專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器，更特別地，涉及一種包括透射率彼此不同 的多個(gè)像素電極的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器包括液晶顯示(LCD)面板，液晶顯示面板具有其上形成有 薄膜晶體管的薄膜晶體管基板、其上形成有濾色層的濾色器基板、以及位于 薄膜晶體管基板和濾色器基板之間的液晶層。因?yàn)長CD面板不是發(fā)光器件， 所以用于照射光的背光單元可位于薄膜晶體管基板的背面。LCD面板具有薄、緊湊和低功耗的優(yōu)點(diǎn)。然而，LCD面板在大尺寸屏 幕的制造、全色的實(shí)現(xiàn)、對比度的改善以及視角方面有缺點(diǎn)。已經(jīng)開發(fā)了圖 案化垂直取向(PVA， Patterned Vertically Aligned)模式LCD以改善視角。 PVA模式呈現(xiàn)出分別形成在像素電極和公共電極中的垂直取向(VA)模式 的切割圖案。然而，因?yàn)橐壕г赑VA模式LCD中垂直移動(dòng)，所以當(dāng)從正方 向和側(cè)方向觀察時(shí)，穿過液晶分子的光的光學(xué)相位延遲值的差異根據(jù)視角大 大變化。結(jié)果，伽馬扭曲(gamma distortion )由于在側(cè)面的液晶指向矢 (director)扭曲而增大。另外，低灰度的亮度在側(cè)面急劇增大，由此使可視 性和對比度劣化。為了解決這些問題，發(fā)展了超-PVA (SPVA)才莫式，其中像素電極分為 數(shù)據(jù)電壓直接施加到其上以接收信號的主像素電極、以及形成于保護(hù)層中且 通過電浮置電容器(capacity)接收信號的次像素電極。然而，因?yàn)殡妷嚎梢来畏e累在次像素電極中，所以會發(fā)生電壓偏移。結(jié) 果，根據(jù)梯度(gradation)的變化發(fā)生閃爍，導(dǎo)致LCD面板中的殘像并劣化 圖像清晰度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種液晶顯示器，其中防止了由閃爍引起的殘像。
本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中闡述，并部分地從該描述顯見，或 可以通過實(shí)踐本發(fā)明而領(lǐng)會。本發(fā)明公開了一種液晶顯示器，包括第一絕緣基板；多條柵極線，形 成在該第一絕緣基板上；數(shù)據(jù)線，與所述多條柵極線交叉以形成像素區(qū)域； 像素電極，通過像素電極切割圖案分成主像素電極和次像素電極并設(shè)置于像 素區(qū)域內(nèi)；第一薄膜晶體管，包括連接至主像素電極的漏電極，且該漏電極 與次像素電極交疊，保護(hù)膜置于它們之間；以及第二薄膜晶體管，包括連接 至前柵極線(previous gate line )的控制端、連接至次像素電極的輸入端、以 及連接至主像素電極的輸出端。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，第二薄膜晶體管的電容約是第一薄膜晶體管的電 容的1/100-1/5。根據(jù)本發(fā)明 一實(shí)施例，主像素電極和漏電極經(jīng)由形成于保護(hù)膜中的接觸 孔4皮此4妄觸。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，分別地，輸入端接觸次像素電極，輸出端接觸主 像素電極。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，像素電極切割圖案包括相對于柵極線以45。或 135。角傾斜的傾斜圖案。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，次像素電極在根據(jù)柵極線延伸方向的邊界包括夾 子形狀，主像素電極圍繞次像素電極的部分周邊。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，主像素電極包括第一部分，以與次像素電極的 形狀相同的形狀位于次像素電極一側(cè)；第二部分和第三部分，從主像素電極 的兩端彎曲；以及第四部分和第五部分，從次像素電極的兩端彎曲并平行于 第二部分和第三部分布置。根據(jù)本發(fā)明 一 實(shí)施例，液晶顯示器還包括形成于像素區(qū)域中的存儲電極。