專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有源矩陣型的液晶顯示裝置及其制造方法，尤其涉及構(gòu)成該液晶顯示裝置的液晶顯示屏的一側(cè)基板上形成的薄膜晶體管及其制造方法。
背景技術(shù)：
構(gòu)成有源矩陣型液晶顯示裝置的液晶顯示屏在一側(cè)基板(有源矩陣基板)和另一側(cè)基板(濾色基板)之間夾著液晶而形成。在有源矩陣基板中預(yù)制薄膜晶體管(TFT)的制造工序中，在該基板上首先形成多個由鉻等的金屬膜構(gòu)成的平行配置的柵布線和從該各柵布線延伸至每個像素的柵電極。
圖17是說明有源矩陣型液晶顯示裝置的顯示屏部的等價電路的圖。圖17(a)為整體電路圖，圖17(b)是圖17(a)中的像素部PXL的放大圖。在圖17(a)中，顯示屏PNL中以矩陣形式配置有多個像素部PXL，各像素部PXL由掃描布線驅(qū)動電路GDR選擇，根據(jù)來自數(shù)據(jù)布線(也稱源布線)驅(qū)動電路DDR的顯示數(shù)據(jù)信號而被點(diǎn)亮。
即，對應(yīng)于由掃描布線驅(qū)動電路GDR選擇的柵布線GL，通過數(shù)據(jù)布線DL將顯示數(shù)據(jù)(電壓)從數(shù)據(jù)布線驅(qū)動電路DDR供給到顯示屏PNL的像素部PXL中的薄膜晶體管TFT。
如圖17(b)所示，構(gòu)成像素部PXL的薄膜晶體管TFT設(shè)置在柵布線GL和數(shù)據(jù)布線DL的交叉部。在薄膜晶體管TFT的柵電極GT上，連接有柵布線GL，在薄膜晶體管TFT的漏電極或源電極(此處為漏電極)SD2上，連接有數(shù)據(jù)布線DL。
薄膜晶體管TFT的漏電極或源電極(此處為源電極)SD1被連接到液晶(元件)LC的像素電極PX。液晶LC位于像素電極PX和共用電極CT之間，由供給到像素電極PX的數(shù)據(jù)(電壓)驅(qū)動。用于暫時保存數(shù)據(jù)的輔助電容Ca連接于漏電極SD2和輔助電容布線CL之間。
圖18是說明圖17所示的顯示屏PNL的像素部PXL的結(jié)構(gòu)和構(gòu)成該像素部PXL的薄膜晶體管TFT的結(jié)構(gòu)的圖。即，圖18(a)為圖17所示的呈矩陣狀配置的像素部PXL的平面圖，圖18(b)為圖18(a)所示的像素部PXL中的薄膜晶體管TFT部分的沿A-A’線的剖面圖。
如圖18(a)所示，呈矩陣狀配置的像素部PXL中，薄膜晶體管TFT配置在柵布線GL和數(shù)據(jù)布線DL的交叉部。另外，像素電極PX與薄膜晶體管TFT連接，在像素電極PX與輔助電容布線CL之間形成輔助電容。
在圖18(b)中，薄膜晶體管TFT的絕緣基板SUB1上形成有柵電極GT和覆蓋該電極的柵絕緣膜GI，在該絕緣膜上依次層疊有硅(Si)半導(dǎo)體層SI和歐姆接觸層(n+Si)NS、源電極SD1和漏電極SD2。
覆蓋該柵布線GL和數(shù)據(jù)布線DL而形成氮化硅(SiNx)柵絕緣膜GI，并形成多個與柵布線GL交叉的數(shù)據(jù)布線DL。源電極SD1和漏電極SD2與該數(shù)據(jù)布線DL同時形成在同一層上。
這樣，由各柵布線GL和各數(shù)據(jù)布線DL所圍住的部分中，形成由像素部PXL所構(gòu)成的單位像素。該單位像素在全彩色顯示時為各單色(紅、綠、藍(lán))的子像素。下面將單位像素也簡稱為像素。如上所述，構(gòu)成像素部PXL的薄膜晶體管(TFT)由柵電極、在該柵電極上構(gòu)圖了的硅半導(dǎo)體膜、在硅半導(dǎo)體膜的上層分離形成的歐姆接觸層(n+硅)、分別與分離的歐姆接觸層連接的源電極和漏電極構(gòu)成。
在該薄膜晶體管的上層，形成保護(hù)膜PAS，在其上對優(yōu)選是ITO的像素電極PX進(jìn)行構(gòu)圖，采用在保護(hù)膜PAS上開口的接觸孔與源電極(或漏電極)SD1連接。覆蓋像素電極PX而形成取向膜(未圖示)。
另一方面，在圖中未示出的另一側(cè)基板中，在全彩色的情況下隔著3色濾色片和平滑層(外涂層)形成對置電極(圖17的(b))。而且，覆蓋對置電極而形成取向膜，使之與上述的一側(cè)基板即有源矩陣基板重疊，在其間隙中密封液晶。
專利文獻(xiàn)1中公開了采用噴墨法形成上述有源矩陣基板的布線等的方案。在專利文獻(xiàn)1中記載，采用含導(dǎo)電材料的液體材料，用噴墨法形成薄膜晶體管TFT的柵電極，而且，采用含半導(dǎo)體材料的液體材料，用噴墨法形成薄膜晶體管TFT的源電極和漏電極。
日本專利申請?zhí)亻_2003-318193號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
為了使柵布線和數(shù)據(jù)布線絕緣，設(shè)置形成在液晶顯示屏的有源矩陣基板上的柵絕緣膜。柵絕緣膜越薄，薄膜晶體管的性能越好。而且，柵絕緣膜越薄則輔助電容線可越細(xì)，開口率提高。但是，如果柵絕緣膜變薄，則與數(shù)據(jù)布線的交叉部的交叉電容增加而產(chǎn)生信號延遲。另外，存在于柵布線和對置電極之間的對置電容也增加。如果為降低交叉電容或?qū)χ秒娙荻鴮⒔^緣膜增厚，則如上所述，薄膜晶體管的性能會降低。
本發(fā)明的目的在于，提供一種在無需使交叉電容及對置電容增加的情況下，提高薄膜晶體管性能、高速運(yùn)行且高精細(xì)的液晶顯示裝置。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明在構(gòu)成液晶顯示裝置的液晶顯示屏的有源矩陣基板上，采用噴墨法，將低介電常數(shù)絕緣材料滴入夾在該柵布線和數(shù)據(jù)布線交叉部之間的柵絕緣膜的上層或下層，作為又一個絕緣膜，無需使該交叉部的交叉電容和與對置電極之間的電容(對置電容)增加，而使薄膜晶體管性能提高。
另外，本發(fā)明在覆蓋柵布線的柵絕緣膜的上層或下層，包含數(shù)據(jù)布線的交叉部，沿著該柵布線，采用噴墨法滴入低介電常數(shù)絕緣材料，無需使該交叉部的交叉電容和與對置電極之間的電容(對置電容)增加，而使薄膜晶體管性能提高。
