專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置及其制造方法，尤其涉及一種具有 改善的耦合效應(yīng)的液晶顯示裝置以及用五道光刻蝕刻工藝制作的方 法。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示器(Liquid-Crystal Display, LCD)具有體積小、輻 射低等優(yōu)點(diǎn)，所以液晶顯示器已成為市場上最常見的顯示器。
請參考圖1，圖1為公知的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)俯視圖。如圖 1所示，公知的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)10由兩個(gè)相鄰的數(shù)據(jù)線12與 個(gè)兩相鄰的掃描線14所定義。各像素結(jié)構(gòu)IO包括薄膜晶體管18、像 素電極20以及共用電極22。請?jiān)賲⒖紙D2，并且參考圖l。圖2是圖 1的液晶顯示器沿著AA'線的剖面示意圖，即為沿著數(shù)據(jù)線12剖面 方向的剖面示意圖，其中圖2中示出了兩個(gè)相鄰的像素結(jié)構(gòu)10的剖 面示意圖。如圖2所示，公知的液晶顯示器包括第一襯底24、第二襯 底32以及設(shè)置在第一襯底24與第二襯底32之間的液晶層34。第一 襯底24上依次包括共用電極22、覆蓋在共用電極22與第一襯底24 上的柵極絕緣層26、設(shè)置在柵極絕緣層26上的數(shù)據(jù)線12、覆蓋在數(shù) 據(jù)線12和柵極絕緣層26上的保護(hù)層30，以及設(shè)置在保護(hù)層30上的 像素電極20。第二襯底32包括黑色矩陣36，其設(shè)置在面對于第一襯 底24的側(cè)邊。
對于各像素結(jié)構(gòu)10而言，共用電極22與位于其上方的像素電極 20構(gòu)成儲(chǔ)存電容。另外，由于數(shù)據(jù)線12的兩側(cè)是漏光區(qū)，因此共用 電極22除了作為儲(chǔ)存電容的下電極之外，還與第二襯底32上對應(yīng)于 數(shù)據(jù)線12的黑色矩陣36共同發(fā)揮遮蔽數(shù)據(jù)線12兩側(cè)的漏光區(qū)的作用。然而由于數(shù)據(jù)線12與像素電極20兩者之間會(huì)有耦合效應(yīng)(Cpd，capacitance between pixel and data line),因此，若要避免像素電極20與數(shù)據(jù)線12間的耦合效應(yīng)，就必須加大兩者間的距離，但隨著距離的增加，意味著數(shù)據(jù)線12兩側(cè)的漏光區(qū)將更為擴(kuò)大，因而必須加大共用電極20與黑色矩陣36的寬度來遮蔽此漏光區(qū)。如此，將會(huì)影響開口率，特別是由于黑色矩陣36是設(shè)置在第二襯底32上，考慮到第一襯底24與第二襯底32的對位誤差，黑色矩陣36的寬度在設(shè)計(jì)上必須考慮此誤差而必須進(jìn)步加寬，因而會(huì)導(dǎo)致像素結(jié)構(gòu)的開口率的縮小。因此，如何在不影響開口率的前提下，減少像素電極與數(shù)據(jù)線間的耦合效應(yīng)，已成為業(yè)界極力改善的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種液晶顯示裝置及用五道光刻蝕刻工藝制造的方法，以改善公知技術(shù)的像素電極和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生的耦合效應(yīng)，并且提高液晶顯示裝置的開口率。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，其包括襯底、設(shè)置在該襯底上的第一導(dǎo)電層、覆蓋該第一導(dǎo)電層的柵極絕緣層、設(shè)置在該柵極絕緣層上的第二導(dǎo)電層、覆蓋該第二導(dǎo)電層的保護(hù)層、設(shè)置在該保護(hù)層上的像素電極以及設(shè)置在該保護(hù)層上的連接導(dǎo)線。該第一導(dǎo)電層包括第一次數(shù)據(jù)線和柵極線，并且該第二導(dǎo)電層包括源極和共用電極，其中將該共用電極設(shè)置為對應(yīng)于該第一次數(shù)據(jù)線。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種液晶顯示裝置，其包括襯底、設(shè)置在該襯底上的第一導(dǎo)電層、覆蓋該第一導(dǎo)電層的柵極絕緣層、設(shè)置在該柵極絕緣層上的第二導(dǎo)電層、覆蓋該第二導(dǎo)電層的保護(hù)層、設(shè)置在該保護(hù)層上的像素電極以及設(shè)置在該保護(hù)層上的連接導(dǎo)線。該第一導(dǎo)電層包括第一次數(shù)據(jù)線和柵極線，并且該第二導(dǎo)電層包括源極和共用電極，其中該像素電極部分地與該共用電極重疊。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種制作液晶顯示裝置的方法，包括提供襯底；進(jìn)行第一光刻蝕刻工藝，在該襯底上形成第一
