專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，液晶顯示裝置已經(jīng)被迅速地應(yīng)用于通信設(shè)備、甚至一般 的電子設(shè)備中。特別是對于便攜式液晶顯示裝置，為了控制其耗電而 使用無需背光的反射型液晶顯示裝置。但是，由于反射型液晶顯示裝 置以來自外部的光作為光源，因此，在較暗的室內(nèi)難以觀看。因此， 近年來，正在研究開發(fā)一種兼具透過型和反射型的性質(zhì)的半透過型的 液晶顯示裝置。
該半透過型的液晶顯示裝置在一個像素內(nèi)具有透過部與反射部， 在暗的地方點亮背光并利用像素區(qū)域的透過部來顯示圖像，在亮的地 方則無需點亮背光而在反射部中利用外部光線顯示圖像。因此，可不 必經(jīng)常點亮背光，具有控制耗電的優(yōu)點。
此外，這些液晶顯示裝置，隨著主體所處理的信息量的增加，要 求其顯示更多的信息，市場上對高對比度及廣視角化的要求變高。
因此，近年來，作為能夠?qū)崿F(xiàn)高對比度及廣視角化的半透過型的 液晶顯示裝置的顯示模式，利用垂直取向型液晶層的垂直取向模式受 到關(guān)注。垂直取向型液晶層一般采用垂直取向膜與介電各向異性為負(fù) 的液晶材料構(gòu)成。
作為這種液晶顯示裝置，在專利文獻(xiàn)1中公開有一種液晶顯示裝 置，其具備包括第一基板上的第一電極、第二基板上的第二電極和在 第一電極與第二電極之間設(shè)置的液晶層的多個像素，第一基板在多個 像素的間隙中具有遮光區(qū)域，在遮光區(qū)域的液晶層一側(cè)具有規(guī)則排列 的壁構(gòu)造體，第一電極在像素內(nèi)的規(guī)定位置具有至少一個第一開口部， 第二電極在像素內(nèi)的規(guī)定位置具有至少一個第二開口部，并且，液晶 層形成至少在施加規(guī)定電壓時呈軸對稱取向的至少一個液晶疇，至少 一個液晶疇的軸對稱取向的中心軸形成在至少一個第一開口部和至少 一個第二開口部內(nèi)的至少一個開口部內(nèi)或者其附近。此外，還記載了 據(jù)此可提供一種充分穩(wěn)定液晶的取向，抑制對比度或者有效開口率下 降的液晶顯示裝置。
此外，在專利文獻(xiàn)2中公開有一種液晶顯示裝置，其包括形成有
第一電極的第一基板、形成有與第一電極相對的第二電極的第二基板、 和隔在第一電極與第二電極之間的垂直取向型的液晶層，由第一電極 和第二電極規(guī)定多個像素區(qū)域，多個像素電極區(qū)域中的至少一個像素 區(qū)域被在第一基板上規(guī)則配置的電介質(zhì)構(gòu)件分割成多個子像素區(qū)域， 當(dāng)在第一電極與第二電極之間施加規(guī)定電壓時，子像素區(qū)域中的液晶 層中的液晶分子在第一基板的表面以垂直軸為中心呈軸對稱取向。此 外，還記載了據(jù)此可提供一種充分穩(wěn)定液晶的取向，并且能夠獲得與 現(xiàn)有技術(shù)相比同等以上的顯示品質(zhì)的液晶顯示裝置。
專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2005-172944號公報 專利文獻(xiàn)2:日本專利特開2005-257809號公報

發(fā)明內(nèi)容
此處，圖12和圖13表示構(gòu)成上述專利文獻(xiàn)1或2中記載的現(xiàn)有 的垂直取向模式的半透過型的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)100。像素結(jié)構(gòu) 100的光反射顯示部分與光透過顯示部分在該像素內(nèi)分別獨立形成。而 且，由于在每個區(qū)域設(shè)置有取向控制部件101進(jìn)行取向控制，因此， 必須分割像素電極102并在每個區(qū)域配置。在此情況下，由于在各個 區(qū)域中形成用于取向控制的電場傾斜度，因此，必須在光反射顯示部 分與光透過顯示部分之間設(shè)置不存在像素電極的開口部。為此，必須 設(shè)置像素電極的狹窄部103。
但是，如果在光反射顯示部分與光透過顯示部分之間設(shè)置像素電 極102的狹窄部103，則狹窄部的區(qū)域的像素電極與其它區(qū)域相比變 細(xì)。因此，存在因制造工序或使用時的熱膨脹、熱收縮等發(fā)生斷裂， 可能導(dǎo)致顯示品質(zhì)下降的問題。.
