專利名稱：復(fù)合半導(dǎo)體器件、打印頭以及成像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到用于諸如電子照相打印機之類的成像裝置所用的打印頭的復(fù)合半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
在例如日本專利公開No.2004-179646或由Triceps在YoshihiroTakekida編輯下出版的“Design of Optical Printer”中，公開了一些常規(guī)的光學(xué)打印頭。
前述文獻(即日本專利公開No.2004-179646)公開了一種薄膜發(fā)光元件。利用印刷布線技術(shù)，此發(fā)光元件經(jīng)由薄膜布線層，被連接到集成電路(包括驅(qū)動電路)。
利用這種安排，有可能得到包括少數(shù)昂貴的化合物半導(dǎo)體材料的LED(發(fā)光二極管)，從而提高成品率和對機械應(yīng)力的耐受度(借助于印刷布線技術(shù))。
圖34和35分別是透視圖和平面圖，示出了常規(guī)的LED單元1。如圖34所示，LED單元1包括單元襯底(諸如玻璃襯底或陶瓷襯底)；包括多個排列在單元襯底2上的發(fā)光部分6的LED芯片3；用來控制發(fā)光部分6的驅(qū)動IC芯片4；以及包括電連接各LED芯片3和各驅(qū)動IC芯片4的金屬絲的焊接金屬絲5。這些LED芯片3和驅(qū)動IC芯片4的厚度約為30微米，并利用芯片焊接方法，被連接到單元襯底2上。
如圖35所示，各LED芯片3包括發(fā)射光的發(fā)光部分6以及將功率饋送到發(fā)光部分6的各個電極7。為了提供足夠的區(qū)域以便用金絲來進行金屬線焊接，各個電極7的每一個的尺寸例如是100微米×100微米。形成發(fā)光區(qū)的pn結(jié)位于離單元襯底2的表面3-5微米的距離處。
但采用上述LED單元1的常規(guī)打印頭具有下述問題。
為了在LED芯片3與驅(qū)動IC芯片4之間得到可靠的金屬絲焊接，必須在各個LED芯片3與驅(qū)動IC芯片4上提供金屬絲焊接焊點。這些金屬絲焊接焊點占據(jù)LED芯片3的很大部分，因而減小了LED芯片上的發(fā)光區(qū)。由于LED芯片3的發(fā)光區(qū)對表面積的比率減小，故就半導(dǎo)體材料的使用效率而言，LED芯片3的結(jié)構(gòu)是效率不高的。換言之，由于必須在LED芯片3上提供用于金屬絲焊接焊點的區(qū)域，故難以使LED芯片3最小化來降低材料成本。
而且，所形成的發(fā)光區(qū)位于離各LED芯片3的表面大約3-5微米的距離處，且LED芯片3的厚度約為300微米。因此，難以沿其厚度方向有效地利用LED芯片3的材料。而且，GaAs襯底(即LED芯片3的基底材料)僅僅用作支持具有發(fā)光功能的GaAsP外延層的支持體。而且，為了防止焊接金屬絲與LED芯片3之間在金屬絲焊接操作過程中的短路，LED芯片3和驅(qū)動IC芯片4的厚度必須幾乎相同。因此，難以在確保作為支持體和金屬絲焊接區(qū)的功能的情況下減小GaAs襯底的厚度以降低材料成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明被用來解決上述各問題，本發(fā)明的目的是在各芯片上有效地提供發(fā)光區(qū)，從而降低打印頭的材料成本。
本發(fā)明提供了一種其結(jié)構(gòu)中分層各個半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體器件。此半導(dǎo)體器件包括發(fā)光層，此發(fā)光層是第一導(dǎo)電類型、第二導(dǎo)電類型、或不摻雜類型；第二導(dǎo)電類型的第一接觸層，此第一接觸層被排列在發(fā)光層上且經(jīng)由預(yù)定的接觸而被提供電壓；第二導(dǎo)電類型的第二接觸層，此第二接觸層被排列在發(fā)光層下方，且經(jīng)由預(yù)定的接觸而被提供電壓；第一或第二導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層，此第一蝕刻停止層被排列在發(fā)光層下方和第二接觸層上方，致使第一蝕刻停止層能夠用來對第二接觸層進行選擇性蝕刻；以及第一導(dǎo)電類型的第三接觸層，此第三接觸層被排列在第二接觸層下方，且經(jīng)由預(yù)定的接觸而被提供電壓。
由于半導(dǎo)體器件如上所述被構(gòu)成，故能夠降低打印頭的材料成本。特別是能夠減小各芯片和驅(qū)動電路的尺寸，從而能夠降低芯片的材料成本以及驅(qū)動電路的成本。


在這些附圖中圖1是平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)；圖2是剖面圖，示出了圖1復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖1中的線2-2的結(jié)構(gòu)；圖3是剖面圖，示出了圖1復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖1中的線3-3的結(jié)構(gòu)；圖4A是剖面圖，示出了提供在第一實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體薄膜的結(jié)構(gòu)；圖4B是剖面圖，示出了提供在第一實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體薄膜的一種修改；圖5是剖面圖，示出了根據(jù)第二實施方案的半導(dǎo)體薄膜的分層結(jié)構(gòu)；圖6是剖面圖，示出了根據(jù)第二實施方案的半導(dǎo)體薄膜的分層結(jié)構(gòu)；圖7是剖面圖，示出了根據(jù)第二實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)；圖8是平面圖，示出了根據(jù)第三實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)；圖9是剖面圖，示出了圖8復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖8中的線9-9的結(jié)構(gòu)；圖10是剖面圖，示出了圖8復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖8中的線10-10的結(jié)構(gòu)；圖11A是剖面圖，示出了根據(jù)第四實施方案的半導(dǎo)體薄膜的結(jié)構(gòu)；圖11B是剖面圖，示出了根據(jù)第四實施方案的半導(dǎo)體薄膜的一種修改；圖12是平面圖，示出了根據(jù)第五實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)；圖13是剖面圖，示出了圖12復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖12中的線13-13的結(jié)構(gòu)；圖14是平面圖，示出了根據(jù)第六實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)；圖15是剖面圖，示出了圖14復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖14中的線15-15的結(jié)構(gòu)；圖16是平面圖，示出了根據(jù)第七實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)；圖17是剖面圖，示出了圖16復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖16中的線17-17的結(jié)構(gòu)；圖18是剖面圖，示出了圖16復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖16中的線18-18的結(jié)構(gòu)；圖19是剖面圖，示出了圖16復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖16中的線19-19的結(jié)構(gòu)；
圖20是平面圖，示出了根據(jù)第八實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)；圖21是剖面圖，示出了圖20復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖20中的線21-21的結(jié)構(gòu)；圖22是平面圖，示出了根據(jù)第九實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)；圖23是平面圖，示出了圖22的復(fù)合半導(dǎo)體器件的布置；圖24是剖面圖，示出了圖22復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖22中的線24-24的結(jié)構(gòu)；圖25是平面圖，示出了根據(jù)第十實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)；圖26是剖面圖，示出了圖25復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖25中的線26-26的結(jié)構(gòu)；圖27是平面圖，示出了根據(jù)第十一實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)；圖28是剖面圖，示出了圖27復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖27中的線28-28的結(jié)構(gòu)；圖29是剖面圖，示出了圖27復(fù)合半導(dǎo)體器件沿圖27中的線29-29的結(jié)構(gòu)；圖30是正視圖，示出了根據(jù)第十一實施方案的打印頭的結(jié)構(gòu)；圖31是正視圖，示出了根據(jù)第十二實施方案的打印頭的結(jié)構(gòu)；圖32是正視圖，示出了根據(jù)第十三實施方案的打印頭的結(jié)構(gòu)；圖33是剖面圖，示出了根據(jù)第十四實施方案的成像裝置；圖34是常規(guī)LED單元的透視圖；和圖35是圖34的常規(guī)LED單元的平面圖。
具體實施例方式
下面參照附圖來描述本發(fā)明的各實施方案。
第一實施方案下面來描述具有閘流管結(jié)構(gòu)的復(fù)合半導(dǎo)體器件、具有三端結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件和用來控制發(fā)光元件發(fā)光的控制電路的復(fù)合半導(dǎo)體器件、具有該復(fù)合半導(dǎo)體器件的打印頭(例如電子照相打印機所用的)、以及具有該打印頭的成像裝置。
圖1是根據(jù)第一實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的平面圖。圖2和3是圖1復(fù)合半導(dǎo)體器件分別沿圖1中的線2-2和線3-3的剖面圖。
第一實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件100包括第一襯底102；用來控制第一襯底102上的發(fā)光元件的發(fā)光的電路區(qū)103；形成在第一襯底102上的導(dǎo)電層104；電連接到導(dǎo)電層104的半導(dǎo)體薄膜105(作為半導(dǎo)體器件)；形成在半導(dǎo)體薄膜105上的多個發(fā)光區(qū)106(作為發(fā)光元件)；形成在第一襯底102上的反射層107；用于控制各發(fā)光區(qū)106的光發(fā)射的各個電極108；與電路區(qū)103一起輸入和輸出驅(qū)動信號的連接焊點110；鈍化膜112；具有絕緣性質(zhì)的層間絕緣膜113；將導(dǎo)電層104與各個電極108彼此絕緣的層間絕緣膜114；以及具有導(dǎo)電性的導(dǎo)電層115(圖1)。
其上形成電路區(qū)103和層間絕緣層113的第一襯底102被電連接到導(dǎo)電層104。第一襯底102由例如單晶硅組成。第一襯底102也可以包含多晶硅、非晶硅、有機半導(dǎo)體材料之類。
電路區(qū)103被形成在第一襯底102上，并由相同于第一襯底102的半導(dǎo)體材料組成。使用稍后描述的方法，電路區(qū)103被電連接到半導(dǎo)體薄膜105。電路區(qū)103將預(yù)定的邏輯信號送到半導(dǎo)體薄膜105，從而控制發(fā)光區(qū)的發(fā)光。
