專利名稱：一種優(yōu)化掃描曝光的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體光刻制程中的曝光，尤其涉及釆用掃描式曝光裝置的曝 光方法。
背景技術：
隨著半導體工藝特征尺寸進入亞微米和深亞微米階段，半導體工藝制程對 整個工藝設備的要求也不斷提高。在整個半導體工藝中，曝光裝置直接決定著 整個制程能制作的最小線寬。隨著特征尺寸的不斷縮小，也給曝光裝置不斷帶 來了新的挑戰(zhàn)。曝光裝置也經歷了接觸式曝光裝置、近接式曝光裝置、掃描投 影式曝光裝置、步進機以及步進掃描式曝光裝置等這樣的發(fā)展階段，不斷滿足 小特征尺寸半導體的制作要求。
曝光裝置掃描曝光的過程是當晶圓相對光罩的移動時，光源的光透過光罩， 透鏡傳到涂覆有光刻膠的晶圓上，同時把光罩的圖像縮微復制到晶圓上，是個 成像的過程。在整個掃描過程中，承載晶圓的工作臺是由動態(tài)系統(tǒng)控制.模塊不 斷進行調試，定位晶圓位置。
隨著需要曝的圖案的特征尺寸越小，會要求曝光裝置的分辨率不斷提高。 曝光裝置的分辨率表示曝光裝置能分辨圖案的最小線寬，對越小特征尺寸的圖
案會要求曝光裝置的分辨率越高。曝光裝置分辨率(R)的表達式如下所示
D^脂
k!是由透鏡像差、照明條件(在孔徑面內的光線相干度和強度分布)、掩膜(如 是否采用了相移掩膜)、曝光工具工作狀態(tài)、光刻膠和工藝決定的，入是指曝光 光源的波長，NA是指曝光透鏡的數(shù)值孔徑。所以在曝小特征尺寸圖案時，希 望這個范圍較大。同樣焦深(D O F )表示在一定工藝條件下，能刻出,的最小 線寬像面偏離焦面的范圍，焦深表達式如下所示
k2是由曝光裝置本身決定的參數(shù)因子，入是指曝光光源的波長，NA是指曝光 透鏡的數(shù)值孔徑。
曝光光刻工藝窗口 ( PW)指的是在一定的光刻工藝條件范圍內，'在該范 圍內，曝出圖案的最小特征尺寸具有落在期望公差范圍內的印刷尺寸。
曝光裝置由于其硬件條件的確定， 一般存在著它所能曝的最小特征尺寸極 限，正是由于該極限的存在限制著該曝光裝置應用于更小特征尺寸的曝光工藝。 在不改變曝光光源的波長，透鏡NA值的情況下，曝光分辨率所能達到的極限 特征尺寸或小于極限特征尺寸的圖案時，會由于分辨率較低，焦深變淺，光刻 工藝窗口的縮小很容易導致曝出的圖案缺陷較多，散焦嚴重而不能保證圖案的 保真度。為解決曝更小特征尺寸圖案面臨的困難，通常是引進更先進的曝光設 備(增大數(shù)值孔徑，更精密的機械控制系統(tǒng)等)，這將耗費比較昂貴的經濟成本。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種優(yōu)化掃描曝光的方法，該方法可以有效解決掃 描式曝光裝置曝光極限特征尺寸或小于極限特征尺寸的圖案時所面臨的問題， 突破掃描式曝光裝置的標準極限曝光尺寸，延長曝光裝置使用壽命。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種優(yōu)化掃描曝光的方法，所述優(yōu)化掃描 曝光的方法是進行掃描曝光時，在不改變曝光裝置掃描方向控制模塊的條件下， 通過調整速度控制參數(shù)，微調晶圓和光罩之間的相對移動速度，使曝光裝置曝 光掃描速度低于其標準掃描速度。
在曝光掃描過程中，降低曝光掃描速度直至曝光圖案滿足生產良品'率的要求。
所述曝光裝置掃描速度要高于曝光裝置的飽和掃描曝光速度。 此方法運用于曝光掃描式曝光裝置分辨率所能達到的極限特征尺寸或小于 其極限特征尺寸的圖案。