此外，如果通過在像素電極102上設(shè)置狹窄部103而形成的開口 部，即在狹窄部103的兩側(cè)形成的不存在像素電極102的區(qū)域出現(xiàn)，
則如圖12所示，在顯示區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生對顯示不起作用的無效區(qū)域。因此，
還存在開口率減少的問題。
而且，如圖13所示，開口部即不存在像素電極的區(qū)域中的基底布 線104的電位影響光反射顯示部分和光透過顯示部分的取向控制，也 會有可能發(fā)生顯示異常的問題。
本發(fā)明鑒于上述各點而完成，其目的在于提供一種顯示品質(zhì)良好 并且可實現(xiàn)高開口率的液晶顯示裝置。
本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置，其具有以相互相對的方式設(shè)置的 第一基板和第二基板、和夾持在第一基板與該第二基板之間的液晶層， 液晶層采用具有負(fù)的介電各向異性的液晶材料形成，在無施加電壓的 狀態(tài)下，液晶材料的液晶分子在第一基板和第二基板上大體垂直取向， 液晶顯示面板的顯示區(qū)域由多個像素構(gòu)成，該液晶顯示裝置的特征在 于，多個像素分別具有反射來自顯示面?zhèn)鹊墓膺M(jìn)行顯示的光反射顯示 部分、和以圍繞光反射顯示部分的方式設(shè)置并透過來自背面?zhèn)鹊墓膺M(jìn) 行顯示的光透過顯示部分，在光反射顯示部分設(shè)置有當(dāng)向液晶層施加 電壓時使液晶層的液晶分子軸對稱取向的取向控制部件。
此處，圖14和圖15表示本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置的顯示部 分的概略構(gòu)造110。如果采用這種構(gòu)造，由于液晶顯示面板的多個像素 分別具有光反射顯示部分和圍繞它而設(shè)的光透過顯示部分，因此，在 像素電極112上不存在用于設(shè)置開口部的狹窄部。因此，由于沒有像 素電極112形成得較細(xì)的區(qū)域，所以不會發(fā)生在該部分所產(chǎn)生的斷裂， 因此，能夠避免顯示品質(zhì)下降。
此外，因不必在像素電極112上設(shè)置狹窄部而形成開口部，故不 會在顯示區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生不對顯示起作用的無效區(qū)域。因此，能夠避免開 口率的減少。
再者，由于在顯示區(qū)域內(nèi)沒有不存在像素電極112的無效區(qū)域， 因此，不會受到基底布線114的電位的影響，不會發(fā)生顯示異常。
此外，本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置，光反射顯示部分130也可 以形成在光透過顯示部分的中央部。
如果采用這種構(gòu)造，則由于光反射顯示部分形成在光透過顯示部 分的中央部，因此，如圖15所示，當(dāng)從取向控制部件以放射狀使液晶
分子取向時能夠使液晶分子在整個像素上均勻地取向。因此，顯示品 質(zhì)進(jìn)一步提高。
再者，本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置，光反射顯示部分的外形與 光透過顯示部分的外形可以相似。
如果采用這種構(gòu)造，則由于光反射顯示部分的外形與光透過顯示 部分的外形相似，因此，當(dāng)從取向控制部件以放射狀使液晶分子取向 時能夠在整個像素上均勻地進(jìn)行，顯示品質(zhì)得以提高。
此外，本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置，光反射顯示部分和光透過 顯示部分的外形也可均為正方形。
如果采用這種構(gòu)造，則由于光反射顯示部分和光透過顯示部分的 外形均為正方形，因此，從光反射顯示部分的中心至光透過顯示部分 的端部，能夠使液晶分子均勻地取向。因此，顯示品質(zhì)進(jìn)一步提高。
再者，本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置，取向控制部件也可以形成 在光反射顯示部分的中央部。
如果采用這種構(gòu)造，則由于取向控制部件形成在光反射顯示部分 的中央部，因此，能夠以顯示部分的中心部作為取向中心，在整體上 以放射狀使液晶分子均勻地取向，顯示品質(zhì)得以提高。
此外，本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置，取向控制部件也可以是在 第一基板或第二基板上形成的凸部。
如果采用這種構(gòu)造，通過通常的圖形化處理等形成凸部即可，能 夠使用現(xiàn)有的設(shè)備容易地形成取向控制部件。
再者，本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置，取向控制部件也可以是在 第一基板或第二基板上形成的切口部。
如果采用這種構(gòu)造，通過通常的圖形化處理等形成切口部即可， 能夠使用現(xiàn)有的設(shè)備容易地形成取向控制部件。
此外，本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置，多個像素分別具有第一基 板的第一電極和第二基板的第二電極，切口部形成在第一電極或第二 電極上也可以。
如果采用這種構(gòu)造，在像素電極的圖形化處理時能夠同時形成取 向控制部件。因此，制造成本和制造效率良好。
如上述說明，本發(fā)明能夠提供一種顯示品質(zhì)良好且可實現(xiàn)高開口
率的液晶顯示裝置。


圖1是本實施方式1所涉及的液晶顯示裝置10的一個像素結(jié)構(gòu)的 剖面圖。
圖2是本實施方式1 8所涉及的液晶顯示裝置10 80的一個像 素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3是顯示部分93為橫向長方形狀的液晶顯示裝置10 80的一 個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖4是顯示部分93為縱向長方形狀的液晶顯示裝置10 80的一 個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖5是本實施方式2所涉及的液晶顯示裝置20的一個像素結(jié)構(gòu)的 剖面圖。
圖6是本實施方式3所涉及的液晶顯示裝置30的一個像素結(jié)構(gòu)的 剖面圖。
