專利名稱:多域垂直取向式液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板(liquid crystal display panel),且特別是涉 及一種多域垂直取向式(multi-domain vertically alignment, MVA)液晶顯示面板。
背景技術(shù):
針對多媒體社會的快速發(fā)展,多半取決于半導(dǎo)體元件或顯示裝置的飛躍 發(fā)展。就顯示器而言,具有高顯示質(zhì)量、好的空間利用效率、低消耗功率、 無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)已逐漸成為市場的主流。目前,市場對于液晶顯示器的性能要求朝向高對比(high contrast ratio)、 無灰階反轉(zhuǎn)(no gray scale inversion)、 色偏小(low color shift)、亮度高(high luminance)、高色彩豐富度、高色飽和度、快速反應(yīng)與廣視角等特性。目前 能夠?qū)崿F(xiàn)廣視角要求的技術(shù)包括了扭轉(zhuǎn)向列型(twisted nematic, TN)液晶加 上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換式(in-plane switching, IPS)液晶顯 示器、邊際場切換式(fringe field switching)液晶顯示器與多域垂直取向式薄膜 晶體管液晶顯示器等。在此,針對現(xiàn)有的多域垂直取向液晶顯示器進行說明。圖1A為現(xiàn)有多域垂直取向液晶顯示面板的單一像素中像素電極的上視 圖,圖IB為現(xiàn)有多域垂直取向液晶顯示面板的單一像素中共用電極層的上 視圖,而圖1C為圖1A的像素電極與圖IB的共用電極層迭合后的上視圖。 此外,圖IB中也展示了像素中的掃描配線、數(shù)據(jù)配線與有源元件等,以說 明這些構(gòu)件與共用電極層的相對位置。其中值得注意的是,在液晶顯示面板 的兩側(cè)也配置有上偏光板與下偏光板(未展示),而該上下偏光板的穿透軸 分別位于X與Y的方向。請參照圖IA與圖IB,在現(xiàn)有多域垂直取向液晶顯示面板中,像素電極 110具有多個主狹縫(main-slit)l 12與多個細狹縫(fme-slit)l 14,而共用電極層 120也具有多個主狹縫122與多個細狹縫124。由于主狹縫112與122以及
細狹縫114與124附近的電場方向會異于像素中的其他部分,因此液晶分子 的傾倒方向?qū)休^多變化,進而達到增加液晶顯示面板的視角范圍的目的。圖2為區(qū)域R12處液晶分子受力的示意圖。由圖1A可發(fā)現(xiàn),像素電極 110的邊緣在各個區(qū)域RIO與R12處都為直線,而與像素電極110的主狹縫 112與細狹縫114的延伸方向不同。請參照圖1A與圖2,區(qū)域R12內(nèi)像素 電極110的邊緣施加于液晶分子130上的力為F12,而像素電極110的細狹 縫114施加于液晶分子130上的力則為F14。換言之,液晶分子130將會受 到不同方向的力,而無法順利傾倒至適當?shù)奈恢?F14的方向),因此區(qū)域 R12內(nèi)的液晶分子130的排列方向?qū)⒉灰卓刂贫a(chǎn)生暗紋。為解決此問題, 共用電極層120在區(qū)域R10與R12處也會設(shè)計平行于像素電極110邊緣的 輔助狹縫(auxiliary-slit)126,如圖1B所示。請參照圖1B與圖2,由于輔助 狹縫126施加于液晶分子130上的力為F16,其中力F16朝+X方向,而力 F12則朝-X方向,因此液晶分子130所受的總力方向?qū)⒖奢^接近力F14的方 向,也就可以降低區(qū)域R10與R12處產(chǎn)生暗紋的機會。在液晶顯示面板的制造過程中,像素電極110與共用電極層120分別形 成在上、下兩塊基板上,然后再將兩塊基板對位并組合,以使像素電極IIO 與共用電極層120如圖1C所示正確對位。然而, 一旦在液晶顯示面板的組 裝過程中對位不佳,而使像素電極110與共用電極層120間存在對位誤差, 則輔助狹縫126將無法對區(qū)域R10與R12內(nèi)的液晶分子產(chǎn)生如前述的效果, 而使得暗紋再度出現(xiàn)。這樣一來,多域垂直取向液晶顯示面板的顯示質(zhì)量(如 穿透率與反應(yīng)速度等)也就大幅劣化。