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，存儲電極與柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)平行地布置。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，液晶顯示器還包括第二絕緣基板，與第一絕緣 基板相對；以及液晶層，在第一絕緣基板和第二絕緣基板之間，其中該液晶 層處于垂直取向(VA)模式。根據(jù)本發(fā)明 一實(shí)施例，第二絕緣基板包括帶公共電極切割圖案的公共電極。根據(jù)本發(fā)明 一實(shí)施例，公共電極切割圖案與像素電極切割圖案平行。本發(fā)明還公開一種液晶顯示器，包括絕緣基板；多條柵極線，形成于絕 緣基板上；數(shù)據(jù)線，與多條柵極線交叉以形成像素區(qū)域；像素電極，通過像 素電極切割圖案分成主像素電極和次像素電極并設(shè)置于像素區(qū)域內(nèi)；以及連 接薄膜晶體管，包括連接至前柵極線的控制端、連接至次像素電極的輸入端、 以及連接至主像素電極的輸出端。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，液晶顯示器還包括像素薄膜晶體管，該像素薄膜 晶體管包括連接至主像素電極的輸出端，且該輸出端與次像素電極交疊，保 護(hù)膜置于它們之間。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，連接薄膜晶體管的溝道區(qū)域約是像素薄膜晶體管 的溝道區(qū)域的寬度的1/100-1/5。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，主像素電極和輸出端經(jīng)由形成于保護(hù)膜中的接觸 孔《皮此4妄觸。將理解，前面的基本描述和下面的詳細(xì)描述都是示范性和解釋性的，意 在提供要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。


包括附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖被引入并構(gòu)成說明文件的 一部分，其圖示了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。 圖1a示出根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的液晶顯示器的布局。 圖1b示出根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的公共電極切割圖案。圖2是沿圖ia的線n-n的剖面圖。圖3a、圖3b、圖3c、圖3d和圖3e是示出制造根據(jù)本發(fā)明第一示范 性實(shí)施例的液晶顯示器的方法的視圖。圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例的液晶顯示器的布局。
具體實(shí)施方式
下文中，將參照其中示出本發(fā)明的實(shí)施例的附圖更充分地描述本發(fā)明。 然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)理解為局限于這里闡述的實(shí) 施例。而是，提供這些實(shí)施例以使得公開徹底并將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給
本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸可以為了清楚而被 夸大。圖中相似的附圖標(biāo)記指示相似的元件。將理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)?上"或者"連接到"另一 元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在另一元件或?qū)由匣蛘咧苯舆B接到另一元件或?qū)樱?或者可存在居間元件或?qū)印Ｏ喾吹?，?dāng)元件被稱為"直接"在另一元件或?qū)?"上"或者"直接連接到"另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間元件或?qū)?。圖1A示出根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的液晶顯示器的布局，圖1B 示出根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的公共電極切割圖案。圖2是沿圖1A的線n-ii的剖面圖。