專利名稱：形成配向膜的設(shè)備及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成配向膜的設(shè)備及方法，特別是一種形成無機(jī) 配向膜的設(shè)備及方法。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示器(Liquid crystal display; LCD)具有省電、高畫質(zhì)、 空間利用效率佳、以及低輻射等優(yōu)點(diǎn)，因此近年來已逐漸成為市場的 主流產(chǎn)品。一般的液晶顯示器主要是由兩片基板以及一配置于上述兩基板間 的液晶層所構(gòu)成，由于液晶具有光學(xué)異方向性質(zhì)，并可通過改變一施 加電場而控制液晶分子的排列狀態(tài)，使光線穿透液晶層時的光學(xué)特性 發(fā)生改變，進(jìn)而達(dá)到顯像的目的。在一般的液晶顯示器中，上述兩基 板可均為玻璃基板，而一種結(jié)合半導(dǎo)體制程與液晶顯示器技術(shù)的硅基 液晶(Liquid Crystal on Silicon; LCoS)微顯示器則由于開口率佳，且利 用半導(dǎo)體制程所生產(chǎn)的背板，在通過電路整合與線距微縮后將可大幅 提高驅(qū)動效率與分辨率，換言之，在相同分辨率之下其成本將較LCD 為低且反應(yīng)速度較快，因而成為當(dāng)前產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)發(fā)展之一。然而不論對于何種液晶顯示器而言，假使液晶顯示器中的液晶分 子不具有一預(yù)傾角，則當(dāng)施加電場時，液晶分子將呈不同方向排列， 而形成漏光或光環(huán)等顯示缺陷。因此，液晶顯示器需于上述兩片基板 間形成一配向膜以提供液晶分子一預(yù)傾角，降低上述顯示缺陷的發(fā)生， 而配向膜的優(yōu)劣則為決定一液晶屏幕的顯示品質(zhì)好壞的重要因素之
配向膜在液晶顯示器中的地位非常重要，其主要生產(chǎn)技術(shù)包含摩擦配向法(Rubbing)、光配向法(Photo-alignment)、離子束配向法(Ion Beam Alignment)、以及斜向蒸著法(Obliquely Evaporation)…等。其中， 摩擦配向法通常以聚亞酰胺(polyimide)等有機(jī)高分子化合物為配向膜 材料，利用一絨布滾輪對聚亞酰胺表面進(jìn)行接觸式的順向摩擦，使配 向膜往相同方向延伸，進(jìn)而使液晶分子于配向膜表面呈現(xiàn)整齊排列的 狀態(tài)。此項(xiàng)技術(shù)具有操作時間短、可常溫操作、以及易于量產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)， 故為當(dāng)前制作配向膜的主要方法。然而，由于有機(jī)配向膜材料例如聚 亞酰胺具有高極性、高吸水性，因此容易變質(zhì)進(jìn)而造成配向不均，且 容易因使用環(huán)境、或使用時間長而發(fā)生光劣化的情形，而刷膜制程亦 容易造成塵埃、靜電、以及刷痕等問題，使得信賴度因此降低。而另外一種現(xiàn)有的適用于有機(jī)配向膜的形成方法為光配向法，利 用偏極化的光源以特定方向照射配向膜引發(fā)光學(xué)異方向性，為一種非 刷膜式的配向技術(shù)，其中更可將光源經(jīng)由一狹縫，以于配向膜上造成 一致且均勻的配向方向。