專利名稱：剝離劑的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般涉及從基材上去除聚合材料的領域。具體來說，本發(fā)明涉及從電子器件上除去蝕刻后殘余物的組合物和方法。
背景技術：
制造電子器件的過程中使用了許多包含聚合物的材料，例如光刻膠、焊接掩模、減反射涂層和下層。例如，正性光刻膠被沉積在基材上。使光刻膠暴露于具有圖案的光化輻射。暴露的區(qū)域被合適的顯影液溶解。通過這樣在光刻膠中形成圖案之后，通過例如等離子體蝕刻將圖案轉移到基材上。在蝕刻步驟中，會在沿被蝕刻細部的壁和沿光刻膠細部側壁形成等離子蝕刻殘余物。在蝕刻步驟之后，通常要從基材上完全除去光刻膠和蝕刻殘余物，以免對以后的操作或處理步驟產(chǎn)生不利影響或阻礙。即使在將要進一步形成圖案的區(qū)域部分地殘余光刻膠也是不希望有的。而且，具有圖案的細部之間不希望有的殘余物還會對隨后的膜沉積過程(例如金屬化)造成有害影響，或者造成不希望有的表面狀態(tài)和電荷，從而導致器件性能降低。
在等離子體蝕刻、活性離子蝕刻或離子銑之類的蝕刻步驟中，光刻膠須經(jīng)受一些條件，使其難以去除。在等離子體蝕刻過程中，等離子體氣體中的碳氟化合物在被蝕刻的各種細部的側壁上、以及光刻膠圖案本身上形成難以去除的聚合殘余物。該聚合殘余物可包括有機金屬聚合物殘余物，其由于蝕刻室內高真空和高溫的條件而廣泛交聯(lián)，而且通常包含金屬。已知的清潔方法除去這些聚合殘余物的能力是人們不能接收的。
氟化物基去除劑(remover)通常被用來去除這種等離子體蝕刻后的殘余物。美國專利第6,896,826號(Wojtczak等)揭示了一種包含氟化物源、有機胺、含氮羧酸和水的組合物。該專利中的含氮羧酸結合在銅表面，形成保護層，防止銅表面被組合物中的其他組分腐蝕。
在一些集成電路制造過程中，需要在例如從銅表面除去氧化銅的時候除去一定量的銅。盡管氟化物基去除劑可以有效地去除各種聚合殘余物，但是該去除劑無法在不造成對銅的過度蝕刻的前提下有效控制對銅的去除，會對基材上的介電層造成過度蝕刻，可能需要在制造過程所需的工藝范圍(process window)以外的溫度操作，可能沒有足夠長的處理浴壽命(bath life)來為有成本效益的過程提供足夠的處理時間和/或處理量，或者可能無法有效地除去所有種類的等離子體蝕刻后的殘余物。
人們仍然需要滿足以下條件的去除劑，特別是等離子體蝕刻后聚合物的去除劑能夠從基材上有效去除聚合材料，能夠受控地去除銅，特別是氧化銅。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種用來從基材上除去聚合材料的組合物，該組合物包含(a)0.05-5重量％的氟化物源(fluoride source)；(b)40-95重量％的有機溶劑；(c)5-50重量％的水；和(d)可溶于醇的含氮羧酸，該羧酸在25℃的水溶解度≥25克/100克水。在一個實施方式中，所述有機溶劑是多元醇和醚的混合物。該組合物的pH值通常為3-8。在另一實施方式中，pH值為4-7。
另外，本發(fā)明提供一種從基材去除聚合殘余物的方法，該方法包括以下步驟使包括聚合殘余物的基材與上述組合物接觸足以除去聚合殘余物的一段時間。
具體實施例方式
在本說明書全文中，以下縮寫的含義如下nm＝納米；g＝克；g/L＝克/升；μm＝微米；ppm＝百萬分之(幾)；℃＝攝氏度；重量％＝重量百分數(shù)；＝埃；cm＝厘米；min＝分鐘；AF＝氟化銨；ABF＝氟化氫銨；TMAF＝氟化四甲基銨；IZ＝咪唑；TEOA＝三乙醇胺；DPM＝二丙二醇單甲醚；PGP＝丙二醇正丙醚；PGM＝丙二醇單甲醚；MPD＝2-甲基-1，3-丙二醇；PDO＝1，3-丙二醇；PG＝丙二醇；EG＝乙二醇；DAP＝1，3-二氨基丙烷；DBU＝1，8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]十一碳-7-烯。
