專利名稱：表面光源裝置及具有該表面光源裝置的背光單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面光源裝置以及具有該表面光源裝置的背光單元，更具體地講，涉及一種具有改良的亮度均勻的表面光源裝置以及具有將該表面光源裝置作為光源的背光單元。
背景技術(shù)：
通常，液晶(LC)具有電學(xué)特性和光學(xué)特性。根據(jù)電場的方向，通過電學(xué)特性改變LC的排列，根據(jù)這種排列，通過光學(xué)特性改變LC的透射率。
液晶顯示(LCD)裝置利用液晶的電學(xué)特性和光學(xué)特性來顯示圖像。由于LCD裝置與陰極射線管(CRT)裝置相比尺寸非常小并且重量輕，所以被廣泛地用于便攜式計算機、通信產(chǎn)品、液晶電視(LCTV)接收器以及航空和航天工業(yè)等。
LCD裝置需要用于控制LC的液晶控制部分以及用于將光提供給LC的光供給部分。
液晶控制部分包括設(shè)置在第一基底上的多個像素電極、設(shè)置在第二基底上的單個共電極和介于像素電極和共電極之間的液晶。多個像素電極用于LCD裝置的分辨率，單個共電極與像素電極相對地布置。每個像素電極都被連接到薄膜晶體管(TFT)上以將各不相同的像素電壓施加到像素電極上。相同等級的參考電壓被施加到共電極。像素電極和共電極由透明的導(dǎo)電材料制成。
光供給部分將光提供給液晶控制部分的LC。光依次穿過像素電極、LC和共電極。穿過LC的圖像的顯示質(zhì)量主要依賴光供給部分的亮度和亮度均勻性。通常，當亮度和亮度均勻性很高時，顯示質(zhì)量是良好的。
在傳統(tǒng)的LCD裝置中，光供給部分通常使用條形的冷陰極熒光燈(CCFL)或者點狀的發(fā)光二極管(LED)。CCFL與白熾燈相比具有較高的亮度和較長的使用壽命并且產(chǎn)生較少量的熱。LED具有高的亮度。然而，在傳統(tǒng)的CCFL或者LED中，亮度均勻性很差。
因此，為了增加亮度均勻性，使用CCFL或者LED作為光源的光供給部分需要光學(xué)構(gòu)件，例如導(dǎo)光板(LGP)、漫射構(gòu)件和棱鏡片。這樣，使用CCFL或者LED的LCD裝置由于這些光學(xué)構(gòu)件而尺寸變大，重量變沉。
為了解決上述問題，提出了一種平板形狀的表面光源裝置。傳統(tǒng)的表面光源裝置被分成由獨立的分隔件形成多個放電空間的表面光源裝置(以下稱為“獨立分隔件型表面光源裝置”)以及由整體地形成在起皺的基底(corrugated substrate)上的一體分隔件形成多個放電空間的表面光源裝置(以下稱為“一體分隔件型表面光源裝置”)。
傳統(tǒng)的獨立分隔件型表面光源裝置包括第一基底、位于第一基底上的第二基底和位于第一基底和第二基底的邊緣之間用于限定內(nèi)部空間的密封構(gòu)件。獨立分隔件位于內(nèi)部空間中，從而將內(nèi)部空間分成多個放電空間，包括汞氣的放電氣體被注入放電空間中。熒光層形成在第一基底和第二基底的內(nèi)表面上。沿著第一基底和第二基底的外表面的兩個邊緣形成用于將電壓施加到放電氣體的電極。此外，反射層介于第一基底和熒光層之間。
傳統(tǒng)的一體分隔件型表面光源裝置包括第一基底和位于第一基底上的第二基底。第二基底起皺以形成多個一體的分隔件。分隔件與第一基底接觸，從而形成放電氣體被注入其中的多個放電空間。第二基底的邊緣通過用于密封的玻璃料被粘結(jié)到第一基底。熒光層形成在第一基底和第二基底的內(nèi)表面上。沿著第一基底和第二基底的外表面的邊緣形成用于將電壓施加到放電氣體上的電極。此外，反射層介于第一基底和熒光層之間。
這里，包含在放電氣體中的汞氣對溫度非常敏感。即，汞氣流向溫度相對低的位置，而不是均勻地漫射。
在上述的表面光源裝置中，鄰近第二基底的放電空間的區(qū)域的溫度低于鄰近第一基底的放電空間的區(qū)域的溫度，光從第二基底發(fā)射出來。因此，汞氣向著鄰近第二基底的區(qū)域運動。向著低溫位置運動的汞氣被物理地吸附到反射層和熒光層。這樣，在鄰近第二基底的區(qū)域存在的汞氣相對地多于鄰近第一基底的區(qū)域存在的汞氣。由于汞氣在放電空間中不均勻地分布，所以表面光源裝置的亮度均勻性嚴重惡化。
