專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及一種能夠修復(fù)數(shù)據(jù)線(xiàn)中開(kāi)口 缺陷的液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般地，液晶顯示裝置包括利用液晶的電子和光學(xué)特性來(lái)顯示圖像的 液晶面板，和向液晶面板施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)單元。液晶面板包括彼此粘接、其間留有預(yù)定間隙的第一和第二基板，和形 成于第一和第二基板之間的液晶層。液晶面板的制造一般分為在第一基板 上形成薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列過(guò)程，和在第二基板上形成彩色濾光 器的彩色濾光器陣列過(guò)程。如果具有薄膜晶體管陣列的第一基板通過(guò)成盒 過(guò)程(cellprocess)粘接到具有彩色濾光器陣列的第二基板上，使得液晶 層置于第一和第二基板之間，由此制造完成液晶面板。所完成的液晶面板隨后經(jīng)過(guò)檢測(cè)過(guò)程，以確定液晶面板是否存在缺 陷。如果液晶面板被確認(rèn)為沒(méi)有缺陷的完美產(chǎn)品，那么就會(huì)在液晶面板的 表面設(shè)置偏光器。然后，通過(guò)把驅(qū)動(dòng)電路連接到液晶面板，制造完成液晶 顯示裝置。 .這里，液晶面板的檢測(cè)過(guò)程以這樣的方式進(jìn)行將測(cè)試屏置于液晶面 板上，以檢測(cè)壞像素是否存在。此外，在完成薄膜晶體管陣列過(guò)程后，利 用一定的設(shè)備，檢測(cè)所完成的薄膜晶體管基板是否存在缺陷。在液晶面板 或薄膜晶體管基板中引起的代表性缺陷的例子包括像素缺陷和數(shù)據(jù)線(xiàn)中 的開(kāi)口缺陷。像素缺陷以點(diǎn)的形式呈現(xiàn)。因此，即使出現(xiàn)多個(gè)像素缺陷，由于對(duì)用戶(hù)來(lái)說(shuō)也難于認(rèn)出像素缺陷，所以液晶面板或薄膜晶體管基板不 被認(rèn)為是缺陷產(chǎn)品。另一方面，由于數(shù)據(jù)線(xiàn)中的開(kāi)口缺陷是以線(xiàn)的形式呈 現(xiàn)，所以即使只出現(xiàn)一個(gè)開(kāi)口缺陷線(xiàn)，液晶面板或薄膜晶體管基極也被認(rèn) 為是缺陷產(chǎn)品，導(dǎo)致液晶顯示裝置的產(chǎn)量降低。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明致力于提供一種液晶顯示裝置及其制造方法，充分消除 相關(guān)領(lǐng)域中由于限制和缺陷而引起的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一種液晶顯示裝置及其制造方法，以修復(fù)數(shù) 據(jù)線(xiàn)中的開(kāi)口缺陷。本發(fā)明另外的優(yōu)點(diǎn)、目的和特點(diǎn)將在以下的描述中提出，其中一部分 本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可從描述中明顯看出，或者通過(guò)對(duì)發(fā)明的實(shí)踐領(lǐng)會(huì) 到。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可從文字描述和權(quán)利要求以及附圖中特別指 出的結(jié)構(gòu)中了解和獲得。為了達(dá)到這些目標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)并且與本發(fā)明的目的相一致，正如這里 所實(shí)例化和廣泛描述的， 一種液晶顯示裝置包括在基板上限定了像素區(qū) 域的多個(gè)柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)；形成在柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉區(qū)域的薄膜晶體 管；形成在相應(yīng)像素區(qū)域并連接薄膜晶體管的像素電極；與各像素電極的 兩側(cè)部分重疊以平行于數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的第一公共電極和第二公共電極；在每 一像素區(qū)域中將第一公共電極分成兩部分的第一公共電極上的開(kāi)口區(qū)域； 與開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的兩個(gè)分離部分和緊鄰開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的像素電極重疊的連接 電極，該連接電極利用焊接點(diǎn)電連接開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的兩個(gè)分離部分；和將像 素電極分為與連接電極相連的第一部分和與關(guān)聯(lián)的薄膜晶體管相連的第 