專利名稱：：形成抗蝕圖案的方法、半導(dǎo)體器件及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及形成抗蝕圖案的方法，該抗蝕圖案被涂覆在半導(dǎo)體器件的抗蝕圖案上，以增厚或增加半導(dǎo)體器件的抗蝕圖案的厚度，從而形成細(xì)度可超過現(xiàn)有曝光設(shè)備光源的曝光或分辨率極限的微小空間圖案。本發(fā)明還涉及半導(dǎo)體器件及其生產(chǎn)方法。背褒技術(shù)半導(dǎo)體集成電路已被高度集成，LSIs(大規(guī)模集成電路)和VLSIs(超大規(guī)模集成電路)已進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用中。伴隨著這種趨勢(shì)，布線圖案己小型化到0.2微米或更小，并且己經(jīng)獲得了0.1微米或更小的這種圖案。光刻工藝在形成微小布線圖案中非常重要，其中襯底被涂上抗蝕薄膜，對(duì)該抗蝕薄膜進(jìn)行選擇性曝光，然后進(jìn)行顯影，從而形成抗蝕圖案，之后，利用該抗蝕圖案作為掩膜干法刻蝕該襯底，接著除去該抗蝕圖案，從而獲得所需的布線圖案。在目前的光刻工藝中，需要波長(zhǎng)更短的光源，同時(shí)需要可提供與相應(yīng)光源具有合適性能的、具有更高分辨率的抗蝕材料。但是，使曝光光源的波長(zhǎng)縮短會(huì)增加曝光裝置的成本。而且，開發(fā)適用于更短波長(zhǎng)的抗蝕材料并不容易。因此，提出了一種利用抗蝕圖案增厚材料(在下文中有時(shí)會(huì)稱為"抗蝕溶脹劑")形成更微小圖案的工藝，其中由常規(guī)抗蝕材料形成的抗蝕圖案被增厚，以制成更微小的空間圖案。例如，提出了一種被稱為RELACS(化學(xué)收縮輔助分辨率增強(qiáng)光刻)的工藝，其中通過利用深紫外光的波長(zhǎng)為248納米的KrF準(zhǔn)分子激光使正型抗蝕或負(fù)型抗蝕的抗蝕劑曝光形成抗蝕圖案，然后借助于水溶性樹脂組合物形成一層覆蓋該抗蝕圖案的涂膜，該涂膜和抗蝕圖案在兩者之間的界面處利用抗蝕圖案材料中的殘留酸相互作用，從而該抗蝕圖案被增厚(在下文中，該增厚有時(shí)被稱為"溶脹")。在這種方法中，抗蝕圖案之間的間距被縮短，形成一微小的空間圖案。其后，便形成了與該空間圖案具有相同尺寸的所需圖案，例如布線圖案(參見日本專利申請(qǐng)公開(JP-A)No.10-73927)。但是，在該RELACS工藝中存在這樣一個(gè)問題，g卩，由于KrF抗蝕劑是含有酚醛樹脂、萘醌二疊氮樹脂等的芳香族樹脂組合物，該芳香族樹脂組合物中的芳香環(huán)可以使波長(zhǎng)為248納米的KrF準(zhǔn)分子激光通過，但吸收波長(zhǎng)為193納米(即較短波長(zhǎng))的ArF準(zhǔn)分子激光，因而阻止了ArF準(zhǔn)分子激光通過，進(jìn)而不能利用ArF準(zhǔn)分子激光形成更微小的布線圖案。此外，在該RELACS工藝中還存在另一個(gè)問題，g卩，抗蝕溶脹劑可有效地增厚或溶脹KrF抗蝕劑，但不能有效地增厚或溶脹ArF抗蝕劑。此外，抗蝕溶脹劑本身具有較低的抗刻蝕性，因此當(dāng)具有較低抗刻蝕性的ArF抗蝕圖案被溶脹時(shí)，在襯底上不能加工出與溶脹圖案相同尺寸的圖案。而且，即使具有令人相當(dāng)滿意的抗刻蝕性的KrF抗蝕劑被溶脹，也還是存在另一個(gè)問題，g卩，在刻蝕條件惡劣或KrF抗蝕圖案很微小或抗蝕膜很薄等情況下，不能精確地進(jìn)行刻蝕，且不能獲得與溶脹圖案具有相同尺寸的圖案。從形成更微小的布線圖案的觀點(diǎn)出發(fā)，希望可以利用比KrF準(zhǔn)分子激光的波長(zhǎng)更短的光，例如ArF準(zhǔn)分子激光，作為曝光設(shè)備的光源。當(dāng)波長(zhǎng)比ArF準(zhǔn)分子激光的波長(zhǎng)更短的X射線或電子束被用作曝光光源時(shí)，又會(huì)導(dǎo)致明顯增高的成本和生產(chǎn)率的降低。因此，利用ArF準(zhǔn)分子激光是較理想的。鑒于RELACS工藝中抗蝕溶脹劑不能有效地作用于ArF抗蝕圖案的問題，本發(fā)明人通過表面活性劑改進(jìn)與ArF抗蝕圖案的親和性，提出了一種能形成微小圖案的抗蝕圖案增厚材料(參見JP-ANo.2003-131400)。但是，這種抗蝕劑增厚材料的組分很可能會(huì)引起對(duì)增厚之前的圖案尺寸的依賴，也就是說，當(dāng)增厚之前的圖案尺寸增加時(shí)，增厚之后的圖案尺寸的減小程度會(huì)與該圖案尺寸成比例地增大。而且，會(huì)根據(jù)圖案密度而在收縮程度中呈現(xiàn)差異，抗蝕圖案間距較大的相對(duì)稀薄區(qū)收縮之后的圖案尺寸可能會(huì)不同于在抗蝕圖案間距較小的較密集區(qū)收縮之后的圖案尺寸；更具體而言，抗蝕圖案越密集，增厚之后的圖案尺寸的收縮程度就可能越大。另一方面，為了使RELACS工藝中的圖案形狀和平面內(nèi)尺寸都統(tǒng)一，提出了一種增加KrF抗蝕圖案的增厚程度的方法，該方法中利用抗蝕溶脹劑重復(fù)多次增厚(參見JP-ANo.2000-298356)。但是，隨著現(xiàn)在半導(dǎo)體集成電路越來越高的集成度，越來越希望能利用ArF準(zhǔn)分子激光來使布線圖案小型化。如上所述，除了通過增厚抗蝕圖案僅形成微小空間圖案以外，還需要一種這樣的新工藝，該工藝能均勻增厚抗蝕圖案，并且能不依賴于抗蝕圖案的尺寸或密度低成本方便地形成微小空間圖案或布線圖案，即使在存在不同尺寸且圖案布局中的密度變化很明顯的情況下。本發(fā)明人已經(jīng)努力地研究克服了上述問題，并發(fā)現(xiàn)，當(dāng)抗蝕劑與至少一種選自苯甲醇、苯甲胺或其衍生物的物質(zhì)被用作抗蝕圖案增厚材料時(shí)，由于沒有發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)而使得反應(yīng)比較容易被控制，所以抗蝕圖案可以不依賴于抗蝕圖案的尺寸而被增厚，這與之前的經(jīng)驗(yàn)相反，這種經(jīng)驗(yàn)是當(dāng)使用之前的抗蝕溶脹劑溶脹抗蝕圖案時(shí)，在沒有殘留酸的情況下，抗蝕圖案不能被增厚；因此，本發(fā)明人發(fā)明了一種尺寸依賴性較小的抗蝕圖案增厚材料。但是，前述包含苯甲醇的抗蝕圖案增厚材料會(huì)根據(jù)抗蝕劑材料的種類而可能表現(xiàn)出不足的增厚效果和/或根據(jù)圖案布圖而帶來不均勻的增厚效果，盡管它們能顯示出較小的尺寸依賴性。因此本發(fā)明人進(jìn)行了更加努力地研究來解決該問題，并發(fā)現(xiàn)了如下情況如果用含有苯甲醇的抗蝕圖案增厚材料形成抗蝕圖案時(shí)，將含有苯甲醇的抗蝕圖案增厚材料的涂覆、焙烘和顯影步驟中的至少一個(gè)步驟執(zhí)行多次，則在利用含有苯甲醇的抗蝕圖案增厚材料形成抗蝕圖案時(shí)，可較少依賴抗蝕圖案的尺寸或密度的變化而獲得足夠理想的增厚效果，且不會(huì)由于抗蝕劑材料的種類而顯示出產(chǎn)生的增厚效果不足的現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種形成抗蝕圖案的方法，其中ArF準(zhǔn)分子激光可用作圖案化的曝光光源，抗蝕圖案可不依賴于抗蝕圖案尺寸穩(wěn)定地增厚到預(yù)定厚度，因而微小空間圖案的精細(xì)度可超過曝光設(shè)備的曝光或分辨率的極本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其中ArF準(zhǔn)分子激光可用作圖案化的曝光光源，且微小空間圖案的精細(xì)度可超過曝光設(shè)備的曝光或分辨率的極限，且可以有效地批量生產(chǎn)出具有用微小空間圖案形成的微小布線圖案的高性能半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種具有根據(jù)本發(fā)明的方法生產(chǎn)出的微小布線圖案的高性能半導(dǎo)體器件。本發(fā)明是基于上述發(fā)現(xiàn)提出的，并且解決上述問題的方式在本申請(qǐng)的權(quán)利要求中公開。本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法包括形成抗蝕圖案，然后涂覆抗蝕圖案增厚材料以覆蓋該抗蝕圖案的表面，該抗蝕圖案增厚材料包括至少一種樹脂和由如下所示通式(1)表示的化合物，焙烘該抗蝕圖案增厚材料，顯影并分離該抗蝕圖案增厚材料，其中涂覆、焙烘和顯影步驟中的至少一個(gè)步驟被執(zhí)行多次。其中通式(1)中的"X"表示由下列結(jié)構(gòu)式(1)表示的官能團(tuán)；"Y"表示羥基、氨基、垸基取代的氨基、烷氧基、烷氧羰基和烷基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)；"m"表示1或1以上的整數(shù)，"n"表示O或O以上的整數(shù)；其中結(jié)構(gòu)式(1)中的"R1"和"R2"可以是相同的或不同的，各自表示氫原子或取代基；"Z"表示羥基、氨基、烷基取代的氨基和烷氧基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)。在形成抗蝕圖案的方法中，在涂覆步驟中形成抗蝕圖案，然后將抗蝕圖案增厚材料涂覆到該抗蝕圖案上；然后在焙烘步驟中焙烘該涂覆在抗蝕圖案通式(1)結(jié)構(gòu)式(1)上的抗蝕圖案增厚材料；然后存在于抗蝕圖案邊界周圍處的抗蝕圖案增厚材料滲入抗蝕圖案中，以與抗蝕圖案材料相互作用或混合。