在形成數(shù)據(jù)布線和源漏電極之后，進(jìn)行硅半導(dǎo)體層的成膜和構(gòu)圖，來加工半導(dǎo)體島，形成歐姆接觸層、源電極和漏電極，以制作薄膜晶體管。在形成保護(hù)膜之后，通過在該保護(hù)膜上打開的接觸孔形成與薄膜晶體管的源電極(或漏電極)連接的像素電極。之后，采用公知工藝制作液晶顯示屏，利用該液晶顯示屏得到液晶顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明，可以僅在柵布線和數(shù)據(jù)布線的交叉部或在包含該交叉部的柵布線之上，且在柵絕緣膜的上層或下層，在需要的細(xì)節(jié)部分有限制地涂敷低介電常數(shù)的絕緣材料，不會使該交叉部的交叉電容和與對置電極之間的電容(對置電容)增加，而且，無需除去無用部分等之后的工藝，可使薄膜晶體管的性能提高。進(jìn)一步地，由于采用噴墨法涂敷絕緣材料所形成的絕緣膜的周緣成為平穩(wěn)的錐形，抑制了跨越柵布線而交叉的數(shù)據(jù)布線由于臺階狀切斷等而產(chǎn)生斷線。


圖1是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例1的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。
圖2是沿著在圖1的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的A-A線切斷的剖面圖。
圖3是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例2的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。
圖4是沿著在圖3的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的A-A線切斷的剖面圖。
圖5是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例3的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。
圖6是沿著在圖5的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的A-A線切斷的剖面圖。
圖7是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例4的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。
圖8是沿著在圖7的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的A-A線切斷的剖面圖。
圖9是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例5的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。
圖10是示出在沿著在圖9的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的B-B線切斷的情況下與另一側(cè)基板貼合而密封液晶的狀態(tài)的剖面圖。
圖11是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例6的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。
圖12是示出在沿著在圖11的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的B-B線切斷的情況下與另一側(cè)基板貼合而密封液晶的狀態(tài)的剖面圖。
圖13是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例7的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。
圖14是示出在沿著在圖13的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的B-B線切斷的情況下與另一側(cè)基板貼合而密封液晶的狀態(tài)的剖面圖。
圖15是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例8的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。
圖16是示出在沿著在圖15的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的B-B線切斷的情況下與另一側(cè)基板貼合而密封液晶的狀態(tài)的剖面圖。
圖17是說明有源矩陣型液晶顯示裝置的顯示屏部的等價電路的圖。
圖18是說明圖17中所示的顯示屏PNL的像素部PXL的結(jié)構(gòu)和構(gòu)成該像素部PXL的薄膜晶體管TFT的結(jié)構(gòu)的圖。
(符號說明)SUB1...第1絕緣基板(有源矩陣基板)、SUB2...第2絕緣基板(濾色基板)、GL...柵布線、GT...柵電極、GI...柵絕緣膜、SI...硅半導(dǎo)體層、LDP...低介電常數(shù)絕緣膜、DL...數(shù)據(jù)布線、SD1源電極(漏電極)、SD2...漏電極(源電極)、BNK-G...柵布線形成用堤、BNK-D...數(shù)據(jù)布線形成用堤具體實(shí)施方式
下面參照實(shí)施例的附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)通過下面的制造方法來說明。
(實(shí)施例1)圖1是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例1的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。這里，按照(1)～(4)的順序說明直到數(shù)據(jù)布線和源漏電極的形成工序。首先，(1)柵電極制作在優(yōu)選為透明玻璃基板的絕緣基板的表面上對柵布線GL進(jìn)行構(gòu)圖。在該柵布線GL中突出地形成薄膜晶體管的柵電極GT。