而且，在傳統(tǒng)的表面光源裝置中，由于基底直接接觸熒光層，所以包含在基底中的鈉離子被洗提到熒光層，導(dǎo)致了表面光源裝置嚴重的變黑現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明在于提供一種表面光源裝置，其能夠防止流向放電空間的具有相對低溫度的區(qū)域的汞氣被吸附到反射層和熒光層，并且防止包含在基底中的鈉離子被洗提到熒光層。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有將上面所述的表面光源裝置作為光源的背光單元。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，本發(fā)明提供了一種表面光源裝置，包括光源主體，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之間形成多個放電空間，放電氣體被供給到放電空間中；反射層，形成在第一基底的內(nèi)表面上；第一吸附防止層，形成在反射層上，用于防止放電氣體被吸附到反射層上；第一熒光層，形成在第一吸附防止層上；第二熒光層，形成在第二基底的內(nèi)表面上；電極，將放電電壓施加到放電氣體。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，第二吸附防止層可形成在第一熒光層上，用于防止放電氣體被吸附到第一熒光層上。此外，所述第一吸附防止層的厚度可比第二吸附防止層的厚度厚。此外，洗提防止層可介于第二基底和第二熒光層之間，用于防止包含在第二基底中的金屬被洗提到第二熒光層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種表面光源裝置，包括光源主體，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之間形成多個放電空間，放電氣體被供給到放電空間中；反射層，形成在第一基底的內(nèi)表面上；混合物熒光層，形成在反射層和第二基底的內(nèi)表面中的至少任何一個上，混合物熒光層包含熒光物質(zhì)和吸附防止材料；電極，將放電電壓施加到放電氣體。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種背光單元，包括表面光源裝置；殼體，用于容納表面光源裝置；光學(xué)片，介于表面光源裝置和殼體之間；逆變器，將用于驅(qū)動表面光源裝置的放電電壓施加到電極。所述表面光源裝置包括光源主體，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之間形成多個放電空間，放電氣體被供給到放電空間中；反射層，形成在第一基底的內(nèi)表面上；第一吸附防止層，形成在反射層上，用于防止放電氣體被吸附到反射層上；第一熒光層，形成在第一吸附防止層上；第二熒光層，形成在第二基底的內(nèi)表面上；電極，將放電電壓施加到放電氣體；根據(jù)上面描述的本發(fā)明，吸附防止層防止放電氣體被物理地吸附到反射層和熒光層。因此，即使放電氣體由于溫度差而流向放電空間的一側(cè)，放電氣體也不能被吸附到反射層和熒光層。此外，洗提防止層防止包含在基底中的鈉離子被洗提到熒光層。這樣，放電氣體在放電空間中均勻地分布，從而表面光源裝置提高了亮度均勻性。


通過下面參照附圖對優(yōu)選實施例進行的詳細描述，本發(fā)明的上述和其它特點和優(yōu)點對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將會變得更加清楚，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的表面光源裝置的透視圖；圖2是沿著圖1的II-II線剖開的剖視圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的表面光源裝置的剖視圖；圖4是圖3的IV部分的放大圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的表面光源裝置的透視圖；圖6是沿著圖5的VI-VI線剖開的剖視圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的背光單元的分解透視圖；圖8A是顯示根據(jù)第一實驗例子的表面光源裝置的初始亮度的圖片；圖8B是顯示根據(jù)第二實驗例子的表面光源裝置的初始亮度的圖片；圖8C是顯示根據(jù)對比例子的表面光源裝置的初始亮度的圖片；圖9A是顯示根