專利名稱：一種薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)及其制造方法，尤其涉及一種在面板內(nèi)增加納米導(dǎo)電粒子，提高液晶顯示器(LCD)的畫面品質(zhì)的薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示器中，LCD裝置薄、重量輕、并且功耗低、低電磁發(fā)射，因此LCD被廣泛的應(yīng)用如手機(jī)、計(jì)算機(jī)、電視和個(gè)人數(shù)字助理(PDA)之類的信息裝置的顯示器。
如圖1，TFT LCD器件是由陣列玻璃基板110(TFT基板)和彩膜玻璃基板120(C/F基板)通過封框膠130對盒而形成的，在兩層之間有各向異性的液晶140、取向?qū)?50及隔墊物160，當(dāng)通過驅(qū)動電路170在薄膜晶體管(TFT)上形成一電場使得液晶轉(zhuǎn)動，配合上下層偏光片180可以由控制電場強(qiáng)弱來改變LCD的透過率以達(dá)到不同的顯示效果。隨著顯示內(nèi)容的逐漸提升，使得對顯示器的性能與影像品質(zhì)要求逐漸增加，如高亮度、高對比度、廣視角、高響應(yīng)速度、靜電防護(hù)及殘像恢復(fù)等。
殘像是現(xiàn)今LCD存在的顯著缺陷，廣義上可以分成面殘像和線殘像，面殘像是由驅(qū)動電壓中含有直流電壓，可通過驅(qū)動信號改善；線殘像就是常見的殘像，也是本發(fā)明主要解決的問題。如圖2所示，殘像是指當(dāng)LCD長時(shí)間顯示固定同一畫面，當(dāng)畫面切換至下一個(gè)畫面時(shí)，會隱約殘留上一個(gè)畫面的圖像。面板(Cell)內(nèi)離子會沿著電場方向往液晶上下基板移動，聚集在取向?qū)由?，聚集的離子會產(chǎn)生靜電，當(dāng)離子的濃度產(chǎn)生的靜電足以改變LCD的透過率時(shí)，會使TFT LCD的顯示出現(xiàn)差異，當(dāng)切換至下一個(gè)畫面時(shí)，聚集的離子無法馬上離開取向?qū)?，繼續(xù)保持原來的圖像，因此出現(xiàn)圖像殘留。
從理論上看，通?？梢圆捎脙煞N辦法來減弱殘像，一種是減少LCD內(nèi)離子數(shù)量，面板內(nèi)離子主要來源于所用的材料，包括液晶、取向?qū)印⒎饪蚰z、隔墊物、電極等，其中一部分離子是由材料本身不純帶來的，一部分離子是在工藝工程中由于電壓、高溫、光照射等造成部分材料分解，可通過改善材料來減少離子數(shù)；另一種是增強(qiáng)面板的防靜電能力，當(dāng)前技術(shù)中增強(qiáng)面板的防靜電能力主要由薄膜晶體管陣列元件電路設(shè)計(jì)；液晶顯示器面板表面抗靜電膜涂布等。但是上述方法均沒有從根本上消除殘像。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法，其主要目的是改善目前液晶顯示器出現(xiàn)的殘像，從而增強(qiáng)液晶顯示器的顯示品質(zhì)；本發(fā)明的另一目的是增強(qiáng)液晶顯示器的抗靜電能力，這樣可以有效的減少工藝過程中由于ESD造成的不良，提高良品率。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器，包括彩膜基板和相對設(shè)置的陣列基板，液晶層封裝于兩個(gè)基板之間，其中兩個(gè)基板之間加入有納米導(dǎo)電粒子。
上述方案中，所述納米導(dǎo)電粒子直徑在10nm～70nm之間。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明同時(shí)提供一種薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，包括首先，提供已完成制作的陣列基板和具有柱狀隔墊物的彩膜基板，并分別在陣列基板和彩膜基板上形成取向?qū)樱蝗缓?，對形成取向?qū)拥年嚵谢搴筒誓せ暹M(jìn)行清洗，將納米導(dǎo)電粒子和液晶的混合后的混合液經(jīng)過液晶滴注機(jī)的液晶滴頭滴注在陣列基板取向?qū)拥谋砻?；最后，將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對盒。
上述方案中，所述納米導(dǎo)電粒子與液晶的重量比為0.01∶100～0.07∶100。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明同時(shí)還提供一種薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，包括首先，提供已完成制作的陣列基板和普通彩膜基板，并分別在陣列基板和彩膜基板上形成取向?qū)樱蝗缓?，對形成取向?qū)拥年嚵谢搴筒誓せ暹M(jìn)行清洗，將球狀隔墊物和納米導(dǎo)電粒子的混合物通過球狀隔墊物噴灑設(shè)備噴灑在陣列基板取向?qū)拥谋砻?，再?jīng)過液晶滴注機(jī)的液晶滴頭將液晶滴注在陣列基板取向?qū)拥谋砻?；最后，將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對盒。
