專利名稱：多域液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種顯示裝置，且特別是有關(guān)于一種多域垂直配向式液晶 顯7J^器。
背景技術(shù)：
目前市場(chǎng)對(duì)于薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display, TFT-LCD)的性能要求是朝向高對(duì)比(high contrast ratio)、無(wú)灰階反轉(zhuǎn)(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、亮度高(high luminance)、高色彩豐富度、高色飽和度、快速 反應(yīng)與廣視角等方向發(fā)展。目前能夠達(dá)成廣視角要求的技術(shù)有扭轉(zhuǎn)向列型液 晶(TN)加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換式(in-plane switching, IPS)液晶顯示器、邊際場(chǎng)切換式(fringe field switching, FFS) 液晶顯示器與多域垂直配向式(multi-dornain vertically alig聽(tīng)nt， MVA) 薄膜晶體管液晶顯示器等方式。以多域垂直配向式液晶顯示器為例，由于形 成于彩色濾光基板或薄膜晶體管陣列基板上的配向凸起物(alignment protrusion)或狹縫(slit)可以使得液晶分子呈多方向排列，而得到多個(gè) 不同配向區(qū)域(domains)，因此多域垂直配向式液晶顯示器能夠達(dá)成廣視 角的要求。
圖l繪示一種現(xiàn)有中小尺寸多域垂直配向式液晶顯示器搭配圓偏極化偏 光片(circular polarizer)的正規(guī)化穿透率(normalized transmittance) 與灰階(gray level)的關(guān)系圖。中小尺寸多域垂直配向式液晶顯示器通常 搭配圓偏極偏光片使用，主要因?yàn)閳A偏極偏光片有較高的穿透效率，可以使
面板亮度提高，因此以搭配圓偏極偏光片的多域垂直配向式液晶顯示器為
例，而正規(guī)化穿透率與灰階的關(guān)系曲線稱為gamma曲線。請(qǐng)參考圖1，橫坐 標(biāo)為灰階，而縱坐標(biāo)為正規(guī)化穿透率。由圖1可知，雖然現(xiàn)有多域垂直配向 式液晶顯示器能夠達(dá)成廣視角的要求，然而隨著觀察的視角改變，garana曲 線具有不同的曲率。換言之，當(dāng)觀察視角改變時(shí)，現(xiàn)有多域垂直配向式液晶
顯示器所顯示出的亮度會(huì)產(chǎn)生變化，進(jìn)而導(dǎo)致色偏(color shift)或色飽 和度不足(color washout)等問(wèn)題。
為了解決色偏的問(wèn)題，已有多種現(xiàn)有技術(shù)相繼被提出，其中一種方法是 在單一像素單元內(nèi)多形成一個(gè)電容，利用電容耦合的方式使單一像素單元內(nèi) 的不同像素電極分別產(chǎn)生不同大小的電場(chǎng)，進(jìn)而讓不同像素電極上方的液晶 分子有不同的排列。雖然此種方式可以改善色偏現(xiàn)象，但是卻因?yàn)橛凶枞葸t 滯(RC delay)效應(yīng)而造成顯示品質(zhì)下降的缺點(diǎn)。
另一種方法是在各個(gè)像素單元內(nèi)增加一個(gè)晶體管；也就是說(shuō)，單一像素 單元中會(huì)有兩個(gè)晶體管，通過(guò)這兩個(gè)晶體管使得在單一像素單元中的二像素 電極產(chǎn)生不同的電場(chǎng)，進(jìn)而讓不同像素電極上方的液晶分子有不同的排列， 以達(dá)到改善色偏的目的。然而，這種作法需要在單一像素單元內(nèi)形成兩個(gè)晶 體管，并且需要增加掃描線或數(shù)據(jù)線的數(shù)目，所以此方法不但增加驅(qū)動(dòng)電路 的復(fù)雜度，且會(huì)使制作成本較高。