電路區(qū)103包括其中形成的電路元件區(qū)103A以及包括電連接到電路元件區(qū)103A中的各元件的各布線區(qū)的區(qū)域103B。電路區(qū)103控制著形成在半導(dǎo)體薄膜105上的各發(fā)光區(qū)106的發(fā)光。電路元件區(qū)103A被形成在第一襯底102上，且包括諸如晶體管、電阻、電容器之類的電路元件。區(qū)域103B被形成在電路元件區(qū)103A上，并將電路元件區(qū)103A的各元件彼此電連接，從而構(gòu)成電路。區(qū)域103B具有分層結(jié)構(gòu)，此分層結(jié)構(gòu)包括用來彼此連接電路元件區(qū)103A的各元件的布線；用來饋送電功率或信號的輸入/輸出線；用來將輸入/輸出線連接到輸入/輸出部分的布線；以及用來連接電路區(qū)103和反射層107的布線，等等。
導(dǎo)電膜104被電連接到反射層107。導(dǎo)電膜104被提供來經(jīng)由半導(dǎo)體薄膜105的接觸層(稍后描述)將電功率(由電路區(qū)103經(jīng)由反射層107供給)施加到半導(dǎo)體薄膜105。導(dǎo)電膜104由例如Al、AlSiCu、NiAl、Ti、Cu、TiPtAu、AuGeNi、NiGe、Pd、Cr、Au、CrPd、NiPd之一或它們的任何組合以單層、疊層、或合金層的形式組成。
半導(dǎo)體薄膜105包括例如通過在不同于第一襯底102的GaAs襯底(作為基底材料)上的外延生長所形成的并且分開于(剝離于)該GaAs襯底的各半導(dǎo)體層。例如，半導(dǎo)體薄膜105具有一種分層結(jié)構(gòu)，其中適當?shù)胤謱痈鱾€AlxGa1-xAs(0≤x≤1)。稍后將描述半導(dǎo)體薄膜105的結(jié)構(gòu)。
各發(fā)光區(qū)106例如在半導(dǎo)體薄膜105上構(gòu)成以恒定間距沿直線排列的發(fā)光元件陣列。借助于分層多個半導(dǎo)體層來形成各發(fā)光區(qū)106。稍后與半導(dǎo)體薄膜105的結(jié)構(gòu)一起來描述發(fā)光區(qū)106的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明不限于以恒定間距布置發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。
經(jīng)由層間絕緣層113將反射層107布置在第一襯底102上。反射層107具有一定的反射系數(shù)，對半導(dǎo)體薄膜105發(fā)射的光進行反射。反射層107由金屬層組成，并且由Al、Si、Cu、Ni、Cr、Pd、Pt、Au、Ge、Ti之一或它們的任何組合以單層、疊層、或合金層的形式組成。如果反射層107不被用作導(dǎo)電層(如本實施方案所述)，則反射層107可以由各介電層的分層結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體層和氧化物層的分層結(jié)構(gòu)、或各氧化物層的分層結(jié)構(gòu)組成。而且，反射層107除了具有電連接各元件的功能之外，還具有對發(fā)光區(qū)106所發(fā)射的光進行反射的功能。
用包括光蝕刻的半導(dǎo)體光刻工藝來形成各個電極108。各個電極108電連接半導(dǎo)體薄膜105和電路區(qū)103。連接焊點110被提供來與電路區(qū)103一起輸入和輸出的電功率、地電位、或驅(qū)動信號。連接焊點110的厚度為0.05-2.5微米，優(yōu)選為0.5微米。導(dǎo)電層115將半導(dǎo)體薄膜105的表面上的其他接觸層電連接到電路區(qū)103。
鈍化膜112被形成在反射層107和電路區(qū)103上。鈍化膜112防止了對反射層107和電路區(qū)103的表面的損傷，并增強了半導(dǎo)體薄膜105與第一襯底102之間的接觸。
通過電路設(shè)計來適當?shù)匦纬蓪娱g絕緣層113。層間絕緣層113可以被構(gòu)造成使第一襯底102與導(dǎo)電層104彼此電絕緣。層間絕緣層114被形成在導(dǎo)電層104與各個電極108之間，并具有絕緣性質(zhì)。層間絕緣層114使導(dǎo)電層104與各個電極108彼此電絕緣。
導(dǎo)電層115被電連接到反射層107。經(jīng)由電路區(qū)103向?qū)щ妼?15提供電功率，該導(dǎo)電層115經(jīng)由不同于連接到導(dǎo)電層104的接觸層的半導(dǎo)體薄膜105的接觸層(所述層)而將電壓施加到半導(dǎo)體薄膜105。導(dǎo)電層104由例如Al、AlSiCu、NiAl、Cu、TiPtAu、AuGeNi、NiGe、Ti、Pd、CrAu、CrAu、CrPd、NiPd之一或它們的任何組合以單層、疊層、或合金層的形式組成。
以下來詳細描述半導(dǎo)體薄膜105的結(jié)構(gòu)。圖4A和4B是剖面圖，示出了半導(dǎo)體薄膜105的結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體薄膜105是一種薄膜形式的半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體薄膜105的厚度為0.1-10微米，優(yōu)選為2微米。若半導(dǎo)體薄膜105的厚度大于10微米，則各各個布線層104和108(由光刻工藝形成)可能由于層面的差異而斷開。借助于將半導(dǎo)體薄膜105的厚度設(shè)定為小于或等于10微米，連接到半導(dǎo)體薄膜105上各元件的布線層能夠由光刻工藝來形成。由于此精細加工，各布線層能夠被形成在小的區(qū)域內(nèi)，并能夠以高成品率被一起形成。半導(dǎo)體薄膜105的厚度優(yōu)選大于或等于0.1微米，因為若其厚度小于0.1微米，則變得難以處置半導(dǎo)體薄膜105。
半導(dǎo)體薄膜105被電連接到導(dǎo)電層104、各個電極108、以及導(dǎo)電層115，并組成三端結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體薄膜105包括第一導(dǎo)電類型的有源層1501(作為發(fā)光層)；形成在有源層1501下方的第一導(dǎo)電類型的下覆層1502(作為第一半導(dǎo)體層)；以及形成在有源層1501上的第二導(dǎo)電類型的上覆層1503(作為第二半導(dǎo)體層)。而且，半導(dǎo)體薄膜105包括形成在上覆層1503上的第二導(dǎo)電類型的第一接觸層1504；形成在下覆層1502下方的第二導(dǎo)電類型的連結(jié)層1505；形成在連結(jié)層1505下方的第二導(dǎo)電類型的分離層1506；形成在分離層1506下方的第二導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層1507；以及形成在第一蝕刻停止層1507下方的第二導(dǎo)電類型的第二接觸層1508。而且，半導(dǎo)體薄膜105包括形成在第二接觸層1508下方的第二導(dǎo)電類型的連結(jié)層1509(作為第三半導(dǎo)體層)；形成在連結(jié)層1509下方的第一導(dǎo)電類型的連結(jié)層1510；形成在連結(jié)層1510下方的第一導(dǎo)電類型的分離層1511；以及形成在分離層1511下方的第一導(dǎo)電類型的第二蝕刻停止層1512。而且，半導(dǎo)體薄膜105包括形成在第二蝕刻停止層1512下方的第一導(dǎo)電類型的第三接觸層1513；形成在第三接觸層1513下方的第一導(dǎo)電類型的導(dǎo)電層1514(作為第四半導(dǎo)體層)；以及形成在導(dǎo)電層1514下方的第一導(dǎo)電類型的焊接層1515。陽極電極1516被形成在第一接觸層1504上，并被電連接到各個電極108。柵電極1517被形成在第二接觸層1508上，并被電連接到導(dǎo)電層115。陰極電極1518被形成在第三接觸層1513上，并被電連接到導(dǎo)電層104。
在下列詳細描述中，為了便于描述，第一導(dǎo)電類型被描述為n型，而第二導(dǎo)電類型被描述為p型。但第一導(dǎo)電類型也可以是p型，而第二導(dǎo)電類型也可以是n型。
各層半導(dǎo)體薄膜105由預(yù)定化合物的半導(dǎo)體層組成。有源層1501(作為發(fā)光層)由例如n型AlyGa1-yAs層組成。下覆層1502(作為第一半導(dǎo)體層)由例如n型AlxGa1-xAs層組成。上覆層1503(作為第二半導(dǎo)體層)由例如p型AlzGa1-zAs層組成。第一接觸層1504由例如p型GaAs層組成。當半導(dǎo)體薄膜105構(gòu)成閘流管結(jié)構(gòu)時，第一接觸層1504構(gòu)成閘流管結(jié)構(gòu)的陽極。連結(jié)層1505由例如p型AlU2Ga1-U2As層組成。分離層1506由例如p型GaAs層組成。第一蝕刻停止層1507由例如p型InvGa1-vP層組成。第二接觸層1508由例如p型GaAs層組成。第二接觸層1508構(gòu)成閘流管結(jié)構(gòu)的柵電極。連結(jié)層1509由例如p型Alu1Ga1-u1As層組成。連結(jié)層1510由例如n型Alt1Ga1-t1As層組成。分離層1511由例如n型GaAs層組成。第二蝕刻停止層1512由例如n型InGaP層組成。第三接觸層1513由例如n型GaAs層組成。第三接觸層1513構(gòu)成閘流管結(jié)構(gòu)的陰極電極。導(dǎo)電層1514由例如n型AlsGa1-sAs層組成。焊接層1515由例如n型GaAs層組成。
各半導(dǎo)體層的上述組分s、t1、u1、u2、x、y、z優(yōu)選滿足下列關(guān)系1≥x≥0；1≥z＞y≥0；以及1≥s，t1，u1，u2＞y≥0。
這些關(guān)系表明，上覆層1503和下覆層1502的能帶隙至少大于有源層1501的能帶隙，且表明導(dǎo)電層1514、連結(jié)層1510、連結(jié)層1509、以及連結(jié)層1505的能帶隙至少大于有源層1501的能帶隙。在此情況下，InvGa1-vP層的組分v優(yōu)選滿足0.48≤v≤0.52。
更具體地說，當下列關(guān)系被滿足時，能夠提高發(fā)光效率1≥x≥0；以及1≥z＞y≥0。
而且，當滿足下列關(guān)系時，可以防止光被導(dǎo)電層吸收s＞y。
而且，當滿足下列關(guān)系時，可以限制來自發(fā)光區(qū)106之外的區(qū)域的光發(fā)射(致使光發(fā)射主要由跨越包括有源層1501的pn結(jié)的載流子注入引起)1≥s，t1，u1，u2＞y≥0。
為了防止來自發(fā)光區(qū)106之外的區(qū)域的光發(fā)射，使光主要由發(fā)光區(qū)106發(fā)射(即光發(fā)射主要由跨越包括有源層1501的pn結(jié)的載流子注入引起)，組分t1、u1、u2可以被選擇成使各半導(dǎo)體層是間接躍遷型的。若各組分被選擇成使各半導(dǎo)體層是間接躍遷型的，則載流子復(fù)合很可能是非輻射的(即使當在半導(dǎo)體層中發(fā)生載流子復(fù)合時)，發(fā)光可能性因而降低。例如在AlGaAs的情況下，優(yōu)選滿足下列關(guān)系y＝0.1，x＝0.4，且(s，t1，u1和u2)＞0.1。
在上述結(jié)構(gòu)中，pn結(jié)被形成在上覆層1503與有源層1501之間的邊界處。但也可以將pn結(jié)形成在有源層1501與下覆層1502之間的邊界處。換言之，有源層1501可以由p型AlyGa1-yAs層組成?；蛘?，有源層1501可以是不摻雜的半導(dǎo)體層。在本說明書中，術(shù)語“不摻雜的半導(dǎo)體層”被用來表示由不摻入雜質(zhì)的外延生長所形成的半導(dǎo)體層，即其p型或n型雜質(zhì)的密度處于比通過摻入雜質(zhì)而形成的半導(dǎo)體層更低的水平。
如上形成的半導(dǎo)體薄膜105構(gòu)成了具有包括陽極1516、柵電極1517、以及陰極電極1518的三端結(jié)構(gòu)的閘流管結(jié)構(gòu)。更具體地說，第一接觸層1504經(jīng)由陽極1516被連接到各個電極108，第二接觸層1508經(jīng)由柵電極1517被連接到導(dǎo)電層115，且第三接觸層1513經(jīng)由陰極電極1518被連接到導(dǎo)電層104。而且，3個pn結(jié)被形成在半導(dǎo)體薄膜105上形成在有源層1501(即發(fā)光區(qū)106)與上覆層1503之間的邊界處的pn結(jié)PN1；形成在下覆層1502(即連結(jié)區(qū))與連結(jié)層1505之間的邊界處的pn結(jié)PN2；以及形成在連結(jié)層1509與連結(jié)層1510之間的邊界處的pn結(jié)PN3。利用pn結(jié)PN1、PN2、PN3，半導(dǎo)體薄膜105構(gòu)成了整個閘流管結(jié)構(gòu)。在此實施方案中，描述了具有pnpn結(jié)的四元結(jié)構(gòu)的閘流管結(jié)構(gòu)。但也可以采用具有npnp結(jié)的四元結(jié)構(gòu)的閘流管結(jié)構(gòu)。
