專利名稱：修正光掩模上圖形的方法與系統(tǒng)及使用該方法的存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造工藝修正操作，特別是涉及一種半導(dǎo)體制造工藝中 修正光掩模上圖形的方法。
背景技術(shù)：
所謂的光刻術(shù)(Optical L池ography )，簡單的說就是希望將設(shè)計好的線 路圖形，完整且精確地復(fù)制到晶片上。半導(dǎo)體廠首先需將設(shè)計好的圖形制作 成光掩模(Photo Mask),應(yīng)用光學(xué)成像的原理，將圖形投影至晶片上。由 光源發(fā)出的光，只有經(jīng)過光掩模透明區(qū)域的部分可以繼續(xù)通過透鏡，而成像 在晶片表面。一般來說，集成電路(IntegratedCircuit, IC)的集成度越高，操作速度 越快、平均成本也越低，因此半導(dǎo)體廠商無不絞盡腦汁要將半導(dǎo)體的線寬縮 小，以便在晶片上塞入更多晶體管。因此，為了要得到更小的線寬，又要使 光掩模上的圖形不致失真，則必須改善圖形的分辨率。改善分辨率的其中一種方法為光學(xué)鄰接修正(Optical Proximity Correction,以下簡稱為OPC),其是調(diào)整光掩?？讖絹硐嗉踊蛳鄿p所需的光 束以增加圖案的精確度。參考圖9的左圖，在修正之前，先取得光掩模上的 圖案影像，接著執(zhí)行光學(xué)鄰接修正以取得較精確的圖案，如圖9的中間圖所 示，其中虛線為原始圖案的范圍。4務(wù)正完后，即如圖9的右圖，與圖9的左 圖相比，修正后的圖案只剩少部分圖塊顯示為低分辨率?，F(xiàn)今模式導(dǎo)向"Model-based"的OPC的準(zhǔn)則為在基準(zhǔn)焦距(Base Focus) 和曝光量(BaseDose)下，修正制作在光掩模上的圖形，使得經(jīng)膝光后在晶 片(Wafer)上成像的圖形與設(shè)計圖形完全相同。以下簡單說明模式導(dǎo)向的 實施流禾呈。參考圖10，依制造工藝裕度選定基準(zhǔn)曝光條件，然后收集此膝光條件下 的OPE數(shù)據(jù)，并用OPE數(shù)據(jù)建立單一光學(xué)模型(Model )。接著，利用該單 一光學(xué)模型推算光線經(jīng)過光掩模并投射至晶片上各點的能量強(qiáng)度。利用遞歸
方式修正設(shè)計在光掩模上所需變更的圖形，以使設(shè)計圖像邊緣的能量強(qiáng)度值等于成像臨界值(Threshold),在圖10中，PROTOBAR為程序運(yùn)算中模擬 物體修正的尺度，例如PROTOBAR( 50 )即為模擬物件需向外側(cè)修正50nm; 而〈modelKx， y)則是利用建立的model所計算出(x,y)點的光學(xué)強(qiáng)度。然而，在實際制造過程中，焦距和曝光量會有些許變動的現(xiàn)象，以致成 像與設(shè)計圖形也產(chǎn)生差異。在此成像差異值符合規(guī)范下焦距和曝光量變動的 范圍我們稱為"制造工藝裕度(Process Window)"(或稱為"制造工藝適用 范圍")。制造工藝裕度越大，對于提高產(chǎn)品成品率有正面相關(guān)的影響。但在 現(xiàn)今的OPC修正原則下，是求基準(zhǔn)條件下最佳的修正方法，卻不一定可以 得到較大的制造工藝裕度。而改善的方法多為依現(xiàn)今修正原則完成OPC后， 再針對局部區(qū)域作細(xì)部調(diào)整，但此流程中尋找需調(diào)整區(qū)域并不容易，而且細(xì) 部調(diào)整也不易完成，步驟繁復(fù)且效果有限。因此，本發(fā)明提供了一種修正光掩模上圖形的方法，增加考慮不同詠光 量和焦距的條件作為修正光掩模上圖形的依據(jù)，使得在單一流程中所得到的 修正結(jié)果可以得到較大的制造工藝裕度。發(fā)明內(nèi)容基于上述目的，本發(fā)明實施例揭露了一種修正光掩模上圖形的方法。利 用根據(jù)第一曝光條件建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第一能量曲線， 利用根據(jù)第二曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第二能 量曲線，并且利用根據(jù)第三曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo)平面上 產(chǎn)生第三能量曲線。