒有特別的限定。一般可以使用濕式涂布法，也可以使用蒸鍍法、濺射法等，所述濕式涂布法是在有機溶劑中溶解本發(fā)明的化合物以及根據(jù)需要的后述的各種化合物，制作溶液狀的光學(xué)記錄材料，并將該光學(xué)記錄材料通過旋轉(zhuǎn)涂布、噴涂、浸涂等涂布到基體上；所述有機溶劑可以是甲醇、乙醇等低級醇類；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、二乙二醇丁醚等醚醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮、二丙酮醇等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基乙酯等酯類；丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯類；2,2,3，3-四氟丙醇等氟代醇類；苯、甲苯、二甲苯等烴類.，二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿等氯代烴類等。在使用上述有機溶劑時，其用量優(yōu)選為，使本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中的上述通式(I)表示化合物的含量達(dá)到0.1~10質(zhì)量％的量。上述光學(xué)記錄層形成為薄膜，其厚度通常為0.00110um，優(yōu)選為0.015um的范圍。此外，在本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中，上述通式(I)表示的化合物的含量為，在本發(fā)明的光學(xué)記錄材料所含有的固體成分中優(yōu)選為10100質(zhì)量%。上述光學(xué)記錄層優(yōu)選形成為在光學(xué)記錄層中含有50100質(zhì)量％的由上述通式(I)表示的化合物，為了形成這樣的化合物含量的光學(xué)記錄層，以本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中所含的固體成分為基準(zhǔn)，本發(fā)明的光學(xué)材料更優(yōu)選含有50100質(zhì)量％的由上述通式(I)表示的化合物。本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中所含的上述固體成分為從該光學(xué)記錄材料中24除去有機溶劑等固體成分之外的成分，在上述光學(xué)記錄材料中，該固體成分的含量優(yōu)選為0.01100質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.110質(zhì)量％。本發(fā)明的光學(xué)記錄材料除了本發(fā)明的化合物之外，根據(jù)需要還可以含有偶氮類化合物、酞菁類化合物、氧雜菁(oxonol)類化合物、方酸內(nèi)鎿鹽類化合物、吲哚類化合物、苯乙烯類化合物、卟吩類化合物、甘菊環(huán)型鏺鹽(azulenium)類化合物、克酮酸次甲酯(chroconicmethine)類化合物、吡喃錄鹽類化合物、硫代吡喃鎿鹽類化合物、三芳基甲烷類化合物、聯(lián)苯基甲垸類化合物、四氫膽堿類化合物、靛酚類化合物、蒽醌類化合物、萘醌類化合物、阽噸類化合物、噻嗪類化合物、吖啶類化合物、噁嗪類化合物、螺吡喃類化合物、芴類化合物、若丹明類化合物等通常用于光學(xué)記錄層的化合物；聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯等樹脂類；表面活性劑；防靜電劑；潤滑劑；阻燃劑；受阻胺等自由基捕獲劑；二茂鐵衍生物等凹點(pit)形成促進(jìn)劑；分散劑；抗氧化劑；交聯(lián)劑；耐光性賦予劑等。另外，本發(fā)明的光學(xué)記錄材料也可以含有作為單態(tài)氧等的淬滅劑的芳香族亞硝基化合物、銨鐺鹽(aminium)化合物、亞胺鐺鹽化合物(iminium)、二亞胺鎗鹽化合物、過渡金屬螯合物等。在本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中，這些各種化合物在本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中所含的固體成分中以050質(zhì)量0%的范圍的量使用。