(2)島的形成覆蓋包含柵布線GL及柵電極GT的基板整個區(qū)域，形成柵絕緣膜GI。柵絕緣膜GI是采用CVD法使氮化硅(SiNx)成膜而得到的。之后，采用同樣的CVD法，形成非晶硅半導(dǎo)體層和將磷等作為雜質(zhì)摻入硅中的n+硅半導(dǎo)體層(歐姆接觸層)。加工作為該非晶硅半導(dǎo)體層的歐姆接觸層，在柵電極GT的上方形成硅半導(dǎo)體的島SI。此時，在島SI的上層形成的歐姆接觸層作為源電極和漏電極的連接區(qū)而各自分開。
(3)交叉部IJ涂敷在柵布線的柵絕緣層GI上，僅在數(shù)據(jù)布線交叉的部分(交叉部)采用噴墨法滴入涂敷低介電常數(shù)的絕緣材料，形成又一個絕緣層LDP。下面稱該又一個絕緣層LDP為低介電常數(shù)絕緣層LDP。
(4)源和溝道的形成在柵絕緣層GI之上，且在交叉的柵布線GL之上的低介電常數(shù)絕緣層LDP上，形成源布線即數(shù)據(jù)布線DL。此時，對薄膜晶體管的源電極SD1和漏電極同時進(jìn)行構(gòu)圖，在源電極SD1和漏電極之間形成溝道。之后，經(jīng)過形成保護(hù)膜、形成像素電極等像素形成工藝及取向膜的涂敷工藝，制作有源矩陣基板。
圖2是沿著在圖1的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的A-A線切斷的剖面圖。如圖所示，在玻璃基板SUB1的表面形成柵布線GL。覆蓋該柵布線GL而在整個玻璃基板SUB1的表面形成柵絕緣膜GI。而且，在柵布線GL和數(shù)據(jù)布線交叉的部分的柵布線GL上且在柵絕緣膜GI上，采用噴墨法，滴入芳香族碳?xì)湎涤袡C(jī)聚合物、聚烯丙基醚系有機(jī)聚合物等低介電常數(shù)絕緣材料的印劑(ink)。該印劑干燥后成為低介電常數(shù)絕緣膜LDP。
在該柵絕緣膜GI和低介電常數(shù)絕緣膜LDP這2層結(jié)構(gòu)的絕緣結(jié)構(gòu)之上交叉形成數(shù)據(jù)布線DL。如圖2所示，采用噴墨法滴入而硬化的低介電常數(shù)絕緣膜LDP的周緣成為平穩(wěn)的錐形。因此，與柵布線GL交叉的數(shù)據(jù)布線DL平穩(wěn)地跨越柵布線GL，而可抑制在跨越角度陡峭時出現(xiàn)的臺階狀切斷等而產(chǎn)生斷線。另外，數(shù)據(jù)布線DL和未圖示的濾色基板上所具有的對置電極之間，除了上述交叉部之外，不存在使電極間隔變窄的電介質(zhì)。
根據(jù)實(shí)施例1，可提供一種在無需增加交叉電容及對置電容的情況下提高薄膜晶體管的性能，高速運(yùn)行且高精細(xì)的液晶顯示裝置。
(實(shí)施例2)圖3是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例2的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。其中，按照(1)～(4)的順序說明直到數(shù)據(jù)布線和源漏電極的形成工序。和實(shí)施例1相同，首先，(1)柵電極制作在優(yōu)選為透明玻璃基板的絕緣基板的表面上對柵布線GL進(jìn)行構(gòu)圖。在該柵布線GL中突出地形成薄膜晶體管的柵電極GT。
(2)交叉部IJ涂敷在柵布線GL上，僅在數(shù)據(jù)布線交叉的部分(交叉部)采用噴墨法滴入涂敷低介電常數(shù)的絕緣材料，形成低介電常數(shù)絕緣層LDP。
(3)島的形成覆蓋包含柵布線GL及柵電極GT以及低介電常數(shù)絕緣層LDP的基板整個區(qū)域，而形成柵絕緣膜GI。柵絕緣膜GI是采用CVD法使氮化硅(SiNx)成膜。之后，采用同樣的CVD法，形成非晶硅半導(dǎo)體層和將磷等作為雜質(zhì)摻入硅中的n+硅半導(dǎo)體層(歐姆接觸層)。加工作為該非晶硅半導(dǎo)體層的歐姆接觸層，在柵電極GT的上方形成硅半導(dǎo)體的島SI。此時，在島SI的上層形成的歐姆接觸層作為源電極和漏電極的連接區(qū)而各自分開。
(4)源和溝道的形成在低介電常數(shù)絕緣層LDP和柵絕緣層GI之上，且在交叉的柵布線GL之上的柵絕緣層GI上，形成源布線即數(shù)據(jù)布線DL。此時，對薄膜晶體管的源電極SD1和漏電極同時進(jìn)行構(gòu)圖，在源電極SD1和漏電極之間形成溝道。之后，經(jīng)過保護(hù)膜的形成、像素電極的形成等像素形成工藝及取向膜的涂敷工藝，制作有源矩陣基板。
圖4是沿著在圖3的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的A-A線切斷的剖面圖。如圖所示，在玻璃基板SUB1的表面形成柵布線GL。在柵布線GL和數(shù)據(jù)布線交叉的部分的柵布線GL上，采用噴墨法，滴入芳香族碳?xì)湎涤袡C(jī)聚合物、聚烯丙基醚系有機(jī)聚合物等低介電常數(shù)絕緣材料的印劑。該印劑干燥后成為低介電常數(shù)絕緣膜LDP。覆蓋在交叉部具有該低介電常數(shù)絕緣膜LDP的柵布線GL而在玻璃基板SUB1的整個表面形成柵絕緣膜GI。
而且，在柵絕緣膜GI和該低介電常數(shù)絕緣膜LDP這2層結(jié)構(gòu)的絕緣結(jié)構(gòu)之上交叉形成數(shù)據(jù)布線DL。如圖4所示，采用噴墨法滴入而硬化的低介電常數(shù)絕緣膜LDP的周緣成為平穩(wěn)的錐形。位于其上的柵絕緣膜GI也成為更平穩(wěn)的周緣。因此，與柵布線GL交叉的數(shù)據(jù)布線DL平穩(wěn)地跨越柵布線GL，而可抑制在跨越角度陡峭時出現(xiàn)的臺階狀切斷等而產(chǎn)生斷線。另外，數(shù)據(jù)布線DL和未圖示的濾色基板上所具有的對置電極之間，除了上述交叉部之外，不存在使電極間隔變窄的電介質(zhì)。
根據(jù)實(shí)施例2，可提供一種在無需增加交叉電容及對置電容的情況下提高薄膜晶體管的性能，高速運(yùn)行且高精細(xì)的液晶顯示裝置。