然而將上述改善色偏現(xiàn)象的現(xiàn)有技術(shù)應(yīng)用于中小尺寸液晶顯示器上時(shí)， 現(xiàn)有技術(shù)雖然可以改善中小尺寸液晶顯示器的色偏問(wèn)題，但由于現(xiàn)有技術(shù)的 像素設(shè)計(jì)損失過(guò)多的開(kāi)口率，導(dǎo)致中小尺寸液晶顯示器的色偏問(wèn)題雖然獲得 改善，但另一方面卻又衍生出亮度不足的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提出一種多域垂直配向式液晶 顯示器，在維持一定程度的亮度前提下，改善色偏現(xiàn)象。本發(fā)明提出一種多域液晶顯示器，包括一主動(dòng)元件陣列基板、 一對(duì)向基 板、 一電場(chǎng)屏蔽層與一液晶層。主動(dòng)元件陣列基板具有多個(gè)像素，且各像素 具有一像素電極。對(duì)向基板具有一共享電極，且共享電極位于對(duì)向基板與主 動(dòng)元件陣列基板之間。液晶層配置于主動(dòng)元件陣列基板與對(duì)向基板之間。電 場(chǎng)屏蔽層配置于鄰接液晶層，其中電場(chǎng)屏蔽層的位置對(duì)應(yīng)于液晶層的低電場(chǎng) 區(qū)域的位置。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各像素所對(duì)應(yīng)的液晶層被劃分為具有相同間隙 間距的一低電場(chǎng)區(qū)域與一高電場(chǎng)區(qū)域。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，電場(chǎng)屏蔽層配置于各像素電極的部分區(qū)域上， 其中各像素電極具有一凹陷區(qū)域，而電場(chǎng)屏蔽層分布于各凹陷區(qū)域中。另外， 在各像素所對(duì)應(yīng)的液晶層中，高電場(chǎng)區(qū)域位于低電場(chǎng)區(qū)域的兩側(cè)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，電場(chǎng)屏蔽層配置于共享電極的部分區(qū)域上。在 一實(shí)施例中，高電場(chǎng)區(qū)域位于低電場(chǎng)區(qū)域的兩側(cè)。在另一實(shí)施例中，共享電 極具有一凹陷區(qū)域，而電場(chǎng)屏蔽層分布于各凹陷區(qū)域中。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各像素電極包括一穿透電極。在其它實(shí)施中， 各像素電極還包括一與穿透電極連接的反射電極。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，主動(dòng)元件陣列基板還包括多條信號(hào)線，各像素 與對(duì)應(yīng)的信號(hào)線電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，多域液晶顯示器還包括多個(gè)配向凸起物，配置 于對(duì)向基板的共享電極層上。在其它實(shí)施例中，主動(dòng)元件陣列基板的各像素 電極具有多個(gè)狹縫。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在各像素所對(duì)應(yīng)的液晶層中，低電場(chǎng)區(qū)域位于 高電場(chǎng)區(qū)域的周圍。在其它實(shí)施例中，低電場(chǎng)區(qū)域與高電場(chǎng)區(qū)域在列方向上 對(duì)齊。在另一實(shí)施例中，高電場(chǎng)區(qū)域位于低電場(chǎng)區(qū)域的兩側(cè)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，電場(chǎng)屏蔽層的一厚度大于或等于1. 0微米。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，電場(chǎng)屏蔽層的材料包括介電材料。在其它實(shí)施
例中，電場(chǎng)屏蔽層的材料包括有機(jī)材料。
根據(jù)上述方案，本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的效果是顯著的本發(fā)明利用電 場(chǎng)屏蔽層將多域液晶顯示器中的液晶層劃分成的相同間隙間距的低電場(chǎng)區(qū) 域與高電場(chǎng)區(qū)域，使得不同區(qū)域內(nèi)的液晶層作不同程度的傾倒，以改善色偏 問(wèn)題。再者，本發(fā)明可依據(jù)需求適時(shí)調(diào)整電場(chǎng)屏蔽層的厚度，以使改善色偏 的效果最佳化。另外，本發(fā)明不需通過(guò)改變像素中電容或晶體管的設(shè)計(jì)來(lái)改 善色偏，因此相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明可以維持較高的開(kāi)口率。