據(jù)第一實驗例子的表面光源裝置在100小時后的亮度的圖片；圖9B是顯示根據(jù)第二實驗例子的表面光源裝置在100小時后的亮度的圖片；圖9C是顯示根據(jù)對比例子的表面光源裝置在100小時后的亮度的圖片；圖10A是顯示根據(jù)第一實驗例子的表面光源裝置在200小時后的亮度的圖片；圖10B是顯示根據(jù)第二實驗例子的表面光源裝置在200小時后的亮度的圖片；圖10C是顯示根據(jù)對比例子的表面光源裝置在200小時后的亮度的圖片；圖11A是顯示根據(jù)第一實驗例子的表面光源裝置在300小時后的亮度的圖片；圖11B是顯示根據(jù)第二實驗例子的表面光源裝置在300小時后的亮度的圖片；圖11C是顯示根據(jù)對比例子的表面光源裝置在300小時后的亮度的圖片；圖12A是顯示根據(jù)第一實驗例子的表面光源裝置在500小時后的亮度的圖片；圖12B是顯示根據(jù)第二實驗例子的表面光源裝置在500小時后的亮度的圖片；圖12C是顯示根據(jù)對比例子的表面光源裝置在500小時后的亮度的圖片。
具體實施例方式
以下，將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，其中，附圖中顯示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
實施例1圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的表面光源裝置100的透視圖，圖2是沿著圖1的II-II線剖開的剖視圖。
在圖1和圖2中，表面光源裝置100包括光源主體和電極150，光源主體具有放電氣體被注入其中的內(nèi)部空間，電極150將放電電壓施加到放電氣體。放電氣體可包括汞氣、氬氣、氖氣和氙氣等中的至少一種。
表面光源裝置100是獨立分隔件型，其中，多個放電空間由獨立的分隔件形成。因此，光源主體包括第一基底111、位于第一基底111上的第二基底112、位于第一基底111和第二基底112的邊緣之間的用于限定內(nèi)部空間的密封構(gòu)件130以及用于將內(nèi)部空間分隔成多個放電空間140的分隔件120。
第一基底111和第二基底112由允許可見光穿過但阻擋紫外線光的玻璃材料制成。第二基底112是光發(fā)射表面，在放電空間140中產(chǎn)生的光從該光發(fā)射表面發(fā)出。
分隔件120沿著第一方向平行地排列在內(nèi)部空間中，從而將內(nèi)部空間分隔成呈條形形狀的多個放電空間140。分隔件120的底表面與第一基底111接觸，分隔件120的頂表面與第二基底112接觸。為了將放電氣體注入每個放電空間140中，分隔件120可按照蜿蜒的結(jié)構(gòu)布置，或者在分隔件120中可形成通孔(未示出)。
電極150包括形成在第一基底111的底表面上的第一電極152和形成在第二基底112的頂表面上的第二電極154。具體地講，第一電極152和第二電極154沿著與所述第一方向基本垂直的第二方向設(shè)置在第一基底111和第二基底112的兩個邊緣上。電極150可利用導(dǎo)電帶或者導(dǎo)電膏形成。
反射層160形成在第一基底111的頂表面上。反射層160允許在放電空間中產(chǎn)生的光中的朝著第一基底111的一種光，被反射向第二基底112。
第一熒光層171形成在反射層160上，當施加放電電壓時，第一熒光層171由放電氣體產(chǎn)生的紫外線光激發(fā)。與第一熒光層171具有相同功能的第二熒光層172形成在第二基底112的底表面上。
鄰近第二基底112的放電空間140的區(qū)域的溫度低于鄰近第一基底111的放電空間140的區(qū)域的溫度，光從第二基底112發(fā)射出。因此，汞氣流向鄰近第二基底112的放電空間140的區(qū)域。流向一側(cè)的汞氣可被物理地吸附到反射層160以及第一熒光層171和第二熒光層172上。由于被吸附的汞氣不能再運動，所以汞氣被收集在放電空間140的溫度低的區(qū)域，從而表面光源裝置100產(chǎn)生的光的亮度均勻性變差。