在本說明書全文中，術語“剝離”和“去除”可互換使用。同樣，術語“剝離劑(stripper)”和“去除劑”可互換使用?！巴榛北硎局辨溚榛?、支鏈烷基和環(huán)烷基。術語“取代的烷基”表示一個或多個氫原子被另一個取代基取代的烷基，所述取代基是例如鹵素，氰基，硝基，(C1-C6)烷氧基，巰基，(C1-C6)烷硫基等。術語“部分”表示化合物的一部分。
不定冠詞“一個”和“一種”同時包括單數(shù)和復數(shù)的情況。所有的范圍都包括端值而且可以以任意順序組合，除非很明顯這些數(shù)字范圍不得不總計為100％。
可用于本發(fā)明的組合物包含(a)0.05-5重量％的氟化物源；(b)40-95重量％的有機溶劑；(c)5-50重量％的水；(d)可溶于醇的含氮羧酸，該羧酸在25℃的水溶解度≥25克/100克。
可將許多種氟化物源用于本發(fā)明。在一個實施方式中，氟化物源的通式為R1R2R3R4N+F-，式中R1，R2，R3和R4獨立地選自氫，(C1-C10)烷基，以及取代的(C1-C10)烷基。其他合適的氟化物源包括氟化氫銨，二氟化銨-四烷基銨，氟硼酸銨和氟硼酸。本領域技術人員可以理解，可使用氟化物源的混合物，例如氟化銨和氟化氫銨的混合物。在一個實施方式中，氟化物源選自氟化銨，氟化氫銨，氟化四烷基銨，二氟化銨-四烷基銨及其混合物。示例性的氟化四烷基銨化合物包括，但不限于氟化四甲基銨和氟化四丁基銨。在一個具體實施方式
中，氟化物源選自氟化銨，氟化氫銨及其混合物。
在本發(fā)明的組合物中，以組合物的總重量為基準計，氟化物源的含量通常為0.05-5重量％，優(yōu)選0.1-5重量％，更優(yōu)選0.5-3.5重量％。本領域技術人員能夠理解，本發(fā)明組合物中氟化物源的含量可以更高，例如高達10重量％，甚至更高。氟化物源通?？梢栽谑袌錾腺彽?，可以不經(jīng)進一步提純而使用。
可將許多種有機溶劑用于本發(fā)明。這些有機溶劑可與水混溶，對水解穩(wěn)定，不會降低本發(fā)明組合物的穩(wěn)定性。示例性的有機溶劑包括但不限于包括多元醇在內的醇；酯；包括二醇醚的醚；酮；醛；極性非質子溶劑，例如二甲亞砜、四氫噻吩砜(或環(huán)丁砜)，以及二氧化二甲基硫；氨基醇，例如氨乙基氨基乙醇；N-(C1-C10)烷基吡咯烷酮，例如N-甲基吡咯烷酮；酰胺，例如二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺；和胺。在一個實施方式中，本發(fā)明組合物不含極性非質子溶劑。在另一實施方式中，本發(fā)明的組合物不含酰胺溶劑。
也可使用有機溶劑的混合物。在一個實施方式中，所述有機溶劑是醇與醚的混合物。更具體來說，該有機溶劑是多元醇與醚的混合物。
可用于本發(fā)明的多元醇是能夠與水溶混，而且不會使所述組合物不穩(wěn)定的任何多元醇。術語“多元醇”表示包含兩個或更多個羥基的醇。合適的多元醇包括脂肪族多元醇，例如(C2-C20)鏈烷二醇、取代的(C2-C20)鏈烷二醇、(C2-C20)鏈烷三醇和取代的(C2-C20)鏈烷三醇。本領域技術人員應當能夠理解，可將一種以上的多元醇用于本發(fā)明。合適的脂肪族多元醇化合物包括，但不限于乙二醇、二羥基丙烷(例如1，3-丙二醇和1，2-丙二醇)、二甘醇、二丙二醇、三甘醇、三丙二醇、2-甲基-1，3-丙二醇、丁二醇、戊二醇、己二醇、和甘油。在一個實施方式中，所述多元醇選自1，3-丙二醇，1，2-丙二醇，2-甲基-1，3-丙二醇，丁二醇和戊二醇。多元醇通?？梢栽谑袌錾腺彽茫缳徸訟ldrich(美國威斯康辛州，密爾沃基)，可以不經(jīng)進一步提純而使用。