結(jié)果，由抗蝕圖案增厚材料和抗蝕圖案形成的表面層或混合層在抗蝕圖案上形成，作為內(nèi)層。然后對(duì)焙烘過的抗蝕圖案增厚材料進(jìn)行顯影；隨后，分離出沒與抗蝕圖案相互作用或混合和/或反應(yīng)的部分以及沒充分相互作用或混合的部分(即高水溶性部分)。當(dāng)利用抗蝕圖案增厚材料有效地增厚抗蝕圖案，且將涂覆、焙烘和顯影步驟中的至少一個(gè)步驟執(zhí)行多次時(shí)，可以充分地確保所需的增厚程度，而不會(huì)受抗蝕圖案的尺寸或密度的變化而影響，也不會(huì)由于抗蝕劑材料的種類而導(dǎo)致增厚程度不足。因此，由增厚的抗蝕圖案形成的空間圖案可以顯示出精細(xì)度超過曝光或分辨率極限的微小結(jié)構(gòu)。因此，除了可用于接觸孔圖案之外，該形成抗蝕圖案的方法還可用于各種抗蝕圖案中，包括用于具有各種尺寸的抗蝕圖案的LOGICLSI(邏輯大規(guī)模集成電路)布線層的線圖案。本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法包括形成抗蝕圖案的步驟和圖案化步驟，其中在所述形成抗蝕圖案的步驟中，采用本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法形成了抗蝕圖案，在所述圖案化步驟中，利用抗蝕圖案作為掩膜通過刻蝕將加工面圖案化。在生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中，在形成抗蝕圖案的步驟中，首先在加工面上形成抗蝕圖案，以在該加工面上形成諸如布線圖案等圖案。因此，可以均勻地增加增厚的抗蝕圖案的厚度，而不依賴于抗蝕圖案的尺寸或密度的變化，且可以充分地確保所需的增厚程度，而不依賴于抗蝕劑材料的種類。因此，除了接觸孔圖案之外，可以容易并精確地形成增厚的抗蝕圖案中，例如用于具有各種尺寸的半導(dǎo)體器件的LOGICLSI布線層的線圖案。隨后，在圖案化步驟中利用在形成抗蝕圖案的步驟中增厚的抗蝕圖案通過刻蝕的方式對(duì)加工面進(jìn)行細(xì)微、精密且具有高尺寸精度地圖案化，從而可以有效地生產(chǎn)出高質(zhì)量、高性能、且具有精密和微小圖案的半導(dǎo)體器件，其中所述圖案包括具有更高尺寸精度的布線圖案。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件是采用本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法生產(chǎn)的。該半導(dǎo)體器件可具有高精密和精度的圖案，例如具有更高尺寸精度的布線圖案。附圉說明圖1是示例性地說明在本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法中，形成抗蝕圖案的狀態(tài)的示意圖。圖2是示例性地說明在本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法中，將抗蝕薄膜圖案化以形成抗蝕圖案的狀態(tài)的示意圖。圖3是示例性地說明在本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法中，將抗蝕圖案增厚材料涂覆到抗蝕圖案表面上的狀態(tài)的示意圖。圖4是示例性地說明在本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法中，抗蝕圖案增厚材料被混合并滲入抗蝕圖案表面中的狀態(tài)的示意圖。圖5是示例性地說明在本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法中，將增厚的抗蝕圖案增厚材料顯影的狀態(tài)的示意圖。圖6是示例性地說明在本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中，在硅襯底上形成層間介電膜的狀態(tài)的示意圖。圖7是示例性地說明在本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中，在圖6所示的層間介電膜上形成鈦膜的狀態(tài)的示意圖。圖8是示例性地說明在本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中，在鈦膜上形成抗蝕薄膜并在鈦層上形成孔圖案的狀態(tài)的示意圖。圖9是示例性地說明在本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中，將孔圖案形成到層間介電膜中的狀態(tài)的示意圖。圖10是示例性地說明在本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中，其內(nèi)形成有孔圖案的層間介電膜上形成銅膜的狀態(tài)的示意圖。圖11是示例性地說明在本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中，除去層間介電膜上的銅膜而非孔圖案的狀態(tài)的示意圖。圖12是示例性地說明在本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中，在銅塞和形成在孔圖案中的TiN膜上形成層間介電膜的狀態(tài)的示意圖。圖13是示例性地說明在本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中，在作為表面層的層間介電膜中形成孔圖案，以及形成銅塞的狀態(tài)的示意圖。圖14是示例性地說明在本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中，形成三層結(jié)構(gòu)布線的狀態(tài)的示意圖。具體實(shí)旌方式形成抗蝕圖案的方法本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法包括涂覆步驟、焙烘步驟和顯影步驟，該涂覆步驟、焙烘步驟和顯影步驟中至少一個(gè)被執(zhí)行多次，且本發(fā)明的方法還可包括其它一些按需選擇的任選步驟。涂覆步驟、焙烘步驟和顯影步驟之一可適當(dāng)?shù)剡x擇被執(zhí)行多次；例如(i)至少涂覆步驟被多次執(zhí)行，(ii)涂覆步驟和焙烘步驟被多次執(zhí)行，(iii)涂覆步驟、焙烘步驟和顯影步驟被多次執(zhí)行。這些實(shí)施方式的任一種都能使抗蝕圖案均勻增厚，并能充分地確保理想的增厚程度。特別地，在實(shí)施方式(i)中優(yōu)選，只重復(fù)執(zhí)行涂覆步驟，然后焙烘步驟和顯影步驟按照該次序各執(zhí)行一次；在實(shí)施方式(ii)中優(yōu)選，涂覆步驟和焙烘步驟按照該次序重復(fù)執(zhí)行；在實(shí)施方式(m)中優(yōu)選，涂覆步驟、焙烘步驟和顯影步驟按照該次序重復(fù)執(zhí)行。優(yōu)選，涂覆步驟、焙烘步驟和顯影步驟不取決于加工次數(shù)或重復(fù)次數(shù)基本上根據(jù)相同工序分別執(zhí)行。更具體而言，優(yōu)選地，在涂覆步驟中以相同的旋轉(zhuǎn)次數(shù)和時(shí)間執(zhí)行涂覆；在焙烘步驟中以相同的溫度和時(shí)間執(zhí)行焙烘；在顯影步驟中利用相同的顯影液在相同的溫度和時(shí)間下執(zhí)行顯影。在這些步驟中，不改變各相應(yīng)工序的儀器的條件或設(shè)計(jì)，可以有效地形成抗蝕圖案。在涂覆步驟、焙烘步驟和顯影步驟之中執(zhí)行多次的步驟的重復(fù)次數(shù)可根據(jù)抗蝕劑材料的種類、所需的增厚程度等適當(dāng)?shù)剡x擇；優(yōu)選地，重復(fù)次數(shù)為2-5次。在涂覆步驟中，在形成抗蝕圖案之后將抗蝕圖案增厚材料涂覆到抗蝕圖案的表面?？刮g圖案抗蝕圖案的材料可根據(jù)應(yīng)用從常規(guī)的抗蝕劑材料中適當(dāng)?shù)剡x擇；該材料可以是負(fù)型的或正型的。其適當(dāng)實(shí)施例包括可分別被g線、i線、KrF準(zhǔn)分子激光、ArF準(zhǔn)分子激光、F2準(zhǔn)分子激光、電子束等圖案化的g線抗蝕劑、i線抗蝕劑、KrF抗蝕劑、ArF抗蝕劑、F2抗蝕劑、電子束抗蝕劑等。這些抗蝕劑可以是化學(xué)放大型或者非化學(xué)放大型。其中，優(yōu)選KrF抗蝕劑、ArF抗蝕劑和含有丙烯酸樹脂的抗蝕劑；此外，從改進(jìn)分辨率極限用于更精細(xì)的圖案和增加生產(chǎn)量的角度考慮，優(yōu)選ArF抗蝕劑和包含丙烯酸樹脂的抗蝕劑。具體的抗蝕圖案材料實(shí)例包括酚醛抗蝕劑(novolakresists)、PHS抗蝕劑、丙烯酸抗蝕劑、環(huán)烯-馬來酸酐(COMA)抗蝕劑，環(huán)烯抗蝕劑、諸如脂環(huán)丙烯酸-COMA共聚物的混合抗蝕劑(hybridresists)等。這些抗蝕劑可以被氟修飾?？赏ㄟ^常規(guī)方法形成抗蝕圖案?？稍谝r底的加工面上形成抗蝕圖案；可根據(jù)應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇加工面；當(dāng)在半導(dǎo)體器件上形成抗蝕圖案時(shí)，該加工面可以是半導(dǎo)體襯底的表面。具體的加工面實(shí)例是諸如硅晶片、各種氧化膜等的襯底的表面。