以下來描述復(fù)合半導(dǎo)體器件100的功能。
例如，陰極電極1518被接地，而陽極電極1516被施加正(+)電勢。當施加的電壓低時，pn結(jié)PN2被施加反向偏壓，因而陰極電極1518與陽極電極1516之間的電阻比較大。當施加的電壓增大時，高電場引起電子雪崩，致使在pn結(jié)PN2附近產(chǎn)生電子和正空穴。這些電子向陽極電極1516移動，而正空穴向陰極電極1518移動。但部分電子滯留在pn結(jié)PN1處，且部分正空穴滯留在pn結(jié)PN3處，結(jié)果，pn結(jié)PN1與pn結(jié)PN3之間的正向偏置狀態(tài)被提高。在此情況下，正向空穴被引入到第一導(dǎo)電類型的有源層1501中，且電子被引入到第二接觸層1508中。正向空穴被引入到下覆層1502中，電子被引入到連結(jié)層1505中，且載流子的數(shù)目由于pn結(jié)PN2附近的高電場而增加。結(jié)果，pn結(jié)PN2變得無法保持高電場，所有的pn結(jié)因而變成正向偏置狀態(tài)，致使電流在陰極電極1518與陽極電極1516之間流動。借助于從電極1517引入電流Ic，能夠改變開態(tài)電壓。因此，借助于控制電流Ic的引入，能夠控制陽極電極1516與陰極電極1518之間的開態(tài)電壓。借助于用電路區(qū)103來控制陽極電極1516與陰極電極1518之間的開態(tài)電壓，能夠控制發(fā)光元件的光發(fā)射。換言之，(具有發(fā)光元件的)半導(dǎo)體薄膜105本身能夠具有轉(zhuǎn)換光發(fā)射的開通與關(guān)斷的功能。
簡單地說，借助于將邏輯信號施加到陽極電極1516與陰極電極1518之間的柵電極1517，閘流管導(dǎo)通，且施加到陽極電極1516的電壓使電流從陽極電極1516流到陰極電極1518，結(jié)果，光就從有源層1501發(fā)射。此導(dǎo)通狀態(tài)一直保持到施加于陽極電極1516的電壓被變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。由于半導(dǎo)體薄膜105具有閘流管結(jié)構(gòu)，故通過將控制信號(即邏輯信號)施加到柵電極1517就能夠?qū)崿F(xiàn)光發(fā)射，只要陽極電極1516被施加足以驅(qū)動發(fā)光元件的能量(電壓)即可，因而不需要為半導(dǎo)體薄膜105提供各個驅(qū)動電路。于是有能夠減少電路的優(yōu)點，而不像LED那樣需要各個驅(qū)動電路。由于能夠免去各個驅(qū)動電路，故能夠簡化形成在半導(dǎo)體薄膜105上的控制電路。而且，如果第一襯底102上的電路區(qū)103配備有特定的功能(即開關(guān)的轉(zhuǎn)換、光發(fā)射數(shù)據(jù)的處理等)，則第一襯底102上的半導(dǎo)體薄膜105和電路區(qū)103能夠共用控制光發(fā)射的功能，從而能夠減小第一襯底102上的電路構(gòu)造的負擔(dān)。
如上所述，利用上面構(gòu)成的復(fù)合半導(dǎo)體器件100，各元件能夠經(jīng)由薄膜布線被彼此連接而無須使用焊接金屬絲。于是能夠大幅度減少連接布線，從而能夠大幅度減小芯片尺寸。而且，由于半導(dǎo)體薄膜105具有閘流管結(jié)構(gòu)，故能夠簡化電路區(qū)103，因而能夠?qū)崿F(xiàn)顯著的成本下降。
另外，在半導(dǎo)體薄膜105的半導(dǎo)體分層結(jié)構(gòu)中，形成pn結(jié)PN2的各半導(dǎo)體層的能帶隙大于形成發(fā)光區(qū)106的pn結(jié)PN1的有源層1501的能帶隙，且優(yōu)選由間接躍遷型半導(dǎo)體材料組成。而且，其能帶隙大于有源層1501的能帶隙的半導(dǎo)體層(即下覆層1502)被布置在有源層1501的下方。由于這些原因，當三端元件處于開通狀態(tài)時，就可以限制來自發(fā)光區(qū)之外的其它區(qū)域的光發(fā)射。
而且，由于具有電極接觸層和蝕刻停止層的三端結(jié)構(gòu)，故能夠減小各接觸層的厚度，且各接觸層處的光吸收變小。此外，由于不吸收光的反射層107被提供作為底層，故可以防止從背面發(fā)射光的吸收，而不增大總電阻。因此，能夠提高光發(fā)射的效率。
半導(dǎo)體薄膜105的分層結(jié)構(gòu)可以被如下修改?？梢允÷赃B結(jié)層1505、1509、1510中的任何一層、二層、或三層。還可以省略分離層1506和1511中的任何一個或二者。而且，還可以適當?shù)夭捎迷撔薷?，其中第一蝕刻停止層1507是第二導(dǎo)電類型，而分離層1506是第一導(dǎo)電類型。另外，還可以省略連結(jié)層1505和分離層1506，將第一蝕刻停止層1507修改成第一導(dǎo)電類型，以便在第一導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層1507和第二導(dǎo)電類型的第二接觸層1508的邊界處形成p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體之間的pn結(jié)PN2。還可以省略焊接層1515。而且，在上述結(jié)構(gòu)中，雖然半導(dǎo)體薄膜105由包含AlGaAs或InGaP的材料組成，但也可以采用其它的材料來形成此三端結(jié)構(gòu)。更具體地說，可以采用GaAs1-xNx、GaP1-xNx、InAs1-xNx、InP1-xNx、InGa1-xAs1-yNy、InP1-x-yAsNy、或InxAl1-xN(1≥x≥0，1≥y≥0)之一或它們的任何組合。還可以采用AlxGayAs1-x-yP和AlxGayIn1-x-yP(1≥x≥0，1≥y≥0)等。還可以采用諸如ZnO等的氧化物半導(dǎo)體材料。
確切地說，如圖4B所示，借助于分層焊接層1515、第一導(dǎo)電類型的導(dǎo)電層1514、第一導(dǎo)電類型的第三接觸層1513、第一導(dǎo)電類型的第二蝕刻停止層1512、第二導(dǎo)電類型的第二接觸層1508、第一導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層1507、第一導(dǎo)電類型的下覆層1502、第一導(dǎo)電類型的有源層1501、第二導(dǎo)電類型的上覆層1503、以及第二導(dǎo)電類型的第一接觸層1504，來形成半導(dǎo)體薄膜。而且，陽極電極1516被連接到第一接觸層1504，柵電極1517被連接到第二接觸層1508，且陰極電極1518被連接到第三接觸層1513。在此情況下，pn結(jié)被形成在第一導(dǎo)電類型的有源層1501與上覆層1503之間(pn結(jié)PN1)、第一蝕刻停止層1507與第二接觸層1508之間(pn結(jié)PN2)、以及第二接觸層1508與第二蝕刻停止層1512之間(pn結(jié)PN3)。
第二實施方案下面描述根據(jù)本發(fā)明第二實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件200。有關(guān)復(fù)合半導(dǎo)體器件200中那些相同于第一實施方案復(fù)合半導(dǎo)體器件100的組成部分，不再贅述。下面將對不同于第一實施方案的構(gòu)成半導(dǎo)體薄膜的半導(dǎo)體層的分層結(jié)構(gòu)進行描述。
圖5是剖面圖，示出了復(fù)合半導(dǎo)體器件200的半導(dǎo)體薄膜205的結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體薄膜205具有外延結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體薄膜205包括第一導(dǎo)電類型的有源層1501(作為發(fā)光層)；第一導(dǎo)電類型的下覆層1502(作為第一半導(dǎo)體層)；第二導(dǎo)電類型的上覆層1503(作為第二半導(dǎo)體層)；第一導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層1507；第二導(dǎo)電類型的第二接觸層1508；第二導(dǎo)電類型的連結(jié)層1509(作為第三半導(dǎo)體層)；第一導(dǎo)電類型的第二蝕刻停止層1512；第一導(dǎo)電類型的第三接觸層1513；第一導(dǎo)電類型的導(dǎo)電層1514；以及第一導(dǎo)電類型的焊接層1515。
這些層在第一實施方案中已經(jīng)描述過，故省略對其詳細描述。
第二實施方案的半導(dǎo)體薄膜205不同于第一實施方案的半導(dǎo)體薄膜105之處在于第一蝕刻停止層1507具有較大的能帶隙，且連結(jié)層1505和1510被省略。
與第一實施方案的半導(dǎo)體薄膜105相比，上面構(gòu)成的半導(dǎo)體薄膜205具有更為簡單的結(jié)構(gòu)，從而能夠降低材料成本。
第三實施方案下面描述根據(jù)本發(fā)明第三實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件300。有關(guān)復(fù)合半導(dǎo)體器件300中那些相同于第一實施方案復(fù)合半導(dǎo)體器件100的組成部分，不再贅述。下面將對不同于第一實施方案的構(gòu)成半導(dǎo)體薄膜的半導(dǎo)體層的分層結(jié)構(gòu)進行描述。
圖6和7是剖面圖，示出了復(fù)合半導(dǎo)體器件300的半導(dǎo)體薄膜305的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體薄膜305具有外延結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體薄膜305包括第一導(dǎo)電類型的有源層1501(作為發(fā)光層)；第一導(dǎo)電類型的下覆層1502(作為第一半導(dǎo)體層)；第二導(dǎo)電類型的上覆層1503(作為第二半導(dǎo)體層)；第二導(dǎo)電類型的第一接觸層1504；第一導(dǎo)電類型的連結(jié)層1505；第一導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層1507；第二導(dǎo)電類型的第二接觸層1508；第一導(dǎo)電類型的連結(jié)層1510；以及第一導(dǎo)電類型的第三接觸層1513。這些層在第一實施方案中已經(jīng)描述過，故省略對其詳細描述。有源層1501可以是第二導(dǎo)電類型的或不摻雜的。
圖8是根據(jù)第三實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件300的平面圖。圖9和10是復(fù)合半導(dǎo)體器件300分別沿圖8中的線9-9和線10-10的剖面圖。
在此第三實施方案中，半導(dǎo)體薄膜305被焊接到形成在半導(dǎo)體薄膜305下方的導(dǎo)電層107上，致使半導(dǎo)體薄膜305與導(dǎo)電層107被彼此電連接。
在上面構(gòu)成的半導(dǎo)體薄膜305中，第三接觸層1513被形成在半導(dǎo)體薄膜305的底部(背面)上，且半導(dǎo)體薄膜305與導(dǎo)電層107經(jīng)由第三接觸層1513被彼此電連接。因此，能夠簡化半導(dǎo)體薄膜305的分層結(jié)構(gòu)，并能夠簡化第一襯底102上半導(dǎo)體薄膜305與各電路元件之間的連接布線。
第四實施方案下面描述根據(jù)本發(fā)明第四實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件400。有關(guān)復(fù)合半導(dǎo)體器件400中那些相同于第一實施方案復(fù)合半導(dǎo)體器件100的組成部分，不再贅述。下面將對不同于第一實施方案的構(gòu)成半導(dǎo)體薄膜的半導(dǎo)體層的分層結(jié)構(gòu)進行描述。
圖11A是剖面圖，示出了復(fù)合半導(dǎo)體器件400的半導(dǎo)體薄膜405的結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體薄膜405包括第一導(dǎo)電類型的有源層1501；第一導(dǎo)電類型的下覆層1502；第一導(dǎo)電類型的上覆層1503；第一導(dǎo)電類型的第一接觸層1504；第二導(dǎo)電類型的連結(jié)層1505；第二導(dǎo)電類型的分離層1506；第二導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層1507；第二導(dǎo)電類型的第二接觸層1508；第二導(dǎo)電類型的連結(jié)層1509；第一導(dǎo)電類型的連結(jié)層1510；第一導(dǎo)電類型的分離層1511；第一導(dǎo)電類型的第三接觸層1513；第一導(dǎo)電類型的導(dǎo)電層1514；第一導(dǎo)電類型的焊接層1515；陽極電極1516；柵電極1517；陰極電極1518；以及其中摻有(擴散或離子注入)第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的摻雜區(qū)1519。摻雜區(qū)1519包括第二導(dǎo)電類型的第一接觸層1519a、第二導(dǎo)電類型的覆層1519b、以及第二導(dǎo)電類型的有源層1519c。
