專利名稱：：熱定形光學(xué)薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于制作光學(xué)薄膜的熱定形方法以及由這些方法制作的薄膜。
背景技術(shù)：
：通常，對于垂直入射到薄膜平面上的光線，起線性偏振片作用的光學(xué)薄膜包括面內(nèi)阻截狀態(tài)(“x”方向)和面內(nèi)通過狀態(tài)(“y”方向)。因此，具有與x方向?qū)R的線性偏振狀態(tài)的垂直入射光線受到最大程度的阻截(即最少量地透射)，而具有與y方向?qū)R的線性偏振狀態(tài)的垂直入射光線受到最小程度的阻截(即最大量地透射)。斜向入射的光線具有中間水平的透射比，該透射比是光線與薄膜的相對排布方式的函數(shù)。垂直于薄膜平面的軸稱為“z”方向。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明描述了制作光學(xué)薄膜的方法，該方法包括提供薄膜，對所述薄膜進(jìn)行基本單軸取向和對取向后的薄膜進(jìn)行熱定形。該薄膜包含能夠形成雙折射的聚合物材料。在附圖和下文的說明中將提供本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例的細(xì)節(jié)?？梢詮恼f明、附圖及權(quán)利要求中清楚地了解本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)。圖1為PEN的主折射率趨勢圖；圖2為用于拉伸薄膜的現(xiàn)有技術(shù)拉幅機(jī)的示意性頂視圖；圖3為薄膜的一部分在用圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)方法拉伸前后的透視圖；圖4為PEN在熱定形后其非對稱折射率增長的圖；圖5為CoPEN的主折射率趨勢圖；圖6為CoPEN的主折射率趨勢圖；圖7為用于拉伸多層光學(xué)薄膜的現(xiàn)有技術(shù)間歇式方法的示意圖，其顯示薄膜在拉伸前后的狀態(tài)；圖8為根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的拉伸方法的示意圖；圖9為顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的工藝步驟的框圖；圖10為拉伸設(shè)備的示意性局部頂視圖；圖11為圖10中設(shè)備的局部頂視圖；圖12示出可用于圖10設(shè)備中的夾持部件的構(gòu)造的端視圖；圖13為軌道的局部示意圖，示出拉伸設(shè)備的一個實(shí)施例；圖14為用于拉伸設(shè)備的主拉伸區(qū)域的可調(diào)軌道的一個實(shí)施例的示意圖；圖15為用于拉伸設(shè)備的軌道和軌道形狀控制單元的一個實(shí)施例的示意性側(cè)向截面圖；圖16為圖10的一個實(shí)施例的軌道和軌道形狀控制單元的局部示意圖；圖17為圖10的一個實(shí)施例的軌道和軌道形狀控制單元的另一局部示意圖；圖18為用于拉伸設(shè)備的主拉伸區(qū)域的軌道的另一個實(shí)施例的示意圖；圖19為用于拉伸設(shè)備的主拉伸區(qū)域的合適邊界軌線實(shí)例的曲線圖；圖20為用于拉伸設(shè)備的主拉伸區(qū)域的合適邊界軌線實(shí)例的曲線圖，示出具有不同拋物線構(gòu)造的不同拉伸區(qū)域的使用；圖21為用于拉伸設(shè)備的主拉伸區(qū)域的合適邊界軌線實(shí)例的曲線圖，包括線性逼近合適的拋物線或近似拋物線邊界軌線的邊界軌線。圖22為用于根據(jù)本發(fā)明的拉伸設(shè)備的取走系統(tǒng)的一個實(shí)施例的示意圖；圖23為用于拉伸設(shè)備的取走系統(tǒng)的另一個實(shí)施例的示意圖；圖24為用于拉伸設(shè)備的取走系統(tǒng)的第三個實(shí)施例的示意圖；圖25為用于拉伸設(shè)備的取走系統(tǒng)的第四個實(shí)施例的示意圖；圖26為用于拉伸設(shè)備的取走系統(tǒng)的第五個實(shí)施例的示意圖；圖27為取走系統(tǒng)的一個實(shí)施例的示意圖，該取走系統(tǒng)用于例如圖2所示的傳統(tǒng)拉伸裝置中；以及圖28為組合物的折射率趨勢圖。盡管上述各圖提出了本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例，但還可以想到其它的實(shí)施例。本發(fā)明僅僅示例性而非限制性地給出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以設(shè)計出大量其它修改形式和實(shí)施例，這些修改形式和實(shí)施例均屬于本發(fā)明的范圍之內(nèi)并符合本發(fā)明的原理的精神。各圖未按比例繪制。此外，雖然實(shí)施例和部件通過標(biāo)號“第一”、“第二”、“第三”等進(jìn)行說明，但應(yīng)當(dāng)了解，這些描述僅為了便于參考，不表示某種優(yōu)先順序。標(biāo)號的使用僅僅是為了清楚起見而用于區(qū)分不同的實(shí)施例。除非另外指明，在說明書和權(quán)利要求中使用的所有表示特征尺寸、數(shù)量及物理屬性的數(shù)字都應(yīng)該理解為被術(shù)語“大約”修飾。因此，除非有相反的指示，所提供的數(shù)字均為近似值，通過本文公開的內(nèi)容可以根據(jù)所需的特性而改變這些近似值。具體實(shí)施例方式許多用于偏振片或偏振薄膜應(yīng)用場合的光學(xué)薄膜都存在不對稱問題，如主方向“y”和“z”之間的折射率差異。例如，離軸色，即作為非垂直入射角函數(shù)的通過狀態(tài)中的色差，可因y折射率與z折射率(分別為ny和nz)之間的不匹配而放大或產(chǎn)生。(此處，nx為對于沿x方向偏振的光的折射率)。圖1給出了由聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯(PEN)構(gòu)成的薄膜或薄膜層的典型折射率組(nx、ny、nz)的空間圖示。帶有實(shí)心標(biāo)志的數(shù)據(jù)表示在130℃的示例性拉伸溫度下作為拉伸比的函數(shù)的折射率組的變化。在實(shí)驗室用拉伸設(shè)備中從最初未取向的澆鑄樣品開始對薄膜進(jìn)行拉伸。使用隨時間而線性增加標(biāo)稱拉伸比的拉伸分布，以20％/秒的標(biāo)稱初始速率在一個面內(nèi)方向上拉伸樣品，同時在另一個面內(nèi)方向上沿邊緣在選定的夾持點(diǎn)對薄膜進(jìn)行約束。使用樣品上的基準(zhǔn)線標(biāo)記來測量真實(shí)的最終拉伸比，其中該基準(zhǔn)線標(biāo)記橫跨折射率測量位置。出于舉例說明的目的，使用MetriconPrismCoupler(可購自Metricon公司，Picataway，NJ)在632.8nm下測量折射率，紅光源由氦氖激光器提供。圖2說明了傳統(tǒng)拉幅機(jī)拉伸方法10，該方法橫跨薄膜移動的方向14拉伸薄膜12。薄膜12可以連續(xù)進(jìn)給或者以薄膜12的非連續(xù)性部分的方式供入。薄膜移動方向稱為縱向(MD)，而拉伸方向則稱為橫向或拉幅機(jī)方向(TD)。利用一些夾持設(shè)備，通常使用一組拉幅夾(圖2中未示出)夾住薄膜12的兩個邊緣16?？蓪⒗鶌A連接到拉幅鏈，該拉幅鏈可沿線性發(fā)散的拉幅機(jī)軌道或?qū)к壭羞M(jìn)。這種構(gòu)造可以驅(qū)使薄膜沿薄膜移動的縱向14向前移動并沿橫向拉伸薄膜12。因此，在一個實(shí)例中，可將薄膜中初始的未取向部分18拉伸為最終的取向部分20。如圖3所示，圖2中所示的薄膜的未取向部分18可具有尺寸T(厚度)、W(寬度)和L(長度)。在以系數(shù)λ拉伸薄膜后，薄膜該部分的尺寸已變?yōu)樵诓糠?0上顯示的那些尺寸。雖然是從間歇拉伸設(shè)備(沿x和y兩個方向的邊緣夾持都不連續(xù))獲得圖1中的數(shù)據(jù)，但這些數(shù)據(jù)舉例說明了通過圖2的傳統(tǒng)拉幅機(jī)方法拉伸的典型薄膜，該拉伸方法為單向拉伸，其中薄膜12沿第一面內(nèi)主方向(x)受到拉伸，而第二面內(nèi)方向(y)保持恒定或幾乎恒定的拉伸比，例如，y方向拉伸比接近1。在一個實(shí)施例中，連續(xù)薄膜以恒定速率進(jìn)給到橫向拉伸設(shè)備中，并以相同的恒定速率離開設(shè)備。圖1顯示了折射率的不對稱性，如ny和nz之間的差異，此差異是由于拉伸時材料在y和z方向受到不對稱的處理而造成的。在此圖示情況下，y方向的拉伸比保持幾乎不變，而z方向的拉伸比隨x方向的拉伸比增加而減小(例如，如同在由于結(jié)晶致密化而稍微調(diào)整時滿足近似體積守恒所需要的那樣)。當(dāng)薄膜在拉伸處理之后被熱定形時，會進(jìn)一步增加不對稱性。圖1中的空心標(biāo)記表示該情形。在這種情況下，薄膜在175℃下熱定形2分鐘。圖1顯示在給定拉伸溫度和速率下(或換句話講，在初始折射率變化為給定水平的情況下)對于拉伸程度超過臨界拉伸比的樣品來說，在這些熱定形條件下，nx和ny值趨于增大，而nz值減小。圖4進(jìn)一步說明了熱定形如何增大ny和nz折射率之間的差異。方形標(biāo)記表示在拉伸但未熱定形后的折射率差異，三角形標(biāo)記表示在拉伸且熱定形后的折射率差異。如菱形標(biāo)記所示，隨著x拉伸比增大，不對稱性偏差增量幾乎保持不變，斜率僅僅小幅下降。因此，當(dāng)y/z“不對稱”薄膜(例如一受到拉伸，ny和nz之間就立即產(chǎn)生顯著差異的薄膜，如在傳統(tǒng)拉幅機(jī)中拉伸后的那些薄膜(圖2-3))在拉伸步驟后進(jìn)行熱定形時，折射率的不對稱性會增加。y和z方向上的此類折射率差異在一些應(yīng)用中可導(dǎo)致不良色彩效果。圖1和4中所示的總體趨勢適用于多種聚酯。特別要關(guān)注的是PEN、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)及組成介于二者之間的共聚物。圖5說明共聚物中的PEN類部分和PET類部分以85/15的摩爾百分比混合(即所謂的“85/15coPEN”)的情況。術(shù)語“PEN類”部分包括PEN的嵌段共聚物。術(shù)語“PET類”部分包括PET的嵌段共聚物。除拉伸溫度設(shè)為120℃之外，圖5采用的拉伸方法與圖1中PEN的拉伸方法幾乎相同。如圖5所示，在一些實(shí)施例中，熱定形允許以不同于未熱定形情況的拉伸比而獲得給定的折射率。例如，如果需要約1.8的nx，則可使用4.5的拉伸比；或使用較低的2.5的拉伸比，然后再對薄膜進(jìn)行熱定形；兩種方法都可得到等于約1.8的nx。又如，如果需要約1.54的nz，則可使用4.25的拉伸比；也可以使用較低的2.5的拉伸比，然后再對薄膜進(jìn)行熱定形；兩種方法均可得到等于約1.54的nz。在圖5的條件下，顯著發(fā)生應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶的有效點(diǎn)在x拉伸比為約2.2處。圖6說明此轉(zhuǎn)變的急劇程度，被拉伸到x拉伸比為約2.1的材料在熱定形后顯示出各向同性的松弛。在x拉伸比低于約2.1的情況下，熱定形后，nx＝ny＝nz。在x拉伸比高于約2.2的情況下，熱定形后，因折射率變化而得到nx＞ny＞nz的結(jié)果。該點(diǎn)在不同實(shí)例中會有所差別，具體取決于所選材料和加工條件等因素。在一些實(shí)施例中，使用拋物線拉幅機(jī)(下面將結(jié)合圖10討論)可導(dǎo)致以相對高的拉伸比進(jìn)行單軸拉伸。使用其他機(jī)器和方法可導(dǎo)致以較低拉伸比進(jìn)行單軸拉伸，但所得的薄膜可能缺乏所需水平的折射率變化。如結(jié)合圖5和6所討論，可使用熱定形來獲得所需水平的折射率變化。在一些情況下，對某些薄膜(如含有微結(jié)構(gòu)的薄膜)使用較低的拉伸比，這是因為較高的拉伸比可能會損壞微結(jié)構(gòu)的緣故。在這些及其它情況下，也可使用熱定形來提高拉伸后薄膜的折射率變化。共同擁有的美國專利No.6,939,499、No.6,916,440、No.6,949,212和No.6,936,209(均以引用的方式并入本文)介紹了用于加工光學(xué)薄膜如多層光學(xué)薄膜的連續(xù)方法。在這些方法中，通過沿薄膜的第一面內(nèi)軸(x方向)拉伸來對光學(xué)薄膜進(jìn)行取向，同時允許薄膜在薄膜的第二面內(nèi)軸(y方向或縱向(MD))和厚度方向(z方向或法向(ND))上收縮。通過夾持薄膜的邊緣部分并沿預(yù)定路徑移動薄膜的邊緣部分來拉伸薄膜，此預(yù)定路徑為發(fā)散的，以在薄膜的第二面內(nèi)軸(y)和薄膜的厚度方向(z)上產(chǎn)生基本上類似的成比例的尺寸變化。在示例性實(shí)施例中，與傳統(tǒng)的單向拉伸材料的熱定形行為(即，一受到拉伸，ny和nz之間就立即產(chǎn)生顯著的差異)形成對比的是，基本單軸拉伸的薄膜的熱定形處理(其中允許薄膜在y方向和z方向上收縮以最大程度地降低ny和nz的差異)具有完全不同的效果。在基本單軸拉伸處理之后進(jìn)行熱定形可以保持或降低這些薄膜中已有的任何微小的折射率不對稱性。因此，如果y方向和z方向的折射率變得更加相近，則將較少出現(xiàn)不良色彩效果的問題。下文所述的熱定形步驟可在對光學(xué)薄膜(如多層光學(xué)薄膜(MOF))提供基本單軸拉伸的任何步驟之后使用。本發(fā)明中所述的熱定形步驟尤其適用于包括單一一個或多個聚酯層的基本單軸拉伸的薄膜。圖7說明對適于作為諸如偏振片等光學(xué)體中的部件使用的光學(xué)薄膜(如多層光學(xué)薄膜)進(jìn)行基本單軸拉伸的間歇技術(shù)22。沿著箭頭26的方向拉伸薄膜24，中部28會頸縮，使得薄膜24′在經(jīng)過拉伸處理后其兩個邊緣30不再平行。薄膜24′的中部28因為充分地消除了剪切邊界條件，從而經(jīng)歷較低水平的剪切失常如厚度變化，因此會提供最有用的光學(xué)特性。雖然圖7中所示的間歇方法在一些情況下可提供適當(dāng)?shù)谋∧ぬ匦?，但是在共同擁有的美國專利No.6,939,499、No.6,916,440、No.6,949,212和No.6,936,209中描述的基本單軸拉伸方法尤其適用于一些實(shí)施例，這些文獻(xiàn)均以引用的方式并入本文。一般來講，雙折射聚合物的單軸取向會形成如下光學(xué)薄膜(或薄膜層)，其中三個相互垂直的方向中的兩個方向(例如，薄膜的寬度(W)和厚度(T)方向，如圖8所示)的折射率基本相同。第三個方向(例如，沿薄膜的長度(L)方向)的折射率不同于其它兩個方向的折射率。通常，并不要求完全的單軸取向，取決于包括光學(xué)薄膜的最終應(yīng)用在內(nèi)的多種因素，也允許與最佳狀態(tài)存在某種程度的偏差。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本發(fā)明提到三個“垂直方向”，但相應(yīng)的方向可能因薄膜的不均勻性而并非完全垂直。一般來講，基本單軸拉伸方法包括拉伸薄膜，該薄膜可以結(jié)合三個相互垂直的軸進(jìn)行描述，這三個軸分別對應(yīng)于縱向(MD)、橫向(TD)和法向(ND)。如圖8所示，這三個軸對應(yīng)于薄膜的寬度、長度和厚度。基本單軸拉伸方法將薄膜32由初始構(gòu)造34拉伸為最終構(gòu)造36。縱向(MD)是薄膜通過拉伸裝置(如圖10中所示的設(shè)備)時移動的總體方向。橫向(TD)是薄膜平面內(nèi)的第二軸線并垂直于縱向。法向(ND)同時垂直于縱向和橫向并且大致對應(yīng)于聚合物薄膜的厚度方向。圖9是本發(fā)明中所述的典型基本單軸拉伸方法38的框圖。在步驟40中，將薄膜供給或提供給拉伸設(shè)備。可選地，該方法包括預(yù)處理步驟42。在步驟44中對薄膜進(jìn)行拉伸。在步驟46中對薄膜進(jìn)行后處理。在步驟48中將薄膜從拉伸設(shè)備中取出。圖10說明了基本單軸拉伸方法的一個實(shí)施例和用于實(shí)現(xiàn)基本單軸拉伸的設(shè)備50。此方法可結(jié)合本發(fā)明中所述的熱定形步驟一起使用。應(yīng)當(dāng)了解，可使用除拉伸設(shè)備(至少執(zhí)行圖9中的步驟44)之外的一個或多個設(shè)備來完成圖9中說明的方法。這些一個或多個附加設(shè)備可執(zhí)行一種或多種功能(例如，圖9所示的步驟40、42、46和48所表示的功能)。在圖10所示的實(shí)施例中，設(shè)備50包括區(qū)域52，在此區(qū)域?qū)⒈∧?2引入拉伸設(shè)備50中?？墒褂萌魏涡枰姆椒ㄌ峁┍∧?2。例如，薄膜32可以被制成卷或其它形式，然后再提供給拉伸設(shè)備50。又如，可將拉伸設(shè)備50構(gòu)造成能接收來自擠出機(jī)的薄膜32(例如，如果以擠出方式制成薄膜32并且在擠出后用于拉伸)或來自涂布機(jī)的薄膜(例如，如果通過涂布方式制成薄膜32或薄膜在被涂敷一個或多個涂層后用于拉伸)或來自層壓機(jī)的薄膜(例如，如果通過層壓方式制成薄膜32或薄膜在獲得一個或多個層壓的層后用于拉伸)。一般來講，將薄膜32在區(qū)域52中提供給一個或多個夾持部件，該夾持部件夾持薄膜的相對邊緣并沿限定了傳輸路徑的相對軌道54傳輸薄膜。夾持部件(例如，參見圖12)通常在薄膜32的邊緣或靠近邊緣處夾持薄膜32。薄膜32被夾持部件夾持的部分在拉伸后一般不適于使用，因此夾持部件的位置通常選擇為對薄膜32提供足以進(jìn)行拉伸的夾持力，同時控制此過程造成的廢料量?？