圖7是本實施方式4所涉及的液晶顯示裝置40的一個像素結(jié)構(gòu)的 剖面圖。
圖8是本實施方式5所涉及的液晶顯示裝置50的一個像素結(jié)構(gòu)的 剖面圖。
圖9是本實施方式6所涉及的液晶顯示裝置60的一個像素結(jié)構(gòu)的 剖面圖。
圖10是本實施方式7所涉及的液晶顯示裝置70的一個像素結(jié)構(gòu) 的剖面圖。
圖11是本實施方式8所涉及的液晶顯示裝置80的一個像素結(jié)構(gòu) 的剖面圖。
圖12是構(gòu)成現(xiàn)有的垂直取向模式的半透過型的液晶顯示裝置的像 素結(jié)構(gòu)100的概略圖。
圖13是表示基底布線104對構(gòu)成現(xiàn)有的垂直取向模式的半透過型 的液晶顯示裝置的影響的概略圖。
圖14是本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置的顯示部分的構(gòu)造110的概 略圖。
圖15是表示基底布線114對本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置的影響 的概略圖。
符號說明
10、20、 30、 40、 50、60、
11、41、 51、 61、 81TFT
12、22、 32、 42 CF基板13液晶層
14、24、 34、 44、 54、64、
15、96絕緣性基板
16反射膜
17透明絕緣層
18像素電極
56透明絕緣層
63、83、 120 凸部
25、35、 45、 55 切口部93顯示部分
97CF層
98透明電介質(zhì)層
99相對電極
130光反射顯示部分
131光透過顯示部分
具體實施例方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式1 8涉及的液晶顯示裝置進(jìn) 行詳細(xì)的說明。其中，本發(fā)明并非局限于以下的實施方式。此外，實 施方式1 8涉及的液晶顯示裝置均為能夠進(jìn)行透過模式顯示與反射模 式顯示的半透過型的液晶顯示裝置。而且，以下，將在像素內(nèi)反射來 自顯示面一側(cè)的光進(jìn)行顯示的部分記載為光反射顯示部分，將以圍繞 光反射顯示部分的方式設(shè)置并且透過來自背面一側(cè)的光進(jìn)行顯示的部 分記載為光透過顯示部分。 (實施方式1)
(液晶顯示裝置10的結(jié)構(gòu))
圖1表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的液晶顯示裝置10的一個像 素結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖2表示液晶顯示裝置10的一個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
液晶顯示裝置10由具有相對的薄膜晶體管基板(TFT基板11)和 濾色器基板(CF基板12)、和設(shè)置在其之間的液晶層13的液晶顯示面 板14、以及未圖示的背光等構(gòu)成。
TFT基板11由絕緣性基板15、在絕緣性基板15的表面所形成的 電路元件、在絕緣性基板15上形成的反射膜16、以覆蓋反射膜16的 方式形成的透明絕緣層17、在透明絕緣層17上設(shè)置的像素電極18和 在像素電極18上形成的未圖示的垂直取向膜構(gòu)成。
在TFT基板11上均形成有由未圖示的柵極電極、源極電極和漏極 電極等構(gòu)成的薄膜晶體管89。柵極電極與掃描布線90連接，漏極電極 與信號布線91連接，而源極布線與像素電極18連接。TFT基板11在 各個像素電極18內(nèi)設(shè)置存儲電容。存儲電容由像素電極18和參照電 極布線92構(gòu)成。
反射膜16在絕緣性基板15上形成平面視圖為正方形的形狀。由 反射膜16規(guī)定顯示部分93內(nèi)的光反射顯示部分130。因此，在本實施 方式中，光反射顯示部分130為正方形。反射膜16通過在形成為凹凸 形狀的樹脂層上蒸鍍A1層等，其表面形成凹凸?fàn)睢?br> 反射膜16形成在像素電極18的中央部。
透明絕緣層17以覆蓋反射膜16的方式形成，在表面使反射膜16 的凹凸形狀變得平坦。
像素電極18形成在透明絕緣層17的平坦的表面上。像素電極18 使用ITO (Indium Tin Oxide:氧化錫銦)等形成，構(gòu)成透明電極。像 素電極18具有在規(guī)定位置形成的切口部95，各個像素被該切口部95 分割成圖2所示的正方形像素圖形。顯示部分93被像素電極18所規(guī) 定。如果向液晶層13施加規(guī)定的電壓，則受到在像素電極18的周圍 和切口部95的附近產(chǎn)生的傾斜電場的取向限制，形成對各個多個像素 圖形施以放射狀傾斜取向的液晶疇。
CF基板12由以下部分構(gòu)成用玻璃等形成的絕緣性基板96、在 絕緣性基板96上形成的CF層97、在CF層97上形成的透明電介質(zhì)層
98、分別在CF層97上和透明電介質(zhì)層98上形成的相對電極99、在 相對電極99上形成的凸部120 (取向控制部件)和在相對電極99和凸 部120上形成的未圖示的垂直取向膜。
CF層97用由紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)三原色組成的像 素圖形構(gòu)成。這些像素圖形在其間設(shè)置有黑色矩陣121作為用于獲得 對比度的邊框。而且，像素圖形由該黑色矩陣121所劃分。黑色矩陣 121所劃分的像素圖形與TFT基板11上的正方形的像素電極18為相 同的形狀且在其正上方形成。即，分別形成在平面看顯示部分93時像 素圖形與像素電極18看起來重疊成一個的位置。此外，作為構(gòu)成像素 圖形的顏色，除了RGB的組合之外，也可以采用青色、品紅、黃色的 補充顏色，或者無色也可以。
透明電介質(zhì)層98形成在CF基板12的光反射顯示部分130上。透 明電介質(zhì)層98與TFT基板11上的正方形的反射膜16為相同的形狀且 在其正上方形成。即，形成在平視看光反射顯示部分130時透明電介 質(zhì)層98與反射膜16看起來重疊成一個的位置。透明電介質(zhì)層98以規(guī) 定的厚度形成截頭四角錐狀。透明電介質(zhì)層98的厚度b優(yōu)選液晶層13 的厚度a的大致一半左右。在反射模式的顯示中，用于顯示的光通過 液晶層13兩次，而在透過模式的顯示中，用于顯示的光僅通過液晶層 13 —次。因此，如果將光透過顯示部分131的液晶層13的厚度a設(shè)定 為光反射顯示部分130的液晶層13的厚度b的大概兩倍，則兩者的光 路長度變得相等，能夠在兩個顯示模式下實現(xiàn)良好的顯示。
