專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
液晶顯示裝置及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別是一種驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣集成的液晶顯 示裝置。背景技術(shù)：
TFT-LCD (薄膜晶體管液晶顯示器)使LCD (液晶顯示器)進(jìn)入高畫質(zhì)、 高彩色顯示的新階段，目前幾乎所有高檔的LCD中都毫無例外地使用了 TFT有 源矩陣。TFT有源矩陣主要包括a-SiTFT (非晶硅薄膜晶體管)有源矩陣和P-Si TFT (多晶硅薄膜晶體管)有源矩陣兩種。與P-SiTFT技術(shù)相比，a-SiTFT技術(shù) 發(fā)展比較成熟，均勻性好且成本較低，但其遷移率較低， 一般在0.1 1.0cn^/V-s， P-SiTFT的遷移率則可達(dá)50 200cn^/V's。由于a-Si TFT遷移率比較低，致使其 驅(qū)動(dòng)電路速度較慢。中小尺寸LCD主要應(yīng)用于便攜式產(chǎn)品，因此在技術(shù)性能要求上與大尺寸 LCD有所不同。中小尺寸產(chǎn)品更加強(qiáng)調(diào)顯示器的輕、薄，器件的集成能力、更 好的可靠性，以及低成本。目前，市場對LCD的分辨率也提出了更高要求，為 了使小型化LCD具有高分辨率，減少TFT-LCD驅(qū)動(dòng)IC的數(shù)目是非常必要的。 通常，當(dāng)LCD的分辨率高于QVGA (240xRGBx320)時(shí)，TFT面板需要超過 IOOO條外部引線。當(dāng)產(chǎn)品分辨率進(jìn)一步增加時(shí)，在有限的空間內(nèi)制作更多的外引線就變得非常困難。以上技術(shù)問題可以通過將驅(qū)動(dòng)電路(gate driver circuits或 source driver circuits)集成在有源矩陣LCD基板上來解決。這種技術(shù)可以使顯 示器成本更低、結(jié)構(gòu)更緊湊、機(jī)械可靠性更高從而使其具有更大的市場競爭力。傳統(tǒng)的液晶面板的組件附加在LCD外部的電路板上，且往往需要四至七個(gè) 驅(qū)動(dòng)集成電路。驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣LCD集成技術(shù)是將驅(qū)動(dòng)芯片功能直接集成 到顯示器玻璃基板的表面上，同時(shí)又將時(shí)序控制功能集成到驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)。因此， 該技術(shù)使LCD內(nèi)部組件數(shù)量還不到普通同等像素顯示器的三分之一，為移動(dòng)設(shè) 備生產(chǎn)商減少了在電路發(fā)展和生產(chǎn)上的巨大負(fù)擔(dān)。圖1是現(xiàn)有技術(shù)TFT液晶顯示裝置a-Si柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣集成的縱 剖面圖，包括彩色濾色膜基板IOO，電極IOI，密封物質(zhì)102，柵極驅(qū)動(dòng)電路 103，液晶層104， TFT陣列基板105， TFT陣列基板電極106。當(dāng)TFT陣列基板105上集成的柵極驅(qū)動(dòng)電路103包含的TFT (未畫出)關(guān) 閉吋電荷守恒，因而產(chǎn)生電容耦合效應(yīng)。由于柵極驅(qū)動(dòng)電路103的耦合電容比 較大且很不穩(wěn)定，使TFT關(guān)態(tài)電壓V。ff與開態(tài)電壓V。n電壓差變大。這個(gè)電壓 變化量會(huì)使得由數(shù)據(jù)線寫入所設(shè)定的像素電壓在TFT關(guān)閉時(shí)有所變動(dòng)，這個(gè)變 動(dòng)電壓會(huì)產(chǎn)生兩個(gè)效應(yīng)， 一個(gè)是使像素最后所顯示的灰階偏離原來寫入電壓所 希望的灰階；二是使原來數(shù)據(jù)線寫入正負(fù)極性大小對稱的電壓向下偏離而產(chǎn)生 直流殘留效應(yīng)。如圖1所示，柵極驅(qū)動(dòng)電路103，彩色濾色膜基板100的電極101及它們之 間的液晶層104形成電容，該電容會(huì)造成柵極驅(qū)動(dòng)電路103的RC延遲。當(dāng)電場 很強(qiáng)時(shí)，液晶層104的介電常數(shù)超過10,而且溫度的降低會(huì)使液晶材料的介電 常數(shù)進(jìn)一步增加，從而使通過液晶材料形成的耦合電容大大增加，造成低溫情況下(如0°C)柵極驅(qū)動(dòng)電路103的柵線延遲過大而使LCD不能正常工作。因 此，必須降低柵極驅(qū)動(dòng)電路103，彩色濾色膜基板100的電極101及它們之間的 液晶層104形成的耦合電容，以使柵極驅(qū)動(dòng)電路103正常工作。柵極驅(qū)動(dòng)電路 103，彩色濾色膜基板100的電極101及它們之間的液晶層104還會(huì)形成寄生電 容，這些電容會(huì)成為數(shù)據(jù)線或掃描線的驅(qū)動(dòng)負(fù)載，隨著溫度的降低，寄生電容 也會(huì)增大。另外，不能將與有源矩陣集成的驅(qū)動(dòng)電路直接暴露在空氣中，因?yàn)?