根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的液晶顯示器(LCD)面板包括第一基板 100、與第一基板100相對的第二基板200、以及位于第一基板100與第二基 板200之間的液晶層300。根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的第一基板100包括在像素區(qū)域的第一薄膜 晶體管t,和第二薄膜晶體管t2。像素區(qū)域通過柵極線120(即120 和120^ ) 和交叉柵極線120的數(shù)據(jù)線130形成。根據(jù)此示范性實(shí)施例的像素區(qū)域具有 矩形形狀。第一薄膜晶體管Ti驅(qū)動(dòng)像素區(qū)域，第二薄膜晶體管T2將主像素 電極181和次像素電極182連接在一起。下面，將描述第一基板IOO。柵極配線元件120、 121、 122和125形成于第一絕緣基板110上。柵極 配線元件120、 121、 122和125可以是單個(gè)金屬層或多個(gè)金屬層。4冊才及配線 元件120、 121、 122和125包括多條柵極線120 (即120。和120n.,)、連接至 柵極線120的第一柵電極121和第二柵電極122、以及與主像素電極181交 疊以形成存儲電容器的存儲電極線125。圖1A示出第(n-l)柵極線120(w)和第n柵極線120n。第一薄膜晶體管 T!的第一柵電極121從第n柵極線120n突出并可以是矩形形狀。第二薄膜 晶體管T2的第二柵電極122連接至第(n-l )柵極線120(n.n。因此，柵極導(dǎo) 通電壓通過第(n-l )柵才及線120^n施加到第二4冊電4及122。第一4冊電極121 和第二柵電極122使第一薄膜晶體管T,和第二薄膜晶體管丁2導(dǎo)通從而分別 連接第一薄膜晶體管T,的源電極和漏電極以及第二薄膜晶體管丁2的源電極 和漏電極。因此，第一柵電極121和第二柵電極122可被稱為控制臺(control stage )。根據(jù)此示范性實(shí)施例的第一柵電極121大于第二柵電極122。薄膜 晶體管的尺寸不是必須與柵電極的尺寸成比例。然而，可根據(jù)柵電極的尺寸 控制其中可形成溝道區(qū)域的面積。因?yàn)樵诓鹏迵?jù)此示范性實(shí)施例的液晶顯示器 中與第 一薄膜晶體管Tl相比第二薄膜晶體管T2很小，所以與第 一柵電極121相比第二柵電極122是小的。第二柵電極122不突出得超過第(n-l )柵級 線120n-,并可以制備在第(n-l )柵級線120^上。根據(jù)此示范性實(shí)施例的存儲電極線125平行于柵極線120形成。存儲電 極線125也可以平行于數(shù)據(jù)線130形成，或者可以平行于槺極線120且平行 于數(shù)據(jù)線130地形成存儲電極線125的各部分。由氮化硅(SiNx)等制成的柵極絕緣層140覆蓋第一絕緣基板110上的 4銜才及配線元件120、 121、 122和125。由包括非晶硅等的半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體層151和152分別形成于第 一柵電極121和第二柵電極122的柵極絕緣層140上。由包括用珪化物或n 型雜質(zhì)重?fù)诫s的n+氫化非晶硅的材料制成的電阻接觸層161和162分別形 成于半導(dǎo)體層151和152上。電阻接觸層161、 162從源電極131和134與 漏電極132和135之間的各溝道區(qū)域20、 50除去。第二薄膜晶體管丁2的溝 道區(qū)域50約是第一薄膜晶體管Ti的溝道區(qū)域20的寬度的1/100-1/5。即， 當(dāng)?shù)诙∧ぞw管T2導(dǎo)通時(shí)，電流為第一薄膜晶體管T,導(dǎo)通時(shí)流過的對應(yīng) 電流的約1/100-1/5。因?yàn)闇系绤^(qū)域20和50的面積與薄膜晶體管的電容 (capacity)成比例，所以第二薄膜晶體管T2的電容小于第一薄膜晶體管T, 的電容。即，因?yàn)閮?yōu)選地連接主像素電極181和次像素電極182的第二薄膜 晶體管TV具有使次像素電極182的殘余電荷被排放且同時(shí)對現(xiàn)有的透射率 具有很小的或沒有影響的電容，所以與第一薄膜晶體管Ti相比第二薄膜晶 體管T2是小的。即，優(yōu)選地第二薄膜晶體管T2的電容約是第一薄膜晶體管 T,的電容的1/100-1/5。更優(yōu)選地，第二薄膜晶體管T2的電容約是第一薄膜 晶體管Ti的電容的1/30-1/10。凄t據(jù)配線元件130、 131、 132、 134和135形成于電阻接觸層161和162 以及4冊極絕緣層140上。數(shù)據(jù)配線元件130、 131、 132、 134和135也由單 個(gè)金屬層或多個(gè)金屬層制成。^:據(jù)配線元件130、 131、 132、 134和135包 括數(shù)據(jù)線130，其縱向地形成并與柵極線120交叉，形成像素區(qū)域；源電 極131和134;以及漏電極132和135,其與源電才及131和134間隔開并與 源電才及131和134相對地形成在電阻4妄觸層161和162的上部。