抗蝕圖案的尺寸、厚度等可根據(jù)應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇；可根據(jù)加工面、刻蝕條件等選擇厚度，該厚度通常為0.1微米至500微米。抗蝕圖案增厚材料本發(fā)明的抗蝕圖案增厚材料包括至少一種樹脂和由下列通式(1)表示的化合物，且還可包括表面活性劑、相轉(zhuǎn)移催化劑、水溶性芳香化合物、在其一部分含有芳香化合物的樹脂、有機(jī)溶劑和其它根據(jù)需要適當(dāng)選擇的組分。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>其中通式(1)中的"X"表示由下列結(jié)構(gòu)式(1)表示的官能團(tuán)；"Y"表示羥基、氨基、烷基取代的氨基、烷氧基、烷氧羰基和烷基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)；"m"表示1或1以上的整數(shù)，"n"表示0或0以上的整數(shù)；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>結(jié)構(gòu)式(1)其中結(jié)構(gòu)式(1)中的"R1"和"R2"可以是相同的或不同的，各自表示氫原子或取代基；"Z"表示羥基、氨基、垸基取代的氨基和烷氧基中的通式(1)至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)?？刮g圖案增厚材料優(yōu)選為水溶性或堿溶性的?？刮g圖案增厚材料的水溶性可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)卣{(diào)整；例如，優(yōu)選地，抗蝕圖案增厚材料在25'C水溫的100克水中溶解0.1克以上?？刮g圖案增厚材料的堿溶性可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)卣{(diào)整；例如，優(yōu)選地，抗蝕圖案增厚材料在25'C的溶液溫度下，在100克質(zhì)量百分比為2.38%的四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液中溶解0.1克以上。本發(fā)明的抗蝕圖案增厚材料可以是水溶液、膠質(zhì)液體、乳液等；優(yōu)選為水溶液。樹脂樹脂可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；優(yōu)選地，樹脂是水溶性或堿溶性的?？紤]到能顯現(xiàn)出優(yōu)良的水溶性或堿溶性，樹脂優(yōu)選包括兩個(gè)或多個(gè)極性基團(tuán)。該極性基團(tuán)可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；其優(yōu)選的實(shí)例包括羥基、氨基、磺?；?、羰基、羧基、及其衍生物等?？梢院袉为?dú)的所述極性基團(tuán)，或者是含有兩種或兩種以上的組合。當(dāng)樹脂是水溶性樹脂時(shí)，該水溶性樹脂優(yōu)選在25"C水溫下在100克水中具有0.1克以上的水溶性。水溶性樹脂的實(shí)例包括聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯亞胺、聚環(huán)氧乙烷、苯乙烯-馬來酸共聚物、聚乙烯胺、聚烯丙基胺、含噁唑啉基的水溶性樹脂、水溶性三聚氰胺樹脂、水溶性脲醛樹脂(urearesin)、醇酸樹脂、磺胺樹脂等。當(dāng)樹脂是堿溶性樹脂時(shí)，該堿溶性樹脂優(yōu)選地顯示出在25'C的溶液溫度下，在IOO克質(zhì)量百分比為2.38X的TMAH水溶液中具有0.1克以上的堿溶性。堿溶性樹脂的實(shí)例是酚醛樹脂、乙烯基苯酚樹脂、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚對(duì)羥基苯基丙烯酸酯、聚對(duì)羥基苯基甲基丙烯酸酯、及其共聚物等。樹脂可以單獨(dú)應(yīng)用，或者兩種或兩種以上組合應(yīng)用。其中，優(yōu)選聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛、聚乙酸乙烯酯等。更優(yōu)選含有5%質(zhì)量比至40%質(zhì)量比的聚乙烯醇縮醛的樹脂。抗蝕圖案增厚材料的樹脂可以是在其至少一個(gè)部分中具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)，應(yīng)用這種樹脂的優(yōu)點(diǎn)在于可以給予抗蝕圖案增厚材料更高的抗刻蝕性。至少一部分具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂可以被單獨(dú)應(yīng)用，或者兩種或兩種以上組合應(yīng)用；還可與上述樹脂一起使用。一部分具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；其適當(dāng)實(shí)例包括聚乙烯芳基縮醛樹脂、聚乙烯芳基醚樹脂、聚乙烯芳基酯樹脂及其衍生物。從呈現(xiàn)合適的水溶性或堿溶性的角度考慮，更優(yōu)選含有乙?；臉渲?。聚乙烯芳基縮醛樹脂可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；其實(shí)例包括P-間苯二酚縮醛等。聚乙烯芳基醚樹脂可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；其實(shí)例包括4-羥基苯甲醚等。聚乙烯芳基酯樹脂可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；其實(shí)例包括苯甲酸酯等。生產(chǎn)聚乙烯芳基縮醛樹脂的方法可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，該方法可以選自那些利用聚乙烯醇縮醛反應(yīng)的方法。更具體而言，化學(xué)計(jì)量的聚乙烯醇和醛在酸催化劑的作用下進(jìn)行縮醛化反應(yīng)。合適的實(shí)例在美國(guó)專利Nos.5169897和5262270、日本專利申請(qǐng)公開(JP-A)No.05-78414等中均有公開。生產(chǎn)聚乙烯芳基醚樹脂的方法可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。其實(shí)例是相應(yīng)的乙烯芳基醚單體和乙烯基醋酸酯的共聚反應(yīng)；聚乙烯醇和具有鹵化垸基的芳香族化合物在堿催化劑的作用下的成醚反應(yīng)(Williamson醚合成反應(yīng))等。特別地，合適的實(shí)例在JP-ANos.2001-40086,2001-181383，06-116194等中均有公開。生產(chǎn)聚乙烯芳基酯樹脂的方法可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。其實(shí)例是相應(yīng)的乙烯基芳基酯單體和乙烯基醋酸酯的共聚反應(yīng)；聚乙烯醇和芳香族酰鹵在堿催化劑等的作用下的酯化反應(yīng)等。其一部分具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂中的環(huán)狀結(jié)構(gòu)可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。其實(shí)例是，諸如苯等的單環(huán)結(jié)構(gòu)、諸如雙酚等的多環(huán)結(jié)構(gòu)、諸如萘等的稠環(huán)結(jié)構(gòu)；特別地，優(yōu)選芳香族化合物、脂環(huán)族化合物、雜環(huán)化合物等。其一部分具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂可以包括單一的這樣的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，或者兩種或兩種以上環(huán)狀結(jié)構(gòu)的組合。芳香族化合物的實(shí)例包括多羥基苯酚化合物、多酚化合物、芳香羧酸化合物、萘多羥基化合物、二苯甲酮化合物、黃酮類化合物、卟吩、水溶性苯氧基樹脂、含芳香化合物的水溶性染料、其衍生物、其糖苷等。這些芳香族化合物可以單獨(dú)地使用，或者兩種或兩種以上組合地使用。多羥基苯酚化合物的實(shí)例是間苯二酚、間苯二酚杯[4]芳烴、焦掊酸、末食子酸、其衍生物和其糖苷等。多酚化合物的實(shí)例包括鄰苯二酚、花色素(天竺葵色素型(4，-羥基)、花青素型(3',4'-二羥基)、翠雀定(ddphinidin)型G，，4，，5，-三羥基)、黃垸-3，4-二醇、原花色素等等。芳香羧酸化合物的實(shí)例包括水楊酸、鄰苯二甲酸、二羥基苯甲酸、鞣質(zhì)等。萘多羥基化合物的實(shí)例包括萘二醇、萘三醇等。二苯甲酮化合物的實(shí)例包括茜素黃A等。黃酮類化合物的實(shí)例包括黃酮、異黃酮、黃垸醇、二氫黃酮、黃酮醇、黃烷-3-醇、橙酮、査耳翻、二氫査耳酮，槲皮苷等。脂環(huán)族化合物的實(shí)例是多環(huán)垸烴、環(huán)垸烴、稠環(huán)、其衍生物和其糖苷等。這些化合物可以單獨(dú)地使用，或者兩種或兩種以上組合地使用。