上述方案中，所述納米導(dǎo)電粒子和球狀隔墊物的混合重量比為0.5∶100～3.5∶100。
相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明由于在液晶顯示器面板內(nèi)添加了納米導(dǎo)電粒子后，因此一方面，由于取向?qū)拥膶?dǎo)電能力增加，正負(fù)離子出現(xiàn)的幾率減少；另一方面，當(dāng)長時(shí)間停留在一個(gè)固定畫面時(shí)，離子向取向?qū)泳奂?，在切換至下一畫面時(shí)，聚集的離子由于納米導(dǎo)電粒子的存在，迅速的離開取向?qū)樱虼瞬粫霈F(xiàn)殘像，提高了畫面品質(zhì)。
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步更為詳細(xì)地說明。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)TFT LCD結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)殘像示意圖；圖3是本發(fā)明納米導(dǎo)電粒子作用圖；圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例中液晶與導(dǎo)電粒子滴注示意圖；圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例中球狀隔墊物和導(dǎo)電粒子噴灑示意圖。
附圖標(biāo)記110、陣列玻璃基板；120、彩膜玻璃基板；130、封框膠；140、液晶；150、取向?qū)樱?60、隔墊物；170、驅(qū)動電路；180、上下偏光片；310、導(dǎo)電粒子；410、液晶與導(dǎo)電粒子混合液；420、液晶滴頭；430、基臺；510、噴頭；520、球狀隔墊物和導(dǎo)電粒子混合物；530、球狀隔墊物噴灑室。
具體實(shí)施例方式
圖3所示為本發(fā)明的液晶顯示器結(jié)構(gòu)示意圖及納米導(dǎo)電粒子作用圖。如圖3所示，本發(fā)明的液晶顯示器結(jié)構(gòu)主要包括陣列玻璃基板110和彩膜玻璃基板120，陣列玻璃基板110和彩膜玻璃基板120通過封框膠130對盒設(shè)置，兩層基板之間包括各向異性的液晶140、取向?qū)?50及隔墊物160。上述各部分與現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管液晶顯示器結(jié)構(gòu)并無差異，本發(fā)明區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的特征在于，在兩層基板之間加入導(dǎo)電的納米粒子310，納米導(dǎo)電粒子直徑在10nm～7nm。當(dāng)通過驅(qū)動電路170在薄膜晶體管(TFT)上形成一電場使得液晶轉(zhuǎn)動，配合上下層偏光片180可以由控制電場強(qiáng)弱來改變LCD的透過率以達(dá)到不同的顯示效果。如圖3所示，E為電場方向；V+為正離子移動方向；V-為負(fù)離子移動方向，當(dāng)液晶顯示器中附加一電場時(shí)，面板內(nèi)正負(fù)離子在電場的作用下分別向陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板移動，在長時(shí)間固定在同一畫面時(shí)，電場維持在不變的方向，因此正負(fù)離子持續(xù)向陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板聚集，聚集到一定程度，當(dāng)切換畫面，外加電場方向改變時(shí)，聚居的正負(fù)離子仍固定在玻璃基板的取向?qū)由希a(chǎn)生內(nèi)在電場維持原來的畫面，因此出現(xiàn)殘像。但是在添加了納米導(dǎo)電粒子后，在切換至下一畫面時(shí)，聚集的離子通過納米導(dǎo)電粒子，迅速的離開取向?qū)樱虼瞬粫霈F(xiàn)殘像；同時(shí)由于導(dǎo)電粒子的存在，增加了玻璃基板的導(dǎo)電能力，減少靜電出現(xiàn)的幾率，因此降低了工藝過程中由于靜電造成的良品率。
以上薄膜晶體管液晶顯示器結(jié)構(gòu)，可采用如下實(shí)施例的制作方法進(jìn)行制作，但不構(gòu)成對本發(fā)明實(shí)施的限制。
實(shí)施例1
首先，在完成陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板的制作后，對陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板先通過清洗、取向?qū)油坎肌⑷∠虻纫幌盗泄ば?，形成取向?qū)?，取向?qū)雍穸却蠹s50nm～100nm。