與現(xiàn)有掃描曝光方法相比，本發(fā)明優(yōu)化掃描曝光的方法有利于在掃描過程 中，動態(tài)系統(tǒng)控制模塊把晶圓調整到最佳曝光平面，提高分辨率和焦深表達式 中的k因子，擴大光刻工藝窗口，可使曝光裝置曝光其極限特征尺寸的圖案， 甚至小于極限特征尺寸的圖案。同時，它在保證了一定的機臺利用率下，延長
了曝光裝置的使用壽命，節(jié)約了曝光更小特征尺寸圖案的經濟成本。
具體實施例方式
本發(fā)明的優(yōu)化掃描曝光的方法，當掃描式曝光裝置(Canon FPA5000 ES3) 曝光分辨率所能達到的極限特征尺寸(0.13um)或小于其極限特征尺寸.的圖案 時，在不改變曝光裝置掃描方向控制模塊的條件下，不采用曝光裝置默認的標 準曝光掃描速度。
通過調整曝光裝置掃描速度控制模塊參數(shù)，微調晶圓和光罩之間的相對移 動速度，使其低于曝光裝置標準掃描速度(350mm/s )。
在曝光掃描過程中，通過觀察曝光掃描速度下曝光后圖案的缺陷情況，如 果缺陷情況超出良品率要求，繼續(xù)緩慢調低曝光掃描速度，直到曝光的圖案滿 足要求時，就不再降低曝光掃描速度。
這樣比標準掃描速度低的掃描速度(200mm/s)就可完成曝光裝置極限特征 尺寸圖案(0.13um),甚至小于極限特征尺寸(0.115um)圖案的曝光。
降低曝光掃描速度，有助于在掃描曝光過程中動態(tài)系統(tǒng)控制模塊把晶圓調 整到最佳曝光平面。當掃描速度能最大程度發(fā)揮曝光裝置性能時，如果此時再 降低掃描速度，所曝圖案缺陷沒有改善或變化時，稱此時的掃描速度為飽和掃 描速度。
掃描曝光速度是一定要高于曝光裝置的飽和掃描速度的，否則降低掃描速 度不會減少曝光圖案的缺陷，反而降低了機臺利用率。
.該掃描曝光方法是采用低于標準的曝光掃描速度，避免使用標準掃描速度 曝光極限特征尺寸或小于極限特征尺寸出現(xiàn)的光刻工藝窗口的縮小和焦深淺導 致曝光圖案不符合要求的問題。同時，它在保證了一定的機臺利用率下.，延長 了曝光裝置的4吏用壽命，節(jié)約了曝光更d、特征尺寸圖案的經濟成本。
權利要求
1.一種優(yōu)化掃描曝光的方法，其特征在于:進行掃描曝光時，在不改變曝光裝置掃描方向控制模塊的條件下，通過調整速度控制參數(shù)，微調晶圓和光罩之間的相對移動速度，使曝光裝置掃描速度低于其標準掃描速度。
2、 如權利要求1所述的優(yōu)化掃描曝光的方法，其特征在于降低曝光掃描速度 直至曝光圖案滿足生產良品率的要求。
3、 如權利要求1所述的優(yōu)化掃描曝光的方法，其特征在于曝光掃描速度要高 于曝光裝置飽和掃描速度。
4、 如權利要求1所述的優(yōu)化掃描曝光的方法，其特征在于所曝光的對象是掃 描式曝光裝置分辨率所能達到的極限特征尺寸或小于其極限特征尺寸的圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種優(yōu)化掃描曝光的方法，該曝光掃描方法是在不改變曝光裝置掃描方向控制模塊的條件下，優(yōu)化掃描曝光的速度。當曝光掃描式曝光裝置分辨率所能達到的極限特征尺寸或小于其極限特征尺寸的圖案時，調整速度控制模塊參數(shù)來微調降低曝光掃描速度，在不低于曝光裝置飽和掃描速度下，可有效擴大光刻工藝窗口，使該曝光裝置突破掃描曝光裝置所曝特征尺寸的極限標準，曝更小特征尺寸的圖案。采用本發(fā)明的方法，可使掃描式曝光裝置應用于標準極限特征尺寸或小于標準極限特征尺寸的曝光工藝中，從而延長其使用壽命，節(jié)約經濟成本。
文檔編號G03F7/20GK101373335SQ200710045038
公開日2009年2月25日 申請日期2007年8月20日 優(yōu)先權日2007年8月20日
發(fā)明者方向平, 朱禕明, 李碧峰, 沈華峰 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司