為了防止這些問題，第一吸附防止層185介于反射層160和第一熒光層171之間。此外，第二吸附防止層181和第三吸附防止層182分別形成在第一熒光層171和第二熒光層172上。第一吸附防止層185防止汞氣與反射層160起化學(xué)反應(yīng)，從而防止汞氣被物理地吸附到反射層160上。第二吸附防止層181和第三吸附防止層182防止汞氣與第一熒光層171和第二熒光層172起化學(xué)反應(yīng)，從而防止汞氣被物理地吸附到熒光物質(zhì)上。在第一實施例中，第二吸附防止層181和第三吸附防止層182分別形成在第一熒光層171和第二熒光層172上。然而，可以僅在吸附大部分汞氣的第二熒光層172上形成第三吸附防止層182，而不形成第二吸附防止層181。
第一吸附防止層185、第二吸附防止層181和第三吸附防止層182可由例如金屬氧化物制成。金屬氧化物的例子包括氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化釔或者它們的組合物。
第一吸附防止層185可比第二吸附防止層181厚。具體地講，第一吸附防止層185可以是大約2μm的厚度，第二吸附防止層181可以是大約1μm的厚度。
此外，第二吸附防止層181和第三吸附防止層182每個的厚度可以是第一熒光層171和第二熒光層172每個厚度的20％或者更少。具體地講，第二吸附防止層181和第三吸附防止層182可以是10nm到10μm的厚度，優(yōu)選地為10nm到0.5μm。
洗提防止層186介于第二基底112和第二熒光層172之間，用于防止包含在第二基底112中的鈉離子被洗提到第二熒光層172上。洗提防止層186所使用的材料可以是作為第三吸附防止層182材料的各種材料中的任何一種。
根據(jù)第一實施例，第一吸附防止層185防止汞氣被物理地吸附到反射層160。此外，第二吸附防止層181和第三吸附防止層182防止汞氣被物理地吸附到第一熒光層171和第二熒光層172上。因此，即使在放電空間140中在溫度差的影響下，汞氣流向低溫位置而沒有均勻地漫射，也防止汞氣被物理地吸附到反射層160以及第一熒光層171和第二熒光層172上。因此，如果在放電空間140中沒有溫度差，則在放電空間140中汞氣被均勻地分布。此外，洗提防止層186防止包含在第二基底112中的鈉離子洗提到第二熒光層172上，從而防止了表面光源裝置100的變黑現(xiàn)象。這樣，表面光源裝置100提高了亮度均勻性。
實施例2圖3是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的表面光源裝置100a的剖視圖，圖4是圖3的IV部分的放大圖。
除了混合物熒光層191和192以外，第二實施例的表面光源裝置100a的組成元件與第一實施例的表面光源裝置100的組成元件基本相同。因此，相同的組成元件用相同的附圖標號表示，以下對相同的組成元件不作描述。
在圖3和圖4中，第一混合物熒光層191形成在反射層160上。此外，第二混合物熒光層192形成在第二基底112的底表面上。
第一混合物熒光層191和第二混合物熒光層192利用將熒光物質(zhì)193和吸附防止材料194混合制成的漿料而形成。吸附防止材料194防止汞氣被物理地吸附到反射層160和熒光物質(zhì)193。吸附防止材料194的例子包括氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化釔或者它們的組合物。
根據(jù)第二實施例，由于熒光物質(zhì)193和吸附防止材料194被包含在混合物熒光層191和192中，所以可以除去涂覆第一實施例的第一吸附防止層185、第二吸附防止層181和第三吸附防止層182的過程。
實施例3圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的表面光源裝置200的透視圖，圖6是沿著圖5的VI-VI′線剖開的剖視圖。
在圖5和圖6中，表面光源裝置200包括光源主體和電極250，光源主體具有放電氣體被注入其中的內(nèi)部空間，電極250將放電電壓施加到放電氣體中。
表面光源裝置200是一體分隔件型，其中，多個放電空間通過整體形成在起皺的基底上的一體分隔件形成。
光源主體包括第一基底211和設(shè)置在第一基底211上的第二基底212，分隔件220一體地形成在第二基底212上。分隔件220沿著第一方向排列。分隔件220與第一基底211接觸，按照大致弧形的形狀形成多個放電空間240。為了將放電氣體注入每個放電空間240中，分隔件220可以按照蜿蜒的結(jié)構(gòu)排列，通孔225可以穿過分隔件220形成。具體地講，通孔225可以按照斜線或者S形線穿過分隔件220形成。根據(jù)本發(fā)明實施例的分隔件220具有大約1mm至5mm的寬度。