相較于有機(jī)高分子配向膜具有穩(wěn)定性和信賴度不佳等問題，無機(jī) 材料具有較佳的化學(xué)穩(wěn)定性和耐旋光性，不會受到投射時的高溫而逐漸被氧化，壽命較長，且不需要摩擦配向以致顆粒污染減少許多，并 具有較佳的產(chǎn)品特性，例如對比可達(dá)至少1000:1以上，因此目前在 LCoS配向膜的制程上，無機(jī)配向膜已漸成趨勢，然而在一般的薄膜晶 體管液晶顯示器(TFT-LCD)產(chǎn)業(yè)中，仍以有機(jī)配向膜聚亞酰胺為主?，F(xiàn)有的離子束配向法為形成無機(jī)配向膜的方法之一，通常包含一 成膜制程與一預(yù)傾角制程，先利用一般薄膜形成方法如濺鍍法、蒸鍍 法、亦或其它方法將一無機(jī)材料予以成膜，接著再通過原子束或離子 束的轟擊對上述薄膜進(jìn)行配向處理。而另一種可用以形成無機(jī)配向膜的方法為斜向蒸著法，于高真空
條件下將配向膜材料高溫蒸發(fā)，從特定的角度射向基板表面，以控制 晶體的傾斜角度，達(dá)到液晶配向排列的目的。圖1及圖2分別顯示一利用現(xiàn)有斜向蒸著法形成一無機(jī)配向膜的沉積設(shè)備100及流程圖示。 此沉積設(shè)備100具有一反應(yīng)室102，反應(yīng)室102中包含一坩鍋104、 一 發(fā)射源106、 一支撐裝置108、以及一壓力控制裝置110，其中坩鍋104 用以裝盛一蒸鍍源114。如步驟S201所示，先將一基板112置于反應(yīng) 室102中，并且利用支撐裝置108作為支撐，以控制基板112的法線 Lm與蒸鍍源114來向呈一傾斜角度e，進(jìn)而控制晶體的配向角度。參 照圖1，沉積設(shè)備100更可包含一溫度控制裝置116以控制反應(yīng)室102 的溫度。如步驟S203所示，先通過壓力控制裝置110以及溫度控制裝 置U6將反應(yīng)室102內(nèi)的壓力和溫度控制于一高溫低壓(例如真空)的條 件下；接著如步驟S205所示，將坩鍋104中的蒸鍍源114，例如硅氧 化物，由固態(tài)變成氣態(tài)而揮發(fā)至基板112表面附著，以形成一配向膜 118。當(dāng)配向膜118到達(dá)至一平均預(yù)定膜厚時，如步驟S207所示，可 將壓力調(diào)整至常壓下，并且降低溫度，接著再取出基板112，如步驟 S209所示。然而，由于蒸鍍過程中基板112的傾斜以及蒸鍍源發(fā)散蒸鍍的原 因，因此成膜的均勻度不佳。例如以一8吋硅晶圓作為基板112，傾斜 角度0為30度，基板112與蒸鍍源114的距離為80厘米，反應(yīng)室102 的溫度及壓力各控制于250"C及1(^托爾(torr)下，利用電子束轟擊無機(jī) 配向膜材料硅氧化物(SiOx)，而此硅氧化物會揮發(fā)至基板112表面形成 附著，蒸鍍速率為每秒1.5A，直至平均膜厚約為600A,如此條件下利 用KLA膜面分析儀所檢測的無機(jī)配向膜的膜厚均勻度約為30%。由于 基板112的法線Lm與蒸鍍源114來向呈一傾斜角度e，因此基板112 距離蒸鍍源114較近的下方處具有較厚的膜厚，例如圖3中所示。由于配向膜的的均勻度不佳將影響對液晶分子的配向力，更進(jìn)而 影響液晶面板的顯示品質(zhì)，因此為了提高無機(jī)配向膜118的膜厚均勻 度， 一般將整個反應(yīng)室102的腔體放大至6米高，亦即提高基板112 與蒸鍍源114的距離，以減低因基板112傾斜以及蒸鍍源114發(fā)散所 造成膜厚不均的問題，然而如此一來則將產(chǎn)生空間浪費(fèi)、制造成本增 加、以及耗時等缺點(diǎn)。由于利用斜向蒸著法沉積一配向膜的同時即可形成一精確傾斜排 列的角度，換言之，其不需施行額外的預(yù)傾角制程即可形成一控制液 晶排列的預(yù)傾角，而搭配無機(jī)配向膜材料，則更具有可靠度高的優(yōu)點(diǎn)。 