設(shè)置這種光學(xué)記錄層的上述基體的材質(zhì)相對于寫入(記錄)光以及讀取(再生)光實質(zhì)上為透明的材料即可，沒有特別的限定，例如可以使用聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯等樹脂、玻璃等。此外，基體的形狀根據(jù)用途可以使用條狀、筒狀、帶狀、盤狀等任意的形狀。此外，也可以通過蒸鍍法或濺射法使用金、銀、鋁、銅等在上述光學(xué)記錄層上形成反射膜，也可以用丙烯酸樹脂、紫外線固化性樹脂等形成保護層。實施例下面，通過制造例以及實施例對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說明。但是，本發(fā)明并不受以下實施例等的任何限制。下述制造例13表示作為用于獲得由上述通式(I)表示的化合物的原料的乙烯化合物的制造例，實施例17表示由上述通式(I)表示的化合物的制造例。實施例815表示使用了實施例1以及3得到的本發(fā)明的化合物的本發(fā)明的濾光器的制作例。此外，下述實施例1622表示使用了實施例17得到的本發(fā)明的化合物的本發(fā)明的光學(xué)記錄材料以及光學(xué)記錄介質(zhì)的實施例；比較例1表示使用了與本發(fā)明的化合物不同的結(jié)構(gòu)的化合物的光學(xué)記錄材料以及光學(xué)記錄介質(zhì)的例子。此外，下述評價例l中，對實施例2、5、6以及7得到的本發(fā)明的化合物以及比較化合物進(jìn)行了耐光性的評價，下述評價例2中，對實施例1620得到的光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行了是否適合利用短波長激光的記錄以及再生的評價。乙烯化合物的制造采用如下所示的合成方法，合成乙烯化合物1(雙(N,N-二乙基氨基苯基)乙烯)、乙烯化合物2(雙(甲氧基苯基)乙烯)、和乙烯化合物3(雙(N-甲基吲哚基)乙烯)。通過'H-NMR分析來鑒定得到的化合物(參照[表l])。(合成例)將49.9mmo1的酮化合物溶解到40g的甲苯中，加入含64.4mmo1甲基溴化鎂的l.Omol/1的四氫呋喃溶液，并加熱回流1小時。滴加17g乙酸和17g水的混合物，再加熱回流1小時。冷卻到室溫后，進(jìn)行油水分離。用無水硫酸鎂干燥有機層，蒸餾除去溶劑，通過再結(jié)晶精制殘留物，得到作為目標(biāo)物的乙烯化合物。<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>[實施例15]上述通式(I)表示的化合物的PF6鹽的制造用如下所示的合成方法合成化合物No.lNo.3、No.13以及No.15的PF6鹽。通過IR分析以及^-NMR分析來鑒定得到的化合物(參照[表3]以及[表4])。在[表2]中顯示了得到的化合物的收率以及特性值[溶液狀態(tài)下的光吸收特性(入max以及入皿中的S)、熔點以及分解點]的測定結(jié)果。另外，在[表2]中，分解點為在1(TC/分的升溫速度下的差示熱分析的質(zhì)量減少開始的溫度。(合成例)化合物No.lNo.3、No.13以及No.15的PFs鹽的合成在23.8mmo1的甲酰胺衍生物中在冰冷卻下滴加7.5mmo1的三氯氧磷，在冰冷卻下攪拌1小時。然后，在冰冷卻下，分別加入5.0mmo1的制造例13得到的乙烯化合物，在IO(TC下攪拌3小時。添加混合43.5mmo1的KPF6后，加入100ml的水以及100ml的乙酸乙酯而進(jìn)行油水分離。有機層通過無水硫酸鎂干燥，蒸餾除去溶劑，通過柱色譜法或再結(jié)晶精制殘留物，得到作為目標(biāo)物的化合物No.lNo.3、No.13以及No.15的PF6鹽。[實施例6以及7]化合物No.2以及No.3的淬滅劑陰離子鹽的合成將5.0mmo1的制造例1以及2得到的乙烯化合物分別溶解到20ml的丙酮中，滴加將5.0mmo1的化學(xué)式[C]所示的陰離子的三乙胺鹽溶解在122ml的丙酮中所得到的溶液，再加入20ml丙酮，并加熱回流3小時。冷卻至室溫后，將反應(yīng)物滴加到800ml的水中，在室溫下攪拌13小時。將析出的固體過濾，干燥，分別得到作為目標(biāo)物的化合物No.2以及No.3的淬滅劑陰閨子ik。<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>(實施例8)濾光器的制作l按照下述的配方調(diào)制涂布液，將該涂布液通過刮棒涂布機#9涂布到經(jīng)易密著處理的188um厚的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上，然后在IO(TC下干燥3分鐘，得到在聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上具有膜厚為lOum的薄膜層的濾光器(化合物No.l的含量為2.0mg/m2)。