次數(shù)據(jù)線、第二次數(shù)據(jù)線和柵極線；形成柵極絕緣層以覆蓋該襯底；
7進(jìn)行第二光刻蝕刻工藝，在該柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；進(jìn)行第三光刻蝕刻工藝，在該柵極絕緣層上形成源極、漏極和共用電極；形成保護(hù)層，以覆蓋該襯底；進(jìn)行第四光刻蝕刻工藝，在該保護(hù)層上形成第一穿孔與第二穿孔；以及，進(jìn)行第五光刻蝕刻工藝，是該保護(hù)層上形成像素電極和連接導(dǎo)線。
本發(fā)明通過將數(shù)據(jù)線設(shè)置在第一導(dǎo)電層，進(jìn)而加大數(shù)據(jù)線和像素電極之間的距離，并且將共用電極設(shè)置在第二導(dǎo)電層作為屏蔽，以降低數(shù)據(jù)線和像素電極之間的耦合效應(yīng)，因而可以縮減各像素電極之間的距離，使液晶顯示裝置的開口率增加。本發(fā)明還提供只需五道光刻蝕刻工藝的步驟，以完成具有改善耦合效應(yīng)的液晶顯示裝置。


圖1是公知的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是圖1的液晶顯示器沿著AA'線的剖面示意圖。圖3到圖7是本發(fā)明第一實(shí)施例制作液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的方法示意圖。
圖8是圖7的像素結(jié)構(gòu)沿著BB'線的剖面示意圖。圖9是圖7的像素結(jié)構(gòu)沿著CC'線的剖面示意圖。圖10到圖12是本發(fā)明第二實(shí)施例制作液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的方法示意圖。
圖13是圖12的像素結(jié)構(gòu)沿著DD'線的剖面示意圖。圖14是圖12的像素結(jié)構(gòu)沿著EE'線的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
請參考圖3到圖7，圖3到圖7是本發(fā)明第一實(shí)施例制作液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的方法示意圖。首先，如圖3所示，提供第一襯底(圖3到圖7未示)，然后進(jìn)行第一道光刻蝕刻工藝，在第一襯底上形成第一導(dǎo)電層，其中第一導(dǎo)電層包括多條柵極線104、多條次數(shù)據(jù)線106，兩條平行的柵極線104與兩條位于其間且相鄰的次數(shù)據(jù)線106形成像素區(qū)108。然后，再將柵極絕緣層(圖3到圖7未示)覆蓋到第
8一導(dǎo)電層和第一襯底102上。接著，如圖4所示，進(jìn)行第二道光刻蝕刻工藝，在柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層110，半導(dǎo)體層110包括非晶硅層以及摻雜層(圖中未示)，例如N型摻雜層，分別依次設(shè)置在柵極絕緣層上。接著，如圖5所示，進(jìn)行第三道光刻蝕刻工藝，在柵極絕緣層和半導(dǎo)體層110上形成第二導(dǎo)電層，其中位于各像素區(qū)108內(nèi)的第二導(dǎo)電層包括漏極112、源極114以及共用電極116。在各像素區(qū)108內(nèi)，漏極112、源極114、半導(dǎo)體層110以及部分地與半導(dǎo)體層110重疊的柵極線104構(gòu)成薄膜晶體管118，并且共用電極116與次數(shù)據(jù)線106部分地重疊。然后，再將保護(hù)層(圖5到圖7未示)覆蓋在第二導(dǎo)電層和柵極絕緣層上。接著，如圖6所示，進(jìn)行第四道光刻蝕刻工藝，在各像素區(qū)108內(nèi)的保護(hù)層形成第一穿孔119以及第二穿孔126，其中第一穿孔119包括第一次穿孔120、第二次穿孔122以及第三次穿孔124。