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種多域垂直取向式液晶顯示面板,適于解決上、 下基板對位不準確所造成的顯示質(zhì)量劣化的問題。本發(fā)明提出一種多域垂直取向式液晶顯示面板,其包括有源元件陣列基 板、對向基板及液晶層。有源元件陣列基板具有多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配 線、多個有源元件與多個像素電極。其中,掃描配線沿第一方向互相平行排 列,數(shù)據(jù)配線沿第二方向互相平行排列,數(shù)據(jù)配線與掃描配線定義出多個像 素區(qū)。每個有源元件位于對應(yīng)的像素區(qū)內(nèi),且由對應(yīng)的掃描配線驅(qū)動。每個 像素電極位于對應(yīng)的像素區(qū)內(nèi),且電連接對應(yīng)的有源元件以接收對應(yīng)的數(shù)據(jù) 配線所傳輸?shù)男盘枴C總€像素電極具有多個第一主狹縫,且第一主狹縫在靠 近數(shù)據(jù)配線的部分具有彎折。對向基板具有面向有源元件陣列基板的共用電 極層。液晶層配置在有源元件陣列基板與對向基板之間。在此多域垂直取向式液晶顯示面板的實施例中,共用電極層具有多個第 二主狹縫,第二主狹縫對應(yīng)靠近掃描配線的部分具有彎折。在此多域垂直取向式液晶顯示面板的實施例中,共用電極層具有多個第 二主狹縫與多個第二細狹縫。部分第二細狹縫沿著第二主狹縫排列,其他第 二細狹縫沿著所對應(yīng)的像素電極邊緣排列。本發(fā)明還提出一種多域垂直取向式液晶顯示面板,其包括有源元件陣列 基板、對向基板及液晶層。有源元件陣列基板具有多條掃描配線、多條數(shù)據(jù) 配線、多個有源元件與多個像素電極。其中,掃描配線沿第一方向互相平行 排列,數(shù)據(jù)配線沿第二方向互相平行排列,數(shù)據(jù)配線與掃描配線定義出多個 像素區(qū)。每個有源元件位于對應(yīng)的像素區(qū)內(nèi),且由對應(yīng)的掃描配線驅(qū)動。每 個像素電極位于對應(yīng)的像素區(qū)內(nèi),且電連接對應(yīng)的有源元件以接收對應(yīng)的數(shù) 據(jù)配線所傳輸?shù)男盘枴ο蚧寰哂忻嫦蛴性丛嚵谢宓墓灿秒姌O層。 其中,共用電極層具有多個第二主狹縫,第二主狹縫對應(yīng)靠近掃描配線的部 分具有彎折。液晶層配置在有源元件陣列基板與對向基板之間。在此多域垂直取向式液晶顯示面板的實施例中,共用電極層還具有多個 第二細狹縫。部分第二細狹縫沿著第二主狹縫排列,其他第二細狹縫沿著所 對應(yīng)的像素電極邊緣排列。本發(fā)明還提出 一種多域垂直取向式液晶顯示面板,其包括有源元件陣列 基板、對向基板及液晶層。有源元件陣列基板具有多條掃描配線、多條數(shù)據(jù) 配線、多個有源元件與多個像素電極。其中,掃描配線沿第一方向互相平行 排列,數(shù)據(jù)配線沿第二方向互相平行排列,數(shù)據(jù)配線與掃描配線定義出多個 像素區(qū)。每個有源元件位于對應(yīng)的像素區(qū)內(nèi),且由對應(yīng)的掃描配線驅(qū)動。每 個像素電極位于對應(yīng)的像素區(qū)內(nèi),且電連接對應(yīng)的有源元件以接收對應(yīng)的數(shù) 據(jù)配線所傳輸?shù)男盘?。對向基板具有面向有源元件陣列基板的共用電極層。 其中,共用電極層具有多個第二主狹縫與多個第二細狹縫,部分第二細狹縫 沿著第二主狹縫排列,其他第二細狹縫沿著所對應(yīng)的像素電極邊緣排列。綜上所述,在本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板中,是使像素電極
的主狹縫在靠近數(shù)據(jù)配線的部分具有彎折,或使共用電極層的主狹縫在對應(yīng) 靠近掃描配線的部分具有彎折,以解決暗紋問題。此外,在共用電極層上沿 著所對應(yīng)的像素電極邊緣排列多個第二細狹縫,也可將暗紋局限于數(shù)據(jù)配線 旁。而且,上述各種設(shè)計在有對位誤差產(chǎn)生時仍可發(fā)揮改善暗紋問題的效果。 為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉優(yōu) 選實施例,并結(jié)合附圖,作詳細說明如下。