因此，業(yè)者極力尋求一種改善無機(jī)配向膜的形成方法及設(shè)備，其不僅 可減少額外的預(yù)傾角制程，更可形成一具有均勻膜厚的配向膜。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的之一在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提出一種形 成配向膜的設(shè)備及方法，于形成配向膜的同時，即可形成一預(yù)傾角， 而不需額外施行一預(yù)傾角制程。本發(fā)明的另一目的在于，提出一種形成無機(jī)配向膜的設(shè)備及方法， 此無機(jī)配向膜具有優(yōu)越的化學(xué)穩(wěn)定性和耐旋光性，且不會受到投射時 的高溫而逐漸被氧化，具有較長的使用壽命。本發(fā)明的又一目的在于，提出一種形成均勻膜厚的無機(jī)配向膜的 設(shè)備及方法，具有方法簡單、節(jié)省空間、以及可適用于一般蒸鍍或?yàn)R 鍍設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種形成配向膜的設(shè)備，其包括一反 應(yīng)室，而反應(yīng)室包含一用以裝盛一蒸鍍源的坩鍋， 一用以支撐一基板 且控制此基板一傾斜角度的支撐裝置， 一用以將蒸鍍源變?yōu)闅鈶B(tài)并附 著于基板的表面以形成一配向膜的發(fā)射源， 一用以控制反應(yīng)室內(nèi)壓力 的壓力控制裝置，以及一位于上述蒸鍍源與基板之間且具有一狹縫的 遮板。上述具有狹縫的遮板于配向膜形成過程中，與基板形成一相對 移動，以控制配向膜的膜厚均勻度。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明亦提供一種形成無機(jī)配向膜的方法，包括 一種形成配向膜的方法，包括將一基板置于一反應(yīng)室中，控制此基板 與一蒸鍍源呈一傾斜角度，使一具有一狹縫的遮板與上述基板呈相對 移動，并同時形成一配向膜，當(dāng)此配向膜達(dá)到一預(yù)定膜厚，則將上述 基板取出。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，特 舉出較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為利用現(xiàn)有斜向蒸著法形成一無機(jī)配向膜的沉積設(shè)備的概略圖標(biāo)；圖2為利用現(xiàn)有斜向蒸著法形成一無機(jī)配向膜的流程概略圖標(biāo)； 圖3顯示基板表面配向膜的膜厚不均的情形；圖4為利用本發(fā)明一實(shí)施例中形成一配向膜的沉積設(shè)備的概略圖標(biāo)；圖5為利用本發(fā)明一實(shí)施例中形成一配向膜的流程概略圖標(biāo)； 圖6顯示配向膜的膜厚均勻度與膜厚沉積比的關(guān)式；圖7A及圖7B為本發(fā)明一具有狹縫的遮板的正視圖；圖8顯示一具有等腰三角型形狀的狹縫的遮板；圖9為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例中， 一配向膜的沉積設(shè)備的局部放大圖。圖中符號說明100、 400102、 402104、 404 106、楊108、 408110、 410沉積設(shè)備反應(yīng)室坩鍋發(fā)射源支撐裝置壓力控制裝置
112、 412基板114、 414蒸鍍源116、 416溫度控制裝置118、 418配向膜4081橫向延伸部409支撐基座417電子束420遮板422遮板的狹縫狹縫的長度Z旋轉(zhuǎn)軸狹縫的上方寬度b狹縫的下方寬度基板的法線與蒸鍍源來向所呈的傾斜角度Em、 Ln基板的法線h基板與蒸鍍源之間距離S201、 S501將基板置于反應(yīng)室中S203、 S503控制反應(yīng)室中的溫度及壓力S205形成配向膜S207、 S507達(dá)預(yù)定膜厚S209、 S509取出基板S505經(jīng)一狹縫遮板形成配向膜具體實(shí)施方式