二部分的切割線(xiàn)，該切割線(xiàn)穿過(guò)第一公共電極的開(kāi)口區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造液晶顯示裝置的方法，包括: 在基板上形成限定了像素區(qū)域的多個(gè)柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)；在柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn) 交叉區(qū)域形成薄膜晶體管；在相應(yīng)像素區(qū)域形成像素電極并連接薄膜晶體 管；平行于數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸形成第一公共電極和第二公共電極，并且與各像素 電極的兩側(cè)部分重疊；在每一像素區(qū)域中將第一公共電極分成兩部分的第 一公共電極上形成開(kāi)口區(qū)域；與開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的兩個(gè)分離部分和緊鄰開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的像素電極重疊形成連接電極；利用焊接點(diǎn)將連接電極電連接到開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)兩個(gè)分離部分；在像素電極中形成切割線(xiàn)以穿過(guò)第一公共電極的開(kāi) 口區(qū)域；和利用切割線(xiàn)將像素電極分為具有連接電極的第一部分和與關(guān)聯(lián) 的薄膜晶體管相連的第二部分。在附圖和以下的描述中將對(duì)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例進(jìn)行具體描述。其他特 征將在以下描述和附圖以及所附權(quán)利要求中明顯看出。


附圖提供了對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，其包含在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明 書(shū)的一部分，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例并且和說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原 理。在附圖中圖1所示的是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的液晶顯示裝置的平面圖； 圖2所示的是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的液晶顯示裝置的平面圖；圖3a到3d為沿圖2的線(xiàn)i -1 ，到ni-m，的截面圖，說(shuō)明了在液晶顯示裝置中形成薄膜晶體管基板的過(guò)程。圖4a到4c為沿圖2的線(xiàn)n-n，到m-m，的截面圖，說(shuō)明了根據(jù)本發(fā) 明液晶顯示裝置的數(shù)據(jù)線(xiàn)的修復(fù)過(guò)程。
具體實(shí)施方式
下面將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)先實(shí)施例，其實(shí)例圖示在附圖中。盡可能 地，在整個(gè)附圖中使用的相同參考數(shù)字代表相同或相近的部分。圖1所示的是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示裝置的薄膜晶體管 基板的平面圖。圖1中所示的薄膜晶體管基板包括形成在第一基板上的彼此交叉的多個(gè)柵極線(xiàn)gl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl以限定像素區(qū)域，在柵極線(xiàn)gl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl 之間設(shè)置柵極絕緣層，薄膜晶體管tft形成在柵極線(xiàn)gl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl的 交叉區(qū)域，并且像素電極50形成在相應(yīng)像素區(qū)域并與薄膜晶體管tft相 連。每一個(gè)薄膜晶體管tft包括從柵極線(xiàn)gl分支出來(lái)的柵極12、形成 在其上形成有柵極12的第一基板的整個(gè)表面上的柵極絕緣層、形成在柵極絕緣層上與柵極12重疊的半導(dǎo)體層16、從數(shù)據(jù)線(xiàn)DL分支出來(lái)并形成 在半導(dǎo)體層16上的源極18a、和形成在半導(dǎo)體層16上面對(duì)源極18a的漏 極18b。這里，半導(dǎo)體層16被延伸，也與數(shù)據(jù)線(xiàn)DL重疊。每一個(gè)像素電極50形成在保護(hù)層上，并且通過(guò)穿過(guò)保護(hù)層的接觸孔 40與漏極18b相連。當(dāng)將柵極絕緣層和保護(hù)層置于像素電極50和前段柵 極線(xiàn)GL'之間，像素電極50重疊前段柵極線(xiàn)GL'，以形成第一存儲(chǔ)電容 Cstl。