圖1A為現(xiàn)有多域垂直取向液晶顯示面板的單一像素中像素電極的上視圖。圖1B為現(xiàn)有多域垂直取向液晶顯示面板的單一像素中共用電極層的上 視圖。圖1C為圖1A的像素電極與圖1B的共用電極層迭合后的上視圖。 圖2為區(qū)域R12處液晶分子受力的示意圖。圖3為本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板的局部剖面示意圖。 圖4為本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板中單一像素區(qū)的一種實施 例的上視圖。圖5A為圖4中像素電極的上視圖。圖5B為圖4中區(qū)域R40處液晶分子受力的示意圖。圖6為圖4中共用電極層的上視圖。圖7為本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板中單一像素區(qū)的另 一種實 施例的上視圖。圖8為圖7中像素電極的上視圖。 圖9為圖7中共用電極層的上視圖。圖10為本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板中單一像素區(qū)的再一種 實施例的上視圖。圖11為圖10中共用電極層的上視圖。圖12為本發(fā)明又一實施例的多域垂直取向式液晶顯示面板中單一像素區(qū)的共用電極層的上視圖。 簡單符號說明110:像素電極112、 212:主狹縫114、 214:細狹縫120:共用電才及層126:輔助狹縫130:液晶分子RIO、 R12:區(qū)i或F12、 F14、 F16:力X、 Y、 W、 S:方向300:多域垂直取向式液晶顯示面板310:有源元件陣列基板320:對向基板330:液晶層312:掃描配線314:數(shù)據(jù)配線316:有源元件318:共通電極410、 420:像素電極510、 520、 530、 540:共用電極層412、 422、 512、 522、 532、 542:第一主狹縫414、 424、 514、 524、 534、 544:第一細狹縫R20、 R30、 R40:區(qū)i或具體實施方式
本發(fā)明提出 一種多域垂直取向式液晶顯示面板,主要是在像素電極與共 用電極層的主狹縫與細狹縫的布局上做設(shè)計,以解決液晶分子排列不當所造 成的暗紋問題。因此,在本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板的各種實施 例中,其他部分的架構(gòu)都可互相通用,差異在于像素電極與共用電極層的主 狹縫與細狹縫的各種布局可互相搭配使用。以下,將先就本發(fā)明的多域垂直 取向式液晶顯示面板的基本架構(gòu)作介紹。之后,再分別說明像素電極與共用 電極層的主狹縫與細狹縫的各種布局。最后,列舉其中多種像素電極與共用 電極層的組合。其中,相似構(gòu)件將使用相同標號。
圖3為本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板的局部剖面示意圖,而圖 4為本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板中單一像素區(qū)的一種實施例的上 視圖。請參照圖3與圖4,本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板300包括 有源元件陣列基板310、對向基板320及液晶層330。有源元件陣列基板310 具有多條掃描配線312、多條數(shù)據(jù)配線314、多個有源元件316與多個像素 電極410,而圖4中僅各展示出一個。其中,掃描配線312沿X方向互相平 行排列,數(shù)據(jù)配線314則沿Y方向互相平行排列,且數(shù)據(jù)配線314與掃描配 線312定義出多個如圖4所示的像素區(qū)。每個如圖4所示的像素區(qū)內(nèi)具有一 個有源元件316與一個像素電極420,有源元件316由對應(yīng)的掃描配線312 驅(qū)動,而像素電極420電連接對應(yīng)的有源元件316以接收對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線314 所傳輸?shù)男盘?。此外,有源元?16可為薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT) 或其他適當?shù)挠性丛?。有源元件陣列基?10上還可配置有共通電極318, 以在各像素區(qū)中形成所需的像素儲存電容。對向基板320具有面向有源元件 陣列基板310的一個共用電極層540。對向基板320可以是彩色濾光基板, 或者彩色濾光膜(未展示)也可形成在有源元件陣列基板310上。液晶層330 配置在有源元件陣列基板310與對向基板320之間。