摻雜區(qū)1519例如是選擇性擴散區(qū)。摻雜區(qū)1519包括p型接觸層1519a；p型上覆層1519b；以及p型有源層1519c。若半導(dǎo)體薄膜405具有各AlGaAs層的分層結(jié)構(gòu)，則p型雜質(zhì)是例如Zn。在此情況下，下覆層1502、有源層1501、上覆層1503、第一接觸層1504、第二接觸層1508、第三接觸層1513都由n型半導(dǎo)體層組成，并選擇性地形成Zn擴散區(qū)1520。擴散前沿達到有源層1519c中。
在上面構(gòu)成的半導(dǎo)體薄膜405中，結(jié)被選擇性地形成，因而能夠形成高密度的發(fā)光元件陣列。
圖11B是剖面圖，示出了第四實施方案的修改?？梢允÷赃B結(jié)層1505、1509和1510中的任何一層、任何二層、或三層。也可以省略分離層1506和1511中的任何一個或二者。還有可能適當?shù)夭捎眯薷?，其中第一蝕刻停止層1507是第二導(dǎo)電類型的，而分離層1506是第一導(dǎo)電類型的。還可以省略連結(jié)層1505和分離層1506，將第一蝕刻停止層1507修改成第一導(dǎo)電類型，以便在第一導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層1507和第二導(dǎo)電類型的第二接觸層1508的邊界處形成p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體之間的pn結(jié)PN2。還可以省略焊接層1515。雖然已經(jīng)描述了采用AlGaAs或InGaP材料的例子，但也可以采用其它的材料來形成此三端結(jié)構(gòu)。更具體地說，有可能采用GaAs1-xNx、GaP1-xNx、InAs1-xNx、InP1-xNx、InGa1-xAs1-yNy、InP1-x-yAsNy、或InxAl1-xN(1≥x≥0，1≥y≥0)之一或它們的任何組合。還可以采用AlxGayAs1-x-yP和AlxGayIn1-x-yP(1≥x≥0，1≥y≥0)等。還有可能采用II-VI族半導(dǎo)體材料。還可以采用諸如ZnO之類的氧化物半導(dǎo)體材料。
在圖11B中，半導(dǎo)體薄膜包括第一導(dǎo)電類型的第一接觸層1504；第一導(dǎo)電類型的上覆層1503；第一導(dǎo)電類型的有源層1501；第一導(dǎo)電類型的下覆層1502；第一導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層1507；第二導(dǎo)電類型的第二接觸層1508；第一導(dǎo)電類型的第二蝕刻停止層1512；第一導(dǎo)電類型的第三接觸層1513；第一導(dǎo)電類型的導(dǎo)電層1514；第一導(dǎo)電類型的焊接層1515；陽極電極1516；柵電極1517；陰極電極1518；以及其中摻有(擴散或離子注入)第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的摻雜區(qū)1519。摻雜區(qū)1519包括第二導(dǎo)電類型的第一接觸層1519a、第二導(dǎo)電類型的上覆層1519b、以及第二導(dǎo)電類型的有源層1519c。
第五實施方案下面描述根據(jù)本發(fā)明第五實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件500。有關(guān)復(fù)合半導(dǎo)體器件500中那些相同于第一實施方案復(fù)合半導(dǎo)體器件100的組成部分，不再贅述。下面將對不同于第一實施方案的半導(dǎo)體薄膜的焊接區(qū)進行描述。
圖12是平面圖，示出了第五實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件500的結(jié)構(gòu)。圖13是復(fù)合半導(dǎo)體器件500沿圖12中的13-13線的剖面圖。
復(fù)合半導(dǎo)體器件500包括第一襯底502；用來控制第一襯底502上的發(fā)光元件的光發(fā)射的電路區(qū)503；形成在第一襯底502上的導(dǎo)電層504；電連接到導(dǎo)電層504的半導(dǎo)體薄膜505；形成在半導(dǎo)體薄膜505上的多個發(fā)光區(qū)506；控制各發(fā)光區(qū)506的光發(fā)射的各個電極508；形成與半導(dǎo)體薄膜505的表面上的其它電極接觸層進行電接觸的連接布線509；與電路區(qū)503一起輸入和輸出驅(qū)動信號的連接焊點510；以及鈍化膜512。電路區(qū)503由電路元件503A以及彼此連接的各電路元件503A的布線區(qū)503B組成。
導(dǎo)電層504被形成在電路區(qū)503上，且半導(dǎo)體薄膜505被焊接到導(dǎo)電層504上。連接布線509經(jīng)由電路區(qū)503的布線區(qū)503B被連接到第一襯底502上的電路元件503A。
在上面構(gòu)成的復(fù)合半導(dǎo)體器件500中，半導(dǎo)體薄膜505被焊接到第一襯底502上的電路元件區(qū)503，因而能夠減小復(fù)合半導(dǎo)體器件500的寬度。
在上述的第一到第五實施方案中，半導(dǎo)體薄膜的材料被描述為AlxGa1-xAs。但也可以采用諸如InAlGaP、InGaAsP、InP、InAlN、InGaN、AlGaN或GaN之類的其它半導(dǎo)體材料。
而且，半導(dǎo)體薄膜背面上的導(dǎo)電層可以由金屬組成，或可以由ITO、ZnO之類的透明電極組成。而且，也可以在不使用導(dǎo)電層的情況下經(jīng)由半導(dǎo)體薄膜的上側(cè)將各個電極連接到電路元件區(qū)。各個電極不一定要被提供在半導(dǎo)體薄膜的上側(cè)上。在此情況下，有可能將各連接焊點布置在與發(fā)光元件的同一側(cè)上，致使各連接焊點能夠被焊接到芯片的外面。可以根據(jù)復(fù)合半導(dǎo)體器件的設(shè)計對這些構(gòu)造進行各種修改。
第六實施方案下面描述根據(jù)本發(fā)明第六實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件600。有關(guān)復(fù)合半導(dǎo)體器件600中那些相同于第一實施方案復(fù)合半導(dǎo)體器件100的組成部分，不再贅述。下面將對不同于第一實施方案的電路區(qū)和半導(dǎo)體薄膜進行描述。
在第一實施方案中，電路區(qū)103的各電路元件被形成在作為基底材料的第一襯底上。與之形成對照的是，在第六實施方案中，電路區(qū)的各電路元件被形成在不同于半導(dǎo)體薄膜605的半導(dǎo)體層603中。
圖14是剖面圖，示出了復(fù)合半導(dǎo)體器件600的結(jié)構(gòu)。圖15是復(fù)合半導(dǎo)體器件600沿圖14中的15-15線的剖面圖。
第六實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件600包括第三襯底602；具有用來控制第三襯底602上發(fā)光元件的光發(fā)射的電路元件的半導(dǎo)體層603；形成在第三襯底602上的導(dǎo)電層604；電連接到導(dǎo)電層604的半導(dǎo)體薄膜605；形成在半導(dǎo)體薄膜605上的多個發(fā)光區(qū)606；控制各發(fā)光區(qū)606的光發(fā)射的各個電極608；與半導(dǎo)體薄膜605表面上的其它電極接觸層形成電接觸的連接布線609；與電路區(qū)(即半導(dǎo)體層603)一起輸入和輸出驅(qū)動信號的連接焊點610；鈍化膜612；電連接導(dǎo)電層604與半導(dǎo)體層605的導(dǎo)電層614；以及使各個電極608與半導(dǎo)體薄膜605彼此絕緣的層間絕緣膜615。
第三襯底602由玻璃、塑料、金屬、陶瓷、有機材料或用于半導(dǎo)體薄膜605和半導(dǎo)體層603(即第二半導(dǎo)體薄膜603)的半導(dǎo)體材料之外的半導(dǎo)體材料組成。半導(dǎo)體薄膜605被形成在不同于第三襯底602的襯底上，并且被焊接到第三襯底602上的鈍化膜612上。半導(dǎo)體薄膜605具有相同于第一實施方案的半導(dǎo)體薄膜105的結(jié)構(gòu)，并且由諸如GaAs/AlGaAs基材料之類的化合物半導(dǎo)體材料組成。半導(dǎo)體層(即第二半導(dǎo)體薄膜)603具有由例如GaAs或AlGaAs基化合物半導(dǎo)體、GaN、InGaN、或AlGaN基化合物半導(dǎo)體之類組成的半導(dǎo)體薄膜區(qū)603A。而且，第二半導(dǎo)體薄膜603的半導(dǎo)體薄膜區(qū)603A由例如單晶硅之類組成。也可以適當?shù)夭捎玫诙嵤┓桨傅陌雽?dǎo)體薄膜205、第三實施方案的半導(dǎo)體薄膜305、第四實施方案的半導(dǎo)體薄膜405、以及第五實施方案的半導(dǎo)體薄膜505。鈍化膜612被提供來將半導(dǎo)體薄膜605焊接到第三襯底602上。
如在第一實施方案的電路區(qū)103A中那樣，半導(dǎo)體層603包括具有電路元件(諸如晶體管、電阻、電容器之類)的半導(dǎo)體薄膜區(qū)603A。半導(dǎo)體層603還包括形成在半導(dǎo)體薄膜區(qū)603A上的多層布線區(qū)603B。多層布線區(qū)603B包括用來彼此連接各電路元件的布線；用來輸入和輸出電功率或信號的輸入/輸出布線；連接到電功率或信號的輸入/輸出部分的連接布線。半導(dǎo)體層603包含例如單晶硅作為主要材料?；蛘?，可以借助于分層單晶硅、多晶硅、非晶硅、有機半導(dǎo)體材料之類來形成半導(dǎo)體層603。半導(dǎo)體層603可以由不同材料的多個薄膜組成而不需要分層。
在第六實施方案中，電路區(qū)(即半導(dǎo)體薄膜區(qū)603A和布線區(qū)603B)是半導(dǎo)體薄膜603的形式，并且被焊接到第三襯底602上。因此，除了第一實施方案的優(yōu)點之外，還具有能夠選擇各種襯底材料的優(yōu)點。
第七實施方案下面描述根據(jù)本發(fā)明第七實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件700。有關(guān)復(fù)合半導(dǎo)體器件700中那些相同于第一實施方案復(fù)合半導(dǎo)體器件100的組成部分，不再贅述。下面將對不同于第一實施方案的電路區(qū)和半導(dǎo)體薄膜進行描述。
在第一實施方案中，電路區(qū)103被形成在不同于其中形成半導(dǎo)體薄膜105(具有發(fā)光區(qū)106)的區(qū)域的區(qū)域上，且電路區(qū)103被形成在硅襯底或硅薄膜上。與之形成對照的是，在第七實施方案中，電路區(qū)703被形成在包含非晶硅、多晶硅、或有機半導(dǎo)體材料之一作為主要材料的薄膜半導(dǎo)體中，或被形成在選自非晶硅、多晶硅、或有機半導(dǎo)體材料的多種半導(dǎo)體材料中。
圖16是復(fù)合半導(dǎo)體器件700的平面圖。圖17、18和19是各沿線17-17、18-18、19-19的復(fù)合半導(dǎo)體器件700的剖面圖。復(fù)合半導(dǎo)體器件700包括第四襯底702；用來控制第四襯底702上的發(fā)光元件的光發(fā)射的電路區(qū)703(作為電路元件)；形成在第四襯底702上的反射層704；半導(dǎo)體薄膜705；形成在半導(dǎo)體薄膜705上的多個發(fā)光區(qū)706；電連接反射層704和半導(dǎo)體層705的導(dǎo)電層707；控制各發(fā)光區(qū)706的光發(fā)射的各個電極708；與半導(dǎo)體薄膜705表面上的其它電極接觸層形成電接觸的連接布線709；與電路區(qū)703一起輸入和輸出驅(qū)動信號的連接焊點710；鈍化膜712；使反射層704與各個電極708彼此絕緣的層間絕緣膜713；以及電連接電路區(qū)703與反射層704的各個電極714。
第四襯底702由例如玻璃、塑料、金屬、陶瓷、或用于半導(dǎo)體薄膜705的半導(dǎo)體材料之外的半導(dǎo)體材料組成。
電路區(qū)703包含例如單晶硅、多晶硅、非晶硅、或有機半導(dǎo)體材料作為主要材料的薄膜半導(dǎo)體?；蛘撸娐穮^(qū)703由選自上述材料中的多種材料組成。