根據(jù)上述第一曝光條件計算出第一成像臨界值，根據(jù)上 述第二曝光條件計算出第二成像臨M，并且根據(jù)上述第三爆光條件計算出 第三成像臨界值。根據(jù)光掩模上圖形、容許誤差上限與容許誤差下限，產(chǎn)生 對應(yīng)該第二能量曲線的第一檢查點與第二檢查點和對應(yīng)該第三能量曲線的 第三檢查點與第四檢查點。判斷該第 一檢查點與該第二檢查點是否分別落在 該第二成像臨界值的兩邊，并且該第三檢查點與該第四檢查點是否分別落在 該第三成像臨界值的兩邊。若否，則修正該光掩模上圖形，然后重復(fù)上述判 斷步驟。本發(fā)明實施例還揭露了 一種修正光掩模上圖形的系統(tǒng)，包括設(shè)定單元、 計算單元、判斷單元與修正單元。該設(shè)定單元定義容許誤差上限、容許誤差 下限、第一曝光條件、第二曝光條件和第三曝光條件。該計算單元利用根據(jù)第一曝光條件建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第一能量曲線，利用根 據(jù)第二啄光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第二能量曲線，并且利用根據(jù)第三曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第 三能量曲線，根據(jù)上述第一曝光條件計算出第一成像臨界值，根據(jù)上述第二 曝光條件計算出第二成像臨界值，并且根據(jù)上述第三曝光條件計算出第三成 像臨界值，以及根據(jù)光掩模上圖形、容許誤差上限與容許誤差下限，產(chǎn)生對 應(yīng)該第二能量曲線的第一檢查點與第二檢查點和對應(yīng)該第三能量曲線的第 三檢查點與第四檢查點。該判斷單元判斷該第一檢查點與該第二檢查點是否 分別落在該第二成像臨界值的兩邊，并且該第三檢查點與該第四檢查點是否分別落在該第三成像臨界值的兩邊；以及若該第一檢查點、該第二檢查點、 該第三檢查點與該第四檢查點未分別落在該第二成像臨界值與該第三成像 臨界值的兩邊，則該修正單元修正該光掩模上圖形。本發(fā)明的實施例還披露了一種存儲介質(zhì)，用以儲存計算機(jī)程序，上述計 算機(jī)程序包括多個程序代碼，其用以加栽至計算機(jī)系統(tǒng)中并且使得上述計算 機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行一種修正光掩模上圖形的方法


圖1是顯示在二維坐標(biāo)平面上，能量曲線與光掩模上圖形及成像臨界值 間關(guān)系的示意圖。圖2是顯示在二維坐標(biāo)平面上，當(dāng)強(qiáng)度小于成像臨界值的能量曲線與光 掩才莫上圖形間關(guān)系的示意圖。圖3是顯示在二維坐標(biāo)平面上，當(dāng)強(qiáng)度大于成像臨^^直的能量曲線與光 掩模上圖形間關(guān)系的示意圖。圖4是顯示在二維坐標(biāo)平面上，根據(jù)不同曝光條件所建立的能量曲線與 光掩模上圖形及容許誤差值間關(guān)系的示意圖。圖5是顯示在二維坐標(biāo)平面上，根據(jù)不同曝光條件所建立的能量曲線與 光掩模上圖形、成像臨界值以及容許誤差值間關(guān)系的示意圖，其中該光掩模 上圖形需進(jìn)行修正。圖6是顯示在二維坐標(biāo)平面上，根據(jù)不同曝光條件所建立的能量曲線與 光掩模上圖形、成像臨界值以及容許誤差值間關(guān)系的示意圖，其中該光掩模
上圖形已修正無誤。圖7是顯示本發(fā)明實施例的修正光掩模上圖形的方法的步驟流程圖 圖8是顯示本發(fā)明實施例的修正光掩才莫上圖形的系統(tǒng)的架構(gòu)示意圖 圖9是現(xiàn)有技術(shù)中執(zhí)行光學(xué)鄰接修正以取得精確圖案的示意圖。 圖IO是依工藝裕度選定基準(zhǔn)曝光條件建立光學(xué)模型的示意圖。 圖11是在工藝裕度下建立焦距極值與基準(zhǔn)條件的光學(xué)模型示意圖。 簡單符號說明訓(xùn) 200 300 400CP21、 CP22、 CP31、 CP32DEPEC1..3EP1、 EP2Io、 Iin、 loutLTE POM Threshold UTE設(shè)定單元 計算單元 判斷單元 修正單元 檢查點欲在晶片上成像的圖形的邊界 能量曲線在晶片上成像的圖形的邊界 強(qiáng)度容許誤差下限 光掩模上圖形 成像臨界值 容許誤差上限具體實施方式