通過日本分光株式會社制的紫外可見近紅外分光光度計V-570對該濾光器進(jìn)行吸收光譜的測定，入max為495nm，半幅值為67nm。(配方)SUMIPEXLG2,5g(住友化學(xué)株式會社制丙烯酸類樹脂粘合劑，樹脂成分40質(zhì)量％)化合物No.l的PF6鹽2mg甲基乙基酮2.5g(實施例9)濾光器的制作2按照下述的配方調(diào)制粘接劑溶液，將該粘接劑溶液通過刮棒涂布機#30涂布到經(jīng)易密著處理的188ym厚的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上，然后在IO(TC下干燥IO分鐘，得到在聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上具有厚度為10lim的粘接劑層的濾光器(化合物No.l的含量為2.0mg/m2)。通過日本分光株式會社制的紫外可見近紅外分光光度計V-570對該濾光器進(jìn)行測定，入麗為495.5nm，半幅值為67,5nm。(配方)化合物No.l的PF6鹽2.0mg丙烯酸類粘接劑(DBBond5541:Diabond社制)20g甲基乙基酮80g(實施例10)濾光器的制作3將下述的配方通過攪拌機(Plastmil)在26(TC下熔融混煉5分鐘?；鞜捄?，從直徑為6mm的噴嘴中擠出，通過水冷卻造粒機得到含有色素的粒料。將該粒料用電氣式壓制機在250。C下成形為0.25mm厚的薄板(化合物No.l的含量為2.0mg/m2)。通過日本分光株式會社制的紫外可見近紅外分光光度計V-570對該薄板進(jìn)行吸收光譜的測定，入max為495.5nm，半幅值為67.4nm。(配方)IupilonS—3000lOOg(三菱瓦斯化學(xué)株式會社制；聚碳酸酯樹脂)化合物No.l的PF6鹽0.0lg(實施例11)濾光器的制作4按照下述的配方調(diào)制UV清漆，將該UV清漆通過刮棒涂布機弁9涂布到經(jīng)易密著處理的188"m厚的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上，然后在8(TC下干燥30秒。然后，通過帶有紅外線截止膜過濾器的高壓水銀燈以100mJ照射紫外線，得到具有固化膜的厚度為約5Pm的過濾層的濾光器(化合物No.l的含量為2.0mg/m2)。通過日本分光株式會社制的紫外可見近紅外分光光度計V-570對該濾光器進(jìn)行吸收光譜的測定，入n^為495.5nm，半幅值為67.6nm。(配方)ADEKAOPTOMERKRX-571-65100g(旭電化工業(yè)株式會社制UV固化樹脂，樹脂成分80質(zhì)量％)化合物No.l的PF6鹽0.5g甲基乙基酮60g(實施例12)濾光器的制作5按照下述的配方調(diào)制涂布液，將該涂布液通過刮棒涂布機#9涂布到經(jīng)易密著處理的188um厚的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上，然后在IO(TC下干燥3分鐘，得到在聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上具有膜厚為約10iim的薄膜層的濾光器(化合物No.l的含量為2.0mg/m2)。通過日本分光株式會社制的紫外可見近紅外分光光度計V-570對該濾光器進(jìn)行測定，入max為495薩，半幅值為67.3nm。(配方)POLYESTERTP-220lOOg(日本合成化學(xué)制聚酯樹脂)化合物N0.1的PFe鹽l.Og甲基乙基酮60g(實施例13)濾光器的制作6除了用2mg的化合物No.3的PF6鹽代替2mg的化合物No.l的PF6鹽之外，按照與實施例1相同的步驟制作濾光器，通過日本分光株式會社制的紫外可見近紅外分光光度計V-570對得到的濾光器進(jìn)行測定，入n^為490.0nm，半幅值為65.6nm。(實施例14)濾光器的制作7除了用2mg的化合物No.13的PFs鹽代替2mg的化合物No.l的PF6鹽之外，按照與實施例1相同的步驟制作濾光器，通過日本分光株式會社制的紫外可見近紅外分光光度計V-570對得到的濾光器進(jìn)行測定，入max為505.0nm，半幅值為69.2nm。