專利名稱：電光裝置用基板及電光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如用于液晶裝置等的電光裝置中的電光裝置用基板，及 具備該電光裝置用基板的電光裝置，以及具備有該電光裝置的，例如液晶 投影機(jī)等的電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
作為這種電光裝置的一例的液晶裝置，不僅用作直視型顯示器，例如 還多用作投影型顯示裝置的光調(diào)制單元(光閥)，尤其在投影型顯示裝置 的情況下，因?yàn)閬碜怨庠吹膹?qiáng)光入射液晶光閥，所以為了不因該光而使液晶光閥內(nèi)的薄膜晶體管(TFT: Thin Film Transistor,薄膜晶體管)發(fā)生 泄漏電流的增大、誤動(dòng)作等，作為遮擋入射光的遮光單元的遮光膜內(nèi)置于 液晶光閥內(nèi)。關(guān)于如此的遮光單元或者遮光膜，例如專利文獻(xiàn)1， ^^開了 在TFT的溝道區(qū)域中，通過作為柵電極而起作用的掃描線進(jìn)行遮光的技 術(shù).若依照于專利文獻(xiàn)2，則通過設(shè)置形成于溝道區(qū)域上的多層遮光膜， 和對(duì)內(nèi)面反射光進(jìn)行吸收的層而減少到達(dá)TFT的溝道區(qū)域的光。專利文獻(xiàn) 3，公開了可以確保TFT的合適的工作及使掃描線狹窄化，并盡量減少入 射TFT的溝道區(qū)域的入射光的技術(shù)。另一方面，在這種電光裝置中，在J41上的形成有遮光膜的區(qū)域，即 在基板上不使光透射的區(qū)域，設(shè)置通過暫時(shí)保持供給于像素電極的圖像信 號(hào)而將像素電極的電位保持一定期間的保持電容。如此的保持電容，還能 夠?qū)樵摫３蛛娙莸臉?gòu)成要件的電極兼用作遮光膜，并對(duì)TFT進(jìn)行遮光。專利文獻(xiàn)1特開2004-4722號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2特許3731447號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3特開2003-262888號(hào)公報(bào)但是，例如，在形成于溝道區(qū)域和源漏區(qū)域之間的，例如LDD( Lightly Doped Drain,輕摻雜漏)區(qū)域等的結(jié)區(qū)域照射了光的情況下，有在結(jié)區(qū)域 產(chǎn)生光泄漏電流的問題點(diǎn)，對(duì)于如此的問題點(diǎn)，雖然可考慮在溝道區(qū)域的 兩側(cè)的各自的結(jié)區(qū)域上設(shè)置遮光單元，但是從顯示性能的觀點(diǎn)則優(yōu)選使 在像素中光實(shí)際透射的開口區(qū)域狹窄。另一方面，本申請(qǐng)發(fā)明人推測(cè)在下，與在連接于數(shù)據(jù)線的源漏區(qū)域和^ 的情況相比較，TFT中的光泄漏電流更容易產(chǎn)生。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述問題點(diǎn)等所作出，例如，為以有源矩陣方式所驅(qū)動(dòng)的 液晶裝置等的電光裝置，目的在于提供用于實(shí)現(xiàn)高的開口率，并可以有效 減少TFT中的光泄漏電流的發(fā)生的電光裝置中的電光裝置用M，及具備 有如此的電光裝置用M的電光裝置，以及電子設(shè)備。本發(fā)明中的第1電光裝置用基板為了解決上述問題，具備基板；多 條數(shù)據(jù)線及多條掃描線，其在前述基板上互相交叉；像素電極，其與前述 多條數(shù)據(jù)線及前述多條掃描線的交叉處對(duì)應(yīng)，且分別形成于構(gòu)成前述M 上的顯示區(qū)域的多個(gè)像素；晶體管，其設(shè)置于互相隔開前述多個(gè)像素的各 自的開口區(qū)域的非開口區(qū)域，包括具有以下區(qū)域的半導(dǎo)體層具有沿前述 顯示區(qū)域中的一個(gè)方向的溝道長(zhǎng)的溝道區(qū)域，電連接于前述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù) 線側(cè)源漏區(qū)域，電連接于前述像素電極的像素電極側(cè)源漏區(qū)域，形成于前 述溝道區(qū)域及前述數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域間的第1結(jié)區(qū)域，和形成于前述溝道 區(qū)域及前述像素電極側(cè)源漏區(qū)域間的第2結(jié)區(qū)域；和遮光部，其形成于與 前述半導(dǎo)體層相比的上層側(cè)，具有沿前述一個(gè)方向延伸并覆蓋前述第1結(jié) 區(qū)域的第l部分，和覆蓋前述第2結(jié)區(qū)域的第2部分，與前述第l部分相 比，該第2部分在相交于前述一個(gè)方向的另一個(gè)方向上的寬度寬。
若依照于本發(fā)明中的第1電光裝置用基板，例如，可從數(shù)據(jù)線向像素 電極控制圖像信號(hào)，可以進(jìn)行由所謂有源矩陣方式引起的圖像顯示。再者， 圖像信號(hào)，通過開關(guān)電連接于數(shù)據(jù)線及像素電極間的晶體管，以預(yù)定的定時(shí)從數(shù)據(jù)線通過晶體管供給4象素電極。像素電極，是由例如ITO (Indium TinOxide，氧化銦錫)等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的透明電極，對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線 及掃描線的交叉，矩陣狀地多個(gè)設(shè)置于在基板上應(yīng)當(dāng)成為顯示區(qū)域的區(qū)域。 晶體管包括具有溝道區(qū)域、數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域及像素電極側(cè)源漏區(qū)域 的半導(dǎo)體層。例如，重疊于溝道區(qū)域地形成柵電極。晶體管設(shè)置于互相隔開多個(gè)像素的各自的開口區(qū)域的非開口區(qū)域。在此，本發(fā)明中的所謂"開 口區(qū)域"，為光實(shí)際透射的像素內(nèi)的區(qū)域，例如，為形成像素電極的區(qū)域， 為根據(jù)透射率的改變而可以使逸出液晶等的電光物質(zhì)的出射光的灰度等級(jí) 發(fā)生變化的區(qū)域。換言之，是所謂"開口區(qū)域"，是指聚光于像素的光不 被不讓光透射或者光透射率相比較于透明電極而言相對(duì)地小的布線、遮光 膜、及各種元件等的遮光體所遮擋的區(qū)域。本發(fā)明中的所謂"非開口區(qū)域"， 是指有助于顯示的光不進(jìn)行透射的區(qū)域，且指例如在像素內(nèi)配設(shè)有非透明的布線或者電極或各種元件等的遮光體的區(qū)域。溝道區(qū)域具有沿顯示區(qū)域中的一個(gè)方向的溝道長(zhǎng)。本發(fā)明中的所謂"一 個(gè)方向"，例如是指在基板上規(guī)定為矩陣狀的多個(gè)像素的行方向，即排列 多條數(shù)據(jù)線的排列方向或者多條掃描線的各線延伸的方向(即X方向)； 或例如指在基板上規(guī)定為矩陣狀的多個(gè)像素的列方向，即排列多條掃描線 的排列方向或者多條數(shù)據(jù)線的各線延伸的方向(即Y方向)，數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域與數(shù)據(jù)線互相電連接，像素電極側(cè)源漏區(qū)域與像素 電極互相電連接。進(jìn)而，在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域與數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間 形成第l結(jié)區(qū)域，在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域與像素電極側(cè)源漏區(qū)域之間形成 第2結(jié)區(qū)域。第1結(jié)區(qū)域，為形成于溝道區(qū)域與數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的結(jié)合 部的區(qū)域；第2結(jié)區(qū)域，為形成于溝道區(qū)域與像素電極側(cè)源漏區(qū)域的結(jié)合 部的區(qū)域。即，第1及第2結(jié)區(qū)域，例如，是指晶體管作為例如PNP型或 者NPN型晶體管(即，N溝道型或者P溝道型晶體管)所形成的情況下 的PN結(jié)區(qū)域、晶體管具有LDD結(jié)構(gòu)的情況下的LDD區(qū)域(即，通過例
如離子滲入法等的雜質(zhì)注入而在半導(dǎo)體層注入雜質(zhì)的雜質(zhì)區(qū)域)。遮光部，在基板上的疊層結(jié)構(gòu)中典型性地形成于比半導(dǎo)體層上層側(cè)以 覆蓋半導(dǎo)體層。另外，遮光部，也可以在非開口區(qū)域中具有沿相交于一個(gè) 方向的其他方向進(jìn)行延伸的延伸部。遮光部，既可以為由如遮光膜地具有 遮光性的單層或者多層構(gòu)成的膜狀的遮光體，又可以為包括具有遮光性的電極的各種元件。遮光部，具有覆蓋第1結(jié)區(qū)域的第1部分，和覆蓋第2 結(jié)區(qū)域的第2部分。因而，能夠?qū)纳蠈觽?cè)入射第l及第2結(jié)區(qū)域的光， 分別通過第1及第2部分進(jìn)行遮光。從而，能夠減少第1及第2結(jié)區(qū)域中 的光泄漏電流的發(fā)生。在本發(fā)明中尤其是，遮光部中的覆蓋第2結(jié)區(qū)域的第2部分，構(gòu)成為 相交于一個(gè)方向的另 一個(gè)方向的寬度變得比覆蓋笫1結(jié)區(qū)域的第1部分寬。 即，第2部分，構(gòu)成為相對(duì)于沿例如Y方向延伸的半導(dǎo)體層，例如X方 向的寬度，變得比第l部分寬。換言之，第2部分沿另一個(gè)方向具有比第 l部分延伸得長(zhǎng)的延伸部。因而，能夠?qū)θ肷涞?結(jié)區(qū)域的光，比入射第l 結(jié)區(qū)域的光更可靠地進(jìn)行遮光。即，能夠使遮擋到達(dá)第2結(jié)區(qū)域的光的遮 光性，比遮擋到達(dá)第1結(jié)區(qū)域的光的遮光性進(jìn)一步提高(即，強(qiáng)化)。在 此，本申請(qǐng)發(fā)明人，推測(cè)為當(dāng)晶體管工作時(shí)，在笫2結(jié)區(qū)域中，相比較 于第1結(jié)區(qū)域光泄漏電流相對(duì)容易發(fā)生，從而，通過具有比第1部分寬的 寬度地形成第2部分，能夠提高對(duì)于光泄漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生的第2結(jié)區(qū) 域的遮光性，能夠有效降低流過晶體管的光泄漏電流。反之，通過覆蓋相 比較于第2結(jié)區(qū)域光泄漏電流相對(duì)難以發(fā)生的第1結(jié)區(qū)域的第1部分，形 成為具有比第2部分窄的寬度，能夠防止開口率的無效降低。即，雖然通過將第2部分的寬度形成得寬，使對(duì)于光泄漏電流相對(duì)容 易產(chǎn)生的第2結(jié)區(qū)域的遮光性提高；但是通過將第1部分的寬度形成得窄， 能夠防止開口率的無效降低。即，通過將對(duì)于光泄漏電流容易產(chǎn)生的第2 結(jié)區(qū)域的遮光性，以所謂的定點(diǎn)提高，不會(huì)招致開口率的無效降低，能夠 有效減小晶體管中的光泄漏電流。在此，所謂"開口率"是指將開口區(qū)域 及非開口區(qū)域相加后的像素的尺寸中開口區(qū)域的比例，并且開口率越大則 具備有本發(fā)明中的電光裝置用基板的電光裝置的顯示性能就越發(fā)提高。