相對電極99分別形成在CF層97上和透明電介質(zhì)層98上。相對 電極99采用ITO等形成，構(gòu)成透明電極。
凸部120形成在相對電極99上并且在透明電介質(zhì)層98的中央部， 即光反射顯示部分130的中央部。凸部120的構(gòu)成材料并無特別的限 制，可以是樹脂制的材料、陶瓷制或金屬制的材料。此外，凸部120 形成朝著相對的TFT基板11延伸的截頭圓錐狀，在其頭頂部與TFT 基板ll之間形成有間隙。凸部120的形狀并沒有限制，也可以形成圓 錐形、角錐形或者截頭角錐形等。
液晶層13設(shè)置在TFT基板11和CF基板12之間。液晶層13包 含介電各向異性為負(fù)的向列液晶材料，根據(jù)需要還包括手性劑(chiml
material)。液晶層13在無施加電壓的狀態(tài)下，其液晶材料的液晶分子 在TFT基板11和CF基板12上大體垂直取向。 (液晶顯示裝置10的制造方法)
下面，對液晶顯示裝置10的制造方法進(jìn)行說明。 (CF基板12的制造方法)
首先，準(zhǔn)備絕緣性基板96。然后，采用濺射法在絕緣性基板96 上的作為遮光部分的區(qū)域形成寬5 50pm的黑色矩陣121。接著，在 絕緣性基板96上的作為顯示部分93的區(qū)域，對分散有紅色顏料的樹 脂薄膜(干薄膜)在整個面上實施碾壓、曝光、顯像和烘烤(熱處理)， 形成第一色層122 (紅)。接著，與第一色層122重疊，對分散有綠色 顏料的樹脂薄膜在整個面上實施碾壓、曝光、顯像和烘烤(熱處理)， 形成第二色層122 (綠)。同樣地，形成第三色層122 (藍(lán))。
色層122既可以形成條紋狀排列，也可以形成三角形排列。此外， 色層122的形成方法，也可通過旋涂、狹縫涂布(Slit Coating)在整個 面上涂布分散有顏色的感光性樹脂材料，來代替對干薄膜進(jìn)行碾壓。 此外，著色層122的各色形成順序并無特別限定，也可以釆用其它的 順序。
接著，在色層122上的作為光反射顯示部分130的區(qū)域形成透明 電介質(zhì)層98。
然后，在色層122、黑色矩陣121和透明電介質(zhì)層98上蒸鍍ITO， 形成相對電極99。
接著，以使其位于透明電介質(zhì)層98的中央部的方式在相對電極99 上形成凸部120。凸部120采用光刻方法形成。
接著，在相對電極99上形成垂直取向膜。
通過以上工序，CF基板12的制作完成。 (TFT基板ll的制造工序)
接著，準(zhǔn)備絕緣性基板15，通過濺射法形成由Ta或Al/Ti構(gòu)成的 柵極電極，并進(jìn)行圖形化。然后，形成SiNx作為柵極絕緣膜，形成半 導(dǎo)體a-Si作為薄膜。接著，形成SiNx作為蝕刻保護(hù)膜，并進(jìn)行圖形形 成。再者，薄膜晶體管也可以是P-Si或者單結(jié)晶Si，晶體管結(jié)構(gòu)也可 以是頂柵結(jié)構(gòu)。接著，形成接觸孔、漏極電極和源極電極。再通過同 一工序或者不同的工序，在基板端部設(shè)置驅(qū)動器，形成薄膜晶體管89。 在作為光反射顯示部分130的區(qū)域形成反射膜16，并進(jìn)行圖形形成， 在其上層形成透明絕緣層17。接著，真空蒸鍍ITO再進(jìn)行圖形形成， 形成具有規(guī)定切口部95的像素電極18。像素電極18形成在作為顯示 部分93的區(qū)域。接著，通過光刻工序，在顯示部分93外的規(guī)定位置 形成多個用于規(guī)定單元厚度的柱狀間隔物(未圖示)。其中，柱狀間隔 物既可以形成在CF—側(cè)，也可以形成在顯示部93內(nèi)的規(guī)定位置，此 外，也可采用散布球狀間隔物的方式。 (液晶顯示面板14的形成工序) 接著，使用分配器等在TFT基板11上滴下例如每滴2mg的液晶 材料。此時，液晶材料滴入在以框狀地涂布在TFT基板11的遮光區(qū)域 外周圍的密封劑的內(nèi)偵lj。接著，在滴有液晶材料的TFT基板11上對準(zhǔn) 位置粘貼CF基板12。該工序在真空中進(jìn)行。然后，返回大氣中時粘 貼在一起的TFT基板11和CF基板12之間的液晶材料由大氣壓擴散。 接著，沿著密封劑的涂布區(qū)域移動UV光源，同時在密封劑上照射UV 光，使密封劑固化。于是，擴散的液晶材料被封入兩片基板之間，形 成液晶顯示面板14，在其上設(shè)置未圖示的背光單元等從而完成液晶顯 示裝置10。
液晶顯示面板14也可不按本實施方式形成，可以在液晶顯示面板 14的側(cè)面設(shè)置液晶注入口，向其中注入液晶材料，然后，用紫外線固 化樹脂等密封液晶注入口。 (實施方式2)
(液晶顯示裝置20的結(jié)構(gòu))
圖5表示本實施方式2所涉及的液晶顯示裝置20的一個像素結(jié)構(gòu) 的剖面圖。此外，對于與上述實施方式中所示的部件相同的部分標(biāo)注 相同符號，并省略其說明。
液晶顯示裝置20由具有相對的TFT基板11和CF基板22、設(shè)在 其之間的液晶層13的液晶顯示面板24和未圖示的背光等構(gòu)成。
CF基板22由以下部分構(gòu)成用玻璃等形成的絕緣性基板96、在 絕緣性基板96上形成的CF層97、在CF層97上形成的透明電介質(zhì)層 98、分別在CF層97上和透明電介質(zhì)層98上形成的相對電極99和在
相對電極99上形成的未圖示的垂直取向膜。
相對電極99分別形成在CF層97上和透明電介質(zhì)層98上。相對 電極99在透明電介質(zhì)層98上的中央部形成有圓形的切口部25 (取向 控制部件)。切口部25既可以形成圓形，也可以形成橢圓形或多邊形。 (液晶顯示裝置20的制造方法) 下面，對液晶顯示裝置20的制造方法進(jìn)行說明。 (CF基板22的制造方法) 首先，與實施方式l同樣，在絕緣性基板96上形成色層122、黑 色矩陣121和透明電介質(zhì)層98。接著，在透明電介質(zhì)層98上蒸鍍I丁0， 形成相對電極99。
接著，以使圓形的切口部25位于透明電介質(zhì)層98的中央部的方 式對相對電極99進(jìn)行圖形化，并在相對電極99上形成垂直取向膜。 通過以上工序，制成CF基板22。 (TFT基板11的制造工序) 接著，與實施方式l同樣，形成TFT基板ll。
(液晶顯示面板24的形成工序) 下面，與實施方式1同樣，在兩片基板之間密封液晶材料而形成 液晶顯示面板24，在其上設(shè)置未圖示的背光單元等從而完成液晶顯示 裝置20。
(實施方式3)
(液晶顯示裝置30的結(jié)構(gòu))
圖6表示本實施方式3所涉及的液晶顯示裝置30。此外，對于與 上述實施方式中所示的部件相同的部分標(biāo)注相同符號，并省略其說明。