將第一次穿孔120設(shè)置為對應(yīng)于源極114，而將第二次穿孔122與第三次穿孔124設(shè)置為分別對應(yīng)位于柵極線104兩側(cè)并且不與源極U4和共用電極116重疊的兩條次數(shù)據(jù)線106，將第二穿孔設(shè)置為對應(yīng)于漏極112。最后，如圖7所示，進(jìn)行第五道光刻蝕刻工藝，在各像素區(qū)108內(nèi)的保護(hù)層上形成像素電極128和連接導(dǎo)線130，其中將像素電極128填入第二穿孔126中，由此與漏極112電連接，而將連接導(dǎo)線130填入第一次穿孔120、第二次穿孔122和第三次穿孔124中，由此電連接兩條相鄰的次數(shù)據(jù)線106和源極114，即完成本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100。像素電極128與連接導(dǎo)線130電絕緣，并且由同一透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)等，但不限于此。值得注意的是，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100總共僅需使用五道光刻蝕刻工藝即可完成制作。
另外，為了更清楚說明本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100，請參考圖8，圖8是圖7的像素結(jié)構(gòu)沿著BB'線的剖面示意圖。如圖8所示，在各像素區(qū)中，第二穿孔126經(jīng)由蝕刻工藝蝕穿過保護(hù)層132，而停止在具有金屬材料的漏極112上，使漏極112得以被曝露，因此，在下一步驟的光刻蝕刻工藝中所形成的像素電極128方能電連接到漏極
9112。另外，在第一穿孔119中，第一次穿孔120經(jīng)由蝕刻工藝蝕穿過保護(hù)層132,而停止在具有金屬材料的源極114，使源極114得以曝露，而第二次穿孔122與相鄰像素區(qū)的第三次穿孔124皆經(jīng)由蝕刻工藝蝕穿過保護(hù)層132以及柵極絕緣層134，而停止在具有金屬材料的次數(shù)據(jù)線106，使兩條位在同一柵極線104兩側(cè)且相鄰的次數(shù)據(jù)線106分別得以曝露。因此，形成在保護(hù)層132上的連接導(dǎo)線130會(huì)填入第一次穿孔120、第二次穿孔122和第三次穿孔124中，使連接導(dǎo)線130得以經(jīng)過第一次穿孔120電連接到源極114，并經(jīng)過第二次穿孔122以及第三次穿孔124電連接到兩條位于同一柵極線104兩側(cè)且相鄰的次數(shù)據(jù)線106，因此，兩條位于同一柵極線104兩側(cè)且相鄰的次數(shù)據(jù)線106可經(jīng)過連接導(dǎo)線130電連接在一起并且電連接到源極114，所以使位于同一直線上原本未電連接的次數(shù)據(jù)線106電連接在一起，以構(gòu)成完整的數(shù)據(jù)線。在本實(shí)施例中，沿著BB'線的源極114部分地與兩條相鄰的次數(shù)據(jù)線106重疊，使沿著BB'線部分的源極114的寬度大于柵極線104的寬度。所以值得注意的是，經(jīng)過上述的結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的數(shù)據(jù)線得以位于第一導(dǎo)電層中，因而與像素電極128之間具有較遠(yuǎn)的距離，進(jìn)而降低兩者間的耦合效應(yīng)。
為了說明本實(shí)施例對開口率的提高與對耦合效應(yīng)的改善，請參考圖9，圖9是圖7的像素結(jié)構(gòu)沿著CC'線的剖面示意圖。如圖9所示，液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)100進(jìn)一步包括第二襯底136和液晶層138，其中第二襯底136設(shè)置在第一襯底102具有像素結(jié)構(gòu)100的一側(cè)，而液晶層138則設(shè)置在第一襯底102與第二襯底136之間。在兩個(gè)相鄰像素區(qū)108中的第二襯底136相對在第一襯底102的一側(cè)設(shè)置有遮光層140，將遮光層140設(shè)置為對應(yīng)于次數(shù)據(jù)線106，并且遮光層140部分地與相鄰像素區(qū)108的像素電極128的邊緣重疊，用以遮蔽像素電極128邊緣的漏光區(qū)射出的光線。在本實(shí)施例中，共用電極116與像素電極128部分地重疊，并且其寬度大于次數(shù)據(jù)線106的寬度，并且共用電極116的寬度為次數(shù)據(jù)線寬度的0.8倍到3.5倍時(shí)可得優(yōu)選的開口率，因此共用電極116具有屏蔽像素電極128與次數(shù)據(jù)線106之間的耦合效應(yīng)的功能。并且經(jīng)過共用電極116的屏蔽，像素電極128的邊緣與次數(shù)據(jù)線106相鄰，甚到可部分重疊余次數(shù)據(jù)線106。因此，兩個(gè)相鄰像素區(qū)的像素電極128間的距離可縮減到小于公知技術(shù)的距離，漏光區(qū)間的距離也因而縮小，所以用于遮蔽漏光區(qū)的遮光層140的寬度也可以相對地減小，例如可減小到6微米。因此，經(jīng)過遮光層140的面積減少，使背光源穿透像素結(jié)構(gòu)100的光線量增加，代表著本實(shí)施例的液晶顯示裝置100的開口率也相對地提高。