多環(huán)烷烴的實(shí)例是降莰烷、金剛烷、降蒎烷、甾烷等。環(huán)烷烴的實(shí)例是環(huán)戊烷、環(huán)己垸等。稠環(huán)的實(shí)例是類固醇等。雜環(huán)化合物的適宜實(shí)例包括含氮雜環(huán)化合物，例如吡咯烷、吡啶、咪唑、噁唑、嗎啉、吡咯垸酮等；和含氧雜環(huán)化合物，例如呋喃、吡喃、諸如戊糖和己糖等的糖類等。從水溶性的角度考慮，其一部分具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂的優(yōu)選實(shí)例為具有至少一種選自以下官能團(tuán)的基團(tuán)的樹脂羥基、氰基、烷氧基、羧基、氨基、酰胺基、烷氧羰基、羥烷基、磺酰基、酸酐基、內(nèi)酯基、氰酸酯/鹽(cyanate)基和酮基等，及與糖類生成的衍生物。更優(yōu)選具有至少一個(gè)選自羥基、氨基、磺?；?、羧基或其衍生物的官能團(tuán)的樹脂。其一部分具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂中環(huán)狀結(jié)構(gòu)的摩爾含量可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。當(dāng)需要較高的抗刻蝕性時(shí)，其含量?jī)?yōu)選為5mol^或更高，更優(yōu)選為10mol^或更高。其一部分具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂中環(huán)狀結(jié)構(gòu)的摩爾含量可通過NMR(核磁共振)等測(cè)量?？刮g圖案增厚材料中的樹脂(包括其一部分具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂)含量可根據(jù)無環(huán)狀結(jié)構(gòu)樹脂、用通式(1)表示的化合物、后面描述的表面活性劑等的類型和含量等適當(dāng)?shù)卮_定。通式(1)表示的化合物只要通式(1)表示的化合物在結(jié)構(gòu)的一部分具有芳香環(huán)結(jié)構(gòu)，其不受到其他特別限制，其由下面的通式(1)表示，并可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。即使樹脂的一部分不含有環(huán)狀結(jié)構(gòu)，由于具有芳香環(huán)，仍可以使抗蝕圖案增厚材料具有更高的抗刻蝕性。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>其中通式(1)中的"X"表示由下列結(jié)構(gòu)式(1)表示的官能團(tuán)；"Y"表示羥基、氨基、烷基取代的氨基、垸氧基、烷氧羰基或垸基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)；"m"表示1或1以上的整數(shù)，"n"表示O或0以上的整數(shù)；為了防止交聯(lián)反應(yīng)并且易于控制反應(yīng)，"m"優(yōu)選為1;其中結(jié)構(gòu)式(1)中的"R1"和"R2"可以是相同的或不同的，各自表示氫原子或取代基；"Z"表示羥基、氨基、烷基取代的氨基和烷氧基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)。優(yōu)選地，結(jié)構(gòu)式(1)中，W和W各為一個(gè)氫原子。當(dāng)Ri和W各是一個(gè)氫原子時(shí)，對(duì)水溶性是常常有利的。當(dāng)結(jié)構(gòu)式(1)中的Ri和W是取代基時(shí)，該取代基可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。其實(shí)例是酮基(垸基羰基)、烷氧羰基和烷基。由通式(1)表示的化合物的合適的具體實(shí)例是具有苯甲醇結(jié)構(gòu)的化合物、具有芐胺結(jié)構(gòu)的化合物等。具有苯甲醇結(jié)構(gòu)的化合物可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。適當(dāng)實(shí)例是苯甲醇及其衍生物，更具體而言是苯甲醇、2-羥基苯甲醇(水楊醇)、2-氨基苯甲醇、4畫氨基苯甲醇、2，4-二羥基苯甲醇、1，4-苯二甲醇、l-苯基-l，2-乙垸二硫醇、4-甲氧基甲基苯酚等。具有芐胺結(jié)構(gòu)的化合物可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。適當(dāng)實(shí)例是芐胺及其衍生物，更具體而言是芐胺、2-甲氧基芐胺等。結(jié)構(gòu)式(1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>這些化合物可以單獨(dú)地使用，或者兩種或兩種以上組合地使用。其中，從更高水溶性、從而得到更大溶解量的角度考慮，優(yōu)選2-羥基苯甲醇、4-氨基苯甲醇等。由通式(1)表示的化合物在抗蝕圖案增厚材料中的含量可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，優(yōu)選量是基于抗蝕圖案增厚材料總質(zhì)量的0.01至50質(zhì)量份，更優(yōu)選為0.1至10質(zhì)量份。當(dāng)由通式(1)表示的化合物含量低于0.01質(zhì)量份時(shí)，就不能獲得所需的反應(yīng)量。超過50質(zhì)量份的含量則由于化合物可能會(huì)在涂覆期間分離并導(dǎo)致圖案缺陷而不適宜。表面活性劑表面活性劑可以滿足以下這些需要，例如改進(jìn)抗蝕圖案增厚材料和抗蝕圖案之間的一致性的需要、待增厚的抗蝕圖案的更大增厚量的需要、改進(jìn)抗蝕圖案增厚材料和抗蝕圖案之間的界面處增厚效果的面內(nèi)均勻性需要、和消泡性的需要。表面活性劑可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；其實(shí)例包括非離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、兩性表面活性劑等。這些表面活性劑可單獨(dú)地使用，或者兩種或兩種以上組合地使用。其中，從不含有諸如鈉離子、鉀離子等金屬離子的角度考慮，優(yōu)選非離子表面活性劑。非離子表面活性劑的適當(dāng)實(shí)例可以選自烷氧基化表面活性劑、脂肪酸酯表面活性劑、酰胺表面活性劑、醇類表面活性劑和乙二胺表面活性劑。其具體實(shí)例包括聚氧乙烯-聚氧丙烯縮合物、聚氧化烯垸基醚化合物、聚氧乙烯烷基醚化合物、聚氧乙烯衍生化合物、山梨糖醇酐脂肪酸酯化合物、甘油脂肪酸酯化合物、伯醇乙氧化物、苯酚乙氧化物、壬基苯酚乙氧化物、辛基苯酚乙氧化物、月桂醇乙氧化物、油醇乙氧化物、脂肪酸酯、酰胺、天然醇、乙二胺、仲醇乙氧化物等。陽離子表面活性劑可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；其實(shí)例包括烷基陽離子表面活性劑、酰胺季銨鹽陽離子表面活性劑、酯季銨鹽陽離子表面活性劑等。兩性表面活性劑可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；其實(shí)例包括氧化胺表面活性劑、甜菜堿表面活性劑等?？刮g圖案增厚材料中的表面活性劑含量可根據(jù)樹脂、通式(1)表示的化合物、相轉(zhuǎn)移催化劑等的類型和含量等進(jìn)行適當(dāng)選擇。表面活性劑含量的適當(dāng)范圍例如，在100質(zhì)量份的抗蝕劑增厚材料中含有0.01質(zhì)量份或以上的表面活性劑，優(yōu)選含有0.05質(zhì)量份至2質(zhì)量份，更優(yōu)選含有0.08質(zhì)量份至0.5質(zhì)量份的表面活性劑。當(dāng)表面活性劑的含量是0.01質(zhì)量份或以下時(shí)，會(huì)改進(jìn)涂覆性能的效果，但是，在大多數(shù)情況下，抗蝕圖案增厚材料的反應(yīng)量幾乎與沒有添加表面活性劑的情況沒什么區(qū)別。相轉(zhuǎn)移催化劑相轉(zhuǎn)移催化劑可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；其實(shí)例包括有機(jī)材料；合適的實(shí)例具體是堿性材料。當(dāng)抗蝕圖案增厚材料含有相轉(zhuǎn)移催化劑時(shí)，好處是，無論其材料是什么，需要增厚的抗蝕圖案都能被有效且均勻地增厚，且增厚效果對(duì)需要增厚的抗蝕圖案的材料顯示出較少的依賴性。無論待利用抗蝕圖案增厚材料增厚的抗蝕圖案是否含有酸生成劑，相轉(zhuǎn)移催化劑的這種效果都不會(huì)被削弱。相轉(zhuǎn)移催化劑優(yōu)選為水溶性的，且呈現(xiàn)出在25t:水溫的100克水中具有0.1克的水溶性。相轉(zhuǎn)移催化劑的具體實(shí)例是冠醚、氮雜冠醚、鎗鹽等。相轉(zhuǎn)移催化劑可以單獨(dú)地使用，或者兩種或兩種以上組合地使用。其中從水溶性的角度考慮，優(yōu)選鎗鹽。冠醚和氮雜冠繼的實(shí)例是18-冠-6、15-冠-5、l-氮雜-18-冠-6、4，13-二氮雜-18-冠-6、1，4，7-三氮雜環(huán)壬烷等。