如上所述，若依照于本發(fā)明中的第1電光裝置用a，則可以提供不 會(huì)招致開口率的無效降低，可以減少起因于光泄漏電流的發(fā)生而產(chǎn)生的閃 爍等的顯示不良的電光裝置。在本發(fā)明中的第1電光裝置用M的一個(gè)方式中，前述第2結(jié)區(qū)域， 為L(zhǎng)DD區(qū)域。若依照于該方式，則晶體管具有LDD結(jié)構(gòu)。因而，當(dāng)晶體管不工作 時(shí)，能夠降低流過數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域及像素電極側(cè)源漏區(qū)域的截止電流， 并且抑制當(dāng)晶體管工作時(shí)流過的導(dǎo)通電流的降低。在本發(fā)明中的第1電光裝置用基板的其他的方式中，前述遮光部，配 置于前述晶體管的正上方。若依照于該方式，則能夠進(jìn)一步減少在I41上的疊層結(jié)構(gòu)中的遮光部 及晶體管間相對(duì)于半導(dǎo)體層傾斜地進(jìn)行入射的光。更具體地，相比較于在 遮光部及晶體管間介有與遮光部有別的其他的遮光膜的情況，能夠^f吏遮光 部及晶體管的疊層方向的距離接近，可以通過遮光部遮擋相對(duì)于半導(dǎo)體層 的法線方向以大的角度傾斜入射該半導(dǎo)體層的光的該部分光量。在本發(fā)明中的第1電光裝置用基板的其他的方式中，前述遮光部，是 具有一對(duì)電容電極及夾持于該一對(duì)電容電極間的電介質(zhì)膜的電容元件；前 述電容元件，在通過前述數(shù)據(jù)線向前述像素電極供給了圖像信號(hào)時(shí)，對(duì)前 述像素電極的電位進(jìn)行保持。若依照于該方式，則電容元件，是對(duì)像素電極的電位暫時(shí)進(jìn)行保持的 保持電容。通過將電容元件兼用作遮光部，相比較于另外設(shè)置遮光膜的情 況，能夠使該電光裝置用基板中的電路構(gòu)成及構(gòu)成該電路的布線等的布局 簡(jiǎn)略化。在上述的遮光部為電容元件的方式中，前述一對(duì)電容電極的至少一方， 包括導(dǎo)電性遮光膜，若依照于該方式，則通過在晶體管上通過例如層間絕緣膜可以接近配 置的電容元件，對(duì)從上層側(cè)入射半導(dǎo)體層的光能夠可靠地進(jìn)行遮光。另外，作為導(dǎo)電性遮光膜，可舉出包括例如導(dǎo)電性多晶硅、鈦(Ti)、鉻(Cr)、 鴒(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等的高熔點(diǎn)金屬之中的至少一種金屬單質(zhì)、合金、金屬硅化物、聚硅化物、將他們疊層了的物質(zhì)或者鎢硅化物。本發(fā)明中的第2電光裝置用J41為了解決上述問題，具備基板；多 條數(shù)據(jù)線及多條掃描線，其在前述基板上互相交叉；像素電極，其與前述 多條數(shù)據(jù)線及前述多條掃描線的交叉處對(duì)應(yīng)，且分別形成于構(gòu)成前述J4！ 上的顯示區(qū)域的多個(gè)像素；晶體管，其具有(i)半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層具 有在互相隔開前述多個(gè)像素的各自的開口區(qū)域的非開口區(qū)域之中沿前述顯 示區(qū)域內(nèi)的第1方向延伸的第1區(qū)域中具有沿前述第1方向的溝道長(zhǎng)的溝 道區(qū)域、電連接于前述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域、電連接于前述〗象素電 極的像素電極側(cè)源漏區(qū)域、形成于前述溝道區(qū)域及前述數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域 間的第1結(jié)區(qū)域，和形成于前述溝道區(qū)域及前述像素電極側(cè)源漏區(qū)域間的 第2結(jié)區(qū)域，以及(ii)柵電極，該柵電極在前述非開口區(qū)域之中的沿相 交于前述第1方向的第2方向延伸的第2區(qū)域與前述第1區(qū)域相互交叉的 交叉區(qū)域中，與前述溝道區(qū)域重疊；和遮光部，其形成于與前述半導(dǎo)體層 相比的上層側(cè)，具有分別沿前述第1方向及笫2方向延伸的第1部分及第 2部分，以及在前述交叉區(qū)域中前述第1部分及前述第2部分相互交叉的 交叉部，前述第2結(jié)區(qū)域的至少一部分，在前述交叉區(qū)域中與前述交叉部 重疊，若依照于本發(fā)明中的第2電光裝置用基板，則與上述的本發(fā)明中的第 1電光裝置用基板大致同樣地，可以進(jìn)行圖像顯示。晶體管具有包括溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層，和重疊于該溝道區(qū)域的柵電極。 溝道區(qū)域，在互相隔開多個(gè)像素的各自的開口區(qū)域的非開口區(qū)域之中沿顯 示區(qū)域內(nèi)的第l方向延伸的第1區(qū)域中具有沿第l方向的溝道長(zhǎng)。在此， 本發(fā)明中的所謂"第1區(qū)域"，為在相互隔開相鄰的開口區(qū)域地在顯示區(qū) 域延伸為格子狀的非開口區(qū)域之中延伸于該顯示區(qū)域的第1方向的區(qū)域。 更具體地，為例如在基板上規(guī)定為矩陣狀的多個(gè)像素的列方向，即排列多 條掃描線的排列方向.交叉于多條掃描線的數(shù)據(jù)線，形成于第l區(qū)域；掃 描線形成于后述的第2區(qū)域。半導(dǎo)體層，具有形成于溝道區(qū)域及數(shù)據(jù)線側(cè) 源漏區(qū)域間的第l結(jié)區(qū)域，和形成于溝道區(qū)域及像素電極側(cè)源漏區(qū)域間的 第2結(jié)區(qū)域。即，半導(dǎo)體層，以溝道區(qū)域?yàn)榛鶞?zhǔn)，具有形成于數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之側(cè)的第1結(jié)區(qū)域和形成于像素電極側(cè)源漏區(qū)域之側(cè)的第2結(jié)區(qū)域。 柵電極，在非開口區(qū)域之中延伸于相交于第1方向的第2方向的第2 區(qū)域及第1區(qū)域相互交叉的交叉區(qū)域中重疊于溝道區(qū)域。在此，本發(fā)明中 的所謂"第2區(qū)域"，為例如在非開口區(qū)域之中配置有交叉于數(shù)據(jù)線的掃 描線的區(qū)域。柵電極，既可以是掃描線之中重疊于溝道區(qū)域的部分，又可 以是與掃描線有別地所設(shè)置的導(dǎo)電膜，如此的導(dǎo)電膜，通過接觸孔等的連 接單元而電連接于掃描線。本發(fā)明中的所謂"交叉區(qū)域"，為第l區(qū)域及 第2區(qū)域相交叉的區(qū)域，更具體地，在非開口區(qū)域之中位于互相相鄰的4 個(gè)像素的各自的開口區(qū)域相互的中間的區(qū)域。遮光部，在基板上的疊層結(jié)構(gòu)中形成于比半導(dǎo)體層上層側(cè)，具有分別 沿第1方向及第2方向延伸的第1部分及第2部分，以及在交叉區(qū)域中第 1部分及第2部分相互交叉的交叉部分。第1部分，以交叉區(qū)域?yàn)榛鶞?zhǔn)既 可以延伸于沿第1方向的一方，又可以沿第1方向朝向交叉區(qū)域的兩側(cè)而 延伸。并且，第2部分，從交叉區(qū)域沿第2方向延伸，第2部分，既可以 沿第2方向分別延伸于交叉區(qū)域的兩側(cè)，又可以延伸于單側(cè)?？偠灾?， 遮光部，只要具有分別延伸于以位于交叉區(qū)域的交叉部為基準(zhǔn)互相交叉的 第1方向及第2方向的部分即可。若從提高遮擋到達(dá)第2結(jié)區(qū)域的光的遮 光性的觀點(diǎn)來看，則優(yōu)選第2部分分別延伸于交叉區(qū)域的兩側(cè)。在本發(fā)明中尤其是，第2結(jié)區(qū)域的至少一部分，在交叉區(qū)域中與交叉 部重疊。例如，半導(dǎo)體層，也可以配置為第2結(jié)區(qū)域在交叉區(qū)域中與交 叉部重疊，并且第1結(jié)區(qū)域不與交叉部重疊。如上述地，本申請(qǐng)發(fā)明人， 推測(cè)為當(dāng)晶體管工作時(shí)，在第2結(jié)區(qū)域中，相比較于第l結(jié)區(qū)域光泄漏 電流相對(duì)容易發(fā)生。交叉部及第2部分，由于第2結(jié)區(qū)域的至少一部分重 疊于交叉部，相比較于第2結(jié)區(qū)域不重疊于交叉部的情況，能夠減少照射 于該第2結(jié)區(qū)域的光，更具體地，在第1方向上，沿第l部分的表面相對(duì) 于該表面的法線方向以大的角度傾斜地入射笫2結(jié)區(qū)域的入射光，因?yàn)榈?1部分沿第1方向延伸，所以被第1部分所遮光。另一方面，在第2方向 上，沿第2部分的表面相對(duì)于該表面的法線方向以大的角度傾斜地入射第 2結(jié)區(qū)域的入射光，則通過交叉部及沿第1方向延伸的第2部分所遮光。
因而，通過使第2結(jié)區(qū)域重疊于交叉部，能夠提高對(duì)于第2結(jié)區(qū)域的遮光 性。從而，因?yàn)樘岣邔?duì)于光泄漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生的第2結(jié)區(qū)域的遮光性， 所以不必加寬例如遮光部的第l部分或者第2部分的寬度。即，若依照于 本發(fā)明，則雖然使對(duì)于第2結(jié)區(qū)域的遮光性提高，但是也幾乎或者完全不 會(huì)招致開口率的降低，另外，從使開口率提高的觀點(diǎn)優(yōu)選遮光部的第l部 分及第2部分的寬度變窄。即，優(yōu)選交叉部變小。與第2結(jié)區(qū)域相比較， 光泄漏電流難以發(fā)生的第1結(jié)區(qū)域，也可以不重疊于交叉部。如上所述，若依照于本發(fā)明中的第2電光裝置用基板，則可以提供不 會(huì)招致開口率的無效降低，可以減少起因于光泄漏電流的發(fā)生而產(chǎn)生的閃 爍等的顯示不良的電光裝置。在本發(fā)明中的第2電光裝置用基板的一個(gè)方式中，前述第2結(jié)區(qū)域， 為L(zhǎng)DD區(qū)域。若依照于該方式，則在晶體管不工作時(shí)，能夠降低流過數(shù)據(jù)線側(cè)源漏 區(qū)域及像素電極側(cè)源漏區(qū)域的截止電流，并且抑制當(dāng)晶體管工作時(shí)流過的 導(dǎo)通電流的降低。在本發(fā)明中的第2電光裝置用M的其他的方式中，前述柵電極，具 有在前述第2區(qū)域中沿前述第2方向延伸的主線部；和在前述第1區(qū)域中， 從前述主線部沿前述第1方向向前述第1結(jié)區(qū)域之側(cè)突出的凸部.在該方式中，因?yàn)榘凑沼删w管所要求的元件特性而設(shè)定溝道長(zhǎng)，所 以對(duì)溝道區(qū)域的大小或者沿該溝道長(zhǎng)的半導(dǎo)體層的長(zhǎng)度的改變而使得笫2 結(jié)區(qū)域重疊于交叉部，變成對(duì)原來的晶體管的元件特性進(jìn)行改變。從而， 即使減少了光泄漏電流的發(fā)生，但對(duì)由晶體管所要求的開關(guān)特性等的元件 特性自身也帶來改變，在得到能夠降低光泄漏電流的優(yōu)點(diǎn)的反面，變得不 能得到原來的元件特性。尤其是，在溝道長(zhǎng)為柵電極的主線部的寬度以上 的情況下，由于第2結(jié)區(qū)域的至少一部分重疊于交叉部而溝道區(qū)域沿第1 方向從主線部超出。但是若依照于本方式，則因?yàn)闁烹姌O，具有從主線部沿第1方向突出 于第1結(jié)區(qū)域之側(cè)的凸部，所以即使沿第1方向偏離于第1結(jié)區(qū)域之側(cè)而 設(shè)置溝道區(qū)域，仍能夠重疊于溝道區(qū)域而配置柵電極。進(jìn)而，凸部，因?yàn)?重疊于沿第1方向延伸的第1部分，所以也不會(huì)使非開口區(qū)域增大。從而， 不會(huì)使開口率降低，能夠在溝道區(qū)域重疊配置柵電極。在上述的，柵電極具有凸部的方式中，也可以前述柵電極，具有部 分切去前述主線部的凹部以使得在前述交叉區(qū)域中前述主線部不重疊于前 述第2結(jié)區(qū)域。若依照于該方式，則能夠雖然使得柵電極不重疊于第2結(jié)區(qū)域，但是 使第2結(jié)區(qū)域重疊于交叉部中的靠中央。在本發(fā)明中的第2電光裝置用基板的其他的方式中，前述遮光部，配 置于前述晶體管的正上方。若依照于該方式，則能夠進(jìn)一步減少在遮光部及晶體管間相對(duì)于半導(dǎo) 體層傾斜地進(jìn)行入射的光。在本發(fā)明中的第2電光裝置用基仗的其他的方式中，前述遮光部，是 具有一對(duì)電容電極及夾持于該一對(duì)電容電極間的電介質(zhì)膜的電容元件；前 述電容元件，在通過前述數(shù)據(jù)線向前述像素電極供給了圖像信號(hào)時(shí)，對(duì)前 述像素電極的電位進(jìn)行保持。若依照于該方式，則通過將電容元件兼用作遮光部，相比較于另外設(shè) 置遮光膜的情況，能夠使該電光裝置用基板中的電路構(gòu)成及構(gòu)成該電路的 布線等的布局簡(jiǎn)略化。在上述的，遮光部為電容元件的方式中，前述一對(duì)電容電極的各自， 由金屬膜所形成。若依照于該方式，則電容元件具有疊層了金屬膜-電介質(zhì)膜(絕緣膜) -金屬膜的所謂MIM (Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)結(jié)構(gòu)。 若依照于如此的電容元件，則能夠降低相應(yīng)于供給于一對(duì)電容電極的各種 信號(hào)而由該一對(duì)電容電極所消耗的消耗電力。加之，因?yàn)橄啾容^于半導(dǎo)體 層而導(dǎo)電率高，相應(yīng)于該圖像信號(hào)的供給而相應(yīng)于圖像信號(hào)的電位可立即 供給于像素電極，所以可以提高像質(zhì).在上述的，遮光部為電容元件的方式中，前述一對(duì)電容電極的一方， 由半導(dǎo)體所形成。若依照于該方式，則電容元件具有疊層了金屬膜-電介質(zhì)膜(絕緣膜) 曙半導(dǎo)體膜的所謂MIS (Metal-Insulator-Semiconductor，金屬-絕緣體-半 導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)。若依照于如此的電容元件，則還能夠?qū)⒗绯蔀橐环降碾娙?電極的半導(dǎo)體層電連接于像素電極。本發(fā)明中的電光裝置為了解決上述問題，具備上述的本發(fā)明中的第1 或第2電光裝置用基板。若依照于本發(fā)明中的電光裝置，則因?yàn)榫邆渖鲜龅谋景l(fā)明中的第l或 第2電光裝置用141，所以能夠提供顯示性能優(yōu)良的電光裝置。本發(fā)明中的電子設(shè)備為了解決上述問題，具備上述的本發(fā)明中的電光 裝置。若依照于本發(fā)明中的電子設(shè)備，則因?yàn)榫邆渖鲜龅谋景l(fā)明中的電光裝 置，所以能夠?qū)崿F(xiàn)可以進(jìn)行高質(zhì)量的顯示的投影型顯示裝置、電子筆記本、 文字處理器、取景器型或監(jiān)視器直視型的磁帶錄像機(jī)、工作站、電視電話 機(jī)、POS終端、觸摸面板等的各種電子設(shè)備。并且，作為本發(fā)明中的電子 設(shè)備，例如還可以實(shí)現(xiàn)電子紙等的電泳裝置。本發(fā)明的作用及其他的優(yōu)點(diǎn)可從以下進(jìn)行說明的用于實(shí)施的最佳方式 所明了 。