液晶顯示裝置30由具有相對的TFT基板11和CF基板32、設(shè)在 其之間的液晶層13的液晶顯示面板34和未圖示的背光等構(gòu)成。
CF基板32由以下部分構(gòu)成用玻璃等形成的絕緣性基板96、在 絕緣性基板96上形成的CF層97、在CF層97上形成的透明電介質(zhì)層 98、分別在CF層97上和透明電介質(zhì)層98上形成的相對電極99和在 相對電極99上形成的未圖示的垂直取向膜。
相對電極99分別形成在CF層97上和透明電介質(zhì)層98上，并在 其上形成有垂直取向膜。 在CF基板32的垂直取向膜、相對電極99和其正下方的透明電介 質(zhì)層98上，沿著其厚度方向形成有切口部35 (取向控制部件)。切口 部35形成在透明電介質(zhì)層98內(nèi)具有頂點，在垂直取向膜的表面具有 底邊的圓錐形。切口部35以位于透明電介質(zhì)層98上的中央部的方式 形成。切口部35既可以不形成圓錐形，也可以形成截頭圓錐形、角錐 形或者截頭角錐形等。
(液晶顯示裝置30的制造方法) 下面，對液晶顯示裝置30的制造方法進(jìn)行說明。 (CF基板32的制造方法) 首先，與實施方式l同樣，在絕緣性基板96上形成色層122、黑 色矩陣121和透明電介質(zhì)層98。接著，在透明電介質(zhì)層98上蒸鍍ITO， 形成相對電極99，再在相對電極99上形成垂直取向膜。接著，以圓錐 形的切口部35位于透明電介質(zhì)層98的中央部的方式對垂直取向膜、 相對電極99和透明電介質(zhì)層98進(jìn)行圖形化。 根據(jù)以上工序，CF基板32的制作完成。 (TFT基板11的制造工序) 接著，與實施方式l同樣，形成TFT基板ll。 (液晶顯示面板34的形成工序) 下面，與實施方式1同樣，在兩片基板之間密封液晶材料而形成 液晶顯示面板34，在其上設(shè)置未圖示的背光單元等從而完成液晶顯示 裝置30。
(實施方式4)
(液晶顯示裝置40的結(jié)構(gòu))
圖7表示本實施方式4所涉及的液晶顯示裝置40。此外，對于與 上述實施方式中所示的部件相同的部分標(biāo)注相同符號，并省略其說明。
液晶顯示裝置40由具有相對的TFT基板41和CF基板42、設(shè)在 其之間的液晶層13的液晶顯示面板44和未圖示的背光等構(gòu)成。
TFT基板41由絕緣性基板15、在絕緣性基板15的表面所形成的 電路元件、在絕緣性基板15上形成的反射膜16、以覆蓋反射膜16的 方式形成的透明絕緣膜17、在透明絕緣膜17上設(shè)置的像素電極18和 在像素電極18上形成的未圖示的垂直取向膜構(gòu)成。
像素電極18形成在透明絕緣層17的平坦的表面。像素電極18具 有在規(guī)定位置形成的切口部95，各個像素被該切口部95分割成圖2 所示的正方形像素圖形。由像素電極18規(guī)定顯示部分93。如果向液晶 層13施加規(guī)定的電壓，則受到在像素電極18的周圍和切口部95的附 近產(chǎn)生的傾斜電場的取向限制，形成對各個多個像素圖形施以放射狀 傾斜取向的液晶疇。像素電極18在像素中央部，即顯示部分93的中 央部形成有圓形的切口部45 (取向控制部件)。切口部45既可以不形 成圓形，也可以形成橢圓形或多邊形。
CF基板42由以下部分構(gòu)成用玻璃等形成的絕緣性基板96、在 絕緣性基板96上形成的CF層97、在CF層97上形成的透明電介質(zhì)層 98、分別在CF層97上和透明電介質(zhì)層98上形成的相對電極99和在 相對電極99上形成的未圖示的垂直取向膜。 (液晶顯示裝置40的制造方法)
下面，對液晶顯示裝置40的制造方法進(jìn)行說明。 (CF基板42的制造方法)
首先，與實施方式l同樣，準(zhǔn)備絕緣性基板96，分別在絕緣性基 板96上的作為遮光部分的區(qū)域形成黑色矩陣121，在絕緣性基板96 上的作為顯示部分93的區(qū)域形成色層122。接著，在色層122上的作 為光反射顯示部分130的區(qū)域形成透明電介質(zhì)層98。然后，在色層122、 黑色矩陣121和透明電介質(zhì)層98上蒸鍍ITO，形成相對電極99,然后 在相對電極99上形成垂直取向膜。通過以上工序，CF基板42的制作 完成。
(TFT基板41的制造工序) 接著，準(zhǔn)備絕緣性基板15，與實施方式1同樣設(shè)置電路元件。再 在作為光反射顯示部分130的區(qū)域形成反射膜16，并進(jìn)行圖形形成， 在其上層形成層間絕緣膜。接著，真空蒸鍍ITO再進(jìn)行圖形形成，形 成具有規(guī)定切口部45的像素電極18。像素電極18形成在作為顯示部 分93的區(qū)域。
此處，切口部45用于分別同時形成為以規(guī)定顯示部分93的方式 劃分成各個像素單位而設(shè)以及作為取向控制部件設(shè)置在顯示部分93的 中央部。
接著，通過光刻工序在顯示部分93外的規(guī)定位置形成多個用于規(guī) 定單元厚度的柱狀間隔物。
(液晶顯示面板44的形成工序) 下面，與實施方式1同樣，在兩片基板之間密封液晶材料而形成 液晶顯示面板44，在其上設(shè)置未圖示的背光單元等從而完成液晶顯示 裝置40。
(實施方式5)
(液晶顯示裝置50的結(jié)構(gòu))
圖8表示本實施方式5所涉及的液晶顯示裝置50。此外，對于與
上述實施方式中所示的部件相同的部分標(biāo)注相同符號，并省略其說明。
液晶顯示裝置50由具有相對的TFT基板51和CF基板42、設(shè)在 其之間的液晶層13的液晶顯示面板54和未圖示的背光等構(gòu)成。
TFT基板51由絕緣性基板15、在絕緣性基板15的表面所形成的 電路元件、在絕緣性基板15上形成的透明絕緣層56和遮光層57、在 透明絕緣層56上設(shè)置的像素電極18、在像素電極18上形成的反射膜 16、透明絕緣層17和未圖示的垂直取向膜構(gòu)成。
透明絕緣層56形成在形成有電路元件的絕緣性基板15上。透明 絕緣層56的顯示部分93的中央部形成欠缺的圓形，在此處形成有遮 光層57。因此，遮光層57也形成圓形。
遮光層57位于在后述的TFT基板51表面所形成的切口部55 (取 向控制部件)的正下方，其作用在于限制從反射層的切口部55漏光， 因此，形成與反射層的切口部55相同或者其以上的大小。
像素電極18形成在透明絕緣層56上。像素電極18具有在規(guī)定位 置形成的切口部95，各個像素被該切口部95分割成圖2所示的正方形 像素圖形。由像素電極18規(guī)定顯示部分93。如果向液晶層13施加規(guī) 定的電壓，則受到在像素電極18的周圍和切口部95的附近產(chǎn)生的傾 斜電場的取向限制，形成對各個多個像素圖形施以放射狀傾斜取向的 液晶疇。