赏ㄟ^例如輥56來沿軌道54引導(dǎo)諸如夾子等夾持部件，該輥轉(zhuǎn)動沿軌道54的鏈條，其中夾持部件連接到鏈條上。輥56連接到驅(qū)動機(jī)構(gòu)上，該機(jī)構(gòu)用于在薄膜被傳輸通過拉伸設(shè)備50時控制薄膜32的速度和方向。輥56也可用于轉(zhuǎn)動和控制帶式夾持部件的速度?？蛇x地，帶和輥56包括互鎖齒以降低或阻止帶和輥56之間的滑動。可選地，設(shè)備50包括預(yù)處理區(qū)域58，在一個實(shí)施例中，該區(qū)域被烘箱60或其它裝置或結(jié)構(gòu)包圍，由此來加熱薄膜32以備拉伸。預(yù)處理區(qū)域58可包括預(yù)熱區(qū)62、熱浸區(qū)64或同時包括兩者。在至少一些實(shí)施例中，如圖13中的邊界軌線所示，可能會發(fā)生輕微的薄膜拉伸以便設(shè)置夾持部件和薄膜之間的接觸狀態(tài)。在至少一些實(shí)例中，實(shí)際上可能未進(jìn)行任何拉伸，但是相對軌道之間分隔距離的增加可能(至少部分地)造成薄膜32在受熱時薄膜32發(fā)生熱膨脹。在主拉伸區(qū)域66中對薄膜32進(jìn)行拉伸。通常，在主拉伸區(qū)域66中，在高于薄膜68的聚合物玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的熱環(huán)境中對承受拉伸的薄膜區(qū)域68進(jìn)行加熱，或?qū)⑵浔３衷诟哂诒∧?8的聚合物玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的熱環(huán)境中。對于聚酯，溫度范圍通常介于約80℃和約160℃之間。盡管也可使用其它加熱元件，但是合適的加熱元件的實(shí)例包括對流加熱元件和輻射加熱元件。在一些實(shí)施例中，可單獨(dú)控制或成組控制用于加熱薄膜32的加熱元件以提供不同的熱量?？刹捎枚喾N方法來保持這種控制，其中包括允許加熱元件溫度變化或者從加熱元件吹到薄膜68上的空氣的方向或速度變化的那些方法。如果需要，可以使用對加熱元件進(jìn)行控制來可變地加熱薄膜68的各區(qū)域，以提高或改變整個薄膜68的拉伸均一性。例如，在均勻加熱的情況下，薄膜68中的拉伸程度小于其它區(qū)域的那些區(qū)域可通過提高其受熱程度來使之更易于拉伸。在主拉伸區(qū)域66中，夾持部件沿著大致發(fā)散的軌道54將聚合物薄膜68拉伸所需的量。可使用多種結(jié)構(gòu)和材料來形成設(shè)備50的主拉伸區(qū)域66中和其它區(qū)域中的軌道54。在主拉伸區(qū)域66之外，軌道54通常為基本線性的。相對的線性軌道54可平行或者可以被設(shè)置為會聚的或發(fā)散的。在主拉伸區(qū)域66中，軌道54一般為發(fā)散的且通常為曲線。在一些示例性實(shí)施例中，可使用線性軌道段來逼近軌道的大致曲線形狀。在一個實(shí)例中，設(shè)備50通常包括后處理區(qū)域70。例如，薄膜32可在區(qū)域72中熱定形，并在區(qū)域74中驟冷。當(dāng)所有組分均達(dá)到比其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低的溫度水平時，薄膜32即被驟冷。在一些其它實(shí)施例中，可在拉伸設(shè)備50之外進(jìn)行驟冷操作。在圖10所示的實(shí)施例中，使用取走系統(tǒng)從主拉伸區(qū)域66中取出薄膜32。在所示的實(shí)施例中，此取走系統(tǒng)獨(dú)立于軌道54(即未與軌道直接相連)，其中薄膜32在此軌道上被傳輸通過主拉伸區(qū)域66。在本發(fā)明中，術(shù)語熱定形是指一種加熱方案，其中在取向后加熱薄膜32以增強(qiáng)薄膜的某些特性，例如晶體生長、尺寸穩(wěn)定性和/或整體光學(xué)性能。熱定形是溫度和時間的函數(shù)，并且必須考慮諸如以下因素商業(yè)上實(shí)用的線速和薄膜的熱傳遞特性、以及成品的光學(xué)透明度。在一個示例性實(shí)施例中，熱定形方法涉及將薄膜32加熱到高于其至少一種聚合物組分的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)，優(yōu)選高于其所有聚合物組分的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。示例的聚合物材料包括PEN、PET、coPENS、聚丙烯和間規(guī)立構(gòu)聚苯乙烯。在熱定形方法的一個實(shí)施例中，將薄膜32加熱至比薄膜32的拉伸溫度高的溫度，但是這并非是必須的。在另一個實(shí)施例中，在熱定形過程中，將薄膜32加熱至介于薄膜32的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熔點(diǎn)之間的溫度。一般來講，針對結(jié)晶速度存在最佳溫度，這源于體系的動力學(xué)和熱力學(xué)平衡。當(dāng)要使熱定形時間達(dá)到最短為主要考慮因素時，此溫度非常有用。通常情況下，用于調(diào)節(jié)條件以找到不同產(chǎn)品和工藝考慮因素之間的最佳平衡的起始點(diǎn)大約為位于薄膜32的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熔點(diǎn)之間的中間溫度。例如，在干燥狀況下，PET和PEN的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度分別為大約80℃和120℃。組成介于PET和PEN之間的共聚物(又稱“coPENs”)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度介于這兩種均聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度之間。由于物理晶體(physicalcrystal)自身的大小和約束而導(dǎo)致物理晶體中存在不同程度的缺陷，因此熔點(diǎn)包括一定的溫度范圍。PET和PEN的熔點(diǎn)的粗略估計值分別為約260℃(PET)和約270℃(PEN)。所謂的coPENs的熔點(diǎn)通常低于均聚物的熔點(diǎn)，并可以例如采用差示掃描量熱法(DSC)近似測量出。因此，PET和PEN的熱定形起始點(diǎn)溫度范圍介于例如約170℃和195℃之間。實(shí)際方法中的設(shè)定點(diǎn)取決于給定方法中的駐留時間和熱量轉(zhuǎn)移。駐留時間可在約1秒至約10分鐘的范圍內(nèi)，并且不僅取決于處理條件而且還取決于所需的最終效果，例如，結(jié)晶量、分層阻力的增加和在給定其它特性的情況下對霧度的優(yōu)化等。最小化駐留時間對于諸如最小化設(shè)備尺寸等考慮因素經(jīng)常是有用的。較高的溫度可以減少獲得某種水平的結(jié)晶度所需的時間。然而，較高的溫度也會導(dǎo)致有缺陷的晶體結(jié)構(gòu)熔融從而重組成更大的結(jié)構(gòu)。對于某些應(yīng)用，這可能會產(chǎn)生不期望的霧度。在一個實(shí)施例中，去除薄膜在整個主拉伸區(qū)域66中由夾持部件夾持的部分。為了在基本上整個拉伸過程中都能保持基本單軸拉伸(如圖10所示)，在橫向拉伸結(jié)束時，優(yōu)選地在切口點(diǎn)78處將快速發(fā)散的邊緣部分76從已拉伸薄膜68上切除?？稍?8處進(jìn)行切割，并可丟棄毛邊或不能用的部分76。在一個實(shí)施例中，該方法還包括移除區(qū)域80?？蛇x地，使用輥82使薄膜向前移動，但也可以不使用輥。在一個實(shí)施例中，未使用輥82，因為它會與最終薄膜84相接觸，從而可能對最終薄膜84造成損壞。在一個實(shí)施例中，進(jìn)行另一次切割86，并丟棄不使用的部分88。移除區(qū)域80也可包括可選的隔離區(qū)域(圖10中未示出)，在此區(qū)域中對薄膜溫度進(jìn)行控制以降低和/或消除不期望的薄膜特性，如翹曲。在隔離區(qū)域中，可以將薄膜卷繞在輥上，但不是必須要卷繞。從可選的隔離區(qū)域取出薄膜后，可選地對薄膜進(jìn)行涂敷或?qū)訅?，或者進(jìn)行加工以賦予表面紋理或表面結(jié)構(gòu)。在一個實(shí)施例中，薄膜在被取走后就直接轉(zhuǎn)換為成品。在另一個實(shí)施例中，薄膜84在離開取走系統(tǒng)后通常卷繞在輥上以備后用。在一個實(shí)例中，可對薄膜84進(jìn)行退繞并轉(zhuǎn)移至可選的第二加熱單元(圖10中未示出)。在第二加熱單元中，可以夾持薄膜84，并可根據(jù)需要使其承受張力以防止褶皺。通常在比拉伸區(qū)域66中所應(yīng)用的初始拉伸溫度低的溫度下進(jìn)行此操作。第二加熱單元可以僅僅是烘箱，其中可將薄膜84設(shè)置成卷狀或片狀以增強(qiáng)其特性。例如，可在第二加熱區(qū)域中應(yīng)用第二熱浸步驟，其中將薄膜84加熱至比至少一個薄膜組分的玻璃化轉(zhuǎn)化溫度、優(yōu)選地比所有薄膜組分的玻璃化轉(zhuǎn)化溫度低的溫度。此外，通常在比拉伸區(qū)域66中對薄膜84所應(yīng)用的初始拉伸溫度低的溫度下執(zhí)行第二熱浸處理。第二熱浸處理可以持續(xù)較長時間，例如幾小時或幾天，直至獲得了所需的薄膜特性，如抗收縮或抗蠕變能力。例如，PET的熱浸處理通常在約50℃至75℃的溫度下進(jìn)行幾小時至幾天，而PEN的熱浸處理通常在60℃至115℃的溫度下進(jìn)行幾小時至幾天。也可在一些后處理步驟中部分地實(shí)現(xiàn)熱浸處理。例如，可在具有一定熱浸效果的烘箱中涂敷和干燥或固化薄膜84。在第二加熱區(qū)域中處理后，可選地，將薄膜84轉(zhuǎn)移到第二驟冷和/或定形區(qū)域(圖10中未示出)。在第二驟冷和/或定形區(qū)域中，可使薄膜84承受張力和/或沿會聚軌道內(nèi)束以控制收縮和彎曲。通過可選的第二驟冷和/或定形區(qū)域后，可重新卷繞薄膜。圖11-12示出夾持部件和軌道的一個實(shí)施例。合適夾持部件90的一個實(shí)例包括一系列夾子，這些夾子依次將薄膜32夾在相對表面之間然后沿軌道54移動。夾持部件可以嵌套或橫跨在沿軌道54的凹槽或溝槽中。另一個實(shí)例是帶子系統(tǒng)，其將薄膜32夾持在相對的帶或支承面(或一系列的帶或支承面)之間，并引導(dǎo)薄膜32沿軌道54移動。如果需要，帶子和支承面可提供靈活和連續(xù)或半連續(xù)的薄膜傳送機(jī)制。在例如美國專利No.5,517,737和歐洲專利申請公開No.0236171A1(該兩個文獻(xiàn)的全部內(nèi)容以引用的方式并入本文)中描述了多種相對的多帶方法?？蛇x地，帶子的張力是可調(diào)整的，以獲得所需的夾持力度。帶子或夾子可由任何材料制成。例如，帶子可為復(fù)合構(gòu)造。適用的帶子的一個實(shí)例包括由諸如鋼等金屬制成的內(nèi)層以承受高張力和由彈性體制成的外層以提供良好的夾持效果。也可使用其它帶子。在一些實(shí)施例中，帶子包括不連續(xù)的支承面以提供良好的夾持效果。夾持和傳輸薄膜通過拉伸器的其它方法已為人們所知并且可以使用。在一些實(shí)施例中，拉伸設(shè)備的不同部分可使用不同類型的夾持部件90。圖11和12所示實(shí)施例的夾持部件90為一系列拉幅夾。這些夾子由于是分段的，所以可提供整體柔性。離散的夾子通常密集布置并連接到柔性的結(jié)構(gòu)體如鏈條上。柔性的結(jié)構(gòu)體沿順著軌道54方向的溝槽運(yùn)行或在溝槽中運(yùn)行。特意布置的凸輪和凸輪面在所需位置打開或閉合拉幅夾。夾子和鏈條組件可選地在輪子或軸承或類似物上運(yùn)行。在一個實(shí)例中，夾持部件90為安裝在頂部和底部軸承上的拉幅夾，軸承在兩對內(nèi)部和外部導(dǎo)軌之間滾動。這些導(dǎo)軌至少部分地形成了軌道54。夾持部件90的邊緣限定了薄膜32的將被拉伸的部分的邊界。夾持部件90沿軌道54的運(yùn)動提供了邊界軌線，這條軌線至少部分地決定薄膜32的運(yùn)動和拉伸。其它影響因素(如順維張力和接收裝置)可決定運(yùn)動和拉伸的其余部分。通常，從夾持部件90沿其滑行的軌道54或?qū)к壙梢愿菀椎刈R別邊界軌線。例如，可對齊夾持部件90(如拉幅夾)中心的有效邊緣，以沿著與軌道54或?qū)к壉砻嫦嗤能壽E運(yùn)行。于是此表面與邊界軌線一致。實(shí)際中，夾持部件90的有效邊緣可在一定程度上被從夾持部件90下方輕微滑出或溢出的薄膜遮蔽，但這些偏差可以被控制到很小。此外，對于夾持部件90如拉幅夾，其夾持面邊緣的長度可影響實(shí)際邊界軌線。一般來講，較小的夾子將提供更接近于邊界軌線的效果和更小的拉伸波動。在至少一些實(shí)施例中，夾持面邊緣的長度不超過相對邊界軌線或軌道之間的總初始距離的約二分之一。在一個尤其適合的實(shí)施例中，夾持面邊緣的長度不超過相對邊界軌線或軌道之間的總初始距離的約四分之一?？蛇x地，將兩個相對軌道54設(shè)置在兩個分離的或可分離的平臺上，或以其它方式將其構(gòu)造為使得相對軌道54之間的距離可被調(diào)整。如下所討論，如果要在設(shè)備50上拉伸尺寸不同的薄膜32，或如果希望改變主拉伸區(qū)域66中的拉伸構(gòu)造，則這一點(diǎn)非常適用?？墒謩拥鼗驒C(jī)械地(例如，使用計算機(jī)或其它裝置來控制可以改變相對軌道54之間距離的驅(qū)動器)來分離軌道54或更改軌道間的距離，或同時采用手動和機(jī)械方式這兩種方法。由于薄膜32由安裝在相對軌道54上的兩組相對夾持部件90夾持，因此有兩條相對的邊界軌線。在至少一些實(shí)施例中，這些軌線關(guān)于拉伸薄膜32的縱向中心線互為鏡像。在其它實(shí)施例中，相對軌道54并非互為鏡像。這種非鏡像布置可用于提供整個薄膜32上的一個或多個光學(xué)或物理性能的變化(例如，主軸的傾斜度或旋轉(zhuǎn))。圖13示出供給區(qū)域52的一個實(shí)施例，其后是預(yù)處理區(qū)域58和主拉伸區(qū)域66。在預(yù)處理區(qū)域58中(或者可選地，在供給區(qū)域52中)，提供夾持部件設(shè)定區(qū)域92，其中軌道54會微微發(fā)散以將夾持部件90(例如，拉幅夾)設(shè)定在薄膜32上?？蛇x地，在該區(qū)域92中加熱薄膜32。在一個實(shí)施例中，該初始橫向拉伸量不超過最終橫向拉伸量的約5％，并且一般小于最終橫向拉伸量的約2％，并且經(jīng)常小于最終橫向拉伸量的約1％。在一些實(shí)施例中，在其中進(jìn)行初始拉伸的區(qū)域92后面緊跟區(qū)域94，在區(qū)域94中軌道54基本上平行，并且對薄膜32進(jìn)行加熱或?qū)⑵渚S持在較高溫度。在拉伸設(shè)備50的所有區(qū)域中，可使用一系列可選地連接在一起的直線段或曲線段形成軌道54?？墒褂迷试S兩個或更多個(或甚至所有)單個區(qū)域分離(例如以便于維護(hù)或構(gòu)造)的段形成軌道54。作為選擇，或在特殊區(qū)域或區(qū)域組中，軌道54可形成為單個連續(xù)構(gòu)造。軌道54可包括跨越拉伸器50的一個或多個相鄰區(qū)域52、58、66、70、80的連續(xù)構(gòu)造。軌道54可具有連續(xù)構(gòu)造和單個段的任意組合。在一些實(shí)施例中，主拉伸區(qū)域66中的軌道54與前面區(qū)域中的軌道54相連，但可與其分離。在一些實(shí)施例中，如圖22-27中所示，隨后的后處理區(qū)域70或移除區(qū)域80中的軌道通常與主拉伸區(qū)域66中的軌道54分離。盡管在圖10中主拉伸區(qū)域66中的軌道為曲線，但是在一些實(shí)施例中也可使用直線軌道段。在一個實(shí)施例中，這些段相對于彼此排列(例如，通過繞軸線樞轉(zhuǎn)單個直線段)，以生成逼近于所需曲線軌道構(gòu)造的直線段。一般來講，直線段越短，所獲得的曲線的逼近程度就越高。在一些實(shí)施例中，直線段中的一個或多個(優(yōu)選全部)的位置可進(jìn)行調(diào)整(可繞軸線樞轉(zhuǎn))，以便在需要時可調(diào)整軌道54的形狀?？梢允謩舆M(jìn)行調(diào)整，也可機(jī)械地調(diào)整，例如，通過連接到驅(qū)動器的計算機(jī)或其它裝置的控制來進(jìn)行調(diào)整。應(yīng)當(dāng)理解，曲線段可用于替代直線段或作為直線段的補(bǔ)充。也可在區(qū)域52、58、66、70、80中的每個區(qū)域中使用連續(xù)軌道54。具體地講，可在主拉伸區(qū)域66中使用連續(xù)的曲線軌道54。連續(xù)的曲線軌道54通常至少包括一個限定軌道54的連續(xù)導(dǎo)軌，夾持部件90沿著該導(dǎo)軌運(yùn)動。在一個實(shí)施例中，曲線軌道54包括兩對內(nèi)部和外部導(dǎo)軌，其中拉幅夾安裝在頂部和底部軸承上，而軸承在四根導(dǎo)軌之間滾動。在一些實(shí)施例中，連續(xù)軌道54是可以調(diào)整的。一種制作可調(diào)連續(xù)軌道54的方法包括使用一個或多個軌道形狀控制單元。將這些軌道形狀控制單元與連續(xù)軌道54(如連續(xù)導(dǎo)軌)的一部分連接，并將其構(gòu)造成能夠在需要時對軌道54施加力以使軌道54彎曲。圖14示意性地示出了這樣一種構(gòu)造的實(shí)施例，其中軌道形狀控制單元96與軌道54連接。一般來講，軌道形狀控制單元96可施加的力具有一定的范圍，但是有些實(shí)施例可能會僅限于使用或開或關(guān)的控制單元96。軌道形狀控制單元96通常可朝薄膜32的中心施加力或遠(yuǎn)離薄膜32的中心施加力，或優(yōu)選兩者。