圖l是表示第1實(shí)施方式中的液晶裝置的整體構(gòu)成的平面圖。 圖2是圖1的H-H，線剖面圖。圖3是第1實(shí)施方式中的液晶裝置的多個(gè)像素部的等效電路圖。 圖4是第1實(shí)施方式中的液晶裝置的多個(gè)像素部的平面圖。 圖5是圖4的A-A，線剖面圖。圖6是表示第1實(shí)施方式中的液晶裝置的存儲(chǔ)電容的平面形狀的平面圖。圖7是表示TEG中的光照射位置與漏電流的關(guān)系的坐標(biāo)圖。 圖8是表示在漏側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生了光激勵(lì)的情況下的栽流子的動(dòng)作的 概念圖。圖9是表示在源側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生了光激勵(lì)的情況下的載流子的動(dòng)作的 概念圖。圖10是表示在數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢坏那闆r下在數(shù)據(jù)線側(cè)結(jié)區(qū)域發(fā)生了光激勵(lì)時(shí)的載流子的動(dòng)作的概念圖。圖11是表示在像素電極側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢坏那闆r下在像素電極側(cè) 結(jié)區(qū)域發(fā)生了光激勵(lì)時(shí)的載流子的動(dòng)作的概念圖。圖12是表示向像素開關(guān)用的TFT整體照射了光時(shí)的像素電極電位的 波形的波形圖。圖13是第2實(shí)施方式中的與圖6相同主旨的平面圖。圖14是第3實(shí)施方式中的與圖4相同主旨的平面圖。圖15是圖14的B-B，線剖面圖。圖16是第3實(shí)施方式中的與圖6相同主旨的平面圖。圖17是表示為應(yīng)用了電光裝置的電子設(shè)備的一例的投影機(jī)的構(gòu)成的 平面圖。符號(hào)說明la…半導(dǎo)體層，la，…溝道區(qū)域，lb…數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域，lc…像 素電極側(cè)LDD區(qū)域，ld…數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，le…像素電極側(cè)源漏區(qū)域， 7…采樣電路，3a、 3c…掃描線，3b…柵電極，6a…數(shù)據(jù)線，9a…像素電 極，10…TFT陣列基板，10a…像素顯示區(qū)域，20…對(duì)向基板，21…對(duì)向 電極，23…遮光膜，30…TFT， 50…液晶層，70a、 70b、 70c…存儲(chǔ)電容， 71m、 71n、 71s…下部電容電極，81a、 83a…接觸孔，101…數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電 路，102…外部電路連接端子，104…掃描線驅(qū)動(dòng)電路，106…上下導(dǎo)通端子， 150…凹部，160…凹部，300a、 300b、 300c…上部電容電極，301…第1 部分，302…第2部分，交叉部…CD， Dl…第1區(qū)域，D2…第2區(qū)域，Px… 笫l部分，Py…第2部分具體實(shí)施方式
以下參照附圖，對(duì)本發(fā)明中的電光裝置用基板及電光裝置以及電子設(shè) 備的各實(shí)施方式進(jìn)行說明，另外，在本實(shí)施方式中，作為電光裝置的一例， 舉驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置型的TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的液晶裝置為例。
第1實(shí)施方式首先，關(guān)于本實(shí)施方式中的液晶裝置的整體構(gòu)成，參照?qǐng)D1及圖2進(jìn) 行說明。在此圖l,是從對(duì)向基板之側(cè)看TFT陣列基板與形成于其上的各 構(gòu)成要件的液晶裝置的平面圖；圖2，是圖1的H-H'線的剖面圖。在圖l及圖2中，在本實(shí)施方式中的液晶裝置中，對(duì)向配置有TFT陣 列基板10和對(duì)向基板20。在TFT陣列14110與對(duì)向基板20之間封入液 晶層50。 TFT陣列基板10與對(duì)向基板20，通過設(shè)置有多個(gè)像素部的，設(shè) 置于位于作為本發(fā)明中的"顯示區(qū)域"的一例的圖像顯示區(qū)域10a的周圍 的密封區(qū)域的密封材料52相互粘接。密封材料52，由用于使兩M貼合的例如紫外線固化樹脂、熱固化樹 脂等構(gòu)成，在制造過程中涂敷于TFT陣列基板10上之后，通過紫外線照 射、加熱等使之固化。在密封材料52中，散布用于使TFT陣列基板10與 對(duì)向基板20的間隔(即，M間間隙)成為預(yù)定值的玻璃纖維或者玻璃珠 等的間隙材料。本實(shí)施方式中的液晶裝置為小型且適于進(jìn)行放大顯示，用 于投影機(jī)的光閥。并行于配置有密封材料52的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)，對(duì)圖像顯示區(qū)域10a 的框緣區(qū)域進(jìn)行規(guī)定的遮光性的框緣遮光膜53，設(shè)置于對(duì)向基板20側(cè)。 但是，如此的框緣遮光膜53的一部分或全部，也可以設(shè)置于TFT陣列基 板10側(cè)作為內(nèi)置遮光膜。周邊區(qū)域之中，在位于配置有密封材料52的密封區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域， 沿TFT陣列基板10的一條邊而設(shè)置數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101及外部電路連接 端子102。掃描線驅(qū)動(dòng)電路104設(shè)置成沿與該一邊相鄰的2邊且被框緣遮 光膜53所覆蓋。進(jìn)而，為了連接如此地設(shè)置于圖像顯示區(qū)域10a的兩側(cè)的 二個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路104間，沿TFT陣列基敗IO的剩余一邊，且被框緣 遮光膜53所覆蓋地設(shè)置多條布線105。在對(duì)向g20的4個(gè)角部的區(qū)域，配置作為兩M間的上下導(dǎo)通端子 而起作用的上下導(dǎo)通材料106。另一方面，在TFT陣列基板10對(duì)向于這 些角部的區(qū)域中設(shè)置上下導(dǎo)通端子。由此，能夠在TFT陣列基板10與對(duì) 向基板20之間取得電導(dǎo)通。
在圖2中，在TFT陣列基板10上，在形成有像素開關(guān)用的TFT、掃 描線、數(shù)據(jù)線等的布線之后的像素電極9a上，形成取向膜。另一方面，在 對(duì)向基板20上，除了對(duì)向電極21之外，還形成格子狀或條帶狀的遮光膜 23，進(jìn)而在最上層部分形成取向膜。液晶層50，例如由一種或混合了數(shù)種 的向列型液晶的液晶構(gòu)成，在這一對(duì)取向膜間，取預(yù)定的取向狀態(tài)。TFT陣列基板10例如為石英J41，玻璃基板，硅基板等的透明基板。 對(duì)向基板20與TFT陣列基板10同樣地也為透明H在TFT陣列基板IO，設(shè)置像素電極9a，在其上側(cè)，設(shè)置實(shí)施了摩擦 處理等的預(yù)定的取向處理的取向膜。例如，像素電極9a由ITO膜等的透 明導(dǎo)電膜構(gòu)成，取向膜由聚酰亞胺膜等的有機(jī)膜構(gòu)成。在對(duì)向基板20，遍及其整面設(shè)置對(duì)向電極21，在其下側(cè)，設(shè)置實(shí)施了 摩擦處理等的預(yù)定的取向處理的取向膜22。對(duì)向電極21例如由ITO膜等 的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。取向膜22由聚酰亞胺膜等的有機(jī)膜構(gòu)成。在對(duì)向基板20，也可以設(shè)置格子狀或條帶狀的遮光膜。通過采用如此 的構(gòu)成，與作為后述的上部電容電極300所設(shè)置的上側(cè)遮光膜一并，能夠 更可靠地阻止來自TFT陣列基板10側(cè)的入射光向溝道區(qū)域la，乃至其周 邊的侵入。這樣構(gòu)成后，在使像素電極9a與對(duì)向電極21相面對(duì)地配置的TFT陣 列基板10與對(duì)向基板20之間，形成液晶層50。液晶層50，在未施加來自 像素電極9a的電場(chǎng)的狀態(tài)下，通過取向膜而取預(yù)定的取向狀態(tài).另外，在示于圖l及圖2的TFT陣列基板10上，除了這些數(shù)據(jù)線驅(qū) 動(dòng)電路IOI、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104等的驅(qū)動(dòng)電路之外，還可以形成對(duì)圖 像信號(hào)線上的圖像信號(hào)進(jìn)行采樣而供給數(shù)據(jù)線的采樣電路；先于圖像信號(hào)將預(yù)定電壓電平的預(yù)充電信號(hào)分別供給多條數(shù)據(jù)線的預(yù)充電電路；用于對(duì)制造過程中、出廠時(shí)的該電光裝置的質(zhì)量、缺陷等進(jìn)行檢查的檢查電路等。 接下來，關(guān)于本實(shí)施方式中的液晶裝置的像素部的電連接構(gòu)成，參照?qǐng)D3進(jìn)行說明。在此，圖3為構(gòu)成本實(shí)施方式中的液晶裝置的圖像顯示區(qū) 域的矩陣狀形成的多個(gè)像素中的各種元件、布線等的等效電路圖。在圖3中，分別在構(gòu)成圖像顯示區(qū)域10a的矩陣狀形成的多個(gè)像素中， 形成像素電極9a及為本發(fā)明中的"晶體管"的一例的TFT30。 TFT30電 連接于l象素電極9a，在液晶裝置工作時(shí)對(duì)像素電極9a進(jìn)行開關(guān)控制。供 給圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線6a，電連接于TFT30的源極。寫入數(shù)據(jù)線6a的圖像 信號(hào)S1、 S2、…、Sn，既可以按照該順序線順序地進(jìn)行供給，也可以對(duì)于 相鄰的多條數(shù)據(jù)線6a按組進(jìn)行供給。TFT30的柵極與掃描線3a電連接，液晶裝置1構(gòu)成為以預(yù)定的定時(shí)，脈沖性地將掃描信號(hào)G1、 G2.....Gm，按該順序以線順序施加到掃描線3a。像素電極9a電連接于TFT30的漏極，通過使作為開關(guān)元件的 TFT30僅閉合其開關(guān)一定期間，從數(shù)據(jù)線6a所供給的圖像信號(hào)S1、S2、...、 Sn以預(yù)定的定時(shí)寫入。通過像素電極9a寫入作為電光物質(zhì)的一例的液晶的預(yù)定電平的圖像信號(hào)S1、 S2.....Sn，在與形成于對(duì)向基板的對(duì)向電極之間保持一定期間。構(gòu)成液晶層50的液晶的分子集合的取向、秩序由于所施加的電壓電平 而發(fā)生變化，從而可對(duì)光進(jìn)行調(diào)制，并可以進(jìn)行灰度等級(jí)顯示。若為常白 模式，則根據(jù)以各像素為單位所施加的電壓，入射光的透射率減少；若為常黑模式，則根據(jù)以各像素為單位所施加的電壓，入射光的透射率增加；作為整體從液晶裝置出射具有相應(yīng)于圖像信號(hào)的對(duì)比度的光。在此，為了防止所保持的圖像信號(hào)發(fā)生泄漏，與形成于像素電極9a與對(duì)向電極之間的 液晶電容相并聯(lián)地電連接為本發(fā)明中的"遮光部"的一例的存儲(chǔ)電容70a。 存儲(chǔ)電容70a，是作為根據(jù)圖像信號(hào)的供給而對(duì)各像素電極9a的電位暫時(shí) 進(jìn)行保持的保持電容而起作用的電容元件。若依照于存儲(chǔ)電容70a,則像 素電極9a中的電位保持特性提高，并且對(duì)比度提高、閃爍減少的顯示特性 可以提高。接下來，關(guān)于實(shí)現(xiàn)上述的工作的像素部的具體的構(gòu)成，參照?qǐng)D4及圖 5進(jìn)行說明。在此，圖4是相鄰的多個(gè)像素部的平面圖.圖5是圖4的A-A， 線剖面圖。另外，在圖4及圖5中，為了使各層、各構(gòu)件在附圖上成為可 以辨識(shí)的程度的大小，按該各層、各構(gòu)件而使比例尺不同，在圖4及圖5 中，為了說明的方便，將位于比像素電極9a上側(cè)的部分的圖示省略。在圖 5中，從TFT陣列基板10到像素電極9a的部分，構(gòu)成本發(fā)明中的"電光