圖5A為圖4中像素電極的上視圖。圖5A中也展示掃描配線312、數(shù)據(jù) 配線314與有源元件316,以說明這些構(gòu)件與像素電極420的相對位置。請 參照圖5A,像素電極420具有多個第一主狹縫422,且第一主狹縫422在靠 近數(shù)據(jù)配線314的部分具有彎折,彎折后的第一主狹縫422例如基本上沿X 方向延伸,而第一主狹縫422的其他部分在本實施例中基本上沿S方向(圖 5A中上方的第 一主狹縫422)與W方向(圖5A中下方的第 一主狹縫422)延伸。由于第一主狹縫422在靠近數(shù)據(jù)配線314的部分做了彎折的設(shè)計,因此 可減少在區(qū)域R30與R40處像素電極420的直線邊緣,也就解決了區(qū)域R30 與R40處液晶分子排列不當所造成的暗紋問題。而且,因為第一主狹縫422 在靠近數(shù)據(jù)配線314的部分具有彎折(例如大致垂直數(shù)據(jù)配線314),所以 即使像素電極420在后續(xù)與共用電極層(未展示)的對位過程中發(fā)生對位誤 差,也依然可發(fā)揮解決區(qū)域R30與R40處的暗紋問題的功效。此外,像素電極420還可具有多個第一細狹縫424,而至少部分的第一 細狹縫424連接至第一主狹縫422。這些第一細狹縫424在本實施例中基本 上沿W方向(圖5A中上方的第一細狹縫424)與S方向(圖5A中下方的第一
纟田狹縫424)延伸。圖6為圖4中共用電極層的上視圖。圖6中也展示掃描配線312、數(shù)據(jù) 配線314與有源元件316,以說明這些構(gòu)件與共用電極層540的相對位置。 請參照圖5A與圖6,由于圖5A的像素電極420的第一主狹縫422在靠近數(shù) 據(jù)配線314的部分產(chǎn)生彎折,因此減弱了區(qū)域R20與區(qū)域R30之間對于液 晶分子的規(guī)范力。為提供較適合的規(guī)范力給位于區(qū)域R20與區(qū)域R30之間 的液晶分子,共用電極層540在區(qū)域R20與區(qū)域R30之間也設(shè)計分布有第 二細狹縫544,而像素電極420在區(qū)域R20與區(qū)域R30之間則設(shè)計分布有第 二細狹縫424。由此,可提高顯示質(zhì)量。請參照圖4,本實施例結(jié)合圖5A的像素電極420與圖6的共用電極層 540,因此可發(fā)揮兩者的優(yōu)點而解決區(qū)域R20、 R30與R40處的暗紋問題。 以下,使用圖5B來說明圖4中區(qū)域R40處液晶分子的受力。請參照圖4與 圖5B,區(qū)域R40內(nèi)像素電極420的邊緣施加于液晶分子230上的力為F22, 而像素電極420的第一細狹縫424施加于液晶分子230上的力則為F24。共 用電極層540的第二細狹縫544施加于液晶分子230上的力為F26,其中力 F24與F26是朝+W方向,而力F22則是朝-X方向,因此液晶分子130所受 的總力方向?qū)⒖奢^接近W方向而與其他區(qū)域的液晶分子有相似的排列,也 就可以降低區(qū)域RIO與R12處產(chǎn)生暗紋的機會。圖7為本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板中單一像素區(qū)的另 一種實 施例的上視圖,圖8為圖7中像素電極的上視圖,而圖9為圖7中共用電極 層的上視圖。圖9中也展示掃描配線312、數(shù)據(jù)配線314與有源元件316, 以說明這些構(gòu)件與共用電極層510的相對位置。實際上,共用電極層510形 成在對向基板(未展示),而掃描配線312、數(shù)據(jù)配線314與有源元件316則 形成在有源元件陣列基板(未展示)。請參照圖7與圖8,像素電極410與圖 5A的像素電極420相似。接著請參照圖7與圖9,共用電極層510具有多個 第二主狹縫512,而第二主狹縫512在對應(yīng)靠近掃描配線312的部分具有彎 折,彎折后的第二主狹縫512例如基本上沿X方向延伸,第二主狹縫512 的其他部分在本實施例中則基本上沿S方向(圖9中上方的第二主狹縫512) 與W方向(圖9中下方的第二主狹縫512)延伸。由于第二主狹縫512在靠近 掃描配線312的部分做了彎折的設(shè)計,因此可取代現(xiàn)有輔助狹縫的設(shè)計,也 就解決了區(qū)域R20處液晶分子排列不當所造成的暗紋問題。 此外,共用電極層510還可具有多個第二細狹縫514,而至少部分的第 二細狹縫514連接至第二主狹縫512。