第一源電極131具有U形并延伸至電阻接觸層161的頂部。第一漏電極132平行于數(shù)據(jù)線130延伸并在中部彎曲以與次像素電極182交疊。第一漏 電極132經(jīng)由接觸孔10連接至主像素電極181且通過由插入的保護(hù)膜170 形成的電容器連接至次像素電極182而沒有使用接觸孔。第二源電極134從第(n-l )柵極線120n-，延伸至次像素電極182。第二 漏電極135在第二源電極134以內(nèi)且平行于第二源電極134延伸至主像素電 極181。保護(hù)膜170形成于數(shù)據(jù)配線元件130、 131、 132、 134和135上且在沒 有被數(shù)據(jù)配線元件130、 131、 132、 134和135 ;霞蓋的半導(dǎo)體層151和152 上。暴露第一漏電極132、第二源電極134和第二漏電極135的接觸孔10、 30和40分別形成于保護(hù)膜170中。像素電極180形成于保護(hù)膜170上。 一般地，像素電極180可由諸如銦 錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料制成。像素電極180 分為經(jīng)由接觸孔10電連接至第一漏電極132的主像素電極181,以及次像素 電極182,次像素電極182與主像素電極181間隔開并具有至少一部分與第 一漏電極132交疊。次像素電極182分別經(jīng)由接觸孔30和40連接至與輸入 端對應(yīng)的第二源電極134和與輸出端對應(yīng)的第二漏電極135。如果差分電壓(differential voltage)沒有應(yīng)用在一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，而相 同電壓應(yīng)用在其中，則在側(cè)表面處根據(jù)灰度的光的透射率不同于正表面的透 射率。因此，可視性降低。然而，在根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，來自背 光單元的光穿過主像素電極181或次像素電極182、液晶層300和第二基板 200投射。這里，數(shù)據(jù)信號通過電連接的第一漏電極132施加于主像素電極 181。同時(shí)，部分第一漏電才及132位于次像素電才及182之下，保護(hù)膜170置 于其間。次像素電極182不直接從第一漏電極132接收數(shù)據(jù)信號，而是通過 形成于保護(hù)層170中的電容器接收信號。因此，與主像素電極181相比，弱 的信號施加到次像素電極182內(nèi)從而對于相同的數(shù)據(jù)信號維持較低的透射 率。如上所述，本發(fā)明提供在單個(gè)像素區(qū)域內(nèi)具有不同電壓的結(jié)構(gòu)，如果施 加差分電壓，則側(cè)表面和前表面之間伽馬曲線的差異降低，從而改善可視性。主像素電極181和次像素電極182通過第一像素電極切割圖案183分隔 開。第二像素電極切割圖案184形成于次像素電極182內(nèi)。第一像素電極切 割圖案183包括相對于柵極線120以約45。或135。角傾斜的傾斜部分。第二
像素電極切割圖案184與柵極線120平行地形成。像素電極180的像素電極 切割圖案183和184與稍后描述的公共電極切割圖案251 —起將液晶層300 分成多個(gè)領(lǐng)域。因此，可以提供多個(gè)領(lǐng)域從而因此改善視角。如上所述，次像素電極182通過第 一像素切割圖案183與主像素電極181 分隔開，并接收電壓。因此，能有效地改善可視性。然而，如果不存在排放 電荷的路徑，則電荷積累在次像素電極182內(nèi)，因此會發(fā)生電壓偏移。因?yàn)?電壓偏移根據(jù)所施加的電壓改變透射率，所以會導(dǎo)致閃爍和由閃爍引起的殘 像(afterimage )。特別地，在白電壓(white voltage )施加于次像素電極182 中的情況，存在根據(jù)灰度實(shí)現(xiàn)更亮或更暗的顏色的問題。