軌道形狀控制單元96可連接到可調(diào)式連續(xù)軌道54上的某一點(diǎn)，或者軌道形狀控制單元96可構(gòu)造成使得軌道54能夠沿控制單元96橫向滑動，同時仍然保持軌道54和控制單元96之間的連接。因為該構(gòu)造允許在控制單元96啟動以后更自由地調(diào)整軌道54，因此有利于較大范圍的運(yùn)動。一般來講，軌道形狀控制單元96允許軌道54在一定的形狀范圍內(nèi)變化，這些形狀不同于軌道54的平衡態(tài)形狀，例如，圖14的形狀54和54′。軌道的平衡態(tài)和調(diào)整后的形狀可為直線或曲線。通常，軌道形狀控制單元96和軌道54可沿著運(yùn)動直線98(或其它幾何形狀)運(yùn)動。當(dāng)使用不止一個軌道形狀控制單元96時，軌道形狀控制單元96可具有相同或相似的運(yùn)動路線和運(yùn)動范圍98，或者各個軌道形狀控制單元96的運(yùn)動路線和范圍98可不同。在一些實(shí)施例中，軌道的一個或多個點(diǎn)100是固定的。固定點(diǎn)100可以為沿軌道54的任一位置，包括位于或靠近主拉伸區(qū)域66的起點(diǎn)(如圖14所示)或終點(diǎn)位置。固定點(diǎn)100也可位于沿軌道54的其它點(diǎn)(如圖18所示)處。在圖15中示出合適的軌道形狀控制單元96和軌道54的一個實(shí)例。該實(shí)施例中的軌道54包括四根導(dǎo)軌102，其中拉幅夾(未示出)安裝到在四根導(dǎo)軌102之間滾動的軸承(未示出)上。軌道形狀控制單元96包括與驅(qū)動器(未示出)連接的基座104、頂部與底部內(nèi)側(cè)接觸部件106以及頂部與底部外側(cè)接觸部件108。內(nèi)側(cè)接觸部件106和外側(cè)接觸部件108連接到基座104，因此移動基座104可使接觸部件106、108分別對導(dǎo)軌102的內(nèi)外表面施加力。在示例性實(shí)施例中，內(nèi)側(cè)接觸部件106具有某種形狀，當(dāng)從上方或下方觀看時，該形狀使得接觸部件106、108和導(dǎo)軌102之間只有較小的接觸區(qū)域，如圖16和17所示(圖16顯示導(dǎo)軌102和內(nèi)側(cè)接觸部件106)。此類形狀的實(shí)例包括圓形和橢圓形以及菱形、六邊形或其它類似形狀，其中內(nèi)側(cè)接觸部件106和導(dǎo)軌102在這些形狀的頂點(diǎn)處相接觸。外側(cè)接觸部件108可以采用類似的形狀，以使得當(dāng)從上方或下方觀看時外側(cè)接觸部件108與導(dǎo)軌102接觸的部分成為一點(diǎn)，如圖17所示(圖17顯示導(dǎo)軌102、以及外側(cè)接觸部件108與導(dǎo)軌102接觸的部分)。使用此類形狀可使軌道形狀控制單元96在需要時施加力以改變軌道形狀，同時允許軌道54橫向滑過控制單元96，而不是固定到控制單元96上。此構(gòu)造還可允許調(diào)整軌道54在控制單元96中的瞬間斜度。由于這兩個原因或其中一個原因，軌道54可具有較大的形狀調(diào)整范圍。在其它實(shí)施例中，可以有更少或更多的接觸部件106、108或只有內(nèi)側(cè)接觸部件106或外側(cè)接觸部件108。如圖18中進(jìn)一步示出，軌道54可構(gòu)造成在主拉伸區(qū)域66中提供區(qū)域110、112、114，這些區(qū)域具有不同的拉伸特性或者可用不同的數(shù)學(xué)方程來描述。在一些實(shí)施例中，軌道54具有限定這些不同區(qū)域110、112、114的形狀。在其它實(shí)施例中，可使用例如上文討論的軌道形狀控制單元96來調(diào)整軌道54，以提供除簡單的單功能構(gòu)造之外的多種形狀116、118。這是有利的，因為它允許主拉伸區(qū)域66的不同部分實(shí)現(xiàn)所需功能。例如，初始拉伸區(qū)域可具有特定形狀(例如，U＞1和F＞1的超單軸形狀，如下文所述)，其后是具有不同形狀(例如，單軸形狀)的一個或多個后續(xù)區(qū)域?？蛇x地，可提供從一個形狀過渡到另一個形狀的中間區(qū)域。在一些實(shí)施例中，可通過軌道54上的固定點(diǎn)100來分離或限定各個區(qū)域110、112、114。在一些實(shí)施例中，軌道54在其長度方向上具有不一致的橫截面形狀，以利于軌道54的彎曲和成形。例如，在軌道54中使用的一個或多個導(dǎo)軌102可具有不同的橫截面形狀。例如，在上述四軌構(gòu)造中，每根導(dǎo)軌102或?qū)к?02的子集在軌道54的長度方向上具有變化的橫截面?？赏ㄟ^例如改變軌道54(或軌道54的部件，如一個或多個連續(xù)導(dǎo)軌102)的高度和/或厚度來改變橫截面。例如，在一個實(shí)施例中，軌道54或軌道54中的一個或多個導(dǎo)軌102的厚度沿縱向上的軌道54的長度方向減小或增加。這些變化可用于支持特定軌道形狀或軌道形狀可調(diào)性的變化。例如，如上文所述，軌道54可具有幾個不同的區(qū)域110、112、114，每個區(qū)域110、112、114具有不同的軌道形狀54。軌道54或軌道54的部件的橫截面變化在每個區(qū)域110、112、114中可以是不同的，以獲得或有利于特定導(dǎo)軌102形狀，并且在區(qū)域110、112、114之間可以是不同的。例如，帶有相對較厚橫截面形狀的區(qū)域112可設(shè)置在另外兩個區(qū)域110、114之間，以在兩個區(qū)域110、114之間實(shí)現(xiàn)隔離或提供過渡空間。作為軌道54或?qū)к?02的橫截面變化的一個實(shí)例，在軌道54或軌道一部分(如導(dǎo)軌102)的厚度分布的設(shè)計中，弧長s可用于表示沿軌道54的位置?；￠Ls在拉伸起點(diǎn)處定義為零，在拉伸的另一端定義為L，拉伸起點(diǎn)和終點(diǎn)處的相應(yīng)厚度分別指定為h(0)和h(L)。在該具體實(shí)施例中，在s＝0和s＝L之間從L′到L″的梁的一部分上，軌道54或軌道部件(例如導(dǎo)軌102)是錐形，使得位置L′處的厚度h(L′)大于位置L″處的厚度h(L″)。在這種方式中，L′或L″可具有較大的弧長坐標(biāo)(即L′＞L″或L′＜L″)?？捎玫暮穸确植嫉囊粋€實(shí)例是一個由厚度函數(shù)h(s)給定的錐形，該函數(shù)為從L′到L″的導(dǎo)軌102的弧長的函數(shù)，該函數(shù)方程為h(s)＝(h(L′)-h(L″))(1-(s-L′)/(L″-L′))α+h(L″)其中α是導(dǎo)致從L′至L″厚度發(fā)生降低的正值錐度。當(dāng)L′小于L″時，這會導(dǎo)致厚度隨弧長減小。當(dāng)L′大于L″時，這會致使厚度隨弧長增大?？蛇x地，將軌道54分成段，每段具有其自己的局部L′、L″和錐度。軌道54或軌道部件如導(dǎo)軌的最大厚度取決于在軌道54上的該點(diǎn)處所需的柔性。使用適用于軌道或?qū)к壍牧豪碚摚梢钥闯鰩в绣F度的直梁在α值為1/3時，在一端負(fù)荷的作用下可產(chǎn)生拋物線形式的彎曲。當(dāng)梁始于彎曲平衡構(gòu)造或由幾個控制點(diǎn)承載時，其它錐形可能更理想。為了在多種其它形狀之間進(jìn)行過渡，增加和減少給定軌道54或軌道部件內(nèi)的厚度、或者數(shù)值計算這些段中的任意段的錐形可能會比較有用。沿軌道54或軌道部件上任意點(diǎn)的最小厚度取決于軌道54承受拉伸力所需的強(qiáng)度。最大厚度可為所需柔性水平的函數(shù)。將軌道調(diào)整程度保持在軌道54或軌道部件的彈性范圍內(nèi)通常是有益的，以例如避免軌道54或軌道部件的永久屈服或避免失去可重復(fù)調(diào)整的能力。由相對軌道54限定的路徑影響薄膜32在縱向、橫向和法向上的拉伸。可用一組拉伸比描述拉伸變形縱向拉伸比(MDDR)、橫向拉伸比(TDDR)和法向拉伸比(NDDR)。當(dāng)確定薄膜32的這些值時，具體拉伸比通常定義為薄膜32在所需方向(例如，縱向、橫向或法向)的當(dāng)前尺寸(例如，長度、寬度或厚度)與薄膜32在相同方向上的初始尺寸(例如，長度、寬度或厚度)的比率。盡管可通過觀察拉伸后的聚合物薄膜32來確定這些拉伸比，但是除非另外指明，所提及的MDDR、TDDR和NDDR均表示由用于拉伸聚合物薄膜32的軌道54確定的拉伸比。在該拉伸過程中的任何給定點(diǎn)，TDDR都對應(yīng)于邊界軌線的當(dāng)前間距L與在拉伸開始時邊界軌線的初始間距L0的比率。換句話講，TDDR＝L/L0。在某些情況下(例如，在圖3和8中)，TDDR用符號λ表示。在拉伸過程中的任何給定時刻，MDDR都是發(fā)散角θ的余弦，此角為縱向和邊界軌線(如軌道54或?qū)к?02)的瞬間切線之間的正夾角。由此可知cot(θ)等于軌道54在該點(diǎn)的瞬間斜率(即一階導(dǎo)數(shù))。只要聚合物薄膜的密度在拉伸過程中為恒定的，在確定TDDR和MDDR值后，則NDDR＝1/[(TDDR)(MDDR)]。但是，如果薄膜的密度以因子ρf變化，其中ρf＝ρ0/ρ，ρ為拉伸過程中當(dāng)前時刻的密度，并且ρ0為拉伸開始時的初始密度，則可預(yù)知NDDR＝ρf/[(TDDR)(MDDR)]。有多種原因可導(dǎo)致材料密度發(fā)生變化，所述原因例如為相變，如由于拉伸或其它加工條件而造成的結(jié)晶或部分結(jié)晶。完全單軸拉伸條件(尺寸在橫向上增加)可分別導(dǎo)致值為λ、(λ)-1/2和(λ)-1/2的TDDR、MDDR和NDDR，如圖8所示(假定材料密度恒定)。換句話講，假定密度在拉伸期間是一致的，則單軸取向薄膜在整個拉伸期間滿足MDDR＝(TDDR)-1/2。單軸特性量值的一種有用的度量U可被定義為對于完全單軸拉伸，U在整個拉伸過程中為1。當(dāng)U小于1時，拉伸狀態(tài)被視為“亞單軸”。當(dāng)U大于1時，拉伸狀態(tài)被視為“超單軸”。在傳統(tǒng)拉幅機(jī)中，沿邊緣16直線拉伸聚合物薄膜12(如圖2所示)，以將薄膜的區(qū)域18拉伸成拉伸后的區(qū)域20。在該實(shí)例中，發(fā)散角相對較小(如約3°或更小)，MDDR約為1，并且U約為0。如果薄膜12受到雙軸拉伸使得MDDR大于1，則U變?yōu)樨?fù)值。在一些實(shí)施例中，U可具有大于1的值。U大于1的狀態(tài)表示各種過度松弛水平。這些過度松弛狀態(tài)會產(chǎn)生從邊緣開始的縱向收縮。如果縱向收縮的程度對于一定的幾何形狀和材料硬度來說足夠大，則薄膜將會彎曲或起皺。可以預(yù)知，可根據(jù)下面的公式針對密度的變化對U進(jìn)行修正以給出Uf值盡管非共面拉伸軌線也可接受，但優(yōu)選的是，如圖10所示，在面內(nèi)拉伸薄膜(即邊界軌線與軌道共面)。因為面內(nèi)約束減少了變量數(shù)目，因此面內(nèi)邊界軌線的設(shè)計較為簡單。完全單軸取向的結(jié)果是一對鏡像對稱的面內(nèi)拋物線軌線，其背離面內(nèi)縱向中心線發(fā)散?？赏ㄟ^首先將橫向定義為“x”方向和將縱向定義為“y”方向來繪制拋物線。相對邊界拋物線之間的縱向中心線可用作y坐標(biāo)軸?？蓪⒆鴺?biāo)原點(diǎn)選為主拉伸區(qū)域66的起點(diǎn)并且對應(yīng)于拋物線軌線之間的中心軌跡的初始中心點(diǎn)。左右邊界拋物線分別選擇在負(fù)/正x0處開始(y＝0)。具體體現(xiàn)本發(fā)明的該實(shí)施例的右邊界拋物線軌線(正y值)為x/x0＝(1/4)(y/x0)2+1通過將上述方程的左側(cè)與-1相乘而得到左邊界拋物線軌線。在下面的討論中，將給出用于確定右邊界軌線的說明和方法。然后可通過獲取右邊界軌線相對于薄膜中心線的鏡像來獲得左邊界軌線。對于亞單軸拉伸，真正單軸特性的最終量值可用于估算y(縱向)和z(法向)之間折射率的匹配水平，相應(yīng)公式為Δnyz＝Δnyz(U＝0)×(1-U)其中Δnyz是對于某一U值縱向(即y方向)和法向(即z方向)的折射率差異，Δnyz(U＝0)是以相同方式拉伸但拉伸過程中始終保持MDDR為1的所得薄膜的折射率差異。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，該關(guān)系對于各種光學(xué)薄膜中所用的聚酯體系(包括PEN、PET以及PEN或PET的共聚物)能夠做出合理的預(yù)測。在這些聚酯體系中，Δnyz(U＝0)通常為差值Δnxy(U＝0)的約二分之一或更大，Δnxy(U＝0)為兩個面內(nèi)方向即縱向(y軸)和橫向(x軸)之間的折射率差異。在633nm下，Δnxy(U＝0)的典型值最高為約0.26。在633nm下，Δnyz(U＝0)的典型值最高為約0.15。例如，90/10coPEN(即包含約90％PEN類重復(fù)單元和10％PET類重復(fù)單元的共聚酯)在633nm下在高度拉伸時具有約0.14的典型值。已根據(jù)本文所述的方法制成包含此90/10coPEN的薄膜，根據(jù)實(shí)際的薄膜拉伸比測出這些薄膜的U值為0.75、0.88和0.97，在633nm下相應(yīng)的Δnyz值為0.02、0.01和0.003。在理想條件下，共面的拋物線軌線可提供單軸取向。然而，其它因素也可影響實(shí)現(xiàn)單軸取向的能力，這些因素包括例如聚合物薄膜的厚度不均勻、拉伸期間對聚合物薄膜的加熱不均勻、以及從例如設(shè)備的順維區(qū)域施加的附加張力(例如，縱向張力)。此外，在許多情況下，不必實(shí)現(xiàn)完全單軸取向。相反，可限定整個拉伸過程中或拉伸的某一具體階段所維持的U最小值/閾值或平均值。例如，根據(jù)需要或根據(jù)具體應(yīng)用的需求，可接受的U最小值/閾值或平均值可以為0.2、0.5、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9或0.95。一般來講，任何大于0的U最小值/閾值或平均值都是適合的。作為可接受的近似單軸應(yīng)用的一個實(shí)例，當(dāng)橫向為主拉伸方向時，用于液晶顯示應(yīng)用中的反射偏振片的斜角特性會受到縱向和法向折射率之間差異的很大影響。在一些應(yīng)用中，縱向和法向之間存在0.08的折射率差異是可接受的。在另一些應(yīng)用中，0.04的差異是可接受的。在更嚴(yán)格的應(yīng)用中，0.02或更小的差異是優(yōu)選的。例如，在許多情況下，在包含聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或PEN共聚物的聚酯體系中，0.85的單軸特性量值足以使單向橫向拉伸的薄膜在633nm下的縱向折射率和法向折射率之差為0.02或更小。對于一些聚酯體系，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)，由于非基本單軸拉伸薄膜的固有折射率差異較小，因此為0.8或者甚至0.75的較低的U值可能是可接受的。采用本發(fā)明的方法制造的取向光學(xué)薄膜包括反射偏振片，例如多層反射偏振片和漫反射偏振片。漫反射偏振片的描述可見于共同擁有的美國臨時專利申請No.60/668,944(提交于2005年4月6日)和美國專利申請No._______，提交于_________，兩篇專利文獻(xiàn)的名稱均為“DiffuseReflectivePolarizingFilmswithOrientablePolymerBlends(具有可取向聚合物共混物的漫反射偏振薄膜)”；以及美國專利No.5,825,543、No.6,057,961、No.6,590,705和No.6,057,961，這些專利文獻(xiàn)均以引用的方式并入本文。這種漫反射偏振片包括第一熱塑性聚合物連續(xù)相和第二熱塑性聚合物非連續(xù)相或分散相。第一聚合物或第二聚合物的其中一者或兩者可為雙折射材料。在一個實(shí)施例中，漫反射偏振片包括不止一個連續(xù)相和/或不止一個分散相。在另一個實(shí)施例中，采用本發(fā)明的方法制成的取向光學(xué)薄膜包括補(bǔ)償片和延遲片。一個示例性實(shí)施例是“a板”，它是一種雙折射光學(xué)元件例如板或薄膜，其主光軸位于光學(xué)元件的x-y平面內(nèi)。正雙折射a板可由例如諸如聚乙烯醇等聚合物的單軸拉伸薄膜制成，或者由向列型正的光學(xué)各向異性液晶聚合物(LCP)材料的單軸定向薄膜制成。負(fù)雙折射a板可由負(fù)的光學(xué)各向異性向列型液晶聚合物(LCP)材料(包括例如盤狀化合物)的單軸定向薄膜形成。當(dāng)粘度大致相當(dāng)?shù)母呔畚锏亩不煳锏捏w積分?jǐn)?shù)大于約40％并接近50％時，則難以區(qū)分分散相和連續(xù)相之間的差異，這是因為空間中每個相都變得連續(xù)。取決于選擇的材料，可能會有其中第一相看起來分散在第二個相中的區(qū)域，反之亦然。有關(guān)多種共連續(xù)形態(tài)的描述以及對其進(jìn)行評估、分析和定性的方法，可參見Sperling及其中引用的參考文獻(xiàn)(L.H.Sperling，“MicrophaseStructure，”EncyclopediaofPolymerScienceandEngineering，第二版，第9卷，第760-788頁，和L.H.Sperling，第一章，“InterpenetratingPolymerNetworksAnOverview，”InterpenetratingPolymerNetworks，D.Klempner，L.H.Sperling和L.A.Utracki編著，AdvancesinChemistrySeries#239，3-38，1994)?？