薄膜晶體管基板進(jìn)一步包括公共線(xiàn)20和從相應(yīng)公共線(xiàn)20分支出來(lái) 的、沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)DL兩側(cè)平行延伸的第一和第二公共電極20a和20b。當(dāng)將柵極絕緣層和保護(hù)層置于公共線(xiàn)20和像素電極50之間，每個(gè)公 共線(xiàn)20與像素電極50重疊，以形成第二存儲(chǔ)電容Cst2。因此，第一和第 二存儲(chǔ)電容Cstl和Cst2彼此平行相連，以增加存儲(chǔ)電容的整體容量。這 有效地穩(wěn)定維持了像素電極50的電壓。形成在數(shù)據(jù)線(xiàn)DL兩側(cè)的第一和 第二公共電極20a和20b通過(guò)虛擬電極21的方式彼此相連。同時(shí)，第一 和第二公共電極20a和20b與像素電極50的兩側(cè)部分重疊，以防止像素 電極50和緊鄰像素電極50的數(shù)據(jù)線(xiàn)DL之間的光泄漏。這有效增加了相 對(duì)于第二基板的粘接裕度(bonding margin)。如果制造完成了薄膜晶體管基板，利用帶有液晶層的設(shè)備檢測(cè)所制造 完成的薄膜晶體管基板是否存在缺陷。為了檢測(cè)薄膜晶體管基板的缺陷， 首先，具有液晶層的檢測(cè)設(shè)備，尤其是，調(diào)節(jié)器置于所制造完成的薄膜晶 體管基板上。其次，將測(cè)試信號(hào)施加到薄膜晶體管基板上，通過(guò)調(diào)節(jié)器來(lái) 顯示測(cè)試圖像，從而檢測(cè)缺陷像素和缺陷線(xiàn)的存在。在本發(fā)明中，如果檢測(cè)到數(shù)據(jù)線(xiàn)中開(kāi)口缺陷，利用激光化學(xué)氣相沉積 法形成"C"形的連接電極28，從而使得連接電極28與數(shù)據(jù)線(xiàn)DL重疊， 通過(guò)其間的開(kāi)口區(qū)域?qū)⒈舜朔蛛x。連接電極28也與緊鄰的像素電極50 重疊。然后，激光束照射到在分離的數(shù)據(jù)線(xiàn)DL和連接電極28之間的第一 和第二重疊部分上，以焊接連接電極28和數(shù)據(jù)線(xiàn)DL。因此，連接電極 28和數(shù)據(jù)線(xiàn)DL通過(guò)第一和第二焊接點(diǎn)26a和26b彼此電連接。結(jié)果，分 離的數(shù)據(jù)線(xiàn)DL通過(guò)連接電極28彼此相連。然而，由于與數(shù)據(jù)線(xiàn)DL相連的連接電極28與像素電極50的第一部 分50a相接觸，來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)DL的信號(hào)存在失真的風(fēng)險(xiǎn)。為了補(bǔ)償這個(gè)問(wèn) 題，與連接電極28相接觸的像素電極50的第一部分50a，通過(guò)激光切割 線(xiàn)30與像素電極50的第二部分50b分離。這里，像素電極50的第二部 分50b與薄膜晶體管TFT相連接。盡管像素電極50的第二部分50b能夠由薄膜晶體管TFT驅(qū)動(dòng)，但是 第二部分50b具有小于其他正常的像素電極的區(qū)域，并且在相同電壓的條 件下可能引起亮度偏離。為了解決這個(gè)問(wèn)題，激光束照射到與像素電極 50的第二部分50b重疊的前段柵極線(xiàn)GL，上，以焊接像素電極50的第二 部分50b和前段柵極線(xiàn)GL，。因此，像素電極50的第二部分50b與前段 柵極線(xiàn)GL'通過(guò)焊接點(diǎn)22電連接。結(jié)果，柵極信號(hào)施加到像素電極50的 第二部分50b。由于大多數(shù)時(shí)間柵極信號(hào)伴隨著低柵極電壓，所以與公共 電壓相比具有很大差異的低柵極電壓同樣施加到像素電極50的第二部分 50b。結(jié)果，相應(yīng)的像素是黑點(diǎn)，以顯示黑色。如上所述，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示裝置，通過(guò)利用連接電 極來(lái)連接導(dǎo)致彼此分離的數(shù)據(jù)線(xiàn)，能夠修復(fù)數(shù)據(jù)線(xiàn)的開(kāi)口缺陷。盡管未在附圖中示出，但是薄膜晶體管基板粘接到彩色濾光片基板上 的同時(shí)將液晶層置于其間。彩色濾光片基板包括防止光照射到第二基板除 像素區(qū)域外的區(qū)域的黑矩陣，代表紅色、綠色和藍(lán)色的R、 G和B彩色濾 光層和施加公共電壓到彩色濾光層的公共電極。圖2所示的是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯示裝置的薄膜晶體管 基板的平面圖。除了第一公共電極的結(jié)構(gòu)以外，圖2所示的薄膜晶體管基 板與上述圖l所示的薄膜晶體管具有相同的組件，因此，將忽略相同組件 的描述。參考圖2，第一公共電極20a平行于數(shù)據(jù)線(xiàn)DL延伸，并且具有預(yù)定 的開(kāi)口區(qū)域。第一公共電極20a的開(kāi)口區(qū)域與用于將像素電極50的第一 部分50a和第二部分50b彼此分離的激光切割區(qū)域30重疊。因此，在形 成連接電極28以修復(fù)數(shù)據(jù)線(xiàn)DL中的開(kāi)口缺陷之后，可以防止在激光切 割像素電極50的過(guò)程中第一公共電極20a和像素電極50之間的短路。