為了讓本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例， 并結(jié)合附圖1至11,做詳細(xì)說明。本發(fā)明說明書提供不同的實施例來說明本 發(fā)明不同實施方式的技術(shù)特征。其中，實施例中的各元件的配置是為說明之 用，并非用以限制本發(fā)明。且實施例中附圖標(biāo)號的部分重復(fù)，是為了簡化說 明，并非意指不同實施例之間的關(guān)聯(lián)性。本發(fā)明實施例揭示了 一種修正光掩模上圖形的方法。 以下簡要說明本發(fā)明實施例的修正光掩模上圖形的方法的實施流程。 參照圖11，首先，在制造工藝裕度下建立焦距極值與基準(zhǔn)條件的三個光 學(xué)模型。接著，根據(jù)設(shè)計規(guī)范確定的晶片圖形尺寸偏差容許值以決定目標(biāo)點
位(Target Points )。分別利用上述三個光學(xué)^t型計算該目標(biāo)點位的光學(xué)能量 是否達(dá)到成像臨界值，若都符合則結(jié)束循環(huán)并完成OPC，反之則繼續(xù)下一循環(huán)。以下以多個范例說明在何種情況下需修正光掩模上的圖，并且說明如何 修正光掩模上圖形的實施流程。如前文所述，在制造工藝裕度下建立焦距極值與基準(zhǔn)條件的光學(xué)模型。 參考圖1，在二維坐標(biāo)平面(X軸表示位置，Y軸表示強(qiáng)度)上，根據(jù)光掩 模上圖形(Patten on Mask, POM)設(shè)定成像臨界值(Threshold),該成像臨 界值表示成像所需的強(qiáng)度，會因曝光條件不同而異，但不隨光掩模上圖形 (POM)的變動而改變。利用光學(xué)仿真軟件并根據(jù)基準(zhǔn)曝光條件建立光學(xué)模 型，且根據(jù)該光學(xué)模型在上述二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生能量曲線(EC1)，該能量 曲線會因光掩^f莫上圖形(POM)的變動而改變。在該二維坐標(biāo)平面上，Y軸表示欲在晶片上成像的圖形的邊界(Desired Edge Position, DEP)，而其與該能量曲線相交點Io表示在晶片上與光掩模相 對應(yīng)位置的能量強(qiáng)度。由于點Ic〈成像臨界值(即強(qiáng)度〈成像臨界值)，導(dǎo) 致無法成像，故必須修正光掩模上圖形(POM)。參考圖2，當(dāng)光掩模上圖形(POM)改變時，能量曲線也會隨之變動， 此時能量曲線與成像臨界值相交所得的虛線，即為光掩模實際在晶片上成像 的邊界(Real Edge Position, REP )。然而，該能量曲線與Y軸相交點I。ut〉 成像臨界值(即強(qiáng)度〉成像臨界值)，雖然可以成像，但因成像范圍超過欲 在晶片上成像的圖形的邊界(DEP)(即Y軸)，所以需修正光掩模上圖形 (POM )。參考圖3，同樣地，當(dāng)光掩模上圖形(POM)改變時，能量曲線也會隨 之變動，此時能量曲線與成像臨界值相交所得的虛線，即為光掩模實際在晶 片上成像的邊界(REP)。然而，該能量曲線與Y軸相交之點1;11<成像臨界 值(即強(qiáng)度 < 成像臨界值)，導(dǎo)致無法成像，故必須修正光掩模上圖形(POM )。如圖1 ~圖3所示，傳統(tǒng)OPC修正準(zhǔn)則是通過修正光掩模上圖形(POM), 使欲在晶片上成像的圖形的邊界(DEP)(即Y軸)強(qiáng)度等于成像臨界值， 其是利用線性內(nèi)插的方式，遞歸求出光掩模上圖形(POM)的位置。本發(fā)明實施例的修正光掩模上圖形的方法是依循傳統(tǒng)OPC修正準(zhǔn)則， 在遞歸過程中加入成像是否超過容許誤差值的判斷，若都未超過則結(jié)束遞歸 運(yùn)算流程。