圖1為現(xiàn)有中小尺寸多域垂直配向式液晶顯示器搭配圓偏極化偏光片的 正規(guī)化穿透率與灰階的關(guān)系圖。
圖2為本發(fā)明半穿透半反射式多域液晶顯示器的實(shí)施例的俯視圖。
圖2A為圖2中對(duì)應(yīng)于A-A'剖面線的一種剖面圖。
圖2B為圖2中對(duì)應(yīng)于A-A'剖面線的另一種剖面圖。
圖3為本發(fā)明半穿透半反射式多域液晶顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。
圖3A為圖3中對(duì)應(yīng)于B-B'剖面線的一種剖面圖。
圖3B為圖3中對(duì)應(yīng)于B-B'剖面線的另一種剖面圖。
圖4為本發(fā)明半穿透半反射式多域液晶顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。
圖5為本發(fā)明半穿透半反射式多域液晶顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。
圖6為本發(fā)明穿透式多域液晶顯示器的實(shí)施例的俯視圖。
圖6A為圖6中對(duì)應(yīng)于A-A'剖面線的一種剖面圖。
圖6B為圖6中對(duì)應(yīng)于A-A'剖面線的另一種剖面圖。
圖7為本發(fā)明穿透式多域液晶顯示器的另一實(shí)施例的俯視圖。
圖7A為圖7中對(duì)應(yīng)于A-A'剖面線的一種剖面圖。
圖7B為圖7中對(duì)應(yīng)于A-A'剖面線的另一種剖面圖。
圖8為本發(fā)明穿透式多域液晶顯示器的實(shí)施例的示意圖。
圖9為本發(fā)明穿透式多域液晶顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。 主要元件符號(hào)說(shuō)明
200、 300、 400、 500、 600:多域液晶顯示器
210:主動(dòng)元件陣列基板
220:對(duì)向基板
230:電場(chǎng)屏蔽層
240:液晶層
250:像素電極
250T:穿透電極
250R:反射電極
250S:遮光區(qū)域
252:連接電極
260:信號(hào)線
270:共享電極
280:配向凸起物
290:狹縫
B:黑色矩陣
Dj低電場(chǎng)區(qū)域
DH:高電場(chǎng)區(qū)域
EH:高電場(chǎng)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度
El:低電場(chǎng)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度
A:凹陷區(qū)域
P:像素
S:凹陷區(qū)域
T:穿透度
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施 例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
第一實(shí)施例
圖2為本發(fā)明多域液晶顯示器的一實(shí)施例的俯視圖，而圖2A為圖2中 對(duì)應(yīng)于A-A'剖面線的一種剖面圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖2A，多域液晶顯示 器200包括一主動(dòng)元件陣列基板210、 一對(duì)向基板220、 一電場(chǎng)屏蔽層230 與一液晶層240。主動(dòng)元件陣列基板210具有多個(gè)像素P，在圖2中僅繪示 一像素P為例作說(shuō)明，且各像素P具有一像素電極250。另外，本實(shí)施例是 以半穿透半反射式液晶顯示器為例，因此各像素電極250包括一穿透電極 250T及一與穿透電極250T連接的反射電極250R，在其它實(shí)施例中，多域液 晶顯示器200中的各像素可以僅由穿透電極250T所構(gòu)成或僅由反射電極 250R所構(gòu)成。此外，在本實(shí)施例中，主動(dòng)元件陣列基板210還包括多條信號(hào) 線260，各像素P與對(duì)應(yīng)的信號(hào)線260電性連接，并通過(guò)對(duì)應(yīng)的信號(hào)線260 輸入顯示信號(hào)。