另外，在本實(shí)施例中，像素電極128、與像素電極128重疊的共用電極116以及其間的保護(hù)層132構(gòu)成儲(chǔ)存電容。由于共用電極116是第二導(dǎo)電層，與公知技術(shù)相比，本實(shí)施例的儲(chǔ)存電容厚度只有保護(hù)層132的厚度，使儲(chǔ)存電容在一單位面積內(nèi)的儲(chǔ)存電容值因而提高。因此，可縮小共用電極的面積，并且使耦合電容占電容總效應(yīng)的比例下降，以減少耦合效應(yīng)的發(fā)生，進(jìn)而提高液晶顯示器的顯示效果并且提高開口率。
然而，本發(fā)明的實(shí)施例并不限于上述實(shí)施例。為了方便說明，與上述實(shí)施例相同的部分將不再詳述，并且與圖3到圖9相同的元件將使用相同的標(biāo)號。請參考圖10到圖12，圖10到圖12是本發(fā)明第二實(shí)施例制作液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的方法示意圖。在進(jìn)行第二道光刻蝕刻工藝之前，本實(shí)施例的制作方法都與第一實(shí)施例的制作方法相同，因此不再贅述。本實(shí)施例液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)200制作方法將從進(jìn)行第二道光刻蝕刻工藝的步驟后開始，接著，如圖10所示，進(jìn)行第三道光刻蝕刻工藝，在各像素區(qū)108中的柵極絕緣層(圖10到圖12未示)與半導(dǎo)體層IIO上形成第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層包括漏極112、源極114以及共用電極116，其中共用電極116具有開口 202，用于曝露出部分次數(shù)據(jù)線106。然后，再在第二導(dǎo)電層與柵極絕緣層上覆蓋保護(hù)層(圖10到圖12未示)。接著，如圖11所示，進(jìn)行第四道光刻蝕刻工藝，在保護(hù)層上形成第一穿孔119和第二穿孔126，其中將第一穿孔119設(shè)置為對應(yīng)于源極114并且部分地與二位于柵極線104兩側(cè)的次數(shù)據(jù)線106重疊，將第二穿孔設(shè)置為對應(yīng)于漏極112。最后，如圖12所示，進(jìn)行第五道光刻蝕刻工藝，在保護(hù)層上形成像素電極128和連接導(dǎo)線130，其中將連接導(dǎo)線130填入第一穿孔119
ii之內(nèi)，由此電連接兩條相鄰的次數(shù)據(jù)線106以及源極114。像素電極128則填入第二穿孔126之內(nèi)，由此電連接漏極112，即完成了本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)200制作。
請參考圖13，圖13為圖12的像素結(jié)構(gòu)沿著DD'線的剖面示意圖。如圖13所示，本實(shí)施例不同于第一實(shí)施例的部分在于第一穿孔119，由于第四道光刻蝕刻工藝并不會(huì)蝕穿過金屬材料，因此與源極114重疊的部分，蝕刻物質(zhì)會(huì)蝕穿源極114上方的保護(hù)層132，使源極114得以曝露。與兩條相鄰的次數(shù)據(jù)線106重疊的部分，蝕刻物質(zhì)會(huì)蝕穿過次數(shù)據(jù)線106上方的柵極絕緣層134以及保護(hù)層132，使次數(shù)據(jù)線106被曝露。因此在第五道光刻蝕刻工藝所形成的連接導(dǎo)線130得以填入第一穿孔119，并且電連接到源極114和兩條相鄰的次數(shù)據(jù)線106。因此，相鄰的次數(shù)據(jù)線106經(jīng)過連接導(dǎo)線130電連接在一起，而構(gòu)成數(shù)據(jù)線。在本實(shí)施例中，為了讓第一穿孔II9得以曝露部分次數(shù)據(jù)線106，沿著DD'線的源極114部分地與二相鄰的次數(shù)據(jù)線106重疊，并且沿著DD'線的源極114的寬度必須大于柵極線104的寬度。