刹捎靡韵路椒▉泶_定一組在特性上近似于單軸或基本為單軸的可接受的拋物線軌線。所述方法直接確定“右”邊界軌線，而“左”邊界軌線則取其鏡像。首先，在選定的TDDR范圍內(nèi)，通過定義在相對邊界軌線之間測得的TDDR和MDDR之間的瞬間函數(shù)關(guān)系來設(shè)定條件，其中MDDR定義為這些邊界軌線的非負(fù)發(fā)散角的余弦。接著，如在拋物線軌線的討論中所述的那樣對此問題中的幾何形狀進(jìn)行定義。x1被定義為邊界軌線之間的初始距離的一半，比率(x/x1)被確定為瞬間TDDR，其中x為邊界軌線上的點(diǎn)的當(dāng)前x位置。接著，將TDDR和MDDR之間的瞬間函數(shù)關(guān)系轉(zhuǎn)換為TDDR和發(fā)散角之間的關(guān)系。在選擇具體U值后，上述公式可給出MDDR和TDDR之間的具體關(guān)系，此關(guān)系隨后可用于確定類別更廣的邊界軌線的算法中，其中同樣包括當(dāng)U接近1時的約束情況拋物線軌線。然后，對邊界軌線進(jìn)行約束以滿足下面的微分方程d(x/x1)/d(y/x1)＝tan(θ)其中tan(θ)是發(fā)散角θ的正切，y是右邊界軌線上相對的點(diǎn)的當(dāng)前位置的y坐標(biāo)，其與給定的x坐標(biāo)相對應(yīng)。然后，可以分析或數(shù)值方式求解微分方程，例如通過沿TDDR的歷史軌跡從1到所需最大值對1/tan(θ)進(jìn)行積分，以得到右邊界軌線的完整坐標(biāo)組{(x，y)}。作為可接受軌線的另一實(shí)例，可描述一類面內(nèi)軌線，其中該拋物線軌線在較小或較大的初始有效的橫向幅長的情況下使用。如果x1是位于主拉伸區(qū)域66的入口處的兩條相對邊界軌線之間的間距的一半(即，初始的薄膜橫向尺寸減去夾具夾持邊緣，所得結(jié)果為相對邊界軌線之間的初始距離的一半)，則通過下面的方程來描述這類軌線±(x)/(x1)＝(1/4)(x1/x0)(y/x1)2+1其中x1/x0被定義為入口間距比例。如果上述方程描述了提供完全單軸拉伸的拋物線軌道，則x0值對應(yīng)于兩個相對軌道之間所需的間距的一半。入口間距比例x1/x0是軌線偏離單軸條件的指標(biāo)。在一個實(shí)施例中，如上文所述，主拉伸區(qū)域中的兩個相對軌道之間的距離是可調(diào)整的，從而允許對軌線進(jìn)行調(diào)控以得到不等于1的U值和F值(見下文)。也可采用其它形成這些軌線的方法，這些方法包括例如使用軌道形狀控制單元或通過選擇具有所需軌線的固定形狀來調(diào)控軌線的形狀。對于超單軸拉伸，可利用過度供給率的概念來量化褶皺的嚴(yán)重度。過度供給率F可被定義為單軸MDDR(其等于(TDDR)-1/2)除以實(shí)際MDDR。如果實(shí)際MDDR小于單軸MDDR，則過度供給率F小于1，并且MDDR處于欠松弛狀態(tài)，從而導(dǎo)致小于1的U值。如果F大于1，則為超單軸拉伸，并且MDDR相對于單軸情況為過度松弛。因為薄而柔順的薄膜的壓縮翹曲閾值通常較低，因此至少一部分過度松弛可轉(zhuǎn)化為褶皺。當(dāng)F大于1時，過度供給率至少近似對應(yīng)于沿縱向方向上褶皺的實(shí)際薄膜輪廓長度與面內(nèi)輪廓長度或空間的比率。由于在密度恒定情況下的TDDR和MDDR之間所具有的關(guān)系，所以F可被描述為F＝1/(MDDRxTDDR1/2)通常，出于設(shè)計的目的，將F視為與密度無關(guān)。在處理期間的任何時候，大的F值可引起大的褶皺，并且褶皺會折疊并粘附在薄膜的其它部位，從而造成缺陷。在至少一些實(shí)施例中，拉伸期間的過度供給率F保持為2或更小以避免或降低嚴(yán)重的褶皺或折疊。在一些實(shí)施例中，整個拉伸過程中的過度供給率都為1.5或更小。對于一些薄膜，整個拉伸過程中允許的最大F值為1.2或甚至1.1。對于至少一些實(shí)施例，尤其是在整個拉伸過程中U＞1的實(shí)施例，在給出當(dāng)前TDDR的情況下，重新整理過度供給率的定義式可提供最小MDDR的相對限制MDDR＞1/(Fmax×TDDR1/2)其中Fmax可選擇為大于1的任何優(yōu)選水平。例如，如上所述，F(xiàn)可選擇為2、1.5、1.2或1.1。當(dāng)過度供給率小于1時，沿縱向方向具有比真正單軸拉伸所需要的更多的面內(nèi)空間，并且MDDR會處于欠松弛狀態(tài)下，從而導(dǎo)致縱向張力。結(jié)果可以是U值小于1。利用U、F、MDDR和TDDR之間的關(guān)系，U和F之間有一種隨TDDR而變化的對應(yīng)相關(guān)性。在臨界拉伸比為2時，最小U值對應(yīng)約0.9的最小過度供給率F。對于至少一些邊界軌線(包括整個拉伸過程中U＞1的邊界軌線)，可選擇MDDR使之在拉伸的最終階段保持低于某一水平，例如MDDR＜1/(Fmin×TDDR1/2)其中拉伸比達(dá)到2以后的拉伸最終階段的Fmin為0.9或更大。例如，可使用在整個拉伸過程中MDDR＜(TDDR)-1/2(即U＞1)的軌線，F(xiàn)max為2，薄膜被拉伸到TDDR為4的程度。如果軌線共面，則薄膜被拉伸到TDDR為至少2.4的程度，經(jīng)常為至少5.3。如果Fmax為1.5，則薄膜被拉伸到TDDR為至少6.8的程度。如果軌線共面，則薄膜被拉伸到TDDR為至少2.1的程度，經(jīng)常為至少4.7。如果Fmax為1.2，則使用共面軌線將薄膜拉伸到TDDR為至少1.8的程度，經(jīng)常為至少4.0。對于共面或非共面邊界軌線，如果未對F施加約束，則薄膜被拉伸到TDDR大于4的程度，經(jīng)常為至少6.8。在另一個實(shí)施例中，可使用共面軌線，其中整個拉伸過程中的(Fmin)(MDDR)＜(TDDR)-1/2，F(xiàn)max為2，F(xiàn)min為0.9，并且薄膜被拉伸到TDDR為至少4.6的程度，經(jīng)常為至少6.8。如果Fmax為1.5，則薄膜被拉伸到TDDR為至少4.2的程度，經(jīng)常為至少6.1。如果Fmax為1.2，則薄膜被拉伸到TDDR為至少3.7的程度，經(jīng)常為至少5.4。如果未對F施加約束，則薄膜被拉伸到TDDR為至少8.4的程度。也可使用在整個拉伸過程中(Fmin)(MDDR)＜(TDDR)-1/2的邊界軌線，F(xiàn)max為1.5，F(xiàn)min為0.9，并且薄膜被拉伸到TDDR為至少6.8的程度?？墒褂肍max定義其它可用的軌線。可用的軌線包括如下共面軌線，其中TDDR為至少5，在達(dá)到TDDR為2.5后的拉伸最終階段U為至少0.85，并且在拉伸期間Fmax為2?？捎玫能壘€也包括如下共面軌線，其中TDDR為至少6，在達(dá)到TDDR為2.5后的拉伸最終階段U為至少0.7，并且在拉伸期間Fmax為2。但是，其它可用的共面軌線包括如下軌線在該軌線中，在TDDR大于臨界值TDDR′的拉伸最終階段中MDDR＜TDDR-1/2＜(Fmax)(MDDR)。下面給出了在一些示例性實(shí)施例中軌線應(yīng)達(dá)到的最小拉伸比。如果TDDR′為2或更小，則當(dāng)Fmax＝2時，最小拉伸比為3.5；當(dāng)Fmax＝1.5時，最小拉伸比為3.2；當(dāng)Fmax＝2時，最小拉伸比為2.7。如果TDDR′為4或更小，則當(dāng)Fmax＝2時，最小拉伸比為5.8；當(dāng)Fmax＝1.5時，最小拉伸比為5.3；當(dāng)Fmax＝1.2時，最小拉伸比為4.8。如果TDDR′為5或更小，則當(dāng)Fmax＝2時，最小拉伸比為7；當(dāng)Fmax＝1.5時，最小拉伸比為6.4；當(dāng)Fmax＝1.2時，最小拉伸比為5.8。一般來講，可使用曲線和直線軌道來構(gòu)造多種可接受的軌線，從而使得過度供給率在整個拉伸過程中保持在臨界最大水平之下以防止出現(xiàn)折疊缺陷，同時保持在臨界最小水平之上以允許所需水平的真正單軸特性及其所導(dǎo)致的特性?？墒褂脪佄锞€形狀來形成多種亞單軸和超單軸軌線。圖19示出臨界TDDR之后的不同水平的最小U值的實(shí)例，并展示最大可達(dá)到最終所需TDDR的不同的最大過度供給率。用坐標(biāo)x和y與x1的比值來表示曲線，x1為軌道的初始間距的一半。因此，x比例坐標(biāo)，即值(x/x1)等于TDDR。曲線120是x1/x0值為1.0的理想實(shí)例。曲線122是x1/x0值為0.653的拋物線實(shí)例，其中U在拉伸比高于2.5時保持大于0.70。曲線124是x1/x0值為0.822的拋物線實(shí)例，其中U在拉伸比達(dá)到2.5后保持大于0.85。曲線126、128和130示出各種過度供給水平。過度供給率、TDDR和入口寬度比例值之間的關(guān)系為x1/x0＝(F2(TDDR)-1)/(TDDR-1)由此直接可見過度供給率隨著本文所述的拋物線軌線的TDDR增加而增加。曲線126是x1/x0值為1.52的拋物線實(shí)例，其中過度供給率在最終拉伸比達(dá)到6.5之前保持在1.2之下。曲線128是x1/x0值為2.477的拋物線實(shí)例，其中過度供給率在最終拉伸比達(dá)到6.5之前保持在1.5之下。曲線130是x1/x0值為4.545的拋物線實(shí)例，其中過度供給率在最終拉伸比達(dá)到6.5之前保持在2之下。在這些實(shí)例中，過度供給水平是最終拉伸比的函數(shù)。例如，使用僅為4.333而非4.545的x1/x0值可允許拉伸到最終TDDR為10的程度，同時保持過度供給率低于2。對于拋物線軌線，可通過如下關(guān)系式針對固定的入口比例寬度直接計算任意給定TDDR處的MDDR值MDDR＝(TDDR(x1/x0)+(1-x1/x0))-1/2觀察到的一個現(xiàn)象是MDDR和TDDR之間的關(guān)系不是y位置的顯函數(shù)。這樣便可構(gòu)造包括y/x1垂直平移的拋物線軌線段的復(fù)合混合曲線。圖20示出一種方法。為拉伸的初始部分選擇拋物線軌線(曲線132)，并為最終部分選擇拋物線軌線(曲線134)。選擇初始曲線132以提供超單軸拉伸，其中拉伸比為4.5時的最大過度供給率為2.0。曲線132具有4.857的入口比例寬度。將最終曲線134選作亞單軸拉伸，其中拉伸比為4.5時的最小U值為0.9。曲線134具有0.868的入口比例寬度。實(shí)際軌道或?qū)к壭螤钭裱€132直到TDDR為4.5的位置，然后遵循曲線136，此曲線136是曲線134垂直平移后的曲線。換句話講，軌線可具有這樣的初始拉伸區(qū)域及后面的拉伸區(qū)域，其中初始拉伸區(qū)域的軌道具有對應(yīng)于如下表達(dá)式的函數(shù)形式±(x)/(x1)＝(1/4)(x1/x0)(y/x1)2+1而后面的拉伸區(qū)域的軌道具有對應(yīng)于如下表達(dá)式的函數(shù)形式±(x)/(x2)＝(1/4)(x2/x0)((y-A)/x2)2+1；其中x1和x2不同，A對應(yīng)于使得軌線能夠連接的垂直平移量。這樣可組合任意數(shù)量的拋物線段?？梢允褂脪佄锞€軌線及其復(fù)合混合曲線來指導(dǎo)相關(guān)軌線的構(gòu)造。一個實(shí)施例包括利用直線段來產(chǎn)生軌線?？稍谶x定TDDR′下的最大過度供給率和最小過度供給率(或最小U)的拋物線軌線(或復(fù)合混合曲線)的范圍內(nèi)構(gòu)造這些線性逼近，此選定TDDR′值大于臨界拉伸比TDDR*?？蛇x擇TDDR*值，此值與應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶的起點(diǎn)相關(guān)(其示例值可為1.5、2和2.5)，或者可與彈性應(yīng)變屈服相關(guān)(值較小，為1.2或者甚至1.1)。TDDR*的范圍通常介于1.05和3之間。低于TDDR*的導(dǎo)軌或軌道部分對最小過度供給率或U不會有任何特殊約束，并且會處于約束拋物線軌線的范圍之外。在圖21中，曲線138被選作選定拉伸比TDDR′(此處示出的值為6.5)下的最小過度供給率約束拋物線軌線。為便于舉例說明，將最小過度供給率約束拋物線軌線選作入口比例寬度為1的理想曲線。利用過度供給率、TDDR和入口比例寬度之間的關(guān)系，將曲線140標(biāo)識為最大過度供給率約束拋物線軌線，其中TDDR值為6.5時的F最大值為2.0。現(xiàn)在垂直平移曲線140以形成曲線142，以便兩條約束拋物線軌線在選定的TDDR′為6.5處相遇。應(yīng)注意曲線140和142具有相同的拉伸特性。曲線142僅僅延遲了拉伸，直到后面的y/x1空間值為2.489。以上所進(jìn)行的線性或非拋物線曲線段的逼近操作將趨向位于TDDR*之上的這些約束軌線之間。與發(fā)散角隨著TDDR增大而增大的拋物線軌線不同的是，直線軌線有著固定的發(fā)散角。因此，過度供給率會隨著TDDR沿直線段的增大而減小?？赏ㄟ^選擇如下直線來構(gòu)造簡單的線性逼近，該直線的發(fā)散角等于選定TDDR下所需的最小過度供給率。可在TDDR中反推直線段直到過度供給率等于允許的最大值。以類似形式開始后續(xù)的直線段?？筛鶕?jù)需要或期望多次重復(fù)此過程。當(dāng)最大過度供給率減小時，逼近操作所需的段的數(shù)量將會增加。當(dāng)TDDR降至TDDR*之下時，只要保持最大過度供給率的約束，可使用任意數(shù)量的方法來完成軌道或?qū)к墭?gòu)造。在圖21中，曲線144是在最大過度供給率為2的約束下的線性逼近。由于此最大過度供給率較大，因此它僅包括兩條直線段。最終的直線段從6.5的選定TDDR一直向后延伸至1.65的較小TDDR。在此情況下，TDDR*取作2。當(dāng)TDDR小于2時，U無約束，一種完成軌道構(gòu)造的方法是將第二個直線段從TDDR為1.65反推到y(tǒng)/x1零點(diǎn)處的TDDR為1。請注意，因為此約束在TDDR*之下是無效的，這將導(dǎo)致第二段與較低的約束拋物線交叉。在圖21中，曲線146是在最大過度供給率為1.5的條件下使用更接近的值而得到的結(jié)果。此處未顯示最大過度供給率的約束拋物線軌線。需要三條直線段。第一段從TDDR為6.5向后延伸至TDDR為2.9。第二段假定發(fā)散角在TDDR值為2.9時等于最小過度供給率的約束拋物線軌線，并且向后延伸至TDDR為1.3。該第二段止于TDDR*之下。最終一段采用不同于曲線144所用的方法來完成曲線146的軌道或?qū)к壭螤睢Ｔ诖?，最終一段采用的步驟與前面的段所用的步驟相同，從而導(dǎo)致拉伸起始點(diǎn)出現(xiàn)延遲并且y/x1值較高。完成軌道構(gòu)造的第三種方法是在初始TDDR為1時將過度供給率設(shè)置為最大。一般來講，可使用約束拋物線軌線來構(gòu)造滿足本發(fā)明要求的非直線和非拋物線軌線。最大過度供給率約束拋物線軌線是作為TDDR函數(shù)的最小斜率即最大發(fā)散角的曲線。最小過度供給率約束拋物線軌線是作為TDDR函數(shù)的最大斜率即最小發(fā)散角的曲線。一般來講，可使用位于約束范圍內(nèi)的任意斜率的函數(shù)將曲線由選定的TDDR’開始反推。一種用于定義位于這些約束之間的斜率函數(shù)的簡單方法是對包絡(luò)線中的已知曲線進(jìn)行簡單的線性組合。圖21中的曲線148說明了此種簡單方法。在此實(shí)例中，通過分別以0.7和0.3的線性權(quán)重將最大過度供給率約束拋物線軌線(曲線142)及其線性逼近(曲線144)進(jìn)行線性組合來形成曲線148。一般來講，也可使用非簡單線性組合的函數(shù)。用于說明本發(fā)明中的各種非拋物線軌線的上述方法可應(yīng)用于軌道的不同段。例如，圖21中TDDR高達(dá)6.5的實(shí)例可與TDDR超過6.5的另一段組合，在這一較高的TDDR范圍上會有不同的要求，因而會有不同的最大和最小約束軌線。在此情況下，較低拉伸的前段的TDDR′發(fā)揮TDDR*的作用。一般來講，可在整個所需拉伸的范圍內(nèi)選擇TDDR′。各個段可用于負(fù)責(zé)產(chǎn)生拉伸的各種現(xiàn)象，如屈服、應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶、縮頸或其它拉伸不均勻性的開始、應(yīng)變強(qiáng)化的開始，或者負(fù)責(zé)薄膜中各種特性的形成。典型的斷點(diǎn)包括針對TDDR*、聚酯應(yīng)變強(qiáng)化范圍在3到7、以及典型最終拉伸值范圍在4到10或更大范圍中的那些點(diǎn)。用于確定本發(fā)明的邊界軌線的步驟和由選定的TDDR′反推到較低TDDR的方法可用于由選定的TDDR″前推到較高TDDR的類似方法中。同樣地，形成兩條在選定的最低TDDR″處接合的約束軌線。TDDR″的合適值是為1的初始TDDR。在該方法中，最小過度供給率或U的約束軌線位于最大過度供給率曲線之上。圖20顯示該方法的一個實(shí)例，其中混合曲線136位于最小過度供給率約束(曲線134)和最大過度供給率約束(曲線132)之間。盡管如此，仍可定義其它類別的邊界軌線，并在一些實(shí)施例中，可用于抑制殘余褶皺。由于無剪切的單軸條件提供值為0的縱向主應(yīng)力，因此使用有限應(yīng)變分析預(yù)知在這些條件下，縱向主應(yīng)力實(shí)際上會形成輕微壓縮作用。通過利用有限應(yīng)變分析和Neo-Hookean彈性固體本構(gòu)方程，可發(fā)現(xiàn)可選地，防止壓縮應(yīng)力的合適條件可由下面的公式給出((TDDR)(MDDR))-4+((TDDR)(MDDR))2-(TDDR)-2-(MDDR)-2-sin2(θ)((TDDR)(MDDR))-2＝0其中MDDR是發(fā)散角的余弦。