這些第二細狹縫514在本實施例中基 本上沿W方向(圖9中上方的第二細狹縫514)與S方向(圖9中下方的第二細 狹縫514)延伸。由于區(qū)域R20處的第二細狹縫514較現(xiàn)有技術(shù)增加了 ,因此 即使共用電極層510在后續(xù)與像素電極(未展示)的對位過程中發(fā)生對位誤 差,也依然可發(fā)揮解決區(qū)域R20處的暗紋問題的功效。請參照圖7,本實施 例結(jié)合圖8的像素電極410與圖9的共用電極層510,因此可發(fā)揮兩者的優(yōu) 點而解決區(qū)域R20、 R30與R40處的暗紋問題。圖10為本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板中單一像素區(qū)的再一種 實施例的上視圖,而圖11為圖10中共用電極層的上視圖。圖11中也展示 掃描配線312、數(shù)據(jù)配線314與有源元件316。請參照圖11,此共用電極層 520具有第二主狹縫522與第二細狹縫524。圖11的共用電極層520與圖9 的共用電極層510的差異在于,整條圖11中上方的第二主狹縫522都基本 上沿S方向延伸,而整條圖11中下方的第二主狹縫522都基本上沿W方向 延伸。同時,在共用電極層510上的第二細狹縫524除了沿著第二主狹縫522 排列外,尚有部分的第二細狹縫524沿著與所對應(yīng)的像素電極(例如圖10 的像素電極110 )邊緣相對應(yīng)的共用電極層510上并行排列,如同區(qū)域R20、 R30與R40。此時,暗紋將會#1局限在掃描配線314與數(shù)據(jù)配線312旁,其 余部分則因液晶分子受到第二細狹縫524的良好規(guī)范而不會出現(xiàn)暗紋。如此 一來,同樣可達到提高顯示質(zhì)量的目的。而且,由于區(qū)域R20、 R30與R40 具有部分的第二細狹縫524,因此即使共用電極層520在后續(xù)與像素電極(未 展示)的對位過程中發(fā)生對位誤差,也依然可發(fā)揮將區(qū)域R20、 R30與R40 處的暗紋局限在像素區(qū)邊緣的功效。請參照圖10,本實施例結(jié)合圖1A的現(xiàn) 有的像素電極110與圖11的共用電極層520。圖12為本發(fā)明又一實施例的多域垂直取向式液晶顯示面板中單一像素 區(qū)的共用電極層的上視圖。圖12中也展示掃描配線312、數(shù)據(jù)配線314與有 源元件316。請參照圖12,此共用電極層530具有第二主狹縫532與第二細 狹縫534。圖12的共用電極層530組合了圖9的共用電極層510在區(qū)域R20 的特征以及圖11的共用電極層520在區(qū)域R40的特征。因此,圖12的共用 電極層530在區(qū)域R20處可解決液晶分子排列不當所造成的暗紋問題,而在 區(qū)域R40處則可將暗紋局限在數(shù)據(jù)配線312旁,進而達到提高顯示質(zhì)量的目
的,且在發(fā)生對位誤差時依然發(fā)揮功效。由圖6、 9、 11與12可知,本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板中, 在共用電極層上可采用圖9的區(qū)域R20、圖11的區(qū)域R30與R40以及圖6 的區(qū)域R20等三大類的改進設(shè)計,而這些設(shè)計也可互相組合4吏用,在此并未 全部--"歹'J舉。值得注意的是,在此雖僅以圖4、圖7與圖IO說明本發(fā)明的多域垂直取 向式液晶顯示面板,單一像素區(qū)內(nèi)像素電極與共用電極層的三種組合,但仍 有許多實施例具有圖5A、 6、 8、 9、 11與12中的各種特征的組合,在此省 略其介紹。此外,由圖IO的實施例可知,本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯 示面板中,具有前述各項特征的像素電極也可搭配現(xiàn)有共用電極層,而具有 前述各項特征的共用電極層也可搭配現(xiàn)有像素電極。綜上所述,在本發(fā)明的多域垂直取向式液晶顯示面板中,是使像素電極 的主狹縫在靠近數(shù)據(jù)配線的部分具有彎折,以減少像素電極的直線邊緣,進 而解決液晶分子排列不當所造成的暗紋問題?;蛘?,使共用電極層的主狹縫 在對應(yīng)靠近掃描配線的部分具有彎折,取代現(xiàn)有輔助狹縫的設(shè)計,以解決暗 紋問題?;蛘撸诠灿秒姌O層上沿著所對應(yīng)的像素電極邊緣排列多個第二細 狹縫,以使暗紋局限在掃描配線旁。上述各種設(shè)計不僅可提高多域垂直取向 式液晶顯示面板的顯示質(zhì)量,而且在像素電極與共用電極層有對位誤差產(chǎn)生 時仍可發(fā)揮效果。