鎗鹽可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；其適當(dāng)實(shí)例包括季銨鹽、吡啶鹽、噻唑鹽、膦鹽、哌嗪鹽、麻黃素鹽、奎寧鹽和弱金雞納堿鹽(cinchoniniumsalt)等。季銨鹽的實(shí)例是那些用作有機(jī)合成試劑的鹽，也就是四丁基硫酸氫銨、四甲基醋酸銨、四甲基氯化銨等。吡啶鹽的實(shí)例是溴化十六烷基吡啶等。噻唑鹽的實(shí)例是3-節(jié)基-5-(2-羥乙基)-4-甲基噻唑氯化物等。膦鹽的實(shí)例是四丁基氯化膦等。哌嗪鹽的實(shí)例是l，l二甲基-4-苯基哌嗪碘化物等。麻黃素鹽的實(shí)例是((-)-N,N-二甲基麻黃素溴化物)等?？鼘廂}的實(shí)例是N-芐基奎寧氯化物等。弱金雞納堿鹽的實(shí)例是N-芐基弱金雞納堿氯化物等?？刮g圖案增厚材料中的相轉(zhuǎn)移催化劑的含量取決于樹脂等的類型和含量等，該含量可以被明確地限定，且可以根據(jù)類型和含量等適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，優(yōu)選10000ppm或以下，更優(yōu)選10ppm至10000ppm，更優(yōu)選10ppm至5000ppm，尤其優(yōu)選10ppm至3000ppm。當(dāng)相轉(zhuǎn)移催化劑含量為10000ppm或以下時(shí)，諸如線間隔圖案等的抗蝕圖案可以有效地增厚而與尺寸無關(guān)。相轉(zhuǎn)移催化劑的含量可通過例如液相色譜法測(cè)量。水溶性芳香化合物水溶性芳香化合物可以是各種具有水溶性的芳香化合物中的一種，且可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。優(yōu)選水溶性為在25"C的100克水中能溶解1克或以上的化合物，更優(yōu)選水溶性為在25°C的100克水中能溶解3克或以上的化合物。特別地，最優(yōu)選水溶性為在25'C的100克水中能溶解5克或以上的化合物。當(dāng)抗蝕圖案增厚材料含有水溶性芳香化合物時(shí)，好處是，由于水溶性芳香化合物含有環(huán)狀結(jié)構(gòu)，使得所獲得的抗蝕圖案的抗刻蝕性可以得到顯著提高。水溶性芳香化合物的實(shí)例是多酚化合物、芳香羧酸化合物、萘多羥基化合物、二苯甲酮化合物、黃酮類化合物、卟吩、水溶性苯氧基樹脂、含芳香化合物的水溶性染料、其衍生物及其糖苷等。這些芳香族化合物可以單獨(dú)地使用，或者兩種或兩種以上組合地使用。多酚化合物的實(shí)例包括鄰苯二酚、花色素(天竺葵色素型(4'-羥基)、花青素型(3'，4'-二羥基)、翠雀定型(3'，4',5'-三羥基)、黃垸-3，4-二醇、原花色素、間苯二酚、間苯二酚杯[4]芳烴、連苯三酚和末食子酸等。芳香羧酸化合物的實(shí)例包括水楊酸、鄰苯二甲酸、二羥基苯甲酸、鞣質(zhì)等。二苯甲酮化合物的實(shí)例包括茜素黃A等。黃酮類化合物的實(shí)例包括黃酮、異黃酮、黃烷醇、二氫黃酮、黃酮醇、黃烷-3-醇、橙酮、查耳酮、二氫査耳酮，槲皮苷等。這些化合物可以單獨(dú)地使用，或者兩種或兩種以上組合地使用。其中優(yōu)選多酚化合物，特別優(yōu)選鄰苯二酚、間苯二酚等。在這些水溶性芳香化合物中，從優(yōu)良的水溶性角度考慮，優(yōu)選具有兩個(gè)或以上極性基團(tuán)的化合物，更優(yōu)選具有三個(gè)或以上極性基團(tuán)的化合物，特別優(yōu)選具有四個(gè)或以上極性基團(tuán)的化合物。極性基團(tuán)可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。其實(shí)例是羥基、羧基、羰基、磺?；??？刮g圖案增厚材料中的水溶性芳香化合物的含量可根據(jù)樹脂、通式(1)表示的化合物、相轉(zhuǎn)移催化劑和表面活性劑等的類型和含量等適當(dāng)?shù)貨Q定。有機(jī)溶劑有機(jī)溶劑可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。其實(shí)施例包括醇類有機(jī)溶劑、直鏈酯有機(jī)溶劑、環(huán)狀酯有機(jī)溶劑、酮類有機(jī)溶劑、直鏈醚有機(jī)溶劑、環(huán)狀醚有機(jī)溶劑等。當(dāng)抗蝕圖案增厚材料含有有機(jī)溶劑時(shí)，好處是，可以改進(jìn)抗蝕劑、通式(1)表示的化合物等在抗蝕圖案增厚材料中的溶解度。有機(jī)溶劑可與水混合。水的合適實(shí)例是純水或去離子水。醇類有機(jī)溶劑的實(shí)例是甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等。直鏈酯有機(jī)溶劑的實(shí)例包括乳酸乙酯、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)等。環(huán)狀酯有機(jī)溶劑的實(shí)例包括諸如Y-丁內(nèi)酯的內(nèi)酯有機(jī)溶劑等。酮類有機(jī)溶劑的實(shí)例包括諸如丙酮、環(huán)己酮、庚酮等的酮類有機(jī)溶劑。直鏈醚有機(jī)溶劑的實(shí)例包括乙二醇二甲基醚等。環(huán)狀醚有機(jī)溶劑的實(shí)例包括四氫呋喃、二噁烷等。這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)地使用，或者兩種或兩種以上組合地使用。其中，由于抗蝕圖案可被精確地增厚，優(yōu)選具有約8(TC至20(TC的沸點(diǎn)的溶劑。抗蝕圖案增厚材料中的有機(jī)溶劑含量可根據(jù)樹脂、通式(1)表示的化合物、相轉(zhuǎn)移催化劑和表面活性劑等的類型和含量等適當(dāng)?shù)貨Q定。其它組分可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇其它組分。其實(shí)例包括各種常規(guī)添加劑，例如熱酸產(chǎn)生劑(thermalacidgeneratingagent)、諸如胺型或酰胺型等的猝滅劑?？刮g圖案增厚材料中的其它組分含量可根據(jù)樹脂、通式(1)表示的化合物、相轉(zhuǎn)移催化劑和表面活性劑等的類型和含量等適當(dāng)?shù)貨Q定。涂覆涂覆抗蝕圖案增厚材料的方法可從常規(guī)方法中適當(dāng)?shù)剡x擇；一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例是旋涂法。關(guān)于旋涂方法的條件是，旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)選為100轉(zhuǎn)/分(rpm)至10000轉(zhuǎn)/分，更優(yōu)選為800轉(zhuǎn)/分至5000轉(zhuǎn)/分；時(shí)間優(yōu)選為1秒至10分鐘，更優(yōu)選為1秒至90秒。涂覆厚度通常為100埃至10000埃(10納米至IOOO納米)，優(yōu)選為1000埃至5000埃(100納米至500納米)。上述表面活性劑可以在涂覆抗蝕圖案增厚材料之前獨(dú)立地進(jìn)行涂覆，而不是將表面活性劑合并到抗蝕圖案增厚材料中。焙烘步驟涂覆在抗蝕圖案上的抗蝕圖案增厚材料在焙烘步驟中焙烘。優(yōu)選地，在上述涂覆期間或之后執(zhí)行焙烘步驟中的加熱和干燥。對(duì)涂覆的抗蝕圖案增厚材料進(jìn)行焙烘可有效地促使抗蝕圖案增厚材料在其與抗蝕圖案的界面附近混合或滲入到抗蝕圖案中，這可有效地促進(jìn)混合或滲入部分的反應(yīng)。焙烘的條件或方法可根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇；焙烘溫度通常為70'C至150°C，優(yōu)選為鄰。C至13(TC;焙烘時(shí)間通常為10秒至5分鐘，優(yōu)選為40秒至100秒。顯影步驟在焙烘步驟中焙烘后的抗蝕圖案增厚材料在顯影步驟中顯影和分離。優(yōu)選地，在焙烘或加熱之后進(jìn)行顯影，且除去遠(yuǎn)離抗蝕圖案相互作用或混合和/或反應(yīng)的部分以及未充分相互作用或混合的部分(即高水溶性部分)，從而顯影并獲得增厚的抗蝕圖案。顯影步驟中的顯影劑可根據(jù)應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇；優(yōu)選地，顯影劑是含水顯影劑或堿性顯影劑，如果需要的話，其可以包括表面活性劑。堿性顯影劑的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例是氫氧化四甲銨(TMAH)。顯影的方法可以根據(jù)應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇；優(yōu)選的實(shí)例是浸漬法、攪煉法(puddleprocess)和噴霧法。其中，從大批量生產(chǎn)性的角度考慮，優(yōu)選攪煉法。顯影時(shí)間可以根據(jù)應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇；優(yōu)選地，該時(shí)間為10秒至300秒，更優(yōu)選為30秒至90秒。如上所述，涂覆步驟、焙烘步驟和顯影步驟中的至少一個(gè)步驟被執(zhí)行多次，從而抗蝕圖案可以被抗蝕圖案增厚材料有效地增厚，以確保所需的增厚程度，然后可以由該增厚的抗蝕圖案形成微小空間圖案。