裝置用M"的一例。在圖4中，TFT陣列基板10上的圖像顯示區(qū)域10a，通過分別i殳置有 像素電極9a的多個(gè)像素構(gòu)成。像素電極9a在TFT陣列基敗10上矩陣狀地設(shè)置多個(gè)。分別沿像素電 極9a的縱橫的邊界設(shè)置數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a。掃描線3a沿X方向延伸； 而數(shù)據(jù)線6a則與掃描線3a相交叉地沿Y方向延伸。分別在掃描線3a及 數(shù)據(jù)線6a相互交叉之處設(shè)置像素開關(guān)用的TFT30。從TFT陣列基板10的平面上看，掃描線3a、數(shù)據(jù)線6a、存儲(chǔ)電容 70a、下側(cè)遮光膜lla、中繼層93及TFT30配置于包圍對(duì)應(yīng)于像素電極9a 的各像素的開口區(qū)域(即，在各4象素中，透射或反射實(shí)際有助于顯示的光 的區(qū)域)的非開口區(qū)域內(nèi)。即，這些掃描線3a、存儲(chǔ)電容70a、數(shù)據(jù)線6a、 下側(cè)遮光膜lla及TFT30,為了不妨礙顯示，并不配置于各像素的開口區(qū) 域，而配置于非開口區(qū)域內(nèi)，在圖4及圖5中，TFT30具備半導(dǎo)體層la，和成為柵電極的掃描線 3a的一部分。半導(dǎo)體層la例如由多晶硅構(gòu)成，有具有沿Y方向的溝道長(zhǎng)的溝道區(qū) 域la，、數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb及像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc以及數(shù)據(jù)線側(cè) 源漏區(qū)域ld及像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le構(gòu)成。即，TFT30具有LDD結(jié) 構(gòu)。另外，數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb為本發(fā)明的第l結(jié)區(qū)域的一例；像素電 極側(cè)LDD區(qū)域lc為本發(fā)明的第2結(jié)區(qū)域的一例。數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld及像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le，以溝道區(qū)域la， 為基準(zhǔn)，沿Y方向大致鏡像地形成。數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb形成于溝道區(qū) 域la，及數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld間。像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc形成于溝道 區(qū)域la，及像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le間。數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb、像素 電極側(cè)LDD區(qū)域lc、數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld及像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le， 為通過例如離子滲入法等的雜質(zhì)注入而在半導(dǎo)體層la注入雜質(zhì)形成的雜 質(zhì)區(qū)域。數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb及像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc，分別作為比 數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld及像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le雜質(zhì)少的低濃度雜質(zhì)區(qū) 域而形成。若依照于如此的雜質(zhì)區(qū)域，則在TFT30不工作時(shí)，減少流過源 區(qū)域及漏區(qū)域的截止電流，并且能夠抑制TFT30工作時(shí)流過的導(dǎo)通電流的 降低。另外，TFT30雖然優(yōu)選具有LDD結(jié)構(gòu)，但是既可以是在數(shù)據(jù)線側(cè) LDD區(qū)域lb、像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc不進(jìn)行雜質(zhì)注入的偏置結(jié)構(gòu)，又 可以為以柵電極為掩模高濃度地注入雜質(zhì)而形成數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域及像素 電極線側(cè)源漏區(qū)域的自調(diào)整型。如圖4及圖5， TFT30的柵電極作為掃描線3a的一部分形成，例如由 導(dǎo)電性多晶硅形成。掃描線3a具有沿X方向延伸的主線部分以及與在 TFT30的溝道區(qū)域la，之中該主線部分不重疊的區(qū)域重疊地沿Y方向從 該主線部分向兩側(cè)延伸的部分.在如此的掃描線3a之中與溝道區(qū)域la， 重疊的部分作為柵電極而起作用。柵電極及半導(dǎo)體層la間，通過柵絕緣膜 2 (更具體地，2層絕緣膜2a及2b )絕緣。在TFT30的下側(cè)隔著基底絕緣膜12設(shè)置為格子狀的下側(cè)遮光膜lla， 為TFT30的溝道區(qū)域la，及其周邊遮擋從TFT陣列基板10側(cè)入射裝置 內(nèi)的返回光。下側(cè)遮光膜lla例如由包括Ti、 Cr、 W、 Ta、 Mo、 Pd等的 高熔點(diǎn)金屬之中的至少一種的金屬單質(zhì)、合金、金屬硅化物、聚硅化物通 過疊層等構(gòu)成?；捉^緣膜12，除了從下側(cè)遮光膜lla對(duì)TFT30進(jìn)行層間絕緣的功 能之外，還具有通過形成于TFT陣列基板10的整面，防止因TFT陣列基 板10的表面的研磨時(shí)的粗糙、清洗后殘留的污漬等而導(dǎo)致像素開關(guān)用 TFT30的特性的劣化的功能。在圖5中，在TFT陣列基板10上的TFT30隔著層間絕緣膜41的更 上層側(cè)，設(shè)置存儲(chǔ)電容70a。存儲(chǔ)電容70a，由下部電容電極71m及上部 電容電極300隔著電介質(zhì)膜75a對(duì)向配置而形成。上部電容電極300，是電連接于TFT30的像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le 及像素電極9a的像素電位側(cè)電容電極，更具體地，上部電容電極300通過 接觸孔84a電連接于中繼層93，與中繼層93 —起對(duì)像素電極線側(cè)源漏區(qū) 域le及像素電極9a間的電連接進(jìn)行中繼。另外，中繼層93通過為中繼層 93的一部分的凸部93a及電連接于該凸部93a的接觸孔85a而電連接于像 素電極9a。從而，像素電極9a及上部電容電極300被電連接。
上部電容電極300為包括例如金屬或合金并設(shè)置于TFT30的上側(cè)的非 透明的金屬膜。上部電容電極300還作為對(duì)TFT30進(jìn)行遮光的上側(cè)遮光膜 (或者，內(nèi)置遮光膜)而起作用。上部電容電極300由Al(鋁)、Ag (銀) 等的金屬形成。另外，上部電容電極300作為本發(fā)明中的"導(dǎo)電性遮光膜"，例如， 也可以由包括鈦(Ti)、鉻(Cr)、鵠(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、 Pd (鈀)等的高熔點(diǎn)金屬之中至少一種金屬單質(zhì)、合金、金屬硅化物、聚 硅化物通過疊層而構(gòu)成。在該情況下，能夠進(jìn)一步提高上部電容電極300 作為上側(cè)遮光膜的功能。下部電容電極71m從配置有像素電極9a的圖像顯示區(qū)域10a延伸設(shè) 置于其周圍。下部電容電極71m恒壓源電連接，是維持為固定電位的固定 電位倆j電容電極。下部電容電極71m與上部電容電極300同樣地也為非透明的金屬膜。 從而，存儲(chǔ)電容70a具備具有金屬膜-電介質(zhì)膜(絕緣膜)-金屬膜的3層 結(jié)構(gòu)的所謂MIM結(jié)構(gòu)。在此，下部電容電極71m跨越多個(gè)像素地延伸， 由這些多個(gè)像素所共用。在本實(shí)施方式中尤其是，因?yàn)橄虏侩娙蓦姌O71m作為金屬膜形成，所 以相比較于采用半導(dǎo)體構(gòu)成下部電容電極71m的情況，在液晶裝置驅(qū)動(dòng)時(shí)， 能夠降低由該液晶裝置整體所消耗的消耗電力，并且各像素部中的元件可 以高速工作。從而，本實(shí)施方式中的液晶裝置可以進(jìn)行高質(zhì)量的圖《象顯示。電介質(zhì)膜75a具有由例如HTO( High Temperature Oxide,高溫氧化) 膜、LTO (Low Temperature Oxide，低溫氧化)膜等的氧化硅膜或者氮 化硅膜等所構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，或者多層結(jié)構(gòu).在圖5中，在TFT陣列14llO上的存儲(chǔ)電容70a隔著層間絕緣膜42 的更上層側(cè)，設(shè)置數(shù)據(jù)線6a及中繼層93。數(shù)據(jù)線6a通過貫通層間絕緣膜41及42以及柵絕緣膜2的接觸孔81a 電連接到半導(dǎo)體層la的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld。數(shù)據(jù)線6a及接觸孔81a內(nèi) 部，例如，由Al-Si-Cu、 Al-Cu等的含Al (鋁)材料，或A1單質(zhì)，或者 Al層和TiN層等的多層膜構(gòu)成。數(shù)據(jù)線6a還具有對(duì)TFT30進(jìn)行遮光的功 中繼層93在層間絕緣膜42上形成于與數(shù)據(jù)線6a同層。通過將例如以 金屬膜等的導(dǎo)電材料構(gòu)成的薄膜在層間絕緣膜42上采用薄膜形成法形成 后，將該薄膜部分去除即圖形化，從而在相互離開的狀態(tài)下形成數(shù)據(jù)線6a 及中繼層93。從而，因?yàn)槟軌蛞酝还ば蛐纬蓴?shù)據(jù)線6a及中繼層93,所 以能夠使裝置的制造過程簡(jiǎn)便。在圖5中，像素電極9a形成于數(shù)據(jù)線6a隔著層間絕緣膜43的更上層 側(cè)。像素電極9a通過上部電容電極300、接觸孔83a、 84a及85a以及中 繼層93而電連接于半導(dǎo)體層la的像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le。接觸孔85a 通過在開孔于層間絕緣膜43的孔部的內(nèi)壁，使ITO等的構(gòu)成像素電極9a 的導(dǎo)電材料成膜而形成。在像素電極9a的上側(cè)表面，設(shè)置實(shí)施了摩擦處理 等的預(yù)定的取向處理的取向膜。以上說明的像素部的構(gòu)成如圖4，在各像素部為共同.在圖像顯示區(qū) 域10a(參照?qǐng)Dl)，周期性地形成該像素部。另一方面，在本發(fā)明中的液 晶裝置中，在位于圖像顯示區(qū)域10a的周圍的周邊區(qū)域，如參照?qǐng)Dl及圖 2說明了地，形成掃描線驅(qū)動(dòng)電路104及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101等的驅(qū)動(dòng)電 路。接下來，關(guān)于構(gòu)成作為本實(shí)施方式中的液晶裝置的遮光部的存儲(chǔ)電容 的一對(duì)電容電極的平面形狀，參照?qǐng)D6詳細(xì)地進(jìn)行說明。在此，圖6是表 示構(gòu)成本實(shí)施方式中的液晶裝置的存儲(chǔ)電容的一對(duì)電容電極的平面形狀的 平面圖。另外，在圖6中，在構(gòu)成示于圖4的像素部的構(gòu)成要件之中，將 TFT30、掃描線3a及存儲(chǔ)電容70a進(jìn)行放大而表示。如圖6，構(gòu)成存儲(chǔ)電容70a的上部電容電極300，具有覆蓋數(shù)據(jù)線側(cè) LDD區(qū)域lb的第1部分301，和覆蓋像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的第2部 分302。因而，能夠?qū)纳蠈觽?cè)入射數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb及像素電極側(cè) LDD區(qū)域lc的光，分別通過第1部分301及第2部分302進(jìn)行遮光。從 而，能夠降低數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb及像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc中的光泄 漏電流的發(fā)生。在本實(shí)施方式中尤其是，上部電容電極300中的第2部分302，構(gòu)成 為X方向的寬度變得比第l部分301寬。即，第2部分302的X方向的 寬度W2，變得比第l部分301的X方向的寬度W1寬。因而，能夠?qū)θ?射像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的光，比入射數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb的光更可 靠地進(jìn)行遮光。即，能夠?qū)⒄趽醯竭_(dá)像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的光的遮光 性，比遮擋到達(dá)數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb的光的遮光性進(jìn)一步提高或者強(qiáng)化。 