(實(shí)施例3)圖5是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例3的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。實(shí)施例3的柵布線和數(shù)據(jù)布線也采用噴墨法形成。這里，按照(1)～(4)的順序說明直到數(shù)據(jù)布線和源漏電極的形成工序。首先，(1)柵電極制作在優(yōu)選為透明玻璃基板的絕緣基板的表面上，設(shè)置在柵布線和柵電極圖形中形成溝的堤(bank)BNK-G。堤BNK-G和該溝采用光刻膠(感光性抗蝕劑)的光刻法形成。其他的實(shí)施例也同樣。在該堤BNK-G的溝中采用噴墨法滴入并填充摻入了銀或銅等導(dǎo)電性粒子的印劑。使之干燥，燒焙而形成柵布線GL和柵電極GT。
(2)島的形成覆蓋包含柵布線GL及柵電極GT以及堤BNK-G的基板整個區(qū)域，形成柵絕緣膜GI。柵絕緣膜GI是采用CVD法使氮化硅(SiNx)成膜。之后，采用同樣的CVD法，形成非晶硅半導(dǎo)體層和在硅中摻入了磷等作為雜質(zhì)的n+硅半導(dǎo)體層(歐姆接觸層)。加工作為該非晶硅半導(dǎo)體層的歐姆接觸層，在柵電極GT的上方形成硅半導(dǎo)體的島SI。此時，在島SI的上層形成的歐姆接觸層作為源電極和漏電極的連接區(qū)而各自分開。
(3)交叉部IJ涂敷在柵布線的柵絕緣層GI上，僅在數(shù)據(jù)布線交叉的部分(交叉部)采用噴墨法滴入涂敷低介電常數(shù)的絕緣材料，形成低介電常數(shù)絕緣層LDP。
(4)源和溝道的形成在絕緣基板的表面上設(shè)置在數(shù)據(jù)布線和源電極以及漏電極的圖形中形成溝的堤BNK-D。堤BNK-D和該溝采用光刻膠的光刻法形成。其他的實(shí)施例也同樣。在該堤BNK-D的溝中采用噴墨法滴入并填充摻入了銀或銅等導(dǎo)電性粒子的印劑。使之干燥，燒焙而形成數(shù)據(jù)布線DL和源電極SD1以及漏電極SD2。此時，在源電極SD1和漏電極SD2之間形成溝道。之后，經(jīng)過保護(hù)膜的形成、像素電極的形成等像素形成工藝及取向膜的涂敷工藝，制作有源矩陣基板。
圖6是沿著在圖5的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的A-A線切斷的剖面圖。如圖所示，在玻璃基板SUB1的表面上形成的堤BNK-G的溝中形成柵布線GL。覆蓋該柵布線GL而在玻璃基板SUB1的整個表面形成柵絕緣膜GI。而且，在柵布線GL和數(shù)據(jù)布線交叉的部分的柵布線GL上且在柵絕緣膜GI之上，采用噴墨法，滴入芳香族碳?xì)湎涤袡C(jī)聚合物、聚烯丙基醚系有機(jī)聚合物等低介電常數(shù)絕緣材料的印劑。該印劑干燥后成為低介電常數(shù)絕緣膜LDP。
在該柵絕緣膜GI和低介電常數(shù)絕緣膜LDP這2層絕緣結(jié)構(gòu)之上交叉形成數(shù)據(jù)布線DL。如圖6所示，利用堤BNK-G平坦地形成柵絕緣膜GI。在其上采用噴墨法滴入而硬化的低介電常數(shù)絕緣膜LDP的周緣成為更平穩(wěn)的錐形。因此，與柵布線GL交叉的數(shù)據(jù)布線DL平穩(wěn)地跨越柵布線GL，可抑制在跨越角度陡峭時出現(xiàn)的臺階狀切斷等而產(chǎn)生斷線。另外，數(shù)據(jù)布線DL和未圖示的濾色基板上所具有的對置電極之間，除了上述交叉部之外，不存在使電極間隔變窄的電介質(zhì)。
根據(jù)實(shí)施例3，可提供一種在無需增加交叉電容及對置電容的情況下提高薄膜晶體管的性能，高速運(yùn)行且高精細(xì)的液晶顯示裝置。
(實(shí)施例4)圖7是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例4的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。實(shí)施例4也和實(shí)施例3一樣，柵布線和數(shù)據(jù)布線也采用噴墨法形成。這里，按照(1)～(4)的順序說明直到數(shù)據(jù)布線和源漏電極的形成工序。首先，(1)柵電極制作在優(yōu)選為透明玻璃基板的絕緣基板的表面上設(shè)置在柵布線和柵電極圖形中形成溝的堤BNK-G。在該堤BNK-G的溝中采用噴墨法滴入并填充摻入了銀或銅等導(dǎo)電性粒子的印劑。使之干燥，燒焙而形成柵布線GL和柵電極GT。
(2)交叉部IJ涂敷在柵布線的柵絕緣層GI上，僅在數(shù)據(jù)布線交叉的部分(交叉部)采用噴墨法滴入涂敷低介電常數(shù)的絕緣材料，形成低介電常數(shù)絕緣層LDP。
(3)島的形成覆蓋包含柵布線GL及柵電極GT以及堤BNK-G的基板整個區(qū)域，形成柵絕緣膜GI。柵絕緣膜GI是采用CVD法使氮化硅(SiNx)成膜。之后，采用同樣的CVD法，形成非晶硅半導(dǎo)體層和將磷等作為雜質(zhì)摻入硅中的n+硅半導(dǎo)體層(歐姆接觸層)。加工作為該非晶硅半導(dǎo)體層的歐姆接觸層，在柵電極GT的上方形成硅半導(dǎo)體的島SI。此時，在島SI的上層形成的歐姆接觸層作為源電極和漏電極的連接區(qū)而各自分開。
(4)源和溝道的形成在絕緣基板的表面上設(shè)置在數(shù)據(jù)布線和源電極以及漏電極的圖形中形成溝的堤BNK-D。在該堤BNK-D的溝中采用噴墨法滴入并填充摻入了銀或銅等導(dǎo)電性粒子的印劑。使之干燥，燒焙而形成數(shù)據(jù)布線DL和源電極SD1以及漏電極SD2。此時，在源電極SD1和漏電極SD2之間形成溝道。之后，經(jīng)過保護(hù)膜的形成、像素電極的形成等像素形成工藝及取向膜的涂敷工藝，制作有源矩陣基板。
圖8是沿著在圖7的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的A-A線切斷的剖面圖。如圖所示，在玻璃基板SUB1的表面上形成的堤BNK-G的溝中形成柵布線GL。在柵布線GL和數(shù)據(jù)布線交叉的部分的柵布線GL上且柵絕緣膜GI上，采用噴墨法，滴入芳香族碳?xì)湎涤袡C(jī)聚合物、聚烯丙基醚系有機(jī)聚合物等低介電常數(shù)絕緣材料的印劑。該印劑干燥后成為低介電常數(shù)絕緣膜LDP。覆蓋該低介電常數(shù)絕緣膜LDP而在玻璃基板SUB1的整個表面形成柵絕緣膜GI。