反射膜16在像素電極18上在其中央部形成平面視圖呈正方形的 形狀。由反射膜16規(guī)定顯示部分93內(nèi)的光反射顯示部分130。因此， 在本實施方式中，光反射顯示部分130為正方形。通過在形成有凹凸
形狀的樹脂層上蒸鍍A1層等，反射膜16的表面形成凹凸?fàn)睢?br> 透明絕緣層17以覆蓋反射膜16的方式形成，并且使反射膜16的 凹凸形狀在表面上平坦化。
在TFT基板51的透明絕緣層56和反射膜16上，沿著它們的厚度 方向形成有切口部55。切口部55形成在反射膜16內(nèi)具有頂點，在透 明絕緣層56的表面具有底邊的圓錐形。切口部55位于反射膜16上， 并且形成在其中央部。切口部55既可以不形成圓錐形，也可以形成截 頭圓錐形、角錐形或者截頭角錐形等。
CF基板42由以下部分構(gòu)成用玻璃等形成的絕緣性基板96、在 絕緣性基板96上形成的CF層97、在CF層97上形成的透明電介質(zhì)層 98、分別在CF層97上和透明電介質(zhì)層98上形成的相對電極99和在 相對電極99上形成的未圖示的垂直取向膜。 (液晶顯示裝置50的制造方法)
下面，對液晶顯示裝置50的制造方法進(jìn)行說明。 (CF基板42的制造方法)
首先，與實施方式4同樣，制作CF基板42。 (TF丁基板51的制造工序)
接著，準(zhǔn)備絕緣性基板15，與實施方式1同樣設(shè)置電路元件，在 該絕緣性基板15上形成透明絕緣層56后，通過圖形化形成切口部55， 并在形成的切口部55上設(shè)置遮光層57。
下面，真空蒸鍍ITO再次進(jìn)行圖形形成，形成具有規(guī)定的切口部 95的像素電極18。像素電極18形成于作為顯示部分93的區(qū)域。
接著，在像素電極18上的作為光反射顯示部分130的區(qū)域形成反 射膜16，再形成透明絕緣層17然后使其表面平坦化，在其上形成垂直 取向膜。
接著，以圓錐形的切口部55位于反射部分的中央部的方式對垂直 取向膜、透明絕緣層17和反射膜16進(jìn)行圖形化。
接著，通過光刻工序，在顯示部分93外的規(guī)定位置形成多個用于 規(guī)定單元厚度的柱狀間隔物。
(液晶顯示面板54的形成工序)
下面，與實施方式1同樣，在兩片基板之間密封液晶材料而形成
液晶顯示面板54，在其上設(shè)置未圖示的背光單元等從而完成液晶顯示 裝置50。
(實施方式6)
(液晶顯示裝置60的結(jié)構(gòu))
圖9表示本實施方式6所涉及的液晶顯示裝置60。此外，對于與 上述實施方式中所示的部件相同的部分標(biāo)注相同符號，并省略其說明。
液晶顯示裝置60由具有相對的TFT基板61和CF基板42、設(shè)在 其之間的液晶層13的液晶顯示面板64和未圖示的背光等構(gòu)成。
TFT基板61由絕緣性基板15、在絕緣性基板15的表面所形成的 電路元件、在絕緣性基板15上形成的透明絕緣層56、在透明絕緣層 56上設(shè)置的像素電極18、在像素電極18上形成的反射膜16、透明絕 緣層17和未圖示的垂直取向膜構(gòu)成。
像素電極18形成在透明絕緣層56上。像素電極18具有在規(guī)定位 置形成的切口部95，各個像素被該切口部95分割成圖2所示的正方形 像素圖形。由像素電極18規(guī)定顯示部分93。如果向液晶層13施加規(guī) 定的電壓，則受到在像素電極18的周圍和切口部95的附近產(chǎn)生的傾 斜電場的取向限制，形成對各個多個像素圖形施以放射狀傾斜取向的 液晶疇。
反射膜16在像素電極18上在其中央部形成平面視圖呈正方形的 形狀。由反射膜16規(guī)定顯示部分93內(nèi)的光反射顯示部分130。因此， 在本實施方式中，光反射顯示部分130為正方形。通過在形成有凹凸 形狀的樹脂層上蒸鍍A1層等，反射膜16的表面形成凹凸?fàn)睢?br> 透明絕緣層17以覆蓋反射膜16的方式形成，并且使反射膜16的 凹凸形狀在表面上平坦化。
凸部63 (取向控制部件)在透明絕緣層17上并且在反射膜16的 中央部，即光反射顯示部分130的中央部形成。凸部63的構(gòu)成材料并 無特別的限制，也可以是樹脂制材料、陶瓷制或金屬制材料。此外， 凸部63形成朝著相對的CF基板42延伸的截頭圓錐狀，在其頭頂部與 CF基板42之間形成有間隙。凸部63的形狀并沒有限制，也可以形成 圓錐形、角錐形或者截頭角錐形等。
CF基板42由以下部分構(gòu)成用玻璃等形成的絕緣性基板96、在
絕緣性基板96上形成的CF層97、在CF層97上形成的透明電介質(zhì)層 98、分別在CF層97上和透明電介質(zhì)層98上形成的相對電極99、在 相對電極99上形成的未圖示的垂直取向膜。 (液晶顯示裝置60的制造方法)
下面，對液晶顯示裝置60的制造方法進(jìn)行說明。 (CF基板42的制造方法)
首先，與實施方式4同樣，制作CF基板42。 (TFT基板61的制造工序)
接著，準(zhǔn)備絕緣性基板15，與實施方式1同樣設(shè)置電路元件，在 該絕緣性基板15上形成透明絕緣層56。
接著，真空蒸鍍ITO再進(jìn)行圖形形成，形成具有規(guī)定切口部95的 像素電極18。像素電極18形成于作為顯示部分93的區(qū)域。
接著，在像素電極18上的作為光反射顯示部分130的區(qū)域形成反 射膜16，并形成透明絕緣層17然后使表面平坦化，在其上形成垂直取 向膜。
接著，以位于光反射部顯示部分94的中央部的方式在垂直取向膜 上形成凸部63。凸部63采用光刻法形成。
接著，通過光刻工序，在顯示部分93外的規(guī)定位置形成多個用于 規(guī)定單元厚度的柱狀間隔物。
(液晶顯示面板64的形成工序) 下面，與實施方式1同樣，在兩片基板之間密封液晶材料而形成 液晶顯示面板64，在其上設(shè)置未圖示的背光單元等從而完成液晶顯示 裝置60。
(實施方式7)
(液晶顯示裝置70的結(jié)構(gòu))
圖10表示本實施方式7所涉及的液晶顯示裝置70。此外，對于與 上述實施方式中所示的部件相同的部分標(biāo)注相同符號，并省略其說明。
液晶顯示裝置70由具有相對的TFT基板11和CF基板42、設(shè)在 其之間的液晶層13的液晶顯示面板74和未圖示的背光等構(gòu)成。
TFT基板11由絕緣性基板15、在絕緣性基板15的表面所形成的 電路元件、在絕緣性基板15上形成的反射膜16、以覆蓋反射膜16的
方式形成的透明絕緣層17、在透明絕緣層17上設(shè)置的像素電極18和 在像素電極18上形成的未圖示的垂直取向膜構(gòu)成。