電極250在第二方向上沿著光源主體的兩個邊緣設(shè)置，第二方向與第一方向基本成直角。電極250包括形成在第一基底211的底表面上的第一電極252和形成在第二基底212的頂表面上的第二電極254。
反射層260形成在第一基底211的頂表面上。第一熒光層271形成在反射層260上。第二熒光層272形成在第二基底212的底表面上。
第一吸附防止層285介于反射層260和第一熒光層271之間。第二吸附防止層281形成在第一熒光層271上。此外，第三吸附防止層282形成在第二熒光層272上。第一吸附防止層285、第二吸附防止層281和第三吸附防止層282分別防止汞氣與反射層260、第一熒光層271和第二熒光層272起化學(xué)反應(yīng)，從而防止汞氣物理地吸附到反射層260、第一熒光層271和第二熒光層272上。第一吸附防止層285、第二吸附防止層281和第三吸附防止層282的例子可以包括氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化釔或者它們的組合物。
第一吸附防止層285可比第二吸附防止層281厚。具體地講，第一吸附防止層285可以是大約2μm的厚度，第二吸附防止層281可以是大約1μm的厚度。
此外，第二吸附防止層281和第三吸附防止層282每個的厚度可以是第一熒光層271和第二熒光層272每個厚度的20％或者更少。具體地講，第二吸附防止層281和第三吸附防止層282可以是10nm到10μm的厚度，優(yōu)選地為10nm到0.5μm。
洗提防止層286介于第二基底212和第二熒光層272之間，用于防止包含在第二基底212中的鈉離子被洗提到第二熒光層272上。
圖3中示出的第二實施例的混合物熒光層191和192可以被施加到本發(fā)明的第三實施例的表面光源裝置200。
實施例4圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的背光單元1000的分解透視圖。
在圖7中，背光單元1000包括根據(jù)第三實施例的表面光源裝置200、上殼體1100、下殼體1200、光學(xué)片900和逆變器1300。
由于表面光源裝置200的結(jié)構(gòu)與圖5中示出的表面光源裝置的結(jié)構(gòu)基本相同，所以以下對表面光源裝置200不作進一步的描述。根據(jù)上面的第一實施例和第二實施例的其它表面光源裝置可以應(yīng)用于背光單元1000。
為了容納表面光源裝置，下殼體1200具有底部1210和多個側(cè)壁部分1220，側(cè)壁部分1220從底部1210的周圍延伸出來形成容納空間。表面光源裝置200被容納在下殼體1200的容納空間中。
逆變器1300位于下殼體1200的后表面并且產(chǎn)生放電電壓來驅(qū)動表面光源裝置200。由逆變器1300產(chǎn)生的放電電壓通過第一功率線1352和第二功率線1354被施加到表面光源裝置200的電極250上。
光學(xué)片900可包括用于使從表面光源裝置200發(fā)射出的光均勻漫射的漫射板(未顯示)和用于為漫射光設(shè)置線性的棱鏡片(未顯示)。
上殼體1100連接到下殼體1200并且固定表面光源裝置200和光學(xué)片900。上殼體1100防止表面光源裝置200離開下殼體1200。
用于顯示圖像的液晶顯示面板(未顯示)可以位于上殼體1100之上。
表面光源裝置的制造實驗例子1
厚度為150μm的反射層150形成在第一基底上。由氧化釔材料制成并且厚度為5μm的第一吸附防止層形成在反射層上。接下來，厚度為40μm的第一熒光層形成在第一吸附防止層上。由氧化釔材料制成并且厚度為5μm的洗提防止層形成在第二基底的底表面上。然后，厚度為20μm的第二熒光層形成在洗提防止層上。由氧化釔材料制成并且厚度為5μm的第二吸附防止層和第三吸附防止層分別形成在第一熒光層和第二熒光層上。
實驗例子2厚度為150μm的反射層形成在第一基底上。厚度為40μm的第一熒光層形成在反射層上。厚度為20μm的第二熒光層形成在第二基底的底表面上。厚度為5μm的氧化釔層僅形成在第二熒光層上。
實驗例子3厚度為150μm的反射層150形成在第一基底上。由氧化釔材料制成并且厚度為5μm的第一吸附防止層形成在反射層上。厚度為40μm的第一熒光層形成在第一吸附防止層上。厚度為20μm的第二熒光層形成在第二基底的底表面上。由氧化釔材料制成并且厚度為5μm的第二吸附防止層形成第一熒光層上。