在柵絕緣膜GI和該低介電常數(shù)絕緣膜LDP這2層絕緣結(jié)構(gòu)之上交叉形成數(shù)據(jù)布線DL。如圖8所示，利用堤BNK-G，平穩(wěn)地形成低介電常數(shù)絕緣膜LDP之上形成的柵絕緣膜GI的周緣。因此，與柵布線GL交叉的數(shù)據(jù)布線DL平穩(wěn)地跨越柵布線GL，可抑制在跨越角度陡峭時出現(xiàn)的臺階狀切斷等而產(chǎn)生斷線。另外，數(shù)據(jù)布線DL和未圖示的濾色基板上所具有的對置電極之間，除了上述交叉部之外，不存在使電極間隔變窄的電介質(zhì)。
根據(jù)實(shí)施例4，可提供一種在無需增加交叉電容及對置電容的情況下提高薄膜晶體管的性能，高速運(yùn)行且高精細(xì)的液晶顯示裝置。
(實(shí)施例5)圖9是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例5的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。這里，按照(1)～(4)的順序說明直到數(shù)據(jù)布線和源漏電極的形成工序。首先，(1)柵電極制作在優(yōu)選為透明玻璃基板的絕緣基板的表面上對柵布線GL進(jìn)行構(gòu)圖。在該柵布線GL中突出地形成薄膜晶體管的柵電極GT。
(2)島的形成覆蓋包含柵布線GL及柵電極GT的基板整個區(qū)域，形成柵絕緣膜GI。柵絕緣膜GI是采用CVD法使氮化硅(SiNx)成膜。之后，采用同樣的CVD法，形成非晶硅半導(dǎo)體層和將磷等作為雜質(zhì)摻入硅中的n+硅半導(dǎo)體層(歐姆接觸層)。加工作為該非晶硅半導(dǎo)體層的歐姆接觸層，在柵電極GT的上方形成硅半導(dǎo)體的島SI。此時，在島SI的上層形成的歐姆接觸層作為源電極和漏電極的連接區(qū)而各自分開。
(3)柵布線部IJ涂敷在柵布線的柵絕緣層GI上，不只是在數(shù)據(jù)布線交叉的部分(交叉部)，沿著柵布線GL在其上部采用噴墨法滴入涂敷低介電常數(shù)的絕緣材料，形成低介電常數(shù)絕緣層LDP。該低介電常數(shù)絕緣層LDP形成于有源矩陣基板的至少顯示區(qū)域(以矩陣形式排列了多個像素的區(qū)域)內(nèi)的所有柵布線GL的上層。
(4)源和溝道的形成在柵絕緣層GI之上，且在交叉的柵布線GL之上的低介電常數(shù)絕緣層LDP之上，形成源布線即數(shù)據(jù)布線DL。此時，對薄膜晶體管的源電極SD1和漏電極同時進(jìn)行構(gòu)圖，在源電極SD1和漏電極之間形成溝道。之后，經(jīng)過保護(hù)膜的形成、像素電極的形成等像素形成工藝及取向膜的涂敷工藝，制作有源矩陣基板。
圖10是示出在沿著圖9的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的B-B線切斷的情況下與另一側(cè)基板貼合而密封液晶的狀態(tài)的剖面圖。如圖所示，在構(gòu)成有源矩陣基板的玻璃基板SUB1的表面形成柵布線GL。覆蓋該柵布線GL而在玻璃基板SUB1的整個表面形成柵絕緣膜GI。而且，在柵布線GL與數(shù)據(jù)布線交叉的部分的柵布線GL上且在柵絕緣膜GI上，采用噴墨法，滴入芳香族碳?xì)湎涤袡C(jī)聚合物、聚烯丙基醚系有機(jī)聚合物等低介電常數(shù)絕緣材料的印劑。該印劑干燥后成為沿著柵布線GL存在于柵絕緣膜GI上的低介電常數(shù)絕緣膜LDP。
在該柵絕緣膜GI和低介電常數(shù)絕緣膜LDP這2層絕緣結(jié)構(gòu)之上交叉形成數(shù)據(jù)布線DL。如圖10所示，采用噴墨法滴入并硬化的低介電常數(shù)絕緣膜LDP的周緣成為平穩(wěn)的錐形。因此，與柵布線GL交叉的數(shù)據(jù)布線DL平穩(wěn)地跨越柵布線GL，從而可抑制在跨越角度陡峭時出現(xiàn)的臺階狀切斷等而產(chǎn)生斷線。另外，數(shù)據(jù)布線DL和濾色基板SUB2上所具有的對置電極CT之間，除了包含上述交叉部的柵布線GL的部分之外，不存在使電極間隔變窄的電介質(zhì)。在有源矩陣基板SUB1側(cè)的取向膜ORI1和濾色基板SUB2側(cè)的取向膜ORI2之間，密封液晶LC。
根據(jù)實(shí)施例5，不會使交叉電容及對置電容增加，且在數(shù)據(jù)布線等信號線與對置電極之間，只有柵布線GL上的低介電常數(shù)絕緣膜LDP作為使電極間隔變窄的電介質(zhì)存在，不會成為使電容大幅增加的結(jié)構(gòu)。因此可提供一種不會使薄膜晶體管性能降低，而且可高速運(yùn)行且高精細(xì)的液晶顯示裝置。
(實(shí)施例6)圖11是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例6的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。這里，按照(1)～(4)的順序說明直到數(shù)據(jù)布線和源漏電極的形成工序。首先，(1)柵電極制作在優(yōu)選為透明玻璃基板的絕緣基板的表面上對柵布線GL進(jìn)行構(gòu)圖。在該柵布線GL上突出地形成薄膜晶體管的柵電極GT。
(2)柵布線部IJ涂敷在柵布線上，不只是在數(shù)據(jù)布線交叉的部分(交叉部)，沿著柵布線GL在其上部采用噴墨法滴入涂敷低介電常數(shù)的絕緣材料，形成低介電常數(shù)絕緣層LDP。該低介電常數(shù)絕緣層LDP形成于有源矩陣基板的至少顯示區(qū)域(矩陣排列多個像素的區(qū)域)內(nèi)的所有柵布線GL的上層。
(3)島的形成覆蓋包含柵布線GL及柵電極GT及低介電常數(shù)絕緣層LDP的基板整個區(qū)域，形成柵絕緣膜GI。柵絕緣膜GI是采用CVD法使氮化硅(SiNx)成膜。之后，采用同樣的CVD法，形成非晶硅半導(dǎo)體層和將磷等作為雜質(zhì)摻入硅中的n+硅半導(dǎo)體層(歐姆接觸層)。加工作為該非晶硅半導(dǎo)體層的歐姆接觸層，在柵電極GT的上方形成硅半導(dǎo)體的島SI。此時，在島SI的上層形成的歐姆接觸層作為源電極和漏電極的連接區(qū)而各自分開。