通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)抗蝕圖案增厚材料的粘度、涂覆厚度、焙烘溫度、焙烘時(shí)間等，可以將抗蝕圖案的增厚程度控制到預(yù)定范圍。下面將參見本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法。如圖1中所示，將抗蝕材料3a涂覆在襯底5的加工面上，然后通過將該抗蝕材料3a圖案化而形成抗蝕圖案3，如圖2中所示，將抗蝕圖案增厚材料1涂覆在抗蝕圖案3的表面上，進(jìn)而完成涂覆步驟。接下來，通過加熱和干燥焙烘抗蝕圖案增厚材料1形成涂覆膜，進(jìn)而完成焙烘步驟。因此，抗蝕圖案增厚材料1與抗蝕圖案3通過在兩者之間的界面附近混合或滲透而相互作用(interacts)，且通過混合或滲透而相互作用的部分引發(fā)了相互作用(mutualaction)，例如如圖4中所示的在抗蝕圖案增厚材料1和抗蝕圖案3之間的界面處的反應(yīng)。之后進(jìn)行顯影，如圖5中所示，將遠(yuǎn)離與抗蝕圖案3發(fā)生反應(yīng)的部分和未充分相互作用或混合的部分(即高水溶性部分)從抗蝕圖案增厚材料1中溶解除去，形成了或顯影得到增厚的抗蝕圖案10，其在內(nèi)部的抗蝕圖案10b上或抗蝕圖案3上具有一表面層10a，進(jìn)而完成顯影步驟。在本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法中，涂覆步驟、焙烘步驟和顯影步驟中的至少一個(gè)步驟被執(zhí)行多次。例如，將涂覆步驟執(zhí)行多次，然后將焙烘步驟和顯影步驟各執(zhí)行一次；將涂覆步驟和焙烘步驟執(zhí)行多次，然后將顯影步驟執(zhí)行一次；或?qū)⑼扛膊襟E、焙烘步驟和顯影步驟依次各執(zhí)行多次。增厚的抗蝕圖案10是由抗蝕圖案3被抗蝕圖案增厚材料1增厚而形成，且其在內(nèi)層抗蝕圖案10b(需要被增厚的抗蝕圖案3)的表面上具有一表面層10a，該表面層10a由于抗蝕圖案增厚材料1的反應(yīng)而形成。關(guān)于增厚，由于抗蝕圖案增厚材料1包括通式(1)表示的化合物，所以抗蝕圖案10能被適當(dāng)并均勻地增厚，不會(huì)受到抗蝕圖案3的材料類型、尺寸等的影響。此外，由于涂覆步驟、焙烘步驟和顯影步驟中的至少一個(gè)步驟被執(zhí)行多次，所以可以有效地確保增厚程度，不會(huì)受到抗蝕圖案3的材料類型、尺寸等的影響。增厚的抗蝕圖案10比需要增厚的抗蝕圖案3(內(nèi)層抗蝕圖案10b)厚一定量，該量等于表面層10a的厚度。因此，由增厚的抗蝕圖案10形成的空間圖案的寬度小于由待增厚的抗蝕圖案3形成的空間圖案的寬度，且由增厚的抗蝕圖案10形成的空間圖案很精細(xì)?？刮g圖案10的表面層10a由抗蝕圖案增厚材料1形成，且抗蝕圖案增厚材料1中的由通式(1)表示的化合物具有芳香環(huán)。因此，即使待增厚的抗蝕圖案3(內(nèi)層抗蝕圖案10b)是低抗刻蝕性材料，其也能在表面上形成具有表面層或混合層10a的抗蝕圖案10，其中該表面層或混合層10a具有較高的抗刻蝕性。此外，當(dāng)抗蝕圖案增厚材料1包括一部分具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂等，從而在抗蝕圖案增厚材料1中包括環(huán)狀結(jié)構(gòu)時(shí)，可以進(jìn)一步提高表面層或混合層10a的抗刻蝕性。而且，由本發(fā)明形成抗蝕圖案的方法形成的增厚的抗蝕圖案比待增厚的抗蝕圖案厚一定量，該量等于表面層或混合層的厚度。因此，由增厚的抗蝕圖案10形成的空間圖案的直徑和寬度等尺寸要小于由待增厚的抗蝕圖案形成的空間圖案的相應(yīng)尺寸。因此，通過利用本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法，可以有效地形成微小的抗蝕空間圖案。優(yōu)選地，增厚的抗蝕圖案優(yōu)選具有更高的抗刻蝕性，且增厚的抗蝕圖案的刻蝕速度(納米/分)等于或大于待增厚的抗蝕圖案的刻蝕速度。特別地，在相同條件下測(cè)定的待增厚的刻蝕劑圖案的刻蝕速度(納米/分)與表面層或混合層的刻蝕速度(納米/分)的比例，即，在相同條件下測(cè)定的待增厚的刻蝕劑圖案/表面層或混合層，優(yōu)選為1.1或以上，更優(yōu)選為1.2或以上，特別優(yōu)選為1.3或以上。例如，利用常規(guī)刻蝕系統(tǒng)刻蝕預(yù)定時(shí)間后，通過測(cè)量樣品膜的減少量并計(jì)算出每單位時(shí)間的減少量，可以測(cè)得刻蝕速度(納米/分)。可以通過利用本發(fā)明的抗蝕圖案增厚材料適當(dāng)?shù)匦纬杀砻鎸踊蚧旌蠈?。從進(jìn)一步提高抗刻蝕性的角度考慮，抗蝕圖案增厚材料包括環(huán)狀結(jié)構(gòu)，例如包括其一部分具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂等。對(duì)于表面層或混合層是否包含環(huán)狀結(jié)構(gòu)，可以通過例如分析表面層或混合層的紅外吸收光譜來確定。本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法適用于形成多種抗蝕劑空間圖案，例如，線空間圖案、孔圖案(例如接觸孔)、槽(溝)圖案等。由形成抗蝕圖案的方法形成的增厚的抗蝕圖案可用作掩膜圖案、刻線圖案(reticlepattern)等;可用于制造功能部件、連接光學(xué)布線的光學(xué)部件、諸如微執(zhí)行器的精細(xì)部件、半導(dǎo)體器件等，其中的功能部件例如金屬塞、各種布線、記錄頭、LCDs(液晶顯示器)、PDPs(等離子顯示板)、SAW濾波器(聲表面波濾波器)；且適用于本發(fā)明的將在后面描述的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中。半導(dǎo)體器件和生產(chǎn)方法本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法包括抗蝕圖案形成步驟和圖案化步驟、和其它適當(dāng)選擇的任選步驟。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件可以用本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法生產(chǎn)。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的細(xì)節(jié)將通過本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的描述顯現(xiàn)出來。在抗蝕圖案形成步驟中，用前面所述的本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法在加工面上形成抗蝕圖案。由抗蝕圖案形成步驟在該加工面上形成增厚的抗蝕圖案，從而形成微小的空間圖案。該抗蝕圖案形成步驟的具體細(xì)節(jié)與本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法相同；該抗蝕圖案與前面所述的相同。該加工面可以是半導(dǎo)體器件中的各種元件的表面層；該元件的優(yōu)選實(shí)例是硅晶片的襯底或表面、低介電常數(shù)膜或各種氧化物膜的表面等。該低介電常數(shù)膜可根據(jù)應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇；優(yōu)選，介電常數(shù)不超過2.7。低介電常數(shù)膜的實(shí)例包括多孔硅膜和碳氟樹脂膜。多孔硅膜可通過例如在硅膜上涂覆材料，將該涂覆層加熱干燥、然后對(duì)其進(jìn)行燒結(jié)的方式形成。氟化樹脂膜，例如碳氟樹脂膜，可通過在400瓦的功率下、用RFCVD(射頻化學(xué)氣相沉積法)由C4F8或C4F8和C2H2的混合物的氣體源沉積薄膜的方式形成。在圖案化步驟中，利用在抗蝕圖案形成步驟中形成的增厚抗蝕圖案作為掩膜刻蝕加工面，以將該加工面圖案化。該刻蝕方法可以根據(jù)應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇；一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例是干法刻蝕，其刻蝕條件可根據(jù)應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇。其它步驟之一可以是表面活性劑涂覆步驟。在表面活性劑涂覆步驟中，在將抗蝕圖案增厚材料涂覆到抗蝕圖案的表面上之前，將表面活性劑涂覆到抗蝕圖案的表面上。表面活性劑可根據(jù)應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇；其實(shí)例可以是前面所述的那些表面活性劑，例如聚氧乙烯-聚氧丙烯縮合物、聚氧化烯烷基醚化合物、聚氧乙烯烷基醚化合物、聚氧乙烯衍生化合物、山梨糖醇酐脂肪酸酯化合物、甘油脂肪酸酯化合物、伯醇乙氧化物、苯酚乙氧化物、壬基苯酚乙氧化物、辛基苯酚乙氧化物、月桂醇乙氧化物、油醇乙氧化物、脂肪酸酯、酰胺、天然醇、乙二胺、仲醇乙氧化物、垸基陽離子、酰胺型季銨鹽陽離子、酯型季銨鹽陽離子、氧化胺、甜菜堿等。