請(qǐng)繼續(xù)參考圖2A，對(duì)向基板220具有一共享電極270，且共享電極270 位于對(duì)向基板220與主動(dòng)元件陣列基板210之間。電場(chǎng)屏蔽層230配置于各 穿透電極250T的部分區(qū)域上。液晶層240配置于主動(dòng)元件陣列基板210與 對(duì)向基板220之間。在本實(shí)施例中，多域液晶顯示器200可進(jìn)一步包括多個(gè) 配向凸起物280，而這些配向凸起物280是配置于對(duì)向基板220的共享電極 270層上。換言之，本實(shí)施例所舉的多域液晶顯示器200屬于一種多域垂直 配向式液晶顯示器(MVA-LCD)。
在形成主動(dòng)元件陣列基板210的各穿透電極250T前，先行于適當(dāng)處挖 出凹陷區(qū)域S。于是，在形成各穿透電極250T之后，各像素P于凹陷區(qū)域S 內(nèi)會(huì)形成一具有凹陷區(qū)域A的像素電極250。之后，于各像素P的凹陷區(qū)域 A中填入電場(chǎng)屏蔽層230，以填平各該像素P的凹陷區(qū)域A。換言之，除了被 電場(chǎng)屏蔽層230所覆蓋的區(qū)域外，像素電極250的上表面與電場(chǎng)屏蔽層230 的上表面切齊凹陷區(qū)域A，因此，位于穿透電極250T上方的液晶層具有相同 間隙。另外，由于電場(chǎng)屏蔽層230會(huì)屏蔽穿透電極250T與共享電極270間 的部分電場(chǎng)，因此，各像素P所對(duì)應(yīng)的液晶層240被劃分為具有相同間隙間 距的一低電場(chǎng)區(qū)域a與一高電場(chǎng)區(qū)域dh，且電場(chǎng)屏蔽層230的位置對(duì)應(yīng)于液 晶層240的低電場(chǎng)區(qū)域D,的位置，如圖2A所示。此電場(chǎng)屏蔽層230設(shè)計(jì)于 各穿透電極250T的部分區(qū)域時(shí)，低電場(chǎng)區(qū)域DL設(shè)置于高電場(chǎng)區(qū)域Dh外國(guó)， 此液晶排列穩(wěn)定性較佳。如圖2A所示，由于多域液晶顯示器200中的液晶層240隨著對(duì)應(yīng)的各 穿透電極250T與共享電極270間的不同電場(chǎng)強(qiáng)度而作不同程度的傾倒。具 體而言，位于高電場(chǎng)區(qū)域dh的液晶層240所感受到的電場(chǎng)強(qiáng)度為Eh，而位于 低電場(chǎng)區(qū)域K的液晶層240由于受到電場(chǎng)屏蔽層230的屏蔽而僅感受到較小 的電場(chǎng)強(qiáng)度E,。如此，在各像素P的液晶層240中，可以被劃分為對(duì)應(yīng)電場(chǎng) 屏蔽層230的低電場(chǎng)區(qū)域&以及未有電場(chǎng)屏蔽層230對(duì)應(yīng)的高電場(chǎng)區(qū)域Dh， 使得各像素P的液晶層240分別于低電場(chǎng)區(qū)域^與高電場(chǎng)區(qū)域dh作不同程度 的傾倒，進(jìn)而改善色偏問(wèn)題。為了使多域液晶顯示器200的顯示品質(zhì)最佳化，設(shè)計(jì)者可依色偏調(diào)整需 求選擇電場(chǎng)屏蔽層230的適當(dāng)厚度與材料，以調(diào)整電場(chǎng)屏蔽的程度，進(jìn)而微 調(diào)對(duì)應(yīng)于高電場(chǎng)區(qū)域dh與低電場(chǎng)區(qū)域&的液晶層240的傾倒程度。在本實(shí)施 例中，電場(chǎng)屏蔽層230的材料例如是介電材料、有機(jī)材料或其它材質(zhì)。詳言 之，當(dāng)所選用的電場(chǎng)屏蔽層230的厚度越厚或材料介電系數(shù)越高，高電場(chǎng)區(qū) 域a與低電場(chǎng)區(qū)域Dj司的差異越大。反之，高電場(chǎng)區(qū)域dh與低電場(chǎng)區(qū)域R 間的差異越小。使用者可視調(diào)整需求選擇適當(dāng)?shù)碾妶?chǎng)屏蔽層230厚度與材料， 進(jìn)而使多域液晶顯示器200的顯示品質(zhì)獲得提升。圖2B為圖2中對(duì)應(yīng)于A-A'剖面線的另一種剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2B，本 實(shí)施例的電場(chǎng)屏蔽層230是制作于對(duì)向基板220的共享電極270的部分區(qū)域