(4)源和溝道的形成在柵絕緣層GI之上，且在交叉的柵布線GL之上的低介電常數(shù)絕緣層LDP之上，形成源布線即數(shù)據(jù)布線DL。此時，對薄膜晶體管的源電極SD1和漏電極同時進(jìn)行構(gòu)圖，在源電極SD1和漏電極之間形成溝道。之后，經(jīng)過保護(hù)膜的形成、像素電極的形成等像素形成工藝及取向膜的涂敷工藝，制作有源矩陣基板。
圖12是示出在沿著圖11的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的B-B線切斷的情況下與另一側(cè)基板貼合而密封液晶的狀態(tài)的剖面圖。如圖所示，在構(gòu)成有源矩陣基板的玻璃基板SUB1的表面形成柵布線GL。在包含數(shù)據(jù)布線交叉的部分的柵布線GL上形成低介電常數(shù)絕緣層LDP，之上形成柵絕緣膜GI。低介電常數(shù)絕緣層LDP是采用噴墨法，滴入芳香族碳?xì)湎涤袡C(jī)聚合物、聚烯丙基醚系有機(jī)聚合物等低介電常數(shù)絕緣材料的印劑，干燥后成為沿著柵布線GL存在于柵絕緣膜GI上的低介電常數(shù)絕緣膜LDP。
在該柵絕緣膜GI和低介電常數(shù)絕緣膜LDP這2層絕緣結(jié)構(gòu)之上交叉形成數(shù)據(jù)布線DL。如圖12所示，采用噴墨法滴入并硬化的低介電常數(shù)絕緣膜LDP的周緣成為平穩(wěn)的錐形。因此，與柵布線GL交叉的數(shù)據(jù)布線DL平坦地跨越柵布線GL，從而可抑制在跨越角度陡峭時出現(xiàn)的臺階狀切斷等而產(chǎn)生斷線。另外，數(shù)據(jù)布線DL和濾色基板SUB2上所具有的對置電極CT之間，除了包含上述交叉部的柵布線GL的部分之外，不存在使電極間隔變窄的電介質(zhì)。在有源矩陣基板SUB1側(cè)的取向膜ORI1和濾色基板SUB2側(cè)的取向膜ORI2之間，密封液晶LC。
根據(jù)實(shí)施例6，不會使交叉電容和對置電容增加，且在數(shù)據(jù)布線等信號線與對置電極之間，只有柵布線GL上的低介電常數(shù)絕緣膜LDP作為使電極間隔變窄的電介質(zhì)存在，不會成為使電容大幅增加的結(jié)構(gòu)。因此可提供一種不會使薄膜晶體管性能降低，而且可高速運(yùn)行且高精細(xì)的液晶顯示裝置。
(實(shí)施例7)圖13是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例7的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。這里，按照(1)～(4)的順序說明直到數(shù)據(jù)布線和源漏電極的形成工序。首先，(1)柵電極制作在優(yōu)選為透明玻璃基板的絕緣基板的表面上形成設(shè)置了柵布線和柵電極的溝圖形的堤BNK-G。在堤BNK-G的溝中采用噴墨法滴入包含銀或銅等導(dǎo)電性粒子的印劑，且干燥、燒焙而形成柵布線GL和柵電極GT。
(2)島的形成覆蓋包含柵布線GL及柵電極GT以及堤BNK-G的基板整個區(qū)域，形成柵絕緣膜GI。柵絕緣膜GI采用CVD法將氮化硅(SiNx)成膜。之后，采用同樣的CVD法，形成非晶硅半導(dǎo)體層和將磷等作為雜質(zhì)而摻入硅中的n+硅半導(dǎo)體層(歐姆接觸層)。加工作為該非晶硅半導(dǎo)體層的歐姆接觸層，在柵電極GT的上方形成硅半導(dǎo)體的島SI。此時，在島SI的上層形成的歐姆接觸層作為源電極和漏電極的連接區(qū)而各自分開。
(3)柵布線部IJ涂敷在柵布線的柵絕緣層GI上，不只是在數(shù)據(jù)布線交叉的部分(交叉部)，沿著柵布線GL在其上部采用噴墨法滴入涂敷低介電常數(shù)的絕緣材料，形成低介電常數(shù)絕緣層LDP。該低介電常數(shù)絕緣層LDP形成于有源矩陣基板的至少顯示區(qū)域(以矩陣形式排列了多個像素的區(qū)域)內(nèi)的所有柵布線GL的上層。
(4)源和溝道的形成在柵絕緣層GI上，且在交叉的柵布線GL上的低介電常數(shù)絕緣層LDP上，形成具有數(shù)據(jù)布線和源電極SD1及漏電極SD2的溝圖形的堤BNK-D。采用噴墨法將包含銀或銅等導(dǎo)電性粒子的印劑滴入堤BNK-G的溝中，且干燥，燒焙而形成源布線即數(shù)據(jù)布線DL、和源電極SD1和漏電極SD2。此時，在源電極SD1和漏電極之間形成溝道。之后，經(jīng)過保護(hù)膜的形成、像素電極的形成等像素形成工藝及取向膜的涂敷工藝，制作有源矩陣基板。
圖14是示出在沿著圖13的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的B-B線切斷的情況下與另一側(cè)基板貼合而密封液晶的狀態(tài)的剖面圖。如圖所示，在構(gòu)成有源矩陣基板的玻璃基板SUB1的表面形成柵布線GL。覆蓋該柵布線GL而在玻璃基板SUB1的整個表面形成柵絕緣膜GI。由于堤BNK-G的存在而平坦地形成柵絕緣膜GI。而且，在柵布線GL與數(shù)據(jù)布線交叉的部分的柵布線GL上且柵絕緣膜GI之上，采用噴墨法，滴入芳香族碳?xì)湎涤袡C(jī)聚合物、聚烯丙基醚系有機(jī)聚合物等低介電常數(shù)絕緣材料的印劑。該印劑干燥后成為沿著柵布線GL存在于柵絕緣膜GI上的低介電常數(shù)絕緣膜LDP。
在該柵絕緣膜GI和低介電常數(shù)絕緣膜LDP這2層絕緣結(jié)構(gòu)之上交叉形成數(shù)據(jù)布線DL。如圖14所示，采用噴墨法滴入而硬化的低介電常數(shù)絕緣膜LDP的周緣成為平穩(wěn)的錐形。因此，與柵布線GL交叉的數(shù)據(jù)布線DL平穩(wěn)地跨越柵布線GL，因而可抑制在跨越角度陡峭時出現(xiàn)的臺階狀切斷等而產(chǎn)生斷線。另外，數(shù)據(jù)布線DL和濾色基板SUB2上所具有的對置電極CT之間，除了包含上述交叉部的柵布線GL部分之外，不存在使電極間隔變窄的電介質(zhì)。在有源矩陣基板SUB1側(cè)的取向膜ORI1和濾色基板SUB2側(cè)的取向膜ORI2之間，密封液晶LC。
根據(jù)實(shí)施例7，不會使交叉電容和對置電容增加，且在數(shù)據(jù)布線等信號線與對置電極之間，只有柵布線GL上的低介電常數(shù)絕緣膜LDP作為使電極間隔變窄的電介質(zhì)存在，不會成為使電容大幅增加的結(jié)構(gòu)。因此可提供一種不會使薄膜晶體管性能降低，而且可高速運(yùn)行且高精細(xì)的液晶顯示裝置。