另外，請參考圖14，圖14為圖12的像素結(jié)構(gòu)沿著EE'線的剖面示意圖。如圖14所示本實(shí)施例與第一實(shí)施例的進(jìn)一步的差異在于共用電極116還具有開口 202，并且像素電極128部分地與次數(shù)據(jù)線106重疊。為了避免次數(shù)據(jù)線106與共用電極116之間重疊面積過大，使產(chǎn)生的耦合電容過大，本實(shí)施例在部分地與次數(shù)據(jù)線106重疊的共用電極116上蝕刻出開口 202，以降低次數(shù)據(jù)線106與共用電極116之間的耦合效應(yīng)。另外，值得注意的是，經(jīng)過共用電極116的屏蔽，本實(shí)施例將像素電極128的邊緣部分重疊在次數(shù)據(jù)線106，相對地縮減相鄰像素區(qū)的像素電極128之間的距離。在此狀況下，遮光層140的寬度可作相對地縮減，因此可提高開口率。
綜上所述，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，經(jīng)過將數(shù)據(jù)線分段設(shè)置在第一導(dǎo)電層，再利用連接導(dǎo)線加以連接，進(jìn)而加大數(shù)據(jù)線與像素電極間的距離，并且將共用電極設(shè)置在第二導(dǎo)電層作為屏蔽，以改善公知像素電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合效應(yīng)。然后，經(jīng)過改善耦合效應(yīng)，
12可縮減各像素電極之間的距離，使液晶顯示裝置的開口率增加。此外， 本發(fā)明還提供制作液晶顯示裝置的方法，可以只利用五道光刻蝕刻工 藝的步驟完成具有改善耦合效應(yīng)的液晶顯示裝置。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡是根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求 書所做的等價(jià)變化與修改，都應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示裝置，包括第一襯底；第一導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述第一襯底上，并且所述第一導(dǎo)電層包括第一次數(shù)據(jù)線和柵極線；柵極絕緣層，用于覆蓋所述第一導(dǎo)電層；第二導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述柵極絕緣層上，并且所述第二導(dǎo)電層包括源極和共用電極，其中將所述共用電極設(shè)置為對應(yīng)于所述第一次數(shù)據(jù)線；保護(hù)層，其覆蓋在所述第二導(dǎo)電層上；以及設(shè)置在所述保護(hù)層上的像素電極和連接導(dǎo)線。
2、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述像素電極部分 地與所述共用電極重疊。
3、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述像素電極部分 地與所述第一次數(shù)據(jù)線重疊。
4、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述共用電極的寬 度大于所述第一次數(shù)據(jù)線的寬度。
5、 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中所述共用電極具有 開口，用于部分地曝露出所述第一次數(shù)據(jù)線。
6、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，進(jìn)一步包括第二襯底， 將所述第二襯底設(shè)置為對應(yīng)于所述第一襯底。
7、 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，進(jìn)一步包括遮光層，其 設(shè)置在所述第二襯底面相對于所述第一襯底的側(cè)邊。
8、 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其中將所述遮光層設(shè)置 為對應(yīng)于所述第一次數(shù)據(jù)線。
9、 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其中將所述遮光層設(shè)置 為對應(yīng)于所述像素電極的邊緣。
10、 如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其中所述像素電極的邊 緣與所述第一次數(shù)據(jù)線相鄰。