上，其制作方式例如是在共享電極270形成之前，先行于對(duì)向基板220上形 成一凹陷區(qū)域S，接著，再形成共享電極270。如此，于各像素P的凹陷區(qū) 域S會(huì)形成一具有凹陷區(qū)域A的共享電極270。接著，再于此凹陷區(qū)域A的 共享電極270上填入電場(chǎng)屏蔽層230。同理，如圖2B所示，各像素P所對(duì)應(yīng) 的液晶層240可以被劃分為對(duì)應(yīng)電場(chǎng)屏蔽層230的低電場(chǎng)區(qū)域&以及高電場(chǎng) 區(qū)域Dh，且低電場(chǎng)區(qū)域R的液晶層240與高電場(chǎng)區(qū)域I)h的液晶層240具有相 同間隙間距。此電場(chǎng)屏蔽層230設(shè)計(jì)于各對(duì)向基板220的共享電極270的部 分區(qū)域時(shí)，高電場(chǎng)區(qū)域DH設(shè)置于低電場(chǎng)區(qū)域Dl外國(guó)，此液晶排列穩(wěn)定性較佳。此外，值得注意的是，設(shè)計(jì)者也可視設(shè)計(jì)需求適時(shí)調(diào)整各像素P中的電 場(chǎng)屏蔽層230的面積大小與形狀，以此控制各像素P中的低電場(chǎng)區(qū)域D,與高 電場(chǎng)區(qū)域DH的配置方式與面積比例，使得調(diào)整色偏還具余裕度。詳言之，在 本實(shí)施例中，各像素P所對(duì)應(yīng)的低電場(chǎng)區(qū)域IX的液晶層240位于高電場(chǎng)區(qū)域 DH的液晶層240的周圍。下文便以此種排列方式，模擬在不同的低電場(chǎng)區(qū)域 DL與高電場(chǎng)區(qū)域DH面積比例下，多域液晶顯示器200的色偏表現(xiàn)程度。隨著各像素P中的低電場(chǎng)區(qū)域K的面積比例上升，雖然多域液晶顯示器 200在穿透度稍有降低，但色偏情形有明顯的下降。因此，多域液晶顯示器 200的色偏問(wèn)題能夠獲得大幅的改善。第二實(shí)施例圖3為本發(fā)明多域液晶顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例的多域 液晶顯示器300與第一實(shí)施例的多域液晶顯示器200類似，但二者不同之處 在于各像素P對(duì)應(yīng)的低電場(chǎng)區(qū)域a液晶層240與高電場(chǎng)區(qū)域Dh液晶屋240 的配置方式不同。穿透電極250T分成兩區(qū)， 一區(qū)是低電場(chǎng)區(qū)域DL，另一區(qū) 是高電場(chǎng)區(qū)域DH。此兩區(qū)中間有一主狹縫(main slit)分隔，此兩區(qū)域的穿 透電極250T是靠一連接電極252使其電性相連接。如圖3所示，低電場(chǎng)區(qū) 域^與高電場(chǎng)區(qū)域Dh在列方向上対芥，且低電場(chǎng)區(qū)域D,位于高電場(chǎng)區(qū)域DH 的右側(cè)。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，低電場(chǎng)區(qū)域^也可配置于高電場(chǎng)區(qū)域DH
的其它側(cè)，本發(fā)明并不限定低電場(chǎng)區(qū)域D,與高電場(chǎng)區(qū)域DH的相對(duì)位置。
圖3A為圖3中對(duì)應(yīng)于B-B'剖面線的一種剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3A，本實(shí) 施例與第一實(shí)施例類似，電場(chǎng)屏蔽層230可以設(shè)置于各穿透像素電極250T 上。另外，圖3B為圖3中對(duì)應(yīng)于B-B'剖面線的另一種剖面圖。如圖3B所 示，電場(chǎng)屏蔽層230也可以設(shè)置于共享電極270上。
第三實(shí)施例在上述的第一實(shí)施例與第二實(shí)施例中，多域液晶顯示器200、 300屬于 多域垂直配向式液晶顯示器，然而本發(fā)明并不限定多域液晶顯示器必須是多 域垂直配向式液晶顯示器，本發(fā)明的多域液晶顯示器也可以是一種利用聚合 物穩(wěn)定排列(Polymer Stabilized Alignment, PSA)的液晶顯示器。詳言之， 此種液晶顯示器是在液晶中加入聚合物(Polymer)，并搭配具有狹縫的圖案 化(Patterned slits)穿透電極，以使液晶分子在驅(qū)動(dòng)時(shí)往狹縫方向傾倒。 另外，上述的聚合物在經(jīng)紫外光(ultraviolet, UV)曝光后，反應(yīng)形成配向 層于穿透電極表面，而達(dá)到液晶配向的功能。