反射層704是例如金屬層。反射層704由Al、AlSiCu、NiAl、Ti、Cu、TiPtAu、AuGeNi、NiGe、Pd、CuAu、CrPd或NiPd之一或它們的任何組合以單層、疊層、或合金層的形式組成。在其中反射層704沒有導(dǎo)電層功能，而是提供額外布線來將電壓饋送到導(dǎo)電層707的結(jié)構(gòu)中，反射層704可以由金屬之外的其它材料組成。例如，反射層704可以由Si/SiO2或SiO2/TiO2的分層膜組成。或者，反射層704可以由低折射率材料/高折射率材料的分層膜組成。SiO2、CaF2、LiF、MgF2之類可以被用作低折射率材料。TiO2、CeO2、CdS、ZnS之類可以被用作高折射率材料。而且，反射層704可以由金屬/半導(dǎo)體的分層膜組成。
半導(dǎo)體薄膜705由例如相同于第一襯底的材料組成。進一步，如果第四襯底702由例如玻璃組成，則可以在玻璃襯底上形成半導(dǎo)體薄膜，并將半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)移到第四襯底702。而且，還可以在第四襯底702上形成導(dǎo)電層704，在導(dǎo)電層704上形成鈍化膜712，以及在鈍化膜712上焊接半導(dǎo)體薄膜705。電路區(qū)703被直接形成在第二襯底702上。
在上面構(gòu)成的復(fù)合半導(dǎo)體器件700中，電路區(qū)703(形成在半導(dǎo)體薄膜705之外的區(qū)域上)包含例如多晶硅、非晶硅、或有機半導(dǎo)體材料作為主要材料，或者由選自多晶硅、非晶硅、或有機半導(dǎo)體材料中的多種材料組成。于是，除了第一實施方案的優(yōu)點之外，還具有能夠一起形成電路區(qū)703的優(yōu)點，因而可以減輕制造工藝的勞動。
確切地說，如果利用多晶硅、非晶硅、或有機半導(dǎo)體材料之類將驅(qū)動電路提供在電路區(qū)中，則可能難以流動大電流，或者輸出的變化可能很大。但在本實施方案中，半導(dǎo)體薄膜705具有閘流管結(jié)構(gòu)，因而無需在形成于半導(dǎo)體薄膜705上的電路區(qū)703上提供驅(qū)動電路。因此，能夠簡化復(fù)合半導(dǎo)體器件700的整個結(jié)構(gòu)。
而且，當電路區(qū)703具有CMOS結(jié)構(gòu)時，能夠得到相同的優(yōu)點。
第八實施方案下面描述根據(jù)本發(fā)明第八實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件800。借助于將根據(jù)第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件100、200、300、400、500、600、700中的任何一個安裝到襯底，來形成第八實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件800。在第八實施方案中，為了便于描述，復(fù)合半導(dǎo)體器件800將被描述為包括安裝到襯底的第一實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件100。
圖20是復(fù)合半導(dǎo)體器件800的平面圖。圖21是復(fù)合半導(dǎo)體器件800沿圖20中的線21-21的剖面圖。復(fù)合半導(dǎo)體器件800包括復(fù)合半導(dǎo)體器件100和安裝有復(fù)合半導(dǎo)體器件100的安裝襯底801；與外部裝置一起輸入和輸出信號或電功率的連接器區(qū)802；電連接到連接器區(qū)802的布線區(qū)803；用來處理經(jīng)由連接器區(qū)802輸入的信號的連接焊點804；以及使連接焊點804與復(fù)合半導(dǎo)體器件100彼此電連接的焊接金屬絲805。
安裝襯底801包含例如玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷、塑料、或金屬作為主要材料。而且，安裝襯底801可以具有其中提供了布線區(qū)803的多層結(jié)構(gòu)。連接器區(qū)802被固定到安裝襯底801，并經(jīng)由布線區(qū)803和焊接金屬絲805被電連接到復(fù)合半導(dǎo)體器件100。連接焊點804被布置在安裝襯底801上，并將(在連接器區(qū)802處接收的)信號之類發(fā)送到復(fù)合半導(dǎo)體器件100。焊接金屬絲805電連接復(fù)合半導(dǎo)體器件100與布線區(qū)803。每一個焊接金屬絲805的一端被焊接到復(fù)合半導(dǎo)體器件100，而另一端被連接到連接焊點804。
利用上面構(gòu)成的復(fù)合半導(dǎo)體器件800，除了第一到第七實施方案的優(yōu)點之外，還具有可以控制更多的發(fā)光元件的優(yōu)點。
第九實施方案下面描述根據(jù)本發(fā)明第九實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件900。
圖22是復(fù)合半導(dǎo)體器件900的平面圖。復(fù)合半導(dǎo)體器件900包括復(fù)合半導(dǎo)體器件901；安裝有復(fù)合半導(dǎo)體器件901的安裝襯底902(作為第一襯底)；與外部裝置一起輸入和輸出信號或電功率的連接器區(qū)903；電連接到連接器區(qū)903的布線區(qū)904；形成在安裝襯底902上的電子部件安裝區(qū)905；以及用來控制復(fù)合半導(dǎo)體器件901的光發(fā)射的電路區(qū)906(作為電路元件)。
圖23是平面圖，示出了復(fù)合半導(dǎo)體器件900的位置布置。圖24是沿圖23中的線24-24的剖面圖。
除了上述結(jié)構(gòu)之外，復(fù)合半導(dǎo)體器件900還包括形成在安裝襯底902上的導(dǎo)電層907；電連接到導(dǎo)電層907的半導(dǎo)體薄膜908；形成在半導(dǎo)體薄膜908上的多個發(fā)光區(qū)909；形成在安裝襯底902上的反射層910(具有導(dǎo)電層的功能)；控制各發(fā)光區(qū)909的光發(fā)射的各個電極911；與半導(dǎo)體薄膜908表面上的其它電極接觸層形成電接觸的連接布線912；與電路區(qū)906一起輸入和輸出預(yù)定驅(qū)動信號的連接焊點913；鈍化膜914；具有絕緣性質(zhì)的層間絕緣層915；以及使電路區(qū)906與布線區(qū)904彼此電連接的輸入/輸出連接布線916。
有關(guān)復(fù)合半導(dǎo)體器件901中那些相同于第六和第七實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件600和700的組成部分，不再贅述。借助于在預(yù)定的第一襯底102上形成電路區(qū)103、導(dǎo)電層104、以及反射層107等來形成第一實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件100。與之形成對照的是，在本第九實施方案中，借助于將各組件安裝在安裝襯底902上來形成復(fù)合半導(dǎo)體器件901。
安裝襯底902由例如玻璃、塑料、金屬陶瓷、或用于半導(dǎo)體薄膜908的半導(dǎo)體材料之外的半導(dǎo)體材料組成。連接器區(qū)903被固定到安裝襯底902，并經(jīng)由電子部件安裝區(qū)905和布線區(qū)904被電連接到電路區(qū)906。布線區(qū)904使連接器區(qū)903與電路區(qū)906彼此電連接。電子部件安裝區(qū)905是其上安裝用來控制復(fù)合半導(dǎo)體器件901的電子部件的區(qū)域。電路區(qū)906是其上形成用來控制復(fù)合半導(dǎo)體器件901的光發(fā)射的電路元件的區(qū)域。
復(fù)合半導(dǎo)體器件901的各組件具有相同于第一實施方案所述的結(jié)構(gòu)，其省略重復(fù)解釋。
上面構(gòu)成的復(fù)合半導(dǎo)體器件900被構(gòu)造成半導(dǎo)體薄膜908、布線區(qū)904、以及連接器區(qū)903被布置在安裝襯底902上。因此，除了第六和第七實施方案所述的優(yōu)點之外，還具有可以取消在其它安裝襯底上安裝復(fù)合半導(dǎo)體器件900的工藝的優(yōu)點。
而且，如圖25所示，可以將復(fù)合半導(dǎo)體器件900布置在安裝襯底917上，從而形成多層布線結(jié)構(gòu)。在此情況下，連接器區(qū)903和電子部件安裝區(qū)905被形成在安裝襯底917上。
第十實施方案下面描述根據(jù)本發(fā)明第十實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件。
圖26是復(fù)合半導(dǎo)體器件的剖面圖。第十實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件920包括第二導(dǎo)電類型的具有電路區(qū)的第六襯底921(例如由單晶硅、多晶硅、或有機材料組成的)；第一導(dǎo)電類型的源層922；第一導(dǎo)電類型的漏層923；形成在源層922上的導(dǎo)電層924；形成在漏層923上的陽極電極925；半導(dǎo)體薄膜926；使第六襯底921與半導(dǎo)體薄膜926彼此絕緣的層間絕緣層927；將導(dǎo)電層924和半導(dǎo)體薄膜926彼此電連接的連接布線928；鈍化膜929；第二導(dǎo)電類型的陰極電極930；以及第二導(dǎo)電類型的柵電極931。
雖然省略了詳細描述，但利用源層922和漏層923，復(fù)合半導(dǎo)體器件920被構(gòu)造成CMOS結(jié)構(gòu)，且利用陽極電極925、陰極電極930、以及柵電極931，復(fù)合半導(dǎo)體器件920被構(gòu)造成閘流管結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體薄膜926包括第一導(dǎo)電類型的焊接層932(由例如GaAs組成)；第一導(dǎo)電類型的導(dǎo)電層933(由例如AlsGa1-sAs組成)；第一導(dǎo)電類型的接觸層934(由例如GaAs組成)；第一導(dǎo)電類型的蝕刻停止層935(由例如InGaP組成)；第一導(dǎo)電類型的分離層936(由例如GaAs組成)；第一導(dǎo)電類型的下覆層937(由例如AlxGa1-xAs組成)；第一導(dǎo)電類型的有源層938(由例如AlyGa1-yAs組成)；第二導(dǎo)電類型的上覆層938(由例如AlzGa1-zAs組成)；以及第二導(dǎo)電類型的接觸層940(由例如GaAs組成)。
在這方面，各半導(dǎo)體層的組分優(yōu)選滿足下列關(guān)系1≥x≥0；1≥z＞y≥0；以及s＞y。
由于復(fù)合半導(dǎo)體器件920如上被構(gòu)成，故能夠在半導(dǎo)體薄膜926中形成pn結(jié)，且復(fù)合半導(dǎo)體器件920構(gòu)成了整個閘流管結(jié)構(gòu)。因此，半導(dǎo)體薄膜的結(jié)構(gòu)能夠被簡化，并能夠降低成本。
也可以在接觸層934的背面上形成接觸而無需形成焊接層932和導(dǎo)電層933。在此情況下，能夠省略蝕刻停止層935和分離層936。因而能夠進一步降低半導(dǎo)體薄膜926的成本。
第十一實施方案下面描述根據(jù)本發(fā)明第十一實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件。
圖27是復(fù)合半導(dǎo)體器件950的平面圖，而圖28和29是分別沿圖27中的線28-28和線29-29的剖面圖。復(fù)合半導(dǎo)體器件950包括第二導(dǎo)電類型的(例如由單晶硅、多晶硅、非晶硅、或有機材料組成的)第六襯底951；形成在第六襯底951上的電路區(qū)952；形成在第六襯底951上的導(dǎo)電層953；形成在導(dǎo)電層953上的半導(dǎo)體薄膜954；形成在半導(dǎo)體薄膜954上的發(fā)光區(qū)955；將導(dǎo)電層953和半導(dǎo)體薄膜954彼此電連接的導(dǎo)電層956；將半導(dǎo)體薄膜954和電路區(qū)952彼此電連接的各個電極957；將導(dǎo)電層953和電路區(qū)952彼此電連接的布線區(qū)958；將各個電極957和電路區(qū)952彼此電連接的連接焊點959；將導(dǎo)電層956和電路區(qū)952彼此電連接的連接焊點960；用來驅(qū)動發(fā)光區(qū)955的集成電路961A和961B(即電路元件區(qū)961A和多層布線區(qū)961B)；具有絕緣性質(zhì)的層間絕緣層962；鈍化膜962；以及連接焊點964。半導(dǎo)體薄膜954的結(jié)構(gòu)與第十實施方案的半導(dǎo)體薄膜926相同，不再贅述。