本發(fā)明舉列一些實(shí)施例詳述如下，其中相關(guān)的圖標(biāo)并未依據(jù)實(shí)際 比例繪制，且各個構(gòu)件的相對位置亦并非限于圖中所示，其作用僅在 于表達(dá)本發(fā)明的構(gòu)件的功能與特征。另，除了所提出的實(shí)施例外，本 發(fā)明亦可廣泛地施行于其它的實(shí)施例中，亦即，本發(fā)明的實(shí)施范圍不 受限定，而以本發(fā)明所提出的權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
圖4及圖5分別闡述本發(fā)明一實(shí)施例中形成一無機(jī)配向膜的沉積 設(shè)備400和流程圖示，其中本實(shí)施例雖以一蒸鍍法為例，然并非以此 為限，本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)可利用一濺鍍法，例如磁濺鍍法、或離子束 濺鍍法，以形成一無機(jī)配向膜。沉積設(shè)備400具有一反應(yīng)室402，反應(yīng) 室402包含一坩鍋404、 一發(fā)射源406、 一支撐裝置408、以及一壓力 控制裝置410。其中，坩鍋404用以裝盛一蒸鍍源414,而發(fā)射源406 可將蒸鍍源414由固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)，支撐裝置408用以支撐一基板412， 而壓力控制裝置410則可用以控制反應(yīng)室402內(nèi)的壓力。首先，如步驟S501所示，將基板412置于反應(yīng)室402中，利用支 撐裝置408作為支撐，并可據(jù)以控制基板412的法線Ln與蒸鍍源414 來向呈一傾斜角度0，且基板412與蒸鍍源414之間大抵呈一距離h。 另，在蒸鍍的過程中，基板412的溫度對蒸鍍薄膜的性質(zhì)有相當(dāng)重要 的影響，因此支撐裝置408可更包含一支撐基座409用以支撐基板412， 并且適當(dāng)控制基板412的溫度，使蒸鍍原子具有足夠能量于基材412 表面自由移動，如此才能形成均勻的薄膜。在此實(shí)施例中，基板412 以一8吋空白硅晶圓為例，然而本發(fā)明并非以此為限，基板412亦可 為一LCoS晶圓、或一適用于液晶顯示器的矩形玻璃基板。由于薄膜的沉積速率和結(jié)構(gòu)與反應(yīng)室溫度和壓力息息相關(guān)，因此 沉積設(shè)備400更可包含一溫度控制裝置416用以控制反應(yīng)室402的溫 度，例如提高反應(yīng)室402的溫度，以增加氣體分子的平均自由徑(Mean Free Path),避免氣體分子于蒸鍍的過程中與其它分子大量碰撞，降低 薄膜沉積的效率。另，為了避免反應(yīng)室402中的氣體影響薄膜的純度， 當(dāng)進(jìn)行薄膜沉積制程時，可利用壓力控制裝置410降低反應(yīng)室402的 壓力，使形成的薄膜達(dá)到高純度的要求。在此實(shí)施例中，反應(yīng)室402 的溫度及壓力大抵控制于25(TC及10—4托爾的條件下，然本領(lǐng)域技術(shù)人 員亦可視需要而將壓力和溫度控制于一特定范圍內(nèi)。坩鍋404用以裝盛蒸鍍源414，而蒸鍍源414較佳為一無機(jī)材料，