然后，對形成取向?qū)拥年嚵胁ＡЩ搴筒誓げＡЩ暹M(jìn)行清洗后，將液晶和導(dǎo)電粒子的混合液410經(jīng)過液晶滴注機(jī)的液晶滴頭420滴注在基臺430上的陣列玻璃基板110的取向?qū)由希瑢?dǎo)電粒子與液晶的重量比為0.01∶100～0.07∶100。圖4是本實(shí)施例中將液晶材料和導(dǎo)電粒子混合滴注示意圖，主要用于隔墊物為柱狀隔墊物(Post Spacer)的情況。
最后，通過彩膜玻璃基板上的封框膠130對盒，經(jīng)過切割、清洗等一系列工藝形成具有良好殘像恢復(fù)能力的液晶顯示器面板。
實(shí)施例2首先，在完成陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板的制作后，對陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板先通過清洗、取向?qū)油坎?、取向等一系列工序，形成取向?qū)樱∠驅(qū)雍穸却蠹s50nm～100nm。
然后，對形成取向?qū)拥年嚵胁ＡЩ搴筒誓げＡЩ暹M(jìn)行清洗后，將陣列玻璃基板110輸送到球狀隔墊物(Ball spacer)噴灑室530的基臺430上，通過球狀隔墊物噴灑設(shè)備510的噴頭將球狀隔墊物和納米導(dǎo)電粒子混合物520噴灑在陣列玻璃基板110取向?qū)拥谋砻?，?dǎo)電粒子和球狀隔墊物重量比為0.5∶100～3.5∶100。圖5是本實(shí)施例中采用噴灑的方式將球狀隔墊物和納米導(dǎo)電粒子混合物噴灑于取向?qū)拥谋砻?，主要用于隔墊物為球狀隔墊物(Ball spacer)的情況。
最后，通過對盒、切割等過程形成液晶顯示器面板。
最后應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)按照需要可使用不同材料和設(shè)備實(shí)現(xiàn)之，即可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管液晶顯示器，包括彩膜基板和相對設(shè)置的陣列基板，液晶層封裝于兩個(gè)基板之間，其特征在于兩個(gè)基板之間加入有納米導(dǎo)電粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于所述納米導(dǎo)電粒子直徑在10nm～70nm之間。
3.一種薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，其特征在于，包括首先，提供已完成制作的陣列基板和具有柱狀隔墊物的彩膜基板，并分別在陣列基板和彩膜基板上形成取向?qū)?；然后，對形成取向?qū)拥年嚵谢搴筒誓せ暹M(jìn)行清洗，將納米導(dǎo)電粒子和液晶的混合液經(jīng)過液晶滴注機(jī)的液晶滴頭滴注在陣列基板取向?qū)拥谋砻妫蛔詈?，將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對盒。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于所述納米導(dǎo)電粒子與液晶的重量比為0.01∶100～0.07∶100。
5.一種薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，其特征在于，包括首先，提供已完成制作的陣列基板和普通彩膜基板，并分別在陣列基板和彩膜基板上形成取向?qū)?；然后，對形成取向?qū)拥年嚵谢搴筒誓せ暹M(jìn)行清洗，將球狀隔墊物和納米導(dǎo)電粒子的混合物通過球狀隔墊物噴灑設(shè)備噴灑在陣列基板取向?qū)拥谋砻妫俳?jīng)過液晶滴注機(jī)的液晶滴頭將液晶滴注在陣列基板取向?qū)拥谋砻?；最后，將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對盒。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于所述納米導(dǎo)電粒子和球狀隔墊物的重量比為0.5∶100～3.5∶100。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器，包括彩膜基板和相對設(shè)置的陣列基板，液晶層封裝于兩個(gè)基板之間，其中兩個(gè)基板之間加入有納米導(dǎo)電粒子，納米導(dǎo)電粒子直徑在10nm～70nm之間。本發(fā)明同時(shí)公開了薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法。本發(fā)明通過在TFT LCD內(nèi)加入納米導(dǎo)電粒子，能夠有效改善液晶顯示器的殘像問題，同時(shí)增加基板的防靜電能力，從而降低工藝過程中由于靜電造成的良品率降低問題。
文檔編號G02F1/1339GK1996133SQ200610165139
公開日2007年7月11日 申請日期2006年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月13日
發(fā)明者劉俊國, 樸春培, 嚴(yán)太镕, 朱紅 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司