11、 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，進(jìn)一步包括液晶層，其 設(shè)置在所述第一襯底與所述第二襯底之間。
12、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述第一導(dǎo)電層進(jìn) 一步包括第二次數(shù)據(jù)線。
13、 如權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其中所述第一次數(shù)據(jù) 線通過所述連接導(dǎo)線電連接到所述第二次數(shù)據(jù)線。
14、 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其中所述第一次數(shù)據(jù)線 通過所述連接導(dǎo)線電連接到所述源極。
15、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述源極的寬度大 于所述柵極線的寬度。
16、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述源極部分地與 所述第一次數(shù)據(jù)線和所述柵極線重疊。
17、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述共用電極與所 述連接導(dǎo)線電絕緣。
18、 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其中所述第二導(dǎo)電層進(jìn) 一步包括漏極，所述漏極電連接到所述像素電極。
19、 一種液晶顯示裝置，包括 第一襯底；第一導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述第一襯底上，并且所述第一導(dǎo)電層包 括第一次數(shù)據(jù)線，第二次數(shù)據(jù)線和柵極線；柵極絕緣層，用于覆蓋在所述第一導(dǎo)電層；第二導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述柵極絕緣層上，并且所述第二導(dǎo)電層 包括源極、漏極和共用電極；其中所述共用電極覆蓋在所述第一次數(shù)據(jù)線上，并且所述共用電 極的寬度為所述第一次數(shù)據(jù)線寬度的0.8倍到3.5倍；保護(hù)層，用于覆蓋所述第二導(dǎo)電層；第三導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述保護(hù)層上，并且所述第三導(dǎo)電層包括 像素電極和連接導(dǎo)線；其中所述像素電極部分地與所述共用電極重疊，其中所述連接導(dǎo) 線與所述第一次數(shù)據(jù)線、所述第二次數(shù)據(jù)線以及所述源極電連接，其中所述像素電極電連接到所述漏極。
20、 一種液晶顯示裝置的制作方法，包括 提供第一襯底；進(jìn)行第一光刻蝕刻工藝，在所述第一襯底上形成第一次數(shù)據(jù)線、 第二次數(shù)據(jù)線和柵極線；形成柵極絕緣層，用于覆蓋所述襯底；進(jìn)行第二光刻蝕刻工藝，在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層； 進(jìn)行第三光刻蝕刻工藝，在所述柵極絕緣層上形成源極、漏極和 共用電極；形成保護(hù)層，以覆蓋所述第一襯底；進(jìn)行第四光刻蝕刻工藝，在所述保護(hù)層上形成第一穿孔和第二穿孔；以及進(jìn)行第五光刻蝕刻工藝，在所述保護(hù)層上形成像素電極和連接導(dǎo)
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，包括襯底、設(shè)置在襯底上的第一導(dǎo)電層、用于覆蓋第一導(dǎo)電層的柵極絕緣層以及設(shè)置在柵極絕緣層上的第二導(dǎo)電層，其中第一導(dǎo)電層包含第一次數(shù)據(jù)線和柵極線，第二導(dǎo)電層包含源極和共用電極，并且將共用電極設(shè)置為對應(yīng)于第一次數(shù)據(jù)線，以及用五道光刻蝕刻工藝來制作上述結(jié)構(gòu)的方法。
文檔編號G02F1/13GK101470307SQ200710160189
公開日2009年7月1日 申請日期2007年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月26日
發(fā)明者盧永信, 陳昱廷 申請人:瀚宇彩晶股份有限公司