參考圖4，本發(fā)明欲在晶片上成像之圖形的邊界(DEP)(即Y軸)的 兩邊定義容許誤差范圍，即容許誤差上限(Upper Toleration Error, UTE)與 容許誤差下限(Lower Toleration Error, LTE)，只要欲在晶片上成像的圖形 的邊界落在容許誤差上限(UTE)與容許誤差下限(LTE)即可結(jié)束OPC修 正流程。此外，除了原本根據(jù)基準(zhǔn)曝光條件建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo)平面 上產(chǎn)生的能量曲線EC 1 ，利用根據(jù)不同焦距條件建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo) 平面上另外產(chǎn)生二條能量曲線(EC2與EC3 ),并且利用能量曲線EC2與EC3 與容許誤差上限與容許誤差下限相交所得的強(qiáng)度值(即圖上所示的檢查點 (Check Point, CP) CP21、 CP22、 CP31與CP32 )來判斷成像范圍是否超 過容許誤差值。參考圖5,利用根據(jù)基準(zhǔn)曝光條件(波長-248nm，數(shù)值孔徑(Numerical Aperture, NA) =0.735， sigma (即入口光瞳》真充比(Pupil Filling Ratio)) =0.855/0.72，焦距=0)建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生能量曲線 EC1,利用根據(jù)曝光條件改為焦距=0.2所建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo)平面上 產(chǎn)生能量曲線EC2，并且利用根據(jù)曝光條件改為焦距=-0.2所建立的光學(xué)模 型在二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生能量曲線EC3。在基準(zhǔn)曝光條件下(波長=248nm, NA = 0.735， sigma = 0.855/0.72，焦 距=0)利用光學(xué)仿真軟件計算出的成像臨界值=0.25 (如虛線Tl所示)， 將曝光條件改為焦距=0.2所計算出的成像臨界值=0.252 (如虛線丁2所示)， 并且將曝光條件改為焦距=-0.2所計算出的成像臨界值=0.248 (如虛線T3 所示)。此外，容許誤差上限(UTE)與容許誤差下限(LTE)分別為10nrn。根據(jù)本發(fā)明實施例的修正光掩模上圖形的方法所依據(jù)的判斷準(zhǔn)則，當(dāng)光 學(xué)曲線與容許誤差上限(UTE)和容許誤差下限(LTE)相交所得的二檢查 點(CP)必須分別落在其所對應(yīng)的成像臨界值以上和以下，如此方符合設(shè)計 規(guī)范。舉例來說，能量曲線EC2與容許誤差上P艮(UTE )和容許誤差下P艮(LTE ) 相交的檢查點CP21與CP22必須分別落在虛線T2的上方與下方，而能量曲 線EC3與容許誤差上限(UTE )和容許誤差下限(LTE )相交的檢查點CP31 與CP32必須分別落在虛線T3的上方與下方。在圖5中，點I。經(jīng)過計算所得的值為0.19，不等于成像臨界值=0.25， 同時檢查點CP31與CP32同時落在虛線T3的下方，使得在晶片上成像的圖
形的邊界(EP1或EP2 )未落在容許誤差上限(UTE)和容許誤差下限(LTE) 之間，不符合設(shè)計規(guī)范，故必須進(jìn)行OPC修正。經(jīng)過OPC修正后，如圖6 所示，雖然點I。經(jīng)過計算所得的值為0.27，不等于成像臨界值=0.25，但檢 查點CP21與CP22分別落在虛線T2的上方與下方，同時4金查點CP31與CP32 分別落在虛線T3的上方與下方，使得在晶片上成像的圖形的邊界(EP1或 EP2)落在容許誤差上限(UTE)和容許誤差下限(LTE)之間，故仍符合 設(shè)計規(guī)范，因此可結(jié)束OPC修正流程。圖7是顯示本發(fā)明實施例的修正光掩才莫上圖形方法的步驟流程圖。