與顯示區(qū)域TFT經(jīng)過同一生產(chǎn)工藝制造的驅(qū)動(dòng)電路雖然有最外層保護(hù)層的保 護(hù)，還是難以在較長時(shí)間內(nèi)抵擋空氣對它的腐蝕作用。在考慮驅(qū)動(dòng)電路的耦合 電容，寄生電容和RC延遲的同時(shí)，還要考慮驅(qū)動(dòng)電路的可靠性。因此，有必要提出一種工藝制程簡單，能有效地使與有源矩陣集成的驅(qū)動(dòng) 電路的耦合電容，寄生電容和RC延遲減小的液晶顯示裝置來解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣集成的液晶顯示 裝置。本發(fā)明有效地降低了集成在有源矩陣液晶顯示器基板上的驅(qū)動(dòng)電路的耦 合電容，寄生電容和RC延遲，克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的眾多 問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的通過使集成于有源矩陣液晶 顯示器基板上的驅(qū)動(dòng)電路位于密封物質(zhì)或通過密封物質(zhì)形成的真空空間內(nèi)并與基板上相對應(yīng)的其它線路相連，使得驅(qū)動(dòng)電路形成的耦合電容，寄生電容和RC 延遲大幅度降低，以加快驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示器集成技術(shù)的實(shí)用化進(jìn) 程，使LCD更輕成本更低、結(jié)構(gòu)更緊湊、機(jī)械可靠性更高從而使其具有更大的市場競爭力。本發(fā)明提供了一種驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣集成的液晶顯示裝置，包括第一 基板和與第一基板相對的第二基板；位于第一基板上并相互交叉的多條掃描線 和多條數(shù)據(jù)線；由所述多條掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉所限定的若干個(gè)子像素，每 個(gè)子像素都由若干個(gè)薄膜晶體管相連；位于第一基板和第二基板之間的液晶層； 若干個(gè)在第一基板上且位于液晶層區(qū)域外的驅(qū)動(dòng)電路，以及位于第一基板和第 二基板之間的密封物質(zhì)，驅(qū)動(dòng)電路設(shè)于密封物質(zhì)內(nèi)；密封物質(zhì)與第一基板和第 二基板形成真空空間；驅(qū)動(dòng)電路位于或部分位于通過密封物質(zhì)形成的真空空間 中；真空空間可以位于第一基板的四周至少任意一邊；通過密封物質(zhì)形成的真 空空間可以包含若干個(gè)空間；驅(qū)動(dòng)電路可以是有源矩陣液晶顯示裝置的柵極驅(qū) 動(dòng)電路或源極驅(qū)動(dòng)電路；驅(qū)動(dòng)電路及有源矩陣液晶顯示裝置中的有源器件可以 是a-SiTFT， P-SiTFT等。本發(fā)明還提供了一種制造上述液晶顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟 在第一基板上形成多條掃描線；在多條掃描線上形成絕緣層和半導(dǎo)體層；在絕 緣層和半導(dǎo)體層上形成與多條掃描線成正交關(guān)系的多條信號(hào)線、薄膜晶體管的 源極和漏極；在多條信號(hào)線上形成鈍化層；在顯示區(qū)域多條掃描線和信號(hào)線交 叉限定的區(qū)域中形成像素電極，并通過穿過鈍化層的過孔與薄膜晶體管的電極 相連；在第一基板上形成存儲(chǔ)電容；在形成第一基板顯示區(qū)域薄膜晶體管陣列 的同時(shí)利用傳統(tǒng)工藝在第一基板四周邊緣的任意邊形成由若干個(gè)薄膜晶體管組 成的驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路與基板上相應(yīng)的線路相連；在第一基板四周邊緣涂 布密封物質(zhì)，使驅(qū)動(dòng)電路位于該密封物質(zhì)中；在涂布密封物質(zhì)的同時(shí)使第一基 板驅(qū)動(dòng)電路處的密封物質(zhì)與第一基板和第二基板形成一定空間，且該空間在第一基板和第二基板貼合前是非封閉空間；在涂布密封物質(zhì)的同時(shí)使驅(qū)動(dòng)電路位 于或部分位于通過密封物質(zhì)形成的空間中；在液晶滴下注入過程和第一基板與第二基板的真空貼合過程中實(shí)現(xiàn)密封物質(zhì)與第一基板和第二基板形成的空間是 真空空間。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于可以在不增加工藝復(fù)雜程度的情況下，將原來的驅(qū)動(dòng)電路利用傳統(tǒng)的生產(chǎn)線工藝在制作TFT陣列基板的同時(shí)集成在有源矩陣液晶顯 示器玻璃基板上，從而使LCD更輕、成本更低、結(jié)構(gòu)更緊湊、機(jī)械可靠性更高 從而使其具有更大的市場競爭力；另外，利用傳統(tǒng)的生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)工藝能夠 實(shí)現(xiàn)使液晶顯示裝置上的驅(qū)動(dòng)電路位于密封物質(zhì)及通過密封物質(zhì)形成的真空空 間內(nèi)，從而有效降低驅(qū)動(dòng)電路形成的耦合電容，寄生電容和RC延遲，加快驅(qū)動(dòng) 電路與有源矩陣集成技術(shù)的實(shí)用化進(jìn)程，尤其使高端a-Si電路與有源矩陣液晶 顯示器集成的實(shí)現(xiàn)成為可能。