在此，如后所詳述，本申請(qǐng)發(fā)明人，推測(cè)為當(dāng)TFT30工作時(shí)，在4象素電 極側(cè)LDD區(qū)域lc中，相比較于數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb光泄漏電流相對(duì)容 易發(fā)生。即，推測(cè)為當(dāng)TFT30工作時(shí)，在對(duì)像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc 照射了光的情況下，比對(duì)數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb照射了光的情況，TFT30 中的光泄漏電流容易發(fā)生。從而，通過形成具有比第1部分301的寬度 Wl寬的寬度W2的第2部分302，能夠提高對(duì)于光泄漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生 的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的遮光性，能夠有效降低流過TFT30的光泄漏 電流。反之，通過覆蓋相比較于像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc光泄漏電流相對(duì) 難以發(fā)生的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb的第l部分301，形成為具有比第2部 分302窄的寬度W1，能夠防止開口率的無效降低。即，雖然通過將第2部分302的寬度W2形成得更寬，使對(duì)于光泄漏 電流相對(duì)容易產(chǎn)生的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的遮光性提高；但是通過將 第1部分301的寬度W1形成得更窄，能夠防止開口率的無效降低。即， 通過僅將對(duì)于光泄漏電流容易發(fā)生的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的遮光性， 以所謂的定點(diǎn)提高，不會(huì)招致開口率的無效降低，能夠有效減小晶體管中 的光泄漏電流。在此，關(guān)于當(dāng)上述的TFT30工作時(shí)，在像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc中， 相比較于數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb光泄漏電流相對(duì)容易發(fā)生的理由，參照從 圖7到圖12,詳細(xì)地進(jìn)行說明。首先，關(guān)于對(duì)在測(cè)試用的TFT照射了光的情況下的，漏電流的大小進(jìn) 行了測(cè)定的測(cè)定結(jié)果，參照?qǐng)D7進(jìn)行說明。在此圖7，是表示測(cè)試用的TFT 中的光照射位置與漏電流的關(guān)系的坐標(biāo)圖。在圖7中，數(shù)據(jù)El，表示對(duì)于測(cè)試用的單個(gè)TFT即TEG( Test Element Group,測(cè)試元件組)，對(duì)使光斑(約2.4pm的可見光激光)從漏區(qū)域側(cè) 向源區(qū)域側(cè)按順序一邊進(jìn)行掃描一邊進(jìn)行照射的情況下的漏電流的大小進(jìn)行了測(cè)定的結(jié)果。TEG除了溝道區(qū)域、源區(qū)域及漏區(qū)域，還具有形成于 溝道區(qū)域與源區(qū)域的結(jié)合部的源側(cè)結(jié)區(qū)域，及形成于溝道區(qū)域與漏區(qū)域的 結(jié)合部的漏側(cè)結(jié)區(qū)域。另外，圖7的橫軸表示照射了光斑的光照射位置，使溝道區(qū)域與漏側(cè) 結(jié)區(qū)域的邊界及溝道區(qū)域與源側(cè)結(jié)區(qū)域的邊界，進(jìn)而溝道區(qū)域?yàn)榱?。圖7 的縱軸表示漏電流的大小(但是，以預(yù)定的值歸一化后的相對(duì)值)，在漏 電流從漏區(qū)域流向源區(qū)域的情況下，表示正的值(即，正值)；而在漏電 ;ji^源區(qū)域流向漏區(qū)域的情況下，則表示負(fù)的值(即，負(fù)值)。在圖7中，數(shù)據(jù)El在任何光照射位置都表示正的值。即，表示漏電 流從漏區(qū)域流向源區(qū)域。并且，數(shù)據(jù)El在漏側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)，表示比源側(cè)結(jié) 區(qū)域內(nèi)的更大的值。即，表示在漏側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射了光斑的情況下，比 在源側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射了光斑的情況下，漏電流變得更大。即，表示在漏 側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射了光斑的情況下，比在源側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射了光斑的情況下， 光泄漏電流變得更大。另外，漏電流由暗電流(或者亞閾值泄漏電流，即， 即使在不照射光的狀態(tài)下，在TEG截止?fàn)顟B(tài)下仍流過源區(qū)域及漏區(qū)域間 的泄漏電流)和光泄漏電流(或者光激勵(lì)電流，即，起因于由照射光引起 的電子激發(fā)而產(chǎn)生的電流)所構(gòu)成。接下來，關(guān)于在漏側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射了光斑的情況的一方，比在源側(cè)結(jié) 區(qū)域內(nèi)照射了光斑的情況，光泄漏電流變大的機(jī)制，參照?qǐng)D8及圖9進(jìn)行 說明。在此，圖8是表示在漏側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生了光激勵(lì)的情況下的載流子 的動(dòng)作的概念圖。圖9是表示在源側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生了光激勵(lì)的情況下的載 流子的動(dòng)作的概念圖。另外，在圖8及圖9中，假設(shè)為電連接有上述的TFT 30的像素電極9a中的中間灰度等級(jí)的顯示，并設(shè)源電位(即，源區(qū)域的 電位)為4.5V,柵電位(即，溝道區(qū)域的電位)為0V，漏電位(即，漏 區(qū)域的電位)為9.5V。圖8及圖9的橫軸表示構(gòu)成TEG的半導(dǎo)體層中的 各區(qū)域。圖8及圖9的縱軸表示電子的勢(shì)能(費(fèi)米能級(jí))。因?yàn)殡娮泳哂?負(fù)的電荷，所以各區(qū)域中的電位越高，則電子的勢(shì)能變得越?。桓鲄^(qū)域中 的電位越低，則電子的勢(shì)能變得越大。
圖8表示在向形成于溝道區(qū)域及漏區(qū)域間的漏側(cè)結(jié)區(qū)域照射光斑，在 漏側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生了光激勵(lì)的情況下的載流子的動(dòng)作。在圖8中，能夠推定為光泄漏電流由2個(gè)電流分量構(gòu)成。即，作為第1電流分量，有通過因光激勵(lì)而產(chǎn)生的電子的移動(dòng)引起的 電流分量。更具體地，為由漏側(cè)結(jié)區(qū)域中的光激勵(lì)而產(chǎn)生的電子(圖中， 參照"e")通過從漏側(cè)結(jié)區(qū)域向勢(shì)能更低的漏區(qū)域進(jìn)行移動(dòng)而產(chǎn)生的電流 分量(該電流分量，從漏區(qū)域流向源區(qū)域)。作為第2電流分量，有通過因光激勵(lì)而產(chǎn)生的空穴(即，空穴，圖中， 參照"h")的移動(dòng)引起的電流分量。更具體地，為由漏側(cè)結(jié)區(qū)域中的光激 勵(lì)而產(chǎn)生的空穴通it^漏側(cè)結(jié)區(qū)域向勢(shì)能更低(即，作為電子的勢(shì)能更高) 的溝道區(qū)域進(jìn)行移動(dòng)而發(fā)生的雙極效應(yīng)所引起的電流分量。即，為由以下 效應(yīng)引起的電流分量(該電流分量從漏區(qū)域流向源區(qū)域)因?yàn)橥ㄟ^向溝 道區(qū)域進(jìn)行了移動(dòng)的空穴的正電荷，溝道區(qū)域的勢(shì)能(即，所謂的基極勢(shì) 能)從勢(shì)能Lcl下降為勢(shì)能Lc2，所以從源區(qū)域趨向漏區(qū)域的電子增大。 因而，在漏側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生光激勵(lì)的情況下，第1及第2電流分量全都產(chǎn) 生于使漏電流(換言之，是集電極電流)增大的方向(即，從漏區(qū)域流向 源區(qū)域的方向)。圖9，在向形成于溝道區(qū)域及源區(qū)域間的源側(cè)結(jié)區(qū)域照射光斑，在源 側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生光激勵(lì)的情況下表示載流子的動(dòng)作。在圖9中，光泄漏電流，與參照?qǐng)D8在上述的漏側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生光激 勵(lì)的情況不同，能夠推定為由空穴從源側(cè)結(jié)區(qū)域向勢(shì)能更低(即，作為 電子的勢(shì)能更高)的溝道區(qū)域進(jìn)行移動(dòng)的雙極效應(yīng)所引起的第2電流分量 為主導(dǎo)性的。即，能夠推定為通過源側(cè)結(jié)區(qū)域中的光激勵(lì)而產(chǎn)生的電子 (圖中，參照"e，，)，通過從源側(cè)結(jié)區(qū)域向勢(shì)能更^f氐的源區(qū)域進(jìn)行移動(dòng)而 產(chǎn)生的第1電流分量(該電流分量，從源區(qū)域流向漏區(qū)域)，比起因于雙 極效應(yīng)的第2電流分量(該電流分量，從漏區(qū)域流向源區(qū)域)小。在圖9中，起因于雙極效應(yīng)的第2電流分量(即，通過向溝道區(qū)域進(jìn) 行了移動(dòng)的空穴的正電荷，基極勢(shì)能從勢(shì)能Lcl下降為勢(shì)能Lc3，所以從 源區(qū)域趨向漏區(qū)域的電子增大的效應(yīng)引起的電流分量)，從漏區(qū)域流向源
區(qū)域。另一方面，上述的第1電流分量，則從源區(qū)域流向漏區(qū)域。即，第1電流分量與第2電流分量互相流向相反方向。在此，再在圖7中，在向 源側(cè)結(jié)區(qū)域照射了光斑的情況下，漏電流(參照數(shù)據(jù)E1)表示正的值。即， 在該情況下，漏電流從漏區(qū)域流向源區(qū)域。因而，可以認(rèn)為第1電流分 量，僅通過對(duì)暗電流、為第2電流分量的由雙極效應(yīng)引起的電流分量進(jìn)行 抑制，不會(huì)變大到使漏電流的流向從源區(qū)域朝向漏區(qū)域。進(jìn)而，因?yàn)闇系绤^(qū)域及源區(qū)域間的電位差，比溝道區(qū)域及漏區(qū)域間的 電位差小，所以源區(qū)域側(cè)的*化區(qū)域(即，源側(cè)結(jié)區(qū)域)，比漏區(qū)域側(cè) 的耗盡化區(qū)域(即，漏側(cè)結(jié)區(qū)域)窄。因此，在向源側(cè)結(jié)區(qū)域照射了光斑 的情況下，與向漏側(cè)結(jié)區(qū)域照射了光斑的情況相比較，光激勵(lì)的絕對(duì)量少。以上，如參照?qǐng)D8及圖9說明了地，在漏側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生光激勵(lì)的情 況下，第l及第2電流分量全都發(fā)生于使漏電流增大的方向。另一方面， 在源側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生光激勵(lì)的情況下，第1電流分量對(duì)第2電流分量進(jìn)行 抑制。因而，在漏側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射了光斑的情況的一方，比在源側(cè)結(jié)區(qū)域 內(nèi)照射了光斑的情況，漏電流變大(即，光泄漏電流變大)。接下來，關(guān)于像素電極側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢徊⒃谙袼仉姌O側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi) 照射了光斑的情況的一方，比數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢徊⒃跀?shù)據(jù)線側(cè)結(jié) 區(qū)域內(nèi)照射了光斑的情況，光泄漏電流變大的機(jī)制，參照?qǐng)D10及圖11進(jìn) 行說明。在此圖IO，是表示在數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢坏那闆r下，在數(shù) 據(jù)線側(cè)結(jié)區(qū)域(換言之，是漏側(cè)結(jié)區(qū)域)中發(fā)生了光激勵(lì)時(shí)的載流子的動(dòng) 作的概念圖。