首先，定義容許誤差上限(UTE)與容許誤差下限(LTE)，并且利用根 據(jù)第一曝光條件建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第一能量曲線 (EC1)，利用根據(jù)第二曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生 第二能量曲線(EC2),并且利用根據(jù)第三曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二 維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第三能量曲線(EC3)(步驟Sl)，其中該第一能量曲線 (EC1)位于該第二能量曲線(EC2)與該第三能量曲線(EC3)之間。根據(jù)上述第一曝光條件計算出第一成像臨界值(如虛線Tl所示)，根據(jù) 上述第二曝光條件計算出第二成像臨界值(如虛線T2所示)，并且根據(jù)上述 第三曝光條件計算出第三成像臨界值(如虛線T3所示)(步驟S2 )。根據(jù)光 掩模上圖形(POM)，該第二能量曲線(EC2)與該容許誤差上限(UTE) 與容許誤差下限(LTE )相交而產(chǎn)生第一檢查點(CP21 )與第二檢查點(CP22 ), 該第三能量曲線(EC3)與該容許誤差上限(UTE)與容許誤差下限(LTE) 相交而產(chǎn)生第三檢查點(CP31)與第四檢查點(CP32)(步驟S3)。接下來，判斷該第一檢查點(CP21)與該第二檢查點(CP22)是否分 別落在該第二成像臨界值的兩邊，并且該第三檢查點(CP31 )與該第四檢查 點(CP32)是否分別落在該第三成像臨界值的兩邊(步驟S4)。若是，則結(jié) 束上述修正流程。若否，則修正光掩模上圖形(POM)(步驟S5),然后回 到步驟S4以遞歸判斷與修正光掩模上圖形(POM)，使得上述檢查點分別落 在該第二成像臨界值與該第三成像臨界值的兩邊，從而使得在晶片上成像的 圖形的邊界(EP1或EP2 )落在容許誤差上限(UTE )和容許誤差下限(LTE) 之間。需注意到上述方法可加載到存儲介質(zhì)，使得計算機(jī)系統(tǒng)可實施上述修正 光掩模上圖形的方法。圖8是顯示本發(fā)明實施例的修正光掩模上圖形的系統(tǒng)的架構(gòu)示意圖。本發(fā)明實施例的修正光掩模上圖形的系統(tǒng)包括設(shè)定單元100、計算單元 200、判斷單元300和修正單元400。設(shè)定單元IOO定義容許誤差上限(UTE)、容許誤差下限(LTE)、第一 曝光條件、第二曝光條件和第三曝光條件。計算單元200根據(jù)該第一曝光條 件建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第一能量曲線(EC1 ),利用根據(jù)該 第二曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第二能量曲線 (EC2 ),并且利用根據(jù)該第三曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo)平面 上產(chǎn)生第三能量曲線(EC3)，其中該第一能量曲線(EC1)位于該第二能量 曲線(EC2)與該第三能量曲線(EC3)之間。計算單元200根據(jù)上述第一曝光條件計算出第一成像臨界值(如虛線 Tl所示)，根據(jù)上述第二曝光條件計算出第二成像臨^i (如虛線L所示)， 并且根據(jù)上述第三曝光條件計算出第三成像臨界值(如虛線T3所示)。接著， 根據(jù)光掩模上圖形(POM )，該第二能量曲線(EC2 )與該容許誤差上限(UTE) 和容許誤差下P艮(LTE )相交而產(chǎn)生第一檢查點(CP21 )與第二檢查點(CP22 )， 該第三能量曲線(EC3)與該容許誤差上限(UTE)和容許誤差下限(LTE) 相交而產(chǎn)生第三檢查點(CP31)與第四檢查點(CP32)。判斷單元300判斷該第一檢查點(CP21)與該第二檢查點(CP22)是 否分別落在該第二成像臨界值的兩邊，并且該第三檢查點(CP31 )與該第四 檢查點(CP32)是否分別落在該第三成像臨界值的兩邊。若否，則修正單元 400修正光掩模上圖形(POM)，然后判斷單元300再執(zhí)行該判斷操作，直 到上述檢查點分別落在該第二成像臨界值與該第三成像臨界值的兩邊，從而 使得在晶片上成像的圖形的邊界(EP1或EP2)落在容許誤差上限(UTE) 和容許誤差下限(LTE)之間。