圖3A到3D為沿圖2的線(xiàn)I -1 ，到III-in，的截面圖，說(shuō)明了在液晶顯示裝置中形成薄膜晶體管基板的方法。在如下描述中，在圖3A到3D中 未示出的組件參考圖2。參考圖3A，柵極電極12和第一公共電極20a與柵極線(xiàn)GL、公共線(xiàn) 20和圖2所示的第二公共電極20b —起形成。更具體的說(shuō)，柵極金屬層通過(guò)沉積法(例如濺射等)形成在第一基板 上。然后，利用第一掩模的光刻過(guò)程和刻蝕過(guò)程，圖案化柵極金屬層，以 形成柵極線(xiàn)GL、柵極電極12、公共電極線(xiàn)20和第一和第二公共電極20a 和20b。在這種情況下，第一公共電極20a被分為兩部分以具有開(kāi)口區(qū)域。柵極金屬層由鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬合金(Mo-合金)、銅 (Cu)等中的任意一種制成。參考圖3B，柵極絕緣層14、半導(dǎo)體層16以及源極和柵極18a和18b 依次形成在柵極12上。更具體的說(shuō)，柵極絕緣層14，非晶硅(a-Si)層和摻雜(n+)非晶硅 層通過(guò)沉淀法，例如等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)等，依次形 成在具有柵極12的第一基板的整個(gè)前表面上。然后，在通過(guò)沉積法例如 濺射等形成源/漏金屬層之后，利用第二掩模的光刻過(guò)程和刻蝕過(guò)程，圖 案化源/漏金屬層，以形成包括活性層16b和歐姆接觸層16a的半導(dǎo)體層 16、數(shù)據(jù)線(xiàn)DL以及源極和漏極18a和18b。在這種情況下，為了將歐姆接觸層16a與源極18a和漏極18b電隔離， 使用了衍射曝光(diffraction exposure)或半調(diào)掩模(half-tone mask)。柵極絕緣層14由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等無(wú)機(jī)絕緣材料 制成。源/漏金屬層18由鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬合金(Mo-合 金)、銅(Cu)等中的任意一種制成。參考圖3C，在源極和漏極18a和18b上形成具有接觸孔40的保護(hù)層42。具體的說(shuō)，在源極和漏極18a和18b上形成保護(hù)層42之后，通過(guò)利 用第三掩模的光刻過(guò)程和蝕刻過(guò)程來(lái)圖案化保護(hù)層42，以形成接觸孔40。 接觸孔40將漏極18b暴露在外面。保護(hù)層42可利用，例如PECVD法， 沉積類(lèi)似于柵極絕緣層14的無(wú)機(jī)絕緣材料形成，或者通過(guò)利用，例如旋 轉(zhuǎn)或非旋轉(zhuǎn)涂覆法，涂覆具有低介電常數(shù)的丙烯酸基有機(jī)化合物或例如苯環(huán)丁烯(BCB)或八氟環(huán)丁烷(PFCB)的有機(jī)絕緣材料來(lái)形成。參考涂3D,在保護(hù)層42上形成像素電極50，從而與漏極18b電連接。更具體的說(shuō)，在保護(hù)層42沉積透明導(dǎo)電材料后，通過(guò)利用第四掩模 的光刻過(guò)程和蝕刻過(guò)程圖案化透明導(dǎo)電材料，以形成與漏極18b電連接的 像素電極50。像素電極50與公共線(xiàn)20與第一和第二公共電極20a和20b 重疊，同時(shí)將柵極絕緣層14和保護(hù)層42置于其間。像素電極50也與前 段柵線(xiàn)GL'重疊。透明導(dǎo)電材料從氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)、氧化 銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)等中選取。在對(duì)所制造完成的薄膜晶體管基板進(jìn)行的檢測(cè)過(guò)程中，檢測(cè)出了數(shù)據(jù) 線(xiàn)中的開(kāi)口缺陷，那么有必要對(duì)開(kāi)口缺陷執(zhí)行修復(fù)程序。圖4A到4C為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明對(duì)圖2所示的數(shù)據(jù)線(xiàn)的修復(fù)過(guò)程的截 面圖。參考圖2和圖4A，連接電極28通過(guò)激光化學(xué)氣相沉積法形成于保護(hù) 層42上，使得連接電極28與開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)DL的兩個(gè)分離部分相重疊。在 這種情況下，連接電極28具有向相鄰的像素電極50突出的"C"形的形式， 使其與像素電極50重疊。盡管連接電極28與像素電極50上的第一公共 電極20a重疊，但是連接電極28設(shè)置以與第一公共電極20a的開(kāi)口區(qū)域 不重疊。參考圖4B，激光束照射到連接電極28和分離的數(shù)據(jù)線(xiàn)DL的重疊部 分，以將連接電極28與分離的數(shù)據(jù)線(xiàn)DL焊接。因此，連接電極28通過(guò) 第一和第二悍接點(diǎn)26a和26b與分離的數(shù)據(jù)線(xiàn)DL相連接。