(實施例15)濾光器的制作8除了用2mg的化合物No.15的PF6鹽代替2mg的化合物No.l的PF6鹽之外，按照與實施例1相同的步驟制作濾光器，通過日本分光株式會社制的紫外可見近紅外分光光度計V-570對得到的濾光器進(jìn)行測定，入max為434.0nm，半幅值為56.8nm。顯然使用了本發(fā)明的上述通式(I)表示的化合物的實施例815的濾光器在特定波長(380550nm)下具有尖銳的吸收，作為圖像顯示裝置、尤其是等離子體顯示器用的濾光器的性能優(yōu)良。光學(xué)記錄材料以及光學(xué)記錄介質(zhì)的制造將上述實施例17得到的化合物分別溶解到2,2,3,3-四氟丙醇溶劑中，使得化合物的濃度為1.0質(zhì)量％，制成2,2,3，3-四氟丙醇溶液，從而分別得到實施例1622的光學(xué)記錄材料。在經(jīng)涂布鈦螯合物(T-50:日本曹達(dá)社制)并水解后設(shè)置了基底層(0.01um)的直徑為12cm的聚碳酸酯圓盤基板上，通過旋轉(zhuǎn)涂布法涂布上述光學(xué)記錄材料，形成厚度為100nm的光學(xué)記錄層，分別得到實施例1622的光學(xué)記錄介質(zhì)No.lNo.7。除了用下述比較化合物No.l代替化合物No.l的PF6鹽之外，按照與實施例16相同的步驟制作比較例1的光學(xué)記錄材料，用該光學(xué)記錄材料獲得比較例1的光學(xué)記錄介質(zhì)。比較化合物No.l上述通式(I)所示的化合物的耐光性評價對實施例2、5、6以及7得到的化合物No.2及化合物No.15的PF6鹽以及No.2及No.3的淬滅劑陰離子鹽、以及比較化合物1進(jìn)行耐光性評價。首先，將本發(fā)明的化合物以1質(zhì)量％的濃度溶解到2，2,3,3-四氟丙醇中，制成2,2,3,3-四氟丙醇溶液，將得到的溶液通過旋轉(zhuǎn)涂布法以2000rpm的轉(zhuǎn)速用60秒的時間涂布到20X20mm的聚碳酸酯板上，制成試驗片。按照如下方法進(jìn)行評價在該試驗片上照射55000勒克斯的光，分別照射24小時、48小時后，測定照射前的UV吸收光譜在入m^下的吸光度殘留率。另外，在[表5]中，作為并用物，使用了下述[化學(xué)式15]所示的二亞銨鐡鹽(Diimmonium)化合物。結(jié)果如[表5]所示。[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>[化學(xué)式15]從[表5]可以看出，本發(fā)明的上述通式(I)表示的化合物在照射48小時后，吸光度殘留率也很高，在并用二亞銨鐺鹽化合物時，照射48小時后，也未發(fā)現(xiàn)吸光度殘留率降低。另夕卜，比較化合物在照射24小時后發(fā)現(xiàn)吸光度殘留率降低，此外，照射48小時后發(fā)現(xiàn)吸光度殘留率顯著降低。而且，在并用比較化合物和二亞銨鎗鹽化合物時，照射24小時后、照射48小時后，均發(fā)現(xiàn)吸光度殘留率降低，耐光性不好。[評價例2-l2-5]對實施例1620得到的光學(xué)記錄介質(zhì)No.lNo.5進(jìn)行UV光譜吸收的測定。結(jié)果如[表6]所示。幽<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>*表示淬滅劑陰離子部的吸收(564.0nm)從[表6]可以看出，具有由本發(fā)明的光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)在UV光譜吸收中在380550nm附近顯示人^，可以確認(rèn)任意的光學(xué)記錄介質(zhì)均能通過380420nm的激光進(jìn)行記錄。根據(jù)本發(fā)明，可以提供適合作為光學(xué)元件的吸收波長特性以及耐光性優(yōu)良的新型化合物。此外，使用了該化合物的濾光器適合作為圖像顯示用的濾光器，含有該化合物的光學(xué)記錄材料適合用于光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層的形成。權(quán)利要求1、一種下述通式(I)表示的化合物，式中，環(huán)A及環(huán)B各自獨立地表示可以具有取代基的苯環(huán)、萘環(huán)或雜環(huán)，R1及R2各自獨立地表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～8的烷基，R1和R2可以連接形成環(huán)，所述碳原子數(shù)為1～8的烷基中的亞甲基也可以被—O—或—CH＝CH—取代，Anq-表示q價的陰離子，q為1或2，p表示保持電荷為中性的系數(shù)。