圖4為本發(fā)明多域液晶顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例的多域 液晶顯示器400與第一實(shí)施例的多域液晶顯示器200類似，但二者不同之處 在于各像素電極250中的穿透電極250T具有多個(gè)狹縫290。當(dāng)然，各像素 電極250也可以僅由穿透電極250T所組成。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D4，各像素P對(duì)應(yīng)的液晶層240中的低電場(chǎng)區(qū)域D,與高電 場(chǎng)區(qū)域DH的配置方式在列方向上對(duì)齊。當(dāng)然，各像素P對(duì)應(yīng)的液晶層240中 的高電場(chǎng)區(qū)域DH也可以位于低電場(chǎng)區(qū)域^的兩側(cè)，如圖5所示，或者低電場(chǎng) 區(qū)域K位于高電場(chǎng)區(qū)域DH的兩側(cè)。此外，在多域液晶顯示器400中，電場(chǎng)屏 蔽層230的設(shè)置位置、形狀、面積以及在像素P中的面積比例在多域液晶顯 示器中所扮演的角色與上述實(shí)施例所述類似，在此不加重述。值得一提的是，上述各實(shí)施例中的多域液晶顯示器200、 300與400屬 于半穿透半反射式液晶顯示器的應(yīng)用范圍，但本發(fā)明不局限于此。本發(fā)明多 域液晶顯示器的技術(shù)特征之一為使用電場(chǎng)屏蔽層230，以使得對(duì)應(yīng)的液晶層 240具有不同強(qiáng)度的電場(chǎng)區(qū)域，進(jìn)而改善顯示品質(zhì)。本發(fā)明多域液晶顯示器 也可應(yīng)用于穿透式液晶顯示器，下文將以穿透式多域液晶顯示器為例作說(shuō) 明。第四實(shí)施例圖6為本發(fā)明穿透式多域液晶顯示器的實(shí)施例的示意圖。如圖6所示， 在本實(shí)施例的多域液晶顯示器500中，穿透電極250T的配置與第二實(shí)施例 的多域液晶顯示器300類似，但二者不同之處在于本實(shí)施例的多域液晶顯 示器500的各像素P中，將一遮光區(qū)域250S配置在對(duì)應(yīng)于第二實(shí)施例的反 射電極250R的區(qū)域，并將輸入顯示信號(hào)的多條信號(hào)線260配置于遮光區(qū)域 250S內(nèi)。如圖6所示，在本實(shí)施例中的穿透電極250T與第二實(shí)施例的多域 液晶顯示器300類似，可分成一低電場(chǎng)區(qū)域K與一高電場(chǎng)區(qū)域DH，且低電場(chǎng) 區(qū)域D,.與高電場(chǎng)區(qū)域Dh在列方向上対芥。此外，低電場(chǎng)區(qū)域K與高電場(chǎng)區(qū) 域Dh的形成方法以及投置位置、形狀、面積等與上述實(shí)施例所述類似，在此 不加重述。圖6A為圖6中對(duì)應(yīng)于A-A'剖面線的一種剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6A，本實(shí) 施例與第二實(shí)施例的多域液晶顯示器300類似，電場(chǎng)屏蔽層230可以設(shè)置于 各穿透像素電極250T上。當(dāng)然，電場(chǎng)屏蔽層230也可以設(shè)置于共享電極270 上，如圖6B所示。在本實(shí)施例中，各像素P的遮光區(qū)域250S例如是于對(duì)向 基板220的對(duì)應(yīng)位置上配置一黑色矩陣B (black matrix)所形成的，此黑 色矩陣B用以遮蔽對(duì)應(yīng)信號(hào)線260上方的液晶層因不正常傾倒所產(chǎn)生的異常 光線。此外，電場(chǎng)屏蔽層230的設(shè)置位置、形狀、面積以及在像素P中的面 積比例在穿透式多域液晶顯示器中所扮演的角色與上述實(shí)施例所述類似，在 此不加重述。