圖ll,是表示在像素電極側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢坏那闆r下，在 像素電極側(cè)結(jié)區(qū)域(換言之，是漏側(cè)結(jié)區(qū)域)中發(fā)生了光激勵(lì)時(shí)的載流子 的動(dòng)作的概念圖。在以下，考慮在包括像素開關(guān)用的TFT的像素部保持電荷，發(fā)生了光 激勵(lì)的情況。與假設(shè)了如上述的TEG的情況的不同點(diǎn)在于像素開關(guān)用 的TFT的像素電極側(cè)，可成為浮置狀態(tài)。在像素開關(guān)用的TFT的4象素電 極側(cè)，也有連接如存儲(chǔ)電容70a的保持電容的情況，雖然若電容值足夠大， 則與采用了上述的TEG的情況同樣地成為接近于固定電極的狀態(tài)；但是 若電容值并不十分大，則成為浮置狀態(tài)或者接近于此的狀態(tài)。另外，在此， 假定為電容值并不十分大。在圖10及圖11中，在液晶裝置中，為了防止所謂的圖像殘留而釆用 交流驅(qū)動(dòng)。在此，假設(shè)中間灰度等級(jí)的顯示，并假設(shè)以下情況在像素電 極，以7V作為基準(zhǔn)電位，交替保持4.5V的負(fù)電場(chǎng)的電荷和9,5V的正電 場(chǎng)電荷。因此像素開關(guān)用的TFT的源極及漏極，在像素電極側(cè)源漏區(qū)域與 數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間，并不固定而進(jìn)行變化。即，如圖IO，在像素電極 保持負(fù)電場(chǎng)的電荷的情況(即，像素電極側(cè)源漏區(qū)域的電位變得比數(shù)據(jù)線 側(cè)源漏區(qū)域的電位低的情況)下，像素電極側(cè)源漏區(qū)域成為源極；相對(duì)地， 如圖ll，在像素電極保持正電場(chǎng)的電荷的情況(即，像素電極側(cè)源漏區(qū)域 的電位變得比數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的電位高的情況)下，像素電極側(cè)源漏區(qū) 域成為漏極。在圖10中，在像素電極保持負(fù)電場(chǎng)的電荷的情況下，像素電極側(cè)源漏區(qū)域成為源極(或者發(fā)射極)；而數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域則成為漏極(或者集 電極)。在為漏側(cè)結(jié)區(qū)域的數(shù)據(jù)線側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生了光激勵(lì)的情況下，如 上述地，產(chǎn)生因通過光激勵(lì)而產(chǎn)生的電子的移動(dòng)引起的第l電流分量和起因于雙極效應(yīng)的第2電流分量。在此，若產(chǎn)生起因于雙極效應(yīng)的第2電流 分量(即，若基極勢(shì)能從勢(shì)能Lcl下降為勢(shì)能Lc2，電子從為源極的4象素 電極側(cè)源漏區(qū)域向?yàn)槁O的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域移動(dòng))，則電子從為浮置狀 態(tài)的像素電極側(cè)源漏區(qū)域脫出，作為發(fā)射極的像素電極側(cè)源漏區(qū)域的勢(shì)能， 從勢(shì)能Lsl降低為勢(shì)能Ls2 (電位上升)。即，在為漏側(cè)結(jié)區(qū)域的數(shù)據(jù)線 側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生了光激勵(lì)的情況下，基極勢(shì)能降低并且作為發(fā)射極的像素 電極側(cè)源漏區(qū)域的勢(shì)能也降低，換言之，是在為漏側(cè)結(jié)區(qū)域的數(shù)據(jù)線側(cè)結(jié) 區(qū)域中發(fā)生了光激勵(lì)的情況下，伴g極電位的上升而發(fā)射極電位也上升。 因此，漏電流(即，發(fā)射極電流及集電極電流)得到抑制。另一方面，在圖11中，在像素電極保持正電場(chǎng)的電荷的情況下，數(shù)據(jù) 電極側(cè)源漏區(qū)域成為源極(或者發(fā)射極)；而像素電極側(cè)源漏區(qū)域則成為 漏極(或者集電極).在為漏側(cè)結(jié)區(qū)域的像素電極側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生了光激 勵(lì)的情況下，如上所述，產(chǎn)生因通過光激勵(lì)而產(chǎn)生的電子的移動(dòng)引起的第 1電流分量和起因于雙極效應(yīng)的第2電流分量，在此，因?yàn)槌蔀樵礃O的數(shù)
據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域與數(shù)據(jù)線連接，所以與像素電極不同，并非浮置狀態(tài)，在電位不發(fā)生變化。若產(chǎn)生起因于雙極效應(yīng)的第2電流分量(即，若基極勢(shì) 能從勢(shì)能Lcl下降為勢(shì)能Lc2，電子從為源極的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域向?yàn)槁?極的像素電極側(cè)源漏區(qū)域移動(dòng))，則電子向?yàn)楦≈脿顟B(tài)的像素電極側(cè)源漏 區(qū)域流入，作為集電極的像素電極側(cè)源漏區(qū)域的勢(shì)能從勢(shì)能Ldl上升為勢(shì) 能Ld2 (電位下降)。但是，作為集電極的像素電極側(cè)源漏區(qū)域的勢(shì)能的 上升，與上述的作為源極的像素電極側(cè)源漏區(qū)域的勢(shì)能的降低不同，幾乎 沒有對(duì)漏電流進(jìn)行抑制的作用。因?yàn)槁╇娏?即，集電極電流)幾乎通過 相對(duì)于發(fā)射極電位的基極電位的大小確定，所以即使集電極電位降低也幾 乎不產(chǎn)生對(duì)漏電流進(jìn)行抑制的作用，換言之，是i^了雙極晶體管的飽和 區(qū)域。以上，如參照?qǐng)DIO及圖11進(jìn)行的說明，在像素電極保持正電場(chǎng)的電 荷的情況(即，像素電極側(cè)源漏區(qū)域，成為漏極的情況)下，起因于雙極 效應(yīng)的第2電流分量幾乎得不到抑制，相對(duì)地，在像素電極保持負(fù)電場(chǎng)的 電荷的情況(即，數(shù)據(jù)側(cè)源漏區(qū)域成為漏極的情況)下，起因于雙極效應(yīng) 的第2電流分量由于為浮置狀態(tài)的像素電極側(cè)源漏區(qū)域的電位的上升而被 抑制。即，像素電極側(cè)源漏區(qū)域成為漏極的情況的一方，比數(shù)據(jù)側(cè)源漏區(qū) 域成為漏極的情況，起因于光泄漏電流導(dǎo)致漏電流增加.在此，圖12，表示在像素開關(guān)用的TFT整體，照射了比較強(qiáng)的光時(shí) 的像素電極電位的波形。在圖12中，數(shù)據(jù)E2表示在像素電極保持正電場(chǎng)的電荷的情況(像 素電極電位為電位V1的情況)下的像素電極電位的變動(dòng)厶l，比在〗象素電 極保持負(fù)電場(chǎng)的電荷的情況(像素電極電位為電位V2的情況)下的像素 電極電位的變動(dòng)A2大。即，表示在像素電極中，正電場(chǎng)的電荷比負(fù)電場(chǎng) 的電荷更難以保持(即，易于發(fā)生光泄露).這與以下上述了的機(jī)制相一 致在像素電極保持正電場(chǎng)的電荷的情況(即，像素電極側(cè)源漏區(qū)域成為 漏極的情況)的一方，比在像素電極保持負(fù)電場(chǎng)的電荷的情況(即，數(shù)據(jù) 側(cè)源漏區(qū)域成為漏極的情況)光泄漏電流容易產(chǎn)生。以上，如參照從圖7到12所詳細(xì)說明，在像素開關(guān)用的TFT中的漏 側(cè)結(jié)區(qū)域中發(fā)生了光激勵(lì)的情況下漏電流容易增加。進(jìn)而，在像素電極側(cè) 源漏區(qū)域成為漏極的情況下電流容易增加(反之，在數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域成 為漏極的情況下，起因于雙極效應(yīng)的電流分量被抑制)。因而，如本實(shí)施方式中的液晶裝置地，通過使對(duì)于為像素電極側(cè)結(jié)區(qū)域的像素電極側(cè)LDD 區(qū)域的遮光性，比對(duì)于為數(shù)據(jù)線側(cè)結(jié)區(qū)域的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域的遮光性 高，能夠維持高的開口率并有效地得到高的遮光性。如以上說明了地，若依照于具備有本實(shí)施方式中的電光裝置用M的 液晶裝置，則不會(huì)招致開口率的無效降低，能夠減少起因于光泄漏電流的 發(fā)生而產(chǎn)生的閃爍等的顯示不良。第2實(shí)施方式接下來，關(guān)于第2實(shí)施方式中的液晶裝置，參照?qǐng)D13進(jìn)行說明。在此 圖13，是笫2實(shí)施方式中的與圖6相同主旨的平面圖。另外，在圖13中， 在與示于圖6的第1實(shí)施方式中的構(gòu)成要件同樣的構(gòu)成要件附加同一參照 符號(hào)，并適當(dāng)省略他們的說明。在圖13中，第2實(shí)施方式中的液晶裝置具備TFT30、掃描線3a及 存儲(chǔ)電容70b,TFT30具備包括溝道區(qū)域la，的半導(dǎo)體層la,和在掃描線3a之中 由重疊于溝道區(qū)域la，的部分構(gòu)成的柵電極3b.溝道區(qū)域la，在互相隔 開多個(gè)像素的各自的開口區(qū)域的非開口區(qū)域之中，在沿顯示區(qū)域內(nèi)的Y方 向延伸的第1區(qū)域D1中具有沿Y方向的溝道長(zhǎng)L1。半導(dǎo)體層la具有 形成于溝道區(qū)域la，及數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld間的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb， 和形成于溝道區(qū)域la'及像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le間的像素電極側(cè)LDD 區(qū)域lc。即，半導(dǎo)體層la以溝道區(qū)域la，為基準(zhǔn)，具有形成于數(shù)據(jù)線側(cè) 源漏區(qū)域ld之側(cè)的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb和形成于像素電極線側(cè)源漏區(qū) 域le之側(cè)的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc。掃描線3a在非開口區(qū)域之中延伸于X方向的第2區(qū)域D2中，沿X 方向形成。掃描線3a的一部分作為柵電極3b形成。柵電極3b在第1區(qū) 域D1及第2區(qū)域D2相互交叉的交叉區(qū)域中與溝道區(qū)域la，重疊.存儲(chǔ)電容70b具備上部電容電極300b，下部電容電極71n及夾持于
這些電容電極間的電介質(zhì)膜。存儲(chǔ)電容70b的上部電容電極300b及下部 電容電極71n的平面形狀，與上述的第1實(shí)施方式中的存儲(chǔ)電容70a的上 部電容電極300及下部電容電極71m的平面形狀不同。關(guān)于其他點(diǎn)，存儲(chǔ) 電容70b與存儲(chǔ)電容70a大致同樣地構(gòu)成。存儲(chǔ)電容70b具有從第1區(qū)域D1及第2區(qū)域D2相互交叉的交叉區(qū) 域沿Y方向延伸的第1部分Py;從該交叉區(qū)域沿X方向延伸的第2部分 Px;和第l部分Py及第2部分Px在交叉區(qū)域相互交叉的交叉部Cd。第l部分Py，由在下部電容電極71n之中沿Y方向延伸的下部電容 電極Y側(cè)延伸部71ny、上部電容電極300b之中沿Y方向延伸的上部電容 電極Y側(cè)延伸部300by和在電介質(zhì)膜之中延伸于下部電容電極Y側(cè)延伸部 71ny及上部電容電極Y側(cè)延伸部300by間的部分構(gòu)成。第2部分Px，由 在下部電容電極71n之中沿X方向延伸的下部電容電極X側(cè)延伸部71nx、 上部電容電極300b之中沿X方向延伸的上部電容電極X側(cè)延伸部300bx 和在電介質(zhì)膜之中延伸于下部電容電極X側(cè)延伸部71nx及上部電容電極 X側(cè)延伸部300bx間的部分構(gòu)成。在本實(shí)施方式中尤其是，從TFT陣列基板IO的平面上看，像素電極 側(cè)LDD區(qū)域lc的至少一部分，在交叉區(qū)域中與交叉部Cd互相重疊。另 外，數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb不與交叉部Cd重疊。如參照從圖7到圖12詳 細(xì)地說明了地，本申請(qǐng)發(fā)明人，推測(cè)為當(dāng)TFT30工作時(shí)，在像素電極側(cè) LDD區(qū)域lc中，相比較于數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb，光泄漏電流相對(duì)容易 發(fā)生。交叉部Cd及第2部分Px中，通過使像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的至 少一部分重疊于交叉部Cd，相比較于像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc不重疊于交 叉部Cd的情況，能夠減少照射于像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的光。