集成電路961(即電路元件區(qū)961A和多層布線區(qū)961B)可以具有“pnpn”閘流管結(jié)構(gòu)，或者可以具有“pnp”或“npn”晶體管結(jié)構(gòu)。除了閘流管結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu)之外，集成電路961還可以具有CMOS集成電路。而且，集成電路961可以是CMOS集成電路。
上述復(fù)合半導(dǎo)體器件950構(gòu)成了整個閘流管結(jié)構(gòu)，因此，半導(dǎo)體薄膜954的結(jié)構(gòu)能夠被簡化。
而且，如在第十實施方案中那樣，也可以在接觸層934的背面上形成接觸而不需要形成焊接層932和導(dǎo)電層933。在此情況下，也能夠省略蝕刻停止層935和分離層936。利用這種結(jié)構(gòu)，能夠進一步降低半導(dǎo)體薄膜的成本。
第十二實施方案下面描述本發(fā)明的第十二實施方案。
圖30示出了根據(jù)第十二實施方案的一種打印頭。第十二實施方案的打印頭被用作電子照相打印機和復(fù)印機之類中的曝光裝置。更具體地說，如圖30所示，打印頭包括支持在預(yù)定基底部件20上的發(fā)光單元21(具有發(fā)光閘流管元件)。借助于將第一到第七實施方案以及第十實施方案中任何一個的復(fù)合半導(dǎo)體器件安裝在安裝襯底上，來構(gòu)成發(fā)光單元21。發(fā)光單元21包括線狀排列的各發(fā)光部分22以及布置在發(fā)光部分22上方的柱狀透鏡陣列23(即對發(fā)光部分22發(fā)射的光進行聚焦的光學(xué)元件)。柱狀透鏡陣列23包括許多柱狀光學(xué)透鏡，其光軸與發(fā)光單元21的發(fā)光部分22對準。柱狀透鏡陣列23被作為光學(xué)元件固定器的透鏡固定器24支持在預(yù)定位置處。發(fā)光單元21的發(fā)光部分22可以是半導(dǎo)體薄膜105、205、305、405、505、605、705、908、954中的任何一種。
透鏡固定器24被形成為覆蓋基底部件20和發(fā)光單元21?；撞考?0、發(fā)光單元21、以及透鏡固定器24被夾持器27夾持，并彼此相對被固定。夾持器27通過形成在基底部件20上的開口25和形成在透鏡固定器24上的開口26被插入。換言之，基底部件20和透鏡固定器24組成支持發(fā)光單元21(即復(fù)合半導(dǎo)體器件)和柱狀透鏡陣列23的支持框架。
在上面構(gòu)成的打印頭中，發(fā)光單元21所發(fā)射的光被柱狀透鏡陣列23聚焦，并被入射在預(yù)定的外部部件上。
如上所述，在本發(fā)明的第十二實施方案中，第一到第七實施方案以及第十實施方案中任何一個的復(fù)合半導(dǎo)體器件被用作發(fā)光單元21。因此，打印頭能夠被小型化，并能夠提高圖像的質(zhì)量。而且，根據(jù)本實施方案的打印頭，發(fā)光元件驅(qū)動電路所要求的各功能可以被分開，因而能夠根據(jù)驅(qū)動電路的技術(shù)規(guī)范來部分地降低成本。因此，能夠降低打印頭的成本，并能夠提高打印頭的性能。
第十三實施方案下面描述采用第九實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件的本發(fā)明第十三實施方案的打印頭。
圖31示出了根據(jù)第十三實施方案的一種打印頭。第十三實施方案的打印頭被用作電子照相打印機和復(fù)印機之類的曝光裝置。更具體地說，如圖31所示，打印頭包括支持在預(yù)定基底部件30上的復(fù)合半導(dǎo)體器件900(具有發(fā)光閘流管元件)。第九實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件900具有固定到預(yù)定基底部件30上的安裝襯底902(作為第一襯底)。柱狀透鏡陣列32(即對發(fā)光部分發(fā)射的光進行聚焦的光學(xué)元件)被布置在復(fù)合半導(dǎo)體器件900的半導(dǎo)體薄膜908的發(fā)光部分上方。如第十二實施方案的柱狀透鏡陣列23那樣，柱狀透鏡陣列32包括許多柱狀光學(xué)透鏡，其光軸與半導(dǎo)體薄膜908的發(fā)光部分對準，并被作為光學(xué)元件固定器的透鏡固定器33支持在預(yù)定位置處。
透鏡固定器33被形成為覆蓋基底部件30和復(fù)合半導(dǎo)體器件900?；撞考?0、復(fù)合半導(dǎo)體器件900、以及透鏡固定器33被夾持器36夾持，并彼此相對被固定。夾持器36通過形成在基底部件30上的開口34和形成在透鏡固定器33上的開口35被插入。換言之，基底部件30和透鏡固定器33組成支持半導(dǎo)體薄膜908(即復(fù)合半導(dǎo)體器件)和柱狀透鏡陣列32的支持框架。
上面構(gòu)成的本發(fā)明第十三實施方案的打印頭采用了第九實施方案的復(fù)合半導(dǎo)體器件900，因而能夠大幅度提高布線區(qū)的可靠性。
第十四實施方案下面描述本發(fā)明第十四實施方案的打印頭。在第十四實施方案的打印頭中，第十三實施方案的打印頭被修改以便使用光學(xué)透鏡。
圖32示出了根據(jù)第十四實施方案的一種打印頭。第十四實施方案的打印頭被用作電子照相打印機和復(fù)印機之類的曝光裝置。更具體地說，如圖32所示，打印頭包括支持在預(yù)定支持框架37和38上的(具有發(fā)光閘流管元件的)復(fù)合半導(dǎo)體器件900。復(fù)合半導(dǎo)體器件900具有固定到支持框架37和38上的安裝襯底902(作為第一襯底)，并利用插腳39將支持框架37和38彼此固定。光學(xué)透鏡40被安裝到安裝襯底902，以便得到其上安裝有光學(xué)透鏡40的復(fù)合半導(dǎo)體器件900。
在本發(fā)明第十四實施方案的打印頭中，復(fù)合半導(dǎo)體器件900具有光學(xué)透鏡，因而不需要提供透鏡固定器之類來夾持(第十一實施方案所述的)柱狀透鏡陣列。因此，打印頭的裝配變得容易，且打印頭的結(jié)構(gòu)可以是小而簡單。雖然在圖32中未示出，但根據(jù)本實施方案的打印頭，還可以恰當?shù)卦谥С挚蚣?7和38上提供散熱鰭。而且，根據(jù)第十四實施方案的打印頭，使用光功率補償數(shù)據(jù)補償來自打印頭的光功率以使得來自該打印頭的光功率均勻的控制電路、存儲光功率補償數(shù)據(jù)的存儲器、各發(fā)光元件發(fā)光所需的電源之類能夠被安置在打印頭外面(例如在其上安裝打印頭的成像裝置內(nèi))。
第十五實施方案下面描述本發(fā)明的第十五實施方案。根據(jù)第十二到第十四實施方案的打印頭，被用作根據(jù)第十五實施方案的成像裝置的打印頭。
根據(jù)第十五實施方案的成像裝置被構(gòu)造成借助于使調(diào)色劑粘附到預(yù)定的記錄媒質(zhì)而形成圖像，并可應(yīng)用于電子照相打印機或轉(zhuǎn)移型復(fù)印機。
圖33示出了根據(jù)第十五實施方案的成像裝置。如圖33所示，此成像裝置包括其中疊放(其上尚未打印圖像的)記錄媒質(zhì)P的紙盒2001。跳動輥2002被提供成與最上面的記錄媒質(zhì)P的表面相接觸。當跳動輥2002旋轉(zhuǎn)時，記錄媒質(zhì)P被逐個送出紙盒2001，并被送到供紙路徑。利用沿送紙路徑布置在跳動輥2002的下游側(cè)上的一對輥(壓緊輥2003和抵擋輥2004)以及另一對輥(壓緊輥2005和抵擋輥2006)的旋轉(zhuǎn)，來饋送記錄媒質(zhì)P。記錄媒質(zhì)P被夾在壓緊輥2003與抵擋輥2004之間，然后被夾在壓緊輥2005與抵擋輥2006之間，以便修正記錄媒質(zhì)P的歪斜，然后，記錄媒質(zhì)P被送到處理單元2007Y、2007M、2007C、以及2007B。
處理單元2007Y、2007M、2007C、以及2007B被安置在壓緊輥2005與抵擋輥2006的下游側(cè)上。處理單元2007Y、2007M、2007C、以及2007B形成黃色(Y)、品紅色(M)、藍綠色(C)、以及黑色(B)4種顏色的圖像，并沿送紙路徑從上游側(cè)到下游側(cè)的順序而排列。處理單元2007Y、2007M、2007C、以及2007B具有相同的結(jié)構(gòu)，因而它們被統(tǒng)稱為處理單元2007，以下將加以描述。
處理單元2007具有由未示出的驅(qū)動源或齒輪沿記錄媒質(zhì)P的饋送方向旋轉(zhuǎn)的光敏鼓2007a(即圖像載體)。沿光敏鼓2007a的周圍，沿光敏鼓2007a的旋轉(zhuǎn)方向按從上游到下游的順序安置了對光敏鼓2007a的表面均勻地充電的充電裝置2007b以及用光對(被充電裝置2007b充電的)光敏鼓2007a的表面進行照射以便在其上形成潛像的曝光裝置2007c。第十二到第十四實施方案所述的打印頭可以被用作曝光裝置2007c。處理單元2007還包括將調(diào)色劑饋送到其上形成潛像的光敏鼓2007a表面以便形成調(diào)色劑圖像的顯影裝置2007d以及清除保留在光敏鼓2007a表面上的殘留調(diào)色劑的清洗裝置2007e。
此成像裝置還包括與印像單元2007的光敏鼓2007a相對的轉(zhuǎn)移輥2008。轉(zhuǎn)移輥2008由半導(dǎo)體橡膠之類組成。在這些成像裝置中，在各光敏鼓2007a與相應(yīng)的轉(zhuǎn)移輥2008的表面之間產(chǎn)生電位差，以便使光敏鼓2007a上的調(diào)色劑粘附到記錄媒質(zhì)P。
此成像裝置還包括處理單元2007Y、2007M、2007C、以及2007B下游側(cè)上的固定裝置2009。固定裝置2009包括沿饋送記錄媒質(zhì)P的方向旋轉(zhuǎn)的加熱輥以及與加熱輥表面相接觸而旋轉(zhuǎn)的墊輥。固定裝置2009被構(gòu)造成將記錄媒質(zhì)P夾在加熱輥與墊輥之間，以便對記錄媒質(zhì)P進行加熱和加壓，從而將(已經(jīng)被轉(zhuǎn)移到記錄媒質(zhì)P的)調(diào)色劑圖像固定到記錄媒質(zhì)P。
上面構(gòu)成的成像裝置以預(yù)定的饋送速度將記錄媒質(zhì)P送到處理單元2007，處理單元2007于是在記錄媒質(zhì)P上形成圖像。更具體地說，當記錄媒質(zhì)P被饋送，且當圖像信號被輸入到印像單元2007時，成像裝置使曝光裝置2007c的發(fā)光元件(未示出)用光對(被充電裝置2007b充電的)光敏鼓2007a的表面進行照射，從而在光敏鼓2007a的表面上形成潛像。然后，成像裝置使儲存在處理單元2007中的調(diào)色劑粘附到潛像，并利用轉(zhuǎn)移輥2008將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)移到記錄媒質(zhì)P。
成像裝置使記錄媒質(zhì)P依次通過印像單元2007Y、2007M、2007C、以及2007B，并分別執(zhí)行上述操作，結(jié)果，各顏色的調(diào)色劑圖像就被轉(zhuǎn)移到記錄媒質(zhì)P。
而且，當未固定的調(diào)色劑已經(jīng)轉(zhuǎn)移到其上的記錄媒質(zhì)P被送到固定裝置2009時，成像裝置使固定裝置2009將調(diào)色劑圖像固定到記錄媒質(zhì)P。然后，成像裝置使(設(shè)置在固定裝置2009下游的)壓緊輥2010、走紙輥2011、壓緊輥2012、以及走紙輥2013旋轉(zhuǎn)，以便將記錄媒質(zhì)P送到記錄媒質(zhì)堆放部分2014。
于是，成像裝置就在記錄媒質(zhì)P上形成了彩色圖像。
如上所述，根據(jù)第十五實施方案的成像裝置采用了根據(jù)第十二到第十四實施方案的打印頭作為曝光裝置2007C。因此，可以提高空間效率，提高圖像質(zhì)量，以及降低制造成本。
本發(fā)明不局限于上述各實施方案。例如，在上述各實施方案中，復(fù)合半導(dǎo)體器件被描述為可應(yīng)用于打印頭。但本發(fā)明不局限于諸如發(fā)光閘流管之類的發(fā)光元件，還可以被應(yīng)用于對任意有源元件進行控制的任何元件。而且，本發(fā)明可應(yīng)用于諸如半導(dǎo)體激光器之類的任意發(fā)光元件。
而且，在本發(fā)明中，半導(dǎo)體薄膜的上述導(dǎo)電類型可以被修改。更具體地說，n型可以被改變成p型，且p型可以被改變成n型。而且，有源層的導(dǎo)電類型可以被恰當?shù)匦薷某芍T如n型、p型、不摻雜之類的各種類型。
而且，在上述各實施方案中，半導(dǎo)體薄膜的第一半導(dǎo)體材料組被描述為GaAs、AlGaAs、AlGaAsP。但在本發(fā)明中，半導(dǎo)體薄膜可以包括諸如GaN、AlGaN、InGaN、InAlN、InN、AlN之類的氮化物基半導(dǎo)體材料之一或它們的任何組合。
此外，在上述各實施方案中，發(fā)光元件的結(jié)結(jié)構(gòu)被描述為雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。但本發(fā)明不局限于雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，也可以采用單異質(zhì)結(jié)或同質(zhì)結(jié)。