在此示范性實(shí)施例 中，在柵極導(dǎo)通電壓施加于第n柵極線120。且導(dǎo)通第一薄膜晶體管T,之前， 第二薄膜晶體管丁2通過施加到第(n-l)柵極線120^的柵極導(dǎo)通電壓而導(dǎo) 通。如果第二薄膜晶體管丁2導(dǎo)通，則次像素電極182中的電荷即DC分量 (component)通過第二源電極134離開次像素電才及182,且通過第二漏電極 135傳送到主4象素電極181。如果柵極導(dǎo)通電壓施加在第n柵極線120n中， 則DC分量可通過第一薄膜晶體管L被排放。即，由于充電而保留在次像素 電極182中的電荷可通過使用第二薄膜晶體管T2被排放到主像素電極181 中，主像素電極181的電容大于次像素電極182。因此，可防止閃爍和殘像。下面將描述第二基板200。黑矩陣220形成于第二絕緣基板210上。黑矩陣220將紅、綠和藍(lán)濾色 器基本分開且起到阻擋朝向位于第 一基板100中的薄膜晶體管的直接光照射 的作用。 一般地，黑矩陣220由其中添加黑顏料的光敏有機(jī)材料制成。碳黑 或鈦氧化物可用作黑顏料。濾色器層230由重復(fù)形成的紅、綠和藍(lán)濾色器形成，黑矩陣220作為邊 界。濾色器層230起到賦予顏色給從背光單元(沒有示出)照射并穿過液晶 層300的光的作用。 一般地，濾色器層230由光敏有機(jī)材料制成。覆蓋膜(overcoat film ) 240形成在濾色器層230和沒有被濾色器層230 覆蓋的黑矩陣220上。覆蓋膜240使濾色器層230平整化并起到保護(hù)濾色器 層230的作用。 一般地，丙烯族(acrylgroup)環(huán)氧材料廣泛用作覆蓋膜240。公共電極250形成于覆蓋膜240上。公共電極250可由諸如銦錫氧化物 (ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料制成。公共電極250與薄膜 晶體管基板的像素電極180 —起直接施加電壓到液晶層300。公共電極切割
圖案251形成于公共電極250中。公共電極切割圖案251與第一像素電極切 割圖案183的傾斜部分平行，即，相對于柵極線120以約45°或135°傾斜。 公共電極切割圖案251起到與像素電極部分180的像素電極切割圖案183和 184 —起將液晶層300分成多個(gè)領(lǐng)域的作用。像素電極切割圖案183和184以及公共電極切割圖案251不限于本示范 性實(shí)施例，而是可以以各種形式形成。液晶層300位于第一基板100和第二基板200之間。液晶層300處于垂 直取向(VA)模式。當(dāng)電壓不施加于其上時(shí)，液晶分子沿縱向垂直方向排 列。如果電壓施加到液晶層300,則由于液晶分子的介電各向異性本質(zhì)上為 負(fù)，所以液晶分子相對于電場位于垂直方向。然而，如果不形成各圖案183、 184和251,則液晶分子擺放的方位角(azimuth )沒有被確定且因此液晶分 子沿各方向隨機(jī)排列。旋錯(cuò)線形成在取向不同的邊界面。各圖案183、 184 和251在電壓施加到液晶層300時(shí)產(chǎn)生邊緣場乂人而確定液晶方位矢取向的方 位角。此外，液晶層300根據(jù)各圖案183、 184和251的布置被分成多個(gè)領(lǐng) 域。因此，改善了視角。同時(shí)，改善了可視性并最小化了漏光。結(jié)果，可提 供具有更佳對比度的LCD面板。圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E示出制造根據(jù)本發(fā)明第一示范性 實(shí)施例的液晶顯示器的方法。首先，如圖3A所示，柵極配線材料沉積在第一絕緣基板IIO上且然后 利用掩模以光刻蝕刻工藝構(gòu)圖，由此形成柵極線121、 122和125，其包括柵 極線(沒有示出)、第一柵電極121、第二柵電極122和存儲電極線125。然后，順序沉積用于形成柵極絕緣層140、半導(dǎo)體層151和152、以及 電阻接觸層161和162的三層膜。之后，如圖3B所示，半導(dǎo)體層和電阻接 觸層被光刻蝕刻，由此在第一柵極電極121和第二柵極電極122之上在斥冊極 絕緣層140上形成島形的半導(dǎo)體層151和152以及電阻接觸層161和162。然后，如圖3C所示，數(shù)據(jù)配線材料被沉積且然后利用掩模以光刻蝕刻 處理被構(gòu)圖，由此形成數(shù)據(jù)配線元件130、 131、 132、 134和135,包括與柵 極線120交叉的數(shù)據(jù)線130、延伸至第一柵電才及121和第二柵電極122的頂 部的源電極131和134、以及與源電極131和134相對的漏電極132和135。