例如硅氧化物(SiOx)、氮硅化物、碳硅化合物(SiC)、氫化類鉆石排列碳 薄膜(Hydrogenated Diamond Like Carbon; DLC)、或氧化鎂(MgO)、氧 化鋁、或氧化銦錫(ITO)等金屬氧化物。由于硅氧化物具有原料取得容 易、產(chǎn)量豐富、以及價格低廉等優(yōu)點(diǎn)，因而在此實(shí)施例中，蒸鍍源414 以硅氧化物為例，然并非以此為限。發(fā)射源406可包含多種形式，例 如熱阻絲加熱、射頻(RF)感應(yīng)加熱、激光加熱、或電子束加熱等方法， 以將蒸鍍源414例如硅氧化物由固態(tài)變成氣態(tài)，其中由于利用電子束 進(jìn)行蒸鍍具有加熱面積較小、以及可精確控制蒸鍍的速率及薄膜的厚 度的優(yōu)點(diǎn)，因此在此實(shí)施例中，發(fā)射源406以一電子束發(fā)射源為例。首先，改變不同的試驗(yàn)參數(shù)，例如基板412的法線Ln與蒸鍍源 414來向的傾斜角度0、或基板412與蒸鍍源414間的距離h，以每秒 1.5 A的蒸鍍速率進(jìn)行薄膜的沉積，直至平均膜厚約為600A，由此得到 0.1~0.4(亦即10%~40%)間不同的膜厚均勻度，如圖6所示。上述膜厚 均勻度、以及最高膜厚和最低膜厚利用KLA膜面分析儀所量測，而平 均膜厚則為最高膜厚與最低膜厚的平均值。由于基板412的法線Ln與 蒸鍍源414來向呈一傾斜角度，因此距離蒸鍍源414較近的基板412 下方具有較厚的薄膜沉積，而距離蒸鍍源414較遠(yuǎn)的基板412上方則 具有較薄的薄膜沉積。在此實(shí)施例中，發(fā)射源406可發(fā)射一電子束417,利用此電子束 417將蒸鍍源414例如硅氧化物揮發(fā)成氣態(tài)，并通過一具有一狹縫422 的遮板420與基板412間的相對移動，而將一配向膜418均勻地形成 于基板412的表面，如步驟S505所示，其中上述具有狹縫422的遮板 420的正視圖如圖7A和圖7B所示。參照圖7A和圖7B，上述狹縫422具有一長度L，且較佳具有一 開口比。狹縫422的長度L較佳可涵蓋基板412，在此實(shí)施例中，基板 412為一 8吋空白硅晶圓，因此狹縫422的長度L需等于或大于空白硅 晶圓的8吋直徑。此外，根據(jù)基板412表面配向膜418的最高膜厚與 最低膜厚的比值而得到一膜厚沉積比；舉例來說，以膜厚均勾度為0.3， 且平均膜厚為600 A的配向膜418為例，其膜厚范圍應(yīng)大抵介于 510 690 A之間，亦即最高膜厚約為690 A,最低膜厚約為510A，而 膜厚沉積比為最高膜厚與最低膜厚的比值，亦即大抵為1.3529。依照 這個方法，根據(jù)其它試驗(yàn)參數(shù)下所得到的不同膜厚均勻度x，分別推演 其相對的膜厚沉積比y，得到如圖6中所示的關(guān)系式y(tǒng) = 1.3149x + 0.9664。當(dāng)因其它因素而改變制程參數(shù)，使得膜厚均勻度為15。/。(亦則x 為0.15)時，將其帶入上述關(guān)系式中，可得到膜厚沉積比y為1.1636， 亦即約近于1.16。在此實(shí)施例中，狹縫422以一等腰梯型形狀為例，然并非以此為 限，狹縫422亦可包含一弧型形狀(如圖7A中虛線所示)、或其它幾何 圖形例如等腰三角型形狀(如圖8所示)，狹縫422可以是梯型形狀、弧 型形狀、或三角型形狀。然而不論狹縫422形狀為何，當(dāng)狹縫422與 基板412形成一相對移動時，狹縫422的長度應(yīng)均可涵蓋于基板412。 