可用于本發(fā)明的醚是可與水混溶，可與多元醇相容，而且不會使組合物不穩(wěn)定化的任意的醚?？梢詫⒃S多種醚溶劑用于本發(fā)明的組合物。合適的醚溶劑包含至少一個醚鍵，可包含一個或多個其他基團，例如羥基，氨基，酰氨基，酮基和鹵素。合適的醚包括但不限于二醇單(C1-C6)烷基醚和二醇二(C1-C6)烷基醚，例如，(C2-C20)鏈烷二醇(C1-C6)烷基醚和(C2-C20)鏈烷二醇二(C1-C6)烷基醚。示例性的醚包括，但不限于乙二醇單甲醚、二甘醇單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇單正丙醚、丙二醇單正丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇單正丁醚和三丙二醇單甲醚。在一個實施方式中，醚是二丙二醇單甲醚或二丙二醇單正丁醚。本領域技術人員能夠理解，可以將醚的混合物用于本發(fā)明。適用的醚溶劑通?？稍谑袌錾腺彽?，例如購自Aldrich，可以不經(jīng)進一步提純而使用。
以組合物的總重量為基準計，該有機溶劑的含量通常為40-95重量％。在一個實施方式中，有機溶劑的含量為45-85重量％，更優(yōu)選為60-85重量％。當使用有機溶劑的混合物時，溶劑的重量比可在很寬的范圍內變化，例如溶劑混合物中多元醇與醚的重量比可為1∶8至8∶1，更優(yōu)選為1∶4至4∶1。特別優(yōu)選的多元醇與醚的重量比為2.5∶1，2∶1，1.5∶1，1∶1，1∶1.5和1∶2。
本發(fā)明可使用任何合適類型的水，例如去離子水和蒸餾水等，通常使用去離子水。以組合物的總重量為基準計，組合物中水的含量通常為5-50重量％，但是也可使用更多和更少的量。更典型的是，以組合物的總重量為基準計，水的含量為15-50重量％，較優(yōu)選為15-35重量％，更優(yōu)選為15-30重量％。
本發(fā)明可使用許多種含氮羧酸。這些含氮羧酸可溶于醇，在25℃的水溶解度≥25克/100克水。通常含氮羧酸在25℃的水溶解度≥28克/100克水，較優(yōu)選≥30克/100克水，更優(yōu)選≥35克/100克水。以水和有機溶劑的總重量為基準計，所述含氮羧酸在本發(fā)明的組合物(水和有機溶劑的混合物)中的溶解量還等于或大于1重量％。以水和有機溶劑的總重量為基準計，通常所述含氮羧酸的溶解量等于或大于2重量％，較優(yōu)選等于或大于5重量％。
所述含氮羧酸可包含一個、兩個或更多個羧酸基。該化合物還可包含一個或多個氮，還可任選地包含一個或多個雜原子，例如但不限于硫和氧。在一個實施方式中，所述含氮羧酸具有雜環(huán)部分。在另一實施方式中，所述雜環(huán)部分是芳族的?？捎玫碾s環(huán)部分通常具有五元至八元的環(huán)，可包含1-4個雜原子。這些雜原子可以各自是相同或不同的，可選自氮、氧和硫，但是也可包含其他雜原子。優(yōu)選所述含氮羧酸包含雜環(huán)部分。通常所述雜環(huán)部分是含氮環(huán)，例如吡啶、哌啶、吡咯、哌嗪和嗎啉。本發(fā)明含氮羧酸可被任選地取代?！叭〈北硎竞人岬囊粋€或多個氫原子被一個或多個取代基取代，這些取代基是例如，但不限于鹵素、烷基、烷氧基、羥基、酮基、酰氨基和氨基。
可用于本發(fā)明組合物的含氮羧酸的例子包括但不限于吡啶甲酸、2-哌啶酸、哌嗪-2-羧酸、2，3-吡啶二羧酸、2，6-吡啶二羧酸、煙酸、異煙酸、3-哌啶甲酸和異-3-哌啶甲酸。