(實(shí)施例8)圖15是說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例8的液晶顯示屏的有源矩陣基板的制造方法的主要工序的平面圖。這里，按照(1)～(4)的順序說明直到數(shù)據(jù)布線和源漏電極的形成工序。首先，(1)柵電極制作在優(yōu)選為透明玻璃基板的絕緣基板的表面上形成設(shè)置了柵布線和柵電極的溝圖形的堤BNK-G。在堤BNK-G的溝中采用噴墨法滴入包含銀或銅等導(dǎo)電性粒子的印劑，且干燥，燒焙而形成柵布線GL和柵電極GT。
(2)柵布線部IJ涂敷在柵布線的柵絕緣層GI上，不只是在數(shù)據(jù)布線交叉的部分(交叉部)，沿柵布線GL在其上部采用噴墨法滴入涂敷低介電常數(shù)的絕緣材料，形成低介電常數(shù)絕緣層LDP。該低介電常數(shù)絕緣層LDP形成于有源矩陣基板的至少顯示區(qū)域(矩陣排列多個像素的區(qū)域)內(nèi)的所有柵布線GL的上層。
(3)島的形成覆蓋包含柵布線GL及柵電極GT以及堤BNK-G的基板整個區(qū)域，形成柵絕緣膜GI。柵絕緣膜GI是采用CVD法使氮化硅(SiNx)成膜。之后，采用同樣的CVD法，形成非晶硅半導(dǎo)體層和將磷等作為雜質(zhì)摻入硅中的n+硅半導(dǎo)體層(歐姆接觸層)。加工作為該非晶硅半導(dǎo)體層的歐姆接觸層，在柵電極GT的上方形成硅半導(dǎo)體的島SI。此時，在島SI的上層形成的歐姆接觸層作為源電極和漏電極的連接區(qū)而各自分開。
(4)源和溝道的形成在柵絕緣層GI上，且在交叉的柵布線GL上的低介電常數(shù)的絕緣層LDP之上，形成具有數(shù)據(jù)布線和源電極SD1以及漏電極SD2的溝圖形的堤BNK-D。采用噴墨法將包含銀或銅等導(dǎo)電性粒子的印劑滴入堤BNK-G的溝中，且干燥，燒焙而形成源布線即數(shù)據(jù)布線DL和源電極SD1和漏電極SD2。此時，在源電極SD1和漏電極之間形成溝道。之后，經(jīng)過保護(hù)膜的形成、像素電極的形成等像素形成工藝及取向膜的涂敷工藝，制作有源矩陣基板。
圖16是示出在沿著圖15的工序(4)中形成了數(shù)據(jù)布線的狀態(tài)的有源矩陣基板的B-B線切斷的情況下與另一側(cè)基板貼合而密封液晶的狀態(tài)的剖面圖。如圖所示，在構(gòu)成有源矩陣基板的玻璃基板SUB1的表面形成柵布線GL。包括柵布線GL和數(shù)據(jù)布線交叉的部分，在柵布線GL之上，采用噴墨法，滴入芳香族碳?xì)湎涤袡C(jī)聚合物、聚烯丙基醚系有機(jī)聚合物等低介電常數(shù)絕緣材料的印劑。該印劑干燥后成為沿著柵布線GL存在于柵絕緣膜GI上的低介電常數(shù)絕緣膜LDP。其上形成柵絕緣膜GI。柵絕緣膜GI由于堤BNK-G的存在而平坦地形成。
在該柵絕緣膜GI和低介電常數(shù)絕緣膜LDP這2層絕緣結(jié)構(gòu)之上交叉形成數(shù)據(jù)布線DL。如圖16所示，采用噴墨法滴入而硬化的低介電常數(shù)絕緣膜LDP的周緣成為平穩(wěn)的錐形。因此，與柵布線GL交叉的數(shù)據(jù)布線DL平穩(wěn)地跨越柵布線GL，而可抑制在跨越角度陡峭時出現(xiàn)的臺階狀切斷等而產(chǎn)生斷線。另外，數(shù)據(jù)布線DL和濾色基板SUB2上所具有的對置電極CT之間，除了包含上述交叉部的柵布線GL部分之外，不存在使電極間隔變窄的電介質(zhì)。在有源矩陣基板SUB1側(cè)的取向膜ORI1和濾色基板SUB2側(cè)的取向膜ORI2之間，密封液晶LC。
根據(jù)實(shí)施例8，不會使交叉電容和對置電容增加，且在數(shù)據(jù)布線等信號線與對置電極之間，只有柵布線GL上的低介電常數(shù)絕緣膜LDP作為使電極間隔變窄的電介質(zhì)存在，不會成為使電容大幅增加的結(jié)構(gòu)。因此可提供一種不會使薄膜晶體管性能降低，而且可高速運(yùn)行且高精細(xì)的液晶顯示裝置。
這里，對于本發(fā)明的具體效果，關(guān)于交叉部電容利用實(shí)施例3進(jìn)行說明，而對于對置電極，利用實(shí)施例7進(jìn)行說明。
關(guān)于實(shí)施例3中說明的交叉部電容，參照圖6的剖面結(jié)構(gòu)來說明。在柵布線GL和數(shù)據(jù)布線DL的交叉部中使存在于兩布線之間的柵絕緣膜GI的厚度dgi為0.4μm，其介電常數(shù)εgi為7.0，交叉部面積為S時，僅柵絕緣膜GI的交叉部的電容C0為C0＝εgi/dgiS＝(7.0/0.4)S如果使交叉部中的柵絕緣膜GI之上采用噴墨法涂敷的低介電常數(shù)絕緣膜LDP的厚度為d、其介電常數(shù)為ε，則交叉部的電容C為C＝C0{1/(1+dεgi/dgiε)}其中，低介電常數(shù)絕緣膜LDP的介電常數(shù)ε約為3，改變低介電常數(shù)絕緣膜LDP的厚度d時，交叉部電容C為d＝0.4μm →C＝0.30C0d＝0.8μm →C＝0.18C0d＝1.2μm →C＝0.13C0關(guān)于實(shí)施例7中說明的對置電容，參照圖14的剖面結(jié)構(gòu)來說明。使柵絕緣膜GI的厚度dgi為0.4μm，其介電常數(shù)εgi為7.0，液晶LC的厚度dlc為3.5μm，其介電常數(shù)εlc為8.5，柵布線GL和對置電極CT的對置部面積為S時，僅柵絕緣膜GI的交叉部的電容C0為C0＝{(εgi·εlc/(dgiεlc+dlcεgi)}S如果使沿柵絕緣膜GI的上面采用噴墨法涂敷的低介電常數(shù)絕緣膜LDP的厚度為d、其介電常數(shù)為ε，則對置電容C為C＝C0[1/{(1+(dεgiεlc/(dgiεlc+dlcεgi)ε]其中，低介電常數(shù)絕緣膜LDP的介電常數(shù)ε約為3，改變低介電常數(shù)絕緣膜LDP的厚度d時交叉部的電容C為