此外，在上述各實施方案中，復(fù)合半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體薄膜被描述為發(fā)光外延膜。但本發(fā)明也可以被應(yīng)用于任何發(fā)光元件，還可以采用光接收元件來代替發(fā)光元件。其它變種也可以被采用。
而且，打印頭和成像裝置的構(gòu)造不局限于圖30-38所示的那些，可以采用任何構(gòu)造。
在上述各實施方案中，半導(dǎo)體器件(即半導(dǎo)體薄膜)具有3個端子(即第一、第二、以及第三接觸層)，并構(gòu)成閘流管結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu)。因此，有可能簡化連接到半導(dǎo)體器件的控制電路元件的結(jié)構(gòu)。而且，由于半導(dǎo)體器件由半導(dǎo)體薄膜組成，且半導(dǎo)體器件和外部裝置可以經(jīng)由薄膜布線而彼此連接，故金屬絲焊接變得沒有必要。于是就可以減少用于金屬絲焊接的連接焊點。結(jié)果就能夠降低半導(dǎo)體器件和控制電路元件的成本。
而且，具有三端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件使得能夠簡化連接到半導(dǎo)體器件的控制電路元件的結(jié)構(gòu)。而且，(用來控制復(fù)合半導(dǎo)體器件的發(fā)光區(qū)的光發(fā)射的)控制電路能夠被提供在復(fù)合半導(dǎo)體器件的外面，結(jié)果就能夠降低復(fù)合半導(dǎo)體器件的成本。
雖然已經(jīng)詳細地描述了本發(fā)明的各優(yōu)選實施方案，但顯然，可以對本發(fā)明作出各種修改和改進而不偏離下列權(quán)利要求所述的本發(fā)明的精神與范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有各半導(dǎo)體層的分層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括發(fā)光層，該發(fā)光層是第一導(dǎo)電類型、第二導(dǎo)電類型、或不摻雜類型；第二導(dǎo)電類型的第一接觸層，該第一接觸層被布置在所述發(fā)光層上方，經(jīng)由預(yù)定的接觸對所述第一接觸層提供電壓；第二導(dǎo)電類型的第二接觸層，該第二接觸層被布置在所述發(fā)光層下方，經(jīng)由預(yù)定的接觸對所述第二接觸層提供電壓；第一或第二導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層，該第一蝕刻停止層被布置在所述發(fā)光層下方和所述第二接觸層上方，所述第一蝕刻停止層允許對所述第二接觸層進行選擇性蝕刻；以及第一導(dǎo)電類型的第三接觸層，該第三接觸層被布置在所述第二接觸層下方，經(jīng)由預(yù)定的接觸對所述第三接觸層提供電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括第一導(dǎo)電類型的第二蝕刻停止層，該第二蝕刻停止層被布置在所述第二接觸層下方和所述第三接觸層上方，所述第二蝕刻停止層允許對所述第三接觸層進行選擇性蝕刻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層被布置在所述發(fā)光層下方和所述第一蝕刻停止層上方，所述第一半導(dǎo)體層的能帶隙大于所述發(fā)光層的能帶隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層，該第二半導(dǎo)體層被布置在所述發(fā)光層上方和所述第一接觸層下方，所述第二半導(dǎo)體層的能帶隙大于所述發(fā)光層的能帶隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，還包括第三半導(dǎo)體層，該第三半導(dǎo)體層被布置在所述第二接觸層下方和所述第二蝕刻停止層上方，所述第三半導(dǎo)體層的能帶隙大于所述發(fā)光層的能帶隙。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層，該第四半導(dǎo)體層被布置在所述第三接觸層下方，所述第四半導(dǎo)體層的能帶隙大于所述發(fā)光層的能帶隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述分層結(jié)構(gòu)的所述半導(dǎo)體層由化合物半導(dǎo)體層組成。
8.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，該復(fù)合半導(dǎo)體器件包括具有預(yù)定集成電路的第一襯底以及具有電連接到所述集成電路的發(fā)光元件的半導(dǎo)體器件，所述發(fā)光元件包括發(fā)光層，該發(fā)光層是第一導(dǎo)電類型、第二導(dǎo)電類型、或不摻雜類型；第二導(dǎo)電類型的第一接觸層，該第一接觸層被布置在所述發(fā)光層上方，經(jīng)由預(yù)定的接觸對所述第一接觸層提供電壓；第二導(dǎo)電類型的第二接觸層，該第二接觸層被布置在所述發(fā)光層下方，經(jīng)由預(yù)定的接觸對所述第二接觸層提供電壓；第一或第二導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層，該第一蝕刻停止層被布置在所述發(fā)光層下方和所述第二接觸層上方，所述第一蝕刻停止層允許對所述第二接觸層進行選擇性蝕刻；以及第一導(dǎo)電類型的第三接觸層，該第三接觸層被布置在所述第二接觸層下方，經(jīng)由預(yù)定的接觸對所述第三接觸層提供電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件是薄膜半導(dǎo)體。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件是用外延生長方法形成在不同于所述第一襯底的襯底上的薄膜半導(dǎo)體，該薄膜半導(dǎo)體分隔于或剝離于所述襯底。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的復(fù)合半導(dǎo)體器件，還包括第一導(dǎo)電類型的第二蝕刻停止層，該第二蝕刻停止層被布置在所述第二接觸層下方和所述第三接觸層上方，所述第二蝕刻停止層允許對所述第三接觸層進行選擇性蝕刻。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的復(fù)合半導(dǎo)體器件，還包括第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層被布置在所述發(fā)光層下方和所述第一蝕刻停止層上方，所述第一半導(dǎo)體層的能帶隙大于所述發(fā)光層的能帶隙。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的復(fù)合半導(dǎo)體器件，還包括第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層，該第二半導(dǎo)體層被布置在所述發(fā)光層上方和所述第一接觸層下方，所述第二半導(dǎo)體層的能帶隙大于所述發(fā)光層的能帶隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的復(fù)合半導(dǎo)體器件，還包括第三半導(dǎo)體層，該第三半導(dǎo)體層被布置在所述第二接觸層下方和所述第二蝕刻停止層上方，所述第三半導(dǎo)體層的能帶隙大于所述發(fā)光層的能帶隙。
15.根據(jù)權(quán)利要求8的復(fù)合半導(dǎo)體器件，還包括第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層，該第四半導(dǎo)體層被布置在所述第三接觸層下方，所述第四半導(dǎo)體層的能帶隙大于所述發(fā)光層的能帶隙。
16.根據(jù)權(quán)利要求8的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件的各半導(dǎo)體層由化合物半導(dǎo)體層組成。
17.根據(jù)權(quán)利要求8的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第一襯底是單晶硅襯底，所述半導(dǎo)體器件粘附于該襯底上。
18.根據(jù)權(quán)利要求8的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第一襯底和所述第一半導(dǎo)體器件被布置在絕緣材料上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第一襯底由多晶硅、非晶硅、或有機半導(dǎo)體之一組成。
20.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，其包括布置在預(yù)定的第一襯底上的電路元件，所述電路元件執(zhí)行預(yù)定的控制，和其基底材料是第二襯底的半導(dǎo)體薄膜，所述半導(dǎo)體薄膜包括發(fā)射光的發(fā)光區(qū)，以及具有3個用于控制來自所述發(fā)光區(qū)的光發(fā)射的端子的三端元件，其中所述電路元件經(jīng)由所述三端元件控制著所述發(fā)光區(qū)的光發(fā)射。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體薄膜包括多個第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層和多個第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層，且其中所述多個第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層和所述多個第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層被分層以形成閘流管結(jié)構(gòu)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第一和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層包括不摻雜類型的半導(dǎo)體層，其中所述發(fā)光區(qū)被形成在所述閘流管結(jié)構(gòu)中的所述第一或第二導(dǎo)電類型或者所述不摻雜類型的所述半導(dǎo)體層組成的pn結(jié)上，其中所述閘流管結(jié)構(gòu)還包括由不同于形成所述發(fā)光區(qū)的所述半導(dǎo)體層的所述第一或第二導(dǎo)電類型或者所述不摻雜類型的至少一種半導(dǎo)體層組成的pn結(jié)區(qū)，且其中形成所述發(fā)光區(qū)的所述半導(dǎo)體層的能帶隙Eg1以及形成所述pn結(jié)區(qū)的所述至少一種半導(dǎo)體層的較大的能帶隙Eg2滿足下列關(guān)系Eg1＜Eg2。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中形成所述pn結(jié)區(qū)的所述半導(dǎo)體層由間接躍遷半導(dǎo)體組成。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中形成所述發(fā)光區(qū)的所述半導(dǎo)體層由化合物半導(dǎo)體組成。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述化合物半導(dǎo)體層包括AlxGa1-xAs、AlxGayAs1-x-yP、AlxGayIn1-x-yP、GaN、InxGa1-xN、InxAl1-xN、AlxGa1-xN、GaAs1-xNx、InAs1-xNx、InP1-xNx、InxGa1-xAs1-yNy、InP1-x-yAsxNy、GaP1-x-yAsNy、InxAl1-xN的其中至少之一。
26.根據(jù)權(quán)利要求21的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中構(gòu)成所述發(fā)光區(qū)的所述半導(dǎo)體層由氧化物半導(dǎo)體層組成。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述氧化物半導(dǎo)體層至少包括ZnO。
28.根據(jù)權(quán)利要求20的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體薄膜包括多個經(jīng)由預(yù)定接觸被提供電壓的接觸層以及一個能夠?qū)χ辽偎龈鹘佑|層之一進行選擇性蝕刻的蝕刻停止層，其中所述3個端子分別被電連接到彼此不同的所述多個接觸層。