所述含氮羧酸在本發(fā)明組合物中的用量可在很大的范圍內變化。以組合物的總重量為基準計，所述含氮羧酸的含量可等于或大于0.001重量％。更具體來說，所述含氮羧酸的用量等于或大于0.01重量％，更優(yōu)選等于或大于0.05重量％，更加優(yōu)選等于或大于0.1重量％。以組合物的總重量計，組合物中含氮羧酸的用量通常可高達10重量％，但是用量也可更高。更佳的是，所述含氮羧酸的含量高達5重量％，更優(yōu)選高達4重量％。特別優(yōu)選含氮羧酸的用量為0.01-10重量％，更優(yōu)選0.05-5重量％。
根據(jù)本發(fā)明組合物的5％的水溶液，本發(fā)明組合物的pH值通常為3-8，但是也可使用更高或更低的pH值。在一個實施方式中，pH值為4-8。在另一實施方式中，pH值為4-7。任選地，可根據(jù)需要例如通過使用pH調節(jié)劑調節(jié)組合物的pH值。本領域技術人員有能力選擇pH調節(jié)劑。在一個實施方式中，所述pH調節(jié)劑是碳酸或其鹽，例如但不限于碳酸銨。在另一個實施方式中，pH調節(jié)劑是緩沖劑。
任選的緩沖劑包括適當摩爾比的酸和堿。在一個實施方式中，所述含氮羧酸可在緩沖體系中作為酸。在另一實施方式中，所述任選地緩沖體系包含不同于含氮羧酸的酸。所述緩沖體系中的酸可以是無機的或有機的。示例性的緩沖體系包括，但不限于磷酸鹽緩沖劑和乙酸鹽緩沖劑，例如氨/乙酸(乙酸銨)。可使用各種其它的緩沖體系。通常選擇這些緩沖體系，使得這些緩沖體系將組合物的pH調節(jié)在3-8。在一個實施方式中，所述緩沖體系的酸是多元羧酸，例如但不限于檸檬酸、異檸檬酸、酒石酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、馬來酸、富馬酸、鄰苯二甲酸、L-谷氨酸、順-烏頭酸、松蕈酸、反烏頭酸、偏苯三酸、4-(2-羥乙基)哌嗪-1-乙磺酸(“HEPES”)和均苯三酸。“多元羧酸”表示任意包含兩個或更多個羧酸基團的羧酸。在另一實施方式中，所述緩沖體系的堿是胺，例如但不限于烷基二胺，亞胺，環(huán)胺和鏈烷醇胺。示例性的胺包括，但不限于1，2-二氨基丙烷，嗎啉，哌嗪，咪唑，1，2-二甲基咪唑，1-甲基咪唑，乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，三異丙醇胺，1，8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]十一碳-7-烯，2，2-雙(羥甲基)-2，2’，2”-次氮基三乙醇(“雙-三(bis-tris)”)，3-(環(huán)己氨基)-1-丙磺酸，L-組氨酸，4-(N-嗎啉代)丁磺酸，4-嗎啉丙磺酸，3-嗎啉代-2-羥基丙磺酸，N，N-二甲基乙醇胺，N，N-二甲基異丙醇胺，N-甲基二乙醇胺，N-甲基乙醇胺，二異丙醇胺，1，2-丙二胺，1，3-二氨基丙烷，2-(2-氨基乙氧基)-乙醇和2-[2-(二甲基氨基)乙氧基]乙醇。在這些緩沖體系中，多元羧酸與堿的摩爾比通常為1∶1至1∶15。
本發(fā)明的組合物可任選地包含一種或多種添加劑。合適的任選添加劑包括但不限于緩蝕劑、表面活性劑、螯合劑和還原劑。
任何合適的緩蝕劑均可用于本發(fā)明的組合物。這些緩蝕劑的選擇將部分地取決于需保護免受腐蝕的對象，例如具體的金屬或介電材料。這些緩蝕劑的選擇在本領域技術人員的能力范圍之內。示例性的緩蝕劑包括，但不限于羥基苯，例如鄰苯二酚、甲基鄰苯二酚、乙基鄰苯二酚和叔丁基鄰苯二酚；苯并三唑；咪唑；苯并咪唑；苯并咪唑羧酸；咪唑-2-羧酸；咪唑-4-羧酸；咪唑-2-甲醛；咪唑-4-甲醛；4-咪唑二硫代羧酸；咪唑并[1，2-a]吡啶；羥基苯甲醚；五倍子酸；五倍子酸酯，例如五倍子酸甲酯和五倍子酸丙酯；以及硅酸四(C1-C4)烷基銨，例如硅酸四甲基銨。這些緩蝕劑通常可從Aldrich之類的各種來源購得，可不經(jīng)進一步提純而使用。當本發(fā)明組合物中使用這些緩蝕劑時，以組合物的總重量為基準計，它們的含量通常為0.01-10重量％。