2、一種下述通式(II)表示的化合物，(II)式中，R1、R2、Anq—、q以及p與所述通式(I)相同，^及114各自獨立地表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的垸基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為620的芳基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為720的芳垸基、硝基、氨基、鹵原子、氰基或碳原子數(shù)為220的雜環(huán)基，m及n各自獨立地為15的整數(shù)，所述碳原子數(shù)為18的垸基中的亞甲基也可以被一0—或一CI^CH—取代。3、一種下述通式(III)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，R1、R2、Anq—、q以及p與所述通式(I)相同，R"及R^各自獨立地表示氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的烷基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為620的芳基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為720的芳垸基、硝基、氨基、鹵原子、氰基或碳原子數(shù)為220的雜環(huán)基，R13及R"各自獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)為18的垸基、碳原子數(shù)為620的芳基、碳原子數(shù)為720的芳烷基或下述通式(IV)表示的取代基，s及t各自獨立地為15的數(shù)，所述碳原子數(shù)為18的烷基中的亞甲基也可以被—0—或一CH-CH—取代，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，RaRi各自獨立地表示氫原子、羥基或碳原子數(shù)為14的垸基，該垸基中的亞甲基也可以被一O—或一CO—取代，Z表示直接鍵合或可以具有取代基的碳原子數(shù)為18的亞垸基，該亞垸基中的亞甲基也可以被一O—、_S_、一CO—、一coo—、一oco—、一so2—、一麗一、一CONH—、—NHCO—、一NK:H—或—CHK:H—取代，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir。4、一種濾光器，其特征在于，該濾光器含有至少一種權(quán)利要求13中任一項所記載的化合物。5、根據(jù)權(quán)利要求4所記載的濾光器，其特征在于，該濾光器具有包含粘接劑層的多層結(jié)構(gòu)，所述化合物含在所述粘接劑層中。6、根據(jù)權(quán)利要求4所記載的濾光器，其中，該濾光器用于圖像顯示裝置。7、根據(jù)權(quán)利要求6所記載的濾光器，其中，所述圖像顯示裝置為等離子體顯示器。8、一種光學(xué)記錄材料，其特征在于，該光學(xué)記錄材料含有至少一種權(quán)利要求13中任一項所記載的化合物。9、一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，在基體上具有由權(quán)利要求8所記載的光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層。全文摘要本發(fā)明提供一種通式(I)表示的化合物，式中，環(huán)A及環(huán)B各自獨立地表示可以具有取代基的苯環(huán)、萘環(huán)或雜環(huán)，R¹及R²各自獨立地表示可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～8的烷基，R¹和R²可以連接形成環(huán)，所述碳原子數(shù)為1～8的烷基中的亞甲基也可以被-O-或-CH＝CH-取代，An^q-表示q價的陰離子，q為1或2，p表示保持電荷為中性的系數(shù)。文檔編號G02B5/22GK101437903SQ20078001669公開日2009年5月20日申請日期2007年3月5日優(yōu)先權(quán)日2006年5月8日發(fā)明者柳澤智史申請人:株式會社艾迪科