本發(fā)明的修正光掩模上圖形的方法與系統(tǒng)增加考慮不同曝光量和焦距 的條件作為修正光掩模上圖形的依據(jù)，使得在單一流程中所得到的修正結(jié)果 可以得到較大的制造工藝裕度。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任 何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可對其進(jìn)行各種更 動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種修正光掩模上圖形的方法，包括下列步驟 利用根據(jù)第一曝光條件建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第一能量曲線，利用根據(jù)第二曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生 第二能量曲線，并且利用根據(jù)第三曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo) 平面上產(chǎn)生第三能量曲線；根據(jù)上述第 一曝光條件計算出第 一成像臨界值，根據(jù)上述第二曝光條件 計算出第二成像臨界值，并且根據(jù)上述第三曝光條件計算出第三成像臨界值；根據(jù)光掩模上圖形、容許誤差上限與容許誤差下限，產(chǎn)生對應(yīng)該第二能 量曲線的第一檢查點與第二檢查點和對應(yīng)該第三能量曲線的第三檢查點與 第四4全查點；判斷該第一檢查點與該第二檢查點是否分別落在該第二成像臨界值的 兩邊，并且該第三檢查點與該第四檢查點是否分別落在該第三成像臨界值的 兩邊；并且若否，則修正該光掩模上圖形，然后重復(fù)上述判斷步驟。
2. 如權(quán)利要求1所述的修正光掩模上圖形的方法，其中還包括根據(jù)該光 掩模上圖形，該第二能量曲線與該容許誤差上限與容許誤差下限相交而產(chǎn)生 該第一檢查點與該第二檢查點，該第三能量曲線與該容許誤差上限與容許誤 差下限相交而產(chǎn)生該第三檢查點與該第四檢查點。
3. 如權(quán)利要求1所述的修正光掩模上圖形的方法，其還包括修正該光掩 模上圖形，使得該第一檢查點、該第二檢查點、該第三檢查點與該第四檢查 點分別落在該第二成像臨界值與該第三成像臨界值的兩邊，從而使得在晶片 上成像的圖形的邊界落在該容許誤差上限和該容許誤差下限之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的修正光掩模上圖形的方法，其中，該第一能量曲 線位于該第二能量曲線與該第三能量曲線之間。
5. —種修正光掩模上圖形的系統(tǒng)，包括設(shè)定單元，其定義容許誤差上限、容許誤差下限、第一曝光條件、第二 曝光條件和第三曝光條件；計算單元，其利用根據(jù)第一曝光條件建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo)平面上 產(chǎn)生第一能量曲線，利用根據(jù)第二曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo) 平面上產(chǎn)生第二能量曲線，并且利用根據(jù)第三曝光條件所建立的光學(xué)模型在 該二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第三能量曲線，根據(jù)上述第一曝光條件計算出第一成 像臨界值，根據(jù)上述第二曝光條件計算出第二成像臨界值，并且根據(jù)上述第 三曝光條件計算出第三成像臨界值，以及根據(jù)光掩模上圖形、容許誤差上限 與容許誤差下限，產(chǎn)生對應(yīng)該第二能量曲線的第一檢查點與第二檢查點和對應(yīng)該第三能量曲線的第三檢查點與第四檢查點；判斷單元，其判斷該第 一檢查點與該第二檢查點是否分別落在該第二成 像臨界值的兩邊，并且該第三檢查點與該第四檢查點是否分別落在該第三成 像臨界值的兩邊；和修正單元，若該第一檢查點、該第二檢查點、該第三檢查點與該第四檢 查點未分別落在該第二成像臨界值與該第三成像臨界值的兩邊，則修正該光 掩模上圖形。