然后，本發(fā)明的此可選方法將確定此類的邊界軌線。如上文所示，可利用面外邊界軌線(即邊界軌線不位于一個歐幾里得平面內(nèi))對薄膜進(jìn)行面外拉伸。有無數(shù)條滿足本發(fā)明該優(yōu)選實(shí)施例的相關(guān)要求的具體的邊界軌線，因此可采用面外邊界軌線來保持基本單軸拉伸過程。邊界線可以為對稱的，從而形成通過中心平面的鏡像，例如如下平面其包括邊界軌線之間的初始中心點(diǎn)、薄膜移動的初始方向和未拉伸薄膜表面的初始法線方向。在該實(shí)施例中，可沿圓筒狀空間通道(cylindricalspacemanifold)在邊界軌線之間拉伸薄膜，該空間通道可由如下直線段組和初始中心點(diǎn)形成，所述直線段組是由那些從類似的初始位置(即彼此線性對應(yīng))以相同的速率沿這些邊界軌線前行時、兩條相對邊界軌線之間的距離最短的直線段組成的。因此，中心平面上此理想通道的軌跡會脫離理想拉伸的薄膜中心的路徑。沿此通道從邊界軌線到中心平面上此中心軌跡的距離與邊界軌線起始點(diǎn)到初始中心點(diǎn)的原始距離的比率為跨邊界軌線的薄膜上的瞬間標(biāo)稱TDDR，即邊界軌線上的當(dāng)前相對點(diǎn)之間的半距離與邊界軌線上相對點(diǎn)的初始位置之間的半距離的比率。當(dāng)兩個相對點(diǎn)以恒定且相同的速度沿相對邊界軌線移動時，中心軌跡上的對應(yīng)中心點(diǎn)會改變速度，該速度沿中心軌跡的弧(即，曲線縱向)所測得。具體地講，中心軌跡相對于邊界軌線的單位切線在中心軌跡的單位切線上的投影成比例地變化。上述類別的軌線是示例性的，不應(yīng)理解為限制性的。許多軌線類別被認(rèn)為在本發(fā)明的范圍內(nèi)。如上所示，主拉伸區(qū)域可包括兩個或更多個具有不同拉伸條件的不同區(qū)域。例如，可從第一類軌線中為初始拉伸區(qū)域選擇一條軌線，從相同的第一類軌線或不同類別的軌線中為每個后續(xù)拉伸區(qū)域選擇另一條軌線。雖然本發(fā)明的示例性實(shí)施例中涵蓋了所有包括U最小值大于0的邊界軌線，但本發(fā)明的典型實(shí)施例仍包括如下所有近似或基本單軸的邊界軌線，所述軌線包括U最小值為約0.2，約0.5，約0.7，更優(yōu)選約0.75，更優(yōu)選約0.8，甚至更優(yōu)選約0.85?？稍谟扇缦屡R界TDDR限定的拉伸最后階段應(yīng)用最小U約束，所述臨界TDDR優(yōu)選為約2.5，更優(yōu)選為約2.0，更優(yōu)選為約1.5。在一些實(shí)施例中，臨界TDDR可為約4或5。在臨界TDDR之上，某些材料(例如，包含可取向雙折射聚酯的某些整體多層薄膜)由于應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶等結(jié)構(gòu)的變化，會開始失去其彈性或快速回縮的能力。臨界TDDR可與多種材料和工藝(如溫度和應(yīng)變速率)特定狀態(tài)如應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶開始時的臨界TDDR一致。此臨界TDDR之上的U最小值可與在最終薄膜中形成的非單軸特性的程度有關(guān)。當(dāng)U在最終拉伸階段為亞單軸時，可使用多種邊界軌線。具體地講，可用的邊界軌線包括如下共面軌線，其中TDDR為至少5，U在TDDR達(dá)到2.5后的最終拉伸階段為至少0.7，并且U在拉伸結(jié)束時小于1。其它可用的軌線包括如下共面和非共面軌線，其中TDDR為至少7，U在TDDR達(dá)到2.5后的最終拉伸階段為至少0.7，并且U在拉伸結(jié)束時小于1?？捎玫能壘€也包括如下共面和非共面軌線，其中TDDR為至少6.5，U在TDDR達(dá)到2.5后的最終拉伸階段為至少0.8，并且U在拉伸結(jié)束時小于1?？捎玫能壘€包括如下共面和非共面軌線，其中TDDR為至少6，U在TDDR達(dá)到2.5后的最終拉伸階段為至少0.9，并且U在拉伸結(jié)束時小于1?？捎玫能壘€還包括如下共面和非共面軌線，其中TDDR為至少7，U在TDDR達(dá)到2.5后的最終拉伸階段為至少0.85。在一些實(shí)施例中，將低水平的縱向張力引入到拉伸過程中以抑制褶皺。一般情況下，此縱向張力的大小隨著U的降低而增大，但并非必需如此。在一些實(shí)施例中，在進(jìn)行拉伸時增大張力是有用的。例如，拉伸前期的較小U值可能趨于在最終薄膜中形成更多的非單軸特性。因此，將各種類別的軌線的特性綜合在復(fù)合軌線中可能是有利的。例如，在拉伸的前面階段中，單軸拋物線軌線是優(yōu)選的，而在拉伸的后面階段可會聚在不同的軌線上。在另一種布置中，U可取作TDDR的非增函數(shù)。在又一種布置中，在臨界拉伸比達(dá)到例如1.5、2或2.5之后，過度供給率F可為TDDR的非增函數(shù)。單軸拋物線軌線假定薄膜受到均勻的空間拉伸。通過嚴(yán)格控制初始未拉伸薄膜或料片的橫維和順維厚度分布，同時嚴(yán)格控制拉伸開始及拉伸期間的溫度分布，對于很多聚合物體系可獲得良好的薄膜空間均勻度。例如，在初始厚度均勻的薄膜的拉伸開始時以及拉伸期間應(yīng)當(dāng)使整個薄膜的溫度分布在多數(shù)情況下足夠均勻。許多聚合物體系對不均勻性尤其敏感，并且如果厚度和溫度的均勻性不夠，則將以非均勻形式拉伸。有多種原因可引發(fā)非均勻的薄膜拉伸，這些原因包括例如薄膜厚度或其它特性的不均勻、加熱不均勻等。在許多此類實(shí)例中，薄膜靠近夾持部件的部分比靠近中心的那些部分的拉伸速度要高。這將在薄膜中產(chǎn)生縱向張力，從而限制了獲得最終的均一MDDR的能力。對于此類問題的一個補(bǔ)救措施是修改拋物線或其它單軸軌線以給出較低的MDDR。換句話講，對于拉伸過程的全部或一部分，使MDDR＜(TDDR)-1/2。在一個實(shí)施例中，對于所有拉伸均選用對應(yīng)于較大發(fā)散角的修改的拋物線或其它單軸軌線，其中MDDR＜(TDDR)-1/2。在至少一些實(shí)例中，此情況可得到緩解，因為小于1的U值對于所述應(yīng)用是可以接受的。在此類實(shí)例中，選用修改的拋物線或其它單軸軌線，其中(0.9)MDDR＜(TDDR)-1/2。在另一個實(shí)施例中，可為TDDR至少增大了0.5或1的初始拉伸區(qū)域選擇如下修改的拋物線或其它單軸軌線，其中MDDR＜(TDDR)-1/2。然后對于剩余拉伸，則保持不同的軌線。例如，后面的拉伸區(qū)域(在拉伸區(qū)域34中)將具有如下拋物線或其它單軸軌線，其中MDDR等于或約等于(誤差在±5％內(nèi)，優(yōu)選在±3％內(nèi))(TDDR)-1/2。例如，初始拉伸區(qū)域可獲得達(dá)到所需值的TDDR水平。在一個實(shí)施例中，該所需值通常不超過約4或5。然后，后面的拉伸區(qū)域可使TDDR從初始拉伸區(qū)域的所需值開始增加(或者如果有插入的拉伸區(qū)域存在，則從更高值開始增加)。一般來講，選擇后面的拉伸區(qū)域，以使TDDR值增加0.5或1，甚至更大。同樣，至少在某些實(shí)例中，MDDR和TDDR的關(guān)系會得到緩和，因為小于1的U值對于所述應(yīng)用可以接受。在這種情況下，為初始拉伸區(qū)域選用如下修改的拋物線或其它單軸軌線，其中(0.9)MDDR＜(TDDR)-1/2?？稍诶爝^程的各個階段中執(zhí)行本發(fā)明的熱定形步驟。在一個實(shí)施例中，在拉伸并轉(zhuǎn)至取走系統(tǒng)后，即在加熱的取走區(qū)域中對薄膜32進(jìn)行熱定形。在另一個實(shí)施例中，在對薄膜32進(jìn)行初始驟冷和定形之后，于在線區(qū)域中，例如，在再次加熱薄膜32的單獨(dú)的烘箱設(shè)備中對薄膜32進(jìn)行熱定形。在另一個實(shí)施例中，在初始操作后先將薄膜32卷成卷，然后再對其進(jìn)行熱定形，例如在沒有以在線的方式連接到拉伸設(shè)備50的單獨(dú)的烘箱設(shè)備中進(jìn)行熱定形。在熱定形期間，與用于誘導(dǎo)基本單軸取向的拉伸比相比，用于拉伸薄膜的拉伸比可增大、保持不變或減小。換句話講，可進(jìn)一步拉伸薄膜32或使拉伸松弛，例如，在這些步驟的任一步驟中，利用邊緣夾持機(jī)構(gòu)提供的內(nèi)束作用(拉伸比減小)進(jìn)行。例如，取走系統(tǒng)可受到內(nèi)束作用或可將薄膜32固定在夾子系統(tǒng)中，并通過此系統(tǒng)穿過單獨(dú)的寬度分布可變的烘箱裝置，例如內(nèi)束作用之后或拉伸增大之后可能也有后續(xù)的內(nèi)束作用?？稍诔掷m(xù)夾持薄膜并使其處于張力的狀態(tài)下執(zhí)行熱定形步驟，例如利用增大和/或減小張力的邊緣夾持分布，同時通過相對夾具的間距分布進(jìn)行控制，或者沿會聚和發(fā)散導(dǎo)軌的系統(tǒng)連續(xù)或不連續(xù)地夾持。薄膜也可在邊緣處不受約束。也可結(jié)合其它的薄膜后處理步驟進(jìn)行熱定形。例如，可在具有一定熱定形效果的烘箱中對薄膜進(jìn)行涂敷和干燥或固化。在一些實(shí)施例(例如圖22所示)中，取走系統(tǒng)150可使用任何薄膜傳送結(jié)構(gòu)，如帶有夾持部件(如相對的一組帶子或拉幅夾)的軌道152、154。可使用軌道152、154來完成橫向收縮控制，這兩個軌道成一定角度(與平行軌道156、158相比，此兩個軌道156、158可用于合適的取走系統(tǒng)150的其它實(shí)施例中)。例如，可將取走系統(tǒng)150的軌道152、154定位成沿著緩慢會聚的路徑(在一個實(shí)施例中，形成不超過約5°的角度θ)穿過后處理區(qū)域70的至少一部分，以允許薄膜32在冷卻條件下橫向收縮。此構(gòu)造中的軌道152、154允許進(jìn)行橫向收縮控制以降低收縮的不均勻性。在其它實(shí)施例中，兩個相對軌道152、154可以通常不超過3°的角度發(fā)散，盡管在一些實(shí)施例中可使用更大的角度。這可用于增加主拉伸區(qū)域66中的薄膜32的縱向張力，以便例如降低特性不均勻性，如整個薄膜32上折射率的主軸變化。在一些實(shí)施例中，取走系統(tǒng)150的位置是可調(diào)整的以改變?nèi)∽呦到y(tǒng)150夾持薄膜32時沿拉伸設(shè)備50的位置，如圖23所示。該可調(diào)整性提供了一種控制薄膜32所承受的拉伸量的方式。與在拉伸中位于靠后位置的取走系統(tǒng)150的軌道156、158(如圖23中的實(shí)線部分所示)接收的薄膜32相比，拉伸中位置靠前的取走系統(tǒng)的軌道156′、158′(如圖23中的虛線部分所示)接收的薄膜32通常會具有更小的TDDR?？蛇x地，取走系統(tǒng)150也可允許調(diào)整取走系統(tǒng)150的相對軌道152、154、156、158之間的距離。此外，可選地，也可將取走系統(tǒng)150構(gòu)造成允許調(diào)整取走系統(tǒng)150的長度。一種可行的取走系統(tǒng)150的另一個實(shí)例(如圖24所示)包括至少兩個帶有獨(dú)立軌道152、154、156、158的不同區(qū)域?？墒褂脙山M獨(dú)立的相對軌道152、154和156、158來形成這些區(qū)域，如圖24所示。在一個實(shí)施例中，如圖24所示，第一區(qū)域可包括軌道152、154，這兩條軌道以一定的會聚角設(shè)置以提供橫向收縮控制，第二區(qū)域中的軌道156、158可以是平行的。在其它實(shí)施例中，兩個不同區(qū)域中的相對軌道可以兩個不同的會聚角設(shè)置以提供橫向收縮控制，如上所述；或者第一區(qū)域中的軌道可以平行，而第二區(qū)域中的軌道以一定的會聚角設(shè)置以提供橫向收縮控制。可供選擇地或另外地，兩個不同的軌道可設(shè)置為具有兩個不同的取走速度，以將主拉伸區(qū)域66從取走區(qū)域中分離出，在取走區(qū)域內(nèi)施加張力以消除褶皺。在如圖24所示的取走系統(tǒng)150的一個實(shí)施例中，在接收薄膜32之前，軌道156′、158′套嵌在相對軌道152、154中。當(dāng)相對軌道152、154開始接收薄膜32時，軌道156′、158′會移至位置156、158，如圖24所示。在其它實(shí)施例中，相對軌道152、154、156、158在無任何薄膜32的情況下如圖24所示定位(即未套疊)。取走系統(tǒng)的另一個實(shí)例示于圖25中。在該實(shí)例中，當(dāng)通過主拉伸區(qū)域66的軌道54傳輸薄膜32時，取走系統(tǒng)的軌道152、154相對于薄膜32的中心線成一定角度。兩個相對傳輸機(jī)構(gòu)152、154的角度可以相同(例如角β)，或者其角度也可以不同，并可將一個軌道152表示為β+ε，將另一個軌道154表示為β-ε。通常，β為至少約1°，并且可為約5°、10°或20°或更大。例如，角ε對應(yīng)于上述會聚或發(fā)散角以提供橫向收縮控制。在一些實(shí)施例中，主拉伸區(qū)域66中的軌道54也可以角度φ設(shè)置，并且軌道152成φ+β+ε角度、軌道154成φ+β-ε角度，如圖25所示。成一定角度的取走系統(tǒng)150、主拉伸區(qū)域66或兩者可用于提供如下薄膜32，其中薄膜32的主軸或特性軸(如折射率軸或撕裂軸)相對于薄膜32成一定角度。在一些實(shí)施例中，取走系統(tǒng)150相對于主拉伸區(qū)域66的角度可手動調(diào)整，或使用計算機(jī)控制的驅(qū)動器或其它控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行機(jī)械調(diào)節(jié)，或使用手動調(diào)節(jié)和機(jī)械調(diào)節(jié)這兩種方法。在一些使用成一定角度的取走系統(tǒng)150的實(shí)施例中，如圖25所示，將兩條相對軌道152、154定位成能夠接收TDDR相同或基本上相似的薄膜32(其中虛線160表示TDDR相同的薄膜32)。在其它實(shí)施例中，如圖26所示，將兩條相對軌道152、154定位成能夠接收薄膜32，使得對于兩條相對軌道152、154來說TDDR不同(圖26的虛線160表示相同TDDR的薄膜32)。后一種構(gòu)造可提供其特性在薄膜32的橫向尺寸上變化的薄膜32。再參考圖10，可以連續(xù)地從連續(xù)夾持機(jī)構(gòu)中釋放薄膜邊緣。然而，應(yīng)優(yōu)選地從不連續(xù)的夾持機(jī)構(gòu)如拉幅夾中釋放，以便同時釋放處于任意給定夾子下的所有材料。不連續(xù)釋放機(jī)構(gòu)可引起更大的應(yīng)力擾動，所述擾動可被上游拉伸料片感受到。為了有助于隔離取走裝置的操作，在一個實(shí)施例中優(yōu)選的是，在裝置中使用連續(xù)薄膜邊緣分離機(jī)構(gòu)，例如，從受熱的拉伸后的薄膜的中心部分“熱”切薄膜邊緣76。在一個實(shí)施例中，切口位置78優(yōu)選地位于足夠靠近“夾持線”的位置，如取走系統(tǒng)的夾持部件最先有效接觸到的獨(dú)立取走點(diǎn)，以最小化或減少此點(diǎn)上游的壓力擾動。如果在被取走系統(tǒng)夾持前切割薄膜，則會導(dǎo)致取走操作不穩(wěn)定，例如，薄膜沿橫向“快速回縮”。因此，優(yōu)選地在夾持線處或其下游切割薄膜。切割是一個斷裂過程，因此通常會在空間位置上存在微小但自然的變化。因此，可優(yōu)選在夾持線的稍微下游處進(jìn)行切割，以防止在夾持線的上游發(fā)生切割時出現(xiàn)任何暫時的變化。如果從夾持線的基本下游的位置切割薄膜，則取走系統(tǒng)與邊界軌線之間的薄膜將繼續(xù)被沿著橫向拉伸。由于光學(xué)薄膜僅有此部分在經(jīng)受拉伸，因此會相對于邊界軌線以增大的拉伸比拉伸，并進(jìn)一步造成可傳播至上游的應(yīng)力擾動，例如，將不期望的縱向張力傳播至上游。切口優(yōu)選為可移動的且可重新定位，以便其可隨著取走位置的變化而改變，以適應(yīng)可變的最后橫向拉伸比或調(diào)整取走系統(tǒng)的位置。這類切口系統(tǒng)的優(yōu)勢在于只需移動取走切口點(diǎn)78就可在維持拉伸分布的同時調(diào)節(jié)拉伸比。可使用多種切口技術(shù)，包括加熱刀片、熱金屬絲、激光、強(qiáng)紅外線(IR)輻射的聚焦光束或受熱空氣的聚焦射流。如果是熱空氣射流，射流中的空氣要足夠熱以例如通過在射流的作用下發(fā)生熱軟化、熔融或受控斷裂而在薄膜中吹出一個孔?？晒┻x擇地，熱射流可以僅充分軟化薄膜的聚焦區(qū)域，以使通過仍然發(fā)散的邊界軌線進(jìn)行的進(jìn)一步拉伸局部化，從而使得在持續(xù)薄膜延伸的作用下，沿此加熱線在下游出現(xiàn)最終斷裂。在某些情況下，聚焦射流方法可能是優(yōu)選的，特別當(dāng)可以以受控方式例如通過真空排氣而有效地排除廢氣，以防止雜散的溫度流影響拉伸過程的均勻性時更是如此。例如，可使用圍繞噴嘴的同心排氣環(huán)?？晒┻x擇地，可使用位于射流下方，例如位于薄膜的另一側(cè)的排氣裝置?？蛇M(jìn)一步偏移或在下游補(bǔ)充排氣裝置，以進(jìn)一步減少從上游進(jìn)入拉伸區(qū)域的雜散氣流。取走系統(tǒng)的一個實(shí)施例的另一屬性是速度和/或縱向張力的控制方法，該方法使得可利用與輸出速度兼容的方式取出薄膜。在一個實(shí)施例中，此取走系統(tǒng)用于拉展薄膜中的任何殘余褶皺。在一個實(shí)例中，通過暫時將取走速度增大至高于拉伸后薄膜的最終釋放部分的輸出速度而在啟動期間開始拉展褶皺。