本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法可有效地生產(chǎn)各種半導(dǎo)體器件，例如閃速存儲(chǔ)器、DRAMs(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和FRAMs(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。本發(fā)明將參考下列實(shí)施例進(jìn)行說明，這些實(shí)施例是為了說明本發(fā)明，而不是為了限制其范圍。抗蝕圖案的增厚實(shí)驗(yàn)制備表1中所示組分的抗蝕圖案增厚材料A至D。表1中的"增厚材料"是指圖案增厚材料，且"A"至"D"對(duì)應(yīng)于抗蝕圖案增厚材料A至D;圓括號(hào)內(nèi)的數(shù)值表示各組分以克為單位的質(zhì)量?？刮g圖案增厚材料A至D是用于本發(fā)明的實(shí)施例中的抗蝕圖案增厚材料，且抗蝕圖案增厚材料D是一種用于比較實(shí)施例中的材料。"由通式(1)表示的化合物"是由下面所示通式(1)表示的化合物，這些化合物可以購得。其中通式(1)中的"X"表示由下列結(jié)構(gòu)式(1)表示的官能團(tuán)；"Y"表示羥基、氨基、烷基取代的氨基、垸氧基、烷氧羰基和烷基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)；"m"表示1或1以上的整數(shù)，"n"表示0或0以上的整數(shù)；其中結(jié)構(gòu)式(1)中的"R1"和"R2"可以是相同的或不同的，各自表實(shí)施例結(jié)構(gòu)式(1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>示氫原子或取代基；"Z"表示羥基、氨基、烷基取代的氨基和烷氧基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)。"樹脂"欄目中的術(shù)語"PVA"表示一種聚乙烯醇樹脂(Kumray公司的PVA-205C);"表面活性劑"欄目中的術(shù)語"PC-6"表示一種非離子表面活性劑(Adeca公司的多核苯酚表面活性劑)；術(shù)語"TN-80"表示一種非離子表面活性劑(Adeca公司的伯醇乙氧化物表面活性劑)。在抗蝕圖案增厚材料A至C中，溶劑是95克的純水(即去離子水)；在抗蝕圖案增厚材料D中，溶劑是純水和異丙醇的混合物(98.6克/0.4克)。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>表1中"由通式(1)表示的化合物"欄目中的標(biāo)記*1表示用1.35質(zhì)量份的四甲氧基甘脲代替由通式(1)表示的化合物用作交聯(lián)劑?？刮g圖案的形成通過旋涂法將所得到的抗蝕圖案增厚材料A至D各自在一孔圖案上涂覆100納米厚，涂覆速度為3000轉(zhuǎn)/分，涂覆時(shí)間為30秒，其中該孔圖案由脂環(huán)樹脂和锍鹽制成的原型ArF抗蝕劑形成，且該孔圖案具有抗蝕圖案尺寸和空間圖案尺寸的比例為1:1的高寬比，和表2中示為"空間圖案尺寸"的開口尺寸；然后在110'C下焙烘60秒；之后用純水將所得到的抗蝕圖案增厚材料沖洗60秒，以除去未反應(yīng)的部分，而不會(huì)除去相互作用或混合的部分，從而將分別由各抗蝕圖案增厚材料A至D增厚的各抗蝕圖案顯影形成增厚的抗蝕圖案。所得到的增厚的抗蝕圖案的空間圖案尺寸(表2中的"增厚后的空間圖案尺寸")連同增厚之前的初始圖案尺寸(表2中的"增厚前的空間圖案尺寸")一起在表2中示出。表2中的標(biāo)記"A"至"D"對(duì)應(yīng)于抗蝕圖案增厚材料A至D。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>表2的結(jié)果表明抗蝕圖案增厚材料A至D可以增厚孔圖案，且可減小孔圖案的內(nèi)徑。實(shí)施例1在下列條件下，用抗蝕圖案增厚材料B和D增厚孔圖案，該孔圖案根據(jù)與上述抗蝕圖案的增厚實(shí)驗(yàn)中相同的工序形成。條件1.涂覆兩次、焙烘一次、顯影一次；2.涂覆和焙烘各兩次、顯影一次；3.涂覆和焙烘各五次、顯影一次；4.涂覆、焙烘、顯影各兩次；5.涂覆、焙烘、顯影各五次。在上述條件1至5中，根據(jù)與上述抗蝕圖案增厚實(shí)驗(yàn)中相同的工序分別執(zhí)行涂覆、焙烘和顯影；當(dāng)這些步驟執(zhí)行多次時(shí)，它們是在相同的條件下重復(fù)執(zhí)行。所得到的抗蝕圖案的增厚程度按照增厚前后的抗蝕圖案尺寸差異(毫米)示于表3中。表3中的術(shù)語"正常"表示抗蝕圖案形成方法的正常條件，其中涂覆、焙烘和顯影同上述抗蝕圖案增厚實(shí)驗(yàn)中的各步驟，只是各執(zhí)行一次。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>表3的結(jié)果表明，利用如上所述的包含苯甲醇化合物的抗蝕圖案增厚材料B，可以根據(jù)條件產(chǎn)生不同的增厚程度，因此可以通過選擇涂覆、焙烘和顯影的組合和重復(fù)次數(shù)可以容易地控制和獲得增厚程度。另一方面，使用如上所述的含有交聯(lián)劑的用于比較的抗蝕圖案增厚材料D，材料D在交聯(lián)反應(yīng)之后會(huì)阻塞孔圖案開口，這使得重復(fù)步驟不可進(jìn)行，進(jìn)而不可能通過涂覆、焙烘和顯影的組合來控制增厚。實(shí)施例2如上所述，利用上述表1中所示的抗蝕圖案增厚材料B和D形成增厚的抗蝕圖案。該增厚的圖案可以是各種空間尺寸的槽圖案或示于表4中的"增厚前的空間圖案尺寸"的槽圖案，該槽圖案由脂環(huán)族ArF抗蝕劑(FuJiFilmElectronicMaterials公司的GAR-D05)形成。該槽圖案在實(shí)施例1中的條件4和5下和在正常條件下被增厚以制備增厚抗蝕圖案。由所得的增厚抗蝕圖案形成的空間圖案尺寸的減小程度(毫米)按照增厚前后的空間圖案尺寸差異、連同增厚前的初始圖案尺寸一起示于表4中。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>表4中的*:由于邊界肖而進(jìn)行的估算表4的結(jié)果表明，利用含有苯甲醇化合物的抗蝕圖案增厚材料B會(huì)對(duì)空間圖案尺寸顯現(xiàn)出較小的依賴性；而且，進(jìn)行多次涂覆、焙烘和顯影會(huì)傾向于弱化空間圖案的減小程度或抗蝕圖案的增厚程度與初始圖案尺寸或增厚前的空間圖案尺寸之間的關(guān)系，且會(huì)均勻地使空間圖案變得更短和更微小。如上所述，應(yīng)當(dāng)相信，本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法可以穩(wěn)定地增厚各種類型、尺寸和密度不同的抗蝕圖案，而不會(huì)依賴于該圖案。另一方面，含有交聯(lián)劑的抗蝕圖案增厚材料D的使用，體現(xiàn)出對(duì)空間圖案尺寸的依賴性，也就是說，初始圖案尺寸越大，增厚的空間圖案尺寸的減小程度就越大，這會(huì)引起空間圖案不均勻地收縮。而且，當(dāng)涂覆、焙烘和顯影的加工次數(shù)增加時(shí)，抗蝕圖案的增厚程度就越大，槽圖案的空間部分就會(huì)被抗蝕劑增厚材料D掩蓋，使得不能測(cè)量出空間圖案的減小程度。實(shí)施例3如圖6中所示，在硅襯底11上形成層間介電膜12，如圖7中所示，在層間介電膜12上用濺射法形成鈦膜13。然后如圖8中所示，用常規(guī)的光刻法形成抗蝕圖案14。利用抗蝕圖案14作為掩膜，用反應(yīng)離子刻蝕將鈦膜13圖案化，形成開口15a。繼續(xù)用反應(yīng)離子刻蝕除去抗蝕圖案14，同時(shí)如圖9中所示，用鈦膜13作為掩膜在層間介電膜12中形成開口15b。然后用濕法除去鈦膜13，并如圖10中所示，用濺射法在層間介電膜12上形成TiN(氮化鈦)膜16。之后用電解電鍍法在TiN薄膜16上生長(zhǎng)出銅膜17。然后如圖ll中所示，用CMP(化學(xué)機(jī)械拋光法)進(jìn)行平面化，使得阻擋金屬和銅膜(第一金屬膜)僅保留在與開口15b(圖9)相對(duì)應(yīng)的槽部分中，形成第一層的布線17a。然后如圖12中所示，在第一層的布線17a上形成層間介電膜18。之后，以與圖6至圖11中所示相同的方式形成如圖13所示的銅塞(第二金屬膜)19和TiN膜16a，其將第一層的布線17a連接到后面將要形成的上層布線上。通過重復(fù)上述各相應(yīng)步驟，如圖14中所示，生產(chǎn)出了具有多層布線結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件，該多層布線結(jié)構(gòu)為，在硅襯底ll上具有第一層的布線17a、第二層的布線20、和第三層的布線21。應(yīng)當(dāng)指出，形成在各層之下的阻擋金屬層在圖14中未示出。在該實(shí)施例3中，抗蝕圖案14是在實(shí)施例1的條件5下、利用如上所述的抗蝕圖案增厚材料B形成的增厚抗蝕圖案。層間介電膜12是介電常數(shù)不超過2.7的低介電常數(shù)膜，例如其可以是介電常數(shù)為2.4的氟碳膜，該氟碳膜是在400瓦的功率下、通過射頻化學(xué)氣相沉積法(RFCVD)用多孔硅膜(Catalyst&ChemicalsInd.公司生產(chǎn)的CeramateNCS，介電常數(shù)為2.4)和(:^8或0^8和<:2112的混合物氣體源沉積形成的。