6. 如權(quán)利要求5所述的修正光掩模上圖形的系統(tǒng)，其中，該修正單元修 正該光掩模上圖形后，該判斷單元重復(fù)執(zhí)行該判斷操作。
7. 如權(quán)利要求5所述的修正光掩模上圖形的系統(tǒng)，其中，該計算單元根 據(jù)該光掩模上圖形，該第二能量曲線與該容許誤差上限與容許誤差下限相交 而產(chǎn)生該第一^f全查點與該第二檢查點，該第三能量曲線與該容許誤差上限與 容許誤差下限相交而產(chǎn)生該第三檢查點與該第四檢查點。
8. 如權(quán)利要求5所述的修正光掩模上圖形的系統(tǒng)，其中，該修正單元修 正該光掩模上圖形，使得該第一檢查點、該第二檢查點、該第三檢查點與該 第四檢查點分別落在該第二成像臨界值與該第三成像臨界值的兩邊，從而使 得在晶片上成像的圖形的邊界落在該容許誤差上限和該容許誤差下限之間。
9. 如權(quán)利要求5所述的修正光掩模上圖形的系統(tǒng)，其中，該第一能量曲 線位于該第二能量曲線與該第三能量曲線之間。
10. —種存儲介質(zhì)，用以儲存計算機(jī)程序，上述計算機(jī)程序包括多個程序 代碼，其用以加載至計算機(jī)系統(tǒng)中并且使得上述計算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行一種修正光 掩模上圖形的方法，包括下列步驟利用根據(jù)第一曝光條件建立的光學(xué)模型在二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生第一能 量曲線，利用根據(jù)第二曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo)平面上產(chǎn)生 第二能量曲線，并且利用根據(jù)第三曝光條件所建立的光學(xué)模型在該二維坐標(biāo) 平面上產(chǎn)生第三能量曲線；根據(jù)上述第一曝光條件計算出第一成像臨界值，根據(jù)上述第二曝光條件 計算出第二成像臨界值，并且根據(jù)上述第三曝光條件計算出第三成像臨界值；根據(jù)光掩模上圖形、容許誤差上限與容許誤差下限，產(chǎn)生對應(yīng)該第二能 量曲線的第一檢查點與第二檢查點和對應(yīng)該第三能量曲線的第三檢查點與第四檢查點；判斷該第 一檢查點與該第二檢查點是否分別落在該第二成像臨界值的 兩邊，并且該第三檢查點與該第四檢查點是否分別落在該第三成像臨界值的 兩邊；以及若否，則修正該光掩模上圖形，然后重復(fù)上述判斷步驟。
11. 如權(quán)利要求IO所述的存儲介質(zhì)，其中還包括根據(jù)該光掩模上圖形， 該第二能量曲線與該容許誤差上限與容許誤差下限相交而產(chǎn)生該第一檢查 點與該第二檢查點，該第三能量曲線與該容許誤差上限與容許誤差下限相交 而產(chǎn)生該第三檢查點與該第四檢查點。
12. 如權(quán)利要求IO所述的存儲介質(zhì)，其還包括修正該光掩模上圖形，使 得該第一檢查點、該第二檢查點、該第三檢查點與該第四檢查點分別落在該 第二成像臨界值與該第三成像臨界值的兩邊，從而使得在晶片上成像的圖形 的邊界落在該容許誤差上限和該容許誤差下限之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種修正光掩模上圖形的方法。根據(jù)第一曝光條件、第二曝光條件與第三曝光條件產(chǎn)生第一能量曲線、第二能量曲線與第三能量曲線，并且計算出第一成像臨界值、第二成像臨界值和第三成像臨界值。根據(jù)光掩模上圖形、容許誤差上限與容許誤差下限，產(chǎn)生對應(yīng)該第二能量曲線的第一檢查點與第二檢查點和對應(yīng)該第三能量曲線的第三檢查點與第四檢查點。判斷該第一檢查點、該第二檢查點、該第三檢查點與該第四檢查點是否分別落在該第二成像臨界值與該第三成像臨界值的兩邊。若否，則修正該光掩模上圖形，然后重復(fù)上述判斷步驟。
文檔編號G03F7/20GK101144982SQ20061015153
公開日2008年3月19日 申請日期2006年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月11日
發(fā)明者蕭立東, 麥永慶 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司