又如，例如在最終拉伸階段進(jìn)行超單軸拉伸的情況下，采用高于連續(xù)操作過程中的薄膜縱向輸出速度的恒定速度拉展褶皺。又如，將取走速度設(shè)置為高于薄膜沿夾持線處邊界軌線的縱向速度。這也可用于改變薄膜的特性。這種較高速度的取走操作還可降低最終U值；在一些情況下，這是薄膜最終使用時的考慮因素。上述縱向和橫向收縮控制的原理也可適用于其它拉伸設(shè)備，包括如圖2所示的傳統(tǒng)拉幅機(jī)構(gòu)造。圖27示出一個實(shí)施例，其中來自主拉伸區(qū)域66的軌道54(如圖2中所示的線性發(fā)散軌道)繼續(xù)進(jìn)入或通過后處理區(qū)域70的一部分(參見圖10)。如果需要，可隨后通過分離的取走系統(tǒng)156、158可選地夾持住薄膜。軌道54的延長部分可用于冷卻薄膜并允許薄膜收縮。在一些實(shí)施例中，連續(xù)軌道162沿著緩慢會聚的路徑(在一個實(shí)施例中，形成不超過約5°的角度θ)通過后處理區(qū)域70的至少一部分，以允許薄膜冷卻時橫向收縮。此種構(gòu)造的軌道允許控制橫向收縮以增加收縮的均勻性。在一些實(shí)施例中，軌道164沿著更急劇會聚的路徑(在一些實(shí)施例中，形成為至少15°的角度φ，該角度通常在20°和30°范圍內(nèi))通過后處理區(qū)域70的至少一部分，以允許薄膜冷卻時縱向收縮。在如圖27所示的一些實(shí)施例中，后處理區(qū)域70包括緩慢會聚的軌道162和更急劇會聚的軌道164。在其它實(shí)施例中，只使用一組軌道162或軌道164。根據(jù)基本單軸拉伸方法制作的薄膜的單軸特性的一種有用的量度是如美國專利No.6,939,499中所述的“單軸特性的量值”，該專利以引用的方式并入本文。可通過此度量方法來辨識所得薄膜的近似單軸特性。在一種度量中，從標(biāo)稱拉伸比得到單軸特性的量值，該拉伸比由拉伸期間設(shè)備的夾持邊緣的邊界軌線設(shè)定，可通過取走系統(tǒng)的條件進(jìn)一步修改。在另一種單軸特性量值的度量中，例如通過采用已知尺寸的網(wǎng)格圖案實(shí)際標(biāo)記初始輸入的澆鑄料片或薄膜，并在薄膜最終成形后重新測量如系數(shù)ρf，可直接測量薄膜的真實(shí)拉伸比。本發(fā)明的熱定形允許較大范圍地控制可允許的折射率組。具體地講，可以在水平的光學(xué)功率下獲得較高的值，如通過nx和nu(下文討論)之間的差異所測得，或者可以在較低水平的光學(xué)功率下獲得更高的nu值。熱處理可以對初始的由拉伸產(chǎn)生的主折射率組的控制提供一種附加手段，并且可賦予其它優(yōu)點(diǎn)，如改進(jìn)的尺寸穩(wěn)定性，包括收縮控制、提高的抗蠕變能力、改進(jìn)的抗壓印性、以及增強(qiáng)的抗撕裂性和其它物理特性。在一些包含某些材料體系的薄膜中，熱處理可保持或者甚至改進(jìn)所得最終薄膜中的單軸特性量值。在光學(xué)薄膜的情況下，這種操作可以保持或者甚至改進(jìn)在利用非垂直入射光的應(yīng)用中的性能。例如，可在用于增強(qiáng)亮度的多層光學(xué)薄膜(MOF)中保持或改進(jìn)所謂的斜角顏色性能。也可增強(qiáng)用于偏振光分束的MOF薄膜。也可例如在偏振光分束應(yīng)用中使用所述方法來增強(qiáng)在薄膜表面上形成的微結(jié)構(gòu)的取向和性能。對于具有高度單軸取向的多層反射偏振薄膜(如由真正單軸拉伸方法獲得)，可利用固定的材料構(gòu)造(即，固定的低折射率材料)獲得較高的對比度。這通?？梢杂糜谑褂眠@些薄膜的應(yīng)用中，例如，在偏振光分束器應(yīng)用中(如美國專利No.6,609,795和美國專利申請公開No.2004/0227994中所述)，可單獨(dú)使用該薄膜，也可以堆疊方式同時使用兩個或更多的此類薄膜。利用熱定形工序，可通過使用高折射率的表層來獲得壓印抵抗能力。在許多系統(tǒng)中，通過提高取向表層中的結(jié)晶度來增強(qiáng)壓印抵抗能力。取向表層可包含類似于MOF的光學(xué)層疊件中的雙折射層的材料，或者可包括被適當(dāng)選擇為用于薄膜成形方法中的共擠出和取向的不同材料。熱定形也可消除拉伸后薄膜中經(jīng)常存在的“殘余應(yīng)力”，這取決于例如熱定形期間或熱定形后的約束條件。通過例如內(nèi)束作用而降低的約束力可有助于降低應(yīng)力。這繼而可提高尺寸穩(wěn)定性，包括低水平的收縮、低水平的熱膨脹以及改進(jìn)的抗翹曲能力。熱定形后其它可能的機(jī)械性能的改進(jìn)可為抗撕裂能力的提高，或者甚至為抗層間剝離能力的提高。在一些系統(tǒng)中，接近熔點(diǎn)的高溫?zé)岫ㄐ慰商岣邔娱g粘合能力。例如，其可提高在拉伸過程中會發(fā)生擾動的層之間的界面滲透能力。此外，當(dāng)本發(fā)明的方法應(yīng)用于包括應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶聚酯表層的薄膜構(gòu)造時，可提高薄膜的壓印抵抗能力。輕度的熱處理不會顯著地改變結(jié)果；然而，深度熱處理可制成基本上無凹痕的薄膜。在一個實(shí)施例中，一個或多個熱定形薄膜層保持為非晶態(tài)，從而提高膜片的處理性能和機(jī)械性能。在一個示例性實(shí)施例中，非晶態(tài)的層包含聚碳酸酯或聚碳酸酯與共聚酯的共混物。在某些聚酯體系中，與其它典型地單獨(dú)通過拉伸所達(dá)到的效果相比，熱定形可在低得多的拉伸比下獲得較高的光學(xué)功率或雙折射率。例如，聚酯(如PET、PEN)和同時包含PET和PEN的組合物通常以4、5、6或更高的拉伸比拉伸。這些材料可剛好被拉伸到應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶點(diǎn)之上，然后對其進(jìn)行熱定形以達(dá)到與那些較高拉伸比所獲得的折射率相當(dāng)?shù)恼凵渎手?。又如，具有微結(jié)構(gòu)化表面的薄膜可在橫向(如垂直于延伸方向)上以實(shí)質(zhì)性降低的拉伸比進(jìn)行拉伸，該低拉伸比不會過度破壞預(yù)期的最終結(jié)構(gòu)的形狀。例如，參見共同待審的共同轉(zhuǎn)讓的美國臨時專利申請No.60/638,732；美國專利申請No.11/184,027；這兩篇文獻(xiàn)提交于2004年12月23日，并以引用的方式并入本文。只要在整個結(jié)構(gòu)中超過了顯著應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶的開始點(diǎn)，就可以沿橫向在整個微結(jié)構(gòu)化結(jié)構(gòu)中獲得高水平的折射率。當(dāng)所述結(jié)構(gòu)具有垂直于拉伸方向的高度變化或“分布”方向時，這對于形成具有高雙折射率的“纖維對稱”折射率組的結(jié)構(gòu)尤其有用。在真正或近似單軸取向薄膜的情況下，ny和nz幾乎相同，例如在幾個折射率單位百分點(diǎn)之內(nèi)。使用圖28所示的數(shù)據(jù)縮圖，可獲得所允許的折射率組的有趣且可提供信息的空間視圖。要想獲得繪制在圖28中的數(shù)據(jù)，不管工藝條件如何，首先要計算實(shí)際獲得的ny和nz折射率的平均值?！皢屋S折射率”的平均值在此處定義為nu，它是在一個“虛擬”真正單軸條件下的ny/nz期望值的量度。在多層光學(xué)薄膜(MOF)偏振片(其包括雙折射和各向同性聚合物材料的交替層)中，nu是雙折射材料的目標(biāo)通過狀態(tài)折射率值，以與第二材料層(在某些情況下具有低折射率)的各向同性折射率相匹配。第二步，取nx和nu之間的差異。此差異是阻截狀態(tài)折射率差異，它是虛擬狀態(tài)下MOF偏振片的反射功率或光學(xué)功率的量度。第三步，相對于虛擬的真正單軸通過狀態(tài)折射率nu，繪制阻截狀態(tài)折射率差異圖。圖28顯示在多種拉伸條件下所得的圖，所述條件既有上述真正單軸狀態(tài)，也有在傳統(tǒng)拉幅機(jī)設(shè)備中執(zhí)行的簡單單向狀態(tài)(圖2-3)。對于跨越從均聚物PEN、各種“coPENs”到均聚物PET范圍的聚酯，圖中的數(shù)據(jù)涵蓋了由拉伸溫度、速率和拉伸比引起的較大范圍的有效分子取向。coPENS以PEN類部分與PET類部分的摩爾百分比(mol％)的比率來表示；例如，85/15共聚物(所謂的“85/15coPEN”)是一種含有85mol％的PEN類部分和15mol％的PET類部分的共聚物。作為圖示數(shù)據(jù)的指導(dǎo)，在整個組合物范圍內(nèi)以10重量％的間隔排列了一組未擬合、等間距的平行線。因此，最頂端的直線表示100％PEN的趨勢。第二條直線表示90％PEN和10％PET。第三條直線表示80％PEN和20％PET，以此類推。底端直線表示100％PET的趨勢。圖中的數(shù)據(jù)非常接近于整個組合物范圍內(nèi)的這些直線。以PET和PEN及中間組合物(含有PET和PEN)為例顯示基本單軸取向后進(jìn)行熱定形的效果。例如，關(guān)于PET，可看出熱定形有效地使折射率組向上移動了一條直線。因此，100％PET在熱定形后，其光學(xué)行為更像10％PEN和90％PET構(gòu)成的coPEN。例如，關(guān)于PEN，可看出熱定形也有效地使折射率組向上移動。因此，對于給定的材料，特別是在給定的匹配折射率(在x軸上)的情況下，熱定形在一般情況下會導(dǎo)致較高的光學(xué)功率(在y軸)上。而且，對于給定水平的光學(xué)功率(在y軸上)，與未經(jīng)處理的材料相比，熱定形會使匹配的折射率(在x軸上)增加約0.01或更大。例如，對于給定的高折射率雙折射材料如PET，較大的nu控制程度允許更加靈活地選擇材料，尤其是MOF之類光學(xué)薄膜中的第二種材料(在某些情況下具有低的折射率)。通常，選擇此第二種材料以與偏振薄膜中的取向聚酯的ny折射率相匹配。此第二種材料經(jīng)常是針對其折射率匹配及其流動相容性和機(jī)械屬性而選擇的共聚酯。一般來講，較高的折射率目標(biāo)允許此類材料具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。因此，另外的優(yōu)點(diǎn)在于，使用具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的較低折射率材料，在MOF構(gòu)造中獲得附加的尺寸穩(wěn)定性。而且，使用折射率較高的材料允許MOF構(gòu)造具有較薄和/或較少的層。與不對稱情況下明顯不同，可以看出對基本單軸拉伸薄膜執(zhí)行本發(fā)明的熱定形操作可維持或?qū)嶋H增大薄膜單軸特性的量值。單軸特性的另一個量度是相對雙折射率，它是將兩個相似折射率(如ny和nz)之差與顯著不同的折射率(如沿主拉伸方向的nx)和兩個相似折射率平均值(如nu)之差相比而得到的?？捎上旅娴墓礁_地給出相對雙折射率相對雙折射率＝|ny-nz|/|nx-nu|其中nu是兩個相似折射率ny和nz的平均值，取折射率之差的絕對值。相對雙折射率隨著薄膜單軸特性的增加而減小。在一些示例性實(shí)施例中，可以看出本發(fā)明的熱定形可以維持或?qū)嶋H降低相對雙折射率，尤其在某些相對雙折射率在熱定形之前為0.1或更小的聚酯體系中更是如此。在其它示例性實(shí)施例中，會導(dǎo)致相對雙折射率小幅增加。在許多實(shí)施例中，最終相對雙折射率可為0.1或更小，甚至獲得0.1或更大值的(絕對)面內(nèi)雙折射率(如在632.8nm處)。在其它實(shí)施例中，最終相對雙折射率為0.25、0.2或更小。在本實(shí)例的熱定形過程中拉伸方向(在一個實(shí)例中為橫向)上的張力的性質(zhì)是控制折射率組的重要因素。一般來講，熱定形過程中的較高程度的橫向張力趨于使nx的增大程度超過ny/nz，而較低或為零的橫向張力趨于增大ny/nz，同時輕度增大nx或者甚至減小其值。因此，較低張力可用于增大ny/nz值，而較高張力則可用于在nu固定的水平下增大光學(xué)功率。因此，本文所述的方法提供一種用于提高固定材料構(gòu)造的對比度的方法。實(shí)例實(shí)例的一般說明舉例說明使用兩種方法將兩種聚酯基構(gòu)造用于制備近似真正單軸的薄膜。第一組實(shí)例包括具有PET外表層的多層光學(xué)薄膜(MOF)，該薄膜通過本文中參考圖7所述的間歇拉幅方法制造而成。第二組實(shí)例包括具有PEN外表層的多層光學(xué)薄膜(MOF)，該薄膜通過如美國專利No.6,939,499、No.6,916,440、No.6,949,212和No.6,936,209中所述的拋物線拉幅方法制造而成。在間歇拉伸裝置中進(jìn)行熱定形，在此裝置中可采用邊緣夾具在x和/或y方向上約束薄膜。還可在熱定形期間測量這些受限方向上的應(yīng)力。除非另有說明，否則在175℃下對薄膜進(jìn)行三分鐘熱定形。在實(shí)例中，x方向與所謂的橫向(TD)相關(guān)聯(lián)，而y方向與縱向(MD)相關(guān)聯(lián)。使用MetriconPrismCoupler(可購自位于Piscataway，N.J的Metricon公司)測量折射率。一般來講，該裝置有兩種模式可用于測量。TE模式用于測量面內(nèi)折射率。TM模式用于測量厚度方向(例如，“z”)的折射率。因此，可針對各種定向方式的面內(nèi)狀態(tài)而采用TM模式進(jìn)行測量。例如，可在薄膜被定向為測量橫向的面內(nèi)折射率(記作TD/z)的時候采用TM模式。又如，可在旋轉(zhuǎn)薄膜以測量縱向面內(nèi)折射率(記作MD/z)的條件下采用TM模式。一般來講，厚度方向的折射率應(yīng)大致相同，而與面內(nèi)定向方式無關(guān)。但是，由于信號銳度會隨著薄膜定向方式的不同而變化，因此可能會導(dǎo)致產(chǎn)生差異。PET實(shí)例利用圖7中所述的間歇拉幅方法來高度拉伸具有PET表層的MOF薄膜(實(shí)例1-7)。利用MetriconPrismCoupler，使用“頂”面和“底”面的平均值來測量拉伸步驟后PET表層中的折射率變化。由于外部PET層極薄，所以在反射強(qiáng)度與入射角的曲線圖中，觀察到了耦合波型，而非尖銳的拐點(diǎn)。為提高精度，在第一觀測波型的前緣位置處均勻地測量折射率。這在某些特定情況下與波型擬合相當(dāng)吻合，但是在其它情況下可能會導(dǎo)致稍微壓低了nx的值。ny和nz模式通常具有較為平緩的讀數(shù)。此外，使用強(qiáng)度下降的前緣。使用此方法，632.8nm下的nx、ny和nz的初始折射率平均值分別為1.699、1.541和1.539。因此，使用這些折射率值得到的初始相對雙折射率為0.013。全部結(jié)果在下表1中給出。頭兩個PET實(shí)例說明結(jié)合輕微連續(xù)拉伸(在額外的5％拉伸比的條件下結(jié)束)使用熱定形。在這些實(shí)例中，同時在x(TD)和y(MD)方向以張緊形式裝上薄膜。由于邊緣夾持系統(tǒng)的非連續(xù)特性，使得縱向約束低于恒定的初始應(yīng)變。薄膜顯示出增加的nx和近似恒定的ny和nz。察覺到不對稱性有極小幅度的增加。除去縱向約束可減小這種不對稱性。在第三個PET實(shí)例中，在x和y方向上以張緊方式裝上薄膜，但是在熱定形過程中不進(jìn)行拉伸。同樣地，x折射率(TD折射率)會增大，而ny保持近似恒定。令人驚奇的是，nz在熱定形后增大，但是該效果部分可能由測量方法所致，因為拐點(diǎn)在熱定形后變尖銳了。因此，在這種情況下，不對稱性可能降低或者至少得到保持。在第四個PET實(shí)例中，僅在x方向以張緊方式安裝薄膜?？捎^察到nx增加得最多。ny和nz僅有微量增加。在第五個PET實(shí)例中，薄膜開始以輕度松弛的狀態(tài)被安放在裝置中。在此松弛狀態(tài)下，2.5英寸的橫向跨度向面外彎曲了約0.25英寸。在此情況下，nx的增量僅為第四個PET實(shí)例中增量的二分之一，但是ny增加了近一倍。nz僅有微量增加。薄膜在熱定形結(jié)束時變得張緊。在第六和第七個PET實(shí)例中，薄膜的初始松弛程度為第五個PET實(shí)例中的兩倍。在這些重復(fù)的情況下，薄膜在熱定形后仍保留輕度的殘余松弛。在這些情況下，nx基本保持恒定，而ny和nz增加了近似相同的量。在第六個實(shí)例中，在首次熱定形后對薄膜進(jìn)行測量，并重新安放以進(jìn)行第二步驟，在175℃下再保持3分鐘?？捎^察到nz和ny進(jìn)一步增大，而且nx仍近似保持不變?？衫妙A(yù)測的密度增加來評估熱定形對于結(jié)晶度的影響，密度的增大可由折射率增大推斷出，參照美國專利No.6,788,463(以引用的方式并入本文)中的Lorenz-Lorentz關(guān)系的各向異性類似物的相關(guān)內(nèi)容(參見表2和4中的Lorentzian)。非晶態(tài)密度取作1.335g/cc，而完全結(jié)晶態(tài)的密度取作1.457g/cc。體積極化率取作0.73757cc/g。如表2所示，分析表明在這些樣品中結(jié)晶度(例如，以小數(shù)0.32表示的晶體組分相當(dāng)于結(jié)晶度為32％)從剛好高于30％增加至第六個PET實(shí)例中經(jīng)過兩次處理情況下的40％。在一個示例性實(shí)例中，PET在熱定形后的結(jié)晶度大于33％(如實(shí)例2)；在另一個示例性實(shí)例中，PET的結(jié)晶度大于36％(如實(shí)例3和實(shí)例6在第一次熱定形后)；在另一個示例性實(shí)例中，PET的結(jié)晶度大于37％(如實(shí)例1和實(shí)例7在第一次熱定形后)；在另一個示例性實(shí)例中，PET的結(jié)晶度大于38％(如實(shí)例5)；在另一個示例性實(shí)例中，PET的結(jié)晶度大于39％(如實(shí)例4)；在另一個示例性實(shí)例中，PET的結(jié)晶度大于40％(如實(shí)例6在第二次熱定形后)?？