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭示如上,然而其并非用以限定本發(fā)明,任 何本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),可對其作些許的更 動與修改,因此本發(fā)明的保護范圍以所附權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種多域垂直取向式液晶顯示面板,包括有源元件陣列基板,具有多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線、多個有源元件與多個像素電極,其中該多條掃描配線沿第一方向互相平行排列,該多條數(shù)據(jù)配線沿第二方向互相平行排列,該多條數(shù)據(jù)配線與該多條掃描配線定義出多個像素區(qū),每一有源元件位于對應(yīng)的該像素區(qū)內(nèi),且由對應(yīng)的該掃描配線驅(qū)動,而每一像素電極位于對應(yīng)的該像素區(qū)內(nèi)且電連接對應(yīng)的該有源元件以接收對應(yīng)的該數(shù)據(jù)配線所傳輸?shù)男盘?,每一像素電極具有多個第一主狹縫,且該多個第一主狹縫在靠近該多條數(shù)據(jù)配線的部分具有彎折;對向基板,具有面向該有源元件陣列基板的共用電極層;和液晶層,配置在該有源元件陣列基板與該對向基板之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中該共用電極 層具有多個第二主狹縫,該多個第二主狹縫對應(yīng)靠近該多條掃描配線的部分 具有彎折。
3. 如權(quán)利要求2所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中該共用電極 層還具有多個第二細狹縫。
4. 如權(quán)利要求3所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中至少部分該 多個第二細狹縫連接該多個第二主狹縫。
5. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中該共用電極 層具有多個第二主狹縫與多個第二細狹縫。
6. 如權(quán)利要求5所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中部分該多個 第二細狹縫沿著第二主狹縫排列,其他該多個第二細狹縫沿著所對應(yīng)的該像 素電極邊緣排列。
7. 如權(quán)利要求5所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中至少部分該 多個第二細狹縫連接該多個第二主狹縫。
8. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中該多個像素 電極還具有多個第一細狹縫。
9. 如權(quán)利要求8所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中至少部分該 多個第一細狹縫連接該多個第一主狹縫。
10. 如權(quán)利要求1所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中該多個第一 主狹縫為封閉狹縫。
11. 一種多域垂直取向式液晶顯示面板,包括有源元件陣列基板,具有多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線、多個有源元件 與多個像素電極,其中該多條掃描配線沿第一方向互相平行排列,該多條數(shù) 據(jù)配線沿第二方向互相平行排列,該多條數(shù)據(jù)配線與該多條掃描配線定義出 多個像素區(qū),每一有源元件位于對應(yīng)的該像素區(qū)內(nèi)且由對應(yīng)的該掃描配線驅(qū) 動,而每一像素電極位于對應(yīng)的該像素區(qū)內(nèi)且電連接對應(yīng)的該有源元件以接 收對應(yīng)的該數(shù)據(jù)配線所傳輸?shù)男盘枺粚ο蚧?,具有面向該有源元件陣列基板的共用電極層,其中該共用電 極層具有多個第二主狹縫,該多個第二主狹縫對應(yīng)靠近該多條掃描配線的部 分具有彎折;和液晶層,配置在該有源元件陣列基板與該對向基板之間。