d＝1μm →C＝0.58C0d＝2μm →C＝0.41C0d＝3μm →C＝0.32 C0本發(fā)明還可以對上述各實(shí)施例進(jìn)行適當(dāng)組合，可在不背離本發(fā)明技術(shù)思想的情況下作出各種變形。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，在第1絕緣基板和第2絕緣基板之間夾著液晶，其特征在于具有在上述第1絕緣基板上彼此平行地形成的多個柵布線，經(jīng)由上述柵布線絕緣層交叉且彼此平行地形成的多個數(shù)據(jù)布線，被上述柵布線和上述數(shù)據(jù)布線圍住的部分各自成為單位像素區(qū)，由上述多個柵布線和上述多個數(shù)據(jù)布線交叉的區(qū)域構(gòu)成顯示區(qū)，薄膜晶體管，包含從上述柵布線延伸至上述單位像素區(qū)的柵電極、覆蓋上述柵布線及上述柵電極的柵絕緣膜、在上述柵絕緣膜上依次形成的半導(dǎo)體層、在該半導(dǎo)體層表面上分開形成的歐姆接觸層、以及在上述被分開的歐姆接觸層上分別形成的源電極和漏電極，上述柵布線和上述數(shù)據(jù)布線交叉部中的上述絕緣層，是由上述柵絕緣膜、和采用噴墨法滴入而覆蓋該柵絕緣膜的上層或下層的低介電常數(shù)絕緣膜構(gòu)成的二層結(jié)構(gòu)。
2.一種液晶顯示裝置，在第1絕緣基板和第2絕緣基板之間夾著液晶，其特征在于具有在上述第1絕緣基板上彼此平行地形成的多個柵布線，經(jīng)由上述柵布線絕緣層交叉且彼此平行地形成的多個數(shù)據(jù)布線，被上述柵布線和上述數(shù)據(jù)布線圍住的部分各自成為單位像素區(qū)，由上述多個柵布線和上述多個數(shù)據(jù)布線交叉的區(qū)域構(gòu)成顯示區(qū)，薄膜晶體管，包含從上述柵布線延伸至上述單位像素區(qū)的柵電極、覆蓋上述柵布線及上述柵電極的柵絕緣膜、在上述柵絕緣膜上依次形成的半導(dǎo)體層、在該半導(dǎo)體層表面上分開形成的歐姆接觸層、在上述被分開的歐姆接觸層上分別形成的源電極和漏電極，在上述顯示區(qū)的整個區(qū)域中，上述柵布線上的上述柵絕緣層，是由上述柵絕緣膜、和采用噴墨法沿著該柵布線滴入而覆蓋該柵絕緣膜的上層或下層的低介電常數(shù)絕緣膜構(gòu)成的二層結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述低介電常數(shù)絕緣膜為耐熱性樹脂。
4.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述低介電常數(shù)絕緣膜為芳香族碳?xì)湎涤袡C(jī)聚合物、聚烯丙基醚系有機(jī)聚合物。
5.一種液晶顯示裝置的制造方法，上述液晶顯示裝置在第1絕緣基板和第2絕緣基板之間夾著液晶，其特征在于包括在上述第1絕緣基板上彼此平行地形成多個柵布線的工序，覆蓋包含上述柵布線的上述第1絕緣基板，形成柵絕緣膜的工序，采用噴墨法將低介電常數(shù)絕緣膜滴入上述柵布線和上述數(shù)據(jù)布線交叉的部分的上述柵絕緣膜上的工序，在上述柵布線絕緣層和上述低介電常數(shù)絕緣膜上，與上述柵布線交叉而彼此平行地形成多個數(shù)據(jù)布線的工序。
6.一種液晶顯示裝置的制造方法，上述液晶顯示裝置在第1絕緣基板和第2絕緣基板之間夾著液晶，其特征在于包括在上述第1絕緣基板上彼此平行地形成多個柵布線的工序，采用噴墨法將低介電常數(shù)絕緣膜滴入上述柵布線和上述數(shù)據(jù)布線交叉的部分的上述柵布線上的工序，覆蓋包含上述柵布線和上述低介電常數(shù)絕緣膜的上述第1絕緣基板，形成柵絕緣膜的工序，在上述低介電常數(shù)絕緣膜和上述柵布線絕緣層上，與上述柵布線交叉而彼此平行地形成多個數(shù)據(jù)布線的工序。
7.一種液晶顯示裝置的制造方法，上述液晶顯示裝置在第1絕緣基板和第2絕緣基板之間夾著液晶，其特征在于包括在上述第1絕緣基板上彼此平行地形成多個柵布線的工序，覆蓋包含上述柵布線的上述第1絕緣基板，形成柵絕緣膜的工序，采用噴墨法將低介電常數(shù)絕緣膜滴入沿著上述柵布線的上述柵絕緣膜上的工序，在上述柵布線絕緣層和上述低介電常數(shù)絕緣膜上，與該柵布線交叉而彼此平行地形成多個數(shù)據(jù)布線的工序。
8.一種液晶顯示裝置的制造方法，上述液晶顯示裝置在第1絕緣基板和第2絕緣基板之間夾著液晶，其特征在于包括在上述第1絕緣基板上彼此平行地形成多個柵布線的工序，采用噴墨法將低介電常數(shù)絕緣膜滴入沿著上述柵布線的上述柵絕緣膜之上的工序，覆蓋包含上述布線的上述第1絕緣基板，形成柵絕緣膜的工序，在上述低介電常數(shù)絕緣膜和上述柵布線絕緣層上，與該柵布線交叉而彼此平行地形成多個數(shù)據(jù)布線的工序。
9.如權(quán)利要求5～8中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于包括由被上述多個柵布線和上述多個數(shù)據(jù)布線圍住的各部分中所形成的各單位像素構(gòu)成顯示區(qū)，在上述柵絕緣膜上形成半導(dǎo)體層且在該半導(dǎo)體層表面上分開形成歐姆接觸層，在上述被分開的歐姆接觸層上分別形成源電極和漏電極，構(gòu)成薄膜晶體管的工序。
10.如權(quán)利要求5～8中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于上述低介電常數(shù)絕緣膜為耐熱性樹脂。
11.如權(quán)利要求5～8中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于上述低介電常數(shù)絕緣膜為芳香族碳?xì)湎涤袡C(jī)聚合物、聚烯丙基醚系有機(jī)聚合物。
全文摘要
提供一種液晶顯示裝置及其制造方法，在夾在構(gòu)成液晶顯示裝置的液晶顯示屏的有源矩陣基板上所形成的柵布線和數(shù)據(jù)布線的交叉部之間的柵絕緣膜的上層，用噴墨法滴入低介電常數(shù)絕緣材料作為又一個絕緣膜，無需使該交叉部的交叉電容增加，就能使在硅半導(dǎo)體層上預(yù)制的薄膜晶體管性能提高。
文檔編號G02F1/1333GK1987572SQ20061007936
公開日2007年6月27日 申請日期2006年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月20日
發(fā)明者好本芳和 申請人:株式會社未來視野