深A(yù)知，更長的時間和更高的溫度將進(jìn)一步增大結(jié)晶度和折射率變化。PEN實(shí)例利用拋物線拉幅方法高度拉伸具有PEN表層的多層光學(xué)薄膜(MOF)。使用得自連續(xù)的最終薄膜的單一縱向路線上的薄膜，以增強(qiáng)初始狀態(tài)的重復(fù)性。利用MetriconPrismCoupler，使用“頂”面和“底”面的平均值來測量拉伸步驟后PEN表層中的折射率變化。同樣地，根據(jù)PET實(shí)例使用通過波模和強(qiáng)度拐點(diǎn)的前緣來測量折射率的方法。制造兩個PEN表層的復(fù)制實(shí)例(實(shí)例8-9)。薄膜開始以輕度松弛的狀態(tài)安放在裝置中。在此松弛狀態(tài)下，2.5英寸的橫向跨度向面外彎曲了約0.5英寸。將薄膜在175℃下熱定形3分鐘。薄膜在處理后仍保留殘余松弛。由熱定形產(chǎn)生的折射率變化在表3中給出。如下表3所示，前緣方法(“通過拐點(diǎn)”)相比而言非常類似于Metricon隨附軟件中給出的“偏移”模式方法。(前緣方法為操作員進(jìn)行估測，而非使用Metricon隨附的拐點(diǎn)估測軟件進(jìn)行估測。)使用這些方法，632.8nm下的nx、ny和nz的初始折射率平均值分別為1.868、1.569和1.553。因此，使用這些折射率值得到的初始相對雙折射率為0.053。從PET低張力或無張力的情況可以看出，ny和nz增大。然而，在這些條件下，nx實(shí)際上顯著下降。因此，可以預(yù)知薄膜的后續(xù)收縮較小。這些實(shí)例的一個區(qū)別是當(dāng)前的PEN實(shí)例在拉伸后不具有PET實(shí)例所具有的較強(qiáng)的內(nèi)束狀態(tài)。因此，該折射率的下降一部分與熱定形期間的殘余應(yīng)力消除和粘彈性松弛有關(guān)。可以預(yù)知與未經(jīng)處理的初始薄膜相比，PEN表層薄膜在熱定形后具有顯著更低程度的高溫(例如，在比PEN玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高的溫度，最高至熱定形溫度)收縮。在第二個復(fù)制實(shí)例中，在第一次熱定形后對薄膜進(jìn)行測量，并重新安放以進(jìn)行第二步驟，這次在190℃下保持3分鐘。觀察到ny和nz顯著增大，同時nx僅有輕度下降，這與第六和第七個PET表層實(shí)例中的趨勢一致。對所有未經(jīng)處理的PEN表層薄膜、經(jīng)過第一次熱定形的薄膜和經(jīng)過更嚴(yán)格的第二次熱定形的薄膜測試機(jī)械凹痕/壓印抵抗能力。要測試壓印抵抗能力，可將壓敏粘合劑層壓到薄膜的一個表面上，然后再將此表面層壓到玻片上。將一片BEFTM增亮薄膜(可購自3MCompany，St.Paul，MN)的微結(jié)構(gòu)化表面放置在上述薄膜的暴露表面上，并在頂部放150g的重物以確保緊密接觸。所得的壓強(qiáng)預(yù)計為200克/平方英寸。然后在85℃下測試薄膜24小時。初始薄膜和經(jīng)過第一次輕度熱定形處理的薄膜具有適度的壓印抵抗能力，但會產(chǎn)生明顯的凹痕。經(jīng)過更嚴(yán)格的第二次熱定形處理的薄膜基本上不會有凹痕。此外，可利用預(yù)測的密度增加來評估熱定形對于結(jié)晶度的影響，密度的增大可由折射率增大推斷出，參照美國專利No.6,788,463中的Lorenz-Lorentz關(guān)系的各向異性類似物的相關(guān)內(nèi)容。PEN的非晶態(tài)密度取作1.329g/cc，完全結(jié)晶態(tài)的密度取作1.407g/cc。體積極化率取作0.81501cc/g。如表4所示，分析表明結(jié)晶度在第一個加熱步驟中增加很小，從而進(jìn)一步證明作為粘彈性松弛之一的折射率變化機(jī)制。這也表明結(jié)晶度是影響壓印抵抗能力的一個主要因素。在進(jìn)行更嚴(yán)格的熱定形之后，薄膜獲得了更高的結(jié)晶度(估計為約48％)。該結(jié)晶程度更高的成品薄膜在本發(fā)明實(shí)例中顯示出最高的壓印抵抗能力。在一個示例性實(shí)例中，PEN在熱定形后的結(jié)晶度大于28％(如實(shí)例8)；在另一個示例性實(shí)例中，PEN的結(jié)晶度大于30％(如實(shí)例9在第一次熱定形后)；在另一個示例性實(shí)例中，PEN的結(jié)晶度大于48％(如實(shí)例9在第二次熱定形后)。如實(shí)例所示，第二次或后續(xù)的熱定形步驟可用于獲得所需的薄膜特性。CoPEN實(shí)例共聚酯實(shí)例10通過向擠出機(jī)中加入85mol％的PEN(特性粘度(IV)約為0.5)和15mol％的PET(IV約為0.8)的顆?；旌衔飦硇纬善浣M成介于PEN和PET之間的共聚酯。物料在擠出過程中發(fā)生原位酯交換反應(yīng)，并通過澆鑄而形成包含所謂的85/15coPEN的透明且未取向的澆鑄料片。包含該材料的薄膜可用作諸如反射偏振片薄膜等多層光學(xué)薄膜中的雙折射層。從澆鑄料片上切下一個6cm(長)×2.5cm(寬)的條帶，然后在實(shí)驗室拉伸設(shè)備上進(jìn)行拉伸。在130℃下對該條帶預(yù)熱1分鐘，然后以20％/秒的標(biāo)稱拉伸速率沿其長度方向(寬度方向上無約束)拉伸至最終拉伸比為5.5，該拉伸比通過拉伸前在薄膜上所做的基準(zhǔn)標(biāo)記而測得。拉伸后，使薄膜驟冷至室溫，然后利用MetriconPrismCoupler在632.8nm下沿長度、寬度和厚度方向測得折射率分別為1.8436、1.5668和1.5595。因此，拉伸后獲得的相對雙折射率為0.061。然后以輕度初始張力將取向的薄膜沿長度方向安置(寬度方向無約束)，然后在170℃下加熱兩分鐘。再次使薄膜驟冷，然后利用MetriconPrismCoupler在632.8nm下沿長度、寬度和厚度方向測得折射率分別為1.8404、1.5718和1.5492。因此，拉伸后獲得的相對雙折射率為0.081。共聚酯實(shí)例11以同實(shí)例10相似的方式使85/15coPEN成形并對其進(jìn)行拉伸。包含該材料的薄膜可用作諸如反射偏振片薄膜等多層光學(xué)薄膜中的雙折射層。然后以輕度初始張力將取向的薄膜沿長度方向安置(寬度方向無約束)，然后在190℃下加熱30秒。在190℃下再對薄膜加熱90秒，同時拉伸比由拉伸后的初始值5.5x降至熱定形后的4.7x。再次使薄膜驟冷，然后利用MetriconPrismCoupler在632.8nm下沿長度、寬度和厚度方向測得折射率分別為1.8185、1.5827和1.5576。因此，拉伸后獲得的相對雙折射率為0.101。單軸取向的含有聚碳酸酯/共聚酯共混物各向同性層的多層光學(xué)薄膜的熱定形比較例1多層光學(xué)薄膜-PEN/CoPEN5545HD/CoPEN7525HD反射偏振片由第一光學(xué)層(由聚萘二甲酸乙二醇酯制成)和第二光學(xué)層(由共聚萘二甲酸乙二醇酯(CoPEN5545HD)制成)及表層或非光學(xué)層(由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較高的共聚萘二甲酸乙二醇酯(CoPEN7525HD)制成)構(gòu)成多層反射偏振片薄膜。上述PEN和CoPEN5545HD通過多層熔體流道(multilayermeltmanifold)共擠出，以制成具有275層交替的第一和第二光學(xué)層的多層光學(xué)薄膜。將該275層多層層疊件分成3部分，并層疊成825層。PEN層為第一光學(xué)層，并且CoPEN5545HD層為第二光學(xué)層。除了第一和第二光學(xué)層之外，還將一組也由CoPEN5545HD構(gòu)成的非光學(xué)層共擠出而作為光學(xué)層層疊件兩側(cè)的PBL(保護(hù)邊界層)。還將兩組包含CoPEN7525HD的表層通過附加熔體端口共擠出在PBL非光學(xué)層的外側(cè)上。該多層薄膜以如下的層順序構(gòu)造CoPEN7525HD表層、CoPEN5545HDPBL、825個PEN/CoPEN5545HD交替的光學(xué)層、第二CoPEN5545HDPBL和第二表層CoPEN7525HD。將多層擠出薄膜以每分鐘15米(每分鐘45英尺)的速度澆鑄到冷卻輥上，并在150℃(302)的烘箱中加熱30秒，然后以5.5∶1的拉伸比進(jìn)行單軸取向。取向后，將拉伸后的多層薄膜傳送到200℃的熱定形烘箱中并在其中保持15秒。制成厚度為約150微米(6密耳)的反射偏振片薄膜，此薄膜易機(jī)械碎裂，因此無法在不發(fā)生斷裂的情況下進(jìn)行膜片處理、卷繞成卷或模切成數(shù)個薄膜部分。比較例2多層光學(xué)薄膜一CoPEN9010/CoPEN-tbia/CoPEN-tbia反射偏振片由第一光學(xué)層(由共聚萘二甲酸乙二醇酯(CoPEN9010)制成)和第二光學(xué)層(由共聚萘二甲酸乙二醇酯(CoPEN-tbia)制成)及表層或非光學(xué)層(由共聚萘二甲酸乙二醇酯(CoPEN-tbia)制成)構(gòu)成多層反射偏振片薄膜。上述CoPEN9010和CoPEN-tbia通過多層熔體流道共擠出，以制成具有275層交替的第一和第二光學(xué)層的多層光學(xué)薄膜。CoPEN9010層為第一光學(xué)層，并且CoPEN-tbia層為第二光學(xué)層。除了第一與第二光學(xué)層之外，還將一組也由CoPEN-tbia構(gòu)成的非光學(xué)層共擠出而作為光學(xué)層層疊件兩側(cè)的PBL(保護(hù)邊界層)。還將兩組包含CoPEN-tbia的表層通過附加熔體端口共擠出在PBL非光學(xué)層的外側(cè)上。該多層薄膜以如下的層順序構(gòu)造CoPEN-tbia表層和PBL層、275層CoPEN9010/CoPEN-tbia交替的光學(xué)層以及第二組CoPEN-tbia表層和PBL層。將多層擠出薄膜以每分鐘15米(每分鐘45英尺)的速度澆鑄到冷卻輥上，并在150℃(302)的烘箱中加熱30秒，然后以6.5∶1的拉伸比進(jìn)行單軸取向。取向后，將拉伸后的多層薄膜傳送至200℃的熱定形烘箱中并在其中保持15秒。制成厚度為約37微米(1.5密耳)的反射偏振片薄膜，此薄膜易機(jī)械碎裂，因此無法在不發(fā)生斷裂的情況下進(jìn)行膜片處理、卷繞成卷或模切成數(shù)個薄膜部分。實(shí)例3多層光學(xué)薄膜-PEN/CoPEN5050HH/SA115反射偏振片薄膜由第一光學(xué)層(由聚萘二甲酸乙二醇酯制成)和第二光學(xué)層(由共聚萘二甲酸乙二醇酯(CoPEN5050HH)制成)及表層或非光學(xué)層(由脂環(huán)族聚酯/聚碳酸酯共混物制成，可以商品名“SA115”從EastmanChemicalCO.商購獲得)構(gòu)成多層反射偏振片薄膜。將上述PEN和CoPEN5050HH通過多層熔體流道共擠出，以制成具有275層交替的第一和第二光學(xué)層的多層光學(xué)薄膜。將該275層多層層疊件分成3部分，并層疊成825層。PEN層為第一光學(xué)層，并且CoPEN-5050HH層為第二光學(xué)層。除了第一與第二光學(xué)層之外，還將一組也由CoPEN5050HH構(gòu)成的非光學(xué)層共擠出而作為光學(xué)層層疊件兩側(cè)的PBL(保護(hù)邊界層)。還將兩組SA115表層通過附加熔體端口共擠出在PBL非光學(xué)層的外側(cè)上。以如下的層順序構(gòu)造SA115表層、CoPEN5050HHPBL層、825層PEN和CoPEN-5050HH交替的光學(xué)層、第二CoPEN5050HHPBL層和第二SA115表層。將多層擠出薄膜以每分鐘15米(每分鐘45英尺)的速度澆鑄到冷卻輥上，并在150℃(302)的烘箱中加熱30秒，然后以5.5∶1的拉伸比進(jìn)行單軸取向。取向后，將拉伸后的多層薄膜傳送至200℃的熱定形烘箱中并在其中保持15秒。制成厚度為約150微米(6密耳)的反射偏振片薄膜。此種薄膜不易機(jī)械碎裂，并易于被卷成薄膜卷和模切成數(shù)個薄膜部分而不會發(fā)生斷裂。實(shí)例4多層光學(xué)薄膜-CoPEN9010/SA115/SA115反射偏振片薄膜由第一光學(xué)層(由聚萘二甲酸乙二醇酯(CoPEN9010)制成)和第二光學(xué)層及表層(均由脂環(huán)族聚酯/聚碳酸酯共混物制成，可以商品名“SA115”從EastmanChemicalCO.商購獲得)構(gòu)成多層反射偏振片薄膜。將CoPEN9010和SA115通過多層熔體流道共擠出，以制成具有275層交替的第一和第二光學(xué)層的多層光學(xué)薄膜。CoPEN9010層為第一光學(xué)層，并且SA115層為第二光學(xué)層。除了第一與第二光學(xué)層之外，還將一組也由SA115構(gòu)成的非光學(xué)層共擠出而作為光學(xué)層層疊件兩側(cè)的PBL(保護(hù)邊界層)。還將兩個由SA115構(gòu)成的表層通過附加熔體端口共擠出在PBL非光學(xué)層的外側(cè)上。以如下的層順序構(gòu)造SA115外表層和PBL層、275層CoPEN9010和SA115交替的光學(xué)層，以及另一組SA115PBL和外表層。將多層擠出薄膜以每分鐘22米(每分鐘66英尺)的速度澆鑄到冷卻輥上，并在139℃(283)的烘箱中加熱30秒，然后以6∶1的拉伸比進(jìn)行近似真正單軸取向。取向后，將拉伸后的多層薄膜傳送至200℃的熱定形烘箱中并在其中保持15秒。制成厚度為約30微米(1.2密耳)的反射偏振片薄膜，此薄膜不易機(jī)械碎裂，并易于被卷成薄膜卷或模切成數(shù)個薄膜部分而不會發(fā)生斷裂。以上實(shí)例中的聚合物的制備說明。PEN的制備通過向間歇式反應(yīng)器中加入以下原材料來合成用于形成第一光學(xué)層的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)萘二甲酸二甲酯(136kg)、乙二醇(73kg)、乙酸錳(II)(27g)、乙酸鈷(II)(27g)和乙酸銻(III)(48g)。在2個大氣壓(1520托或2×105N/m2)的壓力下，將此混合物加熱至254℃，同時移除甲醇(酯交換反應(yīng)的副產(chǎn)物)。移除35kg的甲醇后，向反應(yīng)器中添加膦?；宜崛阴?49g)，使壓力緩慢降至1托(131N/m2)，同時加熱到290℃。連續(xù)移除縮聚反應(yīng)副產(chǎn)物乙二醇，直至產(chǎn)生特性粘度為0.48dl/g(如在重量百分比為60/40的苯酚/鄰二氯苯混合物中所測)的聚合物。CoPEN9010的制備通過向間歇式反應(yīng)器中加入以下原材料來合成用于形成第一光學(xué)層的共聚萘二甲酸乙二醇酯(CoPEN9010)126kg萘二甲酸二甲酯、11kg對苯二甲酸二甲酯、75kg乙二醇、27g乙酸錳、27g乙酸鈷和48g三醋酸銻。在2個大氣壓(2×105N/m2)的壓力下，將此混合物加熱至254℃，同時移除甲醇。移除36kg的甲醇后，向反應(yīng)器中添加49g的膦酰基乙酸三乙酯，使壓力緩慢降至1托，同時加熱到290℃。連續(xù)移除縮聚反應(yīng)副產(chǎn)物乙二醇，直至產(chǎn)生特性粘度為0.50dl/g(如在重量百分比為60/40的苯酚/鄰二氯苯混合物中所測)的聚合物。CoPEN5545HD的制備通過向間歇式反應(yīng)器中加入以下原材料來合成用于形成第二光學(xué)層的共聚(萘二甲酸乙二醇酯-萘二甲酸己二醇酯)聚合物(CoPEN5545HD)2，6-萘二甲酸二甲酯(88.5kg)、對苯二甲酸二甲酯(57.5kg)、1，6-己二醇(4.7kg)、乙二醇(81kg)、三羥甲基丙烷(239g)、乙酸鈷(II)(15g)、乙酸鋅(22g)和乙酸銻(III)(51g)。在2個大氣壓(2×105N/m2)的壓力下，將此混合物加熱至254℃，使混合物開始反應(yīng)，同時移除反應(yīng)產(chǎn)物甲醇。在反應(yīng)完成且除去甲醇(約39.6kg)后，向反應(yīng)容器中加入膦?；宜崛阴?37g)，將壓力降至1托(263N/m2)，同時加熱至290℃。連續(xù)移除縮聚副產(chǎn)物乙二醇，直至產(chǎn)生特性粘度為0.56dl/g(如在重量百分比為60/40的苯酚/鄰二氯苯中所測)的聚合物。利用此方法制備的CoPEN5545HD聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為94℃，如利用差示掃描量熱法在升降溫速率為20℃/分鐘下所測。CoPEN5545HD聚合物在632nm下的折射率為1.612。CoPEN7525HD的制備通過向間歇式反應(yīng)器中加入以下原材料來合成用于形成第二光學(xué)層的共聚(萘二甲酸乙二醇酯-萘二甲酸己二醇酯)聚合物(CoPEN7525HD)2，6-萘二甲酸二甲酯(114.8kg)、對苯二甲酸二甲酯(30.4kg)、1，6-己二醇(5.9kg)、乙二醇(75kg)、三羥甲基丙烷(200g)、乙酸鈷(II)(15g)、乙酸鋅(22g)和乙酸銻(III)(51g)。在2個大氣壓(2×105N/m2)的壓力下，將此混合物加熱至254℃，使混合物開始反應(yīng)，同時移除反應(yīng)產(chǎn)物甲醇。在反應(yīng)完成且除去甲醇(約39.6kg)后，向反應(yīng)容器中加入膦?