附圖被包括進(jìn)來以提供對本發(fā)明進(jìn)一步的理解，其被并入且構(gòu)成說明書的 一部分，示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并與文字說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1是現(xiàn)有技術(shù)柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示裝置集成的縱剖面圖。 圖2是本發(fā)明一實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示裝置集成的縱剖 面圖。圖3是本發(fā)明另一實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示裝置集成的一基板示意圖。圖4是本發(fā)明上述實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示裝置集成的縱 剖面圖。圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示裝置集成的縱 剖面圖。具體實(shí)施方式
以下對本發(fā)明多個(gè)優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，在附圖中示出了它們的示例。圖2是本發(fā)明一實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示裝置集成的縱剖 面圖，包括彩色濾色膜基板200，電極201，密封物質(zhì)202，柵極驅(qū)動(dòng)電路203， 液晶層204， TFT陣列基板205， TFT陣列基板電極206。在圖2所示技術(shù)中，將密封物質(zhì)202覆蓋在柵極驅(qū)動(dòng)電路203上。當(dāng)位于 TFT陣列基板205上的柵極驅(qū)動(dòng)電路203位于密封物質(zhì)202內(nèi)時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電 路203，彩色濾色膜基板200的電極201及它們之間的密封物質(zhì)202形成電容。 由于密封物質(zhì)202的介電常數(shù)一般為3，與液晶材料的介電常數(shù)10相比大大降 低，因而能使耦合電容總量降低70%,同時(shí)也降低了柵極驅(qū)動(dòng)電路203形成的 寄生電容，且使柵極驅(qū)動(dòng)電路203的RC延遲降低。圖3是本發(fā)明另一實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示裝置集成的一 基板示意圖，包括密封物質(zhì)302，柵極驅(qū)動(dòng)電路303， TFT陣列基板305， TFT 陣列基板電極306，通過密封物質(zhì)形成的真空空間307，源極驅(qū)動(dòng)IC308，顯示 區(qū)域309。通過使密封物質(zhì)302與兩基板形成一個(gè)真空空間307，使柵極驅(qū)動(dòng)電 路303位于通過密封物質(zhì)302形成的真空空間307內(nèi)。該柵極驅(qū)動(dòng)電路303位 于TFT陣列基板305上并與相對應(yīng)的其它線路相連。圖4是本發(fā)明上述實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示裝置集成的縱剖面圖，包括彩色濾色膜基板300，電極301，密封物質(zhì)302，柵極驅(qū)動(dòng)電路 303，液晶層304, TFT陣列基板305， TFT陣列基板電極306，密封物質(zhì)與彩色 濾色膜基板300和TFT陣列基板305形成的真空空間307。密封物質(zhì)302位于 真空空間307之內(nèi)，柵極驅(qū)動(dòng)電路303位于TFT陣列基板305上并與相對應(yīng)的 其它線路相連。與液晶材料和密封物質(zhì)的介電常數(shù)相比，真空的介電常數(shù)更低， 約為1，而且真空的介電常數(shù)隨溫度變化的變化范圍很小。這就使得柵極驅(qū)動(dòng)電 路303，彩色濾色膜基板300的電極301及它們之間的真空空間307形成的耦合 電容大幅度降低，寄生電容和柵極驅(qū)動(dòng)電路303的RC延遲也更低，同時(shí)還能夠 保證柵極驅(qū)動(dòng)電路303位于真空氣氛內(nèi)不被空氣腐蝕。由于與任何保護(hù)層材料 的介電常數(shù)相比，真空的介電常數(shù)都最低，因此該實(shí)施例在保證驅(qū)動(dòng)電路可靠 性的同時(shí)還保證了耦合電容、寄生電容及柵極延遲很低。尤其對a-Si TFT而言，其開態(tài)電流和液晶電容隨溫度都有較大的變化，為 了使與有源矩陣集成的驅(qū)動(dòng)電路在低溫度范圍(如低至0。