更具體 地，在Y方向上，沿第1部分Py的表面相對(duì)于該表面的法線方向以大的 角度傾斜地入射像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的入射光，因?yàn)榈?部分Py沿Y 方向延伸，所以被第1部分Py所遮光。另一方面，在X方向上，沿第2 部分Px的表面相對(duì)于該表面的法線方向以大的角度傾斜地入射像素電極 側(cè)LDD區(qū)域lc的入射光，則通過交叉部Cd及沿X方向延伸的第2部分 Px所遮光。因而，通過4吏像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc重疊于交叉部Cd，能夠提高對(duì)于像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的遮光性。從而，因?yàn)樘岣邔?duì)于光泄 漏電流相對(duì)容易產(chǎn)生的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的遮光性，所以不必加寬 存儲(chǔ)電容70b的第l部分Py或者第2部分Px的寬度。即，若依照于本實(shí) 施方式中的液晶裝置，則雖然使對(duì)于像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的遮光性提 高，但是也幾乎或者完全不會(huì)招致開口率的降低。另外，從使開口率提高 的觀點(diǎn)看，優(yōu)選使存儲(chǔ)電容70b的第1部分Py及第2部分Px的寬度變窄。 即，優(yōu)選使交叉部Cd變小。另外，與像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc相比較，光泄漏電流難以發(fā)生的數(shù) 據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb，也可以不重疊于交叉部Cd。在該情況下，數(shù)據(jù)線側(cè) LDD區(qū)域lb，因與存儲(chǔ)電容70b的笫l部分Py重疊而被遮光，光泄漏電 流實(shí)際上也幾乎或者完全不會(huì)發(fā)生。進(jìn)而，在本實(shí)施方式中尤其是，柵電極3b具有:在第2區(qū)域D2中沿X 方向延伸的主線部3bx;和在第1區(qū)域D1中，從主線部3bx沿Y方向突 出于數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb之側(cè)的凸部3by。因?yàn)闇系绤^(qū)域la，的溝道長(zhǎng) Ll按照由TFT30所要求的元件特性進(jìn)行i殳定，所以對(duì)溝道區(qū)域la，的大 小或者沿溝道長(zhǎng)Ll的半導(dǎo)體層la的長(zhǎng)度的改變以使得像素電極側(cè)LDD 區(qū)域lc重疊于交叉部Cd，變成對(duì)原來的TFT30的元件特性進(jìn)行改變。從 而，即使通過像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc重疊于交叉部Cd，減少了光泄漏電 流的發(fā)生，但是對(duì)由TFT30所要求的開關(guān)特性等的元件特性自身也帶來改 變，在得到能夠降低光泄漏電流的優(yōu)點(diǎn)的反面，變得不能得到原來的元件 特性。尤其是，如本實(shí)施方式地，在溝道長(zhǎng)L1為柵電極3b的主線部3bx 的寬度W1以上的情況下，假設(shè)不采取任何對(duì)策，則由于像素電極側(cè)LDD 區(qū)域lc的至少一部分重疊于交叉部Cd而導(dǎo)致溝道區(qū)域la，將會(huì)沿Y方 向從主線部3bx超出.但是在本實(shí)施方式中尤其是，如上所述，柵電極3b具有從主線部3bx 沿Y方向突出于數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb之側(cè)的凸部3by。因而，即4吏沿Y 方向偏離于數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb之側(cè)而設(shè)置溝道區(qū)域la，，也能夠重 疊于溝道區(qū)域la，地配置柵電極3b。進(jìn)而，凸部3by因?yàn)橹丿B于沿Y方 向延伸的第l部分Py，所以也不會(huì)使非開口區(qū)域增大'從而，不會(huì)使開口
率降低，能夠在溝道區(qū)域la，重疊配置柵電極3b。 第3實(shí)施方式關(guān)于第3實(shí)施方式中的液晶裝置，參照從圖14到圖16進(jìn)行說明。在 此圖14，是第3實(shí)施方式中的與圖4相同主旨的平面圖。圖15，是圖14 的B-B，線剖面圖。圖16，是第3實(shí)施方式中的與圖6相同主旨的平面圖。 另外，在從圖14到圖16中，在與示于從圖l到圖6中的第1實(shí)施方式中 的構(gòu)成要件同樣的構(gòu)成要件附加同一參照符號(hào)，并適當(dāng)省略他們的說明。如圖14及圖15，第3實(shí)施方式中的液晶裝置，在代之于參照?qǐng)D4及 圖5而上述了的第1實(shí)施方式中的TFT30而具備TFT30c之點(diǎn)，代之于存 儲(chǔ)電容70a而具備存儲(chǔ)電容70c之點(diǎn)，及代之于掃描線3a而具備掃描線 3c之點(diǎn)，與上述的第l實(shí)施方式中的液晶裝置不同，而關(guān)于其他點(diǎn)則與上 述的第1實(shí)施方式中的液晶裝置大致同樣地構(gòu)成，如圖14及圖15， TFT30c具備半導(dǎo)體層la，和作為柵電極的掃描 線3c的一部分。半導(dǎo)體層la，由具有沿Y方向的溝道長(zhǎng)的溝道區(qū)域la，、 數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb及像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc以及數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域 ld及像素電極線側(cè)源漏區(qū)域le構(gòu)成。數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld，通過貫通層 間絕緣膜42、絕緣膜61、層間絕緣膜41及柵絕緣膜2 (具體是絕緣膜2a 及2b)而開孔的接觸孔81b與數(shù)據(jù)線6a互相電連接，像素電極側(cè)源漏區(qū) 域le，通過貫通層間絕緣膜41及柵絕緣膜2而開孔的接觸孔83b，與下述 的下部電容電極71s互相電連接。如圖14，在本實(shí)施方式中，多個(gè)TFT30c分別配置為使相鄰于Y方 向(即列方向)所配置的一對(duì)TFT30c中的，相對(duì)于Y方向的數(shù)據(jù)線側(cè)源 漏區(qū)域ld及^f象素電極側(cè)源漏區(qū)域le的方向相互為逆；并且共用將該一對(duì) TFT30c的各自的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld電連接于數(shù)據(jù)線6a的接觸孔81b。即，在圖14中，若以上下方向?yàn)閅方向，則一對(duì)TFT30c，為上下倒 轉(zhuǎn)或者上下鏡倒轉(zhuǎn)了的TFT。而且，如此地配置為鏡對(duì)稱的多個(gè)TFT30c， 在Y方向?qū)Φ趇號(hào)TFT30c (i)(其中，i任取偶數(shù)或奇數(shù))的數(shù)據(jù)線側(cè)源 漏區(qū)域ld與數(shù)據(jù)線6a進(jìn)行連接的接觸孔81b，和在Y方向?qū)Φ趇 + 1號(hào) TFT30c( i + 1 )的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld與數(shù)據(jù)線6a進(jìn)行連接的接觸孔81b， 為共用。從而，僅通過一個(gè)接觸孔81b， 一對(duì)TFT30c(即，TFT30c(i) 及TFT30c(i + l))的雙方的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld就可與數(shù)據(jù)線6a電連 接。即，相比較于如通常地每像素分別設(shè)置TFT30c且每TFT30c分別取 從數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld向數(shù)據(jù)線6a的電連接的情況，能夠飛躍性地減少 接觸孔的個(gè)數(shù)。由此，可以窄間距化，可以實(shí)現(xiàn)液晶裝置的小型化、高清 晰化。在圖15中，在TFT陣列基板10上的TFT30c隔著層間絕緣膜41的 更上層側(cè)，設(shè)置存儲(chǔ)電容70c。存儲(chǔ)電容70c，由下部電容電極71s及上部 電容電極300c隔著電介質(zhì)膜75a地對(duì)向配置而形成。上部電容電極300c是固定電位側(cè)電容電極；下部電容電極71s是通過 接觸孔83b電連接于TFT30c的像素電極側(cè)源漏區(qū)域le的像素電位側(cè)電容 電極。下部電容電極71s由多晶硅等的半導(dǎo)體形成。從而，存儲(chǔ)電容70c 具有所謂MIS結(jié)構(gòu)。下部電容電極71s，通過貫通層間絕緣膜42及絕緣膜 61所開孔的接觸孔84b而與中繼層93電連接。另外，下部電容電極71s， 除了作為像素電位側(cè)電容電極的功能之外，還具有配置于作為上層遮光膜 的上部電容電極300與TFT30c之間的，光吸收層或者作為遮光膜的功能。 數(shù)據(jù)線6a通過貫通層間絕緣膜41、絕緣膜61及第2層間絕緣膜42的接 觸孔81b而電連接于高濃度源區(qū)域ld。在層間絕緣膜41及42間，部分介 有絕緣膜61。在圖14中，下部電容電極71s，每4象素互相間隔。從而，通過數(shù)據(jù)線 6a所供給的圖像信號(hào)相應(yīng)于TFT30c的開關(guān)工作而供給每像素.上部電容 電極300c，因?yàn)檠豖方向跨越多個(gè)像素地延伸，所以通過由多個(gè)像素所共 用而電極面積變得比下部電容電極71s大。但是，上部電容電極300c，因 為以Al等的金屬膜所構(gòu)成，所以相比較于以半導(dǎo)體形成上部電容電極300c 的情況，能夠抑制因電極面積的增大引起的電阻的增大部分。因而，有以 下優(yōu)點(diǎn)可以降低液晶裝置工作時(shí)的消耗電力，并可以高度驅(qū)動(dòng)各像素中 的各種元件，并對(duì)通過液晶裝置顯示圖^^時(shí)的響應(yīng)性降低能夠進(jìn)行抑制。 另夕卜，如此的優(yōu)點(diǎn)，并不限定于如本實(shí)施方式地沿X方向跨越互相相鄰的 像素進(jìn)行延伸地形成上部電容電極300c的情況，通過在圖像顯示區(qū)域10a
得顯著。在圖14及圖16中，存儲(chǔ)電容70c具有從第1區(qū)域Dl及第2區(qū)域 D2相互交叉的交叉區(qū)域沿Y方向延伸的第l部分Py;從該交叉區(qū)域沿X 方向延伸的第2部分Px;和第1部分Py及第2部分Px在交叉區(qū)域相互交 叉的交叉部Cd。第l部分Py，由在下部電容電極71s之中沿Y方向延伸的下部電容電 極Y側(cè)延伸部71sy、上部電容電極300c之中沿Y方向延伸的上部電容電 極Y側(cè)延伸部300cy和在電介質(zhì)膜之中延伸于下部電容電極Y側(cè)延伸部 71sy及上部電容電極Y側(cè)延伸部300cy間的部分所構(gòu)成。第2部分Px， 由在下部電容電極71s之中沿X方向延伸的下部電容電極X側(cè)延伸部71sx、 上部電容電極300c之中沿X方向延伸的上部電容電極X側(cè)延伸部300cx 和在電介質(zhì)膜之中延伸于下部電容電極X側(cè)延伸部71sx及上部電容電極X 側(cè)延伸部300cx間的部分所構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，與上述的第2實(shí)施方式中的液晶裝置同樣，從TFT 陣列基板10的平面上看，像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的至少一部分在交叉區(qū) 域中與交叉部Cd互相重疊。另夕卜，數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb不與交叉部Cd 重疊。因而，交叉部Cd及第2部分Px，通過像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的 至少一部分重疊于交叉部Cd，相比較于^象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc不重疊于 交叉部Cd的情況，能夠減少照射于像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的光。如圖14及圖16,在本實(shí)施方式中尤其是，作為TFT30的柵電極所共 用的掃描線3c，具有:在第2區(qū)域D2中沿X方向延伸的主線部3cl;在第 1區(qū)域D1及第2區(qū)域D2相互交叉的交叉區(qū)域中為使主線部3cl不重疊于 像素電極側(cè)源漏區(qū)域lc而部分切掉主線部3cl的凹部150;和從主線部3cl 沿Y方向突出于數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld之側(cè)的凸部160。