；宜崛阴?37g)，將壓力降至1托(263N/m2)，同時加熱至290℃。連續(xù)移除縮聚副產(chǎn)物乙二醇，直至產(chǎn)生特性粘度為0.52dL/g(如在重量百分比為60/40的苯酚/鄰二氯苯混合物中所測)的聚合物。利用此方法制成的CoPEN7525HD聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為102℃，如利用差示掃描量熱法在升降溫速率為20℃/分鐘下所測。CoPEN7525HD聚合物在632nm下的折射率為1.624。CoPEN5050HH的制備通過向間歇式反應(yīng)器中加入以下原材料來合成用于形成第二光學(xué)層的共聚(萘二甲酸乙二醇酯-萘二甲酸己二醇酯)聚合物(CoPEN5050HH)2，6-萘二甲酸二甲酯(80.9kg)、對苯二甲酸二甲酯(64.1kg)、1，6-己二醇(15.45kg)、乙二醇(75.4kg)、三羥甲基丙烷(2kg)、乙酸鈷(II)(25g)、乙酸鋅(40g)和乙酸銻(III)(60g)。在2個大氣壓(2×105N/m2)的壓力下，將此混合物加熱至254℃，使混合物開始反應(yīng)，同時移除反應(yīng)產(chǎn)物甲醇。在反應(yīng)完成且除去甲醇(約42.4kg)后，向反應(yīng)容器中加入膦?；宜崛阴?55g)，將壓力降至1托(263N/m2)，同時加熱至290℃。連續(xù)移除縮聚副產(chǎn)物乙二醇，直至產(chǎn)生特性粘度為0.55dl/g(如在重量百分比為60/40的苯酚/鄰二氯苯的混合物中所測)的聚合物。利用此方法制成的CoPEN5050HH聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為85℃，如利用差示掃描量熱法在升降溫速率為20℃/分鐘下所測。CoPEN5050HH聚合物在632nm下的折射率為1.601。CoPEN-tbia的制備在加有以下物質(zhì)的間歇式反應(yīng)器中合成CoPEN-tbia聚合物2，6-萘二甲酸二甲酯(47.3kg)、對苯二甲酸二甲酯(18.6kg)、1，4-環(huán)己烷二甲醇(40.5kg)、新戊二醇(15kg)、乙二醇(41.8kg)、三羥甲基丙烷(2kg)、乙酸鈷(II)(36.3g)、乙酸鋅(50g)和乙酸銻(III)(65g)。在2個大氣壓(2×105N/m2)的壓力下，將此混合物加熱至254℃，使混合物開始反應(yīng)，同時移除反應(yīng)產(chǎn)物甲醇。在反應(yīng)完成且移除了所有的甲醇(約13.1kg)后，向反應(yīng)容器中加入間苯二甲酸叔丁酯(43.2kg)。在254℃下繼續(xù)進(jìn)行反應(yīng)，直至移除了約7.4kg水并且反應(yīng)完畢為止。向反應(yīng)容器中加入膦?；宜崛阴?70g)，使壓力降至1托(263N/m2)，同時加熱至290℃。連續(xù)移除縮聚副產(chǎn)物乙二醇，直至產(chǎn)生特性粘度為0.632dl/g(如在重量百分比為60/40的苯酚/鄰二氯苯混合物中所測)的聚合物。利用此方法制成的CoPEN-tbia聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為102℃，如在利用差示掃描量熱法在升降溫速率為20℃/分鐘下所測。CoPEN-tbia聚合物的折射率為1.567。本文中提及或引用的所有專利、專利申請、臨時專利申請和出版物的全部內(nèi)容均以引用的方式并入本文，包括所有附圖與表格，除非其與本說明書中明確教導(dǎo)的內(nèi)容不一致。應(yīng)該理解，本文所述的實(shí)例和實(shí)施例僅出于說明目的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)這些實(shí)例和實(shí)施例進(jìn)行各種修改或更改，并且這些修改或更改包括在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種制造光學(xué)薄膜(32)的方法，該方法包括提供薄膜(32)，其包括能夠形成雙折射的聚合物材料；將所述薄膜(32)基本單軸取向；以及將取向后的所述薄膜(32)熱定形。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，取向后的所述薄膜(32)的單軸特性量值U等于或大于約0.2。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，取向后的所述薄膜(32)的單軸特性量值U等于或大于約0.7。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述熱定形步驟包括將所述薄膜(32)加熱到高于該薄膜中的至少一種聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度并且低于該聚合物材料的熔點(diǎn)的溫度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述熱定形步驟包括將所述薄膜(32)加熱約1秒鐘至約10分鐘。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述熱定形步驟包括將所述薄膜(32)加熱到高于該薄膜中的每種聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度并且低于該薄膜中的每種聚合物材料的熔點(diǎn)的溫度。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第一溫度下進(jìn)行所述的將所述薄膜(32)基本單軸取向的步驟；以及所述熱定形步驟包括將所述薄膜(32)加熱至比所述第一溫度高的第二溫度。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的能夠形成雙折射的聚合物材料選自聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯和間規(guī)立構(gòu)聚苯乙烯。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的能夠形成雙折射的聚合物材料包含聚酯。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的能夠形成雙折射的聚合物材料包含半結(jié)晶聚合物。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述薄膜(32)還包含聚酯/聚碳酸酯共混物。12.一種采用根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造的光學(xué)薄膜(32)，其中，取向后的所述光學(xué)薄膜(32)是反射偏振片。13.一種采用根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法制造的光學(xué)薄膜(32)，其中，取向后的所述光學(xué)薄膜(32)是多層反射偏振片或漫反射偏振片。14.一種采用根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造的光學(xué)薄膜(32)，其中，取向后的所述光學(xué)薄膜(32)是補(bǔ)償片。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的提供薄膜(32)的步驟包括提供成卷的薄膜。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的提供薄膜(32)的步驟包括提供由擠出機(jī)擠出的薄膜(32)。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的提供薄膜(32)的步驟包括提供如下薄膜(32)，其具有拉伸方向上的初始折射率、與所述拉伸方向正交的面內(nèi)方向上的初始折射率以及厚度方向上的初始折射率；以及所述的熱定形步驟導(dǎo)致與所述拉伸方向正交的所述面內(nèi)方向上的最終折射率大于與所述拉伸方向正交的所述面內(nèi)方向上的所述初始折射率。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述的熱定形步驟導(dǎo)致所述厚度方向上的最終折射率大于所述厚度方向上的所述初始折射率。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的提供薄膜(32)的步驟包括提供如下薄膜(32)，其具有拉伸方向上的初始折射率、與所述拉伸方向正交的面內(nèi)方向上的初始折射率以及厚度方向上的初始折射率；以及所述的熱定形步驟導(dǎo)致所述厚度方向上的最終折射率大于所述厚度方向上的所述初始折射率。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的提供薄膜(32)的步驟包括提供如下薄膜(32)，該薄膜的與拉伸方向正交的面內(nèi)方向上的初始折射率和該薄膜的厚度方向上的初始折射率之間存在著初始差異；以及所述的熱定形步驟導(dǎo)致與所述拉伸方向正交的所述面內(nèi)方向上的最終折射率和所述厚度方向上的最終折射率之間存在著最終差異，其中，所述最終差異小于所述初始差異。21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的提供薄膜(32)的步驟包括提供如下薄膜(32)，其具有拉伸方向上的初始折射率、與所述拉伸方向正交的面內(nèi)方向上的初始折射率以及厚度方向上的初始折射率；以及所述的熱定形步驟導(dǎo)致所述拉伸方向上的最終折射率大于所述拉伸方向上的所述初始折射率。22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的提供薄膜(32)的步驟包括提供如下薄膜(32)，該薄膜的拉伸方向上的初始折射率和該薄膜的與所述拉伸方向正交的面內(nèi)方向上的初始折射率之間存在著初始差異；以及所述的熱定形步驟導(dǎo)致所述拉伸方向上的最終折射率和與所述拉伸方向正交的所述面內(nèi)方向上的最終折射率之間存在著最終差異，其中所述最終差異小于所述初始差異。23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的將薄膜(32)基本單軸取向的步驟包括在拉幅機(jī)裝置中拉伸所述薄膜(32)的非連續(xù)部分。24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的將薄膜(32)基本單軸取向的步驟包括沿橫向拉伸所述薄膜(32)。25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括使取向后的所述薄膜(32)驟冷。26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述薄膜(32)具有多個層；以及所述的熱定形步驟導(dǎo)致相鄰的層之間的粘附作用增強(qiáng)。27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述薄膜(32)具有應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶點(diǎn)，該應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶點(diǎn)是出現(xiàn)顯著的應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶時的拉伸比；以及所述的將薄膜(32)基本取向的步驟包括以大于所述應(yīng)變誘導(dǎo)結(jié)晶點(diǎn)的拉伸比拉伸所述薄膜(32)。28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的將薄膜(32)基本單軸取向的步驟包括以第一拉伸比沿拉伸方向拉伸所述薄膜(32)；以及所述的熱定形步驟包括以第二拉伸比沿所述拉伸方向拉伸所述薄膜(32)，所述第二拉伸比大于所述第一拉伸比。29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的將薄膜(32)基本單軸取向的步驟包括以第一拉伸比沿拉伸方向拉伸所述薄膜(32)；以及所述的熱定形步驟包括以第二拉伸比沿所述拉伸方向拉伸所述薄膜(32)，所述第二拉伸比小于所述第一拉伸比。30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的將薄膜(32)基本單軸取向的步驟包括以第一拉伸比沿拉伸方向拉伸所述薄膜(32)；以及所述的熱定形步驟包括以第二拉伸比沿所述拉伸方向拉伸所述薄膜(32)，所述第二拉伸比大致等于所述第一拉伸比。31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述薄膜(32)具有初始密度；以及所述的熱定形步驟導(dǎo)致所述薄膜(32)具有大于所述初始密度的最終密度。32.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的提供薄膜(32)的步驟包括提供具有多個層的薄膜(32)，所述多個層中的至少一個層包含非晶態(tài)材料；以及所述的熱定形步驟包括使包含所述非晶態(tài)材料的所述層保持其非晶態(tài)特性。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中，所述非晶態(tài)材料包括聚碳酸酯或者由聚碳酸酯與共聚酯構(gòu)成的共混物。34.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括第二熱定形步驟。35.一種加工薄膜(32)的方法，該方法包括夾持所述薄膜(32)的相對邊緣部分，同時沿縱向傳輸所述薄膜(32)；通過沿發(fā)散的曲線路徑移動所述的相對邊緣部分來拉伸所述薄膜(32)，以形成拉伸后的薄膜(32)；以及將拉伸后的所述薄膜(32)熱定形。36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述發(fā)散路徑為大致拋物線形。37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述的熱定形步驟包括將所述薄膜(32)加熱至比該薄膜中的至少一種聚合物組分的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高的溫度。38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述的熱定形步驟包括將所述薄膜(32)加熱至比該薄膜中的全部聚合物組分的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度都要高的溫度。39.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述的熱定形步驟包括將所述薄膜(32)加熱至介于所述薄膜(32)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度與其熔點(diǎn)之間的溫度。40.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述的拉伸所述薄膜(32)的步驟包括將所述薄膜(32)拉伸至拉伸比超過4。41.一種采用根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法制備的薄膜(32)。42.一種光學(xué)薄膜(32)，所述光學(xué)薄膜(32)包含聚對苯二甲酸乙二醇酯，該聚對苯二甲酸乙二醇酯的結(jié)晶度大于33％。43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的光學(xué)薄膜(32)，所述光學(xué)薄膜(32)包含聚對苯二甲酸乙二醇酯，該聚對苯二甲酸乙二醇酯的結(jié)晶度大于36％。44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的光學(xué)薄膜(32)，所述光學(xué)薄膜(32)包含聚對苯二甲酸乙二醇酯，該聚對苯二甲酸乙二醇酯的結(jié)晶度大于39％。45.一種光學(xué)薄膜(32)，所述光學(xué)薄膜(32)包含聚萘二甲酸乙二醇酯，該聚萘二甲酸乙二醇酯的結(jié)晶度大于28％。46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的光學(xué)薄膜(32)，所述光學(xué)薄膜(32)包含聚萘二甲酸乙二醇酯，該聚萘二甲酸乙二醇酯的結(jié)晶度大于30％。47.根據(jù)權(quán)利要求45所述的光學(xué)薄膜(32)，所述光學(xué)薄膜(32)包含聚萘二甲酸乙二醇酯，該聚萘二甲酸乙二醇酯的結(jié)晶度大于48％。全文摘要一種制作光學(xué)薄膜(32)的方法，該方法包括提供薄膜(32)、對薄膜(32)進(jìn)行基本單軸取向和對取向后的薄膜(32)進(jìn)行熱定形。薄膜(32)包含能夠形成雙折射的聚合物材料。文檔編號G02B1/08GK101180554SQ200680018110公開日2008年5月14日申請日期2006年4月5日優(yōu)先權(quán)日2005年4月8日發(fā)明者威廉·W·梅里爾,蒂莫西·J·埃布林克申請人:3M創(chuàng)新有限公司