C)也能正常工作，且 改善驅(qū)動(dòng)電路的工作速度和功耗，進(jìn)一步降低驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的耦合電容，寄生 電容及驅(qū)動(dòng)電路輸出電容負(fù)載，使a-Si TFT驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示器集 成技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展成為可能，本發(fā)明所述的技術(shù)方法無疑是非常有效的。圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示裝置集成的縱 剖面圖，包括彩色濾色膜基板400，電極401，密封物質(zhì)402，柵極驅(qū)動(dòng)電路 403，液晶層404， TFT陣列基板405， TFT陣列基板電極406，密封物質(zhì)402 與彩色濾色膜基板400和TFT陣列基板405形成的真空空間407。當(dāng)對TFT-LCD 的尺寸有特殊要求時(shí)，可以使一部分柵極驅(qū)動(dòng)電路403包含于密封物質(zhì)402中，另一部分位于密封物質(zhì)402與彩色濾色膜基板400和TFT陣列基板405形成的 真空空間407中，也能達(dá)到降低柵極驅(qū)動(dòng)電路403耦合電容，寄生電容及柵極 RC延遲的目的，提高驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示器集成的實(shí)用化進(jìn)程。為實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還提供了一種驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣集成的液晶顯 示裝置的制造方法(未圖示，以制造本發(fā)明第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為例)。TFT陣列 基板與彩色濾色膜基板的制造方法與傳統(tǒng)方法類似，在此不詳述。在制造本發(fā) 明液晶顯示裝置時(shí)，TFT陣列基板305四周外邊緣的密封物質(zhì)302與彩色濾色 膜基板300和TFT陣列基板305形成一個(gè)空間307，在液晶滴下注入過程和TFT 陣列基板305與彩色濾色膜基板300的真空貼合過程中實(shí)現(xiàn)密封物質(zhì)302與兩 基板形成的空間307是真空空間。此方法的優(yōu)點(diǎn)是在不增加工藝復(fù)雜程度的情況下，將原來的柵極驅(qū)動(dòng)電路 303利用傳統(tǒng)的生產(chǎn)線工藝在制作TFT陣列基板的同時(shí)集成在有源矩陣液晶顯 示器玻璃基板上；利用現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)工藝使集成在有源矩陣基板上的柵 極驅(qū)動(dòng)電路303位于密封物質(zhì)302與彩色濾色膜基板300和TFT陣列基板305 形成的真空空間307中。本發(fā)明所述的密封物質(zhì)位于基板的四周外邊緣，對第一基板和第二基板起 粘接作用并對兩基板間的液晶層起密封作用。通過密封物質(zhì)形成的真空空間可 以位于第一基板的四周至少任意一邊，密封物質(zhì)的寬度可以從0.01mm到10mm。本發(fā)明所述的驅(qū)動(dòng)電路可以是有源矩陣LCD柵極驅(qū)動(dòng)電路或源極驅(qū)動(dòng)電 路；有源矩陣液晶顯示裝置中的有源器件可以是a-SiTFT， P-SiTFT，三端有源 的單晶硅MOSFET，或兩端有源的MIM， MSM， 二極管環(huán)，背對背二極管， ZnO變阻器等。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于在不增加工藝復(fù)雜程度的情況下， 將原來的驅(qū)動(dòng)電路利用傳統(tǒng)的生產(chǎn)線工藝在制作TFT陣列基板的同時(shí)集成在有源矩陣液晶顯示器玻璃基板上，這樣使LCD更輕、成本更低、結(jié)構(gòu)更緊湊、機(jī) 械可靠性更高從而使其具有更大的市場競爭力；另外，利用現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備和生 產(chǎn)工藝能夠?qū)崿F(xiàn)使LCD上的驅(qū)動(dòng)電路位于通過密封物質(zhì)形成的真空空間內(nèi)，從 而有效降低驅(qū)動(dòng)電路的耦合電容，寄生電容及RC延遲，加速驅(qū)動(dòng)電路與有源矩 陣液晶顯示器集成技術(shù)的實(shí)用化進(jìn)程，尤其使a-Si高端電路與有源矩陣液晶顯 示器集成的實(shí)現(xiàn)成為可能。綜上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而己，并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。 對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對本發(fā)明 的液晶顯示裝置及其制造方法進(jìn)行各種變化或各種修改。由此，本發(fā)明旨在覆 蓋落在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的對本發(fā)明的變型和修改。