12. 如權(quán)利要求11所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中每一像素 電極具有多個第一主狹縫。
13. 如權(quán)利要求12所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中該多個像 素電極還具有多個第 一細狹縫。
14. 如權(quán)利要求13所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中至少部分 該多個第一細狹縫連接該多個第一主狹縫。
15. 如權(quán)利要求12所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中該多個第 一主狹縫為封閉狹縫。
16. 如權(quán)利要求11所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中該共用電 極層還具有多個第二細狹縫。
17. 如權(quán)利要求16所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中部分該多 個第二細狹縫沿著第二主狹縫排列,其他該多個第二細狹縫沿著所對應(yīng)的該 像素電極邊緣排列。
18. 如權(quán)利要求16所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中至少部分 該多個第二細狹縫連接該多個第二主狹縫。
19. 一種多域垂直取向式液晶顯示面板,包括有源元件陣列M,具有多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線、多個有源元件 與多個像素電極,其中該多條掃描配線沿第一方向互相平行排列,該多條數(shù) 據(jù)配線沿第二方向互相平行排列,該多條數(shù)據(jù)配線與該多條掃描配線定義出 多個4象素區(qū),每一有源元件位于對應(yīng)的該<象素區(qū)內(nèi)且由對應(yīng)的該掃描配線驅(qū) 動,而每一像素電極位于對應(yīng)的該像素區(qū)內(nèi)且電連接對應(yīng)的該有源元件以接收對應(yīng)的該lt據(jù)配線所傳輸?shù)男盘?;對向基板,具有面向該有源元件陣列基板的共用電極層,其中該共用電 極層具有多個第二主狹縫與多個第二細狹縫,部分該多個第二細狹縫沿著第 二主狹縫排列,其他該多個第二細狹縫沿著所對應(yīng)的該像素電極邊緣排列; 和液晶層,配置在該有源元件陣列基板與該對向基板之間。
20.如權(quán)利要求19所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中每一像素電極具有多個第一主狹縫。
21.如權(quán)利要求20所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中該多個像素電極還具有多個第 一細狹縫。
22. 如權(quán)利要求21所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中至少部分 該多個第 一 細狹縫連接該多個第 一主狹縫。
23. 如權(quán)利要求19所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中該多個第 一主狹縫為封閉狹縫。
24. 如權(quán)利要求19所述的多域垂直取向式液晶顯示面板,其中至少部分 該多個第二細狹縫連接該多個第二主狹縫。
全文摘要
一種多域垂直取向式液晶顯示面板,其包括有源元件陣列基板、對向基板及液晶層。有源元件陣列基板具有多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線、多個有源元件與多個像素電極。對向基板具有面向有源元件陣列基板的共用電極層。液晶層配置在有源元件陣列基板與對向基板之間。其中,每個像素電極具有多個第一主狹縫,而第一主狹縫在靠近數(shù)據(jù)配線的部分例如具有彎折。共用電極層具有多個第二主狹縫,第二主狹縫對應(yīng)靠近掃描配線的部分例如具有彎折。
文檔編號G02F1/13GK101165578SQ200610135589
公開日2008年4月23日 申請日期2006年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月18日
發(fā)明者許哲銘, 謝志勇, 謝明峰, 陳建宏 申請人:奇美電子股份有限公司