可將非離子型、陰離子型和陽離子型表面活性劑用于本發(fā)明。優(yōu)選非離子型表面活性劑。這些表面活性劑通?？蓮母鞣N來源購得。以組合物總重量為基準計，表面活性劑的含量通常為0-1重量％，更優(yōu)選為0.005-0.5重量％。
可以將任何合適的螯合劑用于本發(fā)明，例如乙二胺四乙酸和氨基酸。這些螯合劑的用量可以變化，例如以組合物總重量為基準計，高達10重量％，更優(yōu)選高達5重量％。這些螯合劑的應用在本領域技術人員的能力之內。
可以將許多種還原劑用于本發(fā)明的組合物。示例性的還原劑包括但不限于還原糖，例如山梨糖醇、阿糖醇、甘露糖醇、蔗糖、葡萄糖、麥芽糖、和乳糖；氫醌，例如氯代氫醌，2，3-二氯氫醌，2，5-二氯氫醌，2，6-二氯氫醌和甲基氫醌；乙二醛；水楊醛；抗壞血酸；壬醛；丙酮醛；2-甲氧基苯甲醛；香草醛；咪唑-2-甲醛(carboxaldehyde)；和咪唑-2-甲醛。以組合物的總重量為基準計，這些還原劑的含量可為0-15重量％。更佳的是，這些還原劑的含量為0.1-10重量％，更優(yōu)選0.5-5重量％。
可通過以任何順序混合上述組分來制備本發(fā)明的組合物。較佳的是，將氟化物源溶于溶解氟化物源所需的最少量的水中，然后以任意的順序向制得的溶液加入余下的組分。
本發(fā)明的組合物適合用來從基材上去除等離子體蝕刻后的聚合材料。根據(jù)本發(fā)明，受到過等離子體蝕刻、自動等離子體灰化、離子注入或離子銑處理的苛刻工藝條件的任何聚合材料，例如，但不限于光刻膠、焊接掩模、減反射涂層、下層等，均可從基材上有效地去除。在本說明書全文中，將任意受到上述苛刻處理過程的聚合材料稱為“等離子體蝕刻后的聚合殘余物”。本發(fā)明的組合物和方法特別適合用來去除對材料(例如光刻膠、導電金屬層和絕緣介電層)進行干法等離子體蝕刻、活性離子蝕刻和離子銑后余下的有機金屬聚合殘余物。
可通過使基材與本發(fā)明的組合物接觸，除去基材上的聚合殘余物?？赏ㄟ^任何已知的方法使基材與本發(fā)明的組合物接觸，例如將基材浸入室溫下的或加熱的、包含本發(fā)明組合物的浴(例如濕法化學處理槽(bench))中，或者在所需溫度下將本發(fā)明的組合物噴灑在基材表面上，或者在單晶片清潔器中將所述組合物沉積在基材上。使基材與本發(fā)明的組合物接觸足以除去聚合殘余物的一段時間之后，通常使用例如去離子水或異丙醇淋洗基材，然后通過例如旋轉干燥來干燥該基材。當將本發(fā)明的組合物噴灑在基材上時，該噴灑操作通常在噴灑室內進行，例如可購自Semitool，Inc.(美國蒙大拿州，Kalispell)的溶劑清潔噴灑設備?；呐c本發(fā)明組合物接觸的時間將部分地根據(jù)組合物中氟離子的濃度、水含量、組合物溫度和被除去的聚合殘余物的種類來決定。通常接觸時間為5秒至60分鐘，但是也可更長或更短。
本發(fā)明的聚合殘余物去除過程可以在各種溫度下進行，例如室溫或任何其他合適的溫度，例如15-65℃，優(yōu)選20-50℃。
本發(fā)明組合物的優(yōu)點在于，它們可有效地用來從包含一個或多個介電層的基材上除去聚合材料，而基本不會蝕刻介電材料。通常，在20℃，本發(fā)明組合物蝕刻介電材料的速率≤50/min，優(yōu)選≤20/min，更優(yōu)選≤10/min。因此，本發(fā)明的組合物適用于許多種介電材料，特別是低介電常數(shù)(“低k”)材料，例如，但不限于硅氧烷、二氧化硅、硅倍半氧烷，例如氫硅倍半氧烷、甲基硅倍半氧烷、苯基硅倍半氧烷及其混合物，苯并環(huán)丁烯(“BCB”)，聚亞芳基醚、聚芳烴和氟化的硅玻璃。
本發(fā)明組合物的另一優(yōu)點是它們能夠除去氧化銅。本發(fā)明的組合物可以以≥15/min、更優(yōu)選≥20/min的速率從銅膜上除去氧化銅。