第五實(shí)施例圖7為本發(fā)明穿透式多域液晶顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D 7，本實(shí)施例的多域液晶顯示器600與第四實(shí)施例的多域液晶顯示器500中類似，但二者不同之處在于各像素P對(duì)應(yīng)的低電場(chǎng)區(qū)域DL與高電場(chǎng)區(qū)域 Dh的配置方式不同。在本實(shí)施例中，各像素P所對(duì)應(yīng)的低電場(chǎng)區(qū)域A的液晶層240位于高電場(chǎng)區(qū)域Dh的液晶屋240的周圍。圖7A為圖7中對(duì)應(yīng)于A-A'剖面線的一種剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7A，本實(shí) 施例與上述實(shí)施例類似，電場(chǎng)屏蔽層230可以設(shè)置于各穿透像素電極250T 上。當(dāng)然，電場(chǎng)屏蔽層230也可以設(shè)置于共享電極270上，如圖7B所示。值得注意的是，設(shè)計(jì)者可參酌設(shè)計(jì)需求以及穿透式液晶顯示器的應(yīng)用范 圍，自由調(diào)整穿透電極250T的形狀以及其對(duì)應(yīng)的低電場(chǎng)區(qū)域R與高電場(chǎng)區(qū) 域Dh的形狀、面積、相對(duì)位置等。詳言之，本發(fā)明的穿透式多域液晶顯示器 的應(yīng)用范圍與上述的半穿透半反射多域液晶顯示器類似，也可應(yīng)用于多域垂 直配向式液晶顯示器、圖案化垂直配向式液晶顯示器、穿透式聚合物穩(wěn)定排 列液晶顯示器或其它種類顯示器中。舉例而言，圖8繪示為另一種應(yīng)用于聚 合物穩(wěn)定排列液晶顯示器的穿透式多域液晶顯示器。如圖8所示，各像素P 對(duì)應(yīng)的液晶層240中的低電場(chǎng)區(qū)域DL與高電場(chǎng)區(qū)域DH的配置方式在列方向上 對(duì)齊。圖9繪示再一種應(yīng)用于聚合物穩(wěn)定排列液晶顯示器的穿透式多域液晶 顯示器。如圖9所示，各像素P對(duì)應(yīng)的液晶層240中的高電場(chǎng)區(qū)域DH也可以 位于低電場(chǎng)區(qū)域K的兩側(cè)。當(dāng)然，高電場(chǎng)區(qū)域DH與低電場(chǎng)區(qū)域a還可以是 其它的配置關(guān)系，本發(fā)明并不限定穿透電極250T中所對(duì)應(yīng)的高電場(chǎng)區(qū)域DH 與低電場(chǎng)區(qū)域a的形狀、面積、相對(duì)位置等?；谏鲜?，本發(fā)明利用電場(chǎng)屏 蔽層使多域液晶顯示器中各像素所對(duì)應(yīng)的液晶層劃分成的相同間隙間距的 低電場(chǎng)區(qū)域與高電場(chǎng)區(qū)域，以使各像素上方的液晶層作不同程度的傾倒，進(jìn) 而改善色偏問(wèn)題。本發(fā)明在調(diào)整色偏方面，具有很高的調(diào)整靈活度。另外，. 本發(fā)明不需通過(guò)改變像素中電容或晶體管的設(shè)計(jì)來(lái)改善色偏，相較于現(xiàn)有技 術(shù)，本發(fā)明在改善色偏以提升顯示品質(zhì)的同時(shí)，并維持較高開(kāi)口率。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何
所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作 些許的還動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求書(shū)所界定的范 圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種多域液晶顯示器，其特征在于，包括一主動(dòng)元件陣列基板，具有多個(gè)像素，且各該像素具有一像素電極； 一對(duì)向基板，具有一共享電極，且該共享電極位于該對(duì)向基板與該主動(dòng) 元件陣列基板之間；一液晶層，配置于該主動(dòng)元件陣列基板與該對(duì)向基板之間，其中各該像 素所對(duì)應(yīng)的液晶層被劃分為一低電場(chǎng)區(qū)域與一高電場(chǎng)區(qū)域；以及一電場(chǎng)屏蔽層，配置于鄰接該液晶層，其中該電場(chǎng)屏蔽層的位置對(duì)應(yīng)于 該液晶層的低電場(chǎng)區(qū)域的位置。
2. 如權(quán)利要求1所述的多域液晶顯示器，其特征在于，該低電場(chǎng)區(qū)域與 該高電場(chǎng)區(qū)域具有相同間距。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，該電場(chǎng)屏蔽 層配置于各該像素電極的部分區(qū)域上。
4.如權(quán)利要求3所述的多域液晶顯示器，其特征在于，各該像素電極具有一凹陷區(qū)域，而該電場(chǎng)屏蔽層分布于各該凹陷區(qū)域中。