參考圖4C，通過(guò)利用激光切割線(xiàn)30，與連接電極28相接觸的像素 電極50的第一部分50a和與薄膜晶體管TFT相連的像素電極50的第二 部分50b分離。激光切割線(xiàn)30沿連接電極28的外圍形成，以具有"C"形 的形式。在這種情況下，連接電極28上的一部分激光切割線(xiàn)30穿過(guò)不與 第一公共電極20a重疊的像素電極50的一部分。另一方面，連接電極28 下的一部分激光切割線(xiàn)30穿過(guò)與第一公共電極20a重疊的像素電極50的 一部分。具有了這種結(jié)構(gòu)，就可以防止在第一公共電極20a和像素電極 50之間的短路。像素電極50的第二部分50b具有比正常像素電極小的區(qū)域，在相同 電壓的條件下會(huì)發(fā)生亮度偏離。為解決這個(gè)問(wèn)題，激光束照射到與像素電極50的第二部分50b重疊的前段柵極線(xiàn)GL'上，使得將前段柵極線(xiàn)GL' 與像素電極50的第二部分50b電連接。因此，置于像素電極50的第二部 分50b中像素是黑點(diǎn)，以顯示黑色。在通過(guò)激光焊接連接連接電極和數(shù)據(jù) 線(xiàn)之后，在進(jìn)行激光切割過(guò)程之前，顯示這樣的黑點(diǎn)。綜上所述可明顯看出，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置及其制造方法具有 以下幾個(gè)效果。首先，當(dāng)數(shù)據(jù)線(xiàn)具有開(kāi)口缺陷時(shí)，根據(jù)本發(fā)明，形成連接電極以連接 由其間的開(kāi)口區(qū)域彼此分離而導(dǎo)致分離的數(shù)據(jù)線(xiàn)。連接電極的形成防止了 短路問(wèn)題，從而提高了液晶顯示裝置產(chǎn)量和生產(chǎn)力。其次，通過(guò)提供具有開(kāi)口區(qū)域的第一公共電極和允許在像素電極上的 激光切割線(xiàn)穿過(guò)第一公共電極的開(kāi)口區(qū)域，可以防止在激光切割過(guò)程中在 第一公共電極和像素電極之間的短路問(wèn)題。第三，通過(guò)照射激光束到前段柵極線(xiàn)上，使得前段柵極線(xiàn)與被激光切 割過(guò)程分離的像素電極的一部分電連接，相應(yīng)的像素成為黑點(diǎn)。這有效地 防止了修復(fù)數(shù)據(jù)線(xiàn)引起的像素缺陷。顯然在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 可以對(duì)本發(fā)明做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明覆蓋所有落入所附權(quán)利 要求及其等效物所包含的范圍之內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示裝置，包括在基板上限定像素區(qū)域的多個(gè)柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)；形成在柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉區(qū)域的薄膜晶體管；形成在各個(gè)像素區(qū)域上并連接所述薄膜晶體管的像素電極；與各像素電極的兩側(cè)部分重疊以平行于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的第一公共電極和第二公共電極；在每個(gè)像素區(qū)域中將所述第一公共電極分成兩部分的第一公共電極上的開(kāi)口區(qū)域；與開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的兩個(gè)分離部分和緊鄰所述開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的像素電極重疊的連接電極，所述連接電極利用焊接點(diǎn)連接開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)兩個(gè)分離部分；和將所述像素電極分為與連接電極相連的第一部分和與關(guān)聯(lián)的薄膜晶體管相連的第二部分的切割線(xiàn)，所述切割線(xiàn)穿過(guò)第一公共電極的開(kāi)口區(qū)域。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于，所述連接電極具有"C" 形的形式。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l的液晶顯示裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括 平行于所述柵極線(xiàn)延伸并且與所述第一公共電極和第二公共電極連接的公共線(xiàn)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于，所述每個(gè)像素電極與 其中的前段柵極線(xiàn)重疊。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括 電連接所述像素電極的第二部分和前段柵極線(xiàn)的焊接點(diǎn)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于，所述切割線(xiàn)沿所述連 接電極的外圍形成。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6的液晶顯示裝置，其特征在于，所述切割線(xiàn)不與所述 第一公共電極相重疊。