CF基板42由以下部分構(gòu)成用玻璃等形成的絕緣性基板96、在 絕緣性基板96上形成的CF層97、在CF層97上形成的透明電介質(zhì)層 98、分別在CF層97上和透明電介質(zhì)層98上形成的相對電極99和在 相對電極99上形成的未圖示的垂直取向膜。
透明電介質(zhì)層98形成側(cè)面形成為圓錐狀的截頭圓錐形狀。透明電 介質(zhì)層98形成在光反射顯示部分130的中央部，該透明電介質(zhì)層98 構(gòu)成取向控制部件。
(液晶顯示裝置70的制造方法)
液晶顯示裝置70在按照與實施方式4同樣的方法制作的CF基板 42、和按照與實施方式1同樣的方法制作的TFT基板11之間設(shè)置液晶 材料并進(jìn)行密封而形成液晶顯示面板74，在其上設(shè)置未圖示的背光單 元等而完成。
(實施方式8)
(液晶顯示裝置80的結(jié)構(gòu))
圖11表示本實施方式8所涉及的液晶顯示裝置80。此外，對于與 上述實施方式中所示的部件相同的部分標(biāo)注相同符號，并省略其說明。
液晶顯示裝置80由具有相對的TFT基板81和CF基板22、設(shè)在 其之間的液晶層13的液晶顯示面板84和未圖示的背光等構(gòu)成。
TFT基板81由絕緣性基板15、在絕緣性基板15的表面所形成的 電路元件、在絕緣性基板15上形成的反射膜16、以覆蓋反射膜16的 方式形成的透明絕緣層17、在透明絕緣層17上設(shè)置的像素電極18和 在像素電極18上形成的未圖示的垂直取向膜和凸部83構(gòu)成。
凸部83形成在像素電極18上的中央部，即光反射顯示部分130 的中央部。凸部83的構(gòu)成材料并無特別的限制，也可以是樹脂制材料、 陶瓷制或金屬制材料。此外，凸部83形成朝著相對的CF基板22延伸 的截頭圓錐狀，在其頭頂部與CF基板22之間形成有間隙。該凸部83 在平面視圖中形成在與CF基板22上形成的切口部25重疊的位置。凸 部83的形狀并沒有限制，也可以形成圓錐形、角錐形或者截頭角錐形 等。
液晶顯示裝置80的切口部25與凸部83位于取向的中心，并且利 用兩者的取向控制部件進(jìn)行取向控制。
再者，如液晶顯示裝置80那樣在TFT基板與CF基板兩個基板上 分別形成取向控制部件，也不限于如上所述，在TFT基板上具有凸部 并且在CF基板的相對電極上具有切口部。即，也可以是在TFT基板 的像素電極上具有切口部，并且在CF基板上具有凸部。 (液晶顯示裝置80的制造方法)
下面，對液晶顯示裝置80的制造方法進(jìn)行說明。 (CF基板22的制造方法)
按照與實施方式2同樣的方法制作CF基板22。 (TFT基板81的制造工序)
接著，與實施方式1同樣，在設(shè)置有電路元件的絕緣性基板15上 的作為光反射顯示部分130的區(qū)域形成反射膜16，并進(jìn)行圖形形成， 在其上層形成透明絕緣層17。接著，真空蒸鍍ITO再進(jìn)行圖形形成， 形成具有規(guī)定切口部95的像素電極18。像素電極18形成于作為顯示 部分93的區(qū)域。接著，通過圖形化在顯示部分93的中央部形成凸部 83。接著，通過光刻工序，在顯示部分93外的規(guī)定位置形成多個用于 規(guī)定單元厚度的柱狀間隔物。
(液晶顯示面板84的形成工序)
接著，與實施方式1同樣，在兩片基板之間設(shè)置液晶材料并進(jìn)行 密封而形成液晶顯示面板84，在其上設(shè)置未圖示的背光單元等從而完 成液晶顯示裝置80。
上述液晶顯示裝置10 80均在被像素電極18規(guī)定的正方形的顯 示部分93的中央部設(shè)置有被反射膜16規(guī)定的正方形的光反射顯示部 分130。因此，如圖2所示，光透過顯示部分131位于圍繞光反射顯示 部分130的位置。
此外，對于液晶顯示裝置10 80，在各個像素中進(jìn)行取向控制的 凸部120、 63、 83和切口部25、 35、 45、 55形成在光反射顯示部分130 的中央部。因此，在將中央部的光反射顯示部分130和圍繞它的光透 過顯示部分131組合的一個像素中，當(dāng)以凸部120、 63、 83、切口部 25、 35、 45、 55作為像素內(nèi)的中心施加電壓時，能夠使液晶層13的液晶分子軸對稱取向。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示裝置的高對比度和廣視角化。
再者，光透過顯示部分131和光反射顯示部分130的形狀既可以 不是分別為正方形，也可以是如圖3或圖4所示的長方形。但是，在 此情況下，優(yōu)選分別為相似關(guān)系的形狀。
此外，光反射顯示部分130可以不形成在光透過顯示部分131的 中央部，而且凸部120、 63、 83和切口部25、 35、 45、 55也可以不形 成在光反射顯示部分130的中央部。
再者，CF基板12、 22、 32、 42的絕緣性基板96和TFT基板11、 41、 51、 61、 81的絕緣性基板15，各自的厚度并沒有特別限定，其中， TFT基板ll、 41、 51、 61、 81可以形成得更薄，也可以形成相同的厚 度。
(作用效果) 下面，對作用效果進(jìn)行說明。
本實施方式所涉及的液晶顯示裝置10 80，具有以相互相對的方 式設(shè)置的TFT基板ll、 41、 51、 61、 81和CF基板12、 22、 32、 42、 和夾在其之間的液晶層13，液晶層13采用具有負(fù)的介電各向異性的液 晶材料形成，在無施加電壓的狀態(tài)下，液晶材料的液晶分子在TFT基 板ll、 41、 51、 61、 81和CF基板12、 22、 32、 42上大體垂直取向， 液晶顯示面板14 84的顯示區(qū)域由多個像素構(gòu)成，上述液晶顯示裝置 的特征在于，多個像素分別具有反射來自顯示面?zhèn)鹊墓膺M(jìn)行顯示的光 反射顯示部分130、和以圍繞光反射顯示部分130的方式設(shè)置，透過來 自背面?zhèn)鹊墓膺M(jìn)行顯示的光透過顯示部分131，在光反射顯示部分130 上設(shè)置有當(dāng)向液晶層13施加電壓時使液晶層13的液晶分子軸對稱取 向的取向控制部件(凸部120、 63、 83或者/和切口部25、 35、 45、 55)。
如果采用這種構(gòu)造，由于液晶顯示面板14 84的多個像素分別具 有光反射顯示部分130和圍繞它而設(shè)的光透過顯示部分131，因此，在 像素電極18上不存在用于設(shè)置開口部的狹窄部。因此，由于沒有像素 電極18形成得較細(xì)的區(qū)域，則不會發(fā)生在該部分所產(chǎn)生的斷裂，能夠 避免顯示品質(zhì)下降。
此外，因不必在像素電極18上設(shè)置狹窄部而形成開口部，故不會 在顯示區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生不對顯示起作用的無效區(qū)域。因此，能夠避免開口