接下來，沒有被數(shù)據(jù)配線元件130、 131、 132、 134和135覆蓋的電阻 接觸層161和162在第一柵電極121和第二柵電才及122周圍被蝕刻。半導(dǎo)體 層151和152的對應(yīng)于第一4冊電極121和第二4冊電才及122的部分沒有#1電阻 接觸層161和162覆蓋。這里，第一漏電極132形成得延伸至后面形成的主 像素電極181和次像素電極182。然后，如圖3D所示地形成保護(hù)膜170。保護(hù)膜170利用硅源氣體和氮 源氣體通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法形成。分別暴露漏電極 132和135以及第二源電極134的接觸孔10、40和30形成于保護(hù)月莫170內(nèi)。如圖3E所示， 一旦像素電極通過像素電極切割圖案183分成主像素電 極181和次像素電極182,就完成了第一基板IOO。第二基板200可通過已知方法制造。當(dāng)形成^^共電極250時(shí)，形成公共 電極切割圖案251。此后，第一電極100和第二電極200彼此面對地對準(zhǔn)， 液晶層300注入在第一基板100和第二基板200之間，由此完成LCD面板。圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例的液晶顯示器的布局。像素電極180包括次像素電極182，其以基本曲折(zigzag)的形式 設(shè)置；以及主像素電極181，其與次像素電極182分隔開并覆蓋次像素電極 182的周邊的一部分。即，根據(jù)第二示范性實(shí)施例的像素區(qū)域不是第一示范 性實(shí)施例的矩形，而是大致的Z形。次像素電極182是夾子(clamp)形狀或旋轉(zhuǎn)的V形，其中一端鄰近第 一存儲電極線125a，另一端鄰近第二存儲電極線125b。主像素電極181包括以與次像素電極182的形狀相同的形狀位于次像素 電極182 —側(cè)的第一部分181a、從第一部分181a的兩端彎曲的第二部分181b 和第三部分181c、以及從次i象素電極182的兩端彎曲并平行于第二部分181b 和第三部分181c布置的第四部分181d和第五部分181e。第一至第五部分181a、 181b、 181c、 181d和181e整體形成但被第二像 素電極切割圖案184分割。第二像素電極切割圖案184形成于第 一部分181 a 和第二部分181b之間、第二部分181b和第四部分181d之間、以及第二部 分181b和第五部分181e之間。第一像素電極切割圖案183形成于第一部分 181a和次像素電極182之間、次像素電極182和第四部分181d之間、以及 次像素電極182和第五部分181e之間。形成第一和第二像素電極切割圖案 183和184以與公共電極切割圖案(沒有示出) 一起將液晶層300分成多個(gè) 領(lǐng)域。在第二示范性實(shí)施例中，主像素電極181和次像素電極182也通過第二
薄膜晶體管T2連接。第二源電極134連接至主像素電極181的第五部分181e。 第二漏電極135跨過第五部分181e連接至次像素電極182。次像素電極182 的殘余電荷在柵極導(dǎo)通電壓施加到第n柵極線120n之前通過第(n-l)柵極 線120^排放到主像素電極181中。通過排放積累的電荷，能夠防止電壓的 偏移，因此可以改善閃爍和殘像問題。如上所述，本發(fā)明提供一種液晶顯示器，其中可防止由閃爍引起的殘像。 對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯見的是在本發(fā)明中可以作出各種修改和變化而不 偏離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明意在覆蓋該發(fā)明的修改和變化，只 要它們落在所附權(quán)利要求書及其等價(jià)物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包含第一絕緣基板；多條柵極線，形成于所述第一絕緣基板上；數(shù)據(jù)線，與所述多條柵極線交叉從而形成像素區(qū)域；像素電極，通過像素電極切割圖案分成主像素電極和次像素電極且設(shè)置于所述像素區(qū)域內(nèi)；第一薄膜晶體管，包含連接至所述主像素電極的漏電極，且該漏電極與所述次像素電極交疊，保護(hù)膜置于它們之間；以及第二薄膜晶體管，包含連接至前柵極線的控制端、連接至所述次像素電極的輸入端、以及連接至所述主像素電極的輸出端。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述第二薄膜晶體管的電容是 所述第一薄膜晶體管的電容的約1/100-1/5。
3. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述主像素電極和所述漏電極 經(jīng)由形成于所述保護(hù)膜內(nèi)的接觸孔彼此接觸。
4. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中分別地所述輸入端接觸所述次 像素電極且所述輸出端接觸所述主像素電極。
5. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其中所述像素電極切割圖案包括相 對于所述柵極線以45°或135°角傾斜的傾斜圖案。
6. 如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器,其中所述次像素電極在根據(jù)所述柵 極線延伸方向的邊界包含夾子形狀，所述主像素電極圍繞所述次像素電極的 部分周邊。
7. 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其中所述主像素電極包含第一部 分，以與所述次像素電極的形狀相同的形狀位于所述次像素電極一側(cè)；第二 部分和第三部分，從所述主像素電極兩端彎曲；以及第四部分和第五部分， 從所述次像素電極兩端彎曲且平行于所述第二部分和所述第三部分布置。
8. 如權(quán)利要求1所述液晶顯示器，還包含形成于所述像素區(qū)域內(nèi)的存儲 電極。
9. 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中所述存儲電極與所述柵極線和 所述數(shù)據(jù)線中的至少 一個(gè)平行地布置。
10. 如權(quán)利要求5所述液晶顯示器，還包含 第二絕緣基板，與所述第一絕緣基板相對；以及 液晶層，在所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板之間， 其中液晶層為垂直取向VA模式。
11. 如權(quán)利要求IO所述的液晶顯示器，其中所述第二絕緣基板包含帶有 公共電極切割圖案的公共電極。
12. 如權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其中所述公共電極切割圖案平行 于所述像素電極切割圖案。
13. —種液晶顯示器，包含 絕緣基板；多條柵極線，形成于所述絕緣基板上；數(shù)據(jù)線，與所述多條柵極線交叉從而形成像素區(qū)域；像素電極，通過像素電極切割圖案分成主像素電極和次像素電極且設(shè)置 于所述^^素區(qū)域內(nèi)，以及連接薄膜晶體管，其包含連接至前柵極線的控制端、連接至所述次像素 電極的輸入端、以及連接至所述主像素電極的輸出端。
14. 如權(quán)利要求13所述液晶顯示器，還包含像素薄膜晶體管，其含有連 接至所述主像素電極的輸出端，且該輸出端與所述次像素電極交疊，保護(hù)膜 置于它們之間。
15. 如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其中所述連接薄膜晶體管的溝道 區(qū)域是所述像素薄膜晶體管的溝道區(qū)域的寬度的約1/100-1/5。
16. 如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其中所述主像素電極和所述輸出 端經(jīng)由形成于所述保護(hù)膜中的接觸孔彼此接觸。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器，其包括第一絕緣基板；多條柵極線，形成于所述第一絕緣基板上；數(shù)據(jù)線，與所述多條柵極線交叉從而形成像素區(qū)域；像素電極，通過像素電極切割圖案分成主像素電極和次像素電極且設(shè)置于所述像素區(qū)域內(nèi)；第一薄膜晶體管，包含連接至所述主像素電極的漏電極，且該漏電極與所述次像素電極交疊，保護(hù)膜置于它們之間；以及第二薄膜晶體管，包含連接至前柵極線的控制端、連接至所述次像素電極的輸入端、以及連接至所述主像素電極的輸出端。
文檔編號G02F1/1362GK101149549SQ20071014540
公開日2008年3月26日 申請日期2007年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月19日
發(fā)明者嚴(yán)允成, 劉惠蘭, 文鉉喆, 樸乘范, 柳在鎮(zhèn), 柳承厚, 都熙旭 申請人:三星電子株式會社