本發(fā)明能解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題并實(shí)現(xiàn)上述目的。本發(fā)明也可提供一種形成抗蝕圖案的方法，其中ArF準(zhǔn)分子激光可用作圖案化的曝光光源，抗蝕圖案可不依賴于抗蝕圖案尺寸地穩(wěn)定地增厚到預(yù)定厚度，且微小空間圖案的精細(xì)度可超過曝光或分辨率的極限。本發(fā)明還可提供一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其中ArF準(zhǔn)分子激光可用作圖案化的曝光光源，且微小空間圖案的精細(xì)度可超過曝光或分辨率的極限，且可以有效地批量生產(chǎn)出具有利用微小空間圖案形成的微小布線圖案的高性能半導(dǎo)體器件；還可提供一種具有根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法生產(chǎn)出的微小布線圖案的高性能半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法可適當(dāng)?shù)貞?yīng)用于功能部件、用于連接光學(xué)布線中的光學(xué)部件、諸如微執(zhí)行器等微小部件、半導(dǎo)體器件等，其中的功能部件例如掩膜、刻線圖案、磁頭、LCDs(液晶顯示器)、PDPs(等離子顯示板)、SAW濾波器(聲表面波濾波器)，且適用于本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中。本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法可用于生產(chǎn)各種半導(dǎo)體器件，例如閃速存儲(chǔ)器、DRAMs和FRAMs。權(quán)利要求1.一種形成抗蝕圖案的方法，至少包括形成抗蝕圖案，涂覆抗蝕圖案增厚材料以覆蓋所述抗蝕圖案的表面，所述抗蝕圖案增厚材料包括至少一種樹脂和由如下所示通式(1)表示的化合物，焙烘所述抗蝕圖案增厚材料，和顯影并分離所述抗蝕圖案增厚材料，其中涂覆、焙烘和顯影步驟中的至少一個(gè)步驟被執(zhí)行多次；id="icf0001"file="A2007100023940002C1.gif"wi="17"he="22"top="90"left="89"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>通式(1)通式(1)中，“X”表示由下列結(jié)構(gòu)式(1)表示的官能團(tuán)；“Y”表示羥基、氨基、烷基取代的氨基、烷氧基、烷氧羰基和烷基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)；“m”表示1或1以上的整數(shù)，“n”表示0或0以上的整數(shù)；id="icf0002"file="A2007100023940002C2.gif"wi="18"he="17"top="146"left="91"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>結(jié)構(gòu)式(1)結(jié)構(gòu)式(1)中，“R1”和“R2”可以是相同的或不同的，各自表示氫原子或取代基；“Z”表示羥基、氨基、烷基取代的氨基和烷氧基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)。2、根據(jù)權(quán)利要求1皿的形成抗蝕圖案的方法，其中至少涂覆步^Wl行多次。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中涂覆和焙烘步執(zhí)行多次。4、根據(jù)權(quán)利要求1所悉的形成抗蝕圖案的方法，其中涂覆、焙烘和顯影步驟被執(zhí)行多次。5、根據(jù)權(quán)利要求1自的形^[蝕圖案的方法，其中所述多次為兩7^M五次。6根據(jù)權(quán)利要求1所述的形^C蝕圖案的方法，其中抗蝕圖案增厚材料勘K溶結(jié)構(gòu)式(1)性的或^^性的。7、根據(jù)權(quán)利要求1阮述的形^[蝕圖案的方法，其中抗蝕圖案增厚材料中的由航(1)標(biāo)的化，具有m^1的絲式。8、根據(jù)權(quán)利要求1戶，的形成抗蝕圖案的方法，其中禾,7jO!堿性顯影劑中的至少一種進(jìn)行顯影。9、根據(jù)^(利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中利用至少一種含有ArF抗蝕劑和丙^^l旨的抗蝕劑形成抗蝕圖案。10、,權(quán)利要求90M的形成抗蝕圖案的方法，其中，ArF抗蝕劑^人下列組中選出的至少一種，該組由在側(cè)鏈上具有脂環(huán)官能團(tuán)的丙烯酸抗蝕劑、環(huán)烯-馬嫌酐抗鵬和環(huán)烯抗蝕劑艦。11、,權(quán)利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中抗蝕圖案增厚材料內(nèi)的樹脂皿自于由聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛和聚乙酸乙烯月薛且成的組中的至少一種。12、一種^半導(dǎo)^^件的方法，至少包括在加工面上^^^^fC蝕圖案，和利用Wt蝕圖案作為WIil刻蝕的方式圖案化該抗蝕圖案，其中用形^t蝕圖案的方法Wt蝕圖案圖案化，戶，形成抗蝕圖案的方、^括:形成抗蝕圖案，涂覆抗蝕圖案增iffl"料以sm抗蝕圖案的表面，戶;f^t蝕圖案增厚材料包括至少一種樹月細(xì)由如下^K(1)的化，:^烘戶;ft^i:蝕圖案增厚材半斗，和顯影將離戶;f^c蝕圖案增厚材料，其中涂覆、焙烘和顯影步驟中的至少一個(gè)步驟行多次；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(1)(1)中，"X"，由下列結(jié)構(gòu)式(1)，的官能團(tuán)；"Y"^^羥基、MS、^(代的^^、烷、烷ft^基和皿中的至少一種，其中的取^fC為0至3的,；"m"gl或l以上的Mt"n"表示0或0以上的整數(shù)；結(jié)構(gòu)式(1)結(jié)構(gòu)式(1)中，"R1"和"R2"可以是相同的或不同的，各自表禱原子或取代基；"Z"表示,、氨基、烷代的氨基和烷氧基中的至少一種，其中的取微為0至3的纖。13、tS^權(quán)利要求12所述的生產(chǎn)半導(dǎo)|件的方法，其中朋述加工面是具有2.7或2.7以下相對(duì)介電常數(shù)的低介電常的表面。14、t^^利要求13所述的生產(chǎn)半導(dǎo)#^件的方法，所:^低介電常是多孔和#脂膜中的至少一種。15、一種半導(dǎo)件，其是用生產(chǎn)半導(dǎo)件的方法生產(chǎn)的；其中戶皿生產(chǎn)半導(dǎo)^^件的方法至少,括在加工面上形成抗蝕圖案，和利用^C蝕圖案作為^JlMil刻蝕的方式圖案化該抗蝕圖案，其中用形成抗蝕圖案的方法^[蝕圖案圖案化，戶;M形成抗蝕圖案的方^^括:形成抗蝕圖案，涂覆抗蝕圖案增ift才料以M^該抗蝕圖案的表面，所^C蝕圖案增厚材料包括至少一種樹脂和由如下戶;f^Ka)的化，，i^烘戶;M^蝕圖案增厚材料，和顯影將離戶;im蝕圖案增厚材料，其中,、i^烘和顯影步驟中的至少一個(gè)步iWi行多次；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>(1)中，"X"表示由下列結(jié)構(gòu)式(1)表示的官能團(tuán)；"Y"^S、、^代的,、烷ftS、烷^卩烷基中的至少一種，其中的取f^[為0至3的M;"m"表示1或1以上的整數(shù)，"n"表示O或O以上的整數(shù)；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>結(jié)構(gòu)式a)結(jié)構(gòu)式a)中，"r1"和"r2"可以是相同的或不同的，各自表^M原子或取代基；"Z"表示夢(mèng)M、氨基、烷《代的氨基和烷中的至少一種，其中的取4，為0至3的整數(shù)。16、根ig權(quán)利要求15皿的半導(dǎo)^^件，其包括具有2.7或2.7以下的相對(duì)介電常數(shù)的低介電常M。17、根據(jù)權(quán)利要求16戶脫的半導(dǎo)^^件，戶;M低介電常鍵是多孔繊和碳氟樹脂膜中的至少一種。全文摘要本發(fā)明的目的是提供一種形成抗蝕圖案的方法，其中ArF準(zhǔn)分子激光可用作圖案化的曝光光源，抗蝕圖案可不依賴于抗蝕圖案尺寸穩(wěn)定地增厚到預(yù)定厚度，且微小空間圖案的精細(xì)度可超過曝光設(shè)備的曝光或分辨率的極限。本發(fā)明的形成抗蝕圖案的方法至少包括形成抗蝕圖案，涂覆抗蝕圖案增厚材料以覆蓋該抗蝕圖案的表面，焙烘該抗蝕圖案增厚材料，顯影和分離該抗蝕圖案增厚材料，其中涂覆、焙烘和顯影步驟中的至少一個(gè)步驟被執(zhí)行多次。文檔編號(hào)G03F7/16GK101226335SQ20071000239公開日2008年7月23日申請(qǐng)日期2007年1月15日優(yōu)先權(quán)日2006年8月17日發(fā)明者小澤美和,野崎耕司申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社