上述狹縫422的開口比可用以補(bǔ)償因基板412傾斜所造成膜厚不均的 問題，進(jìn)一步詳述之，在此實(shí)施例中，具有梯型狹縫422的遮板420 于配向膜418的形成過程中，以等速率線性行進(jìn)方式橫向移動于基板 412的表面，而梯型狹縫422的一上方寬度a以及一下方寬度b分別對 應(yīng)于基板412的上方處和底部，且梯型狹縫422的上方寬度a與下方寬 度b的比值大抵等于基板412底部的配向膜418的最高膜厚與基板412 上方處的配向膜418的最低膜厚的比值，亦即上述的膜厚沉積比；另， 梯型狹縫422的上方寬度a與下方寬度b的比值亦稱為狹縫422的開口 比。簡單地說，狹縫422中較窄的下方寬度b對應(yīng)于基板412底部具 有較厚沉積的配向膜418，由此補(bǔ)償因基板412傾斜所造成膜厚不均的 問題。在此實(shí)施例中，當(dāng)膜厚均勻度為0.15，而膜厚沉積比約為1.16時， 梯型狹縫422的下方寬度b可約為1厘米，而其上方寬度a則相對約為 1.16厘米，遮板420可大抵平行基板412表面一距離，并以等速率橫 向移動于基板412的表面，由此具有狹縫422的遮板420可將配向膜 的膜厚均勻度達(dá)到5%以下，甚至達(dá)到3%以下。本領(lǐng)域技術(shù)人員可根 據(jù)實(shí)際需要或條件而采用開口比相同而上下底寬度a和b不同的狹縫 422、調(diào)整遮板420的行進(jìn)速率或來回次數(shù)、改變遮板420與基板412 的相對角度和距離，亦或者將遮板420固定不動而移動基板412等， 均不脫本發(fā)明所揭示的精神。當(dāng)配向膜418到達(dá)至一平均預(yù)定膜厚時，如步驟S507所示，可將 壓力調(diào)整至常壓下，并且降低溫度，接著再取出基板412，如步驟S509所示。依照此實(shí)施例，利用一具有狹縫422的遮板420與基板412間的 相對線性移動，改善配向膜418的膜厚均勻度，而上述狹縫422可具 有一開口比大抵等于膜厚沉積比，以補(bǔ)償因基板412傾斜所造成膜厚 不均的問題，將膜厚均勻度回饋至5%以下，甚至到達(dá)3%以下。此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，上述具有狹縫422的遮板420 與基板412間的相對移動方式亦可包含一旋轉(zhuǎn)方式。在此實(shí)施例中， 其形成配向膜的設(shè)備及方法大致與上述實(shí)施例相同，故此處不再贅述， 而圖9為根據(jù)本實(shí)施例而針對上述配向膜的沉積設(shè)備400的局部放大 圖，其中相同的標(biāo)號表示具有相同功能的構(gòu)件，然而部份構(gòu)件的結(jié)構(gòu) 和特征為配合本實(shí)施例的實(shí)施方式已稍作改變。參照圖9，為配合本實(shí) 施例以旋轉(zhuǎn)方式形成配向膜，支撐裝置408可更包含一橫向延伸部 4081，而當(dāng)支撐裝置408旋轉(zhuǎn)時，可使得基板412沿著旋轉(zhuǎn)軸Z以一 半徑移動，并經(jīng)由一具有狹縫422的遮板420控制配向膜的膜厚均勻 度。在此實(shí)施例中，狹縫422以一梯型形狀為例，然并非以此為限， 還可以是梯型形狀、弧型形狀、或三角型形狀，而本領(lǐng)域技術(shù)人員亦 可根據(jù)實(shí)際需要而適當(dāng)改變支撐基座409的形狀或尺寸。此外，雖然本發(fā)明已以數(shù)個較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以