8、 一種制造液晶顯示裝置的方法，包括 在基板上形成限定像素區(qū)域的多個(gè)柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)； 在所述柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉區(qū)域形成薄膜晶體管；在各個(gè)像素區(qū)域形成像素電極并連接所述薄膜晶體管；平行于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸形成第一公共電極和第二公共電極，并且與各像素電極的兩側(cè)部分重疊；在每個(gè)像素區(qū)域中將所述第一公共電極分成兩部分的第一公共電極上形 成開(kāi)口區(qū)域；與開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的兩個(gè)分離部分和緊鄰所述開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的像素電極重疊形 成連接電極；利用焊接點(diǎn)電連接所述開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的兩個(gè)分離部分和連所述接電極； 在所述像素電極中形成切割線(xiàn)以穿過(guò)所述第一公共電極的開(kāi)口區(qū)域；并 利用所述切割線(xiàn)將像素電極分為具有所述連接電極的第一部分和與關(guān)聯(lián) 的薄膜晶體管相連的第二部分。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于，每個(gè)像素電極與其中的前段柵 極線(xiàn)重疊。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括 利用焊接點(diǎn)電連接所述像素電極的第二部分和前段柵極線(xiàn)。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO的方法，其特征在于，所述像素電極的第二部分和 前段柵極線(xiàn)之間的電連接是在激光切割操作之前或之后進(jìn)行。
12、 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于，所述連接電極具有"C"形的形式。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于，所述連接電極通過(guò)激光化學(xué) 氣相沉積法形成。
14、 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于，所述切割線(xiàn)沿連接電極的外圍 形成。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于，所述切割線(xiàn)不與第一公共電 極重疊。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種液晶顯示裝置及其制造方法。液晶顯示裝置包括在基板上限定像素區(qū)域的多個(gè)柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)；形成在柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉區(qū)域的薄膜晶體管；形成在相應(yīng)像素區(qū)域并連接薄膜晶體管的像素電極；與各像素電極的兩側(cè)部分重疊以平行于數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的第一公共電極和第二公共電極；在每一像素區(qū)域中將第一公共電極分成兩部分的第一公共電極上的開(kāi)口區(qū)域；與開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的兩個(gè)分離部分和緊鄰開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的像素電極重疊的連接電極；連接電極利用焊接點(diǎn)連接開(kāi)口數(shù)據(jù)線(xiàn)的兩個(gè)分離部分；和將像素電極分為與連接電極相連的第一部分和與關(guān)聯(lián)的薄膜晶體管相連的第二部分的切割線(xiàn)，該切割線(xiàn)穿過(guò)第一公共電極的開(kāi)口區(qū)域。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101266373SQ20071030635
公開(kāi)日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2007年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月13日
發(fā)明者金殷泓 申請(qǐng)人:Lg.菲力浦Lcd株式會(huì)社