29.根據(jù)權(quán)利要求20的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第一襯底由單晶硅組成。
30.根據(jù)權(quán)利要求20的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體薄膜被焊接到所述第一襯底上的預(yù)定焊接區(qū)上。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述焊接區(qū)不同于形成有所述電路元件的電路元件區(qū)。
32.根據(jù)權(quán)利要求30的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述焊接區(qū)與形成有所述電路元件的電路元件區(qū)部分地重疊。
33.根據(jù)權(quán)利要求20的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述發(fā)光區(qū)包括多個發(fā)光元件，各發(fā)光元件的每一個通過對半導(dǎo)體加電而發(fā)光，且其中所述發(fā)光元件被排列成行。
34.根據(jù)權(quán)利要求33的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述發(fā)光元件以恒定的間距排列。
35.根據(jù)權(quán)利要求34的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述發(fā)光元件和所述電路元件經(jīng)由預(yù)定的薄膜材料被彼此電連接。
36.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，其包括具有執(zhí)行預(yù)定控制的電路元件的半導(dǎo)體層，以及形成在不同于所述第三襯底的襯底上半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件被轉(zhuǎn)移到所述第三襯底，所述半導(dǎo)體器件包括發(fā)射光的發(fā)光區(qū)，以及具有3個用于控制所述發(fā)光區(qū)的光發(fā)射的端子的三端元件，其中所述電路元件經(jīng)由所述三端元件控制所述發(fā)光區(qū)的光發(fā)射。
37.根據(jù)權(quán)利要求36的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件是薄膜半導(dǎo)體層。
38.根據(jù)權(quán)利要求36的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中具有所述電路元件的所述半導(dǎo)體層由單晶硅組成。
39.根據(jù)權(quán)利要求36的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中具有所述電路元件的所述半導(dǎo)體層由多晶硅或非晶硅組成。
40.根據(jù)權(quán)利要求36的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中具有所述電路元件的所述半導(dǎo)體層由有機材料組成。
41.根據(jù)權(quán)利要求36的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件具有閘流管結(jié)構(gòu)，其中至少多個第一和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層被分層。
42.根據(jù)權(quán)利要求36的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第三襯底由玻璃組成。
43.根據(jù)權(quán)利要求36的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第三襯底由有機材料組成。
44.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，其包括布置在預(yù)定的第四襯底上的電路元件，所述電路元件執(zhí)行預(yù)定的控制，以及其基底材料是第五襯底的半導(dǎo)體薄膜，所述半導(dǎo)體薄膜被轉(zhuǎn)移到所述第四襯底上，其中所述半導(dǎo)體薄膜包括多個發(fā)射光的發(fā)光區(qū)，且其中所述電路元件由相同于所述第四襯底的材料組成，并且該電路元件被電連接到所述發(fā)光區(qū)以便控制所述發(fā)光區(qū)的光發(fā)射。
45.根據(jù)權(quán)利要求44的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述電路元件由單晶硅組成。
46.根據(jù)權(quán)利要求44的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體薄膜包括具有3個端子的三端元件。
47.根據(jù)權(quán)利要求44的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體薄膜具有閘流管結(jié)構(gòu)的閘流管構(gòu)造主體。
48.根據(jù)權(quán)利要求44的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述發(fā)光區(qū)具有發(fā)射光的發(fā)光元件，和其中所述發(fā)光元件和所述電路元件經(jīng)由預(yù)定的薄膜材料彼此電連接。
49.根據(jù)權(quán)利要求44的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述電路元件具有使用CMOS結(jié)構(gòu)的集成電路。
50.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，其包括預(yù)定的第六襯底；形成在所述第六襯底上的第七半導(dǎo)體層，所述第七半導(dǎo)體層具有多個發(fā)光部分，以及第八半導(dǎo)體層，該第八半導(dǎo)體層具有用來控制所述發(fā)光區(qū)的光發(fā)射的電路元件，其中所述電路元件順序開通所述多個發(fā)光區(qū)。
51.根據(jù)權(quán)利要求50的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第六襯底由單晶硅組成，且所述第八半導(dǎo)體層被包括在所述第六襯底內(nèi)。
52.根據(jù)權(quán)利要求50的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第八半導(dǎo)體層由薄膜半導(dǎo)體層組成。
53.根據(jù)權(quán)利要求50的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第八半導(dǎo)體層由單晶硅組成。
54.根據(jù)權(quán)利要求50的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第八半導(dǎo)體層由多晶硅或非晶硅組成。
55.根據(jù)權(quán)利要求50的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述電路元件具有CMOS結(jié)構(gòu)。
56.根據(jù)權(quán)利要求50的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第八半導(dǎo)體層由有機半導(dǎo)體材料組成。
57.根據(jù)權(quán)利要求50的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第六襯底由玻璃組成。
58.根據(jù)權(quán)利要求50的復(fù)合半導(dǎo)體器件，其中所述第六襯底由有機材料組成。
59.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，其包括預(yù)定的安裝襯底；布置在所述安裝襯底上的根據(jù)權(quán)利要求20的所述復(fù)合半導(dǎo)體器件；形成在所述安裝襯底上的用來從外部接收預(yù)定信號的連接器區(qū)；和形成在所述安裝襯底上的用來將所述連接器區(qū)接收的所述信號傳輸?shù)剿鰪?fù)合半導(dǎo)體器件的布線區(qū)。
60.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，其包括預(yù)定的安裝襯底；布置在所述安裝襯底上的根據(jù)權(quán)利要求36的所述復(fù)合半導(dǎo)體器件；形成在所述安裝襯底上的用來從外部接收預(yù)定信號的連接器區(qū)；和形成在所述安裝襯底上的用來將所述連接器區(qū)接收的所述信號傳輸?shù)剿鰪?fù)合半導(dǎo)體器件的布線區(qū)。
61.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，其包括預(yù)定的安裝襯底；布置在所述安裝襯底上的根據(jù)權(quán)利要求44的所述復(fù)合半導(dǎo)體器件；形成在所述安裝襯底上的用來從外部接收預(yù)定信號的連接器區(qū)；和形成在所述安裝襯底上的用來將所述連接器區(qū)接收的所述信號傳輸?shù)剿鰪?fù)合半導(dǎo)體器件的布線區(qū)。
62.一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，其包括預(yù)定的安裝襯底；布置在所述安裝襯底上的根據(jù)權(quán)利要求50的所述復(fù)合半導(dǎo)體器件；形成在所述安裝襯底上的用來從外部接收預(yù)定信號的連接器區(qū)；和形成在所述安裝襯底上的用來將所述連接器區(qū)接收的所述信號傳輸?shù)剿鰪?fù)合半導(dǎo)體器件的布線區(qū)。
63.一種打印頭，其包括根據(jù)權(quán)利要求59的所述復(fù)合半導(dǎo)體器件，對所述復(fù)合半導(dǎo)體器件發(fā)射的光進行聚焦的透鏡，以及支持所述透鏡的支持框架。
64.一種打印頭，其包括根據(jù)權(quán)利要求60的所述復(fù)合半導(dǎo)體器件，對所述復(fù)合半導(dǎo)體器件發(fā)射的光進行聚焦的透鏡，以及支持所述透鏡的支持框架。
65.一種打印頭，其包括根據(jù)權(quán)利要求61的所述復(fù)合半導(dǎo)體器件，對所述復(fù)合半導(dǎo)體器件發(fā)射的光進行聚焦的透鏡，以及支持所述透鏡的支持框架。
66.一種打印頭，其包括根據(jù)權(quán)利要求62的所述復(fù)合半導(dǎo)體器件，對所述復(fù)合半導(dǎo)體器件發(fā)射的光進行聚焦的透鏡，以及支持所述透鏡的支持框架。
67.一種成像裝置，其包括根據(jù)權(quán)利要求63的打印頭。
68.一種成像裝置，其包括根據(jù)權(quán)利要求64的打印頭。
69.一種成像裝置，其包括根據(jù)權(quán)利要求65的打印頭。
70.一種成像裝置，其包括根據(jù)權(quán)利要求66的打印頭。
71.根據(jù)權(quán)利要求67的成像裝置，還包括用來對所述打印頭的所述復(fù)合半導(dǎo)體器件提供預(yù)定電功率的電源。
72.根據(jù)權(quán)利要求67的成像裝置，還包括用來使用光功率補償數(shù)據(jù)補償來自所述打印頭的光功率以使得來自該打印頭的光功率均勻的控制電路。
73.根據(jù)權(quán)利要求67的成像裝置，還包括用來儲存所述補償信息的儲存單元。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件包括第一導(dǎo)電類型、第二導(dǎo)電類型、或不摻雜類型的發(fā)光層；第二導(dǎo)電類型的第一接觸層，該第一接觸層被布置在發(fā)光層上并且經(jīng)由預(yù)定的接觸對其提供電壓；第二導(dǎo)電類型的第二接觸層，該第二接觸層被布置在發(fā)光層下方并且經(jīng)由預(yù)定的接觸對其提供電壓；第一或第二導(dǎo)電類型的第一蝕刻停止層，該第一蝕刻停止層被布置在發(fā)光層下方和第二接觸層上方；以及第一導(dǎo)電類型的第三接觸層，該第三接觸層被布置在第二接觸層下方并且經(jīng)由預(yù)定的接觸對其提供電壓。
文檔編號G03G15/00GK1941440SQ200610142040
公開日2007年4月4日 申請日期2006年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者荻原光彥, 藤原博之, 武藤昌孝, 鈴木貴人, 豬狩友希 申請人:沖數(shù)據(jù)株式會社