限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在未脫離本發(fā)明所揭示的精神下 所完成的等效改變或修飾，例如改變狹縫形狀和尺寸、亦或使具有狹 縫的遮板和基板間采用一縱向相對移動方式，均應(yīng)包含在權(quán)利要求書 的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種形成配向膜的設(shè)備，其特征在于，包括一反應(yīng)室，該反應(yīng)室包含一坩鍋，其中裝盛一蒸鍍源；一支撐裝置，支撐一基板，并且控制該基板的法線與該蒸鍍源來向呈一傾斜角度；一發(fā)射源，將該蒸鍍源變?yōu)闅鈶B(tài)并附著于該基板的表面，以形成一配向膜；一壓力控制裝置，控制該反應(yīng)室內(nèi)的壓力；以及一具有一狹縫的遮板，位于該蒸鍍源與該基板之間，于該配向膜形成過程中，與該基板形成一相對移動，以控制該配向膜的膜厚均勻度。
2. 如權(quán)利要求1所述的形成配向膜的設(shè)備，其中，該狹縫包含梯 型形狀、弧型形狀、或三角型形狀，該狹縫具有一長度涵蓋于該基板， 且該狹縫具有一開口比，用以補(bǔ)償因上述該基板的法線與該蒸鍍源來 向呈傾斜角度而造成配向膜膜厚不均的情形。
3. —種形成配向膜的方法，其特征在于，包括 將一基板置于一反應(yīng)室中； 控制該基板與一蒸鍍源呈一傾斜角度；使一具有一狹縫的遮板與該基板呈相對移動，并同時形成一配向膜；使該配向膜達(dá)到一預(yù)定膜厚；以及 取出該基板。
4. 如權(quán)利要求3所述的形成配向膜的方法，其中，具有該狹縫的 該遮板與該基板，相對于該蒸鍍源的來向，呈現(xiàn)一橫向相對移動，且上述該遮板與該基板的橫向相對移動以擇其一的等速率、加速率、及 變速率方式進(jìn)行。
5. 如權(quán)利要求4所述的形成配向膜的方法，其中，由于該基板與 該蒸鍍源呈傾斜角度，使得該配向膜于距離該蒸鍍源較近處具有一最 高膜厚，且該配向膜于距離該蒸鍍源較遠(yuǎn)處具有一最低膜厚，上述配 向膜的最高膜厚與最低膜厚的比值為膜厚沉積比。
6. 如權(quán)利要求5所述的形成配向膜的方法，其中，該狹縫具有擇 其一的梯型形狀、弧型形狀、及三角形狀，該狹縫具有一長度涵蓋于 該基板，且該狹縫具有一第一寬度與一第二寬度，而該第一寬度與該 第二寬度的比值為開口比。
7. 如權(quán)利要求6所述的形成配向膜的方法，其中，該狹縫的該開 口比等于該膜厚沉積比，用以補(bǔ)償上述該基板與該蒸鍍源呈傾斜角度 所造成該配向膜膜厚不均的情形。
8. 如權(quán)利要求3所述的形成配向膜的方法，其中，該蒸鍍源為一 無機(jī)材料擇自包含硅氧化物、氮硅化物、碳硅化合物、氫化類鉆石排 列碳薄膜、氧化鎂、氧化鋁、以及氧化銦錫所組成的族群中之一。
9. 如權(quán)利要求3所述的形成配向膜的方法，其中，該配向膜利用 擇其一的蒸鍍法、及濺鍍法而形成。
10. 如權(quán)利要求3所述的形成配向膜的方法，其中，該具有該狹 縫的遮板與該基板呈相對旋轉(zhuǎn)移動。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種形成配向膜的設(shè)備及方法，此設(shè)備包括一反應(yīng)室，而反應(yīng)室包含一用以裝盛一蒸鍍源的坩堝，一用以支撐一基板且控制此基板一傾斜角度的支撐裝置，一用以將蒸鍍源變?yōu)闅鈶B(tài)并附著于基板的表面以形成一配向膜的發(fā)射源，一用以控制反應(yīng)室內(nèi)壓力的壓力控制裝置，以及一位于上述蒸鍍源與基板之間且具有一狹縫的遮板，上述具有狹縫的遮板于配向膜形成過程中，與基板形成一相對移動，以控制配向膜的膜厚均勻度。
文檔編號G02F1/1337GK101118349SQ200610100980
公開日2008年2月6日 申請日期2006年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月1日
發(fā)明者劉勝發(fā), 李懷安, 王君銘, 羅宇城 申請人:中華映管股份有限公司