因而，以數(shù)據(jù)線 3c的一部分作為柵電極，能夠設(shè)置為不重疊于像素電極側(cè)源漏區(qū)域lc 且可靠地重疊于溝道區(qū)域la。即，由于掃描線3c具有凹部150，即使在沿X方向延伸掃描線3c的 情況下，也能夠以沿X方向所排列的多個(gè)像素而共用掃描線3c,并以數(shù)據(jù)線3c的一部分作為柵電極，在各像素中設(shè)置為不重疊于像素電極側(cè)源漏區(qū) 域lc且重疊于溝道區(qū)域la，。進(jìn)而，由于掃描線3c具有凸部160，即使 沿Y方向在數(shù)據(jù)線側(cè)LDD源漏區(qū)域ld之側(cè)溝道區(qū)域la，偏離，也能夠 重疊于溝道區(qū)域la，而將掃描線3c的一部分作為柵電極進(jìn)行配置。另夕卜， 柵電極，既可以與掃描線3c的一部分所共用；也可以與掃描線3c分別設(shè) 置，且通過接觸孔等的連接單元而電連接于掃描線3c。另外，在圖14中，如上所述，因?yàn)橐粚?duì)TFT30c是共用接觸孔81b， 所謂上下鏡^象倒轉(zhuǎn)的TFT，所以對(duì)應(yīng)于一對(duì)TFT30c的一對(duì)掃描線30c也 成為上下鏡像倒轉(zhuǎn)的掃描線。即，相應(yīng)于相鄰于Y方向所配置的一對(duì) TFT30c中的，數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb及像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的配置 相互為逆；對(duì)應(yīng)于一對(duì)TFT30c的一對(duì)掃描線3c中的，凹部150及凸部160 的方向相互為逆地配置。通過如此地構(gòu)成，能夠?qū)崿F(xiàn)液晶裝置的小型化、 高清晰化，并降低起因于光泄漏電流的發(fā)生而產(chǎn)生的閃爍等的顯示不良。電子設(shè)備接下來，關(guān)于將為上述的電光裝置的液晶裝置應(yīng)用于各種電子i殳備中 的情況進(jìn)行說明。在此圖17，是表示投影機(jī)的構(gòu)成例的平面圖。在以下， 關(guān)于將該液晶裝置用作光閥的投影機(jī)進(jìn)行說明。如圖17，在投影機(jī)IIOO內(nèi)部，設(shè)置由鹵素?zé)舻鹊陌咨庠礃?gòu)成的燈 單元1102。從該燈單元1102所射出的投影光，通過配置于光導(dǎo)1104內(nèi)的 4片反射鏡1106及2片分色鏡1108而分離為RGB的3原色，入射作為對(duì) 應(yīng)于各原色的光閥的液晶面板1110R、 1110B及1110G。液晶面板1110R、 1110B及1110G的構(gòu)成，與上述的液晶裝置相同， 以從圖像信號(hào)處理電路所供給的R、 G、 B的原色信號(hào)分別驅(qū)動(dòng).然后， 通過這些液晶面板所調(diào)制了的光，從3個(gè)方向入射分色棱鏡1112.在該分 色棱鏡1112中，R及B光彎曲卯度，另一方面G光則直行。從而，合成 各色的圖像的結(jié)果，通過投影透鏡1114，在屏幕等投影彩色圖像。在此，若著眼于由各液晶面板1110R， 1110B及1110G產(chǎn)生的顯示像， 則由液晶面板1110G產(chǎn)生的顯示像，需要相對(duì)于由液晶面板1110R、 1110B 產(chǎn)生的顯示像進(jìn)行左右翻轉(zhuǎn)。
另外，因?yàn)樵谝壕姘?110R、 1110B及1110G，通過分色鏡1108， 入射對(duì)應(yīng)于R、 G、 B的各原色的光，所以不必設(shè)置濾色器。另夕卜，除了參照?qǐng)D17進(jìn)行了說明的電子設(shè)備之外，還可舉出移動(dòng)型的 個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜電話機(jī)、液晶電視機(jī)、取景器型、監(jiān)視器直視型的磁帶 錄像機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、呼機(jī)、電子筆記本、計(jì)算器、文字處理機(jī)、工作 站、電視電話機(jī)、POS終端、具備有觸摸面板的裝置等。而且，不用說當(dāng) 然可以應(yīng)用于這些各種電子設(shè)備中。并且本發(fā)明，在以上述的實(shí)施方式進(jìn)行了說明的液晶裝置以外，還可 以應(yīng)用于在硅基板上形成元件的反射型液晶裝置(LCOS)、等離子顯示 器(PDP)、場(chǎng)致發(fā)射型顯示器(FED， SED)、有機(jī)EL顯示器、數(shù)字 微鏡器件(DMD)、電泳裝置等。本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，在不違反從權(quán)利要求書及專利說明 書整體所讀取的發(fā)明的要旨或思想的范圍可以適當(dāng)改變，伴隨其改變的電 光裝置用基板，具備該電光裝置用基板的電光裝置，以及具備該電光裝置 的電子設(shè)備也包括于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置用基板，其特征在于，具備基板；多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線，其在前述基板上互相交叉；像素電極，其與前述多條數(shù)據(jù)線及前述多條掃描線的交叉處對(duì)應(yīng)，且分別形成于構(gòu)成前述基板上的顯示區(qū)域的多個(gè)像素；晶體管，其設(shè)置于互相隔開前述多個(gè)像素的各自的開口區(qū)域的非開口區(qū)域，包括具有以下區(qū)域的半導(dǎo)體層具有沿前述顯示區(qū)域中的一個(gè)方向的溝道長(zhǎng)的溝道區(qū)域，電連接于前述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，電連接于前述像素電極的像素電極側(cè)源漏區(qū)域，形成于前述溝道區(qū)域及前述數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域間的第1結(jié)區(qū)域，和形成于前述溝道區(qū)域及前述像素電極側(cè)源漏區(qū)域間的第2結(jié)區(qū)域；和遮光部，其形成于與前述半導(dǎo)體層相比的上層側(cè)，具有沿前述一個(gè)方向延伸并覆蓋前述第1結(jié)區(qū)域的第1部分，和覆蓋前述第2結(jié)區(qū)域的第2部分，與前述第1部分相比，該第2部分在相交于前述一個(gè)方向的另一個(gè)方向上的寬度寬。
2. 按照權(quán)利要求l所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述第2結(jié)區(qū)域，為L(zhǎng)DD區(qū)域。
3. 按照權(quán)利要求1或2所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述遮光部，配置于前述晶體管的正上方。
4. 按照權(quán)利要求1 3中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置用基板，其特征在于前述遮光部，是具有一對(duì)電容電極及夾持于該一對(duì)電容電極間的電介 質(zhì)膜的電容元件；前述電容元件，在通過前述數(shù)據(jù)線向前述像素電極供給了圖像信號(hào)時(shí)， 對(duì)前述像素電極的電位進(jìn)行保持。
5. 按照權(quán)利要求4所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述一對(duì)電容電極的至少一方，包括導(dǎo)電性遮光膜。
6. —種電光裝置用基板，其特征在于，具備 絲；多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線，其在前述基板上互相交叉； 像素電極，其與前述多條數(shù)據(jù)線及前述多條掃描線的交叉處對(duì)應(yīng)，且 分別形成于構(gòu)成前述基仗上的顯示區(qū)域的多個(gè)像素；晶體管，其具有(0半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層具有在互相隔開前述多個(gè)像素的各自的開口區(qū)域的非開口區(qū)域之中沿前述顯示區(qū)域內(nèi)的第1方向延 伸的笫1區(qū)域中具有沿前述笫1方向的溝道長(zhǎng)的溝道區(qū)域、電連接于前述 數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域、電連接于前述像素電極的像素電極側(cè)源漏區(qū) 域、形成于前述溝道區(qū)域及前述數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域間的第1結(jié)區(qū)域，和形 成于前述溝道區(qū)域及前述像素電極側(cè)源漏區(qū)域間的第2結(jié)區(qū)域，以及(ii) 柵電極，該柵電極在前述非開口區(qū)域之中的沿相交于前述第1方向的第2 方向延伸的第2區(qū)域與前述笫1區(qū)域相互交叉的交叉區(qū)域中，與前述溝道 區(qū)域重疊；和遮光部，其形成于與前述半導(dǎo)體層相比的上層側(cè)，具有分別沿前述第 1方向及前述第2方向延伸的第1部分及第2部分，以及在前述交叉區(qū)域 中前述第1部分及前述第2部分相互交叉的交叉部，前述第2結(jié)區(qū)域的至少一部分，在前述交叉區(qū)域中與前述交叉部重疊。
7. 按照權(quán)利要求6所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述第2結(jié)區(qū)域，為L(zhǎng)DD區(qū)域.
8. 按照權(quán)利要求6或7所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述柵電極，具有在前述第2區(qū)域中沿前述第2方向延伸的主線部；和在前述第1區(qū)域中，從前述主線部沿前述笫1方向向前迷第1結(jié)區(qū)域之 側(cè)突出的凸部。
9. 按照權(quán)利要求8所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述柵電極，具有部分切去前述主線部的凹部以使得在前述交叉區(qū)域中前述主線部不重疊于前述第2結(jié)區(qū)域。
10. 按照權(quán)利要求6 9中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置用1^，其特征 在于 前述遮光部，配置于前述晶體管的正上方。
11. 按照權(quán)利要求6 10中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置用基板，其特征 在于前述遮光部，是具有一對(duì)電容電極及夾持于前述一對(duì)電容電極間的電 介質(zhì)膜的電容元件；前述電容元件，在通過前述數(shù)據(jù)線向前述像素電極供給了圖像信號(hào)時(shí)， 對(duì)前述像素電極的電位進(jìn)行保持。
12. 按照權(quán)利要求ll所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述一對(duì)電容電極分別由金屬膜所形成。
13. 按照權(quán)利要求ll所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述一對(duì)電容電極的一方，由半導(dǎo)體所形成。
14. 一種電光裝置，其特征在于 具備權(quán)利要求1 13的任一項(xiàng)所述的電光裝置用a。 15， 一種電子設(shè)備，其特征在于 具備權(quán)利要求14所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明的電光裝置，使液晶裝置等的電光裝置的顯示性能提高，具備TFT(30)，其在TFT陣列基板(10)上，設(shè)置于互相隔開多個(gè)像素的各自的開口區(qū)域的非開口區(qū)域，包括具有以下區(qū)域的半導(dǎo)體層(1a)具有沿Y方向的溝道長(zhǎng)的溝道區(qū)域(1a’)，數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域(1d)，像素電極側(cè)源漏區(qū)域(1e)，數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域(1b)及像素電極側(cè)LDD區(qū)域(1c)。進(jìn)而，還具備存儲(chǔ)電容(70a)，其形成于比半導(dǎo)體層(1a)上層側(cè)，具有覆蓋數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域(1b)的第1部分(301)，和覆蓋像素電極側(cè)LDD區(qū)域(1c)并且X方向的寬度比第1部分(301)寬的第2部分(302)。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK101115333SQ20071013902
公開日2008年1月30日 申請(qǐng)日期2007年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月24日
發(fā)明者石井達(dá)也 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社