實驗例子4厚度為150μm的反射層形成在第一基底上。由氧化釔材料制成并且厚度為5μm的第一吸附防止層形成在反射層上。厚度為40μm的第一熒光層形成在第一吸附防止層上。厚度為20μm的第二熒光層形成在第二基底的底表面上。由氧化釔和熒光物質(zhì)的混合物制成并且厚度為5μm的混合物熒光層僅形成在第一熒光層上。
對比例子厚度為150μm的反射層形成在第一基底上。厚度為40μm的第一熒光層形成在反射層上。厚度為20μm的第二熒光層形成在第二基底的底表面上。
根據(jù)實驗例子1和2以及對比例子的表面光源裝置的亮度均勻性的評價每隔100小時測量根據(jù)實驗例子1和2以及對比例子的表面光源裝置的亮度。
圖8A是顯示根據(jù)實驗例子1的表面光源裝置的初始亮度的圖片，圖8B是顯示根據(jù)實驗例子2的表面光源裝置的初始亮度的圖片，圖8C是顯示根據(jù)對比例子的表面光源裝置的初始亮度的圖片。
如圖8A、8B和8C所示，全部表面光源裝置的初始亮度均勻。也就是說，由于當表面光源裝置初始被驅(qū)動時在放電空間中存在較小溫度差，所以汞氣在放電空間中均勻地分布。
圖9A是顯示根據(jù)實驗例子1的表面光源裝置在100小時后的亮度的圖片，圖9B是顯示根據(jù)實驗例子2的表面光源裝置在100小時后的亮度的圖片，圖9C是顯示根據(jù)對比例子的表面光源裝置在100小時后的亮度的圖片。
如圖9A、9B和9C所示，根據(jù)實驗例子1和2的表面光源裝置即使在100小時后也具有均勻的亮度。然而，如圖9C所示，根據(jù)對比例子的表面光源裝置局部具有無光的區(qū)域。圖9C證明，在根據(jù)對比例子不具有吸附防止層和洗提防止層的表面光源裝置中，由于汞氣被物理地吸附到熒光層上，所以汞氣在放電空間中分布不均勻。此外，還證明了由于包含在基底中的鈉離子被洗提到熒光層上，所以會發(fā)生變黑的現(xiàn)象。
圖10A是顯示根據(jù)實驗例子1的表面光源裝置在200小時后的亮度的圖片，圖10B是顯示根據(jù)實驗例子2的表面光源裝置在200小時后的亮度的圖片，圖10C是顯示根據(jù)對比例子的表面光源裝置在200小時后的亮度的圖片。
如圖10A、10B和10C所示，根據(jù)實驗例子1和2的表面光源裝置在200小時后還具有均勻的亮度。也就是說，在放電空間中即使溫度差上升，由于汞氣被防止物理地吸附到熒光層上，所以汞氣在放電空間中也能均勻地分布。此外，由于洗提防止層防止包含在基底中的鈉離子被洗提到熒光層上，所以防止了表面光源裝置的變黑現(xiàn)象。然而，如圖10C所示，在根據(jù)對比例子的表面光源裝置中，無光區(qū)域出現(xiàn)的更多了。
圖11A是顯示根據(jù)實驗例子1的表面光源裝置在300小時后的亮度的圖片，圖11B是顯示根據(jù)實驗例子2的表面光源裝置在300小時后的亮度的圖片，圖11C是顯示根據(jù)對比例子的表面光源裝置在300小時后的亮度的圖片。
如圖11A、11B和11C所示，根據(jù)實驗例子1和2的表面光源裝置在300小時后還具有均勻的亮度。然而，如圖11C所示，在根據(jù)對比例子的表面光源裝置中，無光區(qū)域出現(xiàn)的越來越多了。
圖12A是顯示根據(jù)實驗例子1的表面光源裝置在500小時后的亮度的圖片，圖12B是顯示根據(jù)實驗例子2的表面光源裝置在500小時后的亮度的圖片，圖12C是顯示根據(jù)對比例子的表面光源裝置在500小時后的亮度的圖片。
如圖12A、12B和12C所示，根據(jù)實驗例子1和2的表面光源裝置在500小時后還具有均勻的亮度。也就是說，根據(jù)實驗例子1和2的表面光源裝置中，在500小時后幾乎保持了初始亮度。然而，如圖12C所示，在根據(jù)對比例子的表面光源裝置中，存在非常大的無光區(qū)域。
從上面描述的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明實施例的吸附防止層防止汞氣被物理地吸附到熒光層上。此外，洗提防止層防止包含在基底中的鈉離子被洗提到熒光層上，從而防止了表面光源裝置的變黑現(xiàn)象。因此，即使在放電空間中在溫度差的影響下，汞氣流向放電空間的低溫區(qū)域，汞氣也可被防止物理地吸附到熒光層上。這樣，當汞氣在放電空間中均勻地分布時，根據(jù)本發(fā)明實施例的表面光源裝置即使在其被長時間驅(qū)動后也可具有均勻的亮度。