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示裝置，具有有源矩陣器件，包括第一基板和與第一基板相對的第二基板；位于第一基板上并相互交叉的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線；由所述多條掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉所限定的若干個(gè)子像素，每個(gè)子像素都由若干個(gè)薄膜晶體管相連；位于第一基板和第二基板之間的液晶層，其特征在于該裝置還包括若干在第一基板上且位于液晶層區(qū)域外的驅(qū)動(dòng)電路，以及位于第一基板和第二基板之間的密封物質(zhì)，所述驅(qū)動(dòng)電路設(shè)于密封物質(zhì)內(nèi)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的密封物質(zhì)與 第一基板和第二基板形成真空空間。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的驅(qū)動(dòng)電路位 于通過密封物質(zhì)形成的真空空間中。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于通過密封物質(zhì)形成 的真空空間可以位于第一基板的四周至少任意一邊。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2或3或4所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的驅(qū)動(dòng)電路部分位于通過密封物質(zhì)形成的真空空間中。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于通過密封物質(zhì)形成的真空空間可以包含若干個(gè)空間。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的驅(qū)動(dòng)電路可以是有源矩陣液晶顯示裝置的柵極驅(qū)動(dòng)電路或源極驅(qū)動(dòng)電路。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的驅(qū)動(dòng)電路及有源矩陣液晶顯示裝置中的有源器件可以是a-Si TFT， P-Si TFT等。
9、 一種制造如權(quán)利要求l所述液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟 在第一基板上形成多條掃描線； 在多條掃描線上形成絕緣層和半導(dǎo)體層，，在絕緣層和半導(dǎo)體層上形成與多條掃描線成正交關(guān)系的多條信號(hào)線、薄膜 晶體管電極；在多條信號(hào)線上形成鈍化層；在顯示區(qū)域多條掃描線和信號(hào)線交叉限定的區(qū)域中形成像素電極，并通過 穿過鈍化層的過孔與薄膜晶體管的電極相連； 在第一基板上形成存儲(chǔ)電容；在形成第一基板顯示區(qū)域薄膜晶體管陣列的同時(shí)利用傳統(tǒng)工藝在第一基板 四周邊緣的任意邊形成由若千個(gè)薄膜晶體管組成的驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路與基 板上相應(yīng)的線路相連；其特征在于在第一基板四周邊緣涂布密封物質(zhì)，使驅(qū)動(dòng)電路位于該密封 物質(zhì)中。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于在涂布密封物質(zhì) 的同時(shí)使第一基板驅(qū)動(dòng)電路處的密封物質(zhì)與第一基板和第二基板形成一定空 間，且該空間在第一基板和第二基板貼合前是非封閉空間。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9或IO所述的液晶顯示裝置，其特征在于在涂布密封 物質(zhì)的同時(shí)使驅(qū)動(dòng)電路位于或部分位于通過密封物質(zhì)形成的空間中。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的液晶顯示裝置，其特征在于該方法還包括液晶滴下注入過程和第一基板與第二基板的真空貼合過程，在這些工藝過程中實(shí)現(xiàn)密封物質(zhì)與第一基板和第二基板形成的空間是真空空間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣集成的液晶顯示裝置及其制造方法，通過使集成于有源矩陣液晶顯示器基板上的驅(qū)動(dòng)電路位于密封物質(zhì)或通過密封物質(zhì)形成的真空空間內(nèi)并與基板上相對應(yīng)的其它線路相連，使得驅(qū)動(dòng)電路形成的耦合電容，寄生電容和RC延遲大幅度降低，以加快驅(qū)動(dòng)電路與有源矩陣液晶顯示器集成技術(shù)的實(shí)用化進(jìn)程，使液晶顯示裝置成本更低、結(jié)構(gòu)更緊湊、機(jī)械可靠性更高從而使其具有更大的市場競爭力。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101221328SQ200710036380
公開日2008年7月16日 申請日期2007年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月11日
發(fā)明者凌志華, 倩 劉 申請人:上海天馬微電子有限公司