5. 如權(quán)利要求3所述的多域液晶顯示器，其特征在于，在各該像素所對(duì) 應(yīng)的該液晶層中，該高電場(chǎng)區(qū)域位于該低電場(chǎng)區(qū)域的兩側(cè)。
6. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，該電場(chǎng)屏 蔽層配置于該共享電極的部分區(qū)域上。
7. 如權(quán)利要求6所述的多域液晶顯示器，其特征在于，在各該像素所對(duì) 應(yīng)的液晶層中，該高電場(chǎng)區(qū)域位于該低電場(chǎng)區(qū)域的兩側(cè)。
8. 如權(quán)利要求6所述的多域液晶顯示器，其特征在于，各該共享電極具 有一凹陷區(qū)域，而該電場(chǎng)屏蔽層分布于各該凹陷區(qū)域中。
9. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，各該像素電極包括一穿透電極。
10. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，各該像素電極包括一與該穿透電極連接的反射電極。
11. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，該主動(dòng)元 件陣列基板還包括多條信號(hào)線，各該像素與對(duì)應(yīng)的信號(hào)線電性連接。
12. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，還包括多 個(gè)配向凸起物，配置于該對(duì)向基板的該共享電極層上。
13. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，該主動(dòng)元 件陣列基板的各該像素電極具有多個(gè)狹縫。
14. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，在各該像 素所對(duì)應(yīng)的該液晶層中，該低電場(chǎng)區(qū)域位于該高電場(chǎng)區(qū)域的周圍。
15. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，該電場(chǎng)屏 蔽層的一厚度大于或等于1. 0微米。
16. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，該電場(chǎng)屏 蔽層的材料包括介電材料。
17. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，該電場(chǎng)屏蔽層的材料包括有機(jī)材料。
18. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，在各該像 素所對(duì)應(yīng)的該液晶層中，該低電場(chǎng)區(qū)域與該高電場(chǎng)區(qū)域在列方向上對(duì)齊。
19. 如權(quán)利要求1或2所述的多域液晶顯示器，其特征在于，在各該像 素所對(duì)應(yīng)的該液晶層中，該高電場(chǎng)區(qū)域位于該低電場(chǎng)區(qū)域的兩側(cè)。
全文摘要
一種多域液晶顯示器，其包括一主動(dòng)元件陣列基板、一對(duì)向基板、一電場(chǎng)屏蔽層與一液晶層。主動(dòng)元件陣列基板具有多個(gè)像素，且各像素具有一像素電極。對(duì)向基板具有一共享電極，且共享電極位于對(duì)向基板與主動(dòng)元件陣列基板之間。電場(chǎng)屏蔽層配置于各像素電極的部分區(qū)域上。液晶層配置于主動(dòng)元件陣列基板與對(duì)向基板之間，其中各像素所對(duì)應(yīng)的液晶層被劃分為具有相同間隙間距的一低電場(chǎng)區(qū)域與一高電場(chǎng)區(qū)域，且電場(chǎng)屏蔽層的位置對(duì)應(yīng)于液晶層的低電場(chǎng)區(qū)域的位置。上述多域液晶顯示器可以有效改善斜向視角色偏的問(wèn)題。
文檔編號(hào)G02F1/139GK101122698SQ20071015338
公開(kāi)日2008年2月13日 申請(qǐng)日期2007年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月18日
發(fā)明者張志明, 林敬桓, 林朝成, 范姜士權(quán) 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司