通過以下實施例來說明本發(fā)明的各種方面。
實施例實施例1下表中的組合物是通過將這些組分依照下表所列的量混合而制備的。所有的量均為重量％。

使包括氧化銅的銅膜與上述各組合物相接觸。在各情況下，氧化銅被除去。
實施例2重復實施例1，只是使用下表所列的組分和用量。預期這些樣品的實施情況與實施例1的樣品類似。

實施例3(比較例)制備了下表所列的配方樣品。對照配方不含任何含氮羧酸。樣品8包含吡啶甲酸。樣品C-1至C-5是比較樣品。將具有1000的物理氣相沉積的銅層的覆蓋晶片樣品在150℃加熱3分鐘，在銅膜上形成氧化銅(“CuO”)層。使用ECITechnology QC-100 Sequential Electrochemical Reduction Analyzer，在90微安/平方厘米的條件下，使用直徑0.16厘米的墊圈測定CuO膜的厚度。然后使各個晶片樣品在室溫(20-22℃)下與下表中的一種配方樣品接觸30秒，用去離子水淋洗，然后用氮氣干燥。干燥之后，再分析晶片樣品，以測定CuO膜的厚度，然后計算去除速率。

以上數(shù)據(jù)清楚地表明，本發(fā)明的組合物可以非常有效地除去氧化銅膜。
實施例4對各種量的含氮羧酸進行評價，以確定它們是否能溶于使用水(20重量％)，DPM(40重量％)和PDO(40重量％wt)的溶液。這些結果在25℃測定，列于下表。

還評價了吡啶甲酸、2-氨基苯甲酸和甘氨酸，以確定它們在25℃的去離子水中的溶解性。結果列于下表，其單位為克化合物/100克水。還對這些化合物進行評價，以確定它們是否可溶于有機溶劑(醇)。

實施例5重復實施例1，只是使用下表所列的組分和用量。預期這些樣品的實施情況和實施例1的樣品類似。

權利要求
1.一種用于從基材上除去聚合物材料的組合物，該組合物包含(a)0.05-5重量％的氟化物源；(b)40-95重量％的有機溶劑；(c)5-50重量％的水；以及(d)可溶于醇的含氮羧酸，該羧酸在25℃的水溶解度≥25克/100克水。
2.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，所述氟化物源選自氟化銨、氟化氫銨、氟化四烷基銨、二氟化銨-四烷基銨或它們的混合物。
3.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，所述有機溶劑包括多元醇和醚的混合物。
4.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，所述含氮羧酸具有雜環(huán)部分。
5.如權利要求4所述的組合物，其特征在于，所述雜環(huán)部分是芳香性的。
6.如權利要求1所述的組合物，該組合物還包含堿。
7.如權利要求6所述的組合物，其特征在于，所述堿是胺。
8.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，其pH值為3-8。
9.如權利要求1所述的組合物，該組合物還包含選自以下的添加劑緩蝕劑、表面活性劑、助溶劑、螯合劑、還原劑或它們的混合物。
10.一種從基材上除去聚合物殘余物的方法，該方法包括以下步驟使包括聚合物殘余物的基材與如權利要求1所述的組合物接觸足以除去所述聚合物殘余物的一段時間。
全文摘要
提供了可以從電子器件之類的基材上除去聚合物材料和氧化銅的組合物和方法。這些組合物和方法特別適合用來在等離子體蝕刻過程之后從電子器件上除去聚合物殘余物。
文檔編號G03F7/42GK1940733SQ20061014162
公開日2007年4月4日 申請日期2006年9月28日 優(yōu)先權日2005年9月30日
發(fā)明者R·L·奧格 申請人:羅門哈斯電子材料有限公司