率的減少。
而且，由于在顯示區(qū)域內(nèi)沒有不存在像素電極18的無效區(qū)域，因
此，不會受到基底布線的電位的影響，不會發(fā)生顯示異常。
此外，本實施方式所涉及的液晶顯示裝置10 80，光反射顯示部 分130也可以形成在光透過顯示部分131的中央部。
如果采用這種構(gòu)造，則由于光反射顯示部分130形成在光透過顯 示部分131的中央部，因此，當(dāng)從取向控制部件以放射狀使液晶分子 取向時，能夠使液晶分子在整個像素上均勻地取向。因此，顯示品質(zhì) 進(jìn)一步提高。
再者，本實施方式所涉及的液晶顯示裝置10 80，光反射顯示部 分130的外形與光透過顯示部分131的外形可以相似。
如果采用這種構(gòu)造，則由于光反射顯示部分130的外形與光透過 顯示部分131的外形相似，因此，當(dāng)從取向控制部件(凸部120、 63、 83或者/和切口部25、 35、 45、 55)以放射狀使液晶分子取向時，能夠 在整個像素上均勻地進(jìn)行，顯示品質(zhì)得以提高。
此外，本實施方式所涉及的液晶顯示裝置10 80，光反射顯示部 分130和光透過顯示部分131的外形也可均為正方形。
如果采用這種構(gòu)造，則由于光反射顯示部分130和光透過顯示部 分131的外形均為正方形，因此，從光反射顯示部分130的中心至光 透過顯示部分131的端部，能夠使液晶分子均勻地取向。因此，顯示 品質(zhì)進(jìn)一步提高。
再者，本實施方式所涉及的液晶顯示裝置10 80，取向控制部件 (凸部120、 63、 83或者/和切口部25、 35、 45、 55)也可以形成在光 反射顯示部分130的中央部。
如果采用這種構(gòu)造，則由于取向控制部件(凸部120、 63、 83或 者/和切口部25、 35、 45、 55)形成在光反射顯示部分130的中央部， 因此，能夠以顯示部分93的中心部作為取向中心，在整體上以放射狀 使液晶分子均勻地取向，顯示品質(zhì)得以提高。
此外，本實施方式所涉及的液晶顯示裝置10、 60、 80，取向控制 部件也可以是在TFT基板或者CF基板上形成的凸部120、 63、 83。
如果采用這種構(gòu)造，通過通常的圖形化處理等形成凸部120、 63、83即可，能夠使用現(xiàn)有的設(shè)備容易地形成取向控制部件。
再者，本實施方式所涉及的液晶顯示裝置20、 30、 40、 50、 80， 取向控制部件也可以是在TFT基板或者CF基板上形成的切口部25、 35、 45、 55。
如果采用這種構(gòu)造，通過通常的圖形化處理等形成切口部25、 35、 45、 55即可，能夠使用現(xiàn)有的設(shè)備容易地形成取向控制部件。
此外，本實施方式所涉及的液晶顯示裝置20、 40、 80，多個像素 分別具有TFT基板的像素電極18和CF基板的相對電極99，切口部 25、 45形成在像素電極18或者相對電極99上也可以。
如果采用這種構(gòu)造，則在像素電極18的圖形化處理時，能夠同時 形成取向控制部件(切口部25、 45)。因此，制造成本降低和制造效率 良好。
工業(yè)實用性
如上述說明，本發(fā)明對液晶顯示裝置有用。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其具有以相互相對的方式設(shè)置的第一基板和第二基板、和夾持在該第一基板與該第二基板之間的液晶層，所述液晶層采用具有負(fù)的介電各向異性的液晶材料形成，在無施加電壓的狀態(tài)下，該液晶材料的液晶分子在所述第一基板和第二基板上大體垂直取向，液晶顯示面板的顯示區(qū)域由多個像素構(gòu)成，所述液晶顯示裝置的特征在于，所述多個像素分別具有反射來自顯示面?zhèn)鹊墓膺M(jìn)行顯示的光反射顯示部分、和以圍繞該光反射顯示部分的方式設(shè)置并透過來自背面?zhèn)鹊墓膺M(jìn)行顯示的光透過顯示部分，在所述光反射顯示部分設(shè)置有當(dāng)向所述液晶層施加電壓時使該液晶層的液晶分子軸對稱取向的取向控制部件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述光反射顯示部分形成在所述光透過顯示部分的中央部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述光反射顯示部分的外形與所述光透過顯示部分的外形相似。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述光反射顯示部分和所述光透過顯示部分的外形均為正方形。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述取向控制部件形成在所述光反射顯示部分的中央部。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述取向控制部件是在所述第一基板或所述第二基板上形成的凸部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述取向控制部件是在所述第一基板或所述第二基板上形成的切 口部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述多個像素分別具有所述第一基板的第一電極和所述第二基板 的第二電極，所述切口部形成在所述第一 電極或所述第二電極上。
全文摘要
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。液晶顯示裝置(10)具有TFT基板(11)和CF基板(12)、和夾持在其之間的液晶層(13)，液晶層(13)采用具有負(fù)的介電各向異性的液晶材料形成，在無施加電壓的狀態(tài)下，液晶材料的液晶分子在TFT基板(11)和CF基板(12)上大體垂直取向，液晶顯示面板(14)的顯示區(qū)域由多個像素構(gòu)成，所述液晶顯示裝置的特征在于，多個像素分別具有光反射顯示部分(130)和光透過顯示部分(131)，在光反射顯示部分(130)上設(shè)置有當(dāng)向液晶層(13)施加電壓時使液晶分子軸對稱取向的取向控制部件(120)。
文檔編號G02F1/1335GK101351742SQ200680049839
公開日2009年1月21日 申請日期2006年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日
發(fā)明者伊奈惠一, 吉田圭介 申請人:夏普株式會社