利用優(yōu)選示例性實施例描述了本發(fā)明。但是，應(yīng)該理解，本發(fā)明的范圍不限于所公開的實施例。相反，本發(fā)明的范圍包括本領(lǐng)域技術(shù)人員利用現(xiàn)在已知或未知技術(shù)及其等同物能夠?qū)崿F(xiàn)的各種修改和替換。因此，權(quán)利要求的范圍應(yīng)該按照最寬的范圍解釋，以將所有這樣的修改和類似的替換包含在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種表面光源裝置，包括光源主體，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之間形成多個放電空間，放電氣體被供給到放電空間中；反射層，形成在第一基底的內(nèi)表面上；第一吸附防止層，形成在反射層上，用于防止放電氣體被吸附到反射層上；第一熒光層，形成在第一吸附防止層上；第二熒光層，形成在第二基底的內(nèi)表面上；電極，將放電電壓施加到放電氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的表面光源裝置，還包括第二吸附防止層，形成在第一熒光層上，用于防止放電氣體被吸附到第一熒光層上；第三吸附防止層，形成在第二熒光層上，用于防止放電氣體被吸附到第二熒光層上。
3.如權(quán)利要求2所述的表面光源裝置，其中，所述第二吸附防止層的厚度是第一熒光層的厚度的20％或者更少。
4.如權(quán)利要求2所述的表面光源裝置，其中，所述第二吸附防止層的厚度為10nm到10μm。
5.如權(quán)利要求2所述的表面光源裝置，其中，所述第一吸附防止層的厚度比第二吸附防止層的厚度更厚。
6.如權(quán)利要求2所述的表面光源裝置，其中，所述第一吸附防止層和第二吸附防止層由金屬氧化物制成。
7.如權(quán)利要求6所述的表面光源裝置，其中，所述金屬氧化物包括從氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦和氧化釔的組中選擇出的至少任何一種。
8.如權(quán)利要求1所述的表面光源裝置，還包括洗提防止層，介于第二基底和第二熒光層之間，用于防止包含在第二基底中的金屬被洗提到第二熒光層。
9.一種表面光源裝置，包括光源主體，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之間形成多個放電空間，放電氣體被供給到放電空間中；反射層，形成在第一基底的內(nèi)表面上；混合物熒光層，形成在反射層和第二基底的內(nèi)表面中的至少任何一個上，混合物熒光層包含熒光物質(zhì)和吸附防止材料；電極，將放電電壓施加到放電氣體。
10.一種背光單元，包括表面光源裝置，包括光源主體，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之間形成多個放電空間，放電氣體被供給到放電空間中；反射層，形成在第一基底的內(nèi)表面上；第一吸附防止層，形成在反射層上，用于防止放電氣體被吸附到反射層上；第一熒光層，形成在第一吸附防止層上；第二熒光層，形成在第二基底的內(nèi)表面上；電極，將放電電壓施加到放電氣體；殼體，用于容納表面光源裝置；光學(xué)片，介于表面光源裝置和殼體之間；逆變器，將用于驅(qū)動表面光源裝置的放電電壓施加到電極。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種表面光源裝置，包括光源主體，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之間形成多個放電空間，放電氣體被供給到放電空間中；反射層，形成在第一基底的內(nèi)表面上；第一吸附防止層，形成在反射層上，用于防止放電氣體被吸附到反射層上；第一熒光層，形成在第一吸附防止層上；第二熒光層，形成在第二基底的內(nèi)表面上；電極，將放電電壓施加到放電氣體。因此，由于放電氣體在放電空間中均勻地分布，所以表面光源裝置具有改善的亮度均勻性。
文檔編號G02F1/1335GK101038400SQ20071008831
公開日2007年9